JP2002515964A

JP2002515964A - 電磁波作動収着システム用同軸導波路アプリケータ

Info

Publication number: JP2002515964A
Application number: JP54081398A
Authority: JP
Inventors: プフィスター，デニス・エム; バード，チャールズ・エム
Original assignee: Sun Microsystems Inc
Current assignee: Sun Microsystems Inc
Priority date: 1997-03-20
Filing date: 1998-03-20
Publication date: 2002-05-28
Also published as: US6415626B1; US6125650A; AU6764898A; WO1998041800A1; US6044661A; US5916259A; US6263697B1; US6415627B1; EP0970334A1; AU750482B2; CA2284907A1

Abstract

(57)【要約】本発明は、電磁波作動収着システム用同軸導波路アプリケータに関し、このアプリケータは、外側導体を画定する金属管状ハウジング、ならびに外側導体内にエンクロージャを画定するように密閉された第１および第２の端部を有するソーバと、エンクロージャ内に位置する収着質／吸収剤化合物とを備え、ソーバが、収着質をエンクロージャに投入しかつエンクロージャから取り出すことのできるポートを含み、アプリケータはさらに、外側導体内へソーバの長手方向軸と平行に延びている金属内側導体と、電磁波発生器と、電磁波発生器によって生成された電磁波を内側導体および外側導体と結合する導波路とを備え、電磁波発生器から送られた電磁波が、内側導体および外側導体によってエンクロージャを通って伝播し、収着質を収着質／吸収剤化合物から脱着させる。

Description

【発明の詳細な説明】電磁波作動収着システム用同軸導波路アプリケータ本出願は、現在放棄された１９９５年９月２０出願の米国特許出願第０８／５３３１５３号の継続出願である１９９７年３月６日出願の米国特許出願第０８／８１１７５９号の一部継続出願である。発明の背景本発明は、収着質を吸収剤に吸着させ、そこから脱着させることを繰り返す収着システムに関する。詳細には、本発明は、たとえばマイクロ波の形の電磁エネルギーを一様に収着質／吸収剤化合物へ送り、収着質を吸収剤から高速にかつ効率的に脱着させる同軸導波路アプリケータに関する。従来型のコンピュータ内のマイクロプロセッサなどある種の電気構成要素は、動作中にかなりの量の熱を発生する。この熱を効果的に除去することによってマイクロプロセッサの性能を著しく高められることが判明している。また、従来型の超伝導技術によれば、マイクロプロセッサを低温で操作した場合、マイクロプロセッサの動作速度を大幅に高めるられることがわかっている。以下収着システムと呼ぶ吸着および吸収システムでは、収着質と呼ばれる第１の物質を交互に吸収剤と呼ばれる第２の物質に吸着（または吸収）させ、次いでそこから脱着させる。通常、特定の収着システム用に特定の収着質および吸収剤が、その２つの物質の親和力に依存する所望の効果を生ずるように選択される。吸着サイクルまたは吸着サイクルの収着部分とも呼ぶ吸着反応中、収着質を収着質上に引き出し、それと結合させて、本明細書では単に収着質／吸収剤化合物と呼ぶ収着質／吸収剤複合体をつくり出す。脱着サイクルまたは収着サイクルの脱着部分とも呼ぶ脱着反応中、収着質／吸収剤複合体にエネルギーを供給して、収着質分子と吸収剤分子との結合を破壊し、それによって吸収剤から収着質を脱着させる、言い換えれば分離または駆逐する。脱離反応中にかなりのエネルギーが収着質に加えられ、このエネルギーは様々な用途に利用できる。例示的な冷却収着システムは、収着質としてアンモニアなど極性冷媒、および吸収剤として臭化ストロンチウムなどハロゲン化金属塩を使用することがある。ソーバと呼ばれるエンクロージャ内で起こる脱離反応中、冷媒分子は塩から駆逐され、比較的高い圧力、高いエネルギーのガス状態になる。冷媒ガスはその後凝縮し、次いで蒸発して冷却効果を生ずる。蒸発した冷媒ガスは、次いでソーバに戻され、そこでもう一度吸着反応中の塩に吸収される。収着サイクルは、冷却システムの冷却要件に応じて何回も繰り返される。いくつかの従来技術の収着システムでは、脱着エネルギーは従来のヒータによって供給される。そのようなシステムでは、収着質分子と吸収剤分子との結合を破壊するのに十分な程度まで収着質／吸収剤化合物をストカスティックに加熱するために大量の熱エネルギーが必要とされる。その結果、収着質、吸収剤およびソーバはかなり加熱され、次の収着反応が進む前にこの顕熱を除去し、ソーバおよび吸収剤を冷却するためにかなりの時間および／またはエネルギーが必要とされる。上述の出願に記載されている冷却システムでは、脱着エネルギーは、例えばマグネトロンが発生した無線周波やマイクロ波など電磁波の形で供給される。収着質／吸収剤化合物を加熱する代わりに、電磁波によって選択的に各収着質吸収剤結合中に電気エネルギーを注入し、結合が破壊され、収着質分子が吸収剤分子から分離するまで継続する。したがって、収着質、吸収剤およびソーバは脱着反応中に加熱されず、したがって次の収着反応が進む前に冷却する必要はない。収着反応は本質的に等温であるので、冷却システムの全体的な性能は大幅に改善される。ソーバ内の収着質／吸収剤化合物の全体へ電磁波を一様に送ることによって電磁波作動収着システムにおける脱着反応の効率および速度を高められることが見出されている。発明の概要本発明は、ソーバ内に含まれる収着質／吸収剤化合物へ電磁波を一様に送り、脱着反応の効率および速度を高める同軸導波路アプリケータを提供する。本発明の一実施態様では、導波路アプリケータは、外側導体となる金属管状ハウジングと外側導体内にエンクロージャを形成するように密閉された第１および第２の端部とを有するソーバと、エンクロージャ内に位置する収着質／吸収剤化合物とを備え、ソーバが、収着質をエンクロージャに投入しかつエンクロージャから取り出すことのできるポートを含み、アプリケータはさらに、外側導体内でソーバの長手方向軸と平行に延びている金属内側導体と、内側導体および外側導体を電磁波発生器と結合する手段とを備え、電磁波発生器から送られた電磁波が、内側導体および外側導体によってエンクロージャを通って伝播し、収着質を収着質／吸収剤化合物から脱着させる。本発明の好ましい実施態様によれば、同軸導波路アプリケータは、外側導体となる金属管状ハウジングと第１および第２の端部とを有するソーバと、第１の端部内に位置決めされた非金属端部プラグ、および外側導体内に密閉されたエンクロージャを形成するように第２の端部内に位置決めされた金属端部キャップと、端部プラグを通ってエンクロージャ内へ延び、かつソーバの長手方向軸にほぼ平行に端部キャップの方へ延びている金属内側導体と、エンクロージャ内の内側導体に接続された複数の半径方向金属フィンとを備え、ソーバが、収着質をエンクロージャに投入しかつエンクロージャから取り出すことのできるポートを含み、アプリケータがさらに、内側導体および外側導体を電磁波発生器と結合する手段を備え、電磁波発生器から送られた電磁波が、内側導体および外側導体ならびにフィンによって収着質／吸収剤化合物を通って伝播し、収着質を収着質／吸収剤化合物から脱着させる。本発明による収着システムは好ましくは、収着質を制御可能にエンクロージャ内に放出する電子弁と、電磁波発生器を選択的に作動させる電子スイッチと、電子弁および電子スイッチの動作を制御するプログラム可能なマイクロコンピュータとを含む。吸着サイクルが終了してから脱着サイクルが開始するまでの間、エンクロージャ内の圧力は比較的低く、脱着反応の開始時にプラズマ点火が起こるのを防止するために、電磁波発生器を作動させる前に電子弁を短時間だけパルス的に動作させ、エンクロージャ内の圧力をガイスラー効果を回避するのに十分なレベルにするようにマイクロコントローラをプログラムすることができる。別法として、収着システムは、パワーＭＯＳＦＥＴを含むことができ、このパワーＭＯＳＦＥＴは、電磁波発生器に接続され、電磁波発生器内の電流を徐々に増大させて脱着を開始し、それによって、電磁波発生器の全出力がエンクロージャへ送られる前にエンクロージャ内の圧力を徐々に増大させるようにマイクロコントローラによって制御される。また、本発明の収着システムは、電磁波発生器に接続された温度センサを含むことができ、マイクロコントローラは、電磁波発生器の温度が所定量だけ上昇し、脱着反応が完了したことが示されたときに電磁波発生器をオフに切り換えるようにプログラムすることができる。図面の簡単な説明第１図は、本発明の同軸導波路アプリケータを組み込んだ例示的な冷却収着システムの概略図である。第１Ａ図は、第１図に示される収着システムの電源および電磁波発生器の概略図である。第２図は、第１図に示される収着システムのプロセス制御ステップの流れ図である。第３図は、本発明の２つの同軸導波路アプリケータを組み込んだ例示的な冷却収着システムの概略図である。第４図は、本発明の同軸導波路アプリケータの１つの実施形態の一部の縦断面図である。第５図は、第４図に示される同軸導波路アプリケータの部分透視図である。第６図は、第４図の線６−６に沿って切り取った同軸アプリケータの半径方向断面図である。第７図は、本発明の同軸アプリケータの第２の実施形態の縦断面図である。第８図は、本発明の同軸アプリケータの第３の実施形態の縦断面図である。第９図は、本発明の同軸アプリケータの第４の実施形態の縦断面図である。第１０図は、本発明の同軸アプリケータの第５の実施形態の縦断面図である。第１１図は、本発明の同軸アプリケータの第６の実施形態の縦断面図である。第１２図は、本発明の同軸アプリケータの第７の実施形態の縦断面図である。第１３図は、本発明の同軸アプリケータの第８の実施形態の縦断面図である。第１４図は、本発明の同軸アプリケータの第９の実施形態の縦断面図である。第１５図は、本発明の同軸アプリケータの他の実施形態の平面図である。第１６図は、本発明の同軸アプリケータの他の実施形態の平面図である。第１７図は、電気構成要素の冷却用に特に適した本発明の冷却収着システムの平面図である。第１８図は、第１７図に示される冷却収着システムの他の実施形態の平面図である。第１９図は、第１７図から始めて説明した冷却収着システムに有用な本発明に従って構成した蒸発器の断面透視図である。第２０図は、電気構成要素の冷却用に特に適した本発明の冷却収着システムの他の実施形態の平面図である。第２１図は、第１７図、第１８図、および第２０図に示される実施形態に有用な本発明に従って構成したソーバの断面透視図である。第２２図および第２２Ａ図はそれぞれ、本発明に有用な電磁波発生器の他の一例の透視図および概略図である。第２３図および第２３Ａ図はそれぞれ、本発明に有用な電磁波発生器の別の例の透視図および概略図である。第２４図は、本発明の結合マイクロ波調理および冷却装置の一実施形態の平面図である。第２５図は、本発明の結合マイクロ波調理および冷却装置の他の実施形態の平面図である。第２６図は、本発明の結合マイクロ波調理および冷却装置の他の実施形態の平面図である。第２７図は、本発明の結合マイクロ波調理および冷却装置の他の実施形態の平面図である。好ましい実施形態の詳細な説明本明細書で説明し請求する同軸導波路アプリケータは様々な収着システム中で使用できる。ただし簡単のため、同軸導波路アプリケータの好ましい実施形態の動作については例示的な冷却収着システムに関して説明する。さらに、本発明の同軸導波路アプリケータは広い範囲の電磁周波数内で動作するように設計できるが、好ましい実施形態については特に電磁スペクトルの無線周波帯またはマイクロ波帯の文脈で説明する。さらに、本明細書で説明する同軸導波路アプリケータは様々な収着質物質および吸収剤物質のいずれかと共に使用するように設計できるが、本発明の好ましい実施形態では、収着質としてアンモニア、メタン、アルコールなど極性ガス、および吸収剤として臭化ストロンチウムなどハロゲン化金属塩を使用することが考えられる。特定の収着質および吸収剤の選択は収着システムの所望の目的に依存することを理解されたい。例えば、以下で説明する冷却システムでは、収着質としてアンモニアを使用し、吸収剤として臭化ストロンチウムを使用することにより所望の温度低下が達成できる。第１図を参照すると、臭化ストロンチウムなど吸収剤を格納するソーバ１２を有する導波路アプリケータ１０を含んでいる本発明による例示的な冷却収着システムが示されている。本発明の文脈では、ソーバは一般に、吸収剤が入っており、吸着（または吸収）反応および脱着反応が起こる密封されたエンクロージャとして定義される。導波路アプリケータ１０の詳細は第４図から第１６図の説明に関して提示する。以下でより完全に説明するように、導波路アプリケータ１０は、マグネトロン１６または注目する周波数帯の電磁波を発生させるための他の適切な手段にソーバ１２を結合する導波路カプラ１４を含んでいる。マグネトロン１６は電力回路１８によって給電される。この電力回路１８は、第１Ａ図を参照すると、マグネトロン１６を駆動するトランス２４に給電する半導体スイッチ２２に接続された交流電源２０を含んでいることが好ましい。電力回路１８はまた、以下で説明するように、スイッチ２２および収着システムの他の構成要素の動作を制御するためにＭｏｔｏｒｏｌａＭＣ６８ＨＣ０５マイクロコントローラなどプログラム可能なマイクロコントローラ２６を含んでいる。マイクロコントローラ２６はクロック２８およびプログラム動作命令を記憶する関連する記憶装置（図示せず）を含んでいる。マグネトロン１６の選択は、導波路アプリケータ１０が使用されている特定のシステムの電力要件およびシステムの所望の動作周波数に依存する。第１図に示される例示的な冷却収着システムの場合、適切なマグネトロン１６は出力周波数２．５４ＨｚのＳａｍｓｕｎｇ９００ワット冷陰極マグネトロンである。第１Ａ図に示される代表的なマグネトロン１６はカソード３０、アンテナ３２および外部導体３４を含んでいる。マグネトロン１６の構造的詳細は当業者がよく知っているものであり、本発明の一部をなさない。もちろん、クライストロン、進行波管、または所要の周波数で所望のレベルの電力を供給することができる任意の半導体デバイスなど、他の任意の電磁波発生器を導波路アプリケータ１０とともに使用することができる。第１図を参照すると、例示的な冷却収着システムは、ソーバ１２の内部と連絡する入出管路またはコンジット３６、入出管路３６に接続された凝縮器３８、凝縮器３８の出口と連絡する受器または冷媒貯槽４０、冷媒貯槽４０と入出管路３６の間に接続された蒸発器４２を含んでいる閉ループ・システムである。システム中およびソーバ１２内外の収着質の流れを制御するために入出管路３６と凝縮器３８および蒸発器４２との間にそれぞれ適切な逆止め弁４４、４６が設けられる。ソーバ１２を凝縮器３８および蒸発器４２にそれぞれ接続するための別々の管路を設けることもできることを理解されたい。以下で例として説明するように、凝縮器３８の設計はシステム中で使用される収着質の量に依存し、また収着質の量は蒸発器４２で必要とされる温度低下およびシステム中で使用される特定の収着質および吸収剤に依存する。収着質がアンモニアであり、吸収剤が臭化ストロンチウムである第１図の例示的な冷却収着システムでは、液体収着質を約１３０ｐｓｉから約１４０ｐｓｉまでの圧力に維持し、その結果凝縮器が約３０℃から５０℃までの温度になるように凝縮器３８の容量は十分大きいことが好ましい。脱着サイクルに必要な時間中に収着質からの凝縮熱を放散させるために冷却フィンまたは他の手段を凝縮器３８に設けることができる。本発明では脱着反応中に熱エネルギーが収着質に伝達されることはないので、一般に収着システム中で必要とされるものよりも小さい凝縮器が使用できる。さらに、システムに応じて、凝縮器３８を使用せず、収着質が直接受器４０中に送られるようにするか、または逆止め弁４４と蒸発器４２の間のコンジットの容積が十分大きい場合、凝縮器３８と受器４０の両方を省略することもできる。蒸発器４２は、所望の冷却効果を達成するために必要な容量および構成を有するように従来の冷却技法を使用して設計される。液体収着質を蒸発器４２中に選択的に排出するために流れ制御弁、例えばTＥＶ４８が蒸発器４２の上流に設けられることが好ましい。ＴＥＶ４８は従来の電気制御電磁弁である。特定の選択されたＴＥＶはシステム中の収着質の質量流量に適応するために十分大きい容量を有しなければならない。本明細書に記載の例示的な冷却収着システムによれば、ＴＥＶ４８の動作は蒸発器４２中の圧力に依存する。この圧力は、蒸発器４２の出口にあることが好ましい適切な圧力センサ５０によって測定される。圧力センサ５０はリード線５２を介して蒸発器圧力を示す信号をマイクロコントローラ２６に送信し、マイクロコントローラ２６はリード線５４を介して伝達される適切な信号によってＴＥＶの動作を制御する。収着質がＴＥＶ４８内で蒸発するのを防ぐために、毛管がＴＥＶ４８の出口に挿入され、蒸発器４２中の冷却すべき負荷が凝縮することが予測される点まで延びている。毛管の直径は、一般に、収着質の質量流量に応じて約０．００４インチから約０．０３０インチの間になるように選択される。ＴＥＶ４８の代わりに他の適切な流れ制御弁、例えば熱膨張弁を使用することもできる。吸収剤は、ソーバ１２中に入れられる前に収着質と結合させるかまたは収着質で充填することが好ましい。ただし、これを行う前に、吸収剤を完全に乾燥させて水分を取り除かなければならない。そのような水分があると、収着質として水を使用するように設計されている同軸アプリケータ１０中にアークが生じることがある。水分の除去は、吸収剤を真空にかけ、それをマイクロ波に当てることによって行うことができる。真空はマイクロ波によって吸収剤から脱着した水分分子を除去する。その場合、水分のないエンクロージャ中で、所定の量の吸収剤を所定の量の収着質と結合させる。以下で例として説明するように、これらの量はシステムの要件に依存する。収着質分子は吸収剤分子と結合して収着質／吸収剤化合物を形成し、この化合物はソーバ１２中に約５０ｐｓｉの圧力で詰め、周囲の構造要素と十分に接触するようにすることが好ましい。脱着サイクル中、マグネトロン１６からのマイクロ波が導波路アプリケータ１０によって収着質／吸収剤化合物中を伝搬して、収着質／吸収剤化合物から収着質を脱着させる。電磁波によって電気エネルギーを選択的に各収着質吸収剤結合中に注入し、結合が破壊され、かつ収着質分子が吸収剤分子から分離するまで続ける。マイクロ波は収着質分子中に双極子回転を誘起し、関連する吸収剤分子に結合させている電位から収着質分子が逃れられるのに十分な運動エネルギーを収着質分子に与える。したがって、収着質は、収着質／吸収剤化合物から駆逐され、比較的高い圧力、高いエネルギーのガス状態になる。高圧の収着質ガスは等温的に膨張し、逆止め弁４４を通って凝縮器３８中に入り、そこで比較的高い圧力の液体状態まで凝縮する。次いで液体収着質は受器４０中に伝達され、冷却サイクルが始まるまでそこでＴＥＶ４８によって保持される。脱着反応が完了すると、システムはすぐにも吸着サイクルを開始することができる。関連する化学的性質のために、吸着反応の速度は一部吸収剤の温度に依存する。吸収剤の温度が低ければ低いほど、収着質分子は吸収剤分子と速く結合することができる。本発明では、マイクロ波は脱着反応中に吸収剤に熱エネルギーを伝達しない。したがって、脱着反応を開始する前に吸収剤を冷却する必要はない。したがって、収着サイクル中での脱着反応の直後に吸着反応が始まる。第１図に示される冷却収着システムの実施形態の冷却サイクルに対応する吸着サイクル中、液体収着質がＴＥＶ４８によって蒸発器４２中に解放される。収着質は蒸発して冷却効果を生じ、収着質と吸収剤との親和力のために、蒸発した収着質は逆止め弁４６および管路３６中に引き込まれ、ソーバ１２中に入る。収着質は、上記で論じたように、収着質／吸収剤化合物を生ずる化学反応において吸収剤と結合する。この化学反応によって吸着熱が発生するが、この熱は理想的には次の吸着サイクルが始まる前に放散しなければならない。したがって、吸着サイクル中および脱着サイクル中に吸着熱を放散させるために冷却手段（その例については以下で説明する）を導波路アプリケータ１０に設けることがある。したがって、収着サイクルは中間に吸収剤冷却サイクルを必要とせずに脱着サイクルから吸着サイクルまで繰り返し進むことができる。本発明の好ましい実施形態では、マイクロコントローラ２６は、関連する記憶装置中に格納された事前プログラムされたプロセス制御ソフトウェアに応答して収着システムの動作、したがって脱着サイクルおよび脱吸着サイクルの実行を制御する。第２図を参照すると、脱着サイクルは、マイクロコントローラ２６がマグネトロン１６を作動させるための信号をスイッチ２２に送ったときに始まる。同時に、マイクロコントローラはそのクロック２８から時間の追跡またはパルスの計数を開始する。時間が所定の脱着サイクル時間（その導出については以下で例を挙げて説明する）に達すると、マグネトロンはマグネトロン１６を停止させるための信号をスイッチ２２に送る。あるいは、マグネトロン１６の温度を検知することによって脱着サイクルの終了を決定することができる。第１Ａ図に示されるこの実施形態では、本発明の収着システムは、カソード３０に隣接して配置され、リード線５８を介してマイクロコントローラ２６と通信する適切な温度センサ５６を含んでいる。収着質が収着質／吸収剤化合物から脱着されると、導波路アプリケータの特性インピーダンスが変化する。したがって、電力の一部は導波路アプリケータ１０に伝達されず、その結果カソード３０が熱くなる。カソード３０の温度が所定の量、例えば１５℃だけ上昇すると、マイクロコントローラ２６はマグネトロン１６を停止して脱着サイクルを終了させる。特定の温度上昇は使用する所与のシステムおよびマグネトロンに依存し、実験的に決定できる。脱着サイクルが完了すると、マイクロコントローラは蒸発器圧力（Ｐ_evp）を検知し、所望の蒸発器温度（Ｐ_v）でこれを収着質の蒸気圧と比較する。Ｐ_evpがＰ_vに等しいかまたはそれよりも小さい場合、マイクロコントローラ２６はＴＥＶ４８にパルスを送って収着質を蒸発器４２中に解放し、それによって脱着サイクルを開始させる。ＴＥＶ４２のパルス幅および初期サイクルは所与のシステムに対して実験的に決定される。その目的は、収着質が蒸発器４２を出たときにガス状態のままであるようにすべての収着質が蒸発し、約３℃から約５℃の過熱状態が維持されるようにすることである。次いでマイクロコントローラ２６はパルス・サイクルの周波数を変調するために比例積分偏差（ＰＩＤ）制御ルーチンを最適に実行する。しかしながら、Ｐ_evpがＰ_vよりも大きい場合（例えばＴＥＶ４８が開いたままであり、蒸発器があふれていることを示す）、誤動作に対処できるようにアラームが鳴ることが好ましい。ＰＩＤルーチン中、マイクロコントローラはパルス周波数の少なくとも２倍の速度でＰ_evpをサンプリングし、Ｐ_evpの測定された変化に応じてパルス周波数を変調して、Ｐ_evpをＰ_vに等しいかまたはそれよりも小さくする。あるいは、マイクロコントローラは同じ効果を得るためにパルス幅を変調することもできる。ＰＩＤルーチンは位相マージン、位相マージン周波数、パーセント・オーバシュートおよびピーク時間を含めて、いくつかの入力変数を必要とする。これらの入力変数は、既知の入力に対するシステムの応答、例えば圧力センサ５０の圧力を測定することによって決定される。ＰＩＤ制御ルーチンのソフトウェアでの実施および入力変数の導出は知られている技法を使用して行われる。ＰＩＤ制御ルーチンの代替物として、マイクロコントローラ２６は適切なファジー論理または発見的制御ルーチンに従ってＴＥＶ４８にパルスを送って上述の結果を得ることができる。プロセス制御ソフトウェアは脱着サイクルの終了を決定するソフトウェア・トリガを含んでいることが好ましい。一実施形態では、マイクロコントローラは単にクロック２８からの経過時間を全サイクル時間と比較する。経過時間が所定の脱着サイクル時間と所定の吸着サイクル時間（その導出については以下で例を挙げて説明する）との和に等しい場合、マイクロコントローラはＴＥＶ４２を閉じ、他の脱着サイクルを開始する。あるいは、システムの２つの設定時間内にＰ_ev _p がＰ_vに等しくないことをマイクロコントローラ２６が決定した場合（この状態は蒸発器があふれていることを示す）、マイクロコントローラ２６はＴＥＶ４２を閉じ、他の脱着サイクルを開始する。その他の場合、マイクロコントローラ２６は脱着サイクルの一部としてＴＥＶ４２にパルスを送り続ける。もちろん、上記のソフトウェア・トリガはともに必要に応じて冗長性を与えるように使用することができる。吸着サイクルの後で脱着サイクルの前、ソーバ１２内の圧力は比較的低い。マグネトロン１６が作動して脱着サイクルが開始した後、ガイスラー効果の結果としてソーバ１２中にプラズマ発火が起こる可能性がある。プラズマ発火は吸収剤を破壊し、収着システムの性能を低下させる。プラズマ発火の発生を防ぐために、本発明の好ましい実施形態では、脱着反応の前または初めにソーバ１２中の圧力を増大させることが考えられる。したがって、マグネトロン１６を作動させる前に一時的に、例えば３回、ＴＥＶ４８にパルスを送って、ソーバ１２中の圧力がガイスラー効果を回避するために十分なレベルになるようにマイクロコントローラ２６をプログラムすることができる。あるいは、第１Ａ図を参照すると、収着システムの電力回路１８は、カソード３０の電流を制御する電力ＭＯＳＦＥＴ６０を含んでいることがある。ＭＯＳＦＥＴ６０は、脱着を開始するためにマグネトロン１６中の電流を徐々に増大させ、それによってソーバ１６中の圧力を徐々に増大させ、その後マグネトロン１６の全電力がソーバ１２中に伝達されるようにマイクロコントローラ２６によって制御される。例示的な冷却収着システムの要件によって使用する収着質および吸収剤のタイプおよび量が決定される。冷却容量または速度の点で冷却要件がマグネトロンの容量よりも大きい場合、単一の導波路アプリケータ１０がバッチ冷却システム中で使用される。例１例えば、９００Ｗマグネトロンが使用可能であり、また−５０℃の蒸発器温度を３０秒間維持するためにシステムが３ｋＷの冷却を行う必要があると仮定する。必要な蒸発器温度は収着質または冷媒としてアンモニアを使用することを示唆している。上述のように凝縮器温度を３０℃と５０℃の間に維持することが望まれるので、アンモニアが３０℃から５０℃の液体から−５０℃の蒸気まで蒸発することができる吸収剤を選択しなければならない。したがって、様々なアンモニア吸収剤化合物の蒸気圧曲線から、吸収剤として臭化ストロンチウムを選択することになる。アンモニアとストロンチウムとの親和力または結合強度が大きいので、アンモニアを５０℃の液体から−５０℃で蒸発させるために十分低い蒸気圧が吸着時に生じる。収着質と吸収剤を選択した後、質量流量および所望の冷却効果を得るために必要な収着質の量を決定する。アンモニアの飽和特性表から、５０℃の液体アンモニアから−５０℃の気体アンモニアまでのエンタルピーの変化はグラム当たり約１０５０ジュールになることが知られている。その場合、アンモニアの質量流量（ＭＦＲ）は次のようにして決定される。ＭＦＲ＝冷却容量／エンタルピーの変化＝（３０００Ｊ／ｓ）／（１０５０Ｊ／ｇ）＝２．８６ｇ／ｓＮＨ₃ したがって、２．８６グラムのアンモニアは毎秒−５０℃の蒸発器温度で蒸発することになる。この温度を３０秒間維持する必要があるので、合計２．８６ｇ／ｓ×３０ｓ＝８５．８０グラムのアンモニアがシステム中で必要とされる。収着質の量を決定した後、吸収剤の所要の量を計算する。アンモニアの分子量は約１７．０３ｇ／モルであるので、８５．８０グラムのアンモニアはほぼ５．０４モルに等しい。臭化ストロンチウムの各分子はアンモニアの各分子と結合できることが知られている。したがって、アンモニアが臭化ストロンチウムに完全に吸着すると仮定すると、（５．０４モルＮＨ₃）／（８モルＮＨ₃／モルＳｒＢｒ₂）＝０．６３モルＳｒＢｒ₂が必要となる。臭化ストロンチウムの分子量は約２４７．４３ｇ／モルであるので、必要な臭化ストロンチウムの量はしたがって１５５．８８グラムとなる。もちろん、他のファクタ、例えば吸着熱を放散させるために必要な時間によってより多くの吸収剤を使用する必要があることがある。これらのファクタは特定のソーバおよび導波路アプリケータの設計に依存する。臭化ストロンチウムから１グラムのアンモニアを脱着させるには約２５５０ジュールのエネルギーが必要であることが知られている。したがって、８５．８０グラムのアンモニアを脱着させるには２１８，７９０ジュールのエネルギーが必要である。したがって９００Ｗマグネトロンでこれを行うのに要する時間は２１８，７９０Ｊ／（９００Ｊ／ｓ）＝２４３．１０ｓ、すなわちほぼ４分である。したがって、今説明したバッチ冷却収着システムの例では、脱着サイクルは４分間続き、その後吸着サイクルが３０秒間続く。このサイクルは必要に応じて繰り返される。第３図を参照すると、本発明の２つの導波路アプリケータを組み込んだ冷却システムの例が示されている。この実施形態では、第１図に示される要素と同じ要素を説明するために同じ参照番号を使用する。この実施形態の例示的な冷却収着システムは、吸収剤が入っているソーバ１２ａ、１２ｂをそれぞれ有する第１および第２の導波路アプリケータ１０ａ、１０ｂを含んでいる。マグネトロン１６からのマイクロ波は適切なスイッチ６２および導波路カプラ１４ａ、１４ｂを介してソーバ１２ａ、１２ｂに交互に伝達される。導波路カプラ１４ａ、１４ｂについては以下で詳細に説明する。スイッチ６２は知られているタイプのものでよく、マイクロコントローラ２６によって自動的に作動することが好ましい。あるいは、２つのマグネトロン１６を設けることもできる。その場合、マイクロコントローラはマグネトロンを連続的に作動させることになる。凝縮および蒸発装置は第１図に関して説明したものと同じものである。ただしこの実施形態では、各ソーバ１２ａ、１２ｂをそれぞれ凝縮器３８と蒸発器４２に交互に接続するために二方弁６４が設けられる。弁６４はマイクロコントローラ２６によって制御される電磁弁が好ましい。ただし、弁６４は所要の機能を果たす任意の適切な手段、および逆止め弁の組合せなどの他の弁作用装置をこの目的に設けることもできる。第３図に示される弁６４の１つの位置では、ソーバ１２ａは凝縮器３８に接続され、ソーバ１２ｂは蒸発器４２と連絡している。この位置では、マイクロコントローラ２６はスイッチ６２を作動させてマイクロ波を導波路アプリケータ１０ａに伝導させ、ソーバ１２ａ中で脱着反応を開始させる。ソーバ１２ａからの収着質ガスは凝縮器３８で凝縮される。同時に、受器４０中の液体収着質はＴＥＶ４８によって解放され蒸発器４２中に入り、吸着反応中にソーバ１２ｂ中に引き込まれる。したがって、ソーバ１２ｂが吸着反応を受けるのと同時にソーバ１２ａは脱着反応を受けることになる。ソーバ１２ａ中の脱着サイクルとソーバ１２ｂ中の吸着サイクルのうちの長い方が完了した後、マイクロコントローラ２６は弁６４を第３図に仮想的に示される位置に切り換えてソーバ１２ｂを凝縮器３８に接続し、ソーバ１２ａを蒸発器４２に接続する。次いでマイクロコントローラ２６はスイッチ６２を作動させてマイクロ波を導波路アプリケータ１０ｂに伝導させ、ソーバ１２ｂ中で脱着反応を開始させる。ソーバ１２ｂからの収着質ガスは凝縮器３８で凝縮され、同時に受器４０中の液体収着質はＴＥＶ４８によって解放され蒸発器４２中に入り、吸着反応中のソーバ１２ａ中に引き込まれる。したがって、ソーバ１２ａが吸着反応を受けるのと同時にソーバ１２ｂは脱着反応を受けることになる。第３図に示される冷却収着システムが、吸着サイクル時間が脱着サイクル時間に等しいかまたはそれよりも大きくなるように設計されている場合、収着質が蒸発器４２中で連続的に蒸発して連続冷却が行われることになる。第３図のシステムのプロセス制御ソフトウェアは、第１図のシステムについて上記で論じたのと同じ形で実施することができる。第３図の連続冷却システムは、冷却要件がマグネトロンの容量に等しいかまたはそれよりも小さい場合に使用するのに適していることが理想的である。例２例えば、システムが−５０℃の一定の蒸発器温度を維持するために１００Ｗの冷却を行う必要があると仮定する。収着質としてアンモニアを使用し、吸収剤として臭化ストロンチウムを使用した場合、このシステムのアンモニアの質量流量は次のようにして計算される。ＭＦＲ＝冷却容量／エンタルピーの変化＝（１００Ｊ／ｓ）／（１０５０Ｊ／ｇ）０．０９５ｇ／ｓＮＨ₃ 多重ソーバ・システムでは、各ソーバに必要な収着質の量は最小である。第３図の２ソーバ・システムでは、各ソーバの臭化ストロンチウムの適切な量は２０グラムであり、これは０．０８１モルＳｒＢｒ₂に等しい。この量の臭化ストロンチウムは（０．０８１モルＳｒＢｒ₂）×（８モルＮＨ₃／モルＳｒＢｒ₂）× （１７．０３ｇＮＨ₃／モル）＝１１．０３５ｇＮＨ₃を吸着することができる。この量のアンモニアを吸着するのに要する最小時間は（１１．０３５ｇＮＨ₃）／（０．０９５ｇ／ｓＮＨ₃）＝１１６．１６秒である。この例での吸着サイクル時間は、システムが必要とするマグネトロンの出力を決定する。連続冷却を行うために、第２のソーバ中の脱着反応は１１６．１６秒間で完了しなければならない。前の例から、臭化ストロンチウムから１グラムのアンモニアを脱着させるのに２５５０ジュールのエネルギーが必要である。したがって、システム中の臭化ストロンチウムからアンモニアを完全に脱着させるためには１１．０３５ｇＮＨ₃×２５５０Ｊ＝２８，１３９．２５ジュールのエネルギーが必要となる。このエネルギーを１１６．１６秒間で消費しなければならないので、脱着反応には約２４２．２４ワットの電力が必要となる。したがって、この例では標準の２５０Ｗまたは３００Ｗマグネトロンを使用する。本発明の電磁波作動脱着反応の性質により、収着質／吸収剤化合物から収着質を一部脱着させること、言い換えれば、収着質／吸収剤化合物から収着質の全量に満たない量を脱着させることが可能である。したがって、多数の機能を果たすように単一または二重ソーバ・システムを設計することができる。例えば、必要に応じて連続冷却と迅速な凍結を行うように二重ソーバ・システムを設計することができる。例３ −５０℃の一定の蒸発器温度を維持するために１００Ｗの連続冷却を行う冷却機／凍結機装置が必要であると仮定する。さらに、その装置が所定の量の水を３０秒間で凍結するために３ｋＷのバッチ冷却を行うために製氷機を組み込んでいると仮定する。その場合、蒸発機の設計のために、蒸発機温度をこの長さの時間中−５０℃に維持する必要がある。最後に、システムがこれらの冷却要件を生ずる単一の９００Ｗマグネトロンを含んでいると仮定する。上記の第１の例から、３ｋＷのバッチ冷却を得るために、システムは少なくとも１５５．８８グラムの臭化ストロンチウムと、質量流量２．８６ｇ／ｓの８５．８０グラムのアンモニアを必要とすることが分かる。したがって、第１のソーバはこの量の臭化ストロンチウムを含むように設計しなければならず、またシステムの残部はこの質量流量に適合するように設計しなければならない。さらに、上記の第２の例から、第２のソーバは２０グラムの臭化ストロンチウムを含んでいると仮定することができ、したがって各ソーバは１００Ｗの連続冷却を行うために交互に１１．０３５グラムのアンモニアを脱着させる必要があること、およびこれを行うために必要なエネルギーは２８，１３９．２５ジュールであることが分かる。この例のシステムは９００Ｗマグネトロンを使用しているので、脱着サイクル時間は２８，１３９．２５Ｊ／（９００Ｊ／ｓ）＝３１．２６秒であることが決定される。しかしながら、また前の例から、１００ワットの連続冷却を行うためには、０．０９５ｇ／ｓの質量流量が必要であり、したがって最小脱着サイクル時間は１１６．１６秒であることが決定される。したがって、両方のソーバの質量流量および熱拡散特性がほぼ同じであると仮定すると、各ソーバは、−５０℃の蒸発器温度で１００ワットの連続冷却を行うために３１．２６秒間に交互に脱着することになる。一方のソーバ中で脱着サイクルが進行している間、マイクロコントローラは、他方のソーバ中で１１６．１６秒の吸着サイクル時間を維持するために液体収着質を０．０９５ｇ／ｓの速度で蒸発器中に放出させるようにＴＥＶを制御する。したがって、全収着サイクルは１００Ｗの連続冷却要件に対してほぼ１４７．４２秒となる。この例の連続冷却のための脱着サイクル時間はわずか３１．２６秒であるが、例１から、バッチ冷却要件を満足するように第１のソーバを完全に脱着させるのにほぼ４分を要することが分かる。したがって、連続冷却モードで動作している間、第１のソーバは、３１．２６秒間の部分脱着反応を受けることになり、その後１１６．１６秒の吸着サイクル中に完全に再充電または吸着することになる。必要に応じてバッチ冷却を行うために、第１のソーバは４分間完全に脱着しなければならない。これは、連続冷却サイクルを中断するか、または連続冷却が不要の場合、バッチ冷却サイクルをオフピーク時間中に動作させることによって行うことができる。特定の冷却要件を満足するために、マイクロコントローラは、所定の吸着サイクル時間を維持するために液体収着質を所定の質量流量で蒸発器中に解放するようにＴＥＶを作動させるようにプログラムされる。あるいは、例３の冷却要件を満足するために３つのソーバからなるシステムを使用することもできる。最初の２つのソーバは例２に関して説明したものとほぼ同じであり、所要の１００Ｗの連続冷却を行う。第３のソーバは例１に関して説明したものとほぼ同じであり、所要の３ｋＷのバッチ冷却を行う。各連続冷却サイクル中、マグネトロンは吸着サイクル時間と脱着サイクル時間との差に等しい時間、この例では約８５秒間使用されない。この時間中、マグネトロンが作動し、マイクロ波が第３のソーバに伝導されて第３のソーバを一部脱着させることがある。第３のソーバは、脱着させるのに４分を要するので、ほぼ３つの連続的な冷却サイクル中に完全に脱着させることができる。これにより装置は中断なしに連続冷却を行うことができる。次に第４図から第６図を参照すると、本発明の同軸導波路アプリケータ１０の実施形態が示されており、導波路アプリケータ１０の外部導体となっている概して管状の金属ハウジング６６を有するソーバ１２を含んでいる。端部プラグ６８がソーバ１２の第１の端部７０中に、好ましくはエラストマー製のＯリング・シール７２によって密封するように配置されており、また端部キャップ７４がソーバ１２の第２の端部７６に、同様にＯリング・シール７８によってそこを密封するように配置されている。端部プラグ６８および端部キャップ７４は、適切な手段、端部キャップ７４の場合にはボルト８０などによって端部７０、７６内に固定され、それによって外部導体６６内に密封されたエンクロージャを形成している。本発明のこの実施形態では、外部導体６６の（第４図で見て）左側端部から始まる第１の端部８４と、ソーバ１２の縦軸に対して平行な外部導体６６中に延びる第２の端部８６とを含んでいる金属内部導体８２が設けられている。第１の端部８４は、端部プラグ６８中に形成されたボア８８中に受容され、Ｏリング・シール９０によってそこに密封されている。第２の端部８６は、端部キャップ７４中に形成されたボア９２中に受容され、据込みや溶接など適切な手段によってそこに固定される。この実施形態では、端部プラグ６８はボルト９４によってソーバ１２の端部７０中に固定されており、ボルト９４は内部導体８２の第１の端部８４中に形成された対応する穴９６中にねじ込まれる。内部導体８２はまた、それに固定されるかまたはそれと一体に形成された複数の放射状金属フィン９８を含んでいることが好ましい。内部導体８２はまた、フィン９８の側面にある放射状フランジ１００と、実質上その第２の端部８６中に延びる内部軸ボア１０２を含んでいることがある。その目的については以下で明らかにする。図では塩として示されている適切な吸収剤１０４は、上記で論じたように収着質と調合され、フィン９８間の空間中に詰められる。さらに、管路３６中の収着質が吸着反応および脱着反応中にソーバ１２の密封されたエンクロージャに出入りすることができるようにポート１０６が端部キャップ７４中に形成される。吸収剤が密封されたエンクロージャから出て管路３６中に入るのを防ぐために有孔ポリエチレンやテフロン・ディスクなど適切なフィルタ１０８がポート１０６と密封されたエンクロージャとの境界に配置されることが好ましい。さらに、収着質が吸収剤１０４に容易に出入りすることができるように外部導体６６と吸収剤１０４の間にマニホルド・スリーブ１１０が配置される。この実施形態のマニホルド・スリーブ１１０は有孔ポリエチレンから形成され、その外表面中に形成された複数の縦方向溝１１２を含んでいることが好ましい（第５図および第６図参照）。したがって、収着質ガスは溝１１２を流下し、マニホルド・スリーブ１１０中に入ることができ、逆もまた同様である。マニホルド・スリーブ１１０の有孔材料は吸収剤をソーバ１２中に収容するフィルタの役目も果たす。ソーバ１２の寸法は質量流量および熱拡散経路長が最小となるように選択されることが好ましい。これらのファクタはそれぞれ収着質がどのくらい速く吸着されるか、および吸着熱を放散させるのに要する時間を決定する。質量流量および熱拡散速度は収着質および吸収剤を選択することによって最小となるが、質量流量および熱拡散経路長は一般に収着質の厚さを小さくすることによって最小となる。ただし、特定の要件を満足するように設計された所与の収着システムでは、ある最小量の吸収剤が必要であり、収着質の厚さを小さくした場合、この最小量の吸収剤を維持するためにソーバ１２の長さまたは直径を大きくする必要がある。したがって、第４図から第６図に示される導波路アプリケータの実施形態では、フィン９８を使用することによって収着質の厚さを最小に維持している。フィンは金属材料から構成され、したがって熱を放散するので、フィンは熱拡散経路長を短縮する役目も果たす。フィン９８がない場合、アンモニア臭化ストロンチウム収着システム中の吸収剤の適切な厚さは約１／１６インチから１／８インチであることが決定されている。内部導体８２と外部導体６６の直径は、ソーバ１２が電磁波源の特性インピーダンスにできるだけ近い特性インピーダンスを有するように選択される。電磁波源のインピーダンスは電磁波発生器の特性インピーダンスかまたはソーバ１２を電磁波発生器に結合する導波路カプラ１４の特性インピーダンスである。ただし本発明では、導波路カプラ１４は電磁波発生器の特性インピーダンスに近いインピーダンスを有するように設計されることが好ましい。ソーバ１２のインピーダンスは内部導体８２と外部導体６６と収着質／吸収剤化合物の結合インピーダンスである。同心円筒の特性インピーダンスの式は次のようになる。Ｚ₀＝（２／ｃ）×（（μ／ε）^1/2）×（ｌｎ（ＩＤ／ＯＤ））上式でｃは光速、μは円筒間の材料の透磁率、εは円筒間の材料の誘電率、ＩＤは外部円筒の内直径、ＯＤは内部円筒の外直径である。アンモニア臭化ストロンチウム収着システムでは、μの値は空気のμ、すなわち１．２６×１０^-6になると仮定できる。また、液体アンモニアのεの値は約２０であり、臭化ストロンチウムの誘電率は無視できると仮定できる。アンモニアは体積でアンモニア臭化ストロンチウム化合物のほぼ３０から３５％を占めることが分かっているので、この化合物εの値は約６．５であると推定できる。あるいは、アンモニア臭化ストロンチウム化合物の誘電率を直接測定することもできる。これらの値が得られたら、それらを上式に代入して、内部導体８２と外部導体６６の直径の所望の比を決定することができる。ただし通常、最大外部直径は同軸アプリケータ１０の所望のサイズによって制限される。ソーバ１２の特性インピーダンスの上記の導出の代替法として、従来の数値モデリング技法を使用してソーバ１２をモデリングすることによってこの値を決定することもできる。またこれらのモデリング技法を使用すれば、内部導体８２と外部導体６６の直径を最適化し、また電磁波発生器１６とソーバ１２との最適インピーダンス整合が得られるように導波路カプラ１４を設計することができる。内部導体８２と外部導体６６は、電磁波を収着質／吸収剤化合物値に最適に伝達する金属材料から形成される。さらに、これらの構成要素の材料は、高い周波数で電流が導体の表面に伝達されることを認める表皮効果を利用するように選択することが好ましい。したがって、この実施形態では、電磁波は内部導体８２およびフィン９８の表面で伝達される。その結果、電磁波は吸収剤１０４の実質上全体積中をかなり均一かつ効果的に伝搬することになる。本発明の好ましい実施形態では、内部導体８２はアルミニウムから形成され、外部導体６６はステンレス鋼から形成される。さらに、フィン９８は厚さ約０．０２インチであり、内部導体８２に沿って１インチ当たりフィン約６つ分離間する。以下で説明するように、内部導体８２の第１の端部８４は、例えば適切な導波路カプラ１４によってマグネトロン１６のアンテナ３２に結合される。したがって、端部プラグ６８は電磁波の透過を妨害しないようにテフロンなど電磁波透過性材料から製造される。また、第４図から第６図に示される導波路アプリケータの実施形態では、内部導体８２の第２の端部８６は、ステンレス鋼など金属材料から構成される端部キャップ７４を介して外部導体６６に短絡されている。これにより電磁波がソーバ１２の第２の端部７６の外に伝達されることがなくなる。ソーバ１２および導波路カプラ１４の個々の構成要素の設計は、これらの構成要素中に望ましくない電界集中点が生じるのを防ぐために従来の無線周波工学技術に従って行われるべきである。したがって、電磁界に当たる縁部は滑らかにするかまたは丸くすべきであり、個々の構成要素間には段階的遷移部を設けるべきである。吸着熱の放散を助けるために様々な手段を導波路アプリケータ１０に組み込むことができる。第７図を参照すると、例えば、適切なコネクタ１１８によって内部導体８２に取り付けられた中空金属熱管１１６を有する熱管クーラ１１４が示されている。熱管１１６の遠位端部はある体積の冷媒１２２が入っている貯槽１２０と連絡する。熱管クーラ１１４はまた、貯槽１２０から熱管１１６中に延びて実質上全体が内部導体８２のボア１０２中に入る３２５メッシュ・ステンレス鋼遮蔽管などウィック１２４を含んでいる。さらに、複数の冷却フィン１２６が熱管１１６に取り付けられることが好ましい。動作に際して、ウィック１２４は貯槽１２２から液体冷媒を引き出してボア１０２中に入れる。吸収剤１０４中で生じた吸着熱はフィン９８および内部導体８２によってウィック１２４中の液体冷媒に伝導される。液体冷媒は、加熱されると蒸発し膨張して熱管１１６中に入る。次いで蒸発した冷媒の熱はフィン１２６中に放散される。冷媒は十分に冷却された後、凝縮して貯槽１２０中に戻る。このサイクルは自動的に繰り返される。また、熱がフィン１２６によって放散される速度を高めるためにファン１２８が設けられ、その結果吸着熱を放散させるのに要する時間がそれに応じて短縮される。本発明の導波路アプリケータの他の実施形態を第８図に示す。この実施形態では、外部導体ハウジング６６と中実内部導体８２とを有するソーバ１２を含んでいる導波路アプリケータ１３０が示されている。内部導体８２の第１の端部８４は端部プラグ６８中に延び、導波路カプラ１４に接続される。導波路カプラは、米国特許出願第５，２１６，３２７号に記載されているような従来の同軸ケーブル・コネクタ１３２を含んでいる。ケーブル・コネクタ１３２は、金属ソケット１３６を介して内部導体８２に接続された内部導体１３４と、伝導キャップ１４０を介して外部導体６６に接続される外部導体１３８とを含んでいる。伝導キャップ１４０は、ボルト締め、溶接、ねじ込み結合スリーブ（図示せず）など、適切な手段を使用して外部導体に取り付けられる。とりわけ端部プラグ６８を支持するために適切な誘電材料１４２が伝導キャップ１４０中に含まれることが好ましい。導波路カプラ１４のこの実施形態では、標準の同軸ケーブルを使用して、同様のカプラ１４を備えた電磁波発生器にソーバ１２を接続している。第８図の実施形態では、逆止め弁４４、４６が端部キャップ７４中に組み込まれている。逆止め弁４４、４６は、端部キャップ７４中に形成された対応するボア１４４、１４６中に配置され、またねじ込みニップル１４８によってそこに固定されることが好ましい。この実施形態では、端部キャップ７４は入口ポート１５０および出口ポート１５２を含んでおり、これらはそれぞれ蒸発器および凝縮器に接続されている。収着質ガスはフィルタ１０８およびガス経路スリーブ１５４を通って吸収剤１０４に伝達される。ガス経路スリーブ１５４は、例えば有孔ポリエチレン円筒である。吸収剤は外部導体６６に隣接して配置され、また吸着熱の放散を助けるために放射状冷却フィン１５６が設けられることもある。さらに、ガス経路スリーブ１５４を入口ポート１５０および出口ポート１５２に整合させるために、または吸収剤層が外部導体６６に隣接して配置されるようにスペーサ円筒１５８が設けられることもある。次に第９図を参照すると、金属外部導体ハウジング６６と実質上中空の内部導体８２とを有するソーバ１２を含んでいる、全体的に参照番号１６０で示される本発明の導波路アプリケータの他の実施形態が示されている。内部導体８２は端部プラグ６８中に延び、導波路カプラ１４を介して、例えばマグネトロン１６に直接結合される。導波路カプラ１４は、内部導体８２をマグネトロン１６のアンテナ３２に接続するプラグ・カプラ１６２と、マグネトロン１６の外部導体３４をソーバ１２の外部導体６６に接続する伝導スリーブ１６４とを含んでいる。もちろん、マグネトロン１６とソーバ１２は一体ユニットとして製造することができる。その場合、マグネトロンのアンテナ３２は内部導体８２の役目も果たし、またマグネトロンの外部導体３４はソーバ１２の外部導体６６の役目も果たすことになる。この実施形態では、端部キャップ７４は単一の入口／出口ポート１６６を含んでおり、また逆止め弁（そのうちの１つだけが第９図に見える）が端部キャップ７４中にポート１６６と連絡して放射状に取り付けられる。収着質はポート１６６を介してソーバ１２中に入り、ガス経路スリーブ１５４を介して吸収剤１０４に伝達される。吸収剤は内部導体８２に隣接して配置され、また吸着熱の放散を助けるために熱管クーラ１１４など適切な手段が内部導体８２に接続されることがある。本発明の導波路アプリケータの他の実施形態が第１０図に示されている。この実施形態では、全体的に参照番号１６８で示される導波路アプリケータは、外部導体ハウジング６６と内部導体８２とを有するソーバ１２を含んでいる。内部導体８２の（第１０図に見られる）左側端部は端部プラグ６８中および導波路１７０を含んでいる導波路カプラ１４中に延びる。外部導体６６は導波路１７０に直接接続される。したがってマグネトロン１６からの電磁波は導波路１７０を介してソーバ１２に結合される。この実施形態では、端部キャップ７４中の入口ポート１５０および出口ポート１５２は内部導体８２中の大部分に延びる軸方向ボア１７２に接続される。ボア１７２は、収着質をフィルタ・スリーブ１７６を介して吸収剤１０４に伝達するために内部導体８２中に形成された複数の放射状ボア１７４に接続される。フィルタ・スリーブ１７６は有孔ポリエチレン円筒のことがある。吸収剤１０４は外部導体６６に隣接して配置され、また吸収剤１０４の質量流量および熱拡散経路長を短縮するために、例えばテフロン製の複数の非金属フィンまたはディスク１７８が設けられることがある。さらに、吸着熱の放散を助けるために縦方向フィン１８０が外部導体６６に接続されることがある。第１１図および第１２図に内部導体が外部導体中に横方向に挿入されている本発明の実施形態を示す。第１１図に全体的に１８２で示される導波路アプリケータは外部導体ハウジング６６とＴ字形内部導体８２とを有するソーバ１２を含んでいる。内部導体８２は、外部導体６６中に形成された開口１８８中に固定されたプラグ１８６中に延びる横方向ステム１８４を含んでいる。この実施形態では、内部導体の左側端部１９０および右側端部１９２はそれぞれの金属端部キャップ７４を介して外部導体６６に短絡され、またステム１８４は適切な導波路カプラ（図示せず）を介して電磁波源に結合される。全体的に参照番号１９４で示される第１２図の導波路アプリケータは導波路アプリケータ１８２に類似している。ただし、この実施形態では、内部導体８２の端部１９０、１９２は外部導体６６に短絡されていない。そうではなく、それらの端部は金属端部キャップ７４から所定の距離のところで終端する。内部導体８２および外部導体６６のこの距離および寸法は、標準のマイクロ波工学技法を使用してソーバ１２中に共振キャビティを形成するために特に設計される。得られた定在電磁波は、進行平面波を生じる先に述べた実施形態の同軸導波路アプリケータ中で達成される電磁波の強度よりも大きい強度を有することがある。この実施形態では、内部導体の端部１９０、１９２は非金属端部プラグ６８中に支持されることがあり、またソーバ１２を電磁波発生器に結合するために第８図に関して説明したものなど適切な導波路カプラ１４が使用される。次に第１３図を参照すると、導波路アプリケータ１９６が示してあり、これは外側導体ハウジング６６と内側導体８２とを有するソーバ１２を含み、ソーバ１２はその中に形成された密封されたエンクロージャを通って延びる複数のプローブ１９８を含む。これらの複数のプローブ１９８により、ソーバ１２中に電磁波を直接伝送し、一様に伝搬させることが可能となる。この実施形態では、導波路アプリケータ１９６は、端部プラグ６８と端部キャップ７４の間で支持されたガス入口／出口シリンダ２００を含むことがある。シリンダ２００は、ポート１０６と位置合わせされた軸方向内空２０２を含むことが好ましい。さらに、収着質を吸収剤１０４と連絡させることができるように、また吸収剤１０４がポート１０６を通ってソーバ１２から出ることを防止するように、シリンダ２００は有孔ポリエチレンまたはそれに類似の材料から作成されることが好ましい。第１４図に示す実施形態では、導波路アプリケータ２０４も、外側導体ハウジング６６を有するソーバ１２を含む。ただし、この実施形態では、内側導体８２は、所定の長さしか外側導体中に延びないように設計される。これにより、電磁波は、ＴＭ波パターンでソーバ１２を通って一斉伝送（ｂｒｏａｄｃａｓｔ）されることになる。内側導体が外側導体中に延びる長さは、動作周波数の４分の１波長の倍数となるように選択される。内側導体８２および外側導体６６を電磁波発生器に結合するために適当な導波路カプラ１４が設けられる。本発明のこの実施形態では、例えば数値モデリング方式も含めた従来の無線周波設計技術を利用して、ソーバ１２の理想寸法を決定することが好ましい。この実施形態では、内側導体８２を支持し、塩１０４を外側導体６６に向かって変位させるために、支持スリーブ２０６を設けることができる。支持スリーブは、テフロンなど、電磁波の伝送を妨害しない材料で構築される。次に第１５図および第１６図を参照すると、本発明の同軸導波路アプリケータ１０は、多くの構造を有する可能性がある。したがってソーバ１２は、コイル状にする（第１５図に示す）ことも、その他の形に曲げる（第１６図に示す）こともできる。さらに、ソーバ１２のハウジングは脱着反応中に発生する内圧を維持するのに十分に頑丈でなければならないので、ソーバ１２は本発明の収着システムを組み込んだ装置の構造構成要素となることもある。さらに、十分に頑丈な外側導体が設けられ、必要な電気的構成が維持されていれば、ソーバ１２を可撓性ハウジングとして実施することもできる。本発明の収着システムは、コンピュータおよび超伝導の適用分野の冷却用電気構成要素に特に適している。冷却の要件に応じて、上記の教示を、適当な電磁波発生器の決定、導波路アプリケータの設計、ならびに適当な収着質および吸収剤の選択に適用することができる。上述の実施形態の同軸導波路アプリケータ１０はこの冷却収着システム中で使用することができるが、特定の要件を満たすようにその他の導波路アプリケータを上記の教示から導出することもできる。次に第１７図を参照すると、冷却用の冷却収着システム、例えばコンピュータ２１２のマザーボード２１０上に取り付けられたマイクロプロセッサ２０８が示してある。この実施形態の冷却収着システムは、コンピュータ２１２から分離したハウジング２１４中に位置することができ、好ましくは第１図および第１Ａ図に関連して説明した要素の多くを含む。したがって、この収着冷却システムは、適当な導波路カプラ１４で導波路アプリケータ１０のソーバ１２に結合された電磁波発生器１６を制御可能に起動する電源回路１８を含む。この実施形態では、適当に設計された蒸発器４２が、マイクロプロセッサ２０８に取り付けられる、または接続され、コンピュータ２１２のキャビネットを介して適当な圧力継手２１６でハウジング２１４に接続される。冷却収着システムを作動させる電力は、適当な電源、例えばコンピュータ２１２上に位置する標準ソケット２２０に接続されたケーブル２１８を介して供給することができる。さらに、ソーバ１２からの吸着熱および凝縮器３８からの凝縮熱の放散を助けるためにファン２２２を設けることもできる。冷却収着システムは、冷却すべき電気構成要素が入っているコンピュータその他の装置の内部に位置することもできる。第１８図を参照すると、コンピュータ２１２のシステム・バス２２８に接続された拡張スロット２２６に差し込むことができるＰＣボード２２４上に取り付けられた冷却収着システムが示してある。前述の実施形態の場合と同様に、第１８図に示す冷却収着システムは、第１図および第１Ａ図に示した構成要素の多くを含む。これらの構成要素は、従来技術を使用してボード２２４に取り付けられ、電源回路１８および電磁波発生器１６の要素は、ボード２２４上の導電性トレーシングを介して相互接続されることが好ましい。電源回路１８は、ほぼ第１Ａ図に関連して説明した通りであるが、第１８図の冷却収着システムの動作の制御は、コンピュータ２１２の主マイクロプロセッサによって行われる。さらに、冷却収着システムを動作させるのに必要な電力は、コンピュータ２１２から得ることができる。したがって、このシステムは、導体２３２および拡張スロット２２６を介してコンピュータ２１２のシステム・バス２２８および電源に接続されるローカル・バス２３０を含むことが好ましい。電源回路１８は、従来の電圧および電流変換回路を含み、コンピュータ２１２からの電力を電磁波発生器１６が必要とする形に変換し、電源回路１８の構成要素と、必要ならバルブ４８および圧力センサ５０とは、ローカル・バス２３０に接続されることが好ましい。さらに、凝縮器３８は、ＰＣボードのコンピュータ２１２の内部に位置する部分に取り付けられた状態で示してあるが、ＰＣボード２２４がコンピュータ２１２に取り付けられたときにコンピュータ２１２のキャビネットの外に露出するＰＣボードの後縁部２３４上に取り付けることもできる。このようにすると、凝縮器３８によって放散された熱がコンピュータ２１２の内部の電気構成要素に伝達されることはなくなる。同様に、吸着熱が電気構成要素に伝達されなくなるように、ソーバ１２をコンピュータ２１２のキャビネットの外側に取り付けることもできる。第１９図を参照すると、電気構成要素の冷却用に特に適した蒸発器４２が示してある。蒸発器４２は、冷却すべき電気構成要素（図示せず）の上に配置され、かつそれに固定されるようになされた懸垂シュラウド２３８を有するハウジング２３６を含む。好ましくは複数の相互接続されたブランチ２４２を含むマニホルド２４０は、シュラウド２３８より上のハウジング２３６中に形成される。マニホルド２４０は、冷却吸着システム（図示せず）の凝縮器３８およびソーバ１２に、それぞれ入口管路２４４および出口管路２４６によって接続される。好ましくは毛管サイズの複数の穴２４８がハウジング２３６中に形成され、マニホルド２４０をシュラウド２３８と蒸発器４２を取り付ける電気構成要素とで囲まれた空間２５０に接続する。蒸発器４２の動作中に、液体収着質冷媒が、入口２４４を通ってマニホルド２４０に入り、穴２４８を通って空間２５０中に排出される。液体収着質は、空間２５０中で蒸発して電気構成要素が発生した熱を吸収し、それによりこの構成要素を冷却する。次いで、蒸発した収着質は出口２４６を介して吸い出され、ソーバ１２に戻される。第２０図を参照すると、コンピュータ２１２のマザーボード２１０に直接取り付けられた冷却収着システムが示してある。この実施形態では、蒸発器４２は、マイクロプロセッサ２０８の下に配置する（仮想的に示す）ことも、マザーボード２１０の基板中に直接エッチングすることもできる。収着質の流れ管路２５２も、従来技術を使用してマザーボード２１０の基板に直接エッチングすることができる。さらに、逆止め弁４４、４６、および流量制御弁４８も、やはり基板にエッチングされたマイクロ機械装置にすることができる。このようにして、第２０図に示す冷却収着システムは、マザーボード２１０の比較的小さな部分を占めることができる。別法として、バルブや導波路アプリケータなど冷却収着システムの構成要素の多くは、マザーボード２１０に取り付けられ、かつ適当な手段でこの冷却収着システムのその他の構成要素に接続された、別の集積回路チップ上に配置することもできる。前述の実施形態のいずれかで使用するのに適した導波路アプリケータ１０を、第２１図に示す。この実施形態では、導波路アプリケータ１０は、ＩｒｖｉｎｇＭ．Ｇｏｔｔｌｉｅｂによる教科書ＰｒａｃｔｉｃａｌＲＦＰｏｗｅｒＤｅｓｉｇｎＴｅｃｈｎｉｑｕｅｓ（ＴＡＢＢｏｏｋｓ、１９９３年）に論じられているものなどのストリップライン伝送管路またはマイクロストリップ技術を使用して実施される。ソーバ１２は、通常は誘電体材料である回路板の基板２５６にチャンバ２５４を直接エッチングし、次いでこのチャンバを密封して気密エンクロージャとすることによって形成される。エンクロージャを密封する前に、吸収剤１０４をチャンバ２５４中に配置する。電磁波は、この密封されたエンクロージャに伝送され、エンクロージャの片側に配置されたグラウンド層導体２５８、およびグラウンド層導体２５８の反対側のエンクロージャの側面に配置されたストリップライン導体２６０を介して、吸収剤１０４を通って伝搬する。グラウンド層導体２５８およびストリップライン導体２６０は、ストリップライン（図示せず）によって電磁波源に結合されることが好ましい。収着質は基板中に形成されたポート２６２を介して吸収剤と連絡し、また適当なフィルタを設けて吸収剤１０４がポート６２を介して密封されたエンクロージャから出ることを防止することができる。別法として、適当な固体吸収剤を使用することもでき、この場合にはフィルタは不要となる。マグネトロンなどのマイクロ波管が上記に示した冷却収着システムに適した電磁波発生器であることもあるが、様々な固体発振装置を利用することもできる。このような固体電磁波発生器１６の一例は、第２２図および第２２Ａ図に示すストリップライン・マイクロ波増幅回路である。テキストＰｒａｃｔｉｃａｌＲＦＰｏｗｅｒＤｅｓｉｇｎＴｅｃｈｎｉｑｕｅｓで詳細に論じられているこのマイクロ波増幅器は、６ワットから１３ワットの電力を発生させるのに適した構成要素を含む。この実施形態では、第２２Ａ図に示すように、２８ボルトの直流電源が接続され、その結果生じた無線周波は同軸出力コネクタ２６４を介してソーバ（図示せず）に結合される。別法として、出力ストリップライン２６６を、例えば第２１図に示すソーバ中のストリップライン導体２６０に直接結合することもできる。入力コネクタ２６８または入力ストリップライン２７０は別の発振器に接続することができ、その場合にはこのストリップライン・マイクロ波増幅器は入力波を増幅する働きをすることになる。もう１つの例示的な電磁波発生器１６を、第２３図および第２３Ａ図に示す。この実施形態では、マイクロ波発振器は、テキストＰｒａｃｔｉｃａｌＲＦＰｏｗｅｒＤｅｓｉｇｎＴｅｃｈｎｉｑｕｅｓでより完全に論じられている、ＰＣボード上の導体トレーシングを使用して実施される。この実施形態は、第１８図および第２０図に示す実施形態の収着システム、または単一の集積回路中に含めることができる収着システムに特に適している。図面には示していないが、第１７図、第１８図、および第２０図に関連して説明した冷却収着システムは、２つ以上のソーバ１２を含むこともできることを理解されたい。例えば、電気構成要素を継続的に冷却する必要がある場合がこれに当てはまる。このようなシステムの特殊な実施形態は、上記の教示から容易に導出することができる。本発明の冷却収着システムは、所望の冷却効果を生じるように従来の消費者装置に組み込むことができることが理想的である。第２４図を参照すると、冷却収着システムが、従来のマイクロ波調理装置２７２に組み込まれた状態で示してある。マイクロ波装置２７２は、絶縁された調理区画２７６、マグネトロン２７８、およびマグネトロン２７８に電力を供給する電源回路２８０を有するハウジング２７４を含む。マグネトロン２７８は通常は９００Ｗのマグネトロンであり、電源回路２８０は、従来通り、ユーザがセットまたはプログラムすることができるタイマ２８４に応答してマグネトロン２７８の起動を制御する、マイクロ制御装置２８２を含む。電源回路２８０はまた、通常は、プラグ２８６を介して伝達される標準的な家庭用電圧を、マグネトロン２７８および電源回路２８０が必要とする形に変換する変圧器（図示せず）も含む。動作中に、マグネトロン２７８からのマイクロ波は、導波路２８８を介して窓２９０を通って調理区画２７６中に伝送される。本発明によれば、前述の実施形態のいずれか１つと同様の導波路アプリケータ１０は、キャビネット２７４中、例えば調理区画２７６の上に取り付けられる。第２４図に示す導波路アプリケータは、外側導体ハウジング６６を有するソーバ１２と、一体逆止め弁４４、４６（第２４図では見えない）を有する端部キャップ７４とを含む。導波路アプリケータ１０は、外側導体６６の右側の端部（第２４図で見える）の先に延びる内側導体８２も含む。マグネトロン２７８からのマイクロ波は、導波路２８８を介して内側導体８２および外側導体６６に結合される。揺動可能な金属シャッタ２９２は、第２４図に仮想的に示す位置に移動して窓２９０を閉じ、マイクロ波を内側導体８２および外側導体６６まで通すことができる。第２４図に示す実施形態では、ソーバ１２の出力ポートは凝縮器３８に接続され、この凝縮器は、キャビネット２７４の外側のマイクロ波装置２７２の後面に位置することが好ましい。凝縮器３８の出力は、任意選択の収着質受器（図示せず）を介して、ＴＥＶ４８または同様の電気制御式バルブに接続される。この実施形態では、マイクロ制御装置２８２は、凝縮された収着質を蒸発器４２中に選択的に排出して所望の調理効果を生じるようにＴＥＶ４８を制御するよう、プログラムされる。蒸発器４２は、調理区画２７６の一部分を取り囲むように示してあるが、その他任意の適当な構成を利用することもできる。実際には、第２４図に示す冷却収着システムは、上述の教示を使用して、装置の製造業者が企図したほとんどの面倒な冷却要件を満たすように設計されることが好ましい。例えば、製造業者は、このシステムが一定体積の水を一定時間内に凍らせることができることを必要とすることもある。動作中に、マイクロ制御装置２８２は、マイクロ波装置２７２が別の目的に利用されていないときにソーバ１２を脱着するようにプログラムされることが好ましい。ただし、脱着反応を開始する前に、マイクロ制御装置２８２がモータ２９４を起動し、シャッタ２９２を閉じることが理想的である。これで、冷却が必要なときに、このシステムは上述の単一ソーバ・システムの冷却サイクルに対応する吸着反応を直ちに開始する準備が整う。次に第２５図を参照すると、参照番号２９６で概略的に示す、多くの点で前述の実施形態で説明した装置と同様である結合マイクロ波調理および冷却装置が示してある。ただし、第２５図の実施形態では、第１１図に関連して説明した導波路アプリケータ１０を利用することが好ましい。この実施形態では、再放射された内側導体８２のステム１８４が、調理区画２７６中に延びる。したがって、調理区画２７６に伝送されたマイクロ波は、内側導体８２によって受け取られ、ソーバ１２を通って伝搬する。このようにすると、装置２９６を使用して区画２７６中で食物を加熱しながら、ソーバを充填（ｃｈａｒｇｅ）または脱着することができ、したがって必要なときに直ちに冷却サイクルを開始する準備が整うことになる。理想的には、数値モデリング技術を使用して、区画２７６中のマイクロ波の分散を推定し、ステム１８４の最適なサイズおよび位置を決定する。第２６図は、結合冷却および調理装置のさらに別の実施形態を示す図である。２９８で示すこの実施形態の装置は、前述の実施形態で説明した装置と同様である。ただし、この実施形態の導波路アプリケータ１０は、ソーバ１２内で密封されたエンクロージャを形成する非金属ハウジング３００を有するソーバ１２を含む。したがって、ソーバ１２には外側導体がない。しかし、導波路アプリケータ１０は、第４図に示す内側導体８２などの内側導体は含む。その結果、調理区画２７６に伝送されたマイクロ波は、内側導体によって受け取られ、ソーバ１２を通って伝搬することになる。ハウジング３００は、適当な任意の手段を使用して区画２７６内に取り付けられる。数値モデリング技術を使用して、理想的なソーバ１２の形状および位置を決定することが好ましい。第２７図を参照すると、結合された調理および冷却装置の別の実施形態が示してある。参照番号３０２で概略的に示すこの実施形態の装置もやはり、多くの点で前述の実施形態の装置と同様である。ただし、この実施形態では、ソーバ１２は、装置３０２のキャビネット２７４中に形成された、またはこれに接続されたチャンバ３０４中に位置する。吸収剤１０４がチャンバ３０４中に装填された後で、マイクロ波に対して透明なカバー３０６をチャンバ３０４の上に固定し、ソーバ１２内に密封されたエンクロージャを形成する。さらに、数値モデリング技術を利用して、相互接続された複数のより小さな区画を含むことがあるチャンバ３０４の最適なサイズ、形状、および位置を決定することが好ましい。上記の説明から、本発明の教示を使用してその他の結合タイプの装置を構築できることは明らかであろう。したがって、従来の冷却および凍結区画と、要求に応じて上記の例３に記載した方法で氷を供給するように動作する製氷器とを含む冷却装置を設計することができる。さらに、単一のマグネトロンまたはその他の電磁波源から給電される、これらの構成要素およびマイクロ波調理チャンバを含む冷却装置を設計することもできる。さらに、本発明の教示を使用して、家庭用以外の装置を設計することもできる。例えば、同一のマグネトロンを使用して起動される上述の本発明の冷却収着システムと従来のマイクロ波ヒータとを組み込んだ、温かい商品および冷蔵した商品を両方とも供給することができる自動販売機を構築することができる。したがって、好ましい実施形態に関連して本発明について説明したが、当業者なら本発明の原理を逸脱することなく、構造および動作の細部を大きく変えることができることを理解されたい。例えば、異なる実施形態で図示した様々な構成要素を、上記に示していない方法で組み合わせることもできる。したがって、添付の請求の範囲は、本発明の真の範囲および趣旨の範囲内となる全ての均等物を包含するものと解釈されたい。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者バード，チャールズ・エムアメリカ合衆国・72113・アーカンソー州・マウメル・バレンシアナンバー 1222・400

Claims

【特許請求の範囲】１．電磁波作動収着システム用同軸導波路アプリケータであって、外側導体を画定する金属管状ハウジングと、外側導体内にエンクロージャを画定するように密閉された第１および第２の端部とを有する少なくとも１つのソーバと、エンクロージャ内に位置する収着質／吸収剤化合物とを備え、ソーバが、収着質をエンクロージャに投入しかつエンクロージャから取り出すことのできるポートを含み、アプリケータがさらに、外側導体内へソーバの長手方向軸と平行に延びている金属内側導体と、電磁波発生器と、電磁波発生器によって生成された電磁波を内側導体および外側導体と結合する手段とを備え、電磁波発生器から送られた電磁波が、内側導体および外側導体によってエンクロージャを通って伝播し、収着質を収着質／吸収剤化合物から脱着させることを特徴とする同軸導波路アプリケータ。２．電磁波作動収着システム用同軸導波路アプリケータであって、外側導体となる金属管状ハウジングと第１および第２の端部とを有する少なくとも１つのソーバと、第１の端部内に位置決めされた非金属端部プラグ、および外側導体内に密閉されたエンクロージャを形成するように第２の端部内に位置決めされた金属端部キャップと、端部プラグを通ってエンクロージャ内へ延び、かつソーバの長手方向軸にほぼ平行に端部キャップの方へ延びている金属内側導体と、内側導体と外側導体との間に位置決めされた収着質／吸収剤化合物とを備え、ソーバが、収着質をエンクロージャに投入しかつエンクロージャから取り出すことのできるポートを含み、アプリケータがさらに、電磁波を発生させる手段と、内側導体および外側導体と電磁波を結合する手段とを備え、発生手段から送られた電磁波が、内側導体および外側導体によってエンクロージャを通って伝播し、収着質を収着質／吸収剤化合物から脱着させることを特徴とする同軸導波路アプリケータ。３．結合手段が、内側導体および外側導体に電気的に結合された導波路を備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。４．結合手段が、内側導体および外側導体に電気的に結合された同軸コネクタを備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。５．結合手段がさらに、電磁波発生器と同軸コネクタとの間に接続された同軸ケーブルを備えることを特徴とする請求項４に記載の装置。６．結合手段がさらに、電磁波発生器と同軸コネクタとの間に接続されたスリップライン伝送線を備えることを特徴とする請求項４に記載の装置。７．結合手段が、内側導体および外側導体に電気的に接続された導波路カプラを備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。８．電磁波発生器が、アンテナおよび外側導体を備え、導波路カプラが、アンテナとソーバの内側導体との間に接続されたプラグ・カプラと、電磁波発生器の外側導体とソーバの外側導体との間に接続された導電スリーブとを備えることを特徴とする請求項７に記載の装置。９．さらに、電磁波発生器からの電磁波が送られる金属区画を備え、ソーバが、前記区画内に位置決めされるか、あるいは前記区画に隣接する位置に位置決めされ、かつ前記区画にさらされる部分を備え、結合手段が前記区画を備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。１０．内側導体が、外側導体内で同軸的に延びている第１の部分と、第１の部分から前記区画内へ延びている第２の部分とを備えることを特徴とする請求項９に記載の装置。１１．内側導体の第２の部分が第１の部分に垂直であることを特徴とする請求項１０に記載の装置。１２．電磁波作動収着システム用導波路アプリケータであって、収着質を吸着させることのできる吸収剤を含み、中空の外側ハウジングと、ハウジング内へハウジングの長手方向軸とほぼ平行に延びている少なくとも１つの内側導体とを備える少なくとも１つのソーバと、電磁波を生成する手段と、電磁波をソーバに結合する手段とを備え、電磁波がソーバを通って伝播し、収着質を吸収剤から脱着させることを特徴とする導波路アプリケータ。１３．ハウジングが導体材料で構成され、内側導体およびハウジングが電磁波用の導波路を形成するような寸法にされることを特徴とする請求項１２に記載の装置。１４．内側導体が、ほぼハウジングの長さだけ延びており、吸収剤が、内側導体とハウジングとの間に位置決めされることを特徴とする請求項１３に記載の装置。１５．結合手段が、内側導体およびハウジングに電気的に結合された導波路を備えることを特徴とする請求項１３に記載の装置。１６．結合手段が、内側導体およびハウジングに電気的に結合された同軸コネクタを備えることを特徴とする請求項１３に記載の装置。１７．結合手段がさらに、発生手段と同軸コネクタとの間に接続された同軸ケーブルを備えることを特徴とする請求項１６に記載の装置。１８．結合手段がさらに、発生手段と同軸コネクタとの間に接続されたストリップ線路伝送線を備えることを特徴とする請求項１６に記載の装置。１９．結合手段が、内側導体およびハウジングに電気的に結合された導波路カプラを備えることを特徴とする請求項１３に記載の装置。２０．発生手段が、アンテナおよび外側導体を備え、導波路カプラが、アンテナと内側導体との間に接続されたプラグ・カプラと、発生手段の外側導体とハウジングとの間に接続された導電スリーブとを備えることを特徴とする請求項１９に記載の装置。２１．さらに、発生手段からの電磁波が送られる金属区画を備え、ソーバが、前記区画内に位置決めされるか、あるいは前記区画に隣接する位置に位置決めされ、かつ前記区画にさらされる部分を備え、結合手段が前記区画を備えることを特徴とする請求項１３に記載の装置。２２．内側導体が、ハウジング内で同軸的に延びている第１の部分と、第１の部分から前記区画内へ延びている第２の部分とを備えることを特徴とする請求項２１に記載の装置。２３．内側導体の第２の部分が第１の部分に垂直であることを特徴とする請求項２２に記載の装置。２４．ハウジングが非金属材料で構成されることを特徴とする請求項１２に記載の装置。２５．さらに、発生手段からの電磁波が送られる金属区画を備え、ソーバが、前記区画内に位置決めされるか、あるいは前記区画に隣接する位置に位置決めされ、かつ前記区画にさらされる部分を備え、結合手段が前記区画を備え、前記区画内の電磁波が、内側導体によって受け止められ、内側導体によって再放射され、ソーバを通って伝搬することを特徴とする請求項２４に記載の装置。ることを特徴とする請求項１３に記載の装置。２６．内側導体が、ハウジング内へ延びる複数のプローブを備えることを特徴とする請求項１２に記載の装置。２７．さらに、内側導体の周りに位置決めされた複数のフィンを備え、収着質／吸収剤化合物がフィン同士の間に位置決めされることを特徴とする請求項２に記載の装置。２８．フィンが非金属材料で構成されることを特徴とする請求項２７に記載の装置。２９．さらに、吸収剤がポートから出るのを防止するフィルタ手段を備えることを特徴とする請求項２に記載の装置。３０．フィルタ手段が、ポートと吸収剤との間に位置決めされた多孔性の非金属円板を備えることを特徴とする請求項２９に記載の装置。３１．フィルタ手段が、ポートと吸収剤との間に位置決めされた多孔性の非金属スリーブを備えることを特徴とする請求項２９に記載の装置。