JP2002351558A - Constant voltage generating circuit - Google Patents
Constant voltage generating circuitInfo
- Publication number
- JP2002351558A JP2002351558A JP2001161667A JP2001161667A JP2002351558A JP 2002351558 A JP2002351558 A JP 2002351558A JP 2001161667 A JP2001161667 A JP 2001161667A JP 2001161667 A JP2001161667 A JP 2001161667A JP 2002351558 A JP2002351558 A JP 2002351558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reference potential
- constant voltage
- generating
- transistor
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に、定電圧
を発生するための定電圧発生回路に関し、特に、サンプ
リングパルス信号に基づく間欠動作(以下、サンプリン
グ動作という)を行う定電圧発生回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention generally relates to a constant voltage generating circuit for generating a constant voltage, and more particularly to a constant voltage generating circuit for performing an intermittent operation (hereinafter, referred to as a sampling operation) based on a sampling pulse signal. About.
【0002】[0002]
【従来の技術】定電圧発生回路は、クリティカルな電源
電圧を必要とする発振回路等(以下、負荷回路という)
に安定化した電源電圧を供給するために用いられ、情報
通信機器やパソコン機器等の様々な分野で使用されてい
る。2. Description of the Related Art A constant voltage generating circuit is an oscillation circuit or the like that requires a critical power supply voltage (hereinafter referred to as a load circuit).
And is used in various fields such as information communication equipment and personal computer equipment.
【0003】例えば、腕時計に使用される定電圧発生回
路においては、消費電流の低減や、半導体集積回路(I
C)として製品化する場合のチップサイズの小型化が求
められている。このため、常に動作するタイプの定電圧
発生回路と、消費電力を低減させるためにサンプリング
動作を行うタイプの定電圧発生回路とが、用途別に使用
されている。For example, in a constant voltage generating circuit used in a wrist watch, reduction in current consumption and a semiconductor integrated circuit (I
When commercialized as C), a reduction in chip size is required. For this reason, a constant voltage generating circuit that always operates and a constant voltage generating circuit that performs a sampling operation to reduce power consumption are used for different purposes.
【0004】図3に、常に動作するタイプの従来の定電
圧発生回路の概略構成を示す。この定電圧発生回路は、
基準電位を発生するための基準電位発生部11と、基準
電位に基づいて出力電位VREGを発生するオペアンプ1
2とを含んでいる。このタイプの定電圧発生回路におい
ては、基準電位発生部11とオペアンプ12とが常に動
作しているので、安定化前の電源電圧が急激に変動して
も、負荷回路に安定した出力電位VREGを供給すること
ができる。しかしながら、消費電力が大きいという問題
があった。FIG. 3 shows a schematic configuration of a conventional constant voltage generating circuit of a type which always operates. This constant voltage generation circuit
A reference potential generator 11 for generating a reference potential, and an operational amplifier 1 for generating an output potential V REG based on the reference potential
And 2. In this type of constant voltage generating circuit, since the reference potential generating unit 11 and the operational amplifier 12 are always operating, even if the power supply voltage before stabilization fluctuates suddenly, the output potential V REG is stable in the load circuit. Can be supplied. However, there is a problem that power consumption is large.
【0005】図3に示す定電圧発生回路の場合には、基
準電位発生部11において10nA程度の電流が消費さ
れ、オペアンプ12において5nA程度の電流が消費さ
れる。そこで、消費電力を小さくするために、基準電位
発生部11に含まれる電流源のトランジスタの電流供給
能力を小さくすることも考えられる。トランジスタの電
流供給能力を小さくするためには、一般的にはトランジ
スタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lを小さ
くするのであるが、チャネル幅Wは一定値以下にはでき
ないので、チャネル長Lを大きくする必要がある。そう
すると、トランジスタのサイズが非常に大きくなり、チ
ップサイズの増大を招いてしまう。In the case of the constant voltage generating circuit shown in FIG. 3, a current of about 10 nA is consumed in the reference potential generating section 11, and a current of about 5 nA is consumed in the operational amplifier 12. Therefore, in order to reduce the power consumption, it is conceivable to reduce the current supply capability of the transistor of the current source included in the reference potential generator 11. In order to reduce the current supply capability of the transistor, the ratio W / L between the channel width W and the channel length L of the transistor is generally reduced. However, since the channel width W cannot be reduced below a certain value, It is necessary to increase the channel length L. Then, the size of the transistor becomes very large, and the chip size is increased.
【0006】図4に、サンプリング動作を行うタイプの
従来の定電圧発生回路の概略構成を示す。この定電圧発
生回路は、基準電位発生部11及びオペアンプ12をサ
ンプリング動作させるためのスイッチングトランジスタ
として、PチャネルトランジスタQP11及びQP12
と、NチャネルトランジスタQN11及びQN12とを
含んでいる。トランジスタQN11及びQN12のゲー
トには、サンプリングパルス信号SPが印加され、トラ
ンジスタQP11及びQP12のゲートには、サンプリ
ングパルス信号SPが反転回路13によって反転されて
印加される。サンプリングパルス信号SPがハイレベル
のときに、これらのトランジスタはオン状態となり、基
準電位発生部11とオペアンプ12が動作する。一方、
サンプリングパルス信号SPがローレベルのときに、こ
れらのトランジスタはオフ状態となり、基準電位発生部
11とオペアンプ12は動作を停止する。FIG. 4 shows a schematic configuration of a conventional constant voltage generating circuit of a type that performs a sampling operation. This constant voltage generation circuit includes P-channel transistors QP11 and QP12 as switching transistors for causing the reference potential generation unit 11 and the operational amplifier 12 to perform a sampling operation.
And N-channel transistors QN11 and QN12. The sampling pulse signal SP is applied to the gates of the transistors QN11 and QN12, and the sampling pulse signal SP is inverted and applied to the gates of the transistors QP11 and QP12 by the inverting circuit 13. When the sampling pulse signal SP is at a high level, these transistors are turned on, and the reference potential generator 11 and the operational amplifier 12 operate. on the other hand,
When the sampling pulse signal SP is at a low level, these transistors are turned off, and the reference potential generator 11 and the operational amplifier 12 stop operating.
【0007】図5に、サンプリング動作を行うタイプの
従来の定電圧発生回路の具体的な回路構成を示す。ここ
では、図4に示すトランジスタQP11及びQP12を
1つのPチャネルトランジスタQP10に置き換えてお
り、また、図4に示すトランジスタQN11及びQN1
2を1つのNチャネルトランジスタQN10に置き換え
ている。FIG. 5 shows a specific circuit configuration of a conventional constant voltage generating circuit of a type that performs a sampling operation. Here, transistors QP11 and QP12 shown in FIG. 4 are replaced with one P-channel transistor QP10, and transistors QN11 and QN1 shown in FIG.
2 is replaced with one N-channel transistor QN10.
【0008】図5に示す定電圧発生回路は、基準電位発
生部を構成する電流源14及びPチャネルトランジスタ
QP13と、オペアンプを構成するPチャネルトランジ
スタQP14〜QP17及びNチャネルトランジスタQ
N13〜QN16とを含んでいる。オペアンプの出力に
は、非サンプリング期間において出力電位VREGを保持
するためのコンデンサC11と、位相補償用のコンデン
サC12とが接続されている。飽和接続されたトランジ
スタQP13は、電流源34から電流が供給されて基準
電位を発生する。オペアンプは、この基準電位に基づい
て、出力電位V REGを発生する。なお、図5に示す定電
圧発生回路においては、高電位側の電源電位VDDが接地
電位とされており、出力電位VREGはマイナスの値をと
る。The constant voltage generating circuit shown in FIG.
Current source 14 and P-channel transistor constituting live part
QP13 and a P-channel transistor constituting an operational amplifier
Star QP14 to QP17 and N-channel transistor Q
N13 to QN16. To the output of the operational amplifier
Is the output potential V during the non-sampling period.REGHold
And a capacitor for phase compensation.
C12 is connected. Transistor with saturated connection
The star QP13 receives the current from the current source 34 and
Generate a potential. The operational amplifier is based on this reference potential
And the output potential V REGOccurs. The constant current shown in FIG.
In the voltage generation circuit, the power supply potential V on the high potential sideDDIs grounded
And the output potential VREGIs a negative value
You.
【0009】サンプリング期間においては、サンプリン
グパルス信号SPがハイレベル、反転サンプリングパル
ス信号XSPがローレベルとなり、トランジスタQP1
0とQN10がオンして、定電圧発生動作が行われる。
一方、非サンプリング期間においては、サンプリングパ
ルス信号SPがロ−レベル、反転サンプリングパルス信
号XSPがハイレベルとなり、トランジスタQP10と
QN10はオフして、定電圧発生動作は行われない。こ
のような間欠動作を行うことにより、非サンプリング期
間において消費電力を削減することができる。また、サ
ンプリング期間の出力電位VREGを保持したコンデンサ
C11によって、非サンプリング期間においても、出力
電位VREGをほぼ一定の値に維持することができる。During the sampling period, the sampling pulse signal SP goes high, the inverted sampling pulse signal XSP goes low, and the transistor QP1
0 and QN10 are turned on, and a constant voltage generation operation is performed.
On the other hand, during the non-sampling period, the sampling pulse signal SP is at a low level, the inverted sampling pulse signal XSP is at a high level, the transistors QP10 and QN10 are turned off, and the constant voltage generation operation is not performed. By performing such an intermittent operation, power consumption can be reduced in a non-sampling period. Further, the capacitor C11, which holds the output potential V REG of the sampling period, also in the non-sampling period, it is possible to maintain the output voltage V REG to the substantially constant value.
【0010】しかしながら、負荷回路のインピーダンス
が低い場合には、非サンプリング期間からサンプリング
期間に切り換わる際に出力電位VREGが変動したり、コ
ンデンサC11を充電するために消費電力が増大してし
まう。図6に、図5の定電圧発生回路における出力電位
VREGの変動を示す。However, when the impedance of the load circuit is low, the output potential V REG fluctuates when switching from the non-sampling period to the sampling period, and power consumption increases because the capacitor C11 is charged. FIG. 6 shows the variation of the output potential V REG in the constant voltage generation circuit of FIG.
【0011】図6に示すように、非サンプリング期間
(OFF)において、コンデンサC11から負荷回路へ
流れる電流によって出力電位VREGの絶対値が徐々に低
下し、非サンプリング期間(OFF)からサンプリング
期間(ON)に切り換わる際に、オペアンプがコンデン
サC11を充電する動作によって出力電位VREGの変動
が生じてしまう。この出力電位の変動は、負荷回路に悪
影響を及ぼす。例えば、負荷回路が発振回路である場合
には、定電圧発生回路の出力電位の変動が大きいと、発
振回路が発振停止を起こすおそれがある。As shown in FIG. 6, in the non-sampling period (OFF), the absolute value of the output potential V REG gradually decreases due to the current flowing from the capacitor C11 to the load circuit. At the time of switching to (ON), the operation of the operational amplifier charging the capacitor C11 causes a change in the output potential V REG . This change in the output potential adversely affects the load circuit. For example, in the case where the load circuit is an oscillation circuit, if the output potential of the constant voltage generation circuit fluctuates greatly, the oscillation circuit may stop oscillating.
【0012】ところで、日本国特許出願公開(特開)2
000‐298523号公報には、発振回路等に電力を
供給する出力回路と、出力回路の出力を帰還入力し出力
回路の出力を制御する制御信号を出力する帰還回路と、
帰還回路を連続的にオン/オフするサンプリング回路
と、サンプリング回路のオン/オフに基づいて帰還回路
から制御信号を出力するための信号線をオン/オフする
スイッチと、スイッチにより信号線がオフされた場合に
制御信号を入力する出力回路の入力端を信号線がオフさ
れる前の信号レベルに保持する保持回路とを備えた定電
圧出力回路が掲載されている。この定電圧出力回路は、
帰還回路をサンプリング動作させて低消費電力化を実現
し、出力電位の変化を低減させている。しかしながら、
帰還回路に含まれる定電圧源(基準電位発生部)は常に
動作しているので、消費電流の低減にも限界がある。By the way, Japanese Patent Application Publication (JP-A) 2
JP-A-000-298523 discloses an output circuit for supplying power to an oscillation circuit and the like, a feedback circuit for feedback-inputting the output of the output circuit and outputting a control signal for controlling the output of the output circuit,
A sampling circuit for continuously turning on / off the feedback circuit, a switch for turning on / off a signal line for outputting a control signal from the feedback circuit based on on / off of the sampling circuit, and a switch for turning off the signal line And a holding circuit for holding an input terminal of an output circuit for inputting a control signal at a signal level before the signal line is turned off in the case where the signal line is turned off. This constant voltage output circuit
The feedback circuit performs a sampling operation to realize low power consumption and reduce a change in output potential. However,
Since the constant voltage source (reference potential generating unit) included in the feedback circuit is always operating, there is a limit in reducing current consumption.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】そこで、上記の点に鑑
み、本発明は、定電圧を発生するための定電圧発生回路
において、チップサイズを増大することなく低消費電力
化を実現すると共に、出力電位の変動を低減することを
目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the foregoing, the present invention provides a constant voltage generating circuit for generating a constant voltage, which realizes low power consumption without increasing the chip size. An object is to reduce fluctuations in output potential.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、本発明に係る定電圧発生回路は、電流源から出力さ
れる電流に基づいて基準電位を発生する基準電位発生手
段と、基準電位発生手段が発生する基準電位を保持する
ためのコンデンサと、基準電位発生手段が発生する基準
電位に基づいて出力電位を発生する増幅手段と、印加さ
れる信号に基づいて基準電位発生手段に含まれる電流源
をオン/オフさせるスイッチ手段とを具備する。In order to solve the above problems, a constant voltage generating circuit according to the present invention comprises: a reference potential generating means for generating a reference potential based on a current output from a current source; A capacitor for holding a reference potential generated by the generating means, an amplifying means for generating an output potential based on the reference potential generated by the reference potential generating means, and a reference potential generating means based on an applied signal Switch means for turning on / off the current source.
【0015】ここで、基準電位発生手段が、電流源とし
て働くデプレショントランジスタと、デプレショントラ
ンジスタから供給される電流に基づいて基準電位を発生
する飽和接続された第2のトランジスタとを含むように
しても良い。また、増幅手段が、入出力間でインピーダ
ンス変換を行うオペアンプを含むようにしても良い。さ
らに、スイッチ手段が、基準電位発生手段に含まれる電
流源と電源電位との間に接続された第3のトランジスタ
を含むようにしても良い。Here, the reference potential generating means may include a depletion transistor that functions as a current source, and a second transistor connected in saturation to generate a reference potential based on a current supplied from the depletion transistor. good. Further, the amplifying means may include an operational amplifier for performing impedance conversion between input and output. Further, the switch means may include a third transistor connected between a current source included in the reference potential generation means and a power supply potential.
【0016】以上のように構成した本発明によれば、消
費電流の大きい基準電位発生手段をサンプリング動作さ
せることにより、電流源のトランジスタサイズを増加さ
せなくても低消費電力化が可能であり、さらに、基準電
位発生手段が発生する基準電位をコンデンサによって保
持しつつ増幅手段によって出力電位を発生するので、出
力電位の変動を低減することができる。According to the present invention configured as described above, the power consumption can be reduced without increasing the transistor size of the current source by performing the sampling operation of the reference potential generating means that consumes a large amount of current. Furthermore, since the output potential is generated by the amplifying means while the reference potential generated by the reference potential generating means is held by the capacitor, the fluctuation of the output potential can be reduced.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態について説明する。図1は、本発明の第1の実
施形態に係る定電圧発生回路の構成を示す回路図であ
る。図1に示す定電圧発生回路は、基準電位を発生する
基準電位発生部1と、出力基準電位を保持するためのコ
ンデンサC1と、基準電位に基づいて出力電位を発生す
るオペアンプ2と、基準電位発生部1にサンプリング動
作を行わせるためのスイッチ手段としてのNチャネルト
ランジスタQN1とを含んでいる。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of the constant voltage generation circuit according to the first embodiment of the present invention. The constant voltage generation circuit shown in FIG. 1 includes a reference potential generation section 1 for generating a reference potential, a capacitor C1 for holding an output reference potential, an operational amplifier 2 for generating an output potential based on the reference potential, and a reference potential. An N-channel transistor QN1 as switching means for causing the generator 1 to perform a sampling operation is included.
【0018】基準電位発生部1は、電流源3と、Pチャ
ネルトランジスタQP6とによって構成される。コンデ
ンサC1は、基準電位発生部1の出力(電流源3とトラ
ンジスタQP6のドレインとの接続点)と高電位側の電
源電位VDD(本実施形態においてはアース電位)との間
に接続されている。オペアンプ2は、Pチャネルトラン
ジスタQP2〜QP5と、NチャネルトランジスタQN
2〜QN5とによって構成される。また、オペアンプの
出力には、位相補償用のコンデンサC2が接続されてい
る。The reference potential generator 1 includes a current source 3 and a P-channel transistor QP6. The capacitor C1 is connected between the output of the reference potential generator 1 (the connection point between the current source 3 and the drain of the transistor QP6) and the power supply potential V DD (the ground potential in this embodiment) on the higher potential side. I have. The operational amplifier 2 includes P-channel transistors QP2 to QP5 and an N-channel transistor QN
2 to QN5. The output of the operational amplifier is connected to a capacitor C2 for phase compensation.
【0019】電流源3としては、IC化した場合に大き
な面積を必要とするバイアス抵抗を接続しなくても微小
電流源として使用できるデプレッショントランジスタを
用いることが望ましい。本発明によれば、非サンプリン
グ期間を長くすることが可能なので、デプレッショント
ランジスタの電流供給能力をあまり小さくする必要はな
い。従って、デプレッショントランジスタのチャネル長
Lをあまり大きくする必要がなく、チップサイズの増大
を招かない。電流源3にはスイッチング用のトランジス
タQN1が接続されており、トランジスタQN1のゲー
トに供給されるサンプリングパルス信号SPに従って、
電流源3のオン/オフが制御される。As the current source 3, it is desirable to use a depletion transistor that can be used as a minute current source without connecting a bias resistor that requires a large area when integrated. According to the present invention, since the non-sampling period can be lengthened, it is not necessary to make the current supply capability of the depletion transistor too small. Therefore, it is not necessary to increase the channel length L of the depletion transistor so much, and the chip size does not increase. A switching transistor QN1 is connected to the current source 3, and according to the sampling pulse signal SP supplied to the gate of the transistor QN1,
ON / OFF of the current source 3 is controlled.
【0020】電流源3のデプレッショントランジスタを
流れる電流は、例えばカレントミラー回路を用いること
により、飽和接続されているトランジスタQP6に供給
される。これにより、トランジスタQP6のドレインに
基準電位が発生する。この基準電位は、非サンプリング
期間においては、コンデンサC1によって保持される。
オペアンプ2は、基準電位発生部1から出力される基準
電位に基づいて、出力電位VREGを発生する。オペアン
プ2には負帰還がかけられており、入力インピーダンス
は極めて高く、出力インピーダンスは極めて低くなって
いる。The current flowing through the depletion transistor of the current source 3 is supplied to the transistor QP6 which is connected in saturation by using, for example, a current mirror circuit. As a result, a reference potential is generated at the drain of the transistor QP6. This reference potential is held by the capacitor C1 during the non-sampling period.
The operational amplifier 2 generates an output potential V REG based on the reference potential output from the reference potential generator 1. Negative feedback is applied to the operational amplifier 2, the input impedance is extremely high, and the output impedance is extremely low.
【0021】次に、図1に示す定電圧発生回路における
サンプリング動作について説明する。本実施形態におい
ては、サンプリング周期を1msecとし、サンプリン
グ期間をサンプリング周期の1/8程度、非サンプリン
グ期間をサンプリング周期の7/8程度としている。Next, the sampling operation in the constant voltage generating circuit shown in FIG. 1 will be described. In the present embodiment, the sampling period is 1 msec, the sampling period is about 1/8 of the sampling period, and the non-sampling period is about 7/8 of the sampling period.
【0022】サンプリング期間においては、サンプリン
グパルス信号SPがハイレベルとなる。これにより、ト
ランジスタQN1がオンして電流源3が動作するので、
トランジスタQP6に電流が流れ、トランジスタQP6
のドレインに基準電位が発生する。この基準電位は、コ
ンデンサC1に供給され、コンデンサC1は充電を行
う。また、基準電位は、オペアンプ2の非反転入力であ
るPチャネルトランジスタQP2のゲートに入力され
る。オペアンプ2の非反転入力の入力インピーダンスは
極めて高いので、コンデンサC1が小容量であっても、
基準電位を一定期間保持することが可能である。During the sampling period, the sampling pulse signal SP goes high. As a result, the transistor QN1 turns on and the current source 3 operates, so that
A current flows through the transistor QP6, and the transistor QP6
, A reference potential is generated at the drain. This reference potential is supplied to the capacitor C1, and the capacitor C1 performs charging. Further, the reference potential is input to the gate of the P-channel transistor QP2 which is the non-inverting input of the operational amplifier 2. Since the input impedance of the non-inverting input of the operational amplifier 2 is extremely high, even if the capacitor C1 has a small capacitance,
It is possible to hold the reference potential for a certain period.
【0023】また、基準電位は、Pチャネルトランジス
タQP4とQP5のゲートに印加されて、カレントミラ
ー動作が行われる。これにより、トランジスタQP4と
QP5には、基準電位に応じた電流が流れる。トランジ
スタQP4に流れる電流は、トランジスタQP2に流れ
る電流とトランジスタQP3に流れる電流とに分流す
る。The reference potential is applied to the gates of P-channel transistors QP4 and QP5 to perform a current mirror operation. As a result, a current according to the reference potential flows through transistors QP4 and QP5. The current flowing through the transistor QP4 is divided into a current flowing through the transistor QP2 and a current flowing through the transistor QP3.
【0024】オペアンプ2の出力電位VREGは、Nチャ
ネルトランジスタQN4を介して、オペアンプ2の反転
入力であるPチャネルトランジスタQP3のゲートに帰
還される。これにより、オペアンプ2は、非反転入力の
電位と反転入力の電位とが等しくなるように動作する。The output potential V REG of the operational amplifier 2 is fed back to the gate of a P-channel transistor QP3, which is the inverting input of the operational amplifier 2, via an N-channel transistor QN4. Thus, the operational amplifier 2 operates so that the potential of the non-inverting input is equal to the potential of the inverting input.
【0025】非サンプリング期間においては、サンプリ
ングパルス信号SPがローレベルとなり、トランジスタ
QN1がオフして、電流源3及びトランジスタQP1に
は電流が流れない。このため、サンプリング期間の基準
電位を保持しているコンデンサC1によって、オペアン
プ2の非反転入力がサンプリング期間と同様の電位に保
持される。これにより、オペアンプ2は、サンプリング
期間と同様の動作を行ない、定電圧出力を得ることがで
きる。In the non-sampling period, the sampling pulse signal SP becomes low level, the transistor QN1 is turned off, and no current flows through the current source 3 and the transistor QP1. Therefore, the non-inverting input of the operational amplifier 2 is held at the same potential as in the sampling period by the capacitor C1 holding the reference potential in the sampling period. As a result, the operational amplifier 2 performs the same operation as in the sampling period, and can obtain a constant voltage output.
【0026】本実施形態においては、基準電位発生部1
において10nA程度の電流が消費され、オペアンプ2
において5nA程度の電流が消費される。従って、基準
電位発生部1において間欠動作を行うことにより、定電
圧発生回路全体の消費電力を大きく低減できる。また、
オペアンプ2を常に動作させることにより、安定化前の
電源電圧が急激に変動しても、出力電位VREGを安定化
することができる。また、基準電位発生部1において間
欠動作を行うことにより、電流源となるデプレッション
トランジスタの電流供給能力を低下させるためにチャネ
ル長Lを大きくしなくてもいいので、チップサイズの増
大を招かない。In this embodiment, the reference potential generator 1
Consumes about 10 nA in the operational amplifier 2
, A current of about 5 nA is consumed. Therefore, by performing the intermittent operation in the reference potential generating section 1, the power consumption of the entire constant voltage generating circuit can be greatly reduced. Also,
By always operating the operational amplifier 2, the output potential V REG can be stabilized even if the power supply voltage before stabilization rapidly changes. In addition, by performing the intermittent operation in the reference potential generating unit 1, the channel length L does not have to be increased in order to reduce the current supply capability of the depletion transistor serving as the current source, so that the chip size does not increase.
【0027】次に、本発明の第2の実施形態に係る定電
圧発生回路について説明する。図2は、本発明の第2の
実施形態に係る定電圧発生回路の構成を示すブロック図
である。図2に示す定電圧発生回路は、基準電位発生部
1をサンプリング動作させるためのスイッチングトラン
ジスタとして、PチャネルトランジスタQP1と、Nチ
ャネルトランジスタQN1とを含んでいる。即ち、基準
電位発生部1には、高電位側の電源電位VDDの替わり
に、トランジスタQP1のドレインが接続される。Next, a constant voltage generation circuit according to a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of the constant voltage generation circuit according to the second embodiment of the present invention. The constant voltage generation circuit shown in FIG. 2 includes a P-channel transistor QP1 and an N-channel transistor QN1 as switching transistors for causing the reference potential generation unit 1 to perform a sampling operation. That is, the reference potential generating portion 1, instead of the power supply potential V DD of the high potential side, the drain of the transistor QP1 is connected.
【0028】トランジスタQN1のゲートには、サンプ
リングパルス信号SPが印加され、トランジスタQP1
のゲートには、サンプリングパルス信号SPが反転回路
4によって反転された反転サンプリングパルス信号XS
Pが印加される。サンプリングパルス信号SPがハイレ
ベルのときに、これらのトランジスタはオン状態とな
り、基準電位発生部1が動作する。一方、サンプリング
パルス信号SPがローレベルのときに、これらのトラン
ジスタはオフ状態となり、基準電位発生部11は動作を
停止する。その他の点に関しては、第1の実施形態と同
様である。The sampling pulse signal SP is applied to the gate of the transistor QN1, and the transistor QP1
, The inverted sampling pulse signal XS obtained by inverting the sampling pulse signal SP by the inverting circuit 4.
P is applied. When the sampling pulse signal SP is at a high level, these transistors are turned on, and the reference potential generator 1 operates. On the other hand, when the sampling pulse signal SP is at a low level, these transistors are turned off, and the reference potential generator 11 stops operating. Other points are the same as in the first embodiment.
【0029】[0029]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、定
電圧を発生するための定電圧発生回路において、電流源
のトランジスタサイズを増加させなくても低消費電力化
が可能であり、さらに、出力電位の変動を低減すること
ができる。As described above, according to the present invention, in a constant voltage generating circuit for generating a constant voltage, low power consumption can be achieved without increasing the transistor size of the current source. Further, fluctuation of the output potential can be reduced.
【図1】本発明の第1の実施形態に係る定電圧発生回路
の構成を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a constant voltage generation circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施形態に係る定電圧発生回路
の構成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of a constant voltage generation circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図3】常に動作するタイプの従来の定電圧発生回路の
構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a conventional constant voltage generation circuit of a type that always operates.
【図4】サンプリング動作を行うタイプの従来の定電圧
発生回路の構成を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a conventional constant voltage generation circuit of a type that performs a sampling operation.
【図5】サンプリング動作を行うタイプの従来の定電圧
発生回路の具体的な回路構成を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a specific circuit configuration of a conventional constant voltage generation circuit of a type that performs a sampling operation.
【図6】サンプリング動作を行うタイプの従来の定電圧
発生回路における出力電位の変動を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a change in output potential in a conventional constant voltage generation circuit of a type that performs a sampling operation.
【符号の説明】 1、11 基準電位発生部 2、12 オペアンプ 3、14 電流源 4、13 反転回路 QP1〜QP17 Pチャネル型トランジスタ QN1〜QN16 Nチャネル型トランジスタ C1、C2、C11、C12 コンデンサ[Description of Signs] 1, 11 Reference potential generator 2, 12 Operational amplifier 3, 14 Current source 4, 13 Inverting circuit QP1 to QP17 P-channel type transistor QN1 to QN16 N-channel type transistor C1, C2, C11, C12 Capacitor
フロントページの続き Fターム(参考) 5H420 NA27 NB02 NB16 NB25 NB36 NC02 NC03 NC14 NC33 NC38 NE02 NE26 5J056 AA04 BB17 BB57 CC01 CC02 CC04 CC10 DD13 DD17 DD28 DD51 EE07 EE12 5J091 AA01 AA47 AA53 AA58 CA11 CA36 FA18 HA09 HA17 HA29 HA39 KA04 KA05 KA09 KA11 KA19 MA11 MA21 TA01 TA06 5J092 AA01 AA47 AA53 AA58 CA11 CA36 FA18 GR09 HA09 HA17 HA29 HA39 KA04 KA05 KA09 KA11 KA19 MA11 MA21 TA01 TA06 Continued on the front page F-term (reference) 5H420 NA27 NB02 NB16 NB25 NB36 NC02 NC03 NC14 NC33 NC38 NE02 NE26 5J056 AA04 BB17 BB57 CC01 CC02 CC04 CC10 DD13 DD17 DD28 DD51 EE07 EE12 5J091 AA01 AA47 AA53 KA17 CA36 KA09 KA11 KA19 MA11 MA21 TA01 TA06 5J092 AA01 AA47 AA53 AA58 CA11 CA36 FA18 GR09 HA09 HA17 HA29 HA39 KA04 KA05 KA09 KA11 KA19 MA11 MA21 TA01 TA06
Claims (4)
準電位を発生する基準電位発生手段と、 前記基準電位発生手段が発生する基準電位を保持するた
めのコンデンサと、 前記基準電位発生手段が発生する基準電位に基づいて出
力電位を発生する増幅手段と、 印加される信号に基づいて前記基準電位発生手段に含ま
れる電流源をオン/オフさせるスイッチ手段と、を具備
する定電圧発生回路。A reference potential generating means for generating a reference potential based on a current output from a current source; a capacitor for holding a reference potential generated by the reference potential generating means; A constant voltage generating circuit comprising: amplifying means for generating an output potential based on the generated reference potential; and switch means for turning on / off a current source included in the reference potential generating means based on an applied signal.
づいて基準電位を発生する飽和接続された第2のトラン
ジスタと、を含む、請求項1記載の定電圧発生回路。2. The reference potential generating means includes: a depletion transistor serving as a current source; and a second transistor connected in saturation to generate a reference potential based on a current supplied from the depletion transistor. The constant voltage generating circuit according to claim 1,
ンス変換を行うオペアンプを含む、請求項1又は2記載
の定電圧発生回路。3. The constant voltage generation circuit according to claim 1, wherein said amplification means includes an operational amplifier for performing impedance conversion between input and output.
手段に含まれる電流源と電源電位との間に接続された第
3のトランジスタを含む、請求項1〜3のいずれか1項
記載の定電圧発生回路。4. The constant according to claim 1, wherein said switch means includes a third transistor connected between a current source included in said reference potential generation means and a power supply potential. Voltage generation circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001161667A JP2002351558A (en) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | Constant voltage generating circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001161667A JP2002351558A (en) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | Constant voltage generating circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002351558A true JP2002351558A (en) | 2002-12-06 |
Family
ID=19004907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001161667A Withdrawn JP2002351558A (en) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | Constant voltage generating circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002351558A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007109034A (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | New Japan Radio Co Ltd | Constant current circuit |
JP2010079873A (en) * | 2008-08-29 | 2010-04-08 | Ricoh Co Ltd | Constant-voltage circuit device |
-
2001
- 2001-05-30 JP JP2001161667A patent/JP2002351558A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007109034A (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | New Japan Radio Co Ltd | Constant current circuit |
JP4694942B2 (en) * | 2005-10-14 | 2011-06-08 | 新日本無線株式会社 | Constant current circuit |
JP2010079873A (en) * | 2008-08-29 | 2010-04-08 | Ricoh Co Ltd | Constant-voltage circuit device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4774247B2 (en) | Voltage regulator | |
TWI537699B (en) | Low-dropout voltage regulator | |
US8866341B2 (en) | Voltage regulator | |
JP3825300B2 (en) | Internal step-down circuit | |
US7304458B2 (en) | Regulator circuit | |
JP2002312043A (en) | Voltage regulator | |
US20060119421A1 (en) | Regulator circuit | |
JP2009020641A (en) | Output circuit | |
US10175707B1 (en) | Voltage regulator having feedback path | |
TWI381169B (en) | Voltage regulator | |
US20230229182A1 (en) | Low-dropout regulator for low voltage applications | |
JP2005190381A (en) | Constant-voltage power supply | |
KR101274280B1 (en) | Voltage regulator | |
JP3335183B2 (en) | Buffer circuit | |
JP2003347858A (en) | Class ab buffer amplifier capable of controlling static current | |
US7843183B2 (en) | Real time clock (RTC) voltage regulator and method of regulating an RTC voltage | |
JP2008083850A (en) | Regulator circuit | |
JPH0621732A (en) | Operational amplifier | |
JP2007004581A (en) | Regulator circuit | |
US6229290B1 (en) | Voltage regulating circuit with a clamp up circuit and a clamp down circuit operating in tandem | |
JP2010258509A (en) | Amplifier circuit with bias stabilizing function | |
JP2002351558A (en) | Constant voltage generating circuit | |
JP2004022647A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP4641219B2 (en) | Output buffer circuit | |
JP4741886B2 (en) | Regulator circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080805 |