JP2002532828A - Array of hollow cathodes for plasma generation - Google Patents

Array of hollow cathodes for plasma generation

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JP2002532828A
JP2002532828A JP2000587353A JP2000587353A JP2002532828A JP 2002532828 A JP2002532828 A JP 2002532828A JP 2000587353 A JP2000587353 A JP 2000587353A JP 2000587353 A JP2000587353 A JP 2000587353A JP 2002532828 A JP2002532828 A JP 2002532828A
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cathode assembly
cells
assembly
cell
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チエン,ジー−ホング・エリク
リン,テイオ−ジーン
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EI Du Pont de Nemours and Co
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EI Du Pont de Nemours and Co
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    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J17/00Gas-filled discharge tubes with solid cathode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • H01J37/32596Hollow cathodes

Abstract

(57)【要約】 本発明は放電プラズマの生成に使用のための陰極のアセンブリーに関する。陰極はアレー中の複数の電気伝導性の中空のプラズマ発生セルを含んでなり、当該セルは相互に電気的に接続されている。発生されたプラズマはフィルム、繊維、粒子及びその他の製品のような基材の表面の特性を修正するために使用することができる。 SUMMARY The present invention relates to a cathode assembly for use in generating a discharge plasma. The cathode comprises a plurality of electrically conductive hollow plasma generating cells in an array, the cells being electrically connected to one another. The generated plasma can be used to modify the properties of the surface of the substrate, such as films, fibers, particles, and other products.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 (発明の背景) 本発明は、放電プラズマの生成における使用のための中空の陰極のアレーに関
する。発生されたプラズマはフィルム、繊維、粒子及びその他の製品のような基
材の表面特性を修正するために使用することができる。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to an array of hollow cathodes for use in generating a discharge plasma. The generated plasma can be used to modify the surface properties of substrates such as films, fibers, particles and other products.

【0002】 物理的又は化学的修正により新規の表面特性を与えるための、ポリマーのよう
な様々な基材の処理は、フィルム産業を含む数々の産業に重要である。これらの
処理には湿式法が有効に使用されてきた、しかし、このような湿式法は、溶媒の
廃棄物廃棄のような問題を伴う。コロナ処理、uv処理、レーザー処理、x−線
及びガンマ−線処理のような乾式法もある程度の成功を伴って利用されてきた。
コロナ処理は数十年間、産業に使用されてきたが、概括的にはウェブ構造物のよ
うな簡単な表面の構造物に制約される。更に、幾つかの材料においては、コロナ
処理の効果は経時的に薄れていく。更に、処理された基材の表面上にどんな官能
基が生成され得るかについてほとんど制御されず、電極と基材との近い距離が、
ピンホール又は焦げた部分の望ましくない形成をもたらす可能性がある。UV、
x−線、ガンマ−線及びレーザー処理は点の光線源であり、広い面積を処理する
ためには容易に使用することができない。更に、これらの処理は、強度の変動又
は陰の効果を受け、それが、処理を少なく受けるか又は視程範囲の陰により遮蔽
さえされる幾つかの領域をもたらす可能性がある。
[0002] The treatment of various substrates, such as polymers, to provide new surface properties by physical or chemical modification is important in a number of industries, including the film industry. Wet methods have been used successfully for these treatments, but such wet methods involve problems such as solvent waste disposal. Dry methods such as corona treatment, uv treatment, laser treatment, x-ray and gamma-ray treatment have also been used with some success.
Corona treatment has been used in the industry for decades, but is generally constrained to simple surface structures, such as web structures. In addition, for some materials, the effect of corona treatment diminishes over time. Furthermore, there is little control over what functional groups can be created on the surface of the treated substrate, and the close distance between the electrode and the substrate is
This can result in the undesirable formation of pinholes or burnt areas. UV,
X-ray, gamma-ray and laser treatments are point light sources and cannot be easily used to process large areas. Furthermore, these processes are subject to the effects of intensity fluctuations or shadows, which can result in some regions receiving less processing or even occluded by shadows in the visibility range.

【0003】 改善された表面特性及びガス遮蔽性を与えるために硬い、形態をもつ又は成形
されたポリマー容器の処理は食品及び飲料産業に重要である。様々な組成物でこ
れらの容器を被覆し、それによりそれらのガス遮蔽特性を改善するために、様々
な適用方法が提唱されてきた。しかし、これらの容器のガス遮蔽特性を更に増加
して、それらを、酸素及び二酸化炭素のようなガスの透過をより遅延させること
ができるようにさせる必要が継続して存在する。更に、これらの容器の再利用性
を改善するために、特に印刷可能性に関連した改善された表面特性の必要が継続
して存在する。
[0003] The treatment of hard, shaped or molded polymer containers to provide improved surface properties and gas barrier properties is important in the food and beverage industry. Various methods of application have been proposed to coat these containers with various compositions and thereby improve their gas barrier properties. However, there is a continuing need to further increase the gas shielding properties of these containers so that they can be more retarded in the permeation of gases such as oxygen and carbon dioxide. Furthermore, there is a continuing need for improved surface properties, especially in relation to printability, to improve the reusability of these containers.

【0004】 プラズマ工学は50年間以上も実験室では使用されてきたが、主として半導体
産業に促進されて、ごく最近、商業的規模で実施されるようになってきた。ポリ
マーのプラズマ処理においては、プラズマ中に発生されたエネルギーをもつ粒子
及び光子が、通常はフリーラジカル化学により、ポリマーの表面と強力に反応し
合う。
[0004] Although plasma technology has been used in laboratories for over 50 years, it has only recently been implemented on a commercial scale, primarily driven by the semiconductor industry. In the plasma treatment of polymers, energetic particles and photons generated in the plasma react strongly with the surface of the polymer, usually by free radical chemistry.

【0005】 他の処理法と比較して、プラズマの表面処理の主な利点は、有害な副生物がな
いことである。通常は、廃棄されなければならない毒性の又は危険な液体又は気
体がない。通常、プラズマ処理に対する主な過程の副生物はCO、CO2及び水
蒸気であり、それらのどれも毒性をもつ量では存在しない。理論的にはプラズマ
は、通常の機器及び方法を使用することにより様々な成功率を伴って、すべての
可能な幾何学的構造をもつ物体に適用することができる。これらの物体はウェブ
、フィルム、複雑な形態をもつ大きな固体物質、及び粉末のような、大量の小さ
いばらばらな物質を含む。
[0005] A major advantage of plasma surface treatment compared to other treatment methods is that there are no harmful by-products. Normally, there are no toxic or hazardous liquids or gases that must be disposed of. Usually, by-products of the main processes for the plasma treatment is CO, CO 2 and water vapor, not present in amounts having their none toxicity. In theory, plasmas can be applied to objects with all possible geometries, with varying success rates, by using conventional equipment and methods. These objects include large amounts of small, discrete materials, such as webs, films, large solid materials of complex morphology, and powders.

【0006】 産業的規模でプラズマ法を使用することに対する主な障害は、経済的に許容で
きる生産率の達成である。プラズマ法の利便性は容易に明白であるが、処理量が
非常に低いので、その方法は、その方法から著しく高められた価値を獲得する製
品に対してのみ、経済的に利用可能である。制約するファクターは低いプラズマ
強度及びプラズマの綴じ込めの欠乏を含む。高い生産率の可能性をもつプラズマ
による修飾又は重合化システムは、産業的規模におけるプラズマ工学の利用に急
速な成長をもたらすであろう。
[0006] A major obstacle to using plasma processes on an industrial scale is the achievement of economically acceptable production rates. The convenience of the plasma method is readily apparent, but because of the very low throughput, the method is economically available only for products that gain significantly increased value from the method. Limiting factors include low plasma intensity and lack of plasma binding. Plasma modification or polymerization systems with the potential for high production rates will provide rapid growth in the use of plasma engineering on an industrial scale.

【0007】 プラズマ重合化及びプラズマ修飾のためにプラズマを発生するために使用され
る大部分の装置は、2種類の基礎的なタイプの電極の形態、内部平行板電極及び
外部電極、の変形である。これらの2種類の方法の利便性は、最小の滞留時間を
達成することができるような高いプラズマ強度を維持しながら、広い面積を処理
するためにそれらを大規模化させることができる容易性により制約される。既存
のDCの中空の陰極プラズマ反応容器は、内部平行板及び外部電極よりも高いプ
ラズマ強度及びより高い程度のプラズマ封じ込めを提供する。しかし、大きな中
空の陰極反応容器は固有に大規模化が困難なので、それらは大きい面積を処理す
るために使用することができない。60”(152.4cm)幅の基材のような
大きい面積の処理物を収容するのに必要な、大きい中空の陰極反応容器で、所望
のプラズマ強度を達成するためには、極めて高い電圧が必要である。
[0007] Most devices used to generate a plasma for plasma polymerization and plasma modification use two basic types of electrode configurations, variants of internal parallel plate electrodes and external electrodes. is there. The convenience of these two methods is due to the ease with which they can be scaled up to process large areas while maintaining high plasma intensity such that a minimum residence time can be achieved. Be constrained. Existing DC hollow cathode plasma reactors provide higher plasma intensity and a higher degree of plasma containment than internal parallel plates and external electrodes. However, large hollow cathode reaction vessels are inherently difficult to scale up, so they cannot be used to process large areas. To achieve the desired plasma intensity in the large hollow cathode reactor required to accommodate a large area process such as a 60 ″ (152.4 cm) wide substrate, very high voltages are required. is necessary.

【0008】 欧州特許第634 778号は表面エッチング及び、金属シート上の「ローリ
ングオイル」の除去のための、プラズマを発生する中空の陰極のアレーにつき記
載している。その中空の陰極アレーシステムは、ハウジングの1枚の壁に沿って
均一に間隔を空けた複数の開口部をもつハウジングを含んでなる。中空の陰極の
プラズマは基本的には、ハウジング内に発生されて、開口部を通して運搬される
。このような開口部のアレーは分配体として働くが、プラズマ強度及び均一性は
増加されない。各開口部は約1/16インチ(0.15cm)の直径をもつ。欧
州特許第634 778号のシステムに使用された圧力は0.1ないし5.0ト
ールの範囲内にあり、かけられた電力は0.5ないし3.0kWの範囲内にある
[0008] EP 634 778 describes an array of hollow cathodes that generate a plasma for surface etching and removal of "rolling oil" on metal sheets. The hollow cathode array system comprises a housing having a plurality of openings uniformly spaced along one wall of the housing. The hollow cathode plasma is basically generated in the housing and transported through the opening. Such an array of openings acts as a distributor but does not increase plasma intensity and uniformity. Each opening has a diameter of about 1/16 inch (0.15 cm). The pressure used in the system of EP 634 778 is in the range of 0.1 to 5.0 Torr and the power applied is in the range of 0.5 to 3.0 kW.

【0009】 米国特許第5,686,789号は、準小型蛍光ランプに使用のための微細な
中空のアレーをもつ陰極をもつ放電装置につき記載している。この特許は、大き
い面積の処理には実行できない電子の平均自由行程の規模のディメンションをも
つ装置を包含する。電子は微細な中空内で振動運動を受け、それが微細中空放電
をもたらし、電流容量(current capability)を増加させる。米国特許第5,6
86,789号のシステムは、使用時に、0.1トールないし200トールの圧
力を使用する。当該特許は反応性プラズマ、プラズマ重合化、又は材料の表面修
飾については言及していない。
US Pat. No. 5,686,789 describes a discharge device having a cathode with a fine hollow array for use in subminiature fluorescent lamps. This patent covers devices with dimensions of the mean free path magnitude of electrons that cannot be performed for large area processing. The electrons undergo an oscillating motion within the fine hollow, which results in a fine hollow discharge, increasing the current capability. US Patent 5,6
The 86,789 system uses a pressure of 0.1 Torr to 200 Torr in use. The patent does not mention reactive plasma, plasma polymerization, or surface modification of materials.

【0010】 “Hollow cathode discharge sputterin
g device for uniform large area thin
film deposition,”(J.Vac.Sol.Technol
.A9(4),Jul/Aug 1991,p.2374)と題する記事中でH
.Koch等は、通常の放電体よりも高い強度をもつスパッター粒子を発生する
中空の陰極放電装置につき記載している。その中に記載された中空の陰極プラズ
マスパッター法においては、スパッター標的、例えばCuが陰極として使用され
る。その方法は主として、モメンタムの移動が起こる、物理的方法である。その
記事は、表面の修正のために反応性プラズマを発生する時、又は基材表面上に薄
い層を被覆するためにプラズマ重合化を実施する時の、中空の陰極放電装置の使
用については言及していない。
[0010] “Hollow cathodic discharge spatterin
g device for uniform large area thin
film deposition, "(J. Vac. Sol. Technol.
. A9 (4), Jul / Aug 1991, p. 2374) in an article entitled H
. Koch et al. Describe a hollow cathode discharge device that generates sputtered particles having a higher strength than a conventional discharge body. In the hollow cathode plasma sputtering method described therein, a sputtering target, such as Cu, is used as the cathode. The method is primarily a physical method in which the movement of momentum occurs. The article mentions the use of hollow cathode discharge devices when generating a reactive plasma for surface modification or when performing plasma polymerization to coat a thin layer on a substrate surface. I haven't.

【0011】 中でも(1)溶媒を含まないそして/又は有害な副生物のない、(2)ある製
品のどんな表面構造、どんなサイズ、そして/又は化学に対してその処理を適合
させることができ、(3)均一な処理をもたらし、(4)高速で高い処理量が可
能であり、(5)バッチで又は連続工程で使用することができ、そして(6)低
圧で又はその他の望ましい状況下で操作することができる、表面処理のための方
法の必要が継続している。
Wherein the treatment can be adapted to (1) solvent-free and / or harmful by-products, (2) any surface structure, any size and / or chemistry of a product, (3) provides uniform processing, (4) enables high throughput at high speeds, (5) can be used in batch or continuous processes, and (6) at low pressure or under other desirable conditions There is a continuing need for methods for surface treatment that can be operated.

【0012】 (発明の要約) 本発明はアレー中に複数の、電気伝導性の中空のプラズマ発生セル(ここで、
セルは相互に電気的に接続されている)を含んでなる、プラズマを発生するため
の陰極のアセンブリーに関する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a method for forming a plurality of electrically conductive hollow plasma generating cells in an array, wherein:
The cell is electrically connected to each other) for generating a plasma.

【0013】 本発明はまた、前記の少なくとも1種類の陰極のアセンブリー、陰極のアセン
ブリーにプラズマ前駆物質のガスを供給するための装置、及び陰極のアセンブリ
ーに電力を供給するための装置、を含んでなるプラズマ発生機に関する。
The present invention also includes an assembly of at least one type of cathode as described above, an apparatus for supplying a gas of a plasma precursor to the assembly of cathodes, and an apparatus for supplying power to the assembly of cathodes. To a plasma generator.

【0014】 本発明は更に、前記の少なくとも1種類の陰極のアセンブリーに極めて近位に
基材を配置すること、陰極のアセンブリーと基材の近位に少なくとも1種類のプ
ラズマ前駆物質のガスを供給すること、陰極のアセンブリーに電力を供給するこ
とによりプラズマを発生させること、並びに処理された表面を形成するのに十分
な時間、基材の表面をプラズマにさらすこと、を含んでなる、基材の表面を処理
する方法に関する。
The present invention further provides for positioning a substrate in close proximity to the at least one cathode assembly and providing at least one plasma precursor gas proximal to the cathode assembly and the substrate. Generating a plasma by applying power to the assembly of cathodes, and exposing the surface of the substrate to the plasma for a time sufficient to form a treated surface. A method of treating the surface of

【0015】 本発明はまた、(a)成形二軸延伸ポリマー容器を形成すること、(b)容器
の少なくとも1表面を、アレーが形態をもつ、本明細書に記載の本発明の陰極の
アセンブリーを使用する、炭化水素を含んでなるプラズマ前駆物質のガスから発
生されたプラズマにさらすこと、(c)容器中に液体を導入すること、並びに(
d)容器を密閉すること、を含んでなる、成形二軸延伸ポリマー容器中に液体を
充填するための方法に関する。
The present invention also provides (a) forming a molded biaxially oriented polymer container, and (b) assembling the inventive cathode as described herein, wherein at least one surface of the container is in the form of an array. Exposing to a plasma generated from a gas of a plasma precursor comprising a hydrocarbon, (c) introducing a liquid into the vessel, and
d) sealing the container, comprising filling the liquid into a molded biaxially oriented polymer container.

【0016】 本発明は更に、本明細書に記載の本発明の陰極のアセンブリーを使用して、炭
化水素を含んでなるプラズマ前駆物質のガスから発生されたプラズマにポリエス
テル基材をさらすことを含んでなる、ポリエステル基材のガス透過性を減少させ
るための方法に関する。
The present invention further comprises exposing the polyester substrate to a plasma generated from a plasma precursor gas comprising a hydrocarbon using the inventive cathode assembly described herein. And a method for reducing the gas permeability of a polyester substrate.

【0017】 (詳細な説明) 最初に図1〜6及び10〜13において、概括的に、本発明の陰極のアセンブ
リーの代替的態様が示されている。陰極アセンブリー1は個々のプラズマ発生機
のアレーを一緒に形成する複数のセル2を含む。各セルは1枚又は複数の壁3に
より区画されている。陰極のアセンブリーはアレー中に設置された複数の電気伝
導性の中空のプラズマ発生セルを含んでなり、当該セルは相互に電気的に接続さ
れ、これらのセルは、小さい又は大きい処理面積をもつ様々な基材に、均一なプ
ラズマ処理を提供するのに有効である。
DETAILED DESCRIPTION Referring initially to FIGS. 1-6 and 10-13, generally an alternative embodiment of the cathode assembly of the present invention is shown. Cathode assembly 1 includes a plurality of cells 2 that together form an array of individual plasma generators. Each cell is defined by one or a plurality of walls 3. The assembly of cathodes comprises a plurality of electrically conductive hollow plasma generating cells installed in an array, the cells being electrically connected to each other, the cells having a small or large processing area. It is effective to provide uniform plasma processing to a proper substrate.

【0018】 「中空のプラズマ発生セル」により、各セルが、少なくとも1枚の壁により区
画されている複数のセルを意味する。1枚又は複数の壁により区画されたセルは
どんな形態をもってもよい。しかし、製造の容易性のためには、セルは好ましく
は、概括的に円形の横断面の形態、概括的に楕円形の横断面の形態、概括的に規
則的又は不規則な多角形の横断面の形態、あるいはそれらの形態のあらゆる組み
合わせ(図1〜6及び10〜13を参照されたい)をもつ。「規則的な多角形」
により、三角形、平行四辺形、五角形、六角形、七角形、八角形、及びそれらの
組み合わせからなる群から選択される横断面の形態を意味する。不規則な多角形
の横断面の形態をもつセルについては、それらの形態は同一でも異なってもよい
By “hollow plasma generating cell” is meant a plurality of cells, each cell being defined by at least one wall. The cells defined by one or more walls may have any form. However, for ease of manufacture, the cells preferably have a generally circular cross-sectional configuration, a generally elliptical cross-sectional configuration, a generally regular or irregular polygonal cross-section. It has the form of a surface, or any combination of those forms (see FIGS. 1-6 and 10-13). "Regular polygons"
Means a cross-sectional form selected from the group consisting of triangles, parallelograms, pentagons, hexagons, heptagons, octagons, and combinations thereof. For cells having irregular polygonal cross-sectional configurations, the configurations may be the same or different.

【0019】 セルは2つの開放端をもつ管様である可能性がある。代替的には、セルは、そ
の上に、セルの一方の開放端が設置されている土台5(特に図10を参照された
い)により更に区画されるか又は、各セルがセルの一方の端を包囲している末端
部6により更に区画されることができる。従って、セルは更に、そのような末端
部が平面状、平らな底部をもつ、U−形、V−形、又はその他(図7〜9を参照
されたい)である、セルの一方の端を包囲している末端部を含んでなる可能性が
ある。管様のセル又は、末端部により更に区画されたセルは、平面状又は、形態
をもった土台5上に設置することができる。
The cell can be tube-like with two open ends. Alternatively, the cells are further defined by a base 5 on which one open end of the cell is mounted (see especially FIG. 10), or each cell is one end of the cell. Can be further defined by a distal end 6 surrounding the Accordingly, the cell may further comprise one end of the cell, wherein such an end is planar, has a flat bottom, is U-shaped, V-shaped, or otherwise (see FIGS. 7-9). It may comprise a surrounding end. The tube-like cells or the cells further defined by the ends can be placed on a planar or shaped base 5.

【0020】 取り扱い及び/又は電源への接続の容易なために、陰極のアセンブリーは更に
、セルのアレーを囲むことができる1個以上の側部の部品8を含んでなることが
できる。ある態様においては、側部の部品8はセルの壁全体又はその一部を形成
することができる。側部の部品8はアレーの周囲上のセルの少なくとも一部に取
り付けることができ、そして/又は、場合により使用される土台5に取り付ける
ことができる。側部の部品中の穴4は電源への接続を容易にさせることができる
For ease of handling and / or connection to a power supply, the assembly of the cathode can further comprise one or more side parts 8 which can surround the array of cells. In some embodiments, the side pieces 8 may form the entire cell wall or a portion thereof. The side pieces 8 can be attached to at least part of the cells on the periphery of the array and / or can be attached to the optional base 5. Holes 4 in the side components can facilitate connection to a power supply.

【0021】 「プラズマ」により、極端な熱的状況又は電場/磁場の影響下で発生された、
完全に又は一部イオン化されたガスを意味する。プラズマは、エネルギーをもつ
イオン、光子、電子、高度に反応性の化学物質群、中性の安定な物質群、励起し
た分子、及び原子を形成するために存在するあらゆるガスを急速に分解する、あ
る容量の高エネルギーの電場及び磁場である。
Generated by a “plasma” under the influence of extreme thermal conditions or electric / magnetic fields,
A gas that is completely or partially ionized. Plasma rapidly decomposes energetic ions, photons, electrons, highly reactive chemicals, neutral stables, excited molecules, and any gases present to form atoms. A volume of high energy electric and magnetic fields.

【0022】 「アレー」により、セルのあらゆる形作られた群を意味する。これは平面状ア
レー又は形態をもつアレーを含むことができる。アレーは更に、セルが基材の選
択された領域のみに処理をもたらすように配列されている、セルのあらゆる無作
為な配列を含むことができる。
By “array” is meant any shaped group of cells. This can include a planar array or an array with a morphology. The array can further include any random arrangement of cells, wherein the cells are arranged to effect processing only on selected areas of the substrate.

【0023】 「電気的伝導性」により、セルを区画している又はその上にセルを設置するこ
とができる1枚の壁、複数の壁及び/又は、場合により使用される末端部分又は
、場合により使用される土台が、電気を伝導することができる材料を含んでなる
ことを意味する。「相互に電気的に接続されている」は、陰極のアセンブリーが
電源に接続される時に、各セルを区画している電気伝導性材料のおかげで、セル
が相互に電気的に接触することができることを意味する。本発明の陰極のアセン
ブリーの製造に有用な材料は、ステンレス鋼、アルミニウム、チタン、銅、タン
グステン、白金、クロム、ニッケル、ジルコニウム、モリブデン又は相互とのそ
れらの合金又は他の既知の元素のような、プラズマ法に不都合な影響を与えない
であろうあらゆる電気伝導性材料を含む。
A single wall, a plurality of walls, and / or an optional end portion or case, by which the cell is defined or on which the cell can be placed by “electrical conductivity” Means that the base used comprises a material capable of conducting electricity. "Electrically connected to each other" means that when the cathode assembly is connected to a power source, the cells are in electrical contact with each other, thanks to the electrically conductive material that separates each cell. It means you can do it. Materials useful in the manufacture of the cathode assembly of the present invention include, but are not limited to, stainless steel, aluminum, titanium, copper, tungsten, platinum, chromium, nickel, zirconium, molybdenum or their alloys with each other or other known elements. And any electrically conductive material that would not adversely affect the plasma process.

【0024】 セルの開口部は様々な横断面のディメンションをもつことができるが、アレー
中の複数のセルが、約0.1ないし約5.0の範囲の、最も好ましくは約0.2
5ないし約4.0の範囲の、セル深度に対するセルの横断面の面積の比率、をも
つことが好ましい。好ましくは、各セルの横断面の面積の範囲は、約0.25な
いし約10in2(約1.6ないし約64.5cm2)の範囲にある。
Although the cell openings can have various cross-sectional dimensions, the plurality of cells in the array may range from about 0.1 to about 5.0, most preferably about 0.2.
Preferably, it has a ratio of the area of the cell cross section to the cell depth in the range of 5 to about 4.0. Preferably, the cross-sectional area of each cell ranges from about 0.25 to about 10 in 2 (about 1.6 to about 64.5 cm 2 ).

【0025】 各セルは、それらの壁が隣接するセルにより共有されていない、離された1枚
又は複数の壁により区画されることができる(図2、5、6及び10を参照され
たい)。これらのセルは、少なくとも1個の隣接するセルから分離されているか
(図6を参照されたい)、又は少なくとも1個の隣接セルの少なくとも1枚の壁
と接している壁をもつことができる(図2を参照されたい)か、又はあらゆるそ
れらの組み合わせにすることができる。代替的には、隣接しているセルは少なく
とも1枚の共通の壁を共有することができる(図1、3、4及び11を参照され
たい)。好ましくは、規則的又は不規則な多角形の形態をもつ隣接しているセル
は、少なくとも1枚の共通の壁を共有するか、又は少なくとも1個の隣接してい
るセルの少なくとも1枚の壁と接する壁をもつ。各壁は伝導性をもち、機械的保
全性をもつような厚さをもつ。
Each cell can be defined by one or more separated walls whose walls are not shared by adjacent cells (see FIGS. 2, 5, 6 and 10). . These cells can be separated from at least one neighboring cell (see FIG. 6) or have a wall in contact with at least one wall of at least one neighboring cell (see FIG. 6). (See FIG. 2) or any combination thereof. Alternatively, adjacent cells can share at least one common wall (see FIGS. 1, 3, 4, and 11). Preferably, adjacent cells having a regular or irregular polygonal form share at least one common wall or at least one wall of at least one adjacent cell It has a wall in contact with Each wall has a thickness that is conductive and has mechanical integrity.

【0026】 本発明の陰極のアセンブリーの少なくとも1個のセルの少なくとも1枚の壁の
全体又は一部分は誘電材料10で被覆することができる(図11の左側の陰極の
アセンブリーを参照されたい)。更に、又は代替的には、誘電材料10は本発明
の陰極アセンブリーの少なくとも1個のセルに隣接して配置することができる(
図11の右側の陰極アセンブリーを参照されたい)。これらの誘電材料は雲母、
セラミック、又は高誘電定数をもつポリマー材料を含むことができる。誘電材料
はセルの縁の周囲に被覆されるか、セルの壁の表面の全体又は一部を覆うか、あ
るいはセルに直接隣接する表面を覆うことができる。誘電材料は、アーク放電及
び短絡を防止し、放電体を急冷することができる。誘電材料はあるセルを隠蔽し
て、従って陰極のアセンブリーが使用されている時にそのセルからのプラズマ発
生を妨げるために使用することができる。基材のプラズマ処理中に幾つかのセル
を隠蔽することにより基材上に装飾的効果を実施することができる。
All or a portion of at least one wall of at least one cell of the cathode assembly of the present invention can be coated with a dielectric material 10 (see cathode assembly on the left side of FIG. 11). Additionally or alternatively, the dielectric material 10 can be located adjacent to at least one cell of the cathode assembly of the present invention (
See the cathode assembly on the right side of FIG. 11). These dielectric materials are mica,
It can include ceramic or a polymer material with a high dielectric constant. The dielectric material may be coated around the edges of the cell, cover all or part of the surface of the cell wall, or cover the surface immediately adjacent to the cell. The dielectric material prevents arcing and short circuits and can quench the discharge. The dielectric material can be used to mask certain cells and thus prevent plasma generation from the cells when the cathode assembly is being used. Decorative effects can be implemented on the substrate by obscuring some cells during the plasma treatment of the substrate.

【0027】 より均一なプラズマ処理を提供するために、アレーの内側のセルよりも小さい
横断面の面積をもつ、アレーの周囲に隣接するセルの少なくとも一部を提供する
ことが好都合であることが発見された。この態様は拡散のロスを補う(図2、3
、4、5及び6を参照されたい)。
In order to provide a more uniform plasma treatment, it may be advantageous to provide at least a portion of the cells adjacent to the periphery of the array with a smaller cross-sectional area than the cells inside the array. It's been found. This aspect compensates for the loss of diffusion (FIGS. 2, 3).
, 4, 5 and 6).

【0028】 陰極のセルは、平面状基材12の処理のための好ましい態様の、概括的に平面
状のアレーに配列することができる(図11を参照されたい)。代替的には、陰
極のアセンブリーのセルは、処理される製品、例えば湾曲した、リング様又は、
ボトル(図12又は13を参照されたい)のようなその他の形態14(図10を
参照されたい)をもつ製品の形態を収容するために、形態をもつアレーに配列す
ることができる。このような形態をもつ湾曲したアレーは例えば凹形又は凸形に
することができる。図12及び13において、陰極のアセンブリー1は容器の内
面のプラズマ処理のために、ボトル形の容器20内に配置されている。外側の電
極30はセル様の形態をもつように示されているが、簡単な平坦な表面をもつこ
とができるであろう。図12及び13に示された態様において、極性は逆転され
て、ガス供給が電極30に提供され、それによりボトル形の容器20の外側表面
が処理されることができるであろう。
The cells of the cathode can be arranged in a generally planar array of preferred embodiments for the treatment of planar substrates 12 (see FIG. 11). Alternatively, the cells of the assembly of the cathode may be the product to be processed, e.g., curved, ring-like or
It can be arranged in a shaped array to accommodate product forms with other forms 14 (see FIG. 10) such as bottles (see FIG. 12 or 13). A curved array having such a configuration can be concave or convex, for example. 12 and 13, the cathode assembly 1 is placed in a bottle-shaped container 20 for plasma treatment of the inner surface of the container. The outer electrode 30 is shown as having a cell-like configuration, but could have a simple flat surface. In the embodiment shown in FIGS. 12 and 13, the polarity could be reversed and a gas supply could be provided to the electrode 30 so that the outer surface of the bottle-shaped container 20 could be treated.

【0029】 セルの1枚又は複数の壁はアレー全体の面にに対して(図7を参照されたい)
、又はその上に具体的なセルが配置されているアレーのその部分の面に対して実
質的に垂直にすることができる。代替的には、各セルの1枚又は複数の壁はアレ
ーの面(図8及び9を参照されたい)と、又はその上に具体的なセルが配置され
ているアレーのその部分の面に対して鈍角を形成する1枚の壁の少なくとも一部
をもつことができる。
One or more walls of the cell are located on the entire surface of the array (see FIG. 7).
, Or substantially perpendicular to the plane of that portion of the array on which the particular cell is located. Alternatively, one or more walls of each cell may be in the plane of the array (see FIGS. 8 and 9) or in that part of the array on which the particular cell is located. It may have at least a portion of a single wall forming an obtuse angle to it.

【0030】 アレーの形態は、セルのアセンブリーと、処理される基材の部分との間に適度
に均一な間隔を維持するように、基材の形態に適合することが好ましい。このよ
うな適度に均一な間隔は、より均一な処理を可能にする。
The configuration of the array preferably matches the configuration of the substrate so as to maintain a reasonably uniform spacing between the cell assembly and the portion of the substrate to be treated. Such reasonably uniform spacing allows for more uniform processing.

【0031】 本発明の陰極のアセンブリーは、伝導性材料を所望の長さ、幅及び厚さの部品
に機械切断し、そしてこれらの部品を所望のアレーの配列に配置することにより
製造することができる。部品は一緒にスロットの配列にはめ、一緒に楔止めされ
るように密接な配列に配置され、又は典型的なシート金属のスポット溶接法によ
り溶接されることができる。本発明の陰極のアセンブリーのその他の加工の方法
は、普通の当業者の一人には容易に明らかであろう。
The cathode assembly of the present invention can be manufactured by mechanically cutting conductive material into parts of a desired length, width and thickness, and placing these parts in a desired array of arrays. it can. The parts can be fitted together in an array of slots, placed in a tight array so as to be wedged together, or welded by a typical sheet metal spot welding process. Other methods of processing the cathode assembly of the present invention will be readily apparent to one of ordinary skill in the art.

【0032】 本発明はまた、前記の陰極のアセンブリー、陰極のアセンブリーにプラズマ前
駆物質のガスを供給するための装置、及び陰極のアセンブリーに電力を供給する
ための装置を含んでなるプラズマ発生機(図11を参照されたい)に関する。
The present invention also provides a cathode generator, a device for supplying a gas of a plasma precursor to the cathode assembly, and a plasma generator comprising a device for supplying power to the cathode assembly. See FIG. 11).

【0033】 プラズマ前駆物質のガスを、前駆物質のガスがセルの近位に拡散するように陰
極のアセンブリーに関して配置されたガスジェット16(図7、12及び13を
参照されたい)により供給することができる。図7はそれぞれセル中に配置され
た個々のガスジェット16に連結されたマニホールド16Mを示している。図1
2及び13も又、ボトル20の内側に配置されている中央の電極内に配置された
個々のガスジェット16に連結されたマニホールド16Mを示している。プラズ
マガスはプラズマガス供給ライン(図示されていない)を通して供給することが
でき、ガス質量流量はMKS Instrument,Inc.から販売のMK
S Type 1179Aのような適切なプラズマガス流量制御装置を使用して
制御することができる。流量は適用法に依存する。数々の適用法は毎分約0.1
ないし約100標準立法センチメーター(sccm)、好ましくは約0.5ない
し15sccmの流量を使用して適切に取り扱うことができる。他の適用法は、
より高い又はより低い流量を使用して取り扱うことができる。
Supplying the plasma precursor gas by a gas jet 16 (see FIGS. 7, 12 and 13) positioned relative to the cathode assembly such that the precursor gas diffuses proximally of the cell. Can be. FIG. 7 shows manifolds 16M each connected to an individual gas jet 16 located in the cell. FIG.
2 and 13 also show a manifold 16M connected to individual gas jets 16 located in a central electrode located inside the bottle 20. The plasma gas can be supplied through a plasma gas supply line (not shown), and the gas mass flow is controlled by MKS Instrument, Inc. MK for sale from
It can be controlled using a suitable plasma gas flow controller such as S Type 1179A. The flow rate depends on the application method. Many applications are about 0.1 per minute
It can be suitably handled using a flow rate of from about 100 standard cubic centimeters (sccm), preferably about 0.5 to 15 sccm. Other applicable laws are:
It can be handled using higher or lower flow rates.

【0034】 電源18(図11を参照されたい)はDC源あるいは、音声周波数(AF)又
は無線周波数(RF)で作動するAC源を使用することができる。電源は一態様
においては穴4中に挿入することができる適切な固定装置(図示されていない)
により陰極のアセンブリーに接続される。数々の処理の適用法に対しては、1k
W未満の電力が必要であり、好ましくは約1ないし約1000kW、最も好まし
くは約5ないし約200ワットが使用される。しかし、所望の結果を達成するた
めに、1kWを越える電力入力が必要な適用法がある。このような場合には液体
電極冷却システムを使用することができる。
The power supply 18 (see FIG. 11) can use a DC source or an AC source that operates at audio frequency (AF) or radio frequency (RF). A power supply can be inserted into hole 4 in one embodiment, a suitable securing device (not shown)
Is connected to the cathode assembly. 1k for many application methods
Less than W power is required, preferably about 1 to about 1000 kW, and most preferably about 5 to about 200 watts are used. However, there are applications where more than 1 kW of power input is required to achieve the desired result. In such a case, a liquid electrode cooling system can be used.

【0035】 本発明のプラズマ処理には低圧(真空中)が使用される。従って、本発明のプ
ラズマ発生機は更に、陰極のアセンブリーがその中に収まる真空室、及び真空を
提供するための装置を含んでなる。円筒形のステンレス鋼の真空室のような適切
な真空室が適切であることが判明した。Edwards High Vacuu
m Internationalから販売のE2M80/EH500のような回
転ポンプと組み合わせたブースターポンプを含んでなる市販の真空ポンプを使用
することができる。本発明で有用な圧力は約1ミリトールないし約100トール
、好ましくは1ミリトールないし約1トールの範囲にすることができる。本発明
のプラズマ発生機又は方法を使用する時にはバッチ又は連続処理が可能である。
真空システムはそれら自体をバッチ処理に役立たせる傾向があるが、段階連動真
空システムの使用により、準大気圧下で、連続的処理を維持することができる。
「段階連動真空システム」により、異なる圧力下の一連の室を意味する。
A low pressure (in vacuum) is used for the plasma processing of the present invention. Accordingly, the plasma generator of the present invention further comprises a vacuum chamber in which the assembly of the cathode fits, and an apparatus for providing a vacuum. A suitable vacuum chamber, such as a cylindrical stainless steel vacuum chamber, has been found to be suitable. Edwards High Vacuu
Commercial vacuum pumps can be used, including booster pumps in combination with rotary pumps, such as the E2M80 / EH500 from m International. Pressures useful in the present invention can range from about 1 mTorr to about 100 Torr, preferably 1 mTorr to about 1 Torr. Batch or continuous processing is possible when using the plasma generator or method of the present invention.
While vacuum systems tend to lend themselves to batch processing, the use of a staged vacuum system allows continuous processing to be maintained at sub-atmospheric pressures.
By "staged vacuum system" is meant a series of chambers under different pressures.

【0036】 本発明は更に、前記の少なくとも1種類の陰極のアセンブリーのごく近位に、
基材の少なくとも1表面を配置すること、陰極のアセンブリーと基材の近位に、
少なくとも1種類のプラズマ前駆物質のガスを供給すること、陰極のアセンブリ
ーに電力を供給することによりプラズマを発生させること、及び、処理された表
面を形成するのに十分な時間、プラズマに基材の少なくとも1表面をさらすこと
、を含んでなる少なくとも1表面を処理する方法に関する。
[0036] The present invention further provides, in close proximity to said at least one cathode assembly,
Disposing at least one surface of the substrate, proximate the assembly of the cathode and the substrate;
Supplying a gas of at least one plasma precursor, generating a plasma by supplying power to the cathode assembly, and subjecting the plasma to the substrate for a time sufficient to form a treated surface. Exposing at least one surface to a method of treating at least one surface.

【0037】 第1に、基材の少なくとも1表面を前記の少なくとも1種類の陰極のアセンブ
リーにごく近位に配置する。「ごく近位に」により、基材がプラズマ処理を受け
るのに十分な、陰極のアセンブリーから適切な距離を空けられていることを意味
する。基材を処理するために1種類又はそれ以上の陰極のアセンブリーを使用す
ることができる。本発明の処理に有用な基材は、繊維、フィルム、粒子及び、ボ
トル又はその他の容器のような形態をもった製品を含む。基材は本発明の少なく
とも1種類の陰極のアセンブリーに平行に、そしてそれから前以て選択された距
離だけ間隔を置くことができる。形態をもった陰極のアセンブリーを使用する場
合には、基材の均一な処理を提供するために、基材とセルとの間の適度に均一な
距離を維持することが好ましい。
First, at least one surface of the substrate is located in close proximity to the at least one cathode assembly. By "proximal" it is meant that the substrate is at a suitable distance from the cathode assembly sufficient to undergo plasma treatment. One or more cathode assemblies can be used to treat the substrate. Substrates useful for the treatment of the present invention include fibers, films, particles, and products in the form of bottles or other containers. The substrate can be spaced parallel to and at a preselected distance from the at least one cathode assembly of the present invention. When using a morphological cathode assembly, it is preferable to maintain a reasonably uniform distance between the substrate and the cell to provide uniform processing of the substrate.

【0038】 繊維、フィルム、粒子又は形態をもつ製品の基材は、熱可塑性ポリマー材料か
ら製造することができる。本発明における使用に予想されたフィルム及び硬質容
器は、ポリオレフィン、ポリアミドのような通常の熱可塑性ポリマー及び、ポリ
カーボナート、等のような工学的ポリマーから形成されたものを含む。発明は、
コポリマーの約50モルパーセントまで又はそれ以上が、コポリマーの調製にお
いてグリコール部分に対して置換された、ジエチレングリコール、プロパン−1
,3−ジオール、ブタン−1,4−ジオール、ポリテトラメチレングリコール、
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール及び1,4−ヒドロキシメ
チルシクロヘキサン、あるいは、コポリマーの調製において酸部分に対して置換
された、イソフタル酸、二安息香酸、ナフタレン1,4−もしくは2,6−二カ
ルボン酸、アジピン酸、セバシン酸、及びデカン−1,10−二カルボン酸、の
モノマー単位から調製されることができる、エチレンテレフタラート及びエチレ
ンナフタラートのホモポリマー及びコポリマーを含む、ポリエチレンテレフララ
ート(PET)、ポリブチレンテレフタラート(PBT)、ポリエチレンナフタ
ラート(PEN)、等のような合成線状ポリエステルから形成された、フィルム
及び、硬質の、すなわち形態をもつ容器及び、ボトルのような射出延伸吹き込み
成形二軸延伸中空熱可塑性容器に適用可能である。前記の説明は、適用可能なポ
リマー基材の具体的説明として意図され、発明の範囲を制約することを意図され
ない。
[0038] The substrate of the fiber, film, particle or morphological article can be made from a thermoplastic polymer material. Films and rigid containers contemplated for use in the present invention include those formed from conventional thermoplastic polymers such as polyolefins, polyamides, and engineering polymers such as polycarbonates. The invention is
Diethylene glycol, propane-1, wherein up to about 50 mole percent or more of the copolymer is substituted for a glycol moiety in the preparation of the copolymer.
, 3-diol, butane-1,4-diol, polytetramethylene glycol,
Polyethylene glycol, polypropylene glycol and 1,4-hydroxymethylcyclohexane, or isophthalic acid, dibenzoic acid, naphthalene 1,4- or 2,6-dicarboxylic acid substituted for an acid moiety in the preparation of a copolymer, Polyethylene terephthalate (PET), including homopolymers and copolymers of ethylene terephthalate and ethylene naphthalate, which can be prepared from monomer units of adipic acid, sebacic acid, and decane-1,10-dicarboxylic acid Film and rigid, i.e., containers and injection stretch blow molding, such as bottles, formed from synthetic linear polyesters such as polybutylene terephthalate (PBT), polyethylene naphthalate (PEN), etc. Biaxial stretching hollow heat It is applicable to plastic containers. The foregoing description is intended as a specific description of the applicable polymer substrate, and is not intended to limit the scope of the invention.

【0039】 第2に、本方法では、少なくとも1種類のプラズマ前駆物質のガスが、陰極の
アセンブリーと基材の近位に供給される。プラズマは3種類の範疇、(1)化学
的に非反応性のプラズマ、(2)化学的に反応性であるがポリマー非形成プラズ
マ、及び(3)化学的に反応性で、ポリマー形成プラズマ、に分類することがで
きる。使用されるプラズマ前駆物質のガスはプラズマにより提供される所望の処
理に基づいて選択することができる。適切な前駆物質のガスは例えば、窒素、水
素、酸素、オゾン、亜酸化窒素、メタン、エチレン、ブタジエン又はアセチレン
のような炭化水素を含んでなるガス、アルゴン、ヘリウム、アンモニア、等、並
びに、炭化水素/窒素混合物、空気のようなガスの混合物、ハロゲン化物、ハロ
炭素、並びに重合化可能なモノマーの可能性がある。例えば、ポリマーフィルム
はプラズマ放電区域中に導入可能な、実質的にあらゆる有機又は金属有機化合物
で処理することができる。1種類又は複数の前駆物質のガスをガスジェットによ
り所望のガス流量で真空室中に供給する。
Second, in the method, at least one plasma precursor gas is provided proximal to the cathode assembly and the substrate. Plasmas fall into three categories: (1) chemically non-reactive plasma, (2) chemically reactive but non-polymer forming plasma, and (3) chemically reactive, polymer forming plasma. Can be classified. The plasma precursor gas used can be selected based on the desired processing provided by the plasma. Suitable precursor gases include, for example, gases comprising hydrocarbons such as nitrogen, hydrogen, oxygen, ozone, nitrous oxide, methane, ethylene, butadiene or acetylene, argon, helium, ammonia, etc. Possible hydrogen / nitrogen mixtures, mixtures of gases such as air, halides, halocarbons, and polymerizable monomers. For example, the polymer film can be treated with virtually any organic or metal organic compound that can be introduced into the plasma discharge zone. One or more precursor gases are supplied by a gas jet at a desired gas flow rate into the vacuum chamber.

【0040】 プラズマは陰極のアセンブリーに電力を供給することにより発生される。陰極
のアセンブリーは電力供給体に接続され、電力供給体にスイッチを入れて、プラ
ズマ状態を開始する。次に、電力を所望の電力レベルに調整する。電力レベルは
ガスの流量、基材のサイズ、陰極のアセンブリーから陽極への距離、プラズマ前
駆物質のガスの分子量、及び圧力に基づいて変動させることができる。電力及び
ガスの流量は、陰極のアセンブリーの所望のセルすべてに強度なプラズマ放電を
形成するように調整することができる。場合によっては、それがセルを出る時に
プラズマを焦点に合わせるために磁気エンハンスメントを使用することができる
The plasma is generated by powering the cathode assembly. The cathode assembly is connected to a power supply and switches on the power supply to initiate a plasma condition. Next, the power is adjusted to the desired power level. The power level can be varied based on gas flow rate, substrate size, distance from the cathode assembly to the anode, the molecular weight of the plasma precursor gas, and the pressure. The power and gas flow rates can be adjusted to create an intense plasma discharge in all desired cells of the cathode assembly. In some cases, magnetic enhancement can be used to focus the plasma as it exits the cell.

【0041】 最後に、基材の少なくとも1表面が、処理表面を形成するのに十分な時間、プ
ラズマにさらされる。プラズマ処理は数秒から数分にわたる可能性がある所望の
期間、維持しなければならない。処理時間は、プラズマの特徴及び、プラズマが
維持される操作パラメーターに応じた基材表面とのその相互作用、に依存する。
これらのパラメーターはガスの流量、入力電力、圧力、放電電力及び基材の位置
を含む。処理時間はまた、基材の本質にも依存する可能性がある。
Finally, at least one surface of the substrate is exposed to the plasma for a time sufficient to form a treated surface. Plasma treatment must be maintained for a desired period of time, which can range from seconds to minutes. The processing time depends on the characteristics of the plasma and its interaction with the substrate surface depending on the operating parameters under which the plasma is maintained.
These parameters include gas flow, input power, pressure, discharge power and substrate location. Processing time can also depend on the nature of the substrate.

【0042】 本発明は飲料を充填するために有用である。従って、本発明は更に、容器を形
成すること、アレーが形態をもつ、本明細書に記載の本発明の陰極のアセンブリ
ーを使用して、炭化水素を含んでなるプラズマ前駆物質のガスから発生されたプ
ラズマに容器の少なくとも1表面をさらすこと、容器中に液体を導入すること、
及び容器を密閉すること、を含んでなる、成形二軸延伸ポリマー容器中への液体
の充填のための方法に関する。本方法は更に、液体の導入前の容器からのガスの
排出を含んでなる可能性がある。この方法は、炭酸飽和液体に適切な可能性があ
る。
The present invention is useful for filling beverages. Accordingly, the present invention further provides for forming a container, using the assembly of the inventive cathode described herein, wherein the array is in the form, generated from a gas of a plasma precursor comprising a hydrocarbon. Exposing at least one surface of the vessel to the plasma, introducing a liquid into the vessel,
And sealing the container, comprising filling the molded biaxially oriented polymer container with a liquid. The method may further comprise evacuating the gas from the container before introducing the liquid. This method may be suitable for carbonated liquids.

【0043】 本発明は、食品及び飲料を包装するために使用されるポリ(エチレンテレフタ
ラート)フィルム及び硬質容器並びに、炭酸飽和ソフトドリンク及びビールを充
填するために使用される射出延伸吹き込み成形PETボトル、のガス遮蔽性を改
善するために適している。従って、本発明は、本明細書に記載の本発明の陰極の
アセンブリーを使用して、炭化水素を含んでなる、プラズマ前駆物質のガスから
発生されたプラズマに、ポリエステル基材の少なくとも1表面をさらすことを含
んでなる、ポリエステル基材のガス透過性を減少させるための方法を含む。
The present invention relates to poly (ethylene terephthalate) films and rigid containers used for packaging food and beverages and injection stretch blow molded PET bottles used for filling carbonated soft drinks and beer. , Suitable for improving gas shielding properties. Accordingly, the present invention provides for the use of the cathode assembly of the present invention described herein to subject at least one surface of a polyester substrate to a plasma generated from a plasma precursor gas comprising a hydrocarbon. A method for reducing the gas permeability of a polyester substrate comprising exposing.

【0044】 本発明は、表面洗浄(有機汚染物の除去)、エッチング又はアブレーション(
弱い境界層の除去及び表面面積の増加)、表面層及び従って物理的特性を一緒に
強化することができる、表面に近い分子の架橋又は分枝化、新規の化学的官能性
をもつ表面領域の計画的な変更による化学的修正/グラフト形成、並びに、薄膜
被覆、付着の必要物に合わせるための基材の表面特性の変更又は、透過性−選択
性の膜における、薄い、ピンホールのない、そして著しく接着性のフィルムの内
部特性を利用するためのバリヤー被膜、を含む方法に有用である。
The present invention is directed to surface cleaning (removal of organic contaminants), etching or ablation (
Removal of weak boundary layers and increase of surface area), cross-linking or branching of molecules close to the surface, which can enhance the surface layer and thus the physical properties together, of surface areas with novel chemical functionality Chemical modification / grafting by planned changes, as well as changing the surface properties of the substrate to meet the needs of thin film coating, deposition, or thin, pinhole-free membranes in permeable-selective membranes It is useful in methods involving barrier coatings to take advantage of the internal properties of highly adhesive films.

【0045】[0045]

【実施例】【Example】

(実施例1)銅に対するポリイミドフィルムの粘着性増加 図1に示されたものと同様な正方形のセル模様をもつ2種類の12in×12
inの陰極のアセンブリーをステンレス鋼から製造した。各セルは1in×1i
n×1inの測定値を有し、セル深度に対するセルの横断面の面積の比率は1.
0に等しかった。2種類の陰極のアセンブリーは真空室内で相互に平行に設置さ
れ、各陰極はDC電力供給体に接続された。E.I.Du Pont de N
emours and Company,Wilmington,DEから販売
のKapton(R)ポリイミドフィルムを各陰極から約2inの距離に陰極の間
に配置した。150ミリトールの圧力の真空で導入した。アンモニアを、毎分1
2標準立法センチメーター(sccm)の流速で室内に導入し、560Vの電圧
で電力を供給した。フィルムを1分間アンモニアプラズマにさらした。
Example 1 Increased Adhesion of Polyimide Film to Copper Two Types of 12-in.times.12 having a square cell pattern similar to that shown in FIG.
The in-cathode assembly was manufactured from stainless steel. Each cell is 1in × 1i
It has a measurement of n × 1 in and the ratio of the area of the cell cross section to the cell depth is 1.
It was equal to zero. The two cathode assemblies were placed parallel to each other in a vacuum chamber, and each cathode was connected to a DC power supply. E. FIG. I. Du Pont de N
emours and Company, Wilmington, disposed between the cathode Kapton (R) polyimide film available from DE at a distance of about 2in from each cathode. The vacuum was introduced at a pressure of 150 mTorr. Ammonia, 1 per minute
It was introduced into the room at a flow rate of 2 standard cubic centimeters (sccm) and was powered at a voltage of 560V. The film was exposed to the ammonia plasma for one minute.

【0046】 次に、通常のニップロール法を使用して、処理されたフィルムを接着剤と銅で
ラミネートした。積み上げ物は、1ozの銅、1milのPyralux(R)
ート接着剤の層、ポリイミドフィルムのストリップ、もう1層の1milのシー
ト接着剤及びもう1層の銅1ozからなり、クラッドを形成した。
Next, the treated film was laminated with an adhesive and copper using a conventional nip roll method. Stacked material is made of copper 1oz, a layer of Pyralux (R) sheet adhesive of 1 mil, a strip of polyimide film, the other layer of copper 1oz of sheet adhesive and another layer of 1 mil, to form a clad.

【0047】 クラッドの残りに対する銅の接着強度を試験するために、銅をインストロン試
験機の上部あごに置き、残りのクラッドをGermanホイールに両面粘着テー
プで接着した。銅を90度の剥離角度を維持する強度で剥離しながらホイールを
回転させた。引っ張り速度は2in/分であった。対照及びアンモニアプラズマ
処理試料に対する線の1インチ当たり(pli)のポンドの接着値及び表面エネ
ルギーは以下に挙げられる。試料 接着値(pli) 極性表面エネルギー(ダイン/cm) 対照 6.9 10.7 アンモニア処理 13.0 23.2 (実施例2)ポリ(エチレンテレフタラート)(PET)フィルムに対する遮蔽性増加 DuPont Co.,Wilmington,DEから販売の5”×5”M
YLINEX(R)type S PETフィルムを、PETフィルムを通る酸素
透過に対する、より高度の遮蔽をもたらすための、プラズマの薄膜被覆のために
、実施例1に記載のようにアセンブリーの間に配置した。150ミリトールの圧
力で真空を誘導した。25sccmの流速でアセチレンを室内に導入し、電力は
640Vの電圧で供給された。フィルムをアセチレンプラズマに10分間さらし
た。次に、処理されたフィルムを、30℃で50%の相対湿度(RH)において
、ASTM D3985に従い、Mocon,Inc,により製造されたOXT
RAN(R)1000を使用することにより、酸素透過率(OTR)(Oxyge
n Transmission Rate)としても知られる酸素透過率(Ox
ygen Permeation Rate)につき評価した。結果は以下の通
りである。試料 厚さ(mils) OTR(cc/m2/日) 対照 4.94 12.57 アセチレン処理 4.88 2.48
To test the bond strength of the copper to the rest of the cladding, the copper was placed on the upper jaw of an Instron tester and the remaining cladding was adhered to a German wheel with double-sided adhesive tape. The wheel was rotated while copper was peeled at a strength to maintain a peel angle of 90 degrees. The pull rate was 2 in / min. Adhesion values and surface energies in pounds per inch (pli) of wire for control and ammonia plasma treated samples are listed below. Sample Adhesion Value (pli) Polar Surface Energy (Dyne / cm) Control 6.9 10.7 Ammonia Treatment 13.0 23.2 (Example 2) Increased Shielding Property against Poly (ethylene terephthalate) (PET) Film DuPont Co . 5 "x 5" M for sale from Wilmington, DE
YLINEX the (R) type S PET film, to oxygen permeation through the PET film, for providing a higher degree of shielding, for plasma thin film coating disposed between the assembly as described in Example 1. A vacuum was induced at a pressure of 150 mTorr. Acetylene was introduced into the room at a flow rate of 25 sccm, and power was supplied at a voltage of 640V. The film was exposed to the acetylene plasma for 10 minutes. The treated film was then subjected to OXT manufactured by Mocon, Inc. at 30 ° C. and 50% relative humidity (RH) according to ASTM D3985.
The use of RAN (R) 1000, oxygen transmission rate (OTR) (Oxyge
n Transmission Rate (Ox), also known as the Transmission Rate
ygen Permeation Rate). The results are as follows. Sample thickness (mils) OTR (cc / m 2 / day) control 4.94 12.57 acetylene treatment 4.88 2.48

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 概括的に正方形の横断面の形態をもつセルを示している、本発明の陰極のアセ
ンブリーの一態様の図面である。
FIG. 1 is a drawing of one embodiment of a cathode assembly of the present invention showing a cell having a generally square cross-sectional configuration.

【図2】 概括的に円形の横断面の形態をもつセルを示している、本発明の陰極のアセン
ブリーの一態様の図面である。
FIG. 2 is a drawing of one embodiment of the cathode assembly of the present invention, showing cells having a generally circular cross-sectional configuration.

【図3】 概括的に平行四辺形の横断面の形態をもつセルを示している、本発明の陰極の
アセンブリーの一態様の図面である。
FIG. 3 is a drawing of one embodiment of the cathode assembly of the present invention, showing the cell in the form of a generally parallelogram cross section.

【図4】 概括的に三角形の横断面の形態をもつセルを示している、本発明の陰極のアセ
ンブリーの一態様の図面である。
FIG. 4 is a drawing of one embodiment of the cathode assembly of the present invention showing a cell having a generally triangular cross-sectional configuration.

【図5】 概括的に五角形の横断面の形態をもつセルを示している、本発明の陰極のアセ
ンブリーの一態様の図面である。
FIG. 5 is a drawing of one embodiment of the cathode assembly of the present invention, showing a cell having a generally pentagonal cross-sectional configuration.

【図6】 概括的に楕円形の横断面の形態をもつセルを示している、本発明の陰極のアセ
ンブリーの一態様の図面である。
FIG. 6 is a drawing of one embodiment of the cathode assembly of the present invention, showing a cell having a generally elliptical cross-sectional configuration.

【図7】 平坦な底の末端部をもつセルの横断面を示している、本発明の陰極のアセンブ
リーの一態様の図面である。
FIG. 7 is a drawing of one embodiment of the cathode assembly of the present invention, showing a cross section of a cell having a flat bottom end.

【図8】 末端部として様々な形態をもつセルの横断面を示している、本発明の陰極のア
センブリーの一態様の図面である。
FIG. 8 is a drawing of one embodiment of a cathode assembly of the present invention, showing a cross section of a cell having various configurations as a distal end.

【図9】 末端部として様々な形態をもつセルの横断面を示している、本発明の陰極のア
センブリーの一態様の図面である。
FIG. 9 is a drawing of one embodiment of a cathode assembly of the present invention, showing a cross section of a cell having various configurations as a distal end.

【図10】 形態をもつ基材を処理するようになっている形態をもつアレー中のセルを示し
ている、本発明の陰極のアセンブリーの一態様の図面である。
FIG. 10 is a drawing of one embodiment of a cathode assembly of the present invention showing cells in an array having a configuration adapted to process a substrate having the configuration.

【図11】 一方はその壁を被覆している誘電材料を含み、他方は誘電材料を少なくとも1
個のセルに隣接して配置されている、2種類の陰極のアセンブリーを示している
、本発明のプラズマ発生機の一態様の図面である。更に、プラズマ前駆物質のガ
スを供給するための装置、陰極のアセンブリー及び基材に電力を供給するための
装置が示されている。
FIG. 11 includes one including a dielectric material covering the wall, and the other including at least one dielectric material.
1 is a drawing of one embodiment of the plasma generator of the present invention, showing an assembly of two types of cathodes located adjacent to one cell. In addition, an apparatus for supplying a plasma precursor gas, a cathode assembly and an apparatus for supplying power to a substrate are shown.

【図12】 ボトル形の容器を処理するようになっている、本発明の陰極のアセンブリーの
一態様の遠近破断図である。
FIG. 12 is a perspective cutaway view of one embodiment of the cathode assembly of the present invention adapted to process bottle-shaped containers.

【図13】 図12の態様の横断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view of the embodiment of FIG.

【手続補正書】特許協力条約第34条補正の翻訳文提出書[Procedural Amendment] Submission of translation of Article 34 Amendment of the Patent Cooperation Treaty

【提出日】平成12年12月14日(2000.12.14)[Submission date] December 14, 2000 (200.12.14)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正の内容】[Contents of correction]

【特許請求の範囲】[Claims]

請求項1シリンダーの表面上に配置された円筒形のアレー中の複 数の電気伝導性の中空のプラズマ発生セル(当該セルは相互に電気的に接続され ている)、 少なくとも1種類の陰極のアセンブリーにプラズマ前駆物質のガスを供給する ための装置、及び 陰極のアセンブリーに電力を供給するための装置、 を含んでなる、 プラズマを発生するための少なくとも1種類の陰極のアセンブリー、 を含んでなる、プラズマ発生機。 1. A hollow multiple electrically conductive in the array of arranged cylindrical surface of the cylinder plasma generating cell (the corresponding cell are electrically connected to each other), at least one of including apparatus for supplying the assembly of the cathode gas of the plasma precursor, and apparatus for supplying power to the assembly of the cathode, comprising the at least one cathode assembly for generating plasma, a A plasma generator.

請求項2前駆物質のガスが陰極のアセンブリーに隣接して供給され、 それによりガスがセルの近位に拡散する、請求項1のプラズマ発生機。 2. The plasma generator of claim 1 wherein a precursor gas is provided adjacent to the cathode assembly, whereby the gas diffuses proximally of the cell.

請求項3陰極のアセンブリーが更に、セルと連絡するマニホールド及 び1本以上の通路を含んでなり、前駆物質のガスが前記のセルへの前記の通路を 通して陰極のアセンブリーに供給され、それにより、ガスがセルの近位に拡散す る、請求項1のプラズマ発生機。 3. Assembly of the cathode further comprises a manifold及 beauty one or more passageways in communication with the cell, is supplied to the assembly of the cathode gas precursor through said passage into said cell whereby gas you diffuse proximally of the cell, the plasma generator according to claim 1.

請求項4セルがシリンダーの内側表面上に円筒形のアレーに配列され ている、請求項1のプラズマ発生機。 4. The plasma generator of claim 1 wherein the cells are arranged in a cylindrical array on the inner surface of the cylinder .

請求項5セルがシリンダーの外側表面上に円筒形のアレーに配列され ている、請求項1のプラズマ発生機。 5. The plasma generator of claim 1 wherein the cells are arranged in a cylindrical array on the outer surface of the cylinder .

請求項6複数のセルが円筒形の横断面の形態あるいは規則的な又は
不規則な多角形の横断面の形態をもつ、請求項1のプラズマ発生機。
6. The method according to claim 1, wherein the plurality of cells are in the form of a cylindrical cross section or a regular or
2. The plasma generator of claim 1 having the form of an irregular polygonal cross section.

請求項7複数のセルが、三角形、平行四辺形、五角形、六角形、七角 形、八角形、及びそれらの組み合わせ、からなる群から選択される規則的な多角 形の横断面の形態をもつ、請求項1のプラズマ発生機。 7. A plurality of cells, a triangle, a parallelogram, pentagonal, hexagonal, heptagonal shape, octagonal, and regular polygonal cross-section of a form selected combinations thereof, from the group consisting of The plasma generator of claim 1 having the following.

請求項8(a) 請求項1のプラズマ発生機の、少なくとも1種類の 陰極のアセンブリーのごく近位に、基材の少なくとも1表面を配置すること、
(b) 陰極のアセンブリー及び基材の近位に少なくとも1種類のプラズマ前駆 物質のガスを供給すること、 (c) 陰極のアセンブリーに電力を供給することによりプラズマを発生させる こと、並びに (d) 処理された表面を形成するのに十分な時間、基材の少なくとも1表面を プラズマにさらすこと、 を含んでなる、概括的に円筒形の基材の少なくとも1表面を処理する方法。
8. A plasma generator according to claim 1, wherein at least one surface of the substrate is located in close proximity to the at least one cathode assembly.
(B) supplying at least one gas in the plasma precursor proximate the cathode assembly and the substrate, thereby generating a plasma by supplying power to the assembly (c) a cathode, and (d) A method of treating at least one surface of a generally cylindrical substrate, comprising exposing at least one surface of the substrate to a plasma for a time sufficient to form a treated surface.

請求項9基材がポリイミドである、請求項8の方法。 9. substrate is a polyimide, a method of claim 8.

請求項10基材がポリエステルである、請求項8の方法。 10. The method of claim 8, wherein the substrate is a polyester.

請求項11基材が、ポリエチレンテレフタラート・ホモポリマー又は エチレンテレフタラートのコポリマーから選択されるポリエステルであり、そこ で、コポリマーの約50モルパーセントまでが、コポリマーの調製において、グ リコール部分に対して置換された、ジエチレングリコール、プロパン−1,3− ジオール、ブタン−1,4−ジオール、ポリテトラメチレングリコール、ポリエ チレングリコール、ポリプロピレングリコール及び1,4−ヒドロキシメチルシ クロヘキサン、あるいは、コポリマーの調製において酸部分に置換された、イソ フタル酸、二安息香酸、ナフタレン1,4−もしくは2,6−二カルボン酸、ア ジピン酸、セバシン酸、及びデカン−1,10−二カルボン酸、のモノマー単位 から調製される、請求項8の方法。 11. substrates is a polyester chosen from a copolymer of polyethylene terephthalate homopolymer or ethylene terephthalate, wherein up to about 50 mole percent of the copolymer, in the preparation of the copolymer, the grayed recall portion substituted for, diethylene glycol, propane-1,3-diol, butane-1,4-diol, polytetramethylene glycol, polyethylene Ji glycol, polypropylene glycol and 1,4-hydroxymethyl cyclo hexane or, copolymers substituted acid moiety in the preparation, isophthalic acid, bibenzoic acid, naphthalene 1,4- or 2,6-dicarboxylic acid, adipic acid, sebacic acid, and decane-1,10-dicarboxylic acid, the 9. The composition of claim 8, prepared from monomer units. the method of.

請求項12基材が二軸延伸ポリ(エチレン)テレフタラートの容器で ある、請求項11の方法。 12. The method of claim 11, wherein the substrate is a container of biaxially oriented poly (ethylene) terephthalate .

請求項13(a) 成形二軸延伸ポリエステルの容器を形成すること 、(b) 請求項1のプラズマ発生機の陰極のアセンブリーを使用して、炭化水 素を含んでなるプラズマ前駆物質のガスから発生されたプラズマに、容器の少な くとも1表面をさらすこと、 (c) 容器中に液体を導入すること、 (d) 容器を密封すること、 を含んでなる、成形二軸延伸の概括的に円筒形のポリエステルの容器中に液体を 充填するための方法。 13. (a) forming a container molded biaxially oriented polyester, (b) using the assembly of the cathode of the plasma generator according to claim 1, the plasma precursor comprising hydrocarbons a plasma generated from a gas, exposing the least 1 surface of the container, introducing a liquid into (c) a container, comprising a, to seal (d) is a container, the molded biaxially oriented A method for filling a liquid into a generally cylindrical container of polyester .

請求項14液体を導入する前に、容器からプラズマ前駆物質のガスを 追い出すことを更に含んでなる、請求項13の方法。 14. The method of claim 13, further comprising expelling a plasma precursor gas from the vessel prior to introducing the liquid .

請求項15請求項1のプラズマ発生機の陰極のアセンブリーを使用し て、炭化水素を含んでなるプラズマ前駆物質のガスから発生されたプラズマに、 ポリエステル基材の少なくとも1表面をさらすこと、 を含んでなる、概括的に円筒形のポリエステル基材のガス透過性を減少させる方 法。 15. using the assembly of the cathode of the plasma generator according to claim 1, the plasma generated from a gas plasma precursor comprising hydrocarbons, exposing at least one surface of the polyester substrate, comprising a way of reducing the gas permeability of the generally cylindrical polyester substrate.

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0008[Correction target item name] 0008

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正の内容】[Contents of correction]

【0008】 欧州特許第634 778号は表面エッチング及び、金属シート上の「ローリ
ングオイル」の除去のための、プラズマを発生する中空の陰極のアレーにつき記
載している。その中空の陰極アレーシステムは、ハウジングの1枚の壁に沿って
均一に間隔を空けた複数の開口部をもつハウジングを含んでなる。中空の陰極の
プラズマは基本的には、ハウジング内に発生されて、開口部を通して運搬される
。このような開口部のアレーは分配体として働くが、プラズマ強度及び均一性は
増加されない。各開口部は約1/16インチ(0.15cm)の直径をもつ。欧
州特許第634 778号のシステムに使用された圧力は0.1ないし5.0ト
ール(13.33ないし666.61パスカル)の範囲内にあり、かけられた電
力は0.5ないし3.0kWの範囲内にある。
[0008] EP 634 778 describes an array of hollow cathodes that generate a plasma for surface etching and removal of "rolling oil" on metal sheets. The hollow cathode array system comprises a housing having a plurality of openings uniformly spaced along one wall of the housing. The hollow cathode plasma is basically generated in the housing and transported through the opening. Such an array of openings acts as a distributor but does not increase plasma intensity and uniformity. Each opening has a diameter of about 1/16 inch (0.15 cm). The pressure used in the system of EP 634 778 is in the range of 0.1 to 5.0 torr (13.33 to 666.61 Pascal) and the applied power is 0. Between 0.5 and 3.0 kW.

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0009[Correction target item name] 0009

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正の内容】[Contents of correction]

【0009】 米国特許第5,686,789号は、準小型蛍光ランプに使用のための微細な
中空のアレーをもつ陰極をもつ放電装置につき記載している。この特許は、大き
い面積の処理には実行できない電子の平均自由行程の規模のディメンションをも
つ装置を包含する。電子は微細な中空内で振動運動を受け、それが微細中空放電
をもたらし、電流容量(current capability)を増加させる。米国特許第5,6
86,789号のシステムは、使用時に、0.1トールないし200トール(1 3.33ないし26,664.48パスカル) の圧力を使用する。当該特許は反
応性プラズマ、プラズマ重合化、又は材料の表面修飾については言及していない
US Pat. No. 5,686,789 describes a discharge device having a cathode with a fine hollow array for use in subminiature fluorescent lamps. This patent covers devices with dimensions of the mean free path magnitude of electrons that cannot be performed for large area processing. The electrons undergo an oscillating motion within the fine hollow, which results in a fine hollow discharge, increasing the current capability. US Patent 5,6
The 86,789 system uses a pressure of 0.1 Torr to 200 Torr ( 13.33 to 26,664.48 Pascals) in use. The patent does not mention reactive plasma, plasma polymerization, or surface modification of materials.

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0035[Correction target item name] 0035

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正の内容】[Contents of correction]

【0035】 本発明のプラズマ処理には低圧(真空中)が使用される。従って、本発明のプ
ラズマ発生機は更に、陰極のアセンブリーがその中に収まる真空室、及び真空を
提供するための装置を含んでなる。円筒形のステンレス鋼の真空室のような適切
な真空室が適切であることが判明した。Edwards High Vacuu
m Internationalから販売のE2M80/EH500のような回
転ポンプと組み合わせたブースターポンプを含んでなる市販の真空ポンプを使用
することができる。本発明で有用な圧力は約1ミリトールないし約100トール (0.1333ないし13,332.24パスカル) 、好ましくは1ミリトール
ないし約1トール(0.1333ないし133.32パスカル)の範囲にするこ
とができる。本発明のプラズマ発生機又は方法を使用する時にはバッチ又は連続
処理が可能である。真空システムはそれら自体をバッチ処理に役立たせる傾向が
あるが、段階連動真空システムの使用により、準大気圧に対して、連続的処理を
維持することができる。「段階連動真空システム」により、差圧下の一連の室を
意味する。
A low pressure (in vacuum) is used for the plasma processing of the present invention. Therefore, the present invention
The plasma generator further includes a vacuum chamber in which the cathode assembly fits, and a vacuum.
Comprising an apparatus for providing. Suitable as a cylindrical stainless steel vacuum chamber
A suitable vacuum chamber has been found to be appropriate. Edwards High Vacuu
m Times such as E2M80 / EH500 from International
Use a commercial vacuum pump that includes a booster pump in combination with a transfer pump
can do. Pressures useful in the present invention range from about 1 mTorr to about 100 Torr. (0.1333 to 13,332.24 Pascal) , Preferably 1 millitorr
Or about 1 tall(0.1333 to 133.32 Pascal)In the range of
Can be. Batch or continuous when using the plasma generator or method of the present invention
Processing is possible. Vacuum systems tend to lend themselves to batch processing
However, by using a step-linked vacuum system, continuous processing can be performed at sub-atmospheric pressure.
Can be maintained. A series of chambers under a differential pressure can be created using the "step-linked vacuum
means.

【手続補正5】[Procedure amendment 5]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0045[Correction target item name] 0045

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正の内容】[Contents of correction]

【0045】[0045]

【実施例】 (実施例1)銅に対するポリイミドフィルムの粘着性増加 図1に示されたものと同様な正方形のセル模様をもつ2種類の12in×12
in(30.48cm×30.48cm)の陰極のアセンブリーをステンレス鋼
から製造した。各セルは1in×1in×1in(2.54cm×2.54cm ×2.54cm) の測定値を有し、セル深度に対するセルの横断面の面積の比率
は1.0に等しかった。2種類の陰極のアセンブリーは真空室内で相互に平行に
設置され、各陰極はDC電力供給体に接続された。E.I.Du Pont d
e Nemours and Company,Wilmington,DEか
ら販売のKapton(R)ポリイミドフィルムを各陰極から約2in(5.08
cm)の距離に陰極の間に配置した。150ミリトールの圧力で真空を導入した
。アンモニアを、毎分12標準立法センチメーター(sccm)の流量で室内に
導入し、560Vの電圧で電力を供給した。フィルムを1分間アンモニアプラズ
マにさらした。
EXAMPLES Example 1 Increase in Adhesion of Polyimide Film to Copper Two types of 12-in.times.12 having a square cell pattern similar to that shown in FIG.
An in (30.48 cm × 30.48 cm) cathode assembly was manufactured from stainless steel. Each cell had a measurement of 1 in x 1 in x 1 in (2.54 cm x 2.54 cm x 2.54 cm) and the ratio of cell cross-sectional area to cell depth was equal to 1.0. The two cathode assemblies were placed parallel to each other in a vacuum chamber, and each cathode was connected to a DC power supply. E. FIG. I. Du Pont d
e A Kapton® polyimide film, available from Nemours and Company, Wilmington, DE, is approximately 2 inches (5.08 inches ) from each cathode.
cm) between the cathodes. Vacuum was introduced at a pressure of 150 mTorr. Ammonia was introduced into the room at a flow rate of 12 standard cubic centimeters (sccm) per minute and was powered at a voltage of 560V. The film was exposed to the ammonia plasma for one minute.

【手続補正6】[Procedure amendment 6]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0046[Correction target item name] 0046

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正の内容】[Contents of correction]

【0046】 次に、通常のニップロール法を使用して、処理されたフィルムを接着剤と銅で
ラミネートした。積み上げ物は、1oz(28.34グラム)の銅、1mil 0.0254mm) のPyralux(R)シート接着剤の層、ポリイミドフィル
ムのストリップ、もう1層の1milのシート接着剤及びもう1層の銅1oz 28.34グラム) からなり、クラッドを形成した。
Next, the treated film was laminated with an adhesive and copper using a conventional nip roll method. Stacked material is copper 1oz (28.34 grams), a layer of Pyralux (R) sheet adhesive of 1mil (0.0254 mm), strips of polyimide film, the other layer of the sheet adhesive and another layer of 1mil It consisted of 1 oz of copper ( 28.34 grams) and formed the cladding.

【手続補正7】[Procedure amendment 7]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0047[Correction target item name] 0047

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正の内容】[Contents of correction]

【0047】 残りのクラッドに対する銅の接着強度を試験するために、銅をインストロン試
験機の上部あごに置き、残りのクラッドをGermanホイールに両面粘着テー
プで接着した。銅を90度の剥離角度を維持する強度で剥離しながらホイールを
回転させた。引っ張り速度は2in/分(5.08cm/分)であった。対照及
びアンモニアプラズマ処理試料に対する線の1インチ当たりのポンド(pli) (ニュートン/メーター(N/m)) の接着値及び表面エネルギーは以下に挙げ
られる。試料 接着値(pli) (N/m) 極性表面エネルギー (ダイン/cm) 対照 6.9 (1208.19) 10.7 アンモニア処理 13.0 (2267.3) 23.2 (実施例2)ポリ(エチレンテレフタラート)(PET)フィルムに対する遮蔽性増加 DuPont Co.,Wilmington,DEから販売の5”×5” 12.7cm×12.7cm) MYLINEX(R)type S PETフィル
ムを、PETフィルムを通る酸素透過に対する、より高度の遮蔽をもたらすため
の、プラズマの薄膜被覆のために、実施例1に記載のようにアセンブリーの間に
配置した。150ミリトールの圧力で真空を誘導した。25sccmの流量でア
セチレンを室内に導入し、電力は640Vの電圧で供給された。フィルムをアセ
チレンプラズマに10分間さらした。次に、処理されたフィルムを、30℃で5
0%の相対湿度(RH)において、ASTM D3985に従い、Mocon,
Inc,により製造されたOXTRAN(R)1000を使用することにより、酸
素透過率(OTR)(Oxygen Transmission Rate)と
しても知られる酸素透過率(Oxygen Permeation Rate)
につき評価した。結果は以下の通りである。試料 厚さ(mils) (mm) OTR(cc/m2/日) 対照 4.94 0.125 12.57 アセチレン処理 4.88 0.124 2.48
To test the bond strength of the copper to the remaining cladding, the copper was subjected to an Instron test.
Place the rest of the clad on the upper jaw of the
Glued. While peeling copper at a strength that maintains a peel angle of 90 degrees,
Rotated. The pulling speed was 2 in / min (5.08 cm / min). Control
Per inch of wire (pli) for ammonia and ammonia plasma treated samples (Newton / meter (N / m)) The adhesion value and surface energy of
Can besample Adhesion value (pli) (N / m) Polar surface energy(Dyne / cm) Control 6.9(1208.19) 10.7 Ammonia treatment 13.0(2267.3) 23.2 (Example 2)Increased shielding properties for poly (ethylene terephthalate) (PET) films DuPont Co. 5 "x 5" for sale from Wilmington, DE( 12.7cm × 12.7cm) MYLINEX(R)type S PET Fill
To provide a higher degree of shielding against oxygen transmission through the PET film
During assembly as described in Example 1 for thin film coating of the plasma.
Placed. A vacuum was induced at a pressure of 150 mTorr. At a flow rate of 25 sccm
Cetylene was introduced into the room and power was supplied at a voltage of 640V. Assemble the film
Exposure to Tylene plasma for 10 minutes. Next, the treated film is treated at 30 ° C. for 5 minutes.
At 0% relative humidity (RH), according to ASTM D3985, Mocon,
OXTRAN manufactured by Inc.(R)By using 1000
Elemental transmittance (OTR) (Oxygen Transmission Rate)
Oxygen Permeation Rate
Was evaluated. The results are as follows.sample Thickness (mils) (Mm) OTR (cc / m 2 / day) Control 4.940.125 12.57 Acetylene treatment 4.880.124 2.48

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Claims (31)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 アレー中に複数の電気伝導性の中空のプラズマ発生セルを含
んでなり、当該セルが相互に電気的に接続されている、 プラズマを発生するための陰極のアセンブリー。
1. A cathode assembly for generating a plasma, comprising a plurality of electrically conductive hollow plasma generating cells in an array, wherein the cells are electrically connected to each other.
【請求項2】 セルの深度に対するセルの横断面の面積の比率が約0.1な
いし約5.0の範囲にある、請求項1の陰極のアセンブリー。
2. The cathode assembly of claim 1, wherein the ratio of the area of the cell cross section to the cell depth is in the range of about 0.1 to about 5.0.
【請求項3】 セルの横断面の面積が約1.6ないし約64.5cm2の範
囲にある、請求項2の陰極のアセンブリー。
3. The cathode assembly of claim 2, wherein the cross-sectional area of the cell ranges from about 1.6 to about 64.5 cm 2 .
【請求項4】 隣接するセルが少なくとも1枚の共通の壁を共有する、請求
項1の陰極のアセンブリー。
4. The cathode assembly of claim 1, wherein adjacent cells share at least one common wall.
【請求項5】 複数のセルが少なくとも1個の隣接するセルから分離されて
いる、請求項1の陰極のアセンブリー。
5. The cathode assembly of claim 1, wherein the plurality of cells are separated from at least one adjacent cell.
【請求項6】 少なくとも1個のセルの少なくとも1枚の壁が誘電材料で被
覆されている、請求項1の陰極のアセンブリー。
6. The cathode assembly of claim 1, wherein at least one wall of at least one cell is coated with a dielectric material.
【請求項7】 誘電材料が少なくとも1個のセルに隣接して配置されている
、請求項1の陰極のアセンブリー。
7. The assembly of claim 1, wherein the dielectric material is disposed adjacent to at least one cell.
【請求項8】 複数のセルが概括的に円形の横断面の形態をもつ、請求項1
の陰極のアセンブリー。
8. The method of claim 1, wherein the plurality of cells have a generally circular cross-sectional configuration.
Cathode assembly.
【請求項9】 複数のセルが概括的に楕円形の横断面の形態をもつ、請求項
1の陰極のアセンブリー。
9. The cathode assembly of claim 1, wherein the plurality of cells have a generally elliptical cross-sectional configuration.
【請求項10】 複数のセルが規則的な又は不規則な多角形の横断面の形態
をもつ、請求項1の陰極のアセンブリー。
10. The cathode assembly of claim 1, wherein the plurality of cells have the form of a regular or irregular polygonal cross section.
【請求項11】 複数のセルが、三角形、平行四辺形、五角形、六角形、七
角形、八角形、及びそれらの組み合わせ、からなる群から選択される規則的多角
形の横断面の形態をもつ、請求項10の陰極のアセンブリー。
11. The plurality of cells has a regular polygonal cross-sectional form selected from the group consisting of triangles, parallelograms, pentagons, hexagons, heptagons, octagons, and combinations thereof. The assembly of the cathode of claim 10.
【請求項12】 複数のセルが不規則な多角形の横断面の形態をもち、前記
の形態が同一であるか又は異なる、請求項10の陰極のアセンブリー。
12. The cathode assembly of claim 10, wherein the plurality of cells have the shape of an irregular polygonal cross section, said shapes being the same or different.
【請求項13】 アレーの周囲に隣接するセルの少なくとも一部が、アレー
の内側のセルより小さい横断面をもつ、請求項1の陰極のアセンブリー。
13. The cathode assembly of claim 1, wherein at least some of the cells adjacent to the periphery of the array have a smaller cross-section than cells inside the array.
【請求項14】 セルが概括的に平面状アレー中に配列されている、請求項
1の陰極のアセンブリー。
14. The cathode assembly of claim 1, wherein the cells are arranged in a generally planar array.
【請求項15】 各セルがアレーの面に実質的に垂直な少なくとも1枚の壁
をもつ、請求項14の陰極のアセンブリー。
15. The cathode assembly of claim 14, wherein each cell has at least one wall substantially perpendicular to the plane of the array.
【請求項16】 各セルがアレーの面と鈍角を形成する少なくとも1枚の壁
をもつ、請求項14の陰極のアセンブリー。
16. The cathode assembly of claim 14, wherein each cell has at least one wall forming an obtuse angle with the plane of the array.
【請求項17】 更に平面状の土台を含んでなり、討議セルがその土台上に
設置されている、請求項14の陰極のアセンブリー。
17. The cathode assembly of claim 14, further comprising a planar base, wherein the discussion cell is mounted on the base.
【請求項18】 セルが形態をもつアレーに配列されている、請求項1の陰
極のアセンブリー。
18. The assembly of claim 1, wherein the cells are arranged in an array having a shape.
【請求項19】 形態をもつアレーが凹形である、請求項18の陰極のアセ
ンブリー。
19. The cathode assembly of claim 18, wherein the array having the shape is concave.
【請求項20】 形態をもつアレーが凸形である、請求項18の陰極のアセ
ンブリー。
20. The cathode assembly of claim 18, wherein the shaped array is convex.
【請求項21】 少なくとも1種類の、請求項1の陰極のアセンブリー、 少なくとも1種類の陰極のアセンブリーにプラズマ前駆物質のガスを供給する
ための装置、及び 陰極のアセンブリーに動力を供給するための装置、 を含んでなる、プラズマ発生機。
21. An assembly of at least one of the cathodes of claim 1, an apparatus for supplying a gas of a plasma precursor to the assembly of at least one cathode, and an apparatus for powering the assembly of cathodes A plasma generator, comprising:
【請求項22】 前駆物質のガスが、それによりガスがセルの近位に拡散す
る陰極のアセンブリーに隣接して供給される、請求項21のプラズマ発生機。
22. The plasma generator of claim 21, wherein a precursor gas is provided adjacent to an assembly of cathodes whereby the gas diffuses proximally of the cell.
【請求項23】 (a) 請求項1の、少なくとも1種類の陰極のアセンブ
リーのごく近位に、基材の少なくとも1表面を配置すること、 (b) 陰極のアセンブリー及び基材の近位に少なくとも1種類のプラズマ前駆
物質のガスを供給すること、 (c) 陰極のアセンブリーに電力を供給することによりプラズマを発生させる
こと、並びに (d) 処理された表面を形成するのに十分な時間、基材の少なくとも1表面を
プラズマにさらすこと、 を含んでなる、基材の少なくとも1表面を処理する方法。
23. (a) disposing at least one surface of a substrate proximate to the at least one type of cathode assembly of claim 1; (b) proximate to the cathode assembly and substrate. Supplying a gas of at least one plasma precursor; (c) generating a plasma by supplying power to the cathode assembly; and (d) a time sufficient to form a treated surface. Exposing at least one surface of the substrate to a plasma, the method comprising treating at least one surface of the substrate.
【請求項24】 基材がポリイミドである、請求項23の方法。24. The method of claim 23, wherein the substrate is a polyimide. 【請求項25】 基材がポリエステルである、請求項23の方法。25. The method of claim 23, wherein the substrate is a polyester. 【請求項26】 基材が、ポリエチレンテレフタラート・ホモポリマー又は
エチレンテレフタラートのコポリマーから選択されるポリエステルであり、そこ
で、コポリマーの約50モルパーセントまでが、コポリマーの調製において、グ
リコール部分に対して置換された、ジエチレングリコール、プロパン−1,3−
ジオール、ブタン−1,4−ジオール、ポリテトラメチレングリコール、ポリエ
チレングリコール、ポリプロピレングリコール及び1,4−ヒドロキシメチルシ
クロヘキサン、あるいは、コポリマーの調製において酸部分に置換された、イソ
フタル酸、二安息香酸、ナフタレン1,4−もしくは2,6−二カルボン酸、ア
ジピン酸、セバシン酸、及びデカン−1,10−二カルボン酸、のモノマー単位
から調製される、請求項23の方法。
26. The substrate is a polyester selected from a polyethylene terephthalate homopolymer or a copolymer of ethylene terephthalate, wherein up to about 50 mole percent of the copolymer, based on the glycol moiety, Substituted diethylene glycol, propane-1,3-
Diol, butane-1,4-diol, polytetramethylene glycol, polyethylene glycol, polypropylene glycol and 1,4-hydroxymethylcyclohexane, or isophthalic acid, dibenzoic acid, naphthalene substituted by an acid part in the preparation of a copolymer 24. The method of claim 23, prepared from monomer units of 1,4- or 2,6-dicarboxylic acid, adipic acid, sebacic acid, and decane-1,10-dicarboxylic acid.
【請求項27】 基材が二軸延伸ポリ(エチレン)テレフタラートのボトル
である、請求項26の方法。
27. The method of claim 26, wherein the substrate is a bottle of biaxially oriented poly (ethylene) terephthalate.
【請求項28】 プラズマ前駆物質のガスがアセチレンを含んでなる、請求
項27の方法。
28. The method of claim 27, wherein the plasma precursor gas comprises acetylene.
【請求項29】 (a) 成形二軸延伸ポリマーの容器を形成すること、 (b) アレーが形態をもつ、請求項1の陰極のアセンブリーを使用して、炭化
水素を含んでなるプラズマ前駆物質のガスから発生されたプラズマに、容器の少
なくとも1表面をさらすこと、 (c) 容器中に液体を導入すること、 (d) 容器を密封すること、 を含んでなる、成形二軸延伸ポリマー容器中に液体を充填するための方法。
29. A plasma precursor comprising a hydrocarbon using the cathode assembly of claim 1 wherein: (a) forming a container of molded biaxially oriented polymer; (b) the array is in the form. Exposing at least one surface of the container to a plasma generated from the gas of (c), (c) introducing a liquid into the container, (d) sealing the container, comprising: A method for filling a liquid inside.
【請求項30】 液体を導入する前に、容器からプラズマ前駆物質のガスを
追い出すことを更に含んでなる、請求項28の方法。
30. The method of claim 28, further comprising expelling a plasma precursor gas from the vessel prior to introducing the liquid.
【請求項31】 請求項1の陰極のアセンブリーを使用して、炭化水素を含
んでなるプラズマ前駆物質のガスから発生されたプラズマに、ポリエステル基材
の少なくとも1表面をさらすこと、 を含んでなる、ポリエステル基材のガス透過性を減少させる方法。
31. Exposing at least one surface of the polyester substrate to a plasma generated from a gas of a plasma precursor comprising a hydrocarbon using the cathode assembly of claim 1. A method of reducing the gas permeability of a polyester substrate.
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