JP2002367242A - Stamper for making optical recording medium and method of manufacturing for the same - Google Patents

Stamper for making optical recording medium and method of manufacturing for the same

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JP2002367242A
JP2002367242A JP2001168406A JP2001168406A JP2002367242A JP 2002367242 A JP2002367242 A JP 2002367242A JP 2001168406 A JP2001168406 A JP 2001168406A JP 2001168406 A JP2001168406 A JP 2001168406A JP 2002367242 A JP2002367242 A JP 2002367242A
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JP
Japan
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stamper
optical recording
substrate
pattern
layer
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JP2001168406A
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Japanese (ja)
Inventor
Shin Masuhara
慎 増原
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a stamper for making optical recording media which utilizes a negative type resist permitting the pattern exposure suitable for a higher recording density, eliminates the need for a transfer process step to a stamper for molding and is excellent in productivity. SOLUTION: The stamper for making the optical recording media for producing the optical recording medium having fine rugged patterns is constituted by providing the stamper with a substrate having a smooth main surface and fine rugged pattern layer which is different etching property from the substrate and has the uniform thickness corresponding to the depth of the fine rugged patterns and is subjected to the pattern etching corresponding to the fine rugged patterns on the substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、CD(Compact Di
sc)やDVD(Digital Versatile Disc)、相変化型記
録媒体または光磁気記録媒体などの基板面にピットやグ
ルーブ等の微細凹凸が形成された各種光記録媒体の作製
に用いる光記録媒体作製用スタンパーとその製造方法に
係わる。
The present invention relates to a CD (Compact Diode).
sc), DVD (Digital Versatile Disc), phase change type recording medium, stamper for producing optical recording media used for producing various optical recording media having fine irregularities such as pits and grooves formed on the substrate surface such as magneto-optical recording media And its manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、小径ディスクへの大容量記録やハ
イディフィニション(HD)映像の長時間記録等の需要
が高まり、光ディスク等の光記録媒体において、更なる
高密度化が要求されている。
2. Description of the Related Art In recent years, demands for large-capacity recording on small-diameter discs and long-time recording of high definition (HD) images have been increasing, and optical recording media such as optical discs have been required to have higher densities. .

【0003】基板面にピットやグルーブ等の微細凹凸を
有する光記録媒体の作製は、通常上述の微細凹凸に対応
する反転微細凹凸が形成されたスタンパーを用いて、射
出成型によって、目的とする微細凹凸を有する光記録媒
体を構成する基板を作製する方法による。
An optical recording medium having fine irregularities such as pits and grooves on a substrate surface is usually manufactured by injection molding using a stamper having inverted fine irregularities corresponding to the fine irregularities described above. This is based on a method for manufacturing a substrate that forms an optical recording medium having irregularities.

【0004】或いは、光記録媒体基板上に、例えば紫外
線硬化樹脂を塗布し、この樹脂層に上述のスタンパーを
押圧して、目的とする微細凹凸を形成する、いわゆる2
P(Photo-Polymerization)法による作製方法が採られ
る。
[0004] Alternatively, for example, an ultraviolet curable resin is applied on an optical recording medium substrate, and the above-described stamper is pressed on the resin layer to form desired fine irregularities, that is, a so-called 2.
A production method by a P (Photo-Polymerization) method is adopted.

【0005】このスタンパーを作製するには、通常微細
凹凸が形成された原盤が作製され、この原盤によってス
タンパーの作製、いわゆるマスタリングプロセスを経
る。
[0005] In order to manufacture this stamper, a master on which fine irregularities are formed is usually manufactured, and a stamper is manufactured using the master, a so-called mastering process.

【0006】このマスタリングプロセス即ちディスク等
光記録媒体の基板の原盤を作製する過程では、フォトレ
ジストが塗布された原盤用基板に露光、現像により微細
凹凸が形成される。このフォトレジスト原盤において、
前述のように、微細凹凸のより微細化に伴い、フォトレ
ジストの露光、現像の更なる縮小方法が課題となってい
る。
In the mastering process, that is, in the process of producing a master of a substrate of an optical recording medium such as a disk, fine irregularities are formed on the master substrate coated with a photoresist by exposure and development. In this photoresist master,
As described above, with the miniaturization of fine irregularities, a further reduction method of exposure and development of a photoresist has been an issue.

【0007】このようなフォトリソグラフィ技術の一例
を図4A〜Eを参照して説明する。先ず、図4Aに示す
ように、表面が平坦に研磨され、洗浄されたガラス等よ
り成る原盤用基板71を用意し、この上に、図4Bに示
すように、例えば感光するとアルカリ可溶性となるフォ
トレジスト72をスピンコート法等により厚さ約50〜
100nmとして塗布する。
An example of such a photolithography technique will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 4A, a master substrate 71 made of glass or the like whose surface is polished flat and washed is prepared, and as shown in FIG. 4B, for example, as shown in FIG. The resist 72 is formed to a thickness of about 50 to
It is applied as 100 nm.

【0008】そして図4Cに示すように、原盤用基板7
1を矢印aで示すように回転させ、記録信号に合わせて
強度変調を受けた記録用光Lを、対物レンズ73により
フォトレジスト72の表面に集光させて、パターン露光
を行う。このとき、原盤用基板71と対物レンズ73の
位置を相対的に、基板71の半径方向に移動させること
により、例えばスパイラル状の潜像74を形成する。
[0008] Then, as shown in FIG.
1 is rotated as indicated by an arrow a, and the recording light L having undergone intensity modulation in accordance with the recording signal is condensed on the surface of the photoresist 72 by the objective lens 73 to perform pattern exposure. At this time, for example, a spiral latent image 74 is formed by relatively moving the position of the master substrate 71 and the objective lens 73 in the radial direction of the substrate 71.

【0009】その後、露光されたフォトレジスト72を
現像することにより、感光した領域を溶解し、図4Dに
示すように、微細凹凸、図示の例ではグルーブ76を形
成する。75はグルーブ76の間のランドを示す。
Thereafter, by developing the exposed photoresist 72, the exposed area is dissolved to form fine unevenness, as shown in FIG. 4D, a groove 76 in the illustrated example. Reference numeral 75 denotes a land between the grooves 76.

【0010】次に、この上に例えばニッケルメッキを施
して、メッキ層78aを被着形成し、剥がし取ること
で、フォトレジストにより形成された凹凸パターンの反
転パターンが転写されたニッケルによるスタンパー78
を形成する。スタンパー78の厚さは、現状では0.3
〜0.5mm程度とされる。
Next, a plating layer 78a is adhered and formed thereon by, for example, nickel plating, and the plating layer 78a is peeled off, whereby a stamper 78 made of nickel to which a reverse pattern of the concavo-convex pattern formed by the photoresist is transferred.
To form The thickness of the stamper 78 is 0.3
About 0.5 mm.

【0011】ニッケルメッキはメッキ成長速度の早い電
気メッキ法を用いるが、この場合、予め基板表面に導電
性を持たせる前処理として、スパッタ法又は化学反応に
よってニッケルを析出させる無電解メッキ法によって表
面に導電性を付与し、その後ニッケル電気メッキが施さ
れる。
[0011] Nickel plating uses an electroplating method with a high plating growth rate. In this case, as a pretreatment for imparting conductivity to the substrate surface in advance, the surface is formed by a sputtering method or an electroless plating method in which nickel is deposited by a chemical reaction. Is given electrical conductivity and then nickel electroplated.

【0012】そして、このようにして形成したスタンパ
ー78を金型のキャビティ内に配置して、射出成形法等
により目的とする微細凹凸を有する光透過性樹脂より成
る例えばディスク状の基板80を作製する。
Then, the stamper 78 thus formed is placed in a cavity of a mold, and a disk-shaped substrate 80 made of a light-transmitting resin having desired fine irregularities is formed by injection molding or the like. I do.

【0013】或いは、スタンパー78を用いて前述の2
P法によって同様の基板80の形成がなされる。
Alternatively, using the stamper 78,
A similar substrate 80 is formed by the P method.

【0014】この基板80の上に、例えば反射層、光磁
気や相変化材料による記録層、更に保護層等を順次被着
形成することによって、ピットやグルーブ等の微細凹凸
パターンが形成された光記録媒体を形成することができ
る。
On this substrate 80, for example, a reflective layer, a recording layer made of a magneto-optical or phase-change material, a protective layer, and the like are successively deposited to form a light having a fine uneven pattern such as pits and grooves. A recording medium can be formed.

【0015】図5Aはこのようにして作製したディスク
状の光記録媒体で、基板80の表面には、ピット、グル
ーブ等が設けられた信号記録面81が形成される。図5
Bは、グルーブ76の拡大図で、pはトラックピッチを
示す。図5Cは、ピット77の拡大図を示す。
FIG. 5A shows a disk-shaped optical recording medium produced in this manner. On the surface of a substrate 80, a signal recording surface 81 provided with pits, grooves, and the like is formed. FIG.
B is an enlarged view of the groove 76, and p indicates a track pitch. FIG. 5C shows an enlarged view of the pit 77.

【0016】ところで、このような光記録媒体を大量生
産する製造現場では、ディスクの基板80を形成するス
タンパーを複数必要とする場合が多い。1枚のスタンパ
ー78、いわゆる原盤から複数のスタンパーを得る方法
として、通常の工程と同様にニッケル電気メッキ法を用
いてスタンパーから転写してスタンパーを形成する、M
MS(Master-Mother-Son) プロセスと呼ばれる転写プロ
セスが一般的に行われている。
Incidentally, in a manufacturing site where such optical recording media are mass-produced, a plurality of stampers for forming the disk substrate 80 are often required. As a method of obtaining a plurality of stampers from a single stamper 78, a so-called master, a stamper is formed by transferring from the stamper using a nickel electroplating method in the same manner as in a normal process.
A transfer process called an MS (Master-Mother-Son) process is generally performed.

【0017】図6A〜Eに、このような転写工程を示
す。先ず、図6Aに示すように、例えばピットパターン
77nやランドパターン75nが形成されたスタンパー
8を用意し、これをマスタースタンパーとして、これを
転写してマザースタンパーを形成する。すなわち、図6
Bに示すように、例えば重クロム酸によりニッケル表面
を酸化処理して剥離層82を形成する。
FIGS. 6A to 6E show such a transfer step. First, as shown in FIG. 6A, a stamper 8 on which, for example, a pit pattern 77n and a land pattern 75n are formed is prepared, this is used as a master stamper, and this is transferred to form a mother stamper. That is, FIG.
As shown in B, the nickel layer is oxidized with, for example, dichromic acid to form a peeling layer 82.

【0018】その後、図6Cに示すように、上述のスタ
ンパー78を作製した工程と同様に電気メッキによりメ
ッキ層83aを形成し、図6Dに示すように、これを剥
離してマザースタンパー83を形成する。マザースタン
パー83の微細凹凸パターンは、スタンパー78の微細
凹凸パターンと反転したパターンとなる。1枚のマスタ
ースタンパーから、このようにして複数枚のマザースタ
ンパー83を得ることができる。
Thereafter, as shown in FIG. 6C, a plating layer 83a is formed by electroplating in the same manner as in the step of manufacturing the stamper 78, and as shown in FIG. 6D, the plating layer 83a is peeled off to form a mother stamper 83. I do. The fine concavo-convex pattern of the mother stamper 83 is a pattern inverted from the fine concavo-convex pattern of the stamper 78. Thus, a plurality of mother stampers 83 can be obtained from one master stamper.

【0019】そしてこのマザースタンパー83から、同
様に、剥離層84を被着した後電気メッキ法によってメ
ッキ層を形成して剥離することによって、基板を作製す
る際に使用するスタンパー85、いわゆる孫スタンパー
(又はサンスタンパー)を得ることができる。
Similarly, a release layer 84 is formed on the mother stamper 83, and then a plating layer is formed by an electroplating method and then separated, thereby forming a stamper 85 used for manufacturing a substrate, a so-called grandchild stamper. (Or sun stamper).

【0020】上述のパターン露光工程においては、レー
ザビームを対物レンズで集光し、原盤用基板の上のフォ
トレジストを露光する方法が一般的に採られている。こ
のような光学記録装置の一例を図7に示す。
In the above pattern exposure step, a method of condensing a laser beam with an objective lens and exposing a photoresist on a master substrate is generally employed. FIG. 7 shows an example of such an optical recording apparatus.

【0021】図7において、20は気体レーザ等の光源
を示し、ここから出射されたレーザ光は、変調器21、
検光子22を通過した後、ビームスプリッター23によ
って一部反射される。ビームスプリッター23を透過し
たレーザ光は、フォトディテクター24によって検出さ
れ、記録光パワー制御回路25に入力される。記録光パ
ワー制御回路25において、比較電圧Ref と比較して変
調器21にフィードバックされる。40は制御部を示
す。
In FIG. 7, reference numeral 20 denotes a light source such as a gas laser.
After passing through the analyzer 22, it is partially reflected by the beam splitter 23. The laser light transmitted through the beam splitter 23 is detected by a photodetector 24 and input to a recording light power control circuit 25. In the recording light power control circuit 25, it is compared with the comparison voltage Ref and fed back to the modulator 21. Reference numeral 40 denotes a control unit.

【0022】ビームスプリッター23に反射されたレー
ザ光は、変調部41に入射する。変調部41において、
レーザ光をレンズ26で集光し、その焦点面上にAOM
(Acousto-Optic Modulator;音響光学変調素子)より構
成されるAO変調器27を配置する。このAO変調器2
7には、記録信号に対応する超音波Sが入力され、この
この超音波に基づいてレーザ光の強度が強度変調され
る。レーザ光は、AO変調器27の回折格子により回折
され、その回折光のうち1次回折光のみがスリットを透
過するようになされる。
The laser beam reflected by the beam splitter 23 enters the modulator 41. In the modulation unit 41,
The laser light is condensed by a lens 26, and AOM
An AO modulator 27 composed of (Acousto-Optic Modulator) is arranged. This AO modulator 2
The ultrasonic wave S corresponding to the recording signal is input to 7, and the intensity of the laser beam is intensity-modulated based on the ultrasonic wave. The laser light is diffracted by the diffraction grating of the AO modulator 27, and only the first-order diffracted light of the diffracted light is transmitted through the slit.

【0023】強度変調を受けた1次回折光は、レンズ2
8によって集光された後、ビームスプリッター29によ
り反射され、1/4波長板30を透過して、エキスパン
ダー部42のレンズ31、32に入射する。ここで、例
えばレンズ31の焦点距離をf3レンズ32の焦点距離を
f4とすると、倍率Me(=f4/f3)として拡大され、更に対
物レンズ33によって、原盤用基板71の上のフォトレ
ジスト72の表面に集光され、所定のパターンに対応す
る露光がなされる。
The intensity-modulated first-order diffracted light is transmitted through a lens 2
After being condensed by 8, the light is reflected by the beam splitter 29, passes through the 波長 wavelength plate 30, and enters the lenses 31 and 32 of the expander unit 42. Here, for example, the focal length of the lens 31 is
Assuming that f4, the magnification is enlarged as Me (= f4 / f3), and further focused by the objective lens 33 on the surface of the photoresist 72 on the master substrate 71, and exposure corresponding to a predetermined pattern is performed.

【0024】[0024]

【発明が解決しようとする課題】上述したような光学記
録装置により露光、現像されて形成されるフォトレジス
トの微細凹凸パターンの寸法形状は、上述の光学記録装
置における対物レンズ33により集光されるレーザ光の
スポット形とほぼ同等である。よって、スポット形を微
小化する程、高記録密度化が可能となる。
The size and shape of the fine concavo-convex pattern of the photoresist formed by exposure and development by the above-mentioned optical recording apparatus are condensed by the objective lens 33 in the above-mentioned optical recording apparatus. It is almost equivalent to the spot shape of laser light. Therefore, the higher the spot size, the higher the recording density.

【0025】ここで、スポット径φは、波長λと対物レ
ンズの開口数NAより、φ=1.22・(λ/NA)で
与えられることから、上述したように、記録光源として
ブルーのレーザを用いるなど、短波長化が高記録密度化
の鍵を握ってきた。
Here, since the spot diameter φ is given by φ = 1.22 · (λ / NA) from the wavelength λ and the numerical aperture NA of the objective lens, as described above, the blue laser is used as the recording light source. The use of a shorter wavelength has been the key to higher recording density.

【0026】光記録媒体の初期のCD等においては、記
録用光として波長400nm程度の青色光源を使用して
いたが、現在では350nm付近の紫外光源が主流とな
っており、更に波長260nm付近の遠紫外線光源の実
用化も検討されている。
In the early days of optical recording media such as CDs, a blue light source having a wavelength of about 400 nm was used as recording light. At present, however, an ultraviolet light source having a wavelength of about 350 nm is mainly used. Practical use of a deep ultraviolet light source is also being studied.

【0027】しかしながら、これより短波長の光源は現
状では得られておらず、対物レンズの開口数NAも、理
論上の限界(<1.0)にほぼ近い、約0.9のものが
一般に使用されているため、従来のレーザ露光では記録
密度の限界が見えはじめてきている。
However, a light source with a shorter wavelength than this has not been obtained at present, and the numerical aperture NA of the objective lens is generally about 0.9, which is almost close to the theoretical limit (<1.0). Because of its use, the limit of recording density is beginning to be seen in conventional laser exposure.

【0028】これに対し、将来の更なる高密度光記録媒
体の記録用に、より微小なスポット系を容易に得る方法
として、光に替わって電子線でレジストを感光するとい
う提案がなされている。
On the other hand, as a method for easily obtaining a finer spot system for recording a higher density optical recording medium in the future, it has been proposed to expose a resist with an electron beam instead of light. .

【0029】既に半導体の次世代リソグラフィ技術とし
ては、この電子線感光技術の開発が進められており、光
記録媒体への応用に関しても、まだ歴史は浅いものの、
露光以外の工程を従来同様に行えることから、近い将来
は本流の技術となる可能性が高いものである。
As the next-generation lithography technology for semiconductors, the development of this electron beam sensitizing technology has been advanced, and the application to optical recording media has a short history.
Since the processes other than the exposure can be performed in the same manner as in the past, it is highly likely that the technology will become a mainstream technology in the near future.

【0030】図8に、このような電子線描画装置の一例
の構成を簡単に説明する。この電子線描画装置50は、
上部の電子ビーム発生・収束部51と、下部の機構部5
2とより成り、全体が、設置場所の外部振動を除去する
除振台53の上に載っている。
FIG. 8 briefly describes the structure of an example of such an electron beam drawing apparatus. This electron beam drawing apparatus 50
The upper electron beam generation / convergence unit 51 and the lower mechanism unit 5
2 and rests on a vibration isolation table 53 for removing external vibrations at the installation location.

【0031】電子ビームは、LaB6 等より成る熱電子
線銃54から放出され、陽極により数kV〜100kV
で加速された電子が静電レンズによるコンデンサーレン
ズ55によって収束され、ビーム変調部56で変調さ
れ、アパーチャー57に達する。
The electron beam is emitted from a thermionic beam gun 54 made of LaB 6 or the like, and is several kV to 100 kV by the anode.
The electrons accelerated by the above are converged by the condenser lens 55 composed of an electrostatic lens, are modulated by the beam modulator 56, and reach the aperture 57.

【0032】アパーチャー57で絞られた電子ビーム
は、ビーム偏向電極58を通過した後、静電または電磁
型レンズであるフォーカス調整用レンズ59と対物レン
ズ60によって、電子線用のレジスト61が塗布され
た、ガラス等より成る原盤用基板71の上に、サブミク
ロンのスポットサイズに集束されて、電子線用のレジス
ト61をスポット照射する。
After the electron beam narrowed by the aperture 57 passes through the beam deflection electrode 58, a resist 61 for an electron beam is applied by a focus adjusting lens 59, which is an electrostatic or electromagnetic lens, and an objective lens 60. A resist 61 for an electron beam is focused on a substrate 71 made of glass or the like and focused on a submicron spot size.

【0033】アパーチャー57の上部のビーム変調部5
6はブランキング電極等より成り、照射電子ビームをオ
ン・オフさせる役目をする。すなわち、電極間に電圧を
印加した時にビームが大きく偏向され、アパーチャー5
7から外れてオフ状態となる。
The beam modulating section 5 above the aperture 57
Reference numeral 6 comprises a blanking electrode and the like, and serves to turn on and off the irradiation electron beam. That is, when a voltage is applied between the electrodes, the beam is largely deflected, and the aperture 5
7 and is turned off.

【0034】また、ビーム偏向電極58にも電圧を印加
してビームを偏向するが、これは照射ビームをオン状態
のまま、レジスト面上でビームをnmからμmオーダー
で偏向する、いわゆるウォブリングを行うために用い
る。対物レンズ60は、レジスト面に照射される電子ビ
ームを集束させ、数nmから数μmサイズのスポットに
絞り込む。
A voltage is also applied to the beam deflecting electrode 58 to deflect the beam. This is so-called wobbling, in which the irradiation beam is deflected on the resist surface in the order of nm to μm on the resist surface. Used for The objective lens 60 focuses the electron beam irradiated on the resist surface and narrows it down to a spot having a size of several nm to several μm.

【0035】また機構部52では、原盤用基板71を保
持したエアスピンドル62がスライド63上に積載さ
れ、上述の電子銃54を含む電子ビーム発生・集束部5
1と共に、除振台53に載置される構造となっている。
In the mechanism section 52, an air spindle 62 holding a master substrate 71 is mounted on a slide 63, and the electron beam generating / focusing section 5 including the above-described electron gun 54 is provided.
1 and is mounted on the anti-vibration table 53.

【0036】エアスピンドル62は、高い回転精度で3
600rpm程度の高速回転が可能であり、その回転速
度は光学式ロータリーエンコーダーを用いたサーボ機構
により、10-7以下の回転ジッター(1回転あたり)で
制御される。
The air spindle 62 has a high rotational accuracy of 3
High-speed rotation of about 600 rpm is possible, and the rotation speed is controlled by a servo mechanism using an optical rotary encoder with a rotation jitter of 10 −7 or less (per rotation).

【0037】また、スライド63は、リニアモーター型
エアスライド等を用いることにより、その送り速度を、
スライド63に装着したレーザスケールによる測長機構
により精密に制御することができて、数nmの送り精度
で、例えばディスク状の光記録媒体の半径方向に移動さ
せることができる。原盤用基板71をエアスピンドル6
2により精度良く回転させながら、記録スポットを半径
方向に一回転あたり等距離ずつ移動させることにより、
グルーブ或いはピットの潜像を一定のトラックピッチ
で、スパイラル状または同心円状に精度良く形成するこ
とができる。
The slide speed of the slide 63 is controlled by using a linear motor type air slide or the like.
It can be precisely controlled by a length measuring mechanism using a laser scale mounted on the slide 63, and can be moved, for example, in the radial direction of a disk-shaped optical recording medium with a feeding accuracy of several nm. The master substrate 71 is moved to the air spindle 6
By moving the recording spot by the same distance per rotation in the radial direction while rotating with high accuracy by 2,
A latent image of a groove or a pit can be accurately formed in a spiral shape or concentric shape at a fixed track pitch.

【0038】電子ビームは、伝播中に他原子、分子との
衝突により散乱され、広がりを持ったりエネルギー損失
を被るため、上述の電子線描画装置50の内部は、通常
全て高真空に保持する必要がある。電子ビーム発生・集
束部51では、電子銃54近傍では10-6Pa以下の超
高真空、そして対物レンズ60近傍、更に機構部52に
おいては、10-3Pa程度の真空度が要求される。
Since the electron beam is scattered by collision with other atoms and molecules during propagation and has a spread or suffers an energy loss, it is usually necessary to keep the inside of the electron beam lithography apparatus 50 at a high vacuum. There is. The electron beam generating / focusing unit 51 requires an ultra-high vacuum of 10 −6 Pa or less near the electron gun 54, and a vacuum degree of about 10 −3 Pa near the objective lens 60 and the mechanism unit 52.

【0039】上述した電子線描画装置50により、高密
度光ディスクのマスタリング、即ち基板作製を実施した
例が報告されている(JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PH
YSICS/1998年4月/Vol.37 No.4B/P.2137-2143/論文名
“High Density Mastering Using Electron Beam”/ 著
者 Yoshiaki Kojima等)。
There has been reported an example in which mastering of a high-density optical disc, that is, fabrication of a substrate, was performed by the above-described electron beam drawing apparatus 50 (JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PH).
YSICS / April 1998 / Vol.37 No.4B / P.2137-2143 / Article name "High Density Mastering Using Electron Beam" / Author Yoshiaki Kojima etc.).

【0040】この報告によると、現行のDVDに対し
て、面密度で約6.4倍(CD片面に30GB容量=21
Gbit/inch2相当)のパターン描画に成功している。信号
は、DVDと同じEFM+信号を用いており、このとき
最短ピット長は0.16μm、トラックピッチ0.29
μmとなっている。尚、電子ビームのスポット径の半値
幅は、80nmであった。
According to this report, the surface density is about 6.4 times that of the current DVD (30 GB capacity on one side of CD = 21).
(Equivalent to Gbit / inch 2 ). The signal uses the same EFM + signal as the DVD, and the shortest pit length is 0.16 μm and the track pitch is 0.29
μm. In addition, the half value width of the spot diameter of the electron beam was 80 nm.

【0041】従来のレーザ光によるパターン露光では、
スポット半値幅は、約2倍の165nm程度までし絞れ
ない。よって、今後光記録媒体の高記録密度化をはかる
場合には、微細凹凸パターンの作製にあたって電子線描
画装置を用いる方法が主流となることが予想されてい
る。
In the conventional pattern exposure using a laser beam,
The spot half width cannot be narrowed down to about 165 nm, which is about twice as large. Therefore, it is expected that a method using an electron beam lithography apparatus will be the mainstream in producing a fine concavo-convex pattern in order to increase the recording density of an optical recording medium in the future.

【0042】しかしながら、電子線描画によるパターン
露光には、次のような問題がある。一般に、フォトレジ
ストには、露光した領域がアルカリ現像液に対し可溶性
となる「ポジ型」と、逆に露光領域がアルカリ現像液に
対し不溶性となる「ネガ型」の2種類がある。従来のレ
ーザ露光において使用するレーザは、解像度においてポ
ジ型のものが有利であり、光記録媒体を作製する際に
は、ネガ型レジストは用いられていなかった。しかしな
がら、電子線描画によるパターン露光用には、ポジ型と
同等以上の高解像度を有する実用的なネガ型レジスト
(例えば、住友化学工業(株)「NEBシリーズ」等)
が存在している。
However, pattern exposure by electron beam drawing has the following problems. In general, there are two types of photoresist, a "positive type" in which exposed areas are soluble in an alkaline developer and a "negative type" in which exposed areas are insoluble in an alkaline developer. The laser used in conventional laser exposure is advantageously a positive type in terms of resolution, and a negative type resist has not been used when producing an optical recording medium. However, for pattern exposure by electron beam lithography, a practical negative resist having a high resolution equal to or higher than that of a positive type (for example, "NEB series" of Sumitomo Chemical Co., Ltd.)
Exists.

【0043】ところが、ネガ型レジストを使用すると、
レジストに形成される微細凹凸パターン、特にピットの
形状は凹凸がポジ型と反転しているため、スタンパでは
凹状となっている。したがって、露光及び現像の後、通
常と同様のマスタリングプロセス、即ち上述した原盤又
はスタンパーから、射出成形法等による基板製造の過程
で、スタンパーからポリカーボネート等のプラスチック
材料いわゆる樹脂が微小な凹部に入り込みにくいことか
ら、精度良い転写が極めて困難となっている。
However, when a negative resist is used,
The fine concavo-convex pattern formed on the resist, especially the shape of the pit, is concave in the stamper because the concavo-convex is inverted from the positive type. Therefore, after exposure and development, in the same mastering process as usual, that is, in the process of manufacturing a substrate from the above-described master or stamper by an injection molding method or the like, a plastic material such as polycarbonate, a so-called resin, is unlikely to enter the minute concave portion from the stamper. Therefore, accurate transfer is extremely difficult.

【0044】生産性の観点から、製造工程において許容
される転写時間は、最大でも20秒/1枚以下程度であ
り、これを考慮すると、成形はほぼ不可能となってしま
う。
From the viewpoint of productivity, the transfer time allowed in the manufacturing process is at most about 20 seconds / sheet, and taking this into account, molding becomes almost impossible.

【0045】そこで、従来と同様に、ピットが凸状とな
るように凹凸を反転する必要が生じる。凹凸反転プロセ
スは、前述のマスタースタンパーからマザースタンパー
への転写を行って、このマザースタンパーを基板成形に
用いることが考えられるが、このマザースタンパーを作
製する工程に時間を費やして生産性が低下するのみなら
ず、電子線で描画する程度の微小パターンを作製する場
合は、転写工程を重ねる際にパターン形状が劣化すると
か、マスタースタンパーの表面剥離処理の際に面粗度が
増加して、ノイズの要因となるという問題が発生する恐
れがあり、光記録媒体の基板の品質を保持するために
は、転写工程の増加を回避することが望まれている。
Therefore, as in the conventional case, it is necessary to invert the concavities and convexities so that the pits become convex. In the concavo-convex inversion process, it is conceivable to perform transfer from the master stamper to the mother stamper and use the mother stamper for substrate molding. However, productivity is reduced by spending time in a process of manufacturing the mother stamper. In addition, when producing a micropattern that can be drawn with an electron beam, the pattern shape may deteriorate during the transfer process, or the surface roughness may increase during the surface peeling process of the master stamper. Therefore, there is a possibility that a problem of causing a problem may occur. In order to maintain the quality of the substrate of the optical recording medium, it is desired to avoid an increase in the number of transfer steps.

【0046】[0046]

【課題を解決するための手段】本発明は、微細凹凸パタ
ーンを有する光記録媒体を製造する光記録媒体作製用ス
タンパーであって、平滑主面を有する基板と、この基板
上に、基板とエッチング性を異にし、且つ微細凹凸パタ
ーンの深さに対応する一様な厚さを有し、この微細凹凸
パターンに対応するパターンエッチングがなされた微細
凹凸パターン層を設ける構成とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a stamper for manufacturing an optical recording medium for producing an optical recording medium having a fine concavo-convex pattern, comprising: a substrate having a smooth main surface; In this case, a fine uneven pattern layer having a uniform thickness corresponding to the depth of the fine uneven pattern and having a pattern etched corresponding to the fine uneven pattern is provided.

【0047】また本発明は、上述の光記録媒体作製用ス
タンパーにおいて、微細凹凸パターン層上に、保護膜を
形成して構成する。
Further, according to the present invention, in the above stamper for producing an optical recording medium, a protective film is formed on the fine uneven pattern layer.

【0048】更に本発明は、上述の光記録媒体作製用ス
タンパーにおいて、基板を、少なくともその表面をNi
より構成し、微細凹凸パターン層を、SiO2 より構成
する。
Further, according to the present invention, in the above stamper for producing an optical recording medium, at least the surface of the stamper is made of Ni.
And the fine uneven pattern layer is made of SiO 2 .

【0049】また本発明は、光記録媒体作製用スタンパ
ーの製造方法にあって、平滑主面を有する基板上に、こ
の基板とエッチング性を異にする材料より成り、ほぼ一
様な厚さを有する被エッチング層を被着する工程と、こ
の被エッチング層上に、感光すると現像液に対し不溶性
となるネガ型の感光層を被着する工程と、感光層に対し
微細凹凸パターンをパターン露光する工程と、この感光
層を現像する工程と、微細凹凸パターンが形成された感
光層をマスクとして、被エッチング層に対し異方性エッ
チングを行う工程と、微細凹凸パターンが形成された感
光層を除去する工程とを有する。
The present invention also relates to a method of manufacturing a stamper for producing an optical recording medium, wherein a substantially uniform thickness is formed on a substrate having a smooth main surface and made of a material having a different etching property from the substrate. A step of depositing a layer to be etched having, a step of depositing a negative photosensitive layer on the layer to be etched, which becomes insoluble in a developing solution when exposed to light, and pattern-exposing a fine uneven pattern to the photosensitive layer. A step of developing the photosensitive layer; a step of performing anisotropic etching on the layer to be etched using the photosensitive layer on which the fine uneven pattern is formed as a mask; and removing the photosensitive layer on which the fine uneven pattern is formed. And

【0050】また更に本発明は、上述の光記録媒体作製
用スタンパーの製造方法にあって、感光層に対するパタ
ーン露光を、電子線描画により行う。
Further, according to the present invention, there is provided a method for manufacturing a stamper for producing an optical recording medium as described above, wherein the pattern exposure of the photosensitive layer is performed by electron beam drawing.

【0051】上述したように、本発明においては、光記
録媒体作製用スタンパーにあって、平滑主面を有する基
板と、この基板上に、基板とエッチング性を異にし、且
つ微細凹凸パターンの深さに対応する一様な厚さを有
し、この微細凹凸パターンに対応するパターンエッチン
グがなされた微細凹凸パターン層を設けて、いわばエッ
チング性の異なる材料より成る2層構造とすることによ
って、微細凹凸パターンの上に例えばフォトレジストや
電子線用レジストより成る感光層を被着した後パターン
露光、現像を行い、微細凹凸パターンを有する感光層よ
り成るレジストマスクを形成し、このパターニングされ
た感光層をマスクとして異方性エッチングを行うことに
よって、精度良く、即ち微細凹凸パターンを確実に保持
し得る成形を可能とし、またその深さを均一に形成する
ことができる。
As described above, in the present invention, in the stamper for producing an optical recording medium, there is provided a substrate having a smooth main surface, and a substrate having a different etching property from the substrate and having a fine uneven pattern on the substrate. By providing a fine uneven pattern layer having a uniform thickness corresponding to the thickness and having been subjected to pattern etching corresponding to this fine uneven pattern, and forming a two-layer structure composed of materials having different etching properties, After a photosensitive layer made of, for example, a photoresist or an electron beam resist is applied on the uneven pattern, pattern exposure and development are performed to form a resist mask made of a photosensitive layer having a fine uneven pattern, and the patterned photosensitive layer is formed. By performing anisotropic etching with a mask as a mask, it is possible to form with high accuracy, that is, a shape that can reliably hold a fine uneven pattern. , Also it can be uniformly formed its depth.

【0052】また、このような構成において、微細凹凸
パターン層の上に保護膜を設けることによって、この光
記録媒体作製用スタンパーから樹脂等より成る基板を射
出成形法等によって作製し、その後このディスク基板を
剥離する際に、2層構造としたスタンパーの微細凹凸パ
ターンの剥がれを確実に回避することができて、また微
小なピット等の微細凹凸パターンを、良好な形状をもっ
て成形することができて、生産性の向上、歩留りの向上
をはかることができる。
In such a configuration, by providing a protective film on the fine uneven pattern layer, a substrate made of a resin or the like is manufactured from the stamper for manufacturing an optical recording medium by an injection molding method or the like. When the substrate is peeled, peeling of the fine concavo-convex pattern of the stamper having a two-layer structure can be reliably avoided, and fine concavo-convex patterns such as fine pits can be formed with a good shape. In addition, productivity and yield can be improved.

【0053】特に、スタンパーの基板をNiとすること
によって、安価で耐酸化性、耐久性及び強度に優れたス
タンパーを得ることができ、更に、微細凹凸パターン層
をSiO2 として構成することによって、スパッタリン
グ等により被着する場合は、半径20mm〜60mm程
度のいわゆるCDサイズの基板上に、厚さを±1%程度
以内のばらつきに抑えることができることから、より精
度良く微細凹凸パターンの深さを均一に設けることがで
きて、光記録媒体の更なる生産性の向上、歩留りの向上
をはかることができる。
In particular, by using Ni for the substrate of the stamper, a stamper which is inexpensive and excellent in oxidation resistance, durability and strength can be obtained. Further, by forming the fine uneven pattern layer as SiO 2 , In the case of applying by sputtering or the like, since the thickness can be suppressed to within about ± 1% on a so-called CD size substrate having a radius of about 20 mm to 60 mm, the depth of the fine uneven pattern can be more accurately adjusted. The optical recording medium can be provided uniformly, and the productivity of the optical recording medium and the yield can be further improved.

【0054】更に、上述の微細凹凸パターン層上に設け
るレジストより成る感光層を電子線描画によりパターニ
ングすることによって、微細凹凸パターンの微細化、し
たがって、光記録媒体の高記録密度化が可能となる。
Further, by patterning the photosensitive layer made of a resist provided on the above-mentioned fine uneven pattern layer by electron beam drawing, it is possible to make the fine uneven pattern fine, and hence to increase the recording density of the optical recording medium. .

【0055】また、感光層をネガ型レジストとすること
によって、パターニングされた感光層をマスクとしてエ
ッチングして形成したこの下の微細凹凸パターン層は、
ピットの形状が凸状となることから、光記録媒体用の基
板を射出成形法等によって成形する際に、その転写を良
好に行うことができて、微細なピットも制御性良く形成
することができて、特に高記録密度化された光記録媒体
の生産性の向上、歩留りの向上をはかることができる。
Further, by forming the photosensitive layer as a negative type resist, the fine uneven pattern layer formed by etching using the patterned photosensitive layer as a mask,
Since the shape of the pits is convex, when the substrate for an optical recording medium is molded by an injection molding method or the like, the transfer can be performed well, and fine pits can be formed with good controllability. As a result, it is possible to improve the productivity and yield of an optical recording medium with a particularly high recording density.

【0056】[0056]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して詳細に説明するが、本発明は以下の実施の
形態に限定されるものではない。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments.

【0057】先ず、図1に示すように、本発明において
は、平滑主面2Sを有する例えばNiより成る基板2の
上に、この基板2とエッチング性を異にし、且つ微細凹
凸パターン5の深さに対応する一様な厚さdを有し、こ
の微細凹凸パターン5に対応するパターンエッチングが
なされた例えばSiO2 より成る微細凹凸パターン層3
が設けられて成る。
First, as shown in FIG. 1, in the present invention, on a substrate 2 having a smooth main surface 2S made of, for example, Ni, the etching property is different from that of the substrate 2, and the depth of the fine uneven pattern 5 is increased. Fine uneven pattern layer 3 made of, for example, SiO 2 , having a uniform thickness d corresponding to the thickness and subjected to pattern etching corresponding to the fine uneven pattern 5.
Is provided.

【0058】そしてこの例では、微細凹凸パターニング
層3の上を覆って全面的に例えばNiより成る保護層1
1が設けられて成る。
In this example, the protective layer 1 made of, for example, Ni is entirely covered over the fine uneven patterning layer 3.
1 is provided.

【0059】このような光記録媒体作製用スタンパー
は、以下の製造方法により得ることができる。すなわ
ち、平滑主面2Sを有する基板2を用意する。この基板
2としては、図2Aに示すように、例えば通常のスタン
パー作製工程に使用するガラス原盤1の上に、例えばN
iメッキを施した後、ガラス原盤から剥離することによ
って、得ることができる。
Such a stamper for producing an optical recording medium can be obtained by the following production method. That is, the substrate 2 having the smooth main surface 2S is prepared. As shown in FIG. 2A, the substrate 2 is formed, for example, on a glass master 1 used in a normal stamper manufacturing process.
After i-plating, it can be obtained by peeling off from the glass master.

【0060】Niは通常のガスではエッチングが困難で
あり、これとはエッチング性の異なる材料より成る被エ
ッチング層3を、基板2の平滑主面2Sの上に被着形成
する。被エッチング層3の材料としては、上述したよう
に、SiO2 を用いることによって、一般的に用いられ
るCF4 、CHF3 等の安全性の高いフロン系ガスによ
るエッチングが可能となる。
Ni is difficult to etch with a normal gas, and a layer 3 to be etched made of a material having a different etching property is formed on the smooth main surface 2S of the substrate 2. As described above, by using SiO 2 as the material of the layer 3 to be etched, it is possible to perform etching with a generally used safe fluorocarbon-based gas such as CF 4 or CHF 3 .

【0061】そしてこの被エッチング層3の膜厚dは、
所望の微細凹凸パターンの深さと一致するように選定
し、ほぼ一様な厚さとなるように、スパッタリング等に
より被着形成する。後述するエッチング工程では、この
被エッチング層3と基板2との界面でエッチングが停止
することから、エッチングレートの基板2上の面内のば
らつきによって生じる微細凹凸パターンの深さのばらつ
きを抑制することができ、ほぼ全面的に均一な深さの微
細凹凸パターンを形成することができる。
The thickness d of the layer 3 to be etched is
It is selected so as to match the desired depth of the fine concavo-convex pattern, and is formed by sputtering or the like so as to have a substantially uniform thickness. In the etching process described later, since the etching is stopped at the interface between the layer 3 to be etched and the substrate 2, it is necessary to suppress the variation in the depth of the fine uneven pattern caused by the in-plane variation of the etching rate on the substrate 2. Thus, a fine uneven pattern having a uniform depth can be formed over almost the entire surface.

【0062】この後、被エッチング層3の上を覆って全
面的に、感光すると現像液に対し不溶性となるネガ型の
レジストより成る感光層4を塗布する。
Thereafter, a photosensitive layer 4 made of a negative resist which becomes insoluble in a developing solution when exposed to light is coated on the entire surface of the layer 3 to be etched.

【0063】そして、図2Cに示すように、例えば電子
線描画装置50を用いて、感光層4に対し微細凹凸パタ
ーンのパターン露光を行う。電子線描画装置50として
は、前述の図8において説明した装置と同様の構成のも
のを用いることができる。
Then, as shown in FIG. 2C, the photosensitive layer 4 is subjected to pattern exposure of a fine concavo-convex pattern using, for example, an electron beam drawing apparatus 50. As the electron beam lithography apparatus 50, an apparatus having the same configuration as the apparatus described with reference to FIG. 8 can be used.

【0064】図2Cにおいては、図8における電子ビー
ム発生・集束部を電子線描画装置50として模式的に示
すが、基板2が機構部内のエアスピンドル上に載置さ
れ、装置内は所要の真空度に保持される。54は電子
銃、55はコンデンサーレンズ、56はビーム変調部、
57はアパーチャー、58はビーム偏向電極、59はフ
ォーカス調整レンズ、60は対物レンズを示す。
In FIG. 2C, the electron beam generating / focusing unit in FIG. 8 is schematically shown as an electron beam lithography apparatus 50. The substrate 2 is mounted on an air spindle in a mechanism unit, and the required vacuum is set in the apparatus. It is kept every time. 54 is an electron gun, 55 is a condenser lens, 56 is a beam modulator,
57 is an aperture, 58 is a beam deflection electrode, 59 is a focus adjustment lens, and 60 is an objective lens.

【0065】基板2を載置したエアスピンドルにより基
板2を回転させ、またスライド機構によりこの場合基板
2の半径方向に基板2を移動させることによって目的と
する微細凹凸パターンに対応するパターンの潜像5aを
形成する。
The substrate 2 is rotated by an air spindle on which the substrate 2 is mounted, and the substrate 2 is moved in the radial direction of the substrate 2 by a slide mechanism. 5a is formed.

【0066】現像後に、被エッチング層3の上の感光層
4はパターニングされ、図2Dに示すように、微細凹凸
パターン5が形成される。
After the development, the photosensitive layer 4 on the layer to be etched 3 is patterned to form a fine uneven pattern 5 as shown in FIG. 2D.

【0067】そして、図3Aに示すように、この微細凹
凸パターン5を有する感光層4をマスクとして、被エッ
チング層3に対しRIE(反応性イオンエッチング)等
の異方性エッチングを行う。図3Aにおいて、6は基板
2を載置する載置台、7は対向電極、8は載置台6に接
続される高周波電源、9は活性ガスイオンで、矢印eは
イオン9の動きを模式的に示したものである。
Then, as shown in FIG. 3A, anisotropic etching such as RIE (reactive ion etching) is performed on the layer 3 to be etched using the photosensitive layer 4 having the fine uneven pattern 5 as a mask. In FIG. 3A, 6 is a mounting table on which the substrate 2 is mounted, 7 is a counter electrode, 8 is a high-frequency power supply connected to the mounting table 6, 9 is active gas ions, and arrow e schematically shows the movement of the ions 9. It is shown.

【0068】その後、図3Bに示すように、微細凹凸パ
ターンが形成された感光層を除去して、微細凹凸パター
ン層3を露出させる。除去方法としては、酸素プラズマ
アッシャー、硫酸加水等の剥離液処理を採ることができ
る。図3Bにおいて、10はO2 イオンで、矢印fはO
2 イオン10の動きを模式的に示したものである。
Thereafter, as shown in FIG. 3B, the photosensitive layer on which the fine uneven pattern is formed is removed to expose the fine uneven pattern layer 3. As a removing method, a stripping solution treatment such as oxygen plasma asher or sulfuric acid water can be employed. In FIG. 3B, reference numeral 10 denotes O 2 ion, and arrow f denotes O 2
2 schematically shows the movement of two ions 10.

【0069】そしてこの後、図3Cに示すように、微細
凹凸パターン層3の上に、Ni等より成る保護層11を
スパッタリング等により形成して、図1において説明し
た本発明構成の光記録媒体作製用スタンパー12を得る
ことができる。
Then, as shown in FIG. 3C, a protective layer 11 made of Ni or the like is formed on the fine concavo-convex pattern layer 3 by sputtering or the like, and the optical recording medium of the present invention described with reference to FIG. The production stamper 12 can be obtained.

【0070】このように、微細凹凸パターン層3の上に
保護層11を被着することによって、微細凹凸パターン
層3と基板2との密着強度が不充分の場合であっても、
成形基板を、このスタンパーから剥離する際に加わる力
によって、微細凹凸パターン層3が基板2から分離して
しまうことを確実に回避することができ、スタンパー1
2の耐久性の格段な向上をはかることができる。
As described above, by applying the protective layer 11 on the fine uneven pattern layer 3, even when the adhesion strength between the fine uneven pattern layer 3 and the substrate 2 is insufficient,
It is possible to reliably prevent the fine uneven pattern layer 3 from being separated from the substrate 2 by the force applied when the molded substrate is separated from the stamper.
The durability of No. 2 can be significantly improved.

【0071】このようにして製造された、本発明による
光記録媒体作製用スタンパーは、その微細凹凸パターン
を形成する際に、ネガ型レジストを用いていることか
ら、エッチング後に形成されたピットは凸状となり、成
形の転写性に問題がなく、即ち良好な形状を保持した転
写を歩留り良く行うことが可能となり、生産性及び歩留
りの向上をはかることができる。
Since the stamper for manufacturing an optical recording medium according to the present invention manufactured as described above uses a negative resist when forming its fine uneven pattern, the pits formed after etching are convex. Thus, there is no problem in the transferability of the molding, that is, it is possible to perform the transfer while maintaining the good shape with a good yield, and it is possible to improve the productivity and the yield.

【0072】更に、パターン露光、現像及びエッチング
による微細凹凸パターン形成の後は、通常のスタンパ製
造工程における転写工程を経ずに成形基板を作製するこ
とができることから、微細凹凸パターンの形状の劣化が
最小限に抑制されるという利点を有する。上述したよう
に、光記録媒体の高記録密度化がはかられ、微細凹凸パ
ターンが更に微細化される場合に本発明を適用すると、
転写工程を不要とすることから、生産性及び歩留りの点
において、非常に有利となる。
Further, after the formation of the fine concavo-convex pattern by pattern exposure, development and etching, the molded substrate can be manufactured without passing through the transfer step in the usual stamper manufacturing process, so that the shape of the fine concavo-convex pattern is deteriorated. It has the advantage of being kept to a minimum. As described above, when the recording density of the optical recording medium is increased, and the present invention is applied when the fine uneven pattern is further miniaturized,
Since the transfer step is not required, it is very advantageous in terms of productivity and yield.

【0073】また、設備に関して従来のスタンパの製造
工程と比較すると、被エッチング層のスパッタ装置とエ
ッチング装置、レジスト即ち感光層の除去装置が新規に
必要となるが、通常使用されるメッキ装置、成形機につ
いては、スタンパの大きさ等に変更を要しないため、そ
のまま使用することができる。
Further, as compared with the conventional stamper manufacturing process, the equipment requires a new sputtering apparatus and an etching apparatus for the layer to be etched, and a new apparatus for removing the resist, that is, the photosensitive layer. Since the size of the stamper does not need to be changed, the machine can be used as it is.

【0074】更にまた、前述の保護層11を被着する際
に用いるスパッタ装置は、前述の図4Dにおいて説明し
たように、従来の電気メッキ工程の直前に、原盤表面の
導電化処理にスパッタ装置を用いていた場合は、これを
流用することができる。無電解メッキ法を採る場合は、
スパッタに代用して被着形成することも可能である。こ
のように、従来使用していた装置に変更を加えたり、従
来装置を廃棄する必要がないことも、本発明の利点であ
る。
Further, as described with reference to FIG. 4D, the sputtering apparatus used for applying the above-described protective layer 11 includes a sputtering apparatus for conducting the surface treatment of the master disk immediately before the conventional electroplating step. If used, this can be diverted. When using the electroless plating method,
It is also possible to form by deposition instead of sputtering. Thus, it is also an advantage of the present invention that there is no need to modify the conventionally used device or to discard the conventional device.

【0075】尚、感光層4の感光手段は、上述の電子線
によるパターン露光に限定することなく、例えば前述の
図7において説明したように、従来のレーザ光等による
光学記録装置を用いて行うこともできる。
The photosensitive means of the photosensitive layer 4 is not limited to the above-described pattern exposure using an electron beam, but is performed by using a conventional optical recording apparatus using a laser beam or the like as described with reference to FIG. You can also.

【0076】また、本発明による光記録媒体作製用スタ
ンパーは、作製しようとする光記録媒体が、グルーブの
みによって構成される場合は、グルーブのパターン露光
を行う場合のレジストとして、ポジ型レジストを用いる
ことも可能である。エッチングによるパターン微細化効
果を用いて、例えばエッチングガスの種類や圧力、また
は高周波電源の電力を制御してレジストパターンよりも
更に細いグルーブを形成する目的に対して有効である。
Further, in the stamper for producing an optical recording medium according to the present invention, when the optical recording medium to be produced is composed only of a groove, a positive resist is used as a resist for pattern exposure of the groove. It is also possible. It is effective for the purpose of forming a groove that is thinner than a resist pattern by controlling the type and pressure of an etching gas or the power of a high-frequency power supply, for example, by using the pattern miniaturization effect by etching.

【0077】次に、上述の本発明による光記録媒体作製
用スタンパーを、現行のDVD−ROM(Read Only Me
mory)の10倍に相当する記録密度で、深さd=70n
mのピットパターンを有する光記録媒体、この例では光
ディスクの基板を作製する実施例を詳細に説明する。
Next, the above-described stamper for producing an optical recording medium according to the present invention is replaced with an existing DVD-ROM (Read Only Memory).
mory) at a recording density equivalent to 10 times the depth d = 70n
An embodiment in which an optical recording medium having an m pit pattern, in this example, a substrate of an optical disk will be described in detail.

【0078】先ず、一般的な成形用スタンパーの規格に
準じた外径のNiより成る基板を作製する。この例で
は、外径130mm、厚さ295μmのディスク状基板
を、パターン未露光のガラス原盤に通常と同様のスタン
パー作製プロセスを施すことによって、即ち導電層形成
後電気メッキ法によりNi層を被着した後、剥離して、
表面がいわゆるミラー面とされた平滑主面を有するNi
基板を得ることができる。
First, a substrate made of Ni having an outer diameter conforming to the standard of a general molding stamper is manufactured. In this example, a disk-shaped substrate having an outer diameter of 130 mm and a thickness of 295 μm is subjected to the same stamper manufacturing process on a pattern-unexposed glass master, that is, a Ni layer is applied by electroplating after forming a conductive layer. After peeling,
Ni having a smooth principal surface whose surface is a so-called mirror surface
A substrate can be obtained.

【0079】その後、この基板の平滑主面上に、被エッ
チング層として、SiO2 を全面的にスパッタリングに
より被着形成する。このときのSiO2 のスパッタ膜厚
は、所望のピットパターンの深さに一致させるように、
70nmとした。外径130mmの基板上にスパッタリ
ングによって被着した場合、その膜厚のばらつきを1%
以下程度に抑制することができた。
Thereafter, SiO 2 is entirely formed as a layer to be etched on the smooth main surface of the substrate by sputtering. At this time, the sputtered film thickness of SiO 2 is adjusted so as to match the desired pit pattern depth.
70 nm. When deposited on a substrate having an outer diameter of 130 mm by sputtering, the variation in the film thickness is 1%.
It could be suppressed to the following degree.

【0080】そして、この被エッチング層の上に、スピ
ンコート法によって、電子線描画用ネガ型レジストより
成る感光層を塗布する。この感光層の材料としては、住
友化学工業社製の、NEB−22(商品名)を用いる。
また、感光層の厚さは、dr=200nmとする。
Then, a photosensitive layer made of a negative resist for electron beam drawing is applied on the layer to be etched by spin coating. As a material for the photosensitive layer, NEB-22 (trade name) manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. is used.
The thickness of the photosensitive layer is set to dr = 200 nm.

【0081】そしてこの後、前述の図8において説明し
た電子線描画装置によって、ピットパターンをパターン
露光した。このときの露光の各条件を以下に示す。 〔1〕パターン a.変調信号:EFM+信号。これは、DVD−ROMに一
般的に使用されている変調信号で、3T,4T,5T, ・・・14
T の12種類のピット長より構成される。 b.記録密度:3Tピット長=0.126μm、トラック
ピッチT.P.=0.234μm。これは、DVDの面密度
の10倍に相当する。
After that, the pit pattern was subjected to pattern exposure by the electron beam lithography apparatus described with reference to FIG. The conditions of the exposure at this time are shown below. [1] Pattern a. Modulation signal: EFM + signal. This is a modulation signal generally used for DVD-ROM, and is 3T, 4T, 5T,.
T consists of 12 pit lengths. b. Recording density: 3T pit length = 0.126 μm, track pitch TP = 0.234 μm. This corresponds to ten times the areal density of a DVD.

【0082】〔2〕電子線描画装置 a.電子銃 :材質 LaB6 b.加速電圧 :50kV c.電流 :20nA d.ビーム径 :100nm e.記録線速度:0.2m/s[2] Electron beam drawing apparatus a. The electron gun: Material LaB 6 b. Accelerating voltage: 50 kV c. Current: 20 nA d. Beam diameter: 100 nm e. Recording linear velocity: 0.2 m / s

【0083】次に、現像条件を以下に示す。 〔3〕現像条件 a.現像液 :有機アルカリ現像液・テトラメチルアン
モニウム2.38%(商品名:NMD-3 ) b.現像時間:60秒
Next, the developing conditions are shown below. [3] Development conditions a. Developer: Organic alkali developer / tetramethylammonium 2.38% (trade name: NMD-3) b. Development time: 60 seconds

【0084】上述の条件で現像を行ったところ、深さを
70nmのピットパターンを形成することができた。ネ
ガ型のレジストを用いているため、ピットの形状は凸状
となる。
When development was performed under the above conditions, a pit pattern having a depth of 70 nm could be formed. Since a negative resist is used, the pits have a convex shape.

【0085】そして、このようにして形成した微細凹凸
パターン、この場合ピットパターンを有する感光層をエ
ッチングマスクとして、RIEによる異方性エッチング
を被エッチング層に対し行った。RIE装置では、上述
の図3A及びBにおいて説明したように、2枚の平面電
極を構成する載置台6と対向電極7との間に、高周波電
源8によって高電圧を印加することによって、容器内の
反応性ガスにプラズマを発生させる。
Then, the layer to be etched was subjected to anisotropic etching by RIE using the photosensitive layer having the fine concavo-convex pattern thus formed, in this case, the pit pattern, as an etching mask. In the RIE apparatus, as described with reference to FIGS. 3A and 3B described above, a high voltage is applied by a high-frequency power supply 8 between the mounting table 6 and the counter electrode 7 that constitute two planar electrodes, so that A plasma is generated in the reactive gas.

【0086】生じた活性ガスイオン9が、片方の電極即
ち載置台6に設置された試料表面、この場合基板2の上
の被エッチング層、感光層4に、電界に沿って垂直に入
射し、そこで化学的な反応が発生してエッチングが垂直
方向に進行する。ほぼ垂直にエッチングを行うことがで
きるエッチング特性、化学反応を利用することからエッ
チング物質の選択性の自由度が高いこと、更にドライエ
ッチングの特徴である高い生産性が利点となっている。
The generated active gas ions 9 are vertically incident along the electric field on the sample surface provided on one of the electrodes, ie, the mounting table 6, in this case, the layer to be etched on the substrate 2, and the photosensitive layer 4. Then, a chemical reaction occurs and the etching proceeds in the vertical direction. The use of etching characteristics and a chemical reaction that allows etching to be performed almost vertically has a high degree of freedom in the selectivity of an etching substance, and further has the advantage of high productivity, which is a feature of dry etching.

【0087】本実施例においては、被エッチング層3a
がSiO2 より成ることから、主反応ガスとして、CF
4 或いはCHF3 が使用される。以下にエッチング条件
の一例を記す。
In this embodiment, the layer to be etched 3a
Is composed of SiO 2 , so that the main reaction gas is CF 2
4 or CHF 3 is used. An example of the etching conditions is described below.

【0088】a.エッチングガス及び流量:CHF3
5sccm/Ar 25sccm b.真空到達度:0.25mPa c.ガス圧 :0.50Pa d.高周波RF電源出力:アンテナ部 130W/バイア
ス部 30W
A. Etching gas and flow rate: CHF 3 2
5 sccm / Ar 25 sccm b. Degree of vacuum: 0.25 mPa c. Gas pressure: 0.50 Pa d. High frequency RF power output: antenna unit 130W / bias unit 30W

【0089】以上の条件でエッチングを行ったところ、
そのエッチング速度は40nm/分であった。ピットパ
ターンの深さに対応する被エッチング層3aの厚さは7
0nmとしたので、即ち目的とするピットパターンをエ
ッチングするのに要する時間は1分45秒であった。こ
のようにして、被エッチング層がパターニングされて微
細凹凸パターン層3を形成することができる。
When etching was performed under the above conditions,
The etching rate was 40 nm / min. The thickness of the layer to be etched 3a corresponding to the depth of the pit pattern is 7
Since it was 0 nm, that is, the time required for etching the target pit pattern was 1 minute and 45 seconds. Thus, the layer to be etched is patterned to form the fine uneven pattern layer 3.

【0090】尚、上述のエッチングガスでは、基板材料
のNiはエッチングされないので、前述したように、S
iO2 より成る被エッチング層の厚さを、目的とする微
細凹凸パターン、この場合ピットパターンの深さと一致
させていることから、エッチング時間を長めに設定して
も、ほぼ均一な深さのパターンを得ることができる。
Since the etching gas described above does not etch Ni of the substrate material, as described above, S
Since the thickness of the layer to be etched made of iO 2 is made to coincide with the depth of the target fine concavo-convex pattern, in this case, the pit pattern, even if the etching time is set longer, the pattern having a substantially uniform depth is obtained. Can be obtained.

【0091】一般的に、エッチングレートは面内、或い
はサンプル間で±5%程度の不均一性が発生し得るが、
スパッタリングの厚さは1%程度のばらつきしか生じな
い。従って、上述したように、被エッチング層の厚さ
を、パターンの深さに一致するように選定し、エッチン
グ時間を長めに設定することによって、エッチングレー
トの面内のばらつきによって生じるパターンの深さのば
らつきを回避することができて、微細凹凸パターンの形
状を精度良く制御することができる。
In general, the etching rate may have a non-uniformity of about ± 5% in a plane or between samples.
The thickness of the sputtering varies only about 1%. Therefore, as described above, by selecting the thickness of the layer to be etched so as to match the pattern depth and setting the etching time longer, the pattern depth caused by the in-plane variation of the etching rate Can be avoided, and the shape of the fine uneven pattern can be accurately controlled.

【0092】そして、このエッチング終了後に、不要と
なった感光層4、いわゆるレジストマスクを除去する。
エッチング後のレジストはプラズマ下で変質しているの
で、現像液やアセトン等の有機溶剤では簡単に除去でき
ない。そこで、硫酸加水等、有効な剥離液を用いる方法
か、またはO2 プラズマによって、残存レジストを燃焼
させる方法、いわゆるアッシングが一般的に採られてい
る。
After the completion of the etching, the unnecessary photosensitive layer 4, that is, the so-called resist mask is removed.
Since the resist after etching is deteriorated under plasma, it cannot be easily removed with a developing solution or an organic solvent such as acetone. Therefore, a method of using an effective stripper such as sulfuric acid or the like, or a method of burning the remaining resist by O 2 plasma, so-called ashing, is generally adopted.

【0093】或いは、前述のエッチング装置の反応性ガ
スとして、酸素を用いれば、酸素ガスではSiO2 のエ
ッチングは進行しないので、微細凹凸パターン層3のパ
ターン形状を維持したままレジスト即ち感光層4を除去
することができる。本実施例においては、この方法によ
って、以下のエッチング条件により残存レジスト即ち感
光層4を除去した。
Alternatively, if oxygen is used as the reactive gas in the above-described etching apparatus, the etching of SiO 2 does not proceed with the oxygen gas, so that the resist, that is, the photosensitive layer 4 is removed while the pattern shape of the fine uneven pattern layer 3 is maintained. Can be removed. In this embodiment, the remaining resist, that is, the photosensitive layer 4 was removed by this method under the following etching conditions.

【0094】 a.エッチングガス :O2 b.真空到達度 :0.3mPa c.ガス圧 :0.5Pa d.ガス流量 :25sccm e.高周波RF電源出力:アンテナ部 130W/バイア
ス部 30W(周波数13.56MHz)
A. Etching gas: O 2 b. Degree of vacuum: 0.3 mPa c. Gas pressure: 0.5 Pa d. Gas flow rate: 25 sccm e. High frequency RF power output: antenna unit 130W / bias unit 30W (frequency 13.56MHz)

【0095】以上のエッチング条件で5分間の処理を行
うことにより、感光層4、この場合ネガ型レジストを完
全に除去することができた。これにより、Niより成る
基板2上に、微細凹凸パターン5が形成された微細凹凸
パターン層3が形成され、且つピットパターンが凸状と
された光記録媒体作製用スタンパーを得ることができ
る。
By performing the treatment for 5 minutes under the above etching conditions, the photosensitive layer 4, in this case, the negative resist could be completely removed. As a result, it is possible to obtain an optical recording medium producing stamper in which the fine uneven pattern layer 3 on which the fine uneven pattern 5 is formed is formed on the substrate 2 made of Ni, and the pit pattern is convex.

【0096】そして特に本実施例においては、Niより
成る基板2の上のSiO2 より成る微細凹凸パターン層
3は、ピットの底面のみが基板2に被着している構造と
なっている。このため、プラスチック等のいわゆる樹脂
成形基板をスタンパーから剥離する際に、微細凹凸パタ
ーン層が剥がれることを確実に回避するために、Ni等
より成る保護層11を、例えば数十nmの厚さでスパッ
タリング等により被着形成する。
In this embodiment, in particular, the fine uneven pattern layer 3 made of SiO 2 on the substrate 2 made of Ni has a structure in which only the bottom surfaces of the pits are adhered to the substrate 2. Therefore, when the so-called resin molded substrate such as plastic is peeled from the stamper, the protective layer 11 made of Ni or the like is formed with a thickness of, for example, several tens nm in order to reliably prevent the fine uneven pattern layer from peeling. It is formed by sputtering or the like.

【0097】この後、必要に応じて例えば成形機の大き
さに合わせて外周部を打ち抜くことによって、感光層の
パターニングとこれをマスクとしたエッチングによる、
いわば直接パターニング式による光記録媒体作製用スタ
ンパーを得ることができる。上述の打ち抜きの際には、
パターニングを顕微鏡で観察しながら、パターニング基
準で偏心を規格値以下の例えば20μmP−P以下に抑
えることができる。
Thereafter, if necessary, the outer peripheral portion is punched according to the size of the molding machine, for example, so that the photosensitive layer is patterned and etched by using this as a mask.
A so-called direct patterning type stamper for producing an optical recording medium can be obtained. In the above punching,
While observing the patterning with a microscope, the eccentricity can be suppressed to a standard value or less, for example, 20 μmP-P or less based on the patterning standard.

【0098】そして、このスタンパーを用いて、射出成
形法または2P(Photo-Polymmerization )法等によっ
て基板を成形し、反射層、記録層及び保護層等を被着し
て、光記録媒体を作製することができる。
Then, using this stamper, a substrate is formed by an injection molding method or a 2P (Photo-Polymmerization) method or the like, and a reflective layer, a recording layer, a protective layer, and the like are adhered to produce an optical recording medium. be able to.

【0099】尚、上述の各製造工程のうち、エッチング
工程、レジスト除去工程、スタンパー表面の保護層成膜
工程の作業時間を合計しても30分程度と見積もられ、
前述の図6A〜Eにおいて説明したマザースタンパーの
作製に要する2〜3時間と比較して格段に短時間であ
り、生産性に関して極めて有利となる。
It is estimated that the total working time of the etching step, the resist removing step, and the step of forming the protective layer on the stamper surface in the respective manufacturing steps described above is about 30 minutes.
The time is much shorter than the 2-3 hours required for manufacturing the mother stamper described with reference to FIGS. 6A to 6E, which is extremely advantageous in terms of productivity.

【0100】即ち、従来の転写工程により成形用スタン
パーを作製するのと同程度の時間で、複数枚の光記録媒
体作製用スタンパーを製造することが可能となる。従っ
て、大量生産の際に複数の成形用スタンパーを必要とす
る場合においても、転写工程を経ずに光記録媒体作製用
スタンパーを短時間で製造することができることから、
高記録密度化に伴って、転写工程における微細凹凸パタ
ーンの劣化が問題となる場合に本発明を適用することに
よって、歩留りの格段な向上をはかることができる。
That is, it is possible to manufacture a plurality of stampers for producing an optical recording medium in about the same time as producing a molding stamper by the conventional transfer process. Therefore, even when a plurality of molding stampers are required for mass production, a stamper for producing an optical recording medium can be manufactured in a short time without performing a transfer step.
By applying the present invention when the deterioration of the fine uneven pattern in the transfer step becomes a problem with the increase in the recording density, the yield can be remarkably improved.

【0101】尚、本発明は、上述の実施例に限定される
ことなく、各種の光記録媒体作製用スタンパーに適用し
得る他、パターン露光を行う電子線描画装置として他の
構成による装置を用いたり、また電子線露光に限ること
なく、通常のレーザ光による光学記録装置を用いるな
ど、その他種々の形態を採りうることはいうまでもな
い。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be applied to various stampers for producing optical recording media. Needless to say, the present invention is not limited to electron beam exposure, and may take various other forms such as using an optical recording device using a normal laser beam.

【0102】[0102]

【発明の効果】上述したように、本発明においては、光
記録媒体作製用スタンパーにあって、平滑主面を有する
基板と、この基板上に、基板とエッチング性を異にし、
且つ微細凹凸パターンの深さに対応する一様な厚さを有
し、この微細凹凸パターンに対応するパターンエッチン
グがなされた微細凹凸パターン層を設けて、いわばエッ
チング性の異なる材料より成る2層構造とすることによ
って、微細凹凸パターンの上に例えばフォトレジストや
電子線用レジストより成る感光層を被着した後パターン
露光、現像を行い、微細凹凸パターンを有する感光層よ
り成るレジストマスクを形成し、このパターニングされ
た感光層をマスクとして異方性エッチングを行うことに
よって、精度良く、即ち微細凹凸パターンを確実に保持
し得る成形を可能とし、またその深さを均一に形成する
ことができる。
As described above, according to the present invention, in a stamper for producing an optical recording medium, a substrate having a smooth main surface and an etching property different from that of the substrate are provided on the substrate.
In addition, a two-layer structure made of materials having different etching properties is provided by providing a fine concavo-convex pattern layer having a uniform thickness corresponding to the depth of the fine concavo-convex pattern and being subjected to pattern etching corresponding to the fine concavo-convex pattern. By applying a photosensitive layer made of, for example, a photoresist or an electron beam resist on the fine concavo-convex pattern, pattern exposure and development are performed to form a resist mask composed of a photosensitive layer having a fine concavo-convex pattern, By performing anisotropic etching using the patterned photosensitive layer as a mask, it is possible to perform molding with high precision, that is, a shape that can surely hold a fine uneven pattern, and to uniformly form the depth.

【0103】また、このような構成において、微細凹凸
パターン層の上に保護膜を設けることによって、この光
記録媒体作製用スタンパーから樹脂等より成る基板を射
出成形法等によって作製し、その後このディスク状の基
板を剥離する際に、2層構造としたスタンパーの微細凹
凸パターンの剥がれを確実に回避することができて、ま
た微小なピット等の微細凹凸パターンを、良好な形状を
もって成形することができて、生産性の向上、歩留りの
向上をはかることができる。
In such a configuration, by providing a protective film on the fine uneven pattern layer, a substrate made of resin or the like is manufactured from the stamper for manufacturing an optical recording medium by an injection molding method or the like. When peeling a substrate in the form of a substrate, it is possible to reliably avoid the peeling of the fine uneven pattern of the stamper having a two-layer structure, and to form the fine uneven pattern such as minute pits with a good shape. As a result, productivity and yield can be improved.

【0104】特に、スタンパーの基板をNiとすること
によって、安価で耐酸化性、耐久性及び強度に優れたス
タンパーを得ることができ、更に、微細凹凸パターン層
をSiO2 として構成することによって、スパッタリン
グ等により被着する場合は、半径20mm〜60mm程
度のいわゆるCDサイズの基板上に、厚さを±1%程度
以内のばらつきに抑えることができることから、より精
度良く微細凹凸パターンの深さを均一に設けることがで
きて、光記録媒体の更なる生産性の向上、歩留りの向上
をはかることができる。
In particular, by using Ni for the substrate of the stamper, a stamper which is inexpensive and excellent in oxidation resistance, durability and strength can be obtained. Further, by forming the fine uneven pattern layer as SiO 2 , In the case of applying by sputtering or the like, since the thickness can be suppressed to within about ± 1% on a so-called CD size substrate having a radius of about 20 mm to 60 mm, the depth of the fine uneven pattern can be more accurately adjusted. The optical recording medium can be uniformly provided, and the productivity and the yield of the optical recording medium can be further improved.

【0105】更に、上述の微細凹凸パターン層上に設け
るレジストより成る感光層を電子線描画によりパターニ
ングすることによって、微細凹凸パターンの微細化、し
たがって、光記録媒体の高記録密度化が可能となる。
Further, by patterning the photosensitive layer made of a resist provided on the above-mentioned fine uneven pattern layer by electron beam drawing, it is possible to make the fine uneven pattern fine, and thus to increase the recording density of the optical recording medium. .

【0106】また、感光層をネガ型レジストとすること
によって、パターニングされた感光層をマスクとしてエ
ッチングして形成したこの下の微細凹凸パターン層は、
ピットの形状が凸状となることから、光記録媒体用の基
板を射出成形法等によって成形する際に、その転写を良
好に行うことができて、微細なピットも制御性良く形成
することができて、特に高記録密度化された光記録媒体
の生産性の向上、歩留りの向上をはかることができる。
Further, by forming the photosensitive layer as a negative type resist, the fine uneven pattern layer formed by etching using the patterned photosensitive layer as a mask,
Since the shape of the pits is convex, when the substrate for an optical recording medium is molded by an injection molding method or the like, the transfer can be performed well, and fine pits can be formed with good controllability. As a result, it is possible to improve the productivity and yield of an optical recording medium with a particularly high recording density.

【0107】更に、パターン露光、現像及びエッチング
による微細凹凸パターン形成の後は、通常のスタンパ製
造工程における転写工程を経ずに成形基板を作製するこ
とができることから、微細凹凸パターンの形状の劣化が
最小限に抑制されるという利点を有する。上述したよう
に、光記録媒体の高記録密度化がはかられ、微細凹凸パ
ターンが更に微細化される場合に、本発明を適用する
と、従来に比し格段に短時間で複数枚の光記録媒体作製
用スタンパーを製造することが可能であることから、こ
の過程において転写工程を不要とすることができて、作
業時間の短縮、若しくは歩留り及び生産性の向上をはか
ることができる。
Further, after the formation of the fine concavo-convex pattern by pattern exposure, development and etching, a molded substrate can be manufactured without passing through a transfer step in a normal stamper manufacturing process, so that the shape of the fine concavo-convex pattern is deteriorated. It has the advantage of being kept to a minimum. As described above, when the recording density of an optical recording medium is increased and the fine uneven pattern is further miniaturized, when the present invention is applied, a plurality of optical recordings can be performed in a much shorter time than in the past. Since a stamper for manufacturing a medium can be manufactured, a transfer step can be omitted in this process, and the working time can be reduced, or the yield and productivity can be improved.

【0108】また、設備に関して従来のスタンパの製造
工程と比較すると、被エッチング層のスパッタ装置とエ
ッチング装置、レジスト即ち感光層の除去装置が新規に
必要となるが、通常使用されるメッキ装置、成形機につ
いては、スタンパの大きさ等に変更を要しないため、そ
のまま使用することができる。
In addition, as compared with the conventional stamper manufacturing process, equipment requires a new apparatus for sputtering a layer to be etched and an apparatus for etching, and a new apparatus for removing a resist, that is, a photosensitive layer. Since the size of the stamper does not need to be changed, the machine can be used as it is.

【0109】更にまた、前述の保護層を被着する際に用
いるスパッタ装置は、従来の原盤用基板の表面の導電化
処理に用いていたスパッタ装置を代用して被着形成する
ことも可能である等、従来使用していた装置に変更を加
えたり、従来装置を廃棄する必要がない。
Further, the sputtering apparatus used for depositing the above-mentioned protective layer can be formed by depositing instead of the conventional sputtering apparatus used for conducting the surface of the master substrate. For example, there is no need to make changes to a device that has been used conventionally and to discard the device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】光記録媒体作製用スタンパーの一例の略線的拡
大断面図である。
FIG. 1 is a schematic enlarged sectional view of an example of a stamper for producing an optical recording medium.

【図2】光記録媒体作製用スタンパーの製造方法の一例
の製造工程図である。
FIG. 2 is a manufacturing process diagram of an example of a method for manufacturing a stamper for manufacturing an optical recording medium.

【図3】光記録媒体作製用スタンパーの製造方法の一例
の製造工程図である。
FIG. 3 is a manufacturing process diagram of an example of a method for manufacturing a stamper for manufacturing an optical recording medium.

【図4】光記録媒体の製造工程図である。FIG. 4 is a manufacturing process diagram of the optical recording medium.

【図5】光記録媒体の一例の構成を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating a configuration of an example of an optical recording medium.

【図6】光記録媒体作製用スタンパーの転写工程の説明
図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a transfer step of a stamper for producing an optical recording medium.

【図7】光学記録装置の一例の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of an example of an optical recording device.

【図8】電子線描画装置の一例の説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of an example of an electron beam drawing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス原盤、2 基板、2S 平滑主面、3 微細
凹凸パターン層、3a被エッチング層、4 感光層、5
微細凹凸パターン、 5a 潜像、6 載置台、7
対向電極、8 高周波電源、9 活性ガスイオン、10
2 イオン、11 保護層、12 光記録媒体作製用
スタンパー、50 電子線描画装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass master, 2 board | substrate, 2S smooth main surface, 3 micro uneven pattern layer, 3a etching layer, 4 photosensitive layer, 5
Fine uneven pattern, 5a latent image, 6 mounting table, 7
Counter electrode, 8 High frequency power supply, 9 Active gas ion, 10
O 2 ion, 11 protective layer, 12 stamper for producing optical recording medium, 50 electron beam drawing apparatus

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 微細凹凸パターンを有する光記録媒体を
製造する光記録媒体作製用スタンパーであって、 平滑主面を有する基板と、 該基板上に、該基板とエッチング性を異にし、上記微細
凹凸パターンの深さに対応する一様な厚さを有し、上記
微細凹凸パターンに対応するパターンエッチングがなさ
れた微細凹凸パターン層が設けられて成ることを特徴と
する光記録媒体作製用スタンパー。
An optical recording medium producing stamper for producing an optical recording medium having a fine concavo-convex pattern, comprising: a substrate having a smooth main surface; A stamper for producing an optical recording medium, comprising: a fine uneven pattern layer having a uniform thickness corresponding to the depth of the uneven pattern and being subjected to pattern etching corresponding to the fine uneven pattern.
【請求項2】 上記微細凹凸パターン層上に、保護膜が
形成されて成ることを特徴とする上記請求項1に記載の
光記録媒体作製用スタンパー。
2. The stamper for producing an optical recording medium according to claim 1, wherein a protective film is formed on the fine uneven pattern layer.
【請求項3】 上記基板が、少なくともその表面がNi
より成り、 上記微細凹凸パターン層が、SiO2 より成ることを特
徴とする上記請求項1又は2に記載の光記録媒体作製用
スタンパー。
3. The substrate according to claim 1, wherein at least a surface of the substrate is Ni.
The stamper for producing an optical recording medium according to claim 1, wherein the fine uneven pattern layer is made of SiO 2 .
【請求項4】 平滑主面を有する基板上に、該基板とエ
ッチング性を異にする材料より成り、ほぼ一様な厚さを
有する被エッチング層を被着する工程と、 上記被エッチング層上に、感光すると現像液に対し不溶
性となるネガ型の感光層を被着する工程と、 上記感光層に対し微細凹凸パターンをパターン露光する
工程と、 上記感光層を現像する工程と、 上記微細凹凸パターンが形成された上記感光層をマスク
として、上記被エッチング層に対し異方性エッチングを
行う工程と、 上記微細凹凸パターンが形成された上記感光層を除去す
る工程とを有することを特徴とする光記録媒体作製用ス
タンパーの製造方法。
4. A step of depositing a layer to be etched made of a material having a different etching property from the substrate and having a substantially uniform thickness on a substrate having a smooth main surface; A step of applying a negative photosensitive layer which becomes insoluble in a developer when exposed to light, a step of pattern-exposing a fine uneven pattern to the photosensitive layer, a step of developing the photosensitive layer, and a step of developing the fine unevenness Using the photosensitive layer on which the pattern is formed as a mask, performing anisotropic etching on the layer to be etched, and removing the photosensitive layer on which the fine uneven pattern is formed. A method for manufacturing a stamper for producing an optical recording medium.
【請求項5】 上記感光層に対するパターン露光を、電
子線描画により行うことを特徴とする上記請求項4に記
載の光記録媒体作製用スタンパーの製造方法。
5. The method for producing a stamper for producing an optical recording medium according to claim 4, wherein the pattern exposure of the photosensitive layer is performed by electron beam drawing.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012176728A1 (en) * 2011-06-23 2012-12-27 旭化成株式会社 Laminate for forming fine pattern, and method for producing laminate for forming fine pattern

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012176728A1 (en) * 2011-06-23 2012-12-27 旭化成株式会社 Laminate for forming fine pattern, and method for producing laminate for forming fine pattern
JP5243672B1 (en) * 2011-06-23 2013-07-24 旭化成株式会社 Fine pattern forming laminate and method for producing fine pattern forming laminate
CN103299396A (en) * 2011-06-23 2013-09-11 旭化成株式会社 Laminate for forming fine pattern, and method for producing laminate for forming fine pattern
KR101326614B1 (en) 2011-06-23 2013-11-08 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 Laminate for forming fine pattern, and method for producing laminate for forming fine pattern
CN104210047A (en) * 2011-06-23 2014-12-17 旭化成电子材料株式会社 Laminate for forming fine pattern, and method for producing laminate for forming fine pattern
CN104210046A (en) * 2011-06-23 2014-12-17 旭化成电子材料株式会社 Laminate for forming fine pattern
CN103299396B (en) * 2011-06-23 2015-11-25 旭化成电子材料株式会社 The manufacture method of fine pattern formation laminate and fine pattern formation laminate
CN104210047B (en) * 2011-06-23 2016-09-28 旭化成株式会社 Fine pattern formation laminate and the manufacture method of fine pattern formation laminate
CN104210046B (en) * 2011-06-23 2017-05-10 旭化成株式会社 Laminate for forming fine pattern

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