JP2002298339A - Thin film magnetic tape manufacturing device - Google Patents

Thin film magnetic tape manufacturing device

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JP2002298339A
JP2002298339A JP2001100296A JP2001100296A JP2002298339A JP 2002298339 A JP2002298339 A JP 2002298339A JP 2001100296 A JP2001100296 A JP 2001100296A JP 2001100296 A JP2001100296 A JP 2001100296A JP 2002298339 A JP2002298339 A JP 2002298339A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance use efficiency of a magnetic metal material. SOLUTION: First and second cooling can rolls 16, 17 are arranged by being mutually approximated, one evaporation source 18 to supply steam flow 19a of the magnetic metal material is installed in the lower direction of the first and second can rolls, first and second minimum incident angle regulation masks 28, 26 are provided in the vicinity of the first and second cooling can rolls 16, 17 respectively, one maximum incident angle regulation mask 25 is provided in the upper direction of an interval between the first and second cooling can rolls 16, 17, a nonmagnetic ground film is formed on a base film 12 as progressively increasing an incident angle of vapor flow 19a of the magnetic metal material to the base film 12 on the upstream side in a track, a ferromagnetic metal thin film is further formed on the nonmagnetic ground film as progressively reducing the incident angle of the vapor flow of the magnetic metal material to the base film 12 on the downstream side in the track.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ベースフィルム上
に非磁性下地膜と強磁性金属薄膜とを成膜するための薄
膜磁気テープ製造装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing a thin-film magnetic tape for forming a non-magnetic base film and a ferromagnetic metal thin film on a base film.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ディジタル・ビデオ・テープレコ
ーダなどに適用される磁気テープは、高密度化を達成す
るために、とくに、斜方蒸着法を適用して強磁性金属膜
を成膜した蒸着テープが注目されている。更には、
(G)MR(磁気抵抗型)ヘッドの出現により、この
(G)MRヘッドをディジタル・ビデオ・テープレコー
ダなどに搭載する動きもあり、SN比を向上するために
更に強磁性金属膜の厚さを薄膜化する必要が急務とされ
ている。しかし、強磁性金属膜の厚さを従来の延長上で
薄膜化して薄膜磁気テープを製造した際に、強磁性金属
薄膜のみでは静磁気特性が劣化してしまい、問題とな
る。この問題点を解決するために、強磁性金属薄膜(磁
性膜)の下にCoOなどの非磁性下地膜を設けることが
提案されている。
2. Description of the Related Art In recent years, magnetic tapes applied to digital video tape recorders and the like are required to be formed by depositing a ferromagnetic metal film using an oblique deposition method in order to achieve a higher density. Tape is attracting attention. Furthermore,
With the advent of (G) MR (magnetoresistive) heads, there is also a movement to mount this (G) MR head on digital video tape recorders and the like. In order to improve the SN ratio, the thickness of the ferromagnetic metal film is further increased. It is urgently necessary to reduce the film thickness. However, when a thin-film magnetic tape is manufactured by reducing the thickness of the ferromagnetic metal film over the conventional length, a magnetostatic property is deteriorated by using only the ferromagnetic metal thin film, which is a problem. In order to solve this problem, it has been proposed to provide a non-magnetic base film such as CoO under a ferromagnetic metal thin film (magnetic film).

【0003】そこで、この種の媒体の製造方法の一例と
して特開昭61−198429号公報に開示された磁気
記録媒体の製造方法では、真空雰囲気下で連続して移動
するテープ状非磁性基体上に、非磁性下地膜及び強磁性
金属薄膜を形成するに当たり、非磁性金属あるいは金属
酸化物の蒸気流を基体に対し斜めに入射させ、入射角を
漸次増大させながら非磁性下地膜を形成した後、強磁性
金属の蒸気流を非磁性下地膜を形成した基体に対し斜め
に入射させ、入射角を漸次減少させながら強磁性金属薄
膜を形成することにより、磁気特性及び耐久性の向上を
図っている。
Therefore, as one example of a method of manufacturing this type of medium, a method of manufacturing a magnetic recording medium disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-198429 discloses a method of manufacturing a magnetic recording medium on a tape-shaped non-magnetic substrate that moves continuously in a vacuum atmosphere. In forming a non-magnetic underlayer and a ferromagnetic metal thin film, a non-magnetic metal or metal oxide vapor stream is obliquely incident on the substrate, and the non-magnetic underlayer is formed while gradually increasing the incident angle. In order to improve the magnetic properties and durability, the ferromagnetic metal vapor flow is obliquely incident on the substrate on which the non-magnetic underlayer is formed, and the ferromagnetic metal thin film is formed while gradually decreasing the incident angle. I have.

【0004】図5は従来の磁気記録媒体の製造方法に使
用される装置の構成を示した構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram showing a configuration of an apparatus used in a conventional method of manufacturing a magnetic recording medium.

【0005】図5に示した従来の磁気記録媒体の製造方
法に使用される装置100は、上記した特開昭61−1
98429号公報に開示されたものであり、ここでは同
号公報を参照して簡略に説明する。
The apparatus 100 used in the conventional method for manufacturing a magnetic recording medium shown in FIG.
98429, which will be briefly described with reference to the publication.

【0006】上記した装置100は、テープ状非磁性基
体102上に非磁性下地膜を成膜するための第1の真空
槽101が設けられ、且つ、第1の真空槽101に連接
してテープ状非磁性基体102上に成膜した非磁性下地
膜の上に更に強磁性金属薄膜を成膜するための第2の真
空槽111が設けられている。
The above-described apparatus 100 is provided with a first vacuum chamber 101 for forming a non-magnetic base film on a tape-shaped non-magnetic substrate 102, and is connected to the first vacuum chamber 101 so that a tape is formed. A second vacuum chamber 111 for further forming a ferromagnetic metal thin film on the nonmagnetic base film formed on the non-magnetic base 102 is provided.

【0007】まず、第1の真空槽101内には、テープ
状非磁性基体102上に非磁性下地膜を成膜するための
構成部材が複数設けられている。
First, a plurality of constituent members for forming a non-magnetic base film on a tape-shaped non-magnetic base 102 are provided in a first vacuum chamber 101.

【0008】即ち、第1の真空槽101内にはテープ状
非磁性基体102が供給ロール103に巻回されてお
り、この供給ロール103から送り出されたテープ状非
磁性基体102は複数のガイドローラ104を通ってこ
の真空槽101内に回転自在に設けた円筒状の第1の冷
却キャンロール105に送られている。
That is, a tape-shaped non-magnetic substrate 102 is wound around a supply roll 103 in the first vacuum chamber 101, and the tape-shaped non-magnetic substrate 102 sent out from the supply roll 103 includes a plurality of guide rollers. It is sent to a cylindrical first cooling can roll 105 rotatably provided in the vacuum chamber 101 through 104.

【0009】また、第1の冷却キャンロール105の図
示左下方には非磁性金属あるいは金属酸化物をチヤージ
した第1の蒸発源106が設置されており、この蒸発源
106から第1の蒸気流106aが第1の冷却キャンロ
ール105に沿って走行しているテープ状非磁性基体1
02に対し斜めに入射される。
A first evaporation source 106 made of a non-magnetic metal or metal oxide is installed at the lower left of the first cooling can roll 105 in the figure. 106a is a tape-shaped non-magnetic substrate 1 running along the first cooling can roll 105
02 is obliquely incident.

【0010】また、第1の冷却キャンロール105の近
傍には、テープ状非磁性基体102の走行路に沿って上
流から下流に向かって非磁性下地膜への膜付け時の最小
入射角θminを規制するための第1の最小入射角規制
マスク107と最大入射角θmaxを規制するための第
1の最大入射角規制マスク108とが第1の蒸発源10
6を挟んで設けられている。また、第1の冷却キャンロ
ール105と第1の最小入射角規制マスク107との間
に第1のガス導入機構109が設けられている。そし
て、テープ状非磁性基体102への第1の蒸気流106
aの入射角を漸次増大させながらテープ状非磁性基体1
02上に非磁性下地膜が形成される。
In the vicinity of the first cooling can roll 105, the minimum incident angle θmin at the time of film formation on the non-magnetic base film from upstream to downstream along the running path of the tape-shaped non-magnetic substrate 102 is set. The first minimum incident angle regulating mask 107 for regulating the first evaporation source 10 and the first maximum incident angle regulating mask 108 for regulating the maximum incident angle θmax.
6 are provided. Further, a first gas introduction mechanism 109 is provided between the first cooling can roll 105 and the first minimum incident angle regulating mask 107. Then, the first vapor flow 106 to the tape-shaped non-magnetic substrate 102
a while gradually increasing the angle of incidence of a.
A non-magnetic underlayer is formed on the substrate 02.

【0011】この後、非磁性下地膜が形成されたテープ
状非磁性基体102は、複数のガイドローラ104を通
って第2の真空槽111内に送られており、この第2の
真空槽111内にはテープ状非磁性基体102上に成膜
した非磁性下地膜の上に更に強磁性金属薄膜を成膜する
ための構成部材が複数設けられている。
Thereafter, the tape-shaped non-magnetic substrate 102 on which the non-magnetic underlayer is formed is sent through a plurality of guide rollers 104 into a second vacuum chamber 111, and the second vacuum chamber 111 A plurality of constituent members for further forming a ferromagnetic metal thin film on a non-magnetic base film formed on the tape-shaped non-magnetic base 102 are provided therein.

【0012】即ち、第2の真空槽111内では、第1の
真空槽101内で非磁性下地膜を成膜したテープ状非磁
性基体102がこの真空槽111内に回転自在に設けた
円筒状の第2の冷却キャンロール112に送られてい
る。
That is, in the second vacuum chamber 111, a tape-shaped non-magnetic substrate 102 on which a non-magnetic base film is formed in the first vacuum chamber 101 has a cylindrical shape provided rotatably in the vacuum chamber 111. Is sent to the second cooling can roll 112.

【0013】また、第2の冷却キャンロール112の図
示右下方には、強磁性金属をチヤージした第2の蒸発源
113が設置されており、この蒸発源113から第2の
蒸気流113aが第2の冷却キャンロール112に沿っ
て走行しているテープ状非磁性基体102上の非磁性下
地膜に対し斜めに入射される。
At the lower right of the second cooling can roll 112 in the figure, a second evaporation source 113 charged with a ferromagnetic metal is installed. From this evaporation source 113, a second vapor flow 113a is generated. The light is obliquely incident on the non-magnetic base film on the tape-shaped non-magnetic substrate 102 running along the second cooling can roll 112.

【0014】また、第2の冷却キャンロール112の近
傍には、テープ状非磁性基体102の走行路に沿って上
流から下流に向かって強磁性金属薄膜への膜付け時の最
大入射角θmaxを規制するための第2の最大入射角規
制マスク114と最小入射角θminを規制するための
第1の最小入射角規制マスク115とが第2の蒸発源1
13を挟んで設けられており、且つ、第2の冷却キャン
ロール112と第2の最小入射角規制マスク115との
間に第2のガス導入機構116が設けられている。そし
て、テープ状非磁性基体102への第2の蒸気流113
aの入射角を漸次減少させながらテープ状非磁性基体1
02の上に成膜した非磁性下地膜の上に更に強磁性金属
薄膜が形成される。
In the vicinity of the second cooling can roll 112, the maximum incident angle θmax at the time of applying the film to the ferromagnetic metal thin film from the upstream to the downstream along the running path of the tape-shaped non-magnetic base 102 is set. The second maximum incidence angle restriction mask 114 for restricting and the first minimum incident angle restriction mask 115 for restricting the minimum incident angle θmin are the second evaporation source 1.
13, and a second gas introduction mechanism 116 is provided between the second cooling can roll 112 and the second minimum incident angle regulating mask 115. Then, the second vapor flow 113 to the tape-shaped non-magnetic substrate 102
a tape-shaped non-magnetic substrate 1 while gradually decreasing the incident angle
Further, a ferromagnetic metal thin film is further formed on the non-magnetic base film formed on the non-magnetic base film 02.

【0015】この後、非磁性下地膜と強磁性金属薄膜と
を成膜したテープ状非磁性基体102は、複数のガイド
ローラ104を通って第2の真空槽111内に設けた巻
取ロール117に巻き取られている。
Thereafter, the tape-shaped non-magnetic substrate 102 on which the non-magnetic base film and the ferromagnetic metal thin film are formed is passed through a plurality of guide rollers 104 and is taken up by a take-up roll 117 provided in a second vacuum chamber 111. Has been wound up.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した装
置100を用いて、テープ状非磁性基体102を一方向
に1回走行させて、テープ状非磁性基体102上に非磁
性下地膜と強磁性金属薄膜とを成膜する際に、非磁性下
地膜は第1の蒸発源106からの第1の蒸気流106a
に対して入射角を漸次増大させながら成膜する一方、強
磁性金属薄膜は第2の蒸発源113からの第2の蒸気流
113aに対して入射角を漸次減少させながら成膜する
ことで、磁気特性及び耐久性の向上を図れると開示され
ているものの、上記した同公号報中の実施例ではテープ
状非磁性基体102上に非磁性下地膜としてすずを50
nmの厚さに蒸着し、この後、強磁性金属薄膜としてコ
バルト−ニッケル(Ni:20wt%)磁性薄膜を16
0nmの厚さに蒸着している。このように、非磁性下地
膜の成膜材料と、強磁性金属薄膜の成膜材料とが異なる
場合には、2つの蒸発源106,113を必要とするも
のの、後述するように、CoO非磁性下地膜及びCo−
CoO磁性金属薄膜などを成膜する場合には蒸発源とし
てCo磁性金属材を共用できるために、2つの蒸発源を
持つことは成膜材料の有効利用が図れない。
By using the above-described apparatus 100, the tape-shaped non-magnetic substrate 102 is run once in one direction, and the non-magnetic base film and the ferromagnetic When the metal thin film is formed, the non-magnetic undercoat film is formed by the first vapor flow 106 a from the first evaporation source 106.
The ferromagnetic metal thin film is formed while gradually decreasing the incident angle with respect to the second vapor flow 113a from the second evaporation source 113, while the incident angle is gradually increased. Although it is disclosed that the magnetic properties and durability can be improved, in the above-mentioned embodiment in the publication, tin is used as a non-magnetic base film on the tape-shaped non-magnetic substrate 102 by using 50 tin.
After that, a cobalt-nickel (Ni: 20 wt%) magnetic thin film was deposited as a ferromagnetic metal thin film to a thickness of 16 nm.
It is deposited to a thickness of 0 nm. As described above, when the film forming material of the non-magnetic base film is different from the film forming material of the ferromagnetic metal thin film, two evaporation sources 106 and 113 are required. Underlayer and Co-
When a CoO magnetic metal thin film or the like is formed, a Co magnetic metal material can be used as an evaporation source. Therefore, having two evaporation sources cannot effectively utilize a film forming material.

【0017】更に、CoO非磁性下地膜及びCo−Co
O磁性金属薄膜などを成膜する場合に、Co−CoO磁
性金属薄膜をより一層孤立化させてCo−CoO磁性金
属薄膜の粒子間の磁気的相互作用をより効果的に少なく
させるようにCoO非磁性下地膜を良好に成膜する方法
が見いだされていないのが現状である。
Further, a CoO non-magnetic underlayer and a Co-Co
When an O magnetic metal thin film or the like is formed, the CoO non-magnetic metal thin film is further isolated so that the magnetic interaction between the particles of the Co—CoO magnetic metal thin film is reduced more effectively. At present, a method for forming a good magnetic underlayer has not been found.

【0018】更に、装置100内には略同径の2つの冷
却キャンロール105,112を取り付けているため
に、装置100が大型化するなどの問題も発生してい
る。
Further, since two cooling can rolls 105 and 112 having substantially the same diameter are mounted in the apparatus 100, there is a problem that the apparatus 100 is enlarged.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑み
てなされたものであり、第1の発明は、真空槽内でベー
スフィルムを回転自在な冷却キャンロールに沿って一方
向に走行させて、走行路中の上流側で前記ベースフィル
ムへの磁性金属材蒸気流の入射角を漸次増大させながら
該ベースフィルム上に非磁性下地膜を成膜し、更に、走
行路中の下流側で前記ベースフィルムへの前記磁性金属
材蒸気流の入射角を漸次減少させながら前記非磁性下地
膜上に強磁性金属薄膜を成膜するように構成した薄膜磁
気テープ製造装置であって、前記ベースフィルムを沿わ
せて走行させる途中で該ベースフィルム上に前記非磁性
下地膜を成膜するための第1の冷却キャンロールと、前
記第1の冷却キャンロールに接近し、且つ、前記非磁性
下地膜を成膜した前記ベースフィルムを沿わせて走行さ
せる途中で該非磁性下地膜上に前記強磁性金属薄膜を成
膜するための第2の冷却キャンロールと、前記第1,第
2の冷却キャンロール間の下方に設置され、前記磁性金
属材蒸気流を供給するための一つの蒸発源と、前記第1
の冷却キャンロール側に対して、前記一つの蒸発源から
の前記磁性金属材蒸気流に所定量の酸素ガスを吹き付け
て前記非磁性下地膜を成膜するための第1の酸素導入パ
イプと、前記第2の冷却キャンロール側に対して、前記
一つの蒸発源からの前記磁性金属材蒸気流に前記所定量
の酸素ガスよりガス量を削減した酸素ガスを吹き付けて
前記強磁性金属薄膜を成膜するための第2の酸素導入パ
イプと、前記一つの蒸発源を挟んで前記第1,第2の冷
却キャンロール近傍にそれぞれ設けた第1,第2の最小
入射角規制マスクと、前記第1,第2の冷却キャンロー
ル間の上方に設けた一つの最大入射角規制マスクとを備
えたことを特徴とする薄膜磁気テープ製造装置である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and a first invention is to make a base film run in one direction along a rotatable cooling can roll in a vacuum chamber. A non-magnetic undercoat film is formed on the base film while gradually increasing the incident angle of the magnetic metal vapor stream to the base film on the upstream side of the traveling path, and further on the downstream side of the traveling path. An apparatus for manufacturing a thin-film magnetic tape, wherein a ferromagnetic metal thin film is formed on the nonmagnetic underlayer film while gradually decreasing an incident angle of the magnetic metal material vapor stream to the base film, wherein the base film A first cooling can roll for forming the non-magnetic base film on the base film while traveling along the base film; and a non-magnetic base film approaching the first cooling can roll. Was deposited A second cooling can roll for forming the ferromagnetic metal thin film on the non-magnetic base film while running along the base film, and a lower portion between the first and second cooling can rolls. An evaporation source installed to supply the magnetic metal material vapor stream;
A first oxygen introduction pipe for spraying a predetermined amount of oxygen gas onto the magnetic metal vapor stream from the one evaporation source to form the non-magnetic undercoat film on the cooling can roll side; The ferromagnetic metal thin film is formed by spraying the magnetic metal vapor stream from the one evaporation source with an oxygen gas whose amount is smaller than that of the predetermined amount of oxygen gas, toward the second cooling can roll side. A second oxygen introduction pipe for forming a film, first and second minimum incident angle regulating masks respectively provided near the first and second cooling can rolls with the one evaporation source interposed therebetween, and An apparatus for manufacturing a thin-film magnetic tape, comprising: one maximum incident angle regulating mask provided above between first and second cooling can rolls.

【0020】また、第2の発明は、真空槽内でベースフ
ィルムを回転自在な冷却キャンロールに沿って一方向に
走行させて、走行路中の上流側で前記ベースフィルムへ
の蒸発材蒸気流の入射角を漸次増大させながら該ベース
フィルム上に非磁性下地膜を成膜し、更に、走行路中の
下流側で前記ベースフィルムへの磁性金属材蒸気流の入
射角を漸次減少させながら前記非磁性下地膜上に強磁性
金属薄膜を成膜するように構成した薄膜磁気テープ製造
装置において、前記ベースフィルムを沿わせて走行させ
る途中で該ベースフィルム上に前記非磁性下地膜を成膜
し、更に、前記非磁性下地膜上に前記強磁性金属薄膜を
成膜するための一つの冷却キャンロールと、前記走行路
中の上流側で前記一つの冷却キャンロール近傍に下流に
向かって順に設けた第1の最小入射角規制マスク及び第
1の最大入射角規制マスクと、前記第1の最小入射角規
制マスクと前記第1の最大入射角規制マスク間の下方に
設置され、前記蒸発材蒸気流を供給するための第1の蒸
発源と、前記走行路中の下流側で前記一つの冷却キャン
ロール近傍に下流に向かって順に設けた第2の最大入射
角規制マスク及び第2の最小入射角規制マスクと、前記
第2の最大入射角規制マスクと前記第2の最小入射角規
制マスク間の下方に設置され、前記磁性金属材蒸気流を
供給するための第2の蒸発源とを備えたことを特徴とす
る薄膜磁気テープ製造装置である。
According to a second aspect of the present invention, a base film is run in one direction along a rotatable cooling can roll in a vacuum chamber, and an evaporant vapor stream flows to the base film on an upstream side of a running path. A non-magnetic base film is formed on the base film while gradually increasing the incident angle of the magnetic film, and the incident angle of the magnetic metal material vapor flow to the base film is gradually reduced on the downstream side of the traveling path. In a thin film magnetic tape manufacturing apparatus configured to form a ferromagnetic metal thin film on a non-magnetic base film, the non-magnetic base film is formed on the base film while running along the base film. Further, one cooling can roll for forming the ferromagnetic metal thin film on the non-magnetic base film, and a cooling can roll near the one cooling can roll on the upstream side in the traveling path and provided downstream in order. A first minimum incident angle restricting mask, a first maximum incident angle restricting mask, and an evaporating material vapor stream disposed below the first minimum incident angle restricting mask and the first maximum incident angle restricting mask; A first evaporation source for supplying air, a second maximum incident angle regulating mask and a second minimum incident angle, which are sequentially provided downstream in the vicinity of the one cooling can roll on the downstream side in the traveling path. A regulating mask, and a second evaporation source provided below the second maximum incident angle regulating mask and the second minimum incident angle regulating mask, for supplying the magnetic metal material vapor flow. An apparatus for manufacturing a thin-film magnetic tape, comprising:

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下に本発明に係る薄膜磁気テー
プ製造装置の一実施例を図1乃至図4を参照して<第1
実施例>,<第2実施例>の順に詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a thin-film magnetic tape manufacturing apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
Embodiment> and <Second Embodiment> will be described in detail in this order.

【0022】<第1実施例>図1は本発明に係る第1実
施例の薄膜磁気テープ製造装置の構成を示した構成図、
図2は本発明に係る第1実施例の薄膜磁気テープ製造装
置を用いて製造した薄膜磁気テープにおいて、非磁性下
地膜及び磁性薄膜の成長粒子の成長過程を模式的に示し
た模式図、図3は本発明に係る第1実施例の薄膜磁気テ
ープ製造装置を一部変形させた変形例を説明するための
構成図である。
<First Embodiment> FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a thin-film magnetic tape manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view schematically showing a growth process of a non-magnetic under film and a growth particle of a magnetic thin film in a thin film magnetic tape manufactured by using the thin film magnetic tape manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a configuration diagram for explaining a modification in which the thin-film magnetic tape manufacturing apparatus of the first embodiment according to the present invention is partially modified.

【0023】図1に示した如く、本発明に係る第1実施
例の薄膜磁気テープ製造装置10Aは、斜方蒸着法を適
用するように構成されており、真空槽11A内が図示し
ない真空ポンプにより真空状態に保たれている。
As shown in FIG. 1, a thin-film magnetic tape manufacturing apparatus 10A according to a first embodiment of the present invention is configured to apply an oblique deposition method, and a vacuum pump 11A (not shown) Is maintained in a vacuum state.

【0024】また、真空槽11A内の左右には、薄膜磁
気テープの媒体素材となるベースフィルム12を巻回す
るための供給ロール13と、巻取ロール14とが間隔を
離して回転自在に設けられている。この際、ベースフィ
ルム12は、一般的に厚さが略6.4μmのPET(ポ
リエチレンテレフタレート)フィルムを用いている。
A supply roll 13 for winding a base film 12 serving as a medium material of the thin-film magnetic tape and a take-up roll 14 are rotatably provided on the left and right sides of the vacuum chamber 11A with a space therebetween. Have been. At this time, the base film 12 generally uses a PET (polyethylene terephthalate) film having a thickness of about 6.4 μm.

【0025】また、供給ロール13と巻取ロール14の
間には、複数のガイドローラ15がベースフィルム12
の所定の走行路に沿って適宜な位置に配置されている。
A plurality of guide rollers 15 are provided between the supply roll 13 and the take-up roll 14.
Are arranged at appropriate positions along a predetermined traveling path.

【0026】また、供給ロール13と巻取ロール14の
間には、ベースフィルム12の走行路中の上流側にこの
ベースフィルム12を小径な外周面に沿わせて一方向に
走行させながらベースフィルム12上に非磁性下地膜を
成膜するための第1の冷却キャンロール(以下、小径な
冷却キャンロールと記す)16が矢印方向に回転自在に
設けられ、且つ、ベースフィルム12の走行路中の下流
側に非磁性下地膜を成膜したベースフィルム12を大径
な外周面に沿わせて一方向に走行させながら非磁性下地
膜の上に更に強磁性金属薄膜を成膜するための第2の冷
却キャンロール(以下、大径な冷却キャンロールと記
す)17が矢印方向に回転自在に設けられており、両冷
却キャンロール16,17間は僅かな間隔を離して互い
に接近し、真空槽11A内の略中央部位を中心に左右に
並設されている。また、両冷却キャンロール16,17
の内部には、冷却器(図示せず)が設置され、蒸着時に
ベースフィルム12の温度上昇による変形などを抑制し
ている。
Between the supply roll 13 and the take-up roll 14, the base film 12 is moved in one direction along the small-diameter outer peripheral surface on the upstream side of the running path of the base film 12. A first cooling can roll (hereinafter referred to as a small-diameter cooling can roll) 16 for forming a non-magnetic base film on the base film 12 is rotatably provided in the direction of an arrow, For forming a ferromagnetic metal thin film further on the non-magnetic base film while running the base film 12 having the non-magnetic base film formed on the downstream side in one direction along the large-diameter outer peripheral surface. A second cooling can roll (hereinafter, referred to as a large diameter cooling can roll) 17 is rotatably provided in the direction of the arrow, and the two cooling can rolls 16 and 17 approach each other at a slight distance from each other, and are evacuated. Tank 1 It is juxtaposed on the left and right around the substantially central portion in the A. In addition, both cooling can rolls 16, 17
A cooler (not shown) is installed in the inside to suppress deformation and the like of the base film 12 due to a rise in temperature during vapor deposition.

【0027】そして、供給ロール13に巻回したベース
フィルム12は複数のガイドローラ15を通って小径な
冷却キャンロール16に送られ、この小径な冷却キャン
ロール16でベースフィルム12上に非磁性下地膜が成
膜され、この後、ベースフィルム12は複数のガイドロ
ーラ15を通って大径な冷却キャンロール17に送ら
て、この大径な冷却キャンロール17で非磁性下地膜上
に強磁性金属薄膜が成膜された後に、複数のガイドロー
ラ15を通って巻取ロール14に巻き取られるようにな
っている。従って、ベースフィルム12が一方向に1回
走行することで、従来例と同様に非磁性下地膜と強磁性
金属薄膜が成膜されている。
Then, the base film 12 wound around the supply roll 13 is sent to a small-diameter cooling can roll 16 through a plurality of guide rollers 15, and the small-diameter cooling can roll 16 forms a non-magnetic undercoat on the base film 12. A base film is formed, and thereafter, the base film 12 is sent to a large-diameter cooling can roll 17 through a plurality of guide rollers 15, and the large-diameter cooling can roll 17 is used to form a ferromagnetic metal film on a non-magnetic base film. After the thin film is formed, the film is wound on a winding roll 14 through a plurality of guide rollers 15. Therefore, as the base film 12 travels once in one direction, a non-magnetic underlayer and a ferromagnetic metal thin film are formed as in the conventional example.

【0028】この際、ベースフィルム12は一定な速度
で供給ロール13側から巻取ロール14側に向かって走
行しているため、両冷却キャンロール16,17の回転
数はベースフィルム12の走行速度に対してそれぞれの
冷却キャンロール16,17の径に応じて設定されてい
る。
At this time, since the base film 12 travels at a constant speed from the supply roll 13 toward the take-up roll 14, the rotation speed of both cooling can rolls 16 and 17 is equal to the traveling speed of the base film 12. Is set according to the diameter of each cooling can roll 16, 17.

【0029】また、小径な冷却キャンロール16と、大
径な冷却キャンロール17との間の下方には一つの蒸発
源が設けられており、この第1実施例では、ルツボ材料
としてMgO(マグネシア)を用いて箱状に形成したル
ツボ18が一つ設置され、且つ、ルツボ18内にCo
(純Co)磁性金属材19が収容されている。この際、
ルツボ18内に収容したCo磁性金属材19は、非磁性
下地膜及び強磁性金属薄膜に対して共用できる成膜材料
であり、両膜に対して共用できる成膜材料であればいか
なるものでも良く、一つの蒸発源のみを設けることで成
膜材料の有効利用が図れる。
One evaporation source is provided below the small-diameter cooling can roll 16 and the large-diameter cooling can roll 17. In the first embodiment, MgO (magnesia) is used as a crucible material. ), One crucible 18 formed in a box shape is installed, and the crucible 18 contains Co.
A (pure Co) magnetic metal material 19 is accommodated. On this occasion,
The Co magnetic metal material 19 accommodated in the crucible 18 is a film-forming material that can be used for both the non-magnetic base film and the ferromagnetic metal thin film, and may be any film-forming material that can be used for both films. By providing only one evaporation source, the film forming material can be effectively used.

【0030】また、真空槽11Aの左側壁11aには、
ルツボ18内に収容したCo磁性金属材19を溶融蒸発
してCo蒸気19aにするためのピアス型電子銃20が
斜め下方のルツボ18に向かって取り付けられている。
尚、以下の説明において、符番19aは、前後の説明の
状況に応じて、「Co蒸気(磁性金属材蒸気)」と記す
場合と、「Co蒸気流(磁性金属材蒸気流)」と記す場
合とに使い別けて説明する。
Further, on the left side wall 11a of the vacuum chamber 11A,
A pierce-type electron gun 20 for melting and evaporating the Co magnetic metal material 19 accommodated in the crucible 18 into a Co vapor 19a is attached to the crucible 18 obliquely below.
In the following description, the reference numeral 19a is referred to as “Co vapor (magnetic metal material vapor)” or “Co vapor flow (magnetic metal material vapor flow)” depending on the situation of the preceding and following description. This will be described separately for each case.

【0031】上記したピアス型電子銃20は、ルツボ1
8内のCo磁性金属材19に向かって電子ビーム20a
が出射されており、この電子ビーム20aでCo磁性金
属材19を溶融して蒸発させたCo蒸気19aを小径な
冷却キャンロール16及び大径な冷却キャンロール17
に沿って走行しているベースフィルム12側に蒸着させ
ている。
The above-described piercing type electron gun 20 is a crucible 1
8 toward the Co magnetic metal material 19 in the electron beam 20a.
The Co vapor 19a, which is obtained by melting and evaporating the Co magnetic metal material 19 with the electron beam 20a, is converted into a small-diameter cooling can roll 16 and a large-diameter cooling can roll 17.
Is deposited on the side of the base film 12 running along.

【0032】この際、ピアス型電子銃20から出射され
る電子ビーム20aは、軌道に偏向磁界を印加するため
にピアス型電子銃20に取り付けた偏向マグネット21
と、ルツボ18に近設した偏向マグネット22とにより
制御されている。従って、ルツボ18の長手方向に電子
ビーム20aを走査することにより、Co蒸気流19a
がベースフィルム12の幅方向に沿って発生する。
At this time, the electron beam 20a emitted from the pierce-type electron gun 20 is applied to a deflection magnet 21 attached to the pierce-type electron gun 20 to apply a deflecting magnetic field to the orbit.
And a deflection magnet 22 provided near the crucible 18. Therefore, by scanning the electron beam 20a in the longitudinal direction of the crucible 18, the Co vapor flow 19a
Are generated along the width direction of the base film 12.

【0033】また、小径な冷却キャンロール16の下方
には、非磁性下地膜への膜付け時の最小入射角θmin
を規制するための第1の最小入射角規制マスク23が設
けられ、且つ、冷却キャンロール16と第1の最小入射
角規制マスク23との間に第1の酸素ガス導入パイプ2
4が取り付けられている。そして、第1の酸素ガス導入
パイプ24に形成された複数の孔(図示せず)から所定
量の酸素ガスOが射出されて、ルツボ18内から蒸発
したCo蒸気流19aに所定量の酸素ガスOが吹き付
けられている。
Below the small diameter cooling can roll 16, the minimum incident angle θmin at the time of coating the film on the non-magnetic underlayer is described.
A first minimum incident angle restricting mask 23 for restricting the first oxygen gas introduction pipe 2 between the cooling can roll 16 and the first minimum incident angle restricting mask 23.
4 is attached. Then, a predetermined amount of oxygen gas O 2 is injected from a plurality of holes (not shown) formed in the first oxygen gas introduction pipe 24, and a predetermined amount of oxygen gas O 2 is injected into the Co vapor stream 19 a evaporated from the crucible 18. gas O 2 is blown.

【0034】この際、ルツボ18内から蒸発したCo蒸
気19aをベースフィルム12上にCoO非磁性下地膜
として成膜するためには、第1の酸素ガス導入パイプ2
4への酸素ガスOの導入量を後述するように所定量以
上に設定することで、Co蒸気19aが酸素ガスO
よって酸化されて、ベースフィルム12上にCoO非磁
性下地膜として成膜される。ここでは、予備実験により
酸素ガスOの導入量を変化させて、振動型磁力計(V
SM)によりCoO非磁性下地膜が磁化しない酸素ガス
の所定量を予め設定している。
At this time, in order to form the Co vapor 19a evaporated from the inside of the crucible 18 on the base film 12 as a CoO non-magnetic base film, the first oxygen gas introduction pipe 2
By setting the amount of oxygen gas O 2 introduced into the substrate 4 to a predetermined amount or more as described later, the Co vapor 19a is oxidized by the oxygen gas O 2 and formed as a CoO non-magnetic underlayer film on the base film 12. Is done. Here, the amount of oxygen gas O 2 introduced was changed by a preliminary experiment, and the vibrating magnetometer (V
CoO nonmagnetic underlayer is preset a predetermined amount of oxygen gas O 2 is not magnetized by SM).

【0035】また、小径な冷却キャンロール16と大径
な冷却キャンロール17との間に形成された隙間の上方
部位には、非磁性下地膜及び強磁性金属薄膜への膜付け
時の最大入射角θmaxをそれぞれ規制するための最大
入射角規制マスク25が設けられている。
In addition, the maximum incidence when the film is applied to the non-magnetic base film and the ferromagnetic metal thin film is located above the gap formed between the small-diameter cooling can roll 16 and the large-diameter cooling can roll 17. A maximum incident angle restricting mask 25 for restricting the angle θmax is provided.

【0036】また、大径な冷却キャンロール17の下方
には、強磁性金属薄膜への膜付け時の最小入射角θmi
nを規制するための第2の最小入射角規制マスク26が
設けられている。従って、第1,第2の最小入射角規制
マスク23,26は、一つのルツボ18を挟んで各冷却
キャンロール16,17近傍に略ハ字状に設けられてい
る。また、大径な冷却キャンロール17と第2の最小入
射角規制マスク26との間に第2の酸素ガス導入パイプ
27が取り付けられている。そして、第2の酸素ガス導
入パイプ27に形成された複数の孔(図示せず)から第
1の酸素ガス導入パイプ24による所定量の酸素ガスO
よりもガス量を大巾に削減した酸素ガスOが射出さ
れて、ルツボ18内から蒸発したCo蒸気流19aにガ
ス量を削減した酸素ガスOが吹き付けられている。
Below the large-diameter cooling can roll 17, a minimum incident angle θmi when the ferromagnetic metal thin film is applied is formed.
A second minimum incident angle restricting mask 26 for restricting n is provided. Therefore, the first and second minimum incident angle regulating masks 23 and 26 are provided in a substantially C-shape in the vicinity of the cooling can rolls 16 and 17 with one crucible 18 interposed therebetween. Further, a second oxygen gas introduction pipe 27 is attached between the large-diameter cooling can roll 17 and the second minimum incident angle regulating mask 26. Then, a predetermined amount of oxygen gas O is supplied from the plurality of holes (not shown) formed in the second oxygen gas introduction pipe 27 by the first oxygen gas introduction pipe 24.
Oxygen gas O 2 with a reduced amount of gas by a large margin than 2 is injected, oxygen gas O 2 with a reduced amount of gas is blown to Co vapor stream 19a evaporated from the crucible 18.

【0037】尚、酸素導入パイプ24からの酸素ガスO
と、酸素導入パイプ27からの酸素ガスOは、最大
入射角規制マスク25の下部を下方のルツボ18側に向
かって延出させることで、各酸素導入パイプ24,27
からの酸素ガスOが小径な冷却キャンロール16側と
大径な冷却キャンロール17側とでセパレートされてい
る。
The oxygen gas O from the oxygen introduction pipe 24
2 and the oxygen gas O 2 from the oxygen introduction pipe 27, by extending the lower part of the maximum incident angle regulating mask 25 toward the lower crucible 18 side, the respective oxygen introduction pipes 24, 27
The oxygen gas O 2 is separated by the small-sized cooling can roll 16 and the large-sized cooling can roll 17.

【0038】上記により、ベースフィルム12の走行路
の上流側では、小径な冷却キャンロール16近傍にベー
スフィルム12の走行路の下流に向かって順に第1の最
小入射角規制マスク23と最大入射角規制マスク25が
設けられ、更に、ベースフィルム12の走行路の下流側
では、大径な冷却キャンロール17近傍にベースフィル
ム12の走行路の下流に向かって順に最大入射角規制マ
スク25と第2の最小入射角規制マスク26とが設けら
れており、この際、最大入射角規制マスク25は共用さ
れている。
As described above, on the upstream side of the traveling path of the base film 12, the first minimum incident angle regulating mask 23 and the maximum incident angle are arranged in the vicinity of the small-diameter cooling can roll 16 toward the downstream of the traveling path of the base film 12. A restricting mask 25 is provided. Further, on the downstream side of the traveling path of the base film 12, the maximum incident angle regulating mask 25 and the second incident angle regulating mask 25 are arranged in the vicinity of the large-diameter cooling can roll 17 toward the downstream of the traveling path of the base film 12. And the minimum incident angle regulating mask 26 is provided, and in this case, the maximum incident angle regulating mask 25 is shared.

【0039】ここで、第1実施例を具体的に説明する
と、小径な冷却キャンロール16は直径150mmで幅
260mm、大径な冷却キャンロール17は直径300
mmで幅260mm、ベースフィルム12の厚さは6.
4μmのPETで幅200mmで成膜エリアは幅150
mmである。また、ルツボ18内のCo磁性金属材19
の溶融蒸発は最大出力30kWを有するピアス型電子銃
20を用いた。各マスク(遮蔽板)23,25,26は
4〜7mm厚のステンレス製で水冷しながら成膜エリア
外周を囲んでいる。また、ルツボ18の片端部分からは
連続的にCo磁性金属材19が一定量供給されるように
供給機(図示せず)を設置した。また、酸素ガス導入パ
イプ24,27は、ガス導入口が1カ所のループ状のも
ので、φ1/4”のステンレス管にφ0.5mmのガス
吹き出し微細孔を3mmピッチで開けたものを使用し、
吹き出し微細孔部分が蒸気流入射部に向かってベースフ
ィルム12の幅方向に平行になるように配設した。ま
た、第1,第2の最小入射角規制マスク23,26によ
る最小入射角θminは約45度とした。
Here, the first embodiment will be specifically described. The small diameter cooling can roll 16 has a diameter of 150 mm and a width of 260 mm, and the large diameter cooling can roll 17 has a diameter of 300 mm.
mm, width 260 mm, thickness of base film 12 is 6.
4 μm PET, width 200 mm, film formation area width 150
mm. The Co magnetic metal material 19 in the crucible 18
The piercing electron gun 20 having a maximum output of 30 kW was used for melting and evaporating. Each of the masks (shielding plates) 23, 25, and 26 is made of stainless steel having a thickness of 4 to 7 mm and surrounds the outer periphery of the film forming area while being cooled with water. A supply machine (not shown) was provided so that a constant amount of Co magnetic metal material 19 was continuously supplied from one end of the crucible 18. The oxygen gas introduction pipes 24 and 27 each have a loop shape with a single gas introduction port, and are formed by piercing fine holes of φ0.5 mm in a φ1 / 4 ”stainless steel pipe at a pitch of 3 mm. ,
The blowout micropores were arranged so as to be parallel to the width direction of the base film 12 toward the steam flow incident portion. The minimum incident angle θmin by the first and second minimum incident angle regulating masks 23 and 26 was set to about 45 degrees.

【0040】そして、供給ロール13に巻回したベース
フィルム12を複数のガイドローラ15を経由して小径
な冷却キャンロール16に沿って第1の最小入射角規制
マスク23側から最大入射角規制マスク25側に向かっ
て走行させる途中で、酸素ガス導入パイプ24から高純
度酸素ガスOを100〜200ccm導入し、この高
純度酸素ガスOでルツボ18内から蒸発したCo蒸気
19aを完全に酸化させると共に、両マスク23,25
間を通過させる時に、ベースフィルム12へのCo蒸気
流19aの入射角を漸次増大させながら、ベースフィル
ム12上にCoO非磁性下地膜を略0.07μmの厚み
で成膜した。この際、高純度酸素ガスO の導入量を1
00〜200ccmに設定した時に、CoO非磁性下地
膜は磁化が生じないことを予備実験で振動型磁力計(V
SM)により確認している。
The base wound around the supply roll 13
The film 12 has a small diameter via a plurality of guide rollers 15.
First minimum angle of incidence control along the cooling can roll 16
From the mask 23 side to the maximum incident angle control mask 25 side
On the way from the oxygen gas introduction pipe 24
Degree oxygen gas O2100-200 ccm
Purity oxygen gas O2Co vapor evaporated from inside the crucible 18 at
19a is completely oxidized and both masks 23, 25
When passing through the gap, Co vapor to the base film 12
While gradually increasing the incident angle of the stream 19a,
A CoO non-magnetic base film having a thickness of about 0.07 μm
Was formed. At this time, high purity oxygen gas O 2Introduce 1
When set to 00 to 200 ccm, the CoO non-magnetic base
In a preliminary experiment, it was confirmed that the film was not magnetized by a vibrating magnetometer (V
SM).

【0041】尚、Co蒸気流19aをベースフィルム1
2上に成膜する際に、非磁性になるか否かは、Co蒸気
流19aの段階でなく、ベースフィルム12上に成膜し
た段階で決定されるものである。
Incidentally, the Co vapor stream 19a was applied to the base film 1
When the film is formed on the base film 12, whether or not the film becomes nonmagnetic is determined not at the stage of the Co vapor flow 19 a but at the stage of forming the film on the base film 12.

【0042】またこの時、図2に示したように、CoO
非磁性下地膜の成長粒子(コラム)は、第1の最小入射
角規制マスク23による最小入射角θmin側での密な
付着状態から最大入射角規制マスク25による最大入射
角θmax側での粗な付着状態に移行しながらベースフ
ィルム12上に成膜されるので、CoO非磁性下地膜の
成長粒子(コラム)の表層部位は粗な付着状態であるの
で孤立化が増す。
At this time, as shown in FIG.
The grown particles (columns) of the non-magnetic base film are densely adhered on the minimum incident angle θmin side by the first minimum incident angle regulating mask 23 to coarse on the maximum incident angle θmax side by the maximum incident angle regulating mask 25. Since the film is formed on the base film 12 while shifting to the adhered state, the surface layer portion of the grown particles (columns) of the CoO non-magnetic underlayer is in a coarsely adhered state, thereby increasing isolation.

【0043】この後、CoO非磁性下地膜を成膜したベ
ースフィルム12を大径な冷却キャンロール17に沿っ
て最大入射角規制マスク25側から第2の最小入射角規
制マスク26側に向かって走行させる途中で、酸素ガス
導入パイプ27からの高純度酸素ガスOのガス量を非
磁性下地膜成膜時より大巾に削減して20ccm導入
し、ルツボ18内から蒸発したCo蒸気19aに対して
磁性を持たせると共に、両マスク25,26間を通過さ
せる時に、ベースフィルム12へのCo蒸気流19aの
入射角を漸次減少させながら、ベースフィルム12上に
成膜したCoO非磁性下地膜の上に更にCo−CoO磁
性金属薄膜(強磁性金属薄膜)を処理長1000mに亘
って略0.05μmの厚みで成膜した。
Thereafter, the base film 12 on which the CoO non-magnetic underlayer is formed is moved from the maximum incident angle regulating mask 25 side to the second minimum incident angle regulating mask 26 along the cooling can roll 17 having a large diameter. During the traveling, the amount of the high-purity oxygen gas O 2 from the oxygen gas introduction pipe 27 was reduced to a large amount as compared with the non-magnetic underlayer film formation, and 20 ccm was introduced to the Co vapor 19 a evaporated from the crucible 18. The CoO non-magnetic base film formed on the base film 12 while gradually decreasing the angle of incidence of the Co vapor flow 19a on the base film 12 while providing the base film 12 with magnetism while passing between the masks 25 and 26. Further, a Co-CoO magnetic metal thin film (ferromagnetic metal thin film) was formed to a thickness of approximately 0.05 μm over a processing length of 1000 m.

【0044】この時、図2に示したように、Co−Co
O磁性金属薄膜の成長粒子(コラム)は、最大入射角規
制マスク25による最大入射角θmax側での粗な付着
状態から第2の最小入射角規制マスク26による最小入
射角θmin側での密な付着状態に移行しながら孤立化
が増したCoO非磁性下地膜上に成膜されるので、これ
に伴ってCo−CoO磁性金属薄膜の成長粒子(コラ
ム)もより一層孤立化が増し且つ同時に微細化する。こ
の結果、Co−CoO磁性金属薄膜の粒子間の磁気的相
互作用がより効果的に少なくなると共に、Co−CoO
磁性金属薄膜の磁化容易軸も膜面平行方向にそろい易く
なるため、保磁力Hcと角形比Rsの大巾な向上をもた
らすことが判った。
At this time, as shown in FIG.
The grown particles (columns) of the O magnetic metal thin film are changed from a rough attachment state on the maximum incident angle θmax side by the maximum incident angle restricting mask 25 to a dense state on the minimum incident angle θmin side by the second minimum incident angle restricting mask 26. Since the film is formed on the CoO non-magnetic underlayer film which has increased in isolation while shifting to the adhered state, the growth particles (columns) of the Co—CoO magnetic metal thin film are further isolated and increased in size at the same time. Become As a result, the magnetic interaction between the particles of the Co—CoO magnetic metal thin film is more effectively reduced, and the Co—CoO
It has been found that the axis of easy magnetization of the magnetic metal thin film is also easy to be aligned in the direction parallel to the film surface, and thus the coercive force Hc and the squareness ratio Rs are greatly improved.

【0045】そして、CoO非磁性下地膜とCo−Co
O磁性金属薄膜とを成膜するに要した時間は45分であ
る。また、ルツボ18に供給したCo量から算出したC
o磁性金属材19の利用効率は約24%であった。尚、
ここでの利用効率とは、蒸発量に対する成膜量を示して
おり、この利用効率はマスク開口面積に左右されるもの
である。
Then, the CoO non-magnetic underlayer and the Co-Co
The time required for forming the O magnetic metal thin film is 45 minutes. Also, C calculated from the amount of Co supplied to the crucible 18
o The utilization efficiency of the magnetic metal material 19 was about 24%. still,
Here, the utilization efficiency indicates a film formation amount with respect to an evaporation amount, and the utilization efficiency depends on a mask opening area.

【0046】この第1実施例では、小径な冷却キャンロ
ール16と大径な冷却キャンロール17とを用いること
で装置10Aの小型化が可能となり、且つ、CoO非磁
性下地膜とCo−CoO磁性金属薄膜とを成膜する際に
一つのルツボ18内に収容したCo磁性金属材19を共
用することで、Co磁性金属材19の利用効率を高める
ことができる。
In the first embodiment, the size of the apparatus 10A can be reduced by using the cooling can roll 16 having a small diameter and the cooling can roll 17 having a large diameter, and the CoO non-magnetic base film and the Co-CoO magnetic By sharing the Co magnetic metal material 19 accommodated in one crucible 18 when forming a metal thin film, the utilization efficiency of the Co magnetic metal material 19 can be increased.

【0047】次に、第1実施例を一部変形した変形例に
ついて図3を用いて簡略に説明する。尚、この変形例で
は第1実施例と異なる点についてのみ説明し、第1実施
例と同じ構成部材に対しては同一符号を付して説明を省
略し図示のみとする。
Next, a modified example in which the first embodiment is partially modified will be briefly described with reference to FIG. In this modification, only the points different from the first embodiment will be described, and the same components as those in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted, and only the illustration will be made.

【0048】図3に示した如く、第1実施例を一部変形
した変形例の薄膜磁気テープ製造装置10Bでは、真空
槽11Bが第1実施例の真空槽11Aよりも大型に形成
されている。この真空槽11B内の左右に設けた供給ロ
ール13と巻取ロール14との間に、2つの大径な冷却
キャンロール17,17が並設されている点が第1実施
例と異なっている。この際、図示左側でベースフィル1
2の走行路中の上流側に設けた冷却キャンロール17は
CoO非磁性下地膜用であり、一方、図示右側でベース
フィル12の走行路中の下流側に設けた冷却キャンロー
ル17はCo−CoO磁性金属薄膜用である。
As shown in FIG. 3, in a thin-film magnetic tape manufacturing apparatus 10B according to a modified example in which the first embodiment is partially modified, the vacuum chamber 11B is formed larger than the vacuum chamber 11A of the first embodiment. . This embodiment differs from the first embodiment in that two large-diameter cooling can rolls 17 and 17 are arranged in parallel between a supply roll 13 and a take-up roll 14 provided on the left and right in the vacuum chamber 11B. . At this time, the base fill 1
The cooling can roll 17 provided on the upstream side in the traveling path of No. 2 is for a CoO non-magnetic underlayer, while the cooling can roll 17 provided on the downstream side of the traveling path of the base fill 12 on the right side in the drawing is a Co-roll. For CoO magnetic metal thin film.

【0049】ここで、第1実施例を一部変形させた変形
例を具体的に説明すると、2つの大径な冷却キャンロー
ル17,17は直径300mmで幅260mmであり、
CoO非磁性下地膜側に大径な冷却キャンロール17を
用いている点が第1実施例と異なっている。
Here, a modified example in which the first embodiment is partially modified will be specifically described. The two large diameter cooling can rolls 17 have a diameter of 300 mm and a width of 260 mm.
The difference from the first embodiment is that a large-diameter cooling can roll 17 is used on the CoO non-magnetic underlayer side.

【0050】そして、CoO非磁性下地膜及びCo−C
oO磁性金属薄膜がそれぞれ第1実施例と同じ膜厚、同
じ処理長となるように、上流側に設けた冷却キャンロー
ル17の径の大きさに起因するマスク開口面積を考慮し
た上で、ベースフィル12の走行速度、酸素ガス導入パ
イプ24,27からの高純度酸素ガスOのガス量を予
め設定した場合、CoO非磁性下地膜側に大径な冷却キ
ャンロール17を用いることで、ルツボ18に供給した
Co量から算出したCo磁性金属材19の利用効率が約
28%になり、且つ、処理時間が40分となりいずれも
第1実施例より向上できた。
Then, a CoO non-magnetic underlayer and Co-C
The mask opening area caused by the diameter of the cooling can roll 17 provided on the upstream side is taken into consideration so that the oO magnetic metal thin film has the same thickness and the same processing length as those of the first embodiment. When the running speed of the fill 12 and the gas amount of the high-purity oxygen gas O 2 from the oxygen gas introduction pipes 24 and 27 are set in advance, the crucible can be formed by using a large-diameter cooling can roll 17 on the CoO non-magnetic underlayer film side. The utilization efficiency of the Co magnetic metal material 19 calculated from the amount of Co supplied to 18 was about 28%, and the processing time was 40 minutes, all of which could be improved from the first embodiment.

【0051】この変形例では、装置10Bが第1実施例
より大型化するものの、Co磁性金属材19の利用効率
を第1実施例より大きくすることができ、処理時間も第
1実施例よりも短縮できる。勿論、変形例の装置10B
を用いた場合でも、第1実施例と同様に、CoO非磁性
下地膜の成長粒子(コラム)は密な付着状態から粗な付
着状態に移行しながら成膜され、一方、Co−CoO磁
性金属薄膜の成長粒子(コラム)は粗な付着状態から密
な付着状態に移行しながら成膜されるので、これに伴っ
てCo−CoO磁性金属薄膜の成長粒子(コラム)もよ
り一層孤立化が増し且つ同時に微細化すために、良好な
静磁気特性が得られる。
In this modification, although the size of the apparatus 10B is larger than that of the first embodiment, the utilization efficiency of the Co magnetic metal material 19 can be made larger than that of the first embodiment, and the processing time is longer than that of the first embodiment. Can be shortened. Of course, the modified device 10B
Is used, as in the first embodiment, the growth particles (columns) of the CoO non-magnetic underlayer are formed while shifting from the densely attached state to the coarsely attached state, while the Co—CoO magnetic metal Since the growth particles (columns) of the thin film are formed while shifting from the rough adhesion state to the dense adhesion state, the growth particles (columns) of the Co—CoO magnetic metal thin film are further isolated. At the same time, because of miniaturization, good magnetostatic characteristics can be obtained.

【0052】<第2実施例>図4は本発明に係る第2実
施例の薄膜磁気テープ製造装置の構成を示した構成図で
ある。
<Second Embodiment> FIG. 4 is a configuration diagram showing the configuration of a thin-film magnetic tape manufacturing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【0053】図4に示した如く、本発明に係る第2実施
例の薄膜磁気テープ製造装置30も、斜方蒸着法を適用
するように構成されており、真空槽31内が図示しない
真空ポンプにより真空状態に保たれている。
As shown in FIG. 4, the thin film magnetic tape manufacturing apparatus 30 according to the second embodiment of the present invention is also configured to apply the oblique deposition method, and the inside of the vacuum chamber 31 is a vacuum pump (not shown). Is maintained in a vacuum state.

【0054】また、真空槽31内の下方には、薄膜磁気
テープの媒体素材となるベースフィルム32を巻回する
ための供給ロール33と、巻取ロール34とが互いに接
近して回転自在に設けられている。
A supply roll 33 for winding a base film 32 as a medium material of the thin-film magnetic tape and a take-up roll 34 are provided below the vacuum chamber 31 so as to be rotatable close to each other. Have been.

【0055】また、供給ロール33と巻取ロール34の
間には、複数のガイドローラ35がベースフィルム32
の所定の走行路に沿って適宜な位置に配置されている。
A plurality of guide rollers 35 are provided between the supply roll 33 and the take-up roll 34.
Are arranged at appropriate positions along a predetermined traveling path.

【0056】また、真空槽31内の上方で供給ロール3
3と巻取ロール34の間には、一つの大径な冷却キャン
ロール36が矢印方向に回転自在に設けられている。こ
の第2実施例では、特に一つの大径な冷却キャンロール
36を第1実施例で説明した大径な冷却キャンロール1
7(図1)と同様な形状(直径300mmで幅260m
m)で設けた場合、装置30を第1実施例及び従来例よ
りも大巾に小型化できる。
Further, the supply roll 3 is located above the vacuum tank 31.
One large-diameter cooling can roll 36 is provided between the roll 3 and the winding roll 34 so as to be rotatable in the direction of the arrow. In the second embodiment, in particular, one large-diameter cooling can roll 36 is replaced with the large-diameter cooling can roll 1 described in the first embodiment.
7 (Fig. 1) (300mm in diameter and 260m in width)
m), the device 30 can be made much smaller than in the first embodiment and the conventional example.

【0057】そして、供給ロール33に巻回したベース
フィルム32は、複数のガイドローラ35を通って一つ
の大径な冷却キャンロール36に送られた後に、複数の
ガイドローラ35を通って巻取ロール34に巻き取られ
るようになっている。
Then, the base film 32 wound around the supply roll 33 is sent to one large-diameter cooling can roll 36 through a plurality of guide rollers 35, and then wound up through the plurality of guide rollers 35. It is adapted to be wound around a roll 34.

【0058】また、大径な冷却キャンロール36の図示
右側でベースフィルム32の走行路中の上流側には、ベ
ースフィルム32上に非磁性下地膜を成膜するための構
成部材が複数設けられている。
A plurality of constituent members for forming a non-magnetic undercoat film on the base film 32 are provided on the right side of the large-diameter cooling can roll 36 in the drawing and on the upstream side in the running path of the base film 32. ing.

【0059】即ち、冷却キャンロール36の右下方には
第1の蒸発源が設置されており、ここでは箱状に形成し
た第1のルツボ37内にCo磁性金属材38が収容され
ている。
That is, a first evaporation source is provided at the lower right of the cooling can roll 36, and a Co magnetic metal material 38 is housed in a first crucible 37 formed in a box shape.

【0060】また、真空槽31の右側壁31aには、第
1のルツボ37内に収容したCo磁性金属材38を溶融
蒸発してCo蒸気38aにするための第1のピアス型電
子銃39が斜め下方のルツボ37に向かって取り付けら
れている。尚、以下の説明において、符番38aは、前
後の説明の状況に応じて、「Co蒸気」と記す場合と、
「Co蒸気流」と記す場合とに使い別けて説明する。
On the right side wall 31a of the vacuum chamber 31, there is provided a first piercing type electron gun 39 for melting and evaporating the Co magnetic metal material 38 contained in the first crucible 37 into Co vapor 38a. It is attached toward the crucible 37 obliquely below. In the following description, the reference numeral 38a is referred to as “Co vapor” depending on the situation before and after the description,
This will be described separately for the case of describing “Co vapor flow”.

【0061】上記したピアス型電子銃39は、ルツボ3
7内のCo磁性金属材38に向かって電子ビーム39a
が出射されており、この電子ビーム39aでCo磁性金
属材38を溶融して冷却キャンロール36に沿って走行
しているベースフィルム32側にCo蒸気38aを蒸着
させている。この際、第1のピアス型電子銃39から出
射される電子ビーム39aは、偏向マグネット40と、
偏向マグネット41とにより制御されている。
The pierce-type electron gun 39 described above comprises a crucible 3
7 toward the Co magnetic metal material 38 in the electron beam 39a.
The electron beam 39a melts the Co magnetic metal material 38 and deposits Co vapor 38a on the side of the base film 32 running along the cooling can roll 36. At this time, the electron beam 39a emitted from the first piercing type electron gun 39 is
It is controlled by the deflection magnet 41.

【0062】また、冷却キャンロール36の右側下方に
非磁性下地膜への膜付け時の最小射角θminを規制す
るための第1の最小入射角規制マスク42が設けられ、
且つ、冷却キャンロール36と第1の最小入射角規制マ
スク42との間に第1の酸素ガス導入パイプ43が取り
付けられている。そして、第1の酸素ガス導入パイプ4
3に形成された複数の孔(図示せず)から所定量の酸素
ガスOが射出されて、ルツボ37内から蒸発したCo
蒸気流38aに所定量の酸素ガスOが吹き付けられて
いる。これにより、上記した所定量の酸素ガスOでC
o蒸気38aを酸化してベースフィルム32上にCoO
非磁性下地膜を成膜している。
Further, a first minimum incident angle restricting mask 42 for restricting the minimum angle of incidence θmin at the time of applying a film to the nonmagnetic base film is provided below the right side of the cooling can roll 36,
Further, a first oxygen gas introduction pipe 43 is attached between the cooling can roll 36 and the first minimum incident angle regulating mask 42. Then, the first oxygen gas introduction pipe 4
A predetermined amount of oxygen gas O 2 is injected from a plurality of holes (not shown) formed in
Oxygen gas O 2 with a predetermined amount of steam flow 38a is blown. Thus, C in oxygen gas O 2 with a predetermined amount of the above
o The steam 38a is oxidized to form CoO on the base film 32.
A non-magnetic underlayer is formed.

【0063】また、冷却キャンロール36の右側の中心
部位近傍には、非磁性下地膜への膜付け時の最大入射角
θmaxを規制するための第1の最大入射角規制マスク
44が設けられており、この第1の最大入射角規制マス
ク44は第1の最小入射角規制マスク42よりも下流側
に設置されている。
In the vicinity of the central portion on the right side of the cooling can roll 36, a first maximum incident angle restricting mask 44 for restricting the maximum incident angle θmax when a film is applied to the non-magnetic underlayer is provided. The first maximum incident angle restricting mask 44 is provided downstream of the first minimum incident angle restricting mask 42.

【0064】一方、大径な冷却キャンロール36の図示
左側でベースフィルム32の走行路中の下流側には、ベ
ースフィルム32上に成膜した非磁性下地膜の上に更に
強磁性金属薄膜を成膜するための構成部材が右側の構成
部材と略対称に複数設けられている。
On the other hand, on the left side of the large-sized cooling can roll 36 in the drawing, on the downstream side of the running path of the base film 32, a ferromagnetic metal thin film is further formed on a non-magnetic base film formed on the base film 32. A plurality of constituent members for forming a film are provided substantially symmetrically with the constituent member on the right side.

【0065】即ち、冷却キャンロール36の左下方には
第2の蒸発源が設置されており、ここでは箱状に形成し
た第2のルツボ45内にCo磁性金属材46が収容され
ている。
That is, a second evaporation source is provided at the lower left of the cooling can roll 36, and here, a Co magnetic metal material 46 is accommodated in a second crucible 45 formed in a box shape.

【0066】また、真空槽31の左側壁31bには、第
2のルツボ45内に収容したCo磁性金属材46を溶融
蒸発してCo蒸気46aにするための第2のピアス型電
子銃47が斜め下方のルツボ45に向かって取り付けら
れている。尚、以下の説明において、符番46aは、前
後の説明の状況に応じて、「Co蒸気」と記す場合と、
「Co蒸気流」と記す場合とに使い別けて説明する。
On the left side wall 31b of the vacuum chamber 31, there is provided a second piercing electron gun 47 for melting and evaporating the Co magnetic metal material 46 housed in the second crucible 45 into Co vapor 46a. It is attached toward the crucible 45 obliquely below. In the following description, the reference numeral 46a is referred to as “Co vapor” depending on the situation before and after the description,
This will be described separately for the case of describing “Co vapor flow”.

【0067】上記したピアス型電子銃47も、ルツボ4
5内のCo磁性金属材46に向かって電子ビーム47a
が出射されており、この電子ビーム47aでCo磁性金
属材46を溶融して冷却キャンロール36に沿って走行
しているベースフィルム32側にCo蒸気46aを蒸着
させている。この際、第2のピアス型電子銃47から出
射される電子ビーム47aは、偏向マグネット48と、
偏向マグネット49とにより制御されている。
The pierce type electron gun 47 described above is also used for the crucible 4
5 toward the Co magnetic metal material 46 in the electron beam 47a.
The electron beam 47a melts the Co magnetic metal material 46 and deposits Co vapor 46a on the base film 32 running along the cooling can roll 36. At this time, the electron beam 47a emitted from the second piercing type electron gun 47 is
It is controlled by the deflection magnet 49.

【0068】また、冷却キャンロール36の左側の中心
部位近傍には、強磁性金属薄膜への膜付け時の最大入射
角θmaxを規制するための第2の最大入射角規制マス
ク50が設けられ、且つ、第2の最大入射角規制マスク
50よりも下流側で冷却キャンロール36の右側下方に
強磁性金属薄膜への膜付け時の最小射角θminを規制
するための第2の最小入射角規制マスク51が設けられ
ていると共に、冷却キャンロール36と第2の最小入射
角規制マスク51との間に第2の酸素ガス導入パイプ5
2が取り付けられている。そして、第2の酸素ガス導入
パイプ52に形成された複数の孔(図示せず)から第1
の酸素ガス導入パイプ43による所定量の酸素ガスO
よりもガス量を大巾に削減した酸素ガスOが射出され
て、ルツボ45内から蒸発したCo蒸気流46aにガス
量を削減した酸素ガスOが吹き付けられている。
In the vicinity of the central portion on the left side of the cooling can roll 36, a second maximum incident angle restricting mask 50 for restricting the maximum incident angle θmax at the time of coating the ferromagnetic metal thin film is provided. In addition, the second minimum incident angle regulation for regulating the minimum angle of incidence θmin at the time of coating the ferromagnetic metal thin film on the lower right side of the cooling can roll 36 downstream of the second maximum incident angle regulation mask 50. A mask 51 is provided, and a second oxygen gas introduction pipe 5 is provided between the cooling can roll 36 and the second minimum incident angle regulating mask 51.
2 are installed. Then, the first oxygen gas is introduced through a plurality of holes (not shown) formed in the second oxygen gas introduction pipe 52.
A predetermined amount of oxygen gas O 2 through the oxygen gas introduction pipe 43
Is injected oxygen gas O 2 with a reduced amount of gas by a large margin than oxygen gas O 2 with a reduced amount of gas is blown to Co vapor stream 46a evaporated from the crucible 45.

【0069】ここで、一つの大径な冷却キャンロール3
6を第1実施例で説明した大径な冷却キャンロール17
(図1)と同じ直径300mmで幅260mmにした時
に、上記に構成により、供給ロール33に巻回したベー
スフィルム32を複数のガイドローラ35を経由して一
つの冷却キャンロール36に沿って第1の最小入射角規
制マスク42側から第1の最大入射角規制マスク44側
に向かって走行させる途中で、酸素ガス導入パイプ43
から高純度酸素ガスOを100〜200ccm導入
し、この高純度酸素ガスOでルツボ37内から蒸発し
たCo蒸気38aを完全に酸化させると共に、両マスク
42,44間を通過させる時に、ベースフィルム32へ
のCo蒸気流38aの入射角を漸次増大させながら、ベ
ースフィルム32上にCoO非磁性下地膜を略0.07
μmの厚みで成膜した。この際、高純度酸素ガスO
導入量を100〜200ccmに設定した時に、CoO
非磁性下地膜は磁化が生じないことを予備実験で振動型
磁力計(VSM)により確認している。
Here, one large-diameter cooling can roll 3
6 is a large-diameter cooling can roll 17 described in the first embodiment.
When the diameter is set to 300 mm and the width is set to 260 mm as shown in FIG. 1, the base film 32 wound around the supply roll 33 is passed through a plurality of guide rollers 35 along one cooling can roll 36. In the course of traveling from the minimum incident angle regulating mask 42 side to the first maximum incident angle regulating mask 44 side, the oxygen gas introduction pipe 43
The high purity oxygen gas O 2 was introduced 100~200Ccm, the Co vapor 38a evaporated from the crucible 37 inside this high-purity oxygen gas O 2 with is completely oxidized, when passing between the two masks 42 and 44 from the base While gradually increasing the angle of incidence of the Co vapor stream 38a on the film 32, a CoO non-magnetic underlayer
A film was formed with a thickness of μm. At this time, when the introduction amount of the high-purity oxygen gas O 2 is set to 100 to 200 ccm, the CoO
Preliminary experiments confirmed with a vibrating magnetometer (VSM) that no magnetization occurred in the non-magnetic underlayer.

【0070】またこの時、第1実施例で図2を用いて説
明したと同様に、CoO非磁性下地膜の成長粒子(コラ
ム)は、第1の最小入射角規制マスク42による最小入
射角θmin側での密な付着状態から第1の最大入射角
規制マスク44による最大入射角θmax側での粗な付
着状態に移行しながらベースフィルム32上に成膜され
るので、CoO非磁性下地膜の成長粒子(コラム)の表
層部位は粗な付着状態であるので孤立化が増す。
At this time, similarly to the first embodiment described with reference to FIG. 2, the growth particles (columns) of the CoO non-magnetic underlayer are reduced by the minimum incident angle θmin by the first minimum incident angle regulating mask 42. The film is formed on the base film 32 while shifting from the densely attached state on the side to the coarsely attached state on the side of the maximum incident angle θmax by the first maximum incident angle regulating mask 44. Since the surface layer portion of the growing particle (column) is in a rough attached state, isolation is increased.

【0071】この後、CoO非磁性下地膜を成膜したベ
ースフィルム32を一つの冷却キャンロール36に沿っ
て第2の最大入射角規制マスク50側から第2の最小入
射角規制マスク51側に向かって走行させる途中で、酸
素ガス導入パイプ52からの高純度酸素ガスOのガス
量を非磁性下地膜成膜時より大巾に削減して30ccm
導入し、ルツボ45内から蒸発したCo蒸気46aに対
して磁性を持たせると共に、両マスク50,51間を通
過させる時に、ベースフィルム32へのCo蒸気流46
aの入射角を漸次減少させながら、ベースフィルム32
上に成膜したCoO非磁性下地膜の上に更にCo−Co
O磁性金属薄膜(強磁性金属薄膜)を処理長1000m
に亘って略0.05μmの厚みで成膜した。
Thereafter, the base film 32 on which the CoO non-magnetic underlayer is formed is moved from the second maximum incident angle regulating mask 50 side to the second minimum incident angle regulating mask 51 side along one cooling can roll 36. In the course of traveling, the gas amount of the high-purity oxygen gas O 2 from the oxygen gas introduction pipe 52 was reduced to 30 ccm from that at the time of forming the nonmagnetic underlayer film.
The Co vapor 46a introduced from the inside of the crucible 45 is provided with magnetism, and when passing between the masks 50 and 51, the Co vapor flow 46a to the base film 32 is formed.
a while gradually decreasing the incident angle of
Co-Co is further deposited on the CoO non-magnetic underlayer deposited on
O magnetic metal thin film (ferromagnetic metal thin film) processing length 1000m
Was formed at a thickness of about 0.05 μm over the entire surface.

【0072】この時、第1実施例で図2を用いて説明し
たと同様に、Co−CoO磁性金属薄膜の成長粒子(コ
ラム)は、第2の最大入射角規制マスク50による最大
入射角θmax側での粗な付着状態から第2の最小入射
角規制マスク51による最小入射角θmin側での密な
付着状態に移行しながら孤立化が増したCoO非磁性下
地膜上に成膜されるので、これに伴ってCo−CoO磁
性金属薄膜の成長粒子(コラム)もより一層孤立化が増
し且つ同時に微細化する。この結果、Co−CoO磁性
金属薄膜の粒子間の磁気的相互作用がより効果的に少な
くなると共に、Co−CoO磁性金属薄膜の磁化容易軸
も膜面平行方向にそろい易くなるため、保磁力Hcと角
形比Rsの大巾な向上をもたらすことが判った。
At this time, as described with reference to FIG. 2 in the first embodiment, the grown particles (columns) of the Co—CoO magnetic metal thin film are subjected to the maximum incident angle θmax by the second maximum incident angle regulating mask 50. The film is formed on the CoO non-magnetic underlayer film which has increased isolation while shifting from the rough attachment state on the side to the dense attachment state on the side of the minimum incident angle θmin by the second minimum incident angle regulating mask 51. Accordingly, the growth particles (columns) of the Co—CoO magnetic metal thin film are further isolated and further miniaturized. As a result, the magnetic interaction between the particles of the Co—CoO magnetic metal thin film is more effectively reduced, and the axis of easy magnetization of the Co—CoO magnetic metal thin film is easily aligned in the direction parallel to the film surface. And a large improvement in the squareness ratio Rs.

【0073】尚、第2実施例では、一つの冷却キャンロ
ール36に対して2つの蒸発源を備えているので、従来
例で説明したような、テープ状非磁性基体上に非磁性下
地膜と強磁性金属薄膜とを順に成膜する際に、それぞれ
異なる成膜材料を用いることができ、この場合には、非
磁性下地膜に対して非磁性金属あるいは金属酸化物もし
くは磁性金属などによる蒸発材蒸発流を供給するための
第1の蒸発源と、強磁性金属薄膜に対して磁性金属材蒸
発流を供給するための第2の蒸発源とを備えれば良い。
In the second embodiment, since two evaporation sources are provided for one cooling can roll 36, a non-magnetic base film and a non-magnetic base film are formed on a tape-shaped non-magnetic base as described in the conventional example. When sequentially forming the ferromagnetic metal thin film, different film forming materials can be used. In this case, a non-magnetic metal or a vaporized material such as a metal oxide or a magnetic metal is used for the non-magnetic base film. What is necessary is just to provide a first evaporation source for supplying the evaporation flow and a second evaporation source for supplying the magnetic metal material evaporation flow to the ferromagnetic metal thin film.

【0074】[0074]

【発明の効果】以上詳述した本発明に係る薄膜磁気テー
プ製造装置において、請求項1記載よると、真空槽内で
ベースフィルムを回転自在な冷却キャンロールに沿って
一方向に走行させて、走行路中の上流側でベースフィル
ムへの磁性金属材蒸気流の入射角を漸次増大させながら
ベースフィルム上に非磁性下地膜を成膜し、更に、走行
路中の下流側でベースフィルムへの磁性金属材蒸気流の
入射角を漸次減少させながら非磁性下地膜上に強磁性金
属薄膜を成膜する際、とくに、真空層内に第1,第2の
冷却キャンロールを互いに接近させて設け、この第1,
第2の冷却キャンロール間の下方に磁性金属材蒸気流を
供給するための一つの蒸発源を設置し、これに伴って、
一つの蒸発源を挟んで各冷却キャンロール近傍に第1,
第2の最小入射角規制マスクをそれぞれ設けると共に、
第1,第2の冷却キャンロール間の上方に一つの最大入
射角規制マスクを設けているので、非磁性下地膜と強磁
性金属薄膜とを一つの蒸発源からの磁性金属材蒸気流を
共用することで、磁性金属材の利用効率を高めることが
できる。
According to the thin-film magnetic tape manufacturing apparatus of the present invention described in detail above, according to the first aspect, the base film is moved in one direction along a rotatable cooling can roll in a vacuum chamber. A non-magnetic base film is formed on the base film while gradually increasing the angle of incidence of the magnetic metal vapor stream to the base film on the upstream side of the traveling path, and further on the base film on the downstream side of the traveling path. When forming a ferromagnetic metal thin film on a non-magnetic base film while gradually reducing the incident angle of the magnetic metal vapor flow, the first and second cooling can rolls are provided close to each other, particularly in a vacuum layer. , This first,
One evaporation source for supplying a magnetic metal material vapor flow is installed below the second cooling can rolls, and accordingly,
In the vicinity of each cooling can roll with one evaporation source in between,
A second minimum incident angle regulating mask is provided, and
Since one maximum incident angle regulating mask is provided between the first and second cooling can rolls, the non-magnetic undercoat film and the ferromagnetic metal thin film share the magnetic metal material vapor flow from one evaporation source. By doing so, the utilization efficiency of the magnetic metal material can be increased.

【0075】更に、ベースフィルム上に成膜した非磁性
下地膜の成長粒子(コラム)の表層部位は粗な付着状態
であるので孤立化が増し、非磁性下地膜上に成膜した強
磁性金属薄膜の成長粒子(コラム)もより一層孤立化が
増し且つ同時に微細化するので、この結果、強磁性金属
薄膜の粒子間の磁気的相互作用がより効果的に少なくな
ると共に、強磁性金属薄膜の磁化容易軸も膜面平行方向
にそろい易くなるため、保磁力と角形比の大巾な向上を
もたらすことができる。
Further, since the surface layer of the grown particles (columns) of the non-magnetic base film formed on the base film is in a coarsely adhered state, isolation is increased, and the ferromagnetic metal film formed on the non-magnetic base film is increased. The growing particles (columns) of the thin film are further isolated and further miniaturized, so that the magnetic interaction between the particles of the ferromagnetic metal thin film is more effectively reduced and the ferromagnetic metal thin film Since the axis of easy magnetization is easily aligned in the direction parallel to the film surface, it is possible to greatly improve the coercive force and the squareness ratio.

【0076】また、請求項2記載よると、真空槽内でベ
ースフィルムを回転自在な冷却キャンロールに沿って一
方向に走行させて、走行路中の上流側でベースフィルム
への蒸発材蒸気流の入射角を漸次増大させながらベース
フィルム上に非磁性下地膜を成膜し、更に、走行路中の
下流側でベースフィルムへの磁性金属材蒸気流の入射角
を漸次減少させながら非磁性下地膜上に強磁性金属薄膜
を成膜する際、とくに、ベースフィルムの走行路中に一
つの冷却キャンロールを設け、この一つの冷却キャンロ
ールを中心として走行路中の上流側でベースフィルム上
に非磁性下地膜を成膜し、更に、走行路中の下流側で非
磁性下地膜上に強磁性金属薄膜を成膜しているので、冷
却キャンロールを一つ設けることにより、装置の小型化
が達成でき、且つ、装置のコストダウンも可能となる。
According to a second aspect of the present invention, the base film is caused to travel in one direction along a rotatable cooling can roll in a vacuum chamber, and the vapor flow of the evaporant to the base film is upstream on the traveling path. A non-magnetic underlayer is formed on the base film while gradually increasing the incident angle of the magnetic metal material vapor flow to the base film on the downstream side of the running path while gradually decreasing the non-magnetic under film. When depositing a ferromagnetic metal thin film on the ground film, one cooling can roll is provided especially in the running path of the base film, and this cooling can roll is centered on the base film on the upstream side of the running path. Since a non-magnetic base film is formed, and a ferromagnetic metal thin film is formed on the non-magnetic base film on the downstream side of the traveling path, the size of the apparatus can be reduced by providing one cooling can roll. Can be achieved, and Cost of the apparatus also becomes possible.

【0077】更に、ベースフィルム上に成膜した非磁性
下地膜の成長粒子(コラム)及び非磁性下地膜上に成膜
した強磁性金属薄膜の成長粒子(コラム)の特性は、上
記した請求項1記載と同様の効果を得ることができる。
Further, the characteristics of the growth particles (columns) of the non-magnetic base film formed on the base film and the growth particles (columns) of the ferromagnetic metal thin film formed on the non-magnetic base film are as described above. The same effect as described in 1 can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る第1実施例の薄膜磁気テープ製造
装置の構成を示した構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a configuration of a thin-film magnetic tape manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明に係る第1実施例の薄膜磁気テープ製造
装置を用いて製造した薄膜磁気テープにおいて、非磁性
下地膜及び磁性薄膜の成長粒子の成長過程を模式的に示
した模式図である。
FIG. 2 is a schematic diagram schematically showing a growth process of non-magnetic underlayer and magnetic thin film growth particles in a thin film magnetic tape manufactured by using the thin film magnetic tape manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention. is there.

【図3】本発明に係る第1実施例の薄膜磁気テープ製造
装置を一部変形させた変形例を説明するための構成図で
ある。
FIG. 3 is a configuration diagram for explaining a modification in which the thin-film magnetic tape manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention is partially modified.

【図4】本発明に係る第2実施例の薄膜磁気テープ製造
装置の構成を示した構成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram showing a configuration of a thin-film magnetic tape manufacturing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図5】従来の磁気記録媒体の製造方法に使用される装
置の構成を示した構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram showing a configuration of an apparatus used in a conventional method for manufacturing a magnetic recording medium.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10A…第1実施例の薄膜磁気テープ製造装置、10B
…第1実施例を一部変形させた変形例の薄膜磁気テープ
製造装置、11A…真空槽(第1実施例)11B…(第
1実施例の変形例)、12…ベースフィルム、16…第
1の冷却キャンロール(小径な冷却キャンロール)、1
7…第2の冷却キャンロール(大径な冷却キャンロー
ル)、18…一つの蒸発源(一つのルツボ)、19…C
o磁性金属材、19a…Co蒸気又はCo蒸気流、23
…第1の最小入射角規制マスク、25…最大入射角規制
マスク、26…第2の最小入射角規制マスク、30…第
2実施例の薄膜磁気テープ製造装置、31…真空槽、3
2…ベースフィルム、36…冷却キャンロール、37…
第1の蒸発源(第1のルツボ)、38…Co磁性金属
材、38a…Co蒸気又はCo蒸気流、42…第1の最
小入射角規制マスク、44…第1の最大入射角規制マス
ク、45…第2の蒸発源(第2のルツボ)、46…Co
磁性金属材、46a…Co蒸気又はCo蒸気流、50…
第2の最大入射角規制マスク、51…第2の最小入射角
規制マスク。
10A: Thin film magnetic tape manufacturing apparatus of the first embodiment, 10B
... A thin-film magnetic tape manufacturing apparatus according to a modification of the first embodiment, 11A. Vacuum chamber (first embodiment). 11B (modification of the first embodiment). 12 base film. 1 cooling can roll (small diameter cooling can roll), 1
7 ... second cooling can roll (large cooling can roll), 18 ... one evaporation source (one crucible), 19 ... C
o Magnetic metal material, 19a ... Co vapor or Co vapor flow, 23
... First minimum incident angle restricting mask, 25... Maximum incident angle restricting mask, 26... Second minimum incident angle restricting mask, 30... Thin film magnetic tape manufacturing apparatus of the second embodiment, 31.
2 ... base film, 36 ... cooling can roll, 37 ...
A first evaporation source (first crucible), 38 ... Co magnetic metal material, 38a ... Co vapor or Co vapor flow, 42 ... first minimum incident angle regulating mask, 44 ... first maximum incident angle regulating mask, 45: second evaporation source (second crucible), 46: Co
Magnetic metal material, 46a ... Co vapor or Co vapor flow, 50 ...
Second maximum incident angle limiting mask, 51... Second minimum incident angle limiting mask.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5D112 AA03 AA05 BB05 BD03 FA02 FB02 FB13 FB24 FB25 FB28 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5D112 AA03 AA05 BB05 BD03 FA02 FB02 FB13 FB24 FB25 FB28

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空槽内でベースフィルムを回転自在な
冷却キャンロールに沿って一方向に走行させて、走行路
中の上流側で前記ベースフィルムへの磁性金属材蒸気流
の入射角を漸次増大させながら該ベースフィルム上に非
磁性下地膜を成膜し、更に、走行路中の下流側で前記ベ
ースフィルムへの前記磁性金属材蒸気流の入射角を漸次
減少させながら前記非磁性下地膜上に強磁性金属薄膜を
成膜するように構成した薄膜磁気テープ製造装置であっ
て、 前記ベースフィルムを沿わせて走行させる途中で該ベー
スフィルム上に前記非磁性下地膜を成膜するための第1
の冷却キャンロールと、 前記第1の冷却キャンロールに接近し、且つ、前記非磁
性下地膜を成膜した前記ベースフィルムを沿わせて走行
させる途中で該非磁性下地膜上に前記強磁性金属薄膜を
成膜するための第2の冷却キャンロールと、 前記第1,第2の冷却キャンロール間の下方に設置さ
れ、前記磁性金属材蒸気流を供給するための一つの蒸発
源と、 前記第1の冷却キャンロール側に対して、前記一つの蒸
発源からの前記磁性金属材蒸気流に所定量の酸素ガスを
吹き付けて前記非磁性下地膜を成膜するための第1の酸
素導入パイプと、 前記第2の冷却キャンロール側に対して、前記一つの蒸
発源からの前記磁性金属材蒸気流に前記所定量の酸素ガ
スよりガス量を削減した酸素ガスを吹き付けて前記強磁
性金属薄膜を成膜するための第2の酸素導入パイプと、 前記一つの蒸発源を挟んで前記第1,第2の冷却キャン
ロール近傍にそれぞれ設けた第1,第2の最小入射角規
制マスクと、 前記第1,第2の冷却キャンロール間の上方に設けた一
つの最大入射角規制マスクとを備えたことを特徴とする
薄膜磁気テープ製造装置。
1. A base film is run in one direction along a rotatable cooling can roll in a vacuum chamber, and an incident angle of a magnetic metal material vapor flow to the base film is gradually increased on an upstream side of a running path. Forming a non-magnetic undercoat film on the base film while increasing the non-magnetic undercoat film while gradually decreasing an incident angle of the magnetic metal material vapor flow to the base film on a downstream side of a traveling path; A thin-film magnetic tape manufacturing apparatus configured to form a ferromagnetic metal thin film thereon, wherein the non-magnetic base film is formed on the base film while running along the base film. First
And a ferromagnetic metal thin film on the non-magnetic base film while running along the base film on which the non-magnetic base film is formed while approaching the first cooling can roll. A second cooling can roll for forming a film, and one evaporation source provided below the first and second cooling can rolls for supplying the magnetic metal material vapor flow; A first oxygen introduction pipe for spraying a predetermined amount of oxygen gas onto the magnetic metal vapor stream from the one evaporation source to form the non-magnetic undercoat film on one cooling can roll side; The second cooling can roll side, the magnetic metal material vapor flow from the one evaporation source is blown with an oxygen gas, a gas amount of which is smaller than the predetermined amount of oxygen gas, to blow the ferromagnetic metal thin film. Second for film formation An oxygen introduction pipe, first and second minimum incident angle regulating masks respectively provided near the first and second cooling can rolls with the one evaporation source interposed therebetween, and the first and second cooling cans. An apparatus for manufacturing a thin film magnetic tape, comprising: one maximum incident angle regulating mask provided above between rolls.
【請求項2】 真空槽内でベースフィルムを回転自在な
冷却キャンロールに沿って一方向に走行させて、走行路
中の上流側で前記ベースフィルムへの蒸発材蒸気流の入
射角を漸次増大させながら該ベースフィルム上に非磁性
下地膜を成膜し、更に、走行路中の下流側で前記ベース
フィルムへの磁性金属材蒸気流の入射角を漸次減少させ
ながら前記非磁性下地膜上に強磁性金属薄膜を成膜する
ように構成した薄膜磁気テープ製造装置において、 前記ベースフィルムを沿わせて走行させる途中で該ベー
スフィルム上に前記非磁性下地膜を成膜し、更に、前記
非磁性下地膜上に前記強磁性金属薄膜を成膜するための
一つの冷却キャンロールと、 前記走行路中の上流側で前記一つの冷却キャンロール近
傍に下流に向かって順に設けた第1の最小入射角規制マ
スク及び第1の最大入射角規制マスクと、 前記第1の最小入射角規制マスクと前記第1の最大入射
角規制マスク間の下方に設置され、前記蒸発材蒸気流を
供給するための第1の蒸発源と、 前記走行路中の下流側で前記一つの冷却キャンロール近
傍に下流に向かって順に設けた第2の最大入射角規制マ
スク及び第2の最小入射角規制マスクと、 前記第2の最大入射角規制マスクと前記第2の最小入射
角規制マスク間の下方に設置され、前記磁性金属材蒸気
流を供給するための第2の蒸発源とを備えたことを特徴
とする薄膜磁気テープ製造装置。
2. A base film is made to travel in one direction along a rotatable cooling can roll in a vacuum chamber, and an incident angle of an evaporant vapor stream to the base film is gradually increased on an upstream side of a traveling path. Forming a non-magnetic base film on the base film while further reducing the incident angle of the magnetic metal vapor flow to the base film on the downstream side of the traveling path while gradually decreasing the incident angle on the non-magnetic base film. In a thin-film magnetic tape manufacturing apparatus configured to form a ferromagnetic metal thin film, the non-magnetic base film is formed on the base film while running along the base film; One cooling can roll for forming the ferromagnetic metal thin film on the base film, and a first minimum incidence provided in the downstream order near the one cooling can roll on the upstream side in the traveling path. Corner A first mask and a first maximum incident angle regulating mask; and a second mask provided between the first minimum incident angle regulating mask and the first maximum incident angle regulating mask for supplying the vaporized material vapor flow. A second maximum incident angle regulating mask and a second minimum incident angle regulating mask which are sequentially provided downstream in the vicinity of the one cooling can roll on the downstream side in the traveling path, and A second evaporation source provided below the second maximum incidence angle regulating mask and the second minimum incidence angle regulating mask, for supplying the magnetic metal material vapor flow. Magnetic tape manufacturing equipment.
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