JP2002361597A - Micro-lens array manufacturing method, micro-lens array, optical system, and projective exposing device - Google Patents
Micro-lens array manufacturing method, micro-lens array, optical system, and projective exposing deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】 本発明は、マイクロレンズ
アレイの製造方法、マイクロレンズアレイ、マイクロレ
ンズアレイを有する光学系、マイクロレンズアレイを有
する投影露光装置に関する物である。The present invention relates to a method for manufacturing a microlens array, a microlens array, an optical system having a microlens array, and a projection exposure apparatus having a microlens array.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図６に示すような、複数の小型レンズ
（マイクロレンズ要素と呼ぶ）の集合体であるマイクロ
レンズアレイは、一般にエッチングまたは、モールドに
より製造されている。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 6, a microlens array, which is an aggregate of a plurality of small lenses (called microlens elements), is generally manufactured by etching or molding.
【０００３】エッチングは、通常フォトリソグラフィー
工程が用いられる。その工程を図２に沿って説明する。
まず、フォトレジストをコートした石英の基板にマスク
を介して露光する(a)。光源から発せられた光が、マス
クの光透過部を透過し、フォトレジストに照射される。
露光した部分のフォトレジストと、露光していない部分
のフォトレジストでは異なる性質となる。次に、露光し
たフォトレジストを現像する(b)。露光工程で露光した
部分は、現像液に溶けない性質になっている。そのた
め、現像工程によってマスクパターンに応じた形状にフ
ォトレジストが残留する。次に、エッチングを行う
(c)。エッチングには、化学的に基板を融解するウエッ
トエッチングやイオン照射による基板の分解除去を行う
ドライエッチング等がある。エッチングは、基板が露出
した部分に作用し、フォトレジストが基板にのっている
部分には作用しない。したがって、フォトレジストが除
去された部分のみの基板が、エッチングによって削られ
る。削られる分量は、エッチングに用いるイオン照射条
件（ドライエッチングの場合）や融解条件（ウエットエ
ッチングの場合）や時間で制御することができる。次
に、基板上のフォトレジストを除去する(d)。マスクパ
ターンに応じた形状の凹凸のある基板になる。さらに、
フォトレジストをコートし(e)、露光・現像を行い(f)、
エッチング・レジスト除去を行う(g)。これらの(e)から
(g)の工程を繰り返し行い、所望のマイクロレンズ要素
の表面形状に近づけて行く。このようにして得られたレ
ンズの形状は、図２(g)に示すように、理想とするレン
ズの形状を階段状に近似したものとなる。[0005] Etching is usually performed by a photolithography process. The process will be described with reference to FIG.
First, a quartz substrate coated with a photoresist is exposed through a mask (a). Light emitted from the light source passes through the light transmitting portion of the mask, and irradiates the photoresist.
The exposed part of the photoresist and the unexposed part of the photoresist have different properties. Next, the exposed photoresist is developed (b). The portion exposed in the exposure step has a property of being insoluble in a developing solution. Therefore, the photoresist remains in a shape corresponding to the mask pattern in the developing process. Next, perform etching
(c). Examples of the etching include wet etching for chemically melting the substrate and dry etching for decomposing and removing the substrate by ion irradiation. The etching acts on portions where the substrate is exposed, but not on portions where the photoresist is on the substrate. Therefore, only the portion of the substrate from which the photoresist has been removed is etched away. The amount removed can be controlled by ion irradiation conditions (for dry etching), melting conditions (for wet etching), and time used for etching. Next, the photoresist on the substrate is removed (d). A substrate having irregularities according to the mask pattern is obtained. further,
Photoresist is coated (e), exposed and developed (f),
Perform etching and resist removal (g). From these (e)
Step (g) is repeated to approach the desired surface shape of the microlens element. The shape of the lens obtained in this way is, as shown in FIG. 2 (g), an approximation of the ideal lens shape in a step shape.
【０００４】以上、露光された部分が残留するフォトレ
ジスト（ネガ型）のものについて説明した。この他に、
露光されない部分が残留するフォトレジスト（ポジ型）
があるが、現像工程におけるマスクパターンに対する残
留部分のみが異なり、他の工程に関しては同様である。As described above, the photoresist (negative type) in which the exposed portion remains has been described. In addition,
Photoresist with unexposed parts remaining (positive type)
However, only the remaining portion for the mask pattern in the developing step is different, and the other steps are the same.
【０００５】またモールドは、上記と同様の方法でエッ
チングにより成形されている型を用いて成形している。
つまり、型の表面は、理想とするレンズ形状を階段状に
近似した形に成形されている。その型に光学素材を押し
当てる方法や、溶融した光学素材を型に入れ冷却する方
法により成形し、レンズに加工していた。したがって、
モールドによる方法は、型の表面形状が基板に転写され
る。つまり、モールドによる方法でも、成形されるレン
ズの形状は、基板を直接エッチングする方法と同様に、
理想とするレンズ形状を階段状に近似したものになる。The mold is formed by using a mold formed by etching in the same manner as described above.
That is, the surface of the mold is formed in a shape that approximates the ideal lens shape in a stepwise manner. The optical material was pressed against the mold, or the molten optical material was put into a mold and cooled to form a lens, which was then processed into a lens. Therefore,
In the method using a mold, the surface shape of a mold is transferred to a substrate. In other words, even with the method using a mold, the shape of the lens to be molded is the same as the method for directly etching the substrate,
The ideal lens shape is approximated in a step shape.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】このようにエッチング
によりマイクロレンズアレイを成形する方法では、各マ
イクロレンズ要素の表面形状が階段状に形成されてい
る。このことは、理想のマイクロレンズ要素の表面形状
に対し、凹凸が生じているため、表面粗さが粗くなって
いた。また、エッチング処理によって、基板表面が変質
したり、微小な凹凸が生じるため、さらに表面粗さが粗
くなっていた。In the method of forming a microlens array by etching as described above, the surface shape of each microlens element is formed stepwise. This is because irregularities are generated with respect to the ideal surface shape of the microlens element, so that the surface roughness is rough. Further, the surface of the substrate is altered or fine irregularities are generated by the etching process, so that the surface roughness is further increased.
【０００７】またモールドにおいては、型をエッチング
で成形するため、基板をエッチングで成形するのと同
じ、階段状に成形することによる表面粗さがある。さら
に、型の形状と、型によって成形された光学素材の表面
形状が一致しない、という現象も生じ、表面粗さ粗かっ
た。In a mold, since a mold is formed by etching, there is a surface roughness caused by forming in a step shape, which is the same as forming a substrate by etching. Further, a phenomenon that the shape of the mold and the surface shape of the optical material formed by the mold do not match occurred, and the surface roughness was rough.
【０００８】これらの表面粗さが粗くなっていることに
より、回折や散乱が生じ、透過率の低下や透過光のムラ
が生じていた。また、エッチング処理工程の回数を増加
させると、理想のレンズ形状からの誤差は低減すること
ができる。しかし、エッチング回数を著しく増加させる
必要があり、現実的ではないという問題点あった。ま
た、マスク露光の重ね合わせには誤差が伴う。したがっ
て、エッチング処理工程を増加させると、重ね合わせ誤
差のため、マスクからの転写のずれが重なり大きくな
る。このため、個々のマイクロレンズ要素の誤差が大き
くなるため、透過光のムラが増加するという問題もあっ
た。[0008] Due to the rough surface roughness, diffraction and scattering occur, causing a decrease in transmittance and unevenness in transmitted light. In addition, when the number of times of the etching process is increased, an error from an ideal lens shape can be reduced. However, it is necessary to increase the number of etchings significantly, which is not practical. In addition, overlaying mask exposure involves an error. Therefore, when the number of etching processing steps is increased, the transfer deviation from the mask overlaps and increases due to an overlay error. For this reason, there is also a problem that the error of the individual microlens elements increases, and the unevenness of the transmitted light increases.
【０００９】本発明は、これらの問題を解決し、表面精
度を向上させることにより、高い透過率の、透過光ムラ
を低減させたマイクロレンズアレイの製造方法を提供す
ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a microlens array having a high transmittance and a reduced transmitted light unevenness by solving these problems and improving the surface accuracy.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、マイ
クロレンズアレイの製造方法において、マイクロレンズ
アレイをエッチングまたはモールドにより成形した後
に、研磨することを特徴としている。According to a first aspect of the present invention, in the method of manufacturing a microlens array, the microlens array is polished after being formed by etching or molding.
【００１１】この構成により、高い透過率の、透過光ム
ラを低減させたマイクロレンズアレイの製造方法を提供
することができる。請求項２の発明は、マイクロレンズ
アレイにおいて、前記マイクロレンズアレイは、請求項
１に記載の方法により製造されたことを特徴としてい
る。With this configuration, it is possible to provide a method of manufacturing a microlens array having a high transmittance and reduced unevenness of transmitted light. According to a second aspect of the present invention, in the microlens array, the microlens array is manufactured by the method according to the first aspect.
【００１２】この構成により、高い透過率の、透過光ム
ラを低減させたマイクロレンズアレイを提供することが
できる。請求項３の発明は、請求項２に記載のマイクロ
レンズアレイにおいて、前記マイクロレンズアレイを構
成する各マイクロレンズ要素の表面粗さは、40nm(Rmax)
以下であることを特徴としている。With this configuration, it is possible to provide a microlens array having a high transmittance and a reduced transmitted light unevenness. According to a third aspect of the present invention, in the microlens array according to the second aspect, the surface roughness of each microlens element constituting the microlens array is 40 nm (Rmax).
It is characterized as follows.
【００１３】この構成により、高い透過率の、透過光ム
ラを低減させたマイクロレンズアレイを提供することが
できる。請求項４の発明は、マイクロレンズアレイを有
する光学系において、前記マイクロレンズアレイは、請
求項３に記載のマイクロレンズであることを特徴として
いる。With this configuration, it is possible to provide a microlens array with high transmittance and reduced unevenness of transmitted light. According to a fourth aspect of the present invention, in the optical system having a microlens array, the microlens array is the microlens according to the third aspect.
【００１４】この構成により、高い透過率の、透過光ム
ラを低減させた光学系を提供することができる。請求項
５の発明は、マイクロレンズアレイを有する投影露光装
置において、前記マイクロレンズアレイは、請求項３に
記載のマイクロレンズであることを特徴としている。According to this configuration, it is possible to provide an optical system having high transmittance and reduced transmitted light unevenness. According to a fifth aspect of the invention, in a projection exposure apparatus having a microlens array, the microlens array is the microlens according to the third aspect.
【００１５】この構成により、高い透過率の、透過光ム
ラを低減させた投影露光装置を提供することができる。With this configuration, it is possible to provide a projection exposure apparatus having a high transmittance and reduced transmitted light unevenness.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態について説明する。図１は本発明の実施の
手順を示す概念図である。第一工程では、エッチング、
またはモールドによるマイクロレンズアレイを成形する
(S01)。エッチングまたはモールドによりマイクロレン
ズアレイを成形する（第一工程は、従来の方法と同様で
ある）。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a conceptual diagram showing a procedure for implementing the present invention. In the first step, etching,
Or mold the micro lens array by mold
(S01). The microlens array is formed by etching or molding (the first step is the same as the conventional method).
【００１７】第二工程では、第一工程で成形したマイク
ロレンズアレイを構成するマイクロレンズ要素の表面形
状を測定する(S02)。測定する項目は、マイクロレンズ
要素の曲率半径等の表面外形形状、表面粗さ等である。
これらの値は、光学性能に影響を及ぼす値である。測定
はマイクロレンズアレイの中からランダムに選別した複
数個のマイクロレンズ要素に対して行う。その測定結果
を平均化し、測定値とする。In the second step, the surface shape of the microlens elements constituting the microlens array formed in the first step is measured (S02). Items to be measured are the surface external shape such as the radius of curvature of the microlens element, the surface roughness, and the like.
These values are values that affect optical performance. The measurement is performed on a plurality of microlens elements randomly selected from the microlens array. The measurement results are averaged to obtain a measured value.
【００１８】第三工程では、マイクロレンズアレイに対
する研磨加工条件を、第二工程での測定値を基にして決
定する(S03)。ここで、研磨加工条件とは、研磨工具材
質、研磨剤種類、摩擦運動条件である。要求されるマイ
クロレンズ要素の表面外形形状、表面粗さと、第二工程
での測定値を比較し、研磨加工条件を決定する。In the third step, the polishing conditions for the microlens array are determined based on the measured values in the second step (S03). Here, the polishing processing conditions are a polishing tool material, an abrasive type, and a frictional motion condition. The required surface profile and surface roughness of the microlens element are compared with the measured values in the second step to determine polishing conditions.
【００１９】第四工程では、マイクロレンズアレイを研
磨する (S04)。第三工程で決定した研磨工具、研磨剤、
摩擦運動条件で、マイクロレンズアレイの研磨を行う。
この後、再び第二工程の測定を行う。その測定値が、要
求精度に入っている場合には、加工完了である。In the fourth step, the microlens array is polished (S04). Polishing tool, abrasive, determined in the third step,
The microlens array is polished under frictional motion conditions.
Thereafter, the measurement in the second step is performed again. If the measured value falls within the required accuracy, processing is completed.
【００２０】しかし、測定値が要求精度から外れている
場合、第二工程(S02)〜第四工程(S04)を繰り返し行う。
第一工程において成形する形状は、第四工程によって磨
耗分をあらかじめ上乗せした形状にすることも可能であ
る。However, if the measured value is out of the required accuracy, the second step (S02) to the fourth step (S04) are repeated.
The shape to be formed in the first step may be a shape in which a wear amount is added in advance in the fourth step.
【００２１】第四工程である研磨工程を図３を用いて説
明する。図３において、軟質スポンジや発泡ポリウレタ
ンなどの弾性体からなる研磨工具２が第一の支持体３に
接着されている。第一の支持体３は自由支点をもつ揺動
軸７によって下方に押圧されている。揺動軸７は、図３
の左右前後に揺動運動を行い、それにつれて第一の支持
体３と第一の支持体３に接着されている研磨工具２も移
動する。研磨工具２の下面は、研磨剤１を介してマイク
ロレンズアレイ４に接触している。マイクロレンズアレ
イ４は、第二の支持体５に接着され保持されている。第
二の支持体５は、研磨装置６に研磨工具２の運動に対し
て動かないように固定されている。研磨剤１は水に酸化
セリウムの微粉を分散させた物であり、マイクロレンズ
アレイ４の上にノズル８から供給される。The polishing step, which is the fourth step, will be described with reference to FIG. In FIG. 3, a polishing tool 2 made of an elastic body such as a soft sponge or foamed polyurethane is bonded to a first support 3. The first support 3 is pressed downward by a swing shaft 7 having a free fulcrum. The swing shaft 7 is shown in FIG.
Swings back and forth, and the first support 3 and the polishing tool 2 adhered to the first support 3 move accordingly. The lower surface of the polishing tool 2 is in contact with the microlens array 4 via the polishing agent 1. The microlens array 4 is adhered and held on the second support 5. The second support 5 is fixed to the polishing apparatus 6 so as not to move with respect to the movement of the polishing tool 2. The abrasive 1 is a dispersion of fine cerium oxide powder in water, and is supplied from a nozzle 8 onto the microlens array 4.
【００２２】（実施例）本発明のマイクロレンズアレイ
の製造方法により、表面粗さが低減された例を説明す
る。φ５０ｍｍ、厚さ3mmの石英ガラス基板にエッチン
グを用いて、縦７０個×横７０個のマイクロレンズアレ
イを成形した。個々のマイクロレンズ要素は、200μｍ
×500μｍの長方形で、曲率半径が２ｍｍの球面であ
る。このマイクロレンズアレイに要求される精度は、表
面粗さ40nm以下、マイクロレンズ要素の曲率半径2mm±
0.3mmである。(Example) An example in which the surface roughness is reduced by the method of manufacturing a microlens array according to the present invention will be described. Using a quartz glass substrate having a diameter of 50 mm and a thickness of 3 mm, a microlens array of 70 × 70 was formed by etching. Each microlens element is 200μm
It is a sphere having a rectangular shape of × 500 μm and a radius of curvature of 2 mm. The precision required for this microlens array is a surface roughness of 40 nm or less and a radius of curvature of the microlens element of 2 mm ±
0.3 mm.
【００２３】図４（a）はマイクロレンズアレイのエッ
チングによる成形後の表面粗さを示すグラフである。表
面粗さの測定結果は、40nm〜80nm(Rmax)であった。ま
た、曲率半径は、1.9mm〜2.0mmであった。この測定結果
を基に、研磨条件を設定した。その条件は、研磨工具を
発泡ポリウレタンで厚みを3mmとし、研磨剤として酸化
セリウム微粉を純水に１０ｗｔ％分散させた物を使用
し、揺動幅を前後2mm、左右５ｍｍとした。圧接の圧力
は、１kg/cm2とした。FIG. 4A is a graph showing the surface roughness of the microlens array after being formed by etching. The measurement result of the surface roughness was 40 nm to 80 nm (Rmax). The radius of curvature was 1.9 mm to 2.0 mm. Polishing conditions were set based on the measurement results. The polishing tool was made of foamed polyurethane having a thickness of 3 mm, and a cerium oxide fine powder having a thickness of 3 mm dispersed in pure water as an abrasive was used. The pressure of the pressure welding was 1 kg / cm 2 .
【００２４】図2の様にマイクロレンズアレイと研磨工
具を固定した。研磨工具の移動速度を前後動毎分２０ｍ
ｍ、左右動毎分１００ｍｍとした。以上の条件で１時間
研磨を行った。研磨終了後のマイクロレンズ要素の表面
粗さは、図４(b)に示した様になった。表面粗さは20nm
〜30nmに低減され、要求精度である40nm以下となってい
ることがわかる。また、曲率半径は2mm〜2.2mmであり、
要求精度に収まっている。The microlens array and the polishing tool were fixed as shown in FIG. The moving speed of the polishing tool is 20m per minute
m, 100 mm per minute. Polishing was performed for 1 hour under the above conditions. The surface roughness of the microlens element after polishing was as shown in FIG. 4 (b). Surface roughness is 20nm
It can be seen that the required accuracy is reduced to 30 nm or less, which is the required accuracy of 40 nm or less. Also, the radius of curvature is 2mm to 2.2mm,
Within the required accuracy.
【００２５】このように、研磨により、エッチングによ
る段差等の表面粗さが原因である回折や散乱が低減され
るため、透過率が高くなり、透過光ムラが減少した。 （実施例２）図５は、本発明に係る投影露光装置を説明
する概念図である。As described above, since the polishing reduces diffraction and scattering caused by surface roughness such as steps due to etching, the transmittance is increased, and transmitted light unevenness is reduced. (Embodiment 2) FIG. 5 is a conceptual diagram illustrating a projection exposure apparatus according to the present invention.
【００２６】本発明の投影露光装置は少なくとも、表面
３０１ａに置かれた感光剤を塗布した基板Ｗを置くこと
のできるウエハステージ３０１、光を供給するための光
源１００、基板Ｗ上にマスクＲのパターンのイメージを
投影するためのマスクＲが配された最初の表面Ｐ１（物
体面）と基板Ｗの表面と一致させた二番目の表面（像
面）との間に置かれた投影光学系５００、を含む。照明
光学系１０１は、マスクＲとウェハＷとの間の相対位置
を調節するための、アライメント光学系１１０も含んで
おり、マスクＲはウェハステージ３０１の表面に対して
平行に動くことのできるレチクルステージ２０１に配置
される。レチクル交換系２００は、レチクルステージ２
０１にセットされたマスクＲを交換し運搬する。レチク
ル交換系２００はウェハーステージ３０１の表面３０１
ａに対してレチクルステージ２０１を平行に動かすため
のステージドライバーを含んでいる。投影光学系５００
は、スキャンタイプの投影露光装置に応用されるアライ
メント光学系を持っている。The projection exposure apparatus of the present invention includes at least a wafer stage 301 on which a substrate W coated with a photosensitive agent placed on a surface 301a can be placed, a light source 100 for supplying light, and a mask R on the substrate W. A projection optical system 500 placed between a first surface P1 (object plane) on which a mask R for projecting an image of a pattern is arranged and a second surface (image plane) matched with the surface of the substrate W ,including. The illumination optical system 101 also includes an alignment optical system 110 for adjusting a relative position between the mask R and the wafer W. The mask R is a reticle that can move parallel to the surface of the wafer stage 301. It is arranged on the stage 201. The reticle exchange system 200 is a reticle stage 2
The mask R set to 01 is exchanged and transported. The reticle exchange system 200 has a surface 301 of the wafer stage 301.
and a stage driver for moving the reticle stage 201 in parallel to a. Projection optical system 500
Has an alignment optical system applied to a scan type projection exposure apparatus.
【００２７】照明光学系１０１の中には、光源から出射
した光を受けて所望の大きさに成形する成形光学系、そ
の光を均一な強度にするフライアイレンズが含まれてい
る。前記フライアイレンズとレチクルとの間にマイクロ
レンズアレイを設ける。光源を出射し、成形光学系を通
り、フライアイレンズを通過した光は、個々のフライア
イレンズの焦点を通過して拡散する。拡散した光は、マ
イクロレンズアレイに照射される。マイクロレンズアレ
イは、照射された光を通過させ、個々のマイクロレンジ
要素の焦点を通過して拡散する。個々のマイクロレンズ
要素の焦点は、いわば点光源となり、点光源の集合体か
らの照射光となるので、照射光の均一性がより高くな
る。The illumination optical system 101 includes a molding optical system that receives light emitted from a light source and shapes the light into a desired size, and a fly-eye lens that makes the light have uniform intensity. A microlens array is provided between the fly-eye lens and the reticle. Light emitted from the light source, passed through the shaping optical system, and passed through the fly-eye lens is diffused through the focal point of each fly-eye lens. The diffused light is applied to the microlens array. The microlens array transmits the illuminated light and diffuses through the focal points of the individual microrange elements. Since the focal point of each microlens element is a point light source, that is, irradiation light from a group of point light sources, the uniformity of the irradiation light is higher.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
エッチングやモールドによる成形のために生じる表面粗
さを低減し、表面精度を向上させることにより、透過率
の高い、透過光ムラの少ないマイクロレンズアレイの製
造方法を提供することができる。As described above, according to the present invention,
A method of manufacturing a microlens array having high transmittance and less transmitted light unevenness can be provided by reducing surface roughness caused by etching or molding by molding and improving surface accuracy.
【００２９】また、投影露光装置の照射光の均一性が高
くなることにより、スループットの向上した投影露光装
置を提供することができる。Further, since the uniformity of the irradiation light of the projection exposure apparatus is improved, it is possible to provide a projection exposure apparatus with improved throughput.
【図１】本発明における、マイクロレンズアレイの製造
工程を説明する概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a manufacturing process of a microlens array according to the present invention.
【図２】従来のマイクロレンズアレイの製造方法を説明
する概念図である。FIG. 2 is a conceptual diagram illustrating a conventional method for manufacturing a microlens array.
【図３】マイクロレンズアレイの研磨方法を説明する概
念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating a method for polishing a microlens array.
【図４】従来の製造方法と本発明による方法の表面精度
を比較する図である。FIG. 4 is a diagram comparing the surface accuracy of a conventional manufacturing method and the method of the present invention.
【図５】本発明による、投影露光装置の実施の形態を示
す概念図である。FIG. 5 is a conceptual diagram showing an embodiment of a projection exposure apparatus according to the present invention.
【図６】マイクロレンズアレイを説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a microlens array.
１ 研磨剤 ２ 研磨工具 ３ 第一の支持体 ４ マイクロレンズアレイ ５ 第二の支持体 ６ 研磨機 ７ 揺動軸 ８ ノズル １０１ 照明光学系 ５００ 投影光学系 R レチクル W ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Abrasive 2 Polishing tool 3 First support 4 Microlens array 5 Second support 6 Polisher 7 Oscillating shaft 8 Nozzle 101 Illumination optical system 500 Projection optical system R Reticle W Wafer
Claims (5)
て、 前記マイクロレンズアレイをエッチングまたはモールド
により成形した後に、研磨することを特徴とするマイク
ロレンズアレイの製造方法。1. A method for manufacturing a microlens array, comprising: polishing the microlens array after etching or molding the microlens array.
より製造されたことを特徴とするマイクロレンズアレ
イ。2. The microlens array according to claim 1, wherein the microlens array is manufactured by the method according to claim 1.
おいて、 前記マイクロレンズアレイを構成する各マイクロレンズ
要素の表面粗さは、40nm（Rmax）以下であることを特徴
とするマイクロレンズアレイ。3. The microlens array according to claim 2, wherein the surface roughness of each microlens element constituting the microlens array is 40 nm (Rmax) or less.
いて、 前記マイクロレンズアレイは、請求項３に記載のマイク
ロレンズであることを特徴とする光学系。4. An optical system having a microlens array, wherein the microlens array is the microlens according to claim 3.
置において、 前記マイクロレンズアレイは、請求項３に記載のマイク
ロレンズであることを特徴とする投影露光装置。5. A projection exposure apparatus having a microlens array, wherein the microlens array is the microlens according to claim 3.
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| JP2001174957A JP2002361597A (en) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | Micro-lens array manufacturing method, micro-lens array, optical system, and projective exposing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002361597A true JP2002361597A (en) | 2002-12-18 |
Family
ID=19016169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001174957A Pending JP2002361597A (en) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | Micro-lens array manufacturing method, micro-lens array, optical system, and projective exposing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002361597A (en) |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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