JP2002508610A - 集積インピーダンス整合素子付きの無線周波数アンテナ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 アンテナ・アセンブリは第１端と第２端のあるシャフト素子を有する。アンテナアセンブリはまたシャフト素子の第１端の周りに配置された管状素子を有し、この管状素子が整合素子としてアンテナ・アセンブリのために働き、アンテナ・アセンブリを強化して剛性を増しその第１端に近接したシャフト素子の曲げに抗する。アンテナアセンブリは更に、管状素子とシャフト素子の間に配置された誘電物質を第１端に有する。その上、アンテナアセンブリはハウジングと結合されて無線通信アセンブリを形成し得て、ハウジングはエッジ付きの表面を有し、管状素子は整合構造として作用して、アンテナ・アセンブリを強化し剛性を増して、エッジにより限定される支点におけるシャフト素子の曲げに抗する。更に、無線通信アセンブリ上のアンテナを再構成する方法が開示される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 （技術分野） この発明はアンテナに関し、特に、セルラー電話のようなポータブル無線電話
と共に使用するアンテナに関する。

【０００２】 （背景技術） 無線通信網は、その最も基本的な形において、セルラー電話のような移動局と
、基地局を有する。移動局は基地局と無線通信をする。代わりに基地局は、ほと
んどの家庭に設置された固定通信網である公衆電話交換網に接続されて通信する
。

【０００３】 互いに通信するために、移動局と基地局はアンテナを使用する。これらのアン
テナは、移動局と基地局の間に無線周波数（ＲＦ）信号を送信するために使用さ
れる。

【０００４】 アンテナは１つの放射素子を有し、また１つの整合構造または整合素子を有し
得る。放射素子は、１つの移動局および基地局から他の移動局および基地局へＲ
Ｆ信号を放射するのに使用され得るアンテナの部分である。整合素子は、より高
い無線周波数において、放射素子のインピーダンスを平衡させるために使用され
得る。

【０００５】 移動局アンテナは典型的に、円形断面の長いロッドを含む。このロッドは放射
素子として使用され得るし、またはこのロッドは放射素子のための支柱として使
用され得る。整合素子として機能するワイヤの一部分は、その間に配置された誘
電物質の層に包まれている。通常、ロッドとワイヤの両方が、機械的な保護のた
めに高分子物質で被われている。

【０００６】 移動局アンテナは典型的に移動局ハウジング上に装着されて、このハウジング
内の開口を通じて延長するようになっている。アンテナの一部分だけがハウジン
グの外側に突き出ている完全引込み位置と、アンテナの重要部分がハウジングの
外側に突き出ている完全延長位置の間でアンテナが移動できるように、アンテナ
は通常装着される。

【０００７】 しかしながら、上記の移動局アンテナには、いくつかの問題がある。例えば、
整合素子として使用されるワイヤはラッピング処理中に破損しやすいかもしれな
い。更に、移動局ハウジングに対して完全延長位置にあるアンテナにより、ロッ
ド素子が過剰な曲げを受けやすいかもしれない。その上、ハウジングに対して完
全引込み位置にあるアンテナのサイズが大きくて、ハウジング内でかなりの量の
空間を占めるかもしれない。セルラー電話産業の趨勢は、より小さな幅、長さ、
奥行きの移動局の設計と製造でなってきたので、これは特に重大である。

【０００８】 （発明の要約） この発明の１つの面によれば、アンテナ・アセンブリは第１端と第２端のある
シャフト素子を有する。アンテナ・アセンブリはまた、シャフト素子の第１端の
周りに配置された管状素子を有し、この管状素子はアンテナ・アセンブリのため
に整合構造として作用し、またアンテナ・アセンブリを強化し、その剛性を増し
て、それの第１端に近接したシャフト素子の曲げに抵抗するようにしてある。ア
ンテナ・アセンブリはまた、第１端のところで管状素子とシャフト素子の間に配
置された誘電物質を有する。

【０００９】 シャフト素子はロッド状素子またはプレート状素子を規定し得る。

【００１０】 その上、シャフト素子は第１放射素子を規定し得るし、また第２放射素子が第
２端のところでシャフト素子に結合され得る。

【００１１】 シャフト素子と管状素子はそれぞれニッケル・チタニウム合金で作られ得る。
詳しくは、シャフト素子と管状素子はそれぞれ、ニッケルとチタニウムがほぼ等
しい重量の割合であるニッケル・チタニウム合金で作られる。

【００１２】 誘電物質は、ポリテトラフルオロエチレンおよびポリエーテルイミドからなる
グループから選択され得る。

【００１３】 この発明の特徴によれば、ポータブル無線通信アセンブリは、１つのエッジの
ある表面を備えたハウジングを有する。ポータブル無線通信アセンブリはまた、
第１端と第２端のあるアンテナ・アセンブリと、シャフト素子の第１端の周りに
配置された管状素子と、第１端のところで管状素子とシャフト素子の間に配置さ
れた誘電物質を有する。シャフト素子は第１の引込み状態と第２の延長状態を有
し、延長状態においては、第１端がエッジに近接し、管状素子がエッジに隣接可
能であることにより、エッジ近辺のシャフト素子の曲げに抗するようになってい
る。

【００１４】 更に、シャフト素子は第１放射素子を規定し、また第２放射素子は第２端のと
ころでシャフト素子と結合され、第２放射素子は第１状態と第２状態におけるシ
ャフト素子と共にハウジングの外側に配置され得る。

【００１５】 その上、アンテナ・アセンブリは、第１状態におけるシャフト素子により４分
の１波長の放射器を規定し、第２状態におけるシャフト素子により半波長の放射
器を規定し得る。

【００１６】 シャフト素子と管状素子はそれぞれニッケル・チタニウム合金で作られている
。詳しくは、シャフト素子と管状素子はそれぞれ、ニッケルとチタニウムがほぼ
等しい重量の割合であるニッケル・チタニウム合金で作られている。

【００１７】 誘電物質は、ポリテトラフルオロエチレンおよびポリエーテルイミドからなる
グループから選択され得る。

【００１８】 この発明の更なる特徴によれば、１つの表面付きのハウジングを有する無線通
信アセンブリを再構成する方法が提供される。この方法は、ハウジングの表面に
関して第１位置と第２位置の間を移動できるシャフト素子を、ハウジング上のア
ンテナ・アセンブリに設けるステップと、シャフト素子上に整合素子を設けて、
整合素子がシャフト素子の一部分を機械的に補強するようにするステップを含む
。この方法はまた、第１位置から第２位置へシャフト素子を移動させるステップ
と、第１位置から第２位置へシャフト素子が移動するのに付随して整合素子がハ
ウジングの面に隣接することにより、ハウジングの表面に隣接するシャフト素子
の変形に整合素子が抗するようにするステップを含む。

【００１９】 その上、ハウジングの表面は１つのエッジを有し得る。もしそうであれば、ハ
ウジングの表面に対して整合素子を隣接するステップは、第１位置から第２位置
へシャフト素子が移動するのに付随して整合素子がハウジングの面に隣接するこ
とにより、ハウジングの表面のエッジにより規定される支点の周りのシャフト素
子の変形に整合素子が抗するようにするステップを含む。

【００２０】 それに加えて、ハウジングの表面はエッジ類似のリムを規定し、これは更にハ
ウジング内の１つの開口を規定する。結果として、第１位置から第２位置へシャ
フト素子が移動するステップは、開口を通して第１位置から第２位置へシャフト
素子を移動させるステップを含み得るし、また、ハウジングの表面に対して整合
素子を隣接させるステップは、開口を通して第１位置から第２位置へシャフト素
子が移動されるのに付随して整合素子をハウジング表面のエッジ状リムに対して
隣接させることにより、ハウジングの表面のエッジ状リムにより規定される支点
の周りのシャフト素子の変形に整合素子が抗するようにするステップを含む。

【００２１】 更に、アンテナ・アセンブリは、第１位置にあるシャフト素子により４分の１
波長放射器を規定し得るし、また、シャフト素子が第１位置から第２位置へ移動
するのに付随して、半波長放射器を規定し得る。

【００２２】 （好ましい実施例の詳細な説明） 本発明によるアンテナ・アセンブリ２０の構造を、最初に図1ないし図５、と りわけ図１および図２に関して議論する。アンテナ・アセンブリ２０は、第１接
点２２、シャフト／第１放射素子２４、誘電性インサート２６、整合素子２８、
誘電性スリーブ３０、第２接点３２、第２放射素子３４を有する。

【００２３】 シャフト／第１放射素子２４は、１ｍｍないし２ｍｍの外径で好ましくは円形
断面（図３）を有するワイヤで作られたロッド状の素子である。代わりに、図４
と図５に示すような長方形断面を有するプレート状素子３６を設けてもよい。第
２放射素子３４と整合素子２８の間にあるシャフト素子２４、３６の部分は、好
ましくはポリウレタン・シリコン混合物のようなエラストマーの誘電性コーティ
ングにより被われている。

【００２４】 図１に示すように、整合素子２８は、好ましくはシャフト素子２４の円形断面
に相補的な環状断面を有する管状素子である。整合素子２８はシャフト素子２４
に相補的であることにより、管状整合素子２８と、誘電体２６が中に配置されて
いる外面４０との間に空間が設けられるようになっている。もしシャフト素子３
６が使用されても、やはり環状の断面を有する整合素子２８が使用され、そして
シャフト素子３６の表面４１と誘電性インサート２６と整合素子２８との間を充
填するために接着性の物質が使用される。

【００２５】 シャフト素子２４、３６および整合素子２８はニッケルとチタニウムの超可撓
性（ｓｕｐｅｒ−ｆｌｅｘｕｒａｌ）合金で作られる。好ましくは、ニッケル・
チタニウム合金は、ほぼニッケルの重量５０％とチタニウムの重量５０％で作ら
れる。間に配置される誘電性インサート２６は、好ましくはポリテトラフルオロ
エチレン（ＰＴＦＥ）またはポリエーテルイミド（ＰＥＩ）である。

【００２６】 第２放射素子３４はどのような形でもあり得るが、好ましくは円形断面のワイ
ヤから作られた螺旋状素子を含み、この螺旋は１０ｍｍ程度の直径を有する。第
２放射素子４は機械的保護のために高分子物質にオーバーモールド（ｏｖｅｒｍ
ｏｌｄ）される。

【００２７】 図２に組み立てられたように、誘電性スリーブ３０、第２接点３２、第２放射
素子３４がシャフト素子２４の第１有効端４２に（すなわち、シャフト素子２４
の第一端に近接した領域に）一般的に配置され、シャフト素子２４には予め誘電
性コーティングを塗布済みである。最初に、例えばクリンプすることにより、第
２放射素子３４をシャフト素子２４へ結合する。好ましくは、第２放射素子３４
は予め巻かれてあって、シャフト素子２４へ結合されるときにオーバーモールド
されるが、代わりに第２放射要素３４をシャフト素子２４へ結合してから、オー
バーモールドしてもよい。

【００２８】 それから第２接点３２と誘電性スリーブ３０を、シャフト素子２４に沿った場
所へ滑りこませる。誘電性スリーブ３０と第２接点３２は、例えば接着剤による
貼着のような通常の結合方法を使用して、互いに結合される。

【００２９】 第１接点２２、誘電性インサート２６、および整合素子２８は、それからシャ
フト素子２４の第２有効端（すなわち、シャフト素子２４の第２端４５に近接し
た領域）に一般的に配置される。好ましくは、誘電性インサート２６は最初にシ
ャフト素子２４に付けられ、それから整合素子２８が誘電性インサート２６の上
を滑らせて、例えば接着剤による貼着により、誘電性インサート２６に結合され
る。それから第１接点２２が、たとえばクリンプにより、シャフト素子２４に結
合される。

【００３０】 図６と図７は、アンテナ・アセンブリ２０を、セルラー電話４８のようなポー
タブル無線電話装置のハウジング４６内に装着したことを、図式的に示す。両方
の図において、シャフト素子２４の第１有効端４２が、装置４８のハウジング４
６の壁５２内で、開口５０を通して延長している。詳しくは、壁５２上に配置さ
れたプラグ５５の表面５４が開口５０を規定する。

【００３１】 図６は、完全に引込み位置にあるアンテナ・アセンブリ２０を示し、ハウジン
グ４６の外側に２５ｍｍないし３０ｍｍ突き出ている。完全に引込んだ位置にお
いて、シャフト素子２４の第１有効端４２における第２放射素子３４はハウジン
グ４６の壁５２から突き出ている。第２接点３２が、送信機／受信機アセンブリ
５８からの給電５６に結合されている。オプションとして、第１接点２２は、接
地６０に結合され得る。

【００３２】 アンテナ・アセンブリ２０が完全に引込んだ位置にあるときに、第２放射素子
３４は、好ましくは例えばＡＭＰＳ帯域（８２４ＭＨｚないし８９４ＭＨｚ）で
作動する４分の１波長放射器を規定する。第２放射素子３４は、好ましくは５０
オームの入力インピーダンスを有する。（その内容全体が本書に参考文献として
組込まれている米国特許出願番号０８／９２９，５９２に開示されているように
）無給電素子を追加したり、または（その内容全体が本書に参考文献として組込
まれている米国特許出願番号０８／７２５，５０７に開示されているように）非
一様ピッチの螺旋として放射素子を形成することにより、例えばＰＣＳ帯域（１
８５０ＭＨｚないし１９９０ＭＨｚ）またはＰＤＣ帯域（１５００ＭＨｚ）の一
層高い周波数において作動する４分の１波長の放射器をも定義する第２放射素子
３４により、デュアル・バンド・オペレーションを達成できる。

【００３３】 図６の完全に引込めた状態から、図７に示すように矢印６１の方向に第２放射
素子３４に力を加えることにより、アンテナ・アセンブリ２０を完全に延長した
位置に移動できる。完全に延長した位置において、第２放射素子３４とシャフト
／第１放射素子２４の大部分は、ハウジング４６の壁５２から９５ｍｍ程度の長
さまで突き出ている。第１接点２２は、送信機／受信機アセンブリ５８からの給
電５６に結合されている。整合素子２８は、接地６２へ結合されている。

【００３４】 アンテナ・アセンブリ２０が完全に延長した位置にあるときに、第２放射素子
３４とシャフト／第１放射素子２４は直列に露出されて、好ましくは例えばＡＭ
ＰＳ帯域（８２４ＭＨｚないし８９４ＭＨｚ）で作動する半波長放射器を規定す
る。シャフト／第１放射素子２４に直列の第２放射素子３４は、好ましくは５０
オームの入力インピーダンスを有する。

【００３５】 また、アンテナ・アセンブリ２０を完全に延長したときに、第２放射素子３４
とシャフト／第１放射素子２４と整合素子２８は、例えばＰＣＳ帯域（１８５０
ＭＨｚないし１９９０ＭＨｚ）またはＰＤＣ帯域（１５００ＭＨｚ）の一層高い
周波数で作動する半波長放射器を規定する。この半波長放射器は、好ましくは５
０オームの入力インピーダンスを有する。このようにして、デュアル・バンド・
オペレーションもまた、完全に延長した位置で達成できる。

【００３６】 これに加えて、追加的な位置では、整合素子２８は、プラグ５５の表面５４に
対して隣接し得る。それにより整合素子２８はシャフト素子２４に強さと剛性を
与えて、プラグ５５の表面５４のエッジ６４により規定される支点の周りにシャ
フト素子２４が曲がるのを防ぐことができる。

【００３７】 アンテナ・アセンブリ２０はいくつかの長所を有し得る。ニッケル・チタニウ
ム合金を使用することにより、アンテナ・アセンブリ２０の重量とサイズは減少
し得る。その上、シャフト素子２４の強度と剛性を増して整合素子２８を設ける
ことにより、無線通信装置４８の動作に有用な機能を設けることなく、ハウジン
グ４６の隣接点のところでアンテナ・アセンブリ２０の曲げを、ハウジング４６
内に空間を占有するような別の構造物を追加することなしに、除去しかつ制御す
ることができる。

【００３８】 この発明の更に他の局面、目的、長所は、明細書、図面、添付の請求項を検討
することから得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明によるアンテナ・アセンブリの分解透視図である。

【図２】 組み立てられた状態における図１のアンテナ・アセンブリの透視図である。

【図３】 図１の線３−３で示すシャフト素子の拡大断面図である。

【図４】 本発明によるもう１つのアンテナ・アセンブリの分解透視図である。

【図５】 図４の線５−５で示すシャフト素子の拡大断面図である。

【図６】 セルラー電話のようなポータブル無線通信装置上における図１および図２のア
ンテナ・アセンブリの完全に引込んだ位置にある略図である。

【図７】 図６に示すように完全に延長した位置にあるアンテナ・アセンブリの図である
。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ， ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，Ｌ Ｔ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ， ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，Ｕ Ａ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 ヘイズ、ジェラード、ジェームズ アメリカ合衆国 ノースカロライナ、ウェ ークフォレスト、 アバークロンビー ロ ード 207 (72)発明者 スポール、ジョン、マイケル アメリカ合衆国 ノースカロライナ、ロー リー、 ニッカーボッカー パークウェイ 3917 − アイ Ｆターム(参考） 5J047 AA10 AB06 FD01

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アンテナ・アセンブリであって、 第１端と第２端を有するシャフト素子と、 前記シャフト素子の前記第１端の周りに配置され、前記アンテナ・アセンブリ
   のための整合構造として作用し、また前記アンテナ・アセンブリを強化し剛性を
   増して、前記第１端に近接した前記シャフト素子の曲げに抗するようにした管状
   素子と、 前記第１端のところで前記管状素子と前記シャフト素子の間に配置された誘電
   物質を備えたアンテナ・アセンブリ。
2. 【請求項２】 前記シャフト素子はロッド状の素子を限定する請求項１記載
   のアンテナ・アセンブリ。
3. 【請求項３】 前記シャフト素子はプレート状素子を限定する請求項２記載
   のアンテナ・アセンブリ。
4. 【請求項４】 前記シャフト素子は第１放射素子を限定する請求項１記載の
   アンテナ・アセンブリ。
5. 【請求項５】 前記第２端のところで前記シャフト素子に結合された第２放
   射素子を更に含む請求項４記載のアンテナ・アセンブリ。
6. 【請求項６】 前記シャフト素子と前記管状素子はそれぞれニッケル・チタ
   ニウム合金を含む請求項１記載のアンテナ・アセンブリ。
7. 【請求項７】 前記シャフト素子と前記管状素子はそれぞれニッケル・チタ
   ニウム合金を含み、ニッケルとチタニウムがほぼ等しい重量の割合で存在する請
   求項１記載のアンテナ・アセンブリ。
8. 【請求項８】 前記誘電物質は、ポリテトラフルオロエチレンおよびポリエ
   ーテルイミドからなるグループから選択される請求項１記載のアンテナ・アセン
   ブリ。
9. 【請求項９】 ポータブル無線通信アセンブリであって、 １つのエッジを有する表面のあるハウジングと、 第１端と第２端のあるシャフト素子と、前記シャフト素子の前記第１端の周り
   に配置された管状素子と、前記第１端のところで前記管状素子と前記シャフト素
   子の間に配置された誘電物質を有するアンテナ・アセンブリと、 第１引込み状態と、前記第１端が前記エッジに近接していて前記管状素子が前
   記エッジに隣接可能であることにより前記エッジに近接した前記シャフト素子の
   曲げに抗するようにした第２延長状態とを有する前記シャフト素子を備えたポー
   タブル無線通信アセンブリ。
10. 【請求項１０】 前記シャフト素子が第１放射素子を規定する請求項９記載
    の無線通信アセンブリ。
11. 【請求項１１】 前記第２端のところで前記シャフト素子に結合された第２
    放射素子を更に含んでなり、前記第２放射素子が第１状態と第２状態において前
    記シャフト素子とともに前記ハウジングの外側に配置されている請求項１０記載
    の無線通信アセンブリ。
12. 【請求項１２】 前記アンテナ・アセンブリが前記第１状態で前記シャフト
    素子により４分の１波長放射器を規定し、前記第２状態で前記シャフト素子によ
    り半波長放射器を規定する請求項９記載の無線通信アセンブリ。
13. 【請求項１３】 前記シャフト素子と前記管状素子は、それぞれニッケル・
    チタニウム合金を含む請求項９記載の無線通信アセンブリ。
14. 【請求項１４】 前記シャフト素子と前記管状素子は、それぞれニッケル・
    チタニウム合金を含み、ニッケルとチタニウムはほぼ等しい重量の割合で存在す
    る請求項９記載の無線通信アセンブリ。
15. 【請求項１５】 前記誘電体は、ポリテトラフルオロエチレンおよびポリエ
    ーテルイミドからなるグループから選択される請求項９記載のアンテナ・アセン
    ブリ。
16. 【請求項１６】 １つの表面のあるハウジングを有する無線通信アセンブリ
    上にアンテナ・アセンブリを再構成する方法であって、 前記ハウジングの前記表面に関して第１位置と第２位置の間を移動可能なシャ
    フト素子を有するハウジング上に１つのアンテナ・アセンブリを設けるステップ
    と、 前記シャフト素子上に１つの整合素子を設けて、前記整合素子が前記シャフト
    素子の一部分を機械的に補強するステップと、 前記シャフト素子を前記第１位置から前記第２位置へ移動するステップと、 シャフトを前記第１位置から第２位置へシャフトを移動することに伴って前記
    整合素子を前記ハウジングの表面に対して隣接させることにより、前記ハウジン
    グの前記表面に隣接する前記シャフト素子の変形に前記整合素子が抗するように
    するステップと、を備えた方法。
17. 【請求項１７】 前記ハウジングの前記表面は１つのエッジを有し、前記ハ
    ウジングの前記表面に対して前記整合素子を隣接させるステップは、前記第１位
    置から前記第２位置へ前記シャフト素子を移動することに伴って前記ハウジング
    の前記表面の前記エッジに対して前記整合素子を隣接させて、前記ハウジングの
    前記表面の前記エッジにより規定される支点の周りの前記シャフト素子の変形に
    、前記整合素子が抗するようにするステップを含む請求項１６記載の方法。
18. 【請求項１８】 前記ハウジングの前記表面は前記ハウジング内の１つの開
    口を更に規定する１つのエッジを規定し、前記第１位置から前記第２位置へ前記
    シャフト素子を移動するステップは、前記開口を通して前記第１位置から前記第
    ２位置へ前記シャフト素子を移動することを含み、また、前記整合素子を前記ハ
    ウジングの前記表面に隣接させるステップは、前記開口を通して前記第１位置か
    ら前記第２位置へ前記シャフト素子を移動することの結果として前記整合素子を
    前記ハウジングの前記表面の前記エッジに対して隣接させることにより、前記ハ
    ウジングの前記表面の前記エッジ・リムにより規定される支点の周りの前記シャ
    フト素子の変形に、前記整合素子が抗するようにするステップを含む請求項１６
    記載の方法。
19. 【請求項１９】 前記シャフト素子と前記管状素子は、それぞれニッケル・
    チタニウム合金を含む請求項１６記載の方法。
20. 【請求項２０】 前記シャフト素子と前記管状素子はそれぞれニッケルチタ
    ニウム合金を含み、ニッケルとチタニウムはほぼ等しい重量の割合である請求項
    １６記載の無線通信アセンブリ。
21. 【請求項２１】 前記アンテナ・アセンブリは前記第１位置内の前記シャフ
    ト素子により４分の１波長放射器を規定し、また、前記シャフト素子が前記第１
    位置から前記第２位置へ移動させられるのに伴って、半波長放射器を規定する請
    求項１６記載の方法。