JP2002371124A - Method for producing electroconductive polymer - Google Patents

Method for producing electroconductive polymer

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JP2002371124A
JP2002371124A JP2001181909A JP2001181909A JP2002371124A JP 2002371124 A JP2002371124 A JP 2002371124A JP 2001181909 A JP2001181909 A JP 2001181909A JP 2001181909 A JP2001181909 A JP 2001181909A JP 2002371124 A JP2002371124 A JP 2002371124A
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JP
Japan
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laser
producing
polymer
conductive polymer
precursor polymer
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Application number
JP2001181909A
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Japanese (ja)
Inventor
Ryuichiro Takasaki
龍一郎 高崎
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Publication date
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  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an excellent method for producing at a low cost a transparent electroconductive material having excellent electroconductivity, transparency and stability, and suitable for an electronic circuit of a display. SOLUTION: A conjugated double bond is formed by an elimination reaction of a precursor polymer having a leaving group. The elimination reaction is started by a laser in the method for producing the electroconductive polymer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子、プ
ラズマディスプレー、有機EL等のディスプレーに好適
な透明な導電性回路を形成するのに適した導電性高分子
の製造方法に関わるものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a conductive polymer suitable for forming a transparent conductive circuit suitable for a display such as a liquid crystal display device, a plasma display and an organic EL. .

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示素子、プラズマディスプレー、
有機EL等のディスプレーは、個々の画素を電気的に駆
動し、各画素において光のオン−オフを行うことで画像
表示を行っている。駆動方法はアクティブマトリック
ス、パッシブマトリックス等、種々のものが知られてい
るが、何れにしても駆動を行うためには、各画素におい
て電圧又は電流を制御する必要があり、そのための回路
構築が必須である。この回路には表示を損なわない透明
導電性材料が使用される。透明導電性材料としては、I
TOが最もよく知られ、主に使用されてきた。ITO
は、主に、スパッタリングにて基板上にITO膜として
形成され、感光性樹脂を用いたリソグラフィーにより回
路状に加工される。スパッタリングは真空プロセスであ
るため、生産性が低く、それ故、高コストである。同様
に、リソグラフィーも、高価な感光樹脂を使用し、工程
数が多いプロセスであり高コストであると同時に、プロ
セス中に用いられる感光樹脂、現像液、エッチング液な
どから多くの廃液が出されるため環境負荷も大きい。さ
らに、ITOには希少金属であるインジウムが使用され
るが、インジウムは低クラーク数であり、資源の欠乏の
恐れがある。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices, plasma displays,
A display such as an organic EL displays an image by electrically driving individual pixels and turning on and off light in each pixel. Various driving methods are known, such as an active matrix and a passive matrix. In any case, in order to perform driving, it is necessary to control a voltage or a current in each pixel, and it is necessary to construct a circuit for that. It is. In this circuit, a transparent conductive material that does not impair the display is used. As the transparent conductive material, I
TO is best known and has been used primarily. ITO
Is mainly formed as an ITO film on a substrate by sputtering, and is processed into a circuit by lithography using a photosensitive resin. Because sputtering is a vacuum process, it has low productivity and is therefore expensive. Similarly, lithography also uses expensive photosensitive resin, is a process with a large number of steps, and is expensive. The environmental load is also large. Furthermore, indium, which is a rare metal, is used for ITO, but indium has a low Clark number, and there is a risk of resource shortage.

【0003】情報化社会において、マン−マシン・イン
ターフェースとなるディスプレーの果たす役割は非常に
大きく、今後ともその重要性は高まると考えられてい
る。このため、低コストで環境負荷の少ないITO代替
の材料とその製造方法の開発が強く求められている。
[0003] In the information-oriented society, the display serving as a man-machine interface plays an extremely important role, and it is considered that its importance will increase in the future. For this reason, there is a strong demand for the development of a low-cost, low-impact alternative to ITO and a method of manufacturing the same.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】導電性高分子は、IT
O代替材料として有望である。しかしながら、従来の導
電性高分子の製法では、実用的な導電性、透明性、安定
性、作業性等を同時に満たすことはできなかった。本発
明はかかる事情に基づいてなされたものであり、低コス
トで導電性、透明性、安定性に優れたディスプレーの電
子回路に好適な透明導電性材料の優れた製法を提供する
ことを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION Conducting polymers are IT
It is promising as an O substitute material. However, conventional methods for producing a conductive polymer cannot simultaneously satisfy practical conductivity, transparency, stability, workability, and the like. The present invention has been made based on such circumstances, and has an object to provide an excellent method for producing a transparent conductive material suitable for an electronic circuit of a display that is low in cost, and has excellent conductivity, transparency, and stability. Is what you do.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意検討した
結果、脱離基を有する前駆体高分子の脱離反応により共
役二重結合を生成させる導電性高分子の製造方法におい
て、脱離反応をレーザーにより開始させることにより課
題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies, the present inventor has found that in a method for producing a conductive polymer in which a conjugated double bond is generated by an elimination reaction of a precursor polymer having an elimination group, an elimination reaction is performed. It has been found that the problem can be solved by starting with a laser, and the present invention has been completed.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
脱離基を有する前駆体高分子は、脱離反能により共役二
重結合を生成して導電性高分子を形成するものであれ
ば、特に限定されず、米国特許第3706677号明細
書記載の高分子等の脱離反応が熱により開始されるもの
でよい。好ましい前駆体高分子の一般的化学構造は下記
一般式(I)で示される。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The precursor polymer having a leaving group is not particularly limited as long as it forms a conductive polymer by forming a conjugated double bond by a leaving reaction, and the polymer described in US Pat. No. 3,706,677 is used. , Etc., may be initiated by heat. The general chemical structure of a preferred precursor polymer is represented by the following general formula (I).

【0007】[0007]

【化1】 ここで、Arはフェニレン、ナフチレン等の芳香環、又
はヘテロ芳香環であり、これらは環上に置換基を有して
もよく、Lはレーザー光により水素と共に脱離する置換
基である。重合度のnは通常、5〜100000、好ま
しくは10〜50000の範囲である。重合度が低いと
導電性が低くなりやすく、高すぎると溶剤への溶解性で
問題を生じやすく作業性に劣る傾向がある。より好まし
い前駆体高分子の例(a)〜(d)を、各々の脱離反応
の式と共に次に示す。これらの前駆体高分子は脱離反応
前には電気的に絶縁性で、溶剤に可溶の性質を示し、脱
離反応により共役構造をとることにより、導電性が向上
し、溶剤には不溶へと変化する。
Embedded image Here, Ar is an aromatic ring such as phenylene or naphthylene, or a heteroaromatic ring, and these may have a substituent on the ring, and L is a substituent which is eliminated together with hydrogen by laser light. The polymerization degree n is usually in the range of 5 to 100,000, preferably 10 to 50,000. If the degree of polymerization is low, the conductivity tends to be low, and if it is too high, problems tend to occur due to solubility in a solvent, and workability tends to be poor. Examples (a) to (d) of more preferred precursor polymers are shown below together with the equations of the respective elimination reactions. These precursor polymers are electrically insulative and soluble in solvents before the elimination reaction, and have a conjugated structure by the elimination reaction to improve conductivity and become insoluble in the solvent. And change.

【0008】[0008]

【化2】 Embedded image

【0009】[0009]

【化3】 なお、Rはメチル、エチル、プロピル等の置換されてい
てもよいアルキル基、またはフェニル、ナフチル等の置
換されていてもよいアリール基、X-はCl-、Br-
-、PF6 -等の、対アニオン残基を示し、nは前記一
般式(I)と同じである。以上挙げた導電性高分子のな
かでも、オニウム塩構造が脱離基となるものがフィルム
形成性に優れるため好ましく、さらに上記(a)のよう
なスルホニウム塩のものが好ましい。
Embedded image R is an optionally substituted alkyl group such as methyl, ethyl, propyl or the like; or an optionally substituted aryl group such as phenyl or naphthyl; X is Cl , Br ,
I -, PF 6 -, such as, represents a counter anion residue, n represents the same as the general formula (I). Among the above-mentioned conductive polymers, those having an onium salt structure as a leaving group are preferred because of their excellent film-forming properties, and more preferred are the sulfonium salts as described in (a) above.

【0010】また、オニウム塩構造の前駆体高分子は芳
香環またはビニル構造部に種々の置換基、例えば、アル
キル基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン、シリル基
等を付与することもできる。さらに、芳香環はヘテロ芳
香環でもよい。具体的に示すならば、例えば下記構造の
化合物を挙げることができる。
[0010] The precursor polymer having an onium salt structure may have various substituents, for example, an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group, a halogen, a silyl group, etc., added to the aromatic ring or the vinyl structure. Further, the aromatic ring may be a heteroaromatic ring. If specifically shown, for example, a compound having the following structure can be mentioned.

【0011】[0011]

【化4】 Embedded image

【0012】[0012]

【化5】 Embedded image

【0013】[0013]

【化6】 Embedded image

【0014】[0014]

【化7】 Embedded image

【0015】[0015]

【化8】 Embedded image

【0016】以上に例示した前駆体高分子を用いて導電
性高分子を製造するのに適した方法を、以下説明する。
前駆体高分子は、通常、溶剤に溶解させ、基板上に塗布
される。溶剤としては、前駆体高分子の種類、導電性高
分子の用途などに応じて、水、メタノール、エタノー
ル、DMF、THF、DMSO、N−メチルピロリド
ン、アセトン等を適宜、選択して使用することができ
る。これらの溶剤は2種以上混合して用いてもよい。溶
剤中には、アニオン性、カチオン性、ノニオン性の界面
活性剤を溶解性向上のために用いることもでき、さら
に、導電性を向上させるためのドーパントや、レーザー
光を吸収し熱に変換するための光熱変換物質の併用も可
能である。
A method suitable for producing a conductive polymer using the precursor polymer exemplified above will be described below.
The precursor polymer is usually dissolved in a solvent and applied on a substrate. As the solvent, water, methanol, ethanol, DMF, THF, DMSO, N-methylpyrrolidone, acetone, or the like may be appropriately selected and used depending on the type of the precursor polymer, the use of the conductive polymer, and the like. it can. These solvents may be used as a mixture of two or more kinds. In the solvent, anionic, cationic, nonionic surfactants can also be used for improving the solubility, and further, a dopant for improving conductivity, or absorbing laser light and converting it to heat. It is also possible to use a light-to-heat conversion material in combination.

【0017】上記ドーパントとしては、例えば、p−ト
ルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、アントラキノ
ンスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸、等のスルホン
酸並びにそのアルカリ金属塩、AsF5、SbF5等のフ
ッ化金属、PF6 -、ClO4 -等のアニオン、Na、K、
等のアルカリ金属、I2、Br2等のハロゲン、TCNQ
等の電荷移動性有機化合物等を挙げることができる。ド
ーパントを用いる場合の使用量は、導電性高分子の共役
系1ユニット(二重結合1つ)に対して0.01〜0.
3モルが好ましい。使用量が少なすぎると効果が十分得
られず、多すぎても導電性向上に寄与しない。
[0017] As the dopant, for example, p- toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, anthraquinone sulfonic acid, naphthalene disulfonic acid, sulfonic acid and its alkali metal salts and the like, AsF 5, SbF 5 fluoride such as metal, PF 6 -, ClO 4 - and the like anions, Na, K,
Alkali metal etc., halogens such as I 2, Br 2, TCNQ
And the like. When the dopant is used, the amount of the dopant is 0.01 to 0.1 to 1 unit (one double bond) of the conjugated system of the conductive polymer.
3 moles are preferred. If the amount is too small, the effect cannot be sufficiently obtained, and if it is too large, it does not contribute to improvement in conductivity.

【0018】上記レーザーに対する光熱変換物質の使用
は、基板並びに前駆体高分子がレーザー光を吸収せず、
十分な熱の発生が得られない場合に特に有効である。具
体的なものとして、カーボンブラック、チタンブラッ
ク、鉄黒等の無機顔料、アゾ染料、金属錯塩アゾ染料、
フタロシアニン染料、シアニン染料、アントラキノン染
料、スクアリリウム染料、ピリリウム染料等の有機色素
を挙げることができる。光熱変換物質を用いる場合の使
用量は、前駆体高分子100重量部に対して0.1〜3
0重量部が好ましい。使用量が少なすぎても十分な効果
が得られず、多すぎても、透明性が失われやすい。溶剤
中の前駆体高分子の固形分濃度は添加剤を含めて0.0
1〜30wt%の範囲がよく、好ましくは0.05〜2
5wt%の範囲である。低濃度すぎると導電性が劣り、
逆に高濃度すぎると透明性の点で問題を生じやすい。
The use of the photothermal conversion material for the laser is such that the substrate and the precursor polymer do not absorb the laser light,
This is particularly effective when sufficient heat generation cannot be obtained. Specific examples include carbon black, titanium black, iron black and other inorganic pigments, azo dyes, metal complex salt azo dyes,
Organic dyes such as phthalocyanine dyes, cyanine dyes, anthraquinone dyes, squarylium dyes and pyrylium dyes can be mentioned. When the light-to-heat conversion material is used, the amount used is 0.1 to 3 with respect to 100 parts by weight of the precursor polymer.
0 parts by weight is preferred. If the amount is too small, a sufficient effect cannot be obtained, and if it is too large, transparency tends to be lost. The solid content concentration of the precursor polymer in the solvent is 0.0
The content is preferably in the range of 1 to 30% by weight, preferably 0.05 to 2%.
The range is 5 wt%. If the concentration is too low, the conductivity is poor,
Conversely, if the concentration is too high, problems tend to occur in terms of transparency.

【0019】本発明の導電性高分子は一般に透明である
ため、基板も透明基板の使用が好ましい。透明基板とし
てはガラス、プラスチックが好ましく、これらの例とし
ては石英ガラス、無アルカリガラス、アルカリガラス等
のガラス、PET、ポリカーボネート、ポリエーテルス
ルホン、アクリル樹脂等のプラスチック基板を挙げるこ
とができる。プラスチック基板を用いる場合にはSiO
2等の酸素遮断膜が薄く表面に形成されているものが好
ましい。
Since the conductive polymer of the present invention is generally transparent, it is preferable to use a transparent substrate as the substrate. The transparent substrate is preferably glass or plastic, and examples thereof include quartz glass, alkali-free glass, glass such as alkali glass, and plastic substrates such as PET, polycarbonate, polyether sulfone, and acrylic resin. When using a plastic substrate, use SiO
It is preferable that an oxygen barrier film such as 2 is formed thinly on the surface.

【0020】これらの基板に前駆体高分子溶液をスピン
コーター、スプレーコーター、カータンコーター、ロー
ルコーター、ブレードコーター、ロッドコーター、トラ
ンスファーロールコーター、ディップコーター、キスロ
ールコーター、グラビアコーター、ナイフコーター等公
知の塗布手段により塗布する。塗布後、溶剤を除去する
ため乾燥を行うことが好ましい。乾燥方法としては特に
制限は無いが、例えば、コンベクションオーブン、ホッ
トプレート、熱風交流式乾燥機等を挙げることができ
る。乾燥温度は、通常、40〜150℃、好ましくは、
50〜100℃ である。乾燥温度が低すぎると溶剤の
除去が十分でなくなり、高い導電率を得にくく、逆に高
いと脱離反応が進み、回路形成加工に問題を生じる場合
がある。乾燥時間は乾燥方法により大きく変わるが、一
般に20秒〜60分の範囲である。なお、乾燥後の好ま
しい膜厚は50nm〜20ミクロンの範囲である。
A known polymer coating solution such as a spin coater, a spray coater, a carton coater, a roll coater, a blade coater, a rod coater, a transfer roll coater, a dip coater, a kiss roll coater, a gravure coater, and a knife coater is applied to these substrates. Apply by means. After application, drying is preferably performed to remove the solvent. The drying method is not particularly limited, and examples thereof include a convection oven, a hot plate, and a hot-air alternating-current dryer. The drying temperature is usually 40 to 150 ° C., preferably,
50-100 ° C. If the drying temperature is too low, the solvent is not sufficiently removed, and it is difficult to obtain a high conductivity. On the other hand, if the drying temperature is too high, a desorption reaction proceeds, which may cause a problem in circuit formation processing. The drying time varies greatly depending on the drying method, but generally ranges from 20 seconds to 60 minutes. The preferred thickness after drying is in the range of 50 nm to 20 microns.

【0021】次いで、得られた前駆体高分子を含む膜に
対して、レーザーを照射する。レーザー光としては前駆
体高分子膜中あるいは透明基板表面において光が熱に変
換されるレーザーが適しており、例えば、半導体レーザ
ー、YAGレーザー、Arイオンレーザー、炭酸ガスレ
ーザー、He−ネオンレーザー、ルビーレーザー、色素
レーザー、KrFレーザー、チタンサファイヤレーザー
等を挙げることができる。好ましいレーザー光の波長
は、光/熱変換の効率が高い点で赤外光領域が好ましい
ものであり、具体的には600〜1500nmが好適で
ある。短波長であると光熱変換効率が低下しやすく、逆
に、長波長であるとビームを絞ることが困難となり、精
緻なパターン描写が困難となる。
Next, the obtained film containing the precursor polymer is irradiated with a laser. As the laser light, a laser in which light is converted into heat in the precursor polymer film or on the surface of the transparent substrate is suitable. For example, a semiconductor laser, a YAG laser, an Ar ion laser, a carbon dioxide laser, a He-neon laser, a ruby laser , A dye laser, a KrF laser, a titanium sapphire laser and the like. The wavelength of the laser beam is preferably in the infrared region in terms of high light / heat conversion efficiency, and specifically, 600 to 1500 nm. If the wavelength is short, the light-to-heat conversion efficiency tends to decrease. Conversely, if the wavelength is long, it is difficult to narrow the beam, and it is difficult to draw a precise pattern.

【0022】レーザー光はマスクを通して画像様に前駆
体高分子膜を照射してもよいが、ビームを絞り走査する
ことで、直接、前駆体高分子膜を照射する方が工程数も
少なく好ましい。特に回路に関するデータをコンピュー
ターで変換、制御し、ラスター方式により画像様に、直
接、照射するのが好ましい。このため、レーザー光は連
続発振式(CW)のものが好ましく、高出力、高安定性
のものが好ましい。さらに、低コスト化を図る上で、レ
ーザー自体も安価なものが好ましく、レーザーとして半
導体レーザー、YAGレーザーが最も好ましい。
The laser beam may be applied to the precursor polymer film imagewise through a mask, but it is preferable to directly irradiate the precursor polymer film by squeezing and scanning the beam because the number of steps is small. In particular, it is preferable that the data concerning the circuit is converted and controlled by a computer, and the image is directly irradiated like a picture by a raster method. For this reason, the laser beam is preferably of a continuous oscillation type (CW), and preferably of high output and high stability. Further, in order to reduce the cost, the laser itself is preferably inexpensive, and a semiconductor laser and a YAG laser are most preferable as the laser.

【0023】レーザーを露光することにより、レーザー
照射された前駆体高分子膜では脱離反応が起こり共役構
造が生成して導電率が向上し、導電性高分子が得られ
る。さらに、通常、導電性高分子部分はオニウム塩構造
などの脱離基が脱離するため、溶剤に対する溶解性が低
下する。前駆体高分子を溶解させる能力のある溶剤によ
り処理することで所望の導電性パターンを形成すること
ができる。パターンを回路状とすることにより、透明な
導電性回路を得ることも可能である。前駆体高分子は上
述の様に熱によって脱離反応を生じるため、導電性部分
以外に残った前駆体高分子は除去することが好ましい。
除去に用いる溶剤は塗布に例示したものと同じものを使
用することができる。同じ溶剤の使用により、除去した
前駆体高分子を再生、リサイクルすることが可能とな
る。除去方法としてはスプレー、ディップ方式等の通
常、感光性樹脂の現像操作で行われる方式と同じ方式を
採用することができる。溶剤による処理時間は1〜90
秒、温度は15〜35℃の範囲が好適である。
By exposing the laser, the precursor polymer film irradiated with the laser undergoes an elimination reaction to form a conjugated structure, thereby improving the conductivity and obtaining a conductive polymer. Furthermore, since the leaving group such as an onium salt structure is usually eliminated from the conductive polymer portion, the solubility in a solvent is reduced. By treating with a solvent capable of dissolving the precursor polymer, a desired conductive pattern can be formed. By forming the pattern into a circuit, a transparent conductive circuit can be obtained. Since the precursor polymer undergoes an elimination reaction due to heat as described above, it is preferable to remove the precursor polymer remaining in portions other than the conductive portion.
As the solvent used for removal, the same solvents as those exemplified for the coating can be used. By using the same solvent, the removed precursor polymer can be regenerated and recycled. As a removing method, the same method as a method usually performed in a developing operation of a photosensitive resin, such as a spraying method and a dipping method, can be adopted. Solvent treatment time is 1 to 90
The second and the temperature are preferably in the range of 15 to 35 ° C.

【0024】導電性高分子形成後、ポストベーク処理に
より導電性をさらに向上できる場合があるのでポストベ
ーク処理は好ましい。ポストベーク処理は、温度100
〜300℃が好ましく、処理時間は、通常、10秒〜6
0分である。以下、実施例により本発明をさらに詳述す
るが、本発明はその要旨を外れない限り、実施例に限定
されるものではない。
After the formation of the conductive polymer, the post-bake treatment is preferable because the post-bake treatment may further improve the conductivity. Post bake treatment is performed at a temperature of 100.
To 300 ° C., and the treatment time is usually 10 seconds to 6 seconds.
0 minutes. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the examples unless departing from the gist thereof.

【0025】[0025]

【実施例】式(s−1)の前駆体高分子を1wt%の濃
度で含有するメタノール溶液を、表面がSiO2 で処理
された厚さ0.4mmのプラスチック基板にワイヤーバ
ーで塗布する。これをコンベクションにて50℃、30
秒間間乾燥する。前駆体高分子の乾燥膜厚は約0.2ミ
クロンである。このサンプルを直径10cmのローラに
取り付け、5rpmの回転速度で回しながら、波長83
0nm、出力100mwの半導体レーザーで照射する。
照射サンプルを30℃の水に1分間浸せきし、レーザー
非照射部が除去すると、導電性高分子のパターンが形成
される。
EXAMPLE A methanol solution containing a precursor polymer of the formula (s-1) at a concentration of 1 wt% is applied to a plastic substrate having a surface treated with SiO 2 and having a thickness of 0.4 mm with a wire bar. This is convection at 50 ° C, 30
Dry for seconds. The dry film thickness of the precursor polymer is about 0.2 microns. This sample was attached to a roller having a diameter of 10 cm, and was rotated at a rotation speed of 5 rpm while a wavelength of 83
Irradiation is performed with a semiconductor laser of 0 nm and output of 100 mw.
When the irradiated sample is immersed in water at 30 ° C. for 1 minute, and the laser non-irradiated portion is removed, a conductive polymer pattern is formed.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明によれば、レーザー光により直接
導電性高分子の回路を製造することができる。透明性、
導電性、密着性等の諸特性にも優れるためディスプレー
等の回路形成に大きく貢献することができる。製造工程
を著しく簡素化することも可能であり、将来望まれるペ
ーパーディスプレー等の低コスト化には特に有用であ
る。
According to the present invention, a circuit of a conductive polymer can be directly produced by laser light. transparency,
Since it is excellent in various properties such as conductivity and adhesion, it can greatly contribute to circuit formation such as a display. The manufacturing process can be significantly simplified, and is particularly useful for reducing the cost of a paper display or the like that is desired in the future.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 脱離基を有する前駆体高分子の脱離反応
により、共役二重結合を生成させる導電性高分子の製造
方法において、脱離反応をレーザーにより開始させるこ
とを特徴とする導電性高分子の製造方法。
1. A method for producing a conductive polymer in which a conjugated double bond is generated by an elimination reaction of a precursor polymer having an elimination group, wherein the elimination reaction is started by a laser. A method for producing a polymer.
【請求項2】 オニウム塩構造を有する基が脱離し、共
役二重結合を生成させることを特徴とする請求項1記載
の導電性高分子の製造方法。
2. The method for producing a conductive polymer according to claim 1, wherein the group having an onium salt structure is eliminated to form a conjugated double bond.
【請求項3】 共役二重結合がポリフェニレンビニレン
を基本骨格とすることを特徴とする請求項1または2記
載の導電性高分子の製造方法。
3. The method for producing a conductive polymer according to claim 1, wherein the conjugated double bond has a basic skeleton of polyphenylenevinylene.
【請求項4】 レーザーが600nm〜1500nmの
波長範囲にあることを特徴とする請求項1〜3のいずれ
か記載の導電性高分子の製造方法。
4. The method for producing a conductive polymer according to claim 1, wherein the laser has a wavelength in a range of 600 nm to 1500 nm.
【請求項5】 前駆体高分子を溶剤に溶解させ、基板上
に塗布後、溶剤を除去し、得られた前駆体高分子を含む
膜に対してレーザーを照射し、脱離反応を起こさせるこ
とを特徴とする請求項1〜4のいずれか記載の導電性高
分子の製造方法。
5. A method for dissolving a precursor polymer in a solvent, applying the solution on a substrate, removing the solvent, and irradiating the obtained film containing the precursor polymer with a laser to cause a desorption reaction. A method for producing a conductive polymer according to claim 1.
【請求項6】 請求項1〜5のいずれかに記載の製造方
法で得られた導電性高分子を用いることを特徴とする導
電性回路の形成方法。
6. A method for forming a conductive circuit, comprising using the conductive polymer obtained by the method according to claim 1.
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