JP2002344066A - Temperature control module of laser diode and drive method thereof - Google Patents

Temperature control module of laser diode and drive method thereof

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JP2002344066A
JP2002344066A JP2001149945A JP2001149945A JP2002344066A JP 2002344066 A JP2002344066 A JP 2002344066A JP 2001149945 A JP2001149945 A JP 2001149945A JP 2001149945 A JP2001149945 A JP 2001149945A JP 2002344066 A JP2002344066 A JP 2002344066A
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JP
Japan
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peltier element
laser diode
temperature
auxiliary
main
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JP2001149945A
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Katsuhiko Hakomori
克彦 箱守
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a temperature control module of laser diode that has high control temperature performance, and a drive method with enhanced control performance of temperature that is suitable for temperature control module. SOLUTION: A thermally conductive insulation board 1-6 of a main Peltier element 1, in contact thermally with a laser diode 4, is thermally connected with another thermally conductive insulation board 1-7a of an auxiliary Peltier element 1a which is different from the main Peltier element, through a thermally conductive cylinder 6 having superior thermal conductivity, and the thermally conductive insulation board of the main Peltier element which is in thermal contact with the laser diode is made to thermally have the same property as the thermally conductive insulation board of the auxiliary Peltier element in thermal contact with the thermally conductive cylinder.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ・ダイオー
ドの温度制御モジュール及びその駆動方式に係り、特
に、温度制御能力が高いレーザ・ダイオードの温度制御
モジュール及び温度制御能力を高くした温度制御モジュ
ールに適した駆動方式に関する。日本においては、光信
号によるデジタル伝送方式は、電気信号によるデジタル
伝送方式が主要な伝送方式としての地位を確立したのと
同じ頃に実用化の緒につき、1980年代の後半に基幹
回線における主要な伝送方式の座を占めるようになっ
た。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser diode temperature control module and a driving method thereof, and more particularly to a laser diode temperature control module having a high temperature control capability and a temperature control module having a high temperature control capability. Regarding a suitable driving method. In Japan, the digital transmission method using optical signals began to be used around the same time that the digital transmission method using electric signals established itself as the main transmission method. It has taken the place of the transmission system.

【0002】本来、光ファイバ・ケーブルは広帯域であ
るので、電気・光変換素子としてのレーザ・ダイオード
や光・電気変換素子としてのフォト・ダイオードの高速
化とあいまって、光デジタル伝送方式は大容量伝送シス
テムに好適な方式として成長してきたが、単一波長伝送
による大容量化は限界に近づきつつある。一方、マルチ
メディア時代の到来、特に、最近のインターネットの急
速な普及に伴ってより一層大容量な光デジタル伝送方式
の実現が急務となっている。
[0002] Since optical fiber cables are originally broadband, the optical digital transmission system has a large capacity in combination with the speeding up of a laser diode as an electric / optical conversion element and a photo diode as an optical / electrical conversion element. Although it has grown as a method suitable for transmission systems, the increase in capacity by single wavelength transmission is approaching its limit. On the other hand, with the advent of the multimedia age, especially with the recent rapid spread of the Internet, the realization of a much larger capacity optical digital transmission system is urgently required.

【0003】かねてより、1本の光ファイバ・ケーブル
で電気信号によって変調された単一の波長の光信号を伝
送する単一波長伝送方式と、1本の光ファイバ・ケーブ
ルに各々異なる電気信号によって変調された複数の波長
の光信号を多重化して伝送を行なう波長多重伝送方式
(一般に,「WDM方式」と呼ばれる。「WDM」は
「Wavelength Division Multplexing 」の頭文字をとっ
た略語である。)の双方が並行して開発されてきたが、
上記のような背景の下、伝送需要の急激な伸長に対処す
るために波長多重伝送方式の開発にウェイトが移ってい
る。しかも、所要伝送容量の急増に対処するために多重
化する波長数が多くなり、波長間隔は狭くなる一方であ
る。
[0003] A single-wavelength transmission system for transmitting a single-wavelength optical signal modulated by an electric signal over a single optical fiber cable, and a different optical signal over a single optical fiber cable. A wavelength division multiplexing transmission system for multiplexing and transmitting modulated optical signals of a plurality of wavelengths (generally referred to as "WDM system". "WDM" is an abbreviation for "Wavelength Division Multplexing"). Have been developed in parallel,
Under the above background, the weight has been shifted to the development of the wavelength division multiplexing transmission system in order to cope with the rapid growth of the transmission demand. In addition, the number of wavelengths to be multiplexed increases to cope with a sudden increase in required transmission capacity, and the wavelength interval is becoming narrower.

【0004】ところで、一般にレーザ・ダイオードの発
振波長は本質的に温度によって変わるという特性があ
る。従って、波長間隔が狭くなっても安定に通信できる
ためにはレーザ・ダイオードの温度を正確に制御する必
要がある。又、波長多重伝送方式と単一波長伝送方式を
問わず、光ファイバ増幅器が広く用いられるようになっ
ており、しかも、光ファイバ増幅器に要請される利得と
出力パワーは大きくなるのに伴って、光ファイバ増幅器
を構成する稀土類添加光ファイバに励起光を供給する励
起レーザ・ダイオードの出力パワーも大きくなってきて
いる。大パワーの励起光を出力するためには励起レーザ
・ダイオードに供給する駆動電流を大きくする必要があ
り、励起レーザ・ダイオードの消費電力が大きくなる。
このため、励起レーザ・ダイオードは高い温度で動作す
ることになり、出力波長の変動が大きくなるばかりでな
く、益々消費電力が大きくなって長期間信頼度の低下を
招くことになる。
[0004] Generally, the oscillation wavelength of a laser diode has a characteristic that it essentially varies with temperature. Therefore, it is necessary to accurately control the temperature of the laser diode so that stable communication can be performed even when the wavelength interval becomes narrow. In addition, regardless of the wavelength multiplex transmission method and the single wavelength transmission method, optical fiber amplifiers have been widely used, and as the gain and output power required for optical fiber amplifiers have increased, The output power of a pump laser diode that supplies pump light to a rare earth-doped optical fiber constituting an optical fiber amplifier is also increasing. In order to output high power pumping light, it is necessary to increase the drive current supplied to the pumping laser diode, and the power consumption of the pumping laser diode increases.
As a result, the pump laser diode operates at a high temperature, and not only the fluctuation of the output wavelength becomes large, but also the power consumption becomes larger and the reliability is reduced for a long time.

【0005】従って、励起レーザ・ダイオードの温度を
適正に制御して出力波長の変動を抑制し、併せて長期間
信頼度を確保する必要がある。
[0005] Therefore, it is necessary to appropriately control the temperature of the pump laser diode to suppress fluctuations in the output wavelength, and to ensure long-term reliability.

【0006】[0006]

【従来の技術】レーザ・ダイオードの温度を制御をする
ために、ペルチェ素子を適用した温度制御モジュールを
構成し、ペルチェ素子を構成する熱電半導体の電極に接
している熱伝導絶縁板にレーザ・ダイオード・チップを
ダイ・ボンディングして、ペルチェ素子に流す電流の方
向と電流値によってレーザ・ダイオードの温度を制御す
るのが通常である。
2. Description of the Related Art In order to control the temperature of a laser diode, a temperature control module to which a Peltier element is applied is formed, and a laser diode is mounted on a heat conductive insulating plate in contact with a thermoelectric semiconductor electrode constituting the Peltier element. Usually, the temperature of the laser diode is controlled by the direction and the value of the current flowing through the Peltier element by die bonding the chip.

【0007】図14は、ペルチェ素子による冷却・加熱
の原理を示す図で、一対のP型の熱電半導体とN型の熱
電半導体で構成されるペルチェ素子を示している。図1
4において、1はペルチェ素子で、P型の熱電半導体1
−1、N型の熱電半導体1−2、P型の熱電半導体1−
1の一方の端子とN型の熱電半導体1−2の一方の端子
とを接続する金属電極1−3、N型の熱電半導体1−2
のもう一方の端子に形成された金属電極1−5、P型の
熱電半導体1−1のもう一方の端子に形成された金属電
極1−4、P型の熱電半導体1−1とN型の熱電半導体
1−2が接続された側に配置される熱伝導絶縁板1−6
及びP型の熱電半導体1−1とN型の熱電半導体1−2
が接続されない側に配置される熱伝導絶縁板1−7によ
って構成される。
FIG. 14 is a diagram showing the principle of cooling / heating by a Peltier element, and shows a Peltier element composed of a pair of P-type thermoelectric semiconductors and N-type thermoelectric semiconductors. FIG.
In 4, 1 is a Peltier element, and is a P-type thermoelectric semiconductor 1.
-1, N-type thermoelectric semiconductor 1-2, P-type thermoelectric semiconductor 1-
1 and one terminal of the N-type thermoelectric semiconductor 1-2 are connected to the metal electrode 1-3 and the N-type thermoelectric semiconductor 1-2.
A metal electrode 1-5 formed on the other terminal of the P-type thermoelectric semiconductor 1-1, a metal electrode 1-4 formed on the other terminal of the P-type thermoelectric semiconductor 1-1, and a P-type thermoelectric semiconductor 1-1 and the N-type Heat conductive insulating plate 1-6 arranged on the side to which thermoelectric semiconductor 1-2 is connected
And P-type thermoelectric semiconductor 1-1 and N-type thermoelectric semiconductor 1-2
Is constituted by a heat conductive insulating plate 1-7 arranged on the side not connected.

【0008】尚、P型の熱電半導体1−1及びN型の熱
電半導体1−2は通常ビスマス・テルルを基本材料とす
る熱電半導体であり、P型の熱電半導体1−1及びN型
の熱電半導体1−2と熱伝導絶縁板1−6及び1−7の
間の熱抵抗は微小になるように構成されている。又、2
3は電池で、図14の如く正電極を金属電極1−5に、
負電極を金属電極1−4に接続されている。
Incidentally, the P-type thermoelectric semiconductor 1-1 and the N-type thermoelectric semiconductor 1-2 are thermoelectric semiconductors usually made of bismuth tellurium as a basic material, and the P-type thermoelectric semiconductor 1-1 and the N-type thermoelectric semiconductor are used. The thermal resistance between the semiconductor 1-2 and the heat conductive insulating plates 1-6 and 1-7 is configured to be very small. 2
Reference numeral 3 denotes a battery, and the positive electrode is replaced with a metal electrode 1-5 as shown in FIG.
The negative electrode is connected to the metal electrodes 1-4.

【0009】従って、電流は図14の矢印の方向に流れ
る。即ち、金属電極1−3側では電子はP型の熱電半導
体からN型の熱電半導体の方に移動し、金属電極1−5
及び1−4の側では電子はN型の熱電半導体からP型の
熱電半導体の方に移動する。金属電極1−3側で電子は
P型の熱電半導体からN型の熱電半導体の方に移動する
ということは、電子はエネルギーの低い状態から高い状
態に移行することを意味するので、金属電極1−3側で
は周囲の物質の結晶格子の振動エネルギーを吸収する。
即ち、熱伝導絶縁板1−6は冷却される。
Accordingly, the current flows in the direction of the arrow in FIG. That is, on the metal electrode 1-3 side, electrons move from the P-type thermoelectric semiconductor to the N-type thermoelectric semiconductor, and
And on the side 1-4, electrons move from the N-type thermoelectric semiconductor to the P-type thermoelectric semiconductor. The fact that electrons move from the P-type thermoelectric semiconductor to the N-type thermoelectric semiconductor on the metal electrode 1-3 side means that electrons move from a low energy state to a high energy state. On the -3 side, the vibration energy of the crystal lattice of the surrounding material is absorbed.
That is, the heat conductive insulating plate 1-6 is cooled.

【0010】一方、金属電極1−5及び1−4の側で電
子はN型の熱電半導体からP型の熱電半導体の方に移動
するということは、電子はエネルギーの高い状態から低
い状態に移行することを意味するので、金属電極1−5
及び1−4の側では放出するエネルギーを周囲の物質に
供給する。即ち、熱伝導絶縁板1−7は加熱される。そ
して、電池の極性を図14とは逆にすると、熱伝導絶縁
板1−6が加熱され、熱伝導絶縁板1−7が冷却され
る。
On the other hand, the fact that electrons move from the N-type thermoelectric semiconductor to the P-type thermoelectric semiconductor on the side of the metal electrodes 1-5 and 1-4 means that the electrons move from a high energy state to a low energy state. The metal electrodes 1-5
And 1-4 provide the energy to be released to the surrounding material. That is, the heat conductive insulating plate 1-7 is heated. When the polarity of the battery is reversed from that in FIG. 14, the heat conductive insulating plate 1-6 is heated, and the heat conductive insulating plate 1-7 is cooled.

【0011】つまり、ペルチェ素子の加熱・冷却は電流
の方向によって異なるので、レーザ・ダイオード・チッ
プを一方の熱伝導絶縁板にダイ・ボンディングしてお
き、検出したレーザ・ダイオードの温度によって電流を
スイッチングすればレーザ・ダイオード・チップの温度
を任意の方向に制御することができる。そして、加熱又
は冷却効果は電流の大きさに依存する。
That is, since the heating and cooling of the Peltier element differ depending on the direction of the current, the laser diode chip is die-bonded to one of the heat conductive insulating plates, and the current is switched according to the detected temperature of the laser diode. Then, the temperature of the laser diode chip can be controlled in any direction. The heating or cooling effect depends on the magnitude of the current.

【0012】尚、図14のようなP型とN型の熱電半導
体の対を電気的に複数並列にした1段素子と、図14の
ようなP型とN型の熱電半導体の対を電気的に複数直列
にした多段素子とがあるが、多段素子の方が冷却側と加
熱側の温度差を大きくすることができる。図12は、従
来の基本的な温度制御モジュールで、図12(イ)は、
温度制御モジュールの上面図、図12(ロ)は、温度制
御モジュールの正面図である。
A one-stage element in which a plurality of pairs of P-type and N-type thermoelectric semiconductors as shown in FIG. 14 are electrically connected in parallel, and a pair of P-type and N-type thermoelectric semiconductors as shown in FIG. There are a plurality of multistage elements which are serially connected in series, but the multistage elements can increase the temperature difference between the cooling side and the heating side. FIG. 12 shows a conventional basic temperature control module, and FIG.
FIG. 12B is a top view of the temperature control module, and FIG.

【0013】図12において、1はペルチェ素子で、熱
伝導絶縁板1−6、熱伝導絶縁板1−7及び熱電半導体
部1−8によって構成される。ここで、熱伝導絶縁板1
−6及び熱伝導絶縁板1−7は、表面に金属層を形成
し、該金属層の上にレーザ・ダイオード、サーミスタな
どをボンディングするので、通常セラミックが使用され
る。
In FIG. 12, reference numeral 1 denotes a Peltier element, which includes a heat conductive insulating plate 1-6, a heat conductive insulating plate 1-7, and a thermoelectric semiconductor portion 1-8. Here, the heat conductive insulating plate 1
The -6 and the heat conductive insulating plate 1-7 have a metal layer formed on the surface, and a laser diode, a thermistor and the like are bonded on the metal layer. Therefore, ceramic is usually used.

【0014】尚、熱電半導体部1−8は、図14におけ
るP型熱電半導体1−1、N型熱電半導体1−2、金属
電極1−3、金属電極1−4及び金属電極1−5によっ
て構成されるものである。2はペルチェ素子1の一方の
熱伝導絶縁板1−7に接して、ペルチェ素子1が発熱す
る熱量を外部に伝導し、ペルチェ素子1が吸熱する熱量
を外部から伝導する放熱板である。ここで、ペルチェ素
子が吸熱する場合に「放熱板」はいささか不自然な感も
あるが、マイナスの発熱量を放熱するという解釈で「放
熱板」と命名している。尚、放熱板2は金属板とするの
が通常であるが、セラミックとすることを阻むものでは
ない。そして、放熱板2は図12の温度制御モジュール
を実装する金属ケースの底に固着されるのが通常であ
る。
The thermoelectric semiconductor section 1-8 is constituted by a P-type thermoelectric semiconductor 1-1, an N-type thermoelectric semiconductor 1-2, a metal electrode 1-3, a metal electrode 1-4 and a metal electrode 1-5 in FIG. It is composed. Reference numeral 2 denotes a heat radiating plate which is in contact with one of the heat conducting insulating plates 1-7 of the Peltier element 1 and conducts the heat generated by the Peltier element 1 to the outside and transmits the heat absorbed by the Peltier element 1 from the outside. Here, when the Peltier element absorbs heat, the "radiator plate" has a somewhat unnatural feeling, but is named "radiator plate" because it interprets that a negative amount of heat is released. The heat radiating plate 2 is usually a metal plate, but does not prevent the heat radiating plate 2 from being made of ceramic. The radiator plate 2 is usually fixed to the bottom of a metal case on which the temperature control module of FIG. 12 is mounted.

【0015】3はペルチェ素子の一方の熱伝導絶縁板1
−6に接着されたコバール板、4はコバール板3にボン
ディングされたレーザ・ダイオード、5はコバール板3
にボンディングされてレーザ・ダイオード4の温度情報
を出力するサーミスタである。ここで、ペルチェ素子1
を構成する熱伝導絶縁板1−6にコバール板3を接着し
て、コバール板3の上にレーザ・ダイオード4及びサー
ミスタ5をボンディングするのは、コバール板3の熱膨
張係数が小さいことを利用して、温度変動による熱伝導
絶縁板1−6の膨張又は収縮によってレーザ・ダイオー
ド4及びサーミスタ5に応力がかからないようにするた
めと、レーザ・ダイオード4と図示を省略している他の
光学素子との相対位置の変化を防止するためである。
Reference numeral 3 denotes one of the heat conductive insulating plates 1 of the Peltier device.
-6, a Kovar plate bonded to -4, a laser diode bonded to the Kovar plate 3, and 5 a Kovar plate 3.
Is a thermistor that outputs the temperature information of the laser diode 4 by bonding to the thermistor. Here, the Peltier element 1
Bonding the Kovar plate 3 to the heat conductive insulating plate 1-6 and bonding the laser diode 4 and the thermistor 5 on the Kovar plate 3 is based on the small thermal expansion coefficient of the Kovar plate 3. In order to prevent stress from being applied to the laser diode 4 and the thermistor 5 due to expansion or contraction of the heat conductive insulating plate 1-6 due to temperature fluctuation, the laser diode 4 and other optical elements not shown are omitted. This is to prevent the relative position from changing.

【0016】ここで、図12ではレーザ・ダイオード4
がコバール板3上に直接接着されているように図示して
いるが、レーザ・ダイオード4の出力光の光軸と外部の
光ファイバの光軸を合わせるためにコバール板3に台を
接着した上にレーザ・ダイオード4をボンディングする
こともある。尚、通常はレーザ・ダイオード3のバック
光を電気変換した信号を自動パワー制御回路に供給する
フォト・ダイオードや、レーザ・ダイオード4の出力光
を光ファイバに結合するための、レンズ・ホルダに固着
されたレンズもコバール板3上に実装されるが、本発明
の本質ではないことと図面の煩雑化を避けたいことによ
って図示を省略している。
Here, in FIG. 12, the laser diode 4
Is shown as directly adhered to the Kovar plate 3, but the base is adhered to the Kovar plate 3 in order to align the optical axis of the output light of the laser diode 4 with the optical axis of the external optical fiber. In some cases, the laser diode 4 is bonded. Normally, a photodiode that supplies a signal obtained by electrically converting the back light of the laser diode 3 to an automatic power control circuit or a lens holder for coupling the output light of the laser diode 4 to an optical fiber. The illustrated lens is also mounted on the Kovar plate 3, but is not illustrated because it is not the essence of the present invention and it is desired to avoid complication of the drawing.

【0017】又、ペルチェ素子に駆動電流を供給する駆
動回路や配線なども図面の煩雑化を避けたいことによっ
て図示を省略している。レーザ・ダイオード4の温度が
高くて冷却する必要がある時には、ペルチェ素子1の熱
伝導絶縁板1−6側が吸熱してレーザ・ダイオード4の
温度を低下させる。この時、熱伝導絶縁板1−7側が発
熱するので、発熱する熱量を放熱板2が外部に放熱して
冷却効果を上げる。
Further, a driving circuit and a wiring for supplying a driving current to the Peltier element are not shown in the drawing to avoid complication of the drawing. When the temperature of the laser diode 4 is high and needs to be cooled, the heat conduction insulating plate 1-6 side of the Peltier element 1 absorbs heat and lowers the temperature of the laser diode 4. At this time, since the heat conductive insulating plate 1-7 generates heat, the heat radiating plate 2 radiates the generated heat to the outside to enhance the cooling effect.

【0018】一方、レーザ・ダイオード4の温度が低く
て温度を上昇させる必要がある時には、ペルチェ素子1
の熱伝導絶縁板1−6側が発熱する。この時、熱伝導絶
縁板1−7側は吸熱するので、放熱板2は外部から熱量
を熱伝導絶縁板1−7に伝導して発熱効果を上げる。上
記の如くしてレーザ・ダイオード4の温度が一定に制御
される。
On the other hand, when the temperature of the laser diode 4 is low and it is necessary to increase the temperature, the Peltier element 1
Generates heat on the side of the heat conductive insulating plate 1-6. At this time, since the heat conductive insulating plate 1-7 absorbs heat, the heat radiating plate 2 conducts heat from the outside to the heat conductive insulating plate 1-7 to enhance the heat generating effect. As described above, the temperature of the laser diode 4 is controlled to be constant.

【0019】[0019]

【発明が解決しようとする課題】ペルチェ素子における
低温側の吸熱量は熱電半導体に流す駆動電流に比例して
増加するが、熱電半導体の内部抵抗によるジュール熱は
駆動電流の2乗に比例して増加するので、低温側と高温
側の温度差を一定にした時、吸熱量が最大になる電流値
が存在し、それ以上の駆動電流を流すと吸熱量は却って
減少する。
The amount of heat absorbed on the low-temperature side of the Peltier element increases in proportion to the drive current flowing through the thermoelectric semiconductor, but Joule heat due to the internal resistance of the thermoelectric semiconductor increases in proportion to the square of the drive current. When the temperature difference between the low-temperature side and the high-temperature side is constant, there is a current value at which the amount of heat absorption is maximized, and the amount of heat absorption decreases when a drive current larger than that is applied.

【0020】図13は、ペルチェ素子による冷却の限界
を示す図である。図13において、縦軸はレーザ・ダイ
オードの温度(図では、「レーザ・ダイオード」をLase
r Diode の頭文字をとった略語「LD」によって表現し
ている。)、横軸は駆動電流で、縦軸も横軸も対数目盛
になっていると理解されたい。ペルチェ素子における低
温側の吸熱量は熱電半導体に流す駆動電流に比例して増
加するので、レーザ・ダイオードの温度は駆動電流の増
加に対して傾斜−1で低下するが、吸熱量が最大になる
電流以上の駆動電流を流すと吸熱量は却って減少して、
レーザ・ダイオードの温度は駆動電流の増加に対して傾
斜2で上昇する。従って、最大電流IM を超える電流を
流すことは無意味である。
FIG. 13 is a diagram showing a limit of cooling by the Peltier device. In FIG. 13, the vertical axis represents the temperature of the laser diode (in the figure, “laser diode” is
It is represented by the abbreviation "LD" which stands for r Diode. ), The horizontal axis is the drive current, and the vertical and horizontal axes are logarithmic. Since the heat absorption on the low temperature side in the Peltier element increases in proportion to the drive current flowing through the thermoelectric semiconductor, the temperature of the laser diode decreases at a slope of -1 with the increase in the drive current, but the heat absorption becomes maximum. When a drive current higher than the current is passed, the amount of heat absorbed decreases rather,
The temperature of the laser diode increases in ramp 2 with increasing drive current. Therefore, it is meaningless to flow a current exceeding the maximum current I M.

【0021】この冷却の限界を打破するには、熱電半導
体の対数が大きいペルチェ素子を使用するか、高温側の
熱伝導絶縁板から外部への熱抵抗を減少させる必要があ
る。しかし、熱電半導体の対数が大きいペルチェ素子を
使用するとペルチェ素子の面積が大きくならざるを得
ず、又、高温側の熱伝導絶縁板から外部への熱抵抗を減
少させるためには少なくとも放熱板の表面積を大きくす
る必要があり、いずれにしても温度制御モジュールが大
型になるという問題が生ずる。又、後者の場合には温度
制御モジュールの重量が増加するという問題も生ずる。
In order to overcome the cooling limit, it is necessary to use a Peltier element having a large logarithm of the thermoelectric semiconductor or to reduce the heat resistance from the heat conductive insulating plate on the high temperature side to the outside. However, if a Peltier element having a large logarithm of a thermoelectric semiconductor is used, the area of the Peltier element must be increased, and in order to reduce the thermal resistance from the heat conductive insulating plate on the high-temperature side to the outside, at least the heat sink is required. It is necessary to increase the surface area, and in any case, there is a problem that the temperature control module becomes large. In the latter case, there is also a problem that the weight of the temperature control module increases.

【0022】更に、図12の構造の温度制御モジュール
においてレーザ・ダイオード4を冷却する場合には、レ
ーザ・ダイオード4の熱量はコバール板3を介してペル
チェ素子1側に伝導される他に、レーザ・ダイオード4
の上部空間に放射される。レーザ・ダイオード4の上部
空間は図12の温度制御モジュールを実装する金属ケー
スで閉じられているので、レーザ・ダイオード4が放射
する熱量は該金属ケースの中に蓄積される。その上、該
金属ケース自体がその外に存在する素子や回路の発熱に
よって温められている。このため、レーザ・ダイオード
4の冷却効果がそがれて、レーザ・ダイオード4の温度
の制御が不正確になるという問題も生ずる。
Further, when cooling the laser diode 4 in the temperature control module having the structure shown in FIG. 12, the heat of the laser diode 4 is transmitted to the Peltier element 1 via the Kovar plate 3 and the laser diode 4 is also cooled.・ Diode 4
Is radiated into the upper space. Since the headspace of the laser diode 4 is closed by a metal case for mounting the temperature control module of FIG. 12, the amount of heat radiated by the laser diode 4 is accumulated in the metal case. In addition, the metal case itself is heated by heat generated by elements and circuits existing outside. For this reason, there is a problem that the cooling effect of the laser diode 4 is lost and the control of the temperature of the laser diode 4 becomes inaccurate.

【0023】本発明は、かかる問題点に鑑み、温度制御
能力が高いレーザ・ダイオードの温度制御モジュール及
び温度制御能力を高くした温度制御モジュールに適した
駆動方式を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a temperature control module for a laser diode having a high temperature control capability and a drive system suitable for a temperature control module having a high temperature control capability.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】第一の発明は、レーザ・
ダイオードが熱的に接触している主ペルチェ素子の熱伝
導絶縁板と、該主ペルチェ素子とは異なる補助ペルチェ
素子の一方の熱伝導絶縁板とを熱伝導性が良好な熱伝導
筒によって熱的に接続し、該レーザ・ダイオードが熱的
に接触している主ペルチェ素子の熱伝導絶縁板と、該補
助ペルチェ素子の、該熱伝導筒に熱的に接触している熱
伝導絶縁板とを熱的に同じ性質にするレーザ・ダイオー
ドの温度制御モジュールである。
Means for Solving the Problems The first invention is directed to a laser device.
The heat conductive insulating plate of the main Peltier element with which the diode is in thermal contact with one of the auxiliary Peltier elements different from the main Peltier element is thermally connected by a heat conductive cylinder having good thermal conductivity. And the heat conducting insulating plate of the main Peltier device, which is in thermal contact with the laser diode, and the heat conducting insulating plate of the auxiliary Peltier device, which is in thermal contact with the heat conducting tube. It is a temperature control module for a laser diode that has the same thermal properties.

【0025】第一の発明によれば、レーザ・ダイオード
が熱的に接触している主ペルチェ素子の熱伝導絶縁板
と、該補助ペルチェ素子の一方の熱伝導絶縁板とが熱伝
導性が良好な熱伝導筒によって熱的に接続されるので、
レーザ・ダイオードが熱的に接触している主ペルチェ素
子の熱伝導絶縁板と、該熱伝導筒に熱的に接触している
該補助ペルチェ素子の熱伝導絶縁板との温度差は小さく
なる。
According to the first aspect, the heat conductive insulating plate of the main Peltier element with which the laser diode is in thermal contact with one of the auxiliary Peltier elements has good thermal conductivity. Because it is thermally connected by a heat transfer cylinder,
The temperature difference between the thermally conductive insulating plate of the main Peltier element that is in thermal contact with the laser diode and the thermally conductive insulating plate of the auxiliary Peltier element that is in thermal contact with the thermal conductive tube is reduced.

【0026】しかも、レーザ・ダイオードが熱的に接触
している該主ペルチェ素子の熱伝導絶縁板と、該熱伝導
筒に熱的に接触している該補助ペルチェ素子の熱伝導絶
縁板とを熱的に同じ性質にするので、該レーザ・ダイオ
ードが熱的に接触している該主ペルチェ素子の熱伝導絶
縁板が低温側である場合には該熱伝導筒に熱的に接触し
ている該補助ペルチェ素子の熱伝導絶縁板も低温側にな
り、該レーザ・ダイオードが熱的に接触している該主ペ
ルチェ素子の熱伝導絶縁板が高温側である場合には該熱
伝導筒に熱的に接触している該補助ペルチェ素子の熱伝
導絶縁板も高温側になる。
In addition, the heat conducting insulating plate of the main Peltier element, which is in thermal contact with the laser diode, and the heat conducting insulating plate of the auxiliary Peltier element, which is in thermal contact with the heat conducting tube. Since the same thermal properties are provided, the laser diode is in thermal contact with the heat conducting cylinder when the heat conducting insulating plate of the main Peltier element is in thermal contact with the heat conducting cylinder. The heat conducting insulating plate of the auxiliary Peltier element is also on the low temperature side, and when the heat conducting insulating plate of the main Peltier element with which the laser diode is in thermal contact is on the high temperature side, heat is applied to the heat conducting cylinder. The thermally conductive insulating plate of the auxiliary Peltier element that is in contact with the substrate is also on the high temperature side.

【0027】従って、レーザ・ダイオードを冷却する必
要がある時には冷却能力が高くなり、レーザ・ダイオー
ドの温度を上昇させる必要がある時には温度上昇能力が
高くなって、レーザ・ダイオードの温度制御を正確に行
なうことが可能になる。第二の発明は、第一の発明のレ
ーザ・ダイオードの温度制御モジュールにおいて、複数
のペルチェ素子を積層して上記補助ペルチェ素子を構成
し、上記熱伝導筒によって熱的に接続される上記主ペル
チェ素子の熱伝導絶縁板と該補助ペルチェ素子の熱伝導
絶縁板の熱的な性質を同じにし、積層されるペルチェ素
子の互いに接触する熱伝導絶縁板の熱的な性質を逆にす
るレーザ・ダイオードの温度制御モジュールである。
Therefore, when the laser diode needs to be cooled, the cooling capacity is high, and when it is necessary to raise the temperature of the laser diode, the temperature raising capacity is high, so that the temperature control of the laser diode can be accurately performed. It is possible to do. According to a second aspect, in the temperature control module for a laser diode according to the first aspect, a plurality of Peltier elements are stacked to constitute the auxiliary Peltier element, and the main Peltier is thermally connected by the heat conducting tube. A laser diode for making the thermal properties of the heat conductive insulating plate of the element and that of the auxiliary Peltier element the same, and reversing the thermal properties of the heat conductive insulating plates in contact with each other of the stacked Peltier elements. Temperature control module.

【0028】第二の発明によれば、第一の発明のレーザ
・ダイオードの温度制御モジュールにおいて、複数のペ
ルチェ素子を積層して上記補助ペルチェ素子を構成し、
該熱伝導筒によって熱的に接続される上記主ペルチェ素
子の熱伝導絶縁板と該補助ペルチェ素子の熱伝導絶縁板
の熱的な性質を同じにするので、該補助ペルチェ素子は
主ペルチェ素子と同じ方向の温度制御を行なう。
According to a second aspect, in the laser diode temperature control module according to the first aspect, the auxiliary Peltier element is formed by stacking a plurality of Peltier elements.
Since the thermal properties of the heat conductive insulating plate of the main Peltier element and the heat conductive insulating plate of the auxiliary Peltier element which are thermally connected by the heat conductive cylinder are the same, the auxiliary Peltier element is different from the main Peltier element. Temperature control in the same direction is performed.

【0029】しかも、積層されるペルチェ素子が互いに
接触する熱伝導絶縁板の熱的な性質を逆にするので、積
層された複数のペルチェ素子の2つの熱伝導絶縁板の温
度の高低は同じ方向になる。このため、積層された複数
のペルチェ素子は互いに温度制御能力を高め合うので該
補助ペルチェ素子の温度制御能力が高まる結果、上記主
ペルチェ素子、該熱伝導筒及び該補助ペルチェ素子によ
って構成されるレーザ・ダイオードの温度制御モジュー
ル自体の温度制御能力が高まって、レーザ・ダイオード
の温度制御を一層正確に行なうことが可能になる。
Moreover, since the thermal properties of the heat conducting insulating plates in contact with the stacked Peltier devices are reversed, the temperature of the two heat conducting insulating plates of the stacked Peltier devices is in the same direction. become. Therefore, the plurality of stacked Peltier elements enhance the temperature control ability of each other, so that the temperature control ability of the auxiliary Peltier element is increased. As a result, the laser constituted by the main Peltier element, the heat conducting tube, and the auxiliary Peltier element The temperature control capability of the diode temperature control module itself is increased, so that the temperature control of the laser diode can be performed more accurately.

【0030】第三の発明は、第一の発明又は第二の発明
のレーザ・ダイオードの温度制御モジュールの駆動方式
であって、上記レーザ・ダイオードの測定温度が設定温
度を超える場合に上記補助ペルチェ素子に規定の駆動電
流を供給し、該レーザ・ダイオードの温度が設定温度以
内の場合には該補助ペルチェ素子に駆動電流を供給せ
ず、いずれの場合にも、該主ペルチェ素子には該測定温
度に対応して設定されている駆動電流を供給するレーザ
・ダイオードの温度制御モジュールの駆動方式である。
A third invention is a driving method of the laser diode temperature control module according to the first invention or the second invention, wherein the auxiliary Peltier is used when the measured temperature of the laser diode exceeds a set temperature. A specified drive current is supplied to the element, and when the temperature of the laser diode is within a set temperature, no drive current is supplied to the auxiliary Peltier element, and in any case, the measurement is applied to the main Peltier element. This is a driving method of a laser diode temperature control module that supplies a driving current set according to the temperature.

【0031】第三の発明によれば、レーザ・ダイオード
の測定温度が設定温度を超える場合に上記補助ペルチェ
素子に規定の駆動電流を供給し、主ペルチェ素子には該
測定温度に対応して設定されている駆動電流を供給する
ので、レーザ・ダイオードの温度制御モジュールの温度
制御能力が高まり、レーザ・ダイオードの温度を正確に
制御することができる。
According to the third aspect, when the measured temperature of the laser diode exceeds the set temperature, a specified drive current is supplied to the auxiliary Peltier element, and the main Peltier element is set according to the measured temperature. Since the driving current is supplied, the temperature control capability of the temperature control module of the laser diode is enhanced, and the temperature of the laser diode can be accurately controlled.

【0032】一方、該レーザ・ダイオードの温度が設定
温度以内の場合には該補助ペルチェ素子に駆動電流を供
給せず、該主ペルチェ素子には該測定温度に対応して設
定されている駆動電流を供給するので、レーザ・ダイオ
ードの温度制御モジュールの駆動電力を縮減しながらレ
ーザ・ダイオードの温度制御をおこなうことができる。
On the other hand, when the temperature of the laser diode is below the set temperature, no driving current is supplied to the auxiliary Peltier element, and the driving current set corresponding to the measured temperature is supplied to the main Peltier element. Is supplied, it is possible to control the temperature of the laser diode while reducing the driving power of the temperature control module for the laser diode.

【0033】第四の発明は、第一の発明又は第二の発明
のレーザ・ダイオードの温度制御モジュールの駆動方式
であって、上記レーザ・ダイオードの測定温度が設定温
度を超える場合、又は、上記主ペルチェ素子の駆動電流
が最大電流を超える場合に上記補助ペルチェ素子に規定
の駆動電流を供給し、該レーザ・ダイオードの測定温度
が設定温度以下で該主ペルチェ素子の駆動電流が最大電
流以下の場合には該補助ペルチェ素子に駆動電流を供給
せず、いずれの場合にも、該主ペルチェ素子には該測定
温度に対応して設定されている駆動電流を供給するレー
ザ・ダイオードの温度制御モジュールの駆動方式であ
る。
A fourth aspect of the present invention is a driving method of the laser diode temperature control module according to the first or second aspect, wherein the measured temperature of the laser diode exceeds a set temperature, or When the drive current of the main Peltier element exceeds the maximum current, a specified drive current is supplied to the auxiliary Peltier element, and the measured temperature of the laser diode is lower than the set temperature and the drive current of the main Peltier element is lower than the maximum current. A temperature control module for a laser diode that does not supply a driving current to the auxiliary Peltier element in any case, and supplies a driving current set in accordance with the measured temperature to the main Peltier element in any case. Is the driving method.

【0034】第四の発明によれば、レーザ・ダイオード
の測定温度が設定温度を超える場合、又は、該主ペルチ
ェ素子の駆動電流が最大電流を超える場合に上記補助ペ
ルチェ素子に規定の駆動電流を供給し、該主ペルチェ素
子には該測定温度に対応して設定されている駆動電流を
供給するので、レーザ・ダイオードの温度制御モジュー
ルの温度制御能力が高まり、レーザ・ダイオードの温度
を正確に制御することができる。
According to the fourth aspect, when the measured temperature of the laser diode exceeds the set temperature or when the drive current of the main Peltier element exceeds the maximum current, the prescribed drive current is supplied to the auxiliary Peltier element. The main Peltier element is supplied with a drive current that is set according to the measured temperature, so that the temperature control capability of the laser diode temperature control module is increased and the temperature of the laser diode is accurately controlled. can do.

【0035】一方、該レーザ・ダイオードの測定温度が
設定温度以下で該主ペルチェ素子の駆動電流が最大電流
以下の場合には該補助ペルチェ素子に駆動電流を供給せ
ず、該主ペルチェ素子には該測定温度に対応して設定さ
れている駆動電流を供給するので、レーザ・ダイオード
の温度制御モジュールの駆動電力を縮減しながらレーザ
・ダイオードの温度制御をおこなうことができる。
On the other hand, when the measured temperature of the laser diode is lower than the set temperature and the driving current of the main Peltier element is lower than the maximum current, no driving current is supplied to the auxiliary Peltier element, and the main Peltier element is not supplied. Since the drive current set in accordance with the measured temperature is supplied, the laser diode temperature control can be performed while reducing the drive power of the laser diode temperature control module.

【0036】しかも、上記判断を測定駆動電流及び測定
温度の双方によって行なうので、該補助ペルチェ素子を
駆動すべき時に駆動しないという危険性を避けることが
可能になる。第五の発明は、第一の発明又は第二の発明
のいずれかのレーザ・ダイオードの温度制御モジュール
の駆動方式であって、検出した上記レーザ・ダイオード
の温度に対応する電圧と基準電圧との差によって上記主
ペルチェ素子の駆動電流を制御する自動温度制御回路
と、少なくとも、該レーザ・ダイオードの温度が規定温
度を超えていることを検出した時に上記補助ペルチェ素
子に規定の駆動電流を供給するための制御信号を出力す
る検知回路とを備えるレーザ・ダイオードの温度制御モ
ジュールの駆動方式である。
Further, since the above determination is made based on both the measured drive current and the measured temperature, it is possible to avoid the danger that the auxiliary Peltier element will not be driven when it should be driven. A fifth invention is a driving method of the temperature control module of the laser diode according to any one of the first invention and the second invention, wherein a voltage corresponding to the detected temperature of the laser diode and a reference voltage are provided. An automatic temperature control circuit for controlling a drive current of the main Peltier element by a difference, and supplying a specified drive current to the auxiliary Peltier element at least when detecting that the temperature of the laser diode exceeds a specified temperature And a detection circuit for outputting a control signal for driving the temperature control module of the laser diode.

【0037】第五の発明によれば、検出したレーザ・ダ
イオードの温度に対応する電圧と基準電圧との差によっ
て主ペルチェ素子の駆動電流を制御する自動温度制御回
路と、少なくとも、検出したレーザ・ダイオードの温度
が規定温度を超えていることを検出した時に補助ペルチ
ェ素子に規定の駆動電流を供給するための制御信号を出
力する検知回路を備えているので、少なくともレーザ・
ダイオードの測定温度が設定温度を超える場合に上記補
助ペルチェ素子に規定の駆動電流を供給し、主ペルチェ
素子には該測定温度に対応して設定されている駆動電流
を供給するので、レーザ・ダイオードの温度制御モジュ
ールの温度制御能力が高まり、レーザ・ダイオードの温
度を正確に制御することができる。
According to the fifth invention, an automatic temperature control circuit for controlling the drive current of the main Peltier element based on the difference between the voltage corresponding to the detected temperature of the laser diode and the reference voltage, and at least the detected laser diode It has a detection circuit that outputs a control signal to supply a specified drive current to the auxiliary Peltier element when it detects that the temperature of the diode exceeds the specified temperature.
When the measured temperature of the diode exceeds the set temperature, a specified drive current is supplied to the auxiliary Peltier element, and a drive current set according to the measured temperature is supplied to the main Peltier element. The temperature control capability of the temperature control module of the present invention is enhanced, and the temperature of the laser diode can be controlled accurately.

【0038】一方、少なくとも該レーザ・ダイオードの
温度が設定温度以内の場合には該補助ペルチェ素子に駆
動電流を供給せず、該主ペルチェ素子には該測定温度に
対応して設定されている駆動電流を供給するので、レー
ザ・ダイオードの温度制御モジュールの駆動電力を縮減
しながらレーザ・ダイオードの温度制御をおこなうこと
ができる。
On the other hand, if at least the temperature of the laser diode is within the set temperature, no drive current is supplied to the auxiliary Peltier element, and the drive set to the main Peltier element corresponding to the measured temperature is not supplied. Since the current is supplied, the temperature of the laser diode can be controlled while reducing the driving power of the laser diode temperature control module.

【0039】[0039]

【発明の実施の形態】以降、図面を用いて本発明の技術
を詳細に説明する。図1は、本発明の温度制御モジュー
ルの第一の実施の形態で、レーザ・ダイオードの出力光
の光軸を含む平面で切った断面図、図2は本発明の温度
制御モジュールの第一の実施の形態で、温度制御モジュ
ールの斜視図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The technology of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a temperature control module according to a first embodiment of the present invention, taken along a plane including an optical axis of output light of a laser diode. FIG. FIG. 3 is a perspective view of the temperature control module in the embodiment.

【0040】図1及び図2において、1はペルチェ素子
で、熱伝導絶縁板1−6、熱伝導絶縁板1−7及び熱電
半導体部1−8によって構成される。尚、ペルチェ素子
1を主ペルチェ素子と呼ぶことにする。ここで、熱伝導
絶縁板1−6及び熱伝導絶縁板1−7は、表面に金属層
を形成し、該金属層の上にレーザ・ダイオード、サーミ
スタなどをボンディングするので、通常セラミックが使
用される。
In FIGS. 1 and 2, reference numeral 1 denotes a Peltier element, which includes a heat conductive insulating plate 1-6, a heat conductive insulating plate 1-7, and a thermoelectric semiconductor unit 1-8. Note that the Peltier element 1 is referred to as a main Peltier element. Here, the heat conductive insulating plate 1-6 and the heat conductive insulating plate 1-7 have a metal layer formed on the surface thereof, and a laser diode, a thermistor, etc. are bonded on the metal layer. You.

【0041】尚、熱電半導体部1−8は、図14におけ
るP型熱電半導体1−1、N型熱電半導体1−2、金属
電極1−3、金属電極1−4及び金属電極1−5によっ
て構成されるものである。2はペルチェ素子1の一方の
熱伝導絶縁板1−7に接して、ペルチェ素子1が発熱す
る熱量を外部に伝導し、ペルチェ素子1が吸熱する熱量
を外部から伝導する放熱板である。尚、放熱板2は通常
金属板とするが、セラミックとすることを阻むものでは
ない。そして、放熱板2は図1又は図2の温度制御モジ
ュールを実装する金属ケースの底に固着されるのが通常
である。この場合、放熱板2と該金属ケースの底の接触
をよくするために、熱伝導性が良好なシリコーンの層を
介して放熱板2と該金属ケースの底を接触させた上で、
ネジなどによって固着することが好ましい。
The thermoelectric semiconductor section 1-8 is constituted by the P-type thermoelectric semiconductor 1-1, N-type thermoelectric semiconductor 1-2, metal electrodes 1-3, metal electrodes 1-4 and metal electrodes 1-5 in FIG. It is composed. Reference numeral 2 denotes a heat radiating plate which is in contact with one of the heat conducting insulating plates 1-7 of the Peltier element 1 and conducts the heat generated by the Peltier element 1 to the outside and transmits the heat absorbed by the Peltier element 1 from the outside. Note that the heat radiating plate 2 is usually a metal plate, but this does not preclude the use of ceramic. Then, the radiator plate 2 is usually fixed to the bottom of the metal case on which the temperature control module of FIG. 1 or 2 is mounted. In this case, in order to improve the contact between the heat radiating plate 2 and the bottom of the metal case, the heat radiating plate 2 is brought into contact with the bottom of the metal case via a layer of silicone having good thermal conductivity.
It is preferable to fix with a screw or the like.

【0042】3はペルチェ素子の一方の熱伝導絶縁板1
−6に接着されたコバール板、4はコバール板3にボン
ディングされたレーザ・ダイオード、5はコバール板3
にボンディングされてレーザ・ダイオード4の温度情報
を出力するサーミスタである。尚、通常はレーザ・ダイ
オード3のバック光を電気変換した信号を自動パワー制
御回路に供給するフォト・ダイオードや、レーザ・ダイ
オード4の出力光を光ファイバに結合するための、レン
ズ・ホルダに固着されたレンズもコバール板3上に接着
されるが、本発明の本質ではないことと図面の煩雑化を
避けたいことによって図示を省略している。又、ペルチ
ェ素子に駆動電流を供給する配線なども図面の煩雑化を
避けたいために図示を省略している。
Reference numeral 3 denotes one of the heat conductive insulating plates 1 of the Peltier device.
-6, a Kovar plate bonded to -4, a laser diode bonded to the Kovar plate 3, and 5 a Kovar plate 3.
Is a thermistor that outputs the temperature information of the laser diode 4 by bonding to the thermistor. Normally, a photodiode that supplies a signal obtained by electrically converting the back light of the laser diode 3 to an automatic power control circuit or a lens holder for coupling the output light of the laser diode 4 to an optical fiber. The attached lens is also adhered on the Kovar plate 3, but is not shown because it is not the essence of the present invention and it is desired to avoid complication of the drawing. Also, wiring for supplying a drive current to the Peltier element and the like are not shown in order to avoid complication of the drawing.

【0043】ここで、ペルチェ素子1を構成する熱伝導
絶縁板1−6にコバール板3を接着して、コバール板3
の上にレーザ・ダイオード4及びサーミスタ5をボンデ
ィングするのは、コバール板3の熱膨張係数が小さいこ
とを利用して、温度変動による熱伝導絶縁板1−6の膨
張又は収縮によってレーザ・ダイオード4及びサーミス
タ5に応力がかからないようにするためと、レーザ・ダ
イオード4と図示していない他の光学素子との相対位置
の変化を防止するためである。
Here, the Kovar plate 3 is adhered to the heat conductive insulating plate 1-6 constituting the Peltier element 1, and the Kovar plate 3 is bonded.
The laser diode 4 and the thermistor 5 are bonded on the substrate by utilizing the small thermal expansion coefficient of the Kovar plate 3 and expanding or contracting the heat conductive insulating plate 1-6 due to temperature fluctuation. This is to prevent stress from being applied to the thermistor 5 and to prevent a change in the relative position between the laser diode 4 and another optical element (not shown).

【0044】又、図1ではレーザ・ダイオード4がコバ
ール板3上に直接ボンディングされているように図示し
ているが、レーザ・ダイオード4の出力光の光軸と外部
の光ファイバの光軸を合わせるためにコバール板3に台
を接着した上にレーザ・ダイオード4をボンディングす
ることもある。6は熱伝導筒で、レーザ・ダイオード4
の出力光の光軸に当たる所に穴6−1を備えている。熱
伝導筒6については後で詳細に説明する。
Although FIG. 1 shows that the laser diode 4 is directly bonded on the Kovar plate 3, the optical axis of the output light of the laser diode 4 and the optical axis of the external optical fiber are aligned. In some cases, a laser diode 4 is bonded to the Kovar plate 3 after the base is adhered thereto. Reference numeral 6 denotes a heat conducting tube, and a laser diode 4
A hole 6-1 is provided at the position corresponding to the optical axis of the output light. The heat conduction cylinder 6 will be described later in detail.

【0045】1aはペルチェ素子で、ペルチェ素子1と
同様に熱伝導絶縁板1−6a、熱伝導絶縁板1−7a及
び熱電半導体部1−8aによって構成される。尚、ペル
チェ素子1aを補助ペルチェ素子と呼ぶことにする。2
aはペルチェ素子1aの一方の熱伝導絶縁板1−7aに
接して、ペルチェ素子1aが発熱する熱量を外部に伝導
し、ペルチェ素子1が吸熱する熱量を外部から伝導する
放熱板である。尚、放熱板2aは通常金属板とするが、
セラミックとすることを阻むものではない。又放熱板2
aは図1又は図2の温度制御モジュールを実装する金属
ケースの天板を装着した時に、該天板に熱的に接触でき
ることが好ましい。ただ、金属製又はセラミック製の放
熱板2aと金属製の該天板を広面積で面接触させること
は難しいので、放熱板2aの上面にはシリコーンなど比
較的熱伝導性が良好で、圧力で変形しやすい物質の層を
形成しておくのが好ましい。
Reference numeral 1a denotes a Peltier device, which is composed of a heat conductive insulating plate 1-6a, a heat conductive insulating plate 1-7a, and a thermoelectric semiconductor portion 1-8a, like the Peltier device 1. Note that the Peltier element 1a is referred to as an auxiliary Peltier element. 2
Reference symbol a denotes a heat radiating plate which contacts one of the heat conducting insulating plates 1-7a of the Peltier element 1a, conducts heat generated by the Peltier element 1a to the outside, and conducts heat absorbed by the Peltier element 1 from the outside. The heat radiating plate 2a is usually a metal plate.
It does not prevent the use of ceramic. Heat sink 2
It is preferable that a can be in thermal contact with a top plate of a metal case mounting the temperature control module of FIG. 1 or 2 when the top plate is mounted. However, since it is difficult to bring the metal or ceramic radiator plate 2a into surface contact with the metal top plate over a wide area, the heat radiator plate 2a has relatively good thermal conductivity, such as silicone, on the upper surface thereof. It is preferable to form a layer of a substance which is easily deformed.

【0046】尚、図1又は図2においては、図の簡略化
のためにペルチェ素子に駆動電流を供給するための配線
なども図示を省略している。図3は、熱伝導筒の構造例
である。図3において、6が熱伝導筒であり、レーザ・
ダイオードの出力光の光軸に当たる所に穴6−1を備え
ている。
In FIGS. 1 and 2, wirings for supplying a drive current to the Peltier element and the like are omitted for simplification of the drawing. FIG. 3 shows an example of the structure of the heat conduction cylinder. In FIG. 3, reference numeral 6 denotes a heat conducting tube,
A hole 6-1 is provided at a position corresponding to the optical axis of the output light of the diode.

【0047】熱伝導筒6は、本発明の温度制御モジュー
ルの温度制御能力を高めるために、図1又は図2の、レ
ーザ・ダイオードが熱的に接触している主ペルチェ素子
の熱伝導絶縁板1−6と、補助ペルチェ素子の、該熱伝
導筒6が熱的に接触している熱伝導絶縁板1−6aを熱
的に接続する物であるから、当然熱伝導率が高いことが
必要である。
In order to enhance the temperature control capability of the temperature control module of the present invention, the heat conduction tube 6 is provided with a heat conduction insulating plate of the main Peltier element in thermal contact with the laser diode shown in FIG. 1 or FIG. It is necessary to have a high thermal conductivity because the thermal conduction tube 1-6 and the thermal conduction insulating plate 1-6a of the auxiliary Peltier element which are in thermal contact with each other are thermally connected. It is.

【0048】従って、熱伝導筒6を形成する物質は金属
又はセラミックが好ましい。金属の場合には、切削によ
って図3の形状に加工することができる。又、セラミッ
クの場合には、セラミックのグリーン・シートの所定の
位置に穴をあけてから図3の如き筒状にして焼結して
も、穴をあけて焼結したセラミック板1枚と穴なしの焼
結したセラミック板3枚を接着してもよい。
Therefore, the material forming the heat conducting tube 6 is preferably a metal or a ceramic. In the case of metal, it can be processed into the shape shown in FIG. 3 by cutting. Further, in the case of ceramic, even if a hole is formed in a predetermined position of a ceramic green sheet and then sintered into a cylindrical shape as shown in FIG. Alternatively, three sintered ceramic plates may be bonded.

【0049】又、図3では矩形断面の筒の例を示してい
るが、断面形状を特に限定するものではない。ただ、熱
伝導筒6自体の加工のしやすさと、ペルチェ素子の熱伝
導絶縁板の形状が通常矩形である上に該熱伝導絶縁板上
にレーザ・ダイオードなどを実装することを考慮すると
該熱伝導絶縁板の有効面積を減少させたくないことか
ら、矩形断面が好ましい。
FIG. 3 shows an example of a tube having a rectangular cross section, but the cross sectional shape is not particularly limited. However, considering the ease of processing of the heat conducting cylinder 6 itself, the fact that the shape of the heat conducting insulating plate of the Peltier element is usually rectangular, and the fact that a laser diode or the like is mounted on the heat conducting insulating plate, the heat conduction is considered. A rectangular cross section is preferred because it is not desired to reduce the effective area of the conductive insulating plate.

【0050】更に、セラミックのグリーン・シートを図
3の形状に加工する場合には、加熱による歪みも含めて
熱伝導筒6の形状を正確に形成することが若干困難であ
るので、焼結後に熱伝導筒6の上面及び下面を通常の方
法によって研磨して上面と下面の平面度を改善すると共
に両面を平行にすることが好ましい。次に、図1又は図
2の温度制御モジュールの組み立て手順について説明す
る。
Further, when the ceramic green sheet is processed into the shape shown in FIG. 3, it is somewhat difficult to accurately form the shape of the heat conducting cylinder 6 including the distortion due to heating. It is preferable to improve the flatness of the upper and lower surfaces by polishing the upper and lower surfaces of the heat conducting tube 6 by a normal method, and to make both surfaces parallel. Next, a procedure for assembling the temperature control module shown in FIG. 1 or 2 will be described.

【0051】1.主ペルチェ素子の熱伝導絶縁板1−6
にコバール板3を通常の方法によって接着する。 2.コバール板3の上にレーザ・ダイオード4、サーミ
スタ5などを通常の方法によってボンディングする。 3.熱伝導筒6と補助ペルチェ素子の熱伝導絶縁板1−
6aとを固着する。熱伝導筒6がセラミック製の時には
接着剤を使用して接着すればよく、金属製の時には熱伝
導絶縁板1−6a上には金属層が形成されているので銀
ろう付けすればよい。
1. Thermal conductive insulating plate 1-6 of main Peltier element
The Kovar plate 3 is bonded by a usual method. 2. A laser diode 4, a thermistor 5, and the like are bonded on the Kovar plate 3 by an ordinary method. 3. Thermal conduction cylinder 6 and thermal conduction insulating plate 1 of auxiliary Peltier element
6a. When the heat conductive cylinder 6 is made of ceramic, it may be bonded using an adhesive. When it is made of metal, the metal layer may be formed on the heat conductive insulating plate 1-6a, so that silver brazing may be used.

【0052】4.熱伝導筒6と補助ペルチェ素子を固着
した物を主ペルチェ素子の熱伝導絶縁板1−6と固着す
る。固着方法は上記と同じである。 5.主ペルチェ素子、熱伝導筒6及び補助ペルチェ素子
が一体化された物と,放熱板2及び放熱板2aに通常の
方法によって固着する。 そして、上記の如く組み立てた温度制御モジュールを金
属ケースの底に固着して使用する。
4. An object in which the heat conducting cylinder 6 and the auxiliary Peltier element are fixed is fixed to the heat conducting insulating plate 1-6 of the main Peltier element. The fixing method is the same as above. 5. The main peltier element, the heat conducting tube 6 and the auxiliary peltier element are integrated and fixed to the radiator plate 2 and the radiator plate 2a by an ordinary method. Then, the temperature control module assembled as described above is used by being fixed to the bottom of the metal case.

【0053】さて、主ペルチェ素子と補助ペルチェ素子
の熱伝導絶縁板の熱的な性質は次のようにする。もし、
主ペルチェ素子の熱伝導絶縁板1−6が低温側である場
合には、熱伝導筒6を介して熱伝導絶縁板1−6に熱的
に接続される補助ペルチェ素子の熱伝導絶縁板1−6a
も低温側であるようにする。熱伝導絶縁板1−6が低温
側である時はレーザ・ダイオード4を冷却する時である
が、熱伝導絶縁板1−6aも低温側であるから図1又は
図2の温度制御モジュールによって温度制御能力が増し
て、レーザ・ダイオード4を早く冷却することができる
と共にレーザ・ダイオード4の温度制御を正確に行なう
ことができる。
The thermal properties of the heat conducting insulating plates of the main Peltier element and the auxiliary Peltier element are as follows. if,
When the heat conducting insulating plate 1-6 of the main Peltier element is on the low temperature side, the heat conducting insulating plate 1 of the auxiliary Peltier element thermally connected to the heat conducting insulating plate 1-6 via the heat conducting tube 6 -6a
Is also on the low temperature side. When the heat conducting insulating plate 1-6 is on the low temperature side, it is time to cool the laser diode 4. However, since the heat conducting insulating plate 1-6a is also on the low temperature side, the temperature is controlled by the temperature control module of FIG. 1 or FIG. The control capability is increased, so that the laser diode 4 can be cooled quickly and the temperature of the laser diode 4 can be accurately controlled.

【0054】逆に、レーザ・ダイオード4の温度を上昇
させる必要がある時には、主ペルチェ素子の駆動回路の
制御によって熱伝導絶縁板1−6が高温側になるが、補
助ペルチェ素子の熱伝導絶縁板1−6aも駆動回路の制
御によって高温側になるので図1又は図2の温度制御モ
ジュールによって温度制御能力が増して、レーザ・ダイ
オード4を早く温めることができると共にレーザ・ダイ
オード4の温度制御を正確に行なうことができる。
Conversely, when it is necessary to raise the temperature of the laser diode 4, the heat conduction insulating plate 1-6 is brought to a higher temperature side by controlling the drive circuit of the main Peltier element, but the heat conduction insulation of the auxiliary Peltier element is increased. Since the temperature of the plate 1-6a is also increased by the control of the drive circuit, the temperature control capability of the temperature control module of FIG. 1 or 2 is increased, so that the laser diode 4 can be heated quickly and the temperature of the laser diode 4 can be controlled. Can be performed accurately.

【0055】即ち、レーザ・ダイオード4が熱的に接触
している主ペルチェ素子の熱伝導絶縁板1−6と、補助
ペルチェ素子の熱伝導絶縁板1−6aとを熱伝導性が良
好な熱伝導筒6によって熱的に接続し、レーザ・ダイオ
ード4が熱的に接触している主ペルチェ素子の熱伝導絶
縁板1−6aと熱伝導筒6に熱的に接触している補助ペ
ルチェ素子の熱伝導絶縁板1−6aとを熱的に同じ性質
にすることが図1の構成の技術の根本である。
That is, the heat conductive insulating plate 1-6 of the main Peltier device and the heat conductive insulating plate 1-6a of the auxiliary Peltier device, which are in thermal contact with the laser diode 4, are connected to the heat conductive plate having good thermal conductivity. The thermally conductive insulating plate 1-6a of the main Peltier element thermally connected to the laser diode 4 and the auxiliary Peltier element thermally in contact with the thermally conductive cylinder 6 Making the heat conductive insulating plate 1-6a thermally the same in nature is the basis of the technique of the configuration of FIG.

【0056】そして、上記構成によれば、レーザ・ダイ
オードが熱的に接触している主ペルチェ素子の熱伝導絶
縁板と、該補助ペルチェ素子の一方の熱伝導絶縁板とが
熱伝導性が良好な熱伝導筒によって熱的に接続されるの
で、レーザ・ダイオードが熱的に接触している主ペルチ
ェ素子の熱伝導絶縁板と、該熱伝導筒に接触している該
補助ペルチェ素子の熱伝導絶縁板との温度差は小さくな
る。
According to the above configuration, the heat conduction insulating plate of the main Peltier element with which the laser diode is in thermal contact and one of the auxiliary Peltier elements have good thermal conductivity. The thermal conduction of the main Peltier element in thermal contact with the laser diode and the thermal conduction of the auxiliary Peltier element in contact with the thermal conduction cylinder. The temperature difference with the insulating plate becomes smaller.

【0057】しかも、レーザ・ダイオードが熱的に接触
している該主ペルチェ素子の熱伝導絶縁板と、該熱伝導
筒に熱的に接触している該補助ペルチェ素子の熱伝導絶
縁板とを熱的に同じ性質にするので、該レーザ・ダイオ
ードが熱的に接触している該主ペルチェ素子の熱伝導絶
縁板が低温側である場合には該熱伝導筒に熱的に接触し
ている該補助ペルチェ素子の熱伝導絶縁板も低温側にな
り、該レーザ・ダイオードが熱的に接触している該主ペ
ルチェ素子の熱伝導絶縁板が高温側である場合には該熱
伝導筒に熱的に接触している該補助ペルチェ素子の熱伝
導絶縁板も高温側になる。
In addition, the heat conducting insulating plate of the main Peltier element, which is in thermal contact with the laser diode, and the heat conducting insulating plate of the auxiliary Peltier element, which is in thermal contact with the heat conducting tube. Since the same thermal properties are provided, the laser diode is in thermal contact with the heat conducting cylinder when the heat conducting insulating plate of the main Peltier element is in thermal contact with the heat conducting cylinder. The heat conducting insulating plate of the auxiliary Peltier element is also on the low temperature side, and when the heat conducting insulating plate of the main Peltier element with which the laser diode is in thermal contact is on the high temperature side, heat is applied to the heat conducting cylinder. The thermally conductive insulating plate of the auxiliary Peltier element that is in contact with the substrate is also on the high temperature side.

【0058】従って、レーザ・ダイオードを冷却する必
要がある時には冷却能力が高くなり、レーザ・ダイオー
ドの温度を上昇させる必要がある時には温度上昇能力が
高くなって、レーザ・ダイオードの温度制御を正確に行
なうことが可能になる。図4は、本発明の温度制御モジ
ュールの第二の実施の形態で、レーザ・ダイオードの出
力光の光軸を含む平面で切った断面図である。
Therefore, when the laser diode needs to be cooled, the cooling capacity becomes high, and when it is necessary to raise the temperature of the laser diode, the temperature raising capacity becomes high, so that the temperature control of the laser diode can be performed accurately. It is possible to do. FIG. 4 is a sectional view of a temperature control module according to a second embodiment of the present invention, taken along a plane including an optical axis of output light of a laser diode.

【0059】図4において、1はペルチェ素子で、熱伝
導絶縁板1−6、熱伝導絶縁板1−7及び熱電半導体部
1−8によって構成される。尚、ペルチェ素子1を主ペ
ルチェ素子と呼ぶことにする。ここで、熱伝導絶縁板1
−6及び熱伝導絶縁板1−7は、表面に金属層を形成
し、該金属層の上にレーザ・ダイオード、サーミスタな
どをボンディングするので、通常セラミックが使用され
る。
In FIG. 4, reference numeral 1 denotes a Peltier element, which includes a heat conductive insulating plate 1-6, a heat conductive insulating plate 1-7, and a thermoelectric semiconductor portion 1-8. Note that the Peltier element 1 is referred to as a main Peltier element. Here, the heat conductive insulating plate 1
The -6 and the heat conductive insulating plate 1-7 have a metal layer formed on the surface, and a laser diode, a thermistor and the like are bonded on the metal layer. Therefore, ceramic is usually used.

【0060】尚、熱電半導体部1−8は、図14におけ
るP型熱電半導体1−1、N型熱電半導体1−2、金属
電極1−3、金属電極1−4及び金属電極1−5によっ
て構成されるものである。2はペルチェ素子1の一方の
熱伝導絶縁板1−7に接して、ペルチェ素子1が発熱す
る熱量を外部に伝導し、ペルチェ素子1が吸熱する熱量
を外部から伝導する放熱板である。尚、放熱板2は通常
金属板とするが、セラミックとすることを阻むものでは
ない。そして、放熱板2は図1又は図2の温度制御モジ
ュールを実装する金属ケースの底に固着されるのが通常
である。この場合、放熱板2と該金属ケースの底の接触
をよくするために、熱伝導性が良好なシリコーンの層を
介して放熱板2と該金属ケースの底を接触させた上で、
ネジなどによって固着することが好ましい。
The thermoelectric semiconductor section 1-8 is constituted by the P-type thermoelectric semiconductor 1-1, N-type thermoelectric semiconductor 1-2, metal electrodes 1-3, metal electrodes 1-4 and metal electrodes 1-5 in FIG. It is composed. Reference numeral 2 denotes a heat radiating plate which is in contact with one of the heat conducting insulating plates 1-7 of the Peltier element 1 and conducts the heat generated by the Peltier element 1 to the outside and transmits the heat absorbed by the Peltier element 1 from the outside. Note that the heat radiating plate 2 is usually a metal plate, but this does not preclude the use of ceramic. Then, the radiator plate 2 is usually fixed to the bottom of the metal case on which the temperature control module of FIG. 1 or 2 is mounted. In this case, in order to improve the contact between the heat radiating plate 2 and the bottom of the metal case, the heat radiating plate 2 is brought into contact with the bottom of the metal case via a layer of silicone having good thermal conductivity.
It is preferable to fix with a screw or the like.

【0061】3はペルチェ素子1の一方の熱伝導絶縁板
1−6に接着されたコバール板、4はコバール板3にボ
ンディングされたレーザ・ダイオード、5はコバール板
3にボンディングされてレーザ・ダイオード4の温度情
報を出力するサーミスタである。尚、通常はレーザ・ダ
イオード4のバック光を電気変換した信号を自動パワー
制御回路に供給するフォト・ダイオードや、レーザ・ダ
イオード4の出力光を光ファイバに結合するための、レ
ンズ・ホルダに固着されたレンズもコバール板3上に接
着されるが、本発明の本質ではないことと図面の煩雑化
を避けたいことによって図示を省略している。又、ペル
チェ素子に駆動電流を供給する配線なども図面の煩雑化
を避けたいために図示を省略している。
Reference numeral 3 denotes a Kovar plate bonded to one of the heat conducting insulating plates 1-6 of the Peltier element 1, 4 denotes a laser diode bonded to the Kovar plate 3, and 5 denotes a laser diode bonded to the Kovar plate 3. 4 is a thermistor that outputs temperature information. Normally, a photodiode that supplies a signal obtained by converting the back light of the laser diode 4 to an electric power control circuit or a lens holder for coupling the output light of the laser diode 4 to an optical fiber. The attached lens is also adhered on the Kovar plate 3, but is not shown because it is not the essence of the present invention and it is desired to avoid complication of the drawing. Also, wiring for supplying a drive current to the Peltier element and the like are not shown in order to avoid complication of the drawing.

【0062】ここで、ペルチェ素子1を構成する熱伝導
絶縁板1−6にコバール板3を接着して、コバール板3
の上にレーザ・ダイオード4及びサーミスタ5をボンデ
ィングするのは、コバール板3の熱膨張係数が小さいこ
とを利用して、温度変動による熱伝導絶縁板1−6の膨
張又は収縮によってレーザ・ダイオード4及びサーミス
タ5に応力がかからないようにするためと、レーザ・ダ
イオード4と図示していない光学素子の相対位置の変化
を防止するためである。
Here, the Kovar plate 3 is adhered to the heat conductive insulating plate 1-6 constituting the Peltier element 1, and the Kovar plate 3
The laser diode 4 and the thermistor 5 are bonded on the substrate by utilizing the small thermal expansion coefficient of the Kovar plate 3 and expanding or contracting the heat conductive insulating plate 1-6 due to temperature fluctuation. This is to prevent stress from being applied to the thermistor 5 and to prevent a change in the relative position between the laser diode 4 and an optical element (not shown).

【0063】又、図4ではレーザ・ダイオード4がコバ
ール板3上に直接ボンディングされているように図示し
ているが、レーザ・ダイオード4の出力光の光軸と外部
の光ファイバの光軸を合わせるためにコバール板3に台
を接着した上にレーザ・ダイオード4をボンディングす
ることもある。6は熱伝導筒で、レーザ・ダイオード4
の出力光の光軸に当たる所に穴6−1を備えている。熱
伝導筒6については既に詳細に説明してある。
FIG. 4 shows that the laser diode 4 is directly bonded on the Kovar plate 3, but the optical axis of the output light of the laser diode 4 and the optical axis of the external optical fiber are aligned. In some cases, a laser diode 4 is bonded to the Kovar plate 3 after the base is adhered thereto. Reference numeral 6 denotes a heat conducting tube, and a laser diode 4
A hole 6-1 is provided at the position corresponding to the optical axis of the output light. The heat conduction cylinder 6 has already been described in detail.

【0064】1aはペルチェ素子で、ペルチェ素子1と
同様に熱伝導絶縁板1−6a、熱伝導絶縁板1−7a及
び熱電半導体部1−8aによって構成される。又、1b
はペルチェ素子で、ペルチェ素子1と同様に熱伝導絶縁
板1−6b、熱伝導絶縁板1−7b及び熱電半導体部1
−8bによって構成される。尚、ペルチェ素子1aとペ
ルチェ素子1bを積層した物を補助ペルチェ素子と呼ぶ
ことにする。
Reference numeral 1a denotes a Peltier device, which is composed of a heat conductive insulating plate 1-6a, a heat conductive insulating plate 1-7a, and a thermoelectric semiconductor portion 1-8a, like the Peltier device 1. Also, 1b
Denotes a Peltier device, and similarly to the Peltier device 1, a heat conductive insulating plate 1-6b, a heat conductive insulating plate 1-7b, and a thermoelectric semiconductor unit 1
-8b. A stack of the Peltier element 1a and the Peltier element 1b is called an auxiliary Peltier element.

【0065】2aはペルチェ素子1bの一方の熱伝導絶
縁板1−7bに接して、ペルチェ素子1bが発熱する熱
量を外部に伝導し、ペルチェ素子1bが吸熱する熱量を
外部から伝導する放熱板である。尚、放熱板2aは通常
金属板とするが、セラミックとすることを阻むものでは
ない。又、放熱板2aは図4の温度制御モジュールを実
装する金属ケースの天板を装着した時に、該天板に熱的
に接触できることが好ましい。ただ、金属製又はセラミ
ック製の放熱板2bと該金属製の該天板を広面積で面接
触させることは難しいので、放熱板2bの上面にはシリ
コーンなど比較的熱伝導性が良好で、圧力で変形しやす
い物質の層を形成しておくのが好ましい。
Reference numeral 2a denotes a heat radiating plate which is in contact with one of the heat conducting insulating plates 1-7b of the Peltier element 1b, conducts the heat generated by the Peltier element 1b to the outside, and conducts the heat absorbed by the Peltier element 1b from the outside. is there. The heat radiating plate 2a is usually a metal plate, but this does not prevent the heat radiating plate 2a from being made of ceramic. It is preferable that the heat radiating plate 2a can be in thermal contact with the top plate of the metal case on which the temperature control module of FIG. 4 is mounted. However, since it is difficult to bring the metal or ceramic heat radiating plate 2b into contact with the metal top plate in a wide area, it is relatively good in thermal conductivity such as silicone on the upper surface of the heat radiating plate 2b. It is preferable to form a layer of a substance which is easily deformed by the above method.

【0066】尚、図4においても、図の簡略化のために
各々のペルチェ素子に駆動電流を供給するための配線な
ども図示を省略している。図4の温度制御モジュールの
組み立て手順は、ペルチェ素子1aとペルチェ素子1b
が積層されることが図1又は図2の温度制御モジュール
と異なるだけであるので、記載を省略する。
In FIG. 4, wirings for supplying a drive current to each Peltier element are not shown for simplification of the drawing. The assembling procedure of the temperature control module shown in FIG. 4 includes a Peltier device 1a and a Peltier device 1b.
Are merely different from the temperature control module shown in FIG. 1 or FIG.

【0067】さて、主ペルチェ素子と補助ペルチェ素子
の各熱伝導絶縁板の熱的な性質は下記のようにする。ま
ず、主ペルチェ素子であるペルチェ素子1の熱伝導絶縁
板1−6と補助ペルチェ素子を構成するペルチェ素子1
aの熱伝導絶縁板1−6aの熱的な性質を同じにする必
要があることは図1又は図2の温度制御モジュールと同
様である。従って、ここで考慮すべきは補助ペルチェ素
子を構成するペルチェ素子1aとペルチェ素子1bの熱
伝導絶縁板の熱的な性質をどうすればよいかということ
に絞られる。
The thermal properties of the heat conducting insulating plates of the main Peltier element and the auxiliary Peltier element are as follows. First, the Peltier element 1 constituting the auxiliary Peltier element and the heat conductive insulating plate 1-6 of the Peltier element 1 as the main Peltier element
It is the same as the temperature control module of FIG. 1 or FIG. 2 that the thermal properties of the heat conductive insulating plates 1-6a need to be the same. Therefore, what should be considered here is what to do with the thermal properties of the heat conducting insulating plates of the Peltier elements 1a and 1b constituting the auxiliary Peltier elements.

【0068】もし、ペルチェ素子1aの熱伝導絶縁板1
−6aが低温側であれば、ペルチェ素子1aの熱伝導絶
縁板1−7aは当然高温側で、ペルチェ素子1aが発熱
する熱量を放熱しようとしている。従って、ペルチェ素
子1bの熱伝導絶縁板1−6bを低温側に制御すれば、
ペルチェ素子1aの熱伝導絶縁板1−7aを冷却するこ
とができる。そして、ペルチェ素子1bの熱伝導絶縁板
1−7bが放熱板2aに熱的に接触しているので、ペル
チェ素子1bが発熱する熱量を放熱板2aに伝導するこ
とができる。
If the heat conduction insulating plate 1 of the Peltier element 1a
If -6a is on the low temperature side, the heat conduction insulating plate 1-7a of the Peltier element 1a is naturally on the high temperature side and is trying to radiate the heat generated by the Peltier element 1a. Therefore, if the heat conduction insulating plate 1-6b of the Peltier element 1b is controlled to the low temperature side,
The heat conductive insulating plate 1-7a of the Peltier element 1a can be cooled. Since the heat conductive insulating plate 1-7b of the Peltier element 1b is in thermal contact with the heat sink 2a, the heat generated by the Peltier element 1b can be transmitted to the heat sink 2a.

【0069】即ち、複数のペルチェ素子を積層した補助
ペルチェ素子において、積層されるペルチェ素子が互い
に接触する熱伝導絶縁板の熱的な性質を逆にする必要が
ある。そして、熱伝導筒6によって熱的に接続される補
助ペルチェ素子と主ペルチェ素子の熱伝導絶縁板の熱的
な性質は同じにすることが図4の構成の温度制御モジュ
ールの根本である。
That is, in an auxiliary Peltier element in which a plurality of Peltier elements are stacked, it is necessary to reverse the thermal properties of the heat conducting insulating plates in which the stacked Peltier elements are in contact with each other. It is the root of the temperature control module having the configuration in FIG. 4 that the auxiliary Peltier element thermally connected by the heat conduction tube 6 and the main Peltier element have the same thermal properties.

【0070】そして、上記構成によれば、図1の構成の
レーザ・ダイオードの温度制御モジュールにおいて、複
数のペルチェ素子を積層して上記補助ペルチェ素子を構
成し、該熱伝導筒によって熱的に接続される上記主ペル
チェ素子の熱伝導絶縁板と該補助ペルチェ素子の熱伝導
絶縁板の熱的な性質を同じにするので、該補助ペルチェ
素子は主ペルチェ素子と同じ方向の温度制御を行なう。
According to the above configuration, in the laser diode temperature control module having the configuration shown in FIG. 1, a plurality of Peltier elements are stacked to form the auxiliary Peltier element, and the Peltier element is thermally connected by the heat conducting tube. Since the thermal properties of the heat conducting insulating plate of the main Peltier element and the heat conducting insulating plate of the auxiliary Peltier element are made the same, the auxiliary Peltier element performs temperature control in the same direction as the main Peltier element.

【0071】しかも、積層されるペルチェ素子が互いに
接触する熱伝導絶縁板の熱的な性質を逆にするので、積
層された複数のペルチェ素子の2つの熱伝導絶縁板の温
度の高低は同じ方向になる。このため、積層された複数
のペルチェ素子は互いに温度制御能力を高め合うので該
補助ペルチェ素子の温度制御能力が高まる結果、上記主
ペルチェ素子、該熱伝導筒及び該補助ペルチェ素子によ
って構成されるレーザ・ダイオードの温度制御モジュー
ル自体の温度制御能力が高まって、レーザ・ダイオード
の温度制御を一層正確に行なうことが可能になる。
Further, since the thermal properties of the heat conducting insulating plates in contact with the stacked Peltier devices are reversed, the temperature of the two heat conducting insulating plates of the stacked Peltier devices is in the same direction. become. Therefore, the plurality of stacked Peltier elements enhance the temperature control ability of each other, so that the temperature control ability of the auxiliary Peltier element is increased. As a result, the laser constituted by the main Peltier element, the heat conducting tube, and the auxiliary Peltier element The temperature control capability of the diode temperature control module itself is increased, so that the temperature control of the laser diode can be performed more accurately.

【0072】以上で、本発明のレーザ・ダイオードの温
度制御モジュールの構造と温度制御能力に関する説明を
終了して、以降は本発明のレーザ・ダイオードの温度制
御モジュールの駆動方式について説明する。図5は、主
ペルチェ素子及び補助ペルチェ素子の駆動回路(その
1)で、レーザ・ダイオードの温度を参照して補助ペル
チェ素子の作動を決定する方式に対応し、温度制御モジ
ュールの制御をソフト的に行なうことを想定したもので
ある。
The description of the structure and the temperature control capability of the laser diode temperature control module according to the present invention has been completed. The driving method of the laser diode temperature control module according to the present invention will be described below. FIG. 5 shows a drive circuit (No. 1) for the main Peltier element and the auxiliary Peltier element, which corresponds to a method of determining the operation of the auxiliary Peltier element with reference to the temperature of the laser diode, and controls the temperature control module by software. It is supposed to be performed in the following.

【0073】図5において、7は主ペルチェ素子(図で
はペルチェ素子をThermal ElectricControllerの頭文字
による略語「TEC」で表わしている。以降も、図では
同様に記載する。)、7aは補助ペルチェ素子で、主ペ
ルチェ素子7及び補助ペルチェ素子7aは熱的に接続さ
れている。尚、補助ペルチェ素子7aが単一のペルチェ
素子で構成されるか、複数のペルチェ素子を積層したも
のかはここでは関係がない。
In FIG. 5, reference numeral 7 denotes a main Peltier element (in the figure, the Peltier element is represented by an abbreviation "TEC" with an acronym of "Thermal Electric Controller". Hereinafter, the same applies in the figure), and reference numeral 7a denotes an auxiliary Peltier element. The main Peltier element 7 and the auxiliary Peltier element 7a are thermally connected. Here, it does not matter whether the auxiliary Peltier element 7a is constituted by a single Peltier element or a plurality of Peltier elements laminated.

【0074】8は主ペルチェ素子7を駆動するドライバ
(図では「TEC DRV」と記載している。以降も、
図では同様に記載する。)、8aは補助ペルチェ素子7
aを駆動するドライバ、5は主ペルチェ素子7と熱的に
接触していてレーザ・ダイオードの温度情報をアナログ
量で出力するサーミスタ、10はサーミスタ5が出力す
るアナログ量の温度情報をデジタル量に変換するアナロ
グ・デジタル変換器(図ではAnalog Degital Converter
の一部頭文字を使って「A/D」と略記している。以降
も、図では同様に記載する。)、11は中央処理ユニッ
ト(図では「CPU」と略記している。これは、Centra
l Processing Unit の頭文字による略語である。)、1
2は中央処理ユニット11のバス、13はテンポラリー
にプログラムやデータを格納するランダム・アクセス・
メモリ(図ではRandom Access Memoryの頭文字による略
語「RAM」を記載している。以降も、図では同様に記
載する。)、14はプログラムや設定データを格納する
読み出し専用メモリ(図では「ROM」と記載してい
る。これは、Read Only Memoryの頭文字による略語であ
る。以降も、図では同様に記載する。)、15は入出力
インタフェース(図ではInput Output Interfaceの一部
頭文字によって「I/O」と略記している。以降も、図
では同様に記載する。)、9はドライバ8に駆動電流に
対応する制御量を供給するデジタル・アナログ変換器
(図では「D/A」と略記している。これはDegital An
alog Converterの一部頭文字による略語である。以降
も、図では同様に記載する。)、9aはドライバ8aに
駆動電流に対応する制御量を供給するデジタル・アナロ
グ変換器である。
Reference numeral 8 denotes a driver for driving the main Peltier element 7 (in the figure, "TEC DRV".
In the figure, they are similarly described. ), 8a are auxiliary Peltier elements 7
a, a thermistor 5 which is in thermal contact with the main Peltier element 7 and outputs the temperature information of the laser diode as an analog quantity; and 10, a digital quantity which converts the analog temperature information output by the thermistor 5 into a digital quantity. The analog / digital converter to be converted (Analog Digital Converter in the figure)
"A / D" is abbreviated using a part of initials. Hereinafter, the same description is used in the drawings. ) And 11 are a central processing unit (abbreviated as “CPU” in the figure.
l Abbreviation for Processing Unit. ), 1
2 is a bus of the central processing unit 11, and 13 is a random access memory for temporarily storing programs and data.
A memory (abbreviation “RAM” with an acronym of Random Access Memory is described in the figure. Hereinafter, the same is described in the figure), a read-only memory (ROM in the figure) for storing programs and setting data This is an abbreviation using an acronym for Read Only Memory. Hereinafter, the description is similarly given in the figures.) And 15 are input / output interfaces (in the figure, a partial abbreviation of Input Output Interface is used). This is abbreviated as “I / O.” Hereinafter, the description is similarly given in the figure.) 9 is a digital-analog converter (“D / A” in the figure) that supplies a control amount corresponding to the drive current to the driver 8. This is Digital An
This is an abbreviation of alog Converter with some initials. Hereinafter, the same description is used in the drawings. ) And 9a are digital / analog converters for supplying a control amount corresponding to the drive current to the driver 8a.

【0075】図5の構成において、サーミスタ5は主ペ
ルチェ素子7と熱的に接触していてレーザ・ダイオード
の温度情報をアナログ量で出力する。サーミスタ5のア
ナログ出力をアナログ・デジタル変換器10がデジタル
量に変換して入出力インタフェース15を介して中央処
理ユニットに供給する。中央処理ユニット11は該温度
情報をランダム・アクセス・メモリ13に格納し、該温
度情報を参照すると共に、温度に対応して主ペルチェ素
子7及び補助ペルチェ素子7aに供給すべき電流を読み
出し専用メモリ14から読み出して、入出力インタフェ
ース15を介してデジタル・アナログ変換器9及びデジ
タル・アナログ変換器9aに供給する。そして、デジタ
ル・アナログ変換器9の出力に対応してドライバ8が主
ペルチェ素子7に駆動電流を供給し、デジタル・アナロ
グ変換器9aの出力に対応してドライバ8aが補助ペル
チェ素子7aに駆動電流を供給する。
In the configuration shown in FIG. 5, the thermistor 5 is in thermal contact with the main Peltier element 7 and outputs the temperature information of the laser diode in an analog amount. The analog-to-digital converter 10 converts the analog output of the thermistor 5 into a digital quantity and supplies the digital quantity via the input / output interface 15 to the central processing unit. The central processing unit 11 stores the temperature information in the random access memory 13, refers to the temperature information, and reads the current to be supplied to the main Peltier element 7 and the auxiliary Peltier element 7a corresponding to the temperature in a read-only memory. 14, and supplies the digital / analog converter 9 and the digital / analog converter 9 a via the input / output interface 15. The driver 8 supplies a driving current to the main Peltier element 7 in accordance with the output of the digital / analog converter 9, and the driver 8a supplies a driving current to the auxiliary Peltier element 7a in accordance with the output of the digital / analog converter 9a. Supply.

【0076】図6は、主ペルチェ素子及び補助ペルチェ
素子の駆動方式(その1)で、図5の構成に対応する駆
動方式を示すものである。以降、図6の符号に沿って説
明する。 M1.予め、設計者又は光通信システムの運用者が、主
ペルチェ素子に当初供給する初期電流、補助ペルチェ素
子を作動させる規定温度及び補助ペルチェ素子を作動さ
せる時に供給する一定電流を入力しておく。規定温度を
S とする。
FIG. 6 shows a driving method (part 1) of the main Peltier element and the auxiliary Peltier element, and shows a driving method corresponding to the configuration of FIG. Hereinafter, description will be made along the reference numerals in FIG. M1. The designer or the operator of the optical communication system inputs in advance the initial current initially supplied to the main Peltier element, the specified temperature for operating the auxiliary Peltier element, and the constant current supplied when operating the auxiliary Peltier element. Let the prescribed temperature be T S.

【0077】M2.又、設計者又は光通信システムの運
用者が、レーザ・ダイオードの温度に対応する主ペルチ
ェ素子に供給すべき電流値を入力しておく。以降が、図
5の構成による処理動作である。 S1.中央処理ユニットは主ペルチェ素子をオンにす
る。この時には、ステップM1で設定した初期電流を供
給する。
M2. In addition, the designer or the operator of the optical communication system inputs a current value to be supplied to the main Peltier element corresponding to the temperature of the laser diode. The following is the processing operation by the configuration of FIG. S1. The central processing unit turns on the main Peltier device. At this time, the initial current set in step M1 is supplied.

【0078】これは、中央処理ユニットが初期電流を読
み出し専用メモリから読み出して入出力インタフェース
を介してデジタル・アナログ変換器に供給し、デジタル
・アナログ変換器の出力に対応して主ペルチェ素子のド
ライバが主ペルチェ素子を駆動することで実行される。 S2.レーザ・ダイオードの温度を測定する。測定され
た温度をTL とする。
This is because the central processing unit reads the initial current from the read-only memory, supplies the initial current to the digital-to-analog converter via the input / output interface, and responds to the output of the digital-to-analog converter to drive the main Peltier element driver. Is executed by driving the main Peltier element. S2. Measure the temperature of the laser diode. Let the measured temperature be T L.

【0079】これは、サーミスタ5が出力するレーザ・
ダイオードの温度に対応する温度情報をアナログ・デジ
タル変換器がデジタル変換して中央処理ユニットに供給
することで実行される。 S4.測定温度TL が規定温度TS を超えているか否か
判定する。 S5.ステップS4で、測定温度TL が規定温度TS
超えていると判定した場合(Yes)には、補助ペルチ
ェ素子をオンにする。
This corresponds to the laser output from the thermistor 5.
This is performed by the analog-to-digital converter converting the temperature information corresponding to the temperature of the diode into a digital signal and supplying the digital signal to the central processing unit. S4. It determines whether the measured temperature T L exceeds the prescribed temperature T S. S5. In step S4, in a case where the measured temperature T L is determined to exceed the predetermined temperature T S (Yes), to turn on the auxiliary Peltier element.

【0080】S6.補助ペルチェ素子に一定電流を供給
する。これは、ステップS1における主ペルチェ素子の
駆動と類似の処理によって行なわれる。 S7.ステップS4で、測定温度TL が規定温度TS
超えていないと判定した場合(No)には、補助ペルチ
ェ素子をオフにする。
S6. A constant current is supplied to the auxiliary Peltier device. This is performed by a process similar to the driving of the main Peltier element in step S1. S7. In step S4, if the measured temperature T L is determined not to exceed the specified temperature T S (No) turns off the auxiliary Peltier element.

【0081】実際には、温度制御モジュールの駆動回路
が駆動された当初は補助ペルチェ素子はオフになってい
るので、オフ状態を継続すればよい。一方、一旦補助ペ
ルチェ素子がオンにされた後で補助ペルチェ素子を停止
してもよくなった時には、このステップで補助ペルチェ
素子をオフにする。 S8.ステップS2で測定した温度TL に対応する電流
を読み出し専用メモリから読み出して、 S9.主ペルチェ素子の電流を更新する。
Actually, since the auxiliary Peltier element is off at the beginning when the drive circuit of the temperature control module is driven, the off state may be continued. On the other hand, when the auxiliary Peltier element can be stopped after the auxiliary Peltier element is once turned on, the auxiliary Peltier element is turned off in this step. S8. The current corresponding to the temperature TL measured in step S2 is read from the read-only memory, and S9. Update the current of the main Peltier device.

【0082】この後、定期的にステップS2のレーザ・
ダイオードの温度測定を行ない、測定温度に対応してス
テップS4乃至ステップS9の処理を繰り返す。図7
は、主ペルチェ素子と補助ペルチェ素子の駆動方式を説
明する図(その1)で、図7(イ)はレーザ・ダイオー
ドの温度変化、図7(ロ)は補助ペルチェ素子の駆動電
流、図7(ハ)は主ペルチェ素子の駆動電流を示す。い
ずれも、横軸は時刻である。
Thereafter, the laser beam of step S2 is periodically
The temperature of the diode is measured, and the processing of steps S4 to S9 is repeated according to the measured temperature. FIG.
7A and 7B are diagrams for explaining a driving method of a main Peltier element and an auxiliary Peltier element (part 1). FIG. 7A shows a temperature change of a laser diode, FIG. 7B shows a driving current of an auxiliary Peltier element, and FIG. (C) shows the drive current of the main Peltier element. In each case, the horizontal axis is time.

【0083】図7(イ)において、レーザ・ダイオード
の温度が時刻0でT1 であり、補助ペルチェ素子を冷却
モードで作動させるべき温度T2 を超えているものとす
る。そして、温度T1 においては、主ペルチェ素子は冷
却モードの最大電流で作動するものとする。従って、図
7(ロ)に示す如く補助ペルチェ素子には時刻0に一定
電流IA が供給される。又、主ペルチェ素子は最大電流
1 で作動する。
In FIG. 7A, it is assumed that the temperature of the laser diode is T 1 at time 0, and exceeds the temperature T 2 at which the auxiliary Peltier element is to be operated in the cooling mode. Then, at the temperature T 1, the main Peltier device shall operate at a maximum current of cooling mode. Thus, a constant current I A is supplied to the time 0 in the auxiliary Peltier element as shown in FIG. 7 (b). The main Peltier element is operated with a maximum current I 1.

【0084】主ペルチェ素子も補助ペルチェ素子も作動
してレーザ・ダイオードを冷却するので、レーザ・ダイ
オードの温度は下降するが、ここでは時刻t1 まではレ
ーザ・ダイオードの温度がT1 を保ち、時刻t1 から実
際にレーザ・ダイオードの温度が下降し、時刻t3 で一
定温度T3 になるものとし、時刻t2 で規定温度TS
通過するものとする。
The temperature of the laser diode drops because both the main Peltier element and the auxiliary Peltier element operate to cool the laser diode. However, here, the temperature of the laser diode keeps T 1 until time t 1 , Indeed the temperature of the laser diode is lowered from time t 1, it is assumed that a constant temperature T 3 at time t 3, and which pass the specified temperature T S at time t 2.

【0085】従って、図7(ハ)の如く、主ペルチェ素
子は時刻t1 までは最大電流I1 で作動し、時刻t1
降主ペルチェ素子の駆動電流は減少してゆく。一方、時
刻t2 でレーザ・ダイオードの温度が規定温度TS を下
回るので、図7(ロ)の如く、時刻t2 において補助ペ
ルチェ素子はオフにされる。従って、時刻t2 以降は主
ペルチェ素子だけでレーザ・ダイオードの冷却を行な
う。尚、時刻t2 における主ペルチェ素子の駆動電流を
2 とする。
Therefore, as shown in FIG. 7C, the main Peltier element operates at the maximum current I 1 until time t 1, and the drive current of the main Peltier element decreases after time t 1 . On the other hand, the temperature of the laser diode at time t 2 since below a specified temperature T S, as shown in FIG. 7 (b), the auxiliary Peltier element at time t 2 is turned off. Therefore, the time t 2 subsequent to cool the laser diode only main Peltier element. Incidentally, the driving current of the main Peltier element at time t 2 and I 2.

【0086】そして、時刻t3 以降はレーザ・ダイオー
ドの温度が一定になるので、主ペルチェ素子の駆動電流
も一定の電流I3 を保つ。図8は、主ペルチェ素子と補
助ペルチェ素子の駆動方式を説明する図(その2)で、
主ペルチェ素子と補助ペルチェ素子の駆動電流とレーザ
・ダイオードの温度との関係を図示したものである。従
って、縦軸が電流、横軸が温度である。
Since the temperature of the laser diode becomes constant after time t 3 , the drive current of the main Peltier element also maintains a constant current I 3 . FIG. 8 is a diagram (part 2) for explaining a driving method of the main Peltier element and the auxiliary Peltier element.
FIG. 3 illustrates the relationship between the drive currents of the main Peltier element and the auxiliary Peltier element and the temperature of the laser diode. Therefore, the vertical axis represents current, and the horizontal axis represents temperature.

【0087】実は、この図は図7(イ)、図7(ロ)及
び図7(ハ)から作成することができるものである。即
ち、温度T1 の時には主ペルチェ素子の電流は最大電流
1であり、補助ペルチェ素子の電流は一定電流IA
ある。温度が規定温度TS に達すると補助ペルチェ素子
はオフになるので電流が0になり、温度がTS の時には
主ペルチェ素子の電流はI2 である。そして、温度がT
2 になった時に主ペルチェ素子の電流はI3 である。従
って、主ペルチェ素子の温度に対する電流は温度T1
上では最大電流で一定であり、温度T1 未満では主ペル
チェ素子の電流の変化は上記のポイントをつなげば得ら
れる。そして、それを外挿すればやがてマイナスの電流
になる。これは、レーザ・ダイオードの温度が低くなっ
て反対に温める必要が生ずることを意味する。そして、
温めるには主ペルチェ素子の電流の方向を逆転させれば
よい。この手段は公知であるので、ここでは詳述するこ
とを避ける。
Actually, this figure can be created from FIGS. 7 (a), 7 (b) and 7 (c). That is, current of the main Peltier element when the temperatures T 1 is the maximum current I 1, the current of the auxiliary Peltier element is constant current I A. When the temperature reaches the specified temperature T S , the auxiliary Peltier element is turned off, so that the current becomes 0. When the temperature is T S , the current of the main Peltier element is I 2 . And the temperature is T
Current of the main Peltier element when it is 2 is I 3. Therefore, current to the temperature of the main Peltier element is constant at the maximum current is at a temperature above T 1, the change in current of the main Peltier device is less than temperature T 1 of the obtained if connecting the points mentioned above. Then, if it is extrapolated, it will eventually become a negative current. This means that the temperature of the laser diode will decrease and will need to be warmed up. And
The direction of the current of the main Peltier element can be reversed in order to warm the element. This means is well known and will not be described in detail here.

【0088】つまり、上記処理によって、レーザ・ダイ
オードの測定温度が設定温度を超える場合に上記補助ペ
ルチェ素子に規定の駆動電流を供給し、主ペルチェ素子
には該測定温度に対応して設定されている駆動電流を供
給するので、レーザ・ダイオードの温度制御モジュール
の温度制御能力が高まり、レーザ・ダイオードの温度を
正確に制御することができる。
That is, by the above processing, when the measured temperature of the laser diode exceeds the set temperature, a specified drive current is supplied to the auxiliary Peltier element, and the main Peltier element is set in accordance with the measured temperature. Since a certain drive current is supplied, the temperature control capability of the temperature control module of the laser diode is enhanced, and the temperature of the laser diode can be accurately controlled.

【0089】一方、該レーザ・ダイオードの温度が設定
温度以内の場合には該補助ペルチェ素子に駆動電流を供
給せず、該主ペルチェ素子には該測定温度に対応して設
定されている駆動電流を供給するので、レーザ・ダイオ
ードの温度制御モジュールの駆動電力を縮減しながらレ
ーザ・ダイオードの温度制御を行なうことができる。図
9は、主ペルチェ素子及び補助ペルチェ素子の駆動回路
(その2)で、レーザ・ダイオードの温度以外に主ペル
チェ素子の駆動電流も測定して、補助ペルチェ素子の作
動を決定する方式に対応しており、温度制御モジュール
の制御をソフト的に行なうことを想定したものである。
On the other hand, when the temperature of the laser diode is within the set temperature, no driving current is supplied to the auxiliary Peltier element, and the driving current set corresponding to the measured temperature is supplied to the main Peltier element. Is supplied, the laser diode temperature control can be performed while reducing the drive power of the laser diode temperature control module. FIG. 9 shows a drive circuit (part 2) for the main Peltier element and the auxiliary Peltier element, which corresponds to a method for determining the operation of the auxiliary Peltier element by measuring the drive current of the main Peltier element in addition to the temperature of the laser diode. It is assumed that the control of the temperature control module is performed by software.

【0090】図9において、7は主ペルチェ素子、7a
は補助ペルチェ素子で、主ペルチェ素子7および補助ペ
ルチェ素子7aは熱的に接続されている。8は主ペルチ
ェ素子7を駆動するドライバ、8aは補助ペルチェ素子
7aを駆動するドライバ、5は主ペルチェ素子7と熱的
に接触していてレーザ・ダイオードの温度情報をアナロ
グ量で出力するサーミスタ、10はサーミスタ5が出力
する温度情報のアナログ量をデジタル量に変換するアナ
ログ・デジタル変換器、10aはドライバ8が出力する
主ペルチェ素子の電流情報のアナログ量をデジタル量に
変換するアナログ・デジタル変換器、12は中央処理ユ
ニット11のバス、13はテンポラリーにプログラムや
データを格納するランダム・アクセス・メモリ、14は
プログラムや設定データを格納する読み出し専用メモ
リ、15は入出力インタフェース、9はドライバ8に駆
動電流に対応する制御量を供給するデジタル・アナログ
変換器、9aはドライバ8aに駆動電流に対応する制御
量を供給するデジタル・アナログ変換器である。
In FIG. 9, 7 is a main Peltier element, 7a
Is an auxiliary Peltier element, and the main Peltier element 7 and the auxiliary Peltier element 7a are thermally connected. 8 is a driver for driving the main Peltier element 7; 8a is a driver for driving the auxiliary Peltier element 7a; 5 is a thermistor which is in thermal contact with the main Peltier element 7 and outputs temperature information of the laser diode in an analog amount; An analog-to-digital converter 10 converts an analog amount of temperature information output from the thermistor 5 into a digital amount, and an analog-to-digital converter 10a converts an analog amount of current information of the main Peltier element output from the driver 8 into a digital amount. 12 is a bus of the central processing unit 11, 13 is a random access memory for temporarily storing programs and data, 14 is a read-only memory for storing programs and setting data, 15 is an input / output interface, 9 is a driver 8 -To-analog converter that supplies a control amount corresponding to the drive current to the 9a is a digital-to-analog converter for supplying a control amount corresponding to the driving current to the driver 8a.

【0091】図9の構成においても、サーミスタ5は主
ペルチェ素子7と熱的に接触していてレーザ・ダイオー
ドの温度情報をアナログ量で出力する。サーミスタ5の
アナログ出力をアナログ・デジタル変換器10がデジタ
ル量に変換して入出力インタフェース15を介して中央
処理ユニットに供給する。一方、ドライバ8は主ペルチ
ェ素子の駆動電流情報をアナログ量で出力する。ドライ
バ8のアナログ出力をアナログ・デジタル変換器10a
がデジタル量に変換して入出力インタフェース15を介
して中央処理ユニットに供給する。中央処理ユニット1
1は該温度情報と該電流情報をランダム・アクセス・メ
モリ13に格納し、該温度情報及び該電流情報を参照す
ると共に、温度に対応して主ペルチェ素子7及び補助ペ
ルチェ素子7aに供給すべき電流を読み出し専用メモリ
14から読み出して、入出力インタフェース15を介し
てデジタル・アナログ変換器9及びデジタル・アナログ
変換器9aに供給する。そして、デジタル・アナログ変
換器9の出力に対応してドライバ8が主ペルチェ素子7
に駆動電流を供給し、デジタル・アナログ変換器9aの
出力に対応してドライバ8aが補助ペルチェ素子7aに
駆動電流を供給する。
Also in the configuration of FIG. 9, the thermistor 5 is in thermal contact with the main Peltier element 7 and outputs the temperature information of the laser diode in an analog amount. The analog-to-digital converter 10 converts the analog output of the thermistor 5 into a digital quantity and supplies the digital quantity via the input / output interface 15 to the central processing unit. On the other hand, the driver 8 outputs drive current information of the main Peltier element in an analog amount. The analog output of the driver 8 is converted to an analog / digital converter 10a.
Are converted into digital quantities and supplied to the central processing unit via the input / output interface 15. Central processing unit 1
1 stores the temperature information and the current information in the random access memory 13, refers to the temperature information and the current information, and supplies the information to the main Peltier element 7 and the auxiliary Peltier element 7a according to the temperature. The current is read from the read-only memory 14 and supplied to the digital / analog converter 9 and the digital / analog converter 9a via the input / output interface 15. The driver 8 is connected to the main Peltier device 7 in accordance with the output of the digital / analog converter 9.
And a driver 8a supplies a driving current to the auxiliary Peltier element 7a in accordance with the output of the digital / analog converter 9a.

【0092】図10は、主ペルチェ素子及び補助ペルチ
ェ素子の駆動方式(その2)で、図9の構成に対応する
ものである。以降、図9の符号に沿って説明する。尚、
実は図10の処理は図6の処理に類似したものである
が、図10において変わった部分だけ説明しても理解し
にくいと思われるので、敢えて図6と同じように説明す
る。
FIG. 10 shows a driving method (part 2) of the main Peltier element and the auxiliary Peltier element, which corresponds to the configuration of FIG. Hereinafter, description will be made along the reference numerals in FIG. still,
Actually, the processing in FIG. 10 is similar to the processing in FIG. 6, but it is considered difficult to understand only the changed parts in FIG.

【0093】M1.予め、設計者又は光通信システムの
運用者が、主ペルチェ素子に当初供給する初期電流、補
助ペルチェ素子を作動させる規定温度及び補助ペルチェ
素子を作動させる主ペルチェ素子の規定電流と補助ペル
チェ素子を作動させる時に供給する一定電流を入力して
おく。該規定温度をTS 、該規定電流をIS とする。 M2.又、設計者又は光通信システムの運用者が、レー
ザ・ダイオードの温度に対応する主ペルチェ素子に供給
すべき電流値を入力しておく。
M1. In advance, the designer or the operator of the optical communication system operates an initial current initially supplied to the main Peltier element, a specified temperature for operating the auxiliary Peltier element, a specified current of the main Peltier element for operating the auxiliary Peltier element, and operating the auxiliary Peltier element. Input a constant current to be supplied when making it. The specified temperature is T S and the specified current is I S. M2. In addition, the designer or the operator of the optical communication system inputs a current value to be supplied to the main Peltier element corresponding to the temperature of the laser diode.

【0094】以降が、図9の構成による処理動作であ
る。 S1.中央処理ユニットは主ペルチェ素子をオンにす
る。この時には、初期電流を供給する。これは、中央処
理ユニットが初期電流を読み出し専用メモリから読み出
して入出力インタフェースを介してデジタル・アナログ
変換器に供給し、デジタル・アナログ変換器の出力に対
応して主ペルチェ素子のドライバが主ペルチェ素子を駆
動することで実行される。
The following is the processing operation by the configuration of FIG. S1. The central processing unit turns on the main Peltier device. At this time, an initial current is supplied. This is because the central processing unit reads the initial current from the read-only memory, supplies it to the digital-to-analog converter via the input / output interface, and the driver of the main Peltier element corresponds to the output of the digital-to-analog converter. This is performed by driving the element.

【0095】S2.レーザ・ダイオードの温度を測定す
る。測定された温度をTL とする。これは、サーミスタ
5が出力するレーザ・ダイオードの温度に対応する温度
情報をアナログ・デジタル変換器がデジタル変換して中
央処理ユニットに供給することで実行される。 S3.主ペルチェ素子の駆動電流を測定する。測定電流
をIT とする。
S2. Measure the temperature of the laser diode. Let the measured temperature be T L. This is performed by the analog-to-digital converter converting the temperature information corresponding to the temperature of the laser diode output by the thermistor 5 into digital data and supplying the digital data to the central processing unit. S3. The drive current of the main Peltier device is measured. The measured current and I T.

【0096】これは、ドライバ8が出力する主ペルチェ
素子の電流に対応する電流情報をアナログ・デジタル変
換器がデジタル変換して中央処理ユニットに供給するこ
とで実行される。 S4.測定温度TL が規定温度TS を超えているか否
か、測定電流IT が規定電流IS を超えている否かを判
定し、少なくとも一方が真であるか否かを判定する。
This is performed by the analog-to-digital converter converting the current information corresponding to the current of the main Peltier element output from the driver 8 into a digital signal and supplying it to the central processing unit. S4. Whether the measured temperature T L exceeds the prescribed temperature T S, it is determined whether the measured current I T exceeds the specified current I S, determines whether at least one of which is true.

【0097】S5.ステップS4で、測定温度TL が規
定温度TS を超えている、又は、測定電流が規定電流を
超えているのいずれかが真であると判定した場合(Ye
s)には、補助ペルチェ素子をオンにする。 S6.補助ペルチェ素子に一定電流を供給する。これ
は、ステップS1における主ペルチェ素子の駆動と類似
の処理によって行なわれる。
S5. In step S4, when it is determined that either the measured temperature TL exceeds the specified temperature T S or the measured current exceeds the specified current is true (Ye
In s), the auxiliary Peltier device is turned on. S6. A constant current is supplied to the auxiliary Peltier device. This is performed by a process similar to the driving of the main Peltier element in step S1.

【0098】S7.ステップS4で、測定温度TL が規
定温度TS を超えている、又は、測定電流が規定電流を
超えているのいずれもが真でないと判定した場合(N
o)には、補助ペルチェ素子をオフにする。実際には、
温度制御モジュールの駆動回路が駆動された当初は補助
ペルチェ素子はオフになっているので、オフ状態を継続
すればよい。一方、一旦補助ペルチェ素子がオンにされ
た後で補助ペルチェ素子を停止してもよくなった時に
は、このステップで補助ペルチェ素子をオフにする。
S7. In step S4, if the measured temperature T L exceeds the prescribed temperature T S, or none of the measured current exceeds a specified current is determined not to be true (N
In o), the auxiliary Peltier device is turned off. actually,
Since the auxiliary Peltier element is off at the beginning when the drive circuit of the temperature control module is driven, the off state may be continued. On the other hand, when the auxiliary Peltier element can be stopped after the auxiliary Peltier element is once turned on, the auxiliary Peltier element is turned off in this step.

【0099】S8.ステップS2で測定した温度TL
対応する電流を読み出し専用メモリから読み出して、 S9.主ペルチェ素子の電流を更新する。この後、定期
的にステップS2のレーザ・ダイオードの温度測定を行
ない、測定温度に対応してステップS4乃至ステップS
9の処理を繰り返す。
S8. The current corresponding to the temperature TL measured in step S2 is read from the read-only memory, and S9. Update the current of the main Peltier device. Thereafter, the temperature of the laser diode is periodically measured in step S2, and steps S4 to S4 are performed in accordance with the measured temperature.
Step 9 is repeated.

【0100】上記処理によれば、レーザ・ダイオードの
測定温度が設定温度を超える場合、又は、該主ペルチェ
素子の駆動電流が最大電流を超える場合に上記補助ペル
チェ素子に規定の駆動電流を供給し、該主ペルチェ素子
には該測定温度に対応して設定されている駆動電流を供
給するので、レーザ・ダイオードの温度制御モジュール
の温度制御能力が高まり、レーザ・ダイオードの温度を
正確に制御することができる。
According to the above processing, when the measured temperature of the laser diode exceeds the set temperature or when the drive current of the main Peltier element exceeds the maximum current, the specified drive current is supplied to the auxiliary Peltier element. Since the main Peltier element is supplied with a drive current set according to the measured temperature, the temperature control capability of the laser diode temperature control module is increased, and the temperature of the laser diode can be accurately controlled. Can be.

【0101】一方、該レーザ・ダイオードの測定温度が
設定温度以下で該主ペルチェ素子の駆動電流が最大電流
以下の場合には該補助ペルチェ素子に駆動電流を供給せ
ず、該主ペルチェ素子には該測定温度に対応して設定さ
れている駆動電流を供給するので、レーザ・ダイオード
の温度制御モジュールの駆動電力を縮減しながらレーザ
・ダイオードの温度制御を行なうことができる。
On the other hand, when the measured temperature of the laser diode is lower than the set temperature and the driving current of the main Peltier element is lower than the maximum current, no driving current is supplied to the auxiliary Peltier element and the main Peltier element is not supplied. Since the drive current set according to the measured temperature is supplied, the temperature of the laser diode can be controlled while reducing the drive power of the temperature control module for the laser diode.

【0102】しかも、上記判断を測定駆動電流及び測定
温度の双方によって行なうので、例えば測定温度の誤差
によって該補助ペルチェ素子を駆動すべき時に駆動しな
いという危険性を避けることが可能になる。以上は、レ
ーザ・ダイオードの温度制御モジュールをソフト的に駆
動する駆動方式に関する説明であるが、レーザ・ダイオ
ードの温度制御モジュールをハードで駆動する駆動方式
も可能である。
Further, since the above determination is made based on both the measured drive current and the measured temperature, it is possible to avoid the danger that the auxiliary Peltier element will not be driven when it should be driven due to an error in the measured temperature, for example. The above is a description of a driving method for driving the temperature control module of the laser diode in a software manner. However, a driving method for driving the temperature control module of the laser diode with hardware is also possible.

【0103】図11は、主ペルチェ素子及び補助ペルチ
ェ素子の駆動回路(その3)で、レーザ・ダイオードの
出力パワーを一定に保つ自動パワー制御回路も併せて図
示している。図11において、5はレーザ・ダイオード
の温度を検出して電圧を出力するサーミスタ(図では
「TH」と略記している)、16はレーザ・ダイオード
の基準温度に対応する電圧の第一の基準電圧源、17は
サーミスタ5が出力する電圧と基準電圧源16の電圧の
差の電圧でレーザ・ダイオードの温度制御のための制御
電圧を出力する自動温度制御回路、8は自動温度制御回
路17が出力する制御電圧に応ずる駆動電流を主ペルチ
ェ素子に供給するドライバ、7はドライバ8が供給する
電流によって駆動されてレーザ・ダイオードの温度制御
を行なう主ペルチェ素子、18はサーミスタ5が出力す
る電圧が規定の電圧を超える時に規定の論理レベルの信
号を出力する検知回路、8aは検知回路18が規定の論
理レベルの信号を出力することを特徴とする時に補助ペ
ルチェ素子に規定の電流を供給するドライバ、7aはド
ライバ8aが供給する電流によって駆動されてレーザ・
ダイオードの温度制御を行なう補助ペルチェ素子で、以
上の構成要素によってレーザ・ダイオードの温度制御モ
ジュールの駆動回路を構成する。尚、主ペルチェ素子7
及び補助ペルチェ素子7aは熱的に接続されている。
FIG. 11 shows a drive circuit (part 3) for the main Peltier element and the auxiliary Peltier element, and also shows an automatic power control circuit for keeping the output power of the laser diode constant. In FIG. 11, reference numeral 5 denotes a thermistor (abbreviated as "TH" in the figure) for detecting the temperature of the laser diode and outputting a voltage, and reference numeral 16 denotes a first reference for a voltage corresponding to the reference temperature of the laser diode. A voltage source 17 is an automatic temperature control circuit that outputs a control voltage for controlling the temperature of the laser diode with a voltage that is the difference between the voltage output by the thermistor 5 and the voltage of the reference voltage source 16. A driver for supplying a drive current corresponding to the output control voltage to the main Peltier element, a main Peltier element for controlling the temperature of the laser diode driven by a current supplied from the driver, and a voltage for outputting a voltage outputted from the thermistor; The detection circuit 8a outputs a signal of a specified logic level when the voltage exceeds a specified voltage. 8a indicates that the detection circuit 18 outputs a signal of a specified logic level. Auxiliary Peltier elements to the provision of current supplied driver when the symptoms, laser and 7a is driven by the current driver 8a is supplied
An auxiliary Peltier element for controlling the temperature of the diode. The driving circuit of the temperature control module for the laser diode is constituted by the above components. The main Peltier element 7
The auxiliary Peltier element 7a is thermally connected.

【0104】4は、温度を制御されるレーザ・ダイオー
ドである。19はレーザ・ダイオード4のバック光を電
気変換するフォト・ダイオード、20はレーザ・ダイオ
ード4の出力の基準レベルに対応する電圧の第二の基準
電圧源、21はフォト・ダイオード19の出力電圧と基
準電圧源20の電圧の差の電圧でレーザ・ダイオードの
パワー制御のための制御電圧を出力する自動パワー制御
回路、22は自動パワー制御回路21が出力する制御電
圧に応ずる駆動電流をレーザ・ダイオード4に供給する
ドライバで、以上の構成要素によって構成される負帰還
ループによってレーザ・ダイオードの出力パワーの制御
を行なう。
4 is a temperature controlled laser diode. Reference numeral 19 denotes a photo diode for electrically converting the back light of the laser diode 4, reference numeral 20 denotes a second reference voltage source of a voltage corresponding to the reference level of the output of the laser diode 4, and reference numeral 21 denotes an output voltage of the photo diode 19 and An automatic power control circuit for outputting a control voltage for power control of the laser diode with a voltage difference between the voltages of the reference voltage source 20. A drive current 22 corresponding to the control voltage output from the automatic power control circuit 21 is supplied to the laser diode. 4 controls the output power of the laser diode by a negative feedback loop constituted by the above components.

【0105】図11の構成では、電源投入当初は自動パ
ワー制御回路を動作させず、自動温度制御回路17及び
検知回路18を動作可能にしてレーザ・ダイオード4の
温度を一定に保つようにする。これは、電源投入当初に
レーザ・ダイオード4の温度が異常に高い場合、自動パ
ワー制御によって所定の出力パワーに制御するとレーザ
・ダイオード4に過大な駆動電流を供給して、レーザ・
ダイオード4の破壊又は損傷に至らしめる恐れがあるの
を避けるためである。
In the configuration shown in FIG. 11, the automatic power control circuit is not operated when the power is turned on, but the automatic temperature control circuit 17 and the detection circuit 18 are enabled to keep the temperature of the laser diode 4 constant. This is because, when the temperature of the laser diode 4 is abnormally high at the beginning of the power supply, when the output power is controlled to a predetermined value by the automatic power control, an excessive drive current is supplied to the laser diode 4, and
This is to avoid a possibility that the diode 4 may be broken or damaged.

【0106】その後は、自動温度制御回路17と及び検
知回路18がレーザ・ダイオード4の温度を制御し続け
る中、自動パワー制御回路21がレーザ・ダイオード4
の出力パワーを所定のパワーに制御し続ける。ここで、
自動温度制御回路17と検知回路18が行なうレーザ・
ダイオード4の温度制御は下記の通りである。即ち、サ
ーミスタ5が検出したレーザ・ダイオードの温度に対応
する電圧と基準電圧との差によって自動温度制御回路1
7が主ペルチェ素子の駆動電流を制御する。
Thereafter, while the automatic temperature control circuit 17 and the detection circuit 18 continue to control the temperature of the laser diode 4, the automatic power control circuit 21
Is continuously controlled to a predetermined power. here,
The laser performed by the automatic temperature control circuit 17 and the detection circuit 18
The temperature control of the diode 4 is as follows. That is, the automatic temperature control circuit 1 detects the difference between the voltage corresponding to the temperature of the laser diode detected by the thermistor 5 and the reference voltage.
7 controls the drive current of the main Peltier element.

【0107】一方、サーミスタ5が検出したレーザ・ダ
イオードの温度に対応する電圧が規定温度に対応する電
圧を超えている時には検知回路18がドライバ8aを駆
動してドライバ8aが規定の電流を補助ペルチェ素子7
aに供給し、サーミスタ5が検出したレーザ・ダイオー
ドの温度に対応する電圧が規定温度に対応する電圧を超
えていない時には検知回路18はドライバ8aを駆動し
ない。
On the other hand, when the voltage corresponding to the temperature of the laser diode detected by the thermistor 5 exceeds the voltage corresponding to the specified temperature, the detection circuit 18 drives the driver 8a, and the driver 8a supplies the specified current to the auxiliary Peltier. Element 7
When the voltage corresponding to the temperature of the laser diode detected by the thermistor 5 does not exceed the voltage corresponding to the specified temperature, the detection circuit 18 does not drive the driver 8a.

【0108】尚、この場合には検知回路18はサーミス
タ5の出力電圧と基準電圧とを比較して、サーミスタ5
の出力電圧が基準電圧を超える時に規定の論理レベルの
信号を出力するコンパレータで構成すればよい。そし
て、自動パワー制御回路21が動作している時も動作を
停止している時も上記動作が行なわれる。
In this case, the detection circuit 18 compares the output voltage of the thermistor 5 with the reference voltage, and
May be configured by a comparator that outputs a signal of a prescribed logic level when the output voltage of the second comparator exceeds the reference voltage. The above operation is performed both when the automatic power control circuit 21 is operating and when the operation is stopped.

【0109】この動作により、レーザ・ダイオードの測
定温度が設定温度を超える場合に上記補助ペルチェ素子
に規定の駆動電流を供給し、主ペルチェ素子には該測定
温度に対応して設定されている駆動電流を供給するの
で、レーザ・ダイオードの温度制御モジュールの温度制
御能力が高まり、レーザ・ダイオードの温度を正確に制
御することができる。
By this operation, when the measured temperature of the laser diode exceeds the set temperature, a prescribed drive current is supplied to the auxiliary Peltier element, and the drive set to the main Peltier element corresponding to the measured temperature is supplied. Since the current is supplied, the temperature control capability of the laser diode temperature control module is increased, and the temperature of the laser diode can be accurately controlled.

【0110】一方、該レーザ・ダイオードの温度が設定
温度以内の場合には該補助ペルチェ素子に駆動電流を供
給せず、該主ペルチェ素子には該測定温度に対応して設
定されている駆動電流を供給するので、レーザ・ダイオ
ードの温度制御モジュールの駆動電力を縮減しながらレ
ーザ・ダイオードの温度制御を行なうことができる。さ
て、図11の構成はサーミスタ5が検出するレーザ・ダ
イオードの温度情報だけで検知回路18を動作させる例
であるが、主ペルチェ素子7のドライバ8の駆動電流も
検出して、ドライバ8の駆動電流が規定電流を超えてい
るか否かも含めて補助ペルチェ素子を駆動させることも
有効である。
On the other hand, when the temperature of the laser diode is lower than the set temperature, no driving current is supplied to the auxiliary Peltier element, and the driving current set corresponding to the measured temperature is supplied to the main Peltier element. Is supplied, it is possible to control the temperature of the laser diode while reducing the driving power of the temperature control module for the laser diode. The configuration in FIG. 11 is an example in which the detection circuit 18 is operated only with the temperature information of the laser diode detected by the thermistor 5. It is also effective to drive the auxiliary Peltier element including whether or not the current exceeds a specified current.

【0111】この場合には、図11の構成にドライバ8
の駆動電流を検出してデジタル値に変換するアナログ・
デジタル変換器を設け、検知回路18は、サーミスタ5
の出力電圧と基準電圧とを比較して、サーミスタ5の出
力電圧が基準電圧を超える時に規定の論理レベルの信号
を出力する第一のコンパレータと、アナログ・デジタル
変換器の出力電圧が基準電圧を超える時に規定の論理レ
ベルの信号を出力する第二のコンパレータと、該第一の
コンパレータの出力と該第二のコンパレータの出力の論
理和演算をする論理和回路とで構成すればよい。
In this case, the driver 8 is added to the configuration of FIG.
Analog drive that detects the drive current of the
A digital converter is provided, and the detection circuit 18 includes a thermistor 5
And a first comparator that outputs a signal of a specified logic level when the output voltage of the thermistor 5 exceeds the reference voltage, and the output voltage of the analog-to-digital converter determines the reference voltage. What is necessary is just to comprise the 2nd comparator which outputs the signal of the predetermined | prescribed logic level when exceeding, and the OR circuit which performs the OR operation of the output of this 1st comparator, and the output of this 2nd comparator.

【0112】これにより、レーザ・ダイオードの温度が
規定温度を超える場合、又は、該主ペルチェ素子の駆動
電流が最大電流を超える場合に上記補助ペルチェ素子に
規定の駆動電流を供給し、該主ペルチェ素子には該測定
温度に対応する駆動電流を供給するので、レーザ・ダイ
オードの温度制御モジュールの温度制御能力が高まり、
レーザ・ダイオードの温度を正確に制御することができ
る。
Thus, when the temperature of the laser diode exceeds the specified temperature or when the driving current of the main Peltier element exceeds the maximum current, the specified driving current is supplied to the auxiliary Peltier element, and the main Peltier element is supplied. Since a drive current corresponding to the measured temperature is supplied to the element, the temperature control capability of the laser diode temperature control module is increased,
The temperature of the laser diode can be accurately controlled.

【0113】一方、該レーザ・ダイオードの温度が規定
温度以下で該主ペルチェ素子の駆動電流が最大電流以下
の場合には該補助ペルチェ素子に駆動電流を供給せず、
該主ペルチェ素子にはレーザ・ダイオード4の温度に対
応する駆動電流を供給するので、レーザ・ダイオードの
温度制御モジュールの駆動電力を縮減しながらレーザ・
ダイオードの温度制御をおこなうことができる。
On the other hand, when the temperature of the laser diode is lower than the specified temperature and the driving current of the main Peltier element is lower than the maximum current, no driving current is supplied to the auxiliary Peltier element.
Since a drive current corresponding to the temperature of the laser diode 4 is supplied to the main Peltier element, the drive power of the laser diode temperature control module is reduced while the laser power is reduced.
The temperature of the diode can be controlled.

【0114】しかも、上記判断を主ペルチェ素子の駆動
電流及びレーザ・ダイオードの温度の双方によって行な
うので、該補助ペルチェ素子を駆動すべき時に駆動しな
いという危険性を避けることが可能になる。
Further, since the above determination is made based on both the driving current of the main Peltier element and the temperature of the laser diode, it is possible to avoid the danger that the auxiliary Peltier element will not be driven when it should be driven.

【0115】[0115]

【発明の効果】以上詳述した如く、本発明により、温度
制御能力が高いレーザ・ダイオードの温度制御モジュー
ル及び温度制御能力を高くした温度制御モジュールに適
した駆動方式を実現することができる。即ち、第一の発
明によれば、レーザ・ダイオードが熱的に接触している
主ペルチェ素子の熱伝導絶縁板と、該補助ペルチェ素子
の一方の熱伝導絶縁板とが熱伝導性が良好な熱伝導筒に
よって熱的に接続されるので、レーザ・ダイオードが熱
的に接触している主ペルチェ素子の熱伝導絶縁板と、該
熱伝導筒に接触している該補助ペルチェ素子の熱伝導絶
縁板との温度差は小さくなる。
As described above in detail, according to the present invention, it is possible to realize a temperature control module for a laser diode having a high temperature control capability and a drive system suitable for a temperature control module having a high temperature control capability. That is, according to the first aspect, the heat conductive insulating plate of the main Peltier element with which the laser diode is in thermal contact with one of the auxiliary Peltier elements has good thermal conductivity. Thermally connected by the heat conducting tube, the heat conducting insulating plate of the main Peltier device in thermal contact with the laser diode and the heat conducting insulating plate of the auxiliary Peltier device in contact with the heat conducting tube The temperature difference with the plate becomes smaller.

【0116】しかも、レーザ・ダイオードが熱的に接触
している該主ペルチェ素子の熱伝導絶縁板と、該熱伝導
筒に熱的に接触している該補助ペルチェ素子の熱伝導絶
縁板とを熱的に同じ性質にするので、該レーザ・ダイオ
ードが熱的に接触している該主ペルチェ素子の熱伝導絶
縁板が低温側である場合には該熱伝導筒に熱的に接触し
ている該補助ペルチェ素子の熱伝導絶縁板も低温側にな
り、該レーザ・ダイオードが熱的に接触している該主ペ
ルチェ素子の熱伝導絶縁板が高温側である場合には該熱
伝導筒に熱的に接触している該補助ペルチェ素子の熱伝
導絶縁板も高温側になる。
In addition, the heat conducting insulating plate of the main Peltier element that is in thermal contact with the laser diode and the heat conducting insulating plate of the auxiliary Peltier element that is in thermal contact with the heat conducting cylinder Since the same thermal properties are provided, the laser diode is in thermal contact with the heat conducting cylinder when the heat conducting insulating plate of the main Peltier element is in thermal contact with the heat conducting cylinder. The heat conducting insulating plate of the auxiliary Peltier element is also on the low temperature side, and when the heat conducting insulating plate of the main Peltier element with which the laser diode is in thermal contact is on the high temperature side, heat is applied to the heat conducting cylinder. The thermally conductive insulating plate of the auxiliary Peltier element that is in contact with the substrate is also on the high temperature side.

【0117】従って、レーザ・ダイオードを冷却する必
要がある時には冷却能力が高くなり、レーザ・ダイオー
ドの温度を上昇させる必要がある時には温度上昇能力が
高くなって、レーザ・ダイオードの温度制御を正確に行
なうことが可能になる。又、第二の発明によれば、第一
の発明のレーザ・ダイオードの温度制御モジュールにお
いて、複数のペルチェ素子を積層して上記補助ペルチェ
素子を構成し、該熱伝導筒によって熱的に接続される上
記主ペルチェ素子の熱伝導絶縁板と該補助ペルチェ素子
の熱伝導絶縁板の熱的な性質を同じにするので、該補助
ペルチェ素子は主ペルチェ素子と同じ方向の温度制御を
行なう。
Therefore, when the laser diode needs to be cooled, the cooling capacity is increased, and when it is necessary to increase the temperature of the laser diode, the temperature increasing ability is increased, so that the temperature control of the laser diode can be accurately performed. It is possible to do. Further, according to the second invention, in the laser diode temperature control module of the first invention, a plurality of Peltier elements are stacked to constitute the auxiliary Peltier element, which is thermally connected by the heat conducting tube. Since the thermal conductivity of the heat conducting insulating plate of the main Peltier element and the heat conducting insulating plate of the auxiliary Peltier element are made the same, the auxiliary Peltier element performs temperature control in the same direction as the main Peltier element.

【0118】しかも、積層されるペルチェ素子が互いに
接触する熱伝導絶縁板の熱的な性質を逆にするので、積
層された複数のペルチェ素子の2つの熱伝導絶縁板の温
度の高低は同じ方向になる。このため、積層された複数
のペルチェ素子は互いに温度制御能力を高め合うので該
補助ペルチェ素子の温度制御能力が高まる結果、上記主
ペルチェ素子、該熱伝導筒及び該補助ペルチェ素子によ
って構成されるレーザ・ダイオードの温度制御モジュー
ル自体の温度制御能力が高まって、レーザ・ダイオード
の温度制御を一層正確に行なうことが可能になる。
In addition, since the thermal properties of the heat conducting insulating plates in which the stacked Peltier devices are in contact with each other are reversed, the temperature of the two heat conducting insulating plates of the stacked Peltier devices is in the same direction. become. Therefore, the plurality of stacked Peltier elements enhance the temperature control ability of each other, so that the temperature control ability of the auxiliary Peltier element is increased. As a result, the laser constituted by the main Peltier element, the heat conducting tube, and the auxiliary Peltier element The temperature control capability of the diode temperature control module itself is increased, so that the temperature control of the laser diode can be performed more accurately.

【0119】又、第三の発明によれば、レーザ・ダイオ
ードの測定温度が設定温度を超える場合に上記補助ペル
チェ素子に規定の駆動電流を供給し、主ペルチェ素子に
は該測定温度に対応して設定されている駆動電流を供給
するので、レーザ・ダイオードの温度制御モジュールの
温度制御能力が高まり、レーザ・ダイオードの温度を正
確に制御することができる。
According to the third aspect of the present invention, when the measured temperature of the laser diode exceeds the set temperature, a specified drive current is supplied to the auxiliary Peltier element, and the main Peltier element is adapted to the measured temperature. Since the preset drive current is supplied, the temperature control capability of the laser diode temperature control module is enhanced, and the temperature of the laser diode can be accurately controlled.

【0120】一方、該レーザ・ダイオードの温度が設定
温度以内の場合には該補助ペルチェ素子に駆動電流を供
給せず、該主ペルチェ素子には該測定温度に対応して設
定されている駆動電流を供給するので、レーザ・ダイオ
ードの温度制御モジュールの駆動電力を縮減しながらレ
ーザ・ダイオードの温度制御をおこなうことができる。
On the other hand, when the temperature of the laser diode is within the set temperature, no drive current is supplied to the auxiliary Peltier element, and the drive current set in accordance with the measured temperature is supplied to the main Peltier element. Is supplied, it is possible to control the temperature of the laser diode while reducing the driving power of the temperature control module for the laser diode.

【0121】又、第四の発明によれば、レーザ・ダイオ
ードの測定温度が設定温度を超える場合、又は、該主ペ
ルチェ素子の駆動電流が最大電流を超える場合に上記補
助ペルチェ素子に規定の駆動電流を供給し、該主ペルチ
ェ素子には該測定温度に対応して設定されている駆動電
流を供給するので、レーザ・ダイオードの温度制御モジ
ュールの温度制御能力が高まり、レーザ・ダイオードの
温度を正確に制御することができる。
According to the fourth invention, when the measured temperature of the laser diode exceeds the set temperature or when the drive current of the main Peltier element exceeds the maximum current, the drive specified in the auxiliary Peltier element is performed. Since the current is supplied and the main Peltier element is supplied with a drive current set in accordance with the measured temperature, the temperature control capability of the laser diode temperature control module is increased, and the temperature of the laser diode can be accurately measured. Can be controlled.

【0122】一方、該レーザ・ダイオードの測定温度が
設定温度以下で該主ペルチェ素子の駆動電流が最大電流
以下の場合には該補助ペルチェ素子に駆動電流を供給せ
ず、該主ペルチェ素子には該測定温度に対応して設定さ
れている駆動電流を供給するので、レーザ・ダイオード
の温度制御モジュールの駆動電力を縮減しながらレーザ
・ダイオードの温度制御をおこなうことができる。
On the other hand, when the measured temperature of the laser diode is lower than the set temperature and the driving current of the main Peltier element is lower than the maximum current, no driving current is supplied to the auxiliary Peltier element, and the main Peltier element is not supplied. Since the drive current set in accordance with the measured temperature is supplied, the laser diode temperature control can be performed while reducing the drive power of the laser diode temperature control module.

【0123】しかも、上記判断を測定駆動電流及び測定
温度の双方によって行なうので、該補助ペルチェ素子を
駆動すべき時に駆動しないという危険性を避けることが
可能になる。更に、第五の発明によれば、検出したレー
ザ・ダイオードの温度に対応する電圧と基準電圧との差
によって主ペルチェ素子の駆動電流を制御する自動温度
制御回路と、少なくとも、検出したレーザ・ダイオード
の温度が規定温度を超えていることを検出した時に補助
ペルチェ素子に規定の駆動電流を供給するための制御信
号を出力する検知回路を備えているので、少なくともレ
ーザ・ダイオードの温度が規定温度を超える場合に上記
補助ペルチェ素子に規定の駆動電流を供給し、主ペルチ
ェ素子にはレーザ・ダイオードの温度に対応する駆動電
流を供給するので、レーザ・ダイオードの温度制御モジ
ュールの温度制御能力が高まり、レーザ・ダイオードの
温度を正確に制御することができる。
Further, since the above determination is made based on both the measured drive current and the measured temperature, it is possible to avoid the danger that the auxiliary Peltier element will not be driven when it should be driven. Further, according to the fifth invention, an automatic temperature control circuit for controlling the drive current of the main Peltier element based on the difference between the voltage corresponding to the detected temperature of the laser diode and the reference voltage, and at least the detected laser diode A detection circuit that outputs a control signal to supply a specified drive current to the auxiliary Peltier element when the temperature of the laser diode exceeds the specified temperature is provided. In the case of exceeding, the specified driving current is supplied to the auxiliary Peltier element, and the driving current corresponding to the temperature of the laser diode is supplied to the main Peltier element, so that the temperature control capability of the laser diode temperature control module is increased, The temperature of the laser diode can be accurately controlled.

【0124】一方、少なくとも該レーザ・ダイオードの
温度が規定温度以内の場合には該補助ペルチェ素子に駆
動電流を供給せず、該主ペルチェ素子にはレーザ・ダイ
オードの温度に対応する駆動電流を供給するので、レー
ザ・ダイオードの温度制御モジュールの駆動電力を縮減
しながらレーザ・ダイオードの温度制御を行なうことが
できる。
On the other hand, when at least the temperature of the laser diode is within a specified temperature, no driving current is supplied to the auxiliary Peltier element, and a driving current corresponding to the temperature of the laser diode is supplied to the main Peltier element. Therefore, it is possible to control the temperature of the laser diode while reducing the driving power of the temperature control module for the laser diode.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の温度制御モジュールの第一の実施の
形態(断面図)。
FIG. 1 is a first embodiment (cross-sectional view) of a temperature control module according to the present invention.

【図2】 本発明の温度制御モジュールの第一の実施の
形態(斜視図)。
FIG. 2 is a first embodiment (perspective view) of the temperature control module of the present invention.

【図3】 熱伝導筒の構造例。FIG. 3 is a structural example of a heat conduction cylinder.

【図4】 本発明の温度制御モジュールの第二の実施の
形態(断面図)。
FIG. 4 is a second embodiment (sectional view) of the temperature control module of the present invention.

【図5】 主ペルチェ素子及び補助ペルチェ素子の駆動
回路(その1)。
FIG. 5 is a diagram illustrating a drive circuit (part 1) of a main Peltier element and an auxiliary Peltier element.

【図6】 主ペルチェ素子及び補助ペルチェ素子の駆動
方式(その1)。
FIG. 6 shows a method of driving a main Peltier element and an auxiliary Peltier element (part 1).

【図7】 主ペルチェ素子と補助ペルチェ素子の駆動方
式を説明する図(その1)。
FIG. 7 is a view for explaining a driving method of a main Peltier element and an auxiliary Peltier element (part 1).

【図8】 主ペルチェ素子と補助ペルチェ素子の駆動方
式を説明する図(その2)。
FIG. 8 is a diagram (part 2) illustrating a driving method of the main Peltier element and the auxiliary Peltier element.

【図9】 主ペルチェ素子及び補助ペルチェ素子の駆動
回路(その2)。
FIG. 9 shows a drive circuit (part 2) for the main Peltier element and the auxiliary Peltier element.

【図10】 主ペルチェ素子及び補助ペルチェ素子の駆
動方式(その2)。
FIG. 10 shows a method of driving a main Peltier element and an auxiliary Peltier element (part 2).

【図11】 主ペルチェ素子及び補助ペルチェ素子の駆
動回路(その3)。
FIG. 11 shows a drive circuit (part 3) for the main Peltier element and the auxiliary Peltier element.

【図12】 従来の基本的な温度制御モジュール。FIG. 12 shows a conventional basic temperature control module.

【図13】 ペルチェ素子による冷却の限界を示す図。FIG. 13 is a diagram showing a limit of cooling by a Peltier element.

【図14】 ペルチェ素子による冷却・加熱の原理。FIG. 14 shows the principle of cooling / heating by a Peltier element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ペルチェ素子 1−1 P型熱電半導体 1−2 N型熱電半導体 1−3、1−4、1−5 金属電極 1−6、1−7 熱伝導絶縁板 1−8 熱電半導体部 1a ペルチェ素子 1−1a P型熱電半導体 1−2a N型熱電半導体 1−3a、1−4a、1−5a 金属電極 1−6a、1−7a 熱伝導絶縁板 1−8a 熱電半導体部 1b ペルチェ素子 1−1b P型熱電半導体 1−2b N型熱電半導体 1−3b、1−4b、1−5b 金属電極 1−6b、1−7b 熱伝導絶縁板 1−8b 熱電半導体部 2、2a 放熱板 3 コバール板 4 レーザ・ダイオード 5 サーミスタ 6 熱伝導筒 6−1 穴 7 主ペルチェ素子 7a 補助ペルチェ素子 8、8a ドライバ 9、9a デジタル・アナログ変換器 10、10a アナログ・デジタル変換器 11 中央処理ユニット 12 バス 13 ランダム・アクセス・メモリ 14 読み出し専用メモリ 15 入出力インタフェース 16 第一の基準電圧源 17 自動温度制御回路 18 検知回路 19 フォト・ダイオード 20 第二の基準電圧源 21 自動パワー制御回路 22 ドライバ 23 電池 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Peltier element 1-1 P-type thermoelectric semiconductor 1-2 N-type thermoelectric semiconductor 1-3, 1-4, 1-5 Metal electrode 1-6, 1-7 Heat conductive insulating plate 1-8 Thermoelectric semiconductor part 1a Peltier element 1-1a P-type thermoelectric semiconductor 1-2a N-type thermoelectric semiconductor 1-3a, 1-4a, 1-5a Metal electrode 1-6a, 1-7a Heat conductive insulating plate 1-8a Thermoelectric semiconductor part 1b Peltier element 1-1b P-type thermoelectric semiconductor 1-2b N-type thermoelectric semiconductor 1-3b, 1-4b, 1-5b Metal electrode 1-6b, 1-7b Heat conductive insulating plate 1-8b Thermoelectric semiconductor unit 2, 2a Heat sink 3 Kovar plate 4 Laser diode 5 Thermistor 6 Heat conduction cylinder 6-1 Hole 7 Main Peltier element 7a Auxiliary Peltier element 8, 8a Driver 9, 9a Digital / analog converter 10, 10a Analog / digital converter 11 Central processing Unit 12 Bus 13 Random access memory 14 Read only memory 15 Input / output interface 16 First reference voltage source 17 Automatic temperature control circuit 18 Detection circuit 19 Photodiode 20 Second reference voltage source 21 Automatic power control circuit 22 Driver 23 batteries

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザ・ダイオードが熱的に接触してい
る主ペルチェ素子の熱伝導絶縁板と、該主ペルチェ素子
とは異なる補助ペルチェ素子の一方の熱伝導絶縁板とを
熱伝導性が良好な熱伝導筒によって熱的に接続し、 該レーザ・ダイオードが熱的に接触している該主ペルチ
ェ素子の熱伝導絶縁板と、該補助ペルチェ素子の、該熱
伝導筒に熱的に接触している熱伝導絶縁板とを熱的に同
じ性質にすることを特徴とするレーザ・ダイオードの温
度制御モジュール。
A heat conductive insulating plate of a main Peltier element, which is in thermal contact with a laser diode, and one heat conductive insulating plate of an auxiliary Peltier element different from the main Peltier element have good thermal conductivity. Thermally connected by a heat conducting tube, the heat conducting insulating plate of the main Peltier device being in thermal contact with the laser diode, and the heat conducting insulating plate of the auxiliary Peltier device being in thermal contact with the heat conducting tube. A temperature control module for a laser diode, characterized in that the heat conducting insulating plate has the same thermal properties.
【請求項2】 請求項1記載のレーザ・ダイオードの温
度制御モジュールにおいて、 複数のペルチェ素子を積層して上記補助ペルチェ素子を
構成し、 上記熱伝導筒によって熱的に接続される上記主ペルチェ
素子の熱伝導絶縁板と該補助ペルチェ素子の熱伝導絶縁
板の熱的な性質を同じにし、 積層されるペルチェ素子の互いに接触する熱伝導絶縁板
の熱的な性質を逆にすることを特徴とするレーザ・ダイ
オードの温度制御モジュール。
2. The laser diode temperature control module according to claim 1, wherein the auxiliary Peltier element is formed by laminating a plurality of Peltier elements, and the main Peltier element is thermally connected by the heat conducting tube. The thermal characteristics of the heat conductive insulating plate and the thermal conductive insulating plate of the auxiliary Peltier device are made the same, and the thermal characteristics of the heat conductive insulating plates in contact with each other of the stacked Peltier devices are reversed. Laser diode temperature control module.
【請求項3】 請求項1又は請求項2のいずれかに記載
のレーザ・ダイオードの温度制御モジュールの駆動方式
であって、 上記レーザ・ダイオードの測定温度が設定温度を超える
場合に上記補助ペルチェ素子に規定の駆動電流を供給
し、 該レーザ・ダイオードの温度が設定温度以内の場合には
該補助ペルチェ素子に駆動電流を供給せず、 いずれの場合にも、上記主ペルチェ素子には該測定温度
に対応して設定されている駆動電流を供給することを特
徴とするレーザ・ダイオードの温度制御モジュールの駆
動方式。
3. The driving method of a temperature control module for a laser diode according to claim 1, wherein the auxiliary Peltier element is provided when a measured temperature of the laser diode exceeds a set temperature. A driving current is supplied to the auxiliary Peltier element when the temperature of the laser diode is within a set temperature, and in any case, the measured temperature is supplied to the main Peltier element. A drive method for a laser diode temperature control module, characterized in that a drive current set in accordance with (1) is supplied.
【請求項4】 請求項1又は請求項2のいずれかに記載
のレーザ・ダイオードの温度制御モジュールの駆動方式
であって、 上記レーザ・ダイオードの測定温度が設定温度を超える
場合、又は、上記主ペルチェ素子の駆動電流が最大電流
を超える場合に上記補助ペルチェ素子に規定の駆動電流
を供給し、 該レーザ・ダイオードの測定温度が設定温度以下で該主
ペルチェ素子の駆動電流が最大電流以下の場合には該補
助ペルチェ素子に駆動電流を供給せず、 いずれの場合にも、該主ペルチェ素子には該測定温度に
対応して設定されている駆動電流を供給することを特徴
とするレーザ・ダイオードの温度制御モジュールの駆動
方式。
4. The driving method of a laser diode temperature control module according to claim 1, wherein the measured temperature of the laser diode exceeds a set temperature, or When the drive current of the Peltier element exceeds the maximum current, a specified drive current is supplied to the auxiliary Peltier element. When the measured temperature of the laser diode is lower than the set temperature and the drive current of the main Peltier element is lower than the maximum current. Supplying a driving current to the auxiliary Peltier element in any case, and supplying a driving current set in accordance with the measured temperature to the main Peltier element in any case. Driving method of temperature control module.
【請求項5】 請求項1又は請求項2のいずれかに記載
のレーザ・ダイオードの温度制御モジュールの駆動方式
であって、 検出した上記レーザ・ダイオードの温度に対応する電圧
と基準電圧との差によって上記主ペルチェ素子の駆動電
流を制御する自動温度制御回路と、 少なくとも、該レーザ・ダイオードの温度が規定温度を
超えていることを検出した時に上記補助ペルチェ素子に
規定の駆動電流を供給するための制御信号を出力する検
知回路とを備えることを特徴とするレーザ・ダイオード
の温度制御モジュールの駆動方式。
5. A method for driving a temperature control module for a laser diode according to claim 1, wherein a difference between a voltage corresponding to the detected temperature of the laser diode and a reference voltage. An automatic temperature control circuit for controlling the drive current of the main Peltier element, and supplying a specified drive current to the auxiliary Peltier element at least when detecting that the temperature of the laser diode exceeds a specified temperature. And a detection circuit for outputting a control signal for the temperature control module of the laser diode.
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