JP2002303574A - Terahertz optical device and its adjusting method - Google Patents

Terahertz optical device and its adjusting method

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JP2002303574A
JP2002303574A JP2001105395A JP2001105395A JP2002303574A JP 2002303574 A JP2002303574 A JP 2002303574A JP 2001105395 A JP2001105395 A JP 2001105395A JP 2001105395 A JP2001105395 A JP 2001105395A JP 2002303574 A JP2002303574 A JP 2002303574A
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terahertz
light
probe light
beam splitter
optical system
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Mamoru Usami
護 宇佐見
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Tochigi Nikon Corp
Nikon Corp
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Tochigi Nikon Corp
Nikon Corp
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    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
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    • G01N21/35Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3581Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately and easily adjust alignment of a terahertz optical system. SOLUTION: The terahertz optical system has a terahertz light generator 8, a terahertz light detector 13, and a beam splitter 11 arranged between them, or the like. A rotating mechanism 26 can rotate the beam splitter 11 to a first rotational position (a position shown in Figure 1) of directing probe light to the detector 13 and a second rotational position (a position rotated 90 deg. around an axis perpendicular to the paper surface from the position shown in Figure 1) of directing the probe light to the generator 8. Alignment of a curved mirror 12 and the detector 13 is adjusted so as to converge the probe light on an appropriate position of the detector 13 in the state of the first rotational position. Alignment of a curved mirror 9 and the generator 8 is adjusted so as to converge the probe light on a terahertz pulsed light generating point of the generator 8 in the state of the second rotational position.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、テラヘルツ光装
置、及びこれのテラヘルツ光学系のアライメントをを調
整する調整方法に関するものである。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a terahertz optical device and an adjusting method for adjusting the alignment of the terahertz optical system.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、物質の測定・検査・イメージ化及
びその他の種々の分野において、テラヘルツ分光法など
のテラヘルツ光の利用技術の有用性が認識されてきてお
り、テラヘルツ光学系を有する種々のテラヘルツ光装置
が、既に提供されあるいは新たに開発されようとしてい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, the usefulness of terahertz light utilization technology such as terahertz spectroscopy has been recognized in various fields such as measurement, inspection, imaging of materials, and various other fields having terahertz optical systems. Terahertz optical devices have already been provided or are about to be developed.

【0003】テラヘルツ光は人間の目で見えないのは勿
論のこと、現時点ではテラヘルツ光を観察し得る簡便な
観察ツールも存在しない。
[0003] Needless to say, terahertz light is invisible to human eyes, and at present, there is no simple observation tool capable of observing terahertz light.

【0004】そこで、従来、テラヘルツ光学系のアライ
メントの調整は、ダイポールアンテナなどのテラヘルツ
光源をピンホールなどに置き換え、ピンホールに可視光
又は近赤外光(多くの場合、ポンプ光そのもの)を通
し、その透過光の様子を観察しながら行われていた。す
なわち、ピンホールの透過光の光路がテラヘルツ光の光
路と同一であるとみなすことにより行われていた。
Therefore, conventionally, alignment of a terahertz optical system is adjusted by replacing a terahertz light source such as a dipole antenna with a pinhole and passing visible light or near-infrared light (in many cases, pump light itself) through the pinhole. , While observing the state of the transmitted light. That is, the optical path of the transmitted light through the pinhole is considered to be the same as the optical path of the terahertz light.

【0005】なお、可視光の場合は、その照射位置等を
肉眼で直接的に観察することが可能である。近赤外光等
の場合は、近赤外光に感応して可視光を発光する材料を
シート部材に塗布したカード式赤外センサ(例えば、シ
グマ光機株式会社から市販されている「SIRC−
(1)」(商品名))などの簡便な観察ツールを用いる
ことにより、簡単に観察することができる。
[0005] In the case of visible light, the irradiation position and the like can be directly observed with the naked eye. In the case of near-infrared light or the like, a card-type infrared sensor in which a material that emits visible light in response to near-infrared light is applied to a sheet member (for example, “SIRC-
By using a simple observation tool such as “(1)” (trade name), observation can be easily performed.

【0006】ところが、テラヘルツ光源をピンホールと
同じ位置に正確に置き換えることは非常に困難であるた
め、ピンホールの透過光を基準にしてテラヘルツ光学系
のアライメントを調整した後に、ピンホールをテラヘル
ツ光源に置き換えるだけでは、そのアライメントを正確
に調整することはできない。
However, since it is very difficult to accurately replace the terahertz light source at the same position as the pinhole, after adjusting the alignment of the terahertz optical system with reference to the light transmitted through the pinhole, the terahertz light source is moved. The alignment cannot be adjusted exactly by simply replacing

【0007】そこで、テラヘルツ光学系のアライメント
を調整する従来の調整方法では、実際には、ピンホール
の透過光を基準にしてアライメントを調整してから、ピ
ンホールをテラヘルツ光源に置き換えた後に、テラヘル
ツ光の検出信号の強度を測定しつつその強度が高まるよ
うに、テラヘルツ光学系のアライメントを再調整して最
適化していた。この作業には、テラヘルツ光の検出信号
の強度を頼りにテラヘルツ光学系のアライメントを少し
ずつ変えていく試行錯誤の繰り返しが不可欠であった。
Therefore, in the conventional adjusting method for adjusting the alignment of the terahertz optical system, actually, the alignment is adjusted based on the transmitted light of the pinhole, and then the terahertz light source is replaced with the terahertz light source. The alignment of the terahertz optical system has been optimized by readjusting the intensity of the light detection signal while measuring the intensity of the signal. In this work, it was necessary to repeat trial and error in which the alignment of the terahertz optical system was gradually changed depending on the intensity of the detection signal of the terahertz light.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の調整方法では、テラヘルツ光学系のアライメントを
正確に行うためには、前述した試行錯誤の繰り返しが必
要であったので、著しく手数を要していた。
However, in the above-mentioned conventional adjusting method, it is necessary to repeat the above-described trial and error in order to accurately perform alignment of the terahertz optical system. Was.

【0009】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、テラヘルツ光学系のアライメントを正確かつ
簡単に調整することができるテラヘルツ光装置を提供す
ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide a terahertz optical device capable of accurately and easily adjusting the alignment of a terahertz optical system.

【0010】また、本発明は、テラヘルツ光学系のアラ
イメントを正確かつ簡単に調整することができる調整方
法を提供することを目的とする。
Another object of the present invention is to provide an adjustment method capable of accurately and easily adjusting the alignment of a terahertz optical system.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第1の態様によるテラヘルツ光装置は、
(a)テラヘルツ光の発生部と、該発生部から発生して
所定の光路を経て到達するテラヘルツ光を検出する検出
部と、前記発生部と前記検出部との間の光路上に配置さ
れたビームスプリッタと、を有するテラヘルツ光学系
と、(b)前記検出部によるテラヘルツ光の検出時に、
前記ビームスプリッタを介して前記検出部にプローブ光
を照射するプローブ光照射部と、(c)前記ビームスプ
リッタを、前記プローブ光照射部からの前記プローブ光
を前記検出部へ向かわせる第1の回転位置、及び、前記
プローブ光照射部からの前記プローブ光を前記発生部へ
向かわせる第2の回転位置に、回転させ得る回転機構
と、を備えたものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a terahertz optical device.
(A) a generation unit of terahertz light, a detection unit that detects terahertz light that is generated from the generation unit and reaches via a predetermined optical path, and is disposed on an optical path between the generation unit and the detection unit. A terahertz optical system having a beam splitter; and (b) detecting terahertz light by the detection unit,
(C) a first rotation of the beam splitter to direct the probe light from the probe light irradiation unit to the detection unit; And a rotation mechanism capable of rotating the probe light from the probe light irradiation unit to a second rotation position for directing the probe light from the probe light irradiation unit to the generation unit.

【0012】なお、前記第2の回転位置は、例えば、前
記第1の回転位置から90゜回転した位置に設定するこ
とができる。この点は、後述する第2乃至第7の態様に
ついても同様である。また、前記プローブ光としては、
例えば、可視光又は近赤外光を用いることができる。こ
の点は、後述する第2乃至第8の態様についても同様で
ある。
The second rotational position can be set, for example, at a position rotated by 90 ° from the first rotational position. This is the same for the second to seventh aspects described later. Further, as the probe light,
For example, visible light or near-infrared light can be used. This is the same for the second to eighth aspects described later.

【0013】この第1の態様によれば、前記回転機構を
備えているので、例えば、後述する第2乃至第7の態様
による調整方法を実現することができ、プローブ光を利
用してテラヘルツ光学系のアライメントを調整すること
ができる。そして、回転機構の回転位置の位置決め精度
は容易に高めておくことができるので、プローブ光を利
用したアライメントの調整後に、前記従来の調整方法で
必要であった前述した試行錯誤の繰り返しが大幅に軽減
される、または不要となる。したがって、前記第1の態
様によれば、テラヘルツ光学系のアライメントを正確か
つ簡単に調整することができる。
According to the first aspect, since the rotation mechanism is provided, it is possible to realize, for example, the adjustment methods according to the second to seventh aspects to be described later. The alignment of the system can be adjusted. Then, since the positioning accuracy of the rotation position of the rotation mechanism can be easily increased, after the adjustment of the alignment using the probe light, the repetition of the above-described trial and error, which is necessary in the conventional adjustment method, is significantly increased. Reduced or unnecessary. Therefore, according to the first aspect, the alignment of the terahertz optical system can be adjusted accurately and easily.

【0014】本発明の第2の態様による調整方法は、
(a)テラヘルツ光の発生部と、該発生部から発生して
所定の光路を経て到達するテラヘルツ光を検出する検出
部と、前記発生部と前記検出部との間の光路上に配置さ
れたビームスプリッタとを有するテラヘルツ光学系と、
(b)前記検出部によるテラヘルツ光の検出時に、前記
ビームスプリッタを介して前記検出部にプローブ光を照
射するプローブ光照射部と、を備えたテラヘルツ光装置
の、前記テラヘルツ光学系のアライメントを調整する調
整方法である。そして、この第2の態様による調整方法
は、(a)前記ビームスプリッタを、前記プローブ光照
射部からの前記プローブ光を前記検出部へ向かわせる第
1の回転位置、及び、前記プローブ光照射部からの前記
プローブ光を前記発生部へ向かわせる第2の回転位置
に、回転させ得る回転機構を用いて、前記ビームスプリ
ッタを前記第2の回転位置に位置させた状態で、前記プ
ローブ光の様子を観察しながら、前記テラヘルツ光学系
のアライメントを調整する第1の段階と、(c)前記第
1の段階の後に、前記回転機構を用いて、前記ビームス
プリッタを前記第1の回転位置に位置させる第2の段階
と、を備えたものである。
The adjusting method according to the second aspect of the present invention comprises:
(A) a generation unit of terahertz light, a detection unit that detects terahertz light that is generated from the generation unit and reaches via a predetermined optical path, and is disposed on an optical path between the generation unit and the detection unit. A terahertz optical system having a beam splitter,
(B) adjusting the alignment of the terahertz optical system of the terahertz optical device including a probe light irradiation unit that irradiates the detection unit with probe light via the beam splitter when the detection unit detects the terahertz light. This is the adjustment method. The adjustment method according to the second aspect includes: (a) the beam splitter includes a first rotation position at which the probe light from the probe light irradiation unit is directed to the detection unit, and the probe light irradiation unit. The state of the probe light in a state where the beam splitter is positioned at the second rotation position by using a rotation mechanism capable of rotating the probe light from a second position to the second rotation position that directs the probe light toward the generation unit. (C) after the first step, adjusting the alignment of the terahertz optical system while observing the position of the beam splitter at the first rotation position using the rotation mechanism. And a second stage to be performed.

【0015】本発明の第3の態様による調整方法は、前
記第2の態様において、前記ビームスプリッタを前記第
1の回転位置に位置させた状態で、前記プローブ光の様
子を観察しながら、前記テラヘルツ光学系のアライメン
トを調整する第3の段階を備えたものである。この第3
の段階と前記第1及び第2の段階との時間的な前後関係
は、何ら限定されるものではない。
In the adjusting method according to a third aspect of the present invention, in the second aspect, the beam splitter is positioned at the first rotation position while observing a state of the probe light. The third step is to adjust the alignment of the terahertz optical system. This third
The temporal relationship between the step and the first and second steps is not limited at all.

【0016】本発明の第4の態様による調整方法は、前
記第2の態様において、前記第3の段階は、前記プロー
ブ光照射部から発して前記検出部の付近に到達する前記
プローブ光の様子を観察しながら、前記テラヘルツ光学
系のアライメントを調整する段階を含むものである。
In the adjusting method according to a fourth aspect of the present invention, in the second aspect, the third step is that the state of the probe light emitted from the probe light irradiation section and reaching the vicinity of the detection section And adjusting the alignment of the terahertz optical system while observing.

【0017】本発明の第5の態様による調整方法は、前
記第3又は第4の態様において、前記第3の段階は、前
記プローブ光照射部から発して前記検出部で反射された
後に前記ビームスプリッタを介して前記発生部の付近に
到達する前記プローブ光の様子を観察しながら、前記テ
ラヘルツ光学系のアライメントを調整する段階を含むも
のである。
In the adjusting method according to a fifth aspect of the present invention, in the third or fourth aspect, the third step is that the beam emitted from the probe light irradiation unit is reflected by the detection unit and then reflected by the detection unit. Adjusting the alignment of the terahertz optical system while observing the state of the probe light reaching the vicinity of the generation unit via the splitter.

【0018】本発明の第6の態様による調整方法は、前
記第2乃至第5のいずれかの態様において、前記第1の
段階は、前記プローブ光照射部から発して前記発生部の
付近に到達する前記プローブ光の様子を観察しながら、
前記テラヘルツ光学系のアライメントを調整する段階を
含むものである。
In the adjustment method according to a sixth aspect of the present invention, in any one of the second to fifth aspects, the first step may include emitting from the probe light irradiating section and reaching near the generating section. While observing the state of the probe light
And adjusting the alignment of the terahertz optical system.

【0019】本発明の第7の態様による調整方法は、前
記第2乃至第6のいずれかの態様において、前記第1の
段階は、前記プローブ光照射部から発して前記発生部で
反射された後に前記ビームスプリッタを介して前記検出
部の付近に到達する前記プローブ光の様子を観察しなが
ら、前記テラヘルツ光学系のアライメントを調整する段
階を含むものである。
In the adjustment method according to a seventh aspect of the present invention, in any one of the second to sixth aspects, the first step is that the light is emitted from the probe light irradiation unit and reflected by the generation unit. Adjusting the alignment of the terahertz optical system while observing the state of the probe light reaching the vicinity of the detection unit via the beam splitter later.

【0020】前記3乃至第7の態様によれば、プローブ
光を利用してテラヘルツ光学系のアライメントを調整す
ることができる。そして、回転機構の回転位置の位置決
め精度は容易に高めておくことができるので、プローブ
光を利用したアライメントの調整後に、前記従来の調整
方法で必要であった前述した試行錯誤の繰り返しが大幅
に軽減される、または不要となる。したがって、前記第
3乃至第7の態様によれば、テラヘルツ光学系のアライ
メントを正確かつ簡単に調整することができる。
According to the third to seventh aspects, the alignment of the terahertz optical system can be adjusted using the probe light. Then, since the positioning accuracy of the rotation position of the rotation mechanism can be easily increased, after the adjustment of the alignment using the probe light, the repetition of the above-described trial and error, which is necessary in the conventional adjustment method, is significantly increased. Reduced or unnecessary. Therefore, according to the third to seventh aspects, the alignment of the terahertz optical system can be adjusted accurately and easily.

【0021】本発明の第8の態様による調整方法は、
(a)テラヘルツ光の発生部と、該発生部から発生して
所定の光路を経て到達するテラヘルツ光を検出する検出
部と、前記発生部と前記検出部との間の光路上に配置さ
れたビームスプリッタとを有するテラヘルツ光学系と、
(b)前記検出部によるテラヘルツ光の検出時に、前記
ビームスプリッタを介して前記検出部にプローブ光を照
射するプローブ光照射部と、を備えたテラヘルツ光装置
の、前記テラヘルツ光学系のアライメントを調整する調
整方法である。そして、この第8の態様による調整方法
は、(a)前記プローブ光照射部から発して前記検出部
の付近に到達する前記プローブ光の様子を観察しなが
ら、前記テラヘルツ光学系のアライメントを調整する段
階と、(b)前記プローブ光照射部から発して前記検出
部で反射された後に前記ビームスプリッタを介して前記
発生部の付近に到達する前記プローブ光の様子を観察し
ながら、前記テラヘルツ光学系のアライメントを調整す
る段階と、を備えたものである。
The adjusting method according to the eighth aspect of the present invention is as follows.
(A) a generation unit of terahertz light, a detection unit that detects terahertz light that is generated from the generation unit and reaches via a predetermined optical path, and is disposed on an optical path between the generation unit and the detection unit. A terahertz optical system having a beam splitter,
(B) adjusting the alignment of the terahertz optical system of the terahertz optical device including a probe light irradiation unit that irradiates the detection unit with probe light via the beam splitter when the detection unit detects the terahertz light. This is the adjustment method. Then, the adjustment method according to the eighth aspect adjusts the alignment of the terahertz optical system while observing the state of the probe light emitted from the probe light irradiation unit and reaching the vicinity of the detection unit. (B) observing the state of the probe light emitted from the probe light irradiation unit and reflected by the detection unit and reaching the vicinity of the generation unit via the beam splitter, while observing the state of the terahertz optical system. Adjusting the alignment.

【0022】この第8の態様では、プローブ光照射部か
ら発して検出部の付近に到達するプローブ光の様子を観
察しながら、テラヘルツ光学系のアライメントを調整す
るだけでなく、プローブ光照射部から発して検出部で反
射された後にビームスプリッタを介して前記発生部の付
近に到達する前記プローブ光の様子を観察しながら、テ
ラヘルツ光学系のアライメントを調整する。したがっ
て、前記第8の態様によれば、前記ビームスプリッタを
回転させる回転機構を用いなくても、プローブ光を利用
してテラヘルツ光学系のアライメントを調整することが
でき、また、前記従来の調整方法で必要であった前述し
た試行錯誤の繰り返しが大幅に軽減される、または不要
となる。このため、前記第8の態様によれば、前記第3
乃至第7の態様に比べて、テラヘルツ光学系のアライメ
ントをより正確かつより簡単に調整することができ、し
かもテラヘルツ光装置のコストダウンを図ることができ
る。
In the eighth embodiment, while observing the state of the probe light emitted from the probe light irradiation unit and reaching the vicinity of the detection unit, not only the alignment of the terahertz optical system is adjusted, but also the probe light irradiation unit The alignment of the terahertz optical system is adjusted while observing the state of the probe light that is emitted and reflected by the detection unit and reaches the vicinity of the generation unit via the beam splitter. Therefore, according to the eighth aspect, it is possible to adjust the alignment of the terahertz optical system using the probe light without using the rotation mechanism for rotating the beam splitter, and the conventional adjustment method The repetition of the above-described trial and error, which is required in the above, is greatly reduced or becomes unnecessary. Therefore, according to the eighth aspect, the third aspect
As compared with the seventh to seventh aspects, the alignment of the terahertz optical system can be adjusted more accurately and more easily, and the cost of the terahertz optical device can be reduced.

【0023】本発明の第9の態様による調整方法は、
(a)テラヘルツ光の発生部と、該発生部から発生して
所定の光路を経て到達するテラヘルツ光を検出する検出
部と、前記発生部と前記検出部との間の光路上に配置さ
れた第1のビームスプリッタとを有するテラヘルツ光学
系と、(b)前記検出部によるテラヘルツ光の検出時
に、前記第1のビームスプリッタを介して前記検出部に
プローブ光を照射するプローブ光照射部と、を備えたテ
ラヘルツ光装置の、前記テラヘルツ光学系のアライメン
トを調整する調整方法である。そして、この第9の態様
による調整方法は、前記プローブ光の光路上又は前記テ
ラヘルツ光の光路上に第2のビームスプリッタを配置し
て、前記第2のビームスプリッタを介して前記発生部へ
向かうように調整用の光を入射させ、当該調整用の光の
様子を観察しながら、前記テラヘルツ光学系のアライメ
ントを調整する段階を備えたものである。前記調整用の
光としては、例えば、可視光又は近赤外光を用いること
ができる。
The adjusting method according to the ninth aspect of the present invention includes:
(A) a generation unit of terahertz light, a detection unit that detects terahertz light that is generated from the generation unit and reaches via a predetermined optical path, and is disposed on an optical path between the generation unit and the detection unit. A terahertz optical system having a first beam splitter; and (b) a probe light irradiator for irradiating the detector with probe light via the first beam splitter when the detector detects terahertz light; An adjustment method for adjusting the alignment of the terahertz optical system in the terahertz optical device provided with: Then, in the adjusting method according to the ninth aspect, a second beam splitter is arranged on the optical path of the probe light or the optical path of the terahertz light, and travels to the generation unit via the second beam splitter. In this way, a step of adjusting the alignment of the terahertz optical system while inputting the light for adjustment and observing the state of the light for adjustment is provided. As the adjustment light, for example, visible light or near-infrared light can be used.

【0024】この第9の態様では、プローブ光の光路上
又はテラヘルツ光の光路上に配置した第2のビームスプ
リッタを介してテラヘルツ光の発生部へ向かうように調
整用の光を入射させ、当該調整用の光の様子を観察しな
がら、前記テラヘルツ光学系のアライメントを調整す
る。したがって、前記第2乃至第7の態様で用いられる
ような回転機構を用いなくても、外部から導入した調整
用の光を利用してテラヘルツ光学系のアライメントを調
整することができ、また、前記従来の調整方法で必要で
あった前述した試行錯誤の繰り返しが大幅に軽減され
る、または不要となる。このため、前記第9の態様によ
れば、前記第3乃至第7の態様に比べて、テラヘルツ光
学系のアライメントをより正確かつより簡単に調整する
ことができ、しかもテラヘルツ光装置のコストダウンを
図ることができる。
In the ninth aspect, the light for adjustment is incident on the optical path of the probe light or the terahertz light via the second beam splitter disposed on the optical path of the terahertz light so as to be directed to the terahertz light generating section. The alignment of the terahertz optical system is adjusted while observing the state of the light for adjustment. Therefore, it is possible to adjust the alignment of the terahertz optical system using the adjustment light introduced from outside without using the rotation mechanism used in the second to seventh aspects. The repetition of the above-described trial and error, which is required in the conventional adjustment method, is greatly reduced or becomes unnecessary. Therefore, according to the ninth aspect, the alignment of the terahertz optical system can be adjusted more accurately and more easily than in the third to seventh aspects, and the cost of the terahertz optical device can be reduced. Can be planned.

【0025】本発明の第10の態様による調整方法は、
前記第9の態様において、前記段階は、前記発生部で反
射された前記調整用の光の様子を観察しながら、前記テ
ラヘルツ光学系のアライメントを調整する段階を含むも
のである。
The adjusting method according to the tenth aspect of the present invention comprises:
In the ninth aspect, the step includes adjusting an alignment of the terahertz optical system while observing a state of the adjustment light reflected by the generation unit.

【0026】この第10の態様のように、テラヘルツ光
の発生部で反射された調整用の光の様子を観察すると、
テラヘルツ光学系の要素のうち、第2のビームスプリッ
タに対して前記検出部側に位置する要素についても、調
整用の光を基準にしてアライメントを調整することがで
き、好ましい。
When the state of the adjusting light reflected by the terahertz light generating section is observed as in the tenth aspect,
Of the elements of the terahertz optical system, the alignment of the element located on the detection unit side with respect to the second beam splitter can be adjusted based on the adjustment light, which is preferable.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下、本発明によるテラヘルツ光
装置及び調整方法について、図面を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a terahertz optical device and an adjusting method according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0028】[第1の実施の形態][First Embodiment]

【0029】図1は、本発明の一実施の形態によるテラ
ヘルツ光装置を模式的に示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram schematically showing a terahertz optical device according to an embodiment of the present invention.

【0030】本実施の形態によるテラヘルツ光装置で
は、図1に示すように、フェムト秒パルス光源1から放
射されたフェムト秒パルス光L1が、ビームスプリッタ
2で2つのパルス光L2,L3に分割される。本実施の
形態では、フェムト秒パルス光源1は、レーザ光源等か
らなり、例えば、フェムト秒パルス光L1として、中心
波長が近赤外領域のうちの780〜800nm程度、パ
ルス幅が10〜100fs程度の、直線偏光のパルス光
を発する。
In the terahertz optical device according to the present embodiment, as shown in FIG. 1, a femtosecond pulse light L1 emitted from a femtosecond pulse light source 1 is split into two pulse lights L2 and L3 by a beam splitter 2. You. In the present embodiment, the femtosecond pulse light source 1 is composed of a laser light source or the like. For example, the femtosecond pulse light L1 has a center wavelength of about 780 to 800 nm in the near infrared region and a pulse width of about 10 to 100 fs. Emits linearly polarized pulsed light.

【0031】ビームスプリッタ2で分割された一方のパ
ルス光L2は、テラヘルツ光発生器8を励起して発生器
8にテラヘルツパルス光を発生させるためのポンプ光
(パルス励起光)となる。このポンプ光L2は、チョッ
パ3によりチョッピングされた後に、平面反射鏡4〜7
を経て、テラヘルツ光発生器8へ導かれる。その結果、
発生器8が励起されてテラヘルツパルス光L4を放射す
る。本実施の形態では、発生器8は、テラヘルツパルス
光の点状光源となるものが用いられている。例えば、こ
のような発生器8として、GaAs等の基板上の光伝導
膜上にダイポールアンテナが形成されたものや、ZnT
e等の非線形光学結晶などを、用いることができる。な
お、発生器8として非線形光学結晶を用いる場合には、
当該結晶に局所的にポンプ光L2を入射させることによ
って、テラヘルツパルス光の点状光源となり得る。発生
器8としてダイポールアンテナを形成したものを用いる
場合には、バイアス電圧を印加しておく。
One of the pulse lights L2 split by the beam splitter 2 becomes pump light (pulse excitation light) for exciting the terahertz light generator 8 and causing the generator 8 to generate terahertz pulse light. After the pump light L2 is chopped by the chopper 3, the pump light L2 is
Through the terahertz light generator 8. as a result,
The generator 8 is excited to emit the terahertz pulse light L4. In the present embodiment, the generator 8 is used as a point light source of the terahertz pulse light. For example, as such a generator 8, a generator having a dipole antenna formed on a photoconductive film on a substrate such as GaAs, a ZnT
A non-linear optical crystal such as e can be used. When a nonlinear optical crystal is used as the generator 8,
By locally injecting the pump light L2 into the crystal, the crystal can serve as a point light source of terahertz pulse light. When a generator having a dipole antenna is used as the generator 8, a bias voltage is applied.

【0032】発生器8で発生するテラヘルツパルス光L
4としては、概ね0.1×1012から100×10
12ヘルツまでの周波数領域の光が望ましい。このテラ
ヘルツパルス光L4は、放物面鏡等の曲面鏡9を経て平
行光に変換され、被測定物10及び後述するビームスプ
リッタ11を透過した後、放物面鏡等の曲面鏡12によ
ってテラヘルツ光検出器13に局所的に集光され、検出
器13は点状の検出器として用いられている。本実施の
形態では、検出器13として、ZnTe等の非線形光学
結晶(電気光学結晶)が用いられている。したがって、
検出器13にテラヘルツパルス光が入射すると、その電
界により結晶内で電気光学効果によって複屈折変化が生
ずる。後述するように、この複屈折変化をプローブ光を
用いて検出することにより、テラヘルツパルス光の電場
強度が検出される。
The terahertz pulse light L generated by the generator 8
4 is approximately 0.1 × 10 12 to 100 × 10
Light in the frequency range up to 12 Hertz is desirable. The terahertz pulse light L4 is converted into parallel light through a curved mirror 9 such as a parabolic mirror, and transmitted through a device under test 10 and a beam splitter 11 described later, and then terahertz by a curved mirror 12 such as a parabolic mirror. The light is locally focused on the photodetector 13, and the detector 13 is used as a point-like detector. In the present embodiment, a nonlinear optical crystal (electro-optical crystal) such as ZnTe is used as the detector 13. Therefore,
When the terahertz pulse light is incident on the detector 13, the electric field causes a birefringence change in the crystal due to an electro-optic effect. As described later, the electric field intensity of the terahertz pulse light is detected by detecting the change in the birefringence using the probe light.

【0033】ビームスプリッタ2で分割された他方のパ
ルス光L3は、テラヘルツパルス光を検出するためのプ
ローブ光となる。このプローブ光L3は、2枚もしくは
3枚の平面反射鏡が組み合わされてなる可動鏡14、平
面反射鏡15、及び1/2波長板16を経て、テラヘル
ツパルス光の検出時に、ビームスプリッタ11により反
射されテラヘルツパルス光と同一の光路に同一の向きに
進行するように導かれ、曲面鏡12によって検出器13
にテラヘルツパルス光の場合と同じ箇所に局所的に集光
される。前記ビームスプリッタ11としては、例えば、
ペリクルや高抵抗シリコンウエハなどを用いることがで
きる。高抵抗シリコンウエハは、可視光及び近赤外領域
の光の反射率が高く、テラヘルツ領域の光は良く透過す
るので、本用途に使用可能である。なお、ビームスプリ
ッタ11として高抵抗シリコンウエハを用いた場合に
は、後述する本発明の第2の実施の形態のようなテラヘ
ルツ光学系のアライメントの調整方法を採用することが
好ましい。
The other pulse light L3 split by the beam splitter 2 becomes probe light for detecting terahertz pulse light. The probe light L3 passes through a movable mirror 14, which is a combination of two or three plane reflecting mirrors, a plane reflecting mirror 15, and a half-wave plate 16, and is detected by a beam splitter 11 when detecting terahertz pulse light. The reflected terahertz pulsed light is guided to travel in the same optical path in the same direction as the terahertz pulse light, and the curved mirror 12
Is locally focused on the same place as in the case of the terahertz pulse light. As the beam splitter 11, for example,
A pellicle or a high-resistance silicon wafer can be used. The high-resistance silicon wafer has high reflectivity for visible light and near-infrared light, and transmits light in the terahertz region well, so that it can be used for this application. When a high-resistance silicon wafer is used as the beam splitter 11, it is preferable to adopt a method for adjusting the alignment of the terahertz optical system as described in a second embodiment of the present invention described later.

【0034】曲面鏡12によって検出器13に集光され
た直線偏光光であるプローブ光は、検出器13を透過す
る。その透過光の偏光状態は、テラヘルツパルス光によ
り生じた検出器13の複屈折変化(すなわち、テラヘル
ツパルス光の電場強度変化)に応じて、楕円偏光に変化
する。このとき、テラヘルツパルス光の電場強度の情報
は、直線偏光からの差としてプローブ光の偏光状態が担
っている。検出器13を透過したプローブ光は、1/4
波長板17を透過し、このときテラヘルツパルス光の電
場強度の情報は、プローブ光の偏光状態の円偏光からの
差に変換され、偏光ビームスプリッタ18によりp偏光
成分とs偏光成分とに分離され、これらがフォトダイオ
ード等の光検出器19,20によりそれぞれ検出され
る。信号処理回路21は、光検出器19,20からの検
出信号の差分を増幅する。このように、1/4波長板1
7、偏光ビームスプリッタ18及び2つの光検出器1
9,20を用い、光検出器19,20からの検出信号の
差分をとると、テラヘルツパルス光の電場強度検出のS
/Nが向上し、好ましい。もっとも、前記要素17,1
8,20を取り除き、検出器13と光検出器19との間
に検光子を配置し、光検出器19からの検出信号をテラ
ヘルツ光の検出信号としてもよい。なお、1/2波長板
16は、検出器13に入射する際のプローブ光の直線偏
光の偏光方向を検出器13の結晶方位及びテラヘルツ光
の偏光方向に応じて所定の関係に設定するためのもので
ある。フェムト秒パルス光源1からのパルス光が直線偏
光光でない場合は、1/2波長板16に代えて偏光子を
用いればよい。
The probe light, which is linearly polarized light focused on the detector 13 by the curved mirror 12, passes through the detector 13. The polarization state of the transmitted light changes to elliptically polarized light according to the birefringence change of the detector 13 caused by the terahertz pulse light (that is, the electric field intensity change of the terahertz pulse light). At this time, information on the electric field intensity of the terahertz pulsed light depends on the polarization state of the probe light as a difference from the linearly polarized light. The probe light transmitted through the detector 13 is 1/4
At this time, the information of the electric field intensity of the terahertz pulse light is converted into a difference between the polarization state of the probe light and the circularly polarized light, and is separated into a p-polarized component and an s-polarized component by the polarizing beam splitter 18. These are detected by photodetectors 19 and 20 such as photodiodes, respectively. The signal processing circuit 21 amplifies the difference between the detection signals from the photodetectors 19 and 20. Thus, the 波長 wavelength plate 1
7. Polarizing beam splitter 18 and two photodetectors 1
When the difference between the detection signals from the photodetectors 19 and 20 is calculated using the values 9 and 20, the S
/ N is improved. However, the elements 17, 1
8 and 20 may be removed, an analyzer may be arranged between the detector 13 and the photodetector 19, and the detection signal from the photodetector 19 may be used as the terahertz light detection signal. The half-wave plate 16 is used to set the polarization direction of the linearly polarized light of the probe light when entering the detector 13 in a predetermined relationship according to the crystal orientation of the detector 13 and the polarization direction of the terahertz light. Things. If the pulse light from the femtosecond pulse light source 1 is not linearly polarized light, a polarizer may be used instead of the half-wave plate 16.

【0035】なお、検出器13として、非線形光学結晶
に代えて、例えば、GaAs等の基板上の光伝導膜上に
ダイポールアンテナが形成されたものを用いることがで
きる。この場合、図1中の要素17〜20が取り除か
れ、当該検出器で生じた電流を検出する電流計が用いら
れ、その電流検出信号がテラヘルツ光の電場強度の検出
信号として用いられる。
As the detector 13, a non-linear optical crystal may be used in which a dipole antenna is formed on a photoconductive film on a substrate such as GaAs. In this case, the elements 17 to 20 in FIG. 1 are removed, an ammeter for detecting a current generated by the detector is used, and the current detection signal is used as a detection signal of the electric field intensity of the terahertz light.

【0036】プローブ光L3の光路上に配置された可動
鏡14は、制御・演算処理部23による制御下で、移動
機構25により矢印X方向に移動可能となっている。可
動鏡14の移動量に応じて、プローブ光L3の光路長が
変わり、プローブ光L3が検出器13へ到達する時間が
遅延する。すなわち、本実施の形態では、可動鏡14及
び移動機構15が、プローブ光L3の時間遅延装置を構
成している。
The movable mirror 14 arranged on the optical path of the probe light L3 can be moved in the direction of the arrow X by the moving mechanism 25 under the control of the control / arithmetic processing unit 23. The optical path length of the probe light L3 changes according to the amount of movement of the movable mirror 14, and the time for the probe light L3 to reach the detector 13 is delayed. That is, in the present embodiment, the movable mirror 14 and the moving mechanism 15 constitute a time delay device for the probe light L3.

【0037】前述したように、被測定物10を透過した
テラヘルツパルス光の電場強度は、検出器13により複
素屈折率の変化として検出されて、信号処理回路21か
らの電気信号に変換される。
As described above, the electric field intensity of the terahertz pulse light transmitted through the device under test 10 is detected by the detector 13 as a change in the complex refractive index, and is converted into an electric signal from the signal processing circuit 21.

【0038】フェムト秒パルス光源1から放射されるフ
ェムト秒パルス光L1の繰り返し周期は、数KHzから
MHzオーダーである。したがって、発生器8から放射
されるテラヘルツパルス光L4も、数KHzからMHz
オーダーの繰り返しで放射される。現在は、このテラヘ
ルツパルス光の波形を瞬時に、その形状のまま計測する
ことは不可能である。
The repetition period of the femtosecond pulse light L1 emitted from the femtosecond pulse light source 1 is on the order of several KHz to MHz. Therefore, the terahertz pulse light L4 emitted from the generator 8 also has a frequency of several KHz to MHz.
It is emitted in repetition of the order. At present, it is impossible to measure the waveform of the terahertz pulse light instantaneously with its shape.

【0039】したがって、本実施の形態では、同じ波形
のテラヘルツパルス光L4が数KHzからMHzオーダ
ーの繰り返しで到来することを利用して、ポンプ光L2
とプローブ光L3との間に時間遅延を設けてテラヘルツ
パルス光の波形を計測する、いわゆるポンプ−プローブ
法を採用している。すなわち、テラヘルツ光発生器8を
作動させるポンプ光L2に対して、テラヘルツ光検出器
13を作動させるタイミングをτ秒だけ遅らせることに
より、τ秒だけ遅れた時点でのテラヘルツパルス光の電
場強度を測定できる。言い換えれば、プローブパルスL
3は、テラヘルツ光検出器13に対してゲートをかけて
いることになる。また、可動鏡9を徐々に移動させるこ
とは、遅延時間τを徐々に変えることにほかならない。
前記時間遅延装置によってゲートをかけるタイミングを
ずらしながら、繰り返し到来するテラヘルツパルス光の
各遅延時間τごとの時点の電場強度を信号処理回路21
から電気信号として順次得ることによって、テラヘルツ
パルス光の電場強度の時系列波形E(t)を計測するこ
とができる。信号処理回路23からの電気信号は、A/
D変換器22によりA/D変換される。
Therefore, in the present embodiment, taking advantage of the fact that the terahertz pulse light L4 having the same waveform arrives repeatedly from several KHz to the order of MHz, the pump light L2
A so-called pump-probe method of measuring the waveform of the terahertz pulse light by providing a time delay between the light and the probe light L3 is adopted. That is, the electric field intensity of the terahertz pulse light at a time point delayed by τ seconds is measured by delaying the timing of activating the terahertz light detector 13 by τ seconds with respect to the pump light L2 that activates the terahertz light generator 8. it can. In other words, the probe pulse L
Reference numeral 3 indicates that the terahertz photodetector 13 is gated. In addition, moving the movable mirror 9 gradually is nothing but changing the delay time τ gradually.
The electric field strength at each delay time τ of the repeatedly arriving terahertz pulse light is determined by the signal processing circuit 21 while shifting the timing of gate application by the time delay device.
, The time-series waveform E (t) of the electric field intensity of the terahertz pulse light can be measured. The electric signal from the signal processing circuit 23 is A /
A / D conversion is performed by the D converter 22.

【0040】本実施の形態では、テラヘルツパルス光の
電場強度の時系列波形E(t)の計測時には、制御・演
算処理部23が、移動機構25に制御信号を与えて、前
記遅延時間τを徐々に変化させながら、A/D変換器2
2からのデータを制御・演算処理部23内の図示しない
メモリに順次格納する。これによって、最終的に、テラ
ヘルツパルス光の電場強度の時系列波形E(t)を示す
データ全体をメモリに格納する。このような時系列波形
E(t)を示すデータを、被測定物10を図1に示す位
置に配置した場合と配置しない場合について取得する。
制御・演算処理部23は、これらのデータに基づいて、
被測定物の所望の特性を求め、これをCRT等の表示部
24に表示させる。例えば、制御・演算処理部23は、
公知の手法(ドュヴィラレットら(Lionel Duvillaret,
Frederic Garet, and Jean-Louis Coutaz)の論文("A
Reliable Method for Extraction of Material Parame
ters in Terahertz Time-Domain Spectroscopy", IEEE
Journal of Selected Topics in Quantum Electronics,
Vol.2, No.3, pp.739-746(1996))によって、被測定
物10の複素屈折率を演算し、これを表示部24に表示
させる。
In the present embodiment, when measuring the time-series waveform E (t) of the electric field intensity of the terahertz pulse light, the control / arithmetic processing unit 23 gives a control signal to the moving mechanism 25 to set the delay time τ. A / D converter 2 while gradually changing
2 are sequentially stored in a memory (not shown) in the control / arithmetic processing unit 23. As a result, finally, the entire data indicating the time-series waveform E (t) of the electric field intensity of the terahertz pulse light is stored in the memory. Data indicating such a time-series waveform E (t) is obtained for the case where the device under test 10 is arranged at the position shown in FIG.
The control / arithmetic processing unit 23, based on these data,
A desired characteristic of the device under test is determined, and this is displayed on a display unit 24 such as a CRT. For example, the control / arithmetic processing unit 23
Known techniques (Lionel Duvillaret, et al.
Frederic Garet, and Jean-Louis Coutaz) ("A
Reliable Method for Extraction of Material Parame
ters in Terahertz Time-Domain Spectroscopy ", IEEE
Journal of Selected Topics in Quantum Electronics,
According to Vol. 2, No. 3, pp. 739-746 (1996)), the complex refractive index of the device under test 10 is calculated and displayed on the display unit 24.

【0041】本実施の形態では、被測定物10の所定の
領域に平行光のテラヘルツパルス光を照射し、その透過
光を検出器13に局所的に集光しているので、被測定物
10のテラヘルツパルス光照射範囲の平均の複素屈折率
等の特性が得られる。被測定物10の局所的な複素屈折
率等の特性を得る場合には、例えば、曲面鏡9と被測定
物10との間に、平行光のテラヘルツ光を被測定物10
に局所的に集光させる集光レンズを設け、被測定物10
とビームスプリッタ11との間に、被測定物10を透過
した光を再び平行光にするコリメータレンズを設ければ
よい。
In the present embodiment, a predetermined area of the device under test 10 is irradiated with parallel terahertz pulsed light and the transmitted light is locally focused on the detector 13. The characteristics such as the average complex refractive index of the terahertz pulse light irradiation range are obtained. In order to obtain local characteristics such as a complex refractive index of the DUT 10, for example, parallel terahertz light is applied between the curved mirror 9 and the DUT 10.
A condensing lens for locally condensing light is provided on the object under test 10.
A collimator lens may be provided between the beam splitter 11 and the beam splitter 11 to convert the light transmitted through the device under test 10 into parallel light again.

【0042】以上の説明からわかるように、本実施の形
態では、発生器8及び検出器13、並びにこれらの間の
要素9,11,12が、テラヘルツ光学系を構成してい
る。前述したように集光レンズやコリメータレンズを設
ける場合には、これらもテラヘルツ光学系に含まれるこ
とは言うまでもない。
As can be seen from the above description, in the present embodiment, the generator 8, the detector 13, and the elements 9, 11, and 12 between them constitute a terahertz optical system. When the condenser lens and the collimator lens are provided as described above, it goes without saying that these are also included in the terahertz optical system.

【0043】前述した動作・機能を十分に発揮するため
には、このテラヘルツ光学系のアライメントを正確に行
う必要がある。本実施の形態では、そのための機構とし
て、以下に説明する回転機構26が設けられている。
In order to sufficiently exhibit the above-described operations and functions, it is necessary to accurately align the terahertz optical system. In the present embodiment, a rotation mechanism 26 described below is provided as a mechanism for that purpose.

【0044】本実施の形態では、ビームスプリッタ11
は、発生器8と検出器13との間において、テラヘルツ
パルス光が平行光となる光路上に配置されている。そし
て、本実施の形態によるテラヘルツ光装置は、ビームス
プリッタ11を、1/2波長板16を透過したプローブ
光を検出器13へ向かわせる第1の回転位置(テラヘル
ツパルス光の平行光の光路に対して+45゜傾いた図1
及び後述する図2に示す位置)、及び、1/2波長板1
6を透過したプローブ光を発生器9へ向かわせる第2の
回転位置(図1中の紙面に垂直な軸回りに、図1に示す
状態に対して90゜回転した位置であり、テラヘルツパ
ルス光の平行光の光路に対して−45゜傾いた位置であ
り、後述する図3に示す位置)に、回転させ得る回転機
構26を、備えている。前述したテラヘルツ光検出時の
動作の説明では、ビームスプリッタが前記第1の回転位
置に位置しているものとして説明した。この回転機構2
6としては、周知の種々の機構を採用し得るが、前記第
1及び第2の回転位置の位置決め精度を高めることは容
易である。
In this embodiment, the beam splitter 11
Is arranged between the generator 8 and the detector 13 on an optical path where the terahertz pulse light becomes parallel light. In the terahertz optical device according to the present embodiment, the beam splitter 11 moves the probe light transmitted through the half-wave plate 16 to the first rotational position (in the optical path of the parallel light of the terahertz pulse light) to the detector 13. Figure 1 tilted + 45 °
And a position shown in FIG. 2 described later), and a half-wave plate 1
A second rotation position (a position rotated by 90 ° around an axis perpendicular to the paper surface of FIG. 1 with respect to the state shown in FIG. 1) to direct the probe light transmitted through 6 to the generator 9, and the terahertz pulse light (A position tilted by -45 ° with respect to the optical path of the parallel light, and a position shown in FIG. 3 to be described later). In the above description of the operation at the time of terahertz light detection, it has been described that the beam splitter is located at the first rotation position. This rotation mechanism 2
Although various well-known mechanisms can be adopted as 6, the positioning accuracy of the first and second rotational positions can be easily increased.

【0045】本実施の形態では、この回転機構26を有
していることによって、例えば、後述する本発明の第2
及び第3の実施の形態のようなテラヘルツ光学系のアラ
イメントの調整方法が可能となる。
In the present embodiment, the provision of the rotating mechanism 26 enables, for example, a second embodiment of the present invention to be described later.
In addition, it is possible to adjust the alignment of the terahertz optical system as in the third embodiment.

【0046】それらの調整方法の説明に先立って、図2
及び図3を参照して、ビームスプリッタ11の各回転位
置におけるプローブ光の様子について説明する。図2及
び図3において、図1中の要素と同一の要素には、同一
の符号を付している。図2及び図3において、プローブ
光の光路は実線で示し、テラヘルツパルス光の光路は破
線で示している。なお、図2及び図3は、テラヘルツ光
学系のアライメントの調整が既に正確に行われた状態を
示している。
Prior to the description of these adjustment methods, FIG.
The state of the probe light at each rotation position of the beam splitter 11 will be described with reference to FIG. 2 and 3, the same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. 2 and 3, the optical path of the probe light is indicated by a solid line, and the optical path of the terahertz pulse light is indicated by a broken line. 2 and 3 show a state in which the alignment of the terahertz optical system has already been accurately adjusted.

【0047】図2は、ビームスプリッタ11が前記第1
の回転位置に位置している場合における、図1中のテラ
ヘルツ光学系でのプローブ光の様子を示す図である。図
2(a)はプローブ光がビームスプリッタ11に入射し
てから検出器13に入射するまでの様子を示している。
図2(b)は、図2(a)の後に検出器13で反射して
から発生器8に入射するまでの様子を示している。
FIG. 2 shows that the beam splitter 11
FIG. 2 is a diagram showing a state of probe light in the terahertz optical system in FIG. FIG. 2A shows a state from when the probe light is incident on the beam splitter 11 to when it is incident on the detector 13.
FIG. 2B shows a state after the light is reflected by the detector 13 and enters the generator 8 after FIG.

【0048】ビームスプリッタ11が前記第1の回転位
置に位置している場合、図2(a)に示すように、図1
中の1/2波長板16を透過してビームスプリッタ11
で反射されたプローブ光は、テラヘルツパルス光と同じ
光路で、曲面鏡12により反射されて、検出器13のテ
ラヘルツパルス光集光点に集光される。この集光された
プローブ光のうちの一定の割合の光は、図2(b)に示
すように、この集光点で反射され、検出器13に入射す
る際と同じ光路を逆向きに進行してビームスプリッタ1
1に戻る。ビームスプリッタ11に戻ったプローブ光の
うち一定の割合の光は、ビームスプリッタ11をそのま
ま透過し、曲面鏡9で反射されて発生器8におけるテラ
ヘルツパルス光発生点に集光される。すなわち、検出器
13で反射されたプローブ光は、図2(b)に示すよう
に、テラヘルツパルス光の光路と同一の光路上をテラヘ
ルツ光と逆向きに進行して、発生器8におけるテラヘル
ツパルス光発生点に集光される。発生器8付近に到達し
た際のプローブ光の光量は、検出器13での反射率及び
ビームスプリッタ11の透過率等の影響を余分に受ける
ため、検出器13付近に到達した際のプローブ光の光量
に比べると、少なくなる。
When the beam splitter 11 is located at the first rotation position, as shown in FIG.
The beam splitter 11 is transmitted through the half-wave plate 16 in the
Is reflected by the curved mirror 12 on the same optical path as the terahertz pulse light, and is collected at the terahertz pulse light collection point of the detector 13. As shown in FIG. 2B, a certain percentage of the condensed probe light is reflected at this converging point and travels in the opposite optical path when entering the detector 13 in the opposite direction. And beam splitter 1
Return to 1. A certain percentage of the probe light returned to the beam splitter 11 passes through the beam splitter 11 as it is, is reflected by the curved mirror 9, and is condensed on the terahertz pulse light generation point in the generator 8. That is, the probe light reflected by the detector 13 travels on the same optical path as the terahertz pulse light in the opposite direction to the terahertz light as shown in FIG. The light is collected at the point of light generation. Since the amount of the probe light reaching the vicinity of the generator 8 is additionally affected by the reflectance at the detector 13 and the transmittance of the beam splitter 11, the amount of the probe light at the vicinity of the detector 13 It is smaller than the amount of light.

【0049】図3は、ビームスプリッタ11が前記第2
の回転位置に位置している場合における、図1中のテラ
ヘルツ光学系でのプローブ光の様子を示す図である。図
3(a)はプローブ光がビームスプリッタ11に入射し
てから発生器8に入射するまでの様子を示している。図
3(b)は、図3(a)の後に発生器8で反射してから
検出器13に入射するまでの様子を示している。
FIG. 3 shows that the beam splitter 11
FIG. 2 is a diagram showing a state of probe light in the terahertz optical system in FIG. FIG. 3A shows a state from when the probe light is incident on the beam splitter 11 to when it is incident on the generator 8. FIG. 3B shows a state after the light is reflected by the generator 8 and enters the detector 13 after FIG.

【0050】ビームスプリッタ11が前記第2の回転位
置に位置している場合、図3(a)に示すように、図1
中の1/2波長板16を透過してビームスプリッタ11
で反射されたプローブ光は、テラヘルツパルス光と同じ
光路で、テラヘルツパルス光と逆向きに進行して、曲面
鏡9により反射されて、発生器8のテラヘルツパルス光
発生点に集光される。この集光されたプローブ光のうち
の一定の割合の光は、図3(b)に示すように、この集
光点で反射され、発生器8に入射する際と同じ光路を逆
向きに進行してビームスプリッタ11に戻る。ビームス
プリッタ11に戻ったプローブ光のうち一定の割合の光
は、ビームスプリッタ11をそのまま透過し、曲面鏡1
2で反射されて、検出器13のテラヘルツパルス光集光
点に集光される。検出器13付近に到達した際のプロー
ブ光の光量は、発生器8での反射率及びビームスプリッ
タ11の透過率等の影響を余分に受けるため、発生器8
付近に到達した際のプローブ光の光量に比べると、低く
なる。
When the beam splitter 11 is located at the second rotation position, as shown in FIG.
The beam splitter 11 is transmitted through the half-wave plate 16 in the
The probe light reflected by the light source travels in the same optical path as the terahertz pulse light in the opposite direction to the terahertz pulse light, is reflected by the curved mirror 9, and is focused on the terahertz pulse light generation point of the generator 8. As shown in FIG. 3B, a certain percentage of the condensed probe light is reflected at this converging point and travels in the same optical path as when entering the generator 8 in the opposite direction. Then, the process returns to the beam splitter 11. A certain percentage of the probe light returned to the beam splitter 11 passes through the beam splitter 11 as it is, and
The light is reflected at 2 and is collected at the terahertz pulse light collection point of the detector 13. The amount of the probe light when reaching the vicinity of the detector 13 is additionally affected by the reflectance of the generator 8 and the transmittance of the beam splitter 11, so that the
It becomes lower than the light amount of the probe light when it reaches the vicinity.

【0051】なお、図2(b)の状況は、検出器13が
プローブ光を一定の割合で反射させる特性(以下、説明
の便宜上、「プローブ光反射特性」という。)を有する
ことが前提となり、図3(b)の状況は、発生器8がプ
ローブ光反射特性を有することが前提となるが、検出器
13及び発生器8は通常はプローブ光反射特性を有して
いる。例えば、検出器13及び発生器8が、前述したよ
うに、非線形光学結晶や、ダイポールアンテナを形成し
たものであれば、プローブ光反射特性を持つ。図2
(b)の状況や図3(b)の状況のプローブ光を、アラ
イメント調整に利用する場合には、必要に応じて、検出
器13や発生器8の表面を光学研磨するなどによって、
プローブ光の反射率が高まるようにしておくことが好ま
しい。一方、図2(a)の状況や図3(a)の状況で
は、検出器13及び発生器8のプローブ光反射特性の有
無は問われない。
The condition shown in FIG. 2B is based on the premise that the detector 13 has a characteristic of reflecting the probe light at a constant rate (hereinafter referred to as "probe light reflection characteristic" for convenience of explanation). 3 (b), it is assumed that the generator 8 has probe light reflection characteristics, but the detector 13 and the generator 8 usually have probe light reflection characteristics. For example, if the detector 13 and the generator 8 have a nonlinear optical crystal or a dipole antenna as described above, they have a probe light reflection characteristic. FIG.
When the probe light in the situation shown in FIG. 3B or the situation shown in FIG. 3B is used for alignment adjustment, the surfaces of the detector 13 and the generator 8 may be optically polished as necessary.
It is preferable to increase the reflectivity of the probe light. On the other hand, in the situation of FIG. 2A or the situation of FIG. 3A, the presence or absence of the probe light reflection characteristics of the detector 13 and the generator 8 does not matter.

【0052】また、アライメント調整時にプローブ光の
観察を一層容易にするべくプローブ光の強度を高めた場
合などには、テラヘルツパルス光の電界強度の測定時に
は、必要に応じて、図2(b)に示すプローブ光の反射
光がその測定に影響を与えないように、NDフィルタな
どでプローブ光の強度を落とすことが好ましい。
When the intensity of the probe light is increased so as to make the observation of the probe light easier during alignment adjustment, for example, when measuring the electric field intensity of the terahertz pulse light, FIG. It is preferable to reduce the intensity of the probe light with an ND filter or the like so that the reflected light of the probe light shown in (1) does not affect the measurement.

【0053】なお、前記第1の実施の形態では、プロー
ブ光として近赤外光が用いられているので、プローブ光
の観察は、前述したカード式赤外センサなどの観察ツー
ルを用いることにより、簡単に行うことができる。もっ
とも、前記第1の実施の形態において、フェムト秒パル
ス光源1から可視光を発するようにし、プローブ光とし
て可視光を用いることも可能である。この場合には、観
察ツールを用いることなしに、検出器13や発生器8に
対するプローブ光の照射位置を肉眼で観察することによ
り、プローブ光の様子を観察することも可能となる。
In the first embodiment, since near-infrared light is used as probe light, the probe light is observed by using an observation tool such as the above-described card type infrared sensor. Easy to do. However, in the first embodiment, it is possible to emit visible light from the femtosecond pulse light source 1 and use visible light as probe light. In this case, it is possible to observe the state of the probe light by observing the irradiation position of the probe light on the detector 13 and the generator 8 with the naked eye without using an observation tool.

【0054】[第2の実施の形態][Second Embodiment]

【0055】次に、前記第1の実施の形態によるテラヘ
ルツ光装置の前記テラヘルツ光学系のアライメントの調
整方法の一例を、本発明の第2の実施の形態として説明
する。
Next, an example of a method for adjusting the alignment of the terahertz optical system of the terahertz optical device according to the first embodiment will be described as a second embodiment of the present invention.

【0056】本実施の形態では、まず、ビームスプリッ
タ11が前記第1の回転位置に位置している状態で、検
出器13の付近に到達するプローブ光の様子を前記カー
ド式赤外センサ等を用いて観察しながら(図2(a)参
照)、プローブ光が検出器13の適切な位置に集光する
ように、テラヘルツ光学系のうちビームスプリッタ11
より検出器13側の要素、すなわち、曲面鏡12及び検
出器13のアライメントを調整する。
In this embodiment, first, when the beam splitter 11 is located at the first rotation position, the state of the probe light reaching the vicinity of the detector 13 is detected by the card type infrared sensor or the like. While observing using the beam splitter (see FIG. 2A), the beam splitter 11 of the terahertz optical system is set so that the probe light is focused on an appropriate position on the detector 13.
The alignment of the element closer to the detector 13, that is, the curved mirror 12 and the detector 13 is adjusted.

【0057】次に、回転機構26により、ビームスプリ
ッタ11を前記第2の回転位置に位置させる。この状態
で、発生器8の付近に到達するプローブ光の様子を前記
カード式赤外センサ等を用いて観察しながら(図3
(a)参照)、プローブ光が発生器8のテラヘルツパル
ス光発生点に集光するように、テラヘルツ光学系のうち
ビームスプリッタ11より発生器8側の要素、すなわ
ち、曲面鏡9及び発生器8のアライメントを調整する。
Next, the beam splitter 11 is positioned at the second rotation position by the rotation mechanism 26. In this state, the state of the probe light reaching the vicinity of the generator 8 is observed using the card type infrared sensor or the like (FIG. 3).
(A)), elements of the terahertz optical system closer to the generator 8 than the beam splitter 11, that is, the curved mirror 9 and the generator 8 so that the probe light is focused on the terahertz pulse light generation point of the generator 8. Adjust alignment.

【0058】最後に、回転機構26により、ビームスプ
リッタ11を前記第1の回転位置に位置させる。
Finally, the beam splitter 11 is positioned at the first rotation position by the rotation mechanism 26.

【0059】これにより、テラヘルツ光発生器8で発生
したテラヘルツパルス光は、全て有効にテラヘルツ検出
器13に到達し得る。
Thus, the terahertz pulse light generated by the terahertz light generator 8 can all reach the terahertz detector 13 effectively.

【0060】本実施の形態によれば、プローブ光を利用
してテラヘルツ光学系のアライメントを調整することが
できる。そして、回転機構26の回転位置の位置決め精
度は容易に高めておくことができるので、プローブ光を
利用したアライメントの調整後に、前記従来の調整方法
で必要であった前述した試行錯誤の繰り返しが大幅に軽
減される、または不要となる。したがって、本実施の形
態によれば、テラヘルツ光学系のアライメントを正確か
つ簡単に調整することができる。
According to the present embodiment, the alignment of the terahertz optical system can be adjusted using the probe light. Since the positioning accuracy of the rotation position of the rotation mechanism 26 can be easily increased, after the alignment adjustment using the probe light, the repetition of the above-described trial and error, which is necessary in the above-described conventional adjustment method, is greatly increased. Reduced or unnecessary. Therefore, according to the present embodiment, the alignment of the terahertz optical system can be adjusted accurately and easily.

【0061】さらに、本実施の形態によれば、図2
(a)及び図3(a)の状況のプローブ光を観察するの
で、比較的光量が多い状態のプローブ光を観察すること
から、プローブ光の強度を特別に高めることなくプロー
ブ光を容易に観察することができるとともに、発生器8
及び検出器13がプローブ光反射特性を有していない場
合であっても、テラヘルツ光学系のアライメントを調整
することができる。
Further, according to the present embodiment, FIG.
Since the probe light in the state shown in FIG. 3A and FIG. 3A is observed, the probe light in a state where the amount of light is relatively large is observed. Generator 8
Even when the detector 13 does not have the probe light reflection characteristic, the alignment of the terahertz optical system can be adjusted.

【0062】なお、第1の回転位置での曲面鏡12及び
検出器13のアライメント調整段階と、第2の回転位置
での曲面鏡9及び発生器8のアライメント調整段階と
は、順番を入れ替えてもよい。すなわち、(1)最初
に、ビームスプリッタ11を第2の回転位置に位置させ
た状態で、発生器8の付近に到達するプローブ光の様子
を観察しながら(図3(a)参照)、曲面鏡9及び発生
器8のアライメントを調整し、(2)次に、回転機構2
6によりビームスプリッタ11を第1の回転位置に位置
させ、(3)その状態で、検出器13の付近に到達する
プローブ光の様子を観察しながら(図2(a)参照)、
曲面鏡12及び検出器13のアライメントを調整しても
よい。この場合であっても、本実施の形態と同様の利点
が得られる。
The order of the alignment adjustment of the curved mirror 12 and the detector 13 at the first rotation position and the alignment adjustment of the curved mirror 9 and the generator 8 at the second rotation position are interchanged. Is also good. That is, (1) First, with the beam splitter 11 positioned at the second rotation position, while observing the state of the probe light reaching the vicinity of the generator 8 (see FIG. 3A), The alignment of the mirror 9 and the generator 8 is adjusted.
6, the beam splitter 11 is positioned at the first rotation position. (3) In this state, while observing the state of the probe light reaching the vicinity of the detector 13 (see FIG. 2A),
The alignment between the curved mirror 12 and the detector 13 may be adjusted. Even in this case, the same advantages as in the present embodiment can be obtained.

【0063】[第3の実施の形態][Third Embodiment]

【0064】次に、前記第1の実施の形態によるテラヘ
ルツ光装置の前記テラヘルツ光学系のアライメントの調
整方法の他の一例を、本発明の第3の実施の形態として
説明する。
Next, another example of the method for adjusting the alignment of the terahertz optical system of the terahertz optical device according to the first embodiment will be described as a third embodiment of the present invention.

【0065】本実施の形態では、まず、ビームスプリッ
タ11が前記第2の回転位置に位置している状態で、発
生器8の付近に到達するプローブ光の様子を前記カード
式赤外センサ等を用いて観察しながら(図3(a)参
照)、プローブ光が発生器8のテラヘルツパルス光発生
点に集光するように、テラヘルツ光学系のうちビームス
プリッタ11より発生器8側の要素、すなわち、曲面鏡
9及び発生器8のアライメントを調整する。
In this embodiment, first, with the beam splitter 11 positioned at the second rotation position, the state of the probe light reaching the vicinity of the generator 8 is determined by the card type infrared sensor or the like. While using and observing (see FIG. 3A), an element of the terahertz optical system closer to the generator 8 than the beam splitter 11, that is, the probe light is focused on the terahertz pulse light generation point of the generator 8, that is, The alignment of the curved mirror 9 and the generator 8 is adjusted.

【0066】次に、ビームスプリッタ11が前記第2の
回転位置に位置している状態で、発生器8で反射してか
ら検出器13の付近に到達するプローブ光の様子を前記
カード式赤外センサ等を用いて観察しながら(図3
(b)参照)、プローブ光が検出器13の適切な位置に
集光するように、テラヘルツ光学系のうちビームスプリ
ッタ11より検出器13側の要素、すなわち、曲面鏡1
2及び検出器13のアライメントを調整する。
Next, in a state where the beam splitter 11 is located at the second rotation position, the state of the probe light which is reflected by the generator 8 and reaches the vicinity of the detector 13 is shown by the card type infrared ray. While observing using sensors, etc. (Fig. 3
(B)), an element of the terahertz optical system closer to the detector 13 than the beam splitter 11, that is, the curved mirror 1 so that the probe light is focused at an appropriate position on the detector 13.
2 and the alignment of the detector 13 are adjusted.

【0067】最後に、回転機構26により、ビームスプ
リッタ11を前記第1の回転位置に位置させる。
Finally, the beam splitter 11 is positioned at the first rotation position by the rotation mechanism 26.

【0068】これにより、テラヘルツ光発生器8で発生
したテラヘルツパルス光は、全て有効にテラヘルツ検出
器13に到達し得る。
Thus, the terahertz pulse light generated by the terahertz light generator 8 can all reach the terahertz detector 13 effectively.

【0069】本実施の形態によれば、前記第2の実施の
形態と同様に、テラヘルツ光学系のアライメントを正確
かつ簡単に調整することができる。
According to this embodiment, similarly to the second embodiment, the alignment of the terahertz optical system can be adjusted accurately and easily.

【0070】[第4の実施の形態][Fourth Embodiment]

【0071】次に、前記第1の実施の形態によるテラヘ
ルツ光装置の前記テラヘルツ光学系のアライメントの調
整方法の更に他の一例を、本発明の第4の実施の形態と
して説明する。
Next, still another example of the method for adjusting the alignment of the terahertz optical system of the terahertz optical device according to the first embodiment will be described as a fourth embodiment of the present invention.

【0072】本実施の形態では、まず、ビームスプリッ
タ11が前記第1の回転位置に位置している状態で、検
出器13の付近に到達するプローブ光の様子を前記カー
ド式赤外センサ等を用いて観察しながら(図2(a)参
照)、プローブ光が検出器13の適切な位置に集光する
ように、テラヘルツ光学系のうちビームスプリッタ11
より検出器13側の要素、すなわち、曲面鏡12及び検
出器13のアライメントを調整する。
In this embodiment, first, with the beam splitter 11 positioned at the first rotation position, the state of the probe light reaching the vicinity of the detector 13 is detected by the card type infrared sensor or the like. While observing using the beam splitter (see FIG. 2A), the beam splitter 11 of the terahertz optical system is set so that the probe light is focused on an appropriate position on the detector 13.
The alignment of the element closer to the detector 13, that is, the curved mirror 12 and the detector 13 is adjusted.

【0073】次に、ビームスプリッタ11が前記第1の
回転位置に位置している状態で、検出器13で反射して
から発生器8の付近に到達するプローブ光の様子を前記
カード式赤外センサ等を用いて観察しながら(図2
(b)参照)、プローブ光が発生器8のテラヘルツパル
ス光発生点に集光するように、テラヘルツ光学系のうち
ビームスプリッタ11より発生器8側の要素、すなわ
ち、曲面鏡9及び発生器8のアライメントを調整する。
Next, in a state where the beam splitter 11 is located at the first rotation position, the state of the probe light which is reflected by the detector 13 and reaches the vicinity of the generator 8 is shown by the card type infrared ray. While observing using a sensor etc. (Fig. 2
(B)), elements of the terahertz optical system closer to the generator 8 than the beam splitter 11, that is, the curved mirror 9 and the generator 8 so that the probe light is focused on the terahertz pulse light generation point of the generator 8. Adjust alignment.

【0074】これにより、テラヘルツ光発生器8で発生
したテラヘルツパルス光は、全て有効にテラヘルツ検出
器13に到達し得る。
Thus, all the terahertz pulse light generated by the terahertz light generator 8 can reach the terahertz detector 13 effectively.

【0075】本実施の形態によれば、前記第2の実施の
形態と同様に、テラヘルツ光学系のアライメントを正確
かつ簡単に調整することができる。しかも、本実施の形
態によれば、ビームスプリッタ11を前記第2の回転位
置に位置させる必要がないので、前記第2及び第3の実
施の形態に比べて、テラヘルツ光学系のアライメントを
より正確かつより簡単に調整することができる。
According to the present embodiment, similarly to the second embodiment, the alignment of the terahertz optical system can be adjusted accurately and easily. Moreover, according to the present embodiment, it is not necessary to position the beam splitter 11 at the second rotation position, so that the alignment of the terahertz optical system can be more accurately performed as compared with the second and third embodiments. And it can be adjusted more easily.

【0076】ところで、本実施の形態では、ビームスプ
リッタ11を前記第2の回転位置に位置させる必要がな
いので、前記第1の実施の形態によるテラヘルツ光装置
において、回転機構26を取り除いておいてもよい。本
実施の形態によれば、回転機構26を有していないテラ
ヘルツ光装置のテラヘルツ光学系のアライメントも、調
整することができる。
In the second embodiment, since it is not necessary to position the beam splitter 11 at the second rotation position, the rotation mechanism 26 is removed from the terahertz optical device according to the first embodiment. Is also good. According to the present embodiment, the alignment of the terahertz optical system of the terahertz optical device having no rotating mechanism 26 can also be adjusted.

【0077】[第5の実施の形態][Fifth Embodiment]

【0078】次に、本発明の第5の実施の形態によるア
ライメント調整方法を、調整対象のテラヘルツ光装置が
図4に示すものである場合を例に挙げて、説明する。
Next, an alignment adjusting method according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to an example in which the terahertz optical device to be adjusted is as shown in FIG.

【0079】図4は、テラヘルツ光装置の他の例を模式
的に示す概略構成図である。図4において、図1中の要
素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重
複する説明は省略する。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram schematically showing another example of the terahertz optical device. 4, elements that are the same as elements in FIG. 1 or that correspond to elements in FIG. 1 are given the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted.

【0080】図4に示すテラヘルツ光装置が図1に示す
テラヘルツ光装置と異なる所は、主に、以下に説明する
点である。
The terahertz light device shown in FIG. 4 is different from the terahertz light device shown in FIG. 1 mainly in the following points.

【0081】図4に示すテラヘルツ光装置では、プロー
ブ光が、ビームエキスパンダ30でテラヘルツパルス光
の断面に合わせて拡張され、偏光子31を通過した後
に、ビームスプリッタ11に入射される。また、図1中
の曲面鏡12が取り除かれ、ビームスプリッタ11を透
過したテラヘルツパルス光及びビームスプリッタ11で
反射されたプローブ光が、集光されることなくそのま
ま、テラヘルツ光検出器13としての非線形光学結晶
(電気光学結晶)に入射される。これにより、検出器1
3が面状の検出器として用いられている。さらに、検出
器13を透過したプローブ光は、検光子32で検光され
た後に、2次元CCDカメラ33により光強度分布が検
出される。前記光強度分布を示す2次元CCDカメラ3
3からの画像信号は、A/D変換器22でA/D変換さ
れた後に、制御・演算処理部23に取り込まれる。すな
わち、テラヘルツパルス光の電場強度の分布(各部位ご
との電場強度)が、一括してデータとして制御・演算処
理部23に取り込まれる。
In the terahertz light device shown in FIG. 4, the probe light is expanded by the beam expander 30 in accordance with the cross section of the terahertz pulse light, passes through the polarizer 31, and then enters the beam splitter 11. Further, the terahertz pulse light transmitted through the beam splitter 11 and the probe light reflected by the beam splitter 11 are removed from the curved mirror 12 in FIG. Light is incident on an optical crystal (electro-optic crystal). Thereby, the detector 1
3 is used as a planar detector. Further, after the probe light transmitted through the detector 13 is analyzed by the analyzer 32, the light intensity distribution is detected by the two-dimensional CCD camera 33. Two-dimensional CCD camera 3 showing the light intensity distribution
The image signal from 3 is subjected to A / D conversion by the A / D converter 22 and then taken into the control / arithmetic processing unit 23. That is, the distribution of the electric field intensity of the terahertz pulse light (the electric field intensity of each part) is collectively taken into the control / arithmetic processing unit 23 as data.

【0082】制御・演算処理部23は、移動機構25を
制御して可動鏡9を徐々に移動させて、各遅延時間(プ
ローブ光のテラヘルツパルス光に対する遅延時間)τご
との時点のテラヘルツパルス光の電場強度の分布を順次
得ることによって、各部位ごとのテラヘルツパルス光の
電場強度の時系列波形E(t)を取得する。このような
各部位ごとの時系列波形E(t)を示すデータを、被測
定物10を図4に示す位置に配置した場合と配置しない
場合について取得する。制御・演算処理部23は、これ
らのデータに基づいて、被測定物の各部位ごとの所望の
特性(すなわち、所望の特性の分布)を求め、これをC
RT等の表示部24に画像として表示させる。
The control / arithmetic processing unit 23 controls the moving mechanism 25 to gradually move the movable mirror 9, and the terahertz pulse light at each delay time (delay time for the terahertz pulse light of the probe light) τ , A time-series waveform E (t) of the electric field intensity of the terahertz pulse light for each part is obtained. Such data indicating the time-series waveform E (t) for each part is obtained for the case where the device under test 10 is arranged at the position shown in FIG. The control / arithmetic processing unit 23 obtains a desired characteristic (that is, a distribution of the desired characteristic) for each part of the DUT based on these data,
It is displayed as an image on a display unit 24 such as an RT.

【0083】以上の説明からわかるように、本実施の形
態では、発生器8及び検出器13、並びにこれらの間の
要素9,11が、テラヘルツ光学系を構成している。
As can be seen from the above description, in the present embodiment, the generator 8 and the detector 13 and the elements 9 and 11 between them constitute a terahertz optical system.

【0084】本実施の形態による調整方法では、前記プ
ローブ光の光路上又は前記テラヘルツ光の光路上にビー
ムスプリッタ34を配置して、ビームスプリッタ34を
介して発生部8へ向かうように調整用の光を入射させ、
当該調整用の光の様子を観察しながら、前記テラヘルツ
光学系のアライメントを調整する。
In the adjusting method according to the present embodiment, the beam splitter 34 is arranged on the optical path of the probe light or the terahertz light, and the beam splitter 34 is adjusted via the beam splitter 34 to the generator 8. Let light in,
The alignment of the terahertz optical system is adjusted while observing the state of the adjustment light.

【0085】例えば、図4に示すように、前記プローブ
光の光路上にある検光子32とCCDカメラ33との間
にビームスプリッタ34を配置して、可視光又は近赤外
光などの調整用の光を調整用光照射部35からビームス
プリッタ34を照射し、ビームスプリッタ34を介して
プローブ光と同じ光路上をプローブ光とは逆向きに(す
なわち、発生器8へ向かうように)進行させる。
For example, as shown in FIG. 4, a beam splitter 34 is arranged between the analyzer 32 and the CCD camera 33 on the optical path of the probe light to adjust visible light or near-infrared light. Is irradiated from the adjustment light irradiation unit 35 to the beam splitter 34, and travels on the same optical path as the probe light via the beam splitter 34 in the opposite direction to the probe light (that is, toward the generator 8). .

【0086】テラヘルツ光学系のアライメントの調整が
既に正確に行われているとすれば、この調整用の光は、
検光子32、検出器13、ビームスプリッタ11を透過
した後、曲面鏡9で反射されて、発生器8のテラヘルツ
パルス光発生点に集光され、ここで反射される。この反
射光は、テラヘルツパルス光と全く同じ光路を進行して
検出器13に到達し、検出器13、検光子32及びビー
ムスプリッタ34を透過してCCDカメラ33に到達す
る。
Assuming that the alignment of the terahertz optical system has already been accurately adjusted, the light for this adjustment is
After passing through the analyzer 32, the detector 13, and the beam splitter 11, the light is reflected by the curved mirror 9, condensed at the terahertz pulse light generation point of the generator 8, and reflected there. The reflected light travels on the same optical path as the terahertz pulse light and reaches the detector 13, passes through the detector 13, the analyzer 32 and the beam splitter 34, and reaches the CCD camera 33.

【0087】したがって、調整用光照射部35から調整
用の光をビームスプリッタ34を介して前述したように
入射させ、例えば、CCDカメラ33の付近の調整用の
光の様子を観察しながら、調整用の光がCCDカメラ3
3を適切に照射するように、テラヘルツ光学系のアライ
メントを調整すれば、そのアライメントを正確に調整す
るすることができる。このとき、調整用の光の様子の観
察は、CCDカメラ33を作動させてCCDカメラから
得られた画像を表示部24に表示させてこの画像を見る
ことによって行ってもよいし、前記カード式赤外センサ
等を用いて行ってもよい。なお、発生器8の付近に到達
するプローブ光の様子を前記カード式赤外センサ等を用
いて観察しながら、調整用の光が発生器8のテラヘルツ
パルス光発生点に集光するように、曲面鏡9及び発生器
8のアライメントを調整してもよい。
Therefore, the adjusting light is made incident from the adjusting light irradiating section 35 through the beam splitter 34 as described above, and for example, the adjustment light is observed while observing the state of the adjusting light near the CCD camera 33. Light for CCD camera 3
If the alignment of the terahertz optical system is adjusted so as to appropriately irradiate 3, the alignment can be adjusted accurately. At this time, the state of the light for adjustment may be observed by operating the CCD camera 33 to display an image obtained from the CCD camera on the display unit 24 and viewing the image. This may be performed using an infrared sensor or the like. In addition, while observing the state of the probe light reaching the vicinity of the generator 8 using the card type infrared sensor or the like, the adjustment light is focused on the terahertz pulse light generation point of the generator 8. The alignment of the curved mirror 9 and the generator 8 may be adjusted.

【0088】アライメントの調整が完了した後には、調
整用光照射部35及びビームスプリッタ34を、テラヘ
ルツ光装置から取り除いておくことが好ましい。
After the alignment adjustment is completed, it is preferable that the adjustment light irradiation section 35 and the beam splitter 34 be removed from the terahertz optical device.

【0089】なお、ビームスプリッタ34を挿入する位
置は、検光子32とCCDカメラ33との間の位置に限
定されるものではなく、例えば、カメラ33と曲面鏡9
との間の任意の位置であってもよい。
The position at which the beam splitter 34 is inserted is not limited to the position between the analyzer 32 and the CCD camera 33. For example, the camera 33 and the curved mirror 9 may be inserted.
And any position between them.

【0090】本実施の形態によれば、図1中の回転機構
26に相当する回転機構を用いなくても、外部から導入
した調整用の光を利用してテラヘルツ光学系のアライメ
ントを調整することができ、また、前記従来の調整方法
で必要であった前述した試行錯誤の繰り返しが大幅に軽
減される、または不要となる。このため、本実施の形態
によれば、前記第2及び第3の実施の形態に比べて、テ
ラヘルツ光学系のアライメントをより正確かつより簡単
に調整することができ、しかもテラヘルツ光装置のコス
トダウンを図ることができる。
According to the present embodiment, the alignment of the terahertz optical system can be adjusted by using the adjustment light introduced from the outside without using the rotation mechanism corresponding to the rotation mechanism 26 in FIG. In addition, the repetition of the above-described trial and error, which is required in the conventional adjustment method, is significantly reduced or becomes unnecessary. For this reason, according to the present embodiment, the alignment of the terahertz optical system can be adjusted more accurately and more easily than in the second and third embodiments, and the cost of the terahertz optical device can be reduced. Can be achieved.

【0091】以上、本発明の各実施の形態について説明
したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるもの
ではない。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments.

【0092】例えば、前記第5の実施の形態は、図4に
示すテラヘルツ光装置を図5に示すように変形したテラ
ヘルツ光装置や、図4に示すテラヘルツ光装置を図6に
示すように変形したテラヘルツ光装置の、テラヘルツ光
学系のアライメントの調整にも適用することができる。
For example, in the fifth embodiment, the terahertz optical device shown in FIG. 4 is modified as shown in FIG. 5, and the terahertz optical device shown in FIG. 4 is modified as shown in FIG. The present invention can also be applied to the adjustment of the alignment of the terahertz optical system of the terahertz optical device described above.

【0093】図5及び図6は、テラヘルツ光装置の各例
を要部をそれぞれ模式的に示す概略構成図である。図5
及び図6において、図4中の要素と同一又は対応する要
素には同一符号を付している。
FIG. 5 and FIG. 6 are schematic configuration diagrams schematically showing main parts of each example of the terahertz optical device. FIG.
6 and FIG. 6, the same or corresponding elements as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals.

【0094】図5に示すテラヘルツ光装置が図4に示す
テラヘルツ光装置と異なる所は、曲面鏡9が取り除か
れ、テラヘルツ光発生器8として面状の発生器(例え
ば、非線形光学結晶や、ブディオルト、マーゴリーズ、
ジェオング、ソン及びボコー(E.Budiarto, J.Margolie
s, S.Jeong, J.Son and J.Bokor)の論文("High-Inten
sity Terahertz Pulses at 1-kHz Repetition Rate", I
EEE Journal of Quantum Electronics, Vol.32, No.10,
pp1839-1846(1996))に開示されているような、大口
径の光スイッチ素子を形成したもの)が用いられ、ポン
プ光がビームエキスパンダ40で拡大された後に発生器
8に入射されている点のみである。なお、発生器8から
発生したテラヘルツパルス光は完全な平行光ではないの
で、必要に応じて、発生器8の直後に、発生器8から間
隔をあけて凸レンズを配置する場合がある。前記間隔は
凸レンズの焦点距離とされる。この場合であっても、前
記第5の実施の形態の調整方法を適用することができ
る。
The terahertz light device shown in FIG. 5 is different from the terahertz light device shown in FIG. 4 in that the curved mirror 9 is removed and the terahertz light generator 8 is a planar generator (for example, a nonlinear optical crystal or a Budiort optical device). , Margolies,
Jeongu, Son and Boco (E. Budiarto, J. Margolie
s, S. Jeong, J. Son and J. Bokor) ("High-Inten
sity Terahertz Pulses at 1-kHz Repetition Rate ", I
EEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 32, No. 10,
pp1839-1846 (1996)), a large-diameter optical switch element is used), and the pump light is incident on the generator 8 after being expanded by the beam expander 40. Only points. Since the terahertz pulse light generated from the generator 8 is not completely parallel light, a convex lens may be disposed immediately after the generator 8 with an interval from the generator 8 as necessary. The interval is a focal length of the convex lens. Even in this case, the adjustment method of the fifth embodiment can be applied.

【0095】図6に示すテラヘルツ光装置が図4に示す
テラヘルツ光装置と異なる所は、曲面鏡9が取り除か
れ、テラヘルツ光発生器8として反射型の面状の発生器
であるInAsなどの半導体が用いられ、ポンプ光がビ
ームエキスパンダ41で拡大された後に発生器8に入射
され、ポンプ光を遮光してテラヘルツパルス光を選択的
に透過させるフィルタとして作用するシリコンウエハ4
2が追加されている点のみである。
The terahertz light device shown in FIG. 6 is different from the terahertz light device shown in FIG. 4 in that the curved mirror 9 is removed and the terahertz light generator 8 is a semiconductor such as InAs which is a reflection type planar generator. Is used, and after the pump light is expanded by the beam expander 41, the light is incident on the generator 8, and the silicon wafer 4 that functions as a filter that shields the pump light and selectively transmits the terahertz pulse light.
The only difference is that 2 is added.

【0096】また、前記第5の実施の形態は、図1に示
すテラヘルツ光装置のテラヘルツ光学系のアライメント
の調整にも適用することができる。さらに、前記第2及
び第3の実施の形態は、図4乃至図6にそれぞれ示すテ
ラヘルツ光装置に回転機構26を設けておけば、これら
のテラヘルツ光装置のテラヘルツ光学系のアライメント
の調整にも適用することができる。前記第4の実施の形
態は、回転機構を追加しなくても、図4乃至図6にそれ
ぞれ示すテラヘルツ光装置のテラヘルツ光学系のアライ
メントの調整にも適用することができる。
The fifth embodiment can also be applied to the alignment adjustment of the terahertz optical system of the terahertz optical device shown in FIG. Further, in the second and third embodiments, if the rotation mechanism 26 is provided in the terahertz optical devices shown in FIGS. 4 to 6, respectively, the alignment of the terahertz optical system of these terahertz optical devices can be adjusted. Can be applied. The fourth embodiment can be applied to the alignment adjustment of the terahertz optical system of the terahertz optical device shown in each of FIGS. 4 to 6 without adding a rotation mechanism.

【0097】以上の説明からもわかるように、前記第2
乃至第5の実施の形態による調整方法は、テラヘルツ光
発生器が点状の発生器であるか面状の発生器であるかを
問わず、また、テラヘルツ光検出器が点状の検出器であ
るか面状の検出器であるかを問わず、種々のテラヘルツ
光学系のアライメントの調整に適用することができる。
As can be seen from the above description, the second
The adjustment method according to the fifth to fifth embodiments is applicable to the terahertz light detector irrespective of whether the terahertz light generator is a point-like generator or a planar generator, and the terahertz light detector is a point-like detector. The present invention can be applied to adjustment of alignment of various terahertz optical systems regardless of whether the detector is a planar detector or a planar detector.

【0098】なお、本発明による調整方法が適用される
テラヘルツ光装置のテラヘルツ光学系は、(1)テラヘ
ルツ光が透過する透過要素(例えば、透過型レンズ)を
含んでいない(すなわち、テラヘルツ光発生器及びテラ
ヘルツ光検出器以外については、テラヘルツ光を反射さ
せる反射要素(例えば、平面鏡や曲面鏡などのミラー)
のみで構成されている)ものであるか、あるいは、
(2)テラヘルツ光が透過する透過要素を含んでいる場
合には、当該透過要素がテラヘルツ光及びプローブ光
(あるいは調整用の光)に対して略々等しい屈折率を有
する材料(TPX(これの屈折率は、テラヘルツ光及び
可視・赤外光に対して略々等しい。)など)で構成され
たものであることが、好ましい。
The terahertz optical system of the terahertz optical device to which the adjustment method according to the present invention is applied does not include (1) a transmission element (for example, a transmission lens) through which terahertz light passes (that is, a terahertz light generation). Reflection elements that reflect terahertz light (eg, mirrors such as plane mirrors and curved mirrors) other than the detector and the terahertz light detector
Only)) or
(2) In the case where a transmissive element that transmits terahertz light is included, the transmissive element has a material (TPX (which has a refractive index substantially equal to that of terahertz light and probe light (or light for adjustment)) having substantially the same refractive index. The refractive index is preferably substantially the same for terahertz light and visible / infrared light.

【0099】[0099]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
テラヘルツ光学系のアライメントを正確かつ簡単に調整
することができる。
As described above, according to the present invention,
The alignment of the terahertz optical system can be adjusted accurately and easily.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明の一実施の形態によるテラヘル
ツ光装置を模式的に示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram schematically showing a terahertz optical device according to an embodiment of the present invention.

【図2】ビームスプリッタが第1の回転位置に位置して
いる場合における、図1中のテラヘルツ光学系でのプロ
ーブ光の様子を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a state of probe light in the terahertz optical system in FIG. 1 when the beam splitter is located at a first rotation position.

【図3】ビームスプリッタが第2の回転位置に位置して
いる場合における、図1中のテラヘルツ光学系でのプロ
ーブ光の様子を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a state of probe light in the terahertz optical system in FIG. 1 when the beam splitter is located at a second rotation position.

【図4】テラヘルツ光装置の他の例を模式的に示す概略
構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram schematically illustrating another example of the terahertz optical device.

【図5】テラヘルツ光装置の更に他の例の要部を模式的
に示す概略構成図である。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram schematically illustrating a main part of still another example of the terahertz optical device.

【図6】テラヘルツ光装置の更に他の例の要部を模式的
に示す概略構成図である。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram schematically illustrating a main part of still another example of the terahertz optical device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

8 テラヘルツ光発生器(発生器) 9,12 曲面鏡 10 被測定物 11 ビームスプリッタ 13 テラヘルツ光検出器(検出器) 26 回転機構 35 調整用光照射部 34 ビームスプリッタ Reference Signs List 8 terahertz light generator (generator) 9, 12 curved mirror 10 device under test 11 beam splitter 13 terahertz light detector (detector) 26 rotation mechanism 35 adjustment light irradiation unit 34 beam splitter

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G020 AA03 BA17 BA20 CB27 CB42 CB54 2G059 AA01 AA05 EE01 EE05 GG01 GG04 GG08 HH01 HH06 JJ13 JJ14 JJ15 JJ19 JJ20 JJ22 JJ24 KK01 KK03 KK04 MM01 MM03 MM08 MM09 MM10 PP04 2G065 AB02 AB03 AB09 AB10 AB16 AB23 BA09 BB14 BB24 BB32 BB33 BB44 BB48 BC13 BC15 BC22 BC28 BC33 BC35 BD03 DA05 DA15 2H043 AA04 AA09 AA17 AA19 AA24 2K002 AA04 AB18 BA02 BA03 CA13 DA04 HA13  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F-term (reference) 2G020 AA03 BA17 BA20 CB27 CB42 CB54 2G059 AA01 AA05 EE01 EE05 GG01 GG04 GG08 HH01 HH06 JJ13 JJ14 JJ15 JJ19 JJ20 JJ22 JJ24 KK01 KK10 MM04 AB03 AB16 AB23 BA09 BB14 BB24 BB32 BB33 BB44 BB48 BC13 BC15 BC22 BC28 BC33 BC35 BD03 DA05 DA15 2H043 AA04 AA09 AA17 AA19 AA24 2K002 AA04 AB18 BA02 BA03 CA13 DA04 HA13

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 テラヘルツ光の発生部と、該発生部から
発生して所定の光路を経て到達するテラヘルツ光を検出
する検出部と、前記発生部と前記検出部との間の光路上
に配置されたビームスプリッタと、を有するテラヘルツ
光学系と、 前記検出部によるテラヘルツ光の検出時に、前記ビーム
スプリッタを介して前記検出部にプローブ光を照射する
プローブ光照射部と、 前記ビームスプリッタを、前記プローブ光照射部からの
前記プローブ光を前記検出部へ向かわせる第1の回転位
置、及び、前記プローブ光照射部からの前記プローブ光
を前記発生部へ向かわせる第2の回転位置に、回転させ
得る回転機構と、 を備えたことを特徴とするテラヘルツ光装置。
1. A terahertz light generating section, a detecting section for detecting terahertz light generated from the generating section and arriving via a predetermined optical path, and disposed on an optical path between the generating section and the detecting section A beam splitter, and a terahertz optical system having a terahertz optical system, a probe light irradiator that irradiates the detector with probe light via the beam splitter when the detector detects terahertz light, and the beam splitter, Rotating the probe light from a probe light irradiating section to a first rotational position for directing the probe light to the detecting section, and a second rotating position for directing the probe light from the probe light irradiating section to the generating section; A terahertz optical device, comprising:
【請求項2】 テラヘルツ光の発生部と、該発生部から
発生して所定の光路を経て到達するテラヘルツ光を検出
する検出部と、前記発生部と前記検出部との間の光路上
に配置されたビームスプリッタとを有するテラヘルツ光
学系と、 前記検出部によるテラヘルツ光の検出時に、前記ビーム
スプリッタを介して前記検出部にプローブ光を照射する
プローブ光照射部と、 を備えたテラヘルツ光装置の、前記テラヘルツ光学系の
アライメントを調整する調整方法であって、 前記ビームスプリッタを、前記プローブ光照射部からの
前記プローブ光を前記検出部へ向かわせる第1の回転位
置、及び、前記プローブ光照射部からの前記プローブ光
を前記発生部へ向かわせる第2の回転位置に、回転させ
得る回転機構を用いて、前記ビームスプリッタを前記第
2の回転位置に位置させた状態で、前記プローブ光の様
子を観察しながら、前記テラヘルツ光学系のアライメン
トを調整する第1の段階と、 前記第1の段階の後に、前記回転機構を用いて、前記ビ
ームスプリッタを前記第1の回転位置に位置させる第2
の段階と、 を備えたことを特徴とする調整方法。
2. A terahertz light generator, a detector for detecting terahertz light generated from the generator and arriving via a predetermined optical path, and disposed on an optical path between the generator and the detector. A terahertz optical system having a beam splitter, and a probe light irradiator that irradiates the detector with probe light via the beam splitter when the detector detects terahertz light. An adjustment method for adjusting the alignment of the terahertz optical system, wherein the beam splitter is configured to direct the probe light from the probe light irradiation unit to the detection unit, and the probe light irradiation. The beam splitter to a second rotation position that directs the probe light from the unit to the generation unit, using a rotation mechanism that can rotate the beam splitter. A first stage of adjusting the alignment of the terahertz optical system while observing a state of the probe light in a state where the probe light is located at a second rotation position; and using the rotation mechanism after the first stage. A second position for positioning the beam splitter at the first rotation position.
And an adjustment method, comprising:
【請求項3】 前記ビームスプリッタを前記第1の回転
位置に位置させた状態で、前記プローブ光の様子を観察
しながら、前記テラヘルツ光学系のアライメントを調整
する第3の段階を備えたことを特徴とする請求項2記載
の調整方法。
3. The method according to claim 1, further comprising a third step of adjusting an alignment of the terahertz optical system while observing a state of the probe light with the beam splitter positioned at the first rotation position. 3. The adjustment method according to claim 2, wherein:
【請求項4】 前記第3の段階は、前記プローブ光照射
部から発して前記検出部の付近に到達する前記プローブ
光の様子を観察しながら、前記テラヘルツ光学系のアラ
イメントを調整する段階を含むことを特徴とする請求項
3記載の調整方法。
4. The step of adjusting the alignment of the terahertz optical system while observing a state of the probe light emitted from the probe light irradiation unit and reaching the vicinity of the detection unit. 4. The adjustment method according to claim 3, wherein:
【請求項5】 前記第3の段階は、前記プローブ光照射
部から発して前記検出部で反射された後に前記ビームス
プリッタを介して前記発生部の付近に到達する前記プロ
ーブ光の様子を観察しながら、前記テラヘルツ光学系の
アライメントを調整する段階を含むことを特徴とする請
求項3又は4記載の調整方法。
5. The third step is to observe a state of the probe light emitted from the probe light irradiation unit, reflected by the detection unit, and reaching the vicinity of the generation unit via the beam splitter. The method according to claim 3, further comprising adjusting alignment of the terahertz optical system.
【請求項6】 前記第1の段階は、前記プローブ光照射
部から発して前記発生部の付近に到達する前記プローブ
光の様子を観察しながら、前記テラヘルツ光学系のアラ
イメントを調整する段階を含むことを特徴とする請求項
2乃至5のいずれかに記載の調整方法。
6. The step of adjusting the alignment of the terahertz optical system while observing a state of the probe light emitted from the probe light irradiation unit and reaching the vicinity of the generation unit. The adjustment method according to claim 2, wherein:
【請求項7】 前記第1の段階は、前記プローブ光照射
部から発して前記発生部で反射された後に前記ビームス
プリッタを介して前記検出部の付近に到達する前記プロ
ーブ光の様子を観察しながら、前記テラヘルツ光学系の
アライメントを調整する段階を含むことを特徴とする請
求項2乃至6のいずれかに記載の調整方法。
7. The first step is to observe a state of the probe light emitted from the probe light irradiation unit, reflected by the generation unit, and then reached near the detection unit via the beam splitter. 7. The adjustment method according to claim 2, further comprising adjusting the alignment of the terahertz optical system.
【請求項8】 テラヘルツ光の発生部と、該発生部から
発生して所定の光路を経て到達するテラヘルツ光を検出
する検出部と、前記発生部と前記検出部との間の光路上
に配置されたビームスプリッタとを有するテラヘルツ光
学系と、 前記検出部によるテラヘルツ光の検出時に、前記ビーム
スプリッタを介して前記検出部にプローブ光を照射する
プローブ光照射部と、 を備えたテラヘルツ光装置の、前記テラヘルツ光学系の
アライメントを調整する調整方法であって、 前記プローブ光照射部から発して前記検出部の付近に到
達する前記プローブ光の様子を観察しながら、前記テラ
ヘルツ光学系のアライメントを調整する段階と、 前記プローブ光照射部から発して前記検出部で反射され
た後に前記ビームスプリッタを介して前記発生部の付近
に到達する前記プローブ光の様子を観察しながら、前記
テラヘルツ光学系のアライメントを調整する段階と、 を備えたことを特徴とする調整方法。
8. A terahertz light generating section, a detecting section detecting terahertz light generated from the generating section and arriving via a predetermined optical path, and disposed on an optical path between the generating section and the detecting section. A terahertz optical system having a beam splitter, and a probe light irradiator that irradiates the detector with probe light via the beam splitter when the detector detects terahertz light. An adjustment method for adjusting the alignment of the terahertz optical system, wherein the alignment of the terahertz optical system is adjusted while observing a state of the probe light emitted from the probe light irradiation unit and reaching the vicinity of the detection unit. And after being emitted from the probe light irradiation unit and reflected by the detection unit, near the generation unit via the beam splitter. Wherein while observing the state of the probe light, adjustment method characterized by comprising a, and adjusting the alignment of the terahertz optical system reach.
【請求項9】 テラヘルツ光の発生部と、該発生部から
発生して所定の光路を経て到達するテラヘルツ光を検出
する検出部と、前記発生部と前記検出部との間の光路上
に配置された第1のビームスプリッタとを有するテラヘ
ルツ光学系と、 前記検出部によるテラヘルツ光の検出時に、前記第1の
ビームスプリッタを介して前記検出部にプローブ光を照
射するプローブ光照射部と、 を備えたテラヘルツ光装置の、前記テラヘルツ光学系の
アライメントを調整する調整方法であって、 前記プローブ光の光路上又は前記テラヘルツ光の光路上
に第2のビームスプリッタを配置して、前記第2のビー
ムスプリッタを介して前記発生部へ向かうように調整用
の光を入射させ、当該調整用の光の様子を観察しなが
ら、前記テラヘルツ光学系のアライメントを調整する段
階を備えたことを特徴とする調整方法。
9. A terahertz light generating unit, a detecting unit for detecting terahertz light generated from the generating unit and arriving via a predetermined optical path, and disposed on an optical path between the generating unit and the detecting unit A terahertz optical system having a first beam splitter, and a probe light irradiator that irradiates the detector with probe light via the first beam splitter when the detector detects terahertz light. An adjustment method for adjusting alignment of the terahertz optical system of the provided terahertz optical device, wherein a second beam splitter is arranged on an optical path of the probe light or an optical path of the terahertz light, and the second Adjustment light is incident on the generation unit via the beam splitter, and alignment of the terahertz optical system is performed while observing the state of the adjustment light. An adjustment method, comprising the step of:
【請求項10】 前記段階は、前記発生部で反射された
前記調整用の光の様子を観察しながら、前記テラヘルツ
光学系のアライメントを調整する段階を含むことを特徴
とする請求項11記載の調整方法。
10. The method according to claim 11, wherein the step includes adjusting an alignment of the terahertz optical system while observing a state of the adjustment light reflected by the generation unit. Adjustment method.
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