JP2002358632A - Substrate for information recording medium and method of manufacturing the same - Google Patents

Substrate for information recording medium and method of manufacturing the same

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JP2002358632A
JP2002358632A JP2002079220A JP2002079220A JP2002358632A JP 2002358632 A JP2002358632 A JP 2002358632A JP 2002079220 A JP2002079220 A JP 2002079220A JP 2002079220 A JP2002079220 A JP 2002079220A JP 2002358632 A JP2002358632 A JP 2002358632A
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JP
Japan
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substrate
information recording
recording medium
glass substrate
manufacturing
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Application number
JP2002079220A
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Japanese (ja)
Inventor
Junji Kurachi
淳史 倉知
Kazuishi Mitani
一石 三谷
Yasuhiro Saito
靖弘 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Sheet Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Sheet Glass Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make a magnetic disk surely and stably drivable even when a flying height is made lower than heretofore in order to deal with the trend toward a high density of data zones. SOLUTION: After a compression layer and non-compression layer are formed on a glass substrate in a polishing process step 4, the glass substrate undergoes etching treatment in an acidic solution where a hydrofluoric acid and fluoride salt are made to coexist in a texturing treatment process step 5 (first surface treatment 5a). In such a case, the acidic solution prepared to 0.3 to 0.98, more preferably 0.56 to 0.93 in the ratio X of the sum of the concentrations per mol each of the hydrofluoric acid and hydrogen ions to the sum of the concentrations per mol each of the hydrofluoric acid and fluoride ions is used as the etchant. A layer changed in properties is thereafter removed by using an alkaline solution (second surface treatment 5b) and the magnetic disk substrate is manufactured through a chemical strengthening treatment process step 6 and finishing cleaning process step 7.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は情報記録媒体用基板
及びその製造方法に関し、より詳しくはハードディスク
ドライブ(以下、「HDD」という)に代表される情報
記録装置に使用される情報記録媒体用基板及びその製造
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate for an information recording medium and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a substrate for an information recording medium used in an information recording apparatus represented by a hard disk drive (hereinafter referred to as "HDD"). And its manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、情報技術の進展は目覚しく、情報
を記憶するための各種情報記録装置の開発も盛んに行わ
れているが、これら情報記録装置の主流を占めるものと
してハードディスクドライブ(以下、「HDD」とい
う)がある。
2. Description of the Related Art In recent years, the progress of information technology has been remarkable, and various information recording devices for storing information have been actively developed. "HDD").

【0003】HDDは、磁気ディスク基板に形成された
データゾーン上を磁気ヘッドが滑走することによって情
報の記録再生を行い、その方式としてCSS(Contact
Start Stop)方式やランプロード方式が知られている。
An HDD records and reproduces information by sliding a magnetic head over a data zone formed on a magnetic disk substrate.
A Start Stop method and a ramp load method are known.

【0004】CSS方式は、CSSゾーンと呼称される
数十nm程度の均一な微小凹凸を主として磁気ディスク
基板の内周又は外周に沿って設け、磁気ディスク基板が
回転している間は磁気ヘッドが基板のデータゾーン上を
滑空し、磁気ディスク基板が停止又は始動するときは磁
気ディスク基板のCSSゾーン上を滑走する。
In the CSS method, uniform fine irregularities of about several tens of nanometers called a CSS zone are provided mainly along the inner or outer periphery of the magnetic disk substrate, and the magnetic head is driven while the magnetic disk substrate is rotating. Glide over the data zone of the substrate and glide over the CSS zone of the magnetic disk substrate when the magnetic disk substrate stops or starts.

【0005】また、ランプロード方式は、磁気ディスク
基板が回転している間は磁気ヘッドが磁気ディスク基板
上を滑空し、磁気ディスク基板が停止するときは磁気ヘ
ッドを所定の格納位置に収納する。
In the ramp load method, the magnetic head glides on the magnetic disk substrate while the magnetic disk substrate is rotating, and the magnetic head is stored in a predetermined storage position when the magnetic disk substrate stops.

【0006】したがって、上記CSS方式又はランプロ
ード方式のいずれの方式においても、磁気ディスク基板
が回転している間は、磁気ヘッドを磁気ディスク基板か
ら僅かに浮かせ、磁気ヘッドから数十nmの間隙(以
下、「フライングハイト」という)を維持した状態で磁
気ディスク基板の表面上を滑空することとなる.そし
て、HDDにおいては、磁気ディスク基板上を滑空して
いる磁気ヘッドが該磁気ディスク基板と接触し、磁気ヘ
ッドに過大な抵抗が負荷されるのを回避する必要があ
り、このため、従来より、例えば平均粒径0.3μm〜
3.0μmの遊離砥粒を含有した研磨剤を使用して精密
研磨を行った後、ケイフッ酸でエッチング処理すること
により、テクスチャと呼称される多数の微小突起を磁気
ディスク基板の表面に形成する技術が知られている(特
開2000−132829号公報)。
Therefore, in either of the CSS system and the ramp load system, while the magnetic disk substrate is rotating, the magnetic head is slightly lifted from the magnetic disk substrate, and a gap of several tens nm from the magnetic head ( In the HDD, the magnetic head gliding on the magnetic disk substrate comes into contact with the magnetic disk substrate while maintaining the flying height. However, it is necessary to prevent the magnetic head from being loaded with an excessive resistance.
After performing precision polishing using an abrasive containing 3.0 μm free abrasive grains, and etching with silica hydrofluoric acid, a number of minute projections called textures are formed on the surface of the magnetic disk substrate. The technique is known (JP-A-2000-132829).

【0007】該従来技術では、磁気ディスク基板の表面
をケイフッ酸でエッチング処理することにより、研磨剤
により形成された研磨痕(擦禍痕)が突起として残存
し、これにより磁気ディスク基板の表面に多数の微小突
起(テクスチャ)が形成される。しかも、ケイフッ酸は
フッ酸やフッ化カリウムを含むフッ酸水溶液に比べてエ
ッチング速度が遅く、エッチング力が弱いため、表面粗
さを高精度に制御することが可能になる。
In the prior art, the surface of the magnetic disk substrate is etched with silica hydrofluoric acid, so that polishing marks (abrasion marks) formed by the abrasive remain as projections, thereby causing the surface of the magnetic disk substrate to be damaged. Many small protrusions (textures) are formed. Moreover, since silicon hydrofluoric acid has a lower etching rate and weaker etching power than a hydrofluoric acid aqueous solution containing hydrofluoric acid or potassium fluoride, the surface roughness can be controlled with high precision.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年の情報
記憶量の膨大化に伴い、小形で大きな記憶容量を有する
HDDが要求されてきており、このためデータゾーンを
高密度化する必要があり、斯かるデータゾーンの高密度
化に対処すべく低フライングハイト化(例えば、10n
m以下のフライングハイト)が要請されている。
With the recent increase in the amount of information storage, a small HDD having a large storage capacity has been demanded. Therefore, it is necessary to increase the data zone density. In order to cope with such a high data zone density, a low flying height (for example, 10 n
m or less flying height).

【0009】一方、フライングハイトが低くなると磁気
ヘッドと磁気ディスクとの間の空気層が狭くなり、この
ため磁気ヘッドの浮上安定性が低下する。
On the other hand, when the flying height is reduced, the air layer between the magnetic head and the magnetic disk is narrowed, so that the flying stability of the magnetic head is reduced.

【0010】したがって、安定的な低フライングハイト
化を実現するためには、磁気ディスク基板上に付着して
いる微小な異物を完全に除去して磁気ヘッドが前記異物
と衝突するのを回避する必要があるのは勿論のこと、上
記テクスチャの品質を向上させて磁気ヘッドの浮上安定
性を向上させる必要があり、そのためには微小突起の突
起高さを可能な限り低くすると共にその密度を高め、且
つ前記突起高さのばらつきを抑制する必要がある。
Therefore, in order to realize a stable low flying height, it is necessary to completely remove minute foreign matters adhering to the magnetic disk substrate to avoid collision of the magnetic head with the foreign matters. Needless to say, it is necessary to improve the quality of the above texture to improve the flying stability of the magnetic head, and for that purpose, the height of the fine protrusions is made as low as possible and the density is increased. In addition, it is necessary to suppress variations in the height of the protrusion.

【0011】しかしながら、上記従来技術では、平均粒
径が0.3μm〜3.0μmの研磨剤(遊離砥粒)を使
用して精密研磨を行っても、ケイフッ酸のエッチング速
度が遅いため、研磨処理後のエッチング処理で突起高さ
の大きな線状又は点状の異常突起が形成され、このため
上述したような10nm以下のフライングハイトで磁気
ディスクを駆動させた場合、磁気ヘッドが前記異常突起
に衝突して所謂ヘッドクラッシュやサーマルアスペリテ
ィの発生する虞があるという問題点があった。
However, in the above-mentioned prior art, even if precision polishing is performed using an abrasive (free abrasive) having an average particle diameter of 0.3 μm to 3.0 μm, the polishing rate of silica hydrofluoric acid is low, so that the polishing rate is low. When the magnetic disk is driven at a flying height of 10 nm or less as described above, a magnetic head may be moved to the abnormal protrusion by forming a linear or dot-like abnormal protrusion having a large protrusion height in the etching process after the process. There is a problem that a collision may cause a so-called head crash or thermal asperity.

【0012】しかも、上記従来技術では、表面粗さRa
が最大で2.5nmまで許容されるため、低フライング
ハイトでの磁気ヘッドの浮上安定性に完全には対処しき
れないという問題点があった。
In addition, in the above-mentioned prior art, the surface roughness Ra
However, there is a problem that the flying stability of the magnetic head at a low flying height cannot be completely dealt with.

【0013】本発明はこのような事情に鑑みなされたも
のであって、データゾーンの高密度化に対処すべくフラ
イングハイトを従来よりもより一層低くした場合であっ
ても確実に且つ安定的に駆動させることのできる情報記
録媒体用基板及びその製造方法を提供することを目的と
する。
The present invention has been made in view of such circumstances, and it is possible to reliably and stably operate even if the flying height is made lower than before in order to cope with a higher data zone density. An object of the present invention is to provide an information recording medium substrate that can be driven and a method for manufacturing the same.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】情報記録媒体の技術分野
では、今後、更なるデータゾーンの高密度化が要請され
ると考えられるが、斯かるデータゾーンの高密度化を実
現するためには、上述したようにより一層の低フライン
グハイト化が必要となり、そのためには基板表面に形成
される微小突起の突起高さをより一層低くする必要があ
る。
In the technical field of information recording media, it is considered that further higher density of data zones will be required in the future, but in order to realize such higher density of data zones. As described above, it is necessary to further reduce the flying height, and for that purpose, it is necessary to further reduce the height of the minute projections formed on the substrate surface.

【0015】そして、微小突起の高さを低くするには基
板表面からのエッチング深さを浅くすればよいと考えら
れるが、エッチング深さを浅くした場合は研磨加工によ
り形成された圧縮層(研磨痕)の多くが残留して該圧縮
層が十分に除去することができず、このため、微小突起
が形成された後に実行される化学強化処理やスパッタリ
ング処理等で高温に晒した場合、熱による緩和膨張を招
来して微小突起が成長し、その結果突起高さの大きい異
常突起が生じ、磁気ヘッドが異常突起に衝突してサーマ
ルアスペリティやヘッドクラッシュが生じる虞がある。
It is considered that the etching depth from the substrate surface may be reduced in order to reduce the height of the minute projections. However, when the etching depth is reduced, the compression layer (polishing) formed by polishing is required. Many of the scars remain and the compressed layer cannot be sufficiently removed. Therefore, when the compressed layer is exposed to a high temperature by a chemical strengthening process, a sputtering process, or the like that is performed after the minute projections are formed, heat is generated. Small projections grow due to relaxation expansion, and as a result, abnormal projections having a large projection height are generated, and the magnetic head may collide with the abnormal projections, causing thermal asperity or head crash.

【0016】すなわち、低フライングハイト化に適合し
た所望の浮上安定性を得るためには、微小突起の突起高
さを低くしつつ、上記緩和膨張に起因して生じ得る突起
高さのバラツキを抑制する必要がある。すなわち、突起
高さの高い異常突起が形成されるのを回避するには、可
能な限りエッチング深さを深くして圧縮層を十分に除去
する必要があると考えられる。
That is, in order to obtain a desired flying stability suitable for lowering the flying height, while suppressing the height of the fine projections, the variation in the height of the projections which may be caused by the above-mentioned relaxation expansion is suppressed. There is a need to. That is, in order to avoid the formation of abnormal protrusions having a high protrusion height, it is considered necessary to increase the etching depth as much as possible and sufficiently remove the compressed layer.

【0017】本発明者らは、このような観点から鋭意研
究した結果、アルカリ化合物をフッ酸に添加してフッ化
物塩を生成させ、斯かるフッ化物塩を含む酸性溶液で表
面処理を行うことにより、基板表面の表面粗さRaを確
実に低下させて突起高さを一律に低く抑制することがで
き、しかも化学強化処理等の加熱処理を行った後におい
ても熱による緩和膨張を招来することなく、したがって
突起高さの低い微小突起を高密度で形成することができ
るという知見を得た。
The present inventors have conducted intensive studies from such a viewpoint. As a result, it has been found that an alkali compound is added to hydrofluoric acid to generate a fluoride salt, and a surface treatment is performed with an acidic solution containing the fluoride salt. Thereby, the surface roughness Ra of the substrate surface can be surely reduced, and the height of the projections can be uniformly reduced. Moreover, even after performing a heat treatment such as a chemical strengthening treatment, relaxation expansion due to heat is caused. Therefore, it has been found that fine protrusions having a low protrusion height can be formed at a high density.

【0018】本発明はこのような知見に基づきなされた
ものであって、本発明に係る情報記録媒体用基板の製造
方法は、研磨剤を使用してガラス基板に精密研磨処理を
施した後、表面処理を施して情報記録媒体用基板を製造
する情報記録媒体用基板の製造方法において、前記表面
処理は、フッ酸とフッ化物塩とを共存させたエッチング
液を使用して行うことを特徴としている。
The present invention has been made based on such findings, and the method for manufacturing a substrate for an information recording medium according to the present invention comprises the steps of: In the method for manufacturing an information recording medium substrate which performs a surface treatment to manufacture an information recording medium substrate, the surface treatment is performed using an etching solution in which hydrofluoric acid and a fluoride salt coexist. I have.

【0019】また、本発明者らの実験結果により、アル
カリ化合物のフッ酸への添加量が少ない場合はフッ酸の
みでエッチングした場合と差異がなくなり、前記異常突
起が形成され易い一方、アルカリ化合物をフッ酸に対し
過剰に添加した場合は微小突起の突起個数が少なくなっ
て所望の高密度なテクスチャを形成することができない
ことが判明した。したがって、フッ酸に対するアルカリ
化合物の添加量には最適範囲が存在すると考えられる。
According to the experimental results of the present inventors, when the addition amount of the alkali compound to hydrofluoric acid is small, there is no difference from the case of etching with hydrofluoric acid alone. It was found that when excessively added to the hydrofluoric acid, the number of the fine projections became small and a desired high-density texture could not be formed. Therefore, it is considered that there is an optimum range for the amount of the alkali compound added to hydrofluoric acid.

【0020】そこで、本発明者らは、斯かる観点から更
に鋭意研究を進めたところ、フッ酸とフッ化物イオンの
各々1モル当りの濃度の和に対するフッ酸と水素イオン
の各々1モル当りの濃度の和の比率Xが、0.3〜0.
98、好ましくは0.56〜0.93に調整されたエッ
チング液を使用することにより、微小突起の突起高さや
突起高さの平均値からの最大高さ(以下、「最大突起高
さ」という)Rpが前記加熱処理の前後で殆ど差異がな
く、加熱処理後においても最大突起高さRpが3.6n
m未満であって、しかも2nm以上の突起高さが150
個/100μm 2(10μm×10μm)以上の微小突
起を有する情報記録媒体用基板を得ることができ、これ
により低フライングハイトであっても所望の浮上安定性
を得ることができるという知見を得た。
Therefore, the present inventors have further revised from this viewpoint.
After diligent research on hydrofluoric acid and fluoride ions,
Hydrofluoric acid and hydrogen ions for the sum of the concentrations per mole each
, The ratio X of the sum of the concentrations per mole is 0.3 to 0.1.
98, preferably 0.56 to 0.93.
The use of the chilling liquid allows the
The maximum height from the average value of the protrusion heights (hereinafter referred to as the “maximum protrusion height
Rp) shows little difference before and after the heat treatment.
In addition, the maximum projection height Rp is 3.6 n even after the heat treatment.
m and a projection height of 2 nm or more is 150
Pieces / 100μm Two(10μm × 10μm) or more
It is possible to obtain an information recording medium substrate having
The desired flying stability even at low flying heights
Was obtained.

【0021】すなわち、本発明の情報記録媒体用基板の
製造方法は、前記フッ酸とフッ化物イオンの各々1モル
当りの濃度の和に対する前記フッ酸と水素イオンの各々
1モル当りの濃度の和の比率Xが0.3〜0.98、好
ましくは0.56〜0.93となるように、前記エッチ
ング液を調製することを特徴としている。
That is, in the method for manufacturing a substrate for an information recording medium according to the present invention, the sum of the concentration of the hydrofluoric acid and the hydrogen ion per mole of each of the concentrations of the hydrofluoric acid and the fluoride ion is preferably Is characterized in that the etching solution is prepared so that the ratio X becomes 0.3 to 0.98, preferably 0.56 to 0.93.

【0022】上記製造方法によれば、化学強化処理やス
パッタリング処理等の加熱処理を行っても、前記加熱処
理後の微小突起の最大突起高さを3.6nm未満に抑制
することができ、しかも高密度な微小突起を有する所望
の情報記録媒体用基板を製造することができ、したがっ
て低フライングハイト下でも優れた浮上安定性を有する
情報記録媒体用基板を得ることができる。
According to the above-described manufacturing method, even if a heat treatment such as a chemical strengthening treatment or a sputtering treatment is performed, the maximum projection height of the minute projections after the heat treatment can be suppressed to less than 3.6 nm, and A desired information recording medium substrate having high-density minute projections can be manufactured, and therefore, an information recording medium substrate having excellent flying stability even under a low flying height can be obtained.

【0023】また、上記フッ化物塩は、アルカリ化合物
の有する陽イオンがフッ酸の水素イオンと置換して生成
されるが、斯かる陽イオンが二価の陽イオンの場合は、
フッ酸との間で沈殿物を生成し、好ましくない。
The above-mentioned fluoride salt is formed by replacing a cation of an alkali compound with a hydrogen ion of hydrofluoric acid. When the cation is a divalent cation,
A precipitate is formed with hydrofluoric acid, which is not preferable.

【0024】したがって、前記エッチング液は、前記水
素イオンが一価の陽イオンで置換された溶液であるのが
好ましい。
Therefore, the etching solution is preferably a solution in which the hydrogen ions have been replaced with monovalent cations.

【0025】さらに、前記一価の陽イオンは、溶液中で
他の化学物質と反応しても沈殿物が生成されにくいアル
キルアンモニウムイオンであることが好ましい。また、
前記1価の陽イオンがアンモニウムイオンの場合、ガラ
ス基板から溶出するケイ素系化合物との間で沈殿物が生
成され、好ましくない。
Further, it is preferable that the monovalent cation is an alkylammonium ion which does not easily form a precipitate even when reacted with another chemical substance in a solution. Also,
When the monovalent cation is an ammonium ion, a precipitate is generated between the monovalent cation and the silicon-based compound eluted from the glass substrate, which is not preferable.

【0026】また、上述した酸性のエッチング液でガラ
ス基板を表面処理した場合、ガラス基板を構成する成分
の一部が酸性溶液に溶出するため、基板表面には厚みが
薄く機械的強度の弱い柔らかな変質層が形成される。そ
して、斯かる変質層は、アルカリ性溶液で表面処理を行
うことにより除去することができる。
When the surface of a glass substrate is treated with the above-mentioned acidic etching solution, some of the components constituting the glass substrate are eluted into the acidic solution. A deteriorated layer is formed. Then, such altered layer can be removed by performing a surface treatment with an alkaline solution.

【0027】そこで、本発明の情報記録媒体用基板の製
造方法は、前記表面処理は、前記エッチング液で第1の
表面処理を行った後、アルカリ性溶液で第2の表面処理
を行うのが好ましい。
Therefore, in the method of manufacturing a substrate for an information recording medium according to the present invention, it is preferable that the surface treatment is performed by performing a first surface treatment with the etching solution and then performing a second surface treatment with an alkaline solution. .

【0028】すなわち、第1の表面処理を行った後、ア
ルカリ性溶液、好ましくはpH12以上のアルカリ性溶
液で、第2の表面処理を行うことにより、前記変質層が
除去され、ガラス基板の表層面を硬化することができ
る。
That is, after the first surface treatment is performed, the deteriorated layer is removed by performing the second surface treatment with an alkaline solution, preferably an alkaline solution having a pH of 12 or more, and the surface layer of the glass substrate is removed. Can be cured.

【0029】また、本発明者らの更なる鋭意研究の結
果、上記表面処理を行う前にpHが4以下の酸性溶液を
処理液に使用して前処理を行うことにより、ガラス基板
の表面にはより多数の微小突起を形成することができる
という知見を得た。
Further, as a result of further intensive studies by the present inventors, a pretreatment using an acidic solution having a pH of 4 or less as a treatment liquid before performing the above-mentioned surface treatment allows the surface of the glass substrate to be treated. Has found that a larger number of microprojections can be formed.

【0030】そこで、本発明の情報記録媒体用基板の製
造方法は、前記表面処理を施す前に酸性溶液(好ましく
は、pHが4以下)で少なくとも1回の前処理を行うこ
とを特徴としている。
Therefore, a method of manufacturing a substrate for an information recording medium according to the present invention is characterized in that at least one pre-treatment is performed with an acidic solution (preferably having a pH of 4 or less) before performing the surface treatment. .

【0031】上記製造方法によれば、ガラス基板の表面
にはより多数の微小突起を形成することができるので、
情報記録媒体の始動をより一層円滑に行うことができ、
低フライングハイト下での浮上安定性がより一層向上し
た情報記録媒体用基板を製造することができる。
According to the above-described manufacturing method, more fine projections can be formed on the surface of the glass substrate.
The information recording medium can be started more smoothly,
An information recording medium substrate with further improved flying stability under low flying height can be manufactured.

【0032】また、斯かる前処理も酸性溶液で行ってい
るため、上述した表面処理の場合と同様、ガラス基板の
表面には変質層が形成される。
Further, since such a pretreatment is also performed with an acidic solution, an altered layer is formed on the surface of the glass substrate as in the case of the surface treatment described above.

【0033】したがって、前記表面処理を施す前に酸性
溶液を使用して少なくとも1回の第1の前処理を行った
後、アルカリ性溶液を使用して第2の前処理を行うのが
好ましい。
Therefore, it is preferable to perform at least one first pretreatment using an acidic solution before performing the surface treatment, and then perform a second pretreatment using an alkaline solution.

【0034】また、精密研磨を行なう際に用いられる研
磨剤は、平均粒径が0.01μm〜3μmである遊離砥
粒であることが好ましい。
The abrasive used for precision polishing is preferably a free abrasive having an average particle size of 0.01 μm to 3 μm.

【0035】上記製造方法によれば、上記遊離砥粒を用
いた精密研磨によりガラス基板表面に形成される圧縮層
の圧縮深さが2nm〜15nmとすることができる結
果、所期のテクスチャ形状をえることができる。この圧
縮深さが2nm未満であるとき、微小突起の突起高さが
低くなり過ぎ、テクスチャ形状に支障を来す一方、圧縮
深さが15nmを超えると圧縮層が離散的でなく砥粒の
擦過痕に沿った連続状となりエッチングにより微小突起
でなく山脈状の形状が形成されるため好ましくない。
According to the above manufacturing method, the compression depth of the compression layer formed on the surface of the glass substrate by precision polishing using the above-mentioned free abrasive grains can be set to 2 nm to 15 nm. Can be obtained. When the compression depth is less than 2 nm, the height of the fine projections becomes too low, which hinders the texture shape. On the other hand, when the compression depth exceeds 15 nm, the compression layer is not discrete and the abrasive grains are rubbed. It is not preferable because it becomes a continuous shape along the mark and a mountain-like shape is formed instead of a fine protrusion by etching.

【0036】さらに、本発明者らは、所望の突起高さ及
び突起個数を有するテクスチャを効果的に得るべく、鋭
意研究を進めたところ、ガラス組成中のSiO2成分の
含有率が過度に増加すると微小突起が形成され難くなる
一方、Al23成分の含有率が過度に増加すると微小突
起は形成され易くなるが、異常突起の形成される確率が
高くなり、このためヘッドクラッシュやサーマルアスペ
リティを惹起する虞があることが判明した。
Furthermore, the present inventors have conducted intensive studies to effectively obtain a texture having a desired projection height and the desired number of projections. As a result, the content of the SiO 2 component in the glass composition was excessively increased. This makes it difficult to form minute projections. On the other hand, when the content of the Al 2 O 3 component is excessively increased, minute projections are easily formed. However, the probability of formation of abnormal projections increases, which causes head crash and thermal asperity. It was found that there was a risk of causing

【0037】すなわち、SiO2成分とAl23成分と
の組成比率が一定の関係を有するガラス基板を使用する
のが望ましく、具体的には、SiO2の含有率と、Al2
3の含有率の1/2との差異が、モル%で53%〜6
6%、好ましくは58%〜64%の関係を有するガラス
基板を使用するのが望ましい。
[0037] That is, it is desirable to use a glass substrate having a composition ratio of SiO 2 component and Al 2 O 3 component has a certain relationship, specifically, the content of SiO 2, Al 2
The difference between the content of O 3 and 53 is 53% to 6% by mole%.
It is desirable to use a glass substrate having a relationship of 6%, preferably 58% to 64%.

【0038】また、情報記録媒体用基板に使用されるガ
ラス基板としては、耐水性や機械的強度に優れたアルミ
ノシリケート系のガラス材が好ましく、前記ガラス基板
は、具体的には、モル%で、SiO2:63%〜70
%、Al23:4%〜11%、Li2O:5%〜11
%、Na2O:6%〜14%、K2O:0%〜2%、Ti
2:0%〜5%、ZrO2:0%〜2.5%、MgO:
0%〜6%、CaO:1%〜9%、SrO:0%〜3
%、及びBaO:0%〜2%(但し、MgO、CaO、
SrO、及びBaOは総計で2%〜15%)の組成成分
を有するのが好ましい。
The glass substrate used for the information recording medium substrate is preferably an aluminosilicate-based glass material having excellent water resistance and mechanical strength. , SiO 2 : 63% to 70
%, Al 2 O 3: 4 % ~11%, Li 2 O: 5% ~11
%, Na 2 O: 6% to 14%, K 2 O: 0% to 2%, Ti
O 2: 0% ~5%, ZrO 2: 0% ~2.5%, MgO:
0% to 6%, CaO: 1% to 9%, SrO: 0% to 3
% And BaO: 0% to 2% (however, MgO, CaO,
SrO and BaO preferably have a total composition of 2% to 15%).

【0039】また、本発明に係る情報記録媒体用基板
は、ガラス基板の表面に多数の微小突起が形成された情
報記録媒体用基板において、上記いずれかの製造方法に
より製造されていることを特徴とし、さらに前記微小突
起は、2nm以上の突起高さが150個/100μm2
以上であって、且つ前記突起高さの平均値からの最大突
起高さが3.6nm未満であることを特徴としている。
Further, the information recording medium substrate according to the present invention is characterized in that the information recording medium substrate has a glass substrate on which a large number of fine projections are formed, and is manufactured by any one of the above-described manufacturing methods. And the height of the projections of 2 nm or more is 150/100 μm 2.
As described above, the maximum projection height from the average of the projection heights is less than 3.6 nm.

【0040】上記情報記録媒体用基板によれば、上記製
造方法により製造され、また微小突起は、2nm以上の
突起高さが150個/100μm2以上であって、且つ
最大突起高さが3.6nm未満であるので、10nm以
下の低フライングハイトで駆動させてもヘッドクラッシ
ュやサーマルアスペリティ等が生じることもなく、良好
な浮上安定性を維持することができる。
According to the information recording medium substrate, the fine projections are manufactured by the above manufacturing method, and the height of the fine projections is 150 protrusions / 100 μm 2 or more of 2 nm or more, and the maximum height of the projections is 3. Since it is less than 6 nm, even when driven at a low flying height of 10 nm or less, good flying stability can be maintained without causing head crash, thermal asperity, and the like.

【0041】[0041]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳説する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0042】図1は本発明の製造方法により製造された
情報記録媒体用基板としての磁気ディスク基板の要部断
面図であって、該磁気ディスク基板1はアルミノシリケ
ート系ガラス材からなり、2nm以上の突起高さを有す
る微小突起2が150個/100μm2以上であって、
しかも突起高さの平均値からの最大高さである最大突起
高さRpが3.6nm未満に形成されている。
FIG. 1 is a sectional view of a main part of a magnetic disk substrate as an information recording medium substrate manufactured by the manufacturing method of the present invention. The magnetic disk substrate 1 is made of an aluminosilicate glass material and has a thickness of 2 nm or more. The number of the micro projections 2 having a projection height of not less than 150/100 μm 2 ,
Moreover, the maximum projection height Rp, which is the maximum height from the average value of the projection heights, is formed to be less than 3.6 nm.

【0043】すなわち、HDDの分野においては、今後
の更なるデータゾーンの高密度化に対処すべく磁気ヘッ
ド及び磁気ディスク間のフライングハイトを10nm以
下にする必要があり、そのためには10nm以下のフラ
イングハイトで駆動させた場合であっても浮上安定性を
確保する必要がある。
That is, in the field of HDDs, it is necessary to reduce the flying height between the magnetic head and the magnetic disk to 10 nm or less in order to cope with a further increase in data zone density in the future. It is necessary to ensure flying stability even when driven at a height.

【0044】また、磁気ヘッドと磁気ディスクとが粘着
して始動時に障害が生じないようにする必要もあり、そ
のためには磁気ディスク基板1の表面に多数の微小突起
2を形成する必要がある。
Also, it is necessary to prevent the magnetic head and the magnetic disk from sticking to each other to cause trouble at the time of starting. For this purpose, it is necessary to form a large number of minute projections 2 on the surface of the magnetic disk substrate 1.

【0045】すなわち、フライングハイトが10nm以
下の場合であっても磁気ディスクを円滑且つ安定的に駆
動させるためには、低くて均質な突起高さを有する多数
の微小突起2を形成する必要があり、斯かる要件を充足
するものとして、本実施の形態では、磁気ディスク基板
1は、2nm以上の突起高さを有する微小突起2が15
0個/100μm2以上であって、しかも突起高さの平
均値からの最大高さである最大突起高さRpが3.6n
m未満に形成されている。
That is, in order to drive the magnetic disk smoothly and stably even when the flying height is 10 nm or less, it is necessary to form many small projections 2 having a low and uniform projection height. In this embodiment, assuming that such a requirement is satisfied, the magnetic disk substrate 1 has 15 micro-projections 2 having a projection height of 2 nm or more.
0/100 μm 2 or more, and the maximum projection height Rp, which is the maximum height from the average of the projection heights, is 3.6 n.
m.

【0046】次に、上記磁気ディスク基板1の製造方法
を説明する。
Next, a method for manufacturing the magnetic disk substrate 1 will be described.

【0047】図2は上記磁気ディスク基板1の製造方法
の一実施の形態(第1の実施の形態)を示す製造工程図
であって、該磁気ディスク基板1は、基板加工工程3→
研磨工程4→テクスチャ処理工程5→化学強化処理工程
6→仕上げ洗浄工程7を経て作製される。
FIG. 2 is a manufacturing process diagram showing one embodiment (first embodiment) of a method of manufacturing the magnetic disk substrate 1. The magnetic disk substrate 1 is formed in a substrate processing step 3 →
It is manufactured through a polishing step 4 → a texture processing step 5 → a chemical strengthening processing step 6 → a finish cleaning step 7.

【0048】以下、上記各工程を順次説明する。Hereinafter, each of the above steps will be sequentially described.

【0049】(1)基板加工工程3 基板加工工程3では、まず、磁気ディスク基板の素材と
なるガラス基板を周知のフロート法で製造し、シート状
に成形する。
(1) Substrate Processing Step 3 In the substrate processing step 3, first, a glass substrate serving as a material of a magnetic disk substrate is manufactured by a well-known float method, and is formed into a sheet.

【0050】ガラス基板は、具体的には、SiO2:6
3mol%〜70mol%、Al23:4mol%〜11mol%、
Li2O:5mol%〜11mol%、Na2O:6mol%〜1
4mol%、K2O:0mol%〜2mol%、TiO2:0mol%
〜5mol%、ZrO2:0mol%〜2.5mol%、MgO:
0mol%〜6mol%、CaO:1mol%〜9mol%、Sr
O:0mol%〜3mol%、BaO:0mol%〜2mol%(但
し、MgO、CaO、SrO及びBaOの総計は2mol
%〜15mol%)からなる化学組成を有するアルミノシ
リケート系ガラスを使用している。
The glass substrate is, specifically, SiO 2 : 6
3 mol% to 70 mol%, Al 2 O 3 : 4 mol% to 11 mol%,
Li 2 O: 5 mol% to 11 mol%, Na 2 O: 6 mol% to 1
4mol%, K 2 O: 0mol % ~2mol%, TiO 2: 0mol%
~5mol%, ZrO 2: 0mol% ~2.5mol%, MgO:
0 mol% to 6 mol%, CaO: 1 mol% to 9 mol%, Sr
O: 0 mol% to 3 mol%, BaO: 0 mol% to 2 mol% (however, the total of MgO, CaO, SrO and BaO is 2 mol%
% To 15 mol%) of aluminosilicate glass.

【0051】以下、上記組成範囲の設定理由について述
べる。
The reason for setting the above composition range will be described below.

【0052】SiO2はガラスを構成する主成分である
が、その含有率が63mol%未満になるとガラスの耐久
性が悪化する一方、その含有率が70mol%を超えると
粘度が大きくなり過ぎて溶融が困難になる。このため、
本実施の形態では、SiO2の含有率を63mol%〜70
mol%に設定した。
Although SiO 2 is a main component constituting glass, if its content is less than 63 mol%, the durability of the glass is deteriorated. On the other hand, if its content exceeds 70 mol%, the viscosity becomes too large and the glass is melted. Becomes difficult. For this reason,
In the present embodiment, the content of SiO 2 is set to 63 mol% to 70 mol%.
mol%.

【0053】Al23は化学強化処理時におけるイオン
交換速度を高め、ガラスの耐水性を向上させる成分であ
り、また、酸性水溶液に対して溶出し易く、したがって
酸性水溶液に対してエッチングを促進する成分である。
しかし、その含有率が4mol%未満になると所望の効果
を発揮することができず、一方その含有率が11mol%
を超えると粘度が大きくなり過ぎて耐失透性が低下し、
溶融が困難になる。このため、本実施の形態では、Al
23の含有率を4mol%〜11mol%に設定した。
Al 2 O 3 is a component that increases the ion exchange rate during the chemical strengthening treatment and improves the water resistance of the glass, and is easily eluted with an acidic aqueous solution, and therefore promotes etching with an acidic aqueous solution. It is a component that does.
However, if the content is less than 4 mol%, the desired effect cannot be exhibited, while the content is 11 mol%.
If it exceeds, the viscosity becomes too large and the devitrification resistance decreases,
Melting becomes difficult. For this reason, in the present embodiment, Al
The content of 2 O 3 was set at 4 mol% to 11 mol%.

【0054】Li2Oはアルカリ金属酸化物であり、化
学強化処理時には大きなイオン半径を有するアルカリ金
属イオンとイオン交換されて大きな圧縮応力層を形成し
機械的強度を向上させると共に、ガラス溶解時の溶解性
を高める成分であり、さらに酸性水溶液に対して溶出し
易く、したがって酸性水溶液に対してエッチングを促進
する成分である。しかし、その含有率が5mol%未満の
場合は、イオン交換後の表面圧縮応力が不足し、しかも
粘度が上がって溶融が困難になる。一方、その含有率が
11mol%を超えると化学的耐久性が悪化する。このた
め、本実施の形態では、Li2Oの含有率を5mol%〜1
1mol%に設定した。
Li 2 O is an alkali metal oxide, and is ion-exchanged with an alkali metal ion having a large ionic radius during chemical strengthening treatment to form a large compressive stress layer to improve the mechanical strength and to improve the mechanical strength during melting of the glass. It is a component that enhances solubility, and is also easily eluted with an acidic aqueous solution, and therefore promotes etching with respect to an acidic aqueous solution. However, if the content is less than 5 mol%, the surface compressive stress after ion exchange becomes insufficient, and the viscosity increases, making melting difficult. On the other hand, if the content exceeds 11 mol%, the chemical durability deteriorates. Therefore, in the present embodiment, the content of Li 2 O is set to 5 mol% to 1 mol%.
It was set to 1 mol%.

【0055】Na2OもLi2Oと同様、アルカリ金属酸
化物であり、化学強化処理時には大きなイオン半径を有
するアルカリ金属イオンとイオン交換されると共に、ガ
ラス溶解時の溶解性を高め、また酸性水溶液に対して溶
出し易く、したがって酸性水溶液に対してエッチングを
促進する成分である。しかし、その含有率が6mol%未
満の場合は、イオン交換後の表面圧縮応力が不足し、し
かも粘度が上がって溶融が困難になり、またその含有率
が14mol%を超えると化学的耐久性が悪化する。そこ
で、本実施の形態ではNa2Oの含有率を6mol%〜14
mol%に設定した。
Na 2 O, like Li 2 O, is also an alkali metal oxide, is ion-exchanged with an alkali metal ion having a large ionic radius during chemical strengthening treatment, increases the solubility during glass melting, and increases the acidity. It is a component that is easily eluted with an aqueous solution and therefore promotes etching with an acidic aqueous solution. However, if the content is less than 6 mol%, the surface compression stress after ion exchange is insufficient, and the viscosity increases, making melting difficult. If the content exceeds 14 mol%, the chemical durability becomes poor. Getting worse. Therefore, in the present embodiment, the content of Na 2 O is set to 6 mol% to 14 mol%.
mol%.

【0056】K2Oもアルカリ金属酸化物であり、ガラ
ス溶解時の溶解性を高め、酸性水溶液に対して溶出を促
進する成分であり、酸性水溶液に対してエッチングを促
進するため、必要に応じて添加されるが、その含有率が
2mol%を超えると化学的耐久性が悪化する。このた
め、本実施の形態ではK2Oの含有率を0mol%〜2mol
%に設定した。
K 2 O is also an alkali metal oxide, a component that enhances the solubility during glass melting and promotes elution in an acidic aqueous solution, and promotes etching in an acidic aqueous solution. However, if its content exceeds 2 mol%, the chemical durability deteriorates. For this reason, in this embodiment, the content of K 2 O is set to 0 mol% to 2 mol.
%.

【0057】TiO2はガラスの耐水性を向上させる成
分であるため、必要に応じて添加されるが、その含有率
が5mol%を超えるとガラスの液相温度が上昇し、耐失
透性が悪化する。このため、本実施の形態ではTiO2
の含有率を0mol%〜5mol%に設定した。
Since TiO 2 is a component for improving the water resistance of glass, it is added as necessary. However, if its content exceeds 5 mol%, the liquidus temperature of the glass increases, and the devitrification resistance is lowered. Getting worse. Therefore, in this embodiment, TiO 2
Was set to 0 mol% to 5 mol%.

【0058】ZrO2もTiO2と同様、ガラスの耐水性
を向上させる成分であるため、必要に応じて添加される
が、その含有率が2.5mol%を超えるとガラス溶解時
に微細な結晶として析出する虞がある。このため、本実
施の形態ではZrO2の含有率を0mol%〜2.5mol%
に設定した。
ZrO 2 , like TiO 2 , is a component that improves the water resistance of glass, and is therefore added as necessary. However, if its content exceeds 2.5 mol%, fine crystals are formed when the glass is melted. There is a risk of precipitation. Therefore, in the present embodiment, the content of ZrO 2 is set to 0 mol% to 2.5 mol%.
Set to.

【0059】MgOはアルカリ土類金属酸化物であり、
ガラスの溶解性を高め、また酸性水溶液に対してエッチ
ングを促進する。また、ガラスを成形するための粘性特
性や膨張係数を調整するために適宜添加される。しか
し、その含有率が6mol%を超えるとガラスの液相温度
が上昇し、耐失透性が悪化するため、本実施の形態では
MgOの含有率を0mol%〜6mol%に設定した。
MgO is an alkaline earth metal oxide,
Enhances the solubility of the glass and promotes etching for acidic aqueous solutions. Further, it is appropriately added to adjust the viscosity characteristics and expansion coefficient for forming glass. However, if the content exceeds 6 mol%, the liquidus temperature of the glass increases, and the devitrification resistance deteriorates. Therefore, in this embodiment, the content of MgO is set to 0 mol% to 6 mol%.

【0060】CaOもMgOと同様、アルカリ土類金属
酸化物であり、ガラスの溶解性を高め、また酸性水溶液
に対してエッチングを促進する。また、ガラスを成形す
るための粘性特性や膨張係数を調整するために適宜添加
される。そして、所期の作用・効果を発揮するために少
なくとも1mol%以上含有させる必要があり、また、そ
の含有率が9mol%を超えるとガラスの液相温度が上昇
し、耐失透性が悪化する。このため本実施の形態ではC
aOの含有率を1mol%〜9mol%に設定した。
CaO, like MgO, is an alkaline earth metal oxide, enhances the solubility of glass, and promotes etching with an acidic aqueous solution. Further, it is appropriately added to adjust the viscosity characteristics and expansion coefficient for forming glass. It is necessary to contain at least 1 mol% or more in order to exhibit the intended action and effect. If the content exceeds 9 mol%, the liquidus temperature of the glass increases, and the devitrification resistance deteriorates. . Therefore, in the present embodiment, C
The content of aO was set to 1 mol% to 9 mol%.

【0061】SrO及びBaOも、CaOやMgOと同
様、アルカリ土類金属酸化物であって、ガラスの溶解性
を高める成分であり、酸性水溶液に対してエッチングを
促進する。また、ガラスを成形するための粘性特性や膨
張係数を調整するために適宜添加される。しかし、Sr
Oの含有率が3mol%、BaOの含有率が2mol%を夫々
超えるとガラス基板の比重が重くなりすぎて好ましくな
く、このため、本実施の形態ではSrOの含有率を0mo
l%〜3mol%、BaOの含有率を0mol%〜2mol%に夫
々設定した。
SrO and BaO, like CaO and MgO, are also alkaline earth metal oxides, are components that increase the solubility of glass, and promote etching of acidic aqueous solutions. Further, it is appropriately added to adjust the viscosity characteristics and expansion coefficient for forming glass. However, Sr
When the O content exceeds 3 mol% and the BaO content exceeds 2 mol%, the specific gravity of the glass substrate becomes too heavy, which is not preferable. Therefore, in this embodiment, the SrO content is set to 0 mol%.
The contents of l% to 3 mol% and the content of BaO were set to 0 mol% to 2 mol%, respectively.

【0062】また、本実施の形態では、上述したアルカ
リ土類金属酸化物、すなわちMgO、CaO、MgO、
SrO及びBaOは、SiO2、Al23、及びLi2
の含有率に応じてその含有率が決定されるが、本実施の
形態では、これらアルカリ土類金属酸化物の含有率は、
総計で2mol%〜15mol%となるように調製される。
In the present embodiment, the above-mentioned alkaline earth metal oxides, ie, MgO, CaO, MgO,
SrO and BaO are SiO 2 , Al 2 O 3 , and Li 2 O
Although the content is determined according to the content of, in the present embodiment, the content of these alkaline earth metal oxides,
It is prepared so as to be 2 mol% to 15 mol% in total.

【0063】すなわち、これらアルカリ土類金属酸化物
の総計が2mol%未満の場合は酸性溶液に対してエッチ
ングを促進するという所期の作用・効果を発揮すること
ができず、一方前記総計が15mol%を超えた場合は耐
失透性が悪化したり比重が重くなりすぎたりし、磁気デ
ィスク基板1として好ましくない。そこで、本実施の形
態では、前記アルカリ土類金属酸化物の含有率を、総計
で2mol%〜15mol%に設定した。
That is, when the total amount of these alkaline earth metal oxides is less than 2 mol%, the desired action and effect of accelerating the etching with respect to the acidic solution cannot be exerted, while the total amount of the alkaline earth metal oxides is 15 mol%. %, The devitrification resistance deteriorates or the specific gravity becomes too heavy, which is not preferable for the magnetic disk substrate 1. Therefore, in the present embodiment, the content of the alkaline earth metal oxide is set to a total of 2 mol% to 15 mol%.

【0064】また、本実施の形態では、SiO2含有率
とAl23含有率とが、数式(1)の関係を有するよう
に組成配合されている。
Further, in the present embodiment, the composition and composition are such that the SiO 2 content and the Al 2 O 3 content have the relationship of the equation (1).

【0065】 SiO2−(1/2)Al23=53mol%〜66mol%、好ましくは58%〜 64% ……(1) すなわち、後述する研磨工程4でガラス基板の表面には
研磨痕による圧縮層が多数形成され、続くテクスチャ処
理工程5で非圧縮層がより多くエッチングされて多数の
微小突起2が形成されるが、SiO2の含有率が過剰に
多くなると、研磨痕によって圧縮歪みの生じた圧縮層と
研磨痕の形成されない非圧縮層とで、ガラス基板の深さ
方向のエッチング速度の差異が小さくなり、その結果微
小突起2が形成され難くなり、また微小突起2が形成さ
れてもその最大突起高さRpが過度に小さくなる。
SiO 2- (1/2) Al 2 O 3 = 53 mol% to 66 mol%, preferably 58% to 64% (1) That is, polishing marks are formed on the surface of the glass substrate in the polishing step 4 described later. A large number of compressed layers are formed, and in the subsequent texture processing step 5, the non-compressed layer is etched more to form a large number of microprojections 2. However, when the content of SiO 2 becomes excessively large, compressive strain is caused by polishing marks. The difference in the etching rate in the depth direction of the glass substrate between the compressed layer where the cracks are generated and the non-compressed layer where no polishing marks are formed is reduced, and as a result, the minute projections 2 are hardly formed, and the minute projections 2 are formed. However, the maximum projection height Rp becomes excessively small.

【0066】一方、Al23の含有率が増加してくる
と、Al23は酸性水溶液に対して溶出し易いことから
Al23成分が多く含まれる非圧縮層でのエッチングを
促進し、その結果最大突起高さRpが3.6nm以上の
異常突起が形成され易くなる。
[0066] On the other hand, when the content of Al 2 O 3 comes increased, the etching of the non-compressed layer Al 2 O 3 is contained many Al 2 O 3 component from it easily eluted to acidic aqueous solution As a result, abnormal protrusions having a maximum protrusion height Rp of 3.6 nm or more are easily formed.

【0067】したがって、SiO2含有率とAl23
有率との差異が大きくなると突起高さの小さい微小突起
2が形成されるが突起個数も少なくなり、このため磁気
ヘッドとの間で粘着が生じ易くなり、磁気ディスクの始
動に支障を来たす虞がある。一方、SiO2含有率とA
23含有率との差異が小さくなると突起個数の個数は
増大するが異常突起が形成され、このためサーマルアス
ペリティやヘッドクラッシュが発生し易くなる。
Therefore, when the difference between the SiO 2 content and the Al 2 O 3 content becomes large, the fine projections 2 having a small projection height are formed, but the number of projections is also reduced. And the start of the magnetic disk may be hindered. On the other hand, the SiO 2 content and A
When the difference from the l 2 O 3 content is reduced, the number of projections increases, but abnormal projections are formed, and therefore thermal asperity and head crash are likely to occur.

【0068】そこで、本実施の形態では、ガラス基板の
表面に適度な微小突起2が形成されるように、すなわち
2nm以上の突起高さが150個/100μm2以上で
あって、しかも最大突起高さRpが3.6nm未満の微
小突起2が形成されるように、SiO2含有率とAl2
3含有率との関係が上記数式(1)を充足するように成
分調製されている。
Therefore, in the present embodiment, the height of the protrusions of 2 nm or more is 150 protrusions / 100 μm 2 or more, and the maximum protrusion height is set so that the appropriate minute protrusions 2 are formed on the surface of the glass substrate. The SiO 2 content and the Al 2 O are set so that the microprojections 2 having an Rp of less than 3.6 nm are formed.
3 The components are prepared so that the relationship with the content satisfies the above formula (1).

【0069】そして、このようにしてフロート法により
シート状に形成されたガラス基板の表面をダイヤモンド
砥石等の砥石を使用して研削加工し、次いで該ガラス基
板の端面を研磨し(鏡面加工)、ガラス基板を所定のド
ーナツ形状に成形する。
Then, the surface of the glass substrate thus formed into a sheet by the float method is ground by using a grindstone such as a diamond grindstone, and then the end surface of the glass substrate is polished (mirror finish). A glass substrate is formed into a predetermined donut shape.

【0070】(2)研磨工程4 研磨工程4では、まず、ラッピング装置を使用し、所定
の砥粒粒度を有するアルミナ等の砥粒でラッピング加工
を行う。
(2) Polishing Step 4 In the polishing step 4, first, a lapping device is used to perform a lapping process with abrasive grains having a predetermined grain size such as alumina.

【0071】次いで、ラッピング加工が施されたガラス
基板に対し、遊離砥粒を研磨液に分散させた研磨剤を使
用して基板表面を精密研磨する。
Next, the lapping-processed glass substrate is precisely polished using an abrasive in which free abrasive grains are dispersed in a polishing liquid.

【0072】すなわち、研磨工程4では、図3に示すよ
うに、精密研磨により遊離砥粒がガラス基板10上に負
荷されて研磨痕が形成され、その結果、ガラス基板10
は研磨痕によって圧縮歪みの生じた圧縮層9と研磨痕の
形成されない非圧縮層8とが混在する表面を形成する。
そして、本実施の形態では、圧縮層9の圧縮深さHが2
nm〜15nmとなるように遊離砥粒の粒径を選択して
精密研磨される。
That is, in the polishing step 4, as shown in FIG. 3, loose abrasive grains are loaded on the glass substrate 10 by precision polishing to form polishing marks.
Forms a surface in which the compressed layer 9 in which compression strain is caused by the polishing marks and the non-compressed layer 8 in which the polishing marks are not formed are mixed.
In the present embodiment, the compression depth H of the compression layer 9 is 2
Precision polishing is performed by selecting the particle size of the free abrasive grains so as to be in the range of nm to 15 nm.

【0073】すなわち、圧縮層9の圧縮深さHを2nm
未満とすると、後述するエッチング処理で形成される微
小突起2の突起高さが低くなり過ぎてテクスチャの形成
に支障を来たす。一方、圧縮深さHが15nmを超える
と圧縮層が離散的でなく砥粒の擦過痕に沿った連続状と
なり、後述するエッチング処理を行なった場合、山脈状
になってしまう。
That is, the compression depth H of the compression layer 9 is 2 nm.
If it is less than the above, the height of the minute projections 2 formed by the etching process described later becomes too low, which hinders the formation of texture. On the other hand, if the compression depth H exceeds 15 nm, the compression layer will not be discrete but will be continuous along the scratch marks of the abrasive grains, and will be mountain-shaped when an etching process described later is performed.

【0074】そこで、本実施の形態では、圧縮層9の圧
縮深さHが2nm〜15nmとなるように遊離砥粒で精
密研磨を行う。そして、このように圧縮深さHが2nm
〜15nmとなるように精密研磨を行うためには遊離砥
粒の粒径は、平均粒径0.01μm〜3μmであるのが
好ましい。
Therefore, in the present embodiment, precision polishing is performed with free abrasive grains so that the compression depth H of the compression layer 9 becomes 2 nm to 15 nm. And, as described above, the compression depth H is 2 nm.
In order to perform precision polishing so as to have a thickness of up to 15 nm, the particle diameter of the free abrasive grains is preferably 0.01 μm to 3 μm.

【0075】尚、遊離砥粒の種類は特に限定されない
が、情報記録媒体用基板に要求される優れた表面平滑性
を得るためには酸化セリウム(CeO2)、マンガン酸
化物、ジルコニア酸化物、チタニア酸化物、SiO2
ダイヤモンド砥粒を使用するのが好ましい。
The type of the free abrasive grains is not particularly limited, but in order to obtain the excellent surface smoothness required for the information recording medium substrate, cerium oxide (CeO 2 ), manganese oxide, zirconia oxide, Titania oxide, SiO 2 ,
Preferably, diamond abrasive grains are used.

【0076】また、研磨方法も特に限定されないが、人
工皮革からなるスエードタイプの研磨パッドを上定盤及
び下定盤に貼り付けた両面研磨機を使用すれば、低コス
トで両面を精密研磨することができる。
The polishing method is not particularly limited. If a double-side polishing machine in which a suede-type polishing pad made of artificial leather is attached to the upper surface plate and the lower surface plate is used, both surfaces can be precisely polished at low cost. Can be.

【0077】(3)テクスチャ処理工程5 次に、テクスチャ処理工程5に進み、第1及び第2の表
面処理5a、5bを行う。
(3) Texture Processing Step 5 Next, the processing proceeds to the texture processing step 5, where the first and second surface treatments 5a and 5b are performed.

【0078】まず、第1の表面処理5aでは、フッ酸に
アルカリ化合物を添加してフッ酸とフッ化物塩とが共存
した酸性溶液を作製し、該酸性溶液を使用してエッチン
グ処理を行う。
First, in the first surface treatment 5a, an alkaline compound is added to hydrofluoric acid to prepare an acidic solution in which hydrofluoric acid and a fluoride salt coexist, and etching is performed using the acidic solution.

【0079】すなわち、圧縮層9では緻密化したSiO
2がその他の成分の溶出を妨げるため、エッチングされ
難くなり、その結果、圧縮層9と非圧縮層8とでエッチ
ング速度に顕著な差異が生じる。つまり、図4(a)に
示すように、圧縮層9及び非圧縮層8は共にエッチング
されるが、圧縮層9は非圧縮層8に比べてエッチング速
度が遅いため、ガラス基板10の表面には圧縮層9に対
応して多数の微小突起2が形成される(図中、仮想線は
エッチング処理前のガラス基板10の表面を示してい
る)。
That is, in the compression layer 9, the densified SiO
Since 2 prevents the elution of other components, etching becomes difficult, and as a result, a remarkable difference occurs in the etching rate between the compressed layer 9 and the non-compressed layer 8. That is, as shown in FIG. 4A, the compressed layer 9 and the non-compressed layer 8 are both etched, but the etching rate of the compressed layer 9 is lower than that of the non-compressed layer 8, so that the surface of the glass substrate 10 Indicates that a large number of microprojections 2 are formed corresponding to the compression layer 9 (in the figure, the phantom lines indicate the surface of the glass substrate 10 before the etching process).

【0080】具体的には、酸性溶液は、下記数式(2)
で定義される比率Xが0.3〜0.98、好ましくは
0.56〜0.93の範囲となるように、アルカリ化合
物がフッ酸に添加されており、斯かる酸性溶液をエッチ
ング液に使用して第1の表面処理5aを行う。
Specifically, the acidic solution is represented by the following formula (2)
An alkali compound is added to hydrofluoric acid such that the ratio X defined by the formula is in the range of 0.3 to 0.98, preferably 0.56 to 0.93. The first surface treatment 5a is performed by using this.

【0081】 X=[〔HF〕+〔H+〕]/[〔HF〕+〔F-〕]…(2) ここで、〔HF〕はエッチング液中のフッ酸の1モル当
たりの重量濃度(wt%/mol)、〔H+〕はエッチング
液中の水素イオンの1モル当たりの重量濃度(wt%/
mol)、〔F-〕はエッチング液中のフッ化物イオンの1
モル当たりの重量濃度(wt%/mol)である。
X = [[HF] + [H + ]] / [[HF] + [F ]] (2) Here, [HF] is the weight concentration per mole of hydrofluoric acid in the etching solution. (Wt% / mol), [H + ] is the weight concentration per mole of hydrogen ions (wt% / mol) in the etching solution.
mol), [F -] 1 of fluoride ion in the etching solution
It is a weight concentration per mol (wt% / mol).

【0082】すなわち、フッ酸のみでエッチング処理を
行った場合は微小突起2の突起個数はフッ酸濃度に比例
し、フッ酸の濃度を低くしたときは微小突起2の突起個
数が少なくなり、一方フッ酸の濃度を高くしたときは微
小突起2の突起個数は増加する。また、磁気ディスク基
板1は、通常、テクスチャ処理がなされた後に化学強化
処理を行い、これにより表面圧縮応力を高め、機械的強
度の向上を図っているが、化学強化処理は後述するよう
に高温雰囲気の溶融塩中で行われるため、熱により微小
突起2が緩和膨張してその突起高さが漸増し、その結
果、サーマルアスペリティや磁気ヘッドのヘッドクラッ
シュを招来する虞が生じる。
That is, when the etching process is performed only with hydrofluoric acid, the number of the microprojections 2 is proportional to the hydrofluoric acid concentration, and when the concentration of hydrofluoric acid is reduced, the number of the microprojections 2 decreases. When the concentration of hydrofluoric acid is increased, the number of projections of the minute projections 2 increases. Further, the magnetic disk substrate 1 is usually subjected to a chemical strengthening process after the texturing process is performed, thereby increasing the surface compressive stress and improving the mechanical strength. Since the heat treatment is performed in the molten salt in the atmosphere, the minute protrusions 2 relax and expand due to heat, and the protrusion height gradually increases. As a result, there is a possibility that thermal asperity or head crash of the magnetic head may be caused.

【0083】そこで、本実施の形態では斯かる課題を解
決すべく、比率Xが0.3〜0.98、好ましくは0.
56〜0.93の範囲となるように、フッ酸にアルカリ
化合物を添加させてフッ酸とフッ化物塩とを共存させた
酸性溶液を作製し、該酸性溶液をエッチング液として第
1の表面処理5aを行っている。
Therefore, in the present embodiment, in order to solve such a problem, the ratio X is set to 0.3 to 0.98, preferably 0.1 to 0.9.
An acidic solution in which a hydrofluoric acid and a fluoride salt coexist is prepared by adding an alkali compound to hydrofluoric acid so as to be in the range of 56 to 0.93, and the first surface treatment is performed using the acidic solution as an etching solution. 5a is going on.

【0084】以下、比率Xを上記範囲に限定した理由を
述べる。
The reason why the ratio X is limited to the above range will be described below.

【0085】フッ酸は溶液中では、その大部分が水素イ
オンとフッ素イオンとに解離し、前記水素イオンがアル
カリ化合物の陽イオンと置換してフッ化物塩を生成し、
これによりフッ酸とフッ化物塩とが共存したエッチング
液が作製されるが、比率Xが0.98を超えるとアルカ
リ化合物の添加量が少ないため、フッ酸の含有量が過剰
となってフッ酸のみでエッチングした場合と差異がなく
なり、このため、3.6nm以上の高い突起高さを有す
る異常突起が形成され、突起高さの低い微小突起2を一
律に形成するのが困難となる。
In a solution, most of hydrofluoric acid is dissociated into hydrogen ions and fluorine ions, and the hydrogen ions are replaced with cations of an alkali compound to form a fluoride salt.
As a result, an etching solution in which hydrofluoric acid and a fluoride salt coexist is produced. However, if the ratio X exceeds 0.98, the content of the hydrofluoric acid becomes excessive because the addition amount of the alkali compound is small. There is no difference from the case where only the etching is performed, so that an abnormal protrusion having a high protrusion height of 3.6 nm or more is formed, and it is difficult to uniformly form the minute protrusion 2 having a low protrusion height.

【0086】一方、比率Xが0.3未満となるようにエ
ッチング液を調製した場合は、アルカリ化合物の添加量
が多くなりすぎ、このためエッチング速度が圧縮層9と
非圧縮層8とで殆ど変わらなくなり、その結果、微小突
起2の突起密度が小さくなる。
On the other hand, when the etching solution is prepared so that the ratio X is less than 0.3, the amount of the alkali compound added becomes too large, and therefore, the etching rate of the compressed layer 9 and the non-compressed layer 8 is almost zero. As a result, the projection density of the minute projections 2 decreases.

【0087】そこで、本実施の形態では、上記比率Xが
0.3〜0.98、好ましくは0.56〜0.93とな
るようにアルカリ化合物の添加量を調整し、エッチング
液を作製している。
Therefore, in this embodiment, the amount of the alkali compound added is adjusted so that the ratio X becomes 0.3 to 0.98, preferably 0.56 to 0.93, and an etching solution is prepared. ing.

【0088】また、フッ酸に添加されるアルカリ化合物
は特に限定されるものではないが、水酸化テトラメチル
アンモニウム(以下、「TMAH」という)や水酸化ト
リメチルアンモニウム等の一価の陽イオンを有する水酸
化アルキルアンモニウムを使用するのが好ましい。すな
わち、二価の陽イオンを有するアルカリ化合物の場合、
フッ酸と反応すると沈殿物が生成されるため好ましくな
い。また、一価の陽イオンを有するアルカリ化合物の場
合であっても、例えばフッ化アンモニウムを使用した場
合は、ガラス基板10に含有されるSiO2がフッ化ア
ンモニウムと反応して沈殿物((NH42SiF6)を
生成するため好ましくない。これに対し、前記水酸化ア
ルキルアンモニウムは溶液中で他の化学物質と反応して
も沈殿物が生成され難く、したがってアルカリ化合物と
して前記水酸化アルキルアンモニウムを使用するのが最
も好ましい。
The alkali compound to be added to hydrofluoric acid is not particularly limited, but has a monovalent cation such as tetramethylammonium hydroxide (hereinafter referred to as “TMAH”) or trimethylammonium hydroxide. Preference is given to using alkylammonium hydroxides. That is, in the case of an alkali compound having a divalent cation,
The reaction with hydrofluoric acid is not preferable because a precipitate is formed. Further, even in the case of an alkali compound having a monovalent cation, for example, when ammonium fluoride is used, SiO 2 contained in the glass substrate 10 reacts with ammonium fluoride to cause a precipitate ((NH 4) it is not preferable to generate the 2 SiF 6). On the other hand, even if the alkylammonium hydroxide reacts with another chemical substance in a solution, a precipitate is hardly formed, and therefore, it is most preferable to use the alkylammonium hydroxide as an alkali compound.

【0089】このようにして第1の表面処理5aが終了
した後、第2の表面処理5bではアルカリ性溶液を使用
してアルカリ洗浄を行う。すなわち、第1の表面処理5
aにより、図4(a)に示すように、深く大きな圧痕が
付与された部分には突起高さの大きな微小突起2が形成
され、圧痕付与の程度が浅かったり小さかったたりした
部分には突起高さの小さな微小突起2が形成されるが、
上述したような酸性のエッチング液で表面処理を行った
場合、SiO2に富んだ成分が溶出し、その結果ガラス
基板10の表面には厚みが薄くて機械的強度が弱く軟質
な変質層11が形成される。
After completion of the first surface treatment 5a in this way, in the second surface treatment 5b, alkali cleaning is performed using an alkaline solution. That is, the first surface treatment 5
As shown in FIG. 4 (a), as shown in FIG. 4 (a), a microprojection 2 having a large projection height is formed in a portion where a deep and large indentation is applied, and a projection is formed in a portion where the degree of indentation is shallow or small. Small projections 2 with a small height are formed,
When the surface treatment is performed with the acidic etching solution as described above, a component rich in SiO 2 is eluted, and as a result, a soft altered layer 11 having a small thickness, a small mechanical strength, and a small mechanical strength is formed on the surface of the glass substrate 10. It is formed.

【0090】そこで、上記第2の表面処理5bでは、図
4(b)に示すように、アルカリ性溶液でアルカリ洗浄
を行って変質層11を除去し、表層面を硬化する。
Therefore, in the second surface treatment 5b, as shown in FIG. 4 (b), the deteriorated layer 11 is removed by performing alkali washing with an alkaline solution, and the surface layer is hardened.

【0091】ここで、アルカリ性溶液の種類は特に限定
されないが、変質層11を短時間で効率良く完全に除去
するためにはpHが12以上であるのが好ましく、具体
的には水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等を使用する
ことができる。
Here, the kind of the alkaline solution is not particularly limited, but it is preferable that the pH is 12 or more in order to efficiently and completely remove the deteriorated layer 11 in a short time. Sodium hydroxide or the like can be used.

【0092】尚、第1及び第2の表面処理5a、5bに
おける処理時間や処理温度は特に限定されず、薬液の濃
度やガラス基板10のエッチング速度に応じて適宜決定
されるが、製造コスト等を考慮すると、処理時間は1分
〜20分、処理温度は70℃以下に設定するのが好まし
い。
The processing time and the processing temperature in the first and second surface treatments 5a and 5b are not particularly limited, and are appropriately determined according to the concentration of the chemical solution and the etching rate of the glass substrate 10. In consideration of the above, it is preferable to set the processing time to 1 minute to 20 minutes and the processing temperature to 70 ° C. or less.

【0093】処理方法としては、本実施の形態ではガラ
ス基板10をエッチング液やアルカリ性溶液に浸漬して
行う。この場合、ガラス基板10に超音波を印加しなが
ら洗浄を行って良い。また、斯かる超音波の印加は一定
周波数下で行ってもよく、異なる複数の周波数を同時に
印加したり、或いは周波数を経時的に変化させたりして
もよい。また、超音波の出力も特に限定されないが、一
般的には低周波数であって出力が高い程、ガラス基板1
0に与えるダメージも強くなるため、斯かる点を考慮し
て決定するのが好ましい。
In the present embodiment, the treatment is performed by dipping the glass substrate 10 in an etching solution or an alkaline solution. In this case, the cleaning may be performed while applying ultrasonic waves to the glass substrate 10. Further, the application of the ultrasonic wave may be performed under a constant frequency, a plurality of different frequencies may be simultaneously applied, or the frequency may be changed with time. Also, the output of the ultrasonic wave is not particularly limited, but generally, the lower the frequency and the higher the output, the more the glass substrate 1
Since the damage to 0 becomes stronger, it is preferable to determine in consideration of such points.

【0094】尚、処理方法としては、上述の浸漬方式の
他、シャワー方式、噴射方式等を使用してもよく、その
際、スポンジ等をガラス基板10に接触させて擦るよう
にするのも好ましい。
As a treatment method, in addition to the above-described immersion method, a shower method, a jet method, or the like may be used. In this case, it is also preferable to rub the glass substrate 10 by bringing a sponge or the like into contact therewith. .

【0095】(4)化学強化処理工程6 次に、上述のようにして第1及び第2の表面処理5a、
5bが施されたガラス基板10を洗浄・乾燥させた後、
化学強化処理工程6を行う。
(4) Chemical Strengthening Step 6 Next, as described above, the first and second surface treatments 5a,
After cleaning and drying the glass substrate 10 on which 5b has been applied,
The chemical strengthening process 6 is performed.

【0096】尚、乾燥方法は特に限定されるものではな
く、イソプロピルアルコール(IPA)蒸気中にガラス基
板10を浸漬するIPA蒸気乾燥法や、ガラス基板10
を高速回転させて洗浄水を除去するスピン乾燥法等を使
用することができる。
The drying method is not particularly limited. For example, an IPA vapor drying method in which the glass substrate 10 is immersed in isopropyl alcohol (IPA) vapor, a glass substrate 10
Can be used at high speed to remove the washing water.

【0097】そして、化学強化処理工程6では、所定の
高温度に調整された溶融塩、例えば硝酸カリウム(KN
3)と硝酸ナトリウム(NaNO3)の混合物からなる
溶融塩にガラス基板10を所定時間浸漬し、ガラス基板
10の化学成分中のLi+やNa+をイオン半径の大きい
+にイオン交換する化学強化処理を実行する。そし
て、このような化学強化処理を行うことにより表面圧縮
応力が高められ、これにより磁気ディスクを高速回転さ
せても破損するのを防止することができる。
Then, in the chemical strengthening treatment step 6, a molten salt adjusted to a predetermined high temperature, for example, potassium nitrate (KN
The glass substrate 10 is immersed in a molten salt composed of a mixture of O 3 ) and sodium nitrate (NaNO 3 ) for a predetermined time, and Li + and Na + in the chemical components of the glass substrate 10 are ion-exchanged to K + having a large ionic radius. Execute the chemical strengthening process. By performing such a chemical strengthening treatment, the surface compressive stress is increased, and thereby, even if the magnetic disk is rotated at a high speed, breakage can be prevented.

【0098】(5)仕上げ洗浄工程7 仕上げ洗浄工程7ではガラス基板10をアルカリ性溶液
中に浸漬し、必要に応じて超音波を照射しながらアルカ
リ洗浄を行い、ガラス基板10に固着している鉄粉等の
不純物、すなわち残留異物をエッチング除去し、磁気デ
ィスク基板1の製造を終了する。
(5) Finish Cleaning Step 7 In the finish cleaning step 7, the glass substrate 10 is immersed in an alkaline solution and, if necessary, is subjected to alkaline cleaning while irradiating ultrasonic waves to thereby fix the iron fixed to the glass substrate 10. The impurities such as powder, that is, the remaining foreign matter are removed by etching, and the production of the magnetic disk substrate 1 is completed.

【0099】尚、アルカリ性溶液としては、水酸化カリ
ウム、水酸化ナトリウム、アンモニア、水酸化テトラメ
チルアンモニウム等を使用することができる。
As the alkaline solution, potassium hydroxide, sodium hydroxide, ammonia, tetramethylammonium hydroxide and the like can be used.

【0100】このようにして製造された磁気ディスク基
板1は、その後成膜工程で多層膜が積層され、これによ
り情報記録媒体としての磁気ディスクが製造される。す
なわち、成膜工程では周知のスパッタリング法を使用し
てシード層、下地層、磁性層、及び保護層をガラス基板
10上に順次積層し、その後、浸漬法により保護層の表
面に潤滑層を形成し、これにより情報記録媒体が製造さ
れる。
The magnetic disk substrate 1 thus manufactured is laminated with a multilayer film in a film forming process thereafter, whereby a magnetic disk as an information recording medium is manufactured. That is, in the film forming process, a seed layer, an underlayer, a magnetic layer, and a protective layer are sequentially laminated on the glass substrate 10 by using a well-known sputtering method, and then a lubricating layer is formed on the surface of the protective layer by an immersion method. Thus, an information recording medium is manufactured.

【0101】そして、上記製造方法においては、化学強
化処理やスパッタリング処理等でガラス基板10を高温
雰囲気に晒した場合であっても、熱による緩和膨張が抑
制されるため、異常突起が形成されるのを回避すること
ができ、2nm以上の突起高さを有する微小突起2が1
50個/100μm2以上であって、しかも最大突起高
さRpが3.6nm未満の磁気ディスク基板1を製造す
ることができる。
In the above-described manufacturing method, even when the glass substrate 10 is exposed to a high-temperature atmosphere by a chemical strengthening process, a sputtering process, or the like, since the thermal expansion is suppressed, abnormal projections are formed. Can be avoided, and the minute projections 2 having a projection height of 2 nm or more
The magnetic disk substrate 1 having 50 protrusions / 100 μm 2 or more and a maximum protrusion height Rp of less than 3.6 nm can be manufactured.

【0102】したがって、10nm以下の低フライング
ハイトで磁気ディスクを駆動させてもヘッドクラッシュ
やサーマルアスペリティが生じることもなく、磁気ヘッ
ドの浮上安定性を損なうことのない磁気ディスクを得る
ことができる。
Therefore, even if the magnetic disk is driven at a low flying height of 10 nm or less, a magnetic disk which does not cause head crash or thermal asperity and does not impair the flying stability of the magnetic head can be obtained.

【0103】また、上記磁気ディスク基板1の基板表面
には、多数の微小突起2が高密度で形成されているの
で、磁気ヘッドと磁気ディスクとが粘着して再始動時に
破損することもなく、駆動時においても円滑な駆動を確
保することができる。
Further, since a large number of minute projections 2 are formed on the substrate surface of the magnetic disk substrate 1 at a high density, the magnetic head and the magnetic disk do not adhere to each other and are not damaged at the time of restart. Even during driving, smooth driving can be ensured.

【0104】図5は磁気ディスク基板1の製造方法の第
2の実施の形態を示す製造工程図である。図5に示す基
板加工工程3、研磨工程4、化学強化処理工程6、及び
仕上げ洗浄工程7は、上記第1の実施の形態と同様に行
われる。しかしながら、第2の実施の形態では、テクス
チャ処理工程5’が第1の実施の形態で行われるテクス
チャ処理工程5の代わりに行われる。
FIG. 5 is a manufacturing process diagram showing a second embodiment of the method for manufacturing the magnetic disk substrate 1. The substrate processing step 3, the polishing step 4, the chemical strengthening step 6, and the finish cleaning step 7 shown in FIG. 5 are performed in the same manner as in the first embodiment. However, in the second embodiment, the texture processing step 5 'is performed instead of the texture processing step 5 performed in the first embodiment.

【0105】テクスチャ処理工程5’では、第1及び第
2の表面処理工程5c、5dが第1の実施の形態と同様
に行われるが、これより前に第1の前処理5aが酸性溶
液を用いて行われ、その後、第2の前処理5bがアルカ
リ溶液を用いて行われる。その結果、微小突起2の突起
個数を増加させ、テクスチャの更なる高密度化を図って
いる。
In the texture processing step 5 ′, the first and second surface processing steps 5 c and 5 d are performed in the same manner as in the first embodiment, but before this, the first pre-processing 5 a uses the acidic solution. Then, a second pretreatment 5b is performed using an alkaline solution. As a result, the number of the fine protrusions 2 is increased, and the texture is further densified.

【0106】具体的には、第1の前処理5a′では、酸
性溶液で表面処理を行い、図6(a)に示すように、非
圧縮層13の部分を僅かにエッチングしてガラス基板2
0の表面に段差Dを形成する。すなわち、第1の実施の
形態と同様、本第2の実施の形態においても研磨工程4
で圧縮層12と非圧縮層13とが形成されるが、圧縮層
12は耐酸性に優れたSiO2が緻密化されて形成され
ているため殆どエッチングされず、非圧縮層13が選択
的にエッチングされ、その結果、ガラス基板20の表面
には段差Dが形成される。
More specifically, in the first pretreatment 5a ', surface treatment is performed with an acidic solution, and as shown in FIG.
A step D is formed on the surface of 0. That is, similarly to the first embodiment, the polishing step 4 in the second embodiment also.
The compression layer 12 and the non-compression layer 13 are formed by the above, but since the compression layer 12 is formed by densifying SiO 2 having excellent acid resistance, it is hardly etched, and the non-compression layer 13 is selectively formed. Etching is performed, and as a result, a step D is formed on the surface of the glass substrate 20.

【0107】尚、前記酸性溶液は特に限定されないが、
所望の段差Dを形成するためには、pHが4以下の溶液
であるのが好ましく、具体的には、硫酸、硝酸、塩酸、
りん酸の中から選択された一種又は二種以上を使用する
ことができる。
The acidic solution is not particularly limited.
In order to form a desired step D, the solution is preferably a solution having a pH of 4 or less, specifically, sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid,
One or more selected from phosphoric acid can be used.

【0108】このようにして第1の前処理5a′が終了
した後、第2の前処理5b′ではアルカリ性溶液を使用
してアルカリ洗浄を行う。すなわち、第1の前処理5
a′により、上述したようにガラス基板20の表面には
段差Dが形成されるが、ガラス成分であるSiO2に富
んだ成分が溶出するため、ガラス基板20の表面には機
械的強度が弱く軟質な変質層14が形成される。
After the completion of the first pretreatment 5a 'in this way, in the second pretreatment 5b', alkali cleaning is performed using an alkaline solution. That is, the first preprocessing 5
Due to a ′, a step D is formed on the surface of the glass substrate 20 as described above. However, since a component rich in SiO 2 , which is a glass component, elutes, the mechanical strength is weak on the surface of the glass substrate 20. The soft altered layer 14 is formed.

【0109】そこで、続く第2の前処理5b′では、図
6(b)に示すように、アルカリ性溶液でアルカリ洗浄
を行って変質層14を除去し、表層面を硬化する。
Therefore, in the subsequent second pretreatment 5b ', as shown in FIG. 6 (b), the deteriorated layer 14 is removed by performing alkali washing with an alkaline solution, and the surface layer is hardened.

【0110】そして、その後は第1の実施の形態と同
様、アルカリ化合物をフッ酸に添加した酸性溶液をエッ
チング液として第1の表面処理5c′を実行し、その結
果、図6(c)に示すように、多数の微小突起2と変質
層16が形成される。
Then, as in the first embodiment, a first surface treatment 5c 'is performed using an acidic solution obtained by adding an alkali compound to hydrofluoric acid as an etching solution. As a result, FIG. As shown, a large number of microprojections 2 and altered layer 16 are formed.

【0111】次いで、このようにして第1の表面処理5
c′が終了した後、続く第2の表面処理5d′ではアル
カリ性溶液で変質層16を除去し、その後化学強化処理
工程6及び仕上げ洗浄工程7を経て磁気ディスク基板1
が製造される。
Next, the first surface treatment 5
After the completion of c ', in the subsequent second surface treatment 5d', the altered layer 16 is removed with an alkaline solution, and then the magnetic disk substrate 1 is subjected to a chemical strengthening process 6 and a finish cleaning process 7.
Is manufactured.

【0112】このように本第2の実施の形態では、第1
の表面処理5c′を行う前に第1及び第2の前処理5
a′、5b′を実行することにより、段差Dを形成して
微小突起2を或る程度形成しておき、その後、第1の実
施の形態と同様、第1及び第2の表面処理5c′、5
d′を行うことにより、突起高さを低くしつつ、より高
密度化された多数の微小突起2を有する磁気ディスク基
板1を製造することができる。
As described above, in the second embodiment, the first
Before and after performing the surface treatment 5c '
By performing steps a ′ and 5b ′, a step D is formed to form the microprojections 2 to some extent, and then, as in the first embodiment, the first and second surface treatments 5c ′ , 5
By performing d ', it is possible to manufacture the magnetic disk substrate 1 having a large number of minute projections 2 with a higher density while reducing the height of the projections.

【0113】[0113]

【実施例】次に、本発明の実施例を具体的に説明する。Next, embodiments of the present invention will be described specifically.

【0114】〔第1の実施例〕本発明者らは、Si
2:67mol%、Al23:10mol%、Li2O:7.
5mol%、Na2O:8.5mol%、MgO:3.0mol
%、CaO:4.0mol%の化学組成を有するアルミノ
シリケートガラスをフロート法で溶融してシート状に成
形し、次いでダイヤモンド砥石を使用して研削加工を施
した後、端面(外周面及び内周面)を鏡面加工し、外径
65mm、内径20mm、板厚0.6mmのドーナツ状
ガラス基板を作製した。
[First Embodiment] The inventors of the present invention
O 2 : 67 mol%, Al 2 O 3 : 10 mol%, Li 2 O: 7.
5mol%, Na 2 O: 8.5mol %, MgO: 3.0mol
%, CaO: aluminosilicate glass having a chemical composition of 4.0 mol% is melted by a float method, formed into a sheet shape, and then subjected to a grinding process using a diamond grindstone. Surface) was mirror-finished to produce a donut-shaped glass substrate having an outer diameter of 65 mm, an inner diameter of 20 mm, and a plate thickness of 0.6 mm.

【0115】尚、本ガラス基板は、上記化学組成から明
らかなように、アルカリ土類金属酸化物(MgO及びC
aO)の含有率は総計で7mol%に調製され、本発明範
囲内である2mol%〜15mol%の範囲内とされている。
また、{SiO2−(1/2)Al23}は61mol%に
調製され、本発明の好ましい範囲である58mol%〜6
4mol%の範囲内とされている。
As is apparent from the above chemical composition, the present glass substrate is made of an alkaline earth metal oxide (MgO and C
The content of aO) is adjusted to a total of 7 mol%, and is in the range of 2 mol% to 15 mol% within the scope of the present invention.
Also, {SiO 2- (1/2) Al 2 O 3 } is adjusted to 61 mol%, which is a preferred range of the present invention from 58 mol% to 6 mol%.
It is within the range of 4 mol%.

【0116】次いで、CeO2砥粒が研磨液に分散され
た研磨剤(CeO2砥粒の粒径1.2μm)と人工皮革
製のスエードタイプの研磨パッドを使用して前記ガラス
基板を研磨し、ガラス基板の表面にランダムに研磨痕
(擦過痕)を付与して圧縮層を形成し、その後、純水で
シャワー洗浄し、ガラス基板の表面に付着した研磨剤の
粗落しを行った(精密研磨)。
[0116] Then, using abrasive CeO 2 abrasive grains are dispersed in a polishing liquid and (CeO 2 abrasive grains having a grain size of 1.2 [mu] m) the polishing pad of suede type made artificial leather polishing the glass substrate Then, a compression layer was formed by randomly applying polishing marks (abrasion marks) to the surface of the glass substrate, and then shower-washing with pure water to roughly remove abrasives attached to the surface of the glass substrate (precision). Polishing).

【0117】尚、精密研磨後に原子間力顕微鏡でガラス
基板の表面性状を観察したところ、表面粗さRaは0.
44nm、最大突起高さRpが19.1nm、2nm〜
3nmの突起高さを有する微小突起の突起個数は22個
/100μm2(10μm×10μm)であった。
When the surface properties of the glass substrate were observed with an atomic force microscope after the precision polishing, the surface roughness Ra was 0.1.
44 nm, maximum protrusion height Rp is 19.1 nm, 2 nm to
The number of microprojections having a projection height of 3 nm was 22/100 μm 2 (10 μm × 10 μm).

【0118】次に、このようにして精密研磨されたガラ
ス基板に対し、下記の実施例1〜実施例3、及び比較例
1〜比較例3に示すように、第1及び第2の表面処理を
施して基板表面をエッチングし、次いで化学強化処理を
行い、化学強化処理の前後におけるガラス基板の表面性
状を評価した。
Next, as described in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, the first and second surface treatments were performed on the glass substrate polished in this manner. Was performed to etch the substrate surface, and then a chemical strengthening treatment was performed to evaluate the surface properties of the glass substrate before and after the chemical strengthening treatment.

【0119】(実施例1)本発明者らは、まず、温度5
0℃に保持したフッ酸(HF)濃度が0.030wt%
とTMAH(N(CH34OH)濃度が0.010wt
%になるようにとフッ酸とTMAHとを混合させて比率
Xが0.927となるように調製し、フッ酸とフッ化テ
トラメチルアンモニウム(フッ化物塩)とを共存させた
酸性溶液を作製した。
(Example 1) The present inventors first set a temperature of 5
Hydrofluoric acid (HF) concentration maintained at 0 ° C is 0.030 wt%
And the TMAH (N (CH 3 ) 4 OH) concentration is 0.010 wt.
% And a mixture of hydrofluoric acid and TMAH is prepared so that the ratio X becomes 0.927, and an acidic solution in which hydrofluoric acid and tetramethylammonium fluoride (fluoride salt) coexist is prepared. did.

【0120】すなわち、比率Xは、前述したように、数
式(2)で定義される。
That is, the ratio X is defined by the equation (2) as described above.

【0121】 X=[〔HF〕+〔H+〕]/[〔HF〕+〔F-〕]…(2) そして、フッ酸の分子量は20、TMAHの分子量は9
1であるから、(〔HF〕+〔F-〕)は1.5×10
-3(=0.030/20)となり、また(〔HF〕+
〔H+〕)は1.39×10-3(1.5×10-3−0.
11×10-3(=0.010/91)となり、これらの
数値を数式(2)に代入すると、比率Xは0.927と
なる。つまり、比率Xが本発明範囲内である0.3〜
0.98(好ましくは0.56〜0.93)となるよう
にフッ酸とTMAHの配合量を調整し、エッチング液と
しての酸性溶液を作製した。
X = [[HF] + [H + ]] / [[HF] + [F ]] (2) And the molecular weight of hydrofluoric acid is 20, and the molecular weight of TMAH is 9
Therefore, ([HF] + [F ]) is 1.5 × 10
-3 (= 0.030 / 20) and ([HF] +
[H + ]) is 1.39 × 10 −3 (1.5 × 10 −3 −0.
11 × 10 −3 (= 0.010 / 91), and when these numerical values are substituted into Expression (2), the ratio X becomes 0.927. That is, the ratio X is within the range of the present invention from 0.3 to 0.3.
The amount of hydrofluoric acid and TMAH was adjusted so as to be 0.98 (preferably 0.56 to 0.93), and an acidic solution as an etching solution was prepared.

【0122】次に、本発明者らは、周波数48KHz、
出力1kW/cm2の超音波を照射しながら前記ガラス基
板を2.5分間前記エッチング液に浸漬し、その後該ガ
ラス基板を純水浴中に浸漬して十分に洗浄した(第1の
表面処理)。次いで、前記ガラス基板をpHが12の水
酸化カリウム(KOH)水溶液中に2.5分間浸漬して
変質層を除去し(第2の表面処理)、その後ガラス基板
を純水浴中に浸漬して洗浄する操作を3回繰り返し、更
にIPA蒸気中で1分間乾燥させ、これによりガラス基
板に多数の微小突起が形成された試験片を作製し、その
表面性状を原子間力顕微鏡で観察した。
Next, the present inventors consider that the frequency is 48 KHz,
The glass substrate was immersed in the etching solution for 2.5 minutes while irradiating ultrasonic waves having an output of 1 kW / cm 2 , and then immersed in a pure water bath to sufficiently wash (first surface treatment). . Next, the glass substrate is immersed in a potassium hydroxide (KOH) aqueous solution having a pH of 12 for 2.5 minutes to remove the altered layer (second surface treatment), and then the glass substrate is immersed in a pure water bath. The washing operation was repeated three times, and further dried in IPA vapor for 1 minute, thereby producing a test piece having a large number of microprojections formed on a glass substrate, and observing the surface properties of the test piece with an atomic force microscope.

【0123】次に、試薬1級の硝酸ナトリウムと試薬1
級の硝酸カリウムとを重量比で20:80に調合して温
度380℃に加熱溶融された溶融塩を作製し、上記試験
片を前記溶融塩中に浸漬して3時間保持し、これにより
ガラス基板中のLi+やNa+をイオン半径の大きいK+
にイオン交換する化学強化処理を行った。
Next, reagent grade 1 sodium nitrate and reagent 1
To prepare a molten salt heated to 380 ° C. at a temperature of 380 ° C. and immersed in the molten salt for 3 hours, thereby holding the glass substrate. Li + and Na + inside are converted to K + with a large ion radius.
Was subjected to a chemical strengthening treatment for ion exchange.

【0124】そしてこの後、化学強化処理がなされた試
験片を純水浴中に浸漬する工程を3回繰り返し、該ガラ
ス基板の表面に付着している溶融塩を洗い流した後、I
PA蒸気中で1分間乾燥させ、その後、再度試験片の表
面性状を原子間力顕微鏡で観察した。
Thereafter, the step of immersing the test piece subjected to the chemical strengthening treatment in a pure water bath was repeated three times, and after the molten salt attached to the surface of the glass substrate was washed away,
After drying in PA vapor for 1 minute, the surface properties of the test piece were observed again with an atomic force microscope.

【0125】(実施例2)本発明者らは、温度50℃に
保持した0.030wt%のフッ酸と0.040wt%
のTMAHとを混合させて比率Xが0.707となるよ
うに調製し、フッ酸とフッ化テトラメチルアンモニウム
(フッ化物塩)とを共存させた酸性溶液を作製した。
(Example 2) The present inventors prepared 0.030 wt% hydrofluoric acid and 0.040 wt%
And TMAH was mixed so that the ratio X became 0.707, and an acidic solution in which hydrofluoric acid and tetramethylammonium fluoride (fluoride salt) coexisted was produced.

【0126】すなわち、この場合は、〔HF〕が1.5
×10-3(=0.030/20)、〔F-〕は0であ
り、また〔H+〕は0.44×10-3(=0.040/
91)だけ少なくなるから、数式(2)より比率Xは
0.707となる。つまり、本実施例2も比率Xが本発
明範囲内である0.3〜0.98(好ましくは0.56
〜0.93)となるようにフッ酸とTMAHの配合量を
調整し、エッチング液としての酸性溶液を作製した。
That is, in this case, [HF] is 1.5
× 10 −3 (= 0.030 / 20), [F ] is 0, and [H + ] is 0.44 × 10 −3 (= 0.040 / 20).
91), the ratio X is 0.707 according to equation (2). That is, also in the second embodiment, the ratio X is within the range of the present invention in the range of 0.3 to 0.98 (preferably 0.56
~ 0.93), the amount of hydrofluoric acid and TMAH was adjusted to prepare an acidic solution as an etching solution.

【0127】次に、前記作製されたエッチング液(酸性
溶液)を使用し、実施例1と同様の方法・手順で第1及
び第2の表面処理を行ってガラス基板に多数の微小突起
が形成された試験片を作製し、その表面性状を原子間力
顕微鏡で観察した。
Next, using the etching solution (acid solution) prepared above, the first and second surface treatments were performed by the same method and procedure as in Example 1 to form a large number of fine projections on the glass substrate. The prepared test piece was prepared, and its surface properties were observed with an atomic force microscope.

【0128】次いで、実施例1と同様の方法・手順で化
学強化処理を行い、純水浴中で試験片を洗浄した後、乾
燥させ、化学強化処理後における試験片の表面性状を原
子間力顕微鏡で観察した。
Next, a chemical strengthening treatment was performed by the same method and procedure as in Example 1, the test piece was washed in a pure water bath, dried, and the surface properties of the test piece after the chemical strengthening treatment were measured by an atomic force microscope. Was observed.

【0129】(実施例3)本発明者らは、温度50℃に
保持した0.030wt%のフッ酸と0.060wt%
のTMAHとを混合させて比率Xが0.561となるよ
うに調製し、フッ酸とフッ化テトラメチルアンモニウム
(フッ化物塩)とを共存させた酸性溶液を作製した。
(Example 3) The present inventors prepared 0.030 wt% hydrofluoric acid maintained at a temperature of 50 ° C and 0.060 wt%.
And TMAH was mixed so that the ratio X became 0.561, to prepare an acidic solution in which hydrofluoric acid and tetramethylammonium fluoride (fluoride salt) coexisted.

【0130】すなわち、この場合は、(〔HF〕+〔F
-〕)が1.5×10-3(=0.030/20)、
(〔HF〕+〔H+〕)は0.84×10-3(1.5×
10-3−0.66×10-3(=0.060/91))で
あるから、数式(2)より比率Xは0.561となる。
つまり、本実施例3も比率Xが本発明範囲内である0.
3〜0.98(好ましくは0.56〜0.93)となる
ようにフッ酸とTMAHの配合量を調整し、エッチング
液としての酸性溶液を作製した。
That is, in this case, ([HF] + [F
- ]) Is 1.5 × 10 −3 (= 0.030 / 20),
([HF] + [H + ]) is 0.84 × 10 −3 (1.5 ×
Since it is 10 −3 −0.66 × 10 −3 (= 0.060 / 91), the ratio X is 0.561 from Expression (2).
That is, in Example 3, the ratio X is within the range of the present invention.
The mixing amount of hydrofluoric acid and TMAH was adjusted so as to be 3 to 0.98 (preferably 0.56 to 0.93) to prepare an acidic solution as an etching solution.

【0131】次に、前記作製されたエッチング液(酸性
溶液)を使用し、実施例1と同様の方法・手順で第1及
び第2の表面処理を行ってガラス基板に多数の微小突起
が形成された試験片を作製し、その表面性状を原子間力
顕微鏡で観察した。
Next, using the prepared etching solution (acid solution), the first and second surface treatments were performed by the same method and procedure as in Example 1 to form many fine projections on the glass substrate. The prepared test piece was prepared, and its surface properties were observed with an atomic force microscope.

【0132】次いで、実施例1と同様の方法・手順で化
学強化処理を行い、純水浴中で試験片を洗浄した後、乾
燥させ、化学強化処理後における試験片の表面性状を原
子間力顕微鏡で観察した。
Next, a chemical strengthening treatment was carried out in the same manner and procedure as in Example 1, the test piece was washed in a pure water bath, dried, and the surface properties of the test piece after the chemical strengthening treatment were examined with an atomic force microscope. Was observed.

【0133】(比較例1)本発明者らは、精密研磨され
たガラス基板に対し、温度50℃に保持した0.015
wt%のフッ酸溶液をエッチング液として使用し、第1
の表面処理を行った後、実施例1と同様の方法・手順で
第2の表面処理を行い、試験片の表面性状を原子間力顕
微鏡で観察した。
(Comparative Example 1) The present inventors maintained a temperature of 50 ° C. on a precision-polished glass substrate.
Using a 1 wt% hydrofluoric acid solution as an etchant,
After performing the surface treatment described above, a second surface treatment was performed by the same method and procedure as in Example 1, and the surface properties of the test piece were observed with an atomic force microscope.

【0134】次いで、実施例1と同様の方法・手順で化
学強化処理を行い、純水浴中で試験片を洗浄した後、乾
燥させ、化学強化処理後における試験片の表面性状を原
子間力顕微鏡で観察した。
Next, a chemical strengthening treatment was performed by the same method and procedure as in Example 1, the test piece was washed in a pure water bath, dried, and the surface properties of the test piece after the chemical strengthening treatment were measured by an atomic force microscope. Was observed.

【0135】(比較例2)本発明者らは、精密研磨され
たガラス基板に対し、温度50℃に保持した0.030
wt%のフッ酸溶液をエッチング液として使用し、第1
の表面処理を行った後、実施例1と同様の方法・手順で
第2の表面処理を行い、試験片の表面性状を原子間力顕
微鏡で観察した。
(Comparative Example 2) The present inventors maintained a temperature of 50.degree.
Using a 1 wt% hydrofluoric acid solution as an etchant,
After performing the surface treatment described above, a second surface treatment was performed by the same method and procedure as in Example 1, and the surface properties of the test piece were observed with an atomic force microscope.

【0136】次いで、実施例1と同様の方法・手順で化
学強化処理を行い、純水浴中で試験片を洗浄した後、乾
燥させ、化学強化処理後における試験片の表面性状を原
子間力顕微鏡で観察した。
Next, a chemical strengthening treatment was performed by the same method and procedure as in Example 1, the test piece was washed in a pure water bath, dried, and the surface properties of the test piece after the chemical strengthening treatment were examined by an atomic force microscope. Was observed.

【0137】(比較例3)本発明者らは、比率Xが0.
100となるように、温度50℃に保持した0.030
wt%のフッ酸とフッ化物塩である0.500wt%の
フッ化アンモニウム(NH4F)とを混合させて酸性溶
液を作製した。
(Comparative Example 3) The present inventors have found that the ratio X is 0.
0.030 which was maintained at a temperature of 50 ° C. so as to be 100
An acidic solution was prepared by mixing wt% of hydrofluoric acid and 0.500 wt% of ammonium fluoride (NH 4 F) as a fluoride salt.

【0138】すなわち、この場合は、〔HF〕が1.5
×10-3(=0.030/20)、〔H+〕は0とな
り、またフッ化アンモニウムの分子量は37であるか
ら、〔F-〕は13.5×10-3(=0.500/3
7)となり、数式(2)より比率Xは0.100とな
る。つまり、本比較例は比率Xが本発明範囲外となるよ
うにフッ酸とフッ化アンモニウムの配合量を調整し、エ
ッチング液としての酸性溶液を作製した。
That is, in this case, [HF] is 1.5
× 10 −3 (= 0.030 / 20), [H + ] is 0, and the molecular weight of ammonium fluoride is 37. Therefore, [F ] is 13.5 × 10 −3 (= 0.500). / 3
7), and the ratio X is 0.100 from Expression (2). That is, in this comparative example, the mixing amount of hydrofluoric acid and ammonium fluoride was adjusted so that the ratio X was out of the range of the present invention, and an acidic solution as an etching solution was prepared.

【0139】次に、前記作製されたエッチング液(酸性
溶液)を使用し、実施例1と同様の方法・手順で第1及
び第2の表面処理を行ってガラス基板に多数の微小突起
が形成された試験片を作製し、その表面性状を原子間力
顕微鏡で観察した。
Next, using the etching solution (acid solution) prepared above, the first and second surface treatments were performed by the same method and procedure as in Example 1 to form a large number of fine projections on the glass substrate. The prepared test piece was prepared, and its surface properties were observed with an atomic force microscope.

【0140】次いで、実施例1と同様の方法・手順で化
学強化処理を行い、純水浴中で試験片を洗浄した後、乾
燥させ、化学強化処理後における試験片の表面性状を原
子間力顕微鏡で観察した。
Next, a chemical strengthening treatment was performed by the same method and procedure as in Example 1, the test piece was washed in a pure water bath, dried, and the surface properties of the test piece after the chemical strengthening treatment were examined by an atomic force microscope. Was observed.

【0141】表1は上記各実施例及び各比較例に使用し
た薬液の組成成分を示し、表2はこれら各実施例及び各
比較例の化学強化処理前後における表面性状を示してい
る。
Table 1 shows the composition of the chemical solution used in each of the above Examples and Comparative Examples, and Table 2 shows the surface properties of each of the Examples and Comparative Examples before and after the chemical strengthening treatment.

【0142】尚、上記各表面性状の観察では、原子間力
顕微鏡としてデジタルインスツルメンツ社製のナノスコ
ープIIIaを使用し、タッピングモードで測定した。
In the observation of the above surface properties, measurement was performed in a tapping mode using a Nanoscope IIIa manufactured by Digital Instruments as an atomic force microscope.

【0143】[0143]

【表1】 [Table 1]

【0144】[0144]

【表2】 [Table 2]

【0145】この表1及び表2から明らかなように、比
較例1はフッ酸のみで第1の表面処理を行っているが、
フッ酸濃度が0.015wt%と小さいため、化学強化
処理前の最大突起高さRpは3.1nmと小さいが、微
小突起の突起個数も80個/100μm2と少なく、ま
た、化学強化処理後は熱による緩和膨張により最大突起
高さRpは3.6nmと増大してサーマルアスペリティ
やヘッドクラッシュが生じる虞があることが分かった。
しかも、化学強化処理後であっても前記突起個数は12
0個/100μm2と少ないため、磁気ディスクに使用
した場合、磁気ヘッドとの間で粘着が生じ易く、円滑に
始動させるのが困難となる虞がある。
As is clear from Tables 1 and 2, Comparative Example 1 performed the first surface treatment only with hydrofluoric acid.
Since the hydrofluoric acid concentration is as small as 0.015 wt%, the maximum protrusion height Rp before the chemical strengthening treatment is as small as 3.1 nm, but the number of the fine protrusions is as small as 80/100 μm 2, and after the chemical strengthening treatment. It was found that the maximum projection height Rp increased to 3.6 nm due to relaxation expansion due to heat, which could cause thermal asperity and head crash.
Moreover, even after the chemical strengthening treatment, the number of protrusions is 12
Since it is as small as 0 pieces / 100 μm 2 , when it is used for a magnetic disk, adhesion to a magnetic head is likely to occur, and it may be difficult to start smoothly.

【0146】また、比較例2も、比較例1と同様、フッ
酸のみで第1の表面処理を行っているが、フッ酸濃度が
0.030wt%と大きいため、化学強化処理前であっ
ても微小突起の突起個数は400個/100μm2と多
いが、最大突起高さRpも3.8nmと高く、しかも化
学強化処理後においては前記突起個数は500個/10
0μm2と増大するものの、熱による緩和膨張により最
大突起高さRpも4.1nmと更に高くなり、サーマル
アスペリティやヘッドクラッシュが生じる虞がある。
In Comparative Example 2, as in Comparative Example 1, the first surface treatment was performed using only hydrofluoric acid. However, since the hydrofluoric acid concentration was as high as 0.030 wt%, the first surface treatment was performed before the chemical strengthening treatment. Although the number of microprojections is as large as 400/100 μm 2 , the maximum projection height Rp is also as high as 3.8 nm, and the number of the microprojections is 500/10 after chemical strengthening treatment.
Although it is increased to 0 μm 2 , the maximum protrusion height Rp is further increased to 4.1 nm due to relaxation expansion by heat, and there is a possibility that thermal asperity or head crash may occur.

【0147】また、比較例3は、大量のフッ化アンモニ
ウムを溶液中に含有させているため、ガラス基板10に
含有されるSiO2がフッ化アンモニウムと反応して沈
殿物((NH42SiF6)を生成するため、突起個数
が化学強化処理前で45個/100μm2、化学強化処
理後で40個/100μm2と極めて少なく、また、圧
痕を付与したCeO2の微粒子をガラス基板の表面から
完全に除去することができず、したがってガラス基板の
表面に汚れが目立ち、最大突起高さRpの高い異常突起
が生じることが確認された。
In Comparative Example 3, since a large amount of ammonium fluoride was contained in the solution, the SiO 2 contained in the glass substrate 10 reacted with the ammonium fluoride to precipitate ((NH 4 ) 2 to generate the SiF 6), 45 or number of projections is in front chemical reinforcement / 100 [mu] m 2, very small and 40/100 [mu] m 2 after chemical strengthening treatment, also of CeO 2 imparted with indentations microparticles of glass substrate It was not able to be completely removed from the surface, so that it was confirmed that dirt was conspicuous on the surface of the glass substrate, and that abnormal projections having a high maximum projection height Rp were generated.

【0148】これに対して実施例1〜3は、比率Xが本
発明の好ましい範囲である0.56〜0.93に調製さ
れた酸性エッチング液を使用して第1の表面処理を行っ
ているので、化学強化処理の前後で表面性状が殆ど変化
せず、最大突起高さRpが3.6nm未満であって、突
起個数が150個/100μm2以上の微小突起を有す
る磁気ディスク基板1を製造することのできることが分
かった。
On the other hand, in Examples 1 to 3, the first surface treatment was carried out using an acidic etching solution whose ratio X was adjusted to 0.56 to 0.93 which is a preferable range of the present invention. Thus, the magnetic disk substrate 1 having a microprojection with a maximum projection height Rp of less than 3.6 nm and a projection count of 150/100 μm 2 or more is hardly changed before and after the chemical strengthening treatment. It turned out that it can be manufactured.

【0149】〔第2の実施例〕本発明者らは、上記第1
の実施例と同様の組成成分を有するガラス基板を作製し
て精密研磨を行い、該精密研磨されたガラス基板に対
し、第1及び第2の表面処理を行う前に第1及び第2の
前処理を行った試験片を作製し(実施例5〜実施例
7)、第1及び第2の表面処理のみを行った試験片(実
施例4)と、その表面性状を比較した。
[Second Embodiment] The present inventors have proposed the first embodiment.
A glass substrate having the same composition as in Example 1 was prepared and precision polished, and the precision polished glass substrate was subjected to first and second surface treatments before the first and second surface treatments were performed. A treated test piece was prepared (Examples 5 to 7), and the surface properties of the test piece (Example 4) subjected to only the first and second surface treatments were compared.

【0150】(実施例4)本発明者らは、温度50℃に
保持した0.025wt%のフッ酸と0.010wt%
のTMAHとを混合させて比率Xが0.912となるよ
うに調製し、フッ酸とフッ化テトラメチルアンモニウム
(フッ化物塩)とを共存させた酸性溶液を作製した。
(Example 4) The present inventors prepared 0.025 wt% of hydrofluoric acid and 0.010 wt% of
And TMAH was mixed so that the ratio X became 0.912, and an acidic solution in which hydrofluoric acid and tetramethylammonium fluoride (fluoride salt) coexisted was produced.

【0151】すなわち、この場合は、(〔HF〕+〔F
-〕)が1.25×10-3(=0.025/20)とな
り、(〔HF〕+〔H+〕)は−0.11×10-3(=
0.010/91)となるから、数式(2)より比率X
は0.912となる。つまり、本実施例4は比率Xが本
発明範囲内である0.3〜0.98(好ましくは0.5
6〜0.93)となるようにフッ酸とTMAHの配合量
を調整し、エッチング液としての酸性溶液を作製した。
That is, in this case, ([HF] + [F
- ]) Is 1.25 × 10 −3 (= 0.025 / 20), and ([HF] + [H + ]) is −0.11 × 10 −3 (=
0.010 / 91), the ratio X
Is 0.912. That is, in the fourth embodiment, the ratio X is in the range of 0.3 to 0.98 (preferably 0.5
The amount of hydrofluoric acid and TMAH was adjusted so as to be 6 to 0.93) to prepare an acidic solution as an etching solution.

【0152】次に、前記作製されたエッチング液(酸性
溶液)を使用し、実施例1と同様の方法・手順で第1及
び第2の表面処理を行ってガラス基板に多数の微小突起
が形成された試験片を作製し、その表面性状を原子間力
顕微鏡で観察した。
Next, using the prepared etching solution (acid solution), the first and second surface treatments were performed by the same method and procedure as in Example 1 to form a large number of fine projections on the glass substrate. The prepared test piece was prepared, and its surface properties were observed with an atomic force microscope.

【0153】次いで、実施例1と同様の方法・手順で化
学強化処理を行い、純水浴中で試験片を洗浄した後、乾
燥させ、化学強化処理後における試験片の表面性状を原
子間力顕微鏡で観察した。
Next, a chemical strengthening treatment was performed by the same method and procedure as in Example 1, the test piece was washed in a pure water bath, dried, and the surface properties of the test piece after the chemical strengthening treatment were examined by an atomic force microscope. Was observed.

【0154】(実施例5)本発明者らは、まず、温度5
0℃に保持したpHが3.1のフッ酸水溶液(0.00
5wt%)を調製し、次いで周波数48KHz、出力1
kW/cm2の超音波を照射しながら、精密研磨された前
記ガラス基板を5分間前記フッ酸水溶液に浸漬し、第1
の前処理を行った。
(Example 5) The present inventors first set the temperature
An aqueous solution of hydrofluoric acid with a pH of 3.1 maintained at 0 ° C. (0.00
5 wt%), then a frequency of 48 KHz and an output of 1
While irradiating ultrasonic waves of kW / cm 2, the glass substrate which has been precisely polished is immersed in the hydrofluoric acid aqueous solution for 5 minutes.
Pretreatment was performed.

【0155】次に、前記ガラス基板をpHが12の水酸
化カリウム(KOH)水溶液中に2.5分間浸漬し、そ
の後ガラス基板を純水浴中に浸漬して洗浄する操作を3
回繰り返し、その後IPA蒸気中で1分間乾燥させて変
質層を除去し、第2の前処理を行った。
Next, the glass substrate was immersed in an aqueous solution of potassium hydroxide (KOH) having a pH of 12 for 2.5 minutes, and then washed by immersing the glass substrate in a pure water bath.
This was repeated twice, and then dried in IPA vapor for 1 minute to remove the altered layer, and the second pretreatment was performed.

【0156】そしてその後、実施例4と同様の酸性溶液
を使用してエッチング処理を行い(第1の表面処理)、
次いで、実施例4と同様の方法・手順で第2の表面処理
を行ってガラス基板に多数の微小突起が形成された試験
片を作製し、その表面性状を原子間力顕微鏡で観察し
た。
Thereafter, etching treatment is performed using the same acidic solution as in Example 4 (first surface treatment).
Next, a second surface treatment was performed in the same manner and procedure as in Example 4 to prepare a test piece having a large number of microprojections formed on a glass substrate, and the surface properties were observed with an atomic force microscope.

【0157】次いで、実施例4と同様の方法・手順で化
学強化処理を行い、純水浴中で試験片を洗浄した後、乾
燥させ、化学強化処理後における試験片の表面性状を原
子間力顕微鏡で観察した。
Next, a chemical strengthening treatment was carried out in the same manner and procedure as in Example 4, the test piece was washed in a pure water bath, dried, and the surface properties of the test piece after the chemical strengthening treatment were examined with an atomic force microscope. Was observed.

【0158】(実施例6)本発明者らは、温度50℃に
保持したpHが1の硫酸水溶液(0.5wt%)を調製
し、次いで周波数48KHz、出力1kW/cm2の超音
波を照射しながら、精密研磨された前記ガラス基板を5
分間前記硫酸水溶液に浸漬し、第1の前処理を行った。
Example 6 The present inventors prepared an aqueous sulfuric acid solution (0.5 wt%) having a pH of 1 and maintained at a temperature of 50 ° C., and then irradiated with ultrasonic waves having a frequency of 48 KHz and an output of 1 kW / cm 2. While the precision polished glass substrate is
The sample was immersed in the aqueous sulfuric acid solution for 1 minute to perform a first pretreatment.

【0159】その後、実施例5と同様の方法・手順で第
2の前処理、第1及び第2の表面処理を順次行ってガラ
ス基板に多数の微小突起が形成された試験片を作製し、
その表面性状を原子間力顕微鏡で観察した。
Thereafter, a second pretreatment, a first and a second surface treatment were sequentially performed in the same manner and procedure as in Example 5 to produce a test piece having a large number of microprojections formed on a glass substrate.
The surface properties were observed with an atomic force microscope.

【0160】次いで、実施例5と同様の方法・手順で化
学強化処理を行い、純水浴中で試験片を洗浄した後、乾
燥させ、化学強化処理後における試験片の表面性状を原
子間力顕微鏡で観察した。
Next, a chemical strengthening treatment was carried out in the same manner and procedure as in Example 5, the test piece was washed in a pure water bath, dried, and the surface properties of the test piece after the chemical strengthening treatment were examined with an atomic force microscope. Was observed.

【0161】(実施例7)本発明者らは、pHが4.1
のフタル酸標準液(C64(COOH)2)を用意し、周
波数48KHz、出力1kW/cm2の超音波を照射しな
がら精密研磨された前記ガラス基板を5分間前記フタル
酸標準液に浸漬し、第1の前処理を行った。
(Example 7) The present inventors reported that the pH was 4.1.
A phthalic acid standard solution (C 6 H 4 (COOH) 2 ) was prepared, and the glass substrate, which had been precisely polished while being irradiated with ultrasonic waves having a frequency of 48 KHz and an output of 1 kW / cm 2 , was treated with the phthalic acid standard solution for 5 minutes. The first pretreatment was performed by immersion.

【0162】その後、実施例5と同様の方法・手順で第
2の前処理、第1及び第2の表面処理を順次行ってガラ
ス基板に多数の微小突起が形成された試験片を作製し、
その表面性状を原子間力顕微鏡で観察した。
Thereafter, the second pretreatment, the first and second surface treatments were sequentially performed in the same manner and procedure as in Example 5 to produce a test piece having a large number of microprojections formed on a glass substrate.
The surface properties were observed with an atomic force microscope.

【0163】次いで、実施例5と同様の方法・手順で化
学強化処理を行い、純水浴中で試験片を洗浄した後、乾
燥させ、化学強化処理後における試験片の表面性状を原
子間力顕微鏡で観察した。
Next, a chemical strengthening treatment was performed by the same method and procedure as in Example 5, the test piece was washed in a pure water bath, dried, and the surface properties of the test piece after the chemical strengthening treatment were measured by an atomic force microscope. Was observed.

【0164】表3は上記各実施例に使用した薬液の組成
成分を示し、表4はこれら各実施例の化学強化処理前後
における表面性状を示している。
Table 3 shows the composition of the chemical solution used in each of the above Examples, and Table 4 shows the surface properties before and after the chemical strengthening treatment in each of the Examples.

【0165】尚、上記各表面性状の観察では、原子間力
顕微鏡として、第1の実施例と同様、デジタルインスツ
ルメンツ社製のナノスコープIIIaを使用し、タッピン
グモードで測定した。
In the observation of the above surface properties, a nanoscope IIIa manufactured by Digital Instruments Co., Ltd. was used as an atomic force microscope in the same manner as in the first embodiment, and the measurement was performed in a tapping mode.

【0166】[0166]

【表3】 [Table 3]

【0167】[0167]

【表4】 [Table 4]

【0168】実施例4と実施例5〜実施例7を比較する
と、第1及び第2の前処理を行った場合は、該第1及び
第2の前処理を行わなかった場合に比べ、微小突起2の
突起個数が増加しており、したがって微小突起のより一
層の高密度化が可能となり、低フライングハイトでの円
滑な駆動をより一層好適なものとすることが分かる。し
かも、化学強化処理後における最大突起高さRpが3.
6nm未満に抑制されるため異常突起も生じず、磁気ヘ
ッドが磁気ディスク上を低フライングハイトで滑空する
場合であっても、サーマルアスペリティやヘッドクラッ
シュが生じるのを回避することができる。
Comparing the fourth embodiment with the fifth to seventh embodiments, when the first and second pre-processings are performed, the fineness is smaller than when the first and the second pre-processings are not performed. It can be seen that the number of projections of the projections 2 is increased, so that the density of the fine projections can be further increased, and smooth driving at a low flying height is more suitable. Moreover, the maximum projection height Rp after the chemical strengthening treatment is 3.
Since the diameter is suppressed to less than 6 nm, no abnormal protrusion occurs, and even when the magnetic head glides on the magnetic disk at a low flying height, it is possible to avoid thermal asperity and head crash.

【0169】[0169]

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る情報記
録媒体用基板の製造方法は、研磨剤を使用してガラス基
板に精密研磨処理を施した後、表面処理を施して情報記
録媒体用基板を製造する情報記録媒体用基板の製造方法
において、前記表面処理は、フッ酸とフッ化物塩とを共
存させたエッチング液を使用して行い、また、前記フッ
酸とフッ化物イオンの各々1モル当りの濃度の和に対す
る前記フッ酸と水素イオンの各々1モル当りの濃度の和
の比率Xが0.3〜0.98、好ましくは0.56〜
0.93となるように、前記エッチング液を調製してい
るので、化学強化処理やスパッタリング処理等の加熱処
理を行っても、加熱処理後における最大突起高さを低く
することができ、また高密度に形成された微小突起(テ
クスチャ)を有する所望の情報記録媒体用基板を製造す
ることができ、したがって低フライングハイト下でも優
れた浮上安定性を有する情報記録媒体用基板を得ること
ができる。
As described above in detail, the method of manufacturing a substrate for an information recording medium according to the present invention comprises the steps of: subjecting a glass substrate to a precision polishing treatment using an abrasive, followed by a surface treatment; In the method for manufacturing an information recording medium substrate for manufacturing a substrate, the surface treatment is performed using an etching solution in which hydrofluoric acid and a fluoride salt coexist, and each of the hydrofluoric acid and fluoride ions The ratio X of the sum of the concentration of each of the hydrofluoric acid and hydrogen ions to the sum of the concentrations per mole is 0.3 to 0.98, preferably 0.56 to 0.98.
Since the etching solution is prepared so as to be 0.93, the maximum projection height after the heat treatment can be reduced even if heat treatment such as chemical strengthening treatment or sputtering treatment is performed. A desired information recording medium substrate having minute projections (texture) formed at a high density can be manufactured, and therefore, an information recording medium substrate having excellent flying stability even under a low flying height can be obtained.

【0170】また、前記エッチング液は、前記水素イオ
ンが一価の陽イオンで置換された溶液であり、しかも前
記一価の陽イオンは、アルキルアンモニウムイオンで構
成することにより、溶液中に沈殿物が生成されることも
なく、所望のエッチング処理を円滑に行うことができ
る。
The etching solution is a solution in which the hydrogen ions have been replaced by monovalent cations, and the monovalent cations are composed of alkylammonium ions. Is not generated, and a desired etching process can be performed smoothly.

【0171】また、前記表面処理は、前記エッチング液
で第1の表面処理を行った後、アルカリ性溶液で第2の
表面処理を行うことにより、第1の表面処理によって基
板表面に形成された機械的強度の弱い柔らかな変質層を
容易に除去することができ、表層面の化学的耐久性を高
めることができる。
In the surface treatment, the first surface treatment is performed with the etching solution, and then the second surface treatment is performed with an alkaline solution. A soft deteriorated layer having low target strength can be easily removed, and the chemical durability of the surface layer can be enhanced.

【0172】また、前記表面処理を施す前にpHが4以
下の酸性溶液で少なくとも1回の前処理を行うことによ
り、また第1の前処理を行った後、アルカリ性溶液を使
用して第2の前処理を行うことにより、ガラス基板の表
面にはより多数の微小突起を形成することができ、これ
により磁気ディスクの円滑始動をより確実に行うことが
でき、低フライングハイト下での浮上安定性がより一層
向上する。
Further, by performing at least one pretreatment with an acidic solution having a pH of 4 or less before performing the surface treatment, and performing a second pretreatment using an alkaline solution after performing the first pretreatment. By performing the pre-treatment, a larger number of fine protrusions can be formed on the surface of the glass substrate, which makes it possible to start the magnetic disk smoothly and more reliably, and to stably fly under a low flying height. The properties are further improved.

【0173】また、前記ガラス基板は、SiO2の含有
率と、Al23の含有率の1/2との差異が、モル%で
53%〜66%、好ましくは58%〜64%の組成成分
を有することにより、適度な微小突起、すなわち2nm
以上の突起高さが150個/100μm2以上であっ
て、且つ最大突起高さが3.6nm未満の微小突起の形
成に効果的に寄与することができる。
In the glass substrate, the difference between the content of SiO 2 and half of the content of Al 2 O 3 is 53% to 66%, preferably 58% to 64% by mol%. By having a composition component, a moderate fine protrusion, that is, 2 nm
The height of the projections is 150/100 μm 2 or more, and the maximum height of the projections can be effectively contributed to the formation of minute projections of less than 3.6 nm.

【0174】更に望ましくは、ガラス基板としては、耐
水性や機械的強度に優れたアルミノシリケート系のガラ
ス材が好ましく、前記ガラス基板は、モル%で、SiO
2:63%〜70%、Al23:4%〜11%、Li
2O:5%〜11%、Na2O:6%〜14%、K2O:
0%〜2%、TiO2:0%〜5%、ZrO2:0%〜
2.5%、MgO:0%〜6%、CaO:1%〜9%、
SrO:0%〜3%、及びBaO:0%〜2%(但し、
MgO、CaO、SrO、及びBaOは総計で2%〜1
5%)の組成成分を有することにより、適度な微小突
起、すなわち2nm以上の突起高さが150個/100
μm2以上であって、且つ最大突起高さが3.6nm未
満の微小突起の形成に効果的に寄与することができる。
More preferably, the glass substrate is preferably an aluminosilicate-based glass material having excellent water resistance and mechanical strength.
2: 63% ~70%, Al 2 O 3: 4% ~11%, Li
2 O: 5% to 11%, Na 2 O: 6% to 14%, K 2 O:
0% ~2%, TiO 2: 0% ~5%, ZrO 2: 0% ~
2.5%, MgO: 0% to 6%, CaO: 1% to 9%,
SrO: 0% to 3%, and BaO: 0% to 2% (however,
MgO, CaO, SrO, and BaO are 2% to 1 in total.
5%), the height of moderate fine protrusions, that is, protrusions of 2 nm or more is 150/100.
It can effectively contribute to the formation of microprojections having a size of not less than μm 2 and a maximum projection height of less than 3.6 nm.

【0175】さらに、平均粒径が0.01μm〜3μm
である遊離砥粒で精密研磨を行なうとき、ガラス基板表
面に形成される圧縮層の圧縮深さが2nm〜15nmと
することができる結果、所期のテクスチャ形状をえるこ
とができる。
Further, the average particle size is 0.01 μm to 3 μm
When precision polishing is performed with free abrasive grains, the compression depth of the compression layer formed on the surface of the glass substrate can be set to 2 nm to 15 nm, so that the desired texture shape can be obtained.

【0176】また、本発明に係る情報記録媒体用基板
は、上述した製造方法により製造され、さらに、前記微
小突起は、2nm以上の突起高さが150個/100μ
2以上であって、且つ最大突起高さが3.6nm未満
とされることにより、10nm以下の低フライングハイ
トで駆動させても浮上安定性を確保することのできる情
報記録媒体用基板を得ることができる。
Further, the information recording medium substrate according to the present invention is manufactured by the above-described manufacturing method, and the fine projections have a projection height of 2 nm or more of 150 projections / 100 μm.
A m 2 or more, and by the maximum protrusion height is less than 3.6 nm, to obtain a substrate for an information recording medium capable of be driven by the following low flying height 10nm to secure the flying stability be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る情報記録媒体用基板としての磁気
ディスク基板1の一実施の形態を示す要部断面図であ
る。
FIG. 1 is a sectional view showing a main part of an embodiment of a magnetic disk substrate 1 as an information recording medium substrate according to the present invention.

【図2】磁気ディスク基板の製造方法の一実施の形態
(第1の実施の形態)を示す製造工程図である。
FIG. 2 is a manufacturing process diagram showing one embodiment (first embodiment) of a method for manufacturing a magnetic disk substrate.

【図3】研磨工程4で精密研磨されたガラス基板の断面
図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the glass substrate precisely polished in a polishing step 4.

【図4】テクスチャ処理工程5での表面処理を示すガラ
ス基板の断面図であり、(a)は、エッチング処理前の
ガラス基板10の表面を仮想線で示すものであり、
(b)は、アルカリ洗浄により変質層8が除去された状
態を示すものである。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a glass substrate showing a surface treatment in a texture processing step 5, in which (a) shows a surface of the glass substrate 10 before an etching process by a virtual line;
(B) shows a state in which the deteriorated layer 8 has been removed by alkali washing.

【図5】磁気ディスク基板1の製造方法の第2の実施の
形態を示す製造工程図である。
FIG. 5 is a manufacturing process diagram showing a second embodiment of the method for manufacturing the magnetic disk substrate 1.

【図6】第2の実施の形態におけるテクスチャ処理工程
5’での表面処理を示すガラス基板の断面図であり、
(a)は、非圧縮層13の部分がわずかエッチングされ
ることによりガラス基板20の表面に形成された段差D
を示すものであり、(b)は、アルカリ洗浄により変質
層14が除去された状態を示すものであり、(c)は、
多数の微笑突起2と変質層16が形成された状態を示す
ものであり、(d)は、アルカリ洗浄により変質層16
が除去された状態を示すものである。
FIG. 6 is a cross-sectional view of a glass substrate showing a surface treatment in a texture processing step 5 ′ according to the second embodiment;
(A) shows a step D formed on the surface of the glass substrate 20 by slightly etching the portion of the non-compressed layer 13.
(B) shows a state in which the altered layer 14 has been removed by alkali washing, and (c) shows a state in which
This shows a state in which a large number of smile protrusions 2 and altered layer 16 are formed, and FIG.
Is a state in which is removed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

5、5′ テクスチャ処理工程 5a、5c′ 第1の表面処理 5b、5d′ 第2の表面処理 5a′ 第1の前処理 5b′ 第2の前処理 5, 5 'texture processing step 5a, 5c' first surface treatment 5b, 5d 'second surface treatment 5a' first pretreatment 5b 'second pretreatment

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 靖弘 大阪府大阪市中央区北浜4丁目7番28号 日本板硝子株式会社内 Fターム(参考) 5D006 CB04 CB06 CB07 5D112 AA02 BA03 BA08 BA09 GA09 GA14 GA27  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yasuhiro Saito 4-7-28 Kitahama, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka F-term in Nippon Sheet Glass Co., Ltd. 5D006 CB04 CB06 CB07 5D112 AA02 BA03 BA08 BA09 GA09 GA14 GA27

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 研磨剤を使用してガラス基板に精密研磨
処理を施した後、表面処理を施して情報記録媒体用基板
を製造する情報記録媒体用基板の製造方法において、 前記表面処理は、フッ酸とフッ化物塩とを共存させたエ
ッチング液を使用して行うことを特徴とする情報記録媒
体用基板の製造方法。
1. A method of manufacturing a substrate for an information recording medium, comprising: performing a precision polishing process on a glass substrate using an abrasive, and then performing a surface treatment to manufacture a substrate for an information recording medium. A method for producing a substrate for an information recording medium, wherein the method is performed using an etching solution in which hydrofluoric acid and a fluoride salt coexist.
【請求項2】 前記フッ酸とフッ化物イオンの各々1モ
ル当りの濃度の和に対する前記フッ酸と水素イオンの各
々1モル当りの濃度の和の比率Xが0.3〜0.98と
なるように、前記エッチング液を調製することを特徴と
する請求項1記載の情報記録媒体用基板の製造方法。
2. The ratio X of the sum of the concentration of each of the hydrofluoric acid and hydrogen ions to the sum of the concentrations of each of the hydrofluoric acid and fluoride ions per mole is 0.3 to 0.98. The method for manufacturing a substrate for an information recording medium according to claim 1, wherein the etching solution is prepared as described above.
【請求項3】 前記比率Xが0.56〜0.93となる
ように、前記エッチング液を調製することを特徴とする
請求項2記載の情報記録媒体用基板の製造方法。
3. The method according to claim 2, wherein the etching solution is prepared so that the ratio X is 0.56 to 0.93.
【請求項4】 前記エッチング液は、前記水素イオンが
一価の陽イオンで置換された溶液であることを特徴とす
る請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の情報記録媒
体用基板の製造方法。
4. The information recording medium substrate according to claim 1, wherein the etching solution is a solution in which the hydrogen ions are replaced with monovalent cations. Production method.
【請求項5】 前記一価の陽イオンは、アルキルアンモ
ニウムイオンであることを特徴とする請求項4記載の情
報記録媒体用基板の製造方法。
5. The method according to claim 4, wherein the monovalent cation is an alkyl ammonium ion.
【請求項6】 前記表面処理は、前記エッチング液で第
1の表面処理を行った後、アルカリ性溶液で第2の表面
処理を行うことを特徴とする請求項1乃至請求項5のい
ずれかに記載の情報記録媒体用基板の製造方法。
6. The surface treatment according to claim 1, wherein after the first surface treatment is performed with the etching solution, the second surface treatment is performed with an alkaline solution. The method for manufacturing the information recording medium substrate according to the above.
【請求項7】 前記表面処理を施す前に酸性溶液で少な
くとも1回の前処理を行うことを特徴とする請求項1乃
至請求項6のいずれかに記載の情報記録媒体用基板の製
造方法。
7. The method for manufacturing a substrate for an information recording medium according to claim 1, wherein at least one pretreatment is performed with an acidic solution before the surface treatment is performed.
【請求項8】 前記表面処理を施す前に酸性溶液で少な
くとも1回の第1の前処理を行った後、アルカリ性溶液
を使用して第2の前処理を行うことを特徴とする請求項
1乃至請求項6のいずれかに記載の情報記録媒体用基板
の製造方法。
8. The method according to claim 1, wherein at least one first pretreatment is performed with an acidic solution before the surface treatment is performed, and then a second pretreatment is performed using an alkaline solution. A method for manufacturing a substrate for an information recording medium according to claim 6.
【請求項9】 前記酸性溶液のpHは4以下であること
を特徴とする請求項7又は請求項8記載の情報記録媒体
用基板の製造方法。
9. The method for manufacturing a substrate for an information recording medium according to claim 7, wherein the pH of the acidic solution is 4 or less.
【請求項10】 前記ガラス基板は、SiO2の含有率
と、Al23の含有率の1/2との差異が、モル%で5
3%〜66%であることを特徴とする請求項1乃至請求
項9のいずれかに記載の情報記録媒体用基板の製造方
法。
10. The glass substrate has a difference between the content of SiO 2 and half the content of Al 2 O 3 of 5% by mol%.
The method for manufacturing a substrate for an information recording medium according to any one of claims 1 to 9, wherein the content is 3% to 66%.
【請求項11】 前記ガラス基板は、SiO2の含有率
と、Al23の含有率の1/2との差異が、モル%で5
8%〜64%であることを特徴とする請求項10記載の
情報記録媒体用基板の製造方法。
11. The glass substrate according to claim 1, wherein the difference between the content of SiO 2 and the content of Al 2 O 3 is 5% by mol%.
The method for manufacturing a substrate for an information recording medium according to claim 10, wherein the content is 8% to 64%.
【請求項12】 前記ガラス基板は、モル%で、SiO
2:63%〜70%、Al23:4%〜11%、Li
2O:5%〜11%、Na2O:6%〜14%、K2O:
0%〜2%、TiO2:0%〜5%、ZrO2:0%〜
2.5%、MgO:0%〜6%、CaO:1%〜9%、
SrO:0%〜3%、及びBaO:0%〜2%(但し、
MgO、CaO、SrO、及びBaOは総計で2%〜1
5%)であることを特徴とする請求項1乃至請求項9の
いずれかに記載の情報記録媒体用基板の製造方法。
12. The glass substrate according to claim 1, wherein the glass substrate is made of SiO
2: 63% ~70%, Al 2 O 3: 4% ~11%, Li
2 O: 5% to 11%, Na 2 O: 6% to 14%, K 2 O:
0% ~2%, TiO 2: 0% ~5%, ZrO 2: 0% ~
2.5%, MgO: 0% to 6%, CaO: 1% to 9%,
SrO: 0% to 3%, and BaO: 0% to 2% (however,
MgO, CaO, SrO, and BaO are 2% to 1 in total.
The method for manufacturing a substrate for an information recording medium according to any one of claims 1 to 9, characterized in that:
【請求項13】 前記研磨剤は平均粒径が0.01μm
〜3μmである遊離砥粒である請求項1の情報記録媒体
用基板の製造方法。
13. The abrasive has an average particle size of 0.01 μm.
2. The method for producing a substrate for an information recording medium according to claim 1, wherein the abrasive grains are loose abrasive grains having a size of from 3 to 3 [mu] m.
【請求項14】 ガラス基板の表面に多数の微小突起が
形成された情報記録媒体用基板において、 請求項1乃至請求項13のいずれかに記載の製造方法に
より製造されていることを特徴とする情報記録媒体用基
板。
14. An information recording medium substrate in which a large number of fine projections are formed on a surface of a glass substrate, wherein the substrate is manufactured by the manufacturing method according to claim 1. Description: Information recording medium substrate.
【請求項15】 前記微小突起は、2nm以上の突起高
さが150個/100μm2以上であって、且つ前記突
起高さの平均値からの最大突起高さが3.6nm未満で
あることを特徴とする請求項14記載の情報記録媒体用
基板。
15. The microprojection, wherein the height of the projections of 2 nm or more is 150/100 μm 2 or more, and the maximum projection height from the average value of the projection heights is less than 3.6 nm. The information recording medium substrate according to claim 14, wherein
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102108011B (en) * 2009-12-24 2013-05-29 比亚迪股份有限公司 Method for reinforcing glass element

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