JP2002324834A - Electrostatic chuck device, laminated sheet for electrostatic chuck, and adhesive for electrostatic chuck - Google Patents

Electrostatic chuck device, laminated sheet for electrostatic chuck, and adhesive for electrostatic chuck

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JP2002324834A
JP2002324834A JP2002101606A JP2002101606A JP2002324834A JP 2002324834 A JP2002324834 A JP 2002324834A JP 2002101606 A JP2002101606 A JP 2002101606A JP 2002101606 A JP2002101606 A JP 2002101606A JP 2002324834 A JP2002324834 A JP 2002324834A
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JP
Japan
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adhesive layer
electrostatic chuck
adhesive
insulating plate
thickness
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Application number
JP2002101606A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaharu Kobayashi
正治 小林
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Tomoegawa Co Ltd
Original Assignee
Tomoegawa Paper Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrostatic chuck device and a laminated sheet for an electrostatic chuck capable of preventing the flatness deterioration of a wafer suction face and peeling of an adhesive layer from a ceramic substrate over a long time and superior in the heat dissipation of a wafer. SOLUTION: The electrostatic chuck device is provided with a metal base 10, a first adhesive layer 14 provided on the metal base 10 and a ceramic insulation board 16 provided on the first adhesive layer 14. The adhesive layers 14, 18 are one kind or two kinds selected from a butadiene-acrylnitril copolymer, olefin-based copolymer and polyphenyl ether copolymer and contain a hindered phenol-based anti-oxidizing agent.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ等の導電体
または半導体を静電気力で吸着固定するための静電チャ
ック装置および静電チャック用積層シートに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrostatic chuck device for electrostatically attracting and fixing a conductor or a semiconductor such as a wafer, and a laminated sheet for the electrostatic chuck.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハを加工する工程において
は、半導体ウエハを加工機の所定部位に固定するために
チャック装置が使用される。チャック装置としては、機
械式、真空式、および静電式の装置が存在するが、静電
チャック装置は、平坦でないウエハであっても吸着で
き、取り扱いが簡単で、真空中でも使用できる利点を有
している。
2. Description of the Related Art In a process of processing a semiconductor wafer, a chuck device is used to fix the semiconductor wafer to a predetermined portion of a processing machine. There are mechanical, vacuum, and electrostatic chuck devices, but the electrostatic chuck device has an advantage that it can suck a non-flat wafer, is easy to handle, and can be used even in a vacuum. are doing.

【0003】従来の静電チャック装置の一例が、特公平
5−87177号に開示されている。この装置は、図6
に示すように、金属基盤1上に、接着剤層2a、絶縁性
フィルム4b、接着剤層2b、金属薄板からなる電極層
3b、接着剤層2c、絶縁性フィルム4aを順に積層し
たものであり、絶縁性フィルム4a上にウエハ5が吸着
される。金属基盤1内には、恒温水等を通して温度調節
するための温度調節用空間6が形成されている。
An example of a conventional electrostatic chuck device is disclosed in Japanese Patent Publication No. 5-87177. This device is shown in FIG.
As shown in FIG. 1, an adhesive layer 2a, an insulating film 4b, an adhesive layer 2b, an electrode layer 3b made of a thin metal plate, an adhesive layer 2c, and an insulating film 4a are sequentially laminated on a metal substrate 1. Then, the wafer 5 is adsorbed on the insulating film 4a. A temperature control space 6 for controlling the temperature through constant temperature water or the like is formed in the metal base 1.

【0004】また、図7は特開平8−148549号公
報に開示された静電チャック装置を示す。この装置で
は、金属基盤1の上に比較的厚い絶縁性接着剤層2が形
成され、その上に金属の蒸着膜またはメッキ膜からなる
電極層3aが形成され、その上に絶縁性フィルム4が接
着されて、これに半導体ウエハ5が吸着されるようにな
っている。
FIG. 7 shows an electrostatic chuck device disclosed in JP-A-8-148549. In this apparatus, a relatively thick insulating adhesive layer 2 is formed on a metal substrate 1, an electrode layer 3a made of a metal deposition film or a plating film is formed thereon, and an insulating film 4 is formed thereon. The semiconductor wafer 5 is adhered to the semiconductor wafer 5 by suction.

【0005】ところで、これらの装置では、金属基盤1
と電極3a,3bとの間の絶縁性を確保するため、金属
基盤1と電極3a,3bとの間に設けられる絶縁層、す
なわち、図6の例では接着剤層2a、絶縁性フィルム4
b、接着剤層2bの合計、また図7の例では接着剤層2
を十分に厚く形成しなければならない。しかもこれらは
全て樹脂材料であるから熱伝導率が低く、結果として、
ウエハ5から金属基板1への伝熱性が悪いという問題が
あった。伝熱性が悪いと、処理中のウエハが異常に昇温
するなどの原因となり得る。
By the way, in these devices, the metal base 1
In order to ensure insulation between the electrodes 3a and 3b, the insulating layer provided between the metal substrate 1 and the electrodes 3a and 3b, that is, the adhesive layer 2a and the insulating film 4 in the example of FIG.
b, the total of the adhesive layer 2b, and in the example of FIG.
Must be formed sufficiently thick. Moreover, since these are all resin materials, their thermal conductivity is low, and as a result,
There is a problem that heat transfer from the wafer 5 to the metal substrate 1 is poor. Poor heat transfer can cause abnormal temperature rise of the wafer being processed.

【0006】そこで最近では、金属基盤と電極との間
に、絶縁性に優れ、しかも樹脂より熱伝導性が良好なセ
ラミック絶縁板を配置することにより、金属基盤と電極
との間の絶縁性を高く確保しつつ、ウエハから金属基盤
への伝熱性を向上することが提案されている。
Therefore, recently, a ceramic insulating plate having excellent insulation properties and better thermal conductivity than resin is disposed between the metal base and the electrode, thereby improving the insulation between the metal base and the electrode. It has been proposed to improve the heat transfer from the wafer to the metal substrate while maintaining a high level.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
なセラミック絶縁板は通常薄い物であり、その下面は接
着剤を介して金属基盤に接着される上、セラミック絶縁
板の上面にも、接着剤を介して絶縁性シートが貼付され
る。これらのような接着剤として、従来はエポキシ系等
の接着剤が使用されていたが、全ての接着剤は多かれ少
なかれ硬化の過程で体積変化を生じるため、セラミック
絶縁板の特に外周部で接着剤層がセラミック絶縁板から
剥離し、剥離部分での熱伝導性を悪化させてウエハ外周
部の冷却が困難になったり、接着剤層の体積変化により
セラミック絶縁板に応力がかかり、セラミック絶縁板が
歪んでウエハ吸着面の平面度が悪化し、ウエハ吸着力が
低下したり、ウエハ吸着面とウエハとの間に僅かに供給
される冷却用ヘリウムガスの漏れが激しくなるなどの様
々な問題があった。また、セラミック絶縁板の上面に形
成された接着剤層も、硬化の過程で体積変化を生じれ
ば、前記同様に剥離を生じたり、セラミック絶縁板を歪
ませたり、ウエハ吸着面の平面度を悪化させる原因とな
り、同様の悪影響を及ぼす。
Incidentally, the above-mentioned ceramic insulating plate is usually thin, and its lower surface is bonded to a metal substrate via an adhesive, and is also bonded to the upper surface of the ceramic insulating plate. An insulating sheet is attached via an agent. Conventionally, epoxy-based adhesives and the like have been used as such adhesives.However, since all adhesives more or less cause a volume change during the curing process, adhesives are particularly used at the outer peripheral portion of the ceramic insulating plate. The layer peels off from the ceramic insulating plate, deteriorating the thermal conductivity at the peeled part, making it difficult to cool the outer peripheral portion of the wafer, or applying stress to the ceramic insulating plate due to the volume change of the adhesive layer, There are various problems, such as distortion, the flatness of the wafer suction surface is deteriorated, the wafer suction force is reduced, and the leakage of the cooling helium gas supplied slightly between the wafer suction surface and the wafer becomes severe. Was. Also, if the adhesive layer formed on the upper surface of the ceramic insulating plate also undergoes a volume change in the course of curing, peeling occurs as described above, the ceramic insulating plate is distorted, and the flatness of the wafer suction surface is reduced. It causes the same to have an adverse effect.

【0008】そこで、本発明者らは、セラミック絶縁板
の上面または下面に設けられる接着剤層にゴム成分を添
加することにより、接着剤層に適度の弾性を付与し、接
着剤層に体積変化が生じた場合にもこの弾性によって応
力を緩和し、セラミック絶縁板やウエハ吸着面の歪みを
防ぐことを発案した。
Accordingly, the present inventors have proposed that by adding a rubber component to the adhesive layer provided on the upper surface or the lower surface of the ceramic insulating plate, the adhesive layer is given an appropriate elasticity and the adhesive layer has a volume change. It was also proposed that the elasticity relieves the stress even in the case of occurrence, and prevents distortion of the ceramic insulating plate and the wafer suction surface.

【0009】しかし、このようなゴム成分を含有する接
着剤層では、プラズマ等によるウエハ処理を繰り返すう
ちにゴム成分が酸化により劣化し、徐々に弾性を失って
応力緩和効果が低下し、緩和されていた応力がセラミッ
ク絶縁板の歪みやウエハ吸着面の平面度低下をもたら
し、前述したような様々な問題が再び顕在化してくると
いう問題を有していた。
However, in such an adhesive layer containing a rubber component, the rubber component is degraded by oxidation during repeated wafer processing by plasma or the like, gradually loses elasticity, and the stress relaxation effect is reduced, and the rubber component is relaxed. The resulting stress causes distortion of the ceramic insulating plate and lowering of the flatness of the wafer suction surface, so that various problems as described above become apparent again.

【0010】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、ウエハ吸着面の平面度悪化や、セラミックス基板か
らの接着剤層の剥離を長期に亘って防ぐことができ、し
かも、ウエハの放熱性が良好な静電チャック装置および
静電チャック用積層シートを提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and can prevent the flatness of the wafer suction surface and the peeling of the adhesive layer from the ceramic substrate for a long period of time. To provide a good electrostatic chuck device and a laminated sheet for an electrostatic chuck.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る静電チャック装置は、金属基盤と、こ
の金属基盤上に設けられた接着剤層と、この接着剤層上
に設けられたセラミック製のセラミック絶縁板とを有
し、前記接着剤層は、ゴム成分およびフェノール系抗酸
化剤とを含有し、前記ゴム成分は、ブタジエン−アクリ
ロニトリル共重合体、オレフィン系共重合体、およびポ
リフェニルエーテル共重合体から選択される1種または
2種以上であることを特徴とする。前記フェノール系抗
酸化剤の好ましい例としては、ヒンダードフェノール系
抗酸化剤が例示でき、中でも、その一分子中に、t−ブ
チル基が2基以上結合しているフェノール基を3基以上
有し、分子量は700以上である物質がより好適であ
る。さらに、ヒンダードフェノール系抗酸化剤は、20
0℃に加熱した際の熱重量減少率が5%以下であり、前
記各接着剤層の反り率は0.03%以下であることが好
ましい。なお、ヒンダードとは立体障害を有することを
意味する。
In order to achieve the above object, an electrostatic chuck device according to the present invention comprises a metal base, an adhesive layer provided on the metal base, and an adhesive layer provided on the adhesive layer. And a ceramic insulating plate made of ceramic, wherein the adhesive layer contains a rubber component and a phenolic antioxidant, and the rubber component is a butadiene-acrylonitrile copolymer, an olefin-based copolymer, And one or more selected from polyphenyl ether copolymers. Preferred examples of the phenolic antioxidant include a hindered phenolic antioxidant. Among them, one molecule has three or more phenol groups in which two or more t-butyl groups are bonded. However, a substance having a molecular weight of 700 or more is more preferable. In addition, hindered phenolic antioxidants contain 20
It is preferable that the thermogravimetric loss rate when heated to 0 ° C. is 5% or less, and the warp rate of each adhesive layer is 0.03% or less. Note that hindered means having steric hindrance.

【0012】一方、本発明に係る静電チャック用積層シ
ートは、絶縁性フィルムと、この絶縁性フィルムの少な
くとも一面に設けられた接着剤層とを有し、前記接着剤
層は、ゴム成分およびフェノール系抗酸化剤とを含有
し、前記ゴム成分は、ブタジエン−アクリロニトリル共
重合体、オレフィン系共重合体、およびポリフェニルエ
ーテル共重合体から選択される1種または2種以上であ
ることを特徴とする。前記絶縁性フィルムには電極が固
定されていてもよい。
On the other hand, the laminated sheet for an electrostatic chuck according to the present invention has an insulating film and an adhesive layer provided on at least one surface of the insulating film. A phenolic antioxidant, wherein the rubber component is one or more selected from a butadiene-acrylonitrile copolymer, an olefinic copolymer, and a polyphenylether copolymer. And An electrode may be fixed to the insulating film.

【0013】また、本発明に係る静電チャックシート用
接着剤は、ゴム成分およびフェノール系抗酸化剤とを含
有し、前記ゴム成分は、ブタジエン−アクリロニトリル
共重合体、オレフィン系共重合体、およびポリフェニル
エーテル共重合体から選択される1種または2種以上で
あり、前記フェノール系抗酸化剤は、その一分子中に、
t−ブチル基が2基以上結合しているフェノール基を3
基以上有し、分子量は700以上である物質であること
を特徴とする。
Further, the adhesive for an electrostatic chuck sheet according to the present invention contains a rubber component and a phenolic antioxidant, and the rubber component includes a butadiene-acrylonitrile copolymer, an olefin copolymer, and One or more kinds selected from polyphenyl ether copolymers, wherein the phenolic antioxidant has
A phenol group having two or more t-butyl groups bound to 3
It is a substance having at least a group and a molecular weight of at least 700.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
について詳細に説明する。図1は本発明に係る静電チャ
ック装置の一実施形態を示している。この静電チャック
装置は、円盤形をなす金属基盤10、絶縁性および応力
緩和性に優れた第1接着剤層14、円板状をなすセラミ
ック絶縁板16、第2接着剤層18、および絶縁性フィ
ルム22が順に形成されたものであり、第2接着剤層1
8と絶縁性フィルム22との間に、一定のパターンをな
す電極層20が形成されている。また、金属基盤10の
内部には、熱媒流路12が形成されており、ウエハ温度
を調整するための熱媒が通されるようになっている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. FIG. 1 shows an embodiment of the electrostatic chuck device according to the present invention. This electrostatic chuck device includes a metal base 10 having a disc shape, a first adhesive layer 14 having excellent insulating properties and stress relaxation properties, a ceramic insulating plate 16 having a disc shape, a second adhesive layer 18, and an insulating layer. Film 22 is formed in order, and the second adhesive layer 1
The electrode layer 20 having a certain pattern is formed between the insulating layer 8 and the insulating film 22. Further, a heat medium flow path 12 is formed inside the metal base 10 so that a heat medium for adjusting the wafer temperature is passed therethrough.

【0015】電極層20は、絶縁性フィルム22の下面
に蒸着またはメッキされた金属蒸着膜または金属メッキ
膜である。電極層20は、第2接着剤層18、セラミッ
ク絶縁板16、および第1接着剤層14を貫通した通電
手段(図示略)を通じて電圧発生装置に接続され、電極
層20へ電圧を印可すると、絶縁性フィルム22の吸着
面に分極電荷が発生し、半導体ウエハWが吸着されるよ
うになっている。なお、静電チャック装置が吸着する対
象は、ウエハに限定されるものではなく、導電体または
半導体であればいずれも吸着できる。
The electrode layer 20 is a metal deposition film or a metal plating film deposited or plated on the lower surface of the insulating film 22. The electrode layer 20 is connected to a voltage generator through a current supply unit (not shown) penetrating the second adhesive layer 18, the ceramic insulating plate 16, and the first adhesive layer 14, and when a voltage is applied to the electrode layer 20, Polarized charges are generated on the attracting surface of the insulating film 22, and the semiconductor wafer W is attracted. The object to be attracted by the electrostatic chuck device is not limited to a wafer, and any object can be attracted as long as it is a conductor or a semiconductor.

【0016】絶縁性フィルム22、電極層20、および
第2接着剤層18は、絶縁性フィルム22が損耗した場
合に、セラミック絶縁板16から剥がして交換される積
層シート17を構成している。
The insulating film 22, the electrode layer 20, and the second adhesive layer 18 constitute a laminated sheet 17 that is removed from the ceramic insulating plate 16 and replaced when the insulating film 22 is worn.

【0017】図3および図4は、この実施形態をより具
体的に示している。これらの図に示すように、静電チャ
ック装置には各要素10〜22を垂直に貫通して、3つ
の貫通孔24が形成されており、これら貫通孔24内に
は昇降ロッド(図示略)が配置され、これら昇降ロッド
がウエハ吸着面から上方へ突出することにより、ウエハ
Wが昇降されるようになっている。また、要素10〜1
8の中心部を垂直に貫通して中心孔25が形成され、こ
の中心孔25内でリード線などの給電部材27が、ハン
ダ付け等の接続部26を介して電極層20に接続され、
中心孔25内が樹脂等の絶縁体28により封止されてい
る。給電部材27を介して外部から電極層20へ電圧が
供給される。なお、図3に示す電極層20の平面形状は
一例であり、他にもさまざまな変形が可能である。
FIGS. 3 and 4 show this embodiment more specifically. As shown in these figures, three through-holes 24 are formed in the electrostatic chuck device so as to vertically penetrate the respective elements 10 to 22, and a lifting rod (not shown) is formed in these through-holes 24. The wafer W is raised and lowered by projecting the lifting rods upward from the wafer suction surface. Elements 10-1
8, a power supply member 27 such as a lead wire is connected to the electrode layer 20 via a connection portion 26 such as soldering.
The inside of the center hole 25 is sealed with an insulator 28 such as a resin. A voltage is externally supplied to the electrode layer 20 via the power supply member 27. The planar shape of the electrode layer 20 shown in FIG. 3 is an example, and various other modifications are possible.

【0018】電極層20の材質としては、銅、アルミニ
ウム、錫、ニッケル、クロム、銀、パラジウム、および
それらの合金などのように、蒸着やメッキ等による薄膜
形成が容易に行え、かつウエットエッチング等によるパ
ターン形成がしやすい材料であれば如何なる金属でもよ
い。
As a material of the electrode layer 20, thin films such as copper, aluminum, tin, nickel, chromium, silver, palladium and alloys thereof can be easily formed by vapor deposition or plating, and wet etching can be performed. Any metal can be used as long as it is easy to form a pattern by the method.

【0019】電極層20の厚さは限定はされないが、3
00オングストローム〜10μmであることが好まし
い。300オングストローム未満の膜厚であると均一な
膜が形成しにくいうえ、アルミニウム等の反応性の高い
材料の場合は、酸化しやすいため安定した導電性を保持
するのが難しい。また、10μmを越えると蒸着やメッ
キ法では形成コストがかかる。製造のしやすさを考慮す
ると、電極層20の厚さは500オングストローム〜5
μmであることがより好ましい。
The thickness of the electrode layer 20 is not limited.
It is preferably from 100 Å to 10 μm. If the thickness is less than 300 angstroms, it is difficult to form a uniform film, and if a highly reactive material such as aluminum is easily oxidized, it is difficult to maintain stable conductivity. On the other hand, when the thickness exceeds 10 μm, the formation cost is increased by the vapor deposition or plating method. In consideration of ease of manufacture, the thickness of the electrode layer 20 is 500 Å to 5 Å.
More preferably, it is μm.

【0020】絶縁性フィルム22は、誘電率ε、誘電損
失係数tanδ、耐電圧等の電気特性等を考慮したうえ
で、150℃以上の耐熱温度を有する絶縁性フィルムが
好ましい。150℃以上の耐熱性を有する絶縁性フィル
ムとしては、例えば、フッ素樹脂(フロロエチレン−プ
ロピレン共重合体等)、ポリエーテルサルフォン、ポリ
エーテルケトン、セルローストリアセテート、シリコー
ンゴム、ポリイミド等があげられ、その中でも特に、ポ
リイミドが好ましい。ポリイミドフィルムとしては、例
えば、「カプトン」(東レ・デュポン社製)、「アピカ
ル」(鐘淵化学工業社製)、「ユーピレックス」(宇部
興産社製)等の商品名で販売されているフィルムが例示
できる。
The insulating film 22 is preferably an insulating film having a heat-resistant temperature of 150 ° C. or more in consideration of electric characteristics such as a dielectric constant ε, a dielectric loss coefficient tan δ, and a withstand voltage. Examples of the insulating film having a heat resistance of 150 ° C. or higher include, for example, a fluororesin (fluoroethylene-propylene copolymer or the like), polyether sulfone, polyether ketone, cellulose triacetate, silicone rubber, polyimide, and the like. Among them, polyimide is particularly preferable. Examples of the polyimide film include films sold under the trade names such as “Kapton” (manufactured by Dupont Toray), “Apical” (manufactured by Kanebuchi Chemical Industries), and “UPILEX” (manufactured by Ube Industries). Can be illustrated.

【0021】絶縁性フィルム22の厚さは限定されない
が、20〜75μmの範囲が好ましい。熱伝導性、吸着
力の観点からは薄い方が好ましいが、機械的強度、耐電
圧および耐久性(耐疲労性)を考慮すると、40〜60
μmの範囲が特に好ましい。
The thickness of the insulating film 22 is not limited, but is preferably in the range of 20 to 75 μm. From the viewpoints of thermal conductivity and adsorptive power, a thinner one is preferable, but in consideration of mechanical strength, withstand voltage and durability (fatigue resistance), 40 to 60 is preferred.
The range of μm is particularly preferred.

【0022】セラミック絶縁板16は、絶縁性および熱
伝導性に優れ、溶剤に対する耐性があることが必要で、
具体的にはアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭
化珪素、ジルコニア、ガラス等が好ましく、表面が平滑
なものが使用される。セラミック絶縁板16の厚さは限
定はされないが、被吸着面の熱を逃がしつつ十分な耐久
性を確保する観点から、0.3〜8mmの範囲が好まし
く、さらに好ましくは0.5〜4mm、最適には0.5
〜2mmである。
The ceramic insulating plate 16 needs to have excellent insulating properties and thermal conductivity and have resistance to solvents.
Specifically, alumina, aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide, zirconia, glass and the like are preferable, and those having a smooth surface are used. The thickness of the ceramic insulating plate 16 is not limited, but is preferably in the range of 0.3 to 8 mm, more preferably 0.5 to 4 mm, from the viewpoint of securing sufficient durability while releasing heat from the surface to be attracted. Optimally 0.5
22 mm.

【0023】金属基盤10、第1接着剤層14、セラミ
ック絶縁板16、第2接着剤層18、絶縁性フィルム2
2には、ウエハ吸着面に開口する複数のガス通路(図示
略)が形成されていてもよい。これらガス通路を通し
て、少量の不活性ガス、特に伝熱性に優れたヘリウムガ
スを噴出させることにより、半導体ウエハWの冷却を促
進することができる。
Metal substrate 10, first adhesive layer 14, ceramic insulating plate 16, second adhesive layer 18, insulating film 2
2, a plurality of gas passages (not shown) that are open to the wafer suction surface may be formed. By jetting a small amount of an inert gas, particularly a helium gas having excellent heat conductivity, through these gas passages, the cooling of the semiconductor wafer W can be promoted.

【0024】第1接着剤層14および第2接着剤層18
を形成するための接着剤としては、絶縁性フィルム2
2、電極層20、セラミック絶縁板16および金属基盤
10の4者に対する接着力、電気特性、および耐熱性に
優れていることが必要であり、特に第1接着剤層14に
は、応力緩和能力の高い、ヤング率の低い弾性に富む接
着剤が好ましい。このような弾性に富む接着剤として
は、ゴム系成分とフェノール系抗酸化剤を含むものが好
ましい。ゴム系成分として特に好ましいものは、ブタジ
エン−アクリロニトリル共重合体、オレフィン系共重合
体、およびポリフェニルエーテル共重合体から選択され
る1種または2種以上の混合物であり、特にブタジエン
−アクリロニトリル共重合体が好適である。ブタジエン
−アクリロニトリル共重合体は弾性が適当であり、セラ
ミック絶縁板16に加わる応力を緩和する作用に優れて
いるからである。
First adhesive layer 14 and second adhesive layer 18
As an adhesive for forming the insulating film 2
2. It is necessary that the electrode layer 20, the ceramic insulating plate 16 and the metal substrate 10 have excellent adhesive strength, electrical characteristics, and heat resistance to the four members. In particular, the first adhesive layer 14 has a stress relaxation ability. An adhesive having a high elasticity and a low Young's modulus is preferable. As such an adhesive having high elasticity, an adhesive containing a rubber component and a phenolic antioxidant is preferable. Particularly preferable as the rubber component is one or a mixture of two or more selected from butadiene-acrylonitrile copolymer, olefin copolymer, and polyphenyl ether copolymer, and particularly, butadiene-acrylonitrile copolymer. Coalescing is preferred. This is because the butadiene-acrylonitrile copolymer has appropriate elasticity and is excellent in the action of alleviating the stress applied to the ceramic insulating plate 16.

【0025】フェノール系抗酸化剤は、例えば接着層が
高温に曝されたときにゴム成分が発生するラジカルを吸
収して、ゴム成分が劣化することを防止する作用を果た
し、これにより第1接着剤層14および第2接着剤層1
8の弾性劣化を防止する。このようなフェノール系抗酸
化剤としては、特にヒンダードフェノール系抗酸化剤が
好ましく、特に、t−ブチル基が2基以上結合している
フェノール基を3基以上有し、分子量は700以上、よ
り好ましくは750〜1500である化合物が好適であ
る。この条件を満たす場合には、静電チャック装置が高
温に曝された場合にも、酸化防止効果が劣化しにくく、
ひいてはゴム成分の応力緩和効果を長く持続させること
ができるからである。
The phenolic antioxidant functions, for example, to absorb radicals generated by the rubber component when the adhesive layer is exposed to a high temperature, thereby preventing the rubber component from deteriorating. Agent Layer 14 and Second Adhesive Layer 1
8 prevents elastic deterioration. As such a phenolic antioxidant, a hindered phenolic antioxidant is particularly preferable. In particular, the phenolic antioxidant has three or more phenol groups in which two or more t-butyl groups are bonded, and has a molecular weight of 700 or more. More preferably, a compound having a molecular weight of 750 to 1500 is suitable. When this condition is satisfied, even when the electrostatic chuck device is exposed to a high temperature, the antioxidant effect hardly deteriorates,
This is because the effect of relaxing the stress of the rubber component can be maintained for a long time.

【0026】特に好ましい接着剤は、ブタジエン−アク
リロニトリル共重合体を10〜90重量%(より好まし
くは50〜90重量%、最適には60〜80重量%)
と、2個以上のマレイミド基を含有する化合物を90〜
10重量%(より好ましくは50〜10重量%、最適に
は40〜20重量%)と、前記フェノール系抗酸化剤を
0.3〜20重量%(より好ましくは0.3〜10重量
%、最適には3〜7重量%)と、パーオキサイトなどの
反応促進剤5重量%以内(より好ましくは0.1〜2重
量%、最適には0.1〜1重量%)の割合で混合したも
のを、適当な有機溶媒に溶解したものである。これを塗
布して有機溶媒を蒸発させ、半硬化した接着剤層を得た
後、被接着面に貼り合わせて加熱処理することにより、
好ましい第1接着剤層14および/または第2接着剤層
18が形成できる。
A particularly preferred adhesive is 10-90% by weight (more preferably 50-90% by weight, optimally 60-80% by weight) of a butadiene-acrylonitrile copolymer.
And a compound containing two or more maleimide groups,
10% by weight (more preferably 50 to 10% by weight, optimally 40 to 20% by weight) and 0.3 to 20% by weight of the phenolic antioxidant (more preferably 0.3 to 10% by weight, (Optimally 3 to 7% by weight) and a reaction accelerator such as peroxide within 5% by weight (more preferably 0.1 to 2% by weight, and most preferably 0.1 to 1% by weight). Is dissolved in a suitable organic solvent. By applying this and evaporating the organic solvent to obtain a semi-cured adhesive layer, by bonding to the surface to be bonded and heating,
A preferred first adhesive layer 14 and / or second adhesive layer 18 can be formed.

【0027】前記ブタジエン−アクリロニトリル共重合
体としては、重量平均分子量1,000〜200,00
0およびカルボキシル基当量30〜10,000を有す
るカルボキシル基含有ブタジエン−アクリロニトリル共
重合体、重量平均分子量1,000〜200,000お
よびアクリル基当量500〜10,000を有するアク
リル基含有ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、重
量平均分子量1,000〜200,000およびエポキ
シ基当量500〜10,000を有するエポキシ基含有
ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、重量平均分子
量1,000〜200,000を有するブタジエン−ア
クリロニトリル共重合体、および重量平均分子量1,0
00〜200,000およびアミノ基当量500〜1
0,000を有するピペラジニルエチルアミノカルボニ
ル基含有ブタジエン−アクリロニトリル共重合体から選
択される1種または2種以上の混合物が好適である。前
記平均分子量は、より好ましくは3000〜80000
である。
The butadiene-acrylonitrile copolymer has a weight average molecular weight of 1,000 to 200,000.
Carboxyl group-containing butadiene-acrylonitrile copolymer having 0 and a carboxyl group equivalent of 30 to 10,000, and an acrylic group-containing butadiene-acrylonitrile copolymer having a weight average molecular weight of 1,000 to 200,000 and an acrylic group equivalent of 500 to 10,000. Polymer, epoxy group-containing butadiene-acrylonitrile copolymer having a weight average molecular weight of 1,000 to 200,000 and epoxy group equivalent of 500 to 10,000, butadiene-acrylonitrile copolymer having a weight average molecular weight of 1,000 to 200,000 Polymer and weight average molecular weight 1,0
00 to 200,000 and amino group equivalent 500 to 1
Preferred is one or a mixture of two or more selected from piperazinylethylaminocarbonyl group-containing butadiene-acrylonitrile copolymers having a 000. The average molecular weight is more preferably 3000 to 80000
It is.

【0028】フェノール系抗酸化剤は、接着剤層の体積
変化(主に収縮)によるセラミック絶縁板の反りを低減
するために、熱重量分析法により200℃に加熱した際
の熱重量減少率が5%以下であることが好ましい。熱重
量減少率は、抗酸化剤を常温から200℃まで10℃/
minで昇温して測定した値と定義する。
In order to reduce the warpage of the ceramic insulating plate due to the change in the volume (mainly shrinkage) of the adhesive layer, the phenolic antioxidant has a thermogravimetric analysis method of reducing the thermogravimetric loss when heated to 200 ° C. It is preferably at most 5%. The rate of thermal weight loss was 10 ° C. /
It is defined as a value measured by raising the temperature in min.

【0029】フェノール系抗酸化剤の具体例としては、
1,3,5−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒ
ドロキシベンジル)−s−トリアジン−2,4,6−
(1H,3H,5H)トリオン:分子量784、重量減
少率0%、1,1,3−トリス(2−メチル−4−ヒド
ロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン:分子量54
5、重量減少率2.8%、テトラキス[メチレン(3,
5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシハイドロシンナメ
ート)]メタン:分子量1178、重量減少率0.2
%、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス
(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)
ベンゼン:分子量775、前記重量減少率0%、等が例
示できる。これに対し、例えば2,6−ジ−t−ブチル
フェノールは分子量206.33、前記重量減少率86
%である。
Specific examples of the phenolic antioxidant include:
1,3,5-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) -s-triazine-2,4,6-
(1H, 3H, 5H) trione: molecular weight 784, weight loss rate 0%, 1,1,3-tris (2-methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenyl) butane: molecular weight 54
5, weight loss rate 2.8%, tetrakis [methylene (3,
5-di-t-butyl-4-hydroxyhydrocinnamate)] methane: molecular weight 1178, weight loss rate 0.2
%, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)
Benzene: a molecular weight of 775, a weight reduction rate of 0%, and the like can be exemplified. On the other hand, for example, 2,6-di-t-butylphenol has a molecular weight of 206.33 and a weight loss rate of 86.
%.

【0030】接着剤層14,18にはフィラーを添加し
てもよい。フィラーとしては、例えば、シリカ、石英
粉、アルミナ、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム、ダ
イヤモンド粉、マイカ、カオリナイト、フッ素樹脂粉、
シリコーン粉、ポリイミド粉、ジルコン粉等が使用され
る。これらフィラーは単独で使用してもよいし、2種以
上混合しても構わない。フィラーの含有量は、全固形分
の70重量%以内、好ましくは5〜40重量%の範囲と
される。含有量が70重量%よりも多くなると、加工時
の粘度低下が生じ、また硬化後の接着力および強度が低
下する。
A filler may be added to the adhesive layers 14 and 18. As the filler, for example, silica, quartz powder, alumina, calcium carbonate, magnesium oxide, diamond powder, mica, kaolinite, fluororesin powder,
Silicone powder, polyimide powder, zircon powder and the like are used. These fillers may be used alone or in combination of two or more. The content of the filler is within 70% by weight of the total solid, preferably in the range of 5 to 40% by weight. If the content is more than 70% by weight, the viscosity during processing decreases, and the adhesive strength and strength after curing decrease.

【0031】第1接着剤層14の厚さは限定されない
が、20〜200μmであることが好ましく、より好ま
しくは60〜120μmであり、最適には80〜100
μmとされる。第2接着剤層18の厚さも限定されない
が、5〜50μmであることが好ましく、より好ましく
は8〜20μmであり、最適には8〜12μmとされ
る。すなわち、第1接着剤層14は第2接着剤層18よ
り厚い方が好ましい。また、後述する反り率の試験方法
によって接着剤層に生じる反りを測定した場合、測定値
が0.03%以下であることが望ましい。
The thickness of the first adhesive layer 14 is not limited, but is preferably 20 to 200 μm, more preferably 60 to 120 μm, and most preferably 80 to 100 μm.
μm. The thickness of the second adhesive layer 18 is not limited, but is preferably 5 to 50 μm, more preferably 8 to 20 μm, and most preferably 8 to 12 μm. That is, the first adhesive layer 14 is preferably thicker than the second adhesive layer 18. Further, when the warpage generated in the adhesive layer is measured by a warpage rate test method described later, the measured value is desirably 0.03% or less.

【0032】上記構成からなる静電チャック装置では、
半硬化状態の接着剤層を加熱処理して第1接着剤層14
および第2接着剤層18を形成する際に、これら接着剤
層14,18が若干体積変化したとしても、接着剤層1
4,18の主組成物であるゴム成分が弾性により応力を
緩和するため、セラミック絶縁板16にかかる応力を低
減することができる。また、接着剤層14,18には耐
熱性に優れたフェノール系抗酸化剤が含まれているた
め、ゴム成分から発生するラジカルを吸収し、ゴム成分
の酸化劣化を長期に亘って防ぐことが可能である。これ
により、セラミック絶縁板16に歪みが生じたり、セラ
ミック絶縁板16と接着剤層14,18との接合界面
(特に外周部)に剥離が生じてウエハWの冷却性が部分
的に低下したり、ウエハ吸着面の平面度が悪化し、ウエ
ハ吸着力が低下したり、ウエハ吸着面とウエハとの間に
僅かに供給される冷却用ヘリウムガスの漏れが激しくな
るなどの様々な問題を長期に亘って防止することが可能
であり、部品交換に要するランニングコストの低減も図
れる。
In the electrostatic chuck device having the above configuration,
The semi-cured adhesive layer is heat-treated to form the first adhesive layer 14.
When the second adhesive layer 18 is formed, even if the adhesive layers 14 and 18 slightly change in volume, the adhesive layer 1
Since the rubber component, which is the main composition of Nos. 4 and 18, relieves stress by elasticity, the stress applied to the ceramic insulating plate 16 can be reduced. Further, since the adhesive layers 14 and 18 contain a phenolic antioxidant having excellent heat resistance, they absorb radicals generated from the rubber component and can prevent oxidative deterioration of the rubber component for a long period of time. It is possible. As a result, distortion occurs in the ceramic insulating plate 16 or separation occurs at the bonding interface (particularly at the outer peripheral portion) between the ceramic insulating plate 16 and the adhesive layers 14 and 18, and the cooling performance of the wafer W is partially reduced. In the long term, various problems such as deterioration of the flatness of the wafer suction surface, reduction of the wafer suction force, and intense leakage of the cooling helium gas supplied between the wafer suction surface and the wafer become severe. It is possible to reduce the running cost required for component replacement.

【0033】次に、この実施形態の静電チャック装置の
製造方法について説明する。まず、絶縁性フィルム22
の一面の全面に、所定のパターン(図3参照)を有する
電極層20を形成する。複雑なパターンを有する電極層
20を形成するには、電極パターンをなす金属膜を直
接、絶縁性フィルム22上に形成することも可能である
が、フォトレジストを用いた方法で作製するとより容易
である。この場合、絶縁性フィルム22の片面全面に蒸
着法および/またはメッキ法により金属膜を形成し、そ
の金属膜上にフォトレジスト層を形成する。フォトレジ
スト層は、液状レジストを塗布し、乾燥することにより
形成してもよく、フォトレジストフィルム(ドライフィ
ルム)を熱圧着により金属膜上に貼り合わせて形成して
もよい。
Next, a method of manufacturing the electrostatic chuck device of this embodiment will be described. First, the insulating film 22
An electrode layer 20 having a predetermined pattern (refer to FIG. 3) is formed on the entire surface of one surface. In order to form the electrode layer 20 having a complicated pattern, it is possible to form the metal film forming the electrode pattern directly on the insulating film 22. However, it is easier to manufacture the electrode layer 20 by using a photoresist. is there. In this case, a metal film is formed on one entire surface of the insulating film 22 by a vapor deposition method and / or a plating method, and a photoresist layer is formed on the metal film. The photoresist layer may be formed by applying a liquid resist and drying, or may be formed by bonding a photoresist film (dry film) on a metal film by thermocompression bonding.

【0034】続いて、フォトレジスト層をパターン露光
し、現像して金属膜を溶解すべき部分のフォトレジスト
を除去した後、金属膜の露出部分をエッチングし、洗
浄、レジスト剥離、および乾燥を行い、所定の形状の電
極層20を形成する。これらの操作は、フォトレジスト
パターンを形成する公知の方法を使用して行えばよい。
Subsequently, the photoresist layer is subjected to pattern exposure and development to remove the photoresist at the portion where the metal film is to be dissolved, and then the exposed portion of the metal film is etched, washed, stripped, and dried. The electrode layer 20 having a predetermined shape is formed. These operations may be performed using a known method for forming a photoresist pattern.

【0035】絶縁性フィルム22に電極層20が形成さ
れたら、絶縁性フィルム22の電極層20形成面の全面
に、第2接着剤層18を形成するための液状またはフィ
ルム状の接着剤をその表面が平坦になるように塗布し、
乾燥して半硬化させ、第2接着剤層18を形成する。必
要であればセラミック絶縁板16の形状に合わせて打ち
抜き加工し、積層シート17を得る。
After the electrode layer 20 is formed on the insulating film 22, a liquid or film-like adhesive for forming the second adhesive layer 18 is applied to the entire surface of the insulating film 22 on which the electrode layer 20 is formed. Apply so that the surface is flat,
After drying and semi-curing, the second adhesive layer 18 is formed. If necessary, the laminated sheet 17 is obtained by punching according to the shape of the ceramic insulating plate 16.

【0036】次に、セラミック絶縁板16を第1接着剤
層14を介して金属基盤10に接着し、さらに、セラミ
ック絶縁板16上に、積層シート17の第2接着剤層1
8を接着する。第2接着剤層18が熱硬化性接着剤を含
む場合は、必要に応じて適切な加熱を行い、硬化処理を
行う。上記のようにして本発明の静電チャック装置を作
製することができる。
Next, the ceramic insulating plate 16 is adhered to the metal substrate 10 via the first adhesive layer 14, and the second adhesive layer 1 of the laminated sheet 17 is further placed on the ceramic insulating plate 16.
8 is adhered. When the second adhesive layer 18 contains a thermosetting adhesive, a curing process is performed by performing appropriate heating as needed. As described above, the electrostatic chuck device of the present invention can be manufactured.

【0037】ウエハ処理により絶縁性フィルム22が疲
労した場合、積層シート17をセラミック絶縁板16か
ら剥がし、新しい積層シート17を接着する。第2接着
剤層18は薄く、しかも劣化しにくいのでセラミック絶
縁板16からの剥離が容易であり、セラミック絶縁板1
6上に一部が残ったとしても少量であるから除去は容易
である。
When the insulating film 22 becomes fatigued by the wafer processing, the laminated sheet 17 is peeled off from the ceramic insulating plate 16 and a new laminated sheet 17 is bonded. Since the second adhesive layer 18 is thin and hardly deteriorates, it can be easily separated from the ceramic insulating plate 16.
Even if a part remains on 6, it is easy to remove because it is a small amount.

【0038】次に、本発明に係る静電チャック装置の他
の実施形態について図2を用いて説明する。この静電チ
ャック装置は、円盤形をなす金属基盤10、絶縁性およ
び応力緩和性に優れた第1接着剤層30、円板状をなす
セラミック絶縁板32、第2接着剤層36、および絶縁
性フィルム38が順に形成されたものであり、セラミッ
ク絶縁板32の上面には、一定のパターンをなす電極層
34が埋設状態で形成されている。すなわち、電極層3
4の上面は、セラミック絶縁板32の上面と同一面上に
ある。金属基盤10内には前記実施形態と同様に熱媒流
路12が形成されている。
Next, another embodiment of the electrostatic chuck device according to the present invention will be described with reference to FIG. This electrostatic chuck device includes a disk-shaped metal base 10, a first adhesive layer 30 having excellent insulating properties and stress relaxation properties, a disc-shaped ceramic insulating plate 32, a second adhesive layer 36, and an insulating layer. A conductive film 38 is formed in order, and an electrode layer 34 having a fixed pattern is formed on the upper surface of the ceramic insulating plate 32 in a buried state. That is, the electrode layer 3
4 is on the same plane as the upper surface of the ceramic insulating plate 32. The heat medium flow path 12 is formed in the metal substrate 10 as in the above embodiment.

【0039】図5はこの実施形態のより具体的な構成を
示すものであり、この実施形態の装置にも、図4の実施
形態と同様、ウエハを昇降するための貫通孔24、およ
び電極層34に給電するための要素25〜28が形成さ
れている。電極層34の平面形状も図3に示した電極層
20と同様でよいが、限定はされない。前記実施形態と
同様にガス通路(図示略)が形成されていてもよい。
FIG. 5 shows a more specific configuration of this embodiment. The apparatus of this embodiment also has a through hole 24 for elevating the wafer and an electrode layer, similarly to the embodiment of FIG. Elements 25 to 28 for supplying power to the power supply 34 are formed. The planar shape of the electrode layer 34 may be similar to that of the electrode layer 20 shown in FIG. 3, but is not limited. A gas passage (not shown) may be formed as in the above embodiment.

【0040】電極層34の材質は前記実施形態と同様で
よい。電極層34は打ち抜き形成された金属箔でもよい
し、導電性ペーストを焼成して形成した導電体であって
もよいし、セラミック絶縁板32の上面に蒸着および/
またはメッキされた金属蒸着膜または金属メッキ膜であ
ってもよい。特に、銀、白金、パラジウム、モリブデ
ン、マグネシウム、タングステンおよびこれらの合金
は、ペースト状または粉末状で扱えるため加工性、印刷
容易性に優れ好ましく、その中でもパラジウム合金は導
電性および加工性が良好である。電極層34が厚い場合
には、セラミック絶縁板32の上面に電極層34のパタ
ーンを有する凹部を形成した上で、その内部に電極層3
4が形成される。凹部を形成した場合、セラミック絶縁
板32と電極層34との間に段差があると、ウエハWの
密着性が悪化するため、電極層34を形成した後に、セ
ラミック絶縁板32および電極層34の上面を研磨等に
より平滑にすることが好ましい。
The material of the electrode layer 34 may be the same as in the above embodiment. The electrode layer 34 may be a stamped and formed metal foil, a conductor formed by firing a conductive paste, or vapor deposition and / or deposition on the upper surface of the ceramic insulating plate 32.
Alternatively, it may be a plated metal deposited film or a plated metal film. In particular, silver, platinum, palladium, molybdenum, magnesium, tungsten and alloys thereof are preferable because they can be handled in a paste form or a powder form and have excellent workability and printability. Among them, palladium alloys have good conductivity and workability. is there. When the electrode layer 34 is thick, a concave portion having a pattern of the electrode layer 34 is formed on the upper surface of the ceramic insulating plate 32, and the electrode layer 3 is formed therein.
4 are formed. When the concave portion is formed, if there is a step between the ceramic insulating plate 32 and the electrode layer 34, the adhesion of the wafer W is deteriorated. It is preferable to make the upper surface smooth by polishing or the like.

【0041】電極層34の厚さは限定はされないが、こ
の実施形態では比較的厚くてもよく、0.05〜2mm
であることが好ましく、より好ましくは0.05〜1m
mとされる。電極層34が非常に薄い場合には、セラミ
ック絶縁板32の表面に凹部を形成せず、表面に電極層
34を直接形成してもよい。
The thickness of the electrode layer 34 is not limited, but may be relatively thick in this embodiment, and may be 0.05 to 2 mm.
And more preferably 0.05 to 1 m
m. When the electrode layer 34 is very thin, the electrode layer 34 may be directly formed on the surface of the ceramic insulating plate 32 without forming a recess on the surface.

【0042】絶縁性フィルム38および第2接着剤層3
6は、絶縁性フィルム38が損耗した場合に、セラミッ
ク絶縁板32および電極層34から剥がして交換される
積層シート35を構成している。絶縁性フィルム38の
材質や厚さは、前記実施形態の絶縁性フィルム22と同
様に20〜75μmの範囲が好ましく、40〜60μm
の範囲が特に好ましい。
Insulating film 38 and second adhesive layer 3
Reference numeral 6 denotes a laminated sheet 35 that is peeled off from the ceramic insulating plate 32 and the electrode layer 34 and replaced when the insulating film 38 is worn. The material and thickness of the insulating film 38 are preferably in the range of 20 to 75 μm, similarly to the insulating film 22 of the above embodiment, and 40 to 60 μm.
Is particularly preferred.

【0043】セラミック絶縁板32の材質も前記実施形
態のセラミック絶縁板16と同様でよい。セラミック絶
縁板32の厚さは限定はされないが、被吸着面の熱を逃
がしつつ十分な耐久性を確保する観点から、0.5〜8
mmの範囲が好ましく、さらに好ましくは0.5〜4m
m、最適には0.5〜1mmである。
The material of the ceramic insulating plate 32 may be the same as that of the ceramic insulating plate 16 of the above embodiment. The thickness of the ceramic insulating plate 32 is not limited. However, from the viewpoint of securing sufficient durability while releasing heat from the surface to be attracted, the thickness is 0.5 to 8 mm.
mm is preferable, and more preferably 0.5 to 4 m
m, optimally 0.5-1 mm.

【0044】金属基盤10、第1接着剤層30、セラミ
ック絶縁板32、第2接着剤層36、絶縁性フィルム3
8には、ウエハ吸着面に開口する複数のガス通路(図示
略)が形成されていてもよい。第1接着剤層30および
第2接着剤層36を形成するための接着剤は、先の実施
形態と同様でよい。第1接着剤層30および第2接着剤
層36の厚さは限定されないが、第1接着剤層30の厚
さは20〜200μmであることが好ましく、より好ま
しくは50〜150μmであり、最適には80〜120
μmとされる。第2接着剤層36の厚さは5〜100μ
mであることが好ましく、より好ましくは5〜50μm
であり、最適には10〜30μmとされる。
Metal substrate 10, first adhesive layer 30, ceramic insulating plate 32, second adhesive layer 36, insulating film 3
8 may have a plurality of gas passages (not shown) that are open to the wafer suction surface. The adhesive for forming the first adhesive layer 30 and the second adhesive layer 36 may be the same as in the previous embodiment. Although the thickness of the first adhesive layer 30 and the second adhesive layer 36 is not limited, the thickness of the first adhesive layer 30 is preferably 20 to 200 μm, more preferably 50 to 150 μm, and 80 to 120
μm. The thickness of the second adhesive layer 36 is 5 to 100 μm.
m, more preferably 5 to 50 μm
Optimally, it is 10 to 30 μm.

【0045】本実施形態の静電チャック装置では、前記
実施形態と同様の効果が得られる上、第2接着剤層36
が薄いために、積層シート35を剥がして新たな積層シ
ート35を張る際に、セラミック絶縁板32および電極
層34から接着剤を洗浄等により完全に除去することが
容易であるうえ、積層シート35には電極が形成されて
いないため、積層シート35の張り替え作業が容易に行
える利点を有する。
In the electrostatic chuck device of this embodiment, the same effects as those of the above embodiment can be obtained, and the second adhesive layer 36
Is thin, it is easy to completely remove the adhesive from the ceramic insulating plate 32 and the electrode layer 34 by washing or the like when the laminated sheet 35 is peeled and a new laminated sheet 35 is stretched. Since no electrode is formed on the laminated sheet 35, there is an advantage that the work of replacing the laminated sheet 35 can be easily performed.

【0046】次に、この実施形態の静電チャック装置の
製造方法について説明する。まず、セラミック絶縁板3
2の一面を研削加工し、電極層34のパターンをなす一
定深さの凹部を形成する。次に、この凹部内に電極層3
4を形成する。そのためには、予め打ち抜き加工等によ
り形成した板状の電極層34を凹部にはめ込んで接着し
てもよいし、蒸着やメッキ法により電極層34を凹部内
に形成してもよいが、より効率的に形成するには、白金
パラジウムや銀等の金属微粉末を含有する導電性ペース
ト等を研削部にスクリーン印刷等で塗布した後、加熱硬
化および必要に応じて数100℃での焼成を行い、電極
層34を形成する。必要に応じては、電極層34を形成
した面を研磨加工等により平滑にする。セラミック絶縁
板32を製造する時点で、焼成前のセラミック絶縁板に
所定のパターン形状を有する凹部を形成し、導電性ペー
ストを印刷あるいは、塗布した後、焼成して製造しても
よい。
Next, a method of manufacturing the electrostatic chuck device of this embodiment will be described. First, the ceramic insulating plate 3
2 is ground to form a concave portion having a constant depth that forms a pattern of the electrode layer 34. Next, the electrode layer 3 is placed in the recess.
4 is formed. For this purpose, a plate-like electrode layer 34 formed in advance by punching or the like may be fitted into the concave portion and adhered, or the electrode layer 34 may be formed in the concave portion by vapor deposition or plating. In order to form the conductive paste, a conductive paste containing a metal fine powder such as platinum palladium or silver is applied to the grinding portion by screen printing or the like, and then heat-cured and, if necessary, fired at several hundred degrees Celsius. Then, the electrode layer 34 is formed. If necessary, the surface on which the electrode layer 34 is formed is smoothed by polishing or the like. When the ceramic insulating plate 32 is manufactured, a concave portion having a predetermined pattern may be formed in the ceramic insulating plate before firing, and a conductive paste may be printed or applied, followed by firing.

【0047】次に、セラミック絶縁板32の下面を第1
接着剤層30を介して金属基盤10に接着する。セラミ
ック絶縁板32および金属基盤10には、予め厚さ方向
に貫通孔25が形成されていることが望ましく、電極層
34に給電部材27を接続したうえ、絶縁体28により
貫通孔25を封止する。次に、セラミック絶縁板32お
よび電極層34の上面に、積層シート35の半硬化状態
にある第2接着剤層36を接着し、加熱処理により第2
接着剤層36を硬化させる。
Next, the lower surface of the ceramic insulating plate 32 is
It adheres to the metal substrate 10 via the adhesive layer 30. The through holes 25 are desirably formed in the ceramic insulating plate 32 and the metal substrate 10 in the thickness direction in advance. The power supply member 27 is connected to the electrode layer 34, and the through holes 25 are sealed with the insulator 28. I do. Next, the second adhesive layer 36 in a semi-cured state of the laminated sheet 35 is adhered to the upper surfaces of the ceramic insulating plate 32 and the electrode layer 34, and the second adhesive layer 36 is heated to form a second adhesive layer 36.
The adhesive layer 36 is cured.

【0048】ウエハWの処理により絶縁性フィルム38
が疲労した場合、積層シート35をセラミック絶縁板3
2から剥がし、新しい積層シート35を接着する。第2
接着剤層36は薄いのでセラミック絶縁板32からの剥
離が容易であり、セラミック絶縁板32上に一部が残っ
たとしても少量であるから除去は容易である。また、こ
の実施形態では、積層シート35内に電極層34が含ま
れていないので、積層シート35の交換コストを低減す
ることができる。
By processing the wafer W, the insulating film 38 is formed.
Is fatigued, the laminated sheet 35 is placed on the ceramic insulating plate 3.
2 and a new laminated sheet 35 is bonded. Second
Since the adhesive layer 36 is thin, it can be easily separated from the ceramic insulating plate 32. Even if a part of the adhesive layer 36 remains on the ceramic insulating plate 32, it can be easily removed because the amount is small. Further, in this embodiment, since the electrode layer 34 is not included in the laminated sheet 35, the replacement cost of the laminated sheet 35 can be reduced.

【0049】[0049]

【実施例】[実施例1]:第1の接着剤 両末端にピペラジニルエチルアミノカルボニル基を有す
るアクリロニトリル−ブタジエン共重合体(宇部興産株
式会社製「Hycar ATBN」)(m=83.5、n=1
6.5、重量平均分子量3600、アクリロニトリル含
有量16.5%)の80重量部を、トルエン/メチルエ
チルケトン混合液(1:1)に溶解し、その溶解液に、
下式(I)で示されるマレイミド化合物20重量部、ラ
ウロイルペロキシド(Lauroyl peroxide/日本油脂社
製)0.1重量部、およびヒンダードフェノール系抗酸
化剤であるテトラキス[メチレン(3,5−ジ−t−ブ
チル−4−ヒドロキシ(ジハイドロシンナメート)]メ
タン(アデカスタブ AO−60、旭電化工業社製)を
1重量部混合し、テトラヒドロフランに溶解し、固形分
率40重量%の液状接着剤を調製した。
[Example 1]: First adhesive: acrylonitrile-butadiene copolymer having a piperazinylethylaminocarbonyl group at both terminals ("Hycar ATBN" manufactured by Ube Industries, Ltd.) (m = 83.5) , N = 1
80 parts by weight of 6.5, a weight average molecular weight of 3600, and an acrylonitrile content of 16.5%) were dissolved in a toluene / methyl ethyl ketone mixture (1: 1), and
20 parts by weight of a maleimide compound represented by the following formula (I), 0.1 part by weight of lauroyl peroxide (manufactured by NOF Corporation), and tetrakis [methylene (3,5- 1 part by weight of di-t-butyl-4-hydroxy (dihydrocinnamate)] methane (Adekastab AO-60, manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) was mixed and dissolved in tetrahydrofuran, and a liquid adhesive having a solid content of 40% by weight was mixed. An agent was prepared.

【0050】[0050]

【化1】 Embedded image

【0051】[実施例2]:第2の接着剤 両末端にピペラジニルエチルアミノカルボニル基を有す
るアクリロニトリルーブタジエン共重合体(宇部興産株
式会社製「Hycar ATBN」)(m=83.5、n=1
6.5、重量平均分子量3600、アクリロニトリル含
有量16.5%)の50重量部を、下式(II)で示さ
れる両末端にピペラジニルエチルアミノカルボニル基を
有するアクリロニトリルーブタジエン共重合体(m=8
0、n=20、重量平均分子量10000、アクリロニ
トリル含有量20%)の30重量部と混合し、トルエン
/メチルエチルケトン混合液(1:1)に溶解し、その
溶解液に、前記式(I)で示されるマレイミド化合物2
0重量部、ラウロイルペロキシド(日本油脂社製)0.
1重量部、およびテトラキス[メチレン(3,5−ジ−
t−ブチル−4−ヒドロキシ(ジハイドロシンナメー
ト)]メタン(アデカスタブ AO−60、旭電化工業
社製)を1重量部混合し、テトラヒドロフランに溶解
し、固形分率40重量%の液状接着剤を調製した。
Example 2 Second Adhesive Acrylonitrile butadiene copolymer having a piperazinylethylaminocarbonyl group at both ends ("Hycar ATBN" manufactured by Ube Industries, Ltd.) (m = 83.5, n = 1
6.5, a weight average molecular weight of 3,600, and an acrylonitrile content of 16.5%) were mixed with 50 parts by weight of an acrylonitrile butadiene copolymer having a piperazinylethylaminocarbonyl group at both terminals represented by the following formula (II) ( m = 8
0, n = 20, weight average molecular weight 10,000, acrylonitrile content 20%), and dissolved in a toluene / methyl ethyl ketone mixture (1: 1). Maleimide compound 2 shown
0 parts by weight, lauroyl peroxide (manufactured by NOF CORPORATION)
1 part by weight, and tetrakis [methylene (3,5-di-
1 part by weight of t-butyl-4-hydroxy (dihydrocinnamate)] methane (Adekastab AO-60, manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) was mixed and dissolved in tetrahydrofuran to obtain a liquid adhesive having a solid content of 40% by weight. Prepared.

【0052】[0052]

【化2】 Embedded image

【0053】[実施例3]:第3の接着剤 実施例1で使用したテトラキス[メチレン(3,5−ジ
−t−ブチル−4−ヒドロキシ(ジハイドロシンナメー
ト)]メタンを、1,3,5−トリス(3,5−ジ−t
−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−s−トリアジン
−2,4,6−(1H,3H,5H)トリオン(旭電化
工業社製「アデカスタブ AO−20」)に変更した点
以外は、実施例1と同様にして液状接着剤を調製した。
Example 3 Third Adhesive The tetrakis [methylene (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxy (dihydrocinnamate)] methane used in Example 1 was replaced with 1,3 , 5-Tris (3,5-di-t
Example 1 except that -butyl-4-hydroxybenzyl) -s-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) trione ("Adeka Stab AO-20" manufactured by Asahi Denka Kogyo KK) was used. A liquid adhesive was prepared in the same manner as described above.

【0054】[実施例4]:第4の接着剤 実施例1で使用したテトラキス[メチレン(3,5−ジ
−t−ブチル−4−ヒドロキシ(ジハイドロシンナメー
ト)]メタンを、1,3,5−トリメチル−2,4,6
−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベ
ンジル)ベンゼン(旭電化工業社製「アデカスタブ A
O−330」)に変更した点以外は、前記実施例1と同
様にして液状接着剤を調製した。
Example 4 Fourth Adhesive The tetrakis [methylene (3,5-di-t-butyl-4-hydroxy (dihydrocinnamate)] methane used in Example 1 was replaced with 1,3 , 5-Trimethyl-2,4,6
-Tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene (ADK STAB A manufactured by Asahi Denka Kogyo KK)
O-330 "), except that the liquid adhesive was prepared in the same manner as in Example 1 above.

【0055】[実施例5]:第5の接着剤 実施例1で使用したテトラキス[メチレン(3,5−ジ
−t−ブチル−4−ヒドロキシ(ジハイドロシンナメー
ト)]メタンの添加量を、1重量部から10重量部に変
えた点以外は、実施例1と同様にして液状接着剤を調製
した。
Example 5 Fifth Adhesive The amount of tetrakis [methylene (3,5-di-t-butyl-4-hydroxy (dihydrocinnamate)] methane used in Example 1 was determined as follows. A liquid adhesive was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount was changed from 1 part by weight to 10 parts by weight.

【0056】[実施例6]:第6の接着剤 実施例1で使用したマレイミド化合物を、下式(II
I)で示されるマレイミド化合物に変えた点以外は、実
施例1と同様にして液状接着剤を調製した。なお、Pは
0〜7の整数である。
Example 6: Sixth adhesive The maleimide compound used in Example 1 was replaced by the following formula (II)
A liquid adhesive was prepared in the same manner as in Example 1 except that the maleimide compound shown in I) was used. In addition, P is an integer of 0-7.

【0057】[0057]

【化3】 Embedded image

【0058】[実施例7]:第7の接着剤 両末端にピペラジニルエチルアミノカルボニル基を有す
るアクリロニトリル−ブタジエン共重合体(宇部興産株
式会社製「Hycar ATBN」)(m=83.5、n=1
6.5、重量平均分子量3600、アクリロニトリル含
有量16.5%)の40重量部と、両末端にビニル基を
有するアクリロニトリル−ブタジエン共重合体(宇部興
産株式会社製「Hycar VTBN」)(m=83.5、n
=16.5、重量平均分子量3600、アクリロニトリ
ル含有量16.5%)の40重量部とを、トルエン/メ
チルエチルケトン混合液(1:1)に溶解し、その溶解
液に、前記式(I)で示されるマレイミド化合物20重
量部、α−α’ビス(t-ブチルペロキシ-m-イソプロピ
ル)ベンゼン(日本油脂社製)0.1重量部、およびテ
トラキス[メチレン(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒ
ドロキシ(ジハイドロシンナメート)]メタン(アデカ
スタブ AO−60、旭電化工業社製)を1重量部混合
し、テトラヒドロフランに溶解し、固形分率40重量%
の液状接着剤を調製した。
Example 7: Seventh adhesive Acrylonitrile-butadiene copolymer having a piperazinylethylaminocarbonyl group at both terminals ("Hycar ATBN" manufactured by Ube Industries, Ltd.) (m = 83.5, n = 1
6.5, a weight average molecular weight of 3,600, an acrylonitrile content of 16.5%) and an acrylonitrile-butadiene copolymer having vinyl groups at both ends ("Hycar VTBN" manufactured by Ube Industries, Ltd.) (m = 83.5, n
= 16.5, weight average molecular weight 3600, acrylonitrile content 16.5%) in a toluene / methyl ethyl ketone mixture (1: 1), and the solution was added with the above formula (I). 20 parts by weight of the maleimide compound shown, 0.1 parts by weight of α-α′bis (t-butylperoxy-m-isopropyl) benzene (manufactured by NOF Corporation), and tetrakis [methylene (3,5-di-t-butyl-) 4-hydroxy (dihydrocinnamate)] methane (Adecastab AO-60, manufactured by Asahi Denka Kogyo KK) is mixed in 1 part by weight, dissolved in tetrahydrofuran, and solid content is 40% by weight.
Was prepared.

【0059】[実施例8]:第8の接着剤 実施例7で使用した、ビニル基を有するアクリロニトリ
ル−ブタジエン共重合体(宇部興産株式会社製「Hycar
VTBN」)の代わりに、両末端にカルボニル基を有す
るアクリロニトリル−ブタジエン共重合体(宇部興産株
式会社製「HycarCTBN」)(m=2.7、n=1、
重量平均分子量3500、アクリロニトリル含有量1
6.5%)の40重量部を使用した点以外は実施例7と
同様にして接着剤を調製した。
Example 8 Eighth Adhesive Acrylonitrile-butadiene copolymer having a vinyl group ("Hycar" manufactured by Ube Industries, Ltd.) used in Example 7
Acrylonitrile-butadiene copolymer having carbonyl groups at both ends ("HycarCTBN" manufactured by Ube Industries, Ltd.) (m = 2.7, n = 1, instead of VTBN))
Weight average molecular weight 3500, acrylonitrile content 1
An adhesive was prepared in the same manner as in Example 7, except that 40 parts by weight (6.5%) was used.

【0060】[実施例9]:第9の接着剤 両末端にピペラジニルエチルアミノカルボニル基を有す
るアクリロニトリル−ブタジエン共重合体(宇部興産株
式会社製「Hycar ATBN」)(m=83.5、n=1
6.5、重量平均分子量3600、アクリロニトリル含
有量16.5%)の70重量部と、ビスフェノールA型
(油化シェルエポキシ社製「Epicoto 828」の10重量部
とを、トルエン/メチルエチルケトン混合液(1:1)
に溶解し、その溶解液に、前記式(I)で示されるマレ
イミド化合物20重量部、α−α’ビス(t-ブチルペロ
キシ-m-イソプロピル)ベンゼン(日本油脂社製)0.1
重量部、ジシアンジアミド0.3重量部、およびテトラ
キス[メチレン(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロ
キシ(ジハイドロシンナメート)]メタン(旭電化工業
社製「アデカスタブ AO−60」)を1重量部混合
し、テトラヒドロフランに溶解し、固形分率40重量%
の液状接着剤を調製した。
Example 9 Ninth Adhesive Acrylonitrile-butadiene copolymer having a piperazinylethylaminocarbonyl group at both ends (“Hycar ATBN” manufactured by Ube Industries, Ltd.) (m = 83.5, n = 1
6.5, a weight average molecular weight of 3,600, an acrylonitrile content of 16.5%) and 70 parts by weight of bisphenol A type
(10 parts by weight of "Epicoto 828" manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., and a mixed solution of toluene / methyl ethyl ketone (1: 1)
And 20 parts by weight of the maleimide compound represented by the above formula (I), α-α'bis (t-butylperoxy-m-isopropyl) benzene (manufactured by NOF Corporation) 0.1
Parts by weight, 0.3 parts by weight of dicyandiamide, and tetrakis [methylene (3,5-di-t-butyl-4-hydroxy (dihydrocinnamate)]] methane (“Adeka Stab AO-60” manufactured by Asahi Denka Kogyo KK). One part by weight was mixed and dissolved in tetrahydrofuran, and the solid content was 40% by weight.
Was prepared.

【0061】[実施例10]:第10の接着剤 ブタジエン−アクリロニトリル共重合体(重量平均分子
量250,000、アクリロニトリル含有量27%)の
100重量部、p−t−ブチルフェノール型レゾールフ
ェノール樹脂(昭和高分子社製「CKM−1282」)
の20重量部、ノボラックエポキシ樹脂(日本化薬社製
「EOCN−1020」の20重量部、前記式(I)で
示されるマレイミド化合物の25重量部、1,3−ビス
(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシロキサンの5重量部、α−α’−ビス(t-ブチル
ペロキシ-m-イソプロピル)ベンゼン(日本油脂社製)の
0.1重量部、およびテトラキス[メチレン(3,5−
ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ(ジハイドロシンナメ
ート)]メタン(旭電化工業社製「アデカスタブAO−
60」)を1重量部混合し、テトラヒドロフランに溶解
し、固形分率30重量%の液状接着剤を調製した。
Example 10: Tenth adhesive 100 parts by weight of a butadiene-acrylonitrile copolymer (weight average molecular weight 250,000, acrylonitrile content 27%), pt-butylphenol type resole phenol resin (Showa "CKM1282" manufactured by Kobunshi Co.)
20 parts by weight of a novolak epoxy resin (20 parts by weight of "EOCN-1020" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd .; 25 parts by weight of a maleimide compound represented by the formula (I); 1,3-bis (3-aminopropyl) 5 parts by weight of -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 0.1 part by weight of α-α′-bis (t-butylperoxy-m-isopropyl) benzene (manufactured by NOF CORPORATION), and tetrakis [ Methylene (3,5-
Di-t-butyl-4-hydroxy (dihydrocinnamate)] methane (“ADK STAB AO-
60 ") was dissolved in tetrahydrofuran to prepare a liquid adhesive having a solid content of 30% by weight.

【0062】[実施例11]:第11の接着剤 両末端にピペラジニルエチルアミノカルボニル基を有す
るアクリロニトリル−ブタジエン共重合体(宇部興産株
式会社製「Hycar ATBN」)(m=83.5、n=1
6.5、重量平均分子量3600、アクリロニトリル含
有量16.5%)の60重量部を、トルエン/メチルエ
チルケトン混合液(1:1)に溶解し、その溶解液に、
前記式(I)で示されるマレイミド化合物の40重量部
と、ラウロイルペロキシド(日本油脂社製)の0.1重
量部と、テトラキス[メチレン(3,5−ジ−t−ブチ
ル−4−ヒドロキシ(ジハイドロシンナメート)]メタ
ン(旭電化工業社製「アデカスタブ AO−60」)の
1重量部と、平均粒径5μmの球状アルミナフィラーの
25重量部とを混合し、テトラヒドロフランに溶解し、
固形分率40重量%の液状接着剤を調製した。
Example 11 Eleventh Adhesive Acrylonitrile-butadiene copolymer having piperazinylethylaminocarbonyl groups at both ends ("Hycar ATBN" manufactured by Ube Industries, Ltd.) (m = 83.5, n = 1
6.5, a weight average molecular weight of 3,600, and an acrylonitrile content of 16.5%) were dissolved in a toluene / methyl ethyl ketone mixture (1: 1), and
40 parts by weight of the maleimide compound represented by the formula (I), 0.1 part by weight of lauroylperoxide (manufactured by NOF CORPORATION), and tetrakis [methylene (3,5-di-t-butyl-4-hydroxy) (Dihydrocinnamate)] 1 part by weight of methane (“ADK STAB AO-60” manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) and 25 parts by weight of a spherical alumina filler having an average particle size of 5 μm were mixed, and dissolved in tetrahydrofuran.
A liquid adhesive having a solid content of 40% by weight was prepared.

【0063】[比較例1]:比較のための第1の接着剤 実施例1で使用しているテトラキス[メチレン(3,5
−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ(ジハイドロシンナ
メート)]メタンを使用しない点以外は、実施例1と同
様に固形分率40重量%の接着剤を調製した。
[Comparative Example 1]: First adhesive for comparison Tetrakis [methylene (3,5) used in Example 1
-Di-t-butyl-4-hydroxy (dihydrocinnamate)] An adhesive having a solid content of 40% by weight was prepared in the same manner as in Example 1 except that methane was not used.

【0064】[比較例2]:比較のための第2の接着剤 実施例1で使用しているテトラキス[メチレン(3,5
−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ(ジハイドロシンナ
メート)]メタンの代わりに、L−アスコルビン酸を使
用した点以外は、実施例1と同様に固形分率40重量%
の接着剤を調製した。
Comparative Example 2 Second adhesive for comparison Tetrakis [methylene (3,5) used in Example 1
-Di-t-butyl-4-hydroxy (dihydrocinnamate)] In the same manner as in Example 1 except that L-ascorbic acid was used instead of methane, the solid content was 40% by weight.
Was prepared.

【0065】[比較例3]:比較のための第3の接着剤 エポキシアクリレート(日本化薬社製「R−551」)
の100重量部と、過酸化ベンゾイルの1重量部とを、
トルエン/メチルエチルケトン混合液(1:1)に溶解
し、固形分率40%の接着剤を調製した。
[Comparative Example 3]: Third adhesive for comparison epoxy acrylate (“R-551” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
100 parts by weight of benzoyl peroxide and 1 part by weight of
The adhesive was dissolved in a toluene / methyl ethyl ketone mixture (1: 1) to prepare an adhesive having a solid content of 40%.

【0066】[評価実験1]:セラミック絶縁板からの
剥がれにくさを評価した。実施例1〜11、および比較
例1〜3の接着剤を用いて、図1に示す静電チャック装
置用の積層シート17をそれぞれ作製した。まず、膜厚
50μmのポリイミドフイルム(東レ・デュポン社製商
品名:カプトン)からなる多数の絶縁性フィルムに、そ
れぞれアルミニウムを厚さ500オングストロームに蒸
着して図3に示すような形状の電極層20を形成した
後、この電極形成面に、実施例1〜11、および比較例
1〜3の接着剤を、乾燥後の厚さが20μmになるよう
に塗布し、これらを乾燥して150℃で5分間加熱し半
硬化させた。これら接着剤層上に、再び同じ接着剤を乾
燥後の厚さが20μmになるように塗布し、乾燥して半
硬化させ、合計40μmの半硬化した接着剤層を形成し
た。
[Evaluation Experiment 1]: The difficulty of peeling from the ceramic insulating plate was evaluated. Using the adhesives of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 3, laminated sheets 17 for an electrostatic chuck device shown in FIG. First, aluminum is vapor-deposited on a large number of insulating films made of polyimide film (trade name: Kapton, manufactured by Du Pont-Toray Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm to a thickness of 500 angstroms, and an electrode layer 20 having a shape as shown in FIG. Is formed, the adhesives of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 3 are applied to the electrode forming surface so that the thickness after drying becomes 20 μm, and these are dried and heated at 150 ° C. It was semi-cured by heating for 5 minutes. The same adhesive was again applied on these adhesive layers so that the thickness after drying became 20 μm, dried and semi-cured to form a semi-cured adhesive layer having a total of 40 μm.

【0067】こうして得られた各積層シートを、直径8
インチ×厚さ3mmの表面平滑なセラミック絶縁板(電
極は形成していない)にそれぞれ張り付け、100〜1
50℃のステップキュアーを行って、第2接着剤層36
を硬化させた。
Each of the laminated sheets thus obtained was subjected to
Affixed to a ceramic insulating plate with a flat surface and a thickness of 3 mm × 3 mm (electrodes are not formed).
By performing a step cure at 50 ° C., the second adhesive layer 36
Was cured.

【0068】こうして得られたセラミック絶縁板および
積層シートの積層体を、ヒートサイクル試験装置に入
れ、150℃に加熱して30分間保持した後、−40℃
に急冷して30分間保持するサイクルを60回繰り返
し、常温に戻した後、接着層の剥がれが生じたか否かを
目で見て確認した。
The thus obtained laminated body of the ceramic insulating plate and the laminated sheet was placed in a heat cycle test apparatus, heated to 150 ° C. and held for 30 minutes, and then cooled to -40 ° C.
The cycle of rapidly cooling and holding for 30 minutes was repeated 60 times, and after returning to room temperature, it was visually checked whether or not the adhesive layer had peeled off.

【0069】その結果、実施例1〜11、および比較例
1および2の接着剤を用いた積層シートでは剥がれが生
じていなかったが、比較例3の接着剤を用いた積層シー
トでは、セラミック絶縁板から部分的に剥離していた。
As a result, no peeling occurred in the laminated sheets using the adhesives of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 and 2, but in the laminated sheets using the adhesive of Comparative Example 3, the ceramic insulating material was used. It was partially peeled from the board.

【0070】[実施例12]厚さ2mmのアルミナ製の
セラミック絶縁板(東芝セラミックス社製商品名:AL
−16)の一面を、所定パターンに基づいて深さ0.1
mmの凹部を研削加工により形成した。次に銀−パラジ
ウム合金ペーストを作成し、絶縁板の研削部に塗布し、
加熱して電極層を硬化させた後、セラミック絶縁板およ
び電極層の表面を研磨して平滑にした。
Example 12 An alumina ceramic insulating plate having a thickness of 2 mm (trade name: AL manufactured by Toshiba Ceramics Co., Ltd.)
-16) One surface is set to a depth of 0.1
A concave portion of mm was formed by grinding. Next, a silver-palladium alloy paste is created and applied to the ground portion of the insulating plate.
After heating to cure the electrode layer, the surfaces of the ceramic insulating plate and the electrode layer were polished and smoothed.

【0071】次いで、セラミック絶縁板の非電極面に、
実施例1の接着剤を乾燥後の厚さが20μmになるよう
に塗布し、150℃で5分間乾燥し、金属基盤と貼り合
わせた。この時、金属基盤およびセラミック絶縁板に
は、厚さ方向に貫通孔を開け、その貫通孔内に導電性部
材を通して、電極層と金属基盤間に電圧を印加できるよ
うにした。
Next, on the non-electrode surface of the ceramic insulating plate,
The adhesive of Example 1 was applied so that the thickness after drying became 20 μm, dried at 150 ° C. for 5 minutes, and bonded to a metal substrate. At this time, a through hole was formed in the metal substrate and the ceramic insulating plate in the thickness direction, and a voltage could be applied between the electrode layer and the metal substrate through a conductive member in the through hole.

【0072】次いで、厚さ50μmの絶縁性ポリイミド
フィルム(東レ・デュポン社製商品名:カプトン)の一
面に前記接着剤を乾燥後の厚さが20μmになるように
塗布し、150℃で5分間乾燥して第2の接着剤層を形
成した後、金属基盤上のセラミック絶縁板と貼り合わ
せ、80℃〜150℃のステップキュアー処理を5時間
行って接着し、本発明による直径8インチの静電チャッ
ク面を有する静電チャック装置を作製した。
Next, the above-mentioned adhesive was applied to one surface of a 50 μm-thick insulating polyimide film (trade name: Kapton, manufactured by Dupont Toray Co., Ltd.) so that the thickness after drying became 20 μm, and the coating was applied at 150 ° C. for 5 minutes. After drying to form a second adhesive layer, the second adhesive layer is bonded to a ceramic insulating plate on a metal base, and is subjected to a step curing process at 80 ° C. to 150 ° C. for 5 hours to be bonded, and the 8 inch diameter static electrode according to the present invention is bonded. An electrostatic chuck device having an electric chuck surface was manufactured.

【0073】この実施例12の装置を評価実験1と同じ
ヒートサイクル試験装置に入れ、同じ条件で接着層の剥
がれが生じたか否かを目で見て確認した。その結果、実
施例12の装置でも接着層の剥がれは生じていなかっ
た。
The device of Example 12 was placed in the same heat cycle test device as in Evaluation Experiment 1, and it was visually confirmed whether or not the adhesive layer was peeled off under the same conditions. As a result, no peeling of the adhesive layer occurred in the device of Example 12.

【0074】[評価実験2]:伸び率と反りを評価し
た。実施例1〜11および比較例1〜3の接着剤を、予
め剥離処理を施したポリエチレンテレフタレートフィル
ム(厚さ37μm)の一面に塗布し、120℃で5分間
乾燥することにより、厚さ20μmの接着層を形成し、
接着シートとした。
[Evaluation Experiment 2]: The elongation and the warpage were evaluated. The adhesives of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 3 were applied to one surface of a polyethylene terephthalate film (thickness: 37 μm) that had been subjected to a release treatment in advance, and dried at 120 ° C. for 5 minutes to obtain a 20 μm thick film. Forming an adhesive layer,
An adhesive sheet was used.

【0075】また、実施例1の接着剤により接着層を形
成したポリエチレンテレフタレートフィルムを2枚、接
着層同士を貼り合わせ、一方のフィルムを剥離させて、
厚さ40μmの接着層を有する接着シートを作製した
(実施例13)。
Further, two polyethylene terephthalate films each having an adhesive layer formed by the adhesive of Example 1 were adhered to each other, and one of the films was peeled off.
An adhesive sheet having an adhesive layer having a thickness of 40 μm was produced (Example 13).

【0076】以上の各接着シートを180℃で1時間加
熱して接着剤を硬化させたのち、全てのフィルムを剥が
し、硬化した接着剤層を10mm×100mmの長方形
に切断し、万能引っ張り試験機(島津製作所製「テンシ
ロン」)に装着し、接着剤層の長手方向に向けて50m
m/minで引っ張り、接着剤層が切断する直前の伸び
率を比較した。結果を表1に示す。
After heating each of the above adhesive sheets at 180 ° C. for one hour to cure the adhesive, all the films were peeled off, and the cured adhesive layer was cut into a rectangle of 10 mm × 100 mm. (Tensilon manufactured by Shimadzu Corporation) and 50m in the longitudinal direction of the adhesive layer
The elongation was measured immediately before the adhesive layer was cut by pulling at m / min. Table 1 shows the results.

【0077】また、実施例1〜11および比較例1〜3
の接着剤層を形成した接着シート、および実施例13の
接着シートから、全てフィルムを剥がした上、接着剤層
のみを、76mm×52mm×0.9mmのホウケイ酸
ガラスと、76mm×52mm×5mmのアルミニウム
板との間に挟み、ラミネート装置で貼り合わせたのち、
120℃で2時間加熱して接着剤層を硬化させた。常温
に戻した後、ガラス面に発生した反りの深さ(μm)を
デジタル式深度顕微鏡で測定した。また、(反りの深
さ)/(ガラスの対角線長さ)を反り率(%)として求
めた。結果を表1に示す。
Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 3
All the films were peeled off from the adhesive sheet having the adhesive layer formed thereon and the adhesive sheet of Example 13, and only the adhesive layer was coated with a borosilicate glass of 76 mm × 52 mm × 0.9 mm and 76 mm × 52 mm × 5 mm After sandwiching it between the aluminum plate and laminating with a laminating machine,
The adhesive layer was cured by heating at 120 ° C. for 2 hours. After the temperature was returned to room temperature, the depth (μm) of the warpage generated on the glass surface was measured with a digital depth microscope. Further, (warp depth) / (diagonal length of glass) was obtained as a warpage rate (%). Table 1 shows the results.

【0078】[0078]

【表1】 [Table 1]

【0079】表1から明らかなように、本発明に係る実
施例1〜11,13の接着層では比較例1〜3に比べて
格段に伸び率が大きく、弾性に富んでいた。また、硬化
時に生じる応力が小さいため、ガラス面に生じる反りが
小さかった。この結果によれば、金属基板とセラミック
板の熱膨張(または収縮)の差による反りを吸収するこ
とができ、しかも接着層の温度変化による体積変化が小
さいために、セラミック板および/またはウエハ吸着面
の反りを改善できること、並びに、セラミック絶縁板の
損傷を防ぐ効果が得られることが予測できた。
As is evident from Table 1, the adhesive layers of Examples 1 to 11 and 13 according to the present invention had much higher elongation and rich elasticity than Comparative Examples 1 to 3. Further, since the stress generated at the time of curing was small, the warpage generated on the glass surface was small. According to this result, the warpage due to the difference in thermal expansion (or contraction) between the metal substrate and the ceramic plate can be absorbed, and the volume change due to the temperature change of the adhesive layer is small, so that the ceramic plate and / or the wafer are attracted. It could be expected that the warpage of the surface could be improved and that the effect of preventing damage to the ceramic insulating plate could be obtained.

【0080】[0080]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る静電
チャック装置によれば、半硬化状態の接着剤層を加熱処
理して接着剤層を形成する際に接着剤層が若干体積変化
したとしても、接着剤層の主組成物であるゴム成分が弾
性により応力を緩和するため、セラミック絶縁板にかか
る応力を低減することができる。また、接着剤層には耐
熱性に優れたフェノール系抗酸化剤が含まれているた
め、ゴム成分から発生するラジカルを吸収し、ゴム成分
の酸化劣化を長期に亘って防ぐことが可能である。これ
により、セラミック絶縁板に歪みが生じたり、セラミッ
ク絶縁板と接着剤層との接合界面に部分的剥離が生じて
被吸着物の冷却性が低下したり、吸着面の平面度が悪化
して吸着力が低下したりするなどの様々な問題を長期に
亘って防止することが可能である。
As described above, according to the electrostatic chuck device of the present invention, when the adhesive layer in the semi-cured state is heat-treated to form the adhesive layer, the adhesive layer slightly changes in volume. Even if it does, the stress applied to the ceramic insulating plate can be reduced because the rubber component, which is the main composition of the adhesive layer, relieves stress by elasticity. In addition, since the adhesive layer contains a phenolic antioxidant having excellent heat resistance, it can absorb radicals generated from the rubber component and prevent oxidative deterioration of the rubber component for a long time. . As a result, distortion occurs in the ceramic insulating plate, partial separation occurs at the bonding interface between the ceramic insulating plate and the adhesive layer, and the cooling property of the object to be adsorbed is reduced, and the flatness of the adsorption surface is deteriorated. It is possible to prevent various problems such as a decrease in suction force over a long period of time.

【0081】また、本発明に係る静電チャック用積層シ
ートおよび静電チャックシート用接着剤によれば、接着
剤層を加熱処理して接着を行う際に接着剤層が若干体積
変化したとしても、接着剤層の主組成物であるゴム成分
が弾性により応力を緩和するため、被接着物に歪みを生
じたり、シート表面の平面度が低下するなどの影響を低
減することができる。また、接着剤層には耐熱性に優れ
たフェノール系抗酸化剤が含まれているため、ゴム成分
から発生するラジカルを高温下でも効率よく吸収し、ゴ
ム成分の酸化劣化を長期に亘って防ぐことが可能であ
る。これにより、被接着物を歪ませたり、接合界面に部
分的剥離が生じて被吸着物の冷却性が低下したり、吸着
面の平面度が悪化して吸着力が低下したりするなどの様
々な問題を長期に亘って防止することが可能であるとい
う優れた効果を奏する。
Further, according to the laminated sheet for an electrostatic chuck and the adhesive for an electrostatic chuck sheet according to the present invention, even when the adhesive layer slightly changes in volume when the adhesive layer is heated and bonded. Since the rubber component, which is the main composition of the adhesive layer, relieves stress by elasticity, it is possible to reduce effects such as distortion of the adherend and reduction in flatness of the sheet surface. In addition, since the adhesive layer contains a phenolic antioxidant having excellent heat resistance, it efficiently absorbs radicals generated from the rubber component even at a high temperature and prevents oxidative deterioration of the rubber component for a long time. It is possible. As a result, the object to be bonded may be distorted, the bonding interface may be partially separated, and the cooling property of the object to be adsorbed may be reduced, or the flatness of the adsorbing surface may be deteriorated to lower the adsorbing force. It is an excellent effect that various problems can be prevented over a long period of time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に係る静電チャック装置の一実施形態
の断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of an embodiment of an electrostatic chuck device according to the present invention.

【図2】 本発明に係る静電チャック装置の他の実施形
態の断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of another embodiment of the electrostatic chuck device according to the present invention.

【図3】 本発明に係る静電チャック装置の他の実施形
態の平面図である。
FIG. 3 is a plan view of another embodiment of the electrostatic chuck device according to the present invention.

【図4】 図3中のIV−IV線断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG.

【図5】 本発明に係る静電チャック装置の他の実施形
態の断面図である。
FIG. 5 is a sectional view of another embodiment of the electrostatic chuck device according to the present invention.

【図6】 従来の静電チャック装置の一例の断面図であ
る。
FIG. 6 is a cross-sectional view of an example of a conventional electrostatic chuck device.

【図7】 従来の静電チャック装置の一例の断面図であ
る。
FIG. 7 is a cross-sectional view of an example of a conventional electrostatic chuck device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 金属基盤 12 熱媒流路 14,30 第1接着剤層 16,32 セラミック絶縁板 18,36 第2接着剤層 20,34 電極層 22,38 絶縁性フィルム 24 貫通孔 27 給電部材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Metal substrate 12 Heat medium flow path 14, 30 1st adhesive layer 16, 32 Ceramic insulating plate 18, 36 2nd adhesive layer 20, 34 Electrode layer 22, 38 Insulating film 24 Through-hole 27 Power supply member

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 金属基盤と、この金属基盤上に設けられ
た接着剤層と、この接着剤層上に設けられたセラミック
製のセラミック絶縁板とを有し、前記接着剤層は、ゴム
成分およびフェノール系抗酸化剤とを含有し、前記ゴム
成分は、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、オレ
フィン系共重合体、およびポリフェニルエーテル共重合
体から選択される1種または2種以上であることを特徴
とする静電チャック装置。
1. A metal base, an adhesive layer provided on the metal base, and a ceramic insulating plate made of ceramic provided on the adhesive layer, wherein the adhesive layer comprises a rubber component. And a phenolic antioxidant, wherein the rubber component is one or more selected from a butadiene-acrylonitrile copolymer, an olefinic copolymer, and a polyphenylether copolymer. Characteristic electrostatic chuck device.
【請求項2】 金属基盤と、この金属基盤上に設けられ
た第1接着剤層と、この第1接着剤層上に設けられたセ
ラミック製のセラミック絶縁板と、このセラミック絶縁
板上に設けられた第2接着剤層と、この第2接着剤層上
に設けられた絶縁性フィルムと、前記第2接着剤層と前
記絶縁性フィルムとの間に設けられた電極とを具備し、
前記第1接着剤層および前記第2接着剤層の少なくとも
一方は、ゴム成分およびフェノール系抗酸化剤とを含有
し、前記ゴム成分は、ブタジエン−アクリロニトリル共
重合体、オレフィン系共重合体、およびポリフェニルエ
ーテル共重合体から選択される1種または2種以上であ
ることを特徴とする静電チャック装置。
2. A metal substrate, a first adhesive layer provided on the metal substrate, a ceramic insulating plate provided on the first adhesive layer, and a ceramic insulating plate provided on the ceramic insulating plate. A second adhesive layer, an insulating film provided on the second adhesive layer, and an electrode provided between the second adhesive layer and the insulating film,
At least one of the first adhesive layer and the second adhesive layer contains a rubber component and a phenolic antioxidant, and the rubber component is a butadiene-acrylonitrile copolymer, an olefin copolymer, and An electrostatic chuck device comprising one or more kinds selected from polyphenyl ether copolymers.
【請求項3】 前記電極の厚さは300オングストロー
ム〜10μm、前記絶縁性フィルムの厚さは20〜75
μm、前記セラミック絶縁板の厚さは0.3〜8mm、
前記第1接着剤層の厚さは20〜200μm、前記第2
接着剤層の厚さは5〜50μmであることを特徴とする
請求項2記載の静電チャック装置。
3. The thickness of the electrode is 300 Å to 10 μm, and the thickness of the insulating film is 20 to 75 μm.
μm, the thickness of the ceramic insulating plate is 0.3 to 8 mm,
The thickness of the first adhesive layer is 20 to 200 μm,
3. The electrostatic chuck device according to claim 2, wherein the thickness of the adhesive layer is 5 to 50 [mu] m.
【請求項4】 金属基盤と、この金属基盤上に設けられ
た第1接着剤層と、この第1接着剤層上に設けられたセ
ラミック製のセラミック絶縁板と、このセラミック絶縁
板上に設けられた第2接着剤層と、この第2接着剤層上
に設けられた絶縁性フィルムと、前記セラミック絶縁板
の上面に埋め込まれた電極とを具備し、前記第1接着剤
層および前記第2接着剤層の少なくとも一方は、ゴム成
分およびフェノール系抗酸化剤とを含有し、前記ゴム成
分は、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、オレフ
ィン系共重合体、およびポリフェニルエーテル共重合体
から選択される1種または2種以上であることを特徴と
する静電チャック装置。
4. A metal substrate, a first adhesive layer provided on the metal substrate, a ceramic insulating plate provided on the first adhesive layer, and a ceramic insulating plate provided on the ceramic insulating plate. A second adhesive layer, an insulating film provided on the second adhesive layer, and an electrode embedded on the upper surface of the ceramic insulating plate. 2 At least one of the adhesive layers contains a rubber component and a phenolic antioxidant, and the rubber component is selected from a butadiene-acrylonitrile copolymer, an olefinic copolymer, and a polyphenylether copolymer. An electrostatic chuck device characterized by one or more types.
【請求項5】 前記電極の厚さは0.05〜2mm、前
記絶縁性フィルムの厚さは20〜75μm、前記セラミ
ック絶縁板の厚さは0.5〜8mm、前記第1接着剤層
の厚さは20〜200μm、前記第2接着剤層の厚さは
5〜100μmであることを特徴とする請求項4記載の
静電チャック装置。
5. The thickness of the electrode is 0.05 to 2 mm, the thickness of the insulating film is 20 to 75 μm, the thickness of the ceramic insulating plate is 0.5 to 8 mm, and the thickness of the first adhesive layer is The electrostatic chuck device according to claim 4, wherein the thickness is 20 to 200 m, and the thickness of the second adhesive layer is 5 to 100 m.
【請求項6】 前記フェノール系抗酸化剤は、ヒンダー
ドフェノール系抗酸化剤であることを特徴とする請求項
1〜5のいずれかに記載の静電チャック装置。
6. The electrostatic chuck device according to claim 1, wherein the phenolic antioxidant is a hindered phenolic antioxidant.
【請求項7】 前記ヒンダードフェノール系抗酸化剤
は、その一分子中に、t−ブチル基が2基以上結合して
いるフェノール基を3基以上有し、分子量は700以上
である物質であることを特徴とする請求項6記載の静電
チャック装置。
7. The hindered phenolic antioxidant is a substance having three or more phenol groups in which two or more t-butyl groups are bonded in one molecule, and having a molecular weight of 700 or more. 7. The electrostatic chuck device according to claim 6, wherein:
【請求項8】 前記ヒンダードフェノール系抗酸化剤
は、200℃に加熱した際の熱重量減少率が5%以下で
あることを特徴とする請求項6または7記載の静電チャ
ック装置。
8. The electrostatic chuck device according to claim 6, wherein the hindered phenolic antioxidant has a thermal weight loss rate of 5% or less when heated to 200 ° C.
【請求項9】 絶縁性フィルムと、この絶縁性フィルム
の少なくとも一面に設けられた接着剤層とを有し、前記
接着剤層は、ゴム成分およびフェノール系抗酸化剤とを
含有し、前記ゴム成分は、ブタジエン−アクリロニトリ
ル共重合体、オレフィン系共重合体、およびポリフェニ
ルエーテル共重合体から選択される1種または2種以上
であることを特徴とする静電チャック用積層シート。
9. An insulating film, comprising: an insulating film; and an adhesive layer provided on at least one surface of the insulating film, wherein the adhesive layer contains a rubber component and a phenolic antioxidant; The laminated sheet for an electrostatic chuck, wherein the component is at least one selected from a butadiene-acrylonitrile copolymer, an olefin-based copolymer, and a polyphenylether copolymer.
【請求項10】 前記絶縁性フィルムには電極が固定さ
れていることを特徴とする請求項9記載の静電チャック
用積層シート。
10. The laminated sheet for an electrostatic chuck according to claim 9, wherein an electrode is fixed to the insulating film.
【請求項11】 ゴム成分およびフェノール系抗酸化剤
とを含有する静電チャックシート用接着剤であって、前
記ゴム成分は、ブタジエン−アクリロニトリル共重合
体、オレフィン系共重合体、およびポリフェニルエーテ
ル共重合体から選択される1種または2種以上であり、
前記フェノール系抗酸化剤は、その一分子中に、t−ブ
チル基が2基以上結合しているフェノール基を3基以上
有し、分子量は700以上である物質であることを特徴
とする静電チャックシート用接着剤。
11. An adhesive for an electrostatic chuck sheet containing a rubber component and a phenolic antioxidant, wherein the rubber component is a butadiene-acrylonitrile copolymer, an olefin copolymer, and a polyphenyl ether. One or more selected from copolymers,
The phenolic antioxidant is a substance having three or more phenol groups in which two or more t-butyl groups are bonded in one molecule and having a molecular weight of 700 or more. Adhesive for electro chuck sheet.
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