JP2002314025A - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

Manufacturing method of semiconductor device

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JP2002314025A
JP2002314025A JP2001117925A JP2001117925A JP2002314025A JP 2002314025 A JP2002314025 A JP 2002314025A JP 2001117925 A JP2001117925 A JP 2001117925A JP 2001117925 A JP2001117925 A JP 2001117925A JP 2002314025 A JP2002314025 A JP 2002314025A
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JP
Japan
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leads
lead
adhesive layer
adhesive
insulating tape
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Mitsuhiro Sakamoto
光弘 坂本
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form an adhesive layer of equal thickness in an accurate position at one portion of a lead for putting an insulation tape, in a semiconductor device that puts the insulating tape to the lead for mounting a semiconductor chip and for carrying out resin sealing. SOLUTION: Plate-shaped metal 1A where an adhesive is printed into a specific pattern is machined, a lead frame 1 where a plurality of leads 5 each having the adhesive layer 10 at each portion are arranged is formed, the insulation tape 8 is put onto the adhesive layer 10 for interlocking the plurality of leads 5 by the insulation tape 8, and the semiconductor chip is mounted to the lead 5 for sealing with resin. The adhesive layer 10 is formed by printing, this making the insulation tape 8 flat and straight, preventing bending and deformation of the leads 5, and furthermore, preventing short-circuitings among the leads due to metal migration since the adhesive layer 10 does not exist between the leads in the insulating tape 8 for interlocking the lead 5.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、特に半導体装置の製造工程において半導体チ
ップを搭載するリードを絶縁テープにて連結支持する方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for connecting and supporting leads for mounting a semiconductor chip with an insulating tape in a semiconductor device manufacturing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年における半導体装置の高集積化に伴
い、半導体チップを搭載するリードの細幅化、微細ピッ
チ化が進められている。このように細幅化、微細ピッチ
化されたリードでは、リードに半導体チップを搭載して
樹脂封止する際に樹脂の流動圧力等によってリードに曲
げが生じ、隣接するリード間が短絡してリード間ショー
トが発生し易くなる。このリード間ショートを防止する
ためにリードを接着剤付きテープで固定する手法が採用
されている。しかしながら、接着剤付きテープでリード
を固定した場合、使用条件によってリード間の接着剤が
発生経路となって金属イオンマイグレーションが発生
し、リード間ショートが発生する可能性がある。この金
属イオンマイグレーションについては、特許第2735
532号公報、特許第275873号公報に記載があ
り、簡単に説明すれば、リードを構成するCu等の金属
イオンがリード間に介在される接着剤層を通して隣接す
るリードに向けて移動されるため、接着剤層中に金属層
が形成され当該金属によってリード間ショートが発生す
るものである。
2. Description of the Related Art With the recent increase in the degree of integration of semiconductor devices, narrowing and fine pitching of leads for mounting semiconductor chips have been promoted. In such a narrow and fine pitch lead, when a semiconductor chip is mounted on the lead and the resin is sealed, the lead is bent by flow pressure of the resin or the like, and the adjacent leads are short-circuited. A short circuit is likely to occur. In order to prevent the short circuit between the leads, a method of fixing the leads with a tape with an adhesive is adopted. However, when the leads are fixed with a tape with an adhesive, there is a possibility that the adhesive between the leads becomes a generation path depending on the use conditions, metal ion migration occurs, and a short circuit between the leads occurs. This metal ion migration is described in Japanese Patent No. 2735.
No. 532 and Japanese Patent No. 275873. Briefly described, metal ions such as Cu constituting a lead are moved toward an adjacent lead through an adhesive layer interposed between the leads. In addition, a metal layer is formed in the adhesive layer, and the metal causes a short between leads.

【0003】このような金属イオンマイグレーションを
防止するための一つの手法として、前述の特許第273
5532号公報に記載の技術では、リードの表面の一部
領域に孤立接着剤層を形成し、この孤立接着剤層を利用
して絶縁テープを接着する技術が開示されている。この
場合、孤立接着剤層を刷毛等によってリードの表面に塗
布している。この技術によれば、隣接するリード間に接
着剤が存在しないため、金属イオンマイグレーションの
発生が防止される。
One method for preventing such metal ion migration is described in the aforementioned Japanese Patent No. 273.
Japanese Patent No. 5532 discloses a technique in which an isolated adhesive layer is formed in a partial region of the surface of a lead, and an insulating tape is bonded using the isolated adhesive layer. In this case, an isolated adhesive layer is applied to the surface of the lead with a brush or the like. According to this technique, since there is no adhesive between adjacent leads, occurrence of metal ion migration is prevented.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】前述の公報に記載の技
術はリードの一部領域の表面に接着剤層を形成する手法
として刷毛等によって接着剤を塗布する技術であるた
め、接着剤を均等な厚さでしかもリードの所定の領域に
対して正確に塗布することが難しく、絶縁テープを平坦
かつ真直な状態に接着することが難しくなる。また、塗
布時にリードからはみ出した接着剤が後工程での異物と
なり、製造する半導体装置の品質低下をまねく要因にな
り易い。さらに、リードに対して刷毛を接触させた状態
で塗布を行うため、細幅のリードに曲げや変形が生じて
後工程の半導体チップの搭載に支障が生じ易くなる。
The technique described in the above-mentioned publication is a technique in which an adhesive is applied by a brush or the like as a technique for forming an adhesive layer on the surface of a part of a lead. It is difficult to accurately apply the insulating tape to a predetermined area of the lead, and it is difficult to adhere the insulating tape in a flat and straight state. In addition, the adhesive that has run out of the leads at the time of application becomes foreign matter in a later process, and is likely to be a factor that leads to deterioration in the quality of a semiconductor device to be manufactured. Furthermore, since the application is performed while the brush is in contact with the leads, the narrow leads are likely to bend or deform, which tends to hinder the mounting of the semiconductor chip in a later step.

【0005】本発明の目的は、リードの一部領域に対し
て均等な厚さでかつ正確な位置に接着剤層を形成するこ
とが可能であり、これによりリード間の金属イオンマイ
グレーションによるショートを防止した半導体装置の製
造方法を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to form an adhesive layer at an accurate position at a uniform thickness on a part of a lead, thereby preventing a short circuit between the leads due to metal ion migration. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the prevention is prevented.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の製造方法
は、配列された複数本のリードの表面の一部領域に接着
剤を印刷して接着剤層を形成する工程と、前記接着剤層
上に絶縁テープを貼り付けて前記複数本のリードを前記
絶縁テープにより連結する工程と、前記リードに半導体
チップを搭載しかつ樹脂封止する工程とを含むことを特
徴とする。
According to a first manufacturing method of the present invention, an adhesive layer is formed by printing an adhesive on a partial area of the surface of a plurality of arranged leads; The method includes a step of attaching an insulating tape on an agent layer to connect the plurality of leads with the insulating tape, and a step of mounting a semiconductor chip on the leads and sealing the resin with a resin.

【0007】また、本発明の第2の製造方法は、板状の
導電体に接着剤を所要のパターンに印刷して接着剤層を
形成する工程と、前記板状の導電体を加工し各一部に前
記接着剤層を有する複数本の配列されたリードを形成す
る工程と、前記接着剤層上に絶縁テープを貼り付けて前
記複数本のリードを前記絶縁テープにより連結する工程
と、前記リードに半導体チップを搭載しかつ樹脂封止す
る工程とを含むことを特徴とする。
Further, a second manufacturing method of the present invention comprises a step of printing an adhesive on a plate-shaped conductor in a required pattern to form an adhesive layer, and a step of processing the plate-shaped conductor to form an adhesive layer. Forming a plurality of arranged leads partially having the adhesive layer, and attaching an insulating tape on the adhesive layer to connect the plurality of leads by the insulating tape; Mounting the semiconductor chip on the lead and sealing with resin.

【0008】本発明の前記第1及び第2の製造方法にお
いては、前記接着剤の印刷に当該接着剤をリードの表面
に転写するスタンパを用いる。また、前記リードは放射
状パターンに形成されており、前記絶縁テープは前記複
数本のリードの延長方向と直交する方向に延長される無
端状パターンに形成されている。
In the first and second manufacturing methods of the present invention, a stamper for transferring the adhesive to the surface of the lead is used for printing the adhesive. Further, the leads are formed in a radial pattern, and the insulating tape is formed in an endless pattern extending in a direction orthogonal to an extending direction of the plurality of leads.

【0009】本発明の製造方法では、印刷によりリード
の表面に接着剤層を形成しているため、複数のリードの
表面に均等な厚さでかつ正確な位置に接着剤層を形成す
ることが可能であり、絶縁テープを平坦かつ真直な状態
に接着することが可能になり、リードに曲げや変形が生
じることはない。また、リードに半導体チップを搭載し
樹脂封止を行った際におけるリードの曲げ、ずれ、浮き
等が防止され、リードの相互接触による短絡や樹脂がリ
ード間に漏れ出るようなことが防止される。さらに、リ
ードを連結する絶縁テープにはリード間に接着剤層が存
在しておらず、金属マイグレーションによるリード間シ
ョートが生じることはない。
In the manufacturing method of the present invention, since the adhesive layer is formed on the surface of the lead by printing, it is possible to form the adhesive layer on the surface of a plurality of leads with a uniform thickness and at a precise position. It is possible to bond the insulating tape in a flat and straight state, and the lead does not bend or deform. Also, when the semiconductor chip is mounted on the leads and the resin is sealed, bending, displacement, floating, etc. of the leads are prevented, and short circuit due to mutual contact of the leads and leakage of the resin between the leads are prevented. . Further, the adhesive tape connecting the leads does not have an adhesive layer between the leads, and there is no occurrence of a short between leads due to metal migration.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図1(a)は本発明が適用される半
導体装置のリードフレームの平面図である。リードフレ
ーム1は板状金属をプレス加工した枠状のフレーム2
と、前記フレーム2のほぼ中央位置に配置され吊りリー
ド4により前記フレーム2に支持されたアイランド(タ
ブ)3と、前記フレーム2の四辺部に外端部5aが連結
され内端部5bが自由端とされて前記アイランド3の四
周囲にそれぞれ所要の間隔で並列状態に配列された多数
本のリード5とを一体に有している。そして、図1
(b)に示すように、前記アイランド3には半導体チッ
プ6がマウントされ、かつ当該半導体チップ6の電極と
前記リード5の内端部5bは金属細線7によってワイヤ
ボンディングされる。また、前記リード5には矩形枠状
をした絶縁テープ8を接着して複数本のリード5を絶縁
テープ8によって連結し、リード5の曲げ、ずれ、浮き
等を防止する。その上で前記半導体チップ7及びリード
内端部5bを樹脂9で封止し、その後、吊りリード4や
リード外端部5aをフレーム2から切断分離して半導体
装置を完成する。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a plan view of a lead frame of a semiconductor device to which the present invention is applied. The lead frame 1 is a frame 2 formed by pressing a sheet metal.
And an island (tab) 3 arranged at a substantially central position of the frame 2 and supported by the frame 2 by hanging leads 4, and an outer end 5a is connected to four sides of the frame 2 and an inner end 5b is free. A large number of leads 5 are arranged integrally around the four sides of the island 3 and are arranged in parallel at required intervals. And FIG.
As shown in (b), a semiconductor chip 6 is mounted on the island 3, and the electrodes of the semiconductor chip 6 and the inner ends 5 b of the leads 5 are wire-bonded by thin metal wires 7. Further, a rectangular frame-shaped insulating tape 8 is adhered to the leads 5 to connect the plurality of leads 5 with the insulating tapes 8 to prevent the leads 5 from being bent, displaced, and floated. Then, the semiconductor chip 7 and the inner end 5b of the lead are sealed with a resin 9, and then the suspension lead 4 and the outer end 5a of the lead are cut and separated from the frame 2 to complete the semiconductor device.

【0011】図2は本発明の製造方法の第1の実施形態
を説明する図である。図1に示したリードフレーム1を
プレス加工するための上型12と下型13とで構成され
るプレス機11と、前記プレス機11の後工程側に隣接
配置されたスタンパ21とを備える。前記スタンパ21
は前記プレス機11によりプレス加工されたリードフレ
ーム1を載置するテーブル22と、前記テーブル22上
のリードフレーム1の表面に対して上下動する可動体2
3を有し、当該可動体23の下面に矩形の枠状の接着剤
スタンプ面24を有している。前記接着剤スタンプ面2
4には前記矩形の枠状に沿って浅い凹部25が形成され
るとともに、当該凹部25内には複数の微小なノズル2
6が配列状態で開口されており、前記各ノズル26は可
動体23内の連通穴27を介して図外の接着剤供給源に
共通に接続されている。前記接着剤供給源は前記連通穴
27を通して前記各ノズル26に接着剤を吐出すること
が可能にされている。
FIG. 2 is a view for explaining a first embodiment of the manufacturing method of the present invention. The press machine 11 includes an upper die 12 and a lower die 13 for press-working the lead frame 1 shown in FIG. 1, and a stamper 21 arranged adjacent to a post-process side of the press machine 11. The stamper 21
Is a table 22 on which the lead frame 1 pressed by the press machine 11 is placed, and a movable body 2 which moves up and down with respect to the surface of the lead frame 1 on the table 22.
3 and has a rectangular frame-shaped adhesive stamp surface 24 on the lower surface of the movable body 23. The adhesive stamp surface 2
4, a shallow recess 25 is formed along the rectangular frame shape, and a plurality of minute nozzles 2 are formed in the recess 25.
6 are opened in an array state, and the nozzles 26 are commonly connected to an adhesive supply source (not shown) via a communication hole 27 in the movable body 23. The adhesive supply source can discharge the adhesive to each of the nozzles 26 through the communication holes 27.

【0012】この第1の実施形態によれば、図2のプレ
ス機11に板状金属1Aをセットし、当該板状金属1A
をプレス機11によりプレス加工し、図3(a1),
(a2)に平面図とII−II線拡大断面図(以下、同様)
を示すようにリードフレーム1を形成する。これは図1
(a)のリードフレーム1と同じである。次いで、加工
された前記リードフレーム1をスタンパ21にまで移動
してテーブル22上にセットし、可動体23を下動して
リードフレーム1の表面に押圧する。可動体23では接
着剤供給源から供給される接着剤が各ノズル26から吐
出されて下面の凹部25内に充填されているため、可動
体23のスタンプ面24をリードフレーム1のリード5
の表面に押圧することにより凹部25内の接着剤がリー
ドの表面に転写(印刷)される。これにより、図3(b
1),(b2)のように、各リード5の表面の長さ方向
の一部に接着剤層10が形成される。ここで、接着剤に
はフェノール樹脂が用いられる。しかる後、図3(c
1),(c2)のように、前記接着剤層10の上に矩形
枠状に形成したポリイミド等の絶縁テープ8を貼り付
け、その後熱処理して接着剤を熱硬化することで絶縁テ
ープ8をリード5の表面に貼り付けることが可能であ
る。
According to the first embodiment, the sheet metal 1A is set on the press 11 shown in FIG.
Is pressed by a press machine 11, and FIG. 3 (a1),
(A2) is a plan view and an enlarged cross-sectional view taken along line II-II (the same applies hereinafter).
The lead frame 1 is formed as shown in FIG. This is Figure 1
This is the same as the lead frame 1 of FIG. Next, the processed lead frame 1 is moved to the stamper 21 and set on the table 22, and the movable body 23 is moved downward to press the surface of the lead frame 1. In the movable body 23, the adhesive supplied from the adhesive supply source is discharged from each nozzle 26 and is filled in the recess 25 on the lower surface.
The adhesive in the recess 25 is transferred (printed) to the surface of the lead by pressing the surface of the lead. As a result, FIG.
As shown in 1) and (b2), the adhesive layer 10 is formed on a part of the surface of each lead 5 in the length direction. Here, a phenol resin is used for the adhesive. After a while, FIG.
As shown in 1) and (c2), an insulating tape 8 of polyimide or the like formed in a rectangular frame shape is adhered on the adhesive layer 10 and then heat-treated to thermally cure the adhesive, thereby forming the insulating tape 8. It can be attached to the surface of the lead 5.

【0013】このように、リード5の表面に印刷法によ
って接着剤層10を形成しているため、複数のリード5
の表面に均等な厚さでかつ正確な位置に接着剤層10を
形成することが可能であり、絶縁テープ8を平坦かつ真
直な状態に接着するとともに、従来の刷毛で塗布する方
法に比較してリード5に曲げや変形が生じることもな
く、塗布時にリードからはみ出した接着剤が後工程での
異物となって製造する半導体装置の品質低下をまねくよ
うなこともない。
As described above, since the adhesive layer 10 is formed on the surface of the lead 5 by the printing method, a plurality of leads 5 are formed.
It is possible to form the adhesive layer 10 at a uniform thickness and at an accurate position on the surface of the insulating tape 8, and to adhere the insulating tape 8 in a flat and straight state, and to compare with the conventional method of applying with a brush. As a result, the lead 5 is not bent or deformed, and the adhesive which has run out of the lead at the time of application does not become a foreign matter in a subsequent process, which does not cause deterioration of the quality of the semiconductor device to be manufactured.

【0014】図4は本発明の製造方法の第2の実施形態
を説明する図である。なお、第1の実施形態と等価な部
分には同一符号を付してある。第2の実施形態では、図
1に示したリードフレーム1をプレス加工するプレス機
11と、前記プレス機11の前工程側に隣接配置された
スタンパ21とを備える。前記スタンパ21は前記プレ
ス機11においてプレス加工する前の板状金属1Aを載
置するテーブル22と、前記テーブル22の表面に対し
て上下動する可動体23を有し、当該可動体23の下面
に矩形の枠状の接着剤スタンプ面24を有している。第
1の実施形態と同様に、前記接着剤スタンプ面24には
前記矩形の枠状に沿って浅い凹部25が形成されるとと
もに、当該凹部25内には複数の微小なノズル26が配
列状態で開口されており、前記各ノズル26は可動体2
3内の連通穴27を介して図外の接着剤供給源に共通に
接続されている。前記接着剤供給源からは前記連通穴2
7を通して前記各ノズル26に接着剤を吐出するように
構成される。
FIG. 4 is a view for explaining a second embodiment of the manufacturing method of the present invention. Note that parts equivalent to those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals. In the second embodiment, a press machine 11 for pressing the lead frame 1 shown in FIG. 1 is provided, and a stamper 21 arranged adjacent to a pre-process side of the press machine 11 is provided. The stamper 21 has a table 22 on which the sheet metal 1A before being pressed by the press machine 11 is placed, and a movable body 23 that moves up and down with respect to the surface of the table 22, and a lower surface of the movable body 23 Has an adhesive stamp surface 24 in the form of a rectangular frame. As in the first embodiment, a shallow concave portion 25 is formed on the adhesive stamp surface 24 along the rectangular frame shape, and a plurality of minute nozzles 26 are arranged in the concave portion 25 in an arranged state. Each of the nozzles 26 is opened.
3 are commonly connected to an adhesive supply source (not shown) via a communication hole 27. The communication hole 2 is provided from the adhesive supply source.
7 to discharge the adhesive to each of the nozzles 26.

【0015】この第2の実施形態によれば、先ず加工前
の板状金属1Aをスタンパ21にセットし、可動体23
を下動して板状金属1Aの表面に押圧する。可動体23
では接着剤供給源から供給される接着剤が各ノズル26
から吐出されて下面の凹部25内に充填されているた
め、可動体23のスタンプ面24を板状金属1Aの表面
に押圧することにより、図5(a1),(a2)のよう
に、凹部25内の接着剤が板状金属1Aの表面に転写
(印刷)され接着剤層10が形成される。次いで、板状
金属1Aをプレス機11にセットし、板状金属1Aをプ
レス加工して図5(b1),(b2)のようにリードフ
レーム1を形成する。これにより、プレス加工されたリ
ードフレーム1の複数のリード5の表面の長さ方向の一
部に接着剤層10が形成される。しかる後、図5(c
1),(c2)のように、前記接着剤層10の上に矩形
枠状に形成したポリイミド等の絶縁テープ8を貼り付
け、その後熱処理して接着剤を熱硬化することで絶縁テ
ープ8をリード5に貼り付けることが可能である。
According to the second embodiment, first, the sheet metal 1A before processing is set on the stamper 21 and the movable body 23
Is moved downward and pressed against the surface of the sheet metal 1A. Movable body 23
In this case, the adhesive supplied from the adhesive supply source
5a, the stamp surface 24 of the movable body 23 is pressed against the surface of the plate-like metal 1A, and thus the concave portion 25 is filled as shown in FIGS. The adhesive in 25 is transferred (printed) to the surface of the plate-shaped metal 1A, and the adhesive layer 10 is formed. Next, the sheet metal 1A is set on the press machine 11, and the sheet metal 1A is pressed to form the lead frame 1 as shown in FIGS. 5 (b1) and 5 (b2). Thus, the adhesive layer 10 is formed on a part of the surface of the plurality of leads 5 of the pressed lead frame 1 in the length direction. After a while, FIG.
As shown in 1) and (c2), an insulating tape 8 of polyimide or the like formed in a rectangular frame shape is pasted on the adhesive layer 10 and then heat-treated to thermally cure the adhesive, thereby forming the insulating tape 8. It can be attached to the lead 5.

【0016】このように、板状金属1Aの表面に印刷法
によって接着剤層10を形成し、その後に板状金属1A
をプレス加工してリードフレーム1を形成しているた
め、複数のリード5の表面に均等な厚さでかつ正確な位
置に接着剤層10を形成することが可能であり、絶縁テ
ープ8を平坦かつ真直な状態に接着するとともに、従来
の刷毛で塗布する方法に比較してリード5に曲げや変形
が生じることもなく、塗布時にリード5からはみ出した
接着剤が後工程での異物となり、製造する半導体装置の
品質低下をまねくようなこともない。
As described above, the adhesive layer 10 is formed on the surface of the sheet metal 1A by the printing method, and thereafter, the sheet metal 1A is formed.
Is pressed to form the lead frame 1, so that the adhesive layer 10 can be formed on the surfaces of the plurality of leads 5 at a uniform thickness and at accurate positions, and the insulating tape 8 can be flattened. In addition to being adhered in a straight state, the lead 5 does not bend or deform as compared with the conventional method of applying with a brush, and the adhesive that has protruded from the lead 5 at the time of application becomes foreign matter in a later process, and The quality of the semiconductor device does not deteriorate.

【0017】以上の第1又は第2の実施形態で説明した
ように形成したリードフレーム1に対し、図1(b)に
示したように、アイランド3上に半導体チップ6をマウ
ントし、当該半導体チップ6の電極とリード内端部5b
とを金属細線7によって電気接続し、その上で前記半導
体チップ6とリード内端部5bを樹脂9により封止す
る。このとき、前記リード5には矩形枠状をした絶縁テ
ープ8を接着して隣接するリード5を相互に連結してい
るため、樹脂封止時の樹脂流の圧力がリード5に加えら
れてもリード5の曲げ、ずれ、浮き等が防止され、隣接
するリード5の相互接触による短絡や樹脂9がリード間
に漏れ出るようなことが防止される。その後は、吊りリ
ード4及びリード外端部5aをフレーム2から切断分離
することで半導体装置が製造されるが、この半導体装置
ではリード5を連結する絶縁テープ8のリード間の領域
には接着剤層10が存在していないため、金属マイグレ
ーションによるリード間ショートが防止されることは言
うまでもない。
The semiconductor chip 6 is mounted on the island 3 on the lead frame 1 formed as described in the first or second embodiment as shown in FIG. Electrode of chip 6 and inner end 5b of lead
Are electrically connected by a thin metal wire 7, and then the semiconductor chip 6 and the inner end 5 b of the lead are sealed with a resin 9. At this time, a rectangular frame-shaped insulating tape 8 is adhered to the leads 5 to connect the adjacent leads 5 to each other, so that even if the pressure of the resin flow at the time of resin sealing is applied to the leads 5, The leads 5 are prevented from being bent, displaced, floated, etc., and short-circuiting due to mutual contact between the adjacent leads 5 and leakage of the resin 9 between the leads are prevented. Thereafter, a semiconductor device is manufactured by cutting and separating the suspension leads 4 and the lead outer end portions 5a from the frame 2. In this semiconductor device, an area between the leads of the insulating tape 8 connecting the leads 5 is provided with an adhesive. Since the layer 10 does not exist, it goes without saying that a short between leads due to metal migration is prevented.

【0018】ここで、前記第1及び第2の実施形態は板
状金属をプレス加工したリードフレームを用いる半導体
装置に本発明を適用した例を示したが、絶縁フィルム上
に設けた銅薄膜等を所要のパターンに形成したリードに
半導体チップを搭載するTAB構造の半導体装置におい
ても、絶縁フィルムに設けた開口内に突出状態に配列さ
れるリードを絶縁テープによって連結する場合に本発明
を適用することも可能である。また、前記実施形態では
リードフレームに設けたアイランドに半導体チップを搭
載してリード内端部とを金属細線によってワイヤボンデ
ィングする構成例を示したが、リードの内端部に半導体
チップの電極を直接的に接続して半導体チップを搭載す
る構成の半導体装置においても本発明を同様に適用する
ことが可能である。
Here, the first and second embodiments show examples in which the present invention is applied to a semiconductor device using a lead frame formed by pressing a plate-like metal. However, a copper thin film or the like provided on an insulating film is used. The present invention is also applied to a semiconductor device having a TAB structure in which a semiconductor chip is mounted on a lead formed in a required pattern and a lead arranged in a protruding state in an opening provided in an insulating film is connected by an insulating tape. It is also possible. Further, in the above embodiment, the configuration example in which the semiconductor chip is mounted on the island provided on the lead frame and the inner end of the lead is wire-bonded to the inner end of the lead by a thin metal wire is shown. The present invention can be similarly applied to a semiconductor device having a configuration in which semiconductor chips are mounted by being connected to each other.

【0019】また、前記実施形態では接着剤を印刷する
ための装置としてスタンパを用いた例を示しているが、
移動されるリードフレームの表面に対してローラ型の転
写装置によって接着剤を所要のパターンに印刷する構成
としてもよい。
In the above-described embodiment, an example is shown in which a stamper is used as an apparatus for printing an adhesive.
The adhesive may be printed in a required pattern on the surface of the lead frame to be moved by a roller-type transfer device.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、印刷によ
りリードの表面に接着剤層を形成しているため、複数の
リードの表面に均等な厚さでかつ正確な位置に接着剤層
を形成することが可能であり、絶縁テープを平坦かつ真
直な状態に接着することが可能になり、リードに曲げや
変形が生じることはなく、また、リードに半導体チップ
を搭載し樹脂封止を行った際におけるリードの曲げ、ず
れ、浮き等が防止され、リードの相互接触による短絡や
樹脂がリード間に漏れ出るようなことが防止される。さ
らに、リードを連結する絶縁テープにはリード間に接着
剤層が存在しておらず、金属マイグレーションによるリ
ード間ショートが生じることはなく、高品質の半導体装
置の製造が実現できる。
As described above, according to the present invention, the adhesive layer is formed on the surface of the lead by printing. It is possible to bond the insulating tape in a flat and straight state, without bending or deformation of the leads, and mounting the semiconductor chip on the leads and performing resin sealing. In this case, bending, displacement, floating, and the like of the leads are prevented, and a short circuit due to mutual contact of the leads and leakage of resin between the leads are prevented. Further, the insulating tape connecting the leads does not have an adhesive layer between the leads, so that no short circuit between the leads due to metal migration occurs and a high-quality semiconductor device can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明にかかる半導体装置のリードフレーム
と、そのリードフレームを用いた半導体装置の一部を破
断した平面図である。
FIG. 1 is a plan view in which a lead frame of a semiconductor device according to the present invention and a part of a semiconductor device using the lead frame are cut away.

【図2】本発明の第1の実施形態を説明するための模式
構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining a first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施形態を説明するためのリー
ドフレームの平面図とII−II線拡大断面図である。
FIGS. 3A and 3B are a plan view and an enlarged cross-sectional view taken along line II-II of the lead frame for explaining the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の実施形態を説明するための模式
構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram for explaining a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2の実施形態を説明するためのリー
ドフレームの平面図とII−II線拡大断面図である。
FIG. 5 is a plan view of a lead frame and an enlarged cross-sectional view taken along line II-II for describing a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 リードフレーム 1A 板状金属 2 フレーム 3 アイランド 4 吊りリード 5 リード 6 半導体チップ 7 金属細線 8 絶縁テープ 9 樹脂 10 接着剤層 11 プレス機 21 スタンパ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 1A Plate-shaped metal 2 Frame 3 Island 4 Suspended lead 5 Lead 6 Semiconductor chip 7 Thin metal wire 8 Insulating tape 9 Resin 10 Adhesive layer 11 Press machine 21 Stamper

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 配列された複数本のリードの表面の一部
領域に接着剤を印刷して接着剤層を形成する工程と、前
記接着剤層上に絶縁テープを貼り付けて前記複数本のリ
ードを前記絶縁テープにより連結する工程と、前記リー
ドに半導体チップを搭載しかつ樹脂封止する工程とを含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
A step of printing an adhesive on a partial area of the surface of the plurality of leads arranged to form an adhesive layer; and attaching an insulating tape on the adhesive layer to form the plurality of leads. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of connecting leads with the insulating tape; and a step of mounting a semiconductor chip on the leads and sealing the resin.
【請求項2】 板状の導電体に接着剤を所要のパターン
に印刷して接着剤層を形成する工程と、前記板状の導電
体を加工し各一部に前記接着剤層を有する複数本の配列
されたリードを形成する工程と、前記接着剤層上に絶縁
テープを貼り付けて前記複数本のリードを前記絶縁テー
プにより連結する工程と、前記リードに半導体チップを
搭載しかつ樹脂封止する工程とを含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
2. A step of printing an adhesive on a plate-shaped conductor in a required pattern to form an adhesive layer, and a step of processing the plate-shaped conductor and having the adhesive layer on a part thereof. Forming an array of leads, attaching an insulating tape on the adhesive layer and connecting the plurality of leads with the insulating tape, mounting a semiconductor chip on the leads, and sealing with a resin. Stopping the semiconductor device.
【請求項3】 前記接着剤の印刷に当該接着剤をリード
の表面に転写するスタンパを用いることを特徴とする請
求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a stamper for transferring the adhesive to the surface of the lead is used for printing the adhesive.
【請求項4】 前記リードは放射状パターンに形成され
ており、前記絶縁テープは前記複数本のリードの延長方
向と直交する方向に延長される無端状パターンに形成さ
れていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか
に記載の半導体装置の製造方法。
4. The method according to claim 1, wherein the leads are formed in a radial pattern, and the insulating tape is formed in an endless pattern extending in a direction orthogonal to an extending direction of the plurality of leads. Item 4. The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of Items 1 to 3.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008282905A (en) * 2007-05-09 2008-11-20 Denso Corp Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP2009212269A (en) * 2008-03-04 2009-09-17 Denso Corp Mold package and method of manufacturing the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008282905A (en) * 2007-05-09 2008-11-20 Denso Corp Semiconductor device and manufacturing method therefor
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