JP2003006928A - Optical recording medium - Google Patents

Optical recording medium

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JP2003006928A
JP2003006928A JP2001193780A JP2001193780A JP2003006928A JP 2003006928 A JP2003006928 A JP 2003006928A JP 2001193780 A JP2001193780 A JP 2001193780A JP 2001193780 A JP2001193780 A JP 2001193780A JP 2003006928 A JP2003006928 A JP 2003006928A
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layer
optical recording
recording medium
light
light reflecting
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Japanese (ja)
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Katsuyuki Yamada
勝幸 山田
Shinya Narumi
慎也 鳴海
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical recording medium having high reliability in storage, good mechanical characteristics and high productivity and capable of high-speed recording. SOLUTION: (1) In the optical recording medium having a substrate, a light absorbing layer and a light reflecting layer, the average grain diameter Lc of the light reflecting layer, the minimum length Lm of a mark recorded and the thickness Lt of the light reflecting layer satisfy the relation of the formula Lt/4<=Lc<=Lm. (2) The light reflecting layer comprises Ag of >=99 wt.% purity containing 0.00005-0.005 wt.% metal having a lower standard electrode potential than Ag.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はレーザー光を照射す
ることにより光吸収層に光学的変化を生じさせ、情報の
記録・再生又は書き換えを行うことができる光記録媒体
に関する。特に、CD−R媒体、CD−RW媒体、DV
D−R媒体、DVD−RW媒体、DVD+R媒体、DV
D+RW媒体等のCD−ROM又はDVD−ROM互換
の光記録媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical recording medium capable of recording / reproducing or rewriting information by causing an optical change in a light absorbing layer by irradiating a laser beam. In particular, CD-R media, CD-RW media, DV
D-R medium, DVD-RW medium, DVD + R medium, DV
The present invention relates to a CD-ROM or DVD-ROM compatible optical recording medium such as a D + RW medium.

【0002】[0002]

【従来技術】レーザー光の照射による記録・再生又は消
去可能な光記録媒体として、光磁気媒体、CD−R媒
体、CD−RW媒体、DVD−R媒体、DVD−RW媒
体、DVD+R媒体、DVD+RW媒体、DVD−RO
M媒体などが商品化されている。これらの光記録媒体で
は、より多くの情報をより速く記録することを可能にす
るため更なる高密度化や高線速度化が期待されており、
その解決策として、高反射率かつ高熱伝導率であるA
u、Ag、Cu、Al系光反射層の採用が検討されてい
る。特に、金属の中で最大の反射率と熱伝導率を有する
Ag系光反射層が期待されている。
2. Description of the Related Art Magneto-optical media, CD-R media, CD-RW media, DVD-R media, DVD-RW media, DVD + R media, DVD + RW media as optical recording media capable of recording / reproducing or erasing by irradiation of laser light. , DVD-RO
M media and the like have been commercialized. In these optical recording media, higher density and higher linear velocity are expected to enable more information to be recorded faster,
As a solution, A with high reflectance and high thermal conductivity
The adoption of u, Ag, Cu, and Al-based light reflecting layers is under study. In particular, an Ag-based light reflecting layer having the highest reflectance and thermal conductivity among metals is expected.

【0003】Agを光記録媒体の光反射層として利用す
ると、次のA〜Fのようなメリットが期待される。 A.広い波長領域での媒体反射率の向上。 B.Agの光学特性に起因する信号振幅の増大。 C.相変化型媒体の光反射層の場合、より急冷な層構造
によるオーバーライト回数の向上。 D.相変化型媒体の光反射層の場合、より急冷な層構造
による記録線速度の拡大。 E.高いスパッタ効率による生産性の向上。 F.スパッタ製膜時間の短縮による熱応力の低減(媒体
機械特性の改善)。一方、Agを光記録媒体の光反射層
として利用する場合、次のG〜Lのような課題があっ
た。 G.高温高湿下で腐食し易い。 H.硫黄や塩素によって、腐食し易い。 J.下地との膜密着力が小さい。 K.貴金属であり、Al等と比較して高価である。 L.厚さ0.6mm基板を使用した場合のAgの膜応力
による機械特性異常。
When Ag is used as a light reflecting layer of an optical recording medium, the following merits A to F are expected. A. Improved medium reflectance in a wide wavelength range. B. Increased signal amplitude due to the optical properties of Ag. C. In the case of the light-reflecting layer of the phase-change type medium, the number of overwrites is improved due to the layer structure that is cooled more rapidly. D. In the case of the light reflection layer of the phase change type medium, the recording linear velocity is expanded by the layer structure that is more rapidly cooled. E. High productivity due to high sputtering efficiency. F. Reduction of thermal stress by shortening sputter film formation time (improvement of medium mechanical properties). On the other hand, when Ag is used as a light reflection layer of an optical recording medium, there are the following problems G to L. G. Easily corroded under high temperature and high humidity. H. Easily corroded by sulfur and chlorine. J. The film adhesion to the base is small. K. It is a noble metal and is more expensive than Al or the like. L. Abnormal mechanical properties due to Ag film stress when using a 0.6 mm thick substrate.

【0004】Agの腐食を抑制する方法としては、特開
昭57−186244号公報のAgCu、特開平7−3
363号公報のAgMg、特開平9−156224号公
報のAgOM(M:Sb、Pd、Pt)、特開2000
−285517号公報のAgPdCuに見られるように
Agの合金を用いることが知られている。また、特許2
749080号には、熱伝導率をコントロールするため
に、AgにTi、V、Fe、Co、Ni、Zn、Zr、
Nb、Mo、Rh、Pd、Sn、Sb、Te、Ta、
W、Ir、Pt、Pb、Bi、Cを含有させることが開
示されている。しかしながら、これらの材料系を実際に
光反射層に用いて、CD−R媒体、CD−RW媒体、D
VD−RW媒体、DVD+R媒体、DVD+RW媒体を
作製し記録信号を評価したところ、充分な反射率と信号
振幅が得られなかった。これは、Agに1wt%以上の
他の金属を添加すると、Agの特徴である高反射率及び
高熱伝導率を得られないためである。また、上記媒体の
80℃、85%RHのアーカイバル高温保存信頼性を評
価したところ、300時間の保存でエラーの急増が認め
られ、上記開示材料では充分な保存信頼性が得られなか
った。DVD+RW媒体のような貼り合わせ型媒体の基
板の場合、0.6mm厚という薄い基板への光反射層の
製膜では、光反射層の熱応力、内部応力によって基板変
形を誘発し、記録再生に問題を生じた。
As a method of suppressing Ag corrosion, AgCu disclosed in JP-A-57-186244 and JP-A-7-3 can be used.
363, AgMg, JP 9-156224, AgOM (M: Sb, Pd, Pt), JP 2000
It is known to use an alloy of Ag as seen in AgPdCu of -285517. Also, patent 2
No. 749080, in order to control the thermal conductivity, Ag, Ti, V, Fe, Co, Ni, Zn, Zr,
Nb, Mo, Rh, Pd, Sn, Sb, Te, Ta,
It is disclosed that W, Ir, Pt, Pb, Bi, and C are contained. However, when these material systems are actually used for the light reflecting layer, the CD-R medium, the CD-RW medium, the D
When a VD-RW medium, a DVD + R medium, and a DVD + RW medium were manufactured and the recording signal was evaluated, sufficient reflectance and signal amplitude could not be obtained. This is because if Ag is added with 1 wt% or more of another metal, high reflectance and high thermal conductivity, which are characteristics of Ag, cannot be obtained. In addition, when the medium was evaluated for archival high temperature storage reliability at 80 ° C. and 85% RH, a rapid increase in errors was observed after storage for 300 hours, and the above disclosed material did not provide sufficient storage reliability. In the case of a substrate of a bonded type medium such as a DVD + RW medium, when a light reflection layer is formed on a substrate as thin as 0.6 mm, substrate deformation is induced by thermal stress and internal stress of the light reflection layer, and recording / reproduction is performed. Caused a problem.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、保存信頼性
が高く、機械特性良好で、生産性の高い、高速記録可能
な光記録媒体の提供を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an optical recording medium having high storage reliability, good mechanical properties, high productivity, and high-speed recording.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題は、次の1)〜
5)の発明(以下、本発明1〜5という。)によって解
決される。 1) 基板と、光吸収層、光反射層を有する光記録媒体
において、光反射層の平均結晶粒径Lcと、記録される
最小マーク長Lmと、光反射層の膜厚Ltが、次式の関
係にあることを特徴とする光記録媒体。 Lt/4≦Lc≦Lm 2) 前記Lc、Lm、Ltが、次式の関係にあること
を特徴とする1)記載の光記録媒体。 Lt/3≦Lc≦Lm 3) 光反射層が、Agより標準電極電位の小さい金属
を0.00005〜0.005wt%含む純度99wt
%以上のAgからなることを特徴とする1)又は2)記
載の光記録媒体。 4) Agより標準電極電位の小さい金属が、Al、B
i、Ca、Cu、Cd、Fe、Mn、Mg、Ni、P
d、Pb、Sb、Znから選ばれた少なくとも一つであ
ることを特徴とする3)記載の光記録媒体。 5) Agより標準電極電位の小さい金属が、光反射層
のAg及び/又はAg合金の結晶粒界に含まれているこ
とを特徴とする3)又は4)記載の光記録媒体。
[Means for Solving the Problems] The above problems are solved in the following 1) to
It is solved by the invention of 5) (hereinafter, referred to as the inventions 1 to 5). 1) In an optical recording medium having a substrate, a light absorbing layer, and a light reflecting layer, the average crystal grain size Lc of the light reflecting layer, the minimum mark length Lm to be recorded, and the film thickness Lt of the light reflecting layer are as follows: An optical recording medium characterized by the following relationship. Lt / 4 ≦ Lc ≦ Lm 2) The optical recording medium according to 1), wherein Lc, Lm, and Lt have the following relationship. Lt / 3 ≦ Lc ≦ Lm 3) The light-reflecting layer contains 0.00005 to 0.005 wt% of a metal having a standard electrode potential lower than Ag and a purity of 99 wt.
The optical recording medium according to 1) or 2), wherein the optical recording medium is composed of at least Ag. 4) Metals whose standard electrode potential is smaller than Ag are Al and B.
i, Ca, Cu, Cd, Fe, Mn, Mg, Ni, P
The optical recording medium according to 3), which is at least one selected from d, Pb, Sb, and Zn. 5) The optical recording medium according to 3) or 4), wherein a metal having a standard electrode potential lower than that of Ag is contained in the crystal grain boundaries of Ag and / or Ag alloy of the light reflecting layer.

【0007】以下、上記本発明について詳しく説明す
る。前記のAg反射層の課題について鋭意検討した結
果、光記録媒体の光反射層としてAgの特徴である光反
射率90%以上を獲得するためには、光反射層のAg含
有量を99wt%以上、好ましくは99.9wt%以上
とする必要があることが分った。また、Ag及び/又は
Ag合金の光反射層の結晶粒界は、Ag又はAg合金の
結晶とは熱物性が大きく異なる。光照射によって記録マ
ークを形成する部分の光反射層に結晶粒界が存在するか
否かによって、マーク形状及びマーク長のバラツキ(ジ
ッター)を生じる。種々の平均結晶粒径Lcの光反射層
を用いたDVD+RW媒体に、最適記録ストラテジで記
録した際の該平均結晶粒径LcとJitter(ジッタ
ー)の関係を図5に示す。平均結晶粒径Lcは、基板温
度、製膜速度、製膜圧力を調整することにより所定の大
きさにした。DVD+RW媒体の最小マーク長Lmは
0.4μmである。図5から、光反射層の平均結晶粒径
Lcが最小マーク長0.4μmを超えてくると、記録し
た信号のジッターが大きくなることが分る。このこと
は、Ag、AgPdCu、AlTiの何れの光反射層で
も同様の結果であった。特性としては、Ag、AgPd
Cu、AlTiの順で良好な結果であった。上記の知見
から、Lc≦Lmとする必要があることが判る。
The present invention will be described in detail below. As a result of diligent studies on the problems of the Ag reflective layer, in order to obtain a light reflectance of 90% or more, which is a characteristic of Ag, as a light reflective layer of an optical recording medium, the Ag content of the light reflective layer is 99 wt% or more. It has been found that the amount should preferably be 99.9 wt% or more. Further, the crystal grain boundaries of the light reflection layer of Ag and / or Ag alloy have thermophysical properties significantly different from the crystals of Ag or Ag alloy. Variation in the mark shape and the mark length (jitter) occurs depending on whether or not crystal grain boundaries exist in the light reflection layer in the portion where the recording mark is formed by light irradiation. FIG. 5 shows the relationship between the average crystal grain size Lc and Jitter (jitter) when recording is performed on the DVD + RW medium using the light reflection layer having various average crystal grain sizes Lc by the optimum recording strategy. The average crystal grain size Lc was set to a predetermined value by adjusting the substrate temperature, the film forming speed, and the film forming pressure. The minimum mark length Lm of the DVD + RW medium is 0.4 μm. From FIG. 5, it can be seen that when the average crystal grain size Lc of the light reflecting layer exceeds the minimum mark length 0.4 μm, the jitter of the recorded signal increases. This was the same result in any of the light reflection layers of Ag, AgPdCu, and AlTi. As characteristics, Ag, AgPd
The results were good in the order of Cu and AlTi. From the above knowledge, it is understood that it is necessary to satisfy Lc ≦ Lm.

【0008】また、光反射層の結晶粒径は光記録媒体の
機械特性、特に基板の反りに影響する。その機構は、光
反射層を真空製膜後、大気開放した際、水蒸気(水分
子)が結晶粒界に入り込み酸化物等の化合物を生成し体
積膨張するが、その際、光反射層表面から水分子が入り
込むため、光反射層表面と内部で体積膨張する割合が異
なり、内部応力が発生する。このとき、光反射層の結晶
粒径が大きいと、内部応力緩和が小さくなるため光記録
媒体としての歪が大きくなる。例えば、光反射層の厚さ
と結晶粒径の大きさが同程度であると、水分子によって
生じる内部応力が緩和されず、基板に引っ張り応力を生
じる。一方、光反射層の厚さに比べて充分に小さい結晶
粒径であると、水分子によって生じる内部応力が緩和さ
れるため、基板に引っ張り応力を生じなくなる。しか
し、光反射層の結晶粒径が小さ過ぎると、光反射層に要
求される光反射率及び熱伝導率が小さくなってしまい好
ましくない。光反射層に要求される光反射率及び/又は
熱伝導率を維持したまま、基板に引っ張り応力を生じさ
せないためには、光反射層の平均結晶粒径Lcが光反射
層の膜厚Ltの1/4以上(Lt/4≦Lc)、好まし
くは1/3以上(Lt/3≦Lc)である必要がある。
The crystal grain size of the light reflecting layer affects the mechanical characteristics of the optical recording medium, especially the warp of the substrate. The mechanism is that when the light reflection layer is vacuum-formed and then exposed to the atmosphere, water vapor (water molecules) enters crystal grain boundaries to generate compounds such as oxides and undergoes volume expansion. Since water molecules enter, the rate of volume expansion differs between the surface of the light reflecting layer and the inside, and internal stress occurs. At this time, if the crystal grain size of the light reflection layer is large, the relaxation of the internal stress becomes small, so that the strain as the optical recording medium becomes large. For example, if the thickness of the light reflection layer and the size of the crystal grain size are approximately the same, the internal stress generated by water molecules is not relaxed, and tensile stress is generated in the substrate. On the other hand, when the crystal grain size is sufficiently smaller than the thickness of the light reflection layer, the internal stress generated by water molecules is relieved, so that tensile stress does not occur in the substrate. However, if the crystal grain size of the light reflecting layer is too small, the light reflectance and the thermal conductivity required for the light reflecting layer become small, which is not preferable. In order to prevent tensile stress from being generated in the substrate while maintaining the light reflectance and / or thermal conductivity required for the light reflecting layer, the average crystal grain size Lc of the light reflecting layer is equal to the film thickness Lt of the light reflecting layer. It should be ¼ or more (Lt / 4 ≦ Lc), preferably ⅓ or more (Lt / 3 ≦ Lc).

【0009】図6に、反射層の平均結晶粒径Lcと膜厚
Ltの比(Lc/Lt)と、記録信号の変調度との関係
を示す。記録後の変調度は、DVD−ROM、CD−R
OM等での再生能力に影響するので、再生可能とするた
めには、変調度55%以上、望ましくは変調度60%以
上が必要である。図6から判るように、変調度55%以
上、又は60%以上を実現するためには、それぞれLc
/Ltを、1/4以上、即ちLt/4≦Lc、1/3以
上、即ち、Lt/3≦Lcとする必要がある。
FIG. 6 shows the relationship between the ratio (Lc / Lt) of the average crystal grain size Lc to the film thickness Lt of the reflective layer and the modulation degree of the recording signal. The degree of modulation after recording is DVD-ROM, CD-R
Since the reproduction capability of the OM or the like is affected, a modulation degree of 55% or more, preferably a modulation degree of 60% or more is necessary to enable reproduction. As can be seen from FIG. 6, in order to realize the modulation degree of 55% or more or 60% or more, Lc is
/ Lt needs to be 1/4 or more, that is, Lt / 4 ≦ Lc, and 1/3 or more, that is, Lt / 3 ≦ Lc.

【0010】また、相変化型光記録媒体において、光反
射層の熱物性、光学特性は、重要な要因である。例えば
ポリカーボネート基板上に、保護層ZnS・SiO
(膜厚80nm)、記録層AgInSbTe(膜厚1
6nm)、保護層ZnS・SiO (膜厚20nm)、
反射層Ag−Cu(膜厚140nm)を順に積層した光
記録媒体に対して、波長650nmのレーザ光で記録再
生を行ない記録信号特性を測定すると、表1に示すよう
な結果が得られる。表1から判るように、Agの純度に
よって記録信号の大きさ(変調度)が大きく異なる。一
方、DVD−ROM、CD−ROM等で再生可能とする
ためには、変調度55%以上、望ましくは変調度60%
以上が必要である。従って、Agの純度としては、99
wt%以上、好ましくは99.9wt%以上が必要であ
り、更に好ましく99.99wt%以上である。
Further, in the phase change type optical recording medium, the optical reflection
Thermophysical properties and optical properties of the coating layer are important factors. For example
Protective layer ZnS / SiO on polycarbonate substrate
Two(Film thickness 80 nm), recording layer AgInSbTe (film thickness 1
6 nm), protective layer ZnS / SiO Two(Film thickness 20 nm),
Light in which reflective layers Ag-Cu (film thickness 140 nm) are sequentially stacked
Recording on the recording medium with laser light having a wavelength of 650 nm
As shown in Table 1, when the recorded signal characteristics are measured by performing live
Results are obtained. As can be seen from Table 1, the purity of Ag
Therefore, the size (modulation degree) of the recording signal greatly differs. one
, DVD-ROM, CD-ROM, etc.
To achieve this, the degree of modulation is 55% or more, preferably 60%
The above is necessary. Therefore, the purity of Ag is 99
wt% or more, preferably 99.9 wt% or more is required
And more preferably 99.99 wt% or more.

【0011】[0011]

【表1】 [Table 1]

【0012】しかし、上記の要件を考慮して反射層に9
9wt%以上の純度の高いAgを用いると、高温高湿保
存信頼性が充分でなくなり、媒体反射率の低下を生じ
た。そこで、この反射率低下の機構を検討した結果、硫
黄源、塩素源が水分(HO)の存在下でAgと接触す
ることにより、Agがイオン化して腐食することが明ら
かになった。この腐食は、Ag表面に到達した硫黄源、
塩素源が水分を媒介として、Agの粒界を通って進行し
てゆく。このような機構に関する知見から、本発明で
は、Agのイオン化を防止するため、目的とするAg本
来の光反射率及び熱伝導率を損なわない程度に、Agよ
り標準電極電位の小さい金属を添加することにした。具
体的には、Agに対しAgより標準電極電位の小さい金
属を0.00005〜0.005wt%添加すると効果
的であった。添加金属としては、Agとの相溶性に優れ
たAl、Bi、Ca、Cu、Cd、Fe、Mn、Mg、
Ni、Pd、Pb、Sb、Znが効果的である。
However, in consideration of the above requirements, the reflective layer has
When Ag having a high purity of 9 wt% or more was used, the high temperature and high humidity storage reliability became insufficient, and the medium reflectance decreased. Then, as a result of studying the mechanism of the decrease in reflectance, it was revealed that Ag is ionized and corroded when the sulfur source and the chlorine source come into contact with Ag in the presence of water (H 2 O). This corrosion is due to the sulfur source reaching the Ag surface,
The chlorine source proceeds through the Ag grain boundaries using water as a medium. From the knowledge about such a mechanism, in the present invention, in order to prevent ionization of Ag, a metal having a standard electrode potential smaller than that of Ag is added to the extent that the intended light reflectance and thermal conductivity of Ag are not impaired. It was to be. Specifically, it was effective to add 0.00005 to 0.005 wt% of a metal having a standard electrode potential smaller than Ag with respect to Ag. As the additive metal, Al, Bi, Ca, Cu, Cd, Fe, Mn, Mg, which has excellent compatibility with Ag,
Ni, Pd, Pb, Sb and Zn are effective.

【0013】上記Agの腐食機構から、Agより標準電
極電位の小さい金属が、Ag及び/又はAg合金の結晶
の粒界に存在すれば、効果的にAgのイオン化を抑制で
きる。Ag及び/又はAg合金の結晶粒界に、Agより
標準電極電位の小さい金属を生成させるためには、基板
温度、製膜速度、製膜圧力等のコントロールにより、製
膜中のAg結晶を充分に成長させると共に、添加金属を
Ag及び/又はAg合金の結晶粒界に移動させる必要が
ある。製膜条件としては、基板温度は高く、製膜速度は
速く、製膜圧力は低い方が、添加金属を効果的にAg結
晶粒界に生成させることができる。光反射層は、各種気
相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマCVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、
電子ビーム蒸着法などによって形成できる。合金又は金
属層の膜厚としては、50〜200nm、好適には70
〜160nmとするのが良い。また、合金又は金属層を
多層化することも可能である。多層化した場合、各層の
膜厚は少なくとも10nm以上必要で、多層化膜の合計
膜厚は50〜160nmとするのが良い。多層記録層の
半透明反射層として利用する際には、10〜50nmが
好適である。
According to the Ag corrosion mechanism, if a metal having a standard electrode potential lower than that of Ag is present at the grain boundaries of the crystals of Ag and / or Ag alloy, the ionization of Ag can be effectively suppressed. In order to generate a metal having a standard electrode potential smaller than that of Ag at the grain boundary of Ag and / or Ag alloy, the Ag crystal in the film formation is sufficiently controlled by controlling the substrate temperature, the film formation speed, the film formation pressure, and the like. It is necessary to move the additive metal to the grain boundaries of Ag and / or Ag alloy while growing the metal. As the film forming conditions, when the substrate temperature is high, the film forming rate is high, and the film forming pressure is low, the added metal can be effectively generated at the Ag crystal grain boundaries. The light-reflecting layer is formed by various vapor deposition methods such as vacuum deposition method, sputtering method, plasma CVD method, photo CVD method, ion plating method,
It can be formed by an electron beam evaporation method or the like. The thickness of the alloy or metal layer is 50 to 200 nm, preferably 70.
It is preferable that the thickness is up to 160 nm. It is also possible to make the alloy or metal layer into multiple layers. In the case of multilayering, the thickness of each layer must be at least 10 nm or more, and the total thickness of the multilayered film is preferably 50 to 160 nm. When used as a semitransparent reflective layer of a multilayer recording layer, 10 to 50 nm is suitable.

【0014】図1〜図4に本発明の実施形態例を示す。
図1の基本的な構成は、案内溝を有する透明基板1上に
下部保護層2、光吸収層3、第1上部保護層4、Ag系
光反射層6、オーバーコート層7を設け、好ましくは第
1上部保護層4の上に第2上部保護層5を設ける。更
に、必要に応じて、オーバーコート層上に印刷層8、基
板鏡面(裏面)にハードコート層9を設けても良い。図
2は、上記の単板ディスクを、接着層10を介して貼り
合わせ構造とした例である。単板ディスクに貼り合わせ
る相手方11は、同様の単板ディスクでも、透明基板の
みでも良い。また、印刷層のない単板ディスクを貼り合
わせた後、反対面側(最表面側)に印刷層8′を形成し
ても良い。更に、オーバーコート層を接着層と兼用し、
1層とすることも可能である。CD−R媒体及びDVD
+R媒体の場合には、図3のように、下部保護層2、第
1上部保護層4、第2上部保護層5を使用しない方が、
感度向上、コストダウンを図れるので望ましい。図4
は、図3の媒体を、図2と同様に貼り合わせ構造とした
ものである。これらの光記録媒体では、半導体レーザー
光の照射によって、光吸収層に光学的変化及び/又は形
状変化を生じ、光記録がなされる。
1 to 4 show an embodiment of the present invention.
In the basic configuration of FIG. 1, a lower protective layer 2, a light absorbing layer 3, a first upper protective layer 4, an Ag light reflecting layer 6 and an overcoat layer 7 are preferably provided on a transparent substrate 1 having guide grooves. Is the
1 A second upper protective layer 5 is provided on the upper protective layer 4. Further, if necessary, a printed layer 8 may be provided on the overcoat layer, and a hard coat layer 9 may be provided on the mirror surface (back surface) of the substrate. FIG. 2 shows an example in which the above-mentioned single plate disc is laminated with the adhesive layer 10 interposed therebetween. The other party 11 to be bonded to the single plate disk may be the same single plate disk or only the transparent substrate. In addition, after a single plate disk having no printing layer is attached, a printing layer 8'may be formed on the opposite surface side (outermost surface side). Furthermore, the overcoat layer also serves as the adhesive layer,
It is also possible to have one layer. CD-R medium and DVD
In the case of the + R medium, it is better not to use the lower protective layer 2, the first upper protective layer 4, and the second upper protective layer 5 as shown in FIG.
It is desirable because sensitivity can be improved and cost can be reduced. Figure 4
3 has a structure in which the medium of FIG. 3 is laminated in the same manner as in FIG. In these optical recording media, irradiation with a semiconductor laser beam causes an optical change and / or a shape change in the light absorption layer to perform optical recording.

【0015】基板の材料は、通常ガラス、セラミック
ス、又は樹脂であり、樹脂基板が成型性やコストの点で
好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート、アク
リル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン、アクリロニト
リル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ABS樹
脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成型性、光学特
性、コストなどの点で優れたポリカーボネートやアクリ
ル樹脂が好ましい。但し、本発明の光記録媒体をDVD
−ROM互換が可能な書き換え型光記録媒体に応用する
場合には、次のような特定の条件が付与されることが望
ましい。即ち、使用する基板に形成される案内溝の幅が
0.10〜0.40μm、好適には0.15〜0.35
μmであり、案内溝の深さが15〜45nm、好適には
20〜40nmとなっていることである。また基板の厚
さは0.55〜0.65mmが好適であり、貼り合わせ
後のディスクの厚さは1.1〜1.3mmが好適であ
る。このような基板溝を有することによって、DVD−
ROMドライブでの再生互換性が向上する。
The material of the substrate is usually glass, ceramics, or resin, and a resin substrate is suitable in terms of moldability and cost. Examples of the resin include polycarbonate, acrylic resin, epoxy resin, polystyrene, acrylonitrile-styrene copolymer resin, polyethylene, polypropylene, silicone resin, fluorine resin, ABS resin, urethane resin, etc. Polycarbonate and acrylic resin, which are excellent in properties and cost, are preferable. However, the optical recording medium of the present invention is a DVD
In the case of application to a rewritable optical recording medium that is compatible with ROM, it is desirable to give the following specific conditions. That is, the width of the guide groove formed in the substrate to be used is 0.10 to 0.40 μm, preferably 0.15 to 0.35.
μm, and the depth of the guide groove is 15 to 45 nm, preferably 20 to 40 nm. The thickness of the substrate is preferably 0.55 to 0.65 mm, and the thickness of the disc after bonding is preferably 1.1 to 1.3 mm. By having such a substrate groove, a DVD-
Playback compatibility in the ROM drive is improved.

【0016】また、本発明の光情報記録媒体をCD−R
W媒体に応用する場合には、案内溝の幅を0.25〜
0.65μm、好適には0.30〜0.60μm、案内
溝の深さを20〜50nm、好適には25〜45nmと
する。光吸収層としては、結晶−アモルファス相間の相
変化を起こし、それぞれが安定化又は準安定化状態を取
ることができるSb、Teを含み、その組成をSb
100−X(Xは原子%)として、40≦X≦80で
ある相変化型記録材料が、記録(アモルファス化)感度
・速度、消去(結晶化)感度・速度、及び消去比の点で
良好なため好ましい。このSbTe材料に、Ga、G
e、Ag、In、Bi、C、N、O、Si、Sなどの元
素を添加することにより、記録・消去感度や信号特性、
信頼性などを制御することができる。これらの元素の添
加比率は、0.1〜20at%、好適には0.1〜15
at%とする。0.1%未満では効果が小さく、20a
t%より多くすると、初期化(結晶化)を良好に行なう
ことができなくなる。
The optical information recording medium of the present invention is a CD-R.
When applied to W medium, the width of the guide groove is 0.25 to
0.65 μm, preferably 0.30 to 0.60 μm, and the depth of the guide groove is 20 to 50 nm, preferably 25 to 45 nm. The light absorption layer contains Sb and Te that can undergo a phase change between a crystalline phase and an amorphous phase and can be in a stable or metastable state, and the composition thereof is Sb X T
e 100-X (X is atomic%), the phase change type recording material with 40 ≦ X ≦ 80 has a recording (amorphization) sensitivity / speed, an erasing (crystallization) sensitivity / speed, and an erasing ratio. It is preferable because it is good. This SbTe material has Ga, G
By adding elements such as e, Ag, In, Bi, C, N, O, Si, and S, recording / erasing sensitivity and signal characteristics,
The reliability can be controlled. The addition ratio of these elements is 0.1 to 20 at%, preferably 0.1 to 15 at%.
At% If less than 0.1%, the effect is small and 20a
If it is more than t%, initialization (crystallization) cannot be performed well.

【0017】合金からなる相変化型光吸収層としては、
単に記録・消去できるだけでなく、高密度、高線速度領
域で記録したときの信号の再生安定性や信号の寿命(信
頼性)も同時に要求される。これらを総合的に満足でき
る相変化型光吸収層としては、組成式が、(Ag及び/
又はGe)α(In及び/又はGa及び/又はBi)β
SbγTeδで表され、α、β、γ、δ(原子%)が次
の範囲にある合金を含有するものが優れている。 0.001≦α/(α+β+γ+δ)≦0.07 0.01≦β/(α+β+γ+δ)≦0.15 0.60≦γ/(α+β+γ+δ)≦0.90 0.15≦δ/(α+β+γ+δ)≦0.30 更に望ましくは、初期化後の未記録状態での結晶構造が
等方的な結晶構造である立方格子結晶構造、好適にはN
aCl型結晶構造を有する材料が、同様に等方性の高い
と考えられるアモルファス相とばらつきの少ない相変化
を起こすことができ、記録(アモルファス化)及び消去
(結晶化)を高速かつ均一に行なうことができるため適
している。
As the phase change type light absorbing layer made of an alloy,
In addition to simply recording and erasing, signal reproduction stability and signal life (reliability) when recorded in a high density and high linear velocity region are also required. A composition formula (Ag and //
Or Ge) α (In and / or Ga and / or Bi) β
Those containing an alloy represented by SbγTeδ and having α, β, γ, and δ (atomic%) in the following ranges are excellent. 0.001 ≦ α / (α + β + γ + δ) ≦ 0.07 0.01 ≦ β / (α + β + γ + δ) ≦ 0.15 0.60 ≦ γ / (α + β + γ + δ) ≦ 0.90 0.15 ≦ δ / (α + β + γ + δ) ≦ 0 .30, more preferably a cubic lattice crystal structure in which the crystal structure in the unrecorded state after initialization is an isotropic crystal structure, preferably N
A material having an aCl-type crystal structure can undergo a phase change with less variation from an amorphous phase, which is also considered to have high isotropy, and performs recording (amorphization) and erasing (crystallization) at high speed and uniformly. Suitable because it can.

【0018】合金からなる相変化型光吸収層の膜厚は1
0〜50nm、好適には12〜30nmとする。更にジ
ッター等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率を
考慮すると、14〜25nmとするのが好ましい。10
nmより薄いと光吸収能が著しく低下し、その役割を果
たさなくなるし、50nmより厚いと高速で均一な相変
化が起こり難くなる。このような光吸収層は、各種気相
成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズ
マCVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、電
子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパ
ッタリング法が、量産性、膜質等に優れているので好ま
しい。また、色素系光吸収層として、シアニン系色素、
ピリリウム系・チオピリリウム系色素、アズレニウム系
色素、スクワリリウム系色素、Ni、Crなどの金属錯
塩系色素、ナフトキノン系・アントラキノン系色素、イ
ンドフェノール系色素、インドアニリン系色素、トリフ
ェニルメタン系色素、トリアリルメタン系色素、アミニ
ウム系・ジインモニウム系色素、ニトロソ化合物、アゾ
系色素、フタロシアニン系色素等の記録波長に吸収を有
する材料及びこれらの混合物も使用できる。また、必要
に応じて、バインダーや光安定剤等を含有させることが
できる。
The thickness of the phase change type light absorbing layer made of an alloy is 1
The thickness is 0 to 50 nm, preferably 12 to 30 nm. Further, considering the initial characteristics such as jitter, overwrite characteristics, and mass production efficiency, the thickness is preferably 14 to 25 nm. 10
When the thickness is less than 50 nm, the light absorption ability remarkably lowers and does not play its role, and when the thickness is more than 50 nm, uniform phase change at high speed hardly occurs. Such a light absorption layer can be formed by various vapor phase growth methods such as vacuum deposition method, sputtering method, plasma CVD method, photo CVD method, ion plating method and electron beam evaporation method. Among them, the sputtering method is preferable because it is excellent in mass productivity and film quality. Further, as the dye-based light absorbing layer, a cyanine-based dye,
Pyrylium / thiopyrylium dyes, azurenium dyes, squarylium dyes, metal complex salt dyes such as Ni and Cr, naphthoquinone / anthraquinone dyes, indophenol dyes, indoaniline dyes, triphenylmethane dyes, triallyl Materials having absorption at a recording wavelength such as methane dyes, aminium-based / diimmonium-based dyes, nitroso compounds, azo-based dyes and phthalocyanine-based dyes, and mixtures thereof can also be used. Further, if necessary, a binder, a light stabilizer and the like can be contained.

【0019】色素系光吸収層の膜厚は10〜500n
m、好ましくは50〜300nmである。膜厚が薄過ぎ
ると、記録信号振幅や記録感度が低下してしまうし、膜
厚が厚過ぎると、反射率が低下してしまうので、これら
のバランスを考慮して、光吸収層の膜厚が決められる。
色素系光吸収層は、通常、色素系光吸収材料を有機溶媒
に溶解しスピンコートすることにより設けられるが、そ
の際、スピンコートの回転数を制御して、所定の膜厚に
コントロールする。この他の光記録層としては、FeT
bCoなどの光磁気記録材料が使用される。これら各種
光記録層は、単層で用いられることが望ましいが、多層
化することもできる。その際、誘電体層を介在させて、
光記録層を多層化することも可能である。多層化に際
し、相変化型光吸収層と色素系光吸収層、相変化型光吸
収層と光磁気記録層といった異種光吸収層の多層化も可
能である。これらの光吸収層の多層化により、異種光記
録装置での記録再生が可能となる。
The thickness of the dye-based light absorbing layer is 10 to 500 n.
m, preferably 50 to 300 nm. If the film thickness is too thin, the recording signal amplitude and recording sensitivity will decrease, and if the film thickness is too thick, the reflectance will decrease. Can be decided.
The dye-based light-absorbing layer is usually provided by dissolving the dye-based light-absorbing material in an organic solvent and spin-coating it. At that time, the rotation speed of spin-coating is controlled to control a predetermined film thickness. Other optical recording layers include FeT
A magneto-optical recording material such as bCo is used. Each of these various optical recording layers is preferably used as a single layer, but may be formed in multiple layers. At that time, with the dielectric layer interposed,
It is also possible to make the optical recording layer multi-layered. In the case of forming multiple layers, it is possible to form multiple layers of different light absorbing layers such as a phase change type light absorbing layer and a dye type light absorbing layer, and a phase change type light absorbing layer and a magneto-optical recording layer. By making these light absorption layers multi-layered, recording / reproduction can be performed in a heterogeneous optical recording device.

【0020】下部保護層及び第1、第2上部保護層の材
料としては、SiO、SiO、ZnO、SnO、A
、TiO、In、MgO、ZrO
どの金属酸化物;Si、AlN、TiN、BN、
ZrNなどの窒化物;ZnS、In、TaS
どの硫化物;SiC、TaC、BC、WC、TiC、
ZrCなどの炭化物;ダイヤモンド状カーボン、或いは
それらの混合物が挙げられる。第2上部保護層には、
C、Si、SiC、SiN、SiO、SiOのうち、
少なくとも一種類の物質を含む材料が望ましい。これら
の材料は、単体で保護層とすることもできるが、互いの
混合物としても良い。また、必要に応じて添加物を含ん
でも良い。但し、下部保護層及び第1、第2上部保護層
の融点は記録層よりも高いことが必要である。このよう
な下部保護層及び第1、第2上部保護層は、各種気相成
長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
CVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッ
タリング法が、量産性、膜質等に優れている。
Materials for the lower protective layer and the first and second upper protective layers are SiO, SiO 2 , ZnO, SnO 2 and A.
metal oxides such as l 2 O 3 , TiO 2 , In 2 O 3 , MgO, and ZrO 2 ; Si 3 N 4 , AlN, TiN, BN,
ZrN and other nitrides; ZnS, In 2 S 3 , TaS 4 and other sulfides; SiC, TaC, B 4 C, WC, TiC,
Carbides such as ZrC; diamond-like carbon, or a mixture thereof. In the second upper protective layer,
Of C, Si, SiC, SiN, SiO, SiO 2 ,
A material containing at least one substance is desirable. These materials may be used alone as the protective layer, or may be mixed with each other. Moreover, you may contain an additive as needed. However, the melting points of the lower protective layer and the first and second upper protective layers need to be higher than that of the recording layer. The lower protective layer and the first and second upper protective layers may be formed by various vapor deposition methods such as vacuum deposition method, sputtering method, plasma CVD method, photo CVD method, ion plating method, and electron beam evaporation method. Can be formed. Among them, the sputtering method is excellent in mass productivity and film quality.

【0021】下部保護層の膜厚は、反射率、変調度や記
録感度に大きく影響する。良好な信号特性を得るために
は、60〜120nmとすることが好適である。第1上
部保護層の膜厚は、5〜45nm、好適には7〜40n
mとする。5nmより薄くなると耐熱性保護層としての
機能を果たさなくなるし、記録感度の低下を生じる。一
方、45nmより厚くなると、界面剥離を生じ易くな
り、繰り返し記録性能も低下する。第2上部保護層の膜
厚は1〜20nm、好適には2〜10nm、更に好適に
は3〜7nmとする。第2上部保護層は、Ag系光反射
層と第2上部保護層との化学的不活性層及び/又は放熱
調整層としての機能が必要であり、薄過ぎるとAg系光
反射層と第1上部保護層との間の物質移動を容易にして
しまい化学的不活性層としての機能を果たさなくなる。
また、厚過ぎるとオーバーライト回数及び反射率の低下
を生じてしまう。このように、第2上部保護層は、化学
的不活性、オーバーライト回数、反射率のバランスを取
るように、所定の膜厚に決められる。
The film thickness of the lower protective layer greatly affects the reflectance, the degree of modulation and the recording sensitivity. In order to obtain good signal characteristics, the thickness is preferably 60 to 120 nm. The thickness of the first upper protective layer is 5 to 45 nm, preferably 7 to 40 n.
m. When the thickness is less than 5 nm, the function as the heat resistant protective layer is not fulfilled and the recording sensitivity is lowered. On the other hand, when the thickness is more than 45 nm, interfacial peeling is likely to occur and the repetitive recording performance is also deteriorated. The thickness of the second upper protective layer is 1 to 20 nm, preferably 2 to 10 nm, and more preferably 3 to 7 nm. The second upper protective layer needs to function as a chemically inactive layer and / or a heat dissipation adjusting layer between the Ag-based light reflecting layer and the second upper protective layer, and if it is too thin, the Ag-based light reflecting layer and the first It facilitates mass transfer to and from the upper protective layer and does not function as a chemically inert layer.
On the other hand, if the thickness is too large, the number of overwrites and the reflectance will decrease. As described above, the second upper protective layer has a predetermined thickness so as to balance the chemical inertness, the number of overwrites, and the reflectance.

【0022】反射放熱層の上には、その酸化防止のため
にオーバーコート層が形成される。オーバーコート層と
しては、スピンコートで作製した紫外線硬化型樹脂が好
適である。その厚さは、3〜15μmが適当である。3
μmより薄くすると、オーバーコート層上に印刷層を設
ける場合にエラーの増大が認められることがあるし、1
5μmより厚くすると、内部応力が大きくなってしま
い、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。ハー
ドコート層の材料としては、スピンコートで作製した紫
外線硬化型樹脂が一般的である。その厚さは、2〜6μ
mが適当である。2μmより薄くすると、十分な耐擦傷
性が得られず、6μmより厚くすると、内部応力が大き
くなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響して
しまう。ハードコート層の硬度は、布で擦っても大きな
傷が付かない鉛筆硬度H以上とする必要がある。必要に
応じて、導電性の材料を混入させることにより帯電防止
を図り、埃等の付着を防止することも効果的である。
An overcoat layer is formed on the reflection / heat dissipation layer to prevent its oxidation. As the overcoat layer, a UV curable resin produced by spin coating is suitable. The appropriate thickness is 3 to 15 μm. Three
If the thickness is less than μm, an increase in error may be observed when the printing layer is provided on the overcoat layer.
If it is thicker than 5 μm, the internal stress becomes large and the mechanical properties of the disk are greatly affected. An ultraviolet curable resin produced by spin coating is generally used as the material for the hard coat layer. Its thickness is 2-6μ
m is suitable. If it is thinner than 2 μm, sufficient scratch resistance cannot be obtained, and if it is thicker than 6 μm, internal stress becomes large and the mechanical properties of the disk are greatly affected. The hardness of the hard coat layer needs to be equal to or higher than the pencil hardness H so that it is not scratched by rubbing with a cloth. If necessary, it is also effective to prevent the electrification by mixing a conductive material and prevent the adhesion of dust and the like.

【0023】印刷層は、耐擦傷性の確保、ブランド名な
どのレーベル印刷、インクジェットプリンタに対するイ
ンク受容層の形成などを目的としており、紫外線硬化型
樹脂をスクリーン印刷法により形成するのが好ましい。
その厚さは、3〜50μmが適当である。3μmより薄
くすると、層形成時にムラが生じてしまうし、50μm
より厚くすると、内部応力が大きくなってしまい、ディ
スクの機械特性に大きく影響してしまう。接着層として
は、紫外線硬化型樹脂、ホットメルト接着剤、シリコー
ン樹脂などの接着剤を用いることができる。このような
接着層の材料は、オーバーコート層又は印刷層上に、材
料に応じて、スピンコート、ロールコート、スクリーン
印刷法などの方法により塗布し、紫外線照射、加熱、加
圧等の処理を行なって反対面のディスクと貼り合わせ
る。反対面のディスクは、同様の単板ディスクでも透明
基板のみでも良く、反対面のディスクの貼り合わせ面に
は、接着層の材料を塗布してもしなくても良い。また、
接着層としては、粘着シートを用いることもできる。接
着層の膜厚は特に限定されないが、材料の塗布性、硬化
性、ディスクの機械特性の影響を考慮すると5〜100
μm、好適には7〜50μmとする。接着面の範囲も特
に限定されないが、DVD及び/又はCD互換が可能な
書き換え型ディスクに応用する場合、高速記録を可能と
する程度の接着強度を確保するために、内周端の位置を
Φ15〜40mm、好適にはΦ15〜30mmとする。
また、接着層のガラス転移温度は、光記録媒体の落下耐
久性を確保するために100℃以下が望ましい。
The printing layer is used for the purpose of ensuring scratch resistance, label printing of brand names and the like, formation of an ink receiving layer for an ink jet printer and the like, and it is preferable to form an ultraviolet curable resin by a screen printing method.
A suitable thickness is 3 to 50 μm. If the thickness is less than 3 μm, unevenness may occur during layer formation, and 50 μm
If the thickness is made thicker, the internal stress becomes larger and the mechanical properties of the disk are greatly affected. As the adhesive layer, an adhesive such as an ultraviolet curable resin, a hot melt adhesive, or a silicone resin can be used. The material for such an adhesive layer is applied on the overcoat layer or the printing layer by a method such as spin coating, roll coating, or screen printing according to the material, and is subjected to treatments such as ultraviolet irradiation, heating, and pressure. Go and stick with the disc on the other side. The disk on the opposite surface may be the same single plate disk or only the transparent substrate, and the material for the adhesive layer may or may not be applied to the bonding surface of the disk on the opposite surface. Also,
A pressure-sensitive adhesive sheet can also be used as the adhesive layer. The thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but is 5 to 100 in consideration of the coating properties of the material, the curability, and the mechanical properties of the disk.
μm, preferably 7 to 50 μm. The range of the adhesive surface is not particularly limited, but when applied to a rewritable disc that is compatible with DVD and / or CD, the position of the inner peripheral edge is set to Φ15 in order to secure the adhesive strength to the extent that high-speed recording is possible. -40 mm, preferably 15-30 mm.
Further, the glass transition temperature of the adhesive layer is preferably 100 ° C. or lower in order to secure the drop durability of the optical recording medium.

【0024】[0024]

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例により限定されるもので
はない。
EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0025】実施例1 溝幅0.25μm、溝深さ27nmの案内溝を有する厚
さ0.6mmのポリカーボネート基板を射出成型し、こ
の基板上に、下部保護層、光吸収層、第1上部保護層、
第2上部保護層、及び純度99.99wt%のAg光反
射層を順次スパッタリング法により積層した。下部保護
層及び第1上部保護層には、ZnS・SiO(SiO
20mol%)を用い、膜厚はそれぞれ80nm、1
1nm、とした。光吸収層には、Ag0.5Ge1.5
InSb70Te20を用い、厚さ16nmとした。
第2上部保護層には、厚さ4nmのSiC膜を用いた。
Ag光反射層には、Cuを0.003wt%添加した純
度99.99wt%のAgを使用し、厚さ140nmと
した。その結果、ポリカーボネート基板/ZnS・Si
(80nm)/Ag0. Ge1.5InSb
70Te20(16nm)/ZnS・SiO(11n
m)/SiC(4nm)/99.99wt%Ag−0.
003wt%Cu(140nm)という層構成を形成し
た。次いで、Ag光反射層上に紫外線硬化型樹脂のスピ
ンコートによるオーバーコート層を形成し、相変化型光
記録媒体の単板ディスクを作成した。次いで、もう一枚
のポリカーボネート基板を紫外線硬化型接着剤で貼り合
わせて、図2の構成の光記録媒体を得た。次に、大口径
LD(ビーム径200×1μm)を有する初期化装置に
よって、線速度3.0m/s、電力850mW、送り1
00μmで、内周から外周に向けて、線速度一定で全面
結晶化したが、光記録媒体に、Agの応力による反りな
どの機械特性の異常は見られなかった。次に、得られた
相変化型光記録媒体に、記録線速度16.75m/s、
波長650nm、NA(開口率)0.65、記録パワー
14.5mWで、DVD−ROM再生可能なフォーマッ
トで光記録した。最小マーク長は、0.4μmである。
その結果、オーバーライト1000回記録後のData
to ClockJitter(データ ツー クロ
ック ジッタ)は8.5%と良好であった。また、反射
率20%、変調度63%と信号特性も良好であり、Ag
本来の高い光反射率、高い熱伝導率を効率的に利用でき
た。更に、この相変化型光記録媒体を温度80℃、湿度
85%RH環境内で500時間放置した保存試験後にお
いても、反射率20%、変調度63%と変化は認められ
なかった。この保存試験前後の相変化型光記録媒体のA
g光反射層の断面TEM及び電子線回折スペクトルにつ
いて検討した結果、保存前にはAgの結晶粒界にCuが
観察されたのに対し、保存後にはAgの結晶粒界にCu
O、CuSが観察され、Agの腐食を抑制していること
が分かった。これらのことから、99.99wt%の純
銀に0.003wt%のCuを添加することにより、A
gの腐食を防止し、かつAg本来の高い光反射率、高い
熱伝導率を効率的に利用できることが確認された。
Example 1 A 0.6 mm thick polycarbonate substrate having a guide groove with a groove width of 0.25 μm and a groove depth of 27 nm was injection-molded, and a lower protective layer, a light absorbing layer, and a first upper portion were formed on the substrate. Protective layer,
The second upper protective layer and the Ag light reflection layer having a purity of 99.99 wt% were sequentially stacked by the sputtering method. ZnS.SiO 2 (SiO 2) is used for the lower protective layer and the first upper protective layer.
With 2 20 mol%), respectively the film thickness 80 nm, 1
1 nm. Ag 0.5 Ge 1.5 is used for the light absorption layer.
In 8 Sb 70 Te 20 was used and the thickness was set to 16 nm.
A SiC film having a thickness of 4 nm was used for the second upper protective layer.
For the Ag light reflection layer, Ag having a purity of 99.99 wt% with 0.003 wt% of Cu added was used and had a thickness of 140 nm. As a result, polycarbonate substrate / ZnS.Si
O 2 (80 nm) / Ag 0. 5 Ge 1.5 In 8 Sb
70 Te 20 (16 nm) /ZnS.SiO 2 (11n
m) / SiC (4 nm) /99.99 wt% Ag-0.
A layer structure of 003 wt% Cu (140 nm) was formed. Then, an overcoat layer was formed on the Ag light reflection layer by spin coating of an ultraviolet curable resin to prepare a single-disc disk of a phase change type optical recording medium. Next, another polycarbonate substrate was attached with an ultraviolet curable adhesive to obtain an optical recording medium having the structure shown in FIG. Next, a linear velocity of 3.0 m / s, an electric power of 850 mW and a feed of 1 were set by an initialization device having a large diameter LD (beam diameter 200 × 1 μm).
At 00 μm, the entire surface was crystallized from the inner circumference to the outer circumference at a constant linear velocity, but no abnormality in mechanical properties such as warpage due to Ag stress was observed in the optical recording medium. Next, a recording linear velocity of 16.75 m / s was applied to the obtained phase change optical recording medium.
Optical recording was performed in a DVD-ROM reproducible format with a wavelength of 650 nm, an NA (aperture ratio) of 0.65, and a recording power of 14.5 mW. The minimum mark length is 0.4 μm.
As a result, after overwriting 1000 times, Data
The to Clock Jitter (data to clock jitter) was good at 8.5%. In addition, the reflectance is 20% and the modulation degree is 63%, and the signal characteristics are good.
The original high light reflectance and high thermal conductivity could be used efficiently. Further, even after a storage test in which this phase change type optical recording medium was left in an environment of temperature 80 ° C. and humidity 85% RH for 500 hours, the reflectance was 20% and the degree of modulation was 63%, which was not observed. A of the phase change type optical recording medium before and after this storage test
As a result of examining the cross-sectional TEM and electron beam diffraction spectrum of the g light reflection layer, Cu was observed at the Ag grain boundaries before storage, whereas Cu was observed at the Ag grain boundaries after storage.
O and CuS were observed, and it was found that Ag corrosion was suppressed. From these, by adding 0.003 wt% Cu to 99.99 wt% pure silver, A
It was confirmed that the corrosion of g was prevented and the high light reflectance and high thermal conductivity inherent in Ag could be efficiently used.

【0026】実施例2 溝幅0.25μm、溝深さ27nmの案内溝を有する厚
さ0.6mmのポリカーボネート基板を射出成型し、こ
の基板上に、下部保護層、光吸収層、第1上部保護層、
第2上部保護層及び純度99.99wt%のAg光反射
層を順次スパッタリング法により積層した。下部保護層
及び第1上部保護層には、ZnS・SiO(SiO
20mol%)を用い、膜厚はそれぞれ80nm、11
nmとした。光吸収層には、GeGaSb73Te
20を用い、厚さ16nmとした。第2上部保護層に
は、厚さ4nmのSiC膜を用いた。Ag光反射層に
は、Fe、Alをそれぞれ0.0005wt%添加した
純度99.99wt%のAgを使用し、厚さ140nm
とした。このAg光反射層の形成は、基板温度70℃、
製膜速度120nm/sで行い、粒径60nmに制御し
た。その結果、ポリカカーボネート基板/ZnS・Si
(80nm)/GeGaSb73Te20(1
6nm)/ZnS・SiO(11nm)/SiC(4
nm)/99.99wt%Ag−0.005wt%Fe
−0.0005wt%Al(140nm)という層構成
を形成した。次いで、Ag光反射層上に紫外線硬化型樹
脂のスピンコートによるオーバーコート層を形成し、相
変化型光記録媒体の単板ディスクを作成した。次いで、
もう一枚のポリカーボネート基板を紫外線硬化型接着剤
で貼り合わせて、図2の構成の光記録媒体を得た。次
に、大口径LD(ビーム径200×1μm)を有する初
期化装置によって、線速度3.0m/s、電力850m
W、送り100μmで、内周から外周に向けて、線速度
一定で全面結晶化したが、光記録媒体に、Agの応力に
よる反りなどの機械特性の異常は見られなかった。次
に、得られた相変化型光記録媒体に、記録線速度16.
75m/s、波長650nm、NA0.65、記録パワ
ー14.5mWで、DVD−ROM再生可能なフォーマ
ットで光記録した。最小マーク長は、0.4μmであ
る。その結果、オーバーライト1000回記録後のDa
ta to Clock Jitter(データ ツー
クロック ジッタ)は8.0%と良好であった。ま
た、反射率21%、変調度60%と信号特性も良好であ
り、Ag本来の高い光反射率、高い熱伝導率を効率的に
利用できた。更に、この相変化型光記録媒体を温度80
℃、湿度85%RH環境内で500時間放置した保存試
験後においても、反射率21%、変調度60%と変化は
認められなかった。この保存試験前後の相変化型光記録
媒体のAg光反射層の断面TEM及び電子線回折スペク
トルについて検討した結果、保存前にはAgの結晶粒界
にFe、Alの存在が観察されたのに対し、保存後に
は、Agの結晶粒界にFeSx(X=1.0〜1.
5)、AlOx(X=1.0〜1.5)が観察され、A
gの腐食を抑制していることが分った。これらのことか
ら、99.99wt%の純銀に0.0005wt%のF
e、Alを添加することにより、Agの腐食を防止し、
かつAg本来の高い光反射率、高い熱伝導率を効率的に
利用できることが確認された。
Example 2 A 0.6 mm thick polycarbonate substrate having a guide groove with a groove width of 0.25 μm and a groove depth of 27 nm was injection molded, and a lower protective layer, a light absorbing layer, and a first upper portion were formed on the substrate. Protective layer,
The second upper protective layer and the Ag light reflecting layer having a purity of 99.99 wt% were sequentially stacked by the sputtering method. The lower protective layer and the first upper protective layer are made of ZnS.SiO 2 (SiO 2
20 mol%) and the film thickness is 80 nm and 11 respectively.
nm. Ge 2 Ga 5 Sb 73 Te is used for the light absorption layer.
20 was used and the thickness was set to 16 nm. A SiC film having a thickness of 4 nm was used for the second upper protective layer. For the Ag light reflection layer, Ag having a purity of 99.99 wt% with 0.0005 wt% of Fe and Al added, and having a thickness of 140 nm
And The Ag light reflection layer is formed at a substrate temperature of 70 ° C.
The film formation speed was 120 nm / s, and the particle size was controlled to 60 nm. As a result, polycarbonate substrate / ZnS.Si
O 2 (80 nm) / Ge 2 Ga 5 Sb 73 Te 20 (1
6 nm) /ZnS.SiO 2 (11 nm) / SiC (4
nm) /99.99 wt% Ag-0.005 wt% Fe
A layer structure of -0.0005 wt% Al (140 nm) was formed. Then, an overcoat layer was formed on the Ag light reflection layer by spin coating of an ultraviolet curable resin to prepare a single-disc disk of a phase change type optical recording medium. Then
Another polycarbonate substrate was attached with an ultraviolet curable adhesive to obtain an optical recording medium having the structure shown in FIG. Next, with an initialization device having a large diameter LD (beam diameter 200 × 1 μm), a linear velocity of 3.0 m / s and an electric power of 850 m
Although the entire surface was crystallized at a constant linear velocity from the inner circumference to the outer circumference at a feed rate of W and 100 μm, no abnormalities in mechanical properties such as warpage due to Ag stress were found in the optical recording medium. Then, a recording linear velocity of 16.
Optical recording was performed in a DVD-ROM reproducible format at 75 m / s, wavelength 650 nm, NA 0.65, and recording power 14.5 mW. The minimum mark length is 0.4 μm. As a result, Da after recording 1000 times of overwriting
The ta to Clock Jitter (data to clock jitter) was as good as 8.0%. In addition, the reflectance was 21% and the modulation degree was 60%, and the signal characteristics were also good, and the original high light reflectance and high thermal conductivity of Ag could be efficiently utilized. Further, this phase change type optical recording medium is heated at a temperature of 80
Even after a storage test in which the sample was left for 500 hours in a RH environment of 85 ° C. and a humidity of 85%, the reflectance was 21% and the degree of modulation was 60%. As a result of examining the cross-sectional TEM and electron beam diffraction spectrum of the Ag light reflecting layer of the phase change optical recording medium before and after this storage test, it was found that Fe and Al existed in the Ag grain boundaries before storage. On the other hand, after storage, FeSx (X = 1.0 to 1.
5), AlOx (X = 1.0 to 1.5) was observed, and A
It was found that the corrosion of g was suppressed. From these, 0.0005 wt% F is added to 99.99 wt% pure silver.
e and Al are added to prevent Ag corrosion,
It was also confirmed that Ag's original high light reflectance and high thermal conductivity can be efficiently used.

【0027】実施例3 溝幅0.25μm、溝深さ100nmの案内溝を有する
厚さ0.6mmのポリカーボネート基板を射出成型し、
この基板上に、アゾ色素のアルコール溶液のスピンコー
トにより光吸収層を形成した。溝部分の膜厚は、120
nmとした。次いで、その上に、光反射層として、M
g、Znをそれぞれ0.0001wt%添加した純度9
9.99wt%のAgを厚さ100nm形成した。この
Ag光反射層の形成は、基板温度50℃、製膜速度12
0nm/sで行い、粒径30nmに制御した。その結
果、ポリカーボネート基板/アゾ色素/99.99wt
%Ag−0.0001wt%Mg−0.0001wt%
Zn(100nm)という層構成を形成した。次いで、
Ag光反射層上に紫外線硬化型樹脂のスピンコートによ
るオーバーコート層を形成し、光記録媒体の単板ディス
クを作成した。次いで、もう一枚のポリカーボネート基
板を紫外線硬化型接着剤で貼り合わせて、図4の構成の
光記録媒体を得たが、Agの応力による反りなどの機械
特性の異常は見られなかった。次に、得られた相変化型
光記録媒体に記録線速度16.75m/s、波長650
nm、NA0.65、記録パワー15mWで、DVD−
ROM再生可能なフォーマットで光記録した。最小マー
ク長は0.4μmである。その結果、記録後のData
to Clock Jitter(データ ツー ク
ロック ジッタ)は7.5%と良好であった。また、反
射率65%、変調度65%と信号特性も良好であり、A
g本来の高い光反射率を効率的に利用できた。この光記
録媒体をDVD−ROMドライブで再生したところ、問
題なく再生することができた。更に、この光記録媒体を
温度80℃、湿度85%RH環境内で500時間放置し
た保存試験後においても、反射率65%、変調度65%
と変化は認められなかった。この保存試験前後の光記録
媒体のAg光反射層の断面TEM及び電子線回折スペク
トルについて検討した結果、保存前にはAgの結晶粒界
にMg、Znの存在が観察されたのに対し、保存後に
は、Agの結晶粒界にZnS、MgOが観察され、Ag
の腐食を抑制していることが分った。これらのことか
ら、99.99wt%の純銀に0.0001wt%のM
g、Znを添加することにより、Agの腐食を防止し、
かつAg本来の高い光反射率を効率的に利用できること
が確認された。
Example 3 A polycarbonate substrate having a thickness of 0.6 mm and having a guide groove having a groove width of 0.25 μm and a groove depth of 100 nm was injection-molded,
A light absorption layer was formed on this substrate by spin coating with an alcohol solution of an azo dye. The film thickness of the groove is 120
nm. Then, as a light reflecting layer, M
Purity with 0.0001 wt% of g and Zn added 9
9.99 wt% Ag was formed to a thickness of 100 nm. The Ag light reflection layer was formed at a substrate temperature of 50 ° C. and a film formation rate of 12
The particle size was controlled to 0 nm / s and the particle size was controlled to 30 nm. As a result, polycarbonate substrate / azo dye / 99.99 wt
% Ag-0.0001 wt% Mg-0.0001 wt%
A layer structure of Zn (100 nm) was formed. Then
An overcoat layer was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin on the Ag light reflection layer to prepare a single plate disk for an optical recording medium. Next, another polycarbonate substrate was bonded with an ultraviolet curable adhesive to obtain an optical recording medium having the structure shown in FIG. 4, but no abnormality in mechanical properties such as warpage due to Ag stress was observed. Next, a recording linear velocity of 16.75 m / s and a wavelength of 650 were applied to the obtained phase change optical recording medium.
nm, NA 0.65, recording power 15 mW, DVD-
Optically recorded in ROM reproducible format. The minimum mark length is 0.4 μm. As a result, Data after recording
The to Clock Jitter (data to clock jitter) was as good as 7.5%. In addition, the signal characteristics, such as a reflectance of 65% and a modulation degree of 65%, are good.
The original high light reflectance could be efficiently used. When this optical recording medium was reproduced with a DVD-ROM drive, it could be reproduced without any problem. Furthermore, even after a storage test in which this optical recording medium was left in an environment of temperature 80 ° C. and humidity 85% RH for 500 hours, the reflectance was 65% and the degree of modulation was 65%.
No change was observed. As a result of examining the cross-sectional TEM and electron beam diffraction spectrum of the Ag light reflection layer of the optical recording medium before and after this storage test, the presence of Mg and Zn was observed at the Ag grain boundaries before storage, whereas Later, ZnS and MgO were observed at the Ag grain boundaries, and AgS
It has been found that it suppresses the corrosion of. From these, 0.0001 wt% of M is added to 99.99 wt% of pure silver.
g and Zn are added to prevent Ag corrosion,
Moreover, it was confirmed that Ag's original high light reflectance can be efficiently used.

【0028】実施例4〜11 実施例1においてAg光反射層に添加したCuの代り
に、Bi(実施例4)、Ca(実施例5)、Cd(実施
例6)、Mn(実施例7)、Ni(実施例8)、Pd
(実施例9)、Pb(実施例10)、Sb(実施例1
1)を用いた点以外は、実施例1と同様にして図2の構
成の光記録媒体を作製し評価を行なったところ、何れも
実施例1と同様の結果が得られた。
Examples 4 to 11 Bi (Example 4), Ca (Example 5), Cd (Example 6), Mn (Example 7) were used in place of Cu added to the Ag light reflecting layer in Example 1. ), Ni (Example 8), Pd
(Example 9), Pb (Example 10), Sb (Example 1)
When an optical recording medium having the structure of FIG. 2 was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that 1) was used, the same results as in Example 1 were obtained.

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明1によれば、光反射層の応力が小
さく、かつ記録信号特性、特にジッターが良好な光記録
媒体が得られる。本発明2によれば、光反射層の応力が
小さく、かつ記録信号特性、特にジッターが良好で、R
OMドライブ互換の良好な光記録媒体が得られる。本発
明3によれば、Agの特徴である高い光反射率、高い熱
伝導率を有効に利用し、かつAgの腐食を抑制した光記
録媒体を提供できる。本発明4によれば、Agの特徴で
ある高い光反射率、高い熱伝導率を有効に利用し、かつ
Agの腐食を抑制した光記録媒体を容易に提供できる。
本発明5によれば、Agの特徴である高い光反射率、高
い熱伝導率を有効に利用し、かつAgの腐食を効果的に
抑制した光記録媒体を提供できる。
According to the first aspect of the present invention, it is possible to obtain an optical recording medium in which the stress of the light reflecting layer is small and the recording signal characteristics, particularly the jitter, are good. According to the second aspect of the present invention, the stress of the light reflecting layer is small, the recording signal characteristics, especially the jitter are good, and R
A good optical recording medium compatible with the OM drive can be obtained. According to the third aspect of the present invention, it is possible to provide an optical recording medium that effectively utilizes the high light reflectance and high thermal conductivity that are characteristics of Ag and suppresses Ag corrosion. According to the present invention 4, it is possible to easily provide an optical recording medium that effectively utilizes the high light reflectance and high thermal conductivity that are characteristics of Ag and suppresses the corrosion of Ag.
According to the present invention 5, it is possible to provide an optical recording medium that effectively utilizes the high light reflectance and high thermal conductivity that are characteristics of Ag, and effectively suppresses the corrosion of Ag.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の光記録媒体の層構造の一例を示す図。FIG. 1 is a diagram showing an example of a layer structure of an optical recording medium of the present invention.

【図2】図1に示す光記録媒体を貼り合わせ型に変えた
場合の層構造の一例を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a layer structure when the optical recording medium shown in FIG. 1 is changed to a bonded type.

【図3】本発明の光記録媒体をCD−R及びDVD−R
用とする場合の層構造の一例を示す図。
FIG. 3 shows an optical recording medium of the present invention, which is a CD-R or a DVD-R.
The figure which shows an example of the layered structure when using it.

【図4】図3に示す光記録媒体を貼り合わせ型に変えた
場合の層構造の一例を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a layer structure when the optical recording medium shown in FIG. 3 is changed to a bonded type.

【図5】光反射層材料の粒径と記録信号特性の関係を示
す図。
FIG. 5 is a diagram showing a relationship between a particle diameter of a light reflecting layer material and recording signal characteristics.

【図6】反射層の平均結晶粒径Lcと膜厚Ltの比(L
c/Lt)と、記録信号の変調度との関係を示す図。
FIG. 6 is a ratio of the average crystal grain size Lc of the reflective layer to the film thickness Lt (L
FIG. 6 is a diagram showing a relationship between c / Lt) and the modulation factor of a recording signal.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 下部保護層 3 光吸収層 4 第1上部保護層 5 第2上部保護層 6 Ag系光反射層 7 オーバーコート層 8 印刷層 8′ 印刷層 9 ハードコート層 10 接着層 11 貼り合わせ基板又はディスク 1 substrate 2 Lower protective layer 3 Light absorption layer 4 First upper protective layer 5 Second upper protective layer 6 Ag-based light reflection layer 7 Overcoat layer 8 printing layers 8'printing layer 9 Hard coat layer 10 Adhesive layer 11 Laminated substrate or disk

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板と、光吸収層、光反射層を有する光
記録媒体において、光反射層の平均結晶粒径Lcと、記
録される最小マーク長Lmと、光反射層の膜厚Ltが、
次式の関係にあることを特徴とする光記録媒体。 Lt/4≦Lc≦Lm
1. In an optical recording medium having a substrate, a light absorbing layer and a light reflecting layer, an average crystal grain size Lc of the light reflecting layer, a minimum mark length Lm to be recorded, and a film thickness Lt of the light reflecting layer. ,
An optical recording medium characterized by the following formula. Lt / 4 ≦ Lc ≦ Lm
【請求項2】 前記Lc、Lm、Ltが、次式の関係に
あることを特徴とする請求項1記載の光記録媒体。 Lt/3≦Lc≦Lm
2. The optical recording medium according to claim 1, wherein the Lc, Lm, and Lt have the following relationship. Lt / 3 ≦ Lc ≦ Lm
【請求項3】 光反射層が、Agより標準電極電位の小
さい金属を0.00005〜0.005wt%含む純度
99wt%以上のAgからなることを特徴とする請求項
1又は2記載の光記録媒体。
3. The optical recording according to claim 1, wherein the light reflecting layer is made of Ag having a purity of 99 wt% or more containing 0.00005 to 0.005 wt% of a metal having a standard electrode potential lower than that of Ag. Medium.
【請求項4】 Agより標準電極電位の小さい金属が、
Al、Bi、Ca、Cu、Cd、Fe、Mn、Mg、N
i、Pd、Pb、Sb、Znから選ばれた少なくとも一
つであることを特徴とする請求項3記載の光記録媒体。
4. A metal having a standard electrode potential smaller than that of Ag,
Al, Bi, Ca, Cu, Cd, Fe, Mn, Mg, N
The optical recording medium according to claim 3, which is at least one selected from i, Pd, Pb, Sb, and Zn.
【請求項5】 Agより標準電極電位の小さい金属が、
光反射層のAg及び/又はAg合金の結晶粒界に含まれ
ていることを特徴とする請求項3又は4記載の光記録媒
体。
5. A metal having a standard electrode potential smaller than that of Ag,
The optical recording medium according to claim 3 or 4, wherein the optical recording medium is contained in a crystal grain boundary of Ag and / or an Ag alloy of the light reflecting layer.
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JP2012507058A (en) * 2008-10-28 2012-03-22 オプトドット コーポレイション Crystalline infrared reflective film

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