JP2002358898A - Plasma display panel and its manufacturing method - Google Patents

Plasma display panel and its manufacturing method

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JP2002358898A
JP2002358898A JP2001166587A JP2001166587A JP2002358898A JP 2002358898 A JP2002358898 A JP 2002358898A JP 2001166587 A JP2001166587 A JP 2001166587A JP 2001166587 A JP2001166587 A JP 2001166587A JP 2002358898 A JP2002358898 A JP 2002358898A
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Koji Akiyama
浩二 秋山
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma display panel without any degradation of brightness with time, and of high stability and long life. SOLUTION: It is so structured that a conductive electrode and a dielectric and a protection layers covering it are successively laminated on at least one of a pair of substrates which oppose with a discharge space in between, and impurity atoms exist distributed in the layer thickness direction in the dielectric layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イパネル、特に対向3電極面放電型ACプラズマディス
プレイパネルおよびその製造方法に関わり、動作特性の
安定化および経時変化の改善を図るため、特に誘電体層
および保護層に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma display panel, and more particularly to an opposed three-electrode surface discharge type AC plasma display panel and a method of manufacturing the same. And a protective layer.

【0002】[0002]

【従来の技術】プラズマディスプレイパネルは、ガス放
電によって発生した紫外線によって蛍光体を励起発光さ
せ、画像表示するディスプレイである。その放電の形成
手法から交流(AC)型と直流(DC)型に分類するこ
とが出来る。AC型の特徴は、輝度、発光効率、寿命の
点でDC型より優れている点である。さらに、AC型の
中でも反射型面放電タイプは輝度、発光効率の点で特に
際だっているため、このタイプが最も一般的である。
2. Description of the Related Art A plasma display panel is a display that excites and emits a phosphor by ultraviolet rays generated by gas discharge to display an image. The discharge can be classified into an alternating current (AC) type and a direct current (DC) type based on the method of forming the discharge. The AC type is characterized by being superior to the DC type in luminance, luminous efficiency, and life. Furthermore, among the AC types, the reflection type surface discharge type is the most common because it is particularly outstanding in terms of luminance and luminous efficiency.

【0003】図4に従来の一例として、反射型AC面放
電プラズマディスプレイパネルの画素の一部の断面図を
示す。以下に、この構造及び動作について説明する。透
明絶縁性基板(最も一般的にはガラス板が使用される)
401上に透明電極(ITOやSnO2が使用される)
402が複数本形成されている。ただし、この透明電極
402ではシート抵抗が高く、大型パネルにおいては全
画素に十分な電力を供給することが出来ないため、透明
電極402上に銀の厚膜やアルミニウム薄膜やクロム/
銅/クロム(Cr/Cu/Cr)の積層薄膜によるバス
電極403が形成されている。このバス電極403によ
って、見かけ上透明電極402のシート抵抗が下がる。
これらの電極上に透明な誘電体層(低融点ガラスが使用
される)404および酸化マグネシウム(MgO)から
なる保護層405が形成されている。誘電体層404
は、AC型プラズマディスプレイ特有の電流制限機能を
有しており、DC型に比べて長寿命にできる要因となっ
ている。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a part of a pixel of a reflective AC surface discharge plasma display panel as an example of the related art. The structure and operation will be described below. Transparent insulating substrate (most commonly a glass plate is used)
Transparent electrode (ITO or SnO2 is used) on 401
A plurality 402 are formed. However, since the transparent electrode 402 has a high sheet resistance and cannot supply sufficient power to all pixels in a large panel, a thick silver film, an aluminum thin film,
The bus electrode 403 is formed of a laminated thin film of copper / chromium (Cr / Cu / Cr). The apparent bus resistance of the transparent electrode 402 is reduced by the bus electrode 403.
A transparent dielectric layer (low melting glass is used) 404 and a protective layer 405 made of magnesium oxide (MgO) are formed on these electrodes. Dielectric layer 404
Have a current limiting function peculiar to the AC type plasma display, which is a factor that can make the life longer than that of the DC type.

【0004】この前面側基板401に対して、もう一方
の後面側基板の透明絶縁性基板406上には画像データ
を書き込むデータ電極407、下地誘電体層408、隔
壁409および蛍光体層410が形成されている。ここ
で、データ電極407および隔壁409は、透明電極4
02と互いに直交するよう配置されており、また2本の
隔壁409で囲まれた空間でもって放電セル411を形
成しており、放電セル411内には放電ガスとしてネオ
ン(Ne)とキセノン(Xe)の混合ガスがおよそ6
6.7kPa(500Torr)の圧力で充填されてい
る。さらに隔壁409は、隣接する放電セル間を仕切
り、誤放電や光学的クロストークを防ぐ役割をしてい
る。
[0004] On the front side substrate 401, a data electrode 407 for writing image data, a base dielectric layer 408, a partition 409, and a phosphor layer 410 are formed on a transparent insulating substrate 406 on the other rear side. Have been. Here, the data electrode 407 and the partition wall 409 are connected to the transparent electrode 4.
02, and the discharge cells 411 are formed in a space surrounded by two partition walls 409. In the discharge cells 411, neon (Ne) and xenon (Xe) are used as discharge gases. ) Is about 6
It is filled at a pressure of 6.7 kPa (500 Torr). Further, the partition 409 serves to partition adjacent discharge cells and prevent erroneous discharge and optical crosstalk.

【0005】この透明電極402間に、数十kHz〜数
百kHzのAC電圧を印加して放電セル411内に放電
を発生させ、励起されたXe原子からの紫外線によって
蛍光体層410を励起し可視光を発生させて表示動作を
行う。
An AC voltage of several tens of kHz to several hundreds of kHz is applied between the transparent electrodes 402 to generate a discharge in the discharge cell 411, and the phosphor layer 410 is excited by ultraviolet rays from the excited Xe atoms. The display operation is performed by generating visible light.

【0006】このようなプラズマディスプレイパネルに
おいて、XeとNeからなる放電ガスにArを添加して
発光効率を向上させるものが提案されている(特開20
00−156164号公報)。
As such a plasma display panel, there has been proposed a plasma display panel in which Ar is added to a discharge gas consisting of Xe and Ne to improve the luminous efficiency (Japanese Patent Laid-Open No. 20-204).
00-156164).

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】プラズマディスプレイ
パネルの抱える問題の1つである経時的な輝度劣化があ
る。この原因は、蛍光体のプラズマダメージによる劣
化、およびMgO保護層のスパッタによる二次電子放出
係数の低下、および放電ガスに混入した不純ガスによる
保護層および蛍光体表面の汚染などである。
[0005] One of the problems of the plasma display panel is the luminance degradation with time. This is due to deterioration of the phosphor due to plasma damage, reduction of the secondary electron emission coefficient due to sputtering of the MgO protective layer, and contamination of the protective layer and the phosphor surface by the impurity gas mixed into the discharge gas.

【0008】上記の従来例では、放電ガスにArを添加
することにより、ペニング効果によって放電開始電圧を
低減することができる、あるいは同じ放電電圧であれば
より高輝度にできる。しかし、従来例では動作初期の輝
度は高くできるが、上記のような原因による経時的な輝
度の減少を防ぐことはできない。
In the above-mentioned conventional example, by adding Ar to the discharge gas, the discharge starting voltage can be reduced by the Penning effect, or higher brightness can be obtained at the same discharge voltage. However, in the conventional example, although the luminance at the initial stage of the operation can be increased, it is not possible to prevent the luminance from decreasing with time due to the above-described causes.

【0009】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、その目的は、(1)放電空間に徐
々にペニング効果のあるガスを供給して、経時的な輝度
劣化のないプラズマディスプレイを提供すること、
(2)放電空間に混入した不純ガスを不活性化して経時
的な輝度劣化のないプラズマディスプレイを提供するこ
と、および、(3)上記のプラズマディスプレイを製造
する製造方法を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and its object is to (1) supply a gas having a penning effect gradually to a discharge space so as to reduce luminance deterioration with time. Providing no plasma display,
(2) To provide a plasma display that does not deteriorate with time by inactivating impurity gas mixed into a discharge space, and (3) To provide a manufacturing method for manufacturing the above plasma display.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達するため、
請求項1の発明のプラズマディスプレイパネルは、放電
空間を介して対向する一対の基板の内、少なくとも一方
の基板上に導電性電極とそれを覆う誘電体層と保護層を
順次積層した構造を有し、誘電体層中に不純物原子が層
厚方向に分布し存在することを特徴とするものであり、
ペニング効果のある不純物原子が経時的に徐々に放電空
間内に供給されるため輝度劣化の無いプラズマディスプ
レイパネルを提供できる。
In order to achieve the above object,
The plasma display panel according to the first aspect of the present invention has a structure in which a conductive electrode, a dielectric layer covering the conductive electrode, and a protective layer are sequentially laminated on at least one of a pair of substrates facing each other via a discharge space. However, impurity atoms are distributed and present in the thickness direction in the dielectric layer,
Since the impurity atoms having the penning effect are gradually supplied into the discharge space with time, a plasma display panel without luminance degradation can be provided.

【0011】請求項2の発明のプラズマディスプレイパ
ネルは、誘電体層の保護層側に不純物原子密度の高い領
域が存在することを特徴とする。
The plasma display panel according to the second aspect of the present invention is characterized in that a region having a high impurity atom density exists on the protective layer side of the dielectric layer.

【0012】請求項3の発明のプラズマディスプレイパ
ネルは、誘電体層が酸化鉛または酸化ビスマスまたは酸
化燐を含有するガラスからなることを特徴とする。
A third aspect of the present invention is characterized in that the dielectric layer is made of glass containing lead oxide, bismuth oxide or phosphorus oxide.

【0013】請求項4の発明のプラズマディスプレイパ
ネルは、不純物原子が少なくとも希ガス原子であること
を特徴とする。
The plasma display panel according to a fourth aspect of the present invention is characterized in that the impurity atoms are at least rare gas atoms.

【0014】請求項5の発明のプラズマディスプレイパ
ネルは、不純物原子密度の最大値が1×1018個/c
m3以上2×1021個/cm3以下であることを特徴
とする。
In the plasma display panel according to the present invention, the maximum value of the impurity atom density is 1 × 10 18 / c.
m3 or more and 2 * 1021 pieces / cm3 or less.

【0015】請求項6の発明のプラズマディスプレイパ
ネルは、放電空間を介して対向する一対の基板の内、少
なくとも一方の基板上に導電性電極とそれを覆う誘電体
層と保護層を順次積層した構造を有し、前記保護層中に
不純物原子が層厚方向に分布し存在することを特徴とす
るものであり、ペニング効果のある不純物原子が経時的
に徐々に放電空間内に供給されるため輝度劣化の無いプ
ラズマディスプレイパネルを提供できる。
According to a sixth aspect of the present invention, a conductive electrode, a dielectric layer covering the conductive electrode, and a protective layer are sequentially laminated on at least one of a pair of substrates facing each other via a discharge space. Having a structure, wherein impurity atoms are distributed and present in the layer thickness direction in the protective layer, and impurity atoms having a penning effect are gradually supplied to the discharge space with time. A plasma display panel without luminance degradation can be provided.

【0016】請求項7の発明のプラズマディスプレイパ
ネルは、保護膜が少なくとも金属酸化物または金属窒化
物または金属ハロゲン化からなることを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, in the plasma display panel, the protective film is made of at least a metal oxide, a metal nitride, or a metal halide.

【0017】請求項8の発明のプラズマディスプレイパ
ネルは、保護層の放電空間側に不純物原子密度の高い領
域が存在することを特徴とする。
The plasma display panel according to the invention of claim 8 is characterized in that a region having a high impurity atom density exists on the discharge space side of the protective layer.

【0018】請求項9の発明のプラズマディスプレイパ
ネルは、不純物原子が少なくとも希ガス原子であること
を特徴とする。
A ninth aspect of the present invention is characterized in that the impurity atoms are at least rare gas atoms.

【0019】請求項10の発明のプラズマディスプレイ
パネルは、不純物原子密度の最大値が1×1018個/
cm3以上2×1021個/cm3以下であることを特
徴とする。
In the plasma display panel according to the tenth aspect, the maximum value of the impurity atom density is 1 × 1018 / atom.
cm3 or more and 2 * 1021 pieces / cm3 or less.

【0020】請求項11の発明のプラズマディスプレイ
パネルは、放電空間を介して対向する一対の基板の内、
少なくとも一方の基板上に導電性電極とそれを覆う誘電
体層と保護層を順次積層した構造を有し、もう一方の基
板上に下地導電性電極および隔壁が形成されており、隔
壁中に不純物原子が層厚方向に分布し存在することを特
徴とするものであり、ペニング効果のある不純物原子が
経時的に徐々に放電空間内に供給されるため輝度劣化の
無いプラズマディスプレイパネルを提供できる。
[0020] The plasma display panel according to the eleventh aspect of the present invention includes a pair of substrates facing each other via a discharge space,
It has a structure in which a conductive electrode, a dielectric layer and a protective layer covering the conductive electrode are sequentially laminated on at least one substrate, and a base conductive electrode and a partition are formed on the other substrate, and impurities are contained in the partition. The plasma display panel is characterized in that atoms are distributed and exist in the layer thickness direction, and impurity atoms having a penning effect are gradually supplied to a discharge space with time, so that a plasma display panel without luminance degradation can be provided.

【0021】請求項12の発明のプラズマディスプレイ
パネルは、放電空間を介して対向する一対の基板の内、
少なくとも一方の基板上に導電性電極とそれを覆う誘電
体層と保護層を順次積層した構造を有し、もう一方の基
板上に下地導電性電極および下地誘電体層および隔壁が
形成されており、下地誘電体層中に不純物原子が層厚方
向に分布し存在することを特徴とするものであり、ペニ
ング効果のある不純物原子が経時的に徐々に放電空間内
に供給されるため輝度劣化の無いプラズマディスプレイ
パネルを提供できる。
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a pair of substrates opposed to each other via a discharge space;
It has a structure in which a conductive electrode and a dielectric layer and a protective layer covering the conductive electrode are sequentially laminated on at least one substrate, and a base conductive electrode, a base dielectric layer, and a partition are formed on the other substrate. It is characterized in that impurity atoms are distributed and present in the thickness direction of the underlying dielectric layer. Impurity atoms having a penning effect are gradually supplied into the discharge space with time, so that the deterioration of luminance is reduced. It is possible to provide a plasma display panel without any.

【0022】請求項13の発明のプラズマディスプレイ
パネルは、隔壁または下地誘電体層の放電空間側に不純
物原子密度の高い領域が存在することを特徴とする。
A plasma display panel according to a thirteenth aspect of the present invention is characterized in that a region having a high impurity atom density exists on the discharge space side of the partition wall or the underlying dielectric layer.

【0023】請求項14の発明のプラズマディスプレイ
パネルは、不純物原子が少なくとも希ガス原子であるこ
とを特徴とする。
A plasma display panel according to a fourteenth aspect of the present invention is characterized in that the impurity atoms are at least rare gas atoms.

【0024】請求項15の発明のプラズマディスプレイ
パネルは、不純物原子密度の最大値が1×1018個/
cm3以上2×1021個/cm3以下であることを特
徴とする。
According to a fifteenth aspect of the present invention, the maximum value of the impurity atom density is 1 × 1018 / atom.
cm3 or more and 2 * 1021 pieces / cm3 or less.

【0025】請求項16の発明のプラズマディスプレイ
パネルは、放電空間にシリコン原子またはゲルマニウム
原子を少なくとも含有する分子が存在することを特徴と
し、放電空間内に混入した不純ガスを不活性化すること
によって経時的に輝度劣化の無いプラズマディスプレイ
パネルを提供できる。
A plasma display panel according to a sixteenth aspect of the present invention is characterized in that molecules containing at least silicon atoms or germanium atoms are present in the discharge space, and by inactivating impurity gas mixed in the discharge space. It is possible to provide a plasma display panel that does not deteriorate in luminance over time.

【0026】請求項17の発明のプラズマディスプレイ
パネルの製造方法は、基板上に導電性電極およびそれを
覆う誘電体層を形成した後、不純物原子を誘電体層に照
射した後、保護層を形成することを特徴とする。
According to a seventeenth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a plasma display panel, a conductive electrode and a dielectric layer covering the conductive electrode are formed on a substrate, and then the protective layer is formed after irradiating the dielectric layer with impurity atoms. It is characterized by doing.

【0027】請求項18の発明のプラズマディスプレイ
パネルの製造方法は、基板上に導電性電極およびそれを
覆う誘電体層および保護層を形成した後、不純物原子を
保護層に照射することを特徴とする。
The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 18 is characterized in that after forming a conductive electrode, a dielectric layer and a protective layer covering the conductive electrode on a substrate, the protective layer is irradiated with impurity atoms. I do.

【0028】請求項19の発明のプラズマディスプレイ
パネルの製造方法は、基板上に下地導電性電極および隔
壁を形成した後、不純物原子を隔壁に照射することを特
徴とする。
A method of manufacturing a plasma display panel according to a nineteenth aspect of the present invention is characterized in that after forming a base conductive electrode and a partition on a substrate, the partition is irradiated with impurity atoms.

【0029】請求項20の発明のプラズマディスプレイ
パネルの製造方法は、基板上に下地導電性電極および下
地誘電体層を形成し、さらに不純物原子を下地誘電体層
に照射した後、隔壁を形成することを特徴とする。
According to a twentieth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a plasma display panel, a base conductive electrode and a base dielectric layer are formed on a substrate, and furthermore, a barrier is formed after irradiating the base dielectric layer with impurity atoms. It is characterized by the following.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】以下、本発明のいくつかの実施形
態を添付の図面を参照して説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Some embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0031】(実施の形態1)図1は、本発明の第1の
実施形態に係わるプラズマディスプレイパネル100の
断面斜視図である。このプラズマディスプレイパネル1
00は、表示面側ガラス基板101上ITOまたは酸化
スズ(SnO2)などの透明導電性材料からなる表示電
極102および銀(Ag)厚膜(厚み:2μm〜10μ
m)、アルミニウム(Al)薄膜(厚み:0.1μm〜
1μm)またはCr/Cu/Cr積層薄膜(厚み:0.
1μm〜1μm)で構成したバス電極103を順次積層
し、さらに酸化鉛(PbO)または酸化ビスマス(Bi
2O3)または酸化燐(PO4)を主成分とする低融点
ガラス(厚み20μm〜50μm)からなる誘電体層1
04をスクリーン印刷によって形成されている。続い
て、ガラス基板101を市販のイオン注入装置に配置す
る。アルゴン(Ar)イオンをドーズ量と加速電圧を−
0.1kV〜−400kVの範囲で同時に操作して誘電
体層104表面に注入する。Arイオンは誘電体層10
4の表面近傍に注入され、注入される深さの範囲は1n
m〜2000nm(ナノ・メートル)である。ここで、
2次イオン質量分析(SIMS)によって誘電体層10
4に注入したAr量を定量したところ、誘電体表面から
深さ方向でのAr原子の分布の様子は、図2(a)に示
すような形であることが判明した。また、Ar原子密度
の最大値の値は2×1020個/cm3以上2×102
1個/cm3以下の範囲であった。次に、誘電体層10
4をプラズマによる損傷から保護するMgOからなる保
護層105(厚み:100nm〜1000nm)が電子
ビーム蒸着法により形成されている。以上のようにして
表示面側の基板を構成した。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional perspective view of a plasma display panel 100 according to a first embodiment of the present invention. This plasma display panel 1
Reference numeral 00 denotes a display electrode 102 made of a transparent conductive material such as ITO or tin oxide (SnO 2) and a silver (Ag) thick film (thickness: 2 μm to 10 μm) on the display surface side glass substrate 101.
m), aluminum (Al) thin film (thickness: 0.1 μm or more)
1 μm) or a Cr / Cu / Cr laminated thin film (thickness: 0.1 μm).
(1 μm to 1 μm) are sequentially stacked, and furthermore, lead oxide (PbO) or bismuth oxide (Bi)
Dielectric layer 1 made of low melting point glass (thickness: 20 μm to 50 μm) mainly containing 2O3) or phosphorus oxide (PO4)
04 is formed by screen printing. Subsequently, the glass substrate 101 is placed in a commercially available ion implantation apparatus. Argon (Ar) ion dose and acceleration voltage-
The operation is performed simultaneously in the range of 0.1 kV to -400 kV to implant the dielectric layer 104. Ar ions are in the dielectric layer 10
4 is implanted in the vicinity of the surface, and the range of the implanted depth is 1n.
m to 2000 nm (nanometers). here,
Dielectric layer 10 by secondary ion mass spectrometry (SIMS)
When the amount of Ar implanted into Sample No. 4 was quantified, it was found that the distribution of Ar atoms in the depth direction from the dielectric surface was as shown in FIG. The maximum value of the Ar atom density is 2 × 10 20 atoms / cm 3 or more and 2 × 10 2
The range was 1 / cm3 or less. Next, the dielectric layer 10
A protective layer 105 (thickness: 100 nm to 1000 nm) made of MgO that protects No. 4 from damage by plasma is formed by an electron beam evaporation method. The substrate on the display surface side was configured as described above.

【0032】一方、背面側のガラス基板106上には銀
(Ag)厚膜(厚み:2μm〜10μm)、アルミニウ
ム(Al)薄膜(厚み:0.1μm〜1μm)またはC
r/Cu/Cr積層薄膜(厚み:0.1μm〜1μm)
からなるアドレス電極107、隔壁108、カラー表示
のための3色(赤:R、緑:G、青:B)の蛍光体層1
09R、109G、109Bが順次積層して設けられて
いる。隔壁108によって放電空間110がライン方向
にサブピクセルSU毎に区画され、かつ放電空間110
の間隙寸法が所定の一定値をとるようになっている。こ
こで1つの画素(ピクセル)は、ライン方向に並んで
R,G,Bの各色で発光する3つのサブピクセルSUで
構成されている。また、図3に示すように、アドレス電
極107上に酸化鉛(PbO)または酸化ビスマス(B
i2O3)または酸化燐(PO4)を主成分とする低融
点ガラス(厚み5μm〜20μm)からなる下地誘電体
層301を形成してもよい。下地誘電体層301は、蛍
光体層109R,G,Bの密着性を改善するものであ
り、無いとプラズマディスプレイパネルが動作しないと
いうものではない。
On the other hand, a silver (Ag) thick film (thickness: 2 μm to 10 μm), an aluminum (Al) thin film (thickness: 0.1 μm to 1 μm) or C
r / Cu / Cr laminated thin film (thickness: 0.1 μm to 1 μm)
Electrodes 107, partition walls 108, and phosphor layers 1 of three colors (red: R, green: G, blue: B) for color display
09R, 109G, and 109B are sequentially laminated. The partition 108 separates the discharge space 110 into sub-pixels SU in the line direction.
Has a predetermined constant value. Here, one pixel (pixel) is composed of three sub-pixels SU that emit light of each color of R, G, B in the line direction. Further, as shown in FIG. 3, lead oxide (PbO) or bismuth oxide (B
The base dielectric layer 301 made of low melting point glass (thickness: 5 μm to 20 μm) containing i2O3) or phosphorus oxide (PO4) as a main component may be formed. The base dielectric layer 301 improves the adhesion between the phosphor layers 109R, G, and B, and does not mean that the plasma display panel does not operate without it.

【0033】上記のようにして得られた表示面側ガラス
基板101と背面側ガラス基板106を、表示電極10
2とアドレス電極107とが互いに直交するように隔壁
108を介して対向させ、周囲を気密封止し、放電空間
110内にNeとXeの混合ガスからなる放電ガスが所
定の圧力および混合比で充填し、プラズマディスプレイ
パネル(1)100を作製した。
The display side glass substrate 101 and the rear side glass substrate 106 obtained as described above are
2 and the address electrode 107 are opposed to each other via a partition wall 108 so as to be orthogonal to each other, hermetically sealed around, and a discharge gas composed of a mixed gas of Ne and Xe is supplied into the discharge space 110 at a predetermined pressure and a predetermined mixing ratio. This was filled to produce a plasma display panel (1) 100.

【0034】比較のために、上記のプラズマディスプレ
イパネル(1)100において誘電体層100にArイ
オンを注入せず、他の構成要素はパネル(1)100と
全く同様にして比較用プラズマディスプレイパネル
(A)を作製した。
For comparison, in the above-described plasma display panel (1) 100, Ar ions were not implanted into the dielectric layer 100, and the other components were exactly the same as the panel (1) 100. (A) was produced.

【0035】パネル(1)および(A)について、連続
動作させて発光輝度の経時変化を調べた。その結果、5
000時間経過後でのパネル(1)の輝度は、動作初期
の値に比べて90%に減少したのに対して、パネル
(A)は60%にまで減少した。
The panels (1) and (A) were operated continuously, and the change with time in the emission luminance was examined. As a result, 5
After the elapse of 000 hours, the luminance of the panel (1) was reduced to 90% as compared with the initial value of the operation, whereas the luminance of the panel (A) was reduced to 60%.

【0036】図2(a)において、プラズマドーピング
時にドーピング量を制御し、Ar原子密度の最大値の値
を1×1018個/cm3以上8×1021個/cm3
以下の範囲で変化させたプラズマディスプレイパネル1
00を作製したが、上記と同様な効果を得た。Ar原子
密度の最大値の値を1×1018個/cm3より小さく
すると、5000時間経過後での輝度は、初期の70%
以下に低下した。また、Ar原子密度の最大値の値が1
×1018個/cm3以上2×1020個/cm3以下
の範囲では、Ar原子密度を増加するにつれて輝度低下
率は減少するが、2×1021個/cm3以上にする
と、Arイオンを注入した誘電体層104の領域に気泡
のような空洞部が発生し、5000時間経過後での輝度
は、逆に初期の70%以下に低下してしまった。
In FIG. 2A, the doping amount is controlled at the time of plasma doping, and the maximum value of the Ar atom density is set to 1 × 10 18 atoms / cm 3 or more and 8 × 102 1 atoms / cm 3
Plasma display panel 1 changed in the following range
00 was produced, but the same effect as above was obtained. If the maximum value of the Ar atom density is smaller than 1 × 10 18 atoms / cm 3, the luminance after 5000 hours has passed is 70% of the initial value.
It fell below. The maximum value of the Ar atom density is 1
In the range of × 1018 / cm3 or more and 2 × 1020 / cm3 or less, the luminance reduction rate decreases as the Ar atom density increases, but when the density is 2 × 1021 / cm3 or more, the dielectric layer into which Ar ions are implanted. A cavity such as a bubble was generated in the region 104, and the luminance after lapse of 5000 hours was conversely reduced to 70% or less of the initial value.

【0037】イオン注入時のドーズ量および加速電圧を
制御して、図2(b)〜(f)に示すようなAr原子密
度分布を示すプラズマディスプレイパネル100を作製
したが、何れの場合も上記と同様な結果を得た。この
時、Ar原子密度分布のピーク値は1×1018個/c
m3以上2×1021個/cm3以下の範囲であった。
The plasma display panel 100 having the Ar atom density distribution as shown in FIGS. 2B to 2F was manufactured by controlling the dose amount and the acceleration voltage at the time of the ion implantation. Similar results were obtained. At this time, the peak value of the Ar atom density distribution is 1 × 10 18 / c
The range was m3 or more and 2 × 1021 pieces / cm3 or less.

【0038】このように、誘電体層104に上記のよう
な不純物イオン、例えばArイオンを注入することによ
り、プラズマディスプレイパネル100の経時的な輝度
低下率が減少した理由としては、以下のように考えてい
る。誘電体層104中に注入されたAr原子は、拡散に
より除々に放電空間110に放出されていく。従って、
ArがNe−Xe混合ガスからなる放電ガスに混入する
事により、ペニング効果によって放電開始電圧が減少す
る、すなわち効率が上がる。つまり、Arの混入が経時
的に増加することにより、蛍光体層109や保護層10
5の劣化による効率低下を補填し、その結果、プラズマ
ディスプレイパネルの大きな課題であった輝度の低下が
抑えられたものと考えられる。
As described above, the reason why the time-dependent decrease in luminance of the plasma display panel 100 is reduced by implanting the above-described impurity ions, for example, Ar ions into the dielectric layer 104 is as follows. thinking. Ar atoms implanted in the dielectric layer 104 are gradually released into the discharge space 110 by diffusion. Therefore,
By mixing Ar into the discharge gas composed of the Ne—Xe mixed gas, the discharge starting voltage is reduced by the Penning effect, that is, the efficiency is increased. That is, as the mixing of Ar increases with time, the phosphor layer 109 and the protective layer 10
It is considered that the decrease in efficiency due to the deterioration of 5 was compensated for, and as a result, the decrease in luminance, which was a major problem of the plasma display panel, was suppressed.

【0039】誘電体層104に注入される不純物原子
は、放電ガスに対してペニング効果を与えるものであれ
ば良く、放電ガスとしてNe−Xeの混合ガスを使用し
ている場合はArの他にHeを使用しても良く、Arと
Heを同時に注入してもよい。放電ガスにHe−Xeを
使用している場合は、誘電体層104に注入される不純
物原子としてはNeが好ましい。
The impurity atoms to be implanted into the dielectric layer 104 may be those which give a penning effect to the discharge gas. In the case where a mixed gas of Ne--Xe is used as the discharge gas, in addition to Ar, He may be used, or Ar and He may be implanted simultaneously. When He-Xe is used as the discharge gas, Ne is preferably used as the impurity atom implanted into the dielectric layer 104.

【0040】また、誘電体層104への不純物原子の注
入は、イオン注入機の他に市販のイオンシャワードーピ
ング装置を用いてもよい。
For the implantation of impurity atoms into the dielectric layer 104, a commercially available ion shower doping apparatus may be used in addition to the ion implanter.

【0041】(実施の形態2)本発明の第2の実施形態
では、第1の実施形態で作製したプラズマディスプレイ
パネル100において、誘電体層104形成後イオン注
入せず、保護層(MgO)105の形成後、第1の実施
の形態と同様にして保護層105に不純物原子としてA
rイオンをイオン注入したプラズマディスプレイパネル
(2)を構成した。尚、MgO層105中の膜厚方向の
Ar原子密度をSIMSにて評価したところ、図2
(a)の分布形状をしていた。但し、Ag原子密度のピ
ーク値における深さは概ね1nm〜200nmで、ピー
ク値は2×1020個/cm3〜2×1021個/cm
3であった。その他の各構成要素は第1の実施形態で説
明したものと同様であり、それらの説明はここでは省略
する。
(Embodiment 2) In a second embodiment of the present invention, in the plasma display panel 100 manufactured in the first embodiment, after forming the dielectric layer 104, ion implantation is not performed, and the protection layer (MgO) 105 After the formation of A, A is added to the protective layer 105 as an impurity atom in the same manner as in the first embodiment.
A plasma display panel (2) into which r ions were ion-implanted was formed. In addition, when the Ar atom density in the thickness direction in the MgO layer 105 was evaluated by SIMS, FIG.
(A) had the distribution shape. However, the depth at the peak value of the Ag atom density is approximately 1 nm to 200 nm, and the peak value is 2 × 1020 / cm3 to 2 × 1021 / cm.
It was 3. Other components are the same as those described in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0042】このパネル(2)を実施の形態1と同様に
して発光輝度の経時変化を調べたところ、5000時間
経過後では輝度は初期値の80%に低下した。第1の実
施の形態で作製した比較パネル(A)に比べて輝度の低
下率は小さく、経時変化が小さくなっていることが確認
できた。
When this panel (2) was examined for changes with time in light emission luminance in the same manner as in Embodiment 1, after 5000 hours, the luminance was reduced to 80% of the initial value. Compared with the comparative panel (A) manufactured in the first embodiment, the rate of decrease in luminance was small, and it was confirmed that the change with time was small.

【0043】また、Arイオン注入時のドーズ量を制御
してピーク値を様々に変化したプラズマディスプレイパ
ネルを作製し、同様にして経時変化を調べたところ、ピ
ーク値が1×1018個/cm3以下では、5000時
間経過後の輝度は初期値の62%に低下することが判明
した。しかし、ピーク値が1×1018個/cm3を越
えると5000時間経過後の輝度は増加し始め、2×1
020個/cm3〜2×1021個/cm3の範囲では
輝度はほぼ最大となった。ピーク値が2×1020個/
cm3を越えると、今度は逆に輝度は急減し、5000
時間経過後の輝度は初期値の70%以下となることが判
明した。この時のパネルを分解してMgO膜105表面
をSEM観察したところ、MgO膜105が深く削れて
いるのが確認できた。つまり、Ar原子をMgO膜10
5中に含ませることにより、時間経過とともに放電空間
110内にArが放出されてペニング効果によって経時
的な輝度低下は減少する。しかし、余りに多く注入する
とMgO膜105の構造を破壊し脆くしてしまい、パネ
ルを動作することによってMgO膜105がスパッタさ
れて削られ、MgO膜105の二次電子放出係数が低下
し、輝度低下が顕著になったと思われる。
Further, plasma display panels were manufactured in which the peak value was varied in various ways by controlling the dose during the implantation of Ar ions, and the change with time was similarly examined. The peak value was found to be 1 × 10 18 / cm 3 or less. It was found that the luminance after lapse of 5000 hours was reduced to 62% of the initial value. However, when the peak value exceeds 1 × 10 18 / cm 3, the luminance after lapse of 5000 hours starts to increase and 2 × 1
In the range of 020 / cm3 to 2 × 1021 / cm3, the luminance was almost maximum. The peak value is 2 × 1020 /
If it exceeds cm3, then the brightness will suddenly decrease to 5000
It was found that the luminance after a lapse of time was 70% or less of the initial value. At this time, the panel was disassembled and the surface of the MgO film 105 was observed by SEM. As a result, it was confirmed that the MgO film 105 was deeply shaved. That is, the Ar atoms are converted to the MgO film 10.
5, Ar is released into the discharge space 110 with the passage of time, and the decrease in luminance over time due to the Penning effect is reduced. However, if too much is implanted, the structure of the MgO film 105 is broken and made brittle. By operating the panel, the MgO film 105 is sputtered away and the secondary electron emission coefficient of the MgO film 105 is reduced, and the brightness is reduced. Seems to have become remarkable.

【0044】以上の結果より、保護層105中に含まれ
る不純物原子のピーク密度は、好ましくは1×1018
個/cm3より大きく、2×1021個/cm3以下、
より好ましくは2×1020個/cm3以上2×102
1個/cm3以下である。
From the above results, the peak density of impurity atoms contained in the protective layer 105 is preferably 1 × 10 18
Larger than 2 pieces / cm3 and 2 × 1021 pieces / cm3 or less,
More preferably 2 × 1020 / cm3 or more and 2 × 102
1 / cm3 or less.

【0045】保護層105に注入される不純物原子は、
放電ガスに対してペニング効果を与えるものであれば良
く、放電ガスとしてNe−Xeの混合ガスを使用してい
る場合はArの他にHeを使用しても良く、ArとHe
を同時に注入してもよい。放電ガスにHe−Xeを使用
している場合は、保護層105に注入される不純物原子
としてはNeが好ましい。
The impurity atoms implanted into the protective layer 105 are:
Any material that gives a penning effect to the discharge gas may be used. When a mixed gas of Ne—Xe is used as the discharge gas, He may be used in addition to Ar, and Ar and He may be used.
May be simultaneously injected. When He-Xe is used as the discharge gas, Ne is preferably used as the impurity atom implanted into the protective layer 105.

【0046】(実施の形態3)実施の形態1で作製した
プラズマディスプレイパネル100において、実施の形
態1と同条件にて誘電体層104にArイオンを注入し
た後、MgO保護層105(膜厚:0.5μm)形成
し、さらに実施の形態2と同条件にてMgO保護層10
5(膜厚:0.5μm)にArイオンを注入したプラズ
マディスプレイパネル(3)を作製した。その他の各構
成要素は第1の実施形態で説明したものと同様であり、
それらの説明はここでは省略する。
(Third Embodiment) In the plasma display panel 100 manufactured in the first embodiment, Ar ions are implanted into the dielectric layer 104 under the same conditions as in the first embodiment, and then the MgO protective layer 105 (film thickness) is formed. : 0.5 μm), and the MgO protective layer 10 was formed under the same conditions as in the second embodiment.
5 (film thickness: 0.5 μm) was prepared by implanting Ar ions into a plasma display panel (3). Other components are the same as those described in the first embodiment,
The description thereof is omitted here.

【0047】このパネル(3)を実施の形態1と同様に
して発光輝度の経時変化を調べたところ、5000時間
後の輝度は初期値の93%であり、パネル(1)および
(2)に比べて優れていた。この原因は、時間経過とと
もに放電空間110に放出されるAr原子数がパネル
(1)および(2)に比べて多かったためと思われる。
The panel (3) was examined for changes with time in light emission luminance in the same manner as in the first embodiment. The luminance after 5000 hours was 93% of the initial value. It was better than that. This is presumably because the number of Ar atoms released into the discharge space 110 with the passage of time was larger than in the panels (1) and (2).

【0048】(実施の形態4)実施の形態1で作製した
プラズマディスプレイパネル100において、誘電体層
104にArイオンを注入せずに表示面側の基板を構成
し、図3に示すように背面側のガラス基板106上にお
いてアドレス電極107および下地誘電体層301を形
成した後、下地誘電体層301にArイオンを第一の実
施の形態と同様にして注入したプラズマディスプレイパ
ネル(4)を作製した。尚、下地誘電体層301中の膜
厚方向のAr原子密度をSIMSにて評価したところ、
図2(a)の分布形状をしていた。但し、Ag原子密度
のピーク値における深さは概ね1nm〜2000nm
で、ピーク値は2×1020個/cm3以上2×102
1個/cm3以下の範囲であった。その他の各構成要素
は第1の実施形態で説明したものと同様であり、それら
の説明はここでは省略する。
(Embodiment 4) In the plasma display panel 100 manufactured in Embodiment 1, a substrate on the display surface side is formed without implanting Ar ions into the dielectric layer 104, and as shown in FIG. After forming the address electrode 107 and the underlying dielectric layer 301 on the glass substrate 106 on the side, a plasma display panel (4) in which Ar ions are implanted into the underlying dielectric layer 301 in the same manner as in the first embodiment is manufactured. did. In addition, when the Ar atom density in the film thickness direction in the base dielectric layer 301 was evaluated by SIMS,
The distribution shape was as shown in FIG. However, the depth at the peak value of the Ag atom density is approximately 1 nm to 2000 nm.
And the peak value is 2 × 1020 / cm3 or more and 2 × 102
The range was 1 / cm3 or less. Other components are the same as those described in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0049】このパネル(4)を実施の形態1と同様に
して発光輝度の経時変化を調べたところ、5000時間
後の輝度は初期値の85%であり、何も注入しなかった
比較パネル(A)に比べて優れていることが判明した。
This panel (4) was examined for changes with time in light emission luminance in the same manner as in Embodiment 1. The luminance after 5000 hours was 85% of the initial value. It turned out to be superior to A).

【0050】また、この時の背面側基板と第1の実施形
態で作製した誘電体層104にArを注入した表示面側
基板を用いてプラズマディスプレイパネルを構成し、発
光輝度の経時変化を調べたところ、5000時間後の輝
度は初期値の93%であった。
Further, a plasma display panel is constructed using the back substrate at this time and the display surface substrate in which Ar is injected into the dielectric layer 104 manufactured in the first embodiment, and the change in emission luminance with time is examined. As a result, the luminance after 5000 hours was 93% of the initial value.

【0051】また、この時の背面側基板と第2の実施形
態で作製した保護層105にArを注入した表示面側基
板を用いてプラズマディスプレイパネルを構成し、発光
輝度の経時変化を調べたところ、5000時間後の輝度
は初期値の88%であった。
Further, a plasma display panel was constructed using the back side substrate and the display surface side substrate in which Ar was injected into the protective layer 105 manufactured in the second embodiment, and the change in emission luminance with time was examined. However, the luminance after 5000 hours was 88% of the initial value.

【0052】また、この時の背面側基板と第3の実施形
態で作製した保護層105にArを注入した表示面側基
板を用いてプラズマディスプレイパネルを構成し、発光
輝度の経時変化を調べたところ、5000時間後の輝度
は初期値の95%であった。
Further, a plasma display panel was constructed using the rear substrate at this time and the display surface substrate in which Ar was injected into the protective layer 105 manufactured in the third embodiment, and changes over time in light emission luminance were examined. However, the luminance after 5000 hours was 95% of the initial value.

【0053】下地誘電体層301に注入される不純物原
子は、放電ガスに対してペニング効果を与えるものであ
れば良く、放電ガスとしてNe−Xeの混合ガスを使用
している場合はArの他にHeを使用しても良く、Ar
とHeを同時に注入してもよい。放電ガスにHe−Xe
を使用している場合は、下地誘電体層301に注入され
る不純物原子としてはNeが好ましい。
The impurity atoms to be implanted into the underlying dielectric layer 301 may be those which give a Penning effect to the discharge gas. In the case where a mixed gas of Ne--Xe is used as the discharge gas, other than Ar, He may be used for Ar
And He may be implanted simultaneously. He-Xe for discharge gas
Is used, Ne is preferable as an impurity atom to be implanted into the base dielectric layer 301.

【0054】(実施の形態5)実施の形態1で作製した
プラズマディスプレイパネル100において、誘電体層
104にArイオンを注入せずに表示面側の基板を構成
し、図1に示すように背面側のガラス基板106上にお
いて隔壁108を形成した後、隔壁108にArイオン
を第一の実施の形態と同様にして注入したプラズマディ
スプレイパネル(5)を作製した。尚、隔壁108中の
膜厚方向のAr原子密度をSIMSにて評価したとこ
ろ、図2(a)の分布形状をしていた。但し、Ag原子
密度のピーク値における深さは概ね1nm〜2000n
mで、ピーク値は2×1020個/cm3以上2×10
21個/cm3以下の範囲であった。その他の各構成要
素は第1の実施形態で説明したものと同様であり、それ
らの説明はここでは省略する。
(Fifth Embodiment) In the plasma display panel 100 manufactured in the first embodiment, a substrate on the display surface side is formed without implanting Ar ions into the dielectric layer 104, and as shown in FIG. After the partition walls 108 were formed on the glass substrate 106 on the side, a plasma display panel (5) was prepared in which Ar ions were implanted into the partition walls 108 in the same manner as in the first embodiment. In addition, when the Ar atom density in the film thickness direction in the partition wall 108 was evaluated by SIMS, the distribution shape was as shown in FIG. However, the depth at the peak value of the Ag atom density is approximately 1 nm to 2000 n.
m, the peak value is 2 × 1020 / cm3 or more and 2 × 10
The range was 21 / cm3 or less. Other components are the same as those described in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0055】このパネル(5)を実施の形態1と同様に
して発光輝度の経時変化を調べたところ、5000時間
後の輝度は初期値の90%であり、何も注入しなかった
比較パネル(A)に比べて優れていることが判明した。
This panel (5) was examined for changes with time in light emission luminance in the same manner as in the first embodiment. The luminance after 5000 hours was 90% of the initial value. It turned out to be superior to A).

【0056】またこの時の背面側基板と第1の実施形態
で作製した誘電体層104にArを注入した表示面側基
板を用いてプラズマディスプレイパネルを構成し、発光
輝度の経時変化を調べたところ、5000時間後の輝度
は初期値の95%であった。
Further, a plasma display panel was constructed using the rear substrate at this time and the display surface substrate in which Ar was injected into the dielectric layer 104 manufactured in the first embodiment, and changes over time in light emission luminance were examined. However, the luminance after 5000 hours was 95% of the initial value.

【0057】また、この時の背面側基板と第2の実施形
態で作製した保護層105にArを注入した表示面側基
板を用いてプラズマディスプレイパネルを構成し、発光
輝度の経時変化を調べたところ、5000時間後の輝度
は初期値の92%であった。
Further, a plasma display panel was constructed using the back side substrate and the display surface side substrate in which Ar was injected into the protective layer 105 manufactured in the second embodiment, and changes over time in light emission luminance were examined. However, the luminance after 5000 hours was 92% of the initial value.

【0058】また、この時の背面側基板と第3の実施形
態で作製した保護層105にArを注入した表示面側基
板を用いてプラズマディスプレイパネルを構成し、発光
輝度の経時変化を調べたところ、5000時間後の輝度
は初期値の97%であった。
Also, a plasma display panel was constructed using the back side substrate at this time and the display surface side substrate in which Ar was injected into the protective layer 105 manufactured in the third embodiment, and the change over time in the emission luminance was examined. However, the luminance after 5000 hours was 97% of the initial value.

【0059】隔壁108に注入される不純物原子は、放
電ガスに対してペニング効果を与えるものであれば良
く、放電ガスとしてNe−Xeの混合ガスを使用してい
る場合はArの他にHeを使用しても良く、ArとHe
を同時に注入してもよい。放電ガスにHe−Xeを使用
している場合は、隔壁108に注入される不純物原子と
してはNeが好ましい。
The impurity atoms to be injected into the barrier ribs 108 may be those which give a Penning effect to the discharge gas. When a mixed gas of Ne and Xe is used as the discharge gas, He is used instead of Ar. Ar and He may be used
May be simultaneously injected. When He-Xe is used for the discharge gas, Ne is preferably used as the impurity atom implanted into the partition wall 108.

【0060】(実施の形態6)実施の形態1で作製した
プラズマディスプレイパネル100において、誘電体層
104にArイオンを注入せずに表示面側の基板を構成
し、図に示すように背面側のガラス基板106上におい
て下地誘電体層111および隔壁108にArイオンを
第1の実施の形態と同様にして注入したプラズマディス
プレイパネル(6)を作製した。その他の各構成要素は
第1の実施形態で説明したものと同様であり、それらの
説明はここでは省略する。
(Embodiment 6) In the plasma display panel 100 manufactured in Embodiment 1, a substrate on the display surface side is formed without implanting Ar ions into the dielectric layer 104, and as shown in the drawing, A plasma display panel (6) in which Ar ions were implanted into the base dielectric layer 111 and the barrier ribs 108 on the glass substrate 106 in the same manner as in the first embodiment was manufactured. Other components are the same as those described in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0061】このパネル(6)を実施の形態1と同様に
して発光輝度の経時変化を調べたところ、5000時間
後の輝度は初期値の93%であり、パネル(4)および
(5)に比べて優れていることが判明した。この原因
は、時間経過とともに放電空間110に放出されるAr
原子数がパネル(4)および(5)に比べて多かったた
めと思われる。
The panel (6) was examined for changes with time in light emission luminance in the same manner as in the first embodiment. The luminance after 5000 hours was 93% of the initial value. It turned out to be superior. This is due to the Ar released into the discharge space 110 over time.
This is probably because the number of atoms was larger than those in panels (4) and (5).

【0062】またこの時の背面側基板と第1の実施形態
で作製した誘電体層104にArを注入した表示面側基
板を用いてプラズマディスプレイパネルを構成し、発光
輝度の経時変化を調べたところ、5000時間後の輝度
は初期値の97%であった。
Further, a plasma display panel was constructed using the back side substrate and the display surface side substrate in which Ar was injected into the dielectric layer 104 manufactured in the first embodiment, and the change with time of the emission luminance was examined. However, the luminance after 5000 hours was 97% of the initial value.

【0063】また、この時の背面側基板と第2の実施形
態で作製した保護層105にArを注入した表示面側基
板を用いてプラズマディスプレイパネルを構成し、発光
輝度の経時変化を調べたところ、5000時間後の輝度
は初期値の95%であった。
Further, a plasma display panel was constructed using the back side substrate at this time and the display surface side substrate in which Ar was injected into the protective layer 105 manufactured in the second embodiment, and the change with time of the emission luminance was examined. However, the luminance after 5000 hours was 95% of the initial value.

【0064】また、この時の背面側基板と第3の実施形
態で作製した保護層105にArを注入した表示面側基
板を用いてプラズマディスプレイパネルを構成し、発光
輝度の経時変化を調べたところ、5000時間後の輝度
は初期値の98〜99%であった。
Further, a plasma display panel was constructed using the back side substrate at this time and the display surface side substrate in which Ar was injected into the protective layer 105 manufactured in the third embodiment, and changes over time in the emission luminance were examined. However, the luminance after 5000 hours was 98 to 99% of the initial value.

【0065】(実施の形態7)実施の形態1で作製した
プラズマディスプレイパネル100において、充填した
放電ガスに体積比10ppm〜1%の範囲でSiH4を
混合したパネル(7)を作製した。その他の各構成要素
は第1の実施形態で説明したものと同様であり、それら
の説明はここでは省略する。
(Embodiment 7) A panel (7) was prepared by mixing the filled discharge gas with SiH4 at a volume ratio of 10 ppm to 1% in the plasma display panel 100 manufactured in Embodiment 1. Other components are the same as those described in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0066】このパネル(7)を実施の形態1と同様に
して発光輝度の経時変化を調べたところ、何れも500
0時間後の輝度は初期値の95%であり、SiH4を混
合しなかったパネル(1)に比べて優れていることが判
明した。この原因について以下のように考えている。
This panel (7) was examined for changes with time in light emission luminance in the same manner as in the first embodiment.
The luminance after 0 hour was 95% of the initial value, which proved to be superior to the panel (1) in which SiH4 was not mixed. The cause is considered as follows.

【0067】時間経過とともに保護層105や蛍光体層
109R,G,B表面に吸着しているH2OやCO2、
誘電体層104や下地誘電体層301や隔壁108中に
含まれる炭化水素ガスが徐々に放電空間110に放出さ
れ、これらの不純ガスが放電ガスに混入することによっ
てパネルの輝度は劣化する。しかし、放電空間110の
プラズマにおいて、これらのガスと反応し、より結合エ
ネルギの大きいガス化しない固体物に変える働きを有す
るガスを混合させることにより、不純ガス分子が放電空
間110内に浮遊することを抑制し、パネルの輝度劣化
を防ぐことができる。H2O、CO2、炭化水素のよう
な不純ガスを構成する原子(酸素原子、炭素原子)と強
い結合エネルギで結合する原子はSiやGeである(S
i−C結合、Si−O結合、Ge−C結合、Ge−O結
合を形成する)。従って、SiH4を混合したパネル
(7)が、混合しなかったパネル(1)より輝度劣化が
少なかった原因は、放電空間110内でSiH4および
不純ガス分子が解離し、Si−O結合やSi−C結合を
形成して蛍光体層109R,G,Bや保護層105表面
に固着したためと思われる。
As time passes, H2O and CO2 adsorbed on the surfaces of the protective layer 105 and the phosphor layers 109R, G, and B,
The hydrocarbon gas contained in the dielectric layer 104, the base dielectric layer 301, and the barrier ribs 108 is gradually released into the discharge space 110, and the impurity gas is mixed into the discharge gas, thereby deteriorating the brightness of the panel. However, by mixing a gas that reacts with these gases in the plasma of the discharge space 110 and has a function of changing into a solid substance that does not gasify with a higher binding energy, the impurity gas molecules may float in the discharge space 110. And the luminance of the panel can be prevented from deteriorating. The atoms that bond with the atoms (oxygen atoms, carbon atoms) constituting impurity gases such as H2O, CO2 and hydrocarbons with strong binding energy are Si and Ge (S
i-C bond, Si-O bond, Ge-C bond, and Ge-O bond are formed). Therefore, the reason why the panel (7) in which SiH4 is mixed has less luminance deterioration than the panel (1) in which SiH4 is not mixed is that the SiH4 and the impurity gas molecules are dissociated in the discharge space 110, and the Si-O bond and the Si- This is presumably because C bonds were formed and fixed to the phosphor layers 109R, G, B and the surface of the protective layer 105.

【0068】放電ガスに混入させるガスとしては、Si
H4の他に、Si2H6、Si3H8,SiF4、Si
H2F2、SiH3F、SiHF3、SiCl4、Si
HCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、GeH4、
Ge2H6、GeF4、Ge2F6、GeH3F、Ge
H2F2、GeHF3などを使用してもよい。
The gas to be mixed with the discharge gas is Si
In addition to H4, Si2H6, Si3H8, SiF4, Si
H2F2, SiH3F, SiHF3, SiCl4, Si
HCl3, SiH2Cl2, SiH3Cl, GeH4,
Ge2H6, GeF4, Ge2F6, GeH3F, Ge
H2F2, GeHF3 or the like may be used.

【0069】第1〜第7の実施形態において、各部に注
入される不純物原子はAr一種類だけでなく、種類の異
なる原子を混合してもよい。また、誘電体層104や保
護層105、下地誘電体層301や隔壁108それぞれ
において含まれる不純物原子の種類が異なっていてもよ
いし、混合比を変えて種類の異なる原子を含ませてもよ
い。
In the first to seventh embodiments, not only one kind of Ar but also different kinds of impurity atoms may be mixed into each part. In addition, the types of impurity atoms contained in each of the dielectric layer 104, the protective layer 105, the base dielectric layer 301, and the partition 108 may be different, or different types of atoms may be contained by changing the mixing ratio. .

【0070】以上から分かるように、本発明のプラズマ
ディスプレイパネルは輝度の経時変化が無く、動作が高
安定である。
As can be seen from the above description, the plasma display panel of the present invention does not change with time in luminance, and operates with high stability.

【0071】[0071]

【発明の効果】本発明によれば、輝度の経時変化が無
く、安定性に優れ長寿命のプラズマディスプレイパネル
を提供できる。
According to the present invention, it is possible to provide a plasma display panel which is stable and has a long life without luminance change with time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のある実施形態におけるプラズマディス
プレイパネルの構成を模式的に示す断面斜視図
FIG. 1 is a cross-sectional perspective view schematically illustrating a configuration of a plasma display panel according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明のある実施形態において使用した誘電体
層または保護層または下地誘電体層または隔壁中の不純
物原子密度の分布の様子を示す図
FIG. 2 is a diagram showing the distribution of impurity atom densities in a dielectric layer, a protective layer, a base dielectric layer, or a partition used in an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の別の実施形態におけるプラズマディス
プレイパネルの構成を模式的に示す断面斜視図
FIG. 3 is a cross-sectional perspective view schematically illustrating a configuration of a plasma display panel according to another embodiment of the present invention.

【図4】従来のプラズマディスプレイパネルの構成を模
式的に示した断面図
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a conventional plasma display panel.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 プラズマディスプレイパネル 101 表示面側ガラス基板 102 表示電極 103 バス電極 104 誘電体層 105 保護層 106 背面側ガラス基板 107 アドレス電極 108 隔壁 109R 蛍光体層(赤) 109G 蛍光体層(緑) 109B 蛍光体層(青) 110 放電空間 301 下地誘電体層 REFERENCE SIGNS LIST 100 plasma display panel 101 display surface side glass substrate 102 display electrode 103 bus electrode 104 dielectric layer 105 protective layer 106 back side glass substrate 107 address electrode 108 partition 109R phosphor layer (red) 109G phosphor layer (green) 109B phosphor Layer (blue) 110 Discharge space 301 Base dielectric layer

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 放電空間を介して対向する一対の基板の
内、少なくとも一方の基板上に導電性電極とそれを覆う
誘電体層と保護層を順次積層した構造を有し、前記誘電
体層中に不純物原子が層厚方向に分布し存在することを
特徴とするプラズマディスプレイパネル。
1. A dielectric layer having a structure in which a conductive electrode, a dielectric layer covering the conductive electrode and a protective layer are sequentially laminated on at least one of a pair of substrates facing each other via a discharge space. A plasma display panel, wherein impurity atoms are distributed and present in a layer thickness direction.
【請求項2】 誘電体層の保護層側に不純物原子密度の
高い領域が存在することを特徴とする請求項1に記載の
プラズマディスプレイパネル。
2. The plasma display panel according to claim 1, wherein a region having a high impurity atom density exists on the protective layer side of the dielectric layer.
【請求項3】 誘電体層が酸化鉛または酸化ビスマスま
たは酸化燐を含有するガラスからなることを特徴とする
請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
3. The plasma display panel according to claim 1, wherein the dielectric layer is made of glass containing lead oxide, bismuth oxide, or phosphorus oxide.
【請求項4】 不純物原子が少なくとも希ガス原子であ
ることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプ
レイパネル。
4. The plasma display panel according to claim 1, wherein the impurity atoms are at least rare gas atoms.
【請求項5】 不純物原子密度の最大値が1×1018
個/cm3以上2×1021個/cm3以下であること
を特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパ
ネル。
5. The maximum value of the impurity atom density is 1 × 1018.
2. The plasma display panel according to claim 1, wherein the number is not less than 2 × 10 21 pieces / cm 3.
【請求項6】 放電空間を介して対向する一対の基板の
内、少なくとも一方の基板上に導電性電極とそれを覆う
誘電体層と保護層を順次積層した構造を有し、前記保護
層中に不純物原子が層厚方向に分布し存在することを特
徴とするプラズマディスプレイパネル。
6. A structure in which a conductive electrode, a dielectric layer covering the conductive electrode, and a protective layer are sequentially laminated on at least one of a pair of substrates facing each other via a discharge space, A plasma display panel characterized in that impurity atoms are distributed and present in the layer thickness direction.
【請求項7】 保護膜が、少なくとも金属酸化物または
金属窒化物または金属ハロゲン化物からなることを特徴
とする請求項6に記載のプラズマディスプレイパネル。
7. The plasma display panel according to claim 6, wherein the protective film is made of at least a metal oxide, a metal nitride, or a metal halide.
【請求項8】 保護層の放電空間側に不純物原子密度の
高い領域が存在することを特徴とする請求項6に記載の
プラズマディスプレイパネル。
8. The plasma display panel according to claim 6, wherein a region having a high impurity atom density exists on the discharge space side of the protective layer.
【請求項9】 不純物原子が少なくとも希ガス原子であ
ることを特徴とする請求項6に記載のプラズマディスプ
レイパネル。
9. The plasma display panel according to claim 6, wherein the impurity atoms are at least rare gas atoms.
【請求項10】 不純物原子密度の最大値が1×101
8個/cm3以上2×1021個/cm3以下であるこ
とを特徴とする請求項6に記載のプラズマディスプレイ
パネル。
10. The maximum value of the impurity atom density is 1 × 101.
The plasma display panel according to claim 6, wherein the number is not less than 8 / cm3 and not more than 2 x 1021 / cm3.
【請求項11】 放電空間を介して対向する一対の基板
の内、少なくとも一方の基板上に導電性電極とそれを覆
う誘電体層と保護層を順次積層した構造を有し、もう一
方の基板上に下地導電性電極および隔壁が形成されてお
り、前記隔壁中に不純物原子が層厚方向に分布し存在す
ることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
11. A structure in which a conductive electrode, a dielectric layer covering the conductive electrode and a protective layer are sequentially laminated on at least one of a pair of substrates facing each other via a discharge space, and the other substrate is provided. A plasma display panel, on which a base conductive electrode and a partition are formed, and impurity atoms are distributed and present in the partition in a layer thickness direction.
【請求項12】 放電空間を介して対向する一対の基板
の内、少なくとも一方の基板上に導電性電極とそれを覆
う誘電体層と保護層を順次積層した構造を有し、もう一
方の基板上に下地導電性電極および下地誘電体層および
隔壁が形成されており、前記下地誘電体層中に不純物原
子が層厚方向に分布し存在することを特徴とするプラズ
マディスプレイパネル。
12. A substrate having a structure in which a conductive electrode, a dielectric layer covering the conductive electrode and a protective layer are sequentially laminated on at least one of a pair of substrates facing each other via a discharge space, and the other substrate is provided. A plasma display panel on which a base conductive electrode, a base dielectric layer, and a partition are formed, and wherein impurity atoms are distributed in the base dielectric layer in a layer thickness direction.
【請求項13】 下地誘電体層または隔壁の放電空間側
に不純物原子密度の高い領域が存在することを特徴とす
る請求項12に記載のプラズマディスプレイパネル。
13. The plasma display panel according to claim 12, wherein a region having a high impurity atom density exists on a discharge space side of the base dielectric layer or the partition wall.
【請求項14】 不純物原子が少なくとも希ガス原子で
あることを特徴とする請求項11または12に記載のプ
ラズマディスプレイパネル。
14. The plasma display panel according to claim 11, wherein the impurity atoms are at least rare gas atoms.
【請求項15】 不純物原子密度の最大値が1×101
8個/cm3以上2×1021個/cm3以下であるこ
とを特徴とする請求項13に記載のプラズマディスプレ
イパネル。
15. The maximum value of the impurity atom density is 1 × 101.
The plasma display panel according to claim 13, wherein the number is not less than 8 / cm3 and not more than 2 * 1021 / cm3.
【請求項16】 放電空間にシリコン原子またはゲルマ
ニウム原子を少なくとも含有する分子が存在することを
特徴とする請求項1〜15の何れかに記載のプラズマデ
ィスプレイパネル。
16. The plasma display panel according to claim 1, wherein a molecule containing at least a silicon atom or a germanium atom exists in the discharge space.
【請求項17】 請求項1に記載のプラズマディスプレ
イパネルの製造方法において、基板上に導電性電極およ
びそれを覆う誘電体層を形成し、さらに不純物原子を前
記誘電体層に照射した後、保護層を形成することを特徴
とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
17. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein a conductive electrode and a dielectric layer covering the conductive electrode are formed on a substrate, and furthermore, protection is performed after irradiating the dielectric layer with impurity atoms. A method for manufacturing a plasma display panel, comprising forming a layer.
【請求項18】 請求項6に記載のプラズマディスプレ
イパネルの製造方法において、基板上に導電性電極およ
びそれを覆う誘電体層および保護層を形成した後、不純
物原子を前記保護層に照射することを特徴とするプラズ
マディスプレイパネルの製造方法。
18. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 6, wherein after forming a conductive electrode and a dielectric layer and a protective layer covering the conductive electrode on a substrate, irradiating the protective layer with impurity atoms. A method for manufacturing a plasma display panel, comprising:
【請求項19】 請求項11に記載のプラズマディスプ
レイパネルの製造方法において、基板上に下地導電性電
極および隔壁を形成した後、不純物原子を前記隔壁に照
射することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
製造方法。
19. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 11, wherein after forming a base conductive electrode and a partition on the substrate, the partition is irradiated with impurity atoms. Production method.
【請求項20】 請求項12に記載のプラズマディスプ
レイパネルの製造方法において、基板上に下地導電性電
極および下地誘電体層を形成し、さらに不純物原子を前
記下地誘電体層に照射した後、隔壁を形成することを特
徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
20. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 12, wherein a base conductive electrode and a base dielectric layer are formed on a substrate, and the base dielectric layer is irradiated with impurity atoms. Forming a plasma display panel.
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