JP2002343763A - Centrifugal separator for semiconductor wafer - Google Patents

Centrifugal separator for semiconductor wafer

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JP2002343763A
JP2002343763A JP2001187332A JP2001187332A JP2002343763A JP 2002343763 A JP2002343763 A JP 2002343763A JP 2001187332 A JP2001187332 A JP 2001187332A JP 2001187332 A JP2001187332 A JP 2001187332A JP 2002343763 A JP2002343763 A JP 2002343763A
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JP
Japan
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rotating body
semiconductor wafer
casing
sensor
signal
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JP2001187332A
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Japanese (ja)
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Kenji Miyaji
健次 宮地
Akira Kitamura
彰 北村
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OHMIYA KOGYO CO Ltd
OOMIYA KOGYO KK
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OHMIYA KOGYO CO Ltd
OOMIYA KOGYO KK
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a centrifugal separator for semiconductor wafers that suppresses contamination and cracks in semiconductor wafers in the centrifugal separator for semiconductor wafers for washing the semiconductor wafers and then carrying out dry treatment. SOLUTION: This centrifugal separator for semiconductor wafers has a rotor 2 that is rotated around a specific vertical shaft 1 where a semiconductor wafer (w) is mounted, and a casing 4 for surrounding the rotor 2. An AE sensor 6 is laid in the casing 4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ用遠
心分離機に関する。
The present invention relates to a centrifuge for semiconductor wafers.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハの製造においては、その最
終工程で半導体ウエハを水洗いし、その後にこれを乾燥
させることが行われるが、このような処理を行うための
装置として、半導体ウエハ用遠心分離機が従来より存在
している。
2. Description of the Related Art In the manufacture of a semiconductor wafer, a semiconductor wafer is washed with water in a final step and then dried. A device for performing such a process is a semiconductor wafer centrifuge. Machines have existed for some time.

【0003】この半導体ウエハ用遠心分離機は、多数の
半導体ウエハを搭載され特定位置の回転軸回りへ回転さ
れる回転体と、この回転体を包囲したケーシングとを備
えたものとなされている。
[0003] This semiconductor wafer centrifugal separator includes a rotating body on which a large number of semiconductor wafers are mounted and rotated around a rotation axis at a specific position, and a casing surrounding the rotating body.

【0004】その使用においては、回転体に半導体ウエ
ハを搭載した後に回転体を高速回転させ、その後に、こ
れらウエハに水噴射ノズルにより洗浄水を適当時間注
ぎ、以後、回転体の回転を適当時間続行させるようにす
る。これにより、水噴射ノズルからの洗浄水の供給中に
は、各半導体ウエハの表面に洗浄水がかかり、この洗浄
水が回転体の回転による遠心力で回転半径外方向へ流動
した後、ケーシングへ向け飛散され、また水噴射ノズル
からの洗浄水の供給が停止されると、半導体ウエハの表
面に残留した水分が遠心力で分離飛散されると同時に、
半導体ウエハ周辺に回転体の回転半径外方向へ向かう空
気流動が生成され、この空気流動が各半導体ウエハに残
存する水分を積極的に蒸発させるものとなる。
In the use, the rotating body is rotated at a high speed after the semiconductor wafer is mounted on the rotating body, and thereafter, the washing water is poured onto these wafers by a water jet nozzle for an appropriate time. Let it continue. Thereby, during the supply of the cleaning water from the water injection nozzle, the cleaning water is applied to the surface of each semiconductor wafer, and the cleaning water flows outward in the radius of rotation by centrifugal force due to the rotation of the rotating body, and then flows to the casing. When the supply of cleaning water from the water injection nozzle is stopped, the water remaining on the surface of the semiconductor wafer is separated and scattered by centrifugal force,
An air flow is generated around the semiconductor wafer in a direction outward of the rotation radius of the rotating body, and the air flow actively evaporates moisture remaining in each semiconductor wafer.

【0005】ところで、上記回転体が高速回転している
とき、半導体ウエハが振動などに起因して割れることが
あり、このときに生じたその細片が遠心力で回転体の半
径外方向へ飛散し、これがケーシングの内面に衝突して
さらに小片に破砕されるようなことがあるが、この破砕
に気づかないで次の半導体ウエハが回転体に搭載される
と、これらウエハを汚染したりこれらウエハに再び割れ
を生じさせることがあり、最初の破砕の影響が次々と連
鎖するのである。これを防止するため、半導体ウエハの
破砕を検出するためのセンサを設け、このセンサによる
破砕検出により回転体の回転を停止させる技術が実施さ
れている。
When the rotating body is rotating at a high speed, the semiconductor wafer may be broken due to vibration or the like, and the small pieces generated at this time are scattered outside the radius of the rotating body by centrifugal force. However, this may collide with the inner surface of the casing and be further crushed into small pieces.If the next semiconductor wafer is mounted on the rotating body without noticing the crushing, these wafers may be contaminated or these wafers may be contaminated. Cracking can occur again, and the effects of the initial crushing are linked one after another. In order to prevent this, a technique for providing a sensor for detecting crushing of the semiconductor wafer and stopping rotation of the rotating body by detecting crushing of the semiconductor wafer has been implemented.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の遠心分
離機ではセンサがウエハの破砕以外の現象に起因したケ
ーシングの振動(ノイズ)を検出し、このノイズにより
回転体の回転が停止されることがあったり、或いは、処
理中の半導体ウエハが破砕しても、センサがこれを捉え
ることができず、以後の処理がそのまま続行されて、次
に搭載される半導体ウエハを汚染したり、それに割れを
生じさせることがある。本発明は、斯かる事態を抑制し
得るものとした半導体ウエハ用遠心分離機を提供するこ
とを目的とする。
However, in a conventional centrifugal separator, a sensor detects vibration (noise) of the casing caused by a phenomenon other than crushing of the wafer, and the rotation of the rotating body is stopped by the noise. Or the semiconductor wafer being processed is crushed, the sensor cannot detect it, and the subsequent processing is continued as it is, contaminating the next mounted semiconductor wafer, or cracking it. May occur. An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer centrifuge which can suppress such a situation.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では請求項1に記載したように、半導体ウエ
ハを搭載され特定位置の回転軸回りへ回転される回転体
と、この回転体を包囲したケーシングとを備えた半導体
ウエハ用遠心分離機において、前記ケーシングにAEセ
ンサを付設した構成となす。
In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a rotating body on which a semiconductor wafer is mounted and which is rotated about a rotation axis at a specific position, and the rotating body. And a casing surrounding the casing, wherein an AE sensor is attached to the casing.

【0008】上記発明において、回転体の回転中に半導
体ウエハが割れると、その一部が遠心力で回転半径方向
へ飛散し、ケーシングの内面に衝突し、この衝突により
さらに微細に破砕されることが生じる。前記衝突の瞬間
に、ケーシングに特定周波数のAE信号が生成され、こ
のAE信号がAEセンサにより検出され、この検出信号
が回転体の回転を停止させる上で寄与するものとなる。
このAE信号はノイズ信号と明確に区別されるものであ
るため、AEセンサの検出したノイズ信号による回転体
の不必要な停止は抑制される。
In the above invention, if the semiconductor wafer breaks during rotation of the rotating body, a part of the semiconductor wafer is scattered in the radial direction of rotation by centrifugal force and collides with the inner surface of the casing, and is further finely crushed by the collision. Occurs. At the moment of the collision, an AE signal of a specific frequency is generated in the casing, and the AE signal is detected by the AE sensor, and this detection signal contributes to stopping the rotation of the rotating body.
Since the AE signal is clearly distinguished from the noise signal, unnecessary stopping of the rotating body due to the noise signal detected by the AE sensor is suppressed.

【0009】上記発明は次のように具体化する。即ち、
請求項2に記載したように、AEセンサによって検出さ
れるAE信号の最大レベル値に対応した周波数が特定範
囲内の値となったことに関連して回転体の回転を停止さ
せるように作動する緊急作動手段を設ける。この際、請
求項3に記載したように、特定範囲は凡そ80KHZ〜
150KHZ程度の範囲となす。これにより、回転体は
半導体ウエハの破損によりその一部がケーシングに衝突
したときその回転を緊急停止されるが、金属や樹脂(プ
ラスチックなど)がケーシングに衝突したことによって
はその回転を停止されることのないものとなる。
The above invention is embodied as follows. That is,
As described in claim 2, the rotation of the rotating body is stopped in association with the fact that the frequency corresponding to the maximum level value of the AE signal detected by the AE sensor has a value within a specific range. Provide emergency operating means. In this case, as described in claim 3, the specific range is approximately 80 KHZ to
The range is about 150 KHZ. As a result, when a part of the rotating body collides with the casing due to breakage of the semiconductor wafer, the rotation of the rotating body is urgently stopped. However, the rotation is stopped when metal or resin (such as plastic) collides with the casing. It will not be.

【0010】また請求項4に記載したように、AEセン
サによって検出されるAE信号の最大レベル値に係る特
定範囲が変更可能である構成となす。これによれば、ケ
ーシングの支持状態や本発明品の使用状態が変化したと
きでも、この特定範囲が変更されることにより、AEセ
ンサがノイズ信号を検出することに起因した誤作動によ
る回転体の緊急停止が一層厳密に阻止されるものとな
る。
According to a fourth aspect of the present invention, the specific range of the maximum level of the AE signal detected by the AE sensor can be changed. According to this, even when the support state of the casing or the use state of the product of the present invention changes, the specific range is changed, and the AE sensor detects a noise signal, thereby causing the rotating body to malfunction. Emergency stop is more strictly prevented.

【0011】また請求項5に記載したように、AEセン
サによって検出されるAE信号の最大レベル値が特定範
囲内となり且つこの最大レベル値の周波数が特定範囲内
の値となったことに関連して回転体の回転を停止させる
ように作動する緊急作動手段を設ける。
According to the present invention, the maximum level value of the AE signal detected by the AE sensor falls within a specific range, and the frequency of the maximum level value falls within a specific range. Emergency operating means for operating to stop the rotation of the rotating body.

【0012】さらに請求項6に記載したように、AEセ
ンサによって検出されるAE信号の最大レベル値に係る
特定範囲が変更可能であり、且つ、この最大レベル値の
周波数に係る特定範囲が変更可能である構成となす。こ
れによれば、ケーシングの支持状態や本発明品の使用状
態が変化したときでも、これら特定範囲が変更されるこ
とにより、回転体に搭載された半導体ウエハを水などの
洗浄液で洗浄する場合におけるケーシングへの洗浄液の
衝突により発生したAE信号に起因した誤作動による回
転体の緊急停止がさらに厳密に阻止されるものとなる。
According to a sixth aspect of the present invention, the specific range of the maximum level value of the AE signal detected by the AE sensor can be changed, and the specific range of the frequency of the maximum level value can be changed. The configuration is as follows. According to this, even when the support state of the casing or the use state of the product of the present invention changes, these specific ranges are changed, so that the semiconductor wafer mounted on the rotating body is cleaned with a cleaning liquid such as water. The emergency stop of the rotating body due to the malfunction caused by the AE signal generated by the collision of the cleaning liquid with the casing is more strictly prevented.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】図1〜図6は本発明に係る遠心分
離機に関するもので、図1は全体概要図、図2は要部を
示し、Aは組立図そしてBはその側面図、図3は半導体
ウエハの割れ片がケーシングに衝突したときのデータを
示すグラフ、図4は水がケーシングに衝突したときのデ
ータを示すグラフ、図5は金属でケーシングを叩いたと
きのデータを示すグラフ、図6はプラスチックでケーシ
ングを叩いたときのデータを示すグラフである。
1 to 6 relate to a centrifugal separator according to the present invention. FIG. 1 is an overall schematic view, FIG. 2 shows a main part, A is an assembly drawing, and B is a side view thereof. FIG. 3 is a graph showing data when a fragment of the semiconductor wafer collides with the casing, FIG. 4 is a graph showing data when water collides with the casing, and FIG. 5 is a graph showing data when the casing is hit with metal. FIG. 6 is a graph showing data when the casing is hit with plastic.

【0014】1は特定位置での回転自在に支持された回
転支持軸で、図示しないモータで回転駆動されるもので
ある。2は回転支持軸1の上端にこの軸1と同心に固定
された回転体であり、この回転体2は複数のキャリア3
をその回転中心回りの等角配置箇所に抜き挿し可能に係
着されるものとなされている。キャリア3は多数の半導
体ウエハwを纏めて搬送するための容器であって、回転
体2に係着された状態において多数の半導体ウエハwを
水平積層状に支持するものとなされている。
Reference numeral 1 denotes a rotation support shaft rotatably supported at a specific position, which is rotatably driven by a motor (not shown). Reference numeral 2 denotes a rotating body fixed to the upper end of the rotation supporting shaft 1 concentrically with the shaft 1.
Is attached so as to be able to be inserted and withdrawn at equiangular positions around the rotation center. The carrier 3 is a container for collectively transporting a large number of semiconductor wafers w, and supports a large number of semiconductor wafers w in a horizontally stacked state while being engaged with the rotating body 2.

【0015】4は回転体2の周囲を包囲するものとした
金属製のケーシングであり、底面4aには排液管5が接
続されており、また底面4aの回転軸貫通部aは底面4
a上の液体がここを通じて下方へ漏洩しない構造となさ
れており、また上面開口には開閉蓋5を装着されてい
る。
Reference numeral 4 denotes a metal casing that surrounds the periphery of the rotating body 2. A drain pipe 5 is connected to the bottom surface 4a.
The liquid on a is not leaked downward therethrough, and an opening / closing lid 5 is attached to the upper opening.

【0016】上記ケーシング4の外周面にはシングルエ
ンド型(不平衡型)のAEセンサ6が付設してある。こ
こに、AEとは、Acoustic Emission
の略称で「音の放出」を意味し、さらに詳細には、個体
がストレスを受け変形、破壊するとき発生する音響エネ
ルギーの放出のことであり、一般的には、数10kHZ
〜数MHZの超音波領域を対象とするものである。この
AEセンサ6は図2Aに示すように円柱形本体部6a
と、この本体部6aの周面から横張出状に突出されたケ
ーブル取出部6bと、この取出部6bから延出されたケ
ーブル6cとからなっており、この際、円柱形本体部6
aは直径を凡そ20mm程度となされ高さを凡そ35m
m程度となされている。
A single end type (unbalanced type) AE sensor 6 is attached to the outer peripheral surface of the casing 4. Here, AE is Acoustic Emission
Is an abbreviation of "sound emission", and more specifically, the release of acoustic energy generated when an individual is deformed or destroyed under stress, and is generally several tens of kHz.
It is intended for an ultrasonic range of up to several MHZ. As shown in FIG. 2A, the AE sensor 6 has a cylindrical main body 6a.
And a cable take-out portion 6b protruding laterally from the peripheral surface of the main body 6a, and a cable 6c extending from the take-out portion 6b.
a is about 20mm in diameter and 35m in height
m.

【0017】上記AEセンサ6の取付構造について説明
すると、次のとおりである。即ち、ケーシング4の外周
面でキャリア3の半導体ウエハ搭載領域の上下方向長さ
の略中央となる高さ箇所bに金属板からなるネジ孔c付
の台部材7を位置させ、この台部材7の片面全域をエポ
キシ系樹脂剤ejで密状に接着させる。この台部材7の
外面にAEセンサ6を位置させ、これの円柱形本体部6
aの前端面である検知面cを台部材7の外面に対向させ
た状態となす。
The mounting structure of the AE sensor 6 will be described as follows. That is, the base member 7 having a screw hole c made of a metal plate is positioned at a height b substantially at the center of the vertical length of the semiconductor wafer mounting area of the carrier 3 on the outer peripheral surface of the casing 4. Is adhered densely with an epoxy resin agent ej. The AE sensor 6 is located on the outer surface of the base member 7, and the cylindrical body 6
The detection surface c, which is the front end surface of a, faces the outer surface of the base member 7.

【0018】そして、この検知面cを台部材7の外面に
圧接させ且つ一定位置に保持させるための押圧位置決め
手段8を装着する。この押圧位置決め手段8は、後端面
部9aと筒壁部9bと透孔dの形成された鍔部9cとか
らなる筒形ホルダ9の内方に押圧スプリング10を内挿
するほか、筒壁部9bの周壁にU形の切欠部9eを形成
したものとなされている。
Then, a pressing and positioning means 8 for pressing the detection surface c against the outer surface of the base member 7 and holding the same at a fixed position is mounted. The pressing and positioning means 8 includes a pressing spring 10 inserted inside a cylindrical holder 9 including a rear end surface portion 9a, a cylindrical wall portion 9b, and a flange portion 9c having a through hole d. A U-shaped notch 9e is formed in the peripheral wall of 9b.

【0019】上記押圧位置決め手段8の固定に際して
は、押圧スプリング10の内挿された筒形ホルダ9の筒
壁部9bをAEセンサ6の円柱形本体部6aに外挿させ
た後、鍔部9cの透孔dにボルトboを挿通させてその
先部を台部材7のネジ孔bにねじ込む。この際、ケーブ
ル取出部6bは筒壁部9bの切欠部9eに内挿する。こ
れによりAEセンサ6は背後を押圧スプリング10で押
圧され、その検知面cの全体を台部材7の外面の特定位
置に安定的且つ密状に圧接された状態となる。
When the pressing and positioning means 8 is fixed, the cylindrical wall 9b of the cylindrical holder 9 in which the pressing spring 10 is inserted is externally inserted into the cylindrical main body 6a of the AE sensor 6 and then the flange 9c. A bolt bo is inserted through the through hole d, and its tip is screwed into the screw hole b of the base member 7. At this time, the cable outlet 6b is inserted into the cutout 9e of the cylindrical wall 9b. As a result, the back of the AE sensor 6 is pressed by the pressing spring 10, and the entire detection surface c is stably and densely pressed against a specific position on the outer surface of the base member 7.

【0020】11はAEセンサ6のケーブル6cを接続
されたコントローラであり、このコントローラ11はA
Eセンサ6の検出したAE信号を入力されるものであっ
て、このAE信号の最大レベル値の対応する周波数が予
め設定された特定範囲内の値となったときにこれを認識
して前記図示しないモータの作動を停止させるほか表示
灯12を点灯させたり図示しないアラームを鳴らせるよ
うに作動する緊急作動手段13を具備したものとなされ
ている。この際、前記予め設定された特定範囲は例えば
80kHZ〜150kHZなどとなされるのであり、ま
たこの設定範囲の数値は緊急作動手段13の一部をなす
入力部材13aの操作により任意に変更調整されるもの
となされる。
Reference numeral 11 denotes a controller to which the cable 6c of the AE sensor 6 is connected.
The AE signal detected by the E sensor 6 is input, and when the frequency corresponding to the maximum level value of the AE signal becomes a value within a predetermined range, the AE signal is recognized and In addition to stopping the operation of the motor that does not operate, the apparatus is provided with emergency operating means 13 that operates to turn on the indicator lamp 12 and sound an alarm (not shown). At this time, the preset specific range is, for example, 80 kHz to 150 kHz, and the numerical value of this set range is arbitrarily changed and adjusted by operating the input member 13 a forming a part of the emergency operating means 13. It is made.

【0021】次に上記本発明品の使用例及び作動例につ
いて説明する。開閉蓋5を開放させておき、この状態の
下で、多数の半導体ウエハwを収容した状態で水洗浄さ
れた後の複数のキャリア3を図1に示すように回転体3
の特定位置に係着させる。この後、開閉蓋5を閉鎖し、
図示しないモータを作動させて回転支持軸1及び回転体
2を回転させる。これにより、各キャリア3やこれに収
容された半導体ウエハwに付着した水分は回転体2の回
転による遠心力により分離飛散されケーシング4の周壁
の内面に衝突した後、この内面を伝ってその底面4aに
達し、ここから排液管5を経てケーシング4の外方へ流
出するものとなり、一方ではケーシング4内に回転体2
の回転による空気流動が生成され、この流動される空気
が半導体ウエハwの水分を積極的に蒸発させる。これに
より各半導体ウエハwは高能率で乾燥されるものとな
る。
Next, examples of use and operation of the above-mentioned product of the present invention will be described. The opening / closing lid 5 is opened, and in this state, the plurality of carriers 3 that have been washed with water while accommodating a large number of semiconductor wafers w are rotated by the rotating body 3 as shown in FIG.
To a specific position. Thereafter, the opening / closing lid 5 is closed,
A motor (not shown) is operated to rotate the rotation support shaft 1 and the rotating body 2. As a result, the moisture adhering to each carrier 3 and the semiconductor wafer w accommodated therein is separated and scattered by the centrifugal force caused by the rotation of the rotating body 2 and collides with the inner surface of the peripheral wall of the casing 4, and then travels along this inner surface and its bottom surface 4a, from which it flows out of the casing 4 via the drain pipe 5, while the rotating body 2
Is generated, and the flowing air actively evaporates the moisture of the semiconductor wafer w. Thereby, each semiconductor wafer w is dried with high efficiency.

【0022】各半導体ウエハwが乾燥されるに十分な時
間の経過の後、回転体2はその回転を停止されるのであ
り、この停止の後、人為的に或いは自動的に開閉蓋5が
開放されて回転体2上のキャリア3が取り外されるので
あり、以後は同様な処理が繰り返される。
After a lapse of time sufficient for each semiconductor wafer w to dry, the rotation of the rotating body 2 is stopped. After this stop, the opening / closing lid 5 is opened manually or automatically. Then, the carrier 3 on the rotating body 2 is removed, and thereafter, the same processing is repeated.

【0023】このような使用中、何らかの原因で半導体
ウエハwが割れると、その一部が回転体2の遠心力で飛
散してケーシング4の周壁の内面に衝突するのであり、
このときケーシング4にはこの衝突に起因したAE信号
が生成される。このAE信号のFFT解析データは概ね
図3に示すようなものとなる。
During use, if the semiconductor wafer w is broken for any reason, a part of the semiconductor wafer w is scattered by the centrifugal force of the rotating body 2 and collides with the inner surface of the peripheral wall of the casing 4.
At this time, the casing 4 generates an AE signal due to the collision. The FFT analysis data of the AE signal is substantially as shown in FIG.

【0024】このデータにおいて、横軸はAE信号の周
波数のスケール(単位はHZ)となっており、縦軸はA
E信号のレベル(単位はdB)のスケールとなってい
る。またA及びBは縦向きカーソル線であり、何れかの
カーソル線がAE信号の最大レベル値に合致される。こ
こではBのカーソル線がAE信号の最大レベルに合致さ
れており、そのレベル値は−32.20dBで、周波数
値は84210.523HZである。そしてAのカーソ
ル線が合致されているAE信号はレベル値が−34.0
0dBで、周波数値が104210.523HZであ
る。△はAのカーソル線の合致した周波数値とBのカー
ソル線の合致した周波数値との差の絶対値で、その値は
20000.000HZであり、□はAのカーソル線の
合致した周波数のレベル値とBのカーソル線の合致した
周波数のレベル値との差の絶対値で、その値は1.80
dBである。
In this data, the horizontal axis is the frequency scale (unit: HZ) of the AE signal, and the vertical axis is A
The scale of the level (unit is dB) of the E signal is used. A and B are vertical cursor lines, and one of the cursor lines matches the maximum level value of the AE signal. Here, the cursor line of B is matched with the maximum level of the AE signal, the level value is -32.20 dB, and the frequency value is 8421.523HZ. The level value of the AE signal whose cursor line A is coincident is -34.0.
At 0 dB, the frequency value is 104210.523HZ. Δ is the absolute value of the difference between the matched frequency value of the cursor line A and the matched frequency value of the cursor line B, the value is 20000.000HZ, and □ is the level of the matched frequency of the cursor line A. The absolute value of the difference between the value and the level value of the matched frequency of the cursor line of B, and the value is 1.80.
dB.

【0025】前記衝突に起因したAE信号はAEセンサ
6に検出されてコントローラ11に伝達されるのであ
り、この際、AE信号の最大レベル値の対応した周波数
が84210.523HZでありこの周波数値が予め設
定された特定範囲内であるため、緊急作動手段13はこ
の回転体2の回転を停止させるほか表示灯12を点灯さ
せたり図示しないアラームを鳴らすように作動するので
ある。
The AE signal resulting from the collision is detected by the AE sensor 6 and transmitted to the controller 11. At this time, the frequency corresponding to the maximum level value of the AE signal is 84210.5523HZ, and this frequency value is Since it is within the specific range set in advance, the emergency operation means 13 operates to stop the rotation of the rotating body 2 and also to turn on the indicator lamp 12 or sound an alarm (not shown).

【0026】これにより半導体ウエハwの破損に起因し
た連鎖的弊害の進行は阻止されるのであり、また作業者
は半導体ウエハwの割れ発生を認識することができるの
である。作業者は回転体2の回転が停止した後、ケーシ
ング4内を掃除して正常作動可能状態に復帰させるので
ある。
As a result, the progress of a chain of harmful effects caused by the damage of the semiconductor wafer w is prevented, and the operator can recognize the occurrence of cracks in the semiconductor wafer w. After the rotation of the rotating body 2 is stopped, the operator cleans the inside of the casing 4 and returns to the normal operable state.

【0027】ところで、本発明品の作動中にケーシング
4に金属片や木片が当たることがあるのであり、このと
きにもケーシング4にはこれに起因したAE信号が生成
されるのであり、このときのAE信号についてのFFT
解析データは次にようなものとなる。
By the way, a metal piece or a wood piece may hit the casing 4 during the operation of the product of the present invention. At this time, the casing 4 also generates an AE signal caused by this. FFT for AE signal of
The analysis data is as follows.

【0028】即ち、金属片が当たったときのそれは概ね
図4に示すものとなり、また木片が当たったことによる
AE信号についてのそれは概ね図5に示すものとなる。
これらのデータの構成は先のデータに準じたものとなさ
れている。
That is, when a metal piece hits, the result is substantially as shown in FIG. 4, and for an AE signal caused by hitting a wood piece, it is almost as shown in FIG.
The structure of these data is based on the above data.

【0029】図4に示すデータを参照すると、Bのカー
ソル線がAE信号の最大レベルに合致されており、その
レベル値は−14.83dBで、周波数は894.73
68HZである。そしてAのカーソル線が合致されてい
るAE信号はレベル値が−28.50dBで、周波数値
が6842.1055HZである。△はAのカーソル線
の合致した周波数値とBのカーソル線の合致した周波数
値との差の絶対値で、その値は5947.3687HZ
であり、□はAのカーソル線の合致した周波数のレベル
値とBのカーソル線の合致した周波数のレベル値との差
の絶対値で、その値は13.67dBである。
Referring to the data shown in FIG. 4, the cursor line B matches the maximum level of the AE signal, the level value is -14.83 dB, and the frequency is 894.73.
68HZ. The AE signal to which the cursor line A is matched has a level value of −28.50 dB and a frequency value of 6842.155HZ. Δ is the absolute value of the difference between the matched frequency value of the cursor line A and the matched frequency value of the cursor line B, and the value is 5947.3687HZ.
And □ is the absolute value of the difference between the level value of the matched frequency of the cursor line A and the level value of the matched frequency of the cursor line B, and its value is 13.67 dB.

【0030】また図5に示すデータを参照すると、Bの
カーソル線がAE信号の最大レベルに合致されており、
そのレベル値は−24.98dBで、周波数値は31
5.7895HZである。そしてAのカーソル線が合致
されているAE信号はレベル値が−67.42dBで、
周波数値が55789.4727HZである。△はAの
カーソル線の合致した周波数値とBのカーソル線の合致
した周波数値との差の絶対値で、その値は55473.
6832HZであり、□はAのカーソル線の合致した周
波数のレベル値とBのカーソル線の合致した周波数のレ
ベル値との差の絶対値で、その値は42.44dBであ
る。
Referring to the data shown in FIG. 5, the cursor line B matches the maximum level of the AE signal.
Its level value is -24.98 dB, and its frequency value is 31.
5.7895 HZ. The AE signal to which the cursor line of A is matched has a level value of -67.42 dB,
The frequency value is 55789.4727HZ. Δ is the absolute value of the difference between the matched frequency value of the cursor line A and the matched frequency value of the cursor line B, and its value is 55473.
□ is the absolute value of the difference between the level value of the matched frequency of the cursor line A and the level value of the matched frequency of the cursor line B, and the value is 42.44 dB.

【0031】これら図4及び図5に示すFFT解析デー
タに於けるAE信号の最大レベルに対応した周波数値は
894.7368HZであり、この値は予め設定した特
定範囲内のものとならないため、緊急作動手段13は回
転体2を停止させるものとならず、また表示灯12も点
灯させず図示しないアラームも鳴らさないのである。従
って回転体2は半導体ウエハwの割れに対して緊急停止
されるが、金属片や木片がケーシング4に当たったとき
などには停止されず、回転を続行されるのである。
The frequency value corresponding to the maximum level of the AE signal in the FFT analysis data shown in FIGS. 4 and 5 is 894.7368HZ. Since this value does not fall within a predetermined specific range, an emergency The operating means 13 does not stop the rotating body 2, does not turn on the indicator lamp 12, and does not sound an alarm (not shown). Therefore, the rotator 2 is urgently stopped due to cracking of the semiconductor wafer w, but is not stopped when a metal piece or a wood piece hits the casing 4 and continues to rotate.

【0032】上記実施例は次のように変形することがで
きる。即ち、ケーシング4の内方で回転体2の上側に洗
浄液噴射ノズルnを設け、回転体2の回転中に回転体2
に搭載された半導体ウエハwに水などの洗浄液を注ぐ構
成となす。
The above embodiment can be modified as follows. That is, the cleaning liquid injection nozzle n is provided inside the casing 4 above the rotating body 2, and the rotating body 2 is rotated while the rotating body 2 is rotating.
The cleaning liquid such as water is poured into the semiconductor wafer w mounted on the semiconductor wafer w.

【0033】そして、AEセンサ6の検出したAE信号
の最大レベル値と、この最大レベル値に対応する周波数
とが予め設定された特定範囲内の値となったときにこれ
を認識して図示しないモータの作動を停止させるほか表
示灯12を点灯させたり図示しないアラームを鳴らせる
ように作動する緊急作動手段13を具備したものとな
す。
When the maximum level value of the AE signal detected by the AE sensor 6 and the frequency corresponding to the maximum level value fall within a predetermined specific range, this is recognized and not shown. In addition to stopping the operation of the motor, the vehicle is provided with emergency operating means 13 which operates to turn on the indicator lamp 12 and sound an alarm (not shown).

【0034】この際、前記予め設定された特定範囲は例
えば、周波数が凡そ80kHZ〜150kHZの範囲で
最大レベル値が凡そ−30dB以上である範囲となされ
る。そして周波数に係る特定範囲を規定する数値と、最
大レベル値に係る特定範囲を規定する数値とは緊急作動
手段13の一部をなす入力部材13aの操作により任意
に変更調整し得るものとなされる。
At this time, the specific range set in advance is, for example, a range in which the frequency is in a range of approximately 80 kHz to 150 kHz and the maximum level value is approximately -30 dB or more. The numerical value defining the specific range relating to the frequency and the numerical value defining the specific range relating to the maximum level value can be arbitrarily changed and adjusted by operating the input member 13a forming a part of the emergency operating means 13. .

【0035】この変形例では、回転体2の回転中に洗浄
液噴射ノズルn、nから噴射された液体が回転体2の回
転による遠心力で飛散されてケーシング4の内面に衝突
する現象が生じる。この際、ケーシング4にはこの現象
に起因したAE信号が生成される。このAE信号につい
てのFFT解析データは概ね図6に示すものとなるので
あり、このデータの構成は先のデータに準じたものとな
される。
In this modified example, a phenomenon occurs in which the liquid ejected from the cleaning liquid ejecting nozzles n, n is scattered by the centrifugal force due to the rotation of the rotating body 2 and collides with the inner surface of the casing 4 while the rotating body 2 is rotating. At this time, the casing 4 generates an AE signal due to this phenomenon. The FFT analysis data for this AE signal is generally as shown in FIG. 6, and the structure of this data is based on the above data.

【0036】このデータを参照すると、Aのカーソル線
がAE信号の最大レベルの位置に合致されており、その
レベル値は−50.95dBで、このレベル値の周波数
の値は30526.316HZである。そしてBのカー
ソル線が合致されているAE信号はレベル値が−60.
37dBで、周波数値が137894.734HZであ
る。また△の値は107368.4180HZであり、
□の値は9.41dBである。このデータに於けるAE
信号の最大レベルに対応した周波数値は894.736
8HZであり、また最大レベル値は−50.95dBで
あるが、これらの値は予め設定した特定範囲内のものと
ならないため、緊急作動手段13は回転体2を停止させ
ず、また表示灯12も点灯させず図示しないアラームも
鳴らさないのである。
Referring to this data, the cursor line of A is coincident with the position of the maximum level of the AE signal, the level value is −50.95 dB, and the frequency value of this level value is 30526.316HZ. . The level of the AE signal whose cursor line B is coincident is -60.
At 37 dB, the frequency value is 137894.734HZ. The value of △ is 107368.4180HZ,
The value of □ is 9.41 dB. AE in this data
The frequency value corresponding to the maximum level of the signal is 894.736.
8HZ, and the maximum level value is −50.95 dB. However, since these values do not fall within a specific range set in advance, the emergency operating means 13 does not stop the rotating body 2 and the indicator light 12 And does not sound an alarm (not shown).

【0037】一方、回転体2の回転中に回転体2に搭載
された半導体ウエハwが破損したときのAE信号につい
ては、図3に示すデータから明らかなように、その最大
レベルに対応した周波数は84210.523HZで、
最大レベル値は−32.20dBであって、これらの値
は予め設定した特定範囲内のものであるため、緊急作動
手段13は回転体2を停止させるほか、表示灯12を点
灯させ図示しないアラームを鳴らすものとなる。
On the other hand, as is clear from the data shown in FIG. 3, the AE signal when the semiconductor wafer w mounted on the rotating body 2 is damaged during the rotation of the rotating body 2 has a frequency corresponding to the maximum level. Is 8421.523HZ,
The maximum level value is -32.20 dB, and since these values are within a specific range set in advance, the emergency operating means 13 stops the rotating body 2 and turns on the indicator lamp 12 to turn on the alarm (not shown). Sounds.

【0038】以上から明らかなように、回転体2は半導
体ウエハwの割れに対して緊急停止されるが、金属片や
木片がケーシング4に当たったときは勿論、洗浄液がケ
ーシング4に衝突したときなどにおいても停止されず、
回転体2の回転は続行されるのであり、従って半導体ウ
エハwの液体洗浄処理とその乾燥処理とが誤作動による
回転体2の停止の生じることなく連続して能率的に行わ
れるものとなる。
As is clear from the above, the rotating body 2 is stopped urgently when the semiconductor wafer w is cracked, but when the cleaning liquid collides with the casing 4 as well as when the metal piece or the wooden piece hits the casing 4. Even in such a case,
The rotation of the rotator 2 is continued, so that the liquid cleaning process and the drying process of the semiconductor wafer w can be continuously and efficiently performed without stopping the rotator 2 due to malfunction.

【0039】[0039]

【発明の効果】上述した本発明によれば、次のような効
果が得られる。即ち、請求項1に記載したものによれ
ば、半導体ウエハが破損してその一部がケーシングに衝
突すると、この衝突の瞬間に、ケーシングに特定周波数
のAE信号が生成され、このAE信号がAEセンサによ
り検出され、この検出信号が回転体の回転を停止させる
上で寄与するものとなり、またAE信号はノイズ信号と
明確に区別されるものであるため、AEセンサの検出し
たノイズ信号に起因した誤作動による回転体の不必要な
回転停止を抑制することができる。
According to the present invention described above, the following effects can be obtained. That is, according to the first aspect, when the semiconductor wafer is damaged and a part thereof collides with the casing, an AE signal of a specific frequency is generated in the casing at the moment of the collision, and the AE signal is generated by the AE signal. The AE signal is detected by the sensor and contributes to stopping the rotation of the rotating body. Since the AE signal is clearly distinguished from the noise signal, the AE signal is caused by the noise signal detected by the AE sensor. Unnecessary rotation stop of the rotating body due to malfunction can be suppressed.

【0040】請求項2に記載したものによれば、金属や
樹脂がケーシングに衝突したことにより回転体の回転が
停止される誤作動を防止することができる。請求項3に
記載したものによれば、半導体ウエハの破損によりその
一部がケーシングに衝突したことに関連して回転体を的
確に緊急停止させることができる。
According to the second aspect, it is possible to prevent a malfunction in which the rotation of the rotating body is stopped due to the collision of metal or resin with the casing. According to the third aspect, the rotating body can be accurately stopped urgently in connection with a part of the semiconductor wafer colliding with the casing due to breakage of the semiconductor wafer.

【0041】請求項4に記載したものによれば、半導体
ウエハの破損によりその一部がケーシングに衝突したこ
とに関連して生成されるAE信号は据付状態や使用状態
で微妙に変化するものとなるが、このような事態にも的
確に対応して緊急停止手段の誤作動による回転体の緊急
停止を一層厳密に阻止することができる。
According to the fourth aspect of the present invention, the AE signal generated in connection with a part of the semiconductor wafer colliding with the casing due to the damage of the semiconductor wafer is delicately changed in an installation state or a use state. However, the emergency stop of the rotating body due to the malfunction of the emergency stop means can be more strictly prevented in response to such a situation.

【0042】請求項5に記載したものによれば、回転体
に搭載された半導体ウエハを水などの洗浄液で洗浄する
場合にも、回転体が洗浄液に起因してその回転を緊急停
止されるものとなる誤作動を阻止することができる。
According to the fifth aspect, even when the semiconductor wafer mounted on the rotating body is cleaned with a cleaning liquid such as water, the rotation of the rotating body is urgently stopped due to the cleaning liquid. Can be prevented.

【0043】請求項6に記載したものによれば、回転体
に搭載された半導体ウエハを水などの洗浄液で洗浄する
場合に、洗浄液がケーシングに衝突して生成されるAE
信号はケーシングの据付状態や洗浄液噴射ノズルの使用
状態などで微妙に変化するものとなるが、このような状
況の変化にも的確に対応して緊急停止手段の誤作動によ
る回転体の緊急停止を一層厳密に阻止することができ
る。
According to the sixth aspect, when the semiconductor wafer mounted on the rotating body is cleaned with a cleaning liquid such as water, the cleaning liquid collides with the casing to generate AE.
The signal changes slightly depending on the installation state of the casing and the usage state of the cleaning liquid injection nozzle, etc.In response to such changes in the situation, emergency stop of the rotating body due to malfunction of the emergency stop means is properly performed. It can be more strictly blocked.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る遠心分離機の全体概要図である。FIG. 1 is an overall schematic diagram of a centrifuge according to the present invention.

【図2】前記遠心分離機の要部を示し、Aは組立図そし
てBはその側面図である。
FIG. 2 shows a main part of the centrifuge, wherein A is an assembly drawing and B is a side view thereof.

【図3】前記遠心分離機において半導体ウエハの割れ片
がケーシングに衝突したときのデータを示すグラフであ
る。
FIG. 3 is a graph showing data when a fragment of a semiconductor wafer collides with a casing in the centrifuge.

【図4】前記遠心分離機において、金属でケーシングを
叩いたときのデータを示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing data when the casing is hit with metal in the centrifuge.

【図5】前記遠心分離機において、樹脂でケーシングを
叩いたときのデータを示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing data when the casing is hit with a resin in the centrifuge.

【図6】前記遠心分離機において、水がケーシングに衝
突したときのデータを示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing data when water collides with a casing in the centrifuge.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

w 半導体ウエハ 1 回転支持軸(特定縦軸) 2 回転体 4 ケーシング 6 AEセンサ 13 緊急作動手段 w semiconductor wafer 1 rotation support shaft (specific vertical axis) 2 rotating body 4 casing 6 AE sensor 13 emergency operation means

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウエハを搭載され特定位置の回転
軸回りへ回転される回転体と、この回転体を包囲したケ
ーシングとを備えた半導体ウエハ用遠心分離機におい
て、前記ケーシングにAEセンサを付設したことを特徴
とする半導体ウエハ用遠心分離機。
1. A semiconductor wafer centrifugal separator comprising a rotating body on which a semiconductor wafer is mounted and rotated about a rotation axis at a specific position, and a casing surrounding the rotating body, wherein an AE sensor is attached to the casing. And a centrifugal separator for semiconductor wafers.
【請求項2】 AEセンサによって検出されるAE信号
の最大レベル値に対応した周波数が特定範囲内の値とな
ったことに関連して回転体の回転を停止させるように作
動する緊急作動手段を設けたことを特徴とする請求項1
記載の半導体ウエハ用遠心分離機。
2. An emergency operating means operable to stop rotation of a rotating body when a frequency corresponding to a maximum level value of an AE signal detected by an AE sensor becomes a value within a specific range. 2. The device according to claim 1, wherein
A centrifugal separator for semiconductor wafers as described in the above.
【請求項3】 特定範囲が凡そ80KHZ〜150KH
Z程度の範囲であることを特徴とする請求項2記載の半
導体ウエハ用遠心分離機。
3. The specific range is approximately 80 KHZ to 150 KH.
3. The centrifugal separator for semiconductor wafers according to claim 2, wherein the range is about Z.
【請求項4】 AEセンサによって検出されるAE信号
の最大レベル値に係る特定範囲が変更可能であることを
特徴とする請求項2又は3記載の半導体ウエハ用遠心分
離機。
4. The centrifugal separator for semiconductor wafers according to claim 2, wherein a specific range relating to a maximum level value of the AE signal detected by the AE sensor can be changed.
【請求項5】 AEセンサによって検出されるAE信号
の最大レベル値が特定範囲内となり且つこの最大レベル
値の周波数が特定範囲内の値となったことに関連して回
転体の回転を停止させるように作動する緊急作動手段を
設けたことを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ用
遠心分離機。
5. The rotation of the rotating body is stopped when the maximum level value of the AE signal detected by the AE sensor falls within a specific range and the frequency of the maximum level value falls within a specific range. 2. The centrifugal separator for semiconductor wafers according to claim 1, further comprising an emergency operating means that operates as described above.
【請求項6】 AEセンサによって検出されるAE信号
の最大レベル値に係る特定範囲が変更可能であり、且
つ、この最大レベル値の周波数に係る特定範囲が変更可
能であることを特徴とする請求項5又は6記載の半導体
ウエハ用遠心分離機。
6. A specific range relating to a maximum level value of an AE signal detected by an AE sensor is changeable, and a specific range relating to a frequency of the maximum level value is changeable. Item 7. A centrifuge for semiconductor wafers according to item 5 or 6.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007034825A1 (en) * 2005-09-22 2007-03-29 Kyowa Hakko Kogyo Co., Ltd. Solid-liquid separation method and solid-liquid separator
EP3485979A1 (en) * 2017-11-16 2019-05-22 GEA Mechanical Equipment GmbH Method for detecting the operating state of a centrifuge

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