JP2002318546A5 - - Google Patents

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JP2002318546A5
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Claims (46)

絶縁体上に形成されたＴＦＴと、A TFT formed on an insulator;
前記ＴＦＴ上に形成された平坦化された無機絶縁膜と、A planarized inorganic insulating film formed on the TFT;
前記平坦化された無機絶縁膜上に形成された画素電極とを有することを特徴とする発光装置。And a pixel electrode formed on the planarized inorganic insulating film. 絶縁体上に形成されたＴＦＴと、A TFT formed on an insulator;
前記ＴＦＴ上に形成された平坦化された無機絶縁膜と、A planarized inorganic insulating film formed on the TFT;
前記平坦化された無機絶縁膜上に形成された窒化珪素膜またはＤＬＣ膜と、A silicon nitride film or a DLC film formed on the planarized inorganic insulating film;
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に形成された画素電極とを有することを特徴とする発光装置。And a pixel electrode formed on the silicon nitride film or the DLC film. 請求項１または２において、前記画素電極は、透明導電膜が用いられていることを特徴とする発光装置。3. The light emitting device according to claim 1, wherein a transparent conductive film is used for the pixel electrode. 請求項１または２において、前記画素電極は、酸化インジウムと酸化亜鉛とが混合された透明導電膜またはＩＴＯが用いられていることを特徴とする発光装置。3. The light emitting device according to claim 1, wherein the pixel electrode is made of a transparent conductive film or ITO in which indium oxide and zinc oxide are mixed. 請求項１乃至４のいずれか一において、前記画素電極の表面の平均面粗さは、０．９ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。5. The light-emitting device according to claim 1, wherein an average surface roughness of a surface of the pixel electrode is 0.9 nm or less. 絶縁体上に形成されたＴＦＴと、A TFT formed on an insulator;
前記ＴＦＴ上に形成された平坦化された無機絶縁膜と、A planarized inorganic insulating film formed on the TFT;
前記平坦化された無機絶縁膜上に形成された陽極と、An anode formed on the planarized inorganic insulating film;
前記ＴＦＴと前記陽極とを電気的に接続する配線と、A wiring for electrically connecting the TFT and the anode;
前記陽極の端部を覆って形成された絶縁膜と、An insulating film formed to cover an end of the anode;
前記陽極及び前記絶縁膜上に形成された有機化合物を含む膜と、A film containing an organic compound formed on the anode and the insulating film;
前記有機化合物を含む膜上に形成された陰極とを有することを特徴とする発光装置。And a cathode formed on the film containing the organic compound. 絶縁体上に形成されたＴＦＴと、A TFT formed on an insulator;
前記ＴＦＴ上に形成された平坦化された無機絶縁膜と、A planarized inorganic insulating film formed on the TFT;
前記平坦化された無機絶縁膜上に形成された窒化珪素膜またはＤＬＣ膜と、A silicon nitride film or a DLC film formed on the planarized inorganic insulating film;
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に形成された陽極と、An anode formed on the silicon nitride film or the DLC film;
前記ＴＦＴと前記陽極とを電気的に接続する配線と、A wiring for electrically connecting the TFT and the anode;
前記陽極の端部を覆って形成された絶縁膜と、An insulating film formed to cover an end of the anode;
前記陽極及び前記絶縁膜上に形成された有機化合物を含む膜と、A film containing an organic compound formed on the anode and the insulating film;
前記有機化合物を含む膜上に形成された陰極とを有することを特徴とする発光装置。And a cathode formed on the film containing the organic compound. 請求項６または７において、前記絶縁膜は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、または酸化珪素膜が用いられていることを特徴とする発光装置。8. The light-emitting device according to claim 6, wherein the insulating film is made of a polyimide, acrylic, polyamide, benzocyclobutene, or silicon oxide film. 絶縁体上に形成されたＴＦＴと、A TFT formed on an insulator;
前記ＴＦＴ上に形成された平坦化された無機絶縁膜と、A planarized inorganic insulating film formed on the TFT;
前記平坦化された無機絶縁膜上に形成された陽極と、An anode formed on the planarized inorganic insulating film;
前記ＴＦＴと前記陽極とを電気的に接続する配線と、A wiring for electrically connecting the TFT and the anode;
前記陽極の端部を覆って形成された第１の絶縁膜と、A first insulating film formed to cover an end of the anode;
前記陽極及び前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、A second insulating film formed on the anode and the first insulating film;
前記第２の絶縁膜上に形成された有機化合物を含む膜と、A film containing an organic compound formed on the second insulating film;
前記有機化合物を含む膜上に形成された陰極とを有することを特徴とする発光装置。And a cathode formed on the film containing the organic compound. 絶縁体上に形成されたＴＦＴと、A TFT formed on an insulator;
前記ＴＦＴ上に形成された平坦化された無機絶縁膜と、A planarized inorganic insulating film formed on the TFT;
前記平坦化された無機絶縁膜上に形成された窒化珪素膜またはＤＬＣ膜と、A silicon nitride film or a DLC film formed on the planarized inorganic insulating film;
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に形成された陽極と、An anode formed on the silicon nitride film or the DLC film;
前記ＴＦＴと前記陽極とを電気的に接続する配線と、A wiring for electrically connecting the TFT and the anode;
前記陽極の端部を覆って形成された第１の絶縁膜と、A first insulating film formed to cover an end of the anode;
前記陽極及び前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、A second insulating film formed on the anode and the first insulating film;
前記第２の絶縁膜上に形成された有機化合物を含む膜と、A film containing an organic compound formed on the second insulating film;
前記有機化合物を含む膜上に形成された陰極とを有することを特徴とする発光装置。And a cathode formed on the film containing the organic compound. 請求項９または１０において、前記第１の絶縁膜は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、または酸化珪素膜が用いられていることを特徴とする発光装置。11. The light-emitting device according to claim 9, wherein the first insulating film is made of a polyimide, acrylic, polyamide, benzocyclobutene, or silicon oxide film. 請求項６乃至１１のいずれか一において、前記陽極は、透明導電膜が用いられていることを特徴とする発光装置。12. The light emitting device according to claim 6, wherein the anode uses a transparent conductive film. 請求項６乃至１１のいずれか一において、前記陽極は、酸化インジウムと酸化亜鉛とが混合された透明導電膜またはＩＴＯが用いられていることを特徴とする発光装置。12. The light emitting device according to claim 6, wherein the anode is made of a transparent conductive film or ITO in which indium oxide and zinc oxide are mixed. 請求項６乃至１３のいずれか一において、前記陽極の表面の平均面粗さは、０．９ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。14. The light emitting device according to claim 6, wherein an average surface roughness of the surface of the anode is 0.9 nm or less. 請求項１乃至１４のいずれか一において、前記平坦化された無機絶縁膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた積層膜が用いられていることを特徴とする発光装置。15. The planarized inorganic insulating film according to claim 1, wherein a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, a silicon nitride oxide film, or a laminated film combining these is used. A light emitting device. 請求項１乃至１５のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とするデジタルカメラ。A digital camera using the light-emitting device according to claim 1. 請求項１乃至１５のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とする携帯電話。A cellular phone using the light-emitting device according to claim 1. 請求項１乃至１５のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とするモバイルコンピュータ。A mobile computer using the light-emitting device according to claim 1. 請求項１乃至１５のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とするビデオカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯型ゲーム機、電子書籍、または画像再生装置。A video camera, a goggle-type display, a navigation system, a sound reproduction device, a personal computer, a game device, a portable game machine, an electronic book, wherein the light-emitting device according to any one of claims 1 to 15 is used. Or an image playback device. 絶縁体上にＴＦＴを形成し、TFT is formed on the insulator,
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、Forming an inorganic insulating film on the TFT;
前記無機絶縁膜を平坦化し、Planarizing the inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。A pixel electrode is formed over the planarized inorganic insulating film. A method for manufacturing a light emitting device. 絶縁体上にＴＦＴを形成し、TFT is formed on the insulator,
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、Forming an inorganic insulating film on the TFT;
前記無機絶縁膜を平坦化し、Planarizing the inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に、窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を形成し、A silicon nitride film or a DLC film is formed on the planarized inorganic insulating film,
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に画素電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。A pixel electrode is formed on the silicon nitride film or the DLC film. 請求項２０または２１において、前記画素電極として、透明導電膜を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 20, wherein a transparent conductive film is used as the pixel electrode. 請求項２０または２１において、前記画素電極として、酸化インジウムと酸化亜鉛とが混合された透明導電膜またはＩＴＯを用いることを特徴とする発光装置の作製方法。22. The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 20, wherein a transparent conductive film or ITO in which indium oxide and zinc oxide are mixed is used as the pixel electrode. 請求項２０乃至２３のいずれか一において、前記画素電極を形成した後に、当該画素電極を拭浄することを特徴とする発光装置の作製方法。24. The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 20, wherein the pixel electrode is wiped after the pixel electrode is formed. 請求項２０乃至２３のいずれか一において、前記画素電極を形成した後に、ＰＶＡ系の多孔質材料を用いて当該画素電極を拭浄することを特徴とする発光装置の作製方法。24. The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 20, wherein the pixel electrode is wiped using a PVA-based porous material after the pixel electrode is formed. 絶縁体上にＴＦＴを形成し、TFT is formed on the insulator,
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、Forming an inorganic insulating film on the TFT;
前記無機絶縁膜を平坦化し、Planarizing the inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線を形成し、A wiring connected to the TFT is formed on the planarized inorganic insulating film,
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記配線に接続された陽極を形成し、Forming an anode connected to the wiring on the planarized inorganic insulating film;
前記陽極、前記配線、前記平坦化された無機絶縁膜を覆って絶縁膜を形成し、Forming an insulating film covering the anode, the wiring, and the planarized inorganic insulating film;
前記絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、Etching the insulating film to form an opening so that a part of the anode is exposed,
前記露出された陽極及び前記絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、Forming a film containing an organic compound on the exposed anode and the insulating film;
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。A method for manufacturing a light-emitting device, comprising forming a cathode over a film containing the organic compound. 絶縁体上にＴＦＴを形成し、TFT is formed on the insulator,
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、Forming an inorganic insulating film on the TFT;
前記無機絶縁膜を平坦化し、Planarizing the inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に陽極を形成し、Forming an anode on the planarized inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記ＴＦＴ及び前記陽極に接続された配線を形成し、A wiring connected to the TFT and the anode is formed on the planarized inorganic insulating film,
前記陽極、前記配線、前記平坦化された無機絶縁膜を覆って絶縁膜を形成し、Forming an insulating film covering the anode, the wiring, and the planarized inorganic insulating film;
前記絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、Etching the insulating film to form an opening so that a part of the anode is exposed,
前記露出された陽極及び前記絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、Forming a film containing an organic compound on the exposed anode and the insulating film;
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。A method for manufacturing a light-emitting device, comprising forming a cathode over a film containing the organic compound. 絶縁体上にＴＦＴを形成し、TFT is formed on the insulator,
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、Forming an inorganic insulating film on the TFT;
前記無機絶縁膜を平坦化し、Planarizing the inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を形成し、Forming a silicon nitride film or a DLC film on the planarized inorganic insulating film;
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線を形成し、A wiring connected to the TFT is formed on the silicon nitride film or the DLC film,
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記配線に接続された陽極を形成し、Forming an anode connected to the wiring on the silicon nitride film or the DLC film;
前記陽極、前記配線、前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を覆って絶縁膜を形成し、Forming an insulating film covering the anode, the wiring, the silicon nitride film or the DLC film;
前記絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、Etching the insulating film to form an opening so that a part of the anode is exposed,
前記露出された陽極及び前記絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、Forming a film containing an organic compound on the exposed anode and the insulating film;
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。A method for manufacturing a light-emitting device, comprising forming a cathode over a film containing the organic compound. 絶縁体上にＴＦＴを形成し、TFT is formed on the insulator,
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、Forming an inorganic insulating film on the TFT;
前記無機絶縁膜を平坦化し、Planarizing the inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を形成し、Forming a silicon nitride film or a DLC film on the planarized inorganic insulating film;
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に陽極を形成し、Forming an anode on the silicon nitride film or the DLC film;
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記ＴＦＴ及び前記陽極に接続された配線を形成し、A wiring connected to the TFT and the anode is formed on the silicon nitride film or the DLC film,
前記陽極、前記配線、前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を覆って絶縁膜を形成し、Forming an insulating film covering the anode, the wiring, the silicon nitride film or the DLC film;
前記絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、Etching the insulating film to form an opening so that a part of the anode is exposed,
前記露出された陽極及び前記絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、Forming a film containing an organic compound on the exposed anode and the insulating film;
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。A method for manufacturing a light-emitting device, comprising forming a cathode over a film containing the organic compound. 請求項２６乃至２９のいずれか一において、前記絶縁膜として、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、または酸化珪素膜を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。30. The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 26, wherein a polyimide, acrylic, polyamide, benzocyclobutene, or silicon oxide film is used as the insulating film. 絶縁体上にＴＦＴを形成し、TFT is formed on the insulator,
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、Forming an inorganic insulating film on the TFT;
前記無機絶縁膜を平坦化し、Planarizing the inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線を形成し、A wiring connected to the TFT is formed on the planarized inorganic insulating film,
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記配線に接続された陽極を形成し、Forming an anode connected to the wiring on the planarized inorganic insulating film;
前記陽極、前記配線、前記平坦化された無機絶縁膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、Forming a first insulating film covering the anode, the wiring, and the planarized inorganic insulating film;
前記第１の絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、Etching the first insulating film to form an opening so that a part of the anode is exposed;
前記露出された陽極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、Forming a second insulating film on the exposed anode and the first insulating film;
前記第２の絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、Forming a film containing an organic compound on the second insulating film;
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。A method for manufacturing a light-emitting device, comprising forming a cathode over a film containing the organic compound. 絶縁体上にＴＦＴを形成し、TFT is formed on the insulator,
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、Forming an inorganic insulating film on the TFT;
前記無機絶縁膜を平坦化し、Planarizing the inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に陽極を形成し、Forming an anode on the planarized inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記ＴＦＴ及び前記陽極に接続された配線を形成し、A wiring connected to the TFT and the anode is formed on the planarized inorganic insulating film,
前記陽極、前記配線、前記平坦化された無機絶縁膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、Forming a first insulating film covering the anode, the wiring, and the planarized inorganic insulating film;
前記第１の絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、Etching the first insulating film to form an opening so that a part of the anode is exposed;
前記露出された陽極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、Forming a second insulating film on the exposed anode and the first insulating film;
前記第２の絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、Forming a film containing an organic compound on the second insulating film;
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。A method for manufacturing a light-emitting device, comprising forming a cathode over a film containing the organic compound. 絶縁体上にＴＦＴを形成し、TFT is formed on the insulator,
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、Forming an inorganic insulating film on the TFT;
前記無機絶縁膜を平坦化し、Planarizing the inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を形成し、Forming a silicon nitride film or a DLC film on the planarized inorganic insulating film;
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線を形成し、A wiring connected to the TFT is formed on the silicon nitride film or the DLC film,
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記配線に接続された陽極を形成し、Forming an anode connected to the wiring on the silicon nitride film or the DLC film;
前記陽極、前記配線、前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、Forming a first insulating film covering the anode, the wiring, the silicon nitride film or the DLC film;
前記第１の絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、Etching the first insulating film to form an opening so that a part of the anode is exposed;
前記露出された陽極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、Forming a second insulating film on the exposed anode and the first insulating film;
前記第２の絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、Forming a film containing an organic compound on the second insulating film;
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。A method for manufacturing a light-emitting device, comprising forming a cathode over a film containing the organic compound. 絶縁体上にＴＦＴを形成し、TFT is formed on the insulator,
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、Forming an inorganic insulating film on the TFT;
前記無機絶縁膜を平坦化し、Planarizing the inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を形成し、Forming a silicon nitride film or a DLC film on the planarized inorganic insulating film;
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に陽極を形成し、Forming an anode on the silicon nitride film or the DLC film;
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記ＴＦＴ及び前記陽極に接続された配線を形成し、A wiring connected to the TFT and the anode is formed on the silicon nitride film or the DLC film,
前記陽極、前記配線、前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、Forming a first insulating film covering the anode, the wiring, the silicon nitride film or the DLC film;
前記第１の絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、Etching the first insulating film to form an opening so that a part of the anode is exposed;
前記露出された陽極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、Forming a second insulating film on the exposed anode and the first insulating film;
前記第２の絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、Forming a film containing an organic compound on the second insulating film;
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。A method for manufacturing a light-emitting device, comprising forming a cathode over a film containing the organic compound. 絶縁体上にＴＦＴを形成し、TFT is formed on the insulator,
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、Forming an inorganic insulating film on the TFT;
前記無機絶縁膜を平坦化し、Planarizing the inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線を形成し、A wiring connected to the TFT is formed on the planarized inorganic insulating film,
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記配線に接続された陽極を形成し、Forming an anode connected to the wiring on the planarized inorganic insulating film;
前記陽極、前記配線、前記平坦化された無機絶縁膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、Forming a first insulating film covering the anode, the wiring, and the planarized inorganic insulating film;
前記第１の絶縁膜上に帯電防止膜を形成し、Forming an antistatic film on the first insulating film;
前記ＴＦＴが形成された絶縁体を第１の処理室から第２の処理室に搬送し、The insulator on which the TFT is formed is transferred from the first processing chamber to the second processing chamber,
前記帯電防止膜を除去し、Removing the antistatic film,
前記第１の絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、Etching the first insulating film to form an opening so that a part of the anode is exposed;
前記露出された陽極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、Forming a second insulating film on the exposed anode and the first insulating film;
前記第２の絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、Forming a film containing an organic compound on the second insulating film;
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。A method for manufacturing a light-emitting device, comprising forming a cathode over a film containing the organic compound. 絶縁体上にＴＦＴを形成し、TFT is formed on the insulator,
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、Forming an inorganic insulating film on the TFT;
前記無機絶縁膜を平坦化し、Planarizing the inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に陽極を形成し、Forming an anode on the planarized inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記ＴＦＴ及び前記陽極に接続された配線を形成し、A wiring connected to the TFT and the anode is formed on the planarized inorganic insulating film,
前記陽極、前記配線、前記平坦化された無機絶縁膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、Forming a first insulating film covering the anode, the wiring, and the planarized inorganic insulating film;
前記第１の絶縁膜上に帯電防止膜を形成し、Forming an antistatic film on the first insulating film;
前記ＴＦＴが形成された絶縁体を第１の処理室から第２の処理室に搬送し、The insulator on which the TFT is formed is transferred from the first processing chamber to the second processing chamber,
前記帯電防止膜を除去し、Removing the antistatic film,
前記第１の絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、Etching the first insulating film to form an opening so that a part of the anode is exposed;
前記露出された陽極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、Forming a second insulating film on the exposed anode and the first insulating film;
前記第２の絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、Forming a film containing an organic compound on the second insulating film;
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。A method for manufacturing a light-emitting device, comprising forming a cathode over a film containing the organic compound. 絶縁体上にＴＦＴを形成し、TFT is formed on the insulator,
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、Forming an inorganic insulating film on the TFT;
前記無機絶縁膜を平坦化し、Planarizing the inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を形成し、Forming a silicon nitride film or a DLC film on the planarized inorganic insulating film;
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線を形成し、A wiring connected to the TFT is formed on the silicon nitride film or the DLC film,
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記配線に接続された陽極を形成し、Forming an anode connected to the wiring on the silicon nitride film or the DLC film;
前記陽極、前記配線、前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、Forming a first insulating film covering the anode, the wiring, the silicon nitride film or the DLC film;
前記第１の絶縁膜上に帯電防止膜を形成し、Forming an antistatic film on the first insulating film;
前記ＴＦＴが形成された絶縁体を第１の処理室から第２の処理室に搬送し、The insulator on which the TFT is formed is transferred from the first processing chamber to the second processing chamber,
前記帯電防止膜を除去し、Removing the antistatic film,
前記第１の絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、Etching the first insulating film to form an opening so that a part of the anode is exposed;
前記露出された陽極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、Forming a second insulating film on the exposed anode and the first insulating film;
前記第２の絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、Forming a film containing an organic compound on the second insulating film;
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。A method for manufacturing a light-emitting device, comprising forming a cathode over a film containing the organic compound. 絶縁体上にＴＦＴを形成し、TFT is formed on the insulator,
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、Forming an inorganic insulating film on the TFT;
前記無機絶縁膜を平坦化し、Planarizing the inorganic insulating film;
前記平坦化された無機絶縁膜上に窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を形成し、Forming a silicon nitride film or a DLC film on the planarized inorganic insulating film;
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に陽極を形成し、Forming an anode on the silicon nitride film or the DLC film;
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記ＴＦＴ及び前記陽極に接続された配線を形成し、A wiring connected to the TFT and the anode is formed on the silicon nitride film or the DLC film,
前記陽極、前記配線、前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、Forming a first insulating film covering the anode, the wiring, the silicon nitride film or the DLC film;
前記第１の絶縁膜上に帯電防止膜を形成し、Forming an antistatic film on the first insulating film;
前記ＴＦＴが形成された絶縁体を第１の処理室から第２の処理室に搬送し、The insulator on which the TFT is formed is transferred from the first processing chamber to the second processing chamber,
前記帯電防止膜を除去し、Removing the antistatic film,
前記第１の絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、Etching the first insulating film to form an opening so that a part of the anode is exposed;
前記露出された陽極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、Forming a second insulating film on the exposed anode and the first insulating film;
前記第２の絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、Forming a film containing an organic compound on the second insulating film;
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。A method for manufacturing a light-emitting device, comprising forming a cathode over a film containing the organic compound. 請求項３５乃至３８のいずれか一において、水洗により前記帯電防止膜を除去することを特徴とする発光装置の作製方法。39. The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 35, wherein the antistatic film is removed by washing with water. 請求項３１乃至３９のいずれか一において、前記第１の絶縁膜として、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、または酸化珪素膜を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。40. The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 31, wherein a polyimide, acrylic, polyamide, benzocyclobutene, or silicon oxide film is used as the first insulating film. 請求項３１乃至４０のいずれか一において、前記陽極として、透明導電膜を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。41. The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 31, wherein a transparent conductive film is used as the anode. 請求項３１乃至４０のいずれか一において、前記陽極として、酸化インジウムと酸化亜鉛とが混合された透明導電膜またはＩＴＯを用いることを特徴とする発光装置の作製方法。41. The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 31, wherein a transparent conductive film or ITO in which indium oxide and zinc oxide are mixed is used as the anode. 請求項３１乃至４２のいずれか一において、前記開口部を形成した後に、当該陽極を拭浄することを特徴とする発光装置の作製方法。43. The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 31, wherein the anode is wiped after the opening is formed. 請求項３１乃至４２のいずれか一において、前記開口部を形成した後に、ＰＶＡ系の多孔質材料を用いて当該陽極を拭浄することを特徴とする発光装置の作製方法。43. The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 31, wherein after forming the opening, the anode is wiped with a PVA-based porous material. 請求項２０乃至４４のいずれか一において、前記無機絶縁膜をＣＭＰ法を用いて平坦化45. The planarization according to claim 20, wherein the inorganic insulating film is planarized using a CMP method. することを特徴とする発光装置の作製方法。A method for manufacturing a light-emitting device. 請求項２０乃至４４のいずれか一において、前記無機絶縁膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた積層膜を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。45. The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 20, wherein the inorganic insulating film is a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, a silicon nitride oxide film, or a stacked film including a combination thereof. .
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