JP2002308938A - Ether compound, polymer compound, resist material and pattern-forming method - Google Patents

Ether compound, polymer compound, resist material and pattern-forming method

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JP2002308938A JP2002005779A JP2002005779A JP2002308938A JP 2002308938 A JP2002308938 A JP 2002308938A JP 2002005779 A JP2002005779 A JP 2002005779A JP 2002005779 A JP2002005779 A JP 2002005779A JP 2002308938 A JP2002308938 A JP 2002308938A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a resist material which comprises as a base resin a polymer compound and is sensitive to high energy rays, excellent in sensitivity, resolution and etching resistance and therefore suitable for use in microfabrication by electron rays or far ultraviolet rays. SOLUTION: An ether compound represented by formula (I) (wherein R<1> is hydrogen atom or a 1-6C linear, branched or cyclic alkyl group; R<2> is a 1-6C linear, branched or cyclic alkyl group; R<3> is hydrogen atom or a 1-15C aryl or alkoxycarbonyl group, and hydrogen atoms on the constituent carbon may be partially or totally replaced with a halogen atom; (k) is an integer of 0 or 1; (m) is an integer of 0-3; and (n) is an integer of 3-6) is provided. The resist material has low absorption particularly at an exposed wavelength of an ArF excimer laser or a KrF excimer laser and therefore can easily form a fine pattern perpendicular to a substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、(1)特定のエー
テル化合物(2)特定の繰り返し単位を含有する高分子
化合物(3)この高分子化合物をベース樹脂として含有
するレジスト材料、及び(4)このレジスト材料を用い
たパターン形成方法に関する。
The present invention relates to (1) a specific ether compound, (2) a polymer compound containing a specific repeating unit, (3) a resist material containing the polymer compound as a base resin, and (4) The present invention relates to a pattern forming method using the resist material.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、LSIの高集積化と高速度化に伴
い、パターンルールの微細化が求められているなか、次
世代の微細加工技術として遠紫外線リソグラフィーが有
望視されている。中でもKrFエキシマレーザー光、A
rFエキシマレーザー光を光源としたフォトリソグラフ
ィーは、0.3μm以下の超微細加工に不可欠な技術と
してその実現が切望されている。
2. Description of the Related Art In recent years, as the integration and speed of LSIs have become higher and higher, the pattern rules have been required to be finer. Among them, KrF excimer laser light, A
Photolithography using an rF excimer laser beam as a light source has long been desired to be realized as a technology indispensable for ultra-fine processing of 0.3 μm or less.

【0003】KrFエキシマレーザー用レジスト材料で
は、実用可能レベルの透明性とエッチング耐性を併せ持
つポリヒドロキシスチレンが事実上の標準ベース樹脂と
なっている。ArFエキシマレーザー用レジスト材料で
は、ポリアクリル酸又はポリメタクリル酸の誘導体や脂
肪族環状化合物を主鎖に含有する高分子化合物等の材料
が検討されているが、いずれのものについても長所と短
所があり、未だ標準ベース樹脂が定まっていないのが現
状である。
In a resist material for a KrF excimer laser, polyhydroxystyrene, which has practically usable transparency and etching resistance, has become a practically standard base resin. In the case of resist materials for ArF excimer lasers, materials such as polyacrylic acid or polymethacrylic acid derivatives and high molecular weight compounds containing an aliphatic cyclic compound in the main chain have been studied. Yes, the standard base resin has not yet been determined.

【0004】即ち、ポリアクリル酸又はポリメタクリル
酸の誘導体を用いたレジスト材料の場合、酸分解性基の
反応性が高い、基板密着性に優れる等の利点が有り、感
度と解像性については比較的良好な結果が得られるもの
の、樹脂の主鎖が軟弱なためにエッチング耐性が極めて
低く、実用的でない。一方、脂肪族環状化合物を主鎖に
含有する高分子化合物を用いたレジスト材料の場合、樹
脂の主鎖が十分剛直なためにエッチング耐性は実用レベ
ルにあるものの、酸分解性保護基の反応性がアクリル系
のものに比べて大きく劣るために低感度及び低解像性で
あり、また樹脂の主鎖が剛直過ぎるために基板密着性が
低く、やはり好適でない。パターンルールのより一層の
微細化が求められる中、感度、解像性、及びエッチング
耐性のすべてにおいて優れた性能を発揮するレジスト材
料が必要とされているのである。
That is, a resist material using a derivative of polyacrylic acid or polymethacrylic acid has advantages such as high reactivity of an acid-decomposable group and excellent substrate adhesion. Although relatively good results are obtained, the etching resistance is extremely low due to the soft main chain of the resin, which is not practical. On the other hand, in the case of a resist material using a polymer compound containing an aliphatic cyclic compound in the main chain, although the etching resistance is at a practical level because the main chain of the resin is sufficiently rigid, the reactivity of the acid-decomposable protecting group is high. Is inferior to acrylics, resulting in low sensitivity and low resolution, and the main chain of the resin is too rigid, resulting in poor substrate adhesion, which is also not suitable. As the pattern rule is required to be further miniaturized, a resist material exhibiting excellent performance in all of sensitivity, resolution, and etching resistance is required.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みなされたもので、(1)基板密着性に優れた高分子化
合物を与えるエーテル化合物(2)反応性、剛直性及び
基板密着性に優れる高分子化合物、(3)該高分子化合
物をベース樹脂とし、従来品を大きく上回る解像性及び
エッチング耐性を有するレジスト材料、及び(4)該レ
ジスト材料を用いたパターン形成方法を提供することを
目的とする。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and (1) an ether compound which gives a polymer compound having excellent substrate adhesion (2) reactivity, rigidity and substrate adhesion An excellent polymer compound, (3) a resist material using the polymer compound as a base resin and having resolution and etching resistance far higher than conventional products, and (4) a pattern forming method using the resist material. With the goal.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、後述する方法によって得られる下記一般式(1)で
示される新規エーテル化合物が優れた基板密着性を有す
る高分子化合物の原料となること、この化合物を用いて
得られる重量平均分子量1,000〜500,000の
新規高分子化合物が反応性、剛直性に優れること、この
化合物を用いて得られるベース樹脂として用いたレジス
ト材料が高解像性及び高エッチング耐性を有すること、
そしてこのレジスト材料が精密な微細加工に極めて有効
であることを知見した。
Means for Solving the Problems and Embodiments of the Invention The present inventors have conducted intensive studies in order to achieve the above object, and as a result, a novel ether compound represented by the following general formula (1) obtained by the method described below. Is a raw material of a polymer compound having excellent substrate adhesion, and a novel polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000 obtained using this compound is excellent in reactivity and rigidity. The resist material used as the base resin obtained using the compound has high resolution and high etching resistance,
They have found that this resist material is extremely effective for precise fine processing.

【0007】即ち、本発明は下記のエーテル化合物を提
供する。 [I]下記一般式(1)で示されるエーテル化合物。
That is, the present invention provides the following ether compounds. [I] An ether compound represented by the following general formula (1).

【化7】 (式中、Rは水素原子、又は炭素数1〜6の直鎖状、
分岐状又は環状のアルキル基を示す。Rは炭素数1〜
6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R
は水素原子、又は炭素数1〜15のアシル基もしくはア
ルコキシルカルボニル基を示し、構成炭素上の水素原子
の一部又は全部がハロゲン原子に置換されていてもよ
い。kは0又は1、mは0〜3、nは3〜6の整数であ
る。)
Embedded image (In the formula, R 1 is a hydrogen atom or a straight chain having 1 to 6 carbon atoms;
Shows a branched or cyclic alkyl group. R 2 has 1 to 1 carbon atoms
6 represents a linear, branched or cyclic alkyl group. R 3
Represents a hydrogen atom, or an acyl group or an alkoxylcarbonyl group having 1 to 15 carbon atoms, and a part or all of the hydrogen atoms on the constituent carbons may be substituted with a halogen atom. k is 0 or 1, m is an integer of 0 to 3, and n is an integer of 3 to 6. )

【0008】また、本発明は下記の高分子化合物を提供
する。 [II]上記一般式(1)で示されるエーテル化合物を
原料とする下記一般式(1−1)又は(1−2)で示さ
れる繰り返し単位を含有し、重量平均分子量1,000
〜500,000であることを特徴とする高分子化合
物。
Further, the present invention provides the following polymer compound. [II] It contains a repeating unit represented by the following general formula (1-1) or (1-2) starting from an ether compound represented by the general formula (1), and has a weight average molecular weight of 1,000.
A polymer compound having a molecular weight of up to 500,000.

【化8】 (式中、k、m、n、R〜Rは上記と同様の意味を
示す。)
Embedded image (In the formula, k, m, n, and R 1 to R 3 have the same meanings as described above.)

【0009】[III]上記一般式(1−1)で示され
る繰り返し単位に加え、下記一般式(2−1)で示され
る繰り返し単位を含有することを特徴とする[II]に
記載の高分子化合物。
[III] In addition to the repeating unit represented by the above general formula (1-1), the compound according to [II], further comprising a repeating unit represented by the following general formula (2-1): Molecular compound.

【化9】 (式中、kは上記と同様である。Rは水素原子、メチ
ル基又はCHCO を示す。Rは水素原子、メ
チル基又はCOを示す。Rは炭素数1〜15の
直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Rは酸
不安定基を示す。Rはハロゲン原子、水酸基、炭素数
1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、ア
シルオキシ基、又はアルキルスルフォニルオキシ基、又
は炭素数2〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキ
シカルボニルオキシ基、アルコキシアルコキシ基を示
し、構成炭素原子上の水素原子の一部又は全部がハロゲ
ン原子に置換されていてもよい。Zは単結合又は炭素数
1〜5の直鎖状、分岐状又は環状の(p+2)価の炭化
水素基を示し、炭化水素基である場合には、1個以上の
メチレンが酸素に置換されて鎖状又は環状のエーテルを
形成したり、同一炭素上の2個の水素が酸素に置換され
てケトンを形成してもよい。pは0、1又は2であ
る。)
Embedded image(Where k is the same as above. R4Is a hydrogen atom,
Or CH2CO2R 6Is shown. R5Is a hydrogen atom,
Cyl group or CO2R6Is shown. R6Has 1 to 15 carbon atoms
It represents a linear, branched or cyclic alkyl group. R7Is an acid
Shows an unstable group. R8Is halogen atom, hydroxyl group, carbon number
1 to 15 linear, branched or cyclic alkoxy groups,
A siloxy group or an alkylsulfonyloxy group, or
Is a linear, branched or cyclic alkoxy having 2 to 15 carbon atoms
Represents a cyclocarbonyloxy group or an alkoxyalkoxy group
And part or all of the hydrogen atoms on the constituent carbon atoms are halogenated
And it may be substituted by a nitrogen atom. Z is a single bond or carbon number
1-5 linear, branched or cyclic (p + 2) -valent carbonized
Represents a hydrogen group, and when it is a hydrocarbon group, one or more
Methylene is replaced by oxygen to form a chain or cyclic ether
Or two hydrogens on the same carbon are replaced by oxygen
To form a ketone. p is 0, 1 or 2
You. )

【0010】[IV]上記一般式(1−1)で示される
繰り返し単位に加え、下記一般式(2−1)及び(3)
で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする
[II]に記載の高分子化合物。
[IV] In addition to the repeating unit represented by the general formula (1-1), the following general formulas (2-1) and (3)
The polymer compound according to [II], which contains a repeating unit represented by the formula:

【化10】 (式中、Z、k、p、R〜Rは上記と同様である。
Yは酸素原子、又はNR であり、Rは炭素数1〜6
の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基を示す。)
Embedded image(Where Z, k, p, R4~ R8Is the same as above.
Y is an oxygen atom, or NR 9And R9Has 1 to 6 carbon atoms
Represents a linear, branched or cyclic alkyl group. )

【0011】[V]上記一般式(1−1)で示される繰
り返し単位に加え、下記一般式(4)で示される繰り返
し単位、又は下記一般式(4)で示される繰り返し単位
及び下記一般式(2−1)で示される繰り返し単位と、
更に下記一般式(3)で示される繰り返し単位を含有す
ることを特徴とする[II]に記載の高分子化合物。
[V] In addition to the repeating unit represented by the general formula (1-1), a repeating unit represented by the following general formula (4) or a repeating unit represented by the following general formula (4) and the following general formula A repeating unit represented by (2-1),
The polymer compound according to [II], further comprising a repeating unit represented by the following general formula (3).

【化11】 (式中、Y、Z、k、p、R〜Rは上記と同様であ
る。)
Embedded image (In the formula, Y, Z, k, p, and R 4 to R 9 are the same as above.)

【0012】[VI]上記一般式(1−2)で示される
繰り返し単位に加え、下記一般式(2−2)で示される
繰り返し単位を含有することを特徴とする[II]に記
載の高分子化合物。
[VI] In addition to the repeating unit represented by the above general formula (1-2), the composition according to [II], further comprising a repeating unit represented by the following general formula (2-2): Molecular compound.

【化12】 (式中、Z、k、p、R〜Rは上記と同様であ
る。)
Embedded image (In the formula, Z, k, p, and R 4 to R 8 are the same as described above.)

【0013】また、本発明は下記のレジスト材料を提供
する。 [VII][II]乃至[VI]のいずれかに記載の高
分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。
Further, the present invention provides the following resist material. [VII] A resist material comprising the polymer compound according to any one of [II] to [VI].

【0014】更に、本発明は下記のパターン形成方法を
提供する。 [VIII][VII]に記載のレジスト材料を基板上
に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高
エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、必要に
応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
Further, the present invention provides the following pattern forming method. [VIII] a step of applying the resist material according to [VII] on a substrate, a step of exposing with a high-energy ray or an electron beam through a photomask after the heat treatment, and, if necessary, a heat treatment, and then developing. And developing with a liquid.

【0015】上記一般式(1)のエーテル化合物は、エ
ーテル構造に加え、ヒドロキシル基又はアシルオキシ基
又はアルコキシカルボニルオキシ基を有するため極性が
高い。よって、この化合物が原料となる(1−1)又は
(1−2)で示される繰り返し単位を含有する高分子化
合物では優れた基板密着性が実現される。また、これら
の繰り返し単位では、架橋を持つ脂環を主鎖に含有する
ことになるため、剛直性も高い。更に、エーテル構造と
剛直な主鎖との間に導入された適当な長さの炭素鎖によ
って従来過剰であった剛直性が適度に緩和され、またエ
ーテル構造部分が主鎖から離れて配置されるために極性
基としてより有効に働くようになり、結果として従来品
を大きく上回る基板密着性を有するものとなった。ま
た、従来より大きな問題であった反応性の低さに関して
も、炭素鎖導入の効果で発生酸の拡散性が高くなったこ
とで改善され、同時にラインエッジラフネスの低減も達
成された。従って、この高分子化合物をベース樹脂とし
たレジスト材料は、感度、解像性及びエッチング耐性の
すべてにおいて優れた性能を有し、微細パターンの形成
に極めて有用なものとなるのである。
The ether compound of the general formula (1) has a high polarity because it has a hydroxyl group, an acyloxy group or an alkoxycarbonyloxy group in addition to the ether structure. Therefore, a polymer compound containing the repeating unit represented by (1-1) or (1-2) as a raw material of this compound achieves excellent substrate adhesion. In addition, these repeating units have a high rigidity because the main chain contains an alicyclic ring having a bridge. Furthermore, a carbon chain of an appropriate length introduced between the ether structure and the rigid main chain appropriately moderates the rigidity which was conventionally excessive, and the ether structure portion is located away from the main chain. As a result, it has become more effective as a polar group, and as a result, it has much higher substrate adhesion than conventional products. In addition, low reactivity, which was a bigger problem than in the past, was improved by increasing the diffusibility of generated acid by the effect of carbon chain introduction, and at the same time, reduction of line edge roughness was achieved. Therefore, a resist material using this polymer compound as a base resin has excellent performance in all of sensitivity, resolution and etching resistance, and is extremely useful for forming a fine pattern.

【0016】以下、本発明につき更に詳細に説明する。
本発明のエーテル化合物は、下記一般式(1)で示され
るものである。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
The ether compound of the present invention is represented by the following general formula (1).

【化13】 Embedded image

【0017】ここで、Rは水素原子、又は炭素数1〜
6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、アル
キル基として具体的には、メチル、エチル、n−プロピ
ル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−
ブチル、tert−ブチル、tert−アミル、n−ペ
ンチル、n−ヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル等を例示できる。Rは炭素数1〜6の直鎖状、分岐
状又は環状のアルキル基を示し、具体的には上記R
アルキル基の具体例としてあげたものを例示できる。R
は水素原子、又は炭素数1〜15のアシル基もしくは
アルコキシルカルボニル基を示し、構成炭素上の水素原
子の一部又は全部がハロゲン原子に置換されていてもよ
い。具体的には、ホルミル、アセチル、プロピオニル、
ピバロイル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニ
ル、tert−ブトキシカルボニル、トリフルオロアセ
チル、トリクロロアセチル、3,3,3−トリフルオロ
プロピオニル等を例示できる。kは0又は1、mは0〜
3、nは3〜6の整数である。
Here, R 1 is a hydrogen atom or a group having 1 to 1 carbon atoms.
6 represents a linear, branched or cyclic alkyl group, specifically, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-
Examples thereof include butyl, tert-butyl, tert-amyl, n-pentyl, n-hexyl, cyclopentyl, cyclohexyl and the like. R 2 represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include those described above as specific examples of the alkyl group for R 1 . R
3 represents a hydrogen atom or an acyl group or an alkoxylcarbonyl group having 1 to 15 carbon atoms, and a part or all of the hydrogen atoms on the constituent carbons may be substituted with a halogen atom. Specifically, formyl, acetyl, propionyl,
Examples include pivaloyl, methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl, tert-butoxycarbonyl, trifluoroacetyl, trichloroacetyl, 3,3,3-trifluoropropionyl and the like. k is 0 or 1, m is 0
3, n is an integer of 3 to 6.

【0018】本発明のエーテル化合物の具体例を以下に
示すが、これに限定されるものではない。なお、下記式
において、Acはアセチル基、t−Buはtert−ブ
チル基を示す(以下、同様)。
Specific examples of the ether compound of the present invention are shown below, but the invention is not limited thereto. In the following formula, Ac represents an acetyl group and t-Bu represents a tert-butyl group (the same applies hereinafter).

【0019】[0019]

【化14】 Embedded image

【0020】本発明のエーテル化合物の製造は、例えば
下記行程にて行うことができるが、これに限定されるも
のではない。
The production of the ether compound of the present invention can be carried out, for example, by the following steps, but is not limited thereto.

【0021】[0021]

【化15】 Embedded image

【0022】ここで、k、m、n、R〜Rは上記と
同様である。X’はハロゲン原子である。Lは水酸基、
ハロゲン原子、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル
オキシ基、p−ニトロフェニルオキシ基等の脱離基を示
す。
[0022] Here, k, m, n, R 1 ~R 3 is the same as described above. X 'is a halogen atom. L is a hydroxyl group,
And a leaving group such as a halogen atom, an acyloxy group, an alkoxycarbonyloxy group, a p-nitrophenyloxy group.

【0023】A行程は、ハロゲン化エーテル(a)とマ
グネシウムでグリニャール試薬を調製してカルボニル化
合物(b)に対し求核付加反応を行い、アルコール
(c)を得る段階である。求核付加反応の具体例とし
て、ここではグリニャール反応を挙げるが、本段階はこ
れに限定されるものではない。反応は公知の条件にて容
易に進行するが、好ましくはテトラヒドロフラン、ジエ
チルエーテル等の溶媒中、原料のハロゲン化エーテル
(a)、カルボニル化合物(b)、マグネシウムを混合
し、必要に応じて加熱又は冷却等して行うのがよい。
Step A is a step in which a Grignard reagent is prepared with a halogenated ether (a) and magnesium, and a nucleophilic addition reaction is performed on the carbonyl compound (b) to obtain an alcohol (c). Although a Grignard reaction is mentioned here as a specific example of the nucleophilic addition reaction, this step is not limited to this. The reaction proceeds easily under known conditions. Preferably, the starting material halogenated ether (a), carbonyl compound (b), and magnesium are mixed in a solvent such as tetrahydrofuran or diethyl ether, and heated or heated as necessary. It is preferable to perform the cooling.

【0024】B行程は、アルコール(c)をエステル化
することにより、対応するアシル化物又はアルコキシカ
ルボニル化物(d)を得る段階である。エステル化剤R
Lとして、例えば、ギ酸等のカルボン酸類(L=OH
の場合)、塩化アセチル、臭化アセチル、塩化プロピオ
ニル等の酸ハライド類(L=ハロゲン原子の場合)、無
水酢酸、無水トリフルオロ酢酸、ギ酸酢酸混合酸無水
物、二炭酸ジ−t−ブチル等の酸無水物類(L=アシル
オキシ基叉はアルコキシカルボニルオキシ基の場合)、
酢酸p−ニトロフェニル、プロピオン酸p−ニトロフェ
ニル等の活性化エステル類(L=p−ニトロフェニルオ
キシ基などの脱離基の場合)を挙げることができる。エ
ステル化剤がカルボン酸である場合を除き、トリエチル
アミン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジン等の塩
基を用いることが望ましい。反応は公知の条件にて容易
に進行するが、好ましくは無溶媒、あるいはテトラヒド
ロフラン、ジエチルエーテル、n−ヘキサン、トルエン
等の溶媒中で、原料のアルコール(c)、エステル化剤
L、更に場合によっては上記の塩基を混合し、必要
に応じて加熱又は冷却等して行うのがよい。
Step B is a step in which the corresponding acylated product or alkoxycarbonylated product (d) is obtained by esterifying the alcohol (c). Esterifying agent R
As 3 L, for example, carboxylic acids such as formic acid (L = OH
), Acid halides such as acetyl chloride, acetyl bromide, and propionyl chloride (when L = halogen atom), acetic anhydride, trifluoroacetic anhydride, formic acetic acid mixed acid anhydride, di-t-butyl dicarbonate, etc. Acid anhydrides (in the case of L = acyloxy group or alkoxycarbonyloxy group),
Activated esters such as p-nitrophenyl acetate and p-nitrophenyl propionate (where L is a leaving group such as p-nitrophenyloxy group) can be mentioned. Except when the esterifying agent is a carboxylic acid, it is desirable to use a base such as triethylamine, pyridine, or 4-dimethylaminopyridine. The reaction proceeds easily under known conditions, but preferably in the absence of a solvent or in a solvent such as tetrahydrofuran, diethyl ether, n-hexane or toluene, the starting material alcohol (c), esterifying agent R 3 L, In some cases, the above-described bases are mixed, and if necessary, heating or cooling may be performed.

【0025】本発明の高分子化合物は、上記一般式
(1)で示されるエステル化合物を原料とする下記一般
式(1−1)又は(1−2)で示される繰り返し単位を
含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜
500,000のものである。
The polymer compound of the present invention contains a repeating unit represented by the following general formula (1-1) or (1-2) starting from the ester compound represented by the general formula (1). Characteristic weight average molecular weight 1,000 ~
500,000.

【0026】[0026]

【化16】 式中、k、m、n、R〜R、は上記と同様である。Embedded image In the formula, k, m, n, R 1 to R 3 are the same as described above.

【0027】また、本発明の高分子化合物は、より具体
的には次の4種類のものとすることができる。 1.上記一般式(1−1)で示される繰り返し単位に加
え、下記一般式(2−1)で示される繰り返し単位を含
有するもの。
Further, the polymer compound of the present invention can be more specifically the following four types. 1. What contains the repeating unit represented by the following general formula (2-1) in addition to the repeating unit represented by the above general formula (1-1).

【化17】 (式中、kは上記と同様である。Rは水素原子、メチ
ル基又はCHCO を示す。Rは水素原子、メ
チル基又はCOを示す。Rは炭素数1〜15の
直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Rは酸
不安定基を示す。Rはハロゲン原子、水酸基、炭素数
1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、ア
シルオキシ基、又はアルキルスルフォニルオキシ基、又
は炭素数2〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキ
シカルボニルオキシ基、アルコキシアルコキシ基を示
し、構成炭素原子上の水素原子の一部又は全部がハロゲ
ン原子に置換されていてもよい。Zは単結合又は炭素数
1〜5の直鎖状、分岐状又は環状の(p+2)価の炭化
水素基を示し、炭化水素基である場合には、1個以上の
メチレンが酸素に置換されて鎖状又は環状のエーテルを
形成したり、同一炭素上の2個の水素が酸素に置換され
てケトンを形成してもよい。pは0、1又は2であ
る。)
Embedded image(Where k is the same as above. R4Is a hydrogen atom,
Or CH2CO2R 6Is shown. R5Is a hydrogen atom,
Cyl group or CO2R6Is shown. R6Has 1 to 15 carbon atoms
It represents a linear, branched or cyclic alkyl group. R7Is an acid
Shows an unstable group. R8Is halogen atom, hydroxyl group, carbon number
1 to 15 linear, branched or cyclic alkoxy groups,
A siloxy group or an alkylsulfonyloxy group, or
Is a linear, branched or cyclic alkoxy having 2 to 15 carbon atoms
Represents a cyclocarbonyloxy group or an alkoxyalkoxy group
And part or all of the hydrogen atoms on the constituent carbon atoms are halogenated
And it may be substituted by a nitrogen atom. Z is a single bond or carbon number
1-5 linear, branched or cyclic (p + 2) -valent carbonized
Represents a hydrogen group, and when it is a hydrocarbon group, one or more
Methylene is replaced by oxygen to form a chain or cyclic ether
Or two hydrogens on the same carbon are replaced by oxygen
To form a ketone. p is 0, 1 or 2
You. )

【0028】2.上記一般式(1−1)で示される繰り
返し単位に加え、下記一般式(2−1)及び(3)で示
される繰り返し単位を含有するもの。
2. Those containing the repeating units represented by the following general formulas (2-1) and (3) in addition to the repeating units represented by the above general formula (1-1).

【化18】 (式中、Z、k、p、R〜Rは上記と同様である。
Yは酸素原子、又はNR であり、Rは炭素数1〜6
の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基を示す。R
として具体的には、メチル、エチル、n−プロピル、イ
ソプロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチ
ル、tert−ブチル、tert−アミル、n−ペンチ
ル、n−ヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル等
を例示できる。)
Embedded image(Where Z, k, p, R4~ R8Is the same as above.
Y is an oxygen atom, or NR 9And R9Has 1 to 6 carbon atoms
Represents a linear, branched or cyclic alkyl group. R9
Specifically, methyl, ethyl, n-propyl, i
Sopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl
Tert-butyl, tert-amyl, n-pliers
, N-hexyl, cyclopentyl, cyclohexyl, etc.
Can be exemplified. )

【0029】3.上記一般式(1−1)で示される繰り
返し単位に加え、下記一般式(4)で示される繰り返し
単位、又は下記一般式(4)で示される繰り返し単位及
び(2−1)で示される繰り返し単位と、更に下記一般
式(3)で示される繰り返し単位を含有するもの。
3. In addition to the repeating unit represented by the general formula (1-1), a repeating unit represented by the following general formula (4), or a repeating unit represented by the following general formula (4) and a repetition represented by (2-1) A composition containing a unit and a repeating unit represented by the following general formula (3).

【化19】 (式中、Y、Z、k、p、R〜Rは上記と同様であ
る。)
Embedded image (In the formula, Y, Z, k, p, and R 4 to R 9 are the same as above.)

【0030】4.上記一般式(1−2)で示される繰り
返し単位に加え、下記一般式(2−2)で示される繰り
返し単位を含有するもの。
4. What contains the repeating unit represented by the following general formula (2-2) in addition to the repeating unit represented by the above general formula (1-2).

【化20】 (式中、Z、k、p、R〜Rは上記と同様であ
る。)
Embedded image (In the formula, Z, k, p, and R 4 to R 8 are the same as described above.)

【0031】ここで、Rは水素原子、メチル基又はC
COを示す。Rは水素原子、メチル基又は
COを示す。Rは炭素数1〜15の直鎖状、分
岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ter
t−アミル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、エチルシクロペンチ
ル基、ブチルシクロペンチル基、エチルシクロヘキシル
基、ブチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、エチル
アダマンチル基、ブチルアダマンチル基等を例示でき
る。Rは酸不安定基を示し、その具体例については後
述する。Rはハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜15
の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、アシルオキ
シ基、又はアルキルスルフォニルオキシ基、又は炭素数
2〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボ
ニルオキシ基、アルコキシアルコキシ基を示し、構成炭
素原子上の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子に置
換されていてもよく、具体的にはフッ素、塩素、臭素、
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキ
シ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert
−ブトキシ基、tert−アミロキシ基、n−ペントキ
シ基、n−ヘキシルオキシ基、シクロペンチルオキシ
基、シクロヘキシルオキシ基、エチルシクロペンチルオ
キシ基、ブチルシクロペンチルオキシ基、エチルシクロ
ヘキシルオキシ基、ブチルシクロヘキシルオキシ基、ア
ダマンチルオキシ基、エチルアダマンチルオキシ基、ブ
チルアダマンチルオキシ基、フォルミルオキシ基、アセ
トキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ピバロイルオキ
シ基、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニ
ルオキシ基、tert−ブトキシカルボニルオキシ基、
メタンスルフォニルオキシ基、エタンスルフォニルオキ
シ基、n−ブタンスルフォニルオキシ基、トリフルオロ
アセトキシ基、トリクロロアセトキシ基、2,2,2−
トリフルオロエチルカルボニルオキシ基、メトキシメト
キシ基、1−エトキシエトキシ基、1−エトキシプロポ
キシ基、1−tert−ブトキシエトキシ基、1−シク
ロヘキシルオキシエトキシ基、2−テトラヒドロフラニ
ルオキシ基、2−テトラヒドロピラニルオキシ基等を例
示できる。Zは単結合又は炭素数1〜5の直鎖状、分岐
状又は環状の(p+2)価の炭化水素基を示し、炭化水
素基である場合には、1個以上のメチレンが酸素に置換
されて鎖状又は環状のエーテルを形成したり、同一炭素
上の2個の水素が酸素に置換されてケトンを形成しても
よく、例えばp=0の場合には、具体的にはメチレン、
エチレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチ
レン、ヘキサメチレン、1,2−プロパンジイル、1,
3−ブタンジイル、1−オキソ−2−オキサプロパン−
1,3−ジイル、3−メチル−1−オキソ−2−オキサ
ブタン−1,4−ジイル等を例示でき、p=0以外の場
合には、上記具体例からp個の水素原子を除いた(p+
2)価の基等を例示できる。
Here, R 4 is a hydrogen atom, a methyl group or C 4
H 2 CO 2 R 6 is shown. R 5 represents a hydrogen atom, a methyl group or CO 2 R 6 . R 6 represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, and a tert. -Butyl group, ter
t-amyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, ethylcyclopentyl group, butylcyclopentyl group, ethylcyclohexyl group, butylcyclohexyl group, adamantyl group, ethyladamantyl group, butyladamantyl group, etc. it can. R 7 represents an acid labile group, and specific examples thereof will be described later. R 8 is a halogen atom, a hydroxyl group, a carbon number of 1 to 15
A linear, branched or cyclic alkoxy group, an acyloxy group, or an alkylsulfonyloxy group, or a linear, branched or cyclic alkoxycarbonyloxy group having 2 to 15 carbon atoms, an alkoxyalkoxy group, Some or all of the hydrogen atoms on the carbon atoms may be replaced by halogen atoms, specifically, fluorine, chlorine, bromine,
Methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, sec-butoxy group, tert
-Butoxy, tert-amyloxy, n-pentoxy, n-hexyloxy, cyclopentyloxy, cyclohexyloxy, ethylcyclopentyloxy, butylcyclopentyloxy, ethylcyclohexyloxy, butylcyclohexyloxy, adamantyloxy Group, ethyl adamantyloxy group, butyl adamantyloxy group, formyloxy group, acetoxy group, ethylcarbonyloxy group, pivaloyloxy group, methoxycarbonyloxy group, ethoxycarbonyloxy group, tert-butoxycarbonyloxy group,
Methanesulfonyloxy group, ethanesulfonyloxy group, n-butanesulfonyloxy group, trifluoroacetoxy group, trichloroacetoxy group, 2,2,2-
Trifluoroethylcarbonyloxy group, methoxymethoxy group, 1-ethoxyethoxy group, 1-ethoxypropoxy group, 1-tert-butoxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 2-tetrahydrofuranyloxy group, 2-tetrahydropyranyl Oxy groups and the like can be exemplified. Z represents a single bond or a linear, branched or cyclic (p + 2) -valent hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms, and in the case of a hydrocarbon group, at least one methylene is substituted with oxygen. To form a chain or cyclic ether, or two hydrogens on the same carbon may be replaced by oxygen to form a ketone. For example, when p = 0, specifically methylene,
Ethylene, trimethylene, tetramethylene, pentamethylene, hexamethylene, 1,2-propanediyl, 1,
3-butanediyl, 1-oxo-2-oxapropane-
Examples thereof include 1,3-diyl and 3-methyl-1-oxo-2-oxabutane-1,4-diyl. When p = 0, p hydrogen atoms are excluded from the above specific examples ( p +
2) Valent groups and the like can be exemplified.

【0032】Rの酸不安定基としては、種々用いるこ
とができるが、具体的には下記一般式(L1)〜(L
4)で示される基、炭素数4〜20、好ましくは4〜1
5の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1
〜6のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のオキソ
アルキル基等を挙げることができる。
As the acid labile group for R 7 , various compounds can be used. Specifically, the following general formulas (L1) to (L)
Group represented by 4), having 4 to 20 carbon atoms, preferably 4 to 1 carbon atoms
5 tertiary alkyl groups, each alkyl group having 1 carbon atom
And an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms.

【0033】[0033]

【化21】 Embedded image

【0034】ここで、鎖線は結合手を示す(以下、同
様)。式中、RL01、RL02は水素原子又は炭素数
1〜18、好ましくは1〜10の直鎖状、分岐状又は環
状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、se
c−ブチル基、tert−ブチル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−オ
クチル基等が例示できる。R L03は炭素数1〜18、
好ましくは1〜10の酸素原子等のヘテロ原子を有して
もよい1価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環
状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、ア
ルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等
に置換されたものを挙げることができ、具体的には下記
の置換アルキル基等が例示できる。
Here, a chain line indicates a bond (hereinafter referred to as a bond).
Mr). Where RL01, RL02Is a hydrogen atom or carbon number
1-18, preferably 1-10, linear, branched or cyclic
Represents an alkyl group, specifically a methyl group, an ethyl group
Group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, se
c-butyl group, tert-butyl group, cyclopentyl
Group, cyclohexyl group, 2-ethylhexyl group, n-O
An example is a octyl group. R L03Has 1 to 18 carbon atoms,
It preferably has 1 to 10 hetero atoms such as oxygen atoms.
Represents a monovalent hydrocarbon group which may be linear, branched or cyclic.
Alkyl group, some of these hydrogen atoms are hydroxyl,
Lucoxy group, oxo group, amino group, alkylamino group, etc.
Can be mentioned, specifically,
And the like.

【0035】[0035]

【化22】 Embedded image

【0036】RL01とRL02、RL01
L03、RL02とRL03とは環を形成してもよ
く、環を形成する場合にはRL01、RL02、R
L03はそれぞれ炭素数1〜18、好ましくは1〜10
の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。
R L01 and R L02 , R L01 and R L03 , and R L02 and R L03 may form a ring. When a ring is formed, R L01 , R L02 , R
L03 has 1 to 18 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms.
Represents a linear or branched alkylene group.

【0037】RL04は炭素数4〜20、好ましくは4
〜15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素
数1〜6のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のオ
キソアルキル基又は上記一般式(L1)で示される基を
示し、三級アルキル基としては、具体的にはtert−
ブチル基、tert−アミル基、1,1−ジエチルプロ
ピル基、2−シクロペンチルプロパン−2−イル基、2
−シクロヘキシルプロパン−2−イル基、2−(ビシク
ロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)プロパン−2−
イル基、2−(アダマンタン−1−イル)プロパン−2
−イル基、1−エチルシクロペンチル基、1−ブチルシ
クロペンチル基、1−エチルシクロヘキシル基、1−ブ
チルシクロヘキシル基、1−エチル−2−シクロペンテ
ニル基、1−エチル−2−シクロヘキセニル基、2−メ
チル−2−アダマンチル基、2−エチル−2−アダマン
チル基等が例示でき、トリアルキルシリル基としては、
具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、
ジメチル−tert−ブチルシリル基等が例示でき、オ
キソアルキル基としては、具体的には3−オキソシクロ
ヘキシル基、4−メチル−2−オキソオキサン−4−イ
ル基、5−メチル−2−オキソオキソラン−5−イル基
等が例示できる。xは0〜6の整数である。
RL04 has 4 to 20 carbon atoms, preferably 4 carbon atoms.
A tertiary alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, each alkyl group being a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms, an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms or a group represented by the above formula (L1); As the group, specifically, tert-
Butyl group, tert-amyl group, 1,1-diethylpropyl group, 2-cyclopentylpropan-2-yl group, 2
-Cyclohexylpropan-2-yl group, 2- (bicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) propan-2-
Yl group, 2- (adamantan-1-yl) propane-2
-Yl group, 1-ethylcyclopentyl group, 1-butylcyclopentyl group, 1-ethylcyclohexyl group, 1-butylcyclohexyl group, 1-ethyl-2-cyclopentenyl group, 1-ethyl-2-cyclohexenyl group, 2- Examples thereof include a methyl-2-adamantyl group and a 2-ethyl-2-adamantyl group. Examples of the trialkylsilyl group include:
Specifically, a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group,
Examples thereof include a dimethyl-tert-butylsilyl group, and specific examples of the oxoalkyl group include a 3-oxocyclohexyl group, a 4-methyl-2-oxooxan-4-yl group, and a 5-methyl-2-oxooxolane- group. Examples thereof include a 5-yl group. x is an integer of 0-6.

【0038】RL05は炭素数1〜8のヘテロ原子を含
んでもよい1価の炭化水素基又は炭素数6〜20の置換
されていてもよいアリール基を示し、ヘテロ原子を含ん
でもよい1価の炭化水素基としては、具体的にはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ter
t−アミル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基等の直鎖状、分岐状又
は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸
基、アルコキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニ
ル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ
基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換
されたもの等が例示でき、置換されていてもよいアリー
ル基としては、具体的にはフェニル基、メチルフェニル
基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピ
レニル基等が例示できる。yは0又は1、zは0、1、
2、3のいずれかであり、2y+z=2又は3を満足す
る数である。
RL05 represents a monovalent hydrocarbon group which may contain a heteroatom having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group which may be substituted and has 6 to 20 carbon atoms. Specific examples of the hydrocarbon group include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, sec-butyl, tert-butyl, and ter
t-amyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, cyclopentyl group, linear or branched or cyclic alkyl group such as cyclohexyl group, some of these hydrogen atoms are hydroxyl, alkoxy, carboxy, Examples thereof include those substituted with an alkoxycarbonyl group, an oxo group, an amino group, an alkylamino group, a cyano group, a mercapto group, an alkylthio group, a sulfo group, and the like.Specific examples of the optionally substituted aryl group include: Represents a phenyl group, a methylphenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group or the like. y is 0 or 1, z is 0, 1,
It is either 2, 3 or 2y + z = 2 or 3.

【0039】RL06は炭素数1〜8のヘテロ原子を含
んでもよい1価の炭化水素基又は炭素数6〜20の置換
されていてもよいアリール基を示し、具体的にはR
L05と同様のもの等が例示できる。RL07〜R
L16はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15の
ヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示し、具
体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブ
チル基、tert−アミル基、n−ペンチル基、n−ヘ
キシル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペン
チルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチ
ルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシル
エチル基、シクロヘキシルブチル基等の直鎖状、分岐状
又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸
基、アルコキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニ
ル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ
基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換
されたもの等が例示できる。RL07〜RL16は互い
に環を形成していてもよく(例えば、RL07とR
L08、RL07とRL09、R L08とRL10、R
L09とRL10、RL11とRL12、RL13とR
14等)、その場合には炭素数1〜15のヘテロ原子
を含んでもよい2価の炭化水素基を示し、具体的には上
記1価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個
除いたもの等が例示できる。また、RL07〜RL16
は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合
し、二重結合を形成してもよい(例えば、R L07とR
L09、RL09とRL15、RL13とR
L15等)。
RL06Contains a heteroatom having 1 to 8 carbon atoms.
Monovalent hydrocarbon group or C6-C20 substitution
Represents an optionally substituted aryl group, specifically R
L05And the like can be exemplified. RL07~ R
L16Are each independently a hydrogen atom or a group having 1 to 15 carbon atoms.
A monovalent hydrocarbon group that may contain a heteroatom,
Physically, methyl, ethyl, propyl, isopropyl
Group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group
Tyl group, tert-amyl group, n-pentyl group, n-he
Xyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl
Group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclopen
Tylmethyl group, cyclopentylethyl group, cyclopentyl
Rubutyl group, cyclohexylmethyl group, cyclohexyl
Linear or branched such as ethyl group and cyclohexylbutyl group
Or a cyclic alkyl group, in which some of these hydrogen atoms are hydroxyl
Group, alkoxy group, carboxy group, alkoxy carbonyl
Group, oxo group, amino group, alkylamino group, cyano
Group, mercapto group, alkylthio group, sulfo group, etc.
Can be exemplified. RL07~ RL16Are each other
May form a ring (for example, RL07And R
L08, RL07And RL09, R L08And RL10, R
L09And RL10, RL11And RL12, RL13And R
L 14Etc.), in which case a heteroatom having 1 to 15 carbon atoms
Represents a divalent hydrocarbon group which may contain
One hydrogen atom from those exemplified for the monovalent hydrocarbon group
Excluded ones can be exemplified. Also, RL07~ RL16
Are bonded to adjacent carbons without any intervention
To form a double bond (for example, R L07And R
L09, RL09And RL15, RL13And R
L15etc).

【0040】上記式(L1)で示される酸不安定基のう
ち直鎖状又は分岐状のものとしては、具体的には下記の
基が例示できる。
The following groups can be specifically exemplified as linear or branched ones among the acid labile groups represented by the formula (L1).

【0041】[0041]

【化23】 Embedded image

【0042】上記式(L1)で示される酸不安定基のう
ち環状のものとしては、具体的にはテトラヒドロフラン
−2−イル基、2−メチルテトラヒドロフラン−2−イ
ル基、テトラヒドロピラン−2−イル基、2−メチルテ
トラヒドロピラン−2−イル基等が例示できる。
As the cyclic group among the acid labile groups represented by the above formula (L1), specifically, tetrahydrofuran-2-yl group, 2-methyltetrahydrofuran-2-yl group, tetrahydropyran-2-yl Group, 2-methyltetrahydropyran-2-yl group and the like.

【0043】上記式(L2)の酸不安定基としては、具
体的にはtert−ブトキシカルボニル基、tert−
ブトキシカルボニルメチル基、tert−アミロキシカ
ルボニル基、tert−アミロキシカルボニルメチル
基、1,1−ジエチルプロピルオキシカルボニル基、
1,1−ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、
1−エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、1−エ
チルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、1−エ
チル−2−シクロペンテニルオキシカルボニル基、1−
エチル−2−シクロペンテニルオキシカルボニルメチル
基、1−エトキシエトキシカルボニルメチル基、2−テ
トラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、2−テ
トラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示
できる。
Specific examples of the acid labile group of the formula (L2) include a tert-butoxycarbonyl group and a tert-butoxycarbonyl group.
Butoxycarbonylmethyl group, tert-amyloxycarbonyl group, tert-amyloxycarbonylmethyl group, 1,1-diethylpropyloxycarbonyl group,
1,1-diethylpropyloxycarbonylmethyl group,
1-ethylcyclopentyloxycarbonyl group, 1-ethylcyclopentyloxycarbonylmethyl group, 1-ethyl-2-cyclopentenyloxycarbonyl group, 1-
Examples thereof include an ethyl-2-cyclopentenyloxycarbonylmethyl group, a 1-ethoxyethoxycarbonylmethyl group, a 2-tetrahydropyranyloxycarbonylmethyl group, and a 2-tetrahydrofuranyloxycarbonylmethyl group.

【0044】上記式(L3)の酸不安定基としては、具
体的には1−メチルシクロペンチル、1−エチルシクロ
ペンチル、1−n−プロピルシクロペンチル、1−イソ
プロピルシクロペンチル、1−n−ブチルシクロペンチ
ル、1−sec−ブチルシクロペンチル、1−メチルシ
クロヘキシル、1−エチルシクロヘキシル、3−メチル
−1−シクロペンテン−3−イル、3−エチル−1−シ
クロペンテン−3−イル、3−メチル−1−シクロヘキ
セン−3−イル、3−エチル−1−シクロヘキセン−3
−イル等が例示できる。
Specific examples of the acid labile group of the above formula (L3) include 1-methylcyclopentyl, 1-ethylcyclopentyl, 1-n-propylcyclopentyl, 1-isopropylcyclopentyl, 1-n-butylcyclopentyl, -Sec-butylcyclopentyl, 1-methylcyclohexyl, 1-ethylcyclohexyl, 3-methyl-1-cyclopenten-3-yl, 3-ethyl-1-cyclopenten-3-yl, 3-methyl-1-cyclohexene-3- Yl, 3-ethyl-1-cyclohexene-3
-Yl and the like.

【0045】上記式(L4)の酸不安定基としては、具
体的には下記の基が例示できる。
Specific examples of the acid labile group of the formula (L4) include the following groups.

【化24】 Embedded image

【0046】また、炭素数4〜20の三級アルキル基、
各アルキル基がそれぞれ炭素数1〜6のトリアルキルシ
リル基、炭素数4〜20のオキソアルキル基としては、
具体的にはRL04で挙げたものと同様のもの等が例示
できる。
A tertiary alkyl group having 4 to 20 carbon atoms;
As each alkyl group is a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms and an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms,
Specific examples include those similar to those described for RL04 .

【0047】上記一般式(1−1)で示される繰り返し
単位の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定され
るものではない。
Specific examples of the repeating unit represented by the above general formula (1-1) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0048】[0048]

【化25】 Embedded image

【0049】上記一般式(1−2)で示される繰り返し
単位の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定され
るものではない。
Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (1-2) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0050】[0050]

【化26】 Embedded image

【0051】上記一般式(2−1)で示される繰り返し
単位の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定され
るものではない。
Specific examples of the repeating unit represented by the above general formula (2-1) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0052】[0052]

【化27】 Embedded image

【0053】上記一般式(2−2)で示される繰り返し
単位の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定され
るものではない。
Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (2-2) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0054】[0054]

【化28】 Embedded image

【0055】上記一般式(4)で示される繰り返し単位
の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定されるも
のではない。
Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (4) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0056】[0056]

【化29】 Embedded image

【0057】本発明の高分子化合物は、更に必要に応
じ、下記一般式(M1)〜(M8−2)で示される繰り
返し単位から選ばれる1種又は2種以上を含有するもの
であってもよい。
The polymer compound of the present invention may further contain, if necessary, one or more selected from the repeating units represented by the following formulas (M1) to (M8-2). Good.

【0058】[0058]

【化30】 (式中、R001は水素原子、メチル基又はCHCO
003を示す。R 02は水素原子、メチル基又は
CO003を示す。R003は炭素数1〜15の直
鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R004
水素原子又は炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基
を含有する1価の炭化水素基を示す。R 05〜R
008の少なくとも1個は炭素数1〜15のカルボキシ
基又は水酸基を含有する1価の炭化水素基を示し、残り
はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R005〜R
008は互いに環を形成していてもよく、その場合には
005〜R008の少なくとも1個は炭素数1〜15
のカルボキシ基又は水酸基を含有する2価の炭化水素基
を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1〜1
5の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R
009は炭素数3〜15の−CO−部分構造を含有す
る1価の炭化水素基を示す。R010〜R013の少な
くとも1個は炭素数2〜15の−CO−部分構造を含
有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に
水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状
のアルキル基を示す。R010〜R013は互いに環を
形成していてもよく、その場合にはR 10〜R013
の少なくとも1個は炭素数1〜15の−CO−部分構
造を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ
独立に単結合又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は
環状のアルキレン基を示す。R014は炭素数7〜15
の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するア
ルキル基を示す。R015は酸不安定基を示す。XはC
又は酸素原子を示す。kは0又は1である。)
Embedded image (Wherein, R 001 is a hydrogen atom, a methyl group or CH 2 CO
2 R 003 is shown. R 0 02 represents a hydrogen atom, a methyl group or CO 2 R 003. R 003 represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms. R 004 represents a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having a carboxy group having 1 to 15 carbon atoms or a hydroxyl group. R 0 05 ~R
008 represents a monovalent hydrocarbon group having a carboxy group or a hydroxyl group having 1 to 15 carbon atoms, and the rest are each independently a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic group having 1 to 15 carbon atoms. Represents an alkyl group. R 005 to R
008 may form a ring with each other, in which case at least one of R 005 to R 008 has 1 to 15 carbon atoms.
A carboxy group or a divalent hydrocarbon group containing a hydroxyl group, and the rest are each independently a single bond or a carbon number of 1 to 1.
5 represents a linear, branched or cyclic alkylene group. R
009 represents a monovalent hydrocarbon group having a —CO 2 — partial structure having 3 to 15 carbon atoms. At least one of R 010 to R 013 represents a monovalent hydrocarbon group having a —CO 2 — partial structure having 2 to 15 carbon atoms, and the rest are each independently a hydrogen atom or a straight chain having 1 to 15 carbon atoms. A branched, branched or cyclic alkyl group. R 010 to R 013, taken together, may form a ring, in which case R 0 10 to R 013
At least one is -CO 2 C 1 -C 15 - moiety represents a divalent hydrocarbon group containing, while the remaining are independently a single bond or a C15 straight, branched or Shows a cyclic alkylene group. R 014 has 7 to 15 carbon atoms
Or a polycyclic hydrocarbon group or an alkyl group containing a polycyclic hydrocarbon group. R 015 represents an acid labile group. X is C
Shows the H 2 or an oxygen atom. k is 0 or 1. )

【0059】ここで、R001は水素原子、メチル基又
はCHCO003を示す。R 003の具体例につ
いては後述する。R002は水素原子、メチル基又はC
003を示す。R003は炭素数1〜15の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−
ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、t
ert−アミル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エチルシクロペ
ンチル基、ブチルシクロペンチル基、エチルシクロヘキ
シル基、ブチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、エ
チルアダマンチル基、ブチルアダマンチル基等を例示で
きる。R004は水素原子又は炭素数1〜15のカルボ
キシ基又は水酸基を含有する1価の炭化水素基を示し、
具体的にはカルボキシエチル、カルボキシブチル、カル
ボキシシクロペンチル、カルボキシシクロヘキシル、カ
ルボキシノルボルニル、カルボキシアダマンチル、ヒド
ロキシエチル、ヒドロキシブチル、ヒドロキシシクロペ
ンチル、ヒドロキシシクロヘキシル、ヒドロキシノルボ
ルニル、ヒドロキシアダマンチル等が例示できる。R
005〜R008の少なくとも1個は炭素数1〜15の
カルボキシ基又は水酸基を含有する1価の炭化水素基を
示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜1
5の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。炭素
数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する1価の
炭化水素基としては、具体的にはカルボキシ、カルボキ
シメチル、カルボキシエチル、カルボキシブチル、ヒド
ロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシブチル、
2−カルボキシエトキシカルボニル、4−カルボキシブ
トキシカルボニル、2−ヒドロキシエトキシカルボニ
ル、4−ヒドロキシブトキシカルボニル、カルボキシシ
クロペンチルオキシカルボニル、カルボキシシクロヘキ
シルオキシカルボニル、カルボキシノルボルニルオキシ
カルボニル、カルボキシアダマンチルオキシカルボニ
ル、ヒドロキシシクロペンチルオキシカルボニル、ヒド
ロキシシクロヘキシルオキシカルボニル、ヒドロキシノ
ルボルニルオキシカルボニル、ヒドロキシアダマンチル
オキシカルボニル等が例示できる。炭素数1〜15の直
鎖状、分岐状、環状のアルキル基としては、具体的には
003で例示したものと同様のものが例示できる。R
005〜R008は互いに環を形成していてもよく、そ
の場合にはR005〜R008の少なくとも1個は炭素
数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する2価の
炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭
素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基
を示す。炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含
有する2価の炭化水素基としては、具体的には上記カル
ボキシ基又は水酸基を含有する1価の炭化水素基で例示
したものから水素原子を1個除いたもの等を例示でき
る。炭素数1〜15の直鎖状、分岐状、環状のアルキレ
ン基としては、具体的にはR003で例示したものから
水素原子を1個除いたもの等を例示できる。
Here, R001Is a hydrogen atom, a methyl group or
Is CH2CO2R003Is shown. R 003Examples of
Will be described later. R002Is a hydrogen atom, a methyl group or C
O2R003Is shown. R003Is a linear chain having 1 to 15 carbon atoms
Represents a branched, branched or cyclic alkyl group.
Chill, ethyl, propyl, isopropyl, n-
Butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, t
ert-amyl group, n-pentyl group, n-hexyl group,
Cyclopentyl group, cyclohexyl group, ethylcyclope
Ethyl group, butylcyclopentyl group, ethylcyclohexyl
Silyl group, butylcyclohexyl group, adamantyl group, d
Tiladamantyl group, butyladamantyl group and the like are exemplified.
Wear. R004Is a hydrogen atom or a carbohydrate having 1 to 15 carbon atoms
A monovalent hydrocarbon group containing a xy group or a hydroxyl group,
Specifically, carboxyethyl, carboxybutyl, cal
Boxycyclopentyl, carboxycyclohexyl, mosquito
Ruboxinorbornyl, carboxyadamantyl, hydr
Roxyethyl, hydroxybutyl, hydroxycyclope
Methyl, hydroxycyclohexyl, hydroxynorbo
Lunyl, hydroxyadamantyl and the like can be exemplified. R
005~ R008At least one of which has 1 to 15 carbon atoms
A monovalent hydrocarbon group containing a carboxy group or a hydroxyl group
And the rest are each independently a hydrogen atom or a carbon number of 1 to 1.
5 represents a linear, branched or cyclic alkyl group. carbon
Monovalent containing a carboxy group or a hydroxyl group of Formulas 1 to 15
Specific examples of the hydrocarbon group include carboxy and carboxy.
Cimethyl, carboxyethyl, carboxybutyl, hydr
Roxymethyl, hydroxyethyl, hydroxybutyl,
2-carboxyethoxycarbonyl, 4-carboxybut
Toxycarbonyl, 2-hydroxyethoxycarboni
, 4-hydroxybutoxycarbonyl, carboxy
Clopentyloxycarbonyl, carboxycyclohexyl
Siloxycarbonyl, carboxynorbornyloxy
Carbonyl, carboxyadamantyloxycarboni
, Hydroxycyclopentyloxycarbonyl, hydr
Roxycyclohexyloxycarbonyl, hydroxyno
Rubornyloxycarbonyl, hydroxyadamantyl
Oxycarbonyl and the like can be exemplified. C1-15 straight
As the chain, branched, or cyclic alkyl group, specifically,
R003The same thing as what was illustrated by can be illustrated. R
005~ R008May form a ring with each other,
In the case of R005~ R008At least one of is carbon
Divalent containing a carboxy group or a hydroxyl group of Formulas 1 to 15
Represents a hydrocarbon group, and the rest are each independently a single bond or a carbon
A linear, branched or cyclic alkylene group having a prime number of 1 to 15
Is shown. It contains a carboxy group or a hydroxyl group having 1 to 15 carbon atoms.
Specific examples of the divalent hydrocarbon group having
Exemplified by a monovalent hydrocarbon group containing a boxy group or a hydroxyl group
Can be exemplified by removing one hydrogen atom from the
You. Linear, branched, or cyclic alkylene having 1 to 15 carbon atoms
Specific examples of the R group include R003From the example illustrated in
One in which one hydrogen atom has been removed can be exemplified.

【0060】R009は炭素数3〜15の−CO−部
分構造を含有する1価の炭化水素基を示し、具体的には
2−オキソオキソラン−3−イル、4,4−ジメチル−
2−オキソオキソラン−3−イル、4−メチル−2−オ
キソオキサン−4−イル、2−オキソ−1,3−ジオキ
ソラン−4−イルメチル、5−メチル−2−オキソオキ
ソラン−5−イル等を例示できる。R010〜R013
の少なくとも1個は炭素数2〜15の−CO−部分構
造を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ
独立に水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又
は環状のアルキル基を示す。炭素数2〜15の−CO
−部分構造を含有する1価の炭化水素基としては、具体
的には2−オキソオキソラン−3−イルオキシカルボニ
ル、4,4−ジメチル−2−オキソオキソラン−3−イ
ルオキシカルボニル、4−メチル−2−オキソオキサン
−4−イルオキシカルボニル、2−オキソ−1,3−ジ
オキソラン−4−イルメチルオキシカルボニル、5−メ
チル−2−オキソオキソラン−5−イルオキシカルボニ
ル等を例示できる。炭素数1〜15の直鎖状、分岐状、
環状のアルキル基としては、具体的にはR003で例示
したものと同様のものが例示できる。R010〜R
013は互いに環を形成していてもよく、その場合には
010〜R013の少なくとも1個は炭素数1〜15
の−CO−部分構造を含有する2価の炭化水素基を示
し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1〜15の
直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基を示す。炭素数1
〜15の−CO−部分構造を含有する2価の炭化水素
基としては、具体的には1−オキソ−2−オキサプロパ
ン−1,3−ジイル、1,3−ジオキソ−2−オキサプ
ロパン−1,3−ジイル、1−オキソ−2−オキサブタ
ン−1,4−ジイル、1,3−ジオキソ−2−オキサブ
タン−1,4−ジイル等の他、上記−CO−部分構造
を含有する1価の炭化水素基で例示したものから水素原
子を1個除いたもの等を例示できる。炭素数1〜15の
直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基としては、具体的
にはR003で例示したものから水素原子を1個除いた
もの等を例示できる。
R 009 represents a monovalent hydrocarbon group having a —CO 2 — partial structure having 3 to 15 carbon atoms, and specifically, 2-oxooxolan-3-yl and 4,4-dimethyl-
2-oxooxolan-3-yl, 4-methyl-2-oxooxan-4-yl, 2-oxo-1,3-dioxolan-4-ylmethyl, 5-methyl-2-oxooxolan-5-yl and the like Can be exemplified. R 010 to R 013
At least one is -CO 2 of 2 to 15 carbon atoms - a monovalent hydrocarbon group containing a partial structure, while the remaining R's are independently hydrogen or C15 straight, branched or Shows a cyclic alkyl group. -CO 2 having 2 to 15 carbon atoms
-Specific examples of the monovalent hydrocarbon group having a partial structure include 2-oxooxolan-3-yloxycarbonyl, 4,4-dimethyl-2-oxooxolan-3-yloxycarbonyl, -Methyl-2-oxooxan-4-yloxycarbonyl, 2-oxo-1,3-dioxolan-4-ylmethyloxycarbonyl, 5-methyl-2-oxooxolan-5-yloxycarbonyl and the like can be exemplified. C1-C15 linear, branched,
Specific examples of the cyclic alkyl group include the same as those exemplified for R 003 . R 010 to R
013 may form a ring with each other, in which case at least one of R 010 to R 013 has 1 to 15 carbon atoms.
Represents a divalent hydrocarbon group having a —CO 2 — partial structure, and the rest each independently represent a single bond or a linear, branched, or cyclic alkylene group having 1 to 15 carbon atoms. Carbon number 1
15 of -CO 2 - Examples of the divalent hydrocarbon group containing a partial structure include 1-oxo-2-oxa-1,3-diyl, 1,3-dioxo-2-oxa-propane 1,3-diyl, 1-oxo-2-Okisabutan-1,4-diyl, other like 1,3-dioxo-2-Okisabutan-1,4-diyl, the -CO 2 - containing partial structure Examples thereof include those obtained by removing one hydrogen atom from those exemplified for the monovalent hydrocarbon group. Specific examples of the linear, branched, or cyclic alkylene group having 1 to 15 carbon atoms include those exemplified in R003 except for removing one hydrogen atom.

【0061】R014は炭素数7〜15の多環式炭化水
素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示
し、具体的にはノルボルニル、ビシクロ[3.3.1]
ノニル、トリシクロ[5.2.1.02,6]デシル、
アダマンチル、エチルアダマンチル、ブチルアダマンチ
ル、ノルボルニルメチル、アダマンチルメチル等を例示
できる。R015は酸不安定基を示し、具体的には先の
説明で挙げたものと同様のもの等を例示できる。XはC
又は酸素原子を示す。kは0又は1である。
R 014 represents a polycyclic hydrocarbon group having 7 to 15 carbon atoms or an alkyl group containing a polycyclic hydrocarbon group, and specifically, norbornyl, bicyclo [3.3.1]
Nonyl, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decyl,
Adamantyl, ethyl adamantyl, butyl adamantyl, norbornylmethyl, adamantylmethyl and the like can be exemplified. R 015 represents an acid labile group, and specific examples thereof include the same as those described in the above description. X is C
Shows the H 2 or an oxygen atom. k is 0 or 1.

【0062】上記一般式(M1)〜(M8−2)で示さ
れる繰り返し単位は、レジスト材料とした際の現像液親
和性、基板密着性、エッチング耐性等の諸特性を付与す
るものであり、これらの繰り返し単位の含有量を適宜調
整することにより、レジスト材料の性能を微調整するこ
とができる。
The repeating units represented by the above general formulas (M1) to (M8-2) impart various properties such as developer affinity, substrate adhesion, and etching resistance when used as a resist material. By appropriately adjusting the content of these repeating units, the performance of the resist material can be finely adjusted.

【0063】なお、本発明の高分子化合物の重量平均分
子量は1,000〜500,000、好ましくは3,0
00〜100,000である。この範囲を外れると、エ
ッチング耐性が極端に低下したり、露光前後の溶解速度
差が確保できなくなって解像性が低下したりすることが
ある。
The polymer of the present invention has a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000, preferably 3.0 to 500.
00 to 100,000. Outside this range, the etching resistance may be extremely reduced, or the difference in dissolution rate before and after exposure may not be ensured, resulting in reduced resolution.

【0064】本発明の高分子化合物の製造は、下記一般
式(1)で示される化合物を第1の単量体に、下記一般
式(2a)〜(4a)で示される化合物から選ばれる1
〜3種を第2〜4の単量体に、更に必要に応じ、下記一
般式(M1a)〜(M8a)で示される化合物から選ば
れる1種又は2種以上をそれ以降の単量体に用いた共重
合反応により行うことができる。
In the production of the polymer compound of the present invention, a compound represented by the following general formula (1) is used as a first monomer and a compound selected from the compounds represented by the following general formulas (2a) to (4a) is used.
To 3 to the second to fourth monomers, and, if necessary, one or more of the compounds represented by the following general formulas (M1a) to (M8a) to the subsequent monomers. It can be carried out by the copolymerization reaction used.

【0065】[0065]

【化31】 (式中、Y、Z、k、p、m、n、R〜Rは上記と
同様である。)
Embedded image (In the formula, Y, Z, k, p, m, n, R 1 to R 9 are the same as described above.)

【0066】[0066]

【化32】 (式中、k、R001〜R015、Xは上記と同様であ
る。)
Embedded image (In the formula, k, R 001 to R 015 , and X are the same as described above.)

【0067】共重合反応においては、各単量体の存在割
合を適宜調節することにより、レジスト材料とした時に
好ましい性能を発揮できるような高分子化合物とするこ
とができる。
In the copolymerization reaction, by appropriately adjusting the proportion of each monomer, it is possible to obtain a polymer compound capable of exhibiting preferable performance when used as a resist material.

【0068】この場合、本発明の高分子化合物は、 (i)上記式(1a)の単量体 (ii)上記式(2a)〜(4a)の単量体 (iii)上記式(M1a)〜(M8a)の単量体に加
え、更に、 (iv)上記(i)〜(iii)以外の炭素−炭素二重
結合を含有する単量体、例えば、メタクリル酸メチル、
クロトン酸メチル、マレイン酸ジメチル、イタコン酸ジ
メチル等の置換アクリル酸エステル類、マレイン酸、フ
マル酸、イタコン酸等の不飽和カルボン酸、ノルボルネ
ン、ノルボルネン−5−カルボン酸メチル等の置換ノル
ボルネン類、無水イタコン酸等の不飽和酸無水物、その
他の単量体を共重合しても差支えない。
In this case, the polymer compound of the present invention comprises: (i) a monomer of the above formula (1a); (ii) a monomer of the above formulas (2a) to (4a); and (iii) a monomer of the above formula (M1a). To (M8a), and (iv) a monomer containing a carbon-carbon double bond other than (i) to (iii) above, for example, methyl methacrylate,
Substituted acrylates such as methyl crotonate, dimethyl maleate and dimethyl itaconate; unsaturated carboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid and itaconic acid; substituted norbornenes such as norbornene and methyl norbornene-5-carboxylate; anhydrous Unsaturated acid anhydrides such as itaconic acid and other monomers may be copolymerized.

【0069】本発明の高分子化合物において、各単量体
に基づく各繰り返し単位の好ましい含有割合は、例えば
以下に示す範囲とすることができるが、これに限定され
るものではない。なお、ここでの%は、いずれもモル%
である。 (I)高分子化合物が、上記一般式(1−1)で示され
る繰り返し単位と(2−1)で示される繰り返し単位を
含有するものである場合には、 式(1a)の単量体に基づく式(1−1)で示される
繰り返し単位を1〜90%、好ましくは5〜80%、よ
り好ましくは10〜70%、 式(2a)の単量体に基づく式(2−1)で示される
繰り返し単位を1〜90%、好ましくは5〜80%、よ
り好ましくは10〜70%、 式(M5a)〜(M8a)の単量体に基づく式(M5
−1)〜(M8−1)で示される繰り返し単位を0〜5
0%、好ましくは0〜40%、より好ましくは0〜30
%、 その他の単量体に基づく繰り返し単位を0〜50%、
好ましくは0〜40%、より好ましくは0〜30%をそ
れぞれ含有することができる。
In the polymer compound of the present invention, a preferable content ratio of each repeating unit based on each monomer can be, for example, in the following range, but is not limited thereto. In addition, all% here are mol%
It is. (I) When the polymer compound contains a repeating unit represented by the general formula (1-1) and a repeating unit represented by (2-1), the monomer represented by the formula (1a) 1 to 90%, preferably 5 to 80%, more preferably 10 to 70% of a repeating unit represented by the formula (1-1) based on the formula (2-1) based on the monomer of the formula (2a) 1 to 90%, preferably 5 to 80%, more preferably 10 to 70% of the repeating unit represented by the formula (M5a) to (M8a)
-1) to (M8-1) represented by 0 to 5
0%, preferably 0-40%, more preferably 0-30
%, A repeating unit based on another monomer is 0 to 50%,
Preferably, it can contain 0 to 40%, more preferably 0 to 30%, respectively.

【0070】(II)高分子化合物が、上記一般式(1
−1)で示される繰り返し単位と(2−1)で示される
繰り返し単位と(3)で示される繰り返し単位を含有す
るものである場合には、 式(1a)の単量体に基づく式(1−1)で示される
繰り返し単位を1〜49%、好ましくは3〜45%、よ
り好ましくは5〜40%、 式(2a)の単量体に基づく式(2−1)で示される
繰り返し単位を1〜49%、好ましくは3〜45%、よ
り好ましくは5〜40%、 式(3a)の単量体に基づく式(3)で示される繰り
返し単位を50%、 式(M5a)〜(M8a)の単量体に基づく式(M5
−1)〜(M8−1)で示される繰り返し単位を0〜2
5%、好ましくは0〜20%、より好ましくは0〜15
%、 その他の単量体に基づく繰り返し単位を0〜25%、
好ましくは0〜20%、より好ましくは0〜15%をそ
れぞれ含有することができる。
(II) The polymer compound represented by the general formula (1)
In the case of containing a repeating unit represented by -1), a repeating unit represented by (2-1) and a repeating unit represented by (3), a compound represented by the formula (1a) 1 to 49%, preferably 3 to 45%, more preferably 5 to 40% of the repeating unit represented by 1-1), and the repeating unit represented by the formula (2-1) based on the monomer of the formula (2a) A unit is 1 to 49%, preferably 3 to 45%, more preferably 5 to 40%; a repeating unit represented by the formula (3) based on the monomer of the formula (3a) is 50%; a formula (M5a) to Formula (M5) based on the monomer of (M8a)
-1) to 0 to 2 (M8-1).
5%, preferably 0-20%, more preferably 0-15
%, A repeating unit based on another monomer is 0 to 25%,
Preferably, it can contain 0 to 20%, more preferably 0 to 15%, respectively.

【0071】(III)高分子化合物が、上記一般式
(1−1)で示される繰り返し単位と(2−1)で示さ
れる繰り返し単位及び/又は(4)で示される繰り返し
単位と(3)で示される繰り返し単位を含有するもので
ある場合には、 式(1a)の単量体に基づく式(1−1)で示される
繰り返し単位を1〜49%、好ましくは3〜45%、よ
り好ましくは5〜40%、 式(2a)の単量体に基づく式(2−1)で示される
繰り返し単位を0〜40%、好ましくは0〜35%、よ
り好ましくは0〜30%、 式(4a)の単量体に基づく式(4)で示される繰り
返し単位を1〜80%、好ましくは1〜70%、より好
ましくは1〜50%、 式(3a)の単量体に基づく式(3)で示される繰り
返し単位を1〜49%、好ましくは5〜45%、より好
ましくは10〜40%、 式(M1a)〜(M8a)の単量体に基づく式(M
1)〜(M8−1)で示される繰り返し単位を0〜25
%、好ましくは0〜20%、より好ましくは0〜15
%、 その他の単量体に基づく繰り返し単位を0〜25%、
好ましくは0〜20%、より好ましくは0〜15%をそ
れぞれ含有することができる。
(III) The polymer compound comprises a repeating unit represented by the above general formula (1-1), a repeating unit represented by the above (2-1) and / or a repeating unit represented by the above (4) and (3) In the case of containing a repeating unit represented by the formula, the repeating unit represented by the formula (1-1) based on the monomer of the formula (1a) is 1 to 49%, preferably 3 to 45%, 5 to 40%, preferably 0 to 40%, preferably 0 to 35%, more preferably 0 to 30% of the repeating unit represented by the formula (2-1) based on the monomer of the formula (2a); 1 to 80%, preferably 1 to 70%, more preferably 1 to 50% of the repeating unit represented by the formula (4) based on the monomer of the formula (3a); 1 to 49%, preferably 5 to 45% of the repeating unit represented by (3) And more preferably 10 to 40% of the formula (M) based on the monomers of the formulas (M1a) to (M8a).
1) to a repeating unit represented by (M8-1) of 0 to 25
%, Preferably 0 to 20%, more preferably 0 to 15%
%, A repeating unit based on another monomer is 0 to 25%,
Preferably, it can contain 0 to 20%, more preferably 0 to 15%, respectively.

【0072】(IV)高分子化合物が、上記一般式(1
−2)で示される繰り返し単位と(2−2)で示される
繰り返し単位を含有するものである場合には、 式(1a)の単量体に基づく式(1−2)で示される
繰り返し単位を1〜90%、好ましくは5〜80%、よ
り好ましくは10〜70%、 式(2a)の単量体に基づく式(2−2)で示される
繰り返し単位を1〜90%、好ましくは5〜80%、よ
り好ましくは10〜70%、 式(M5a)〜(M8a)の単量体に基づく式(M5
−2)〜(M8−2)で示される繰り返し単位を0〜5
0%、好ましくは0〜40%、より好ましくは0〜30
%、 その他の単量体に基づく繰り返し単位を0〜50%、
好ましくは0〜40%、より好ましくは0〜30%をそ
れぞれ含有することができる。
(IV) The polymer compound represented by the general formula (1)
In the case of containing a repeating unit represented by -2) and a repeating unit represented by (2-2), a repeating unit represented by the formula (1-2) based on the monomer of the formula (1a) 1 to 90%, preferably 5 to 80%, more preferably 10 to 70%, 1 to 90%, preferably 1 to 90% of the repeating unit represented by the formula (2-2) based on the monomer of the formula (2a) 5 to 80%, more preferably 10 to 70%, of the formula (M5) based on the monomers of formulas (M5a) to (M8a)
-2) to 0 to 5 of the repeating unit represented by (M8-2).
0%, preferably 0-40%, more preferably 0-30
%, A repeating unit based on another monomer is 0 to 50%,
Preferably, it can contain 0 to 40%, more preferably 0 to 30%, respectively.

【0073】本発明の高分子化合物を製造する共重合反
応は種々例示することができるが、好ましくはラジカル
重合、アニオン重合又は配位重合である。
The copolymerization reaction for producing the polymer compound of the present invention can be variously exemplified, and is preferably radical polymerization, anionic polymerization or coordination polymerization.

【0074】ラジカル重合反応の反応条件は、(ア)溶
剤としてベンゼン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン
等のエーテル類、エタノール等のアルコール類、又はメ
チルイソブチルケトン等のケトン類を用い、(イ)重合
開始剤として2,2’−アゾビスイソブチロニトリル等
のアゾ化合物、又は過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイ
ル等の過酸化物を用い、(ウ)反応温度を0℃から10
0℃程度に保ち、(エ)反応時間を0.5時間から48
時間程度とするのが好ましいが、この範囲を外れる場合
を排除するものではない。
The reaction conditions for the radical polymerization reaction are as follows: (a) A solvent such as a hydrocarbon such as benzene, an ether such as tetrahydrofuran, an alcohol such as ethanol, or a ketone such as methyl isobutyl ketone; An azo compound such as 2,2'-azobisisobutyronitrile or a peroxide such as benzoyl peroxide or lauroyl peroxide is used as an initiator.
(D) The reaction time is 0.5 to 48 hours.
It is preferable to set the time to about the time, but it is not excluded that the time is out of this range.

【0075】アニオン重合反応の反応条件は、(ア)溶
剤としてベンゼン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン
等のエーテル類、又は液体アンモニアを用い、(イ)重
合開始剤としてナトリウム、カリウム等の金属、n−ブ
チルリチウム、sec−ブチルリチウム等のアルキル金
属、ケチル、又はグリニャール反応剤を用い、(ウ)反
応温度を−78℃から0℃程度に保ち、(エ)反応時間
を0.5時間から48時間程度とし、(オ)停止剤とし
てメタノール等のプロトン供与性化合物、ヨウ化メチル
等のハロゲン化物、その他求電子性物質を用いるのが好
ましいが、この範囲を外れる場合を排除するものではな
い。
The reaction conditions for the anionic polymerization reaction are as follows: (a) a hydrocarbon such as benzene, an ether such as tetrahydrofuran, or liquid ammonia as a solvent; and (a) a metal such as sodium or potassium as a polymerization initiator; Using an alkyl metal such as -butyllithium or sec-butyllithium, ketyl, or Grignard reagent, (c) maintaining the reaction temperature at about -78 ° C to 0 ° C, and (d) reducing the reaction time from 0.5 hour to 48 hours. It is preferable to use about a time, and (e) a proton-donating compound such as methanol, a halide such as methyl iodide, or another electrophilic substance is preferably used as a terminator, but a case outside this range is not excluded.

【0076】配位重合の反応条件は、(ア)溶剤として
n−ヘプタン、トルエン等の炭化水素類を用い、(イ)
触媒としてチタン等の遷移金属とアルキルアルミニウム
からなるチーグラー−ナッタ触媒、クロム及びニッケル
化合物を金属酸化物に担持したフィリップス触媒、タン
グステン及びレニウム混合触媒に代表されるオレフィン
−メタセシス混合触媒等を用い、(ウ)反応温度を0℃
から100℃程度に保ち、(エ)反応時間を0.5時間
から48時間程度とするのが好ましいが、この範囲を外
れる場合を排除するものではない。
The reaction conditions for the coordination polymerization are as follows.
As a catalyst, a Ziegler-Natta catalyst comprising a transition metal such as titanium and an alkylaluminum, a Phillips catalyst in which chromium and nickel compounds are supported on a metal oxide, an olefin-metathesis mixed catalyst represented by a tungsten and rhenium mixed catalyst, and the like ( C) The reaction temperature is 0 ° C
To about 100 ° C., and (d) the reaction time is preferably about 0.5 to 48 hours, but a case outside this range is not excluded.

【0077】本発明の高分子化合物は、レジスト材料の
ベースポリマーとして有効であり、本発明は、この高分
子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料を提供す
る。
The polymer compound of the present invention is effective as a base polymer of a resist material, and the present invention provides a resist material containing the polymer compound.

【0078】本発明のレジスト材料には、高エネルギー
線もしくは電子線に感応して酸を発生する化合物(以
下、酸発生剤)、有機溶剤、必要に応じてその他の成分
を含有することができる。
The resist composition of the present invention can contain a compound capable of generating an acid in response to a high energy beam or an electron beam (hereinafter referred to as an acid generator), an organic solvent, and other components as required. .

【0079】本発明で使用される酸発生剤としては、
i.下記一般式(P1a−1)、(P1a−2)又は
(P1b)のオニウム塩、ii.下記一般式(P2)の
ジアゾメタン誘導体、iii.下記一般式(P3)のグ
リオキシム誘導体、iv.下記一般式(P4)のビスス
ルホン誘導体、v.下記一般式(P5)のN−ヒドロキ
シイミド化合物のスルホン酸エステル、vi.β−ケト
スルホン酸誘導体、vii.ジスルホン誘導体、vii
i.ニトロベンジルスルホネート誘導体、ix.スルホ
ン酸エステル誘導体等が挙げられる。
The acid generator used in the present invention includes:
i. An onium salt of the following general formula (P1a-1), (P1a-2) or (P1b), ii. A diazomethane derivative represented by the following general formula (P2), iii. A glyoxime derivative of the following general formula (P3), iv. A bissulfone derivative represented by the following general formula (P4); A sulfonic acid ester of an N-hydroxyimide compound represented by the following general formula (P5), vi. β-ketosulfonic acid derivatives, vii. Disulfone derivative, vii
i. Nitrobenzylsulfonate derivatives, ix. And sulfonic acid ester derivatives.

【0080】[0080]

【化33】 (式中、R101a、R101b、R101cはそれぞ
れ炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル
基、アルケニル基、オキソアルキル基又はオキソアルケ
ニル基、炭素数6〜20のアリール基、又は炭素数7〜
12のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示
し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ
基等によって置換されていてもよい。また、R101b
とR101 とは環を形成してもよく、環を形成する場
合には、R101b、R101cはそれぞれ炭素数1〜
6のアルキレン基を示す。Kは非求核性対向イオンを
表す。)
Embedded image (Wherein, R 101a , R 101b , and R 101c each represent a linear, branched, or cyclic alkyl group, alkenyl group, oxoalkyl group, or oxoalkenyl group having 1 to 12 carbon atoms, and aryl having 6 to 20 carbon atoms. Group or 7 to carbon atoms
12 represents an aralkyl group or an aryloxoalkyl group, and a part or all of the hydrogen atoms of these groups may be substituted with an alkoxy group or the like. Also, R 101b
And may be the R 101 c to form a ring, when they form a ring, R 101b, R 101c are each 1 to carbon atoms
6 represents an alkylene group. K - is a non-nucleophilic counter ion. )

【0081】上記R101a、R101b、R101c
は互いに同一であっても異なっていてもよく、具体的に
はアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル
基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘ
プチル基、オクチル基、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基、シクロヘプチル基、シクロプロピルメチル基、
4−メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル
基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。
アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、プロぺニ
ル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基
等が挙げられる。オキソアルキル基としては、2−オキ
ソシクロペンチル基、2−オキソシクロヘキシル基等が
挙げられ、2−オキソプロピル基、2−シクロペンチル
−2−オキソエチル基、2−シクロヘキシル−2−オキ
ソエチル基、2−(4−メチルシクロヘキシル)−2−
オキソエチル基等を挙げることができる。アリール基と
しては、フェニル基、ナフチル基等や、p−メトキシフ
ェニル基、m−メトキシフェニル基、o−メトキシフェ
ニル基、エトキシフェニル基、p−tert−ブトキシ
フェニル基、m−tert−ブトキシフェニル基等のア
ルコキシフェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチ
ルフェニル基、4−メチルフェニル基、エチルフェニル
基、4−tert−ブチルフェニル基、4−ブチルフェ
ニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基、
メチルナフチル基、エチルナフチル基等のアルキルナフ
チル基、メトキシナフチル基、エトキシナフチル基等の
アルコキシナフチル基、ジメチルナフチル基、ジエチル
ナフチル基等のジアルキルナフチル基、ジメトキシナフ
チル基、ジエトキシナフチル基等のジアルコキシナフチ
ル基等が挙げられる。アラルキル基としてはベンジル
基、フェニルエチル基、フェネチル基等が挙げられる。
アリールオキソアルキル基としては、2−フェニル−2
−オキソエチル基、2−(1−ナフチル)−2−オキソ
エチル基、2−(2−ナフチル)−2−オキソエチル基
等の2−アリール−2−オキソエチル基等が挙げられ
る。Kの非求核性対向イオンとしては塩化物イオン、
臭化物イオン等のハライドイオン、トリフレート、1,
1,1−トリフルオロエタンスルホネート、ノナフルオ
ロブタンスルホネート等のフルオロアルキルスルホネー
ト、トシレート、ベンゼンスルホネート、4−フルオロ
ベンゼンスルホネート、1,2,3,4,5−ペンタフ
ルオロベンゼンスルホネート等のアリールスルホネー
ト、メシレート、ブタンスルホネート等のアルキルスル
ホネートが挙げられる。
The above R 101a , R 101b , R 101c
May be the same or different from each other, and specifically, as an alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group , Hexyl group, heptyl group, octyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopropylmethyl group,
Examples include a 4-methylcyclohexyl group, a cyclohexylmethyl group, a norbornyl group, and an adamantyl group.
Examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group, a propenyl group, a butenyl group, a hexenyl group, and a cyclohexenyl group. Examples of the oxoalkyl group include a 2-oxocyclopentyl group, a 2-oxocyclohexyl group, and the like. A 2-oxopropyl group, a 2-cyclopentyl-2-oxoethyl group, a 2-cyclohexyl-2-oxoethyl group, a 2- (4 -Methylcyclohexyl) -2-
An oxoethyl group and the like can be mentioned. Examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a p-methoxyphenyl group, an m-methoxyphenyl group, an o-methoxyphenyl group, an ethoxyphenyl group, a p-tert-butoxyphenyl group, and an m-tert-butoxyphenyl group. Alkylphenyl groups such as alkoxyphenyl group, 2-methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, ethylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 4-butylphenyl group and dimethylphenyl group ,
Alkylnaphthyl groups such as methylnaphthyl group and ethylnaphthyl group, alkoxynaphthyl groups such as methoxynaphthyl group and ethoxynaphthyl group, dialkylnaphthyl groups such as dimethylnaphthyl group and diethylnaphthyl group, dimethoxynaphthyl groups and diethoxynaphthyl groups such as diethoxynaphthyl groups And alkoxynaphthyl groups. Examples of the aralkyl group include a benzyl group, a phenylethyl group, a phenethyl group and the like.
As the aryloxoalkyl group, 2-phenyl-2
And 2-aryl-2-oxoethyl groups such as -oxoethyl group, 2- (1-naphthyl) -2-oxoethyl group and 2- (2-naphthyl) -2-oxoethyl group. The non-nucleophilic counter ion of K is chloride ion,
Halide ion such as bromide ion, triflate, 1,
Fluoroalkylsulfonates such as 1,1-trifluoroethanesulfonate and nonafluorobutanesulfonate; arylsulfonates such as tosylate, benzenesulfonate, 4-fluorobenzenesulfonate, 1,2,3,4,5-pentafluorobenzenesulfonate, and mesylate And alkyl sulfonates such as butane sulfonate.

【0082】[0082]

【化34】 (式中、R102a、R102bはそれぞれ炭素数1〜
8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R
103は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のア
ルキレン基を示す。R104a、R104bはそれぞれ
炭素数3〜7の2−オキソアルキル基を示す。Kは非
求核性対向イオンを表す。)
Embedded image (Wherein, R 102a and R 102b each have 1 to 1 carbon atoms.
8 represents a linear, branched or cyclic alkyl group. R
103 represents a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 10 carbon atoms. R 104a and R 104b each represent a 2-oxoalkyl group having 3 to 7 carbon atoms. K - is a non-nucleophilic counter ion. )

【0083】上記R102a、R102bとして具体的
には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロプロ
ピルメチル基、4−メチルシクロヘキシル基、シクロヘ
キシルメチル基等が挙げられる。R103としては、メ
チレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペ
ンチレン基、へキシレン基、へプチレン基、オクチレン
基、ノニレン基、1,4−シクロへキシレン基、1,2
−シクロへキシレン基、1,3−シクロペンチレン基、
1,4−シクロオクチレン基、1,4−シクロヘキサン
ジメチレン基等が挙げられる。R104a、R104b
としては、2−オキソプロピル基、2−オキソシクロペ
ンチル基、2−オキソシクロヘキシル基、2−オキソシ
クロヘプチル基等が挙げられる。Kは式(P1a−
1)及び(P1a−2)で説明したものと同様のものを
挙げることができる。
Specific examples of R 102a and R 102b include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group and a heptyl group. Octyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclopropylmethyl group, 4-methylcyclohexyl group, cyclohexylmethyl group and the like. R 103 includes methylene, ethylene, propylene, butylene, pentylene, hexylene, heptylene, octylene, nonylene, 1,4-cyclohexylene,
-Cyclohexylene group, 1,3-cyclopentylene group,
Examples thereof include a 1,4-cyclooctylene group and a 1,4-cyclohexanedimethylene group. R 104a , R 104b
Examples thereof include a 2-oxopropyl group, a 2-oxocyclopentyl group, a 2-oxocyclohexyl group, and a 2-oxocycloheptyl group. K - is the formula (P1a-
Examples similar to those described in 1) and (P1a-2) can be given.

【0084】[0084]

【化35】 (式中、R105、R106は炭素数1〜12の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキ
ル基、炭素数6〜20のアリール基又はハロゲン化アリ
ール基、又は炭素数7〜12のアラルキル基を示す。)
Embedded image (Wherein, R 105 and R 106 are a linear, branched or cyclic alkyl group or halogenated alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group or a halogenated aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or And 7 to 12 aralkyl groups.)

【0085】R105、R106のアルキル基としては
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n
−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ア
ミル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロ
ヘプチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げ
られる。ハロゲン化アルキル基としてはトリフルオロメ
チル基、1,1,1−トリフルオロエチル基、1,1,
1−トリクロロエチル基、ノナフルオロブチル基等が挙
げられる。アリール基としてはフェニル基、p−メトキ
シフェニル基、m−メトキシフェニル基、o−メトキシ
フェニル基、エトキシフェニル基、p−tert−ブト
キシフェニル基、m−tert−ブトキシフェニル基等
のアルコキシフェニル基、2−メチルフェニル基、3−
メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、エチルフェ
ニル基、4−tert−ブチルフェニル基、4−ブチル
フェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル
基が挙げられる。ハロゲン化アリール基としてはフルオ
ロフェニル基、クロロフェニル基、1,2,3,4,5
−ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。アラルキ
ル基としてはベンジル基、フェネチル基等が挙げられ
る。
As the alkyl group for R 105 and R 106 , methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n
-Butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group,
Pentyl, hexyl, heptyl, octyl, amyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, norbornyl, adamantyl and the like. Examples of the halogenated alkyl group include a trifluoromethyl group, a 1,1,1-trifluoroethyl group,
Examples thereof include a 1-trichloroethyl group and a nonafluorobutyl group. Examples of the aryl group include an alkoxyphenyl group such as a phenyl group, a p-methoxyphenyl group, an m-methoxyphenyl group, an o-methoxyphenyl group, an ethoxyphenyl group, a p-tert-butoxyphenyl group, and a m-tert-butoxyphenyl group. 2-methylphenyl group, 3-
Examples thereof include alkylphenyl groups such as a methylphenyl group, a 4-methylphenyl group, an ethylphenyl group, a 4-tert-butylphenyl group, a 4-butylphenyl group, and a dimethylphenyl group. Examples of the halogenated aryl group include a fluorophenyl group, a chlorophenyl group, 1,2,3,4,5
-Pentafluorophenyl group and the like. Examples of the aralkyl group include a benzyl group and a phenethyl group.

【0086】[0086]

【化36】 (式中、R107、R108、R109は炭素数1〜1
2の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン
化アルキル基、炭素数6〜20のアリール基又はハロゲ
ン化アリール基、又は炭素数7〜12のアラルキル基を
示す。R108、R109は互いに結合して環状構造を
形成してもよく、環状構造を形成する場合、R108
109はそれぞれ炭素数1〜6の直鎖状、分岐状のア
ルキレン基を示す。)
Embedded image (Wherein, R 107 , R 108 and R 109 each have 1 to 1 carbon atoms.
2 represents a linear, branched or cyclic alkyl group or halogenated alkyl group, an aryl group or halogenated aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms. R 108, R 109 may be bonded to each other to form a cyclic structure, when they form a ring, R 108,
R 109 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. )

【0087】R107、R108、R109のアルキル
基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、ハロゲン化ア
リール基、アラルキル基としては、R105、R106
で説明したものと同様の基が挙げられる。なお、R
108、R109のアルキレン基としてはメチレン基、
エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基
等が挙げられる。
The alkyl group, halogenated alkyl group, aryl group, halogenated aryl group and aralkyl group represented by R 107 , R 108 and R 109 are R 105 , R 106
And the same groups as described in the above. Note that R
As the alkylene group for 108 and R 109, a methylene group,
Examples include an ethylene group, a propylene group, a butylene group, and a hexylene group.

【0088】[0088]

【化37】 (式中、R101a、R101bは上記と同じであ
る。)
Embedded image (In the formula, R 101a and R 101b are the same as described above.)

【0089】[0089]

【化38】 (式中、R110は炭素数6〜10のアリーレン基、炭
素数1〜6のアルキレン基又は炭素数2〜6のアルケニ
レン基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部は
更に炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基又は
アルコキシ基、ニトロ基、アセチル基、又はフェニル基
で置換されていてもよい。R111は炭素数1〜8の直
鎖状、分岐状又は置換のアルキル基、アルケニル基又は
アルコキシアルキル基、フェニル基、又はナフチル基を
示し、これらの基の水素原子の一部又は全部は更に炭素
数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基;炭素数1〜4
のアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチル基
で置換されていてもよいフェニル基;炭素数3〜5のヘ
テロ芳香族基;又は塩素原子、フッ素原子で置換されて
いてもよい。)
Embedded image (In the formula, R 110 represents an arylene group having 6 to 10 carbon atoms, an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms or an alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms, and a part or all of the hydrogen atoms of these groups further have carbon atoms. R 111 may be substituted with a linear or branched alkyl or alkoxy group, a nitro group, an acetyl group, or a phenyl group having from 1 to 4. R 111 has 1 to 8 carbon atoms. Or a substituted alkyl group, alkenyl group or alkoxyalkyl group, phenyl group or naphthyl group, and a part or all of the hydrogen atoms of these groups are further an alkyl group or alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms; ~ 4
A phenyl group optionally substituted by an alkyl group, an alkoxy group, a nitro group or an acetyl group; a heteroaromatic group having 3 to 5 carbon atoms; or a chlorine atom or a fluorine atom. )

【0090】ここで、R110のアリーレン基として
は、1,2−フェニレン基、1,8−ナフチレン基等
が、アルキレン基としては、メチレン基、1,2−エチ
レン基、1,3−プロピレン基、1,4−ブチレン基、
1−フェニル−1,2−エチレン基、ノルボルナン−
2,3−ジイル基等が、アルケニレン基としては、1,
2−ビニレン基、1−フェニル−1,2−ビニレン基、
5−ノルボルネン−2,3−ジイル基等が挙げられる。
111のアルキル基としては、R101a〜R10
1cと同様のものが、アルケニル基としては、ビニル
基、1−プロペニル基、アリル基、1−ブテニル基、3
−ブテニル基、イソプレニル基、1−ペンテニル基、3
−ペンテニル基、4−ペンテニル基、ジメチルアリル
基、1−ヘキセニル基、3−ヘキセニル基、5−ヘキセ
ニル基、1−ヘプテニル基、3−ヘプテニル基、6−ヘ
プテニル基、7−オクテニル基等が、アルコキシアルキ
ル基としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基、
プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、ペンチロキシ
メチル基、ヘキシロキシメチル基、ヘプチロキシメチル
基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシ
エチル基、ブトキシエチル基、ペンチロキシエチル基、
ヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシ
プロピル基、プロポキシプロピル基、ブトキシプロピル
基、メトキシブチル基、エトキシブチル基、プロポキシ
ブチル基、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基、
メトキシヘキシル基、メトキシヘプチル基等が挙げられ
る。
Here, the arylene group of R 110 is 1,2-phenylene group, 1,8-naphthylene group or the like, and the alkylene group is methylene group, 1,2-ethylene group, 1,3-propylene group. Group, 1,4-butylene group,
1-phenyl-1,2-ethylene group, norbornane-
When the 2,3-diyl group or the like is an alkenylene group,
2-vinylene group, 1-phenyl-1,2-vinylene group,
5-norbornene-2,3-diyl group and the like.
As the alkyl group for R 111 , R 101a to R 10
The same alkenyl groups as those described in 1c except for a vinyl group, a 1-propenyl group, an allyl group, a 1-butenyl group,
-Butenyl group, isoprenyl group, 1-pentenyl group, 3
-Pentenyl group, 4-pentenyl group, dimethylallyl group, 1-hexenyl group, 3-hexenyl group, 5-hexenyl group, 1-heptenyl group, 3-heptenyl group, 6-heptenyl group, 7-octenyl group and the like, Examples of the alkoxyalkyl group include a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group,
Propoxymethyl group, butoxymethyl group, pentoxylmethyl group, hexyloxymethyl group, heptyloxymethyl group, methoxyethyl group, ethoxyethyl group, propoxyethyl group, butoxyethyl group, pentoxyloxy group,
Hexyloxyethyl group, methoxypropyl group, ethoxypropyl group, propoxypropyl group, butoxypropyl group, methoxybutyl group, ethoxybutyl group, propoxybutyl group, methoxypentyl group, ethoxypentyl group,
Examples include a methoxyhexyl group and a methoxyheptyl group.

【0091】なお、更に置換されていてもよい炭素数1
〜4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル
基、tert−ブチル基等が、炭素数1〜4のアルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ
基、tert−ブトキシ基等が、炭素数1〜4のアルキ
ル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチル基で置換さ
れていてもよいフェニル基としては、フェニル基、トリ
ル基、p−tert−ブトキシフェニル基、p−アセチ
ルフェニル基、p−ニトロフェニル基等が、炭素数3〜
5のヘテロ芳香族基としては、ピリジル基、フリル基等
が挙げられる。
Further, the carbon atom which may be further substituted has 1 carbon atom.
Examples of the alkyl group having 4 to 4 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, and a tert-butyl group. Group, propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, tert-butoxy group, etc. may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, a nitro group or an acetyl group. A phenyl group, a tolyl group, a p-tert-butoxyphenyl group, a p-acetylphenyl group, a p-nitrophenyl group, etc.
Examples of the heteroaromatic group 5 include a pyridyl group and a furyl group.

【0092】具体的には、例えばトリフルオロメタンス
ルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタン
スルホン酸(p−tert−ブトキシフェニル)フェニ
ルヨードニウム、p−トルエンスルホン酸ジフェニルヨ
ードニウム、p−トルエンスルホン酸(p−tert−
ブトキシフェニル)フェニルヨードニウム、トリフルオ
ロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフ
ルオロメタンスルホン酸(p−tert−ブトキシフェ
ニル)ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンス
ルホン酸ビス(p−tert−ブトキシフェニル)フェ
ニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリ
ス(p−tert−ブトキシフェニル)スルホニウム、
p−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、p
−トルエンスルホン酸(p−tert−ブトキシフェニ
ル)ジフェニルスルホニウム、p−トルエンスルホン酸
ビス(p−tert−ブトキシフェニル)フェニルスル
ホニウム、p−トルエンスルホン酸トリス(p−ter
t−ブトキシフェニル)スルホニウム、ノナフルオロブ
タンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスル
ホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタン
スルホン酸トリメチルスルホニウム、p−トルエンスル
ホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンス
ルホン酸シクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキ
シル)スルホニウム、p−トルエンスルホン酸シクロヘ
キシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウ
ム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルス
ルホニウム、p−トルエンスルホン酸ジメチルフェニル
スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロ
ヘキシルフェニルスルホニウム、p−トルエンスルホン
酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、トリフルオ
ロメタンスルホン酸トリナフチルスルホニウム、トリフ
ルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル(2−オ
キソシクロヘキシル)スルホニウム、トリフルオロメタ
ンスルホン酸(2−ノルボニル)メチル(2−オキソシ
クロヘキシル)スルホニウム、エチレンビス[メチル
(2−オキソシクロペンチル)スルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホナート]、1,2’−ナフチルカルボニ
ルメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフレート等の
オニウム塩、ビス(ベンゼンスルホニル)ジアゾメタ
ン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビ
ス(キシレンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロ
ヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロペン
チルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(n−ブチルスル
ホニル)ジアゾメタン、ビス(イソブチルスルホニル)
ジアゾメタン、ビス(sec−ブチルスルホニル)ジア
ゾメタン、ビス(n−プロピルスルホニル)ジアゾメタ
ン、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビ
ス(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス
(n−アミルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(イソア
ミルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(sec−アミル
スルホニル)ジアゾメタン、ビス(tert−アミルス
ルホニル)ジアゾメタン、1−シクロヘキシルスルホニ
ル−1−(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタ
ン、1−シクロヘキシルスルホニル−1−(tert−
アミルスルホニル)ジアゾメタン、1−tert−アミ
ルスルホニル−1−(tert−ブチルスルホニル)ジ
アゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス−O−(p−
トルエンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビ
ス−O−(p−トルエンスルホニル)−α−ジフェニル
グリオキシム、ビス−O−(p−トルエンスルホニル)
−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−O−(p
−トルエンスルホニル)−2,3−ペンタンジオングリ
オキシム、ビス−O−(p−トルエンスルホニル)−2
−メチル−3,4−ペンタンジオングリオキシム、ビス
−O−(n−ブタンスルホニル)−α−ジメチルグリオ
キシム、ビス−O−(n−ブタンスルホニル)−α−ジ
フェニルグリオキシム、ビス−O−(n−ブタンスルホ
ニル)−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−O
−(n−ブタンスルホニル)−2,3−ペンタンジオン
グリオキシム、ビス−O−(n−ブタンスルホニル)−
2−メチル−3,4−ペンタンジオングリオキシム、ビ
ス−O−(メタンスルホニル)−α−ジメチルグリオキ
シム、ビス−O−(トリフルオロメタンスルホニル)−
α−ジメチルグリオキシム、ビス−O−(1,1,1−
トリフルオロエタンスルホニル)−α−ジメチルグリオ
キシム、ビス−O−(tert−ブタンスルホニル)−
α−ジメチルグリオキシム、ビス−O−(パーフルオロ
オクタンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビ
ス−O−(シクロヘキサンスルホニル)−α−ジメチル
グリオキシム、ビス−O−(ベンゼンスルホニル)−α
−ジメチルグリオキシム、ビス−O−(p−フルオロベ
ンゼンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス
−O−(p−tert−ブチルベンゼンスルホニル)−
α−ジメチルグリオキシム、ビス−O−(キシレンスル
ホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−O−(カ
ンファースルホニル)−α−ジメチルグリオキシム等の
グリオキシム誘導体、ビスナフチルスルホニルメタン、
ビストリフルオロメチルスルホニルメタン、ビスメチル
スルホニルメタン、ビスエチルスルホニルメタン、ビス
プロピルスルホニルメタン、ビスイソプロピルスルホニ
ルメタン、ビス−p−トルエンスルホニルメタン、ビス
ベンゼンスルホニルメタン等のビススルホン誘導体、2
−シクロヘキシルカルボニル−2−(p−トルエンスル
ホニル)プロパン、2−イソプロピルカルボニル−2−
(p−トルエンスルホニル)プロパン等のβ−ケトスル
ホン誘導体、ジフェニルジスルホン、ジシクロヘキシル
ジスルホン等のジスルホン誘導体、p−トルエンスルホ
ン酸2,6−ジニトロベンジル、p−トルエンスルホン
酸2,4−ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホ
ネート誘導体、1,2,3−トリス(メタンスルホニル
オキシ)ベンゼン、1,2,3−トリス(トリフルオロ
メタンスルホニルオキシ)ベンゼン、1,2,3−トリ
ス(p−トルエンスルホニルオキシ)ベンゼン等のスル
ホン酸エステル誘導体、N−ヒドロキシスクシンイミド
メタンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイ
ミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、N−ヒド
ロキシスクシンイミドエタンスルホン酸エステル、N−
ヒドロキシスクシンイミド1−プロパンスルホン酸エス
テル、N−ヒドロキシスクシンイミド2−プロパンスル
ホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド1−ペ
ンタンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイ
ミド1−オクタンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシ
スクシンイミドp−トルエンスルホン酸エステル、N−
ヒドロキシスクシンイミドp−メトキシベンゼンスルホ
ン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド2−クロ
ロエタンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシン
イミドベンゼンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシス
クシンイミド−2,4,6−トリメチルベンゼンスルホ
ン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド1−ナフ
タレンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイ
ミド2−ナフタレンスルホン酸エステル、N−ヒドロキ
シ−2−フェニルスクシンイミドメタンスルホン酸エス
テル、N−ヒドロキシマレイミドメタンスルホン酸エス
テル、N−ヒドロキシマレイミドエタンスルホン酸エス
テル、N−ヒドロキシ−2−フェニルマレイミドメタン
スルホン酸エステル、N−ヒドロキシグルタルイミドメ
タンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシグルタルイミ
ドベンゼンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシフタル
イミドメタンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシフタ
ルイミドベンゼンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシ
フタルイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、
N−ヒドロキシフタルイミドp−トルエンスルホン酸エ
ステル、N−ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホン
酸エステル、N−ヒドロキシナフタルイミドベンゼンス
ルホン酸エステル、N−ヒドロキシ−5−ノルボルネン
−2,3−ジカルボキシイミドメタンスルホン酸エステ
ル、N−ヒドロキシ−5−ノルボルネン−2,3−ジカ
ルボキシイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステ
ル、N−ヒドロキシ−5−ノルボルネン−2,3−ジカ
ルボキシイミドp−トルエンスルホン酸エステル等のN
−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体
等が挙げられるが、トリフルオロメタンスルホン酸トリ
フェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸
(p−tert−ブトキシフェニル)ジフェニルスルホ
ニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス(p−t
ert−ブトキシフェニル)スルホニウム、p−トルエ
ンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、p−トルエン
スルホン酸(p−tert−ブトキシフェニル)ジフェ
ニルスルホニウム、p−トルエンスルホン酸トリス(p
−tert−ブトキシフェニル)スルホニウム、トリフ
ルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホニウム、ト
リフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル(2
−オキソシクロヘキシル)スルホニウム、トリフルオロ
メタンスルホン酸(2−ノルボニル)メチル(2−オキ
ソシクロヘキシル)スルホニウム、1,2’−ナフチル
カルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフレ
ート等のオニウム塩、ビス(ベンゼンスルホニル)ジア
ゾメタン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタ
ン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(n−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(イ
ソブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(sec−ブ
チルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(n−プロピルス
ルホニル)ジアゾメタン、ビス(イソプロピルスルホニ
ル)ジアゾメタン、ビス(tert−ブチルスルホニ
ル)ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス−O−
(p−トルエンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシ
ム、ビス−O−(n−ブタンスルホニル)−α−ジメチ
ルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、ビスナフチル
スルホニルメタン等のビススルホン誘導体、N−ヒドロ
キシスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、N−ヒ
ドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホン酸
エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド1−プロパン
スルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド2
−プロパンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシ
ンイミド1−ペンタンスルホン酸エステル、N−ヒドロ
キシスクシンイミドp−トルエンスルホン酸エステル、
N−ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホン酸エステ
ル、N−ヒドロキシナフタルイミドベンゼンスルホン酸
エステル等のN−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸
エステル誘導体が好ましく用いられる。なお、上記酸発
生剤は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いる
ことができる。オニウム塩は矩形性向上効果に優れ、ジ
アゾメタン誘導体及びグリオキシム誘導体は定在波低減
効果に優れるため、両者を組み合わせることによりプロ
ファイルの微調整を行うことが可能である。
Specifically, for example, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, phenyliodonium trifluoromethanesulfonate (p-tert-butoxyphenyl), diphenyliodonium p-toluenesulfonate, p-toluenesulfonic acid (p-tert-sulfonic acid)
(Butoxyphenyl) phenyliodonium, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, trifluoromethanesulfonic acid (p-tert-butoxyphenyl) diphenylsulfonium, bis (p-tert-butoxyphenyl) phenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, tris trifluoromethanesulfonate (P-tert-butoxyphenyl) sulfonium,
triphenylsulfonium p-toluenesulfonate, p
-(P-tert-butoxyphenyl) diphenylsulfonium toluenesulfonate, bis (p-tert-butoxyphenyl) phenylsulfonium p-toluenesulfonate, tris (p-tert-toluenesulfonate)
(t-butoxyphenyl) sulfonium, triphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate, triphenylsulfonium butanesulfonate, trimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, trimethylsulfonium p-toluenesulfonate, cyclohexylmethyl trifluoromethanesulfonate (2-oxocyclohexyl) Sulfonium, cyclohexylmethyl p-toluenesulfonate (2-oxocyclohexyl) sulfonium, dimethylphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, dimethylphenylsulfonium p-toluenesulfonate, dicyclohexylphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, dicyclohexylphenylsulfonium p-toluenesulfonate , Trifluoromethane sulfone Trinaphthylsulfonium, cyclohexylmethyl trifluoromethanesulfonate (2-oxocyclohexyl) sulfonium, (2-norbonyl) methyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium, ethylenebis [methyl (2-oxocyclopentyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate Onium salts such as 1,2′-naphthylcarbonylmethyltetrahydrothiophenium triflate, bis (benzenesulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (xylenesulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) Diazomethane, bis (cyclopentylsulfonyl) diazomethane, bis (n-butylsulfonyl) diazomethane, bis (isobutyl) Ruhoniru)
Diazomethane, bis (sec-butylsulfonyl) diazomethane, bis (n-propylsulfonyl) diazomethane, bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (tert-butylsulfonyl) diazomethane, bis (n-amylsulfonyl) diazomethane, bis (isoamylsulfonyl) Diazomethane, bis (sec-amylsulfonyl) diazomethane, bis (tert-amylsulfonyl) diazomethane, 1-cyclohexylsulfonyl-1- (tert-butylsulfonyl) diazomethane, 1-cyclohexylsulfonyl-1- (tert-
Diazomethane derivatives such as amylsulfonyl) diazomethane, 1-tert-amylsulfonyl-1- (tert-butylsulfonyl) diazomethane, bis-O- (p-
Toluenesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (p-toluenesulfonyl) -α-diphenylglyoxime, bis-O- (p-toluenesulfonyl)
-Α-dicyclohexylglyoxime, bis-O- (p
-Toluenesulfonyl) -2,3-pentanedione glyoxime, bis-O- (p-toluenesulfonyl) -2
-Methyl-3,4-pentanedione glyoxime, bis-O- (n-butanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (n-butanesulfonyl) -α-diphenylglyoxime, bis-O- (N-butanesulfonyl) -α-dicyclohexylglyoxime, bis-O
-(N-butanesulfonyl) -2,3-pentanedione glyoxime, bis-O- (n-butanesulfonyl)-
2-methyl-3,4-pentanedione glyoxime, bis-O- (methanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (trifluoromethanesulfonyl)-
α-dimethylglyoxime, bis-O- (1,1,1-
Trifluoroethanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (tert-butanesulfonyl)-
α-dimethylglyoxime, bis-O- (perfluorooctanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (cyclohexanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (benzenesulfonyl) -α
-Dimethylglyoxime, bis-O- (p-fluorobenzenesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (p-tert-butylbenzenesulfonyl)-
glyoxime derivatives such as α-dimethylglyoxime, bis-O- (xylenesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (camphorsulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bisnaphthylsulfonylmethane,
Bissulfone derivatives such as bistrifluoromethylsulfonylmethane, bismethylsulfonylmethane, bisethylsulfonylmethane, bispropylsulfonylmethane, bisisopropylsulfonylmethane, bis-p-toluenesulfonylmethane, and bisbenzenesulfonylmethane;
-Cyclohexylcarbonyl-2- (p-toluenesulfonyl) propane, 2-isopropylcarbonyl-2-
Β-ketosulfone derivatives such as (p-toluenesulfonyl) propane; disulfone derivatives such as diphenyldisulfone and dicyclohexyldisulfone; nitro such as 2,6-dinitrobenzyl p-toluenesulfonate and 2,4-dinitrobenzyl p-toluenesulfonate. Benzyl sulfonate derivatives, 1,2,3-tris (methanesulfonyloxy) benzene, 1,2,3-tris (trifluoromethanesulfonyloxy) benzene, 1,2,3-tris (p-toluenesulfonyloxy) benzene and the like Sulfonic acid ester derivatives, N-hydroxysuccinimide methanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide trifluoromethanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide ethanesulfonic acid ester, N-
Hydroxysuccinimide 1-propanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide 2-propanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide 1-pentanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide 1-octanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide p-toluenesulfone Acid ester, N-
Hydroxysuccinimide p-methoxybenzenesulfonate, N-hydroxysuccinimide 2-chloroethanesulfonate, N-hydroxysuccinimidebenzenesulfonate, N-hydroxysuccinimide-2,4,6-trimethylbenzenesulfonate, N-hydroxy Succinimide 1-naphthalenesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide 2-naphthalenesulfonic acid ester, N-hydroxy-2-phenylsuccinimide methanesulfonic acid ester, N-hydroxymaleimide methanesulfonic acid ester, N-hydroxymaleimidoethanesulfonic acid ester, N-hydroxy-2-phenylmaleimide methanesulfonic acid ester, N-hydroxyglutarimide methanesulfonic acid ester Ether, N- hydroxy glutarimide benzenesulfonate ester, N- hydroxyphthalimide methanesulfonate ester, N- hydroxyphthalimide benzenesulfonate ester, N- hydroxyphthalimide trifluoromethanesulfonate ester,
N-hydroxyphthalimide p-toluenesulfonic acid ester, N-hydroxynaphthalimide methanesulfonic acid ester, N-hydroxynaphthalimidebenzenesulfonic acid ester, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximide methanesulfonic acid ester N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximide trifluoromethanesulfonic acid ester, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximide p-toluenesulfonic acid ester, etc.
Sulfonic acid ester derivatives of -hydroxyimide compounds, and the like.
tert-butoxyphenyl) sulfonium, triphenylsulfonium p-toluenesulfonate, diphenylsulfonium p-toluenesulfonate (p-tert-butoxyphenyl), tris (p-toluenesulfonate)
-Tert-butoxyphenyl) sulfonium, trinaphthylsulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclohexylmethyl trifluoromethanesulfonate (2
Onium salts such as -oxocyclohexyl) sulfonium, (2-norbonyl) methyl trifluoromethanesulfonate (2-oxocyclohexyl) sulfonium, 1,2'-naphthylcarbonylmethyltetrahydrothiophenium triflate, bis (benzenesulfonyl) diazomethane, Bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane,
Bis (n-butylsulfonyl) diazomethane, bis (isobutylsulfonyl) diazomethane, bis (sec-butylsulfonyl) diazomethane, bis (n-propylsulfonyl) diazomethane, bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (tert-butylsulfonyl) diazomethane, etc. Diazomethane derivative of bis-O-
Glyoxime derivatives such as (p-toluenesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (n-butanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bissulfone derivatives such as bisnaphthylsulfonylmethane, N-hydroxysuccinimide methanesulfonic acid Ester, N-hydroxysuccinimide trifluoromethanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide 1-propanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide 2
-Propanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide 1-pentanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide p-toluenesulfonic acid ester,
Sulfonate derivatives of N-hydroxyimide compounds such as N-hydroxynaphthalimide methanesulfonate and N-hydroxynaphthalimidobenzenesulfonate are preferably used. In addition, the said acid generator can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. The onium salt is excellent in the effect of improving the rectangularity, and the diazomethane derivative and the glyoxime derivative are excellent in the effect of reducing the standing wave. Therefore, fine adjustment of the profile can be performed by combining the two.

【0093】酸発生剤の添加量は、ベース樹脂100部
(重量部、以下同様)に対して好ましくは0.1〜15
部、より好ましくは0.5〜8部である。0.1部より
少ないと感度が悪い場合があり、15部より多いと透明
性が低くなり解像性が低下する場合がある。
The acid generator is preferably added in an amount of 0.1 to 15 parts by weight based on 100 parts (parts by weight, hereinafter the same) of the base resin.
Parts, more preferably 0.5 to 8 parts. If the amount is less than 0.1 part, the sensitivity may be poor. If the amount is more than 15 parts, the transparency may be reduced and the resolution may be reduced.

【0094】本発明で使用される有機溶剤としては、ベ
ース樹脂、酸発生剤、その他の添加剤等が溶解可能な有
機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤と
しては、例えばシクロヘキサノン、メチル−2−n−ア
ミルケトン等のケトン類、3−メトキシブタノール、3
−メチル−3−メトキシブタノール、1−メトキシ−2
−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール等の
アルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコール
モノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエ
ーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエ
ーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルア
セテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチ
ル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプ
ロピオン酸エチル、酢酸tert−ブチル、プロピオン
酸tert−ブチル、プロピレングリコールモノter
t−ブチルエーテルアセテート等のエステル類が挙げら
れ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用
することができるが、これらに限定されるものではな
い。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成
分中の酸発生剤の溶解性が最も優れているジエチレング
リコールジメチルエーテルや1−エトキシ−2−プロパ
ノールの他、安全溶剤であるプロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート及びその混合溶剤が好ましく
使用される。
The organic solvent used in the present invention may be any organic solvent in which the base resin, the acid generator, other additives and the like can be dissolved. Examples of such an organic solvent include ketones such as cyclohexanone and methyl-2-n-amyl ketone, 3-methoxybutanol,
-Methyl-3-methoxybutanol, 1-methoxy-2
Alcohols such as -propanol and 1-ethoxy-2-propanol, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, ethers such as ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, and diethylene glycol dimethyl ether; propylene glycol Monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, ethyl lactate, ethyl pyruvate, butyl acetate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, tert-butyl acetate, tert-butyl propionate, propylene glycol monoter
Esters such as t-butyl ether acetate are mentioned, and one of these can be used alone or a mixture of two or more thereof, but is not limited thereto. In the present invention, among these organic solvents, in addition to diethylene glycol dimethyl ether and 1-ethoxy-2-propanol in which the solubility of the acid generator in the resist component is the most excellent, propylene glycol monomethyl ether acetate as a safe solvent and a mixture thereof Solvents are preferably used.

【0095】有機溶剤の使用量は、ベース樹脂100部
に対して200〜1,000部、特に400〜800部
が好適である。
The amount of the organic solvent to be used is preferably from 200 to 1,000 parts, particularly preferably from 400 to 800 parts, per 100 parts of the base resin.

【0096】本発明のレジスト材料には、上記一般式
(1−1)又は(1−2)で示される繰り返し単位を含
有する高分子化合物とは別の高分子化合物を添加するこ
とができる。
In the resist composition of the present invention, a polymer compound different from the polymer compound containing a repeating unit represented by formula (1-1) or (1-2) can be added.

【0097】該高分子化合物の具体的な例としては下記
式(R1)及び/又は下記式(R2)で示される重量平
均分子量1,000〜500,000、好ましくは5,
000〜100,000のものを挙げることができる
が、これらに限定されるものではない。
Specific examples of the high molecular compound include a weight average molecular weight represented by the following formula (R1) and / or (R2) of 1,000 to 500,000, preferably 5,
000 to 100,000, but are not limited thereto.

【0098】[0098]

【化39】 (式中、R001は水素原子、メチル基又はCHCO
003を示す。R 02は水素原子、メチル基又は
CO003を示す。R003は炭素数1〜15の直
鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R004
水素原子又は炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基
を含有する1価の炭化水素基を示す。R 05〜R
008の少なくとも1個は炭素数1〜15のカルボキシ
基又は水酸基を含有する1価の炭化水素基を示し、残り
はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R005〜R
008は互いに環を形成していてもよく、その場合には
005〜R008の少なくとも1個は炭素数1〜15
のカルボキシ基又は水酸基を含有する2価の炭化水素基
を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1〜1
5の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R
009は炭素数3〜15の−CO−部分構造を含有す
る1価の炭化水素基を示す。R010〜R013の少な
くとも1個は炭素数2〜15の−CO−部分構造を含
有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に
水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状
のアルキル基を示す。R010〜R013は互いに環を
形成していてもよく、その場合にはR 10〜R013
の少なくとも1個は炭素数1〜15の−CO−部分構
造を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ
独立に単結合又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は
環状のアルキレン基を示す。R014は炭素数7〜15
の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するア
ルキル基を示す。R015は酸不安定基を示す。R
016は水素原子又はメチル基を示す。R017は炭素
数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示
す。XはCH又は酸素原子を示す。Yは酸素原子、又
はNR018を示し、R018は炭素数1〜6の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。kは0又は1
である。a1’、a2’、a3’、b1’、b2’、b
3’、c1’、c2’、c3’、d1’、d2’、d
3’、e’は0以上1未満の数であり、a1’+a2’
+a3’+b1’+b2’+b3’+c1’+c2’+
c3’+d1’+d2’+d3’+e’=1を満足す
る。f’、g’、h’、i’、j’は0以上1未満の数
であり、f’+g’+h’+i’+j’=1を満足す
る。) なお、それぞれの基の具体例については、先の説明と同
様である。
Embedded image (Wherein, R 001 is a hydrogen atom, a methyl group or CH 2 CO
2 R 003 is shown. R 0 02 represents a hydrogen atom, a methyl group or CO 2 R 003. R 003 represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms. R 004 represents a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having a carboxy group having 1 to 15 carbon atoms or a hydroxyl group. R 0 05 ~R
008 represents a monovalent hydrocarbon group having a carboxy group or a hydroxyl group having 1 to 15 carbon atoms, and the rest are each independently a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic group having 1 to 15 carbon atoms. Represents an alkyl group. R 005 to R
008 may form a ring with each other, in which case at least one of R 005 to R 008 has 1 to 15 carbon atoms.
A carboxy group or a divalent hydrocarbon group containing a hydroxyl group, and the rest are each independently a single bond or a carbon number of 1 to 1.
5 represents a linear, branched or cyclic alkylene group. R
009 represents a monovalent hydrocarbon group having a —CO 2 — partial structure having 3 to 15 carbon atoms. At least one of R 010 to R 013 represents a monovalent hydrocarbon group having a —CO 2 — partial structure having 2 to 15 carbon atoms, and the rest are each independently a hydrogen atom or a straight chain having 1 to 15 carbon atoms. A branched, branched or cyclic alkyl group. R 010 to R 013, taken together, may form a ring, in which case R 0 10 to R 013
At least one is -CO 2 C 1 -C 15 - moiety represents a divalent hydrocarbon group containing, while the remaining are independently a single bond or a C15 straight, branched or Shows a cyclic alkylene group. R 014 has 7 to 15 carbon atoms
Or a polycyclic hydrocarbon group or an alkyl group containing a polycyclic hydrocarbon group. R 015 represents an acid labile group. R
016 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 017 represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. X represents CH 2 or an oxygen atom. Y represents an oxygen atom, or NR 018, R 018 is a straight, branched or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. k is 0 or 1
It is. a1 ', a2', a3 ', b1', b2 ', b
3 ′, c1 ′, c2 ′, c3 ′, d1 ′, d2 ′, d
3 ′ and e ′ are numbers from 0 to less than 1, and a1 ′ + a2 ′
+ A3 '+ b1' + b2 '+ b3' + c1 '+ c2' +
It satisfies c3 ′ + d1 ′ + d2 ′ + d3 ′ + e ′ = 1. f ', g', h ', i', j 'are numbers from 0 to less than 1, and satisfy f' + g '+ h' + i '+ j' = 1. Note that specific examples of each group are the same as those described above.

【0099】上記一般式(1−1)又は(1−2)で示
される繰り返し単位を含有する高分子化合物と別の高分
子化合物との配合比率は、100:0〜10:90、特
に100:0〜20:80の重量比の範囲内にあること
が好ましい。上記一般式(1−1)又は(1−2)で示
される繰り返し単位を含有する高分子化合物の配合比が
これより少ないと、レジスト材料として好ましい性能が
得られないことがある。上記の配合比率を適宜変えるこ
とにより、レジスト材料の性能を調整することができ
る。
The mixing ratio of the high molecular compound containing a repeating unit represented by the above general formula (1-1) or (1-2) to another high molecular compound is from 100: 0 to 10:90, particularly 100 : 0 to 20:80 by weight. If the blending ratio of the polymer compound containing the repeating unit represented by the above general formula (1-1) or (1-2) is less than this, favorable performance as a resist material may not be obtained. The performance of the resist material can be adjusted by appropriately changing the above mixing ratio.

【0100】なお、上記高分子化合物は1種に限らず2
種以上を添加することができる。複数種の高分子化合物
を用いることにより、レジスト材料の性能を調整するこ
とができる。
The number of the polymer compounds is not limited to one, but may be two.
More than one species can be added. By using a plurality of types of polymer compounds, the performance of the resist material can be adjusted.

【0101】本発明のレジスト材料には、更に溶解制御
剤を添加することができる。溶解制御剤としては、平均
分子量が100〜1,000、好ましくは150〜80
0で、かつ分子内にフェノール性水酸基を2つ以上有す
る化合物の該フェノール性水酸基の水素原子を酸不安定
基により全体として平均0〜100モル%の割合で置換
した化合物又は分子内にカルボキシ基を有する化合物の
該カルボキシ基の水素原子を酸不安定基により全体とし
て平均50〜100モル%の割合で置換した化合物を配
合する。
The resist composition of the present invention may further contain a dissolution controlling agent. The dissolution controlling agent has an average molecular weight of 100 to 1,000, preferably 150 to 80.
0 and a compound having two or more phenolic hydroxyl groups in the molecule in which the hydrogen atom of the phenolic hydroxyl group is substituted by an acid labile group at an average rate of 0 to 100 mol% or a carboxy group in the molecule A compound in which the hydrogen atom of the carboxy group of the compound having the formula (1) is substituted with an acid labile group at an average ratio of 50 to 100 mol% as a whole.

【0102】なお、フェノール性水酸基の水素原子の酸
不安定基による置換率は、平均でフェノール性水酸基全
体の0モル%以上、好ましくは30モル%以上であり、
その上限は100モル%、より好ましくは80モル%で
ある。カルボキシ基の水素原子の酸不安定基による置換
率は、平均でカルボキシ基全体の50モル%以上、好ま
しくは70モル%以上であり、その上限は100モル%
である。
The substitution rate of the hydrogen atom of the phenolic hydroxyl group by the acid labile group is 0 mol% or more, preferably 30 mol% or more, of the total phenolic hydroxyl group on average.
The upper limit is 100 mol%, more preferably 80 mol%. The substitution rate of the hydrogen atom of the carboxy group by the acid labile group is 50 mol% or more, preferably 70 mol% or more of the entire carboxy group on average, and the upper limit is 100 mol%.
It is.

【0103】この場合、かかるフェノール性水酸基を2
つ以上有する化合物又はカルボキシ基を有する化合物と
しては、下記式(D1)〜(D14)で示されるものが
好ましい。
In this case, such a phenolic hydroxyl group is 2
As the compound having one or more compounds or the compound having a carboxy group, compounds represented by the following formulas (D1) to (D14) are preferable.

【0104】[0104]

【化40】 (但し、式中R201、R202はそれぞれ水素原子、
又は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又は
アルケニル基を示す。R203は水素原子、又は炭素数
1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル
基、或いは−(R 207COOHを示す。R204
は−(CH−(i=2〜10)、炭素数6〜10
のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原
子又は硫黄原子を示す。R205は炭素数1〜10のア
ルキレン基、炭素数6〜10のアリーレン基、カルボニ
ル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示す。R
20 は水素原子、炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状の
アルキル基、アルケニル基、又はそれぞれ水酸基で置換
されたフェニル基又はナフチル基を示す。R207は炭
素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示
す。R208は水素原子又は水酸基を示す。jは0〜5
の整数である。u、hは0又は1である。s、t、
s’、t’、s’’、t’’はそれぞれs+t=8、
s’+t’=5、s’’+t’’=4を満足し、かつ各
フェニル骨格中に少なくとも1つの水酸基を有するよう
な数である。αは式(D8)、(D9)の化合物の分子
量を100〜1,000とする数である。)
Embedded image(Where R201, R202Is a hydrogen atom,
Or a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or
Shows an alkenyl group. R203Is a hydrogen atom or carbon number
1-8 linear or branched alkyl or alkenyl
Group or-(R 207)hIndicates COOH. R204
Is-(CH2)i-(I = 2 to 10), carbon number 6 to 10
Arylene, carbonyl, sulfonyl, oxygen
Represents a hydrogen atom or a sulfur atom. R205Is a group having 1 to 10 carbon atoms.
Alkylene group, arylene group having 6 to 10 carbon atoms, carbonyl
A sulfonyl group, an oxygen atom or a sulfur atom. R
20 6Is a hydrogen atom, a linear or branched C1-C8
Substituted with alkyl group, alkenyl group or each hydroxyl group
Phenyl group or naphthyl group. R207Is charcoal
Represents a linear or branched alkylene group having a prime number of 1 to 10
You. R208Represents a hydrogen atom or a hydroxyl group. j is 0-5
Is an integer. u and h are 0 or 1. s, t,
s ', t', s ", and t" are each s + t = 8,
s ′ + t ′ = 5, s ″ + t ″ = 4, and
To have at least one hydroxyl group in the phenyl skeleton
It is a number. α is a molecule of the compound of formulas (D8) and (D9)
It is a number that makes the amount 100 to 1,000. )

【0105】上記式中R201、R202としては、例
えば水素原子、メチル基、エチル基、ブチル基、プロピ
ル基、エチニル基、シクロヘキシル基、R203として
は、例えばR201、R202と同様なもの、或いは−
COOH、−CHCOOH、R204としては、例え
ばエチレン基、フェニレン基、カルボニル基、スルホニ
ル基、酸素原子、硫黄原子等、R205としては、例え
ばメチレン基、或いはR204と同様なもの、R206
としては例えば水素原子、メチル基、エチル基、ブチル
基、プロピル基、エチニル基、シクロヘキシル基、それ
ぞれ水酸基で置換されたフェニル基、ナフチル基等が挙
げられる。
In the above formula, R 201 and R 202 are, for example, hydrogen atom, methyl group, ethyl group, butyl group, propyl group, ethynyl group, cyclohexyl group, and R 203 are, for example, the same as R 201 and R 202. Thing, or-
COOH, as the -CH 2 COOH, R 204, an ethylene group, a phenylene group, a carbonyl group, a sulfonyl group, an oxygen atom, a sulfur atom, etc., as the R 205, for example a methylene group, or ones similar to R 204, R 206
Examples thereof include a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a butyl group, a propyl group, an ethynyl group, a cyclohexyl group, a phenyl group each substituted with a hydroxyl group, and a naphthyl group.

【0106】溶解制御剤の酸不安定基としては、種々用
いることができるが、具体的には下記一般式(L1)〜
(L4)で示される基、炭素数4〜20の三級アルキル
基、各アルキル基の炭素数がそれぞれ1〜6のトリアル
キルシリル基、炭素数4〜20のオキソアルキル基等を
挙げることができる。
As the acid labile group of the dissolution controlling agent, various types can be used, and specifically, the following general formulas (L1) to (L1)
Examples include the group represented by (L4), a tertiary alkyl group having 4 to 20 carbon atoms, a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms in each alkyl group, and an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms. it can.

【0107】[0107]

【化41】 (式中、RL01、RL02は水素原子又は炭素数1〜
18の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R
L03は炭素数1〜18の酸素原子等のヘテロ原子を有
してもよい1価の炭化水素基を示す。RL01とR
L02、RL01とR L03、RL02とRL03とは
環を形成してもよく、環を形成する場合にはR L01
L02、RL03はそれぞれ炭素数1〜18の直鎖状
又は分岐状のアルキレン基を示す。RL04は炭素数4
〜20の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素
数1〜6のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のオ
キソアルキル基又は上記一般式(L1)で示される基を
示す。RL05は炭素数1〜8のヘテロ原子を含んでも
よい1価の炭化水素基又は炭素数6〜20の置換されて
いてもよいアリール基を示す。RL06は炭素数1〜8
のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基又は炭素
数6〜20の置換されていてもよいアリール基を示す。
L07〜RL16はそれぞれ独立に水素原子又は炭素
数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素
基を示す。RL07〜RL16は互いに環を形成してい
てもよく、その場合には炭素数1〜15のヘテロ原子を
含んでもよい2価の炭化水素基を示す。また、RL07
〜RL16は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介
さずに結合し、二重結合を形成してもよい。xは0〜6
の整数である。yは0又は1、zは0、1、2、3のい
ずれかであり、2y+z=2又は3を満足する数であ
る。) なお、それぞれの基の具体例については、先の説明と同
様である。
Embedded image(Where RL01, RL02Is a hydrogen atom or carbon number 1
It represents 18 linear, branched or cyclic alkyl groups. R
L03Has a heteroatom such as an oxygen atom having 1 to 18 carbon atoms.
And a monovalent hydrocarbon group which may be used. RL01And R
L02, RL01And R L03, RL02And RL03What is
A ring may be formed, and when a ring is formed, R L01,
RL02, RL03Is a linear group having 1 to 18 carbon atoms
Or a branched alkylene group. RL04Is carbon number 4
-20 tertiary alkyl groups, each alkyl group being carbon
A trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms,
A xoalkyl group or a group represented by the above general formula (L1)
Show. RL05May contain a heteroatom having 1 to 8 carbon atoms
Good monovalent hydrocarbon group or substituted with 6 to 20 carbon atoms
Represents an optionally substituted aryl group. RL06Represents 1 to 8 carbon atoms
A monovalent hydrocarbon group or carbon optionally containing a heteroatom
And represents an aryl group which may be substituted and has the number of 6 to 20.
RL07~ RL16Are each independently a hydrogen atom or carbon
Monovalent hydrocarbon optionally containing heteroatoms of formulas 1 to 15
Represents a group. RL07~ RL16Form a ring with each other
In that case, a heteroatom having 1 to 15 carbon atoms
It indicates a divalent hydrocarbon group that may be contained. Also, RL07
~ RL16Is a bond between adjacent carbons
Alternatively, they may combine to form a double bond. x is 0-6
Is an integer. y is 0 or 1, z is 0, 1, 2, 3
2y + z = 2 or 3
You. Note that specific examples of each group are the same as those described above.
It is like.

【0108】上記溶解制御剤の配合量は、ベース樹脂1
00部に対し、0〜50部、好ましくは0〜40部、よ
り好ましくは0〜30部であり、単独又は2種以上を混
合して使用できる。配合量が50部を超えるとパターン
の膜減りが生じ、解像度が低下する場合がある。
The amount of the above-mentioned dissolution controlling agent was set in the base resin 1
It is 0 to 50 parts, preferably 0 to 40 parts, more preferably 0 to 30 parts with respect to 00 parts, and can be used alone or in combination of two or more. If the compounding amount exceeds 50 parts, the film of the pattern is reduced, and the resolution may be reduced.

【0109】なお、上記のような溶解制御剤は、フェノ
ール性水酸基又はカルボキシ基を有する化合物に対し、
有機化学的処方を用いて酸不安定基を導入することによ
り合成される。
The dissolution controlling agent as described above is used for a compound having a phenolic hydroxyl group or a carboxy group.
It is synthesized by introducing an acid labile group using an organic chemical formulation.

【0110】更に、本発明のレジスト材料には、塩基性
化合物を配合することができる。塩基性化合物として
は、酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する
際の拡散速度を抑制することができる化合物が適してい
る。塩基性化合物の配合により、レジスト膜中での酸の
拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変
化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余
裕度やパターンプロファイル等を向上することができ
る。
Further, the resist composition of the present invention may contain a basic compound. As the basic compound, a compound capable of suppressing the diffusion rate when the acid generated from the acid generator diffuses into the resist film is suitable. By blending a basic compound, the diffusion rate of acid in the resist film is suppressed and the resolution is improved. Etc. can be improved.

【0111】このような塩基性化合物としては、第一
級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、
芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有す
る含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、
水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を
有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミ
ド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。
Such basic compounds include primary, secondary and tertiary aliphatic amines, hybrid amines, and the like.
Aromatic amines, heterocyclic amines, nitrogen-containing compounds having a carboxy group, nitrogen-containing compounds having a sulfonyl group,
Examples include a nitrogen-containing compound having a hydroxyl group, a nitrogen-containing compound having a hydroxyphenyl group, an alcoholic nitrogen-containing compound, an amide derivative, and an imide derivative.

【0112】具体的には、第一級の脂肪族アミン類とし
て、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、n−プ
ロピルアミン、イソプロピルアミン、n−ブチルアミ
ン、イソブチルアミン、sec−ブチルアミン、ter
t−ブチルアミン、ペンチルアミン、tert−アミル
アミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シク
ロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、
ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチル
アミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラ
エチレンペンタミン等が例示され、第二級の脂肪族アミ
ン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−n
−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−n−ブ
チルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−sec−ブチル
アミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、
ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチ
ルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシ
ルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、N,N
−ジメチルメチレンジアミン、N,N−ジメチルエチレ
ンジアミン、N,N−ジメチルテトラエチレンペンタミ
ン等が例示され、第三級の脂肪族アミン類として、トリ
メチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピル
アミン、トリイソプロピルアミン、トリ−n−ブチルア
ミン、トリイソブチルアミン、トリ−sec−ブチルア
ミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミ
ン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、
トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニル
アミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリ
セチルアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルメチ
レンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチ
レンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルテト
ラエチレンペンタミン等が例示される。
Specifically, as primary aliphatic amines, ammonia, methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, n-butylamine, isobutylamine, sec-butylamine, tertiary amine
t-butylamine, pentylamine, tert-amylamine, cyclopentylamine, hexylamine, cyclohexylamine, heptylamine, octylamine,
Nonylamine, decylamine, dodecylamine, cetylamine, methylenediamine, ethylenediamine, tetraethylenepentamine and the like are exemplified. As secondary aliphatic amines, dimethylamine, diethylamine, di-n
-Propylamine, diisopropylamine, di-n-butylamine, diisobutylamine, di-sec-butylamine, dipentylamine, dicyclopentylamine,
Dihexylamine, dicyclohexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, didodecylamine, dicetylamine, N, N
-Dimethylmethylenediamine, N, N-dimethylethylenediamine, N, N-dimethyltetraethylenepentamine, and the like. Examples of the tertiary aliphatic amines include trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, and triisopropylamine. , Tri-n-butylamine, triisobutylamine, tri-sec-butylamine, tripentylamine, tricyclopentylamine, trihexylamine, tricyclohexylamine,
Triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, tridodecylamine, tricetylamine, N, N, N ', N'-tetramethylmethylenediamine, N, N, N', N'-tetra Examples include methylethylenediamine, N, N, N ', N'-tetramethyltetraethylenepentamine and the like.

【0113】また、混成アミン類としては、例えばジメ
チルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベン
ジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミ
ン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類
の具体例としては、アニリン誘導体(例えばアニリン、
N−メチルアニリン、N−エチルアニリン、N−プロピ
ルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、2−メチルア
ニリン、3−メチルアニリン、4−メチルアニリン、エ
チルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリ
ン、2−ニトロアニリン、3−ニトロアニリン、4−ニ
トロアニリン、2,4−ジニトロアニリン、2,6−ジ
ニトロアニリン、3,5−ジニトロアニリン、N,N−
ジメチルトルイジン等)、ジフェニル(p−トリル)ア
ミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、
フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタ
レン、ピロール誘導体(例えばピロール、2H−ピロー
ル、1−メチルピロール、2,4−ジメチルピロール、
2,5−ジメチルピロール、N−メチルピロール等)、
オキサゾール誘導体(例えばオキサゾール、イソオキサ
ゾール等)、チアゾール誘導体(例えばチアゾール、イ
ソチアゾール等)、イミダゾール誘導体(例えばイミダ
ゾール、4−メチルイミダゾール、4−メチル−2−フ
ェニルイミダゾール等)、ピラゾール誘導体、フラザン
誘導体、ピロリン誘導体(例えばピロリン、2−メチル
−1−ピロリン等)、ピロリジン誘導体(例えばピロリ
ジン、N−メチルピロリジン、ピロリジノン、N−メチ
ルピロリドン等)、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジ
ン誘導体、ピリジン誘導体(例えばピリジン、メチルピ
リジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピ
リジン、4−(1−ブチルペンチル)ピリジン、ジメチ
ルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジ
ン、フェニルピリジン、3−メチル−2−フェニルピリ
ジン、4−tert−ブチルピリジン、ジフェニルピリ
ジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシ
ピリジン、ジメトキシピリジン、1−メチル−2−ピリ
ドン、4−ピロリジノピリジン、1−メチル−4−フェ
ニルピリジン、2−(1−エチルプロピル)ピリジン、
アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等)、ピリダ
ジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラ
ゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導
体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール
誘導体、イソインドール誘導体、1H−インダゾール誘
導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体(例えばキノ
リン、3−キノリンカルボニトリル等)、イソキノリン
誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキ
サリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテ
リジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン
誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,1
0−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノ
シン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラ
シル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。
Examples of the mixed amines include dimethylethylamine, methylethylpropylamine, benzylamine, phenethylamine and benzyldimethylamine. Specific examples of aromatic amines and heterocyclic amines include aniline derivatives (for example, aniline,
N-methylaniline, N-ethylaniline, N-propylaniline, N, N-dimethylaniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4-methylaniline, ethylaniline, propylaniline, trimethylaniline, 2-nitroaniline , 3-nitroaniline, 4-nitroaniline, 2,4-dinitroaniline, 2,6-dinitroaniline, 3,5-dinitroaniline, N, N-
Dimethyl toluidine), diphenyl (p-tolyl) amine, methyl diphenylamine, triphenylamine,
Phenylenediamine, naphthylamine, diaminonaphthalene, pyrrole derivatives (e.g., pyrrole, 2H-pyrrole, 1-methylpyrrole, 2,4-dimethylpyrrole,
2,5-dimethylpyrrole, N-methylpyrrole, etc.),
Oxazole derivatives (eg, oxazole, isoxazole, etc.), thiazole derivatives (eg, thiazole, isothiazole, etc.), imidazole derivatives (eg, imidazole, 4-methylimidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole, etc.), pyrazole derivatives, furazane derivatives, Pyrroline derivatives (eg, pyrroline, 2-methyl-1-pyrroline, etc.), pyrrolidine derivatives (eg, pyrrolidine, N-methylpyrrolidine, pyrrolidinone, N-methylpyrrolidone, etc.), imidazoline derivatives, imidazolidine derivatives, pyridine derivatives (eg, pyridine, methyl) Pyridine, ethylpyridine, propylpyridine, butylpyridine, 4- (1-butylpentyl) pyridine, dimethylpyridine, trimethylpyridine, triethylpyridine, phenylpyridyl , 3-methyl-2-phenylpyridine, 4-tert-butylpyridine, diphenylpyridine, benzylpyridine, methoxypyridine, butoxypyridine, dimethoxypyridine, 1-methyl-2-pyridone, 4-pyrrolidinopyridine, 1-methyl- 4-phenylpyridine, 2- (1-ethylpropyl) pyridine,
Aminopyridine, dimethylaminopyridine, etc.), pyridazine derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolidine derivatives, piperidine derivatives, piperazine derivatives, morpholine derivatives, indole derivatives, isoindole derivatives, 1H-indazole derivatives, indoline derivatives, quinoline derivatives (Eg, quinoline, 3-quinolinecarbonitrile), isoquinoline derivatives, cinnoline derivatives, quinazoline derivatives, quinoxaline derivatives, phthalazine derivatives, purine derivatives, pteridine derivatives, carbazole derivatives, phenanthridine derivatives, acridine derivatives, phenazine derivatives, 1,1
Examples thereof include 0-phenanthroline derivatives, adenine derivatives, adenosine derivatives, guanine derivatives, guanosine derivatives, uracil derivatives, uridine derivatives and the like.

【0114】更に、カルボキシ基を有する含窒素化合物
としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン
酸、アミノ酸誘導体(例えばニコチン酸、アラニン、ア
ルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、
ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシ
ン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジ
ン、3−アミノピラジン−2−カルボン酸、メトキシア
ラニン)等が例示され、スルホニル基を有する含窒素化
合物として3−ピリジンスルホン酸、p−トルエンスル
ホン酸ピリジニウム等が例示され、水酸基を有する含窒
素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合
物、アルコール性含窒素化合物としては、2−ヒドロキ
シピリジン、アミノクレゾール、2,4−キノリンジオ
ール、3−インドールメタノールヒドレート、モノエタ
ノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールア
ミン、N−エチルジエタノールアミン、N,N−ジエチ
ルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、
2,2’−イミノジエタノール、2−アミノエタノ−
ル、3−アミノ−1−プロパノール、4−アミノ−1−
ブタノール、4−(2−ヒドロキシエチル)モルホリ
ン、2−(2−ヒドロキシエチル)ピリジン、1−(2
−ヒドロキシエチル)ピペラジン、1−[2−(2−ヒ
ドロキシエトキシ)エチル]ピペラジン、ピペリジンエ
タノール、1−(2−ヒドロキシエチル)ピロリジン、
1−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリジノン、3
−ピペリジノ−1,2−プロパンジオール、3−ピロリ
ジノ−1,2−プロパンジオール、8−ヒドロキシユロ
リジン、3−クイヌクリジノール、3−トロパノール、
1−メチル−2−ピロリジンエタノール、1−アジリジ
ンエタノール、N−(2−ヒドロキシエチル)フタルイ
ミド、N−(2−ヒドロキシエチル)イソニコチンアミ
ド等が例示される。アミド誘導体としては、ホルムアミ
ド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルム
アミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズ
アミド等が例示される。イミド誘導体としては、フタル
イミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。
Further, examples of the nitrogen-containing compound having a carboxy group include aminobenzoic acid, indolecarboxylic acid, and amino acid derivatives (eg, nicotinic acid, alanine, arginine, aspartic acid, glutamic acid, glycine,
Histidine, isoleucine, glycylleucine, leucine, methionine, phenylalanine, threonine, lysine, 3-aminopyrazine-2-carboxylic acid, methoxyalanine), and the like. Examples include pyridinium p-toluenesulfonate, a nitrogen-containing compound having a hydroxyl group, a nitrogen-containing compound having a hydroxyphenyl group, and alcoholic nitrogen-containing compounds such as 2-hydroxypyridine, aminocresol, 2,4-quinolinediol, 3-indole methanol hydrate, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-ethyldiethanolamine, N, N-diethylethanolamine, triisopropanolamine,
2,2′-iminodiethanol, 2-aminoethanol
3-amino-1-propanol, 4-amino-1-
Butanol, 4- (2-hydroxyethyl) morpholine, 2- (2-hydroxyethyl) pyridine, 1- (2
-Hydroxyethyl) piperazine, 1- [2- (2-hydroxyethoxy) ethyl] piperazine, piperidineethanol, 1- (2-hydroxyethyl) pyrrolidine,
1- (2-hydroxyethyl) -2-pyrrolidinone, 3
-Piperidino-1,2-propanediol, 3-pyrrolidino-1,2-propanediol, 8-hydroxyurolidine, 3-quinuclidinol, 3-tropanol,
Examples thereof include 1-methyl-2-pyrrolidineethanol, 1-aziridineethanol, N- (2-hydroxyethyl) phthalimide, and N- (2-hydroxyethyl) isonicotinamide. Examples of the amide derivative include formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, acetamido, N-methylacetamido,
Examples include N-dimethylacetamide, propionamide, benzamide and the like. Examples of the imide derivative include phthalimide, succinimide, and maleimide.

【0115】更に下記一般式(B)−1で示される塩基
性化合物から選ばれる1種又は2種以上を添加すること
もできる。 N(X)(Y)3−n (B)−1 式中、n=1、2又は3である。側鎖Xは同一でも異な
っていてもよく、下記一般式(X)−1〜(X)−3で
表すことができる。側鎖Yは同一又は異種の、水素原
子、又は直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜20のア
ルキル基を示し、エーテル基もしくはヒドロキシル基を
含んでもよい。また、X同士が結合して環を形成しても
よい。
Further, one or more kinds of basic compounds represented by the following general formula (B) -1 can be added. N (X) n (Y) 3-n (B) -1 wherein n = 1, 2 or 3. The side chains X may be the same or different and can be represented by the following general formulas (X) -1 to (X) -3. The side chain Y is the same or different and represents a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and may include an ether group or a hydroxyl group. Further, Xs may be bonded to each other to form a ring.

【0116】ここでR300、R302、R305は炭
素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、
301、R304は水素原子、炭素数1〜20の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ
基、エーテル基、エステル基、ラクトン環を1あるいは
複数含んでいてもよい。
[0116] wherein R 300, R 302, R 305 are independently straight or branched alkylene group of 1 to 4 carbon atoms,
R 301 and R 304 are a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and may include one or more hydroxy groups, ether groups, ester groups, and lactone rings.

【0117】R303は単結合、又は炭素数1〜4の直
鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R306は炭素
数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であ
り、ヒドロキシ基、エーテル、エステル基、ラクトン環
を1あるいは複数含んでいてもよい。
R 303 is a single bond or a linear or branched alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and R 306 is a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. , A hydroxy group, an ether group, an ester group, or a lactone ring.

【0118】[0118]

【化42】 Embedded image

【0119】一般式(B)−1で表される化合物は具体
的には下記に例示される。トリス(2−メトキシメトキ
シエチル)アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキ
シ)エチル}アミン、トリス{2−(2−メトキシエト
キシメトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−メ
トキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−
エトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1
−エトキシプロポキシ)エチル}アミン、トリス[2−
{2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]
アミン、4,7,13,16,21,24−ヘキサオキ
サ−1,10−ジアザビシクロ[8.8.8]ヘキサコ
サン、4,7,13,18−テトラオキサ−1,10−
ジアザビシクロ[8.5.5]エイコサン、1,4,1
0,13−テトラオキサ−7,16−ジアザビシクロオ
クタデカン、1−アザ−12−クラウン−4、1−アザ
−15−クラウン−5、1−アザ−18−クラウン−
6、トリス(2−フォルミルオキシエチル)アミン、ト
リス(2−ホルミルオキシエチル)アミン、トリス(2
−アセトキシエチル)アミン、トリス(2−プロピオニ
ルオキシエチル)アミン、トリス(2−ブチリルオキシ
エチル)アミン、トリス(2−イソブチリルオキシエチ
ル)アミン、トリス(2−バレリルオキシエチル)アミ
ン、トリス(2−ピバロイルオキシキシエチル)アミ
ン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(アセ
トキシアセトキシ)エチルアミン、トリス(2−メトキ
シカルボニルオキシエチル)アミン、トリス(2−te
rt−ブトキシカルボニルオキシエチル)アミン、トリ
ス[2−(2−オキソプロポキシ)エチル]アミン、ト
リス[2−(メトキシカルボニルメチル)オキシエチ
ル]アミン、トリス[2−(tert−ブトキシカルボ
ニルメチルオキシ)エチル]アミン、トリス[2−(シ
クロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシ)エチル]
アミン、トリス(2−メトキシカルボニルエチル)アミ
ン、トリス(2−エトキシカルボニルエチル)アミン、
N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(メトキシ
カルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセト
キシエチル)2−(メトキシカルボニル)エチルアミ
ン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(エト
キシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ア
セトキシエチル)2−(エトキシカルボニル)エチルア
ミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(2
−メトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N
−ビス(2−アセトキシエチル)2−(2−メトキシエ
トキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−
ヒドロキシエチル)2−(2−ヒドロキシエトキシカル
ボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシ
エチル)2−(2−アセトキシエトキシカルボニル)エ
チルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2
−[(メトキシカルボニル)メトキシカルボニル]エチ
ルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−
[(メトキシカルボニル)メトキシカルボニル]エチル
アミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−
(2−オキソプロポキシカルボニル)エチルアミン、
N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(2−オキ
ソプロポキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス
(2−ヒドロキシエチル)2−(テトラヒドロフルフリ
ルオキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2
−アセトキシエチル)2−(テトラヒドロフルフリルオ
キシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒ
ドロキシエチル)2−[(2−オキソテトラヒドロフラ
ン−3−イル)オキシカルボニル]エチルアミン、N,
N−ビス(2−アセトキシエチル)2−[(2−オキソ
テトラヒドロフラン−3−イル)オキシカルボニル]エ
チルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2
−(4−ヒドロキシブトキシカルボニル)エチルアミ
ン、N,N−ビス(2−ホルミルオキシエチル)2−
(4−ホルミルオキシブトキシカルボニル)エチルアミ
ン、N,N−ビス(2−ホルミルオキシエチル)2−
(2−ホルミルオキシエトキシカルボニル)エチルアミ
ン、N,N−ビス(2−メトキシエチル)2−(メトキ
シカルボニル)エチルアミン、N−(2−ヒドロキシエ
チル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミ
ン、N−(2−アセトキシエチル)ビス[2−(メトキ
シカルボニル)エチル]アミン、N−(2−ヒドロキシ
エチル)ビス[2−(エトキシカルボニル)エチル]ア
ミン、N−(2−アセトキシエチル)ビス[2−(エト
キシカルボニル)エチル]アミン、N−(3−ヒドロキ
シ−1−プロピル)ビス[2−(メトキシカルボニル)
エチル]アミン、N−(3−アセトキシ−1−プロピ
ル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミ
ン、N−(2−メトキシエチル)ビス[2−(メトキシ
カルボニル)エチル]アミン、N−ブチルビス[2−
(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−ブチルビ
ス[2−(2−メトキシエトキシカルボニル)エチル]
アミン、N−メチルビス(2−アセトキシエチル)アミ
ン、N−エチルビス(2−アセトキシエチル)アミン、
N−メチルビス(2−ピバロイルオキシキシエチル)ア
ミン、N−エチルビス[2−(メトキシカルボニルオキ
シ)エチル]アミン、N−エチルビス[2−(tert
−ブトキシカルボニルオキシ)エチル]アミン、トリス
(メトキシカルボニルメチル)アミン、トリス(エトキ
シカルボニルメチル)アミン、N−ブチルビス(メトキ
シカルボニルメチル)アミン、N−ヘキシルビス(メト
キシカルボニルメチル)アミン、β−(ジエチルアミ
ノ)−δ−バレロラクトンを例示できるが、これらに制
限されない。
The compound represented by formula (B) -1 is specifically exemplified below. Tris (2-methoxymethoxyethyl) amine, tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (2-methoxyethoxymethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-methoxyethoxy) ethyl {Amine, Tris} 2- (1-
Ethoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1
-Ethoxypropoxy) ethyl} amine, tris [2-
{2- (2-hydroxyethoxy) ethoxy} ethyl]
Amine, 4,7,13,16,21,24-hexaoxa-1,10-diazabicyclo [8.8.88] hexacosan, 4,7,13,18-tetraoxa-1,10-
Diazabicyclo [8.5.5] eicosan, 1,4,1
0,13-tetraoxa-7,16-diazabicyclooctadecane, 1-aza-12-crown-4, 1-aza-15-crown-5, 1-aza-18-crown-
6, tris (2-formyloxyethyl) amine, tris (2-formyloxyethyl) amine, tris (2
-Acetoxyethyl) amine, tris (2-propionyloxyethyl) amine, tris (2-butyryloxyethyl) amine, tris (2-isobutyryloxyethyl) amine, tris (2-valeryloxyethyl) amine, Tris (2-pivaloyloxyxyethyl) amine, N, N-bis (2-acetoxyethyl) 2- (acetoxyacetoxy) ethylamine, tris (2-methoxycarbonyloxyethyl) amine, tris (2-te
rt-butoxycarbonyloxyethyl) amine, tris [2- (2-oxopropoxy) ethyl] amine, tris [2- (methoxycarbonylmethyl) oxyethyl] amine, tris [2- (tert-butoxycarbonylmethyloxy) ethyl] Amine, tris [2- (cyclohexyloxycarbonylmethyloxy) ethyl]
Amine, tris (2-methoxycarbonylethyl) amine, tris (2-ethoxycarbonylethyl) amine,
N, N-bis (2-hydroxyethyl) 2- (methoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-acetoxyethyl) 2- (methoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) 2 -(Ethoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-acetoxyethyl) 2- (ethoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) 2- (2
-Methoxyethoxycarbonyl) ethylamine, N, N
-Bis (2-acetoxyethyl) 2- (2-methoxyethoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-
(Hydroxyethyl) 2- (2-hydroxyethoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-acetoxyethyl) 2- (2-acetoxyethoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) 2
-[(Methoxycarbonyl) methoxycarbonyl] ethylamine, N, N-bis (2-acetoxyethyl) 2-
[(Methoxycarbonyl) methoxycarbonyl] ethylamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) 2-
(2-oxopropoxycarbonyl) ethylamine,
N, N-bis (2-acetoxyethyl) 2- (2-oxopropoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) 2- (tetrahydrofurfuryloxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis ( 2
-Acetoxyethyl) 2- (tetrahydrofurfuryloxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) 2-[(2-oxotetrahydrofuran-3-yl) oxycarbonyl] ethylamine, N,
N-bis (2-acetoxyethyl) 2-[(2-oxotetrahydrofuran-3-yl) oxycarbonyl] ethylamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) 2
-(4-hydroxybutoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-formyloxyethyl) 2-
(4-formyloxybutoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-formyloxyethyl) 2-
(2-formyloxyethoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-methoxyethyl) 2- (methoxycarbonyl) ethylamine, N- (2-hydroxyethyl) bis [2- (methoxycarbonyl) ethyl] amine, N -(2-acetoxyethyl) bis [2- (methoxycarbonyl) ethyl] amine, N- (2-hydroxyethyl) bis [2- (ethoxycarbonyl) ethyl] amine, N- (2-acetoxyethyl) bis [2 -(Ethoxycarbonyl) ethyl] amine, N- (3-hydroxy-1-propyl) bis [2- (methoxycarbonyl)
Ethyl] amine, N- (3-acetoxy-1-propyl) bis [2- (methoxycarbonyl) ethyl] amine, N- (2-methoxyethyl) bis [2- (methoxycarbonyl) ethyl] amine, N-butylbis [2-
(Methoxycarbonyl) ethyl] amine, N-butylbis [2- (2-methoxyethoxycarbonyl) ethyl]
Amine, N-methylbis (2-acetoxyethyl) amine, N-ethylbis (2-acetoxyethyl) amine,
N-methylbis (2-pivaloyloxyxyethyl) amine, N-ethylbis [2- (methoxycarbonyloxy) ethyl] amine, N-ethylbis [2- (tert
-Butoxycarbonyloxy) ethyl] amine, tris (methoxycarbonylmethyl) amine, tris (ethoxycarbonylmethyl) amine, N-butylbis (methoxycarbonylmethyl) amine, N-hexylbis (methoxycarbonylmethyl) amine, β- (diethylamino) Examples thereof include, but are not limited to, -δ-valerolactone.

【0120】上記塩基性化合物の配合量は、酸発生剤1
部に対して0.001〜10部、好ましくは0.01〜
1部である。配合量が0.001部未満であると添加剤
としての効果が十分に得られない場合があり、10部を
超えると解像度や感度が低下する場合がある。
The amount of the basic compound to be compounded is as follows:
0.001 to 10 parts, preferably 0.01 to 10 parts by weight
One copy. If the amount is less than 0.001 part, the effect as an additive may not be sufficiently obtained, and if it exceeds 10 parts, the resolution and sensitivity may be reduced.

【0121】更に、本発明のレジスト材料には、分子内
に≡C−COOHで示される基を有する化合物を配合す
ることができる。
Further, a compound having a group represented by ΔC—COOH in the molecule can be blended in the resist composition of the present invention.

【0122】分子内に≡C−COOHで示される基を有
する化合物としては、例えば下記I群及びII群から選
ばれる1種又は2種以上の化合物を使用することができ
るが、これらに限定されるものではない。本成分の配合
により、レジストのPED安定性が向上し、窒化膜基板
上でのエッジラフネスが改善されるのである。 [I群]下記一般式(A1)〜(A10)で示される化
合物のフェノール性水酸基の水素原子の一部又は全部を
−R401−COOH(R401は炭素数1〜10の直
鎖状又は分岐状のアルキレン基)により置換してなり、
かつ分子中のフェノール性水酸基(C)と≡C−COO
Hで示される基(D)とのモル比率がC/(C+D)=
0.1〜1.0である化合物。 [II群]下記一般式(A11)〜(A15)で示され
る化合物。
As the compound having a group represented by ≡C-COOH in the molecule, for example, one or more compounds selected from the following groups I and II can be used, but are not limited thereto. Not something. By blending this component, the PED stability of the resist is improved, and the edge roughness on the nitride film substrate is improved. [Group I] Part or all of the hydrogen atoms of the phenolic hydroxyl group of the compounds represented by the following general formulas (A1) to (A10) is -R 401 -COOH (R 401 is a linear or Substituted by a branched alkylene group),
And a phenolic hydroxyl group (C) in the molecule and ΔC-COO
The molar ratio with the group (D) represented by H is C / (C + D) =
A compound which is 0.1 to 1.0. [Group II] Compounds represented by the following general formulas (A11) to (A15).

【0123】[0123]

【化43】 (但し、式中R408は水素原子又はメチル基を示す。
402、R403はそれぞれ水素原子又は炭素数1〜
8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基を
示す。R404は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状又
は分岐状のアルキル基又はアルケニル基、或いは−(R
409−COOR’基(R’は水素原子又は−R
409−COOH)を示す。R405は−(CH
−(i=2〜10)、炭素数6〜10のアリーレン基、
カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を
示す。R406は炭素数1〜10のアルキレン基、炭素
数6〜10のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル
基、酸素原子又は硫黄原子を示す。R407は水素原子
又は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基、ア
ルケニル基、それぞれ水酸基で置換されたフェニル基又
はナフチル基を示す。R 409は炭素数1〜10の直鎖
状又は分岐状のアルキレン基を示す。R410は水素原
子又は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又
はアルケニル基又は−R411−COOH基を示す。R
411は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレ
ン基を示す。jは0〜5の整数である。u、hは0又は
1である。s1、t1、s2、t2、s3、t3、s
4、t4はそれぞれs1+t1=8、s2+t2=5、
s3+t3=4、s4+t4=6を満足し、かつ各フェ
ニル骨格中に少なくとも1つの水酸基を有するような数
である。κは式(A6)の化合物を重量平均分子量1,
000〜5,000とする数である。λは式(A7)の
化合物を重量平均分子量1,000〜10,000とす
る数である。)
Embedded image(Where R408Represents a hydrogen atom or a methyl group.
R402, R403Is a hydrogen atom or carbon number 1
8 linear or branched alkyl or alkenyl groups
Show. R404Is a hydrogen atom or a straight chain having 1 to 8 carbon atoms or
Is a branched alkyl or alkenyl group, or-(R
409)h-COOR 'group (R' is a hydrogen atom or -R
409-COOH). R405Is-(CH2)i
-(I = 2 to 10), an arylene group having 6 to 10 carbon atoms,
A carbonyl group, a sulfonyl group, an oxygen atom or a sulfur atom
Show. R406Is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,
Arylene group, carbonyl group, sulfonyl of the number 6 to 10
Represents a group, an oxygen atom or a sulfur atom. R407Is a hydrogen atom
Or a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms,
A alkenyl group, a phenyl group each substituted with a hydroxyl group or
Represents a naphthyl group. R 409Is a linear chain having 1 to 10 carbon atoms
It represents a branched or branched alkylene group. R410Is hydrogen field
A linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or
Is an alkenyl group or -R411-COOH group is shown. R
411Is a linear or branched alkylene having 1 to 10 carbon atoms
Shows a substituent group. j is an integer of 0-5. u and h are 0 or
It is one. s1, t1, s2, t2, s3, t3, s
4 and t4 are respectively s1 + t1 = 8, s2 + t2 = 5,
s3 + t3 = 4, s4 + t4 = 6, and
A number having at least one hydroxyl group in the phenyl skeleton
It is. κ represents the compound of the formula (A6) having a weight average molecular weight of 1,
The number is 000 to 5,000. λ is the value of equation (A7)
The compound has a weight average molecular weight of 1,000 to 10,000.
Number. )

【0124】[0124]

【化44】 (R402、R403、R411は上記と同様の意味を
示す。R412は水素原子又は水酸基を示す。s5、t
5は、s5≧0、t5≧0で、s5+t5=5を満足す
る数である。h’は0又は1である。)
Embedded image (R 402 , R 403 and R 411 have the same meaning as described above. R 412 represents a hydrogen atom or a hydroxyl group. S5, t
5 is a number satisfying s5 + t5 = 5, where s5 ≧ 0 and t5 ≧ 0. h ′ is 0 or 1. )

【0125】本成分として、具体的には下記一般式AI
−1〜14及びAII−1〜10で示される化合物を挙
げることができるが、これらに限定されるものではな
い。
As the component, specifically, the following general formula AI
Compounds represented by -1 to 14 and AII-1 to 10 can be exemplified, but are not limited thereto.

【0126】[0126]

【化45】 (R’’は水素原子又はCHCOOH基を示し、各化
合物においてR’’の10〜100モル%はCHCO
OH基である。α、κは上記と同様の意味を示す。)
Embedded image (R ″ represents a hydrogen atom or a CH 2 COOH group, and in each compound, 10 to 100 mol% of R ″ is CH 2 CO
OH group. α and κ have the same meanings as described above. )

【0127】[0127]

【化46】 Embedded image

【0128】なお、上記分子内に≡C−COOHで示さ
れる基を有する化合物は、1種を単独で又は2種以上を
組み合わせて用いることができる。
The compounds having a group represented by ≡C-COOH in the molecule can be used alone or in combination of two or more.

【0129】上記分子内に≡C−COOHで示される基
を有する化合物の添加量は、ベース樹脂100部に対し
て0〜5部、好ましくは0.1〜5部、より好ましくは
0.1〜3部、更に好ましくは0.1〜2部である。5
部より多いとレジスト材料の解像性が低下する場合があ
る。
The amount of the compound having a group represented by ≡C-COOH in the molecule is from 0 to 5 parts, preferably from 0.1 to 5 parts, more preferably from 0.1 to 5 parts, per 100 parts of the base resin. To 3 parts, more preferably 0.1 to 2 parts. 5
If the number is more than the number, the resolution of the resist material may be reduced.

【0130】更に、本発明のレジスト材料には、添加剤
としてアセチレンアルコール誘導体を配合することがで
き、これにより保存安定性を向上させることができる。
Further, an acetylene alcohol derivative can be added to the resist composition of the present invention as an additive, whereby the storage stability can be improved.

【0131】アセチレンアルコール誘導体としては、下
記一般式(S1)、(S2)で示されるものを好適に使
用することができる。
As the acetylene alcohol derivative, those represented by the following formulas (S1) and (S2) can be suitably used.

【0132】[0132]

【化47】 (式中、R501、R502、R503、R504、R
505はそれぞれ水素原子、又は炭素数1〜8の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基であり、X、Yは0又
は正数を示し、下記値を満足する。0≦X≦30、0≦
Y≦30、0≦X+Y≦40である。)
Embedded image (Wherein R 501 , R 502 , R 503 , R 504 , R
505 are each a hydrogen atom, or a 1-8C straight, a branched or cyclic alkyl group, X, Y is 0 or a positive number, satisfying the following values. 0 ≦ X ≦ 30, 0 ≦
Y ≦ 30 and 0 ≦ X + Y ≦ 40. )

【0133】アセチレンアルコール誘導体として好まし
くは、サーフィノール61、サーフィノール82、サー
フィノール104、サーフィノール104E、サーフィ
ノール104H、サーフィノール104A、サーフィノ
ールTG、サーフィノールPC、サーフィノール44
0、サーフィノール465、サーフィノール485(A
ir Products and Chemicals
Inc.製)、サーフィノールE1004(日信化学
工業(株)製)等が挙げられる。
The acetylene alcohol derivatives are preferably Surfinol 61, Surfinol 82, Surfinol 104, Surfinol 104E, Surfinol 104H, Surfinol 104A, Surfinol TG, Surfinol PC, Surfinol 44.
0, Surfynol 465, Surfynol 485 (A
ir Products and Chemicals
Inc. And Surfynol E1004 (manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.).

【0134】上記アセチレンアルコール誘導体の添加量
は、レジスト材料100重量%中0.01〜2重量%、
より好ましくは0.02〜1重量%である。0.01重
量%より少ないと塗布性及び保存安定性の改善効果が十
分に得られない場合があり、2重量%より多いとレジス
ト材料の解像性が低下する場合がある。
The acetylene alcohol derivative is added in an amount of 0.01 to 2% by weight based on 100% by weight of the resist material.
More preferably, it is 0.02 to 1% by weight. If the amount is less than 0.01% by weight, the effect of improving coating properties and storage stability may not be sufficiently obtained, and if the amount is more than 2% by weight, the resolution of the resist material may decrease.

【0135】本発明のレジスト材料には、上記成分以外
に任意成分として塗布性を向上させるために慣用されて
いる界面活性剤を添加することができる。なお、任意成
分の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量と
することができる。
The resist composition of the present invention may contain, as an optional component, a surfactant which is commonly used for improving coating properties, in addition to the above components. In addition, the addition amount of the optional component can be a normal amount as long as the effect of the present invention is not impaired.

【0136】ここで、界面活性剤としては非イオン性の
ものが好ましく、パーフルオロアルキルポリオキシエチ
レンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフル
オロアルキルアミンオキサイド、パーフルオロアルキル
EO付加物、含フッ素オルガノシロキサン系化合物等が
挙げられる。例えばフロラード「FC−430」、「F
C−431」(いずれも住友スリーエム(株)製)、サ
ーフロン「S−141」、「S−145」(いずれも旭
硝子(株)製)、ユニダイン「DS−401」、「DS
−403」、「DS−451」(いずれもダイキン工業
(株)製)、メガファック「F−8151」(大日本イ
ンキ工業(株)製)、「X−70−092」、「X−7
0−093」(いずれも信越化学工業(株)製)等を挙
げることができる。好ましくは、フロラード「FC−4
30」(住友スリーエム(株)製)、「X−70−09
3」(信越化学工業(株)製)が挙げられる。
The surfactant is preferably a nonionic surfactant, and is preferably a perfluoroalkylpolyoxyethylene ethanol, a fluorinated alkyl ester, a perfluoroalkylamine oxide, a perfluoroalkylEO adduct, or a fluorine-containing organosiloxane-based surfactant. And the like. For example, Florad “FC-430”, “F
C-431 "(all manufactured by Sumitomo 3M Limited), Surflon" S-141 "," S-145 "(all manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Unidyne" DS-401 "," DS
-403 "," DS-451 "(all manufactured by Daikin Industries, Ltd.), Megafac" F-8151 "(manufactured by Dainippon Ink Industries, Ltd.)," X-70-092 "," X-7 "
0-093 "(all manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). Preferably, Florad “FC-4”
30 "(manufactured by Sumitomo 3M Limited)," X-70-09 "
3 "(manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

【0137】本発明のレジスト材料を使用してパターン
を形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して
行うことができ、例えばシリコンウエハー等の基板上に
スピンコーティング等の手法で膜厚が0.2〜2.0μ
mとなるように塗布し、これをホットプレート上で60
〜150℃、1〜10分間、好ましくは80〜130
℃、1〜5分間プリベークする。次いで目的のパターン
を形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざ
し、遠紫外線、エキシマレーザー、X線等の高エネルギ
ー線もしくは電子線を露光量1〜200mJ/cm
度、好ましくは5〜100mJ/cm程度となるよう
に照射した後、ホットプレート上で60〜150℃、1
〜5分間、好ましくは80〜130℃、1〜3分間ポス
トエクスポージャベーク(PEB)する。更に、0.1
〜5%、好ましくは2〜3%テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド(TMAH)等のアルカリ水溶液の現像液
を用い、0.1〜3分間、好ましくは0.5〜2分間、
浸漬(dip)法、パドル(puddle)法、スプレ
ー(spray)法等の常法により現像することにより
基板上に目的のパターンが形成される。なお、本発明材
料は、特に高エネルギー線の中でも248〜193nm
の遠紫外線又はエキシマレーザー、X線及び電子線によ
る微細パターンニングに最適である。また、上記範囲を
上限及び下限から外れる場合は、目的のパターンを得る
ことができない場合がある。
A pattern can be formed using the resist material of the present invention by a known lithography technique. For example, a film having a thickness of 0 is formed on a substrate such as a silicon wafer by a method such as spin coating. 0.2-2.0μ
m on a hot plate.
150150 ° C., 1-10 minutes, preferably 80-130
Pre-bake at ℃ for 1-5 minutes. Next, a mask for forming a target pattern is held over the resist film, and a high energy ray such as far ultraviolet rays, an excimer laser, or an X-ray or an electron beam is exposed at a dose of about 1 to 200 mJ / cm 2 , preferably 5 to 200 mJ / cm 2. After irradiating to about 100 mJ / cm 2 , on a hot plate at 60 to 150 ° C., 1
Post-exposure bake (PEB) for 805 minutes, preferably 80-130 ° C. for 1-3 minutes. Furthermore, 0.1
0.1 to 3 minutes, preferably 0.5 to 2 minutes, using a developing solution of an aqueous alkali solution such as 5 to 5%, preferably 2 to 3% tetramethylammonium hydroxide (TMAH).
A target pattern is formed on the substrate by developing by a conventional method such as a dip method, a paddle method, a spray method, or the like. In addition, the material of the present invention is 248 to 193 nm even among high energy rays.
It is most suitable for fine patterning by deep ultraviolet ray or excimer laser, X-ray and electron beam. In addition, when the above range is out of the upper limit and the lower limit, a desired pattern may not be obtained.

【0138】[0138]

【発明の効果】本発明の高分子化合物をベース樹脂とし
たレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解
像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫
外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマ
レーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収
が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパター
ンを容易に形成することができるという特徴を有する。
The resist material using the polymer compound of the present invention as a base resin is sensitive to high-energy rays and has excellent sensitivity, resolution and etching resistance. Useful. In particular, since the absorption at the exposure wavelength of an ArF excimer laser or a KrF excimer laser is small, a fine pattern perpendicular to the substrate can be easily formed.

【0139】[0139]

【実施例】以下、合成例及び実施例を示して本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to Synthesis Examples and Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

【0140】[合成例]本発明のエーテル化合物及びそ
れを原料とする高分子化合物を、以下に示す処方で合成
した。
[Synthesis Example] The ether compound of the present invention and a polymer compound using the same as a raw material were synthesized according to the following formulation.

【0141】[合成例1−1]5−(1−ヒドロキシ−
5−メトキシペンチル)−2−ノルボルネン(Mono
mer1)の合成 122.6gの1−クロロ−4−メトキシブタンを30
0gのテトラヒドロフランに溶解させた。この溶液を2
4.3gの金属マグネシウムに60℃以下で2時間かけ
て滴下した。室温で2時間撹拌を続けた後、122.2
gの5−ノルボルネン−2−カルバルデヒドを50℃以
下で1時間かけて滴下した。室温で1時間撹拌を続けて
反応を完了させた後、300gの水と44gの20%H
Clを加え、撹拌した。ヘキサン500gで抽出し、得
られた有機層を水洗、無水硫酸ナトリウムで脱水、濾過
後、減圧濃縮した。得られた油状物質を減圧蒸留し、1
58.6gの5−(1−ヒドロキシ−5−メトキシペン
チル)−2−ノルボルネンを得た。収率は75.4%で
あった。 IR(薄膜):ν=3415(br.),3057,2
937,2866,1458,1450,1389,1
120,719cm−1 5−(1−ヒドロキシ−5−メトキシペンチル)−2−
ノルボルネン(exo体:endo体=45:55)の
H−NMR(300MHz in CDCl):δ
=0.46−0.52(0.55H,ddd,J=1
1.6,4.7,2.5Hz),0.88−0.94
(0.45H,ddd,J=11.6,4.1,2.5
Hz),1.19−1.67(9H,m),1.70−
1.78(0.55H,ddd,J=11.6,9.
4,3.9Hz),1.81−1.89(0.45H,
ddd,J=11.6,8.8,3.9Hz),1.9
6−2.09(1H,m),2.76−3.04(3
H,m),3.30−3.41(5H,m)(3.30
(1.65H,s),3.31(1.35H,s)を含
む),5.85−5.88(0.45H,m),5.9
7−6.00(0.55H,m),6.01−6.15
(1H,m).
[Synthesis Example 1-1] 5- (1-hydroxy-
5-methoxypentyl) -2-norbornene (Mono)
Synthesis of mer1) 122.6 g of 1-chloro-4-methoxybutane was added to 30
It was dissolved in 0 g of tetrahydrofuran. This solution is
The solution was added dropwise to 4.3 g of metallic magnesium at 60 ° C. or lower over 2 hours. After stirring for 2 hours at room temperature, 122.2
g of 5-norbornene-2-carbaldehyde was added dropwise at 50 ° C. or lower over 1 hour. After stirring for 1 hour at room temperature to complete the reaction, 300 g of water and 44 g of 20% H
Cl was added and stirred. The mixture was extracted with 500 g of hexane, and the obtained organic layer was washed with water, dried over anhydrous sodium sulfate, filtered, and concentrated under reduced pressure. The obtained oily substance was distilled under reduced pressure, and
58.6 g of 5- (1-hydroxy-5-methoxypentyl) -2-norbornene were obtained. The yield was 75.4%. IR (thin film): ν = 3415 (br.), 3057, 2
937, 2866, 1458, 1450, 1389, 1
120,719 cm -1 5- (1-hydroxy-5-methoxypentyl) -2-
Of norbornene (exo body: endo body = 45: 55)
1 H-NMR (300 MHz in CDCl 3 ): δ
= 0.46-0.52 (0.55H, ddd, J = 1
1.6, 4.7, 2.5 Hz), 0.88-0.94
(0.45H, ddd, J = 11.6, 4.1, 2.5
Hz), 1.9-1.67 (9H, m), 1.70-
1.78 (0.55H, ddd, J = 11.6, 9.
4,3.9 Hz), 1.81-1.89 (0.45H,
ddd, J = 11.6, 8.8, 3.9 Hz), 1.9
6-2.09 (1H, m), 2.76-3.04 (3
H, m), 3.30-3.41 (5H, m) (3.30
(Including 1.65H, s), 3.31 (1.35H, s)), 5.85-5.88 (0.45H, m), 5.9
7-6.00 (0.55H, m), 6.01-6.15
(1H, m).

【0142】[合成例1−2]5−(1−アセトキシ−
5−メトキシペンチル)−2−ノルボルネン(Mono
mer2)の合成 5−(1−ヒドロキシ−5−メトキシペンチル)−2−
ノルボルネン(Monomer1)105.2gをピリ
ジン63.3g中、4−ジメチルアミノピリジン2gの
存在下、無水酢酸61.3gと室温で10時間反応させ
た。水30gを加えて反応を停止後、ヘキサン抽出し
た。得られた有機層を水洗、無水硫酸ナトリウムで脱
水、濾過、減圧濃縮して油状物質を得た。これを減圧蒸
留することにより5−(1−アセトキシ−5−メトキシ
ペンチル)−2−ノルボルネン122.4gを得た。収
率は97.0%であった。 IR(薄膜):ν=3057,2939,2868,1
734,1458,1373,1338,1244,1
120,1020,723cm−1 5−(1−アセトキシ−5−メトキシペンチル)−2−
ノルボルネン(exo体:endo体=45:55)の
H−NMR(270MHz in CDCl):δ
=0.52−0.59(0.55H,ddd,J=1
1.7,4.9,2.4Hz),0.70−0.77
(0.45H,ddd,J=11.7,4.4,2.4
Hz),1.10−1.82(10H,m),1.98
(1.35H,s),2.05(1.65H,s),
2.15−2.57(1H,m),2.76(2H,b
r.s),3.29(1.65H,s),3.30
(1.35H,s),4.29−4.46(1H,
m),5.85−5.90(1H,m),6.11−
6.18(1H,m).
[Synthesis Example 1-2] 5- (1-acetoxy-
5-methoxypentyl) -2-norbornene (Mono)
Synthesis of mer2) 5- (1-hydroxy-5-methoxypentyl) -2-
105.2 g of norbornene (Monomer 1) was reacted with 61.3 g of acetic anhydride in 63.3 g of pyridine in the presence of 2 g of 4-dimethylaminopyridine at room temperature for 10 hours. After stopping the reaction by adding 30 g of water, the mixture was extracted with hexane. The obtained organic layer was washed with water, dried over anhydrous sodium sulfate, filtered, and concentrated under reduced pressure to obtain an oily substance. This was distilled under reduced pressure to obtain 122.4 g of 5- (1-acetoxy-5-methoxypentyl) -2-norbornene. The yield was 97.0%. IR (thin film): ν = 3057, 2939, 2868, 1
732, 1458, 1373, 1338, 1244, 1
120, 1020, 723 cm- 1 5- (1-acetoxy-5-methoxypentyl) -2-
Of norbornene (exo body: endo body = 45: 55)
1 H-NMR (270 MHz in CDCl 3 ): δ
= 0.52-0.59 (0.55H, ddd, J = 1
1.7, 4.9, 2.4 Hz), 0.70-0.77
(0.45H, ddd, J = 11.7, 4.4, 2.4
Hz), 1.10-1.82 (10H, m), 1.98
(1.35H, s), 2.05 (1.65H, s),
2.15 to 2.57 (1H, m), 2.76 (2H, b
r. s), 3.29 (1.65H, s), 3.30
(1.35H, s), 4.29-4.46 (1H,
m), 5.85-5.90 (1H, m), 6.11-
6.18 (1H, m).

【0143】[合成例1−3]5−{2−(2−ヒドロ
キシ−6−メトキシヘキシル)}−2−ノルボルネン
(Monomer3)の合成 5−ノルボルネン−2−カルバルデヒドの替わりに5−
アセチル−2−ノルボルネンを用いた以外は合成例1−
1と同様の方法により、5−{2−(2−ヒドロキシ−
6−メトキシヘキシル)}−2−ノルボルネンを合成し
た。収率は74%であった。 IR(薄膜):ν=3572,3485(br.),3
057,2968,2939,2868,1710,1
682,1570,1464,1460,1373,1
369,1338,1294,1271,1255,1
238,1196,1119,931,742,719
cm−1 5−{2−(2−ヒドロキシ−6−メトキシヘキシ
ル)}−2−ノルボルネン(exo体:endo体=4
8:52)のH−NMR(300MHz in CD
Cl):δ=1.00(1.44H,s),1.05
−1.16(2.56H,m)(1.16(1.56
H,s)を含む),1.18−1.63(9H,m)
1.74−1.86(1H,m),2.18−2.25
(1H,m),2.80(1H,br.s),2.91
(1H,br.s),3.31−3.41(5H,m)
(3.31(1.56H,s),3.32(1.44
H,s)を含む),6.06−6.10(1H,m),
6.20−6.24(1H,m).
[Synthesis Example 1-3] Synthesis of 5- {2- (2-hydroxy-6-methoxyhexyl)}-2-norbornene (Monomer 3) In place of 5-norbornene-2-carbaldehyde, 5-
Synthesis Example 1 except that acetyl-2-norbornene was used.
In the same manner as in 1, 5- {2- (2-hydroxy-
(6-Methoxyhexyl)}-2-norbornene was synthesized. The yield was 74%. IR (thin film): ν = 3572, 3485 (br.), 3
057,2968,2939,2868,1710,1
682, 1570, 1464, 1460, 1373, 1
369, 1338, 1294, 1271, 1255, 1
238,1196,1119,931,742,719
cm -1 5- {2- (2-hydroxy-6-methoxyhexyl)}-2-norbornene (exo form: endo form = 4)
8:52) 1 H-NMR (300 MHz in CD)
Cl 3 ): δ = 1.00 (1.44H, s), 1.05
−1.16 (2.56H, m) (1.16 (1.56H, m)
H, s)), 1.18-1.63 (9H, m)
1.74-1.86 (1H, m), 2.18-2.25
(1H, m), 2.80 (1H, br.s), 2.91
(1H, br.s), 3.31-3.41 (5H, m)
(3.31 (1.56H, s), 3.32 (1.44
H, s)), 6.06-6.10 (1H, m),
6.20-6.24 (1H, m).

【0144】[合成例1−4]5−(2−アセトキシ−
5−メトキシペンチル)−2−ノルボルネン(Mono
mer4)の合成 5−ノルボルネン−2−カルバルデヒドの替わりに(5
−ノルボルネン−2−イル)アセトアルデヒドを用いた
以外は合成例1−1と同様の方法により、5−(2−ヒ
ドロキシ−5−メトキシペンチル)−2−ノルボルネン
を合成した。収率は73%であった。 5−(1−ヒドロキシ−5−メトキシペンチル)−2−
ノルボルネンの替わりに5−(2−ヒドロキシ−5−メ
トキシペンチル)−2−ノルボルネンを用いた以外は合
成例1−2と同様の方法により、5−(2−アセトキシ
−5−メトキシペンチル)−2−ノルボルネンを合成し
た。収率は95%であった。 IR(薄膜):ν=3057,2958,2868,1
736,1448,1373,1244,1120,1
022,719cm−1 5−(2−アセトキシ−5−メトキシペンチル)−2−
ノルボルネンの主要異性体(endo体)のH−NM
R(270MHz in CDCl):δ=0.46
−0.57(1H,m),1.12−1.63(8H,
m),1.78−1.88(1H,m),1.93−
2.01(4H,m)(2.01(3H,s)を含
む),2.73(1H,br.s),2.78(1H,
br.s),3.28−3.34(5H,m)(3.3
0(3H,s)を含む),4.89(1H,m),5.
85−5.94(1H,m),6.07−6.11(1
H,m).
[Synthesis Example 1-4] 5- (2-acetoxy-
5-methoxypentyl) -2-norbornene (Mono)
Synthesis of mer4) Instead of 5-norbornene-2-carbaldehyde (5
5- (2-hydroxy-5-methoxypentyl) -2-norbornene was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-1 except that (-norbornen-2-yl) acetaldehyde was used. The yield was 73%. 5- (1-hydroxy-5-methoxypentyl) -2-
5- (2-acetoxy-5-methoxypentyl) -2 was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1-2 except that 5- (2-hydroxy-5-methoxypentyl) -2-norbornene was used instead of norbornene. -Norbornene was synthesized. The yield was 95%. IR (thin film): ν = 3057, 2958, 2868, 1
736, 1448, 1373, 1244, 1120, 1
022,719cm -1 5- (2- acetoxy-5-methoxy) -2-
1 H-NM of major isomer (endo form) of norbornene
R (270 MHz in CDCl 3 ): δ = 0.46
−0.57 (1H, m), 1.12-1.63 (8H,
m), 1.78-1.88 (1H, m), 1.93-
2.01 (4H, m) (including 2.01 (3H, s)), 2.73 (1H, br.s), 2.78 (1H,
br. s), 3.28-3.34 (5H, m) (3.3
0 (3H, s), 4.89 (1H, m), 5.
85-5.94 (1H, m), 6.07-6.11 (1
H, m).

【0145】[0145]

【化48】 Embedded image

【0146】[合成例2−1]Polymer1の合成 42.1gのMonomer1と78.1gの5−ノル
ボルネン−2−カルボン酸2−エチル−2−ノルボルニ
ル及び49.0gの無水マレイン酸を150mlのテト
ラヒドロフランに溶解し、1.8gの2,2’−アゾビ
ス(2−メチルブチロニトリル)を加えた。60℃で1
5時間撹拌した後、減圧下濃縮した。得られた残さを6
00mlのテトラヒドロフランに溶解し、10Lのn−
ヘキサンに滴下した。生じた固形物を濾過して取り、更
に10Lのn−ヘキサンで洗浄し、40℃で6時間真空
乾燥したところ、86.7gの下記式Polymer1
で示される高分子化合物が得られた。収率は51.2%
であった。このようにして得られたポリマーをGPCに
より分析した結果、重量平均分子量(Mw)がポリスチ
レン換算で8100、分散度(Mw/Mn)が1.78
の重合体であることが確かめられた。また、13C−N
MRから、ポリマー中のMonomer1/5−ノルボ
ルネン−2−カルボン酸2−エチル−2−ノルボルニル
/無水マレイン酸の比率が、0.2/0.3/0.5で
あることが確かめられた。
[Synthesis Example 2-1] Synthesis of Polymer 1 42.1 g of Monomer 1 and 78.1 g of 2-ethyl-2-norbornyl 5-norbornene-2-carboxylate and 49.0 g of maleic anhydride were added to 150 ml of tetrahydrofuran. And 1.8 g of 2,2′-azobis (2-methylbutyronitrile) was added. 1 at 60 ° C
After stirring for 5 hours, the mixture was concentrated under reduced pressure. The obtained residue is 6
Dissolve in 00 ml of tetrahydrofuran and add 10 L of n-
It was added dropwise to hexane. The resulting solid was collected by filtration, washed with 10 L of n-hexane, and vacuum-dried at 40 ° C. for 6 hours to obtain 86.7 g of Polymer 1 shown below.
Was obtained. Yield 51.2%
Met. The thus obtained polymer was analyzed by GPC. As a result, the weight average molecular weight (Mw) was 8100 in terms of polystyrene, and the degree of dispersion (Mw / Mn) was 1.78.
It was confirmed that it was a polymer. Also, 13 C-N
From MR, it was confirmed that the ratio of Monomer 1-5-norbornene-2-carboxylate 2-ethyl-2-norbornyl / maleic anhydride in the polymer was 0.2 / 0.3 / 0.5.

【0147】[合成例2〜15]Polymer2〜1
5の合成 上記と同様にして、又は公知の処方で、Polymer
2〜15を合成した。
[Synthesis Examples 2 to 15] Polymers 2-1
Synthesis of Polymer 5 in the same manner as described above or by a known formulation.
2 to 15 were synthesized.

【0148】[0148]

【化49】 Embedded image

【0149】[0149]

【化50】 Embedded image

【0150】[0150]

【化51】 Embedded image

【0151】[実施例] [実施例I]本発明の高分子化合物について、ベース樹
脂としてレジスト材料に配合した際の基板密着性の評価
を行った。
[Examples] [Example I] The polymer adhesion of the polymer of the present invention was evaluated when it was mixed with a resist material as a base resin.

【0152】[実施例I−1〜5及び比較例1、2]上
記式で示されるポリマー(Polymer1〜5)及び
比較として下記式で示されるポリマー(Polymer
16、17)をベース樹脂とし、下記式で示される酸発
生剤(PAG1)、塩基性化合物及び溶剤を、表1に示
す組成で混合した。次にそれらをテフロン(登録商標)
製フィルター(孔径0.2μm)で濾過し、レジスト材
料とした。
[Examples I-1 to I-5 and Comparative Examples 1 and 2] Polymers (Polymer 1 to 5) represented by the above formulas and polymers represented by the following formulas (Polymer) as comparisons
16, 17) was used as a base resin, and an acid generator (PAG1) represented by the following formula, a basic compound, and a solvent were mixed in the composition shown in Table 1. Then they are Teflon (registered trademark)
The solution was filtered through a filter (pore size: 0.2 μm) to obtain a resist material.

【0153】[0153]

【化52】 Embedded image

【0154】[0154]

【化53】 Embedded image

【0155】レジスト液を90℃、40秒間ヘキサメチ
ルジシラザンを噴霧したシリコンウエハー上へ回転塗布
し、110℃、90秒間の熱処理を施して、厚さ0.5
μmのレジスト膜を形成した。これをKrFエキシマレ
ーザーステッパー(ニコン社製、NA=0.5)を用い
て露光し、110℃、90秒間の熱処理を施した後、
2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液を用いて60秒間パドル現像を行い、1:1のライ
ンアンドスペースパターンを形成した。現像済ウエハー
を上空SEM(走査型電子顕微鏡)で観察し、剥れずに
残っている最小線幅(μm)を評価レジストの密着限界
とした。各レジストの組成及び評価結果を表1に示す。
The resist solution was spin-coated on a silicon wafer sprayed with hexamethyldisilazane at 90 ° C. for 40 seconds, and heat-treated at 110 ° C. for 90 seconds to form a film having a thickness of 0.5
A μm resist film was formed. This was exposed using a KrF excimer laser stepper (manufactured by Nikon Corporation, NA = 0.5), and after a heat treatment at 110 ° C. for 90 seconds,
Paddle development was performed for 60 seconds using a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide to form a 1: 1 line and space pattern. The developed wafer was observed with an overhead SEM (scanning electron microscope), and the minimum line width (μm) remaining without peeling was defined as the adhesion limit of the evaluation resist. Table 1 shows the composition and evaluation results of each resist.

【0156】[0156]

【表1】 括弧内は配合量(重量部)[Table 1] The amount in parentheses is the amount (parts by weight)

【0157】なお、表1において、溶剤及び塩基性化合
物は下記の通りである。また、溶剤はすべてFC−43
0(住友スリーエム(株)製)を0.01重量%含むも
のを用いた。 PGMEA:プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート TBA:トリブチルアミン 表1の結果より、本発明の高分子化合物が、高い基板密
着性を有していることが確認された。
In Table 1, the solvents and the basic compounds are as follows. All solvents are FC-43
0 (manufactured by Sumitomo 3M Limited) was used. PGMEA: propylene glycol methyl ether acetate TBA: tributylamine From the results in Table 1, it was confirmed that the polymer compound of the present invention had high substrate adhesion.

【0158】[実施例II]本発明のレジスト材料につ
いて、KrFエキシマレーザー露光における解像性の評
価を行った。
Example II The resist composition of the present invention was evaluated for its resolving power in KrF excimer laser exposure.

【0159】[実施例II−1〜21]レジストの解像
性の評価 上記式で示されるポリマー(Polymer1〜15)
をベース樹脂とし、下記式で示される酸発生剤(PAG
1、2)、下記式で示される溶解制御剤(DRR1〜
4)、塩基性化合物、下記式で示される分子内に≡C−
COOHで示される基を有する化合物(ACC1、2)
及び溶剤を、表2に示す組成で混合した。次にそれらを
テフロン製フィルター(孔径0.2μm)で濾過し、レ
ジスト材料とした。
Examples II-1 to 21 Evaluation of resist resolution Polymers represented by the above formula (Polymers 1 to 15)
Is a base resin, and an acid generator represented by the following formula (PAG)
1, 2), a dissolution controlling agent represented by the following formula (DRR1
4), a basic compound, a compound represented by the following formula:
Compound having a group represented by COOH (ACC1, 2)
And the solvent were mixed in the composition shown in Table 2. Next, they were filtered with a Teflon filter (pore size: 0.2 μm) to obtain a resist material.

【0160】[0160]

【化54】 Embedded image

【0161】[0161]

【化55】 Embedded image

【0162】[0162]

【化56】 Embedded image

【0163】レジスト液を90℃、90秒間ヘキサメチ
ルジシラザンを噴霧したシリコンウエハー上へ回転塗布
し、110℃、90秒間の熱処理を施して、厚さ0.5
μmのレジスト膜を形成した。これをKrFエキシマレ
ーザーステッパー(ニコン社製、NA=0.5)を用い
て露光し、110℃、90秒間の熱処理を施した後、
2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液を用いて60秒間パドル現像を行い、1:1のライ
ンアンドスペースパターンを形成した。現像済ウエハー
を割断したものを断面SEM(走査型電子顕微鏡)で観
察し、0.30μmのラインアンドスペースを1:1で
解像する露光量(最適露光量=Eop、mJ/cm
における分離しているラインアンドスペースの最小線幅
(μm)を評価レジストの解像度とした。各レジストの
組成及び評価結果を表2に示す。
The resist solution was spin-coated on a silicon wafer sprayed with hexamethyldisilazane at 90 ° C. for 90 seconds, and heat-treated at 110 ° C. for 90 seconds to form a film having a thickness of 0.5
A μm resist film was formed. This was exposed using a KrF excimer laser stepper (manufactured by Nikon Corporation, NA = 0.5), and after a heat treatment at 110 ° C. for 90 seconds,
Paddle development was performed for 60 seconds using a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide to form a 1: 1 line and space pattern. A material obtained by cleaving the wafer as developed was observed by SEM (Scanning Electron Microscope), 1 line-and-space of 0.30 .mu.m: exposure to 1 resolution at (optimum exposure amount = Eop, mJ / cm 2)
The minimum line width (μm) of the separated line and space in was used as the resolution of the evaluation resist. Table 2 shows the composition of each resist and the evaluation results.

【0164】[0164]

【表2】 括弧内は配合量(重量部)[Table 2] The amount in parentheses is the amount (parts by weight)

【0165】なお、表2において、溶剤及び塩基性化合
物は下記の通りである。また、溶剤はすべてFC−43
0(住友スリーエム(株)製)を0.01重量%含むも
のを用いた。 PGMEA:プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート TEA:トリエタノールアミン TMMEA:トリスメトキシメトキシエチルアミン TMEMEA:トリスメトキシエトキシメトキシエチル
アミン 表2の結果より、本発明のレジスト材料が、KrFエキ
シマレーザー露光において、高感度かつ高解像性である
ことが確認された。
In Table 2, the solvents and the basic compounds are as follows. All solvents are FC-43
0 (manufactured by Sumitomo 3M Limited) was used. PGMEA: Propylene glycol methyl ether acetate TEA: Triethanolamine TMMEA: Trismethoxymethoxymethoxyethylamine TMMEA: Trismethoxyethoxymethoxyethylamine From the results in Table 2, the resist material of the present invention shows that the resist material of the present invention has high sensitivity and high resolution in KrF excimer laser exposure. Sex was confirmed.

【0166】[実施例III]本発明のレジスト材料に
ついて、ArFエキシマレーザー露光における解像性の
評価を行った。
Example III The resist material of the present invention was evaluated for resolution in ArF excimer laser exposure.

【0167】[実施例III−1、2]レジストの解像
性の評価 上記と同様に、表3に示す組成でレジスト材料を調製し
た。レジスト液を90℃、90秒間ヘキサメチルジシラ
ザンを噴霧したシリコンウエハー上へ回転塗布し、11
0℃、90秒間の熱処理を施して、厚さ0.5μmのレ
ジスト膜を形成した。これをArFエキシマレーザース
テッパー(ニコン社製、NA=0.55)を用いて露光
し、110℃、90秒間の熱処理を施した後、2.38
%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用
いて60秒間パドル現像を行い、1:1のラインアンド
スペースパターンを形成した。現像済ウエハーを割断し
たものを断面SEM(走査型電子顕微鏡)で観察し、
0.25μmのラインアンドスペースを1:1で解像す
る露光量(最適露光量=Eop、mJ/cm)におけ
る分離しているラインアンドスペースの最小線幅(μ
m)を評価レジストの解像度とした。各レジストの組成
及び評価結果を表3に示す。
[Examples III-1 and II] Evaluation of resolution of resist A resist material having the composition shown in Table 3 was prepared in the same manner as described above. The resist solution was spin-coated on a silicon wafer sprayed with hexamethyldisilazane at 90 ° C. for 90 seconds.
Heat treatment was performed at 0 ° C. for 90 seconds to form a resist film having a thickness of 0.5 μm. This was exposed to light using an ArF excimer laser stepper (manufactured by Nikon Corporation, NA = 0.55), subjected to a heat treatment at 110 ° C. for 90 seconds, and then 2.38.
% Paddle development using an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide for 60 seconds to form a 1: 1 line and space pattern. Observe the cross section of the developed wafer by SEM (scanning electron microscope).
The minimum line width (μ) of a separated line and space at an exposure amount (optimum exposure amount = Eop, mJ / cm 2 ) at which a 0.25 μm line and space is resolved at 1: 1.
m) was taken as the resolution of the evaluation resist. Table 3 shows the composition of each resist and the evaluation results.

【0168】[0168]

【表3】 括弧内は配合量(重量部)[Table 3] The amount in parentheses is the amount (parts by weight)

【0169】なお、表3において、溶剤及び塩基性化合
物は下記の通りである。また、溶剤はすべてFC−43
0(住友スリーエム(株)製)を0.01重量%含むも
のを用いた。 PGMEA:プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート TEA:トリエタノールアミン TMMEA:トリスメトキシメトキシエチルアミン 表3の結果より、本発明のレジスト材料が、ArFエキ
シマレーザー露光において、高感度かつ高解像性である
ことが確認された。
In Table 3, the solvents and basic compounds are as follows. All solvents are FC-43
0 (manufactured by Sumitomo 3M Limited) was used. PGMEA: propylene glycol methyl ether acetate TEA: triethanolamine TMMEA: trismethoxymethoxyethylamine From the results in Table 3, it was confirmed that the resist material of the present invention had high sensitivity and high resolution in ArF excimer laser exposure. Was.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/027 H01L 21/30 502R (72)発明者 中島 睦雄 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−1 信越化学工業株式会社新機能材料技術研究 所内 (72)発明者 西 恒寛 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−1 信越化学工業株式会社新機能材料技術研究 所内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AA03 AA09 AB16 AC04 AC06 AC08 AD03 BE00 BG00 FA01 FA03 FA12 FA17 4H006 AA01 AA03 AB46 BJ10 BP10 GP01 GP10 KA30 4J032 CA36 CB01 CB04 CC03 4J100 AK32R AL08Q AM43R AR11P AR11Q BA02P BA03P BA10P BA10Q BA15Q BC03Q BC07Q BC08Q CA04 CA05 CA06 DA01 JA38 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/027 H01L 21/30 502R (72) Inventor Mutsuo Nakajima 28, Nishifukushima, Katsujo-mura, Kushiro-mura, Nakakubijo-gun, Niigata Prefecture -1 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Research Center for Newly Functional Materials Technology (72) Inventor Tsunehiro Nishi 28-1 Nishi-Fukushima, Oku-ku, Nukushiro-mura, Nakakibijo-gun, Niigata Prefecture F-term (Ref.) 2H025 AA01 AA02 AA03 AA09 AB16 AC04 AC06 AC08 AD03 BE00 BG00 FA01 FA03 FA12 FA17 4H006 AA01 AA03 AB46 BJ10 BP10 GP01 GP10 KA30 4J032 CA36 CB01 CB04 CC03 4J100 AK32R AL08Q AM43R AR11P AR10QBA03 BC02

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記一般式(1)で示されるエーテル化
合物。 【化1】 (式中、Rは水素原子、又は炭素数1〜6の直鎖状、
分岐状又は環状のアルキル基を示す。Rは炭素数1〜
6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R
は水素原子、又は炭素数1〜15のアシル基もしくはア
ルコキシルカルボニル基を示し、構成炭素上の水素原子
の一部又は全部がハロゲン原子に置換されていてもよ
い。kは0又は1、mは0〜3、nは3〜6の整数であ
る。)
1. An ether compound represented by the following general formula (1). Embedded image (In the formula, R 1 is a hydrogen atom or a straight chain having 1 to 6 carbon atoms;
Shows a branched or cyclic alkyl group. R 2 has 1 to 1 carbon atoms
6 represents a linear, branched or cyclic alkyl group. R 3
Represents a hydrogen atom, or an acyl group or an alkoxylcarbonyl group having 1 to 15 carbon atoms, and a part or all of the hydrogen atoms on the constituent carbons may be substituted with a halogen atom. k is 0 or 1, m is an integer of 0 to 3, and n is an integer of 3 to 6. )
【請求項2】 上記一般式(1)で示されるエーテル化
合物を原料とする下記一般式(1−1)又は(1−2)
で示される繰り返し単位を含有し、重量平均分子量1,
000〜500,000であることを特徴とする高分子
化合物。 【化2】 (式中、k、m、n、R〜Rは上記と同様の意味を
示す。)
2. The following general formula (1-1) or (1-2) using an ether compound represented by the above general formula (1) as a raw material.
And a weight average molecular weight of 1,
A polymer compound having a molecular weight of 000 to 500,000. Embedded image (In the formula, k, m, n, and R 1 to R 3 have the same meanings as described above.)
【請求項3】 上記一般式(1−1)で示される繰り返
し単位に加え、下記一般式(2−1)で示される繰り返
し単位を含有することを特徴とする請求項2記載の高分
子化合物。 【化3】 (式中、kは上記と同様である。Rは水素原子、メチ
ル基又はCHCO を示す。Rは水素原子、メ
チル基又はCOを示す。Rは炭素数1〜15の
直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Rは酸
不安定基を示す。Rはハロゲン原子、水酸基、炭素数
1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、ア
シルオキシ基、又はアルキルスルフォニルオキシ基、又
は炭素数2〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキ
シカルボニルオキシ基、アルコキシアルコキシ基を示
し、構成炭素原子上の水素原子の一部又は全部がハロゲ
ン原子に置換されていてもよい。Zは単結合又は炭素数
1〜5の直鎖状、分岐状又は環状の(p+2)価の炭化
水素基を示し、炭化水素基である場合には、1個以上の
メチレンが酸素に置換されて鎖状又は環状のエーテルを
形成したり、同一炭素上の2個の水素が酸素に置換され
てケトンを形成してもよい。pは0、1又は2であ
る。)
3. The repetition represented by the general formula (1-1)
In addition to the repeating unit, a repeating unit represented by the following general formula (2-1)
3. The composition according to claim 2, further comprising:
Child compound. Embedded image(Where k is the same as above. R4Is a hydrogen atom,
Or CH2CO2R 6Is shown. R5Is a hydrogen atom,
Cyl group or CO2R6Is shown. R6Has 1 to 15 carbon atoms
It represents a linear, branched or cyclic alkyl group. R7Is an acid
Shows an unstable group. R8Is halogen atom, hydroxyl group, carbon number
1 to 15 linear, branched or cyclic alkoxy groups,
A siloxy group or an alkylsulfonyloxy group, or
Is a linear, branched or cyclic alkoxy having 2 to 15 carbon atoms
Represents a cyclocarbonyloxy group or an alkoxyalkoxy group
And part or all of the hydrogen atoms on the constituent carbon atoms are halogenated
And it may be substituted by a nitrogen atom. Z is a single bond or carbon number
1-5 linear, branched or cyclic (p + 2) -valent carbonized
Represents a hydrogen group, and when it is a hydrocarbon group, one or more
Methylene is replaced by oxygen to form a chain or cyclic ether
Or two hydrogens on the same carbon are replaced by oxygen
To form a ketone. p is 0, 1 or 2
You. )
【請求項4】 上記一般式(1−1)で示される繰り返
し単位に加え、下記一般式(2−1)及び(3)で示さ
れる繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項2
記載の高分子化合物。 【化4】 (式中、Z、k、p、R〜Rは上記と同様である。
Yは酸素原子、又はNR であり、Rは炭素数1〜6
の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基を示す。)
4. The repetition represented by the general formula (1-1)
In addition to the formula unit, it is represented by the following general formulas (2-1) and (3).
3. A repeating unit comprising:
The polymer compound as described in the above. Embedded image(Where Z, k, p, R4~ R8Is the same as above.
Y is an oxygen atom, or NR 9And R9Has 1 to 6 carbon atoms
Represents a linear, branched or cyclic alkyl group. )
【請求項5】 上記一般式(1−1)で示される繰り返
し単位に加え、下記一般式(4)で示される繰り返し単
位、又は下記一般式(4)で示される繰り返し単位及び
下記一般式(2−1)で示される繰り返し単位と、更に
下記一般式(3)で示される繰り返し単位を含有するこ
とを特徴とする請求項2記載の高分子化合物。 【化5】 (式中、Y、Z、k、p、R〜Rは上記と同様であ
る。)
5. In addition to the repeating unit represented by the general formula (1-1), a repeating unit represented by the following general formula (4) or a repeating unit represented by the following general formula (4) and a compound represented by the following general formula (4) The polymer compound according to claim 2, further comprising a repeating unit represented by 2-1) and a repeating unit represented by the following general formula (3). Embedded image (In the formula, Y, Z, k, p, and R 4 to R 9 are the same as above.)
【請求項6】 上記一般式(1−2)で示される繰り返
し単位に加え、下記一般式(2−2)で示される繰り返
し単位を含有することを特徴とする請求項2記載の高分
子化合物。 【化6】 (式中、Z、k、p、R〜Rは上記と同様であ
る。)
6. The polymer compound according to claim 2, comprising a repeating unit represented by the following general formula (2-2) in addition to the repeating unit represented by the general formula (1-2). . Embedded image (In the formula, Z, k, p, and R 4 to R 8 are the same as described above.)
【請求項7】 請求項2乃至6のいずれか1項に記載の
高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。
7. A resist material comprising the polymer compound according to claim 2. Description:
【請求項8】 請求項7に記載のレジスト材料を基板上
に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高
エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、必要に
応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
8. A step of applying the resist material according to claim 7 on a substrate, a step of exposing with a high energy beam or an electron beam through a photomask after heat treatment, and a step of subjecting to heat treatment if necessary. And developing using a developing solution.
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