JP2002342905A - Thin film magnetic head and its manufacturing method - Google Patents

Thin film magnetic head and its manufacturing method

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JP2002342905A
JP2002342905A JP2001147235A JP2001147235A JP2002342905A JP 2002342905 A JP2002342905 A JP 2002342905A JP 2001147235 A JP2001147235 A JP 2001147235A JP 2001147235 A JP2001147235 A JP 2001147235A JP 2002342905 A JP2002342905 A JP 2002342905A
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JP
Japan
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film
conductor coil
insulating film
magnetic
thin
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Application number
JP2001147235A
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Japanese (ja)
Inventor
Masahiko Soga
政彦 曽我
Hideji Takahashi
秀治 高橋
Shigenori Tanaka
茂徳 田中
Nobuo Yoshida
伸雄 芳田
Ritsu Imanaka
律 今中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Metals Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent deterioration of insulation performance caused by conduction between a backgap part and a conductor coil in a thin film magnetic head. SOLUTION: The thin film magnetic head includes a first conductor coil contact hole part for interconnecting first and second conductor coil layers stacked through a second insulating film 113, and a backgap part 112 for interconnecting lower and upper magnetic pole films to be interlinked with the first and second conductor coil layers, and the second insulating film 113 has an opening 113a including the backgap part 112 and the first conductor coil contact hole part. The opening 113a of the second insulating film 113 is provided with a projecting part 113b bulged to a gap between the backgap part 112 and the first conductor coil contact hole part, and a third insulating film 115 for covering the second conductor coil layer is constituted in a manner that the second insulating film 113 is exposed on the peripheral part of the opening including the backgap part 112.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドお
よびその製造技術に関し、特に、少なくとも誘導型磁気
変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、
より詳細には、導体コイルの絶縁膜構造等に適用して有
効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film magnetic head and a technique for manufacturing the same, and more particularly, to a thin film magnetic head having at least an inductive magnetic transducer and a method for manufacturing the same.
More specifically, the present invention relates to a technique that is effective when applied to an insulating film structure of a conductor coil.

【0002】[0002]

【従来の技術】図20に本発明の参考技術である薄膜磁
気ヘッド202を形成したスライダ203の外観図を示
す。
2. Description of the Related Art FIG. 20 is an external view of a slider 203 on which a thin-film magnetic head 202 according to the present invention is formed.

【0003】薄膜磁気ヘッド202はスライダ203の
端面に情報の記録再生用の端子204とともに形成され
ておりスライダの浮上レール201側が磁気記録媒体2
41(図21参照)の対向面となっている。
A thin-film magnetic head 202 is formed on an end face of a slider 203 together with a terminal 204 for recording and reproducing information.
41 (see FIG. 21).

【0004】図21に本発明の参考技術である薄膜磁気
ヘッドの平面図を示す。また、図19に、図21におけ
る薄膜磁気ヘッドの線A−A’部分の断面図を示す。
FIG. 21 is a plan view of a thin-film magnetic head according to a reference technique of the present invention. FIG. 19 is a sectional view taken along line AA 'of the thin-film magnetic head in FIG.

【0005】図19に示すように薄膜磁気ヘッドは、基
板101、下部保護膜102、再生用ヘッド、書き込み
ヘッド、上部保護膜117より構成されている。
As shown in FIG. 19, the thin-film magnetic head includes a substrate 101, a lower protective film 102, a reproducing head, a write head, and an upper protective film 117.

【0006】再生用ヘッドは下部磁気シールド膜10
3、下部シールドギャップ膜104、磁気抵抗効果(以
下MR(Magneto Resistive)と記
す)素子106、上部シールドギャップ膜107、上部
磁気シールド膜108より構成されている。
The reproducing head is a lower magnetic shield film 10.
3, a lower shield gap film 104, a magnetoresistive (hereinafter referred to as MR (Magneto Resistive)) element 106, an upper shield gap film 107, and an upper magnetic shield film 108.

【0007】一方、書き込み用ヘッドは、下部磁極膜1
08(再生用ヘッド上部磁気シールド膜と共用)、ギャ
ップ膜109、第一絶縁膜110、第一導体コイル層1
11a、第二絶縁膜113、第二導体コイル層114
a、第三絶縁膜115、上部磁極膜116によって構成
される。
On the other hand, the write head comprises a lower magnetic pole film 1.
08 (shared with upper magnetic shield film for reproducing head), gap film 109, first insulating film 110, first conductor coil layer 1
11a, second insulating film 113, second conductor coil layer 114
a, the third insulating film 115, and the upper magnetic pole film 116.

【0008】図19を参照して本発明の参考技術の薄膜
磁気ヘッドの一例を示す。
Referring to FIG. 19, there is shown an example of a thin-film magnetic head according to a reference technique of the present invention.

【0009】Al2 3 −TiC系の基板上に例えばア
ルミナ(Al2 3 )等をスパッタリング法等により成
膜して、下部保護膜102を形成する。
A lower protective film 102 is formed by depositing, for example, alumina (Al 2 O 3 ) or the like on a Al 2 O 3 —TiC-based substrate by a sputtering method or the like.

【0010】次に再生用ヘッド部、書き込み用ヘッド部
を順に形成し、下部保護膜と同様の方法で上部保護膜1
17を形成する。その後、再生用ヘッド部、書き込み用
ヘッド部等が形成された基板を、砥石等を使用しスライ
ダに分割する。
Next, a reproducing head portion and a writing head portion are sequentially formed, and the upper protective film 1 is formed in the same manner as the lower protective film.
17 is formed. Thereafter, the substrate on which the reproducing head portion, the writing head portion, and the like are formed is divided into sliders using a grindstone or the like.

【0011】再生用ヘッド部の製造方法は、図11〜図
13にて示す。
The method of manufacturing the reproducing head is shown in FIGS.

【0012】前記、下部保護膜102上に、めっき法等
により、例えばパーマロイ(Ni−Fe)からなる下部
磁気シールド膜103を形成する(図11)。次に、例
えばアルミナ(Al2 3 )等を下部磁気シールド膜1
03上に成膜し、下部シールドギャップ膜104を形成
する。次にシールドギャップ上に再生用のMR素子を構
成するためのMR膜106を成膜しリソグラフィー法等
を用いて所望の形状とする。続いて、このMR膜に対す
るリード端子層105をリフトオフ法等を用いて形成す
る。次に、下部シールドギャップ膜104、MR膜10
6、リード端子層105上に上部シールドギャップ膜1
07を形成し、MR膜106、リード端子層105を下
部シールドギャップ膜104と上部シールドギャップ膜
107の間に埋没させる(図12)。続いて、下部磁気
シールド膜103と同様な方法にて上部磁気シールド膜
108を形成する(図13)。
A lower magnetic shield film 103 made of, for example, permalloy (Ni-Fe) is formed on the lower protective film 102 by plating or the like (FIG. 11). Next, for example, alumina (Al 2 O 3 ) is applied to the lower magnetic shield film 1.
03, and a lower shield gap film 104 is formed. Next, an MR film 106 for forming an MR element for reproduction is formed on the shield gap, and is formed into a desired shape by using a lithography method or the like. Subsequently, a lead terminal layer 105 for the MR film is formed by using a lift-off method or the like. Next, the lower shield gap film 104 and the MR film 10
6. Upper shield gap film 1 on lead terminal layer 105
07 is formed, and the MR film 106 and the lead terminal layer 105 are buried between the lower shield gap film 104 and the upper shield gap film 107 (FIG. 12). Subsequently, an upper magnetic shield film 108 is formed in the same manner as the lower magnetic shield film 103 (FIG. 13).

【0013】再生用ヘッド部はMR膜により構成されて
いるMR素子にセンス電流を流した時に発生する磁界に
よりMR素子内の軟磁性層を磁化し、その軟磁性層から
のバイアス磁界をMR素子に印加した状態で、磁気記録
媒体の磁界を読み取ることで情報を再生する。
The reproducing head magnetizes the soft magnetic layer in the MR element by a magnetic field generated when a sense current flows through the MR element formed of the MR film, and applies a bias magnetic field from the soft magnetic layer to the MR element. The information is reproduced by reading the magnetic field of the magnetic recording medium in a state where the voltage is applied to the magnetic recording medium.

【0014】次に書き込み用ヘッド部の製造方法を図1
4〜図19にて示す。
Next, a method of manufacturing a write head will be described with reference to FIG.
4 to FIG.

【0015】再生用ヘッドの上部磁気シールド膜108
を書き込み用ヘッドの下部磁極膜108とし、前記膜上
にスパッタリング法等を使用し、例えばアルミナ等の非
磁性膜を成膜し、ギャップ膜109を形成する。このと
き、ギャップ膜109はのちに形成する上部磁極膜11
6と下層の下部磁極膜108とで磁路が形成できるよう
にする開口部112(以後、バックギャップ部と記す)
を選択的に除去した形状となるように成膜を行う。
Upper magnetic shield film 108 of reproducing head
Is used as the lower magnetic pole film 108 of the write head, and a non-magnetic film such as alumina is formed on the film by a sputtering method or the like, and the gap film 109 is formed. At this time, the gap film 109 is formed on the upper magnetic pole film 11 to be formed later.
6 and an opening 112 (hereinafter, referred to as a back gap portion) for forming a magnetic path between the lower magnetic pole film 108 and the lower magnetic pole film 108
Is formed so as to have a shape in which is selectively removed.

【0016】次に、フォトリソグラフィー法などを使用
してフォトレジスト膜をバックギャップ部112が選択
的に削除された形状で形成し、さらに、このフォトレジ
スト膜を平坦化をするため所定の温度にて熱処理を行い
第一絶縁膜110を形成する(図14)。
Next, a photoresist film is formed in a shape in which the back gap portion 112 is selectively removed by using a photolithography method or the like, and the photoresist film is heated to a predetermined temperature in order to planarize the photoresist film. To form a first insulating film 110 (FIG. 14).

【0017】次に、第一絶縁膜110上の全面に例えば
めっき法などで形成するための下地膜をスパッタリング
法等などで成膜し、そしてこの下地膜上に導体コイル間
を導通させる第一導体コイルコンタクトホール部111
bを有した第一導体コイルをフォトリソグラフィー法等
を使用してパターン形成したのち、例えばめっき法を使
用して第一導体コイルを形成する。その後、この導体コ
イル部以外に存在する下地膜を例えばイオンミリング法
などを使用して除去する。これにより第一導体コイル層
111aが形成される(図15)。
Next, a base film to be formed by, for example, a plating method or the like is formed on the entire surface of the first insulating film 110 by, for example, a sputtering method or the like. Conductor coil contact hole 111
After patterning the first conductor coil having b using photolithography or the like, the first conductor coil is formed using plating, for example. After that, the underlying film existing other than the conductor coil portion is removed by using, for example, an ion milling method. Thereby, the first conductor coil layer 111a is formed (FIG. 15).

【0018】次にバックギャップ部112とこの第一導
体コイル層111a上の第一導体コイルコンタクトホー
ル部111bを除いた場所に、フォトリソグラフィー法
などを使用してフォトレジスト膜を形成し、さらに、こ
のフォトレジスト膜の平坦化と第一導体コイル層111
a間を絶縁するため所定の温度にて熱処理を行い第二絶
縁膜113を形成する(図16)。
Next, a photoresist film is formed by using a photolithography method or the like at a position other than the back gap portion 112 and the first conductor coil contact hole portion 111b on the first conductor coil layer 111a. This photoresist film is flattened and the first conductor coil layer 111 is formed.
A heat treatment is performed at a predetermined temperature to insulate between a, thereby forming a second insulating film 113 (FIG. 16).

【0019】次に、この第二絶縁膜113上と第一導体
コイル層111aの第一導体コイルコンタクトホール部
111b上の全面に例えばめっき法などで形成するため
の下地膜をスパッタリング法等で成膜し、そしてこの下
地膜上に導体コイル間を導通させる第二導体コイルコン
タクトホール部114bを有した第二導体コイルを形成
できるようにフォトリソグラフィー法等を使用してパタ
ーン形成したのち、例えばめっき法を使用して第二導体
コイルを形成する。その後、この導体コイル部以外に存
在する下地膜を例えばイオンミリング法などを使用して
除去する。これにより第二導体コイル層114aが形成
される(図17)。
Next, a base film is formed on the second insulating film 113 and the entire surface of the first conductor coil contact hole portion 111b of the first conductor coil layer 111a by, for example, a plating method by a sputtering method or the like. After forming a film and forming a second conductor coil having a second conductor coil contact hole portion 114b for conducting between the conductor coils on the base film using a photolithography method or the like, a pattern is formed. A second conductor coil is formed using the method. After that, the underlying film existing other than the conductor coil portion is removed by using, for example, an ion milling method. Thereby, the second conductor coil layer 114a is formed (FIG. 17).

【0020】第二導体コイル層114aを形成した後、
バックギャップ部112を除く第二導体コイル層114
a上をフォトリソグラフィー法などを使用してフォトレ
ジスト膜を形成し、さらに、このフォトレジスト膜の平
坦化と第二導体コイル間を絶縁するため、所定の温度に
て熱処理を行い第三絶縁膜115を形成する(図1
8)。
After forming the second conductor coil layer 114a,
Second conductor coil layer 114 excluding back gap portion 112
A photoresist film is formed on a by using a photolithography method or the like, and a heat treatment is performed at a predetermined temperature to planarize the photoresist film and insulate between the second conductor coils. 115 (FIG. 1)
8).

【0021】次に磁極先端部と第三絶縁膜115上、バ
ックギャップ部112に例えばパーマロイからなる上部
磁極膜116をフォトリソグラフィー法等にて選択的に
形成する。この上部磁極膜116は第三絶縁膜115上
を越えて、バックギャップ部112にて下部磁極膜10
8と接触し、磁気的に接続した構造となっている(図1
9)。
Next, an upper magnetic pole film 116 made of, for example, permalloy is selectively formed on the magnetic pole tip and the third insulating film 115 in the back gap 112 by photolithography or the like. The upper magnetic pole film 116 extends over the third insulating film 115 and at the back gap portion 112, the lower magnetic pole film 10
8 and is magnetically connected (see FIG. 1).
9).

【0022】書き込みヘッド部は、形成した導体コイル
に書き込み情報に応じ電流を流すことで、磁極先端の上
部磁極膜116と下部磁極膜108間のギャップ膜10
9に磁界を発生させ、磁気記録媒体に情報の書き込みを
行う。
The write head unit applies a current to the formed conductor coil in accordance with the write information, so that the gap film 10 between the upper magnetic pole film 116 and the lower magnetic pole film 108 at the tip of the magnetic pole is formed.
9, a magnetic field is generated to write information on the magnetic recording medium.

【0023】[0023]

【発明が解決しようとする課題】ハードディスク装置の
記録特性向上を行うには、薄膜磁気ヘッドの性能向上が
必要不可欠となる。一般に誘導型薄膜磁気ヘッドの性能
向上には磁束立ち上がり時間(Flux Rise T
ime)の短縮が知られているが、方法として導体コイ
ル部を囲む部分の下部磁極(下部磁性膜)と上部磁極
(上部磁性膜)の長さ(以後、磁路長と記す)を短くす
る方法がある。
In order to improve the recording characteristics of a hard disk drive, it is essential to improve the performance of a thin-film magnetic head. Generally, the flux rise time (Flux Rise T) is required to improve the performance of an inductive type thin film magnetic head.
It is known that the length of the lower magnetic pole (lower magnetic film) and the upper magnetic pole (upper magnetic film) of the portion surrounding the conductor coil portion (hereinafter, referred to as magnetic path length) is shortened. There is a way.

【0024】しかしながら、磁路長を短くするにあたり
必然的に導体コイルの設置面積は縮小し、したがって各
導体コイル断面積の縮小が必要となる。しかし、断面積
縮小は抵抗値の上昇を招き、電流の立ち上がり時間が延
びてしまい記録時の高周波特性に影響を与えてしまう。
したがって、誘導型薄膜磁気ヘッドの性能向上には、磁
路長短縮と同時に導体コイル長の短縮(以後、コンパク
トコイル化と記す)も必要となる。そこで、コンパクト
コイル化を行うためバックギャップ部とコンタクトホー
ル部間の寸法の縮小を行った。
However, when the magnetic path length is shortened, the installation area of the conductor coil is inevitably reduced, and accordingly, the cross-sectional area of each conductor coil must be reduced. However, the reduction in the cross-sectional area causes an increase in the resistance value, the rise time of the current is extended, and the high-frequency characteristics at the time of recording are affected.
Therefore, in order to improve the performance of the inductive type thin film magnetic head, it is necessary to shorten the length of the conductor coil as well as the length of the magnetic path (hereinafter referred to as compact coil). Therefore, the size between the back gap portion and the contact hole portion was reduced in order to make a compact coil.

【0025】その結果、バックギャップとコンタクトホ
ール間のバックギャップ側第三絶縁膜壁がほぼ垂直とな
り、結果的に上部磁性膜部のフォトリソグラフィー工程
にてバックギャップ上のレジスト膜が厚くなったため露
光しきれず、バックギャップ内にポジレジスト材が残留
することとなった。また、第三絶縁膜壁よりのハレーシ
ョン(膜壁で乱反射された基板平面にほぼ平行な方向の
露光光にて、本来露光されるべきでないレジスト領域が
感光してしまう現象等)の影響で、たとえば開口部内に
無用なレジストフレーム等が形成されるなどして、所定
の形状を作製することができなかった。並びに、ネガレ
ジスト材使用においても、前記と同じフォトリソグラフ
ィー工程にて第三絶縁膜壁よりのハレーションの影響で
所定のレジストパターン形状を作成することができなか
った。
As a result, the third insulating film wall on the back gap side between the back gap and the contact hole becomes substantially vertical, and as a result, the resist film on the back gap becomes thicker in the photolithography step of the upper magnetic film portion, so that the exposure is performed. As a result, the positive resist material remained in the back gap. In addition, due to halation from the third insulating film wall (a phenomenon in which a resist region that should not be originally exposed to light is exposed by exposure light in a direction substantially parallel to the substrate plane that is irregularly reflected by the film wall), For example, an unnecessary resist frame or the like was formed in the opening, and a predetermined shape could not be produced. In addition, even when a negative resist material was used, a predetermined resist pattern shape could not be formed due to the influence of halation from the third insulating film wall in the same photolithography process as described above.

【0026】そこで、バックギャップとコイルコンタク
トホール間の第二絶縁膜を除去しバックギャップとコイ
ルコンタクトホールの各々の開口部を一体化して、且つ
第三絶縁膜壁の角度を緩やかにすることで上記のフォト
リソグラフィー工程の技術的課題を解決しようとした。
上記フォトリソグラフィー工程の技術的課題に関して
は、特開2000−331312号公報にバックギャッ
プ部とコイルコンタクトホールの各々の開口部を一体化
した一体化開口部を有する第二絶縁膜が示されている。
Therefore, the second insulating film between the back gap and the coil contact hole is removed, the openings of the back gap and the coil contact hole are integrated, and the angle of the third insulating film wall is made gentle. An attempt was made to solve the technical problem of the photolithography process described above.
Regarding the technical problem of the photolithography process, JP-A-2000-331312 discloses a second insulating film having an integrated opening in which a back gap and an opening of a coil contact hole are integrated. .

【0027】しかし、次に示す様な新たな技術的課題が
発生した。すなわち、第二導体コイル層形成工程の下地
膜除去において、この拡大したバックギャップから第二
導体コイルコンタクト周囲の第二絶縁膜壁に第二導体コ
イル層の下地膜が再付着、あるいは第二絶縁膜壁縁に下
地膜残渣が発生し、上部磁性膜と導通された構造とな
り、導体コイルと磁極が短絡してしまうという新しい技
術的課題が発生した。
However, the following new technical problem has occurred. That is, in the removal of the base film in the second conductor coil layer forming step, the base film of the second conductor coil layer is re-attached to the second insulation film wall around the second conductor coil contact from the enlarged back gap, or the second insulation coil is removed. There was a new technical problem that a base film residue was generated at the film wall edge, the structure became conductive with the upper magnetic film, and the conductor coil and the magnetic pole were short-circuited.

【0028】本発明の目的は、高性能のヘッド特性を実
現可能とする「コンパクトコイル化」構造を製作する際
の技術的課題を効率よく解決した薄膜磁気ヘッドとその
製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a thin-film magnetic head and a method of manufacturing the same which efficiently solve the technical problem in manufacturing a "compact coil" structure capable of realizing high-performance head characteristics. is there.

【0029】[0029]

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は少なくとも下部磁性膜、導体コイル層、上部磁性膜、
下部磁性膜と導体コイル層を絶縁する第一絶縁膜、上部
磁性膜と導体コイル層を絶縁する第二絶縁膜を有する薄
膜磁気ヘッドであり、上部磁性膜と下部磁性膜との磁路
を形成するバックギャップ部および積層された導体コイ
ルを導通させるコンタクトホール部を包含する開口部を
有し、この開口部の輪郭に当該開口部内部に向って突出
する突起部を設けた第二絶縁膜を備えている。また、第
三絶縁膜を有する場合はこの第二絶縁膜の突起部の少な
くとも一部が第三絶縁膜より暴露した構造を備えてい
る。
The thin-film magnetic head of the present invention comprises at least a lower magnetic film, a conductor coil layer, an upper magnetic film,
A thin-film magnetic head having a first insulating film that insulates a lower magnetic film and a conductor coil layer, and a second insulating film that insulates an upper magnetic film and a conductor coil layer, and forms a magnetic path between the upper magnetic film and the lower magnetic film. A second insulating film having an opening including a back gap portion to be contacted and a contact hole portion for conducting the laminated conductor coil, and provided with a projection projecting toward the inside of the opening at the contour of the opening. Have. In the case where the third insulating film is provided, at least a part of the protrusion of the second insulating film has a structure exposed from the third insulating film.

【0030】また、第三絶縁膜等を有する多層コイル構
造の場合、第二絶縁膜の開口部の縁部の少なくとも一部
を上記第三絶縁膜より暴露する構造を備えている。第二
絶縁膜の突起部により、第二絶縁膜の上層のコイルある
いは上部絶縁膜等の残渣,再付着の発生を防止出来る。
In the case of a multilayer coil structure having a third insulating film or the like, a structure is provided in which at least a part of the edge of the opening of the second insulating film is exposed from the third insulating film. The protrusions of the second insulating film can prevent the residue of the coil or the upper insulating film on the upper layer of the second insulating film and the occurrence of reattachment.

【0031】また、この第二絶縁膜の突起部に付着した
第二導体コイル再付着物,残渣を第三絶縁膜形成後、例
えばイオンミリング等にて除去することにより、上部磁
性膜形成時に導体コイルと絶縁することができ絶縁不良
を防止可能である。
The second conductor coil reattachment and residue adhering to the projections of the second insulating film are removed by, for example, ion milling after the formation of the third insulating film, so that the conductor can be removed when the upper magnetic film is formed. It can be insulated from the coil, and insulation failure can be prevented.

【0032】また、第二絶縁膜のバックギャップ部とコ
ンタクトホール部の各々の開口部を一体化し、バックギ
ャップ部およびコンタクトホール部を包含する開口部形
成することで第三絶縁膜側縁の垂直化を防止し、且つ上
部磁性膜形成時のレジスト残り、または、露光時のハレ
ーションの防止を実現することができる。
The back gap portion of the second insulating film and the opening of the contact hole portion are integrated, and an opening including the back gap portion and the contact hole portion is formed to form a vertical portion of the side edge of the third insulating film. It is possible to prevent the formation of the resist and prevent the remaining of the resist when the upper magnetic film is formed or the halation during the exposure.

【0033】また、本発明は、第二導体コイル形成直後
にエッチング保護膜を設置し選択エッチングをおこなう
ことで第二導体コイル形成直後に再付着除去をおこなう
ようにしてもよい。さらに、第二導体コイル形成時のめ
っき下地膜除去時のエッチングや上部磁極形成時のエッ
チング等で前記再付着除去を兼用してもよい。
Further, according to the present invention, an etching protection film may be provided immediately after the formation of the second conductor coil, and selective etching may be performed to perform reattachment and removal immediately after the formation of the second conductor coil. Further, the reattachment and removal may be performed by etching when removing the plating base film when forming the second conductor coil or etching when forming the upper magnetic pole.

【0034】[0034]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0035】なお、本実施の形態の薄膜磁気ヘッドは書
き込みヘッド部を除き、上述の参考技術の例と同一の方
法で製造される。
The thin-film magnetic head of this embodiment is manufactured by the same method as that of the above-described reference example, except for the write head.

【0036】まず、図1ないし図4を参照して本発明の
一実施の形態である薄膜磁気ヘッドにおける書き込みヘ
ッド部の製造方法の一例について説明する。また、図1
0は図1及び図4の平面図であり、断面A−A’を図4
が示しており、断面B−B’を図1が示している。
First, an example of a method of manufacturing a write head section in a thin-film magnetic head according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
0 is a plan view of FIG. 1 and FIG.
, And FIG. 1 shows a cross section BB ′.

【0037】本実施例の形態に係わる製造方法では、ま
ず、図1で示す磁性膜からなる下部磁極膜108上に、
リフトオフ法等を使用してギャップ膜を必要としないと
ころに事前処理をおこなった後、スパッタリング法など
を使用し、例えばアルミナ等の非磁性膜を全面成膜する
ことで、選択的にギャップ膜109を形成する。
In the manufacturing method according to the embodiment, first, a lower magnetic pole film 108 made of a magnetic film shown in FIG.
After performing a pre-treatment using a lift-off method or the like at a place where a gap film is not required, a non-magnetic film such as alumina is entirely formed by using a sputtering method or the like, thereby selectively forming the gap film 109. To form

【0038】次に、フォトリソグラフィー法などを使用
してフォトレジスト膜をバックギャップ部112が選択
的に削除された形状で形成し、さらに、このフォトレジ
スト膜の平坦化をするため所定の温度にて熱処理を行い
第一絶縁膜110を形成する。
Next, a photoresist film is formed in a shape in which the back gap portion 112 is selectively removed by using a photolithography method or the like, and is further heated to a predetermined temperature to planarize the photoresist film. To form a first insulating film 110.

【0039】次に、第一絶縁膜110上の全面に例えば
めっき法などで形成するための下地膜をスパッタリング
法等などで成膜し、そしてこの下地膜上に導体コイル間
を導通させる第一導体コイルコンタクトホール部111
bを有した第一導体コイル層111aをフォトリソグラ
フィー法を使用してパターン形成後、このパターン部の
下地膜が露出しているところに例えばめっき法を使用し
て第一導体コイルを成長させる。めっき処理後レジスト
パターンを剥離し、この第一導体コイル以外に存在する
下地膜をイオンミリング法等などを使用して除去する。
これにより第一導体コイル層111aが形成される。
Next, a base film to be formed by, for example, a plating method is formed on the entire surface of the first insulating film 110 by, for example, a sputtering method or the like, and a first conductive film is formed on the base film to allow conduction between the conductor coils. Conductor coil contact hole 111
After patterning the first conductive coil layer 111a having b using photolithography, the first conductive coil is grown using, for example, plating where the base film of the pattern portion is exposed. After the plating, the resist pattern is peeled off, and the underlying film other than the first conductor coil is removed by using an ion milling method or the like.
Thereby, the first conductor coil layer 111a is formed.

【0040】この第一導体コイル層111aは第一絶縁
膜110上をバックギャップ部112と第一導体コイル
コンタクトホール部111bを中心とし且つ、第一導体
コイルコンタクトホール部111bを始点とし螺旋状に
形成されている。
The first conductor coil layer 111a is spirally formed on the first insulating film 110 with the back gap 112 and the first conductor coil contact hole 111b as the centers and the first conductor coil contact hole 111b as a starting point. Is formed.

【0041】次に図2(a)で示すように、第一導体コ
イル上にフォトリソグラフィー法などを使用してフォト
レジスト膜を形成する。さらに、このフォトレジスト膜
の平坦化と第二導体コイル間を絶縁するため所定の温度
にて熱処理を行い、第一導体コイルコンタクトホール部
111bとバックギャップ部112間の第二絶縁膜を排
除し、図9及び図2(b)で示すように突起形状部11
3bの張り出し部を左右に設置した開口部113aを有
する第二絶縁膜113を形成する。第二絶縁膜113に
熱処理をほどこすことにより、第二絶縁膜113の開口
部113aの端壁の斜面が緩やかになるが、開口部11
3aに突起形状部113bをもたせることで、さらに突
起形状部113bの斜面が緩やかに出来る。
Next, as shown in FIG. 2A, a photoresist film is formed on the first conductor coil by using a photolithography method or the like. Further, a heat treatment is performed at a predetermined temperature to flatten the photoresist film and insulate between the second conductor coils, thereby removing the second insulation film between the first conductor coil contact hole portion 111b and the back gap portion 112. As shown in FIG. 9, FIG. 9 and FIG.
A second insulating film 113 having an opening 113a having left and right overhangs 3b is formed. By performing the heat treatment on the second insulating film 113, the slope of the end wall of the opening 113a of the second insulating film 113 becomes gentle.
By providing the projection 3b with the projection 113b, the slope of the projection 113b can be made gentler.

【0042】そして望ましくは、前記第二絶縁膜113
の開口部113aにおける突起形状部113bの張り出
し寸法113cを第二絶縁膜113の膜厚の1〜3倍と
することで第二絶縁膜113の開口部113aの突起形
状部113bの端縁の斜面角度を55〜70度にするこ
とができ、導体コイルの再付着物,残渣の除去を容易に
行うことができる。本実施の形態では第二絶縁膜113
の膜厚値の2倍とし張り出し寸法を3μmに設定した。
Preferably, the second insulating film 113 is formed.
The protrusion 113 c of the projection 113 b in the opening 113 a is set to be 1 to 3 times the thickness of the second insulating film 113 so that the slope of the edge of the projection 113 b of the opening 113 a of the second insulating film 113. The angle can be 55 to 70 degrees, and the reattachment and residue of the conductor coil can be easily removed. In the present embodiment, the second insulating film 113
And the overhang dimension was set to 3 μm.

【0043】次に図3(a)に示すように、第二絶縁膜
113上と第一導体コイルコンタクトホール部111b
上の、全面に例えばめっき法などで形成するための下地
膜をスパッタリング法等などで成膜し、そしてこの下地
膜上に導体コイル間を導通させる第二導体コイルコンタ
クトホール部114bを有した第二導体コイルをフォト
リソグラフィー法を使用してパターン形成後、このパタ
ーン部の下地膜が露出しているところに例えばめっき法
を使用して第二導体コイルを成長させる。めっき処理後
レジストパターンを剥離し、この第二導体コイル以外に
存在する下地膜を例えばイオンミリング法などを使用し
て除去する。これにより第二導体コイル層114aが形
成される。
Next, as shown in FIG. 3A, the second conductive film 113 and the first conductor coil contact hole 111b are formed.
On the entire surface, a base film to be formed by, for example, a plating method or the like is formed by a sputtering method or the like, and a second conductor coil contact hole portion 114b having a second conductor coil contact hole portion 114b for conducting between the conductor coils is formed on the under film. After forming a pattern on the two-conductor coil by using the photolithography method, a second conductor coil is grown by using, for example, a plating method in a portion where the underlying film of the pattern portion is exposed. After the plating, the resist pattern is peeled off, and the underlying film other than the second conductor coil is removed by using, for example, an ion milling method. Thereby, the second conductor coil layer 114a is formed.

【0044】次に、図3(a)で示すようにバックギャ
ップ部112を除く第二導体コイル層114aと第二導
体コイルコンタクトホール部114b上をフォトリソグ
ラフィー法などを使用してフォトレジスト膜を形成し、
平坦化と第二導体コイル間を絶縁するため所定の温度に
て熱処理を行い第三絶縁膜115を形成する。
Next, as shown in FIG. 3A, a photoresist film is formed on the second conductor coil layer 114a and the second conductor coil contact hole 114b except for the back gap portion 112 by using a photolithography method or the like. Forming
A heat treatment is performed at a predetermined temperature to planarize and insulate between the second conductor coils to form a third insulating film 115.

【0045】このとき、第二絶縁膜113と第三絶縁膜
115の構成は、図5並びに図3(b)で示すように、
バックギャップ部112を取り囲む領域において、第三
絶縁膜115の開口部115aが第二絶縁膜113の開
口部113aの突起形状部113bの一部を暴露した状
態に形成させる構成とする。
At this time, the configuration of the second insulating film 113 and the third insulating film 115 is as shown in FIG. 5 and FIG.
In a region surrounding the back gap 112, the opening 115a of the third insulating film 115 is formed so as to expose a part of the protrusion 113b of the opening 113a of the second insulating film 113.

【0046】ここでミリング工程を追加する場合、第三
絶縁膜115に覆われていない第二絶縁膜113の開口
部113aの突起形状部113bに付着しているコイル
付着物や残渣の除去を行うことができ、バックギャップ
部112と第二導体コイルコンタクトホール部114b
間の絶縁化が実現できる。また、第二絶縁膜113の開
口部113aと第三絶縁膜115の開口部115aの重
なり合う部分の構成は、図5で示す以外に、図6の
(a)〜(c)で示すような構成としても同様の絶縁効
果が得られる。
In the case where the milling step is added here, the coil adhering matter and the residue adhering to the protrusion 113b of the opening 113a of the second insulating film 113 not covered by the third insulating film 115 are removed. The back gap 112 and the second conductor coil contact hole 114b.
Insulation between them can be realized. In addition to the configuration shown in FIG. 5, the configuration of the overlapping portion of the opening 113a of the second insulating film 113 and the opening 115a of the third insulating film 115 is as shown in FIGS. The same insulating effect can be obtained.

【0047】次に磁極先端部と第三絶縁膜115上、バ
ックギャップ部112に例えばパーマロイ等の磁性膜か
らなる上部磁極膜116をフォトリソグラフィー法等に
て選択的に形成する。この上部磁極膜116は第三絶縁
膜115上をこえてバックギャップ部112にて下部磁
極膜108と接触し、磁気的に接続した構造として形成
される(図1,図4参照)。
Next, an upper magnetic pole film 116 made of a magnetic film such as permalloy is selectively formed on the magnetic pole tip and the third insulating film 115 and in the back gap 112 by photolithography or the like. The upper magnetic pole film 116 contacts the lower magnetic pole film 108 at the back gap portion 112 over the third insulating film 115 and is formed as a magnetically connected structure (see FIGS. 1 and 4).

【0048】また、第二絶縁膜113の突起形状部11
3b上の再付着物や残渣の除去を第二導体コイル層11
4aの形成後に行ってもよい。
Also, the protrusion 11 of the second insulating film 113
3b to remove the reattachment and residue on the second conductor coil layer 11
It may be performed after the formation of 4a.

【0049】この場合、第二導体コイル層114a形成
後、例えばレジスト膜等を使用して第二絶縁膜113の
開口部113aの突起形状部113bを除き、第二導体
コイルコンタクトホール部114bを含めた第二導体コ
イル層114aの上にエッチング保護膜の形成を行い、
例えばイオンミリング等にてエッチングを行うことで、
再付着物,残渣の除去が可能である。この時、第三絶縁
膜115の形成後の再付着物,残渣のエッチング処理に
より第二絶縁膜113の開口部113aの突起形状部1
13bにおいて広範囲の再付着物,残渣の除去が可能で
あることから前記第三絶縁膜115の形成後の再付着
物,残渣の除去より更に高い絶縁効果が得られる。ま
た、この方法は第三絶縁膜115をもたない単層導体コ
イル搭載の薄膜磁気ヘッドにも有効である。
In this case, after the formation of the second conductor coil layer 114a, the second conductor coil contact hole 114b and the second conductor coil contact hole 114b are removed except for the protrusion 113b of the opening 113a of the second insulation film 113 using, for example, a resist film. Forming an etching protection film on the second conductor coil layer 114a,
For example, by performing etching by ion milling or the like,
It is possible to remove re-adhered substances and residues. At this time, the protrusion-shaped portion 1 of the opening 113a of the second insulating film 113 is etched by etching the re-adhered matter and residue after the formation of the third insulating film 115.
Since a wide range of re-deposits and residues can be removed in 13b, a higher insulating effect can be obtained than the removal of re-deposits and residues after the formation of the third insulating film 115. This method is also effective for a thin-film magnetic head having a single-layer conductor coil without the third insulating film 115.

【0050】さらに図7にて示すように第三絶縁膜11
5の開口部115aの形成位置を限定させる必要がない
ため、上部磁極膜116のフォトリソグラフィー工程で
のハレーションの影響を小さくすることができる。
Further, as shown in FIG.
Since there is no need to limit the formation position of the opening 115a of the fifth magnetic layer 5, the influence of halation in the photolithography process of the upper magnetic pole film 116 can be reduced.

【0051】また、上記の様に新工程を追加せず、例え
ば参考技術の工程である導体コイル下地膜除去や上部磁
性膜下地膜除去工程などの処理時間を延長させること
で、コイル再付着物の除去は可能である。
Further, without adding a new process as described above, for example, by extending the processing time of the conductor coil base film removing step and the upper magnetic film base film removing step which are the steps of the reference technology, the coil reattachment material is removed. Removal is possible.

【0052】上記本実施の形態では、第二絶縁膜113
において、バックギャップ部112と導体コイル層のコ
ンタクトホール部を包含する開口部113aを形成し、
この開口部113aに突起形状部113bを設置した形
状をとっているが、本発明はこれに限定されず、図8の
(a)に示すように第二絶縁膜113の開口部113a
において、バックギャップ部112の周囲の全面が第三
絶縁膜115の開口部115aより暴露する形状や、図
8の(b)に示すように第二絶縁膜113の開口部11
3aにおいて、バックギャップ部112の周囲の少なく
とも一部が開口部115aより暴露する形状をもちいて
もよい。
In the present embodiment, the second insulating film 113
Forming an opening 113a including the back gap 112 and the contact hole of the conductor coil layer,
Although the protrusion 113b is provided in the opening 113a, the present invention is not limited to this. The opening 113a of the second insulating film 113 is formed as shown in FIG.
8, the entire surface around the back gap 112 is exposed from the opening 115a of the third insulating film 115, or the opening 11 of the second insulating film 113 as shown in FIG.
In 3a, at least part of the periphery of the back gap 112 may be exposed through the opening 115a.

【0053】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、第二絶縁膜113の開口部113aに包含されるバ
ックギャップ部112と第一導体コイル層111aおよ
び第二導体コイル層114a等で構成される導体コイル
間の導通による磁極膜と導体コイル間の絶縁性能低下を
防止でき、且つ導体コイルのコンパクト化におけるレジ
スト残り及びハレーションによるレジストフレーム形成
不良を防止することができ、高性能のヘッド特性を実現
可能とする「コンパクトコイル化」構造での技術的課題
を効率よく解決し得る。
As described above, according to the present embodiment, the back gap 112 included in the opening 113a of the second insulating film 113, the first conductor coil layer 111a, the second conductor coil layer 114a, and the like. A high-performance head that can prevent the insulation performance between the magnetic pole film and the conductor coil from deteriorating due to conduction between the formed conductor coils, and prevent resist residue and poor resist frame formation due to halation in downsizing the conductor coil. Technical problems with the "compact coil" structure that enables the realization of characteristics can be efficiently solved.

【0054】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be variously modified without departing from the gist thereof. Needless to say, there is.

【0055】[0055]

【発明の効果】本発明によれば、高性能のヘッド特性を
実現可能とする「コンパクトコイル化」構造を製作する
際の技術的課題を効率よく解決した薄膜磁気ヘッドとそ
の製造方法を提供することができる、という効果が得ら
れる。
According to the present invention, there is provided a thin-film magnetic head and a method for manufacturing the same, which efficiently solve the technical problem in manufacturing a "compact coil" structure capable of realizing high-performance head characteristics. Can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態に係わる薄膜磁気ヘッド
の完成状態の一例を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of a completed state of a thin-film magnetic head according to an embodiment of the present invention.

【図2】(a)および(b)は、それぞれ、本発明の一
実施の形態に係わる薄膜磁気ヘッドの製造過程における
図9の線A−A’および線B−B’での断面構造の一例
を示す断面図である。
FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views taken along lines AA ′ and BB ′ of FIG. 9 in the process of manufacturing the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention, respectively. It is sectional drawing which shows an example.

【図3】(a)および(b)は、それぞれ、図2
(a)、(b)に続く工程における断面構造(図5の線
A−A’および線B−B’)の一例を示す断面図であ
る。
FIGS. 3 (a) and 3 (b) respectively show FIGS.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an example of a cross-sectional structure (line AA ′ and line BB ′ in FIG. 5) in a step following (a) and (b).

【図4】図3(a)に続く工程における断面構造の一例
を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a cross-sectional structure in a step following FIG.

【図5】図3(a)、図3(b)の工程に対応する平面
図である。
FIG. 5 is a plan view corresponding to the steps of FIGS. 3 (a) and 3 (b).

【図6】(a)、(b)および(c)は、本発明の一実
施の形態である薄膜磁気ヘッドにおける第二絶縁膜と第
三絶縁膜の構成の変形例を示す平面図である。
FIGS. 6A, 6B, and 6C are plan views showing modified examples of the configuration of the second insulating film and the third insulating film in the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention; .

【図7】本発明の一実施の形態である薄膜磁気ヘッドに
おける第二絶縁膜と第三絶縁膜の構成の変形例を示す平
面図である。
FIG. 7 is a plan view showing a modification of the configuration of the second insulating film and the third insulating film in the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention.

【図8】(a)および(b)は、本発明の一実施の形態
である薄膜磁気ヘッドにおける第二絶縁膜と第三絶縁膜
の構成の変形例を示す平面図である。
FIGS. 8A and 8B are plan views showing a modification of the configuration of the second insulating film and the third insulating film in the thin-film magnetic head according to an embodiment of the present invention.

【図9】本発明の一実施の形態に係わる薄膜磁気ヘッド
の図2(a)、図2(b)に対応する平面図である。
FIG. 9 is a plan view corresponding to FIGS. 2A and 2B of the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention.

【図10】本発明の一実施の形態に係わる薄膜磁気ヘッ
ドの図1(線B−B’)、図4(線A−A’)に対応す
る平面図である。
FIG. 10 is a plan view corresponding to FIG. 1 (line BB ′) and FIG. 4 (line AA ′) of the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention;

【図11】本発明の参考技術の薄膜磁気ヘッドの製造工
程を説明する断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the thin-film magnetic head according to the reference technology of the present invention.

【図12】本発明の参考技術の薄膜磁気ヘッドの製造工
程における図11に続く断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view following FIG. 11 showing a manufacturing step of the thin-film magnetic head according to the reference technology of the present invention;

【図13】本発明の参考技術の薄膜磁気ヘッドの製造工
程における図12に続く断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view following FIG. 12 showing a manufacturing step of the thin-film magnetic head according to the reference technology of the present invention;

【図14】本発明の参考技術の薄膜磁気ヘッドの製造工
程における図13に続く断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view following FIG. 13 showing a manufacturing step of the thin-film magnetic head according to the reference technology of the present invention;

【図15】本発明の参考技術の薄膜磁気ヘッドの製造工
程における図14に続く断面図である。
FIG. 15 is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the thin-film magnetic head according to the reference technology of the present invention, which is subsequent to FIG. 14;

【図16】本発明の参考技術の薄膜磁気ヘッドの製造工
程における図15に続く断面図である。
FIG. 16 is a sectional view following FIG. 15 showing a manufacturing step of the thin-film magnetic head according to the reference technology of the present invention;

【図17】本発明の参考技術の薄膜磁気ヘッドの製造工
程における図16に続く断面図である。
FIG. 17 is a cross-sectional view following FIG. 16 showing a manufacturing step of the thin-film magnetic head according to the reference technology of the present invention;

【図18】本発明の参考技術の薄膜磁気ヘッドの製造工
程における図17に続く断面図である。
FIG. 18 is a sectional view following FIG. 17 showing a manufacturing step of the thin-film magnetic head according to the reference technology of the present invention;

【図19】本発明の参考技術の薄膜磁気ヘッドの製造工
程における図18に続く断面図である。
FIG. 19 is a sectional view following FIG. 18 in a manufacturing step of the thin-film magnetic head according to the reference technology of the present invention;

【図20】本発明の参考技術の薄膜磁気ヘッドの説明図
である。
FIG. 20 is an explanatory diagram of a thin-film magnetic head according to a reference technique of the present invention.

【図21】本発明の参考技術の薄膜磁気ヘッドの平面図
である。
FIG. 21 is a plan view of a thin-film magnetic head according to a reference technique of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101…基板、102…下部保護膜、103…下部磁気
シールド膜、104…下部シールドギャップ膜、105
…リード端子層、106…MR膜(MR素子)、107
…上部シールドギャップ膜、108…下部磁極膜(上部
磁気シールド膜)、109…ギャップ膜、110…第一
絶縁膜、111a…第一導体コイル層、111b…第一
導体コイルコンタクトホール部、112…バックギャッ
プ部(開口部)、113…第二絶縁膜、113a…開口
部、113b…突起形状部、113c…張り出し寸法、
114a…第二導体コイル層、114b…第二導体コイ
ルコンタクトホール部、115…第三絶縁膜、115a
…開口部、116…上部磁極膜、117…上部保護膜、
201…浮上レール、202…薄膜磁気ヘッド、203
…スライダ、204…端子、241…磁気記録媒体。
101: Substrate, 102: Lower protective film, 103: Lower magnetic shield film, 104: Lower shield gap film, 105
... Lead terminal layer,... MR film (MR element), 107
... upper shield gap film, 108 ... lower magnetic pole film (upper magnetic shield film), 109 ... gap film, 110 ... first insulating film, 111a ... first conductor coil layer, 111b ... first conductor coil contact hole, 112 ... Back gap (opening), 113: second insulating film, 113a: opening, 113b: protrusion, 113c: overhang dimension,
114a: second conductor coil layer, 114b: second conductor coil contact hole, 115: third insulating film, 115a
... opening, 116 ... top magnetic pole film, 117 ... top protective film,
201: flying rail, 202: thin-film magnetic head, 203
... Slider, 204 ... Terminal, 241 ... Magnetic recording medium.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 秀治 栃木県真岡市松山町18番地 日立金属株式 会社OEデバイス部内 (72)発明者 田中 茂徳 栃木県真岡市松山町18番地 日立金属株式 会社OEデバイス部内 (72)発明者 芳田 伸雄 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 今中 律 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージ事業部内 Fターム(参考) 5D033 BA35 BA36 BA39 BA41 DA01 DA02 DA04 DA07 DA08 DA31 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Hideharu Takahashi 18th Matsuyamacho, Moka-shi, Tochigi Hitachi Metals Co., Ltd. OE Device Division (72) Inventor Shigenori Tanaka 18th Matsuyamacho, Moka-shi, Tochigi OE Devices Hitachi Metals Co., Ltd. (72) Inventor Nobuo Yoshida 1-280 Higashi Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo Inside the Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Ritsu Imanaka 2,880 Kozu, Kokufu, Odawara-shi, Kanagawa Prefecture F-term in the Storage Division, Hitachi, Ltd. Reference) 5D033 BA35 BA36 BA39 BA41 DA01 DA02 DA04 DA07 DA08 DA31

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも下部磁性膜、導体コイル層、
上部磁性膜、前記下部磁性膜と前記導体コイル層を絶縁
する第一絶縁膜、前記上部磁性膜と前記導体コイル層を
絶縁する第二絶縁膜を含む薄膜磁気ヘッドであって、前
記第二絶縁膜は前記上部磁性膜と前記下部磁性膜で磁路
を形成するバックギャップ部および前記導体コイル層の
コンタクトホール部を包含する開口部を有し、前記開口
部の輪郭には前記バックギャップ部と前記コンタクトホ
ール部との間に張り出した突起部を有することを特徴と
した薄膜磁気ヘッド。
At least a lower magnetic film, a conductor coil layer,
A thin-film magnetic head comprising: an upper magnetic film, a first insulating film that insulates the lower magnetic film from the conductor coil layer, and a second insulating film that insulates the upper magnetic film from the conductor coil layer. The film has an opening including a back gap portion that forms a magnetic path with the upper magnetic film and the lower magnetic film and a contact hole portion of the conductor coil layer, and the contour of the opening has the back gap portion. A thin-film magnetic head having a projection projecting between said contact hole and said contact hole.
【請求項2】 少なくとも下部磁性膜、第一導体コイル
層、第二導体コイル層、上部磁性膜、前記第一導体コイ
ル層と前記下部磁性膜を絶縁する第一絶縁膜、前記第一
導体コイル層と前記第二導体コイル層を絶縁する第二絶
縁膜を含む薄膜磁気ヘッドであって、前記第二絶縁膜は
前記上部磁性膜と前記下部磁性膜で磁路を形成するバッ
クギャップ部および前記第一導体コイル層と前記第二導
体コイル層のコンタクトホール部を包含する開口部を有
し、前記開口部の輪郭には前記バックギャップ部と前記
コンタクトホール部との間に張り出した突起部を有する
ことを特徴とした薄膜磁気ヘッド。
2. At least a lower magnetic film, a first conductor coil layer, a second conductor coil layer, an upper magnetic film, a first insulating film for insulating the first conductor coil layer from the lower magnetic film, and the first conductor coil A thin-film magnetic head including a second insulating film that insulates a layer and the second conductor coil layer, wherein the second insulating film includes a back gap portion that forms a magnetic path with the upper magnetic film and the lower magnetic film. A first conductor coil layer and an opening including a contact hole of the second conductor coil layer, and a contour of the opening includes a protrusion protruding between the back gap and the contact hole. A thin-film magnetic head comprising:
【請求項3】 請求項2記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記第二導体コイル層の上に第三絶縁膜が設けら
れ、この第三絶縁膜は、前記バックギャップ部を包含
し、前記第二絶縁膜の前記開口部の前記突起部の少なく
とも一部が暴露する開口部を有することを特徴とした薄
膜磁気ヘッド。
3. The thin-film magnetic head according to claim 2, wherein a third insulating film is provided on the second conductor coil layer, the third insulating film including the back gap portion, and A thin-film magnetic head having an opening exposing at least a part of the protrusion of the opening of the insulating film.
【請求項4】 少なくとも下部磁性膜、第一導体コイル
層、第二導体コイル層、上部磁性膜、前記第一導体コイ
ル層と前記下部磁性膜を絶縁する第一絶縁膜、前記第一
導体コイル層と前記第二導体コイル層を絶縁する第二絶
縁膜、前記第二導体コイル層の上にある第三絶縁膜を含
む薄膜磁気ヘッドであって、前記第二絶縁膜は前記上部
磁性膜と前記下部磁性膜で磁路を形成するバックギャッ
プ部および前記第一導体コイル層と前記第二導体コイル
層のコンタクトホール部を包含する開口部を有し、前記
第三絶縁膜は、前記バックギャップ部を包含し、前記第
二絶縁膜の前記開口部の縁部の少なくとも一部分を暴露
する開口部を有することを特徴とした薄膜磁気ヘッド。
4. At least a lower magnetic film, a first conductor coil layer, a second conductor coil layer, an upper magnetic film, a first insulating film for insulating the first conductor coil layer from the lower magnetic film, and the first conductor coil A second insulating film insulating the layer and the second conductor coil layer, a thin-film magnetic head including a third insulating film on the second conductor coil layer, wherein the second insulating film and the upper magnetic film The lower magnetic film has a back gap portion that forms a magnetic path, and an opening that includes a contact hole portion of the first conductor coil layer and the second conductor coil layer. A thin-film magnetic head, comprising: an opening that exposes at least a part of an edge of the opening of the second insulating film.
【請求項5】 請求項1,2,3または4記載の薄膜磁
気ヘッドを製造する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
5. A method of manufacturing a thin film magnetic head for manufacturing the thin film magnetic head according to claim 1, 2, 3, or 4.
【請求項6】 請求項1,2,3または4記載の薄膜磁
気ヘッドを製造する薄膜磁気ヘッドの製造方法であっ
て、前記第二絶縁膜の前記開口部における周縁部の付着
物,残渣を除去する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
6. A method for manufacturing a thin-film magnetic head for manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein a deposit or residue on a peripheral portion of said opening of said second insulating film is removed. A method for manufacturing a thin-film magnetic head including a step of removing.
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