JP2002334962A - Method for manufacturing lead frame - Google Patents

Method for manufacturing lead frame

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JP2002334962A
JP2002334962A JP2001140086A JP2001140086A JP2002334962A JP 2002334962 A JP2002334962 A JP 2002334962A JP 2001140086 A JP2001140086 A JP 2001140086A JP 2001140086 A JP2001140086 A JP 2001140086A JP 2002334962 A JP2002334962 A JP 2002334962A
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JP
Japan
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lead
resist
resist mask
pattern
thickness
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JP2001140086A
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Japanese (ja)
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Satoshi Nagata
敏 永田
Masao Takano
雅夫 高野
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Mitsui High Tec Inc
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Mitsui High Tec Inc
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a lead frame, by which a lead frame with the small variation in a lead width and a lead spacing and superior precision in shape can be manufactured by etching method. SOLUTION: The method for manufacturing a lead frame, in which a resist is provided on a work 11, a pattern of a lead frame is drawn directly on the resist to form a resist mask and the work having the formed resist mask is etched to form a lead pattern, has steps of measuring the thickness of the work 11 for determining the thickness deviation between the measured plate thickness and a nominal plate thickness of the work 11, and applying the thickness deviation to the relation between the predetermined deviation of plate thickness and the spacing of the resist mask, to adjust the spacing of the resist mask and conduct etching.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング法によ
る半導体装置用のリードフレームの製造方法に関する。
The present invention relates to a method of manufacturing a lead frame for a semiconductor device by an etching method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体装置の多機能化、小型化に
伴い、リードフレームは多ピン化され、リード幅及びリ
ードピッチとも微細化される傾向にある。かかるリード
フレームはエッチング法により製造される場合が多い。
エッチング法によるリードフレームの製造では、先ず被
加工板にレジストフィルムを貼付し、このレジストフィ
ルムに事前に作製していたパターンマスクを介して露光
を行ない、これを現像することにより被加工板上にレジ
ストマスクを形成する。次いで、レジストマスクが形成
された被加工板をエッチング液中に浸漬したり、又はレ
ジストマスクが形成された被加工板にエッチング液を吹
きかけることにより、レジストマスクが形成されていな
い被加工板の部分を腐食させて、リードフレームを形成
していた。しかし、この方法では、リードフレームのパ
ターンが変わればその度毎にパターンマスクを製作せね
ばならないという問題があった。このため、被加工板に
貼付したレジストフィルムにリードフレームのパターン
を直接描画してレジストマスクを形成し、エッチングす
る方法が提案されている。この方法では、パターンが変
更となっても、その都度新たにパターンマスクを製作す
る必要がなく、変更が生じてもすばやくリードフレーム
の製造を行なうことが可能になるという利点がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a semiconductor device becomes multifunctional and miniaturized, a lead frame has been increased in the number of pins and both the lead width and the lead pitch have tended to be miniaturized. Such lead frames are often manufactured by an etching method.
In the manufacture of a lead frame by an etching method, first, a resist film is attached to a plate to be processed, and the resist film is exposed to light through a pattern mask that has been prepared in advance, and is then developed on the plate to be processed. A resist mask is formed. Then, by immersing the work plate on which the resist mask is formed in an etchant, or by spraying the etchant on the work plate on which the resist mask is formed, a portion of the work plate on which the resist mask is not formed. To form a lead frame. However, this method has a problem that a pattern mask must be manufactured each time the pattern of the lead frame changes. For this reason, there has been proposed a method of forming a resist mask by directly drawing a pattern of a lead frame on a resist film attached to a work plate, and etching the resist film. This method has the advantage that, even if the pattern is changed, it is not necessary to manufacture a new pattern mask each time, and the lead frame can be manufactured quickly even if the change occurs.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法で製造された多ピンのリードフレームでは、リード
幅やリード間隔が設計値から大きくずれるというリード
形状の不良や、リード幅やリード間隔が安定しないとい
うリード形状のバラツキの問題が発生し易い。特に、被
加工板の板厚が変動すると、エッチングの食刻性が変化
して、リード幅、リード間隔が大きく変動する。このた
め、リード幅とリード間隔が共に微細化しているインナ
ーリードの先端部では、リード幅、リード間隔の変動の
影響が大きく、リードフレーム内に所望のワイヤーボン
ディング箇所が形成されないという問題を引き起こして
いる。本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、リ
ード幅、リード間隔の変動が小さく形状精度に優れるリ
ードフレームをエッチング法により製造することが可能
なリードフレームの製造方法を提供することを目的とす
る。
However, in a multi-pin lead frame manufactured by a conventional method, a defective lead shape in which the lead width or lead interval largely deviates from a design value, or a stable lead width or lead interval is required. The problem of variation in the lead shape, which does not occur, is likely to occur. In particular, when the thickness of the plate to be processed fluctuates, the etchability of the etching changes, and the lead width and the lead interval fluctuate greatly. For this reason, at the tip of the inner lead in which both the lead width and the lead interval are miniaturized, the influence of the variation in the lead width and the lead interval is large, causing a problem that a desired wire bonding portion is not formed in the lead frame. I have. The present invention has been made in view of such circumstances, and it is an object of the present invention to provide a lead frame manufacturing method capable of manufacturing a lead frame having a small variation in lead width and lead interval and having excellent shape accuracy by an etching method. I do.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】前記目的に沿う第1の発
明に係るリードフレームの製造方法は、被加工板にレジ
ストを設け、該レジストにリードフレームのパターンを
直接描画してレジストマスクを形成し、該レジストマス
クが形成された該被加工板をエッチングしてリードパタ
ーンを形成するリードフレームの製造方法において、前
記被加工板の板厚を測定し、該板厚の測定値と前記被加
工板の公称板厚との板厚偏差を求め、該板厚偏差を予め
定めている板厚偏差とレジストマスク間隔の関係に当て
はめてレジストマスク間隔を調整して、エッチングを行
なう。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a lead frame, comprising: providing a resist on a work plate; and forming a resist mask by directly drawing a pattern of the lead frame on the resist. Then, in a method for manufacturing a lead frame in which a lead pattern is formed by etching the work plate on which the resist mask is formed, a thickness of the work plate is measured, and the measured value of the plate thickness and the work thickness are measured. A thickness deviation from a nominal thickness of the plate is obtained, and the thickness deviation is applied to a predetermined relationship between the thickness deviation and the resist mask interval to adjust the resist mask interval to perform etching.

【0005】図4に示すように、リードパターンを形成
するエッチング時間が同じであるのに、被加工板の板厚
が変化すると、板厚が厚くなった箇所ではエッチングが
不十分のところが生じ、リード間隔が狭くリード幅は広
くなる。一方、板厚が薄くなった箇所では、エッチング
が十分に進行しリード間隔が広くリード幅が狭くなる。
このようなことから、被加工板の板厚の変化によりエッ
チングで形成されたリードフレームには形状不良や形状
不均一の問題が発生する。従って、所定のリード幅と所
定のリード間隔を得るためには、被加工板の板厚が厚く
なるとレジストマスク間隔を狭め、被加工板の板厚が薄
くなるとレジストマスク間隔を広げる必要がある。この
ため、被加工板の板厚変化に対して、実質的に設計値と
一致したリード幅及びリード間隔を得ることが可能なレ
ジストマスク間隔を求めて、その結果に基づいて被加工
板の板厚とレジストマスク間隔の関係を定量的に求めて
おくと、被加工板の板厚が変化したときにレジストマス
ク間隔を調整することにより、実質的に設計値と一致し
たリード幅及びリード間隔を維持することが可能とな
る。なお、リードフレームの製造においては、リード間
隔はリード幅が決定されれば一義的に決定される関係に
あるので、リード幅の変動を管理することによりリード
間隔の変動も管理することが可能となる。
[0005] As shown in FIG. 4, if the thickness of the plate to be processed changes while the etching time for forming the lead pattern is the same, insufficient etching may occur at the thickened portion, The lead interval is narrow and the lead width is wide. On the other hand, in a portion where the plate thickness is reduced, the etching proceeds sufficiently, the lead interval is wide, and the lead width is narrow.
For this reason, the lead frame formed by etching due to a change in the plate thickness of the plate to be processed has a problem of a defective shape or a non-uniform shape. Therefore, in order to obtain a predetermined lead width and a predetermined lead interval, it is necessary to narrow the resist mask interval when the plate thickness of the workpiece increases, and to widen the resist mask interval when the plate thickness decreases. For this reason, a resist mask interval capable of obtaining a lead width and a lead interval substantially matching the design value is obtained with respect to a change in the plate thickness of the target plate, and based on the result, the plate of the target plate is determined. If the relationship between the thickness and the resist mask interval is quantitatively determined, the lead width and the lead interval that substantially match the design values can be adjusted by adjusting the resist mask interval when the thickness of the workpiece changes. It can be maintained. In the manufacture of a lead frame, the lead interval is uniquely determined if the lead width is determined. Therefore, it is possible to manage the lead interval fluctuation by managing the lead width fluctuation. Become.

【0006】リードフレームに使用する被加工板は圧延
により厚さの制御が行なわれているが、実際の板厚は、
例えば公称板厚(圧延時の仕上げ板厚制御値)を中心に
ある範囲内に分布している。このため、被加工板の板厚
とレジストマスク間隔との定量的な関係を求めるには、
板厚の絶対値を用いるよりも、板厚の実測値と公称板厚
との差である板厚偏差を採用する方が、板厚の変動に対
して明瞭な定量的関係を得ることができる。このため、
使用する被加工板の板厚を測定して板厚偏差を求め、求
めた板厚偏差とレジストマスク間隔との定量的関係から
最適のレジストマスク間隔を決定するのが好ましい。な
お、板厚偏差とレジストマスク間隔との関係は、ほぼ直
線関係となることを本発明者は実験により確認してい
る。図5に、リード幅がリード幅設計値に実質的に一致
するときの板厚偏差とレジストマスク間隔との関係を模
式的に示す。
[0006] The thickness of a work plate used for a lead frame is controlled by rolling.
For example, it is distributed within a certain range centered on the nominal plate thickness (finished plate thickness control value during rolling). Therefore, in order to determine the quantitative relationship between the thickness of the plate to be processed and the resist mask interval,
Rather than using the absolute value of the thickness, it is possible to obtain a clear quantitative relationship to the variation in the thickness by using the thickness deviation, which is the difference between the measured value of the thickness and the nominal thickness. . For this reason,
It is preferable to measure the thickness of the plate to be used to determine the thickness deviation, and to determine the optimum resist mask interval from the quantitative relationship between the obtained thickness deviation and the resist mask interval. The present inventor has confirmed through experiments that the relationship between the thickness deviation and the resist mask interval is substantially linear. FIG. 5 schematically shows the relationship between the thickness deviation and the resist mask interval when the lead width substantially matches the lead width design value.

【0007】第1の発明に係るリードフレームの製造方
法において、前記板厚偏差とレジストマスク間隔の関係
は、前記板厚偏差の変動に対して、形成される前記リー
ドパターンのリード幅をリード幅設計値と実質的に一致
させることから決定されることが好ましい。板厚偏差の
変動に対して逐次最適なレジストマスク間隔を決定する
ことができ、リードパターンのリード幅が常にリード幅
設計値と実質的に一致する条件でエッチングを行なうこ
とができる。
In the lead frame manufacturing method according to the first aspect of the present invention, the relationship between the thickness deviation and the resist mask interval is such that the lead width of the formed lead pattern is changed with respect to the variation of the thickness deviation. Preferably, it is determined from substantially matching the design value. An optimum resist mask interval can be successively determined with respect to the variation of the plate thickness deviation, and the etching can be performed under the condition that the lead width of the lead pattern always substantially matches the designed lead width.

【0008】前記目的に沿う第2の発明に係るリードフ
レームの製造方法は、被加工板にレジストを設け、該レ
ジストにリードフレームのパターンを直接描画してレジ
ストマスクを形成し、該レジストマスクが形成された被
加工板をエッチングしてリードパターンを形成するリー
ドフレームの製造方法において、形成されたリードパタ
ーンの予め設定された部位のリード幅を測定し、該リー
ド幅の測定値と該リードパターンのリード幅設計値との
リード幅偏差を求め、該リード幅偏差に応じて前記部位
のリード幅に対応するレジストマスク間隔の調整を行な
ってエッチングを行なう。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a lead frame, wherein a resist is provided on a plate to be processed, and a lead frame pattern is directly drawn on the resist to form a resist mask. In a method for manufacturing a lead frame, wherein a lead pattern is formed by etching a formed workpiece, a lead width of a predetermined portion of the formed lead pattern is measured, and a measured value of the lead width and the lead pattern are measured. Then, a lead width deviation from the lead width design value is obtained, and the resist mask interval corresponding to the lead width of the portion is adjusted according to the lead width deviation to perform etching.

【0009】一般に、エッチング法によりリードフレー
ムを製造する場合、エッチング条件、例えば、エッチン
グ液の種類、濃度、温度を一定としても、実際に得られ
たリードパターンのリード幅は設計値と大きく異なる値
となることがある。これは、被加工板の材質変動により
エッチング速度に変化が生じること、リードパターンの
リード幅が部位毎に変化することに伴ってレジストマス
ク間隔も部位毎に変化するため局所的なエッチング速度
に差が生じることが要因と考えられる。このため、得ら
れるリードパターンのリード幅を実質的に設計値と一致
したリード幅とするためには、実際に得られたリードパ
ターンのリード幅を測定し、リード幅設計値との間のリ
ード幅偏差を求めて、その結果を被加工板に形成するレ
ジストマスク間隔の調整に反映させることが好ましい。
In general, when a lead frame is manufactured by an etching method, even if etching conditions, for example, the type, concentration, and temperature of an etching solution are fixed, the lead width of an actually obtained lead pattern greatly differs from a designed value. It may be. This is because the change in the etching rate occurs due to the change in the material of the plate to be processed, and the resist mask interval also changes in each part as the lead width of the lead pattern changes in each part. Is considered to be a factor. For this reason, in order to make the lead width of the obtained lead pattern substantially equal to the design value, the lead width of the actually obtained lead pattern is measured, and the lead width between the lead width and the design value is determined. It is preferable to obtain the width deviation and reflect the result to the adjustment of the interval between the resist masks formed on the plate to be processed.

【0010】ここで、リード幅の変動でレジストマスク
間隔の調整が特に要求されるのは、ワイヤーボンディン
グのためにリード幅が厳密に要求されるインナーリード
先端部である。従って、リード幅偏差dの値に応じてレ
ジストマスク間隔の調整が必要な範囲が決まり、例え
ば、−5μm<d<5μmの場合はレジストマスク間隔
の調整は不要であり、−10μm<d≦−5μm又は5
μm≦d<10μmの場合はインナーリード先端を形成
する部分のレジストマスク間隔の調整のみ必要となる。
更にd≦−10μm又は10μm≦dになると、全ての
レジストマスク間隔の調整が必要となる。なお、高速性
を要求される半導体装置に使用するリードフレームで
は、インナーリード以外のアウターリード等の全リード
パターンについて所定のリード幅と所定のリード間隔が
要求される。従って、この場合には、リード幅偏差d
が、例えばd≦−5μm又は5μm≦dであれば、全て
のレジストマスク間隔の調整が必要となる。
[0010] Here, the adjustment of the resist mask interval is particularly required due to the fluctuation of the lead width at the tip of the inner lead where the lead width is strictly required for wire bonding. Therefore, the range in which the resist mask interval needs to be adjusted is determined according to the value of the lead width deviation d. For example, when −5 μm <d <5 μm, the adjustment of the resist mask interval is unnecessary, and −10 μm <d ≦ −. 5 μm or 5
In the case of μm ≦ d <10 μm, it is only necessary to adjust the distance between the resist masks at the portion where the tip of the inner lead is formed.
Further, when d ≦ −10 μm or 10 μm ≦ d, all the resist mask intervals need to be adjusted. In a lead frame used for a semiconductor device requiring high speed, a predetermined lead width and a predetermined lead interval are required for all lead patterns such as outer leads other than inner leads. Therefore, in this case, the lead width deviation d
However, if, for example, d ≦ −5 μm or 5 μm ≦ d, it is necessary to adjust all the resist mask intervals.

【0011】第2の発明に係るリードフレームの製造方
法において、前記レジストマスク間隔の調整は、前記リ
ード幅偏差が許容値を超えた場合に、前記リード幅を前
記リード幅設計値に実質的に一致させる条件で行なわれ
ることが好ましい。事前に、リード幅偏差の変動に対す
るレジストマスク間隔の調整条件を求めておくので、リ
ード幅偏差を求めてその値が許容値を超えた場合は、直
ちにレジストマスク間隔の調整を行なうことが可能とな
る。
In the method of manufacturing a lead frame according to a second aspect of the present invention, the adjustment of the resist mask interval is performed when the lead width deviation exceeds an allowable value. It is preferable to carry out the conditions under the same conditions. In advance, the conditions for adjusting the resist mask spacing with respect to variations in the lead width deviation are determined, so if the lead width deviation is calculated and the value exceeds the allowable value, the resist mask spacing can be adjusted immediately. Become.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。ここに、図1は本発明の第1の実施
の形態に係るリードフレームの製造方法を適用したリー
ドフレーム製造設備の概略構成を示す説明図、図2は同
リードフレームの製造方法で製造するリードフレームの
設計パターンの説明図、図3は本発明の第2の実施の形
態に係るリードフレームの製造方法を適用したリードフ
レーム製造設備の概略構成を示す説明図である。図1に
示すように、本発明の第1の実施の形態に係るリードフ
レームの製造方法を適用したリードフレーム製造設備1
0は、被加工板11の図示しない搬送手段と、被加工板
11の板厚を測定する板厚測定手段12と、被加工板1
1の表面を洗浄する洗浄機13と、洗浄後の被加工板1
1の表面にレジストを貼付するレジスト貼付機14と、
被加工板11に貼付したレジストにリードフレームのパ
ターンを感光させるレジストパターン描画機15と、描
画されたレジストを現像処理してレジストマスクを形成
する現像機16と、レジストマスクが形成された被加工
板11をエッチングするエッチング機17とを有してい
る。以下、これらについて詳細に説明する。なお、図1
では、被加工板11は、各製造手段間を張られた状態で
通板しているように示しているが、製造手段間にルーパ
ーを設けて通板するようにしてもよい。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings to provide an understanding of the present invention. Here, FIG. 1 is an explanatory view showing a schematic configuration of a lead frame manufacturing equipment to which the lead frame manufacturing method according to the first embodiment of the present invention is applied, and FIG. 2 is a lead manufactured by the same lead frame manufacturing method. FIG. 3 is an explanatory diagram of a frame design pattern, and FIG. 3 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a lead frame manufacturing facility to which a lead frame manufacturing method according to a second embodiment of the present invention is applied. As shown in FIG. 1, a lead frame manufacturing equipment 1 to which a method for manufacturing a lead frame according to a first embodiment of the present invention is applied.
Numeral 0 denotes a conveying means (not shown) of the workpiece plate 11, a thickness measuring means 12 for measuring the thickness of the workpiece board 11, and a
A cleaning machine 13 for cleaning the surface of the work 1
A resist sticking machine 14 for sticking a resist on the surface of 1;
A resist pattern drawing machine 15 for exposing the pattern of the lead frame to the resist affixed to the plate 11 to be processed, a developing machine 16 for developing the drawn resist to form a resist mask, and a processing machine on which the resist mask is formed An etching machine 17 for etching the plate 11; Hereinafter, these will be described in detail. FIG.
In the above description, the workpiece plate 11 is shown as being passed through in a state where the respective manufacturing means are stretched. However, a looper may be provided between the manufacturing means to pass through.

【0013】被加工板11には、例えば、公称板厚が
0.1〜0.2mmのCu合金やFe−Ni合金が使用
できる。また、板厚測定手段12には、例えば透過式の
超音厚計が使用できる。洗浄機13には、例えば水洗浄
部、有機溶剤洗浄部、及び赤外線乾燥部が設けられ、洗
浄機13内に被加工板11を通過させることにより、被
加工板11の表面に付着した汚れを除去してレジストを
被加工板11に貼付する際の接着力を高めることができ
る。レジスト貼付機14は、洗浄後の被加工板11の表
面にレジストを貼付するもので、リードフレームの製造
においてレジスト貼付用に一般に使用されている機器を
使用することができる。また、現像機16、及びエッチ
ング機17にも、リードフレームの製造において一般に
使用されている機器を使用することができる。
For the plate 11 to be processed, for example, a Cu alloy or a Fe-Ni alloy having a nominal thickness of 0.1 to 0.2 mm can be used. For the thickness measuring means 12, for example, a transmission type supersonic thickness gauge can be used. The washing machine 13 is provided with, for example, a water washing unit, an organic solvent washing unit, and an infrared drying unit. By passing the work plate 11 through the washing machine 13, dirt attached to the surface of the work plate 11 is removed. It is possible to increase the adhesive strength when the resist is removed and the resist is attached to the work plate 11. The resist pasting machine 14 pastes a resist on the surface of the processed plate 11 after cleaning, and may be a device generally used for resist pasting in the manufacture of a lead frame. In addition, as the developing device 16 and the etching device 17, devices generally used in the production of lead frames can be used.

【0014】レジストパターン描画機15は、板厚偏差
を求める板厚偏差器18、板厚偏差からレジストマスク
間隔を決定する制御手段19、制御手段19で決定され
たレジストマスク間隔に基づいてレジストパターンをレ
ジストに直接描画する感光手段20を有している。板厚
偏差器18は、板厚測定手段12から入力された被加工
板11の板厚測定値と、図示しない生産管理用制御装置
から転送された被加工板11の公称板厚に基づいて板厚
偏差を計算する。制御手段19には、レジストパターン
のレジストマスク間隔を決定するレジストマスク間隔決
定部と、決定されたレジストマスク間隔に基づいてレジ
ストパターンが形成されるように感光制御を行なうレジ
ストパターン制御部が設けられている。レジストマスク
間隔決定部では、生産管理用制御装置から転送されたリ
ードパターンとリード幅設計値に基づいて、被加工板1
1の板厚が変動しても、すなわち板厚偏差が変動して
も、形成されるリードパターンのリード幅が常にリード
幅設計値と実質的に一致する、例えば、リード幅設計値
に対して±10μmの範囲内となるように、板厚偏差器
18から入力された板厚偏差の値に応じてレジストマス
ク間隔の決定が行なわれる。板厚偏差器18と制御手段
19は、例えばパーソナルコンピュータを用いて構成す
ることができる。感光手段20は、制御手段19で決定
されたレジストマスク間隔でリードパターンを感光させ
る機能を有し、レジストを感光させる光を照射する、例
えばレーザー発信部21と、決定されたレジストマスク
間隔でレジストが感光するようにレーザー光線の光路を
制御する光学制御部22を備えている。
The resist pattern drawing machine 15 includes a thickness deviation unit 18 for determining a thickness deviation, control means 19 for determining a resist mask interval from the thickness deviation, and a resist pattern based on the resist mask interval determined by the control means 19. Is provided directly on the resist. The sheet thickness deviation unit 18 calculates the sheet thickness based on the sheet thickness measurement value of the work sheet 11 input from the sheet thickness measuring means 12 and the nominal work thickness of the work sheet 11 transferred from a production management controller (not shown). Calculate the thickness deviation. The control means 19 is provided with a resist mask interval determining unit for determining a resist mask interval of the resist pattern, and a resist pattern control unit for performing photosensitive control so that a resist pattern is formed based on the determined resist mask interval. ing. In the resist mask interval determination unit, based on the lead pattern and the lead width design value transferred from the control device for production management,
1 even when the thickness of the lead pattern fluctuates, that is, when the thickness deviation fluctuates, the lead width of the formed lead pattern always substantially matches the lead width design value. The resist mask interval is determined in accordance with the value of the thickness deviation input from the thickness deviation device 18 so as to be within the range of ± 10 μm. The thickness deviation device 18 and the control means 19 can be configured using, for example, a personal computer. The photosensitive means 20 has a function of exposing the lead pattern at the resist mask interval determined by the control means 19, and irradiates light for exposing the resist, for example, a laser emitting unit 21 and the resist at the determined resist mask interval. The optical control unit 22 controls the optical path of the laser beam so that the light is exposed.

【0015】以上のような構成とすることにより、連続
して搬送されている被加工板11の板厚を板厚測定手段
12で逐次測定し、その結果をレジストパターン描画機
15の板厚偏差器18に入力して板厚偏差を求め、制御
手段19で、板厚偏差を予め定めている板厚偏差とレジ
ストマスク間隔の関係に当てはめて、板厚偏差から被加
工板11の板厚変動に伴う最適レジストマスク間隔を決
定して、感光手段20で被加工板11に貼付されたレジ
ストを感光させてリードパターンを直接描画することが
できる。その結果、レジストパターンが描画された被加
工板11を現像しエッチングすることにより、被加工板
11の板厚が途中で変動しても、常に形成されるリード
パターンのリード幅がリード幅設計値と実質的に一致し
ているリードフレームを製造することが可能となる。
With the above configuration, the thickness of the work plate 11 being continuously conveyed is sequentially measured by the thickness measuring means 12, and the result is measured by the thickness deviation of the resist pattern drawing machine 15. The thickness deviation is obtained by inputting the thickness deviation to the predetermined relationship between the thickness deviation and the resist mask interval by the control means 19, and the thickness variation of the workpiece 11 is calculated from the thickness deviation. Then, the optimum resist mask interval is determined, and the lead pattern can be directly drawn by exposing the resist affixed to the processing target plate 11 by the exposure means 20. As a result, by developing and etching the processing target plate 11 on which the resist pattern is drawn, even if the thickness of the processing target plate 11 fluctuates on the way, the lead width of the lead pattern always formed becomes the lead width design value. Can be manufactured.

【0016】続いて、本発明の第1の実施の形態に係る
リードフレームの製造方法について詳細に説明する。搬
送手段により被加工板11がリードフレーム製造設備1
0に搬送されてくると、始めに被加工板11の板厚が板
厚測定手段12により測定される。板厚が測定された被
加工板11は、洗浄器13に搬送されて表面に付着して
いる汚れが除去される。続いてレジスト貼付機14に搬
送されて被加工板11の表面にレジストが貼付される。
レジストが貼付された被加工板11は感光手段20に搬
送される。
Next, a method for manufacturing a lead frame according to the first embodiment of the present invention will be described in detail. The plate 11 to be processed is transferred to the lead frame manufacturing equipment 1 by the transport means.
When it is conveyed to zero, first, the thickness of the workpiece plate 11 is measured by the thickness measuring means 12. The plate 11 whose thickness has been measured is conveyed to the cleaning device 13 to remove dirt attached to the surface. Then, it is conveyed to the resist sticking machine 14 and the resist is stuck on the surface of the plate 11 to be processed.
The plate 11 to which the resist has been applied is conveyed to the photosensitive unit 20.

【0017】一方、板厚測定手段12で測定された板厚
測定値は板厚偏差器18に転送される。板厚偏差器18
では生産管理用制御装置から転送された被加工板11の
公称板厚を用いて板厚偏差が計算され、その結果は制御
手段19に転送される。また、制御手段19には生産管
理用制御装置からリードパターンとリード幅設計値が入
力され、リード幅設計値と板厚偏差からレジストマスク
間隔決定部においてレジストマスク間隔の決定が行なわ
れる。その結果はレジストパターン制御部に転送され、
レジストパターン制御部ではリード幅設計値を有するリ
ードパターンを形成するためのパターンマスクを形成す
る感光手段20の光学制御部22の操作条件が演算され
る。
On the other hand, the measured value of the thickness measured by the thickness measuring means 12 is transferred to a thickness deviation device 18. Sheet thickness deviation device 18
In, the thickness deviation is calculated using the nominal thickness of the workpiece plate 11 transferred from the production management control device, and the result is transferred to the control means 19. Further, the lead pattern and the lead width design value are input from the production management control device to the control means 19, and the resist mask interval determination unit determines the resist mask interval from the lead width design value and the thickness deviation. The result is transferred to the resist pattern control unit,
In the resist pattern control unit, operation conditions of the optical control unit 22 of the photosensitive unit 20 for forming a pattern mask for forming a lead pattern having a lead width design value are calculated.

【0018】レジストが貼付された被加工板11が感光
手段20に搬送されたことが図示しない被加工板検出機
で検知されると、その検知信号が制御手段19に入力さ
れ、制御手段19では、レジストパターン制御部で求め
た操作条件を光学制御部22に出力すると共に、レーザ
ー発信部21にレーザー発信制御信号を出力する。従っ
て、被加工板11の搬送に同期して、被加工板11の表
面に貼付されたレジストにレジストパターンを感光させ
ることができる。レジストにレジストパターンを感光さ
せた被加工板11は引き続いて現像機16に搬送され
て、レジストを現像することにより被加工板11上にレ
ジストマスクが形成される。レジストマスクが形成され
た被加工板11をエッチング機17に搬送してエッチン
グすることにより、リードパターンを被加工板11に形
成することができる。図2に形成するリードパターンに
対する設計パターンの一例を示す。ここで、22aはリ
ードフレーム、22bは半導体チップ装着部、22cは
インナーリード、22dはインナーリード先端部、22
eはアウターリードをそれぞれ示す。
When a work plate detector (not shown) detects that the work plate 11 to which the resist has been applied has been conveyed to the photosensitive means 20, a detection signal is input to the control means 19, and the control means 19 The operation conditions obtained by the resist pattern control unit are output to the optical control unit 22 and a laser transmission control signal is output to the laser transmission unit 21. Therefore, the resist pattern can be exposed to the resist stuck on the surface of the workpiece 11 in synchronization with the transport of the workpiece 11. The processing target plate 11 having the resist exposed to the resist pattern is subsequently conveyed to the developing machine 16 and the resist is developed to form a resist mask on the processing target plate 11. The lead pattern can be formed on the workpiece 11 by transporting the workpiece 11 on which the resist mask is formed to the etching machine 17 for etching. FIG. 2 shows an example of a design pattern for a lead pattern to be formed. Here, 22a is the lead frame, 22b is the semiconductor chip mounting portion, 22c is the inner lead, 22d is the tip of the inner lead, 22d
e indicates an outer lead, respectively.

【0019】次に、図3に示すように、本発明の第2の
実施の形態に係るリードフレームの製造方法を適用した
リードフレーム製造設備23は、被加工板11の図示し
ない搬送手段と、被加工板11の表面を洗浄する洗浄機
24と、洗浄後の被加工板11の表面にレジストを貼付
するレジスト貼付機25と、被加工板11に貼付したレ
ジストにリードフレームのパターンを直接描画するレジ
ストパターン描画機26と、描画されたレジストを現像
処理してレジストマスクを形成する現像機27と、レジ
ストマスクが形成された被加工板11をエッチングする
エッチング機28とを有している。以下、これらについ
て詳細に説明するが、リードフレーム製造設備23で使
用する洗浄機24、レジスト貼付機25、現像機27、
エッチング機28は、リードフレーム製造設備10と実
質的に同一の構成機器を使用することができるので、構
成機器の詳しい説明は省略する。
Next, as shown in FIG. 3, the lead frame manufacturing equipment 23 to which the method for manufacturing a lead frame according to the second embodiment of the present invention is applied comprises a conveying means (not shown) for the plate 11 to be processed, A washing machine 24 for cleaning the surface of the work plate 11, a resist pasting machine 25 for applying a resist to the surface of the work plate 11 after cleaning, and direct drawing of a lead frame pattern on the resist affixed to the work plate 11 A resist pattern drawing machine 26 for developing, a developing machine 27 for developing a drawn resist to form a resist mask, and an etching machine 28 for etching the workpiece plate 11 on which the resist mask is formed. Hereinafter, these will be described in detail, but a washing machine 24, a resist pasting machine 25, a developing machine 27 used in the lead frame manufacturing equipment 23,
Since the etching machine 28 can use substantially the same components as the lead frame manufacturing equipment 10, detailed description of the components will be omitted.

【0020】レジストパターン描画機26は、例えば設
計パターンの標準リードマスク間隔で形成されたレジス
トマスクからエッチングにより形成されたリードパター
ンに対して予め設定された部位のリード幅を測定する形
状測定手段29と、リード幅偏差を求めるリード幅偏差
器30と、リード幅偏差からレジストマスク間隔を決定
する制御手段31と、制御手段31で決定されたレジス
トマスク間隔に基づいてレジストパターンをレジストに
直接描画する感光手段32を有している。形状測定手段
29には、例えばCCD素子を備えたテレビカメラを使
用することができる。リード幅偏差器30は、形状測定
手段29から入力されたリードパターンのリード幅測定
値と、図示しない生産管理用制御装置から転送されたリ
ードパターンのリード幅設計値に基づいてリード幅偏差
を計算する。制御手段31には、レジストパターンのレ
ジストマスク間隔を決定するレジストマスク間隔決定部
と、決定されたレジストマスク間隔に基づいてレジスト
パターンが形成されるように感光制御を行なうレジスト
パターン制御部が設けられている。なお、レジストマス
ク間隔決定部では、予めレジストパターンの各部位毎に
リード幅偏差の許容値が決められており、リード幅偏差
が許容値を超えた場合に限り、リード幅がリード幅設計
値に実質的に一致するようなレジストマスク間隔の決定
が行なわれるようになっている。リード幅偏差器30と
制御手段31は、例えばパーソナルコンピュータを用い
て構成することができる。感光手段32は、制御手段3
1で決定されたレジストマスク間隔でリードパターンを
感光させる機能を有し、レジストを感光させる光を照射
する、例えばレーザー発信部33と、決定されたレジス
トマスク間隔でレジストが感光するようにレーザー光線
の光路を制御する光学制御部34を備えている。
The resist pattern drawing machine 26 is, for example, a shape measuring means 29 for measuring a lead width of a predetermined portion with respect to a lead pattern formed by etching from a resist mask formed at a standard lead mask interval of a design pattern. A lead width deviation unit 30 for calculating a lead width deviation; a control unit 31 for determining a resist mask interval from the lead width deviation; and a resist pattern directly drawn on the resist based on the resist mask interval determined by the control unit 31. Photosensitive means 32 is provided. As the shape measuring means 29, for example, a television camera having a CCD element can be used. The lead width deviation device 30 calculates the lead width deviation based on the lead width measurement value of the lead pattern input from the shape measuring means 29 and the lead width design value of the lead pattern transferred from the production management controller (not shown). I do. The control means 31 is provided with a resist mask interval determining unit for determining a resist mask interval of the resist pattern, and a resist pattern control unit for performing a photosensitive control so that a resist pattern is formed based on the determined resist mask interval. ing. In the resist mask interval determination unit, the allowable value of the lead width deviation is determined in advance for each part of the resist pattern, and only when the lead width deviation exceeds the allowable value, the lead width becomes the lead width design value. The resist mask interval is determined so as to substantially match. The lead width deviation device 30 and the control means 31 can be configured using, for example, a personal computer. The photosensitive means 32 includes the control means 3
It has a function of exposing the lead pattern at the resist mask interval determined in step 1 and irradiating light to sensitize the resist, for example, a laser emitting unit 33 and a laser beam so that the resist is exposed at the determined resist mask interval An optical control unit 34 for controlling an optical path is provided.

【0021】続いて、本発明の第2の実施の形態に係る
リードフレームの製造方法について詳細に説明する。搬
送手段により被加工板11がリードフレーム製造設備2
3に搬送されてくると、始めに被加工板11は、洗浄器
24に搬送されて表面に付着している汚れが除去され
る。続いてレジスト貼付機25に搬送されて被加工板1
1の表面にレジストが貼付される。レジストが貼付され
た被加工板11はレジストパターン描画機26に搬送さ
れる。レジストパターン描画機26では、リード幅設計
値を有するリードパターンが形成されるように制御手段
31からの指示に従って感光手段32が操作されて、レ
ジストパターンの感光が行なわれる。レジストにレジス
トパターンを感光させた被加工板11は引き続いて現像
機27に搬送されて、レジストを現像することにより被
加工板11上にレジストマスクを形成する。レジストマ
スクが形成された被加工板11はエッチング機28に搬
送されエッチングされて、リードパターンが被加工板1
1に形成される。リードパターンが形成された被加工板
11はエッチング機28から搬出され、形状測定手段2
9により予め設定された部位のリード幅が測定される。
リード幅測定値はリード幅偏差器30に入力され、生産
管理用制御装置から転送された対応する部位のリード幅
設計値を基にリード幅偏差が算出され、リード幅偏差は
制御手段31に入力される。
Next, a method for manufacturing a lead frame according to the second embodiment of the present invention will be described in detail. The plate 11 to be processed is transferred to the lead frame manufacturing equipment 2 by the transfer means.
3, first, the work plate 11 is transferred to the cleaning device 24 to remove the dirt attached to the surface. Subsequently, the substrate 1 is conveyed to the resist attaching machine 25 to be processed 1
A resist is stuck on the surface of 1. The plate 11 to which the resist has been applied is conveyed to a resist pattern drawing machine 26. In the resist pattern drawing machine 26, the photosensitive means 32 is operated in accordance with an instruction from the control means 31 so that a lead pattern having a designed lead width is formed, and the resist pattern is exposed. The processing target plate 11 having the resist exposed to the resist pattern is subsequently conveyed to the developing machine 27, where the resist is developed to form a resist mask on the processing target plate 11. The processing target plate 11 on which the resist mask is formed is conveyed to the etching machine 28 and etched, and the lead pattern is changed to the processing target plate 1.
1 is formed. The work plate 11 on which the lead pattern has been formed is carried out of the etching machine 28 and
9 is used to measure the lead width of the part set in advance.
The measured lead width is input to the lead width deviation unit 30, and the lead width deviation is calculated based on the lead width design value of the corresponding part transferred from the control device for production management. The lead width deviation is input to the control means 31. Is done.

【0022】制御手段31に入力されたリード幅偏差
は、レジストマスク間隔決定部においてリード幅偏差の
判定が行なわれる。レジストマスク間隔決定部では、予
めレジストパターンの各部位毎にリード幅偏差の許容値
が決められており、製造するリードパターンの種類に応
じて判定を行なう部位が決定されている。従って、入力
されたリード幅偏差と、判定部位、例えばインナーリー
ド先端部で決められている許容値との比較が行なわれ
る。リード幅偏差が許容値を超える場合は、形成される
リードパターンのリード幅がリード幅設計値と実質的に
一致する、例えば、リード幅設計値に対して±10μm
の範囲内となるようにレジストマスク間隔が演算されて
レジストマスク間隔の決定が行なわれる。レジストパタ
ーン制御部では、レジストマスク間隔決定部で決定され
たレジストマスク間隔でレジストパターンが形成される
ように、感光手段32の光学制御部34の操作条件が演
算される。操作条件が決定されると、制御手段31で
は、レジストパターン制御部で求めた操作条件を光学制
御部34に出力すると共に、レーザー発信部33にレー
ザー発信制御信号を出力する。従って、被加工板11の
搬送に同期して、被加工板11の表面に貼付されたレジ
ストにレジストマスク間隔の修正されたレジストパター
ンを感光させることができる。
The lead width deviation input to the control means 31 is determined by the resist mask interval determination section. In the resist mask interval determination unit, the allowable value of the lead width deviation is determined in advance for each part of the resist pattern, and the part to be determined is determined according to the type of the lead pattern to be manufactured. Therefore, a comparison is made between the input lead width deviation and an allowable value determined at the determination site, for example, the tip of the inner lead. When the lead width deviation exceeds the allowable value, the lead width of the formed lead pattern substantially matches the designed lead width, for example, ± 10 μm with respect to the designed lead width.
The resist mask interval is calculated so as to fall within the range, and the resist mask interval is determined. In the resist pattern control unit, operation conditions of the optical control unit 34 of the photosensitive unit 32 are calculated so that a resist pattern is formed at the resist mask interval determined by the resist mask interval determination unit. When the operation conditions are determined, the control unit 31 outputs the operation conditions obtained by the resist pattern control unit to the optical control unit 34 and outputs a laser transmission control signal to the laser transmission unit 33. Therefore, the resist pattern with the corrected resist mask interval can be exposed to the resist affixed to the surface of the workpiece 11 in synchronization with the transport of the workpiece 11.

【0023】以上、本発明の実施の形態を説明したが、
本発明は、この実施の形態に限定されるものではなく、
例えば、板厚偏差の変動に対してレジストマスク間隔を
その都度調整したが、形成するレジストパターン毎に板
厚偏差許容値を設けて、板厚偏差が許容値を終えた場合
に対してのみレジストマスク間隔の調整を行なうように
してもよい。また、リード幅偏差判定部位をインナーリ
ード先端部としたが、高速性を要求される半導体装置に
使用するリードフレームでは全リードパターンについて
のリード幅を対象としてレジストマスク間隔の調整行な
うようにすることもできる。
The embodiment of the present invention has been described above.
The present invention is not limited to this embodiment,
For example, the resist mask interval was adjusted each time for the variation of the thickness deviation.However, an allowable value of the thickness deviation was provided for each resist pattern to be formed, and only when the thickness deviation exceeded the allowable value, the resist mask was set. Adjustment of the mask interval may be performed. Although the lead width deviation determination site is the tip of the inner lead, in a lead frame used for a semiconductor device requiring high speed, the resist mask interval should be adjusted for the lead width of all the lead patterns. Can also.

【0024】[0024]

【発明の効果】請求項1及び2記載のリードフレームの
製造方法においては、被加工板の板厚を測定し、板厚の
測定値と被加工板の公称板厚との板厚偏差を求め、板厚
偏差を予め定めている板厚偏差とレジストマスク間隔の
関係に当てはめてレジストマスク間隔を調整して、エッ
チングを行なうので、形状精度の優れたリードパターン
を有するリードフレームを製造することができる。特
に、請求項2記載のリードフレームの製造方法において
は、板厚偏差の変動に対して形成されるリードパターン
のリード幅が所定値となるレジストマスク間隔の設定条
件を予め求めておき、設定条件に基づいて板厚偏差に対
応したレジストマスク間隔を決定するので、板厚偏差に
対して最適なレジストマスク間隔をすばやく決定するこ
とができ、形状精度の高いリードフレームを効率的に製
造することが可能となる。
According to the first and second embodiments of the present invention, the thickness of the work plate is measured, and the thickness deviation between the measured value of the work thickness and the nominal thickness of the work plate is determined. Since the thickness deviation is applied to a predetermined relation between the thickness deviation and the resist mask interval to adjust the resist mask interval and perform etching, it is possible to manufacture a lead frame having a lead pattern with excellent shape accuracy. it can. In particular, in the method for manufacturing a lead frame according to the second aspect, the setting condition of the resist mask interval at which the lead width of the lead pattern formed with respect to the variation of the thickness deviation becomes a predetermined value is obtained in advance. The optimum resist mask interval for the thickness deviation can be quickly determined, and the lead frame with high shape accuracy can be manufactured efficiently. It becomes possible.

【0025】請求項3及び4記載のリードフレームの製
造方法においては、形成されたリードパターンの予め設
定された部位のリード幅を測定し、リード幅の測定値と
リードパターンのリード幅設計値とのリード幅偏差を求
め、リード幅偏差に応じて部位のリード幅に対応するレ
ジストマスク間隔の調整を行なってエッチングを行なう
ので、直ちにレジストマスク間隔を調整でき、形状精度
の高いリードフレームを製造することができる。特に、
請求項4記載のリードフレームの製造方法においては、
レジストマスク間隔の調整は、リード幅偏差が許容値を
超えた場合に、リード幅をリード幅設計値に実質的に一
致させる条件で行なわれるので、リード幅偏差が大きく
なると直ちにレジストマスク間隔の調整が行なわれて、
形状精度の高いリードフレームを安定して製造すること
が可能となる。
In the method for manufacturing a lead frame according to the third and fourth aspects, the lead width of a predetermined portion of the formed lead pattern is measured, and the measured value of the lead width and the lead width design value of the lead pattern are measured. The lead width deviation is determined, and the resist mask interval corresponding to the lead width of the part is adjusted according to the lead width deviation to perform the etching. Therefore, the resist mask interval can be adjusted immediately, and a lead frame with high shape accuracy can be manufactured. be able to. In particular,
In the method for manufacturing a lead frame according to claim 4,
The adjustment of the resist mask interval is performed under the condition that the lead width substantially coincides with the design value of the lead width when the lead width deviation exceeds the allowable value. Is done,
It is possible to stably manufacture a lead frame having high shape accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係るリードフレー
ムの製造方法を適用したリードフレーム製造設備の概略
構成を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a lead frame manufacturing facility to which a method for manufacturing a lead frame according to a first embodiment of the present invention is applied.

【図2】同リードフレームの製造方法で製造するリード
フレームの設計パターンの説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a design pattern of a lead frame manufactured by the lead frame manufacturing method.

【図3】本発明の第2の実施の形態に係るリードフレー
ムの製造方法を適用したリードフレーム製造設備の概略
構成を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a lead frame manufacturing facility to which a method for manufacturing a lead frame according to a second embodiment of the present invention is applied.

【図4】被加工板の板厚とサイドエッチング量の概念関
係を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a conceptual relationship between a plate thickness of a work plate and a side etching amount.

【図5】リード幅がリード幅設計値に実質的に一致する
ときの板厚偏差とレジストマスク間隔との関係を示す模
式図である。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a relationship between a thickness deviation and a resist mask interval when a lead width substantially matches a lead width design value.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:リードフレーム製造設備、11:被加工板、1
2:板厚測定手段、13:洗浄機、14:レジスト貼付
機、15:レジストパターン描画機、16:現像機、1
7:エッチング機、18:板厚偏差器、19:制御手
段、20:感光手段、21:レーザー発信部、22:光
学制御部、22a:リードフレーム、22b:半導体チ
ップ装着部、22c:インナーリード、22d:インナ
ーリード先端部、22e:アウターリード、23:リー
ドフレーム製造設備、24:洗浄機、25:レジスト貼
付機、26:レジストパターン描画機、27:現像機、
28:エッチング機、29:形状測定手段、30:リー
ド幅偏差器、31:制御手段、32:感光手段、33:
レーザー発信部、34:光学制御部
10: Lead frame manufacturing equipment, 11: Work plate, 1
2: plate thickness measuring means, 13: washing machine, 14: resist pasting machine, 15: resist pattern drawing machine, 16: developing machine, 1
7: etching machine, 18: plate thickness deviation device, 19: control means, 20: photosensitive means, 21: laser emitting section, 22: optical control section, 22a: lead frame, 22b: semiconductor chip mounting section, 22c: inner lead , 22d: tip of inner lead, 22e: outer lead, 23: lead frame manufacturing equipment, 24: cleaning machine, 25: resist attaching machine, 26: resist pattern drawing machine, 27: developing machine,
28: etching machine, 29: shape measuring means, 30: lead width deviation device, 31: control means, 32: photosensitive means, 33:
Laser transmitter, 34: Optical controller

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被加工板にレジストを設け、該レジスト
にリードフレームのパターンを直接描画してレジストマ
スクを形成し、該レジストマスクが形成された該被加工
板をエッチングしてリードパターンを形成するリードフ
レームの製造方法において、前記被加工板の板厚を測定
し、該板厚の測定値と前記被加工板の公称板厚との板厚
偏差を求め、該板厚偏差を予め定めている板厚偏差とレ
ジストマスク間隔の関係に当てはめてレジストマスク間
隔を調整して、エッチングを行なうことを特徴とするリ
ードフレームの製造方法。
1. A resist is formed on a work plate, a lead frame pattern is directly drawn on the resist to form a resist mask, and the work plate on which the resist mask is formed is etched to form a lead pattern. In the method for manufacturing a lead frame, the thickness of the plate to be processed is measured, the thickness deviation between the measured value of the thickness and the nominal thickness of the plate to be processed is determined, and the thickness deviation is determined in advance. A method of manufacturing a lead frame, wherein the etching is performed by adjusting the resist mask interval by applying the relationship between the plate thickness deviation and the resist mask interval.
【請求項2】 請求項1記載のリードフレームの製造方
法において、前記板厚偏差とレジストマスク間隔の関係
は、前記板厚偏差の変動に対して、形成される前記リー
ドパターンのリード幅をリード幅設計値と実質的に一致
させることから決定されることを特徴とするリードフレ
ームの製造方法。
2. The lead frame manufacturing method according to claim 1, wherein the relationship between the thickness deviation and the resist mask interval is such that a lead width of the formed lead pattern is read with respect to the variation of the thickness deviation. A method for manufacturing a lead frame, wherein the method is determined based on substantially matching a width design value.
【請求項3】 被加工板にレジストを設け、該レジスト
にリードフレームのパターンを直接描画してレジストマ
スクを形成し、該レジストマスクが形成された被加工板
をエッチングしてリードパターンを形成するリードフレ
ームの製造方法において、形成されたリードパターンの
予め設定された部位のリード幅を測定し、該リード幅の
測定値と該リードパターンのリード幅設計値とのリード
幅偏差を求め、該リード幅偏差に応じて前記部位のリー
ド幅に対応するレジストマスク間隔の調整を行なってエ
ッチングを行なうことを特徴とするリードフレームの製
造方法。
3. A resist is formed on a plate to be processed, a pattern of a lead frame is directly drawn on the resist to form a resist mask, and the plate on which the resist mask is formed is etched to form a lead pattern. In the lead frame manufacturing method, a lead width of a predetermined portion of a formed lead pattern is measured, and a lead width deviation between a measured value of the lead width and a lead width design value of the lead pattern is determined. A method of manufacturing a lead frame, comprising: adjusting a resist mask interval corresponding to a lead width of the portion according to a width deviation to perform etching.
【請求項4】 請求項3記載のリードフレームの製造方
法において、前記レジストマスク間隔の調整は、前記リ
ード幅偏差が許容値を超えた場合に、前記リード幅を前
記リード幅設計値に実質的に一致させる条件で行なわれ
ることを特徴とするリードフレームの製造方法。
4. The method of manufacturing a lead frame according to claim 3, wherein the adjustment of the resist mask interval is performed when the lead width deviation exceeds an allowable value. A method for manufacturing a lead frame, wherein the method is performed under conditions that match the conditions.
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CN111004996A (en) * 2014-05-13 2020-04-14 大日本印刷株式会社 Method for manufacturing metal plate and method for manufacturing vapor deposition mask
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