JP2002330028A - Gunn oscillator - Google Patents

Gunn oscillator

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JP2002330028A
JP2002330028A JP2001257329A JP2001257329A JP2002330028A JP 2002330028 A JP2002330028 A JP 2002330028A JP 2001257329 A JP2001257329 A JP 2001257329A JP 2001257329 A JP2001257329 A JP 2001257329A JP 2002330028 A JP2002330028 A JP 2002330028A
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gunn
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diode
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潤寧 馬場
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隆浩 玉江
Tatsuro Fukuda
達朗 福田
Futoshi Kuroki
太司 黒木
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a Gunn oscillator that easily transfers heat being generated by a Gunn diode to upper and lower conductor plates, can prevent damage in the Gunn diode due to the heat, and can prevent oscillation output from leaking to the back portion of the Gunn diode mount. SOLUTION: The Gunn oscillator uses a radiationless dielectric line that retains a dielectric strip between conductor plates separated in parallel as an output line, and uses the Gunn diode as an oscillation element. Also, the Gunn oscillator has at least two projections where the axial length in the Gunn diode at the contact section between the Gunn diode mount and the conductor plate is an odd double of the 1/4 wavelength in the free speed of an oscillation frequency, and a recess where the axial length in the Gunn diode being sandwiched by the projections is an odd double of 1/4 wavelength in the free speed of the oscillation frequency on the contact surface between the Gunn diode mount for mounting the Gun diode on the side and the conductor plate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、出力線路にNRD
ガイドを用い発振素子にガンダイオードを用いた、高周
波信号を発生するガン発振器に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an NRD
The present invention relates to a gun oscillator that uses a guide and uses a gun diode as an oscillation element to generate a high-frequency signal.

【0002】[0002]

【従来の技術】NRDガイドは、誘電体ストリップが平
行に隔てられた上側導体板と下側導体板で挟まれただけ
の簡便な構造でありながら、ミリ波帯においても伝送損
失が少なく、曲がりや不連続部で不要放射がないという
特長を有している。またガンダイオードは5V前後のバ
イアス電圧を印加するだけで、高出力のミリ波信号を生
成できる特長を有しており、この2つを組み合わせたガ
ン発振器が、自動車衝突防止レーダや無線LAN端末な
どで用いられている。
2. Description of the Related Art An NRD guide has a simple structure in which a dielectric strip is sandwiched between an upper conductor plate and a lower conductor plate which are separated in parallel with each other. It has the feature that there is no unnecessary radiation at the discontinuous part. The Gunn diode has a feature that it can generate a high-output millimeter-wave signal only by applying a bias voltage of about 5 V. A Gunn oscillator combining these two can be used in automobile collision prevention radars, wireless LAN terminals, etc. Used in.

【0003】以下、従来のNRDガイドを用いたガン発
振器について説明する。
[0003] Hereinafter, a gun oscillator using a conventional NRD guide will be described.

【0004】図6(a)は従来のガン発振器の全体構造
を示す斜視図であり、図6(b)は従来のガン発振器の
ガンダイオード部分の要部断面図である。なお、図6
は、10GHz帯や20GHz帯といった発振周波数が
比較的低く、上側導体板と下側導体板の間隔がガンダイ
オードの直径よりも大きい場合のガン発振器を示す。
FIG. 6A is a perspective view showing the entire structure of a conventional gun oscillator, and FIG. 6B is a sectional view of a main part of a gun diode portion of the conventional gun oscillator. FIG.
Shows a Gunn oscillator in the case where the oscillation frequency such as the 10 GHz band or the 20 GHz band is relatively low, and the distance between the upper conductor plate and the lower conductor plate is larger than the diameter of the Gunn diode.

【0005】図6において1dは従来のガン発振器、2
は金属製のガンダイオードマウント、2aはガンダイオ
ード、3aはガンダイオードマウント2の上面に設けた
凹部、3bはガンダイオードマウント2の下面に設けた
凹部である。凹部3a、3bのガンダイオード2aの軸
方向に向かう長さは発振周波数の自由空間における4分
の1波長と等しい。4a、4b、4c、4dはガンダイ
オードマウント2の凸部である。凸部4a、4b、4
c、4dのガンダイオード2aの軸方向に向かう長さは
発振周波数の自由空間における4分の1波長と等しい。
5はガンダイオード2aのカソード端子5である。ガン
ダイオード2aはガンダイオードマウント2側面に設け
たネジ穴にねじ込まれており、ガンダイオード2aのカ
ソード端子5はガンダイオードマウント2と接触してい
る。6は誘電体基板上に作成されたバイアス線路、7は
ガンダイオード2aのアノード端子である。バイアス線
路6の先端部はガンダイオード2aのアノード端子7に
接続されている。なお、バイアス線路6には、発振出力
のバイアス線路6側への漏洩を防ぐために、導体パター
ン幅を周期的に変えて構成される低域通過フィルタが形
成されている。8は誘電体基板上に作製されたストリッ
プ線路である。ストリップ線路8は、ガンダイオードマ
ウント2に対して垂直に、かつガンダイオード2aの中
心軸上に配置されている。9は誘電体ストリップ、10
は金属箔が誘電体ストリップの中心に挿入されたモード
サプレッサである。モードサプレッサ10はストリップ
線路8と誘電体ストリップ9の伝送路変換部における不
要モードの発生を防ぐ機能を有する。11は上側導体
板、11aは下側導体板、12はガンダイオード2aヘ
バイアス電圧を印加するための端子、12aはガンダイ
オード2aを接地するための端子である。上側導体板1
1、下側導体板11aはガンダイオード2aの放熱器と
しての機能も有する。
In FIG. 6, 1d is a conventional gun oscillator, 2d
Is a metal gun diode mount, 2a is a gun diode, 3a is a concave portion provided on the upper surface of the gun diode mount 2, and 3b is a concave portion provided on the lower surface of the gun diode mount 2. The length of the recesses 3a, 3b in the axial direction of the Gunn diode 2a is equal to a quarter wavelength in the free space of the oscillation frequency. 4a, 4b, 4c, and 4d are projections of the Gunn diode mount 2. Convex parts 4a, 4b, 4
The length of c and 4d in the axial direction of the Gunn diode 2a is equal to a quarter wavelength in free space of the oscillation frequency.
Reference numeral 5 denotes a cathode terminal 5 of the Gunn diode 2a. The gun diode 2 a is screwed into a screw hole provided on the side surface of the gun diode mount 2, and the cathode terminal 5 of the gun diode 2 a is in contact with the gun diode mount 2. Reference numeral 6 denotes a bias line formed on a dielectric substrate, and reference numeral 7 denotes an anode terminal of the Gunn diode 2a. The tip of the bias line 6 is connected to the anode terminal 7 of the Gunn diode 2a. The bias line 6 is provided with a low-pass filter formed by periodically changing the width of the conductor pattern in order to prevent the oscillation output from leaking to the bias line 6 side. Reference numeral 8 denotes a strip line formed on a dielectric substrate. The strip line 8 is arranged perpendicular to the Gunn diode mount 2 and on the central axis of the Gunn diode 2a. 9 is a dielectric strip, 10
Is a mode suppressor in which a metal foil is inserted into the center of the dielectric strip. The mode suppressor 10 has a function of preventing generation of an unnecessary mode in the transmission line converter of the strip line 8 and the dielectric strip 9. 11 is an upper conductor plate, 11a is a lower conductor plate, 12 is a terminal for applying a bias voltage to the Gunn diode 2a, and 12a is a terminal for grounding the Gunn diode 2a. Upper conductor plate 1
1. The lower conductor plate 11a also has a function as a radiator of the Gunn diode 2a.

【0006】以上のように構成された従来のガン発振器
の動作について、以下図を用いて説明する。
The operation of the conventional gun oscillator configured as described above will be described below with reference to the drawings.

【0007】ガンダイオード2aへのバイアス電圧は、
端子12からバイアス線路6を介してアノード端子7へ
印加される。ガンダイオード2aはバイアス電圧が印加
されることによって高周波信号を発生するが、その発振
出力はストリップ線路8を介して誘電体ストリップ9へ
導かれる。以上のように、ガンダイオード2aからの発
振出力は最終的に誘電体ストリップ9から取り出され
る。なお、ガンダイオードマウント2の工作精度によっ
ては、ガンダイオードマウント2と上側導体板11、あ
るいは下側導体板11aとの間に隙間が生じる場合も考
えられるが、ガンダイオードマウント2に発振周波数の
自由空間における4分の1波長の周期で凹凸が施されて
いることにより、この隙間からの発振出力の漏洩は防が
れる。
The bias voltage applied to the Gunn diode 2a is
The voltage is applied from the terminal 12 to the anode terminal 7 via the bias line 6. The Gunn diode 2 a generates a high-frequency signal when a bias voltage is applied, and its oscillation output is guided to a dielectric strip 9 via a strip line 8. As described above, the oscillation output from the Gunn diode 2a is finally extracted from the dielectric strip 9. Depending on the machining accuracy of the Gunn diode mount 2, a gap may be formed between the Gunn diode mount 2 and the upper conductor plate 11 or the lower conductor plate 11a. Since the unevenness is provided at a period of a quarter wavelength in the space, leakage of the oscillation output from the gap can be prevented.

【0008】また、従来のNRDガイドを用いたガン発
振器として、特許第2989391号公報には「高周波
信号発生器」が開示されている。以下、従来の高周波信
号発生器について説明する。
Japanese Patent No. 2989391 discloses a "high-frequency signal generator" as a conventional gun oscillator using an NRD guide. Hereinafter, a conventional high-frequency signal generator will be described.

【0009】図7(a)は従来の高周波信号発生器の全
体構造を示す図であり、図7(b)は従来の高周波信号
発生器のガンダイオード部分の要部断面図である。な
お、図7は60GHz帯や77GHz帯といった発振周
波数が比較的高く、上側導体板と下側導体板の間隔がガ
ンダイオードの直径より小さい場合の高周波信号発生器
を示す。
FIG. 7A is a diagram showing the entire structure of a conventional high-frequency signal generator, and FIG. 7B is a sectional view of a main part of a Gunn diode portion of the conventional high-frequency signal generator. FIG. 7 shows a high-frequency signal generator in the case where the oscillation frequency such as the 60 GHz band or the 77 GHz band is relatively high and the distance between the upper conductor plate and the lower conductor plate is smaller than the diameter of the Gunn diode.

【0010】図7において、20は従来の高周波信号発
生器、21は金属製のガンダイオードマウント、22は
ガンダイオードである。ガンダイオード22はガンダイ
オードマウント21側面のネジ穴にねじ込まれており、
ガンダイオード22のカソード端子23はガンダイオー
ドマウント21と接触している。24は誘電体基板上に
配設され低域通過フィルタの機能をもつバイアス線路で
ある。バイアス線路24の先端部はガンダイオード22
のアノード端子25に接続される。26は誘電体基板上
に配設されたストリップ線路である。ストリップ線路2
6はガンダイオードマウント21に対して垂直に配置さ
れる。27は誘電体ストリップ、28は金属箔が誘電体
ストリップ27の中心に挿入されたモードサプレッサ、
29は上側導体板、29aは下側導体板、30はガンダ
イオード22ヘバイアス電圧を印加するための端子、3
0aはガンダイオード2aを接地するための端子、3
2、33は各々上側導体板と下側導体板に設けられ、ガ
ンダイオードマウント21がはめこまれる溝である。な
お上側導体板29、下側導体板29aはガンダイオード
22の放熱器としての機能も有する。
In FIG. 7, reference numeral 20 denotes a conventional high-frequency signal generator, reference numeral 21 denotes a metal gun diode mount, and reference numeral 22 denotes a gun diode. The gun diode 22 is screwed into a screw hole on the side of the gun diode mount 21.
The cathode terminal 23 of the gun diode 22 is in contact with the gun diode mount 21. Reference numeral 24 denotes a bias line provided on the dielectric substrate and having a function of a low-pass filter. The tip of the bias line 24 is a gun diode 22
Is connected to the anode terminal 25. Reference numeral 26 denotes a strip line provided on a dielectric substrate. Strip line 2
6 is disposed perpendicular to the Gunn diode mount 21. 27 is a dielectric strip, 28 is a mode suppressor in which a metal foil is inserted into the center of the dielectric strip 27,
29 is an upper conductor plate; 29a is a lower conductor plate; 30 is a terminal for applying a bias voltage to the gun diode 22;
0a is a terminal for grounding the Gunn diode 2a, 3
Reference numerals 2 and 33 denote grooves provided on the upper conductor plate and the lower conductor plate, respectively, and into which the Gunn diode mount 21 is fitted. The upper conductor plate 29 and the lower conductor plate 29a also have a function as a radiator of the Gunn diode 22.

【0011】ところで、NRDガイドでは上側導体板2
9と下側導体板29aの間隔は、不要放射を抑制するた
め使用周波数の半波長以下に設定されるが、市販のガン
ダイオードは直径が3mm程度のパッケージに封入され
ているため、使用周波数帯が高くなると上側導体板29
と下側導体板29aの間隔がガンダイオード22の直径
よりも狭くなり、ガンダイオード22および、ガンダイ
オード22を保持するガンダイオードマウント21を、
上側導体板29と下側導体板29aの間に挿入できなく
なる。例えば、波長が5mmの60GHz帯では上側導
体板と下側導体板の間隔は2.5mm以下になるが、6
0GHz帯で動作する市販のガンダイオード22は直径
が3mmであり、そのままで上側導体板29と下側導体
板29aの間に挿入することができない。これを解決す
るために、図7に示す高周波信号発生器では、上側導体
板29と下側導体板129に溝32と溝33を設け、ガ
ンダイオードマウント21をはめ込んでいる。
In the NRD guide, the upper conductor plate 2
9 and the lower conductor plate 29a are set at a half wavelength or less of the operating frequency to suppress unnecessary radiation. However, since the commercially available Gunn diode is enclosed in a package having a diameter of about 3 mm, the operating frequency band is Is higher, the upper conductor plate 29
And the distance between the lower conductor plate 29a and the gun diode 22 becomes smaller than the diameter of the gun diode 22, and the gun diode 22 and the gun diode mount 21 holding the gun diode 22 are removed.
It cannot be inserted between the upper conductor plate 29 and the lower conductor plate 29a. For example, in a 60 GHz band having a wavelength of 5 mm, the distance between the upper conductor plate and the lower conductor plate is 2.5 mm or less,
The commercially available Gunn diode 22 operating in the 0 GHz band has a diameter of 3 mm and cannot be inserted between the upper conductor plate 29 and the lower conductor plate 29a as it is. In order to solve this, in the high-frequency signal generator shown in FIG. 7, grooves 32 and 33 are provided in the upper conductor plate 29 and the lower conductor plate 129, and the Gunn diode mount 21 is fitted.

【0012】以上のように構成された高周波信号発生器
の動作について、以下図を用いて説明する。ガンダイオ
ード22へのバイアス電圧は、端子30からバイアス線
路24を介してアノード端子25へ印加される。ガンダ
イオード22はバイアス電圧が印加されることによって
高周波信号を発生するが、その発振出力はストリップ線
路26を介して誘電体ストリップ27へ導かれる。以上
のように、ガンダイオード22からの発振出力は誘電体
ストリップ27から取り出される。
The operation of the high-frequency signal generator configured as described above will be described below with reference to the drawings. A bias voltage applied to the Gunn diode 22 is applied from a terminal 30 to an anode terminal 25 via a bias line 24. The Gunn diode 22 generates a high-frequency signal when a bias voltage is applied, and its oscillation output is guided to a dielectric strip 27 via a strip line 26. As described above, the oscillation output from the Gunn diode 22 is extracted from the dielectric strip 27.

【0013】以上のように、従来、構成の異なるガン発
振器を発振周波数により使い分けて使用していた。
As described above, conventionally, gun oscillators having different configurations have been selectively used depending on the oscillation frequency.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術は以下のような課題を有していた。
However, the above-mentioned conventional technology has the following problems.

【0015】(1)従来のガン発振器は、現状のガンダ
イオードの発振効率は高々数パーセントであり、発振時
にはガンダイオードから大量の熱が発生するが、ガンダ
イオードマウントと上側導体板および下側導体板の接触
面積が少ないために、ガンダイオードから上側導体板と
下側導体板への熱伝導が十分にできず、ガンダイオード
が自分自身の発する熱により破損するという課題を有し
ていた。
(1) In the conventional Gunn oscillator, the oscillation efficiency of the current Gunn diode is at most several percent, and a large amount of heat is generated from the Gunn diode during oscillation. However, the Gunn diode mount, the upper conductor plate and the lower conductor Since the contact area of the plate is small, heat conduction from the Gunn diode to the upper and lower conductor plates is not sufficient, and the Gunn diode has a problem of being damaged by heat generated by itself.

【0016】(2)従来の高周波信号発生器は、ガンダ
イオードマウントに設けた凹凸が無いため、工作誤差な
どによりガンダイオードマウントと上側導体板あるいは
下側導体板の間に隙間が生じた場合、又は、ガンダイオ
ードマウントと上側導体板と下側導体板との間の両方に
隙間が生じた場合に、その隙間を伝って発振出力がガン
ダイオードマウント後方へ漏れるという課題を有してい
た。
(2) In the conventional high-frequency signal generator, since there is no unevenness provided on the gun diode mount, a gap is generated between the gun diode mount and the upper conductor plate or the lower conductor plate due to a machining error, or When a gap is formed between the gun diode mount and the upper and lower conductor plates, the oscillation output leaks to the rear of the gun diode mount through the gap.

【0017】(3)従来の高周波信号発生器のガンダイ
オードマウントに、従来のガン発振器のガンダイオード
マウントと同様の凹凸を施した場合、ガンダイオードマ
ウント後方への発振出力の漏れを抑えられるように思わ
れるが、単にガンダイオードマウントの上面と下面に発
振周波数の自由空間における4分の1波長の周期で凹凸
をつけるだけでは、上側導体板と下側導体板に設けた溝
へはめ込んだ時に、電磁波が漏れなくなる周波数が発振
周波数からずれて、ガンダイオードマウント後方への発
振出力の漏れを防ぐことができないという課題を有して
いた。
(3) If the Gunn diode mount of the conventional high frequency signal generator is provided with the same irregularities as the Gunn diode mount of the conventional Gunn oscillator, leakage of oscillation output to the rear of the Gunn diode mount can be suppressed. It seems that simply by providing irregularities on the upper and lower surfaces of the Gunn diode mount with a period of 1/4 wavelength in the free space of the oscillation frequency, when fitted into the grooves provided in the upper and lower conductor plates, There is a problem that the frequency at which the electromagnetic wave does not leak deviates from the oscillation frequency, so that it is impossible to prevent the oscillation output from leaking to the rear of the Gunn diode mount.

【0018】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、ガンダイオードが発生する熱を上側導体板および下
側導体板へ伝えやすくし熱によるガンダイオードの破損
を防ぐことができ、また、上側導体板と下側導体板にガ
ンダイオードマウントをはめ込む溝を設けた場合、発振
出力のガンダイオードマウント後方への漏れを防ぐこと
ができるガン発振器を提供することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems. The heat generated by the Gunn diode can be easily transmitted to the upper conductor plate and the lower conductor plate, and the Gun diode can be prevented from being damaged by the heat. It is an object of the present invention to provide a gun oscillator that can prevent the oscillation output from leaking to the rear of the gun diode mount when a groove for fitting the gun diode mount is provided in the conductor plate and the lower conductor plate.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記従来の課題を解決す
るために、本発明のガン発振器は、平行に隔てられた導
体板間に誘電体ストリップを保持する非放射性誘電体線
路(以下NRDガイドとよぶ)を出力線路に用い、発振
素子にガンダイオードを用いたガン発振器であって、前
記ガンダイオードを側面に保持するガンダイオードマウ
ントと前記導体板の接触面に前記ガンダイオードマウン
トと前記導体板の接触部分の前記ガンダイオード軸方向
の長さが発振周波数の自由空間における4分の1波長の
奇数倍となる少なくとも2つ以上の凸部と、前記凸部に
挟まれ前記ガンダイオード軸方向の長さが前記発振周波
数の自由空間における4分の1波長の奇数倍のとなる凹
部と、を備えた構成を有する。
In order to solve the above-mentioned conventional problems, a Gunn oscillator according to the present invention comprises a non-radiative dielectric line (hereinafter referred to as an NRD guide) holding a dielectric strip between conductor plates separated in parallel. ) Is used as an output line, and a Gunn diode is used as an oscillating element. The Gunn diode mount holding the Gunn diode on the side surface and the Gunn diode mount and the conductor plate are provided on the contact surface of the conductor plate. At least two or more projections in which the length of the contact portion of the gun diode in the axial direction is an odd multiple of a quarter wavelength in the free space of the oscillation frequency; A concave portion whose length is an odd multiple of a quarter wavelength in the free space of the oscillation frequency.

【0020】この構成により、ガンダイオードが発生す
る熱を上側導体板および下側導体板へ伝えやすくし熱に
よるガンダイオードの破損を防ぐことができ、また、上
側導体板と下側導体板にガンダイオードマウントをはめ
込む溝を設けた場合、発振出力のガンダイオードマウン
ト後方への漏れを防ぐことができるガン発振器を提供す
ることができる。
With this configuration, the heat generated by the Gunn diode can be easily transmitted to the upper conductor plate and the lower conductor plate, and damage of the Gunn diode due to the heat can be prevented. When a groove for fitting the diode mount is provided, it is possible to provide a gun oscillator that can prevent the oscillation output from leaking to the rear of the gun diode mount.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載のガン発
振器は、平行に隔てられた導体板間に誘電体ストリップ
を保持する非放射性誘電体線路(以下NRDガイドとよ
ぶ)を出力線路に用い、発振素子にガンダイオードを用
いたガン発振器であって、ガンダイオードを側面に保持
するガンダイオードマウントと導体板の接触面にガンダ
イオードマウントと導体板の接触部分のガンダイオード
軸方向の長さが発振周波数の自由空間における4分の1
波長の奇数倍となる少なくとも2つ以上の凸部と、凸部
に挟まれガンダイオード軸方向の長さが発振周波数の自
由空間における4分の1波長の奇数倍のとなる凹部と、
を備えた構成を有する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A gun oscillator according to a first aspect of the present invention comprises a nonradiative dielectric line (hereinafter referred to as an NRD guide) which holds a dielectric strip between conductor plates separated in parallel. A gun oscillator using a Gunn diode as the oscillation element, the contact length between the Gunn diode mount and the conductive plate holding the Gunn diode on the side, and the contact length between the Gunn diode mount and the conductive plate in the gun diode axial direction. Is a quarter of the oscillation frequency in free space
At least two or more convex portions having an odd multiple of the wavelength, a concave portion sandwiched between the convex portions and having a length in the axial direction of the Gunn diode which is an odd multiple of a quarter wavelength in free space of the oscillation frequency;
It has the structure provided with.

【0022】この構成により、以下のような作用を有す
る。
This configuration has the following operation.

【0023】(1)ガンダイオードマウントと上側の導
体板に設けた溝との接触部分の長さ、およびガンダイオ
ードマウントと下側の導体板に設けた溝との接触部分の
長さが、発振周波数における4分の1波長の奇数倍にな
るため、ガンダイオード側のガンダイオードマウントと
導体板の接触部端点において、ガンダイオードマウント
と導体板が高周波的にほぼ短絡された状態となり、発振
出力のガンダイオードマウント後方への漏れを防ぐこと
ができる。
(1) The length of the contact portion between the Gunn diode mount and the groove provided on the upper conductor plate and the length of the contact portion between the Gunn diode mount and the groove provided on the lower conductor plate are oscillated. Since the frequency becomes an odd multiple of a quarter wavelength of the frequency, the gun diode mount and the conductor plate are almost short-circuited at high frequency at the contact point between the gun diode mount and the conductor plate on the gun diode side. Leakage to the rear of the gun diode mount can be prevented.

【0024】(2)ガンダイオードマウントと導体板と
の接触部分のガンダイオード軸方向の長さを長くし面積
を広くすることができるので、発振動作時にガンダイオ
ードから発生する熱が、放熱器を兼ねる導体板へ伝わり
やすくなり、熱によるガンダイオードの破損を防ぐこと
ができる。
(2) The length of the contact portion between the gun diode mount and the conductor plate in the gun diode axial direction can be increased and the area can be increased, so that the heat generated from the gun diode during the oscillation operation is reduced by the radiator. It can be easily transmitted to the conductor plate that also serves as the conductor plate, and damage to the gun diode due to heat can be prevented.

【0025】(3)ガンダイオードマウントの上面に設
けた凸部と上側の導体板の接触部の長さと、ガンダイオ
ードマウントの下面に設けた凸部と下側の導体板の接触
部の長さを発振周波数の自由空間における4分の3波
長、4分の5波長のように長くすると、ガンダイオード
マウントと導体板との接触部分の長さが増えガンダイオ
ードから導体板への熱を伝えやすくすることができる。
(3) The length of the contact portion between the protrusion provided on the upper surface of the Gunn diode mount and the upper conductor plate and the length of the contact portion between the protrusion provided on the lower surface of the Gunn diode mount and the lower conductor plate. When the length is increased to 3/4 wavelength and 5/4 wavelength in the free space of the oscillation frequency, the length of the contact portion between the gun diode mount and the conductor plate increases, and the heat from the gun diode to the conductor plate is easily transmitted. can do.

【0026】本発明の請求項2に記載の発明は、請求項
1に記載のガン発振器であって、導体板が、各々ガンダ
イオードマウントが嵌合する溝を備えた構成を有する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the gun oscillator according to the first aspect, wherein each of the conductor plates has a groove into which a gun diode mount is fitted.

【0027】この構成により、請求項1の作用に加え、
以下のような作用を有する。
With this configuration, in addition to the function of the first aspect,
It has the following functions.

【0028】(1)導体板とガンダイオードマウントと
の接触面積を大きくできるので、ガンダイオードが発生
する熱を導体板へ伝えやすくし熱によるガンダイオード
の破損を防ぐことができる。
(1) Since the contact area between the conductor plate and the Gunn diode mount can be increased, the heat generated by the Gunn diode can be easily transmitted to the conductor plate, and damage to the Gunn diode due to the heat can be prevented.

【0029】本発明の請求項3に記載の発明は、請求項
1又は2に記載のガン発振器であって、凸部及び凹部
が、ガンダイオードマウントの導体板との接触面に形成
された構成を有する。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the gun oscillator according to the first or second aspect, wherein the convex portion and the concave portion are formed on a contact surface of the gun diode mount with the conductor plate. Having.

【0030】この構成により、請求項1又は2の作用に
加え以下のような作用を有する。
According to this configuration, the following operation is obtained in addition to the operation of the first or second aspect.

【0031】(1)上側の導体板に設けた溝と下側の導
体板に設けた溝に凹部を設ける場合に比べて、導体板間
の厚みを薄くすることが可能であり、ガン発振器を薄く
することができる。
(1) The thickness between the conductor plates can be reduced as compared with the case where a recess is provided in the groove provided in the upper conductor plate and the groove provided in the lower conductor plate. Can be thin.

【0032】本発明の請求項4に記載の発明は、請求項
1乃至3の内いずれか1項に記載のガン発振器であっ
て、凸部及び凹部が、導体板のガンダイオードマウント
との接触面に形成された構成を有する。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the gun oscillator according to any one of the first to third aspects, wherein the projections and the depressions are in contact with the gun diode mount of the conductor plate. It has a configuration formed on the surface.

【0033】この構成により、請求項1乃至3の内いず
れか1項の作用に加え以下のような作用を有する。
According to this configuration, the following operation is obtained in addition to the operation of any one of the first to third aspects.

【0034】(1)ガンダイオードマウントに凹部を設
ける場合に比べて凹部の深さを深くできるため、ガンダ
イオードマウントと導体板の接触部分とのインピーダン
スの差を大きくすることができ、ガンダイオードマウン
ト後方への発振出力の漏れを一層低減することができ
る。
(1) Since the depth of the concave portion can be made deeper than when the concave portion is provided in the Gunn diode mount, the difference in impedance between the contact portion of the Gunn diode mount and the conductor plate can be increased, and the Gunn diode mount can be increased. Oscillation output leakage to the rear can be further reduced.

【0035】本発明の請求項5に記載の発明は、請求項
1乃至4の内いずれか1項に記載のガン発振器であっ
て、凹部の深さが、0.5mm以上に形成された構成を
有する。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the gun oscillator according to any one of the first to fourth aspects, wherein the depth of the concave portion is formed to be 0.5 mm or more. Having.

【0036】この構成により、請求項1乃至4の内いず
れか1項の作用に加え、以下のような作用を有する。
With this configuration, in addition to the function of any one of the first to fourth aspects, the following function is provided.

【0037】(1)凹部の深さを0.5mm以上とする
ことにより、ガンダイオードマウントと導体板の間に隙
間が生じた場合でも、そこを伝って漏れる電力を極めて
小さくすることができる。
(1) By setting the depth of the recess to 0.5 mm or more, even if a gap is formed between the Gunn diode mount and the conductor plate, the power leaking through the gap can be extremely reduced.

【0038】本発明の請求項6に記載の発明は、請求項
1乃至4の内いずれか1項に記載のガン発振器であっ
て、導体板が、ガンダイオードマウント上面が接触する
上側導体板とガンダイオードマウント下面が接触する下
側導体板からなり、凸部及び凹部が、ガンダイオードマ
ウントの上側導体板及び下側導体板との接触面、及び、
上側導体板及び下側導体板のガンダイオードマウントと
の接触面に形成され、ガンダイオードマウント上面に形
成された凹部と上側導体板に形成された凹部のガンダイ
オードの軸方向の長さと位置が等しく、ガンダイオード
マウント下面に形成された凹部と、下側導体板に形成さ
れた凹部のガンダイオードの軸方向の長さと位置が等し
く、上側導体板に形成された凹部の深さとガンダイオー
ドマウント上面に形成された凹部の深さを合わせた長さ
及び下側導体板に形成された凹部の深さとガンダイオー
ドマウント下面に形成された凹部の深さを合わせた長さ
が0.5mm以上である構成を有する。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the gun oscillator according to any one of the first to fourth aspects, wherein the conductive plate and the upper conductive plate with which the upper surface of the gun diode mount is in contact. The lower surface of the Gunn diode mount is in contact with the lower conductor plate, and the protrusions and recesses are in contact with the upper and lower conductor plates of the Gunn diode mount, and
The upper and lower conductor plates are formed on contact surfaces with the Gunn diode mount, and the concave portions formed on the Gunn diode mount upper surface and the concave portions formed on the upper conductor plate have the same axial length and position of the Gunn diode. The concave portion formed on the lower surface of the gun diode mount and the concave portion formed on the lower conductor plate have the same length and position in the axial direction of the gun diode, and the depth of the concave portion formed on the upper conductor plate and the concave portion formed on the upper surface of the gun diode mount. A configuration in which the combined length of the formed recess and the combined depth of the recess formed in the lower conductor plate and the depth of the recess formed in the lower surface of the gun diode mount are 0.5 mm or more. Having.

【0039】この構成により、請求項1乃至4の内いず
れか1項の作用に加え以下のような作用を有する。
With this configuration, the following operation is obtained in addition to the operation of any one of the first to fourth aspects.

【0040】(1)ガンダイオードマウント及び上側導
体板、下側導体板に凹部が形成されているため、凹部内
部の空間の断面積が広がり、ガンダイオードマウントと
上側導体板及び下側導体板の接触部分と凹部のインピー
ダンス差を大きくすることができ、発振出力のガンダイ
オードマウント後方への漏れをより一層低減することが
できる。
(1) Since the recesses are formed in the Gunn diode mount, the upper conductor plate, and the lower conductor plate, the cross-sectional area of the space inside the recesses increases, and the Gunn diode mount, the upper conductor plate, and the lower conductor plate are formed. The impedance difference between the contact portion and the concave portion can be increased, and leakage of oscillation output to the rear of the Gunn diode mount can be further reduced.

【0041】なお、上側導体板に設けた凹部の深さとガ
ンダイオードマウント上面に設けた凹部の深さを合わせ
た長さが0.5mm以上で、下側導体板に設けた凹部の
深さとガンダイオードマウント下面に設けた凹部の深さ
を合わせた長さが0.5mm以上であれば、発振出力が
ほとんど漏れないようにすることができるが、その長さ
は長ければ長いほど漏洩電力を少なくする効果は高い。
The sum of the depth of the concave portion provided on the upper conductor plate and the depth of the concave portion provided on the upper surface of the gun diode mount is 0.5 mm or more. If the combined length of the recesses provided on the lower surface of the diode mount is 0.5 mm or more, it is possible to make the oscillation output hardly leak, but the longer the length, the less the leakage power The effect is high.

【0042】本発明の請求項7に記載の発明は、請求項
1乃至6の内いずれか1項に記載のガン発振器であっ
て、上側導体板に形成された凹部の深さと、下側導体板
に形成された凹部の深さが等しい構成を有する。
The invention according to claim 7 of the present invention is the gun oscillator according to any one of claims 1 to 6, wherein the depth of the recess formed in the upper conductor plate and the lower conductor It has a configuration in which the recesses formed in the plate have the same depth.

【0043】この構成により、請求項1乃至6の内いず
れか1項の作用に加え以下のような作用を有する。
According to this configuration, the following operation is obtained in addition to the operation of any one of the first to sixth aspects.

【0044】(1)上側導体板と下側導体板にフライス
盤などの金属加工機を用いて凹部の加工をする際に、削
り取る深さを変更しなくてすむため、上側導体板と下側
導体板の生産効率を上げることができる。すなわち、ガ
ンダイオードマウント後方への発振出力の漏洩が少ない
ガン発振器を効率よく生産できるようになる。
(1) The upper conductor plate and the lower conductor plate do not have to be changed in the depth to be cut when machining the recesses on the upper conductor plate and the lower conductor plate using a metal working machine such as a milling machine. Plate production efficiency can be increased. That is, it is possible to efficiently produce a Gunn oscillator with less leakage of oscillation output to the rear of the Gunn diode mount.

【0045】本発明の請求項8に記載の発明は、請求項
2乃至7の内いずれか1項に記載のガン発振器であっ
て、上側導体板に形成された溝の深さと、下側導体板に
形成された溝の深さが等しい構成を有する。
The invention according to claim 8 of the present invention is the gun oscillator according to any one of claims 2 to 7, wherein the depth of the groove formed in the upper conductor plate and the lower conductor It has a configuration in which the depths of the grooves formed in the plate are equal.

【0046】(1)上側導体板と下側導体板に、フライ
ス盤などの金属加工機を用いて溝の加工する際に、溝の
深さを変更する工程が不要となり、上側導体板と下側導
体板の生産効率を上げることができ、ガンダイオードマ
ウント後方への発振出力の漏洩が少ないガン発振器を効
率よく生産できるようになる。
(1) When grooves are formed on the upper and lower conductor plates using a metal working machine such as a milling machine, a step of changing the depth of the grooves is not required, and the upper and lower conductor plates and the lower conductor plate are not required. The production efficiency of the conductor plate can be increased, and a gun oscillator with less leakage of the oscillation output to the rear of the gun diode mount can be efficiently produced.

【0047】以下、本発明の一実態の形態について説明
する。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.

【0048】(実施の形態1)図1(a)は実施の形態
1におけるガン発振器の全体構造の斜視図であり、図1
(b)は実施の形態1におけるガン発振器のガンダイオ
ード部分の要部断面図であり、図1(c)は図1(b)
の等価回路を示す説明図であり、図2(a)は凹部の深
さに対する漏洩電力のシミュレーション結果を示すグラ
フであり、図2(b)は実施の形態2におけるガン発振
器のガンダイオード部分の要部断面図であり、図2
(c)は図2(b)の等価回路を示す説明図である。な
お、図2(a)はガンダイオードマウントと上側導体板
の間に隙間が生じた場合の、凹部の深さに対する漏洩電
力のシミュレーション結果を示すものである。なお、本
実施の形態1は、ガン発振器の上側導体板と下側導体板
に設けた溝の深さを等しくし、ガンダイオードマウント
の上面と下面に上下対称な凹部と凸部を設けたものであ
る。
(Embodiment 1) FIG. 1 (a) is a perspective view of the entire structure of a gun oscillator according to Embodiment 1, and FIG.
FIG. 1B is a sectional view of a main part of a gun diode portion of the gun oscillator according to the first embodiment, and FIG. 1C is a sectional view of FIG.
FIG. 2A is a graph showing a simulation result of leakage power with respect to a depth of a concave portion, and FIG. 2B is a diagram showing a gun diode portion of a gun oscillator according to a second embodiment. FIG. 2 is a sectional view of a main part, and FIG.
FIG. 2C is an explanatory diagram showing an equivalent circuit of FIG. FIG. 2A shows a simulation result of the leakage power with respect to the depth of the concave portion when a gap occurs between the Gunn diode mount and the upper conductor plate. In the first embodiment, the grooves provided in the upper conductor plate and the lower conductor plate of the gun oscillator are made equal in depth, and vertically symmetric concave and convex portions are provided on the upper and lower surfaces of the gun diode mount. It is.

【0049】図中、2はガンダイオードマウント、2a
はガンダイオード、5はカソード端子、6はバイアス線
路、7はアノード端子、8はストリップ線路、9は誘電
体ストリップ、10はモードサプレッサ、11は上側導
体板、11aは下側導体板、12は端子、12aは端子
であり、これらは図6において説明したものと同様であ
るので同一の符号を付けて説明を省略する。1は本実施
の形態1におけるガン発振器、31はガンダイオードマ
ウント2と上側導体板11および下側導体板11aの接
触部端点、32は上側導体板11に設けた溝、33は下
側導体板11aに設けた溝、34aはガンダイオードマ
ウント2の上面に設けられた上面側凹部、34bはガン
ダイオードマウント2の下面に設けられた、長さが発振
周波数の4分の1波長の下面側凹部、35a、35bは
ガンダイオードマウント2の上面に設けられた上面側凸
部、35c、35dはガンダイオードマウント2の下面
に設けられた下面側凸部である。なお、図1(b)およ
び図1(c)中に矢印とともに示されたA、D、E、お
よびA´、B´、C´、D´、E´はそれぞれの部分の
長さを示している。A、A´、E、およびE´は長さが
等しく、AとBを合わせた長さ、A´とB´を合わせた
長さ、DとEを合わせた長さ、およびD´とE´を合わ
せた長さは、発振周波数の自由空間における4分の3波
長であり、C、C´は発振周波数の自由空間における4
分の1波長である。なお図1(b)において、ストリッ
プ線路8は記載を省略している。
In the drawing, reference numeral 2 denotes a gun diode mount, 2a
Is a gun diode, 5 is a cathode terminal, 6 is a bias line, 7 is an anode terminal, 8 is a strip line, 9 is a dielectric strip, 10 is a mode suppressor, 11 is an upper conductor plate, 11a is a lower conductor plate, 12 is The terminals 12a are the same as those described with reference to FIG. 6, and thus the same reference numerals are given and the description is omitted. 1 is a Gunn oscillator according to the first embodiment, 31 is an end point of a contact portion between the Gunn diode mount 2 and the upper conductor plate 11 and the lower conductor plate 11a, 32 is a groove provided in the upper conductor plate 11, and 33 is a lower conductor plate A groove provided in 11a, 34a is an upper surface side concave portion provided on the upper surface of Gunn diode mount 2, 34b is a lower surface side concave portion provided on the lower surface of Gunn diode mount 2 and whose length is a quarter wavelength of the oscillation frequency. , 35a, 35b are upper surface side protrusions provided on the upper surface of the Gunn diode mount 2, and 35c, 35d are lower surface side protrusions provided on the lower surface of the Gunn diode mount 2. In addition, A, D, E, and A ', B', C ', D', and E 'shown with arrows in FIGS. 1B and 1C indicate the lengths of the respective portions. ing. A, A ', E, and E' are equal in length, the combined length of A and B, the combined length of A 'and B', the combined length of D and E, and D 'and E ′ Is a three-quarter wavelength in the free space of the oscillation frequency, and C and C ′ are 4/4 wavelengths in the free space of the oscillation frequency.
One-half wavelength. In FIG. 1B, the illustration of the strip line 8 is omitted.

【0050】図1に示すガン発振器1は、カソード端子
5がガンダイオードマウント2を介して接続された端子
12aを接地し、端子12からバイアス線路6を介して
アノード端子7にバイアス電圧が印加すると高周波信号
を発生し、ストリップ線路8を介して誘電体ストリップ
9から出力される。
In the Gunn oscillator 1 shown in FIG. 1, when the cathode terminal 5 is connected to the terminal 12a connected via the Gunn diode mount 2 and the terminal 12 is connected to the anode terminal 7 via the bias line 6, a bias voltage is applied. A high-frequency signal is generated and output from the dielectric strip 9 via the strip line 8.

【0051】従来のガン発振器では、ガンダイオードマ
ウント2や、上側導体板11に設けた溝32、あるいは
下側導体板11aに設けた溝33の工作精度によって
は、ガンダイオードマウント2と上側導体板11に設け
た溝32、あるいはガンダイオードマウント2と下側導
体板11aに設けた溝33の間に隙間が生じ、この隙間
から発振出力が漏れてしまう場合があったが、図1
(b)に示すガンダイオードマウント2の構造では、ガ
ンダイオードマウント2と上側導体板11の間に隙間が
生じた場合でも、あるいはガンダイオードマウント2と
下側導体板11aの間に隙間が生じた場合でも、また両
方に隙間が生じた場合でも、それぞれの隙間について図
1(c)の等価回路が成り立ち、ガンダイオードマウン
ト2と上側導体板11および下側導体板11aの接触部
端点31からガンダイオードマウント2側をみたインピ
ーダンスZMは非常に小さく、接触部端点31は高周波
的にほぼ短絡されているとみなせるようになる。そのた
め、十分な工作精度が得られずガンダイオードマウント
2と上側導体板11あるいは下側導体板11aの間に隙
間が生じた場合でも、また、ガンダイオードマウント2
と上側導体板11およびガンダイオードマウント2と下
側導体板11aの間の両方に隙間が生じた場合でも、発
振出力がガンダイオードマウント2後方に漏れなくする
ことができる。なお、図1(c)においてZOは上側導
体板11と下側導体板11aで構成される伝送路のイン
ピーダンスであり、比較的大きな値を有する。
In the conventional gun oscillator, depending on the machining accuracy of the gun diode mount 2, the groove 32 provided in the upper conductor plate 11, or the groove 33 provided in the lower conductor plate 11a, the gun diode mount 2 and the upper conductor plate A gap may be formed between the groove 32 provided in the groove 11 or the groove 33 provided in the Gunn diode mount 2 and the lower conductor plate 11a, and the oscillation output may leak from this gap.
In the structure of the Gunn diode mount 2 shown in (b), even when a gap occurs between the Gunn diode mount 2 and the upper conductor plate 11, or a gap occurs between the Gunn diode mount 2 and the lower conductor plate 11a. In both cases and when gaps are formed in both gaps, the equivalent circuit of FIG. 1C is established for each gap, and the gun diode mount 2 is connected to the contact point end point 31 between the upper conductor plate 11 and the lower conductor plate 11a. The impedance Z M seen from the diode mount 2 side is very small, and the contact end point 31 can be regarded as almost short-circuited in terms of high frequency. Therefore, even when a sufficient machining accuracy is not obtained and a gap is generated between the gun diode mount 2 and the upper conductor plate 11 or the lower conductor plate 11a,
Even if a gap is formed between the upper and lower conductor plates 11 and the Gunn diode mount 2 and the lower conductor plate 11a, the oscillation output can be prevented from leaking to the rear of the Gunn diode mount 2. In FIG. 1C, Z O is the impedance of the transmission line composed of the upper conductor plate 11 and the lower conductor plate 11a, and has a relatively large value.

【0052】また図1に示すようにガンダイオードマウ
ント2と上側導体板11および下側導体板11aの接触
部の長さを4分の3波長とすることにより、ガンダイオ
ード2aから発生する熱を効率的に上側導体板11と下
側導体板11aに伝えることができ、熱によるガンダイ
オード2aの破損を防ぐことができる。なお、それでも
ガンダイオード2aが発生する熱が上側導体板11、下
側導体板11aに十分に伝わらないようであれば、4分
の5波長あるいは4分の7波長と長くしてもよい。
As shown in FIG. 1, the heat generated from the Gunn diode 2a is reduced by setting the length of the contact portion between the Gunn diode mount 2 and the upper and lower conductor plates 11 and 11a to 3/4 wavelength. The heat can be efficiently transmitted to the upper conductor plate 11 and the lower conductor plate 11a, and damage to the Gunn diode 2a due to heat can be prevented. If the heat generated by the Gunn diode 2a still does not sufficiently transfer to the upper conductor plate 11 and the lower conductor plate 11a, the wavelength may be increased to 5/4 wavelength or 7/4 wavelength.

【0053】なお、上面側凹部34a、下面側凹部34
bの深さについては、図2(a)に示すガンダイオード
マウントと上側導体板の間に0.05mmの隙間ができ
た場合の、凹部の深さに対する漏洩電力のシミュレーシ
ョン結果から分かるように、漏洩電力がほとんど無くな
る0.5mm以上にするのが好ましい。なお、図2
(a)は60GHzでのシミュレーション結果であり、
ここで用いたシミュレーションモデルは図2(b)に示
すように、上面に凹部を設けたガンダイオードマウント
を厚みがゼロの上側導体板と下側導体板で挟んだ構造と
なっており、上側導体板と下側導体板の間隔は60GH
z帯のNRDガイドで一般に用いられる2.25mmと
し、ガンダイオードマウントの凸部の長さは4分の3波
長である3.75mmとし、凹部の長さは4分の1波長
である1.25mmとしている。シミュレーションモデ
ルの境界条件は、図2(c)に示す通りであり、5mm
の幅で取り出したガンダイオードマウントの両側面は、
ガンダイオードマウントと上側導体板の隙間を伝わる電
磁波がTEM(transverse electro
magnetic)波になると考え磁気壁としている。
また、ガンダイオードマウントと上側導体板の隙間を漏
れ出た電磁波は、上側導体板と下側導体板の間を伝わり
再び戻ってくることはないため、ガンダイオードマウン
トから5mm離れた位置に吸収境界条件を設定してい
る。図2(a)の結果は、このようなシミュレーション
モデルの形状および境界条件のもと、入力端子面からの
入射電力と反射電力の比をシミュレーションで求め、そ
の値から漏洩電力を算出している。なお、シミュレータ
にはHEWLETT PACKARD社の電磁界シミュ
レーションソフトであるHFSS Ver5.4を用い
ている。
The upper concave portion 34a and the lower concave portion 34
Regarding the depth b, as can be seen from the simulation result of the leakage power with respect to the depth of the recess when a gap of 0.05 mm is formed between the Gunn diode mount and the upper conductor plate shown in FIG. Is preferably set to 0.5 mm or more, in which almost no is present. Note that FIG.
(A) is a simulation result at 60 GHz,
As shown in FIG. 2B, the simulation model used here has a structure in which a Gunn diode mount having a concave portion on the upper surface is sandwiched between an upper conductor plate having a thickness of zero and a lower conductor plate. The distance between the plate and the lower conductor plate is 60GH
It is 2.25 mm, which is generally used in the z-band NRD guide, the length of the convex portion of the Gunn diode mount is 3.75 mm, which is three quarter wavelengths, and the length of the concave portion is one quarter wavelength. 25 mm. The boundary conditions of the simulation model are as shown in FIG.
The both sides of the gun diode mount taken out with a width of
Electromagnetic waves transmitted through the gap between the Gunn diode mount and the upper conductor plate are transmitted by TEM (transverse electro
The magnetic wall is considered to be a magnetic wave.
In addition, since the electromagnetic wave leaking out of the gap between the gun diode mount and the upper conductor plate does not return again after transmitting between the upper conductor plate and the lower conductor plate, an absorption boundary condition is set at a position 5 mm away from the gun diode mount. You have set. In the result of FIG. 2A, the ratio between the incident power from the input terminal surface and the reflected power is obtained by simulation based on the shape and the boundary condition of the simulation model, and the leakage power is calculated from the value. . Note that HFSS Ver5.4, which is electromagnetic field simulation software from HEWLETT PACKARD, is used for the simulator.

【0054】なお、図2にはガンダイオードマウントと
上側導体板の間に隙間ができた場合の電力漏洩について
のシミュレーション結果を示しているが、この結果はガ
ンダイオードマウントと下側導体板の間に隙間ができた
場合についても当てはまり、また両方に隙間ができた場
合でも凹部の深さが0.5mm以上であれば、漏洩電力
を十分に少なくすることができる。
FIG. 2 shows a simulation result of power leakage when a gap is formed between the Gunn diode mount and the upper conductor plate. This result shows that a gap is formed between the Gunn diode mount and the lower conductor plate. This is also true of the case where the gap is formed between both, and if the depth of the recess is 0.5 mm or more, the leakage power can be sufficiently reduced.

【0055】なお、図2に示すシミュレーションモデル
では、上側導体板と下側導体板に溝は設けていないが、
ガンダイオードマウントに設けた凹部の深さが漏洩電力
を少なくする効果は、上側導体板と下側導体板に溝を設
けガンダイオードマウントを嵌合させた場合も変わらな
いため、図1に示すガンダイオードマウント2の凹部の
深さは、図2(a)のシミュレーション結果に基づいて
決定してよい。
In the simulation model shown in FIG. 2, no grooves are provided on the upper and lower conductor plates.
The effect of reducing the leakage power due to the depth of the concave portion provided in the Gunn diode mount is the same as when the Gunn diode mount is fitted by providing grooves in the upper and lower conductor plates. The depth of the concave portion of the diode mount 2 may be determined based on the simulation result of FIG.

【0056】また、図2(a)は60GHzでのシミュ
レーション結果ではあるが、ガンダイオードマウントと
上側導体板、あるいは下側導体板の間に隙間が生じた場
合にそこを伝わる電磁波のモードはTEMモードになる
と考えられるため、図2(a)の結果はすべての周波数
に適用してよい。
FIG. 2A shows a simulation result at 60 GHz. When a gap is formed between the Gunn diode mount and the upper conductor plate or the lower conductor plate, the mode of the electromagnetic wave transmitted therethrough is the TEM mode. Therefore, the result of FIG. 2A may be applied to all frequencies.

【0057】以上のように本実施の形態1におけるガン
発振器は構成されているので、十分な工作精度が得られ
ずガンダイオードマウント2と上側導体板11あるいは
下側導体板11aの間に隙間が生じた場合でも、また、
ガンダイオードマウント2と上側導体板11およびガン
ダイオードマウント2と下側導体板11aの間の両方に
隙間が生じた場合でも、発振出力がガンダイオードマウ
ント2後方に漏れなくすることができるという作用を有
する。
As described above, since the gun oscillator according to the first embodiment is configured, sufficient machining accuracy cannot be obtained, and a gap is formed between the gun diode mount 2 and the upper conductor plate 11 or the lower conductor plate 11a. If it does,
Even when a gap is formed between the gun diode mount 2 and the upper conductor plate 11 and between the gun diode mount 2 and the lower conductor plate 11a, the effect that the oscillation output can be prevented from leaking to the rear of the gun diode mount 2 can be obtained. Have.

【0058】(実施の形態2)図3(a)は実施の形態
2におけるガン発振器の全体構造の斜視図であり、図3
(b)は実施の形態2におけるガン発振器のガンダイオ
ード部分の要部断面図であり、図3(c)は図2(b)
の等価回路を示す説明図である。なお、本実施の形態3
は、ガン発振器の上側導体板と下側導体板に設けた溝の
中の上下対称な位置に、凹部を設けたものである。
(Embodiment 2) FIG. 3 (a) is a perspective view of the entire structure of a gun oscillator according to Embodiment 2, and FIG.
FIG. 3B is a sectional view of a main part of a gun diode portion of the gun oscillator according to the second embodiment, and FIG. 3C is a sectional view of FIG.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing an equivalent circuit of FIG. Embodiment 3
In the above, a concave portion is provided at a vertically symmetric position in a groove provided in an upper conductor plate and a lower conductor plate of a gun oscillator.

【0059】図3において、2はガンダイオードマウン
ト、2aはガンダイオード、5はカソード端子、6はバ
イアス線路、7はアノード端子、8はストリップ線路、
9は誘電体ストリップ、10はモードサプレッサ、11
は上側導体板、11aは下側導体板、12は端子、12
aは端子、31は接触部端点、32は溝、33は溝であ
り、これらは図6において説明したものと同様であるの
で同一の符号を付けて説明を省略する。1aは本実施の
形態2におけるガン発振器、40aは上側導体板11の
溝32の中に設けた上側凹部、40bは下側導体板11
aの溝33の中に設けた下側凹部、41a、41bは上
側導体板11の溝32に設けた上側凸部、41c、41
dは下側導体板11aの溝33に設けた上側凸部であ
る。なお、図3(b)および図3(c)中に矢印ととも
に示されたF、G、H、I、J、およびF´、G´、H
´、I´、J´はそれぞれの部分の長さを示している。
F、F´、J、およびJ´は長さが等しく、また、Fと
Gを合わせた長さ、F´とG´を合わせた長さ、IとJ
を合わせた長さ、およびI´とJ´を合わせた長さは、
発振周波数の自由空間における4分の3波長であり、
H、H´の長さは発振周波数の自由空間における4分の
1波長である。なお図3(b)において、ストリップ線
路8は記載を省略している。
In FIG. 3, 2 is a gun diode mount, 2a is a gun diode, 5 is a cathode terminal, 6 is a bias line, 7 is an anode terminal, 8 is a strip line,
9 is a dielectric strip, 10 is a mode suppressor, 11
Is an upper conductor plate, 11a is a lower conductor plate, 12 is a terminal, 12
a is a terminal, 31 is a contact point end point, 32 is a groove, and 33 is a groove. These are the same as those described in FIG. 1a is a gun oscillator according to the second embodiment, 40a is an upper concave portion provided in the groove 32 of the upper conductor plate 11, and 40b is a lower conductor plate 11
The lower concave portions 41a and 41b provided in the groove 33a are the upper convex portions 41c and 41 provided in the groove 32 of the upper conductor plate 11.
d is an upper convex portion provided in the groove 33 of the lower conductor plate 11a. Note that F, G, H, I, J, and F ', G', H shown in FIG. 3B and FIG.
', I', and J 'indicate the length of each part.
F, F ', J, and J' have the same length, and the total length of F and G, the total length of F 'and G', and I and J
And the combined length of I 'and J'
3/4 wavelength in free space of oscillation frequency,
The length of H, H 'is a quarter wavelength in the free space of the oscillation frequency. In FIG. 3B, the illustration of the strip line 8 is omitted.

【0060】図3に示すガン発振器は、カソード端子5
がガンダイオードマウント2を介して接続された端子1
2aを接地し、端子12からバイアス線路6を介してア
ノード端子7にバイアス電圧が印加すると高周波信号を
発生し、ストリップ線路8を介して誘電体ストリップ9
から出力される。
The gun oscillator shown in FIG.
Is terminal 1 connected via Gunn diode mount 2
2a is grounded, and when a bias voltage is applied from the terminal 12 to the anode terminal 7 via the bias line 6, a high-frequency signal is generated, and the dielectric strip 9
Output from

【0061】従来のガン発振器では、ガンダイオードマ
ウント2や、上側導体板11に設けた溝32、あるいは
下側導体板11aに設けた溝33の工作精度によって
は、ガンダイオードマウント2と上側導体板11に設け
た溝32、あるいはガンダイオードマウント2と下側導
体板11aに設けた溝33の間に隙間が生じ、この隙間
を伝って発振出力が漏れてしまう場合があったが、図3
(b)に示すガンダイオードマウント部の構造では、ガ
ンダイオードマウント2と上側導体板11の間に隙間が
生じた場合でも、あるいはガンダイオードマウント2と
下側導体板11aの間に隙間が生じた場合でも、また両
方に隙間が生じた場合でもそれぞれの隙間について図3
(c)の等価回路が成り立ち、ガンダイオードマウント
2と上側導体板11および下側導体板11aの接触部端
点31からガンダイオードマウント2側をみたインピー
ダンスZMは非常に小さく、接触部端点31は高周波的
におおよそ短絡されているとみなせるようになる。その
ため、十分な工作精度が得られずガンダイオードマウン
ト2と上側導体板あるいは下側導体板の間に隙間が生じ
た場合でも、また、ガンダイオードマウント2と上側導
体板11およびガンダイオードマウント2と下側導体板
11aの間の両方に隙間が生じた場合でも、発振出力が
ガンダイオードマウント2後方に漏れなくすることがで
きる。
In the conventional gun oscillator, depending on the machining accuracy of the Gunn diode mount 2, the groove 32 provided in the upper conductor plate 11, or the groove 33 provided in the lower conductor plate 11a, the Gunn diode mount 2 and the upper conductor plate 11a may be used. A gap may be formed between the groove 32 provided in the groove 11 or the groove 33 provided in the gun diode mount 2 and the lower conductor plate 11a, and the oscillation output may leak through the gap.
In the structure of the Gunn diode mount section shown in (b), even when a gap occurs between the Gunn diode mount 2 and the upper conductor plate 11, or a gap occurs between the Gunn diode mount 2 and the lower conductor plate 11a. In both cases and when there is a gap in both, FIG.
(C) is established, the impedance Z M seen from the contact point 31 of the gun diode mount 2 and the upper conductor plate 11 and the lower conductor plate 11 a toward the gun diode mount 2 side is very small. It can be considered that it is short-circuited at high frequency. Therefore, even when a sufficient machining accuracy is not obtained and a gap is formed between the gun diode mount 2 and the upper or lower conductor plate, the gun diode mount 2 and the upper conductor plate 11 and the gun diode mount 2 and the lower Oscillation output can be prevented from leaking to the rear of the Gunn diode mount 2 even when a gap is formed between both of the conductor plates 11a.

【0062】また図3に示すようにガンダイオードマウ
ント2と上側導体板11および下側導体板11aの接触
部の長さを4分の3波長と長めすることにより、ガンダ
イオード1が発生する熱を効率的に上側導体板11と下
側導体板11aに伝えることができ、熱によるガンダイ
オード2aの破損を防ぐことができる。なお、それでも
ガンダイオード2aが発生する熱が上側導体板11、下
側導体板11aに十分に伝わらないようであれば、4分
の5波長あるいは4分の7波長と長くしてもよい。
As shown in FIG. 3, by increasing the length of the contact portion between the Gunn diode mount 2 and the upper and lower conductor plates 11 and 11a to 3/4 wavelength, the heat generated by the Gunn diode 1 is increased. Can be efficiently transmitted to the upper conductor plate 11 and the lower conductor plate 11a, and damage to the Gunn diode 2a due to heat can be prevented. If the heat generated by the Gunn diode 2a still does not sufficiently transfer to the upper conductor plate 11 and the lower conductor plate 11a, the wavelength may be increased to 5/4 wavelength or 7/4 wavelength.

【0063】なお、本実施の形態2についても上側凹部
40a、下側凹部40bの深さとガンダイオードマウン
ト2後方への漏洩電力の関係は、実施の形態1の図2
(a)に示すシミュレーション結果が当てはまる。従っ
て、上側凹部40a、下側凹部40bの深さは0.5m
m以上にするのが好ましい。
Note that also in the second embodiment, the relationship between the depth of the upper concave portion 40a and the lower concave portion 40b and the leakage power to the rear of the gun diode mount 2 is shown in FIG.
The simulation result shown in FIG. Therefore, the depth of the upper concave portion 40a and the lower concave portion 40b is 0.5 m.
m or more.

【0064】なお、本実施の形態2は、比較的形状の大
きい上側導体板11と下側導体板11aに上側凹部40
a、下側凹部40bを設けるため、形状の小さいガンダ
イオードマウントに凹部を設ける実施の形態1に比べ
て、製作が容易になる利点がある。
In the second embodiment, the upper conductor plate 11 and the lower conductor plate 11a having relatively large shapes are provided with the upper concave portion 40.
a) Since the lower concave portion 40b is provided, there is an advantage that the manufacturing becomes easier as compared with the first embodiment in which the concave portion is provided in the gun diode mount having a small shape.

【0065】以上のように本実施の形態2におけるガン
発振器は構成されているので、十分な工作精度が得られ
ずガンダイオードマウント2と上側導体板あるいは下側
導体板の間に隙間が生じた場合でも、また、ガンダイオ
ードマウント2と上側導体板11およびガンダイオード
マウント2と下側導体板11aの間の両方に隙間が生じ
た場合でも、発振出力がガンダイオードマウント2後方
に漏れなくすることができる。
As described above, since the gun oscillator according to the second embodiment is constructed, sufficient machining accuracy cannot be obtained, and even if a gap is generated between the gun diode mount 2 and the upper or lower conductor plate. Further, even when a gap is formed between the gun diode mount 2 and the upper conductor plate 11 and between the gun diode mount 2 and the lower conductor plate 11a, the oscillation output can be prevented from leaking to the rear of the gun diode mount 2. .

【0066】(実施の形態3)図4(a)は実施の形態
3におけるガン発振器の全体構造の斜視図であり、図4
(b)は実施の形態3におけるガン発振器のガンダイオ
ード部分の要部断面図であり、図4(c)は図4(b)
の等価回路を示す説明図である。なお、本実施の形態3
は、上側導体板に設けた溝の中と下側導体板設けた溝の
中にそれぞれ凹部を設け、またガンダイオードマウント
にも凹部を設けており、各々の凹部の長さおよび位置を
上下対称としている。
(Embodiment 3) FIG. 4 (a) is a perspective view of the entire structure of a gun oscillator according to Embodiment 3, and FIG.
FIG. 4B is a sectional view of a main part of a gun diode portion of the gun oscillator according to the third embodiment, and FIG. 4C is a sectional view of FIG.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing an equivalent circuit of FIG. Embodiment 3
Has recesses in the grooves provided in the upper conductor plate and in the grooves provided in the lower conductor plate, and also has recesses in the Gunn diode mount.The length and position of each recess are vertically symmetric. And

【0067】図4において、2はガンダイオードマウン
ト、2aはガンダイオード、5はカソード端子、6はバ
イアス線路、7はアノード端子、8はストリップ線路、
9は誘電体ストリップ、10はモードサプレッサ、11
は上側導体板、11aは下側導体板、12は端子、12
aは端子、31は接触部端点、32は溝、33は溝であ
り、これらは図6において説明したものと同様であるの
で同一の符号を付けて説明を省略する。1bは本実施の
形態3におけるガン発振器、42a、42bはガンダイ
オードマウント2の上面に形成された上面側凸部、42
c、42dはガンダイオードマウント2の下面に形成さ
れた下面側凸部、43aはガンダイオードマウント2の
上面に設けられた上面側凹部、43bはガンダイオード
マウント2の下面に設けられた下面側凹部、44aは上
側導体板11の溝32に設けられた上側凹部、44bは
下側導体板11aの溝33に設けられた下側凹部であ
る。なお、図4(b)および図4(c)中に矢印ととも
に示されたK、L、M、N、およびK´、L´、M´、
N´はそれぞれの部分の長さを示している。KとK´は
長さが等しく、KとLを合わせた長さ、K´とL´を合
わせた長さ、NとN´は、発振周波数の自由空間におけ
る4分の3波長であり、M、M´は発振周波数の自由空
間における4分の1波長である。なお図4(b)におい
て、ストリップ線路8は記載を省略している。
In FIG. 4, 2 is a gun diode mount, 2a is a gun diode, 5 is a cathode terminal, 6 is a bias line, 7 is an anode terminal, 8 is a strip line,
9 is a dielectric strip, 10 is a mode suppressor, 11
Is an upper conductor plate, 11a is a lower conductor plate, 12 is a terminal, 12
a is a terminal, 31 is a contact point end point, 32 is a groove, and 33 is a groove. These are the same as those described in FIG. 1b is a Gunn oscillator according to the third embodiment, 42a and 42b are upper surface side protrusions formed on the upper surface of the Gunn diode mount 2, 42
Reference numerals c and 42d denote lower surface side protrusions formed on the lower surface of the Gunn diode mount 2, 43a denotes upper surface side recesses provided on the upper surface of the Gunn diode mount 2, and 43b denotes lower surface side recesses provided on the lower surface of the Gunn diode mount 2. , 44a are upper concave portions provided in the groove 32 of the upper conductor plate 11, and 44b are lower concave portions provided in the groove 33 of the lower conductor plate 11a. It should be noted that K, L, M, N, and K ′, L ′, M ′, shown with arrows in FIG. 4B and FIG.
N 'indicates the length of each part. K and K 'have the same length, the length obtained by combining K and L, the length obtained by combining K' and L ', and N and N' are three quarter wavelengths in the free space of the oscillation frequency. M and M 'are quarter wavelengths in the free space of the oscillation frequency. In FIG. 4B, the strip line 8 is omitted.

【0068】図4に示すガン発振器は、カソード端子5
がガンダイオードマウント2を介して接続された端子1
2aを接地し、端子12からバイアス線路6を介してア
ノード端子7にバイアス電圧が印加すると高周波信号を
発生し、ストリップ線路8を介して誘電体ストリップ9
から出力される。
The gun oscillator shown in FIG.
Is terminal 1 connected via Gunn diode mount 2
2a is grounded, and when a bias voltage is applied from the terminal 12 to the anode terminal 7 via the bias line 6, a high-frequency signal is generated, and the dielectric strip 9
Output from

【0069】従来のガン発振器では、ガンダイオードマ
ウント2や、上側導体板11に設けた溝32、あるいは
下側導体板11aに設けた溝33の工作精度によって
は、ガンダイオードマウント2と上側導体板11に設け
た溝32、あるいはガンダイオードマウント2と下側導
体板11aに設けた溝33の間に隙間が生じ、この隙間
を伝って発振出力が漏れてしまう場合があったが、図4
(b)に示すガンダイオードマウント部の構造では、ガ
ンダイオードマウント2と上側導体板11の間に隙間が
生じた場合でも、あるいはガンダイオードマウント2と
下側導体板11aの間に隙間が生じた場合でも、また両
方に隙間が生じた場合でも、それぞれの隙間について図
4(c)の等価回路が成り立ち、ガンダイオードマウン
ト2と上側導体板11および下側導体板11aの接触部
端点31からガンダイオードマウント2側をみたインピ
ーダンスZMは非常に小さく、接触部端点31は高周波
的におおよそ短絡されているとみなせるようになる。
In the conventional gun oscillator, depending on the machining accuracy of the gun diode mount 2, the groove 32 provided in the upper conductor plate 11, or the groove 33 provided in the lower conductor plate 11a, the gun diode mount 2 and the upper conductor plate A gap may be formed between the groove 32 provided in the groove 11 or the groove 33 provided in the gun diode mount 2 and the lower conductor plate 11a, and the oscillation output may leak through the gap.
In the structure of the Gunn diode mount section shown in (b), even when a gap occurs between the Gunn diode mount 2 and the upper conductor plate 11, or a gap occurs between the Gunn diode mount 2 and the lower conductor plate 11a. 4C, the equivalent circuit of FIG. 4C is established for each of the gaps, and the gun diode mount 2 and the contact point 31 of the upper conductor plate 11 and the lower conductor plate 11a contact each other. The impedance Z M seen from the diode mount 2 side is very small, and the contact end point 31 can be regarded as being almost short-circuited in terms of high frequency.

【0070】そのため、十分な工作精度が得られずガン
ダイオードマウント2と上側導体板11あるいは下側導
体板11aの間に隙間が生じた場合でも、また、ガンダ
イオードマウント2と上側導体板11およびガンダイオ
ードマウント2と下側導体板11aの間の両方に隙間が
生じた場合でも、発振出力がガンダイオードマウント2
後方に漏れないようにすることができる。
Therefore, even when a sufficient machining accuracy is not obtained and a gap is formed between the gun diode mount 2 and the upper conductor plate 11 or the lower conductor plate 11a, the gun diode mount 2 and the upper conductor plate 11 and Even when a gap is formed between both the gun diode mount 2 and the lower conductor plate 11a, the oscillation output is
It can be prevented from leaking backward.

【0071】ところで、上側導体板に設けた上側凹部4
4aとガンダイオードマウント2の上面に設けた上面側
凹部43aを合わせた深さ、および下側導体板に設けた
下側凹部44bとガンダイオードマウント2の下面に設
けた下面側凹部43bを合わせた深さが、それぞれ図2
(a)中の溝の深さに相当する。そのため、上側導体板
に設けた上側凹部44aとガンダイオードマウント2の
上面に設けた上面側凹部43aを合わせた深さ、および
下側導体板に設けた下側凹部44bとガンダイオードマ
ウント2の下面に設けた下面側凹部43bを合わせた深
さは、ガンダイオードマウント2後方への電磁波の漏れ
を抑えるためには、それぞれ0.5mm以上にするのが
望ましい。
Incidentally, the upper concave portion 4 provided in the upper conductive plate
4a and the upper surface concave portion 43a provided on the upper surface of the Gunn diode mount 2, and the lower concave portion 44b provided on the lower conductor plate and the lower surface side concave portion 43b provided on the lower surface of the Gunn diode mount 2 were combined. Fig. 2
This corresponds to the depth of the groove in (a). Therefore, the depth of the upper concave portion 44a provided on the upper conductor plate and the upper concave portion 43a provided on the upper surface of the Gunn diode mount 2, and the lower concave portion 44b provided on the lower conductor plate and the lower surface of the Gunn diode mount 2 In order to suppress leakage of electromagnetic waves to the rear of the gun diode mount 2, it is desirable that the combined depth of the lower surface side recessed portions 43b provided in each of them is 0.5 mm or more.

【0072】なお、図4の実施の形態では、ガンダイオ
ードマウント2の上面と下面および上側導体板11と下
側導体板11aの両方に凹部を設けているため、図2あ
るいは図3の実施の形態に示すようなどちらか片方に凹
部を設ける場合に比べて、凹部の深さを深くすることが
でき発振出力の漏洩を抑える効果をさらに大きくするこ
とができる。
In the embodiment shown in FIG. 4, since concave portions are provided on the upper and lower surfaces of Gunn diode mount 2 and on both upper conductor plate 11 and lower conductor plate 11a, the embodiment shown in FIG. 2 or FIG. The depth of the concave portion can be increased and the effect of suppressing the leakage of the oscillation output can be further increased, as compared with the case where the concave portion is provided on one of the sides as shown in the embodiment.

【0073】また図4に示すようにガンダイオードマウ
ント2と上側導体板11および下側導体板11aの接触
部の長さを4分の3波長と長めすることにより、ガンダ
イオード2aが発生する熱を効率的に上側導体板11と
下側導体板11aに伝えることができ、熱によるガンダ
イオード2aの破損を防ぐことができる。なお、それで
もガンダイオード2aが発生する熱が上側導体板11、
下側導体板11aに十分に伝わらないようであれば、4
分の5波長あるいは4分の7波長と長くしてもよい。
As shown in FIG. 4, by increasing the length of the contact portion between the Gunn diode mount 2 and the upper and lower conductor plates 11 and 11a to 3/4 wavelength, the heat generated by the Gunn diode 2a is increased. Can be efficiently transmitted to the upper conductor plate 11 and the lower conductor plate 11a, and damage to the Gunn diode 2a due to heat can be prevented. Note that the heat generated by the Gunn diode 2a is still higher than the upper conductor plate 11,
If not sufficiently transmitted to the lower conductor plate 11a, 4
It may be as long as 5/5 wavelength or 7/4 wavelength.

【0074】以上のように本実施の形態3におけるガン
発振器は構成されているので、十分な工作精度が得られ
ずガンダイオードマウント2と上側導体板11あるいは
下側導体板11aの間に隙間が生じた場合でも、また、
ガンダイオードマウント2と上側導体板11およびガン
ダイオードマウント2と下側導体板11aの間の両方に
隙間が生じた場合でも、発振出力がガンダイオードマウ
ント2後方に漏れないようにすることができるという作
用を有する。
As described above, since the gun oscillator according to the third embodiment is configured, sufficient machining accuracy cannot be obtained, and a gap is formed between the gun diode mount 2 and the upper conductor plate 11 or the lower conductor plate 11a. If it does,
Even if a gap is formed between the gun diode mount 2 and the upper conductor plate 11 and between the gun diode mount 2 and the lower conductor plate 11a, the oscillation output can be prevented from leaking to the rear of the gun diode mount 2. Has an action.

【0075】(実施の形態4)図5(a)は実施の形態
4におけるガン発振器の全体構造の斜視図であり、図5
(b)は実施の形態4におけるガン発振器のガンダイオ
ード部分の要部断面図である。なお、本実施の形態4
は、ガン発振器のガンダイオードから上側導体板および
下側導体板への熱を伝わりやすくするため、ガンダイオ
ードマウントのガンダイオード側の凸部の長さを4分の
3波長としたものである。
(Embodiment 4) FIG. 5A is a perspective view of the entire structure of a Gunn oscillator according to Embodiment 4, and FIG.
FIG. 13B is a cross-sectional view of a main part of a gun diode part of the gun oscillator according to the fourth embodiment. Embodiment 4
The length of the convex portion on the gun diode side of the gun diode mount is set to 3/4 wavelength so that heat is easily transmitted from the gun diode of the gun oscillator to the upper conductor plate and the lower conductor plate.

【0076】図5において、2はガンダイオードマウン
ト、2aはガンダイオード、5はカソード端子、6はバ
イアス線路、7はアノード端子、8はストリップ線路、
9は誘電体ストリップ、10はモードサプレッサ、11
は上側導体板、11aは下側導体板、12は端子、12
aは端子、31は接触部端点であり、これらは図6にお
いて説明したものと同様であるので同一の符号を付けて
説明を省略する。1cは本実施の形態4におけるガン発
振器、50a、50bはガンダイオードマウント2の上
面に形成された上面側凸部、50c、50dはガンダイ
オードマウント2の下面に形成された下面側凸部、51
aはガンダイオードマウント2の上面に設けられた上面
側凹部、51bはガンダイオードマウント2の下面に設
けられた下面側凹部である。なお、図5(b)中に矢印
とともに示されたO、P、Q、およびO´、P´、Q´
はそれぞれの部分の長さを示している。OとO´は長さ
が等しく、PとP´は長さが等しく、またQとQ´も長
さが等しい。また、OとO´は発振周波数の自由空間に
おける4分の3波長とし、PとP´、QとQ´は、それ
ぞれ発振周波数の自由空間における4分の1波長として
いる。なお図5(b)において、ストリップ線路8は記
載を省略している。
In FIG. 5, 2 is a gun diode mount, 2a is a gun diode, 5 is a cathode terminal, 6 is a bias line, 7 is an anode terminal, 8 is a strip line,
9 is a dielectric strip, 10 is a mode suppressor, 11
Is an upper conductor plate, 11a is a lower conductor plate, 12 is a terminal, 12
a is a terminal, 31 is a contact end point, and these are the same as those described in FIG. 6, so the same reference numerals are given and the description is omitted. 1c is a Gunn oscillator according to the fourth embodiment, 50a and 50b are upper surface side protrusions formed on the upper surface of the Gunn diode mount 2, 50c and 50d are lower surface side protrusions formed on the lower surface of the Gunn diode mount 2, 51
a is an upper surface side concave portion provided on the upper surface of the Gunn diode mount 2, and 51b is a lower surface side concave portion provided on the lower surface of the Gunn diode mount 2. Note that O, P, Q, and O ′, P ′, Q ′ indicated with arrows in FIG.
Indicates the length of each part. O and O 'have the same length, P and P' have the same length, and Q and Q 'have the same length. O and O 'are three quarter wavelengths in the free space of the oscillation frequency, P and P', and Q and Q 'are quarter wavelengths in the free space of the oscillation frequency. In FIG. 5B, the illustration of the strip line 8 is omitted.

【0077】図5に示す本実施の形態4のガン発振器1
cと図6に示す従来のガン発振器1dとの相違点は、ガ
ンダイオードマウント2に設けた上面側凸部50aの長
さOと下面側凸部50cの長さO´にあり、ガンダイオ
ードマウント2と上側導体板11およびガンダイオード
マウント2と下側導体板11aとの接触部の長さを長く
することにより、ガンダイオード2aが発生する熱を上
側導体板11と下側導体板11aへ伝わりやすくしてい
る。なお、図5の実施の形態ではガンダイオード2aの
上面側凸部50bと50dは発振周波数の自由空間にお
ける4分の1波長としているが、ガンダイオードマウン
ト2の大きさに制約がなければこれらも発振周波数の4
分の3波長として、さらに熱を伝わりやすくすることも
可能である。また、熱伝導性をさらに高めたい場合に
は、ガンダイオードマウント2の上面側凸部50a、5
0b、下面側凸部50c、50dを発振周波数の4分の
5波長あるいは4分の7波長とさらに長くしてもよい。
なお、上面側凸部50a、50b、下面側凸部50c、
50dの長さ、および上面側凹部51a、下面側凹部5
1bの長さが、発振周波数の4分の1波長の奇数倍であ
れば接触部端点31からガンダイオードマウント2側を
みたインピーダンスは高周波的に短絡されている状態に
近づけることができるため、工作誤差などによってガン
ダイオードマウント2と上側導体板11、あるいは下側
導体板11aの間に隙間が生じた場合でも、また、ガン
ダイオードマウント2と上側導体板11およびガンダイ
オードマウント2と下側導体板11aの間の両方に隙間
が生じた場合でも、発振出力がガンダイオードマウント
後方へ漏れないようにすることができる。
The gun oscillator 1 of the fourth embodiment shown in FIG.
6 is different from the conventional gun oscillator 1d shown in FIG. 6 in the length O of the upper surface side protrusion 50a and the length O 'of the lower surface side protrusion 50c provided on the gun diode mount 2, and The heat generated by the Gunn diode 2a is transmitted to the upper conductor plate 11 and the lower conductor plate 11a by increasing the length of the contact portion between the upper conductor plate 2 and the upper conductor plate 11 and between the gun diode mount 2 and the lower conductor plate 11a. Making it easier. In the embodiment shown in FIG. 5, the upper convex portions 50b and 50d of the Gunn diode 2a have a quarter wavelength in the free space of the oscillation frequency. However, if the size of the Gunn diode mount 2 is not restricted, these are also used. Oscillation frequency 4
It is also possible to make heat easier to transmit by setting the wavelength to 3 / min. If it is desired to further increase the thermal conductivity, the upper surface side protrusions 50 a, 5 a
0b and the lower surface side projections 50c and 50d may be further extended to 5/4 wavelength or 7/4 wavelength of the oscillation frequency.
In addition, the upper surface side convex portions 50a and 50b, the lower surface side convex portions 50c,
50d length, upper surface side recess 51a, lower surface side recess 5
If the length of 1b is an odd multiple of a quarter wavelength of the oscillation frequency, the impedance seen from the contact end point 31 toward the Gunn diode mount 2 can be close to a high-frequency short-circuit state. Even if a gap occurs between the gun diode mount 2 and the upper conductor plate 11 or the lower conductor plate 11a due to an error or the like, the gun diode mount 2 and the upper conductor plate 11 and the gun diode mount 2 and the lower conductor plate 11 Even if there is a gap between both of them, the oscillation output can be prevented from leaking to the rear of the Gunn diode mount.

【0078】以上のように本実施の形態4におけるガン
発振器は構成されているので、ガンダイオードマウント
2と上側導体板11およびガンダイオードマウント2と
下側導体板11aとの接触部の長さを長くすることによ
り、ガンダイオード2aが発生する熱を上側導体板11
と下側導体板11aへ伝わりやすくすることができ、ガ
ンダイオードの熱による破損を起こりにくくすることが
できるという作用を有する。
As described above, since the Gunn oscillator according to the fourth embodiment is configured, the lengths of the contact portions between the Gunn diode mount 2 and the upper conductor plate 11 and between the Gunn diode mount 2 and the lower conductor plate 11a are reduced. By increasing the length, heat generated by the Gunn diode 2a is transferred to the upper conductor plate 11
And the lower conductor plate 11a can be easily transmitted, and the gun diode is less likely to be damaged by heat.

【0079】[0079]

【発明の効果】以上のように本発明のガン発振器によれ
ば、以下のような有利な効果が得られる。
As described above, according to the Gunn oscillator of the present invention, the following advantageous effects can be obtained.

【0080】請求項1に記載の発明によれば、 (1)ガンダイオード側のガンダイオードマウントと導
体板の接触部端点において、ガンダイオードマウントと
導体板が高周波的にほぼ短絡された状態となり、発振出
力のガンダイオードマウント後方への漏れを防ぐことが
できるガン発振器を提供することができる。
According to the first aspect of the present invention, (1) the gun diode mount and the conductor plate are almost short-circuited at high frequency at the contact point between the gun diode mount and the conductor plate on the gun diode side, A gun oscillator capable of preventing the oscillation output from leaking to the rear of the gun diode mount can be provided.

【0081】(2)発振動作時にガンダイオードから発
生する熱が、放熱器を兼ねる導体板へ伝わりやすくな
り、熱によるガンダイオードの破損を防ぐことができる
ガン発振器を提供することができる。
(2) The heat generated from the Gunn diode during the oscillation operation can be easily transmitted to the conductor plate also serving as a radiator, and a Gunn oscillator capable of preventing the Gunn diode from being damaged by the heat can be provided.

【0082】(3)ガンダイオードマウントの上面に設
けた凸部と上側の導体板の接触部の長さと、ガンダイオ
ードマウントの下面に設けた凸部と下側の導体板の接触
部の長さを発振周波数の自由空間における4分の3波
長、4分の5波長のように長くすると、ガンダイオード
マウントと導体板との接触部分の長さが増えガンダイオ
ードから導体板への熱を伝えやすくすることができるガ
ン発振器を提供することができる。
(3) The length of the contact portion between the protrusion provided on the upper surface of the Gunn diode mount and the upper conductor plate and the length of the contact portion between the protrusion provided on the lower surface of the Gunn diode mount and the lower conductor plate. When the length is increased to 3/4 wavelength and 5/4 wavelength in the free space of the oscillation frequency, the length of the contact portion between the gun diode mount and the conductor plate increases, and the heat from the gun diode to the conductor plate is easily transmitted. Can be provided.

【0083】請求項2に記載の発明によれば、請求項1
の効果に加え、 (1)導体板とガンダイオードマウントとの接触面積を
大きくできるので、ガンダイオードが発生する熱を導体
板へ伝えやすくし熱によるガンダイオードの破損を防ぐ
ことができる耐久性に優れたガン発振器を提供すること
ができる。
According to the invention described in claim 2, according to claim 1
In addition to the effects of (1), since the contact area between the conductor plate and the gun diode mount can be increased, the heat generated by the gun diode can be easily transmitted to the conductor plate, and the durability of the gun diode can be prevented due to the heat. An excellent Gunn oscillator can be provided.

【0084】請求項3に記載の発明によれば、請求項1
又は2の効果に加え、 (1)上側の導体板に設けた溝と下側の導体板に設けた
溝に凹部を設ける場合に比べて、導体板間の厚みを薄く
することが可能であり、ガン発振器を薄くすることがで
きるガン発振器を提供することができる。
According to the invention set forth in claim 3, according to claim 1
In addition to the effects of (2), (1) the thickness between the conductor plates can be reduced as compared with the case where a recess is provided in the groove provided in the upper conductor plate and the groove provided in the lower conductor plate. Thus, it is possible to provide a gun oscillator that can make the gun oscillator thin.

【0085】請求項4に記載の発明によれば、請求項1
乃至3の内いずれか1項の効果に加え、 (1)ガンダイオードマウントに凹部を設ける場合に比
べて凹部の深さを深くできるため、ガンダイオードマウ
ントと導体板の接触部分とのインピーダンスの差を大き
くすることができ、ガンダイオードマウント後方への発
振出力の漏れを一層低減することができるガン発振器を
提供することができる。
According to the invention set forth in claim 4, according to claim 1
In addition to the effects of any one of (3) to (3), (1) Since the depth of the concave portion can be made deeper than in the case where the concave portion is provided in the Gunn diode mount, the impedance difference between the contact portion between the Gunn diode mount and the conductor plate Can be increased, and a gun oscillator that can further reduce the leakage of oscillation output to the rear of the gun diode mount can be provided.

【0086】請求項5に記載の発明によれば、請求項1
乃至4の内いずれか1項の効果に加え、 (1)凹部の深さを0.5mm以上とすることにより、
ガンダイオードマウントと上側導体板、あるいは下側導
体板の間に隙間が生じた場合でも、そこを伝って漏れる
電力を極めて小さくすることができるガン発振器を提供
することができる。
According to the invention set forth in claim 5, according to claim 1,
In addition to the effects of any one of (1) to (4), (1) By making the depth of the concave portion 0.5 mm or more
Even if a gap occurs between the Gunn diode mount and the upper conductor plate or the lower conductor plate, it is possible to provide a Gunn oscillator capable of extremely reducing the power leaking therethrough.

【0087】請求項6に記載の発明によれば、請求項1
乃至4の内いずれか1項の効果に加え、 (1)ガンダイオードマウント及び上側導体板、下側導
体板に凹部が形成されているため、凹部内部の空間の断
面積が広がり、ガンダイオードマウントと上側導体板及
び下側導体板の接触部分と凹部のインピーダンス差を大
きくすることができ、発振出力のガンダイオードマウン
ト後方への漏れをより一層低減することができるガン発
振器を提供することができる。
According to the invention of claim 6, according to claim 1,
In addition to the effects of any one of (4) to (4), (1) Since the concave portion is formed in the Gunn diode mount and the upper and lower conductor plates, the cross-sectional area of the space inside the concave portion increases, and the Gunn diode mount And an impedance difference between a contact portion and a concave portion of the upper and lower conductor plates and the lower conductor plate, and a leakage of oscillation output to the rear of the gun diode mount can be further reduced. .

【0088】請求項7に記載の発明によれば、請求項1
乃至6の内いずれか1項の効果に加え、 (1)上側導体板と下側導体板にフライス盤などの金属
加工機を用いて凹部の加工をする際に、削り取る深さを
変更しなくてすむため、上側導体板と下側導体板の生産
効率を上げることができる。すなわち、ガンダイオード
マウント後方への発振出力の漏洩が少ないガン発振器を
効率よく生産できる生産性に優れたガン発振器を提供す
ることができる。
According to the invention of claim 7, according to claim 1,
In addition to the effect of any one of the above items 6 to 6, (1) When machining the concave portion on the upper conductor plate and the lower conductor plate using a metal working machine such as a milling machine, the depth to be shaved is not changed. As a result, the production efficiency of the upper and lower conductor plates can be increased. That is, it is possible to provide a Gunn Oscillator with excellent productivity that can efficiently produce a Gunn Oscillator with less leakage of oscillation output to the rear of the Gunn diode mount.

【0089】請求項8に記載の発明によれば、請求項2
乃至7の内いずれか1項の効果に加え、 (1)上側導体板と下側導体板に、フライス盤などの金
属加工機を用いて溝の加工する際に、溝の深さを変更す
る工程が不要となり、上側導体板と下側導体板の生産効
率を上げることができ、ガンダイオードマウント後方へ
の発振出力の漏洩が少ないガン発振器を効率よく生産で
きる生産性に優れたガン発振器を提供することができ
る。
According to the invention of claim 8, according to claim 2,
7) In addition to the effects of any one of 7 to 7, (1) a step of changing the depth of the groove when processing the groove on the upper conductor plate and the lower conductor plate using a metal processing machine such as a milling machine. The present invention provides a highly productive gun oscillator that can efficiently produce a gun oscillator that can reduce the leakage of oscillation output to the rear of the gun diode mount by increasing the production efficiency of the upper conductor plate and the lower conductor plate. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)実施の形態1におけるガン発振器の全体
構造の斜視図 (b)実施の形態1におけるガン発振器のガンダイオー
ド部分の要部断面図 (c)図1(b)の等価回路を示す説明図
1A is a perspective view of the entire structure of a gun oscillator according to a first embodiment. FIG. 1B is a sectional view of a main part of a gun diode portion of the gun oscillator according to the first embodiment. FIG. 1C is an equivalent circuit of FIG. Explanatory diagram showing

【図2】(a)凹部の深さに対する漏洩電力のシミュレ
ーション結果を示すグラフ (b)シミュレーションモデルの寸法を示す説明図 (c)シミュレーションモデルの境界条件を示す説明図
2A is a graph showing a simulation result of leakage power with respect to a depth of a concave portion. FIG. 2B is an explanatory diagram showing dimensions of a simulation model. FIG. 2C is an explanatory diagram showing boundary conditions of the simulation model.

【図3】(a)実施の形態2におけるガン発振器の全体
構造の斜視図 (b)実施の形態2におけるガン発振器のガンダイオー
ド部分の要部断面図 (c)図3(b)の等価回路を示す説明図
3A is a perspective view of the entire structure of a gun oscillator according to a second embodiment. FIG. 3B is a cross-sectional view of a main part of a gun diode portion of the gun oscillator according to the second embodiment. FIG. 3C is an equivalent circuit of FIG. Explanatory diagram showing

【図4】(a)実施の形態3におけるガン発振器の全体
構造の斜視図 (b)実施の形態3におけるガン発振器のガンダイオー
ド部分の要部断面図 (c)図4(b)の等価回路を示す説明図
4A is a perspective view of the entire structure of a gun oscillator according to a third embodiment. FIG. 4B is a sectional view of a main part of a gun diode portion of the gun oscillator according to the third embodiment. FIG. 4C is an equivalent circuit of FIG. Explanatory diagram showing

【図5】(a)実施の形態4におけるガン発振器の全体
構造の斜視図 (b)実施の形態4におけるガン発振器のガンダイオー
ド部分の要部断面図
5A is a perspective view of the entire structure of a gun oscillator according to a fourth embodiment. FIG. 5B is a cross-sectional view of a main part of a gun diode portion of the gun oscillator according to the fourth embodiment.

【図6】(a)従来のガン発振器の全体構造を示す斜視
図 (b)従来のガン発振器のガンダイオード部分の要部断
面図
FIG. 6A is a perspective view showing the entire structure of a conventional gun oscillator. FIG. 6B is a sectional view of a main part of a gun diode portion of the conventional gun oscillator.

【図7】(a)従来の高周波信号発生器の全体構造を示
す図 (b)従来の高周波信号発生器のガンダイオード部分の
要部断面図
7A is a diagram showing the entire structure of a conventional high-frequency signal generator. FIG. 7B is a cross-sectional view of a main part of a Gunn diode portion of the conventional high-frequency signal generator.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、1a、1b、1c、1d ガン発振器 2 ガンダイオードマウント 2a ガンダイオード 3a、3b 凹部 4a、4b、4c、4d 凸部 5 カソード端子 6 バイアス線路 7 アノード端子 8 ストリップ線路 9 誘電体ストリップ 10 モードサプレッサ 11 上側導体板 11a 下側導体板 12、12a 端子 20 高周波信号発生器 21 ガンダイオードマウント 22 ガンダイオード 23 カソード端子 24 バイアス線路 25 ガンダイオード22のアノード端子 26 ストリップ線路 27 誘電体ストリップ 28 モードサプレッサ 29 上側導体板 29a 下側導体板 30、30a 端子 31 接触部端点 32、33 溝 34a、43a、51a 上面側凹部 34b、43b、51b 下面側凹部 35a、35b、42a、42b、50a、50b 上
面側凸部 35c、35d、42c、42d、50c、50d 下
面側凸部 40a、44a 上側凹部 40b、44b 下側凹部 41a、41b 上側凸部 41c、41d 下側凸部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1a, 1b, 1c, 1d Gunn oscillator 2 Gunn diode mount 2a Gunn diode 3a, 3b Concave part 4a, 4b, 4c, 4d Convex part 5 Cathode terminal 6 Bias line 7 Anode terminal 8 Strip line 9 Dielectric strip 10 Mode suppressor DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Upper conductor plate 11a Lower conductor plate 12, 12a Terminal 20 High frequency signal generator 21 Gun diode mount 22 Gun diode 23 Cathode terminal 24 Bias line 25 Anode terminal of Gun diode 22 26 Strip line 27 Dielectric strip 28 Mode suppressor 29 Upper Conductor plate 29a Lower conductor plate 30, 30a Terminal 31 Contact portion end point 32, 33 Groove 34a, 43a, 51a Upper surface side recess 34b, 43b, 51b Lower surface side recess 35a, 35b, 42a, 42b, 50a, 0b upper surface protrusion 35c, 35d, 42c, 42d, 50c, 50d lower surface-side protrusion 40a, 44a upper recess 40b, 44b lower recesses 41a, 41b upper protrusion 41c, 41d lower protrusion

フロントページの続き (72)発明者 玉江 隆浩 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 福田 達朗 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 黒木 太司 広島県呉市坪之内町6−8 Fターム(参考) 5J011 BA04 5J014 HA06 Continuing on the front page (72) Inventor Takahiro Tamae 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Person Fuji Kuroki 6-8 Tsunouchi-cho, Kure-shi, Hiroshima F-term (reference) 5J011 BA04 5J014 HA06

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】平行に隔てられた導体板間に誘電体ストリ
ップを保持する非放射性誘電体線路(以下NRDガイド
とよぶ)を出力線路に用い、発振素子にガンダイオード
を用いたガン発振器であって、 前記ガンダイオードを側面に保持するガンダイオードマ
ウントと前記導体板の接触面に前記ガンダイオードマウ
ントと前記導体板の接触部分の前記ガンダイオード軸方
向の長さが発振周波数の自由空間における4分の1波長
の奇数倍となる少なくとも2つ以上の凸部と、 前記凸部に挟まれ前記ガンダイオード軸方向の長さが前
記発振周波数の自由空間における4分の1波長の奇数倍
のとなる凹部と、を備えたことを特徴とするガン発振
器。
1. A gun oscillator using a non-radiative dielectric line (hereinafter, referred to as an NRD guide) for holding a dielectric strip between conductor plates separated in parallel as an output line and using a Gunn diode as an oscillation element. The length of the contact portion between the gun diode mount and the conductor plate in the gun diode axial direction at the contact surface between the gun diode mount holding the side surface of the gun diode and the conductor plate is four minutes in the free space of the oscillation frequency. At least two or more convex portions that are odd multiples of one wavelength, and the length of the Gunn diode in the axial direction sandwiched between the convex portions is an odd multiple of a quarter wavelength in the free space of the oscillation frequency. A gun oscillator comprising: a concave portion.
【請求項2】前記導体板が、各々前記ガンダイオードマ
ウントが嵌合する溝を備えたことを特徴とする請求項1
に記載のガン発振器。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein each of said conductor plates has a groove into which said gun diode mount is fitted.
A gun oscillator according to claim 1.
【請求項3】前記凸部及び前記凹部が、前記ガンダイオ
ードマウントの前記導体板との接触面に形成されたこと
を特徴とする請求項1又は2に記載のガン発振器。
3. The Gunn oscillator according to claim 1, wherein the convex portion and the concave portion are formed on a contact surface of the Gunn diode mount with the conductor plate.
【請求項4】前記凸部及び前記凹部が、前記導体板の前
記ガンダイオードマウントとの接触面に形成されたこと
を特徴とする請求項1乃至3の内いずれか1項に記載の
ガン発振器。
4. The gun oscillator according to claim 1, wherein said convex portion and said concave portion are formed on a contact surface of said conductor plate with said Gunn diode mount. .
【請求項5】前記凹部の深さが、0.5mm以上に形成
されたことを特徴とする請求項1乃至4の内いずれか1
項に記載のガン発振器。
5. The method according to claim 1, wherein the depth of the recess is 0.5 mm or more.
The gun oscillator according to the paragraph.
【請求項6】前記導体板が、前記ガンダイオードマウン
ト上面が接触する上側導体板と前記ガンダイオードマウ
ント下面が接触する下側導体板からなり、前記凸部及び
前記凹部が、前記ガンダイオードマウントの前記上側導
体板及び前記下側導体板との接触面、及び、前記上側導
体板及び前記下側導体板の前記ガンダイオードマウント
との接触面に形成され、前記ガンダイオードマウント上
面に形成された凹部と前記上側導体板に形成された凹部
の前記ガンダイオードの軸方向の長さと位置が等しく、
前記ガンダイオードマウント下面に形成された凹部と、
前記下側導体板に形成された凹部の前記ガンダイオード
の軸方向の長さと位置が等しく、前記上側導体板に形成
された凹部の深さと前記ガンダイオードマウント上面に
形成された凹部の深さを合わせた長さ及び前記下側導体
板に形成された凹部の深さと前記ガンダイオードマウン
ト下面に形成された凹部の深さを合わせた長さが0.5
mm以上であることを特徴とする請求項1乃至4の内い
ずれか1項に記載のガン発振器。
6. The gun diode mount according to claim 6, wherein said conductor plate comprises an upper conductor plate in contact with said gun diode mount upper surface and a lower conductor plate in contact with said gun diode mount lower surface. A concave surface formed on a contact surface between the upper conductor plate and the lower conductor plate, and a contact surface between the upper conductor plate and the lower conductor plate with the gun diode mount, and formed on an upper surface of the gun diode mount; And the axial length and position of the gun diode of the recess formed in the upper conductor plate are equal,
A concave portion formed on the lower surface of the gun diode mount,
The axial length and position of the concave portion formed in the lower conductor plate are equal to the axial length of the gun diode, and the depth of the concave portion formed in the upper conductive plate and the depth of the concave portion formed on the upper surface of the gun diode mount are determined. The sum of the combined length and the depth of the recess formed in the lower conductor plate and the depth of the recess formed on the lower surface of the Gunn diode mount is 0.5.
The gun oscillator according to any one of claims 1 to 4, wherein the diameter is equal to or larger than mm.
【請求項7】前記上側導体板に形成された凹部の深さ
と、前記下側導体板に形成された凹部の深さが等しいこ
とを特徴とする請求項1乃至6の内いずれか1項に記載
のガン発振器。
7. The method according to claim 1, wherein the depth of the recess formed in the upper conductor plate is equal to the depth of the recess formed in the lower conductor plate. The described gun oscillator.
【請求項8】前記上側導体板に形成された溝の深さと、
前記下側導体板に形成された溝の深さが等しいことを特
徴とする請求項2乃至7の内いずれか1項に記載のガン
発振器。
8. A depth of a groove formed in the upper conductor plate;
The gun oscillator according to any one of claims 2 to 7, wherein grooves formed in the lower conductor plate have the same depth.
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