JP2002352760A - Scanning electron microscope - Google Patents

Scanning electron microscope

Info

Publication number
JP2002352760A
JP2002352760A JP2001152713A JP2001152713A JP2002352760A JP 2002352760 A JP2002352760 A JP 2002352760A JP 2001152713 A JP2001152713 A JP 2001152713A JP 2001152713 A JP2001152713 A JP 2001152713A JP 2002352760 A JP2002352760 A JP 2002352760A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample chamber
electron microscope
chamber
scanning electron
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001152713A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3713450B2 (en
JP2002352760A5 (en
Inventor
Shuichi Nakagawa
周一 中川
Masaru Matsushima
勝 松島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2001152713A priority Critical patent/JP3713450B2/en
Publication of JP2002352760A publication Critical patent/JP2002352760A/en
Publication of JP2002352760A5 publication Critical patent/JP2002352760A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3713450B2 publication Critical patent/JP3713450B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a scanning electron microscope that does not need scanning stoppage, when a pre-evacuation chamber evacuated for the evacuation and the air leakage process and can steadily suppress deterioration of the throughput. SOLUTION: Two or more piezoelectric elements 4 are arranged between a base 17 and a sample chamber 1, and the sample chamber 1 is slanted, in response to the deformation of the sample chamber 1 caused by a vacuum evacuation and air leakage process, in the a pre-evacuation chamber 3. A lens- barrel 2 is slanted to the sample chamber 1 by its own weight, and the deviation of an irradiation position of the electron beam EB to the sample 7 can be suppressed. Since the scanning stoppage time caused by the evacuation and the air leakage process in the pre-evacuation chamber 3 is eliminated, throughput in the electron microscope is enhanced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、予備排気室を備え
た走査形電子顕微鏡に係り、特に半導体製造分野におい
て検査観察用に使用されるのに好適な走査形電子顕微鏡
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scanning electron microscope having a preliminary exhaust chamber, and more particularly to a scanning electron microscope suitable for use in inspection and observation in the field of semiconductor manufacturing.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体素子の製造分野において、
半製品や製品の観察と検査用に走査形電子顕微鏡(SE
M)が広く用いられるようになっているが、これは、電
子顕微鏡が有する高分解能特性と焦点深度が深いという
特性による利点が大きいからである。
2. Description of the Related Art In recent years, in the field of manufacturing semiconductor devices,
Scanning electron microscope (SE) for observation and inspection of semi-finished products and products
M) has been widely used because the advantages of the high resolution characteristic and the deep depth of focus characteristic of the electron microscope are great.

【0003】ところで、SEMにおける試料、例えばシ
リコンウエハなどの試料の観察や検査における処理の流
れは、次の通りになっているのが一般的である。まず、
最初、ウエハ搬送ロボットにより、ウエハカセットから
ウエハが取り出され、SEMの予備排気室に搬入され
る。
Incidentally, the flow of processing in observation and inspection of a sample in a SEM, for example, a sample such as a silicon wafer, is generally as follows. First,
First, the wafer is taken out of the wafer cassette by the wafer transfer robot and carried into the preliminary exhaust chamber of the SEM.

【0004】次に、真空ポンプで予備排気室内を排気
し、室内が一定の真空度に達したら、この予備排気室と
SEMの試料室の間にあるバルブ(扉)が開かれ、ウエハ
が試料室に搬送される。ここで、予備排気室が設けてあ
る理由は、内部空間の容積がかなり大きい試料室の排気
とエアリークを、ウエハ搬送の都度行うようにしたので
は、多大の処理時間を要するためである。
Next, the pre-evacuation chamber is evacuated by a vacuum pump, and when the chamber reaches a certain degree of vacuum, a valve (door) between the pre-evacuation chamber and the sample chamber of the SEM is opened, and the wafer is sampled. Transported to the room. The reason why the preliminary exhaust chamber is provided is that a large amount of processing time is required if the exhaust and air leak of the sample chamber having a considerably large internal space are performed each time the wafer is transferred.

【0005】試料室の中に搬送されたウエハは、試料室
内で更に所定の位置に移動され、ここで電子線がウエハ
面に照射され、スキャニング(走査)される。そして、こ
れにより発生される二次電子を検出してウエハ面にある
パターンなどの画像データを取込み、この画像データの
処理により、ウエハが検査されるのである。
The wafer transported into the sample chamber is further moved to a predetermined position in the sample chamber, where an electron beam is irradiated on the wafer surface and scanned (scanned). Then, the secondary electrons generated thereby are detected, and image data such as a pattern on the wafer surface is taken in. The wafer is inspected by processing the image data.

【0006】そして、試料室内でウエハが検査されてい
る間、空になった予備排気室をエアリークして大気圧に
戻し、未検査ウエハ(次に検査すべきウエハ)を中に搬送
し、再び真空排気を行い、検査終了後、予備排気室内
で、検査済ウエハと、未検査ウエハが入れ換えられ、こ
の未検査ウエハはウエハ搬送ロボットにより試料室内に
搬入され、検査済みウエハは搬出されウエハカセットに
戻される。
While the wafer is being inspected in the sample chamber, the evacuated preliminary exhaust chamber is returned to the atmospheric pressure by air leaking, and the uninspected wafer (the next wafer to be inspected) is transported therein. After evacuation, after the inspection is completed, the inspected wafer and the uninspected wafer are exchanged in the preliminary evacuation chamber, the uninspected wafer is loaded into the sample chamber by the wafer transfer robot, and the inspected wafer is unloaded and transferred to the wafer cassette. Will be returned.

【0007】ところで、このようなSEMでは、予備排
気室の真空排気時とエアリーク時の圧力差により応力変
化か与えられ、予備排気室の壁面に変形が現われてしま
うのが避けられない。ここで、この予備排気室は試料室
に取付けられており、従って、それが変形したとする
と、試料室にも影響を及ぼしてしまい、この結果、特に
電子顕微鏡の鏡筒を支えている試料室天板に変形を与え
てしまう虞れがある。
However, in such an SEM, a change in stress is given due to a pressure difference between the time of evacuation of the preliminary exhaust chamber and the time of air leak, and it is inevitable that deformation appears on the wall surface of the preliminary exhaust chamber. Here, this preliminary exhaust chamber is attached to the sample chamber. Therefore, if it is deformed, it also affects the sample chamber, and as a result, particularly, the sample chamber supporting the lens barrel of the electron microscope. There is a risk that the top plate will be deformed.

【0008】このため、従来技術によるSEMでは、ウ
エハの検査中に予備排気室の真空排気とエアリークを行
うと、ウエハ面の電子線による照射位置が予定している
測定点からずれ、観察画面の中のウエハ像が、例えば1
00〜200nm/10s程度の微小な割合ではある
が、圧力変化と共にずれていってしまう。
For this reason, in the SEM according to the prior art, if the pre-evacuation chamber is evacuated and air leaked during the inspection of the wafer, the irradiation position of the electron beam on the wafer surface deviates from a predetermined measurement point, and the observation screen is displayed. The wafer image inside is, for example, 1
Although it is a very small ratio of about 00 to 200 nm / 10 s, it shifts with a change in pressure.

【0009】このことは、特に微細パターンの寸法を検
査する測長用走査形電子顕微鏡(測長SEM)の場合、画
像の取込みに数秒間を要することから、検査精度低下の
大きな原因になってしまう。また、画像取込中でなくて
も、位置決め後にウエハ像が移動すると、隣接している
別のパターンを検査してしまうという誤検査が生じてし
まう。
This is a major cause of a decrease in inspection accuracy, especially in the case of a scanning electron microscope for length measurement (length-measuring SEM) for inspecting the dimensions of fine patterns, since it takes several seconds to capture an image. I will. Further, even if the image is not being captured, if the wafer image moves after the positioning, an erroneous inspection that another adjacent pattern is inspected occurs.

【0010】そこで、例えば特開平3−1568493
号公報に記載の従来技術では、予備排気室の排気処理時
とエアリーク処理時には電子線の走査を停止し、且つ、
位置決め後、測長スキャン終了までは、予備排気室の排
気とエアリークを行わないようにしている。
Therefore, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. HEI 3-156493.
In the prior art described in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H11-260, the scanning of the electron beam is stopped at the time of the exhaust processing of the preliminary exhaust chamber and the air leak processing, and
After the positioning, the exhaust of the preliminary exhaust chamber and the air leak are not performed until the measurement scan is completed.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、スキ
ャニングを停止している時間と、予備排気室の排気とリ
ークの停止に伴う時間が無駄時間になっている点につい
て配慮がされておらず、スループットの低下に問題があ
った。ここで、このスループットの低下が、生産性向上
妨げに他ならないことは言を要しない。
The above prior art does not take into account the fact that the time during which scanning is stopped and the time required for stopping the exhaust and leak of the preliminary exhaust chamber are wasted. However, there is a problem that the throughput is reduced. Here, it is not necessary to say that this decrease in throughput is nothing but an obstacle to improving productivity.

【0012】ここで、いま、例えば、1時間当り45枚
(1枚当り80秒)のウエハが検査可能な測長SEMにお
いて、無駄時間が5秒あったとすると、この無駄時間の
存在により1時間当りの測定枚数は41枚に低下してし
まう。本発明の目的は、これらの問題点を解決し、予備
排気室の真空排気時とエアリーク時でのスキャニング停
止が不要で、スループットの低下が確実に抑えられるよ
うにしたSEMを提供することにある。
Here, for example, 45 sheets per hour
If a dead time is 5 seconds in a length measuring SEM capable of inspecting (80 seconds per wafer) wafers, the number of measured sheets per hour is reduced to 41 due to the presence of the dead time. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an SEM that solves these problems and does not require scanning to be stopped at the time of evacuation of the preliminary evacuation chamber and at the time of air leak, thereby reliably suppressing a decrease in throughput. .

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的は、側部に予備
排気室を有する試料室の上部に、鏡筒が直立して備えら
れている走査形電子顕微鏡において、前記試料室を傾斜
させる駆動手段を設け、前記試料室の傾斜により前記鏡
筒に現われる自重による傾斜を制御し、電子ビームの試
料面での照射位置の補正が得られるようにして達成され
る。このとき、前記駆動手段は、予備排気室が内部の圧
力変化により変形して前記試料室に変形が現われ、前記
鏡筒の向きが変化したとき制御されるようにしてもよ
い。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a scanning electron microscope in which a lens barrel is provided upright on a sample chamber having a pre-evacuation chamber on the side. Means are provided to control the inclination of the sample chamber due to its own weight appearing in the lens barrel by the inclination of the sample chamber, so that the correction of the irradiation position of the electron beam on the sample surface is achieved. At this time, the driving unit may be controlled when the preliminary exhaust chamber deforms due to a change in internal pressure, a deformation appears in the sample chamber, and the direction of the lens barrel changes.

【0014】更に、このとき、前記駆動手段は、前記試
料室と当該試料室を支持するベースの間に、前記鏡筒の
中心軸に対してほぼ等角度で、ほぼ等距離離れて配置さ
れている少なくとも3個の圧電素子で構成してもよく、
前記試料室と当該試料室を支持するベースの間に、前記
鏡筒の中心軸に対してほぼ等角度で、ほぼ等距離離れて
配置されている少なくとも3個のモータ駆動形くさび式
移動機構で構成してもよい。
Further, at this time, the driving means is disposed between the sample chamber and a base supporting the sample chamber at substantially the same angle with respect to the center axis of the lens barrel and at substantially the same distance. May be composed of at least three piezoelectric elements,
At least three motor-driven wedge-type moving mechanisms disposed between the sample chamber and a base supporting the sample chamber at substantially the same angle with respect to the center axis of the lens barrel and at substantially the same distance. You may comprise.

【0015】また、このとき、前記駆動手段を制御する
制御手段を設け、該制御手段は、予め前記該試料室の変
形量と時間の関係を把握し、前記駆動手段の操作量を決
定して当該駆動手段を制御するようにしてもよい。更
に、このとき、前記駆動手段を制御する制御手段と、前
記試料室の変形を検出する歪み検出手段とを設け、前記
御手段は、前記歪み検出手段により測定された歪み量と
時間の関係から前記駆動手段の操作量を算出し、前記駆
動手段を制御するようにしてもよい。
At this time, control means for controlling the driving means is provided, and the control means grasps in advance the relationship between the deformation amount of the sample chamber and time and determines the operation amount of the driving means. The driving means may be controlled. Further, at this time, a control unit for controlling the driving unit and a distortion detection unit for detecting the deformation of the sample chamber are provided, and the control unit determines a relationship between the amount of distortion measured by the distortion detection unit and time. The operation amount of the driving unit may be calculated to control the driving unit.

【0016】また、ここで、前記駆動手段を制御する制
御手段と、前記試料室の天板に取付けた傾斜検出手段と
を設け、前記御手段は、前記傾斜検出手段により測定さ
れた傾斜量と時間の関係から前記駆動手段の操作量を算
出し、前記駆動手段を制御するようにしてもよく、前記
駆動手段を制御する制御手段と、前記予備排気室に取付
けた圧力検出手段とを設け、前記御手段は、前記圧力検
出手段により測定された圧力量と時間の関係から前記駆
動手段の操作量を算出し、前記駆動手段を制御するよう
にしてもよい。
Here, there are provided control means for controlling the driving means, and inclination detecting means attached to the top plate of the sample chamber, wherein the controlling means comprises: an inclination amount measured by the inclination detecting means; The operation amount of the driving unit may be calculated from the relationship of time, and the driving unit may be controlled, and a control unit for controlling the driving unit and a pressure detecting unit attached to the preliminary exhaust chamber are provided. The control means may calculate an operation amount of the drive means from a relationship between the pressure amount measured by the pressure detection means and time, and control the drive means.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明によるSEM(走査
形電子顕微鏡)について、図示の実施の形態により詳細
に説明する。図1は、本発明の一実施形態で、図におい
て、主要な構成部材は、試料室1と鏡筒2、予備排気室
3、それに圧電素子4であり、これらは、全体としてベ
ース17の上に載置され、このベース17が除振器26
を介して据付台6の上に保持されることにより、所定の
場所に設置される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an SEM (scanning electron microscope) according to the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments. FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. In the drawing, main constituent members are a sample chamber 1, a lens barrel 2, a preliminary exhaust chamber 3, and a piezoelectric element 4, which are all on a base 17 as a whole. The base 17 is mounted on the vibration isolator 26.
It is installed on a predetermined place by being held on the installation base 6 via the.

【0018】試料室1は、密閉した空間を形成し、内部
が高真空に保持できるように排気系9を備え、その天板
部には鏡筒2が、そして側壁部には予備排気室3が夫々
取付けられており、内部には、試料ステージ10が設け
てある。
The sample chamber 1 forms a closed space, and is provided with an exhaust system 9 so that the inside can be maintained at a high vacuum. The lens barrel 2 is provided on the top plate, and the preliminary exhaust chamber 3 is provided on the side wall. Are mounted, and a sample stage 10 is provided inside.

【0019】まず、鏡筒2は、図示のように、試料室1
の上部に直立して取付けられ、内部に連通した底の無い
筒状の部材で作られ、内部の頂部近傍に電子源となるフ
ィラメント5を備え、これから発生された電子ビームE
Bを偏向、集束させ、試料台11に載置されているウエ
ハなどの試料7の表面の所定の領域に照射させることが
できるように構成されている。
First, the lens barrel 2 is, as shown in FIG.
Is made of a tubular member having no bottom and communicating with the inside, and is provided with a filament 5 serving as an electron source near the top of the inside, and an electron beam E generated from this is provided.
B is deflected and focused so that a predetermined region on the surface of the sample 7 such as a wafer placed on the sample stage 11 can be irradiated.

【0020】そして、この電子ビームEBの照射によっ
て試料7から発生される電子、つまり二次電子SBを二
次電子検出器8で検出し、この二次電子検出器8により
検出された二次電子信号に基づいて、図示されてない像
表示装置に試料7の表面の拡大像が表示されるようにな
っている。また、この鏡筒2にも排気系27が設けてあ
り、試料室1と共に、内部が高真空に維持できるように
なっている。
Then, electrons generated from the sample 7 by irradiation of the electron beam EB, that is, secondary electrons SB are detected by the secondary electron detector 8, and the secondary electrons detected by the secondary electron detector 8 are detected. An enlarged image of the surface of the sample 7 is displayed on an image display device (not shown) based on the signal. The lens barrel 2 is also provided with an exhaust system 27 so that the inside of the lens barrel 2 and the sample chamber 1 can be maintained at a high vacuum.

【0021】このとき、試料室1内にある試料ステージ
10は、電子ビームEBの中心軸に対して垂直な面内、
すなわち水平面内で任意の方位に任意量だけ移動できる
ように構成してある。従って、この試料ステージ10の
上にウエハなどの試料7を載せた試料台11が載置され
ることにより、観察時と検査時、試料7を水平面内の任
意の位置に動かし、測定に必要な所定の場所に位置決め
できるようになっている。
At this time, the sample stage 10 in the sample chamber 1 is positioned in a plane perpendicular to the central axis of the electron beam EB.
That is, it is configured to be able to move by an arbitrary amount in an arbitrary direction in a horizontal plane. Therefore, by mounting the sample stage 11 on which the sample 7 such as a wafer is mounted on the sample stage 10, the sample 7 is moved to an arbitrary position in the horizontal plane at the time of observation and inspection, and necessary for measurement. It can be positioned at a predetermined location.

【0022】予備排気室3は、試料室1内に出入用の扉
となるバルブ12により連通されるようにして、試料室
1の側壁部に取付られた上で、排気系13とリークバル
ブ16が設けてあり、これより高真空にされたり、大気
圧に戻したりできるように構成してある。
The preliminary exhaust chamber 3 is attached to the side wall of the sample chamber 1 so as to communicate with the sample chamber 1 through a valve 12 serving as a door for entry and exit. Is provided so that the vacuum can be made higher or the pressure can be returned to the atmospheric pressure.

【0023】そして、この予備排気室3の中には、次に
検査される試料15が、試料台14の上に載置された状
態で搬入され、既に試料室1に搬入されていた試料7の
観察検査が終了した後、バルブ12を開くことにより、
試料7が試料台11ごと、試料15と交換される。
A sample 15 to be inspected next is loaded into the preliminary exhaust chamber 3 while being placed on the sample table 14, and the sample 7 already loaded into the sample chamber 1 is loaded. After the observation inspection of the above is completed, by opening the valve 12,
The sample 7 is replaced with the sample 15 together with the sample stage 11.

【0024】ここで、予備排気室3内に外部から試料1
4を搬入する際は、リークバルブ16により、予備排気
室3内をエアリークして大気圧に戻し、試料室1の間の
バルブ12を開く際には、予備排気室3内は真空にして
おく。ところで、ここまで説明した構成は、従来のSE
Mでも同じであるが、この実施形態では、更に試料室1
とベース17の間に、複数個の圧電素子4が設けてあ
る。
Here, the sample 1 is introduced into the preliminary exhaust chamber 3 from outside.
When carrying in 4, the inside of the preliminary exhaust chamber 3 is returned to the atmospheric pressure by air leaking by the leak valve 16 by the leak valve 16, and when opening the valve 12 between the sample chambers 1, the inside of the preliminary exhaust chamber 3 is kept at a vacuum. . By the way, the configuration described so far is a conventional SE.
M is the same, but in this embodiment, the sample chamber 1
A plurality of piezoelectric elements 4 are provided between and the base 17.

【0025】ここで、これらの圧電素子4は、制御装置
18から供給される制御信号により伸縮動作するアクチ
ュエータとして働くもので、試料室1とベース17の間
に、鏡筒2の中心軸に対してほぼ等角度で、ほぼ等距離
離れて少なくとも3個、配置され、個々に伸縮制御され
ることにより、試料室1をベース17に対して任意の方
向に傾斜させられるようになっている。
Here, these piezoelectric elements 4 function as actuators that expand and contract according to a control signal supplied from the control device 18, and are located between the sample chamber 1 and the base 17 with respect to the center axis of the lens barrel 2. The sample chamber 1 can be inclined in an arbitrary direction with respect to the base 17 by arranging and controlling the expansion and contraction of at least three at substantially the same angle and at substantially the same distance from each other.

【0026】次に、図2は、予備排気室3内が真空排気
された際に生じる各部の変形の様子を示したもので、こ
こでは、一例として、予備排気室3の変形に伴い、試料
室1の天板部が主に変形し、図示のように、鏡筒2が、
図の右側に傾斜してしまった場合が示されている。な
お、この変形や傾斜の程度は、実際には極めて微小であ
るため、図では誇張して描いてある。
Next, FIG. 2 shows a state of deformation of each part which occurs when the inside of the preliminary exhaust chamber 3 is evacuated. Here, as an example, the sample The top plate of the chamber 1 is mainly deformed, and the lens barrel 2 is
The right side of the figure shows a case where the tilt has occurred. Note that the degree of the deformation or the inclination is extremely small in practice, and is exaggerated in the drawings.

【0027】このように、鏡筒2が傾いてしまうと、電
子ビームEBの照射位置が元の位置からずれてしまう
が、このずれは、画像表示面の中で、試料7の像が移動
してしまうことを意味し、このままでは、従来技術の場
合と同じく、検査精度の低下や誤検査の虞れが生じてし
まう。
As described above, when the lens barrel 2 is tilted, the irradiation position of the electron beam EB deviates from the original position. This deviation is caused by the movement of the image of the sample 7 on the image display surface. In this case, as in the case of the related art, there is a risk of a decrease in inspection accuracy and an erroneous inspection.

【0028】しかし、この図2の状態になったときで
も、この実施形態によれば、制御装置18により圧電素
子4が制御され、この結果、図3に示すように、鏡筒2
が傾いてしまったにもかかわらず、電子ビームEBの照
射位置の変化を抑え、試料7の面ではずれが発生してな
い状態にすることができる。
However, even when the state shown in FIG. 2 is reached, according to this embodiment, the piezoelectric device 4 is controlled by the control device 18, and as a result, as shown in FIG.
Despite the tilt, the change in the irradiation position of the electron beam EB can be suppressed, and a state in which no deviation occurs on the surface of the sample 7 can be achieved.

【0029】ここで、この図3は、圧電素子4の高さを
個別に制御して試料室1を所定の方向に所定の角度だけ
傾けた結果、鏡筒2が破線で示す状態から実線で示す位
置に倒され、電子ビームEBの照射位置が修正された状
況が示されている。なお、この図3も、図2と同様に、
変形の様子は誇張して描かれている。
Here, FIG. 3 shows that the height of the piezoelectric element 4 is individually controlled and the sample chamber 1 is tilted by a predetermined angle in a predetermined direction. The situation where the irradiation position of the electron beam EB is corrected by being tilted to the indicated position is shown. FIG. 3 also shows the same as FIG.
The deformation is exaggerated.

【0030】すなわち、この実施形態では、予備排気室
3が変形して鏡筒2が傾斜した際、複数個ある圧電素子
4の高さを個別に制御して、鏡筒2に現われた傾斜と反
対方向に試料室1を傾け、これにより、図3に矢印Gで
示したように、鏡筒2の頂部に重力モーメントが働くよ
うにし、この結果、試料7の面では、電子ビームEBの
照射位置が変化しないように、反対方向に鏡筒2が倒さ
れるようにしたものである。
That is, in this embodiment, when the preliminary exhaust chamber 3 is deformed and the lens barrel 2 is tilted, the heights of the plurality of piezoelectric elements 4 are individually controlled to reduce the inclination appearing in the lens barrel 2. The sample chamber 1 is tilted in the opposite direction so that a gravitational moment acts on the top of the lens barrel 2 as shown by an arrow G in FIG. 3, so that the surface of the sample 7 is irradiated with the electron beam EB. The lens barrel 2 is tilted in the opposite direction so that the position does not change.

【0031】次に、このときの制御装置18による圧電
素子4の制御について、具体的に説明する。なお、図で
は2次元の断面でしか表わせないので、2個の圧電素子
4による動作につて説明することにする。
Next, the control of the piezoelectric element 4 by the control device 18 at this time will be specifically described. Note that, in the figure, since it can be expressed only by a two-dimensional cross section, the operation by the two piezoelectric elements 4 will be described.

【0032】まず、予備排気室3内が排気系13により
排気されてゆくとき現われる像のずれ量を、排気が開始
されたときから所定の真空度に達して排気が停止される
までの時間経過に対応して測定し、そのときどきで、そ
の像のずれを補償し、試料7の面では電子ビームEBの
照射位置が変化しないようにするのに必要な圧電素子4
の制御電圧を時間の関数として記憶し、例えばテーブル
化しておく。
First, the amount of image shift that appears when the interior of the preliminary exhaust chamber 3 is evacuated by the exhaust system 13 is determined by elapse of time from when the exhaust is started to when a predetermined degree of vacuum is reached and the exhaust is stopped. The piezoelectric element 4 necessary for compensating the image shift at that time and preventing the irradiation position of the electron beam EB from being changed on the surface of the sample 7.
Are stored as a function of time, for example, in a table.

【0033】また、予備排気室3内がリークバルブ16
によりエアリークされてゆくとき現われる像のずれ量に
ついても、同様に、所定の真空度から大気圧に平衡する
までの時間経過に対応して測定し、そのときどきで、そ
の像のずれを補償し、試料7の面では電子ビームEBの
照射位置が変化しないようにするのに必要な圧電素子4
の制御電圧を時間の関数として記憶し、同じくテーブル
化しておく。
The inside of the preliminary exhaust chamber 3 is provided with a leak valve 16.
Similarly, the amount of deviation of the image that appears when air leaks is also measured in response to the passage of time from the predetermined degree of vacuum to equilibrium with the atmospheric pressure, and at that time, the deviation of the image is compensated, The piezoelectric element 4 necessary to keep the irradiation position of the electron beam EB unchanged on the surface of the sample 7
Are stored as a function of time and are also tabulated.

【0034】そして、制御装置18は、予備排気室3の
排気処理時とエアリーク処理時、夫々上記テーブル化し
てあるデータを参照し、時間経過に従って各圧電素子4
に供給すべき制御信号(電圧)を生成するように構成して
あり、この制御信号が各圧電素子4に供給されるように
なっている。
The control unit 18 refers to the data in the above-mentioned table during the exhaust process and the air leak process of the preliminary exhaust chamber 3 and, based on time, each piezoelectric element 4.
, And a control signal (voltage) to be supplied to the piezoelectric element 4.

【0035】この結果、予備排気室3の排気処理とエア
リーク処理に際して、鏡筒2に現われる傾きにより試料
7面における電子ビームEBの照射位置が変化してしま
うのが補正されることになり、従って、この実施形態に
よれば、検査観察処理と並行して、排気処理とエアリー
ク処理を実行しても、検査精度が低下したり、誤検査が
発生したりするのを確実に抑えることができる。
As a result, the change in the irradiation position of the electron beam EB on the surface of the sample 7 due to the inclination appearing in the lens barrel 2 is corrected during the evacuation processing and the air leak processing of the preliminary evacuation chamber 3. According to this embodiment, even if the exhaust processing and the air leak processing are executed in parallel with the inspection observation processing, it is possible to surely suppress the deterioration of the inspection accuracy and the occurrence of an erroneous inspection.

【0036】次に、本発明の他の実施形態について説明
する。まず、図4は、試料室1をベース17に対して傾
けるためのアクチュエータとして、モータ19と送りネ
ジ20を使用した直線移動機構と、この直線移動機構に
より駆動されるくさび式移動機構22を用いた本発明の
一実施形態で、送りネジ20のナット21によりくさび
式移動機構22の下側にある楔(くさび)体を水平方向に
動かし、上側にある楔体を上下に移動させ、試料室1を
傾斜させるように構成したもので、その他の構成は、図
1で説明した実施形態と同じである。
Next, another embodiment of the present invention will be described. First, FIG. 4 shows a linear movement mechanism using a motor 19 and a feed screw 20 and a wedge-type movement mechanism 22 driven by this linear movement mechanism as an actuator for tilting the sample chamber 1 with respect to the base 17. In one embodiment of the present invention, the wedge (wedge) body below the wedge-type moving mechanism 22 is moved horizontally by the nut 21 of the feed screw 20 and the wedge body above is moved up and down, and the sample chamber is moved. 1 is tilted, and the other configuration is the same as the embodiment described with reference to FIG.

【0037】この実施形態の場合、モータ19として
は、例えばパルスモータを用いればよく、制御装置18
は、送りネジ20の回転角位置と、くさび式移動機構2
2による上下移動位置の関係から、上記のテーブル化さ
れたデータを参照してモータ19を制御する。従って、
この実施形態によっても、検査観察処理と並行して排気
処理とエアリーク処理を実行することができ、この場合
にも、検査精度が低下したり、誤検査が発生したりする
のを確実に抑えることができる。
In this embodiment, for example, a pulse motor may be used as the motor 19, and the control device 18
Is the rotation angle position of the feed screw 20 and the wedge-type moving mechanism 2
The motor 19 is controlled by referring to the above-mentioned tabulated data based on the relationship between the vertical movement positions of the motor 2. Therefore,
According to this embodiment, the exhaust processing and the air leak processing can be performed in parallel with the inspection observation processing. In this case, it is also possible to surely prevent the inspection accuracy from being lowered or the erroneous inspection from occurring. Can be.

【0038】次に、図5も本発明の一実施形態で、これ
は、試料室1の天板に歪み検出器23を設け、これによ
り、試料室1に現われる変形量を測定し、測定結果を制
御装置18に供給して、圧電素子4の操作量の制御に反
映させるというフィードバック制御構成にしたもので、
その他の構成は、図1の実施形態と同じである。
Next, FIG. 5 also shows an embodiment of the present invention, in which a distortion detector 23 is provided on the top plate of the sample chamber 1, whereby the amount of deformation appearing in the sample chamber 1 is measured. Is supplied to the control device 18 and reflected in the control of the operation amount of the piezoelectric element 4 in a feedback control configuration.
Other configurations are the same as the embodiment of FIG.

【0039】この図5の実施形態の場合、予備排気室3
内の排気とエアリークによる試料室1の変形量と、試料
7の面での電子ビームEBの照射位置の変化を予めテー
ブル化しておき、予備排気室3内の排気処理時とエアリ
ーク処理時、歪み検出器19により試料室1の変形量を
時々刻々測定し、この変化量からテーブルを参照し、圧
電素子4を制御する。
In the case of the embodiment shown in FIG.
The amount of deformation of the sample chamber 1 due to exhaust and air leaks in the chamber and the change in the irradiation position of the electron beam EB on the surface of the sample 7 are previously tabulated. The amount of deformation of the sample chamber 1 is measured from time to time by the detector 19, and the piezoelectric element 4 is controlled by referring to the table based on the amount of change.

【0040】従って、この図5の実施形態によっても、
検査観察処理と並行して排気処理とエアリーク処理を実
行することができ、この場合にも、検査精度が低下した
り、誤検査が発生したりするのを確実に抑えることがで
きる上、フィードバック制御されるので、再現性のない
電子ビームEBのシフトにも対応可能である。
Therefore, according to the embodiment shown in FIG.
Exhaust processing and air leak processing can be performed in parallel with the inspection observation processing. In this case as well, it is possible to reliably suppress the reduction in inspection accuracy and the occurrence of erroneous inspections, and to perform feedback control. Therefore, it is possible to cope with a shift of the electron beam EB without reproducibility.

【0041】次に、図6も本発明の一実施形態で、この
実施形態は、図5の実施形態における歪み検出器23に
代えて電子水準器24を用い、この電子水準器24によ
り試料室1の天板に現われる傾斜角度を検出し、その変
形量を測定するようにしたもので、その他の構成は、図
5の実施形態と同じであり、従って、検査観察処理と並
行して排気処理とエアリーク処理を実行することがで
き、この場合にも、検査精度が低下したり、誤検査が発
生したりするのを確実に抑えることができる上、フィー
ドバック制御されるので、再現性のない電子ビームEB
のシフトにも対応可能な点も、やはり同じである。
Next, FIG. 6 shows another embodiment of the present invention. In this embodiment, an electronic level 24 is used instead of the distortion detector 23 in the embodiment shown in FIG. In this embodiment, the inclination angle appearing on the top plate 1 is detected and the amount of deformation is measured. The other configuration is the same as that of the embodiment shown in FIG. In this case as well, it is possible to reliably suppress the deterioration of the inspection accuracy and the occurrence of an erroneous inspection, and in this case, the feedback control is performed. Beam EB
The same is true of the shifts that can be made.

【0042】次に、図7も本発明の一実施形態で、予備
排気室3に圧力計25を取付け、内部の圧力を測定する
ことにより、試料室1の天板に現われる変形量を推定す
るようにしたものである。ここで、試料室1の天板の変
形量は予備排気室3の変形量に依存し、予備排気室3の
変形量は、その内部の圧力に依存するから、圧力計25
による圧力測定値から試料室1の天板の変形量が演算で
きる。
Next, FIG. 7 also shows an embodiment of the present invention, in which a pressure gauge 25 is attached to the preliminary exhaust chamber 3 and the internal pressure is measured to estimate the amount of deformation appearing on the top plate of the sample chamber 1. It is like that. Here, the amount of deformation of the top plate of the sample chamber 1 depends on the amount of deformation of the preliminary exhaust chamber 3, and the amount of deformation of the preliminary exhaust chamber 3 depends on the internal pressure.
The amount of deformation of the top plate of the sample chamber 1 can be calculated from the pressure measurement value obtained by the measurement.

【0043】従って、この図7の実施形態によっても、
検査観察処理と並行して排気処理とエアリーク処理を実
行することができ、この場合にも、検査精度が低下した
り、誤検査が発生したりするのを確実に抑えることがで
きる上、フィードバック制御されるので、再現性のない
電子ビームEBのシフトにも対応可能な点も、図5や図
6の実施形態と同じである。
Therefore, according to the embodiment shown in FIG.
Exhaust processing and air leak processing can be performed in parallel with the inspection and observation processing. In this case as well, it is possible to reliably suppress the deterioration of inspection accuracy and the occurrence of erroneous inspections, and to perform feedback control. Therefore, the embodiment can cope with the shift of the electron beam EB without reproducibility, which is the same as the embodiment of FIGS.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明によれば、試料室の変形による電
子ビームの試料面での照射位置の変化が抑えられるの
で、予備排気室の排気処理とエアリーク処理に伴う精度
低下の虞れを無くすことができる。従って、本発明によ
れば、予備排気室の排気とエアリークが、検査観察処理
と並行して行うことができ、この結果、検査観察処理の
停止に伴う無駄時間がなくなり、電子顕微鏡のスループ
ットを大きく向上させることができる。
According to the present invention, since the change in the irradiation position of the electron beam on the sample surface due to the deformation of the sample chamber can be suppressed, there is no danger of the accuracy being reduced due to the exhaust processing in the preliminary exhaust chamber and the air leak processing. be able to. Therefore, according to the present invention, the evacuation and air leak of the preliminary exhaust chamber can be performed in parallel with the inspection and observation processing. As a result, the dead time associated with the stop of the inspection and observation processing is eliminated, and the throughput of the electron microscope is greatly increased. Can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による走査形電子顕微鏡の第1の実施形
態を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of a scanning electron microscope according to the present invention.

【図2】本発明の一実施形態における試料室の変形状況
の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a deformation state of a sample chamber in one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施形態における補正動作の説明図
である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a correction operation according to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明による走査形電子顕微鏡の第2の実施形
態を示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing a second embodiment of the scanning electron microscope according to the present invention.

【図5】本発明による走査形電子顕微鏡の第3の実施形
態を示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing a third embodiment of the scanning electron microscope according to the present invention.

【図6】本発明による走査形電子顕微鏡の第4の実施形
態を示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing a fourth embodiment of the scanning electron microscope according to the present invention.

【図7】本発明による走査形電子顕微鏡の第5の実施形
態を示す断面図である。
FIG. 7 is a sectional view showing a fifth embodiment of the scanning electron microscope according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 試料室 2 鏡筒 3 予備排気室 4 圧電素子 5 フィラメント 6 据付台 7 試料 8 二次電子検出器 9 排気系 10 試料ステージ 11 試料台 12 バルブ 13 排気系 14 試料台 15 試料、 16 リークバルブ 17 ベース 18 制御装置 19 モータ 20 送りネジ 21 ナット 22 くさび式移動機構 23 歪み検出器 24 電子水準器 25 圧力計 26 除振器 27 排気系 EB 電子ビーム SB 二次電子 REFERENCE SIGNS LIST 1 sample chamber 2 lens barrel 3 preliminary exhaust chamber 4 piezoelectric element 5 filament 6 mounting table 7 sample 8 secondary electron detector 9 exhaust system 10 sample stage 11 sample table 12 valve 13 exhaust system 14 sample table 15 sample, 16 leak valve 17 Base 18 Control device 19 Motor 20 Feed screw 21 Nut 22 Wedge type moving mechanism 23 Strain detector 24 Electronic level 25 Pressure gauge 26 Vibration isolator 27 Exhaust system EB Electron beam SB Secondary electron

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 側部に予備排気室を有する試料室の上部
に、鏡筒が直立して備えられている走査形電子顕微鏡に
おいて、 前記試料室を傾斜させる駆動手段を設け、 前記試料室の傾斜により前記鏡筒に現われる自重による
傾斜を制御し、電子ビームの試料面での照射位置の補正
が得られるように構成したことを特徴とする走査形電子
顕微鏡。
1. A scanning electron microscope in which a lens barrel is provided upright above a sample chamber having a preliminary exhaust chamber on a side thereof, wherein a driving means for inclining the sample chamber is provided. A scanning electron microscope, characterized in that the tilt is controlled by the tilt due to its own weight appearing in the lens barrel, so that the irradiation position of the electron beam on the sample surface can be corrected.
【請求項2】 請求項1に記載の発明において、 前記駆動手段は、予備排気室が内部の圧力変化により変
形して前記試料室に変形が現われ、前記鏡筒の向きが変
化したとき制御されることを特徴とする走査形電子顕微
鏡。
2. The invention according to claim 1, wherein the driving means is controlled when a preliminary exhaust chamber is deformed by a change in internal pressure, a deformation appears in the sample chamber, and a direction of the lens barrel changes. A scanning electron microscope characterized by the following:
【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の発明にお
いて、 前記駆動手段は、前記試料室と当該試料室を支持するベ
ースの間に、前記鏡筒の中心軸に対してほぼ等角度で、
ほぼ等距離離れて配置されている少なくとも3個の圧電
素子で構成されていることを特徴とする走査形電子顕微
鏡。
3. The invention according to claim 1, wherein the driving means is substantially equiangular with respect to a center axis of the lens barrel between the sample chamber and a base supporting the sample chamber. so,
A scanning electron microscope comprising at least three piezoelectric elements arranged at substantially equal distances from each other.
【請求項4】 請求項1又は請求項2に記載の発明にお
いて、 前記駆動手段は、前記試料室と当該試料室を支持するベ
ースの間に、前記鏡筒の中心軸に対してほぼ等角度で、
ほぼ等距離離れて配置されている少なくとも3個のモー
タ駆動形くさび式移動機構で構成されていることを特徴
とする走査形電子顕微鏡。
4. The invention according to claim 1, wherein the driving means is substantially equiangular with respect to a center axis of the lens barrel between the sample chamber and a base supporting the sample chamber. so,
A scanning electron microscope comprising at least three motor-driven wedge-type moving mechanisms disposed at substantially equal distances from each other.
【請求項5】 請求項1又は請求項2に記載の発明にお
いて、 前記駆動手段を制御する制御手段を設け、 該制御手段は、予め前記該試料室の変形量と時間の関係
を把握し、前記駆動手段の操作量を決定して当該駆動手
段を制御することを特徴とする走査形電子顕微鏡。
5. The invention according to claim 1, further comprising control means for controlling the driving means, wherein the control means grasps in advance the relationship between the deformation amount of the sample chamber and time, A scanning electron microscope, wherein an operation amount of the driving unit is determined to control the driving unit.
【請求項6】 請求項1又は請求項2に記載の発明にお
いて、 前記駆動手段を制御する制御手段と、 前記試料室の変形を検出する歪み検出手段とを設け、 前記御手段は、前記歪み検出手段により測定された歪み
量と時間の関係から前記駆動手段の操作量を算出し、前
記駆動手段を制御することを特徴とする走査形電子顕微
鏡。
6. The invention according to claim 1, further comprising: a control unit that controls the driving unit; and a distortion detection unit that detects deformation of the sample chamber. A scanning electron microscope, wherein an operation amount of the driving unit is calculated from a relationship between a distortion amount measured by a detection unit and time, and the driving unit is controlled.
【請求項7】 請求項1又は請求項2に記載の発明にお
いて、 前記駆動手段を制御する制御手段と、 前記試料室の天板に取付けた傾斜検出手段とを設け、 前記御手段は、前記傾斜検出手段により測定された傾斜
量と時間の関係から前記駆動手段の操作量を算出し、前
記駆動手段を制御することを特徴とする走査形電子顕微
鏡。
7. The invention according to claim 1 or 2, further comprising control means for controlling the driving means, and inclination detecting means attached to a top plate of the sample chamber. A scanning electron microscope, wherein an operation amount of the driving unit is calculated from a relationship between the amount of inclination measured by the inclination detecting unit and time, and the driving unit is controlled.
【請求項8】 請求項1又は請求項2に記載の発明にお
いて、 前記駆動手段を制御する制御手段と、 前記予備排気室に取付けた圧力検出手段とを設け、 前記御手段は、前記圧力検出手段により測定された圧力
量と時間の関係から前記駆動手段の操作量を算出し、前
記駆動手段を制御することを特徴とする走査形電子顕微
鏡。
8. The invention according to claim 1 or 2, further comprising: a control unit for controlling the driving unit; and a pressure detection unit attached to the preliminary exhaust chamber. A scanning electron microscope, wherein an operation amount of the driving means is calculated from a relationship between a pressure amount measured by the means and time, and the driving means is controlled.
JP2001152713A 2001-05-22 2001-05-22 Scanning electron microscope Expired - Fee Related JP3713450B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001152713A JP3713450B2 (en) 2001-05-22 2001-05-22 Scanning electron microscope

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001152713A JP3713450B2 (en) 2001-05-22 2001-05-22 Scanning electron microscope

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002352760A true JP2002352760A (en) 2002-12-06
JP2002352760A5 JP2002352760A5 (en) 2005-01-13
JP3713450B2 JP3713450B2 (en) 2005-11-09

Family

ID=18997342

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001152713A Expired - Fee Related JP3713450B2 (en) 2001-05-22 2001-05-22 Scanning electron microscope

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3713450B2 (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218189A (en) * 2002-01-22 2003-07-31 Ebara Corp Stage device
JP2004235226A (en) * 2003-01-28 2004-08-19 Kyocera Corp Vacuum chamber device and vacuum stage device
CN102142347A (en) * 2011-01-28 2011-08-03 北京航空航天大学 Sample chamber of electron microscope
JP2014116170A (en) * 2012-12-10 2014-06-26 Hitachi High-Technologies Corp Charged particle beam device
JP2015213113A (en) * 2014-05-01 2015-11-26 キヤノン株式会社 Lithographic apparatus and manufacturing method of article
JP2020198310A (en) * 2020-08-13 2020-12-10 株式会社ホロン Auto-focus device
KR20210028079A (en) * 2019-09-03 2021-03-11 주식회사 히타치하이테크 Charged particle beam device

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218189A (en) * 2002-01-22 2003-07-31 Ebara Corp Stage device
JP2004235226A (en) * 2003-01-28 2004-08-19 Kyocera Corp Vacuum chamber device and vacuum stage device
CN102142347A (en) * 2011-01-28 2011-08-03 北京航空航天大学 Sample chamber of electron microscope
CN102142347B (en) * 2011-01-28 2012-12-12 北京航空航天大学 Sample chamber of electron microscope
JP2014116170A (en) * 2012-12-10 2014-06-26 Hitachi High-Technologies Corp Charged particle beam device
JP2015213113A (en) * 2014-05-01 2015-11-26 キヤノン株式会社 Lithographic apparatus and manufacturing method of article
KR20210028079A (en) * 2019-09-03 2021-03-11 주식회사 히타치하이테크 Charged particle beam device
US11380515B2 (en) 2019-09-03 2022-07-05 Hitachi High-Tech Corporation Charged particle beam device
KR102465175B1 (en) * 2019-09-03 2022-11-10 주식회사 히타치하이테크 Charged particle beam device
JP2020198310A (en) * 2020-08-13 2020-12-10 株式会社ホロン Auto-focus device
JP7018098B2 (en) 2020-08-13 2022-02-09 株式会社ホロン Autofocus device

Also Published As

Publication number Publication date
JP3713450B2 (en) 2005-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4741408B2 (en) XY coordinate correction apparatus and method in sample pattern inspection apparatus
JP5325681B2 (en) Charged particle beam equipment
WO2010047378A1 (en) Charged particle beam apparatus
US20100024723A1 (en) Substrate alignment apparatus and substrate processing apparatus
KR101248561B1 (en) Detection device and inspection device
KR101430505B1 (en) Vacuum film forming apparatus and method for detecting position of shutter plate of vacuum film forming apparatus
JP2005268268A (en) Electron beam exposure apparatus
US6710354B1 (en) Scanning electron microscope architecture and related material handling system
US7428850B2 (en) Integrated in situ scanning electronic microscope review station in semiconductor wafers and photomasks optical inspection system
JP3713450B2 (en) Scanning electron microscope
JP2010123354A (en) Charged particle beam device
KR20210106325A (en) Charged particle beam apparatus and sample alignment method of charged particle beam apparatus
JP2008130369A (en) Vacuum device
JP2005195504A (en) Apparatus for inspecting defect in sample
JP5325531B2 (en) Charged particle beam equipment
JP2001102429A (en) Stage device and inspection device provided therewith
KR20210147677A (en) Processing system equipment and inspecting method the same
KR102641280B1 (en) Method for measuring critical dimensions on a substrate, and apparatus for inspecting and cutting electronic devices on the substrate
JP5222091B2 (en) Charged particle beam equipment
JP5286094B2 (en) Charged particle beam equipment
TWI772836B (en) Charged particle beam device
US20230178335A1 (en) Differential pumping apparatus and focused energy beam system
JP6138471B2 (en) Charged particle beam equipment
JP2007207683A (en) Electron microscope
JPH11150078A (en) Vertical type heat treatment furnace

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040216

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040216

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050315

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050513

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050816

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050822

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080826

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090826

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100826

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100826

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110826

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120826

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130826

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees