JP2002509348A - Electrical device - Google Patents

Electrical device

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JP2002509348A
JP2002509348A JP2000539488A JP2000539488A JP2002509348A JP 2002509348 A JP2002509348 A JP 2002509348A JP 2000539488 A JP2000539488 A JP 2000539488A JP 2000539488 A JP2000539488 A JP 2000539488A JP 2002509348 A JP2002509348 A JP 2002509348A
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直文 宮坂
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/02Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
    • H01C7/027Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient consisting of conducting or semi-conducting material dispersed in a non-conductive organic material

Abstract

An electrical device (1) containing a resistive element (9) composed of a conductive polymer composition which exhibits PTC behavior which is attached to two metal foil electrodes (11, 13). The device is prepared by a method which includes the steps of (a) cutting the device from a laminate containing the conductive polymer composition positioned between two metal foils; (b) exposing the device after the cutting step to at least one thermal excursion from a first temperature which is at most (Tm-100) DEG C to a second temperature which is at most (Tm-25) DEG C; and (c) crosslinking the conductive polymer composition after the thermal excursion. The devices of the invention have low resistance and are useful as circuit protection devices.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 (発明の背景) (発明の技術分野) この発明は、導電性高分子を含んでいる電気デバイスと、該デバイスを製造す
る方法とに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrical device containing a conductive polymer and a method for manufacturing the device.

【0002】 (発明への導入部) PTC(正の抵抗温度係数)挙動を呈する導電性高分子組成物を含んでいる電
気デバイスはよく知られており、回路保護デバイスやヒータとして用いられてい
る。低抵抗の導電性高分子組成物を含んでいるこのような回路保護デバイスは、
周囲の温度及び/又は電流の条件の変化に感応する。通常の条件下では、回路保
護機デバイスは、電気回路中の負荷と直列である場合、低温かつ低抵抗の状態を
維持する。しかしながら、該デバイスは、過電流又は過熱状態にさらされたとき
には、抵抗が増加し、回路内の負荷に対する電流を効果的に遮断する。多くの応
用例においては、該デバイスは、通常動作時における電気回路の全抵抗への寄与
を最小限とするために、できるだけ低抵抗であることが望ましい。さらに、低抵
抗であることは、該デバイスがより高い保持電流、すなわち特定の環境条件下に
おいて、該デバイスに高抵抗状態への「引外し(trip)」を生じさせることなく
回路保護デバイスを流れることができる最大の定常状態電流をもつことを可能に
する。低抵抗のデバイスは、寸法を変えることによって、例えば電極間距離を非
常に小さくし、又はデバイスの面積を非常に大きくすることにより、所望の組成
物から作成されることができるが、該デバイスは小さいのが好ましい。このよう
なデバイスは、回路板上に占めるスペースをより小さくし、かつ一般に好ましい
熱特性をもつ。
(Introduction to the Invention) Electric devices containing a conductive polymer composition exhibiting PTC (positive temperature coefficient of resistance) behavior are well known and are used as circuit protection devices and heaters. . Such a circuit protection device comprising a conductive polymer composition with low resistance,
Sensitive to changes in ambient temperature and / or current conditions. Under normal conditions, a circuit protector device maintains a low temperature and low resistance state when in series with a load in an electrical circuit. However, when the device is exposed to overcurrent or overheating conditions, the resistance increases and effectively shuts off current to loads in the circuit. In many applications, it is desirable that the device have as low a resistance as possible to minimize the contribution to the total resistance of the electrical circuit during normal operation. In addition, low resistance means that the device has a higher holding current, i.e., under certain environmental conditions, flows through the circuit protection device without causing the device to "trip" to a high resistance state. To have the maximum steady state current that can be achieved. Low resistance devices can be made from the desired composition by changing the dimensions, for example, by making the inter-electrode distance very small or by making the device area very large, Preferably, it is small. Such devices take up less space on the circuit board and generally have favorable thermal properties.

【0003】 (発明の概要) デバイスの小型化を達成する最も普通の技術は、低い抵抗を有する組成物を用
いることである。種々の処理工程、例えば放射線照射、カプセル封止、あるいは
リフロー半田付け時における高温曝露が、デバイス製造時に組成物の抵抗を増加
させるといったことが知られている。それゆえ、組成物の抵抗の増加をできるだ
け小さくすることが可能な処理技術を用い、これにより最終的なデバイスが低抵
抗となるようにするのが望ましい。我々は、まさに、低抵抗のデバイスを製造す
る助けとなる処理工程の特別な手順を見出した。
SUMMARY OF THE INVENTION The most common technique for achieving device miniaturization is to use compositions with low resistance. It is known that various processing steps, such as high temperature exposure during irradiation, encapsulation, or reflow soldering, increase the resistance of the composition during device manufacture. Therefore, it is desirable to use a processing technique that allows the increase in resistance of the composition to be as small as possible, so that the final device has low resistance. We have just found a special procedure in the processing steps that helps to produce low resistance devices.

【0004】 第1の態様においては、この発明は、 (A)PTC挙動を呈するとともに、(1)少なくとも20%の結晶度と融点
Tmとを有する高分子成分と(2)高分子成分中に分散された粒子状導電性充填
物とを含んでいる導電性高分子組成物からなる抵抗要素と、 (B)(i)抵抗要素に取りつけられ、(ii)金属箔を含み、かつ(iii)電 力源に接続されることができる2つの電極とを含んでいる電気デバイスであって
、 (a)2つの金属箔間に配置された導電性高分子組成物を含んでいる薄層体か
らデバイスを切り取る工程と、 (b)上記切り取り工程の後で、上記デバイスを、高くても(Tm−100)
℃である第1の温度から高くても(Tm−25)℃である第2の温度までの熱過
程に少なくとも1回曝露する工程と、 (c)上記熱過程の後で、上記導電性高分子組成物を架橋させる工程とを含む
方法によって調製されたものである電気デバイスを提供する。
In a first aspect, the present invention relates to (A) a polymer component exhibiting PTC behavior and having (1) a polymer component having a crystallinity of at least 20% and a melting point Tm, and (2) a polymer component. (B) (i) attached to the resistive element, (ii) including a metal foil, and (iii) including a metallic foil, wherein the resistive element comprises a conductive polymer composition including a dispersed particulate conductive filler. An electrical device comprising: two electrodes capable of being connected to a power source, comprising: (a) a thin body comprising a conductive polymer composition disposed between two metal foils; Cutting the device; and (b) after the cutting step, raise the device at most (Tm-100)
(C) exposing at least once to a thermal process from a first temperature which is at most (Tm-25) ° C to a second temperature which is at most (Tm-25) ° C; Cross-linking the molecular composition.

【0005】 第2の態様においては、本発明は、 (A)(i)最大でも0.51mmの厚さであり、(ii)少なくとも2Mrad当
量で架橋され、かつ(iii)(1)少なくとも20%の結晶度と融点Tmとを有 する高分子成分と(2)高分子成分中に分散された粒子状導電性充填物とを含ん
でいる導電性高分子組成物からなる抵抗要素と、 (B)(i)抵抗要素に取りつけられ、(ii)金属箔を含み、かつ(iii)電 力源に接続されることができる2つの電極とを含んでいる電気デバイスを製造す
る方法であって、 (a)2つの金属箔間に配置された導電性高分子組成物を含んでいる薄層体か
らデバイスを切り取る工程と、 (b)上記切り取り工程の後で、上記デバイスを、高くても(Tm−100)
℃である第1の温度から、高くても(Tm−25)℃である第2の温度になり、
そして第1の温度に戻る熱サイクルに少なくとも1回曝露する工程と、 (c)上記熱サイクル工程の後で、上記導電性高分子組成物を架橋させる工程
とを含む方法を提供する。
In a second aspect, the invention relates to (A) (i) at most 0.51 mm thick, (ii) cross-linked with at least 2 Mrad equivalents, and (iii) (1) at least 20 %, A resistive element comprising a conductive polymer composition comprising a polymer component having a crystallinity of 0.5% and a melting point Tm, and (2) a particulate conductive filler dispersed in the polymer component; B) A method of manufacturing an electrical device comprising (i) two electrodes attached to a resistive element, (ii) including a metal foil, and (iii) capable of being connected to a power source. (A) cutting the device from a thin body containing the conductive polymer composition disposed between two metal foils; and (b) after the cutting step, the device can be raised at most. (Tm-100)
° C from the first temperature to a second temperature of at most (Tm-25) ° C,
Providing a method comprising: exposing to a thermal cycle at least once to return to a first temperature; and (c) cross-linking the conductive polymer composition after the thermal cycling step.

【0006】 第3の態様においては、本発明は、 (I)第1及び第2の端子を含むバッテリと、 (II)さらに(C)第1の電極に取りつけられた第1の導電性リードと、(D
)第2の電極に取りつけられた第2の導電性リードとを含む本発明の第1の態様
にかかるデバイスとを含んでいるバッテリ組立体であって、 上記デバイスが、バッテリの第1の端子に接触するように配置されていて、こ
れにより第1の導電性リードが上記端子と物理的及び電気的に接触するようにな
っている組立体を提供する。 本発明は、添付の図面によって例示されている。
In a third aspect, the present invention provides a battery comprising: (I) a battery including first and second terminals; and (II) further comprising: (C) a first conductive lead attached to the first electrode. And (D
B.) A device according to the first aspect of the present invention comprising: a) a first terminal of the battery; Providing an assembly wherein the first conductive lead is in physical and electrical contact with the terminal. The present invention is illustrated by the accompanying drawings.

【0007】 (本発明の詳細な説明) 本発明にかかる電気デバイスは、導電性高分子組成物からなる抵抗要素と、こ
れに取りつけられ、そして該抵抗要素をサンドイッチ状に挟む第1及び第2の金
属箔とを含んでいる。導電性高分子組成物は、高分子成分と、その中に分散され
た粒子状導電性充填物とを含んでいる。高分子成分は、1つ又はこれより多い重
合体を含み、その1つは好ましく、差動走査熱量計(ディファレンシャル・スキ
ャニング・カロリメータ)により非充填状態で測定された場合において少なくと
も20%の結晶度をもつ結晶重合体である。適切な結晶重合体は、1つ又はこれ
より多いオレフィンの重合体、とくに高密度ポリエチレン等のポリエチレン;エ
チレン/アクリル酸、エチレン/アクリル酸エチル、エチレン/酢酸ビニル及び
エチレン/アクリル酸ブチルなどの共重合体といった、少なくとも1つのオレフ
ィンとこれと共重合可能な少なくとも1つのモノマーとの共重合体;ポリフッ化
ビニリデン(PVDF)及びエチレン/4フッ化エチレンの共重合体(ETFE
、ターポリマーを含む)等の溶融成形可能なフッ素重合体;及びこれらの重合体
中の2つ又はこれより多くの混合物を含んでいる。いくつかの応用例では、特定
の物理的又は熱的特性、例えば可撓性又は最大曝露温度を達成するために、1つ
の結晶重合体を他の重合体、例えばエラストマー又はアモルファス熱可塑性重合
体と混合するのが望ましいであろう。高分子成分は、一般に、組成物の全容積中
で、40〜90容量%、好ましくは45〜80容量%、とくに好ましくは50〜
75容量%を占める。
(Detailed Description of the Present Invention) An electric device according to the present invention comprises a resistive element made of a conductive polymer composition, and first and second members attached to the resistive element and sandwiching the resistive element in a sandwich shape. Metal foil. The conductive polymer composition includes a polymer component and a particulate conductive filler dispersed therein. The polymeric component comprises one or more polymers, one of which is preferably at least 20% crystallinity as measured unfilled by a differential scanning calorimeter (Differential Scanning Calorimeter). Is a crystalline polymer having Suitable crystalline polymers are polymers of one or more olefins, especially polyethylene such as high density polyethylene; copolymers such as ethylene / acrylic acid, ethylene / ethyl acrylate, ethylene / vinyl acetate and ethylene / butyl acrylate. A copolymer of at least one olefin and at least one monomer copolymerizable therewith, such as a polymer; a copolymer of polyvinylidene fluoride (PVDF) and ethylene / 4-fluoroethylene (ETFE)
, Terpolymers) and melt-formable fluoropolymers; and mixtures of two or more of these polymers. In some applications, one crystalline polymer is combined with another polymer, such as an elastomer or amorphous thermoplastic polymer, to achieve a particular physical or thermal property, such as flexibility or maximum exposure temperature. It may be desirable to mix. The polymeric component generally comprises from 40 to 90% by volume, preferably from 45 to 80% by volume, particularly preferably from 50 to 90% by volume, based on the total volume of the composition.
Occupies 75% by volume.

【0008】 高分子成分中に分散される粒子状導電性充填物は、カーボンブラック、グラフ
ァイト、金属、金属酸化物、導電性被膜付きのガラスビーズ又はセラミックビー
ズ、粒子状導電性重合体、又はこれらの組み合わせを含む適切な材料であっても
よい。充填物は、粉状、ビーズ状、フレーク状、繊維状、又はその他の適当な形
状であってもよい。必要とされる導電性充填物の量は、要求される組成物の抵抗
と導電性充填物自体の抵抗とに基づく。多くの組成物については、導電性充填物
は、該組成物の全容積中で、10〜60容量%、好ましくは20〜55容量%、
そして低抵抗回路保護デバイスに用いられる低抵抗組成物については、とくに2
5〜50容量%を占める。
[0008] The particulate conductive filler dispersed in the polymer component may be carbon black, graphite, metal, metal oxide, glass or ceramic beads with a conductive coating, particulate conductive polymer, or a particulate conductive polymer. Any suitable material including a combination of The fill may be in the form of powder, beads, flakes, fibers, or any other suitable shape. The amount of conductive filler required is based on the resistance of the composition required and the resistance of the conductive filler itself. For many compositions, the conductive filler is 10-60% by volume, preferably 20-55% by volume, based on the total volume of the composition,
For low-resistance compositions used in low-resistance circuit protection devices,
5 to 50% by volume.

【0009】 導電性高分子組成物は、抗酸化剤、不活性充填物、非導電性充填物、放射線架
橋剤(例えば、トリアリルイソシアヌレート、しばしば、プロラッド又は架橋強
化剤と称される)、安定剤、分散剤、結合剤、酸除去剤(例えば、CaCO3) 、又はその他の成分などといった付加的な成分を含んでいてもよい。これらの成
分は、一般に、該組成物の全容積中で、最大20容量%を占める。導電性充填物
及びその他の成分の重合体成分中への分散は、適当な混合手段、例えば溶融処理
手段又は溶媒混合手段により達成されることができる。混合された成分は、抵抗
要素をつくるために、適当な方法、例えば溶融押し出し、射出成形、圧縮成形、
又はシンタリングにより溶融成形されることができる。該要素は、好ましくは層
状体であるが、どのようなものであってもよく、例えば長方形、正方形、円又は
環形であってもよい。該抵抗要素は、しばしば、最大で1.02mm(0.040
インチ)の厚さであるが、多くの応用例ではさらに薄く、最大で0.51mm( 0.020インチ)、好ましくは最大で0.38mm(0.015インチ)の厚さ である。
The conductive polymer composition may include an antioxidant, an inert filler, a non-conductive filler, a radiation cross-linking agent (eg, triallyl isocyanurate, often referred to as pro-rad or cross-linking enhancer), Additional components such as stabilizers, dispersants, binders, acid scavengers (eg, CaCO 3 ), or other components may be included. These components generally comprise up to 20% by volume of the total volume of the composition. Dispersion of the conductive filler and other components into the polymer component can be achieved by any suitable mixing means, for example, melt processing means or solvent mixing means. The mixed components are combined in any suitable manner to create a resistive element, such as melt extrusion, injection molding, compression molding,
Alternatively, it can be melt-formed by sintering. The elements are preferably layered, but may be of any shape, for example rectangular, square, circular or annular. The resistive element often has a maximum of 1.02 mm (0.040 mm).
Inches), but in many applications even thinner, up to 0.51 mm (0.020 inches), preferably up to 0.38 mm (0.015 inches) thick.

【0010】 抵抗要素に用いられる組成物は、正の温度係数(PTC)挙動を呈する。すな
わち、それは比較的小さい温度範囲で、温度とともに抵抗が急激に増加する。こ
の出願では、「PTC」との語は、少なくとも2.5のR14値及び/又は少なく とも10のR30値をもつ組成物又はデバイスを意味するものとして用いられてお
り、組成物又はデバイスは、少なくとも6のR30値をもつのが好ましい。ここに
おいて、R14は、14℃の範囲の終わりと始まりとにおける抵抗の比であり、R 100 は、100℃の範囲の終わりと始まりとにおける抵抗の比であり、R30は、 30℃の範囲の終わりと始まりとにおける抵抗の比である。一般に、本発明にか
かるデバイスで用いられる組成物は、これらの最小値よりもはるかに大きい抵抗
の増加を示す。
[0010] The composition used for the resistive element exhibits a positive temperature coefficient (PTC) behavior. sand
That is, in a relatively small temperature range, the resistance increases rapidly with temperature. This
In the US patent application, the term "PTC" refers to at least 2.5 R14Value and / or at least 10 R30Is used to mean a composition or device with
And the composition or device has at least 6 R30It preferably has a value. here
Where R14Is the ratio of resistance at the end and the beginning of the 14 ° C. range, and R 100 Is the ratio of resistance at the end and at the beginning of the 100 ° C. range, and R30Is the ratio of resistance at the end and at the beginning of the 30 ° C. range. In general, the invention
The compositions used in such devices have a resistance much higher than these minimums.
Indicates an increase.

【0011】 適切な導電性高分子組成物は、米国特許第4,237,441号(ヴァン・コニ
ネンバーグら)、第4,545,926号(ファウトら)、第4,724,417号
(オーら)、第4,774,024号(ディープら)、第4,935,156号(ヴ
ァン・コニネンバーグら)、第5,049,850号(エバンズら)、第5,25 0,228号(ベグリーら)、第5,378,407号(チャンドラら)、第5,4
51,919号(チュら)、第5,582,770号(チュら)、第5,747,1 47号(ワーテンバーグら)及び第5,801,612号(チャンドラら)、並び
に一般承継された国際出願公報WO96/29711号(レイケム社、1997
年9月26日発行)に開示されている。
Suitable conductive polymer compositions are described in US Pat. Nos. 4,237,441 (Van Connenberg et al.), 4,545,926 (Fout et al.), And 4,724,417 (Au et al.). No. 4,774,024 (Deep et al.), No. 4,935,156 (Van Koninenberg et al.), No. 5,049,850 (Evans et al.), No. 5,250,228 ( Begley et al.), No. 5,378,407 (Chandra et al.), 5.4
No. 51,919 (Chu et al.), 5,582,770 (Chu et al.), 5,747,147 (Watenberg et al.) And 5,801,612 (Chandra et al.), And general succession International Application Publication No. WO 96/29711 (Raychem, 1997
Issued September 26, 1998).

【0012】 抵抗要素は、それぞれ、該抵抗要素の第1の面及び第2の面に取りつけられた
第1及び第2の薄層電極に取りつけられている。導電性高分子組成物はシート状
に押し出され又はその他の成形が施され、その上に電極が取りつけられて1つの
薄層体を形成するのが好ましい。すなわち、導電性重合体が箔間にサンドイッチ
状にはさまれるのが好ましい。第1及び第2の両電極は、導電性材料を含み、好
ましくは箔状の金属、例えばニッケル、銅、黄銅、ステンレススチール、又はこ
れらの金属の1つ又はこれより多くのものの合金である。ただし、電極の一方又
は両方は導電性塗料層又はグラファイト層を含んでいてもよい。結合層、例えば
導電性接着剤が、電極を抵抗要素に取りつけるために用いられてもよい。第1及
び第2の電極が、電着された金属箔、例えばニッケル、銅、又はニッケルで被覆
された銅を含んでいるのがとくに好ましい。適切な電極は、米国特許第4,68 9,475号(マシーセン)及び第4,800,253号(クライナら)、並びに 国際出願公報WO95/34081号(レイケム社、1995年12月14日発
行)に開示されている。
[0012] The resistive element is attached to first and second thin-layer electrodes attached to the first and second faces of the resistive element, respectively. Preferably, the conductive polymer composition is extruded or otherwise shaped into a sheet and the electrodes are mounted thereon to form one thin layer. That is, the conductive polymer is preferably sandwiched between the foils. Both the first and second electrodes comprise a conductive material, preferably a foil metal, such as nickel, copper, brass, stainless steel, or an alloy of one or more of these metals. However, one or both of the electrodes may include a conductive paint layer or a graphite layer. A tie layer, such as a conductive adhesive, may be used to attach the electrodes to the resistive element. It is particularly preferred that the first and second electrodes comprise an electrodeposited metal foil, such as nickel, copper, or nickel-coated copper. Suitable electrodes are described in U.S. Pat. Nos. 4,689,475 (Mathesensen) and 4,800,253 (Kleina et al.) And International Application Publication No. ).

【0013】 該デバイスはまた、該デバイスに対して電気的又は環境的な保護を与える絶縁
層を含んでいてもよい。絶縁層は、一般に、金属箔電極の一部又は全部と、抵抗
要素の露出表面とを被覆する。適切な絶縁材料は、ポリアミド、ポリブチレンテ
レフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリビニリジンフロオライド、液
晶重合体、又はエポキシ樹脂などの重合体を含む。
[0013] The device may also include an insulating layer that provides electrical or environmental protection to the device. The insulating layer generally covers part or all of the metal foil electrode and the exposed surface of the resistive element. Suitable insulating materials include polymers such as polyamide, polybutylene terephthalate, polyester, polyethylene, polyvinylidene fluoride, liquid crystal polymers, or epoxy resins.

【0014】 本発明にかかる方法においては、切り取り工程で、2つの金属箔間に配置され
た導電性高分子組成物を含む薄層体からデバイスが切り取られる。この出願にお
いて、「切り取る」との語は、薄層体からデバイスの抵抗要素を孤立又は分離さ
せるあらゆる方法、例えば国際特許公報WO95/34084(1995年12
月14日発行)に記載されているようなダイシング、打ち抜き、せん断、切断、
エッチング及び/又は破壊を含むものとして用いられている。
In the method according to the present invention, in the cutting step, the device is cut from the thin body including the conductive polymer composition disposed between the two metal foils. In this application, the term “cut” refers to any method of isolating or isolating the resistive element of the device from the thin body, for example, International Patent Publication WO 95/34084 (Dec. 1995).
Dicing, punching, shearing, cutting,
Used to include etching and / or destruction.

【0015】 該デバイスは、この後、熱処理工程に委ねられる。熱処理工程は、第1の温度
1から第2の温度T2までの過程を少なくとも1回含む。好ましくは、熱処理工
程は、第2の温度への曝露の後、第1の温度への復帰を含み、かくしてT1から T2を経てT1に戻るサイクルを形成する。第1の温度は、高くても(Tm−10
0)℃、好ましくは高くても(Tm−120)℃、とくに好ましくは高くても(
Tm−150)℃である。ここで、Tmは、差動走査熱量計(ディファレンシャ
ル・スキャニング・カロリメータ)の吸熱のピークにより測定される、高分子成
分の融点である。1つよりの多くのピークが存在するとき、例えば高分子成分が
結晶重合体の混合物を含むときは、Tmは、最も高い温度ピークの温度とされる
。第2の温度は、高くても(Tm−25)℃、好ましくは高くても(Tm−35
)℃、とくに好ましくは高くても(Tm−50)℃である。第1の温度は、高分
子成分のガラス転移温度Tgよりも高い温度であることが重要である。T1は、 しばしば、室温よりも低い温度、すなわち20℃よりも低い温度である。該方法
の好ましい実施態様においては、該デバイスは、少なくとも2回の熱サイクル、
好ましくは少なくとも3回の熱サイクルに曝露される。ある応用例では、該デバ
イスは、さらに多くのサイクル、例えば6回の熱サイクルに曝露されてもよい。
熱処理工程の間は、熱過程又は各熱サイクルに対して、該デバイスは、十分な時
間第1及び第2の両温度に保持され、全デバイスが指定された温度に到達するこ
とが確実化される。該デバイスが保持される期間は、T1及びT2について同一で
あっても異なっていてもよいが、該デバイスが指定された温度に到達した時点か
ら測定して、一般には少なくとも1分、好ましくは少なくとも3分、より好まし
くは少なくとも5分、とくに好ましくは少なくとも10分、さらに特別好ましく
は少なくとも15分、格別に好ましくは少なくとも30分例えば60分である。
熱処理工程の間には、適切な熱源、例えばオーブン(とくにプログラム制御可能
なオーブン)もしくはその他の環境室、又は加熱ランプが用いられることができ
る。T1からT2への(そして、場合によってはT1への復帰)昇温速度は、適当 な速度、例えば2〜30℃/分であればよい。熱処理工程が熱サイクルであると
きは、T1からT2への速度は、T2からT1への速度と同一であってもよく、また
異なっていてもよい。
The device is then subjected to a heat treatment step. The heat treatment step includes at least one process from the first temperature T 1 to the second temperature T 2 . Preferably, the heat treatment step includes a return to the first temperature after exposure to the second temperature, thus forming a cycle from T 1 through T 2 to T 1 . The first temperature may be as high as (Tm-10
0) ° C, preferably at most (Tm-120) ° C, particularly preferably at most (
Tm-150) ° C. Here, Tm is a melting point of a polymer component measured by an endothermic peak of a differential scanning calorimeter (differential scanning calorimeter). When more than one peak is present, for example when the polymeric component comprises a mixture of crystalline polymers, Tm is taken to be the temperature of the highest temperature peak. The second temperature is at most (Tm-25) ° C., preferably at most (Tm-35).
) ° C, particularly preferably at most (Tm-50) ° C. It is important that the first temperature is higher than the glass transition temperature Tg of the polymer component. T 1 is often a temperature below room temperature, ie below 20 ° C. In a preferred embodiment of the method, the device comprises at least two thermal cycles,
Preferably, it is exposed to at least three thermal cycles. In some applications, the device may be exposed to more cycles, for example, six thermal cycles.
During the heat treatment step, for the thermal process or each thermal cycle, the device is held at both the first and second temperatures for a sufficient time to ensure that all devices reach the specified temperature. You. The period during which the device is held may be the same or different for T 1 and T 2 , but is generally at least 1 minute, preferably at least 1 minute, measured from the time the device reaches the specified temperature. Is at least 3 minutes, more preferably at least 5 minutes, particularly preferably at least 10 minutes, even more particularly preferably at least 15 minutes, particularly preferably at least 30 minutes, for example 60 minutes.
During the heat treatment step, a suitable heat source, for example an oven (especially a programmable oven) or other environmental chamber, or a heating lamp can be used. From T 1 of the the T 2 (The return cases to T 1 is) heating rate, appropriate rate, may be a e.g. 2 to 30 ° C. / min. When the heat treatment step is a thermal cycle, the rate from T 1 to T 2 are may be the same as the rate from T 2 to T 1, may be different.

【0016】 熱処理工程に続いて、導電性高分子組成物が架橋される。架橋は、化学的な手
段によって、又は例えば電子ビームもしくはCo60γ放射線源を用いた放射線照
射により実施されることができる。架橋のレベルは、組成物に対する要求照射に
依存するが、一般的には、200Mrad当量より少なく、好ましくは実質的にこ れより少ない量、すなわち1〜20Mradであり、好ましくは1〜15Mradであ
り、とくに好ましくは低電圧(すなわち、60ボルトより低い)の印加に対して
2〜10Mradである。30ボルトより低い電圧印加のための有用な回路保護デ バイスは、該デバイスに少なくとも2Mrad、ただし多くても10Mradの放射線
照射を行うことにより製作されることができる。
Following the heat treatment step, the conductive polymer composition is crosslinked. Crosslinking can be carried out by chemical means or by irradiation, for example using an electron beam or a Co 60 γ radiation source. The level of crosslinking depends on the required irradiation of the composition, but is generally less than 200 Mrad equivalent, preferably substantially less, i.e. 1-20 Mrad, preferably 1-15 Mrad. Particularly preferably 2 to 10 Mrad for the application of low voltages (ie below 60 volts). Useful circuit protection devices for applying voltages below 30 volts can be fabricated by exposing the device to at least 2 Mrad, but at most 10 Mrad.

【0017】 多くの応用例については、少なくとも1つの導電性リード、すなわち第1の導
電性リードを金属箔電極の一方に取りつけることが必要である。しばしば、第1
及び第2の電極に、それぞれ、第1及び第2の導電性リードが取りつけられる。
導電性リードは、電極が電力源、例えばバッテリ又は電源、又は回路に容易に接
続されることを可能にし、該デバイスの熱出力を制御するのに用いられることが
できる。製造を容易にするためにしばしばリードフレームの一部として形成され
る導電性リードは、好ましく、中間層、例えば半田又は導電性接着剤により、電
極に取りつけられる。このリード取りつけ工程は、好ましく、切り取り工程の後
において熱処理工程の前に入れられ。その他の組立て処理、例えばエポキシ樹脂
又はその他の重合体などの絶縁層の形成は、好ましくは、リード取りつけ工程を
含み、切り取り工程の後において熱処理工程の前に入れられる組立て工程で実施
される。
For many applications, it is necessary to attach at least one conductive lead, the first conductive lead, to one of the metal foil electrodes. Often the first
The first and second conductive leads are attached to the first and second electrodes, respectively.
The conductive leads allow the electrodes to be easily connected to a power source, such as a battery or power supply, or circuit, and can be used to control the thermal output of the device. Conductive leads, often formed as part of a lead frame for ease of manufacture, are preferably attached to the electrodes by an intermediate layer, such as solder or conductive adhesive. This lead mounting step is preferably performed after the cutting step and before the heat treatment step. Other assembly processes, such as the formation of an insulating layer, such as an epoxy resin or other polymer, are preferably performed in an assembly process that includes a lead mounting process and is inserted after the trimming process and before the heat treatment process.

【0018】 本発明にかかる方法に続いて、導電性高分子が低抵抗をもつ、すなわち抵抗が
100オーム・cmより低く、好ましくは20オーム・cmより低く、とくに好
ましくは10オーム・cmより低く、さらに特別好ましくは5オーム・cmより
低く、格別好ましくは2オーム・cmより低い、例えば1オーム・cmより低い
デバイスが調製されることができる。大半の応用例では、該デバイスは、一般に
、20℃で1オームより低い、好ましくは0.5オームより低い、とくに好まし くは0.25オームより低い、例えば0.050〜0.150オームより低い抵抗 をもつ。
Subsequent to the method according to the invention, the conductive polymer has a low resistance, ie a resistance lower than 100 ohm-cm, preferably lower than 20 ohm-cm, particularly preferably lower than 10 ohm-cm. Devices can be prepared, more particularly preferably less than 5 ohm-cm, particularly preferably less than 2 ohm-cm, for example less than 1 ohm-cm. For most applications, the device is generally less than 1 ohm at 20 ° C, preferably less than 0.5 ohm, particularly preferably less than 0.25 ohm, for example 0.050 to 0.150 ohm Has lower resistance.

【0019】 本発明にかかるデバイスは、とくに、該デバイスが好ましくバッテリの第1又
は第2の端子に取りつけられているバッテリ組立体に用いるのに適している。該
取りつけは、バッテリと第1又は第2の電極との間で直接行われてもよく、ある
いはバッテリと、第1の電極に取りつけられた第1の導電性リード又は第2の電
極に取りつけられた第2の導電性リードとの間で行われてもよい。第1及び/又
は第2の端子のいずれかが「ボタン」の形状であるあるバッテリについては、該
デバイスは、物理的又は電気的にボタン端子に取りつけられる。該デバイスは、
バッテリの負又は正の端子のいずれかに取りつけられることができる。使用に適
したバッテリは、ニッケル−カドミウム電池、ニッケル−水素化金属電池、アル
カリ電池、又はリチウム電池を含む。しばしば、バッテリ組立体は、2つ又はこ
れより多いバッテリを含む。このようなバッテリ組立体は、国際出願公報WO9
7/06538(レイケム社、1997年2月20日発行)及びWO98/20
567(レイケム社、1998年5月14日発行)に示されている。
The device according to the invention is particularly suitable for use in a battery assembly in which the device is preferably mounted on a first or second terminal of a battery. The attachment may be made directly between the battery and the first or second electrode, or may be attached to the battery and to a first conductive lead or a second electrode attached to the first electrode. Between the second conductive lead and the second conductive lead. For batteries where either the first and / or the second terminal is in the form of a "button", the device is physically or electrically attached to the button terminal. The device is
It can be attached to either the negative or positive terminal of the battery. Suitable batteries for use include nickel-cadmium batteries, nickel-metal hydride batteries, alkaline batteries, or lithium batteries. Frequently, battery assemblies include two or more batteries. Such a battery assembly is disclosed in International Patent Publication WO9
7/06538 (Raychem, issued February 20, 1997) and WO98 / 20
567 (Raychem, issued May 14, 1998).

【0020】 本発明は、添付の図面によって例示されているが、ここで図1は、PTC成分
3と、第1導電性リード15と、第2導電性リード18と、絶縁材料23とを含
む本発明にかかる電気デバイス1の断面を示している。PTC成分3は、第1の
電極11と、第2の電極13と、これらの間にサンドイッチ状にはさまれた導電
性重合体からなる抵抗要素9とを含んでいる。図1に示されたPTC成分3にお
いては、互いに対向している両電極が、第1の表面43と第2の表面41とを形
成している。
The present invention is illustrated by the accompanying drawings, in which FIG. 1 includes a PTC component 3, a first conductive lead 15, a second conductive lead 18, and an insulating material 23. 1 shows a cross section of an electric device 1 according to the present invention. The PTC component 3 includes a first electrode 11, a second electrode 13, and a resistive element 9 made of a conductive polymer sandwiched therebetween. In the PTC component 3 shown in FIG. 1, both electrodes facing each other form a first surface 43 and a second surface 41.

【0021】 図2には、PTC成分3の上面図が示されている。PTC成分3は、表面41
及び43と、外縁部5と、内縁部7とを含み、中心に開口部27を備えたディス
ク形のものである。内縁部7は、開口部27を画成している。
FIG. 2 shows a top view of the PTC component 3. The PTC component 3 has a surface 41
43, an outer edge 5 and an inner edge 7 and are of disk shape with an opening 27 in the center. The inner edge 7 defines an opening 27.

【0022】 図3は、第1の導電性リード15の上面図を示しており、該リードは、第1の
電極11と、PTC成分3の開口部27と交差して伸びる第2の部分17とに取
りつけられた第1の部分16を有している。この実施の形態では、第1の部分1
6は、第1の電極11の全表面を被覆している。開口部27の少なくとも一部を
被覆している、第1のリード15の第2の部分17は、半田、圧力又は溶接によ
り、バッテリのボタン端子に直接の電気的接触を形成するのに用いられる。第2
の部分17は、開口部27の少なくとも一部を被覆している。
FIG. 3 shows a top view of the first conductive lead 15, which is connected to the first electrode 11 and the second portion 17 extending across the opening 27 of the PTC component 3. And a first portion 16 attached thereto. In this embodiment, the first part 1
6 covers the entire surface of the first electrode 11. The second portion 17 of the first lead 15, covering at least a portion of the opening 27, is used to make a direct electrical contact to the button terminal of the battery by soldering, pressure or welding. . Second
Portion 17 covers at least a part of the opening 27.

【0023】 図4は、第1の部分19と第2の部分21とを含んでいる第2の導電性リード
18の上面図を示している。第1の部分19は、第2の電極13に取りつけられ
、第2の電極13の表面の少なくとも一部を被覆している。第2の部分21は、
外縁部5から離反するように伸び、もし必要であれば、第2のバッテリ又はその
他の電気部品と電気接触を形成するために曲げられることができる。第1及び第
2の導電性リード15、18は、何らかの適当な材料、例えばニッケル、ステン
レススチール、銅、又は黄銅もしくは青銅などの合金で形成されることができる
。製造を容易化するために、第2のリード18は、しばしばリードフレームの一
部とされる。
FIG. 4 shows a top view of the second conductive lead 18 including the first portion 19 and the second portion 21. The first portion 19 is attached to the second electrode 13 and covers at least a part of the surface of the second electrode 13. The second part 21 is
It extends away from outer edge 5 and can be bent, if necessary, to make electrical contact with a second battery or other electrical component. The first and second conductive leads 15, 18 can be formed of any suitable material, for example, nickel, stainless steel, copper, or an alloy such as brass or bronze. To facilitate manufacturing, the second lead 18 is often part of a lead frame.

【0024】 図5は、電気絶縁層23によってカプセル封止されたデバイス1の上面図を示
している。バッテリの正の端子が内側開口部27’に配置されたときには、端子
とPTC成分3との間に電気接触が全く生じないので、短絡が生じない。
FIG. 5 shows a top view of the device 1 encapsulated by the electrically insulating layer 23. When the positive terminal of the battery is located in the inner opening 27 ', there is no electrical contact between the terminal and the PTC component 3, so there is no short circuit.

【0025】 本発明は、以下の具体例によって例示されるが、ここにおいて具体例1及び2
は比較例である。各具体例については、以下の工程が実行された。
The present invention is illustrated by the following specific examples, where specific examples 1 and 2
Is a comparative example. The following steps were performed for each specific example.

【0026】PTCデバイスの調製 54重量%のカーボンブラック(商標登録Raven430U、コロンビアケミカ
ルから入手可能)と、46重量%の高密度ポリエチレン(商標登録Petrothene LB832、ミレニウムから入手可能;「HDPE」)とをヘンシェル混合器内
で予混合し、該混合物をブスニーダで混合し、ペレット状に押し出すことにより
第1のコンパウンドが調製された。51.4重量%のカーボンブラックと、48.
6重量%のHDPEとを同一の方法で予混合することにより第2のコンパウンド
が調製された。第1及び第2のコンパウンドのペレットが予混合され、52.7 重量%のカーボンブラックと、47.3重量%のHDPEとを有する最終的なコ ンパウンドが得られ、このコンパウンドはイーガン押出し機を用いてシート状の
ダイス型を通して押し出され、厚さ0.25mm(0.010インチ)のシートが
得た。押出されたシートは、プレス組を用いて、200℃で、厚さが約0.03 3mm(0.0013インチ)の電着されたニッケル箔(フクダから入手可能) からなる2つの層間に薄層化された。薄層化されたシートは、230℃まで昇温
された鉛63%/すず37%の組成の半田の中に半田浸漬され、該薄層状シート
から、図2中に示された形状を有するデバイスが打抜かれた。
Preparation of PTC Device 54% by weight of carbon black (Raven 430U®, available from Columbia Chemical) and 46% by weight of high density polyethylene (Petrothene LB832, available from Millenium; “HDPE”) A first compound was prepared by premixing in a Henschel mixer, mixing the mixture with a bus kneader and extruding into pellets. 51.4% by weight of carbon black and 48.
A second compound was prepared by premixing 6% by weight HDPE in the same manner. The pellets of the first and second compounds are premixed to give a final compound having 52.7% by weight of carbon black and 47.3% by weight of HDPE, which compound is an Eagan extruder. And extruded through a sheet-like die to give a 0.25 mm (0.010 inch) thick sheet. The extruded sheet was thinned between two layers of electrodeposited nickel foil (available from Fukuda) having a thickness of about 0.0133 mm (0.0013 inches) at 200 ° C. using a press set. Stratified. The thinned sheet is immersed in solder having a composition of 63% lead / 37% tin heated to 230 ° C., and the device having the shape shown in FIG. 2 is obtained from the thin sheet. Was punched out.

【0027】デバイスの組立て 図3及び4中に示されているような、第1及び第2の導電性リードが63/3
7の鉛/すず半田によりPTCデバイスに取りつけられ、これは30℃から最高
230℃にまで昇温されたホットエアオーブン内で、約2分間にわたってリフロ
ーされた。この後、トランスファ手段又は射出成形により、液晶重合体からなる
絶縁層が形成付加された。
Device Assembly First and second conductive leads are 63/3, as shown in FIGS.
The PTC device was mounted on a PTC device with a 7 lead / tin solder, which was reflowed in a hot air oven heated from 30 ° C. to a maximum of 230 ° C. for about 2 minutes. Thereafter, an insulating layer made of a liquid crystal polymer was formed and added by transfer means or injection molding.

【0028】放射線照射 デバイスは、コバルト60γの放射線源を用いて、放射線照射が施され、全放
射線照射は14Mradであった。
The irradiation device was irradiated using a radiation source of cobalt 60γ, and the total irradiation was 14 Mrad.

【0029】温度サイクル デバイスは6回の熱サイクルに委ねられ、各サイクルは、40℃と80℃とで
は60分停留しつつ1℃/分の速度で、40℃から80℃に昇温した後40℃に
戻るといったものであった。
The temperature cycling device is subjected to six thermal cycles, each cycle being ramped from 40.degree. C. to 80.degree. C. at a rate of 1.degree. It returned to 40 ° C.

【0030】具体例1及び2(比較例) デバイスの調製は、表1に示すような仕様で実施されたが、ここにおいて数字
1〜4は、これらが実施された際の処理工程の順番を示している。各具体例ごと
調製された100個のデバイスについて、25℃における抵抗が測定された。こ
のようにして得られたデバイスの平均抵抗は、本発明にかかるデバイス(具体例
3)のそれに比べて、少なくとも5%高かった。
Specific Examples 1 and 2 (Comparative Examples) Devices were prepared according to the specifications shown in Table 1. Here, numerals 1 to 4 indicate the order of processing steps when these were performed. Is shown. The resistance at 25 ° C. was measured for 100 devices prepared for each specific example. The average resistance of the device thus obtained was at least 5% higher than that of the device according to the invention (Example 3).

【0031】具体例3 デバイスの調製は、表1に示すような仕様で実施された。このようにして得ら
れたデバイスの抵抗は、従来のデバイスのそれよりも低かった。図6に、これら
のデバイスの抵抗分布の比較が示されている。
Example 3 The device was prepared according to the specifications shown in Table 1. The resistance of the device thus obtained was lower than that of the conventional device. FIG. 6 shows a comparison of the resistance distribution of these devices.

【表1】 [Table 1]

【0032】 この明細書における種々の図及び記述は、本発明の特定の実施態様に関するも
のであるが、特定の特徴が特定の図に関連して開示されているところでは、かか
る特徴はまた、他の図に関連して、他の特徴と組み合わせて、あるいは一般的に
本発明において、広く用いられることができるということが理解されるべきであ
る。上記構成の装置及びそれらにかかる方法は、この発明又はその理論の応用の
単なる例示に過ぎないものであって、その他の多くの実施の形態及び修正例が、
本発明の精神及び範囲から離脱することなく、請求の範囲の規定により創作され
ることが理解されるであろう。
Although the various figures and descriptions in this specification relate to particular embodiments of the present invention, where particular features are disclosed in connection with particular figures, such features may also include: It should be understood that in connection with other figures, in combination with other features, or generally, it can be widely used in the present invention. The devices having the above configurations and the methods according to them are merely examples of the application of the present invention or its theory, and many other embodiments and modifications are
It will be understood that the following claims are created without departing from the spirit and scope of the invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明にかかるデバイスの断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a device according to the present invention.

【図2】 本発明にかかるデバイスの上面図である。FIG. 2 is a top view of the device according to the present invention.

【図3】 本発明にかかるデバイスの一部を形成する第1の導電性リードの
上面図である。
FIG. 3 is a top view of a first conductive lead forming a part of the device according to the present invention.

【図4】 第2の導電性リードが取りつけられた、本発明にかかるデバイス
の上面図である。
FIG. 4 is a top view of a device according to the present invention with a second conductive lead attached.

【図5】 絶縁層を含む、本発明にかかるデバイスの上面図である。FIG. 5 is a top view of a device according to the invention, including an insulating layer.

【図6】 本発明にかかる方法と、比較例にかかる方法とにより製作された
デバイスの抵抗分布を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing resistance distributions of devices manufactured by a method according to the present invention and a method according to a comparative example.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ショウ−ミーン・パン 中華人民共和国200335シャンハイ、ホン・ キアオ・ロード2419番、セッソン・パー ク・ナンバー20 Fターム(参考) 5E034 AA10 AB07 AC09 DB16 DE05──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shaw Mean Pan 200335 Shanghai, Hong Kiao Road No. 2419, Cesson Park No. 20 F term (reference) 5E034 AA10 AB07 AC09 DB16 DE05

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)PTC挙動を呈するとともに、(1)少なくとも20
%の結晶度と融点Tmとを有する高分子成分と(2)高分子成分中に分散された
粒子状導電性充填物とを含む導電性高分子組成物からなる抵抗要素と、 (B)(i)抵抗要素に取りつけられ、(ii)金属箔を含み、かつ(iii)電 力源に接続されることができる2つの電極とを含んでいる電気デバイスであって
、 (a)2つの金属箔間に配置された導電性高分子組成物を含む薄層体からデバ
イスを切り取る工程と、 (b)上記切り取り工程の後で、上記デバイスを、高くても(Tm−100)
℃である第1の温度から高くても(Tm−25)℃である第2の温度までの熱過
程に少なくとも1回曝露する工程と、 (c)上記熱過程の後で、上記導電性高分子組成物を架橋させる工程とを含む
方法によって調製されたものである電気デバイス。
(A) exhibiting PTC behavior and (1) at least 20
(B) a resistance element comprising a conductive polymer composition including a polymer component having a degree of crystallinity and a melting point Tm, and (2) a particulate conductive filler dispersed in the polymer component. an electrical device comprising: (i) two electrodes attached to a resistive element, (ii) including a metal foil, and (iii) capable of being connected to a power source; (B) cutting the device from a thin layer containing the conductive polymer composition disposed between the foils; and (b) after the cutting step, the device is at most (Tm-100)
(C) exposing at least once to a thermal process from a first temperature which is at most (Tm-25) ° C to a second temperature which is at most (Tm-25) ° C; Cross-linking the molecular composition.
【請求項2】 上記方法が、さらに、工程(a)の後において工程(b)の
前に、少なくとも1つの導電性リードを金属箔電極の一方に取りつける工程を含
んでいる、請求項1に記載のデバイス。
2. The method of claim 1, wherein the method further comprises attaching at least one conductive lead to one of the metal foil electrodes after step (a) and before step (b). The described device.
【請求項3】 抵抗が、高くても0.100オームである、請求項1又は2 に記載のデバイス。3. The device according to claim 1, wherein the resistance is at most 0.100 ohm. 【請求項4】 工程(c)において1〜20Mrad当量で架橋されたもので ある、請求項1、2又は3に記載のデバイス。4. The device according to claim 1, which is crosslinked in step (c) with an equivalent of 1 to 20 Mrad. 【請求項5】 上記高分子成分が、ポリエチレン、エチレン共重合体又はフ
ッ素重合体を含んでいる、前記各請求項のいずれか1つに記載のデバイス。
5. The device according to claim 1, wherein the polymer component includes polyethylene, an ethylene copolymer, or a fluoropolymer.
【請求項6】 工程(b)において、上記デバイスが、第1の温度から第2
の温度となりそして第1の温度に戻る熱サイクルに少なくとも1回曝露される、
前記各請求項のいずれか1つに記載のデバイス。
6. In step (b), the device is moved from a first temperature to a second temperature.
Exposed to a thermal cycle at least one time and returning to the first temperature,
A device according to any one of the preceding claims.
【請求項7】 工程(b)において、第1の温度T1が23℃よりも低い、 前記各請求項のいずれか1つに記載のデバイス。7. The device according to claim 1, wherein in step (b) the first temperature T 1 is lower than 23 ° C. 【請求項8】 (1)上記抵抗要素が(i)最大でも0.51mmの厚さで あり、かつ(ii)少なくとも2Mrad当量で架橋されたものであって、 (2)上記切り取り工程の後の工程(b)において、上記デバイスが、高くて
も(Tm−100)℃である第1の温度から、高くても(Tm−25)℃である
第2の温度となり、そして第1の温度に戻る熱サイクルに少なくとも1回曝露さ
れるようになっている、請求項1に記載の電気デバイスの製造方法。
8. The resistive element (1) is (i) at most 0.51 mm thick and (ii) cross-linked with at least 2 Mrad equivalent, (2) after the cutting step In step (b), the device changes from a first temperature of at most (Tm-100) ° C. to a second temperature of at most (Tm-25) ° C., and a first temperature of The method of claim 1, wherein the method is adapted to be exposed at least once to a thermal cycle returning to step (b).
【請求項9】 工程(b)において、上記デバイスが少なくとも3回の熱サ
イクルに曝露されるようになっている、請求項8に記載の方法。
9. The method of claim 8, wherein in step (b), the device is exposed to at least three thermal cycles.
【請求項10】 (1)第1及び第2の端子を含むバッテリと、 (2)さらに(a)第1の電極に取りつけられた第1の導電性リードと、(b
)第2の電極に取りつけられた第2の導電性リードとを含む請求項1に記載のデ
バイスとを含んでいるバッテリ組立体であって、 上記デバイスが、バッテリの第1の端子に接触するように配置されていて、こ
れにより第1の導電性リードが上記端子と物理的及び電気的に接触するようにな
っている組立体。
10. A battery including: (1) a battery including first and second terminals; (2) further comprising: (a) a first conductive lead attached to the first electrode;
A battery assembly comprising: a) a second conductive lead attached to a second electrode; and a device according to claim 1, wherein the device contacts a first terminal of the battery. An assembly wherein the first conductive lead is in physical and electrical contact with the terminal.
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