JP2002373456A - Method for manufacturing stamper for optical recording medium - Google Patents

Method for manufacturing stamper for optical recording medium

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JP2002373456A
JP2002373456A JP2001180093A JP2001180093A JP2002373456A JP 2002373456 A JP2002373456 A JP 2002373456A JP 2001180093 A JP2001180093 A JP 2001180093A JP 2001180093 A JP2001180093 A JP 2001180093A JP 2002373456 A JP2002373456 A JP 2002373456A
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JP
Japan
Prior art keywords
developing solution
pattern
alkali developing
stamper
photoresist
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001180093A
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Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Tanaka
剛 田中
Masanori Kogo
雅則 向後
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Tosoh Corp
Original Assignee
Tosoh Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a stamper for an optical recording medium, by which the rectangular property of an uneven pattern which is to be formed on a substrate of the optical recording medium can be enhanced. SOLUTION: This method for manufacturing the stamper comprises a step of making the surface of a positive photoresist layer insolubilize, on which a latent image having the prescribed pattern is formed by exposing it to a laser beam, by treating it with a low-concentration alkaline developer and a step to furthermore develop the latent image by using the alkaline developer to form the prescribed pattern.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体用スタ
ンパの製造方法に係り、特にDVD等の高密度記録を行
う光記録媒体用のスタンパの製造方法に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a stamper for an optical recording medium, and more particularly to a method for manufacturing a stamper for an optical recording medium for performing high-density recording such as a DVD.

【0002】[0002]

【従来の技術】高密度にデータを記録再生でき、信頼性
が高く、大容量の記録媒体として、光ディスク等の光記
録媒体が知られている。光記録媒体では、微小な光スポ
ットにより情報の記録・再生を行うが、この光記録媒体
の表面には、光スポットの位置決めのための案内溝(グ
ルーブ)やフォーマット情報等の記録再生に必要な情報
が基板の凹凸パターンとして予め形成されている。この
ような光記録媒体の基板は、前記の情報に対応する凹凸
面を有するスタンパを用いて、ポリカーボネート樹脂や
アクリル樹脂等の熱可塑性樹脂を射出成形することによ
り形成されるが、この射出成形に用いられる光記録媒体
用スタンパは、通常の場合、以下のようにして作製され
る。
2. Description of the Related Art Optical recording media, such as optical disks, are known as recording media capable of recording and reproducing data at high density, having high reliability, and having a large capacity. In an optical recording medium, information is recorded / reproduced using a minute light spot. On the surface of the optical recording medium, a guide groove (groove) for positioning the light spot and recording / reproduction of format information and the like are required. The information is formed in advance as a concavo-convex pattern on the substrate. The substrate of such an optical recording medium is formed by injection molding a thermoplastic resin such as a polycarbonate resin or an acrylic resin using a stamper having an uneven surface corresponding to the information described above. The stamper for an optical recording medium to be used is usually manufactured as follows.

【0003】まず、表面を鏡面に研磨されたガラス製等
の原盤上に、ポジ型のフォトレジスト層を形成してフォ
トレジスト原盤を作製する。得られたフォトレジスト原
盤のフォトレジスト層に、所定の情報に応じて変調され
たレーザー光を照射して所定のパターンの露光部(潜
像)を形成し、次にアルカリ現像液によりこの露光部を
溶解除去して凹凸パターンを顕在化させる。その後、こ
の凹凸パターンが形成されたフォトレジスト層の表面を
真空成膜等の手段によって金属膜等の導体膜を形成する
ことにより導体化し、その導体膜を電極にしてニッケル
等を電鋳して電鋳層を形成する。こうして得られた電鋳
層を、ガラス原盤から剥離してスタンパを得る。
[0003] First, a positive photoresist layer is formed on a master disk made of glass or the like whose surface is polished to a mirror surface to prepare a photoresist master disk. The photoresist layer of the obtained photoresist master is irradiated with a laser beam modulated in accordance with predetermined information to form an exposed portion (latent image) of a predetermined pattern, and then the exposed portion is exposed with an alkali developing solution. Is dissolved and removed to make the uneven pattern visible. Thereafter, the surface of the photoresist layer on which the concavo-convex pattern is formed is made conductive by forming a conductive film such as a metal film by means such as vacuum film formation, and the conductive film is used as an electrode to electroform nickel or the like. An electroformed layer is formed. The electroformed layer thus obtained is peeled from the glass master to obtain a stamper.

【0004】この中で、アルカリ現像液により露光部を
溶解除去して凹凸パターンを顕在化させる現像工程で
は、現像前にフォトレジスト層表面の濡れ性を向上させ
るための前水洗処理を行った後、アルカリ現像液で現像
して所定の凹凸パターンを形成するのが一般的である。
[0004] In the developing process, the exposed portion is dissolved and removed with an alkali developing solution to make the concavo-convex pattern visible, and before the development, a pre-water washing process for improving the wettability of the photoresist layer surface is performed. In general, a predetermined uneven pattern is formed by developing with an alkali developing solution.

【0005】以下に図面に基づいて従来技術を説明す
る。なお、以下の説明においては記録形態の断面形状が
矩形の溝である場合について説明するが、断面形状がV
字状やU字状のV溝やU溝、ピット等についても同様で
ある。
The prior art will be described below with reference to the drawings. In the following description, a case where the cross-sectional shape of the recording mode is a rectangular groove will be described.
The same applies to V-shaped and U-shaped grooves, U-shaped grooves, pits, and the like.

【0006】従来技術1 図1は、従来のレジスト塗布から現像工程までを説明し
たフローチャートである。ガラス原盤上にキノンジアジ
ド系のフォトレジストをエチルセロソルブアセテートで
希釈し、ガラス原盤上にスピンコート後、加熱処理をし
て所定の膜厚のフォトレジスト原盤を作成する。そのフ
ォトレジスト原盤表面に光記録媒体用に変調され、対物
レンズにより集光されたArレーザ光(波長457.9
nm)を照射し潜像を形成する。その後、フォトレジス
ト表面のアルカリ現像液に対する濡れ性向上のために水
洗処理(前水洗処理)を行った後アルカリ現像液で現像
を行う。
Prior Art 1 FIG. 1 is a flowchart illustrating a conventional process from resist coating to developing process. A quinonediazide-based photoresist is diluted on a glass master with ethyl cellosolve acetate, spin-coated on the glass master, and then heated to form a photoresist master having a predetermined thickness. Ar laser light (wavelength 457.9) modulated on the photoresist master surface for an optical recording medium and focused by an objective lens
nm) to form a latent image. After that, a washing process (pre-washing process) is performed to improve the wettability of the photoresist surface with the alkali developing solution, and then development is performed with the alkali developing solution.

【0007】図2は、上記の従来技術1の方法で処理し
たときの露光後の潜像パターンと、現像後に形成される
パターンを説明した図である。対物レンズにより集光し
たレーザ光はガウシアンパターンを有する強度分布があ
るため、そのレーザ光で露光された潜像も感光剤の分解
しきい値に由来する潜像パターンを持っている。また、
従来の現像処理ではフォトレジストの垂直方向(厚さ方
向)の溶解に伴い、パターンエッジ部の水平方向(面内
方向)への溶解も起こるため、前記潜像パターンよりも
パターンの矩形性はかなり低下していた。そのため、得
られたスタンパやそのスタンパによって成形された樹脂
基板のパターンの矩形性も低下しパターンの凹凸に由来
する再生信号が低下してしまうという問題点があった。
FIG. 2 is a view for explaining a latent image pattern after exposure and a pattern formed after development when processed by the method of the prior art 1 described above. Since the laser light condensed by the objective lens has an intensity distribution having a Gaussian pattern, the latent image exposed by the laser light also has a latent image pattern derived from the decomposition threshold of the photosensitive agent. Also,
In the conventional developing process, the dissolution of the photoresist in the vertical direction (thickness direction) causes the dissolution of the pattern edge portion in the horizontal direction (in-plane direction), so that the rectangularity of the pattern is considerably larger than that of the latent image pattern. Had declined. Therefore, there is a problem that the rectangularity of the pattern of the obtained stamper and the resin substrate formed by the stamper is also reduced, and the reproduced signal derived from the unevenness of the pattern is reduced.

【0008】従来技術2 上記、従来技術1の問題点を解決するため、例えば、特
開平8−235645号公報に開示されているように、
現像を2段階で行う方法が提案されている。図3は、こ
の2段階現像法でのフォトレジスト塗布工程から現像工
程までを説明したフローチャートである。図1で説明し
た従来技術1とレーザ光による露光工程までは同一であ
るが、前記前水洗処理後に第1段現像として規定度0.
17〜0.19Nのアルカリ現像液で10〜60秒間の
短時間現像を行い、第1段の現像を終了させるための水
洗乾燥工程を経て所定のレジストパターンの途中までパ
ターン形成を行う。つづいて、第1段現像と同じ規定度
(0.17〜0.19N)のアルカリ現像液で40〜1
00秒間現像する第2段現像と、その後の2回目の水洗
乾燥工程を経て、所定のレジストパターンの形成を行
う。
Prior Art 2 In order to solve the above-mentioned problem of the prior art 1, for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-235645,
A method of performing development in two stages has been proposed. FIG. 3 is a flowchart illustrating the steps from the photoresist coating step to the developing step in the two-stage developing method. 1 is the same as the prior art 1 described with reference to FIG. 1 up to the step of exposing with a laser beam.
Short-time development is performed for 10 to 60 seconds with an alkali developing solution of 17 to 0.19 N, and a pattern is formed halfway through a predetermined resist pattern through a washing and drying process for terminating the first-stage development. Subsequently, the alkaline developing solution having the same normality (0.17 to 0.19 N) as that of the first stage development was used for 40 to 1 day.
A predetermined resist pattern is formed through a second-stage development in which development is performed for 00 seconds and a second washing and drying process.

【0009】図4は、上記従来技術2の方法で処理した
ときの露光後の潜像パターンと、現像後に形成されるパ
ターンを説明した図である。一度アルカリ現像液に浸さ
れたポジ型フォトレジストの表面は、未現像のポジ型フ
ォトレジストの表面に比較して溶解されにくくなる表面
改質が起こるため、従来技術2のように、短時間の第1
段現像の後、水洗乾燥処理で現像を一時停止させること
によりポジ型フォトレジストの表面を改質し、その後に
第1段現像で用いた現像液と同じ濃度の現像液で第2段
現像を行うとフォトレジストの水平方向(面内方向)の
溶解速度を低減することができ、従来技術1で得られた
レジストパターンよりも矩形性を向上させることができ
る。
FIG. 4 is a view for explaining a latent image pattern after exposure and a pattern formed after development when processed by the method of the above-mentioned prior art 2. The surface of the positive photoresist once immersed in an alkaline developer undergoes a surface modification that is less likely to be dissolved than the surface of the undeveloped positive photoresist, so that a short-time First
After the step development, the surface of the positive type photoresist is modified by temporarily stopping the development by washing and drying, and then the second step development is performed with a developer having the same concentration as the developer used in the first step development. By doing so, the dissolution rate of the photoresist in the horizontal direction (in-plane direction) can be reduced, and the rectangularity can be improved as compared with the resist pattern obtained by Conventional Technique 1.

【0010】但し、第1段現像で途中までフォトレジス
トを現像しているため、フォトレジスト層上部の溶解が
進んでおりレジストパターンの矩形性は必ずしも十分で
はなかった。また、途中の水洗乾燥処理で現像の一時停
止を行うため、第2段現像時に現像むら、現像しみが発
生しやすいという問題点があった。
However, since the photoresist is partially developed in the first-stage development, the dissolution of the upper portion of the photoresist layer is progressing, and the rectangularity of the resist pattern is not always sufficient. Further, since the development is temporarily stopped in the washing and drying process in the middle, there is a problem that unevenness of development and development stain are easily generated in the second stage development.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】光記録媒体の高密度化
にともなって、現像後に形成される凹凸パターンは更に
高解像度が要求されている。一般に形成される最小パタ
ーン径dは、下記の式1で示されることが知られてお
り、露光装置では露光レーザーの短波長化、レンズの大
NA化が計られている。
As the density of an optical recording medium increases, a higher resolution is required for a concavo-convex pattern formed after development. It is known that the generally formed minimum pattern diameter d is expressed by the following equation 1. In an exposure apparatus, the wavelength of an exposure laser is reduced and the NA of a lens is increased.

【0012】 d=kλ/NA (式1) ここで、λは光の波長であり、NAは対物レンズの開口
数、kはレジスト材及び現像方法等の装置以外の要因で
決定される係数であり、kを小さくするためにレジスト
材料の改良が行われている。
D = kλ / NA (Equation 1) where λ is the wavelength of light, NA is the numerical aperture of the objective lens, and k is a coefficient determined by factors other than the resist material and the developing method, etc. Some resist materials have been improved to reduce k.

【0013】現像方法の改良としては、前述のように、
例えば、特公平4−11024号公報、特開平8−23
5645号公報に開示されているように、現像を2回に
分けて行う方法が提案されている。これらの方法によ
り、通常の現像方法よりはパターンエッジをシャープに
することができ、パターンの矩形性を向上(解像度を向
上)させることができる。しかし、これらの方法では、
第1段の現像で所定の深さまで現像を行うことにより、
パターンエッジが広がるため解像度向上の十分な効果が
得られず、さらに、第1段の現像と第2段の現像との間
に、水洗乾燥工程が余分に入ることにより、現像むら、
現像しみ等の発生が起こりやすいという問題があった。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、パターンエ
ッジをさらにシャープにして、矩形性を向上させるとと
もに、現像操作を簡略化し、現像むら、現像しみ等が発
生しない光記録媒体用スタンパの製造方法を提供するこ
とにある。
As an improvement of the developing method, as described above,
For example, Japanese Patent Publication No. 4-11024 and Japanese Patent Application Laid-Open No.
As disclosed in Japanese Patent No. 5645, there has been proposed a method of performing development in two steps. By these methods, the pattern edge can be sharpened as compared with the normal developing method, and the rectangularity of the pattern can be improved (resolution can be improved). However, with these methods,
By performing development to a predetermined depth in the first stage of development,
Since the pattern edge is widened, a sufficient effect of improving the resolution cannot be obtained, and furthermore, a washing and drying step is added between the first stage development and the second stage development, resulting in uneven development.
There has been a problem that development stains and the like easily occur.
Therefore, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a stamper for an optical recording medium, which further sharpens the pattern edge, improves the rectangularity, simplifies the developing operation, and does not cause unevenness of development and development spots. Is to provide.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体用ス
タンパの製造方法は、原盤上にポジ型のフォトレジスト
層を形成する工程と、形成されたフォトレジスト層に、
レーザ光により所定のパターンを露光して露光部を形成
する工程と、前記フォトレジスト層に形成された露光部
をアルカリ現像液により除去して凹凸パターンを形成す
るパターン形成工程を有する光記録媒体用スタンパの製
造方法において、前記フォトレジスト層の露光後、パタ
ーン形成工程の前に、パターン形成工程で用いるアルカ
リ現像液よりも低濃度のアルカリ現像液で前記フォトレ
ジスト層の表面を処理することを特徴とする光記録媒体
用スタンパの製造方法である。ここで、前記処理に用い
るアルカリ現像液の規定度は0.01N以上0.03N
以下であることが好ましく、また、処理時間は30秒以
上400秒以下であることが好ましい。また、本発明の
光記録媒体用スタンパの製造方法では、前記処理とパタ
ーン形成工程との間に水洗工程や乾燥工程を入れず、連
続して行うことが好ましい。
According to a method of manufacturing a stamper for an optical recording medium of the present invention, a step of forming a positive type photoresist layer on a master, and a step of forming
An optical recording medium having a process of exposing a predetermined pattern by a laser beam to form an exposed portion, and a pattern forming process of forming an uneven pattern by removing the exposed portion formed on the photoresist layer with an alkali developing solution. In the method of manufacturing a stamper, after exposure of the photoresist layer and before a pattern forming step, the surface of the photoresist layer is treated with an alkali developing solution having a lower concentration than an alkali developing solution used in the pattern forming step. Is a method for manufacturing an optical recording medium stamper. Here, the normality of the alkali developer used for the processing is 0.01 N or more and 0.03 N or more.
Or less, and the processing time is preferably 30 seconds or more and 400 seconds or less. In the method of manufacturing a stamper for an optical recording medium according to the present invention, it is preferable that the stamping is performed continuously without a washing step or a drying step between the treatment and the pattern forming step.

【0015】なお、本発明において、アルカリ現像液で
フォトレジスト層の表面を処理するとは、アルカリ現像
液でフォトレジスト層の表面を所定時間濡らすこと、す
なわち、フォトレジスト層の表面とアルカリ現像液とが
所定時間接触した状態を保つようにすることであり、具
体的には、例えば、水平に保持したフォトレジスト原
盤を所定速度で回転しながら、そのほぼ中央部に所定量
のアルカリ現像液を供給して、フォトレジスト層表面を
流下させる、水平に保持したフォトレジスト原盤を所
定速度で回転しながら、フォトレジスト層表面に所定量
のアルカリ現像液を噴霧する、フォトレジスト原盤全
体、あるいは少なくともフォトレジスト層表面を、アル
カリ現像液中に所定時間漬ける等を行うことである。
In the present invention, the treatment of the surface of the photoresist layer with an alkali developing solution means that the surface of the photoresist layer is wetted with the alkali developing solution for a predetermined time, that is, the surface of the photoresist layer and the alkali developing solution Is to keep the contact state for a predetermined time. Specifically, for example, while rotating a photoresist master held horizontally at a predetermined speed, a predetermined amount of an alkali developing solution is supplied to a substantially central portion thereof. Spraying a predetermined amount of an alkali developing solution onto the photoresist layer surface while rotating the photoresist master held horizontally at a predetermined speed, causing the photoresist master surface to flow down, the entire photoresist master, or at least the photoresist The surface of the layer is immersed in an alkali developer for a predetermined time.

【0016】以下、本発明をさらに詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

【0017】本発明は、フォトレジストが殆ど溶解され
ない程度に薄く希釈したアルカリ現像液で、露光後のフ
ォトレジスト層の表面を所定の時間処理することによ
り、フォトレジスト層の表面を殆ど溶解除去することな
く難溶化する表面難溶化工程を有することを特徴とする
光記録媒体用スタンパの製造方法であり、この表面難溶
化工程の後、それに連続して通常の濃度又は通常の濃度
よりも多少低い濃度のアルカリ現像液でフォトレジスト
層を所定の形状まで現像することにより、パターンエッ
ジがシャープに形成されこれまでの現像方法では達成で
きない矩形性が得られるものである。さらに、表面難溶
化工程とパターン形成工程との間に水洗乾燥工程等の現
像を一時停止する処理が入らず、表面難溶化工程と連続
して現像処理を行うため現像むら、現像しみの発生を抑
えることができる。
According to the present invention, the surface of the photoresist layer after exposure is treated with an alkali developing solution diluted to such an extent that the photoresist is hardly dissolved, for a predetermined time, thereby substantially dissolving and removing the surface of the photoresist layer. A method for producing a stamper for an optical recording medium, characterized by having a surface insolubilization step that makes it hardly soluble without a normal concentration or slightly lower than the normal concentration after this surface insolubilization step. By developing the photoresist layer to a predetermined shape with a concentrated alkali developing solution, a pattern edge is sharply formed, and a rectangular shape which cannot be achieved by the conventional developing method is obtained. Furthermore, since there is no processing for temporarily stopping development such as a washing and drying step between the surface insolubilizing step and the pattern forming step, development is performed continuously with the surface insolubilizing step. Can be suppressed.

【0018】低濃度に希釈したアルカリ現像液をフォト
レジスト表面に流すことで、フォトレジストの難溶化が
起こる理由については明確ではないが、フォトレジスト
中のキノンジアジド系感光剤のアルカリ現像の効果には
レジスト溶解促進効果と、レジスト難溶化効果の2種類
があり、希釈されたアルカリ現像液を用いるとレジスト
難溶化効果の方が優勢となるものと推測される。
Although it is not clear why the photoresist becomes hardly soluble by flowing an alkaline developer diluted to a low concentration on the photoresist surface, the effect of the alkaline development of the quinonediazide-based photosensitizer in the photoresist is not clear. There are two types, a resist dissolution accelerating effect and a resist insolubilizing effect. It is presumed that the resist insolubilizing effect becomes dominant when a diluted alkali developer is used.

【0019】図5は、本発明のフォトレジスト塗布工程
から現像工程までの一例を説明したフローチャートであ
る。図1、図3で説明した従来技術1、2とレーザー光
による露光工程までは同一であるが、前水洗処理又は第
1段現像の代わりにパターン形成用の現像工程と同じア
ルカリ現像液を、規定度0.01〜0.03Nまでに希
釈した希釈液を50〜400秒間フォトレジスト表面に
流す。次いで、規定度0.12〜0.2Nのアルカリ現
像液を60〜100秒間フォトレジスト表面に流し、フ
ォトレジストを溶解させパターン形成を行う。
FIG. 5 is a flowchart illustrating an example of the present invention from the photoresist coating step to the developing step. 1 and 3 are the same as the prior arts 1 and 2 up to the exposure step using a laser beam, but using the same alkaline developer as in the development step for pattern formation instead of the pre-washing process or the first-stage development, A diluent diluted to a normality of 0.01 to 0.03 N is allowed to flow on the photoresist surface for 50 to 400 seconds. Next, an alkaline developer having a normality of 0.12 to 0.2 N is allowed to flow on the photoresist surface for 60 to 100 seconds to dissolve the photoresist and form a pattern.

【0020】図6は、上記の現像方法で処理したときの
露光後の潜像パターンと、現像後に形成されるパターン
を説明した図である。図2、図4とは異なり、難溶化工
程に使用する規定度0.01〜0.03Nに希釈したア
ルカリ現像液ではフォトレジストの溶解速度よりも難溶
化速度が上回るためフォトレジスト表面の難溶化が起こ
る。そのため、フォトレジストの潜像パターンを形成し
た箇所であっても、フォトレジスト層は表面難溶化工程
では殆ど溶解されず、難溶化層の形成が優先的に起こ
る。よって、続く0.12〜0.2Nのアルカリ現像液
でパターン形成を行う現像(パターン形成工程)におい
てもフォトレジスト表面の難溶化層が、上部パターンエ
ッジ部の水平方向(面内方向)への溶解速度を低減させ
る。その結果、従来技術1、2の現像方法よりもレジス
トパターンの矩形性を向上させることができる。
FIG. 6 is a view for explaining a latent image pattern after exposure when processed by the above-described developing method and a pattern formed after development. Unlike FIG. 2 and FIG. 4, in the alkali developing solution diluted to a normality of 0.01 to 0.03 N used in the hard-solubilizing step, the hard-solubilizing speed is higher than the dissolving speed of the photoresist, and thus the hard-solubilizing of the photoresist surface Happens. Therefore, even in the portion where the latent image pattern of the photoresist is formed, the photoresist layer is hardly dissolved in the surface insolubilization step, and the formation of the insoluble layer occurs preferentially. Therefore, even in the subsequent development (pattern forming step) in which a pattern is formed with an alkali developer of 0.12 to 0.2 N, the hardly-solubilized layer on the photoresist surface is moved horizontally (in-plane direction) of the upper pattern edge. Reduce dissolution rate. As a result, it is possible to improve the rectangularity of the resist pattern as compared with the developing methods of Conventional Techniques 1 and 2.

【0021】すなわち、表面難溶化工程に使用するアル
カリ現像液の濃度を、フォトレジストが現像により殆ど
溶解除去されることのない程度の低濃度とし、かつ、表
面難溶化時間を長くすることでフォトレジスト層表面の
難溶化層を厚くすることにより、パターンエッジがシャ
ープに形成されこれまでの現像方法では達成できない矩
形性が得られる。なお、低濃度のアルカリ現像液をフォ
トレジスト表面に長時間処理した場合には、所定のパタ
ーンを形成するためには長時間の現像が必要であり、フ
ォトレジスト表面が難溶化することを示している。
That is, the concentration of the alkali developing solution used in the surface insolubilization step is set to a low concentration such that the photoresist is hardly dissolved and removed by development, and the surface insolubilization time is extended to increase the photosensitivity. By increasing the thickness of the hardly-solubilized layer on the surface of the resist layer, a pattern edge is formed sharply, and rectangularity that cannot be achieved by the conventional developing method is obtained. In addition, when a low-concentration alkaline developing solution is applied to the photoresist surface for a long time, a long-time development is required to form a predetermined pattern, which indicates that the photoresist surface becomes hardly soluble. I have.

【0022】また、本発明の方法では、従来技術2のよ
うに途中で現像を停止したりレジスト表面を乾燥させな
いため、現像むら、現像しみの発生を抑制することがで
きる。
Further, in the method of the present invention, since the development is not stopped or the resist surface is not dried on the way as in the prior art 2, the occurrence of uneven development and development spots can be suppressed.

【0023】本発明で用いるポジ型フォトレジストはキ
ノンジアジド系フォトレジストであれば特に限定され
ず、例えば、o−ナフトキノンジアジド系フォトレジス
ト、ベンゾキノンジアジド系フォトレジスト等を用いる
ことができ、また、本発明で用いるアルカリ現像液はリ
ン酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ムのような無機アルカリ現像液だけではなく、テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイトのような有機アル
カリ現像液を用いることもできる。
The positive photoresist used in the present invention is not particularly limited as long as it is a quinonediazide-based photoresist. For example, an o-naphthoquinonediazide-based photoresist, a benzoquinonediazide-based photoresist, or the like can be used. As the alkali developer used in the above, not only an inorganic alkali developer such as sodium hydrogen phosphate, sodium hydroxide and potassium hydroxide, but also an organic alkali developer such as tetramethylammonium hydroxide can be used.

【0024】本発明の表面難溶化工程で用いるアルカリ
現像液の規定度は0.01〜0.03Nであることが好
ましい。表面難溶化工程で用いるアルカリ現像液の規定
度が0.01N未満では難溶化の効果が少なく、0.0
3Nを越えるとレジスト現像が発生し矩形性向上効果が
薄れる。なお、矩形性を考慮すると、アルカリ現像液の
規定度は0.02〜0.03Nがさらに好ましい。ま
た、表面難溶化工程での処理時間は30〜400秒が好
ましい。表面難溶化工程の処理時間が30秒未満では難
溶化の効果が少なく、400秒を越えるとレジストの膨
潤によるレジスト剥離が発生しやすくなる。矩形性を考
慮すると、表面難溶化工程での処理時間は300〜40
0秒がさらに好ましい。
The normality of the alkali developer used in the step of making the surface hardly soluble in the present invention is preferably 0.01 to 0.03N. When the normality of the alkali developer used in the surface insolubilization step is less than 0.01 N, the effect of insolubilization is small, and
If it exceeds 3N, resist development occurs and the effect of improving rectangularity is diminished. In consideration of the rectangularity, the normality of the alkali developer is more preferably 0.02 to 0.03 N. Further, the treatment time in the surface insolubilization step is preferably 30 to 400 seconds. If the treatment time of the surface insolubilization step is less than 30 seconds, the effect of insolubilization is small, and if it exceeds 400 seconds, resist peeling due to swelling of the resist is likely to occur. Considering the rectangularity, the processing time in the surface hardly-solubilizing step is 300 to 40.
0 second is more preferable.

【0025】なお、本発明の表面難溶化工程において
は、フォトレジストの現像による溶解除去が殆ど検知さ
れない程度にその処理を行うことが好ましいが、フォト
レジストの多少の溶解除去が検知される程度の処理とな
るのものであっても良い。表面難溶化による矩形性向上
効果を期待するためには、フォトレジストの溶解が5n
m以下であることが好ましい。
In the step of hardly dissolving the surface of the present invention, the treatment is preferably performed to such an extent that the dissolution and removal of the photoresist by development are hardly detected. It may be processing. In order to expect the effect of improving the rectangularity due to the insolubility of the surface, dissolution of the photoresist is 5n.
m or less.

【0026】本発明のパターン形成工程で用いるアルカ
リ現像液はその規定度は通常用いられる0.1〜0.3
Nのものでも良いが、多少それよりも低い濃度の0.1
〜0.2Nのものを用いることによりさらに矩形性が向
上できる。また、表面難溶化工程で用いるアルカリ現像
液とパターン形成工程で用いるアルカリ現像液とは濃度
のみが異なる同じ種類のアルカリ現像液であっても、両
者が互いに異なる種類のアルカリ現像液であっても良
い。
The normality of the alkali developing solution used in the pattern forming step of the present invention is usually 0.1 to 0.3.
N may be used, but a slightly lower concentration of 0.1
The rectangularity can be further improved by using a material having a thickness of up to 0.2N. Further, the alkali developer used in the surface resolubilization step and the alkali developer used in the pattern formation step may be the same kind of alkali developer having only a different concentration, or may be both kinds of different alkali developer. good.

【0027】なお、本発明の表面難溶化工程、パターン
形成工程においてフォトレジスト層表面をアルカリ現像
液で処理するための具体的な方法も特には限定されず通
常の方法で行うことができ、例えば、スピン現像、パド
ル現像、ディップ現像等で用いられる方法で行うことが
できる。
The specific method for treating the surface of the photoresist layer with an alkali developing solution in the surface insolubilizing step and the pattern forming step of the present invention is not particularly limited, and can be performed by a usual method. , Spin development, paddle development, dip development, and the like.

【0028】上記のようにしてパターン形成されたフォ
トレジスト原盤を用い、通常用いられる方法、例えば、
スパッタ、無電解メッキによりフォトレジスト層表面に
導電膜を形成して、これを電極としてニッケル等を電鋳
し、得られた電鋳層をフォトレジスト原盤より剥離して
光記録媒体用スタンパを作製することができる。
Using the photoresist master patterned as described above, a commonly used method, for example,
A conductive film is formed on the surface of the photoresist layer by sputtering or electroless plating, nickel is electroformed using the electrode as an electrode, and the obtained electroformed layer is peeled from the photoresist master to produce a stamper for an optical recording medium. can do.

【0029】[0029]

【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to only these examples.

【0030】(実施例1)ガラス原盤上にキノンジアジ
ド系のフォトレジスト(東京応化工業株式会社製、商品
名「TSMR−8900」)をエチルセロソルブアセテ
ートで希釈し、200ミリ型のガラス原盤上にスピンコ
ート後、95℃で15分ベークして膜厚150nmのフ
ォトレジスト層を有するフォトレジスト原盤を作成し
た。そのフォトレジスト原盤のフォトレジスト層表面に
光記録媒体用に変調され、対物レンズにより集光された
Arレーザ光(波長457.9nm)を照射し潜像を形
成した後、図5に示す一連の処理により、フォトレジス
ト層の表面に凹凸パターンを形成した。
(Example 1) A quinonediazide-based photoresist (trade name "TSMR-8900", manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was diluted on a glass master with ethyl cellosolve acetate, and spun on a 200 mm glass master. After coating, the substrate was baked at 95 ° C. for 15 minutes to prepare a photoresist master having a photoresist layer with a thickness of 150 nm. After irradiating the surface of the photoresist layer of the photoresist master with Ar laser light (wavelength 457.9 nm) modulated for an optical recording medium and focused by an objective lens to form a latent image, a series of images shown in FIG. By the treatment, an uneven pattern was formed on the surface of the photoresist layer.

【0031】表面難溶化工程として、前記により潜像が
形成されたフォトレジスト原盤を、フォトレジスト層の
表面を水平に保った状態で回転(150rpm)させな
がら、アルカリ現像剤(シプレーファーイスト社製、商
品名「マイクロポジットデベロッパー」)を水で希釈し
て、規定度0.018〜0.03Nとしたアルカリ現像
液を50〜400秒間フォトレジスト層の表面の中心部
に滴下して(350cm3/min)、フォトレジスト
層の表面に流すことにより、フォトレジスト層の表面を
アルカリ現像液により処理した。次いで、パターン形成
工程として、前記と同じ現像剤を水で希釈して規定度
0.12〜0.2Nとしたアルカリ現像液を60〜10
0秒間、前記と同様に滴下してフォトレジスト層の表面
に流し、フォトレジストを溶解させパターン形成を行
い、水洗乾燥工程として、100rpmで回転させなが
ら1500cm3/minの流量で純水を500秒流
し、次いで2kg/cm2の窒素を300秒吹き付ける
ことでレジストの乾燥を行いレジストパターンを形成し
た。
As a surface insolubilization step, an alkaline developer (manufactured by Shipley Farist Co., Ltd.) is used while rotating the photoresist master on which the latent image has been formed by keeping the surface of the photoresist layer horizontal (150 rpm). , A brand name “Microposit Developer”) diluted with water, and an alkali developing solution having a normality of 0.018 to 0.03 N was dropped at the center of the surface of the photoresist layer for 50 to 400 seconds (350 cm 3). / Min), and the surface of the photoresist layer was treated with an alkaline developer by flowing over the surface of the photoresist layer. Next, as a pattern forming step, the same developer as described above was diluted with water to an alkali developing solution having a normality of 0.12 to 0.2 N, and the alkaline developing solution was used for 60 to 10 N.
In the same manner as above, the photoresist was dropped and flowed over the surface of the photoresist layer to dissolve the photoresist to form a pattern. As a washing and drying step, pure water was supplied at a flow rate of 1500 cm 3 / min for 500 seconds while rotating at 100 rpm. Then, the resist was dried by blowing nitrogen of 2 kg / cm 2 for 300 seconds to form a resist pattern.

【0032】表面難溶化工程及びパターン形成工程の処
理条件と、形成されたレジストパターンの矩形性及びレ
ジスト表面の現像しみの有無を表1に示す。ここで、表
1における矩形性における◎、○、△、×と、現像しみ
における○、×について説明する。矩形性は、SEM
(走査型電子顕微鏡)で評価し、レジスト層厚さ中間位
置のパターン斜面角度を測定した。その結果、矩形性を
分類するために、◎、○、△、×の順でそれぞれ、50
°以上、45°以上50°未満、40°以上45°未
満、40°未満でとした。但し、この数字はレジスト膜
厚や矩形性評価方法により変わるため、数値の絶対値は
意味を持たず、あくまでも各処理方法の相対比較であ
る。また、現像しみの評価は、パターン形成工程後のフ
ォトレジスト原盤をハロゲン光源ランプによる目視観察
により行った。現像しみは、ハロゲン光源ランプによる
目視観察で表面の白濁として観察され、○は現像しみが
観察されないもの、×は現像しみが観察されるものと分
類した。
Table 1 shows the processing conditions of the surface insolubilizing step and the pattern forming step, the rectangularity of the formed resist pattern, and the presence or absence of development of the resist surface. Here, ◎, △, Δ, and × in the rectangularity in Table 1 and 、 and × in the development stain will be described. Rectangularity is SEM
(Scanning electron microscope), and the pattern slope angle at the intermediate position of the resist layer thickness was measured. As a result, in order to classify the rectangularity, 50, respectively, in the order of △, ○, Δ, ×
° or more, 45 ° or more and less than 50 °, 40 ° or more and less than 45 °, or less than 40 °. However, since this number changes depending on the resist film thickness and the rectangularity evaluation method, the absolute value of the numerical value has no meaning and is a relative comparison of each processing method. The evaluation of the development stain was performed by visually observing the photoresist master after the pattern forming step using a halogen light source lamp. Developing stains were observed as white turbidity on the surface by visual observation with a halogen light source lamp, and ○ was classified into those where no developing stains were observed and × were classified as those where developing stains were observed.

【0033】表1より、パターン形成の前に、0.01
8〜0.03Nの非常に低濃度のアルカリ現像液を用い
てレジスト層の表面を難溶化することにより、得られる
レジストパターンの矩形性が向上することが分かる。特
に、レジスト層表面の難溶化を長時間(300〜400
秒)行い、引き続き、低濃度のアルカリ現像液を用いて
長時間(50〜100秒)の現像(パターン形成)を行
うことにより、矩形性が著しく向上することが認められ
た。
As shown in Table 1, before pattern formation, 0.01
It can be seen that by making the surface of the resist layer hardly soluble using an alkaline developer having a very low concentration of 8 to 0.03 N, the rectangularity of the obtained resist pattern is improved. In particular, the insolubilization of the resist layer surface is performed for a long time (300 to 400
Sec), and then performing long-term (50-100 seconds) development (pattern formation) using a low-concentration alkaline developer, it was recognized that the rectangularity was significantly improved.

【0034】また、表面難溶化工程とパターン形成工程
との間に水洗・乾燥工程を設けず、途中でフォトレジス
ト表面を乾燥させないため、現像むら、現像しみの発生
を抑制することができた。
Further, since a washing and drying step is not provided between the surface insolubilizing step and the pattern forming step, and the photoresist surface is not dried on the way, it is possible to suppress the occurrence of uneven development and development stain.

【0035】こうして得られた凹凸パターンの形成され
たフォトレジスト層の表面に、スパッタ法によりニッケ
ル薄膜を形成し、このニッケル薄膜を電極として電鋳を
行い、得られた電鋳層をフォトレジスト原盤より剥離し
て光記録媒体用スタンパを作製した。得られた光記録媒
体用のスタンパはトラッキング特性、C/N、ジッター
特性等非常に優れたものであった。
A nickel thin film is formed by sputtering on the surface of the photoresist layer on which the thus obtained uneven pattern has been formed, and electroforming is performed using the nickel thin film as an electrode. The optical recording medium was further peeled off to produce a stamper for an optical recording medium. The obtained stamper for an optical recording medium was very excellent in tracking characteristics, C / N, jitter characteristics, and the like.

【0036】[0036]

【表1】 (比較例1)図1に示すように、表面難溶化工程を設け
ず、フォトレジスト表面に対するアルカリ現像液の濡れ
性向上のための前水洗工程として、純水による水洗を7
秒間行ったこと以外は、実施例1と同様にしてフォトレ
ジスト原盤のパターン形成を行い、光記録媒体用のスタ
ンパを作製した。
[Table 1] (Comparative Example 1) As shown in FIG. 1, a water-insoluble step was not provided, and as a pre-water-washing step for improving the wettability of the alkali developing solution to the photoresist surface, water washing with pure water was performed.
A pattern of a photoresist master was formed in the same manner as in Example 1 except that the stamping was performed for seconds, and a stamper for an optical recording medium was manufactured.

【0037】前水洗工程及びパターン形成工程の処理条
件と、形成されたレジストパターンの矩形性及びレジス
ト表面の現像しみの有無を表1に示すが、得られたレジ
ストパターンの矩形性は十分なものではなかった。
Table 1 shows the processing conditions of the pre-washing step and the pattern forming step, the rectangularity of the formed resist pattern, and the presence or absence of development on the resist surface. The rectangularity of the obtained resist pattern is sufficient. Was not.

【0038】(比較例2)図3に示すような一連の工程
で、同じ濃度のアルカリ現像液を用いて2段階の現像処
理を行ったこと以外は、実施例1と同様にしてフォトレ
ジスト原盤のパターン形成を行い、光記録媒体用のスタ
ンパを作製した。なお、現像処理は0.096Nと0.
12Nのアルカリ現像液を用い、第1段現像工程の現像
時間を3秒、第2段現像工程の現像時間を40秒とし
た。また、第1段現像工程と第2段現像工程との間に、
100rpmで回転させながら1500cm3/min
の流量で500秒純水を流し、次いで2kg/cm2
窒素を300秒吹き付けることでレジストの乾燥を行う
水洗乾燥工程を設けた。
(Comparative Example 2) A photoresist master was used in the same manner as in Example 1 except that a two-step development process was performed using an alkaline developer having the same concentration in a series of steps as shown in FIG. Was formed to produce a stamper for an optical recording medium. The development process was 0.096N and 0.1.
Using a 12N alkaline developer, the development time in the first stage development step was 3 seconds, and the development time in the second stage development step was 40 seconds. Further, between the first-stage development step and the second-stage development step,
1500 cm 3 / min while rotating at 100 rpm
Rinsing was performed by flowing pure water at a flow rate of 500 seconds for 500 seconds and then spraying nitrogen of 2 kg / cm 2 for 300 seconds to dry the resist.

【0039】第1段現像工程及び第2段現像工程の処理
条件と、形成されたレジストパターンの矩形性及びレジ
スト表面の現像しみの有無を表1に示す。表1に示すよ
うに、同一濃度のアルカリ現像液で2段階の現像を行っ
た結果では、得られるレジストパターンの矩形性は向上
したものの、第1段現像の後に水洗乾燥工程を導入した
ため第2段現像後に現像しみが発生した。
Table 1 shows the processing conditions of the first-stage development step and the second-stage development step, the rectangularity of the formed resist pattern, and the presence or absence of development of the resist surface. As shown in Table 1, the results of the two-stage development with the same concentration of the alkali developing solution showed that although the rectangular pattern of the obtained resist pattern was improved, the washing and drying steps were introduced after the first stage development, so that the second stage was carried out. Development staining occurred after step development.

【0040】[0040]

【発明の効果】レーザー光の露光により所定パターンの
潜像が形成されたポジ型フォトレジスト層の表面を低濃
度のアルカリ現像液で処理することにより、フォトレジ
スト層の表面を難溶化した後、さらにアルカリ現像液で
現像してパターン形成を行うことにより、従来の現像方
法よりも矩形性の向上したレジストパターンが得られ、
かつ現像むら、現像しみのないレジストパターンが得ら
れ、凹凸パターンの矩形性の優れた光記録媒体用基板を
製造することが可能な光記録媒体用スタンパを得ること
ができる。
According to the present invention, the surface of the positive photoresist layer on which a latent image having a predetermined pattern is formed by exposure to laser light is treated with a low-concentration alkali developing solution to make the surface of the photoresist layer hardly soluble. Furthermore, by performing pattern formation by developing with an alkaline developer, a resist pattern with improved rectangularity compared to the conventional developing method is obtained,
In addition, it is possible to obtain a resist pattern free from uneven development and development stains, and to obtain an optical recording medium stamper capable of manufacturing an optical recording medium substrate having excellent rectangularity of a concavo-convex pattern.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の現像方法の処理を示すフローチャートで
ある。
FIG. 1 is a flowchart showing processing of a conventional developing method.

【図2】従来の現像方法により形成されるフォトレジス
トパターンを示す模式図である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a photoresist pattern formed by a conventional developing method.

【図3】従来の2段階の現像方法の処理を示すフローチ
ャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing processing of a conventional two-stage developing method.

【図4】2段階の現像方法により形成されるフォトレジ
ストパターンを示す模式図である。
FIG. 4 is a schematic view showing a photoresist pattern formed by a two-stage developing method.

【図5】本発明における処理の一例を示すフローチャー
トである。
FIG. 5 is a flowchart illustrating an example of a process according to the present invention.

【図6】本発明のパターン形成方法により形成されるフ
ォトレジストパターンを示す模式図である。
FIG. 6 is a schematic view showing a photoresist pattern formed by the pattern forming method of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ガラス原盤 2…フォトレジスト塗布原盤 3…潜像を形成した露光後の原盤 4…水洗工程後の原盤 4A…第1段現像工程後の原盤 4B…2回目の水洗乾燥工程後の原盤 4C…表面難溶化後の原盤 5…パターン形成後の原盤 6…最終水洗乾燥後の原盤 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass master 2 ... Photoresist coating master 3 ... Master after exposure which formed a latent image 4 ... Master after washing process 4A ... Master after first-stage development process 4B ... Master after second washing and drying process 4C … Master after surface insolubilization 5… master after pattern formation 6… master after final washing and drying

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 原盤上にポジ型のフォトレジスト層を形
成する工程と、形成されたフォトレジスト層に、レーザ
ー光により所定のパターンを露光して露光部を形成する
工程と、前記フォトレジスト層に形成された露光部をア
ルカリ現像液により除去して凹凸パターンを形成するパ
ターン形成工程を有する光記録媒体用スタンパの製造方
法において、前記フォトレジスト層の露光後、パターン
形成工程の前に、パターン形成工程で用いるアルカリ現
像液よりも低濃度のアルカリ現像液で前記フォトレジス
ト層の表面を処理することを特徴とする光記録媒体用ス
タンパの製造方法。
1. A step of forming a positive photoresist layer on a master, a step of exposing the formed photoresist layer to a predetermined pattern by laser light to form an exposed portion, and In a method for manufacturing an optical recording medium stamper having a pattern forming step of forming a concavo-convex pattern by removing an exposed portion formed by an alkali developing solution, after exposing the photoresist layer and before the pattern forming step, A method of manufacturing a stamper for an optical recording medium, comprising treating the surface of the photoresist layer with an alkali developing solution having a lower concentration than an alkali developing solution used in the forming step.
【請求項2】 パターン形成工程で用いるアルカリ現像
液よりも低濃度のアルカリ現像液で行うフォトレジスト
層表面の処理に用いるアルカリ現像液の規定度が0.0
1N以上0.03N以下であることを特徴とする請求項
1記載の光記録媒体用スタンパの製造方法。
2. The normality of an alkali developing solution used for treating the surface of a photoresist layer to be performed with an alkali developing solution having a lower concentration than an alkali developing solution used in a pattern forming step is 0.0
2. The method of manufacturing a stamper for an optical recording medium according to claim 1, wherein the stamper is 1N or more and 0.03N or less.
【請求項3】 パターン形成工程で用いるアルカリ現像
液よりも低濃度のアルカリ現像液で行うフォトレジスト
層表面の処理の処理時間が30秒以上400秒以下であ
ることを特徴とする請求項2記載の光記録媒体用スタン
パの製造方法。
3. The processing time of the surface treatment of the photoresist layer performed with an alkali developing solution having a lower concentration than the alkali developing solution used in the pattern forming step is 30 seconds or more and 400 seconds or less. Of manufacturing a stamper for an optical recording medium.
【請求項4】 パターン形成工程で用いるアルカリ現像
液よりも低濃度のアルカリ現像液で行うフォトレジスト
層表面の処理に用いるアルカリ現像液が、前記パターン
形成工程で用いるアルカリ現像液とは種類の異なるアル
カリ現像液であることを特徴とする請求項1〜3のいず
れか1項に記載の光記録媒体用スタンパの製造方法。
4. An alkali developing solution used for treating the surface of the photoresist layer with an alkali developing solution having a lower concentration than the alkali developing solution used in the pattern forming step is different from the alkali developing solution used in the pattern forming step. The method for producing a stamper for an optical recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the stamper is an alkaline developer.
【請求項5】 パターン形成工程で用いるアルカリ現像
液よりも低濃度のアルカリ現像液で行うフォトレジスト
層表面の処理とパターン形成工程との間に、水洗工程や
乾燥工程を有さず、前記処理とパターン形成工程とを連
続して行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1
項に記載の光記録媒体用スタンパの製造方法。
5. The method according to claim 1, wherein there is no washing step or drying step between the patterning step and the processing of the photoresist layer surface performed with an alkali developing solution having a lower concentration than the alkali developing solution used in the pattern forming step. 5. The method according to claim 1, wherein the step of performing the step is performed continuously.
Item 13. The method for producing a stamper for an optical recording medium according to Item 1.
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