JP2002288828A - Optical recording method and optical recording medium - Google Patents

Optical recording method and optical recording medium

Info

Publication number
JP2002288828A
JP2002288828A JP2001084550A JP2001084550A JP2002288828A JP 2002288828 A JP2002288828 A JP 2002288828A JP 2001084550 A JP2001084550 A JP 2001084550A JP 2001084550 A JP2001084550 A JP 2001084550A JP 2002288828 A JP2002288828 A JP 2002288828A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording
layer
linear velocity
power
pulse
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001084550A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hajime Yuzurihara
肇 譲原
Masato Harigai
眞人 針谷
Yuji Miura
裕司 三浦
Eiko Suzuki
栄子 鈴木
Yoshiyuki Kageyama
喜之 影山
Hiroko Tashiro
浩子 田代
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP2001084550A priority Critical patent/JP2002288828A/en
Publication of JP2002288828A publication Critical patent/JP2002288828A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a recording method which can record with a high density requested to a phase change type recording medium at a high linear recording velocity, and which can obtain the excellent characteristic having a wide linear velocity margin, and an optical recording medium suitable for this method. SOLUTION: The optical recording method is characterized; in that a laser beam for the irradiation of the phase change type recording medium utilizing a reversible phase change between a crystal phase and an amorphous phase is controlled by three values of recording, erasing, and bottom light-emitting powers; in that the erase level is biased to a constant value; in that an on-pulse time which is the recording power irradiation time and an off-pulse time which is the bottom power irradiation time for a mark nT (where T is a reference clock and n is an integer) to be recorded are made to be OP and FP, respectively, which constitute a pair of pulses; and in that the number N of the pulses of a pulse line satisfies the condition that 0<N<n and N>=2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば相変化型光
記録媒体や書き換え可能光記録媒体等の光記録媒体およ
び光記録方法に関する。
The present invention relates to an optical recording medium such as a phase-change optical recording medium and a rewritable optical recording medium, and an optical recording method.

【0002】[0002]

【従来の技術】書き換え可能な相変化型光記録媒体の近
年の急激な普及に伴い、高密度、高速化がますます要求
されている。Ag-In-Sb-Te系に代表される相変化記録材
料において、対物レンズの高NA化、LDの短波長化に
より大容量化が可能になっている。書き換え可能なDV
Dは、波長635〜660nm、NA0.60〜NA
0.65のPUHを用いて、記録密度を高め、さらにト
ラックピッチを0.74μmとすることにより、容量
4.7GBを達成している。
2. Description of the Related Art With the rapid spread of rewritable phase change type optical recording media in recent years, higher density and higher speed are increasingly required. In a phase change recording material typified by an Ag-In-Sb-Te system, it is possible to increase the capacity by increasing the NA of the objective lens and shortening the wavelength of the LD. Rewritable DV
D is wavelength 635-660 nm, NA 0.60-NA
The recording density is increased by using 0.65 PUH, and the track pitch is set to 0.74 μm, thereby achieving a capacity of 4.7 GB.

【0003】最近、さらなる高密度、大容量化に向け
て、波長400nmのLDと対物レンズのNAを0.8
5にし、トラックピッチを狭く、かつグルーブとランド
の両方に記録することで、20GB以上の容量をもつ相
変化型記録媒体の開発が進んでいる。
In recent years, in order to further increase the density and capacity, the NA of an LD having a wavelength of 400 nm and the NA of an objective lens have been increased to 0.8.
5, a phase change type recording medium having a capacity of 20 GB or more is being developed by recording on both grooves and lands with a narrow track pitch.

【0004】一方、大容量化とともに高転送速度も要求
されている。記録再生速度の高速化は、相変化型記録媒
体の課題である。高速に非晶質相と結晶相の相変化を行
うことは、急冷と徐冷の制御を高速に行うことが求めら
れる。そのため、非晶質相形成が容易でも結晶相形成が
困難になるため、結晶化を促進するための層を増やし多
層にすることが必要になる。
[0004] On the other hand, with the increase in capacity, a high transfer rate is also required. Increasing the recording / reproducing speed is a problem of the phase change type recording medium. In order to rapidly change the phase between the amorphous phase and the crystalline phase, it is required to control rapid cooling and slow cooling at high speed. Therefore, the formation of an amorphous phase is easy, but the formation of a crystalline phase is difficult. Therefore, it is necessary to increase the number of layers for promoting crystallization and increase the number of layers.

【0005】一方、媒体構成でなく記録方法、特にLD
の発光パルスの照射時間を制御(以下、記録ストラテジ
―という。)する方法がある。従来、発光パルスのon p
ulse,off pulseの時間の和は、基準クロックTであり、
このパルスを基本として、記録すべきマーク長に応じ、
パルスの数を増やしパルス列としたものを記録ストラテ
ジーとしている。しかしながら、記録密度を高く、しか
も記録線速を高くし記録する場合、基準クロックが短く
なるために、on pulse ,off pulse 時間がともに短くな
る。on pulse時間が短くなると、記録層を溶融状態にす
るために必要な到達温度まで上昇しにくくなり感度が下
がったり、記録ができない場合が考えられる。また、of
f pulse時間が短いと、急冷しにくくなるため、マーク
が形成しにくいなどの不具合が生じる。前者の場合、高
出力のLDを使用すればよいが、LDの出力には限界が
ある。
On the other hand, instead of the medium configuration, a recording method, particularly an LD
(Hereinafter referred to as a recording strategy). Conventionally, the emission pulse on p
The sum of the times of the ulse and off pulse is the reference clock T,
Based on this pulse, depending on the mark length to be recorded,
A recording strategy in which the number of pulses is increased to form a pulse train is used. However, when recording is performed with a high recording density and a high recording linear velocity, the on-pulse and off-pulse times are both short because the reference clock is short. When the on-pulse time is shortened, it is difficult to raise the temperature required to bring the recording layer into a molten state, so that the sensitivity may decrease or recording may not be performed. Also, of
If the f-pulse time is short, rapid cooling is difficult, which causes problems such as difficulty in forming a mark. In the former case, a high-output LD may be used, but the output of the LD is limited.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】そこで、on pulse, of
f pulseの和が1Tを基本とした場合から、2Tを基本
とした記録ストラテジーが考えられている(M.Horie,N.
Nobukuni,K.kiyono,andT.Ohno,proceeding of SPIE vo
l.4090 (2000) P135)。層構成は、下部保護層、記録
層、上部保護層、反射層の4層構成であり、これは従来
の構成である。2Tを基本としているが、記録するマー
ク長が偶数長(2T、4T等)、奇数長(3T、5T
等)で記録ストラテジーを変えている。これにより、線
速20m/sでも高い変調度が得られらているが、線速
度及びパルス波形が限られた条件となっている。低線速
から高線速まで幅広い条件に対応可能な記録方法及びそ
れに適した記録層、層構成を見出す必要がある。
Therefore, on pulse, of
From the case where the sum of f pulses is based on 1T, a recording strategy based on 2T has been considered (M. Horie, N. et al.
Nobukuni, K.kiyono, andT.Ohno, proceeding of SPIE vo
l.4090 (2000) P135). The layer configuration is a four-layer configuration of a lower protective layer, a recording layer, an upper protective layer, and a reflective layer, which is a conventional configuration. Although 2T is basically used, the mark length to be recorded is an even length (2T, 4T, etc.) and an odd length (3T, 5T, etc.).
Etc.) to change the recording strategy. Thus, a high degree of modulation is obtained even at a linear velocity of 20 m / s, but the linear velocity and the pulse waveform are limited. It is necessary to find a recording method capable of responding to a wide range of conditions from a low linear velocity to a high linear velocity, and a recording layer and a layer configuration suitable for the recording method.

【0007】本発明は前記事情に着目してなされたもの
であり、その目的とするところは、ますます相変化型記
録媒体に要求される高密度でしかも高い記録線速で記録
でき、なおかつ線速マージンの広い優れた特性が得られ
る光記録方法とこの方法に適した光記録媒体を提供する
ことにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to enable recording at a higher recording density and a higher recording linear velocity required for a phase change recording medium. An object of the present invention is to provide an optical recording method capable of obtaining excellent characteristics with a wide speed margin and an optical recording medium suitable for the method.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項1に記載された光記録方法は、結晶相と非晶
質相の可逆的相変化を利用した相変化記録型媒体に照射
するレーザー光が記録、消去、ボトムの3値の発光パワ
−で制御され、消去レベルは一定の値にバイアスされて
おり、記録すべきマークnT (Tは基準クロック、nは
整数)に対し、記録パワー照射時間であるオンパルス時
間、ボトムパワー照射時間であるオフパルス時間をそれ
ぞれOP,FPとした場合、各々OP,FPとし、これ
を一組のパルスとした場合、パルス列のパルスの数N
は、0<N<n、N≧2であることを特徴とする。
In order to solve the above problems, an optical recording method according to the present invention is directed to a phase change recording medium using a reversible phase change between a crystalline phase and an amorphous phase. The irradiating laser light is controlled by three values of light emission power of recording, erasing and bottom, the erasing level is biased to a constant value, and the mark nT to be recorded (T is a reference clock, n is an integer) is recorded. When the on-pulse time, which is the recording power irradiation time, and the off-pulse time, which is the bottom power irradiation time, are OP and FP, respectively, they are OP and FP.
Is characterized in that 0 <N <n and N ≧ 2.

【0009】また、請求項2に記載された発明は、請求
項1に記載された発明において、パルス列の個々のパル
スOPi,FPi(i=1,2・・・,N)の時間が可
変であることを特徴とする。
Further, the invention according to claim 2 is the invention according to claim 1, wherein the time of each pulse OPi, FPi (i = 1, 2,..., N) of the pulse train is variable. There is a feature.

【0010】また、請求項3に記載された発明は、請求
項1または請求項2に記載の発明において、パルス列の
i番目のパルスOPi,FPiにおいて、0.5T<O
Pi+FPi<nT(i=1,2・・・,N)であるこ
とを特徴とする。
Further, according to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the invention, 0.5T <O in the i-th pulse OPi, FPi of the pulse train.
Pi + FPi <nT (i = 1, 2,..., N).

【0011】また、請求項4に記載された発明は、請求
項1〜3のいずれかに記載の発明において先頭部のパル
ス開始時間が、0〜T遅れることを特徴とする。
The invention described in claim 4 is characterized in that, in the invention according to any one of claims 1 to 3, the pulse start time of the leading part is delayed by 0 to T.

【0012】これらの請求項1〜4に記載の発明によれ
ば、速い線速でしかも記録特性の優れた記録方法を提供
できる。
According to the first to fourth aspects of the present invention, it is possible to provide a recording method having a high linear velocity and excellent recording characteristics.

【0013】また、請求項5に記載された発明は、請求
項1に記載の方法により記録される媒体構成が、透明基
板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、上部第2保
護層、反射層の順に積層され、反射層がAgであることを
特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, a medium recorded by the method according to the first aspect is configured such that a lower protective layer, a recording layer, an upper protective layer, and an upper second protective layer are formed on a transparent substrate. The layers are laminated in this order, and the reflective layer is made of Ag.

【0014】また、請求項6に記載された発明は、請求
項1に記載の方法により記録される媒体構成が、透明基
板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層の順
に積層されたことを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, the medium configuration recorded by the method of the first aspect is such that a lower protective layer, a recording layer, an upper protective layer, and a reflective layer are sequentially arranged on a transparent substrate. It is characterized by being laminated.

【0015】また、請求項7に記載された発明は、請求
項5または請求項6に記載の記録層がGeα Gaβ Inγ S
bδ Teεであり、各元素の原子比(at%)が0<α<10,
0<β<10, 0≦γ<10, 55<δ<85, 10<ε<3
0であることを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, the recording layer according to the fifth or sixth aspect has a Geα Gaβ Inγ S
bδ Teε, and the atomic ratio (at%) of each element is 0 <α <10,
0 <β <10, 0 ≦ γ <10, 55 <δ <85, 10 <ε <3
It is characterized by being 0.

【0016】これら請求項5〜7に記載された発明によ
れば、速い線速でしかも記録特性の優れた記録媒体を提
供できる。
According to the present invention, a recording medium having a high linear velocity and excellent recording characteristics can be provided.

【0017】また、請求項8に記載された発明は、請求
項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の発明におい
て、結晶状態にある記録層に一定にバイアスされた消去
パワーを照射後、記録層が非晶質相に相変化する線速以
上を記録線速とする場合において、記録パワーによらず
結晶化が十分できる一定の消去パワーで記録することを
特徴とする。
According to a further aspect of the present invention, there is provided the recording medium according to any one of the first to fourth aspects, wherein the recording layer in the crystalline state is irradiated with a constant biased erasing power. When the recording linear velocity is equal to or higher than the linear velocity at which the recording layer changes into an amorphous phase, recording is performed with a constant erasing power that allows sufficient crystallization regardless of the recording power.

【0018】また、請求項9に記載された発明は、請求
項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の発明におい
て、一定にバイアスされた消去パワーを結晶状態にある
記録媒体に照射後、記録層が非晶質相に相変化する線速
以下を記録線速とする場合において、記録パワーと消去
パワーの比を固定して記録することを特徴とする。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the recording medium according to any one of the first to fourth aspects, wherein the erasing power with a constant bias is applied to the recording medium in a crystalline state. When the recording linear velocity is equal to or lower than the linear velocity at which the recording layer changes to an amorphous phase, recording is performed with the ratio of recording power to erasing power fixed.

【0019】これらの請求項8および請求項9に記載さ
れた発明によれば、速い線速でしかも一つの記録媒体で
広い線速に対応できる記録方法を提供できる。
According to the eighth and ninth aspects of the present invention, it is possible to provide a recording method capable of coping with a wide linear velocity with a single recording medium at a high linear velocity.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】本発明は、相変化型記録媒体の高
速、高密度記録において、優れた記録特性を得るための
記録方法及び光記録媒体に関するものである。本発明に
おいて、記録に用いるLD波長は、400nm付近から
780nm、NAは0.50以上のPUHを用い、20
m/sを越える高い記録線速度でも記録できるようにす
ることである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention relates to a recording method and an optical recording medium for obtaining excellent recording characteristics in high-speed, high-density recording of a phase change recording medium. In the present invention, the LD wavelength used for recording is from about 400 nm to 780 nm, and the NA is 0.50 or more.
The purpose is to enable recording at a high recording linear velocity exceeding m / s.

【0021】まず、記録方法について述べる。図1に従
来の記録ストラテジーを示す。記録すべきマーク長nT
(T:基準クロック、n≧2)に対し、LDの発光パル
ス波形を図のようにする。on pulse, off pulse をもつ
基本パルスの長さをTとし、マーク長に応じてこのパル
スを複数のパルスを組み合わせた波形となる。パルスの
高さのレベルはLDの記録媒体面でのパワーであり、上
から記録パワー(Pw)、消去パワー(Pe)、ボトムパワ
ー(Pb)である。消去パワーは一定の値にバイアスされ
ており、ボトムパワーは再生パワーと同じかそれ以下で
ある。ただし、記録によっては、再生パワーより高くて
も良い。実際の発光パルスのパルスの数は、n個より少
ない(n−1)個、(n-2)個である。ただし、最後の
パルスのoff pulseの長さは限定されずに変えることは
可能である。
First, the recording method will be described. FIG. 1 shows a conventional recording strategy. Mark length nT to be recorded
With respect to (T: reference clock, n ≧ 2), the light emission pulse waveform of the LD is as shown in the figure. The length of a basic pulse having on pulse and off pulse is T, and this pulse has a waveform in which a plurality of pulses are combined according to the mark length. The level of the pulse height is the power of the LD on the recording medium surface, and from the top, the recording power (Pw), the erasing power (Pe), and the bottom power (Pb). The erase power is biased to a constant value, and the bottom power is equal to or less than the read power. However, depending on the recording, it may be higher than the reproducing power. The actual number of light emission pulses is (n-1) or (n-2) less than n. However, the length of the off pulse of the last pulse can be changed without limitation.

【0022】これら条件において、記録密度を同じにし
て高い線速で記録することは、記録周波数も高くするこ
とになり、基準クロックが短くなるなっていく。従っ
て、onpulseを例えば0.5*T一定とした場合、実質
の時間は短くなり記録層の昇温、溶融がしにくくなり、
感度低下、非晶質相が形成しにくくなる。また、on pul
se時間を長くとると、off pulse時間が短くなり、やは
り非晶質相の形成がむずかしくなる。記録線速を速く、
しかもどの位置においても一定であれば、記録ストラテ
ジーはその条件に合わせれば良いが、遅い線速から速い
線速まで対応するとなると、記録ストラテジーも広い記
録線速に対応することが必要である。従来の記録ストラ
テジーは、記録線速が遅いか、記録密度が低い場合には
信号特性が十分得られていた。しかし、より高密度、高
線速記録において、十分な特性を得るための記録ストラ
テジーを考案することが必要である。
Under these conditions, recording at the same recording density and at a high linear velocity also increases the recording frequency and shortens the reference clock. Therefore, when the onpulse is, for example, constant at 0.5 * T, the actual time is shortened and the temperature rise and melting of the recording layer become difficult,
Sensitivity is reduced and an amorphous phase is hardly formed. Also, on pul
When the se time is set to be long, the off pulse time is shortened, and formation of an amorphous phase is also difficult. Increase the recording linear speed,
In addition, if the recording strategy is constant at any position, the recording strategy may be adjusted to the condition. However, if the recording strategy corresponds to a low linear velocity to a high linear velocity, it is necessary that the recording strategy also corresponds to a wide recording linear velocity. In the conventional recording strategy, when the recording linear velocity is low or the recording density is low, sufficient signal characteristics are obtained. However, in higher density, higher linear velocity recording, it is necessary to devise a recording strategy for obtaining sufficient characteristics.

【0023】そこで、本発明で用いる記録方法のうち、
高速でしかも広い線速に対応するための記録ストラテジ
ーとして、記録、消去、ボトムの3値の発光パワ−で制
御され、消去レベルは一定の値にバイアスされ、 (1)記録すべきマーク長nT(T:基準クロック、nは
整数)に対し、記録パワー照射時間であるオンパルス時
間、ボトムパワー照射時間であるオフパルス時間を、各
々OP,FPとし、これを一組のパルスとした場合、パ
ルス列のパルスの数Nが0<N<n、n≧2 (2)パルス列の個々のパルスOPi,FPi(ただ
し、i=1,2,---,N)の時間が可変であることを特徴と
する光記録方法。
Therefore, of the recording methods used in the present invention,
As a recording strategy for coping with a high speed and a wide linear velocity, recording, erasing, and bottom are controlled by three luminous powers, the erasing level is biased to a constant value, and (1) mark length nT to be recorded. For (T: reference clock, n is an integer), the on-pulse time as the recording power irradiation time and the off-pulse time as the bottom power irradiation time are OP and FP, respectively. The number N of pulses is 0 <N <n, n ≧ 2. (2) The time of each pulse OPi, FPi (where i = 1, 2,..., N) of the pulse train is variable. Optical recording method.

【0024】(3)パルス列のi番目のパルスOPi,
FPiにおいて、0.5T<OPi+FPi<nT、i=1,
2,---,N (4)先頭部のパルス開始時間が、0〜T遅れることと
なる方法で記録する。
(3) The i-th pulse OPi,
In FPi, 0.5T <OPi + FPi <nT, i = 1,
2, ---, N (4) Recording is performed in such a manner that the pulse start time at the head is delayed by 0 to T.

【0025】また、この記録方法に適した記録媒体とし
て、 (5)透明基板上に下部保護層、記録層、上部保護層、
上部第2保護層、反射層の順に積層され(図3参照)、
反射層がAgである場合 (6)透明基板上に下部保護層、記録層、上部保護層、反
射層の順に積層した(図4参照) (7)記録層がGeα Gaβ Inγ Sbδ Teεであり、各元素
の原子比(at%)が0<α<10, 0<β<10, 0≦γ<1
0, 55<δ<85, 10<ε<30の構成、記録層を用い
ることである。
Further, as a recording medium suitable for this recording method, (5) a lower protective layer, a recording layer, an upper protective layer on a transparent substrate;
The upper second protective layer and the reflective layer are laminated in this order (see FIG. 3),
When the reflective layer is Ag (6) A lower protective layer, a recording layer, an upper protective layer, and a reflective layer are sequentially laminated on a transparent substrate (see FIG. 4). (7) The recording layer is Geα Gaβ Inγ Sbδ Teε, The atomic ratio (at%) of each element is 0 <α <10, 0 <β <10, 0 ≦ γ <1
0, 55 <δ <85, 10 <ε <30, and the use of a recording layer.

【0026】さらに、上記記録媒体において、より広い
線速度で記録を可能にするために、 (8)結晶状態にある記録層に一定にバイアスされた消
去パワーを照射後、記録層が非晶質相に相変化する線速
以上を記録線速とする場合において、記録パワーによら
ず結晶化が十分できる一定の消去パワーで記録する、 (9)一定にバイアスされた消去パワーを結晶状態にあ
る記録媒体に照射後、記録層が非晶質相に相変化する線
速以下を記録線速とする場合において、記録パワーと消
去パワーの比を固定して記録することである。
Further, in order to enable recording at a wider linear velocity in the recording medium, (8) the recording layer in a crystalline state is irradiated with a constant biased erasing power, and then the recording layer becomes amorphous. When the recording linear velocity is equal to or higher than the linear velocity at which the phase changes, the recording is performed with a constant erasing power that allows sufficient crystallization regardless of the recording power. (9) The erasing power with a constant bias is in a crystalline state. When the recording linear velocity is equal to or lower than the linear velocity at which the recording layer changes to an amorphous phase after irradiating the recording medium, recording is performed with the ratio of recording power to erasing power fixed.

【0027】以下、詳細に説明する。The details will be described below.

【0028】相変化型光記録媒体において、記録密度を
高く、しかもより速い線速度で記録するということは、
図1に示す基準クロックTが短くなる。すなわち、記録
層を加熱したり、冷却する時間がともに短くなるため、
所定の長さのマークの形成、あるいは所定のマーク端の
位置にマークが形成しにくくなってくる。さらに、一定
のパルス時間Tの中で、on pulse, off pulseの時間を
調整するにも限界がある。on pulseとoff pulseの時間
の比を例えば、4:6とした場合、記録層を溶融状態ま
で加熱するに要する時間が短くなるが、冷却時間がある
程度とれている場合は、より高い記録パワーをかければ
記録はできる。しかし、記録パワーには限界があるた
め、線速が速くなればなるほど、記録特性が劣ってしま
う。上部保護層の膜厚を厚くして、蓄熱をするにして
も、急冷速度が遅くなり、非晶質相が形成しにくくな
る。媒体構成や記録層材料を大きく変えることなく、十
分な特性が得られる記録ストラテジーを図2に示す。
Recording on a phase-change optical recording medium at a high recording density and at a higher linear velocity means that
The reference clock T shown in FIG. 1 becomes shorter. In other words, since the time for heating or cooling the recording layer is shortened,
It becomes difficult to form a mark of a predetermined length or to form a mark at a position of a predetermined mark end. Further, there is a limit in adjusting the on-pulse and off-pulse times within the fixed pulse time T. When the ratio of the on-pulse and the off-pulse time is, for example, 4: 6, the time required to heat the recording layer to a molten state is shortened. However, if the cooling time is sufficient, a higher recording power is required. If you can, you can record. However, since the recording power is limited, as the linear velocity increases, the recording characteristics deteriorate. Even if the thickness of the upper protective layer is increased and heat is stored, the quenching rate becomes slower, and the formation of an amorphous phase becomes difficult. FIG. 2 shows a recording strategy in which sufficient characteristics can be obtained without largely changing the medium configuration or the material of the recording layer.

【0029】記録すべきマーク長nT(T:基準クロッ
ク、nは整数)に対し、記録パワー照射時間であるオン
パルス時間、ボトムパワー照射時間であるオフパルス時
間を、各々OP,FPとし、これを一組のパルスとした
場合、パルス列のパルスの数Nを0<N<n、n≧2と
し、パルス列の個々のパルスOPi,FPi(ただし、
i=1,2,---,N)の時間が可変であること、パルス列の
i番目のパルスOPi,FPiにおいて、その和がT/
2<OPi+FPi<nTとなるようにし、さらに先頭部
のパルス開始時間が、0〜T遅れさせた条件とすること
で、十分な特性を得ることを可能にしたものである。D
VDの容量に相当する記録密度を保ったまま、DVDの
約6倍に相当する線速度21m/sで記録する場合、基
準クロックは6.5nsecになる。加熱するためのon
pulse時間と冷却のためのoff pulse時間を1:1とし
た場合、各々約3nsecの時間となる。これを基本線
速3.5m/sで記録する場合、各々19nsecにな
る。従って、加熱時間あるいは冷却時間ともに短くな
り、どちらとも記録に必要な時間が十分でないか、ある
いは、加熱、冷却どちらかの時間が不足することにな
る。そこで、パルスの数を従来より少なくするととも
に、各パルスの時間を基準クロック以上にすることによ
り、記録層の加熱、冷却時間を十分確保する。これによ
り、所定の長さのマーク形成およびオーバーライト時の
マーク形成が可能になる。また、マークは長さのみなら
ず、マーク先端部、後端部の形状、位置をいかに制御で
きるかで特性が変わる。そこで、前のマークによる熱干
渉の影響を少なくするために先頭パルスの開始時間を遅
らせ、かつマークの記録開始時間と先頭のパルス時間を
中間パルス部の時間とは異なるように調整し、マークの
記録開始位置を所定の位置にくるようにすることができ
る。さらに、後端のパルスも同様に時間を調整してもよ
い。
For the mark length nT (T: reference clock, n is an integer) to be recorded, the on-pulse time as the recording power irradiation time and the off-pulse time as the bottom power irradiation time are OP and FP, respectively. In the case of a set of pulses, the number N of pulses in the pulse train is set to 0 <N <n, n ≧ 2, and the individual pulses OPi and FPi of the pulse train (however,
i = 1, 2,..., N) is variable, and in the i-th pulse OPi, FPi of the pulse train, the sum is T /
By setting 2 <OPi + FPi <nT and setting the pulse start time at the head to be delayed by 0 to T, it is possible to obtain sufficient characteristics. D
When recording at a linear velocity of 21 m / s, which is about six times that of a DVD, while maintaining a recording density corresponding to the capacity of VD, the reference clock is 6.5 nsec. On for heating
When the pulse time and the off pulse time for cooling are set to 1: 1, each time is about 3 nsec. When this is recorded at the basic linear velocity of 3.5 m / s, each becomes 19 nsec. Accordingly, both the heating time and the cooling time are shortened, and either the time required for recording is not sufficient, or either the heating or the cooling time is insufficient. Therefore, by making the number of pulses smaller than before and making the time of each pulse equal to or longer than the reference clock, sufficient time for heating and cooling the recording layer is ensured. This makes it possible to form a mark of a predetermined length and a mark at the time of overwriting. In addition, the characteristics of the mark vary depending on how the shape and position of the mark front end and rear end as well as the length can be controlled. Therefore, in order to reduce the influence of thermal interference due to the previous mark, the start time of the leading pulse is delayed, and the recording start time of the mark and the leading pulse time are adjusted so as to be different from the time of the intermediate pulse portion, and the mark The recording start position can be set to a predetermined position. Further, the time of the trailing end pulse may be similarly adjusted.

【0030】これら記録ストラテジーに適しなおかつ従
来の遅い線速度で記録したストラテジーにも適した記録
媒体の構成、記録層組成について述べる。構成として
は、透明基板上に下部保護層、記録層、上部保護層、反
射層の順に積層する場合、透明基板上に下部保護層、記
録層、上部保護層、第二の上部保護層、反射層に順に積
層する場合がある。透明基板は、ポリカーボネートを用
いる。他にアクリル、PMMAなどがある。この基板上
に、透明で屈折率が1.8〜2.2の誘電体保護層をつ
ける。誘電体としては、酸化物、窒化物、硫化物、炭化
物あるいはこれら混合物がある。中でもZnS・SiO
、ZnS・ZrO,ZnS・SiCなどの混合物が
よい。ZNS・SiOのZnSとSiOの比率は、
70:30〜85:15がよい。他のZnSとの混合物
についても同様である。上部保護層も下部保護層と同じ
材料が用いられる。記録層は、Ga,Ge,In,Sb,Teを主要な
構成元素とし、Geα Gaβ Inγ Sbδ Teε の各元素の
原子比(at%)が0<α<10,0<β<10, 0≦γ<10,
55<δ<85, 10<ε<30である相変化材料を用い
る。Sb,Te量は、オーバーライトを多数回繰り返しして
も組成変化が起こらない条件、すなわち共晶組成付近が
よい。より速い線速に対応するために、Sb量を増加して
いくが、オーバーライト時の組成変化が大きくなってし
まうためSb量のみでは限界がある。そこで、Ga、及びIn
を添加する。これら添加元素が多すぎるとオーバーライ
ト時に添加元素の偏析が起きてしまう。Geは、高温高湿
環境下の保存性を向上させる。しかし、多すぎると、結
晶化温度が高く、結晶化速度が遅くなり、記録特性が劣
ってしまう。
The configuration and recording layer composition of a recording medium suitable for these recording strategies and also for a conventional strategy of recording at a low linear velocity will be described. When the lower protective layer, the recording layer, the upper protective layer, and the reflective layer are laminated on the transparent substrate in this order, the lower protective layer, the recording layer, the upper protective layer, the second upper protective layer, and the reflective layer are formed on the transparent substrate. The layers may be sequentially stacked. As the transparent substrate, polycarbonate is used. Other examples include acrylic and PMMA. A transparent dielectric protective layer having a refractive index of 1.8 to 2.2 is provided on the substrate. Dielectrics include oxides, nitrides, sulfides, carbides, and mixtures thereof. Above all, ZnS / SiO
2 , a mixture of ZnS.ZrO 2 , ZnS.SiC, and the like are preferable. ZnS and SiO 2 in the ratio of ZNS · SiO 2 is,
70:30 to 85:15 is preferred. The same applies to other mixtures with ZnS. The same material as the lower protective layer is used for the upper protective layer. The recording layer has Ga, Ge, In, Sb, and Te as main constituent elements, and the atomic ratio (at%) of each element of GeαGaβInγSbδTeε is 0 <α <10, 0 <β <10, 0 ≦. γ <10,
A phase change material with 55 <δ <85 and 10 <ε <30 is used. The amounts of Sb and Te are preferably such that the composition does not change even if the overwriting is repeated many times, that is, near the eutectic composition. The Sb content is increased to cope with a higher linear velocity, but there is a limit to the Sb content alone because the composition change during overwriting becomes large. Therefore, Ga and In
Is added. If these added elements are too large, segregation of the added elements will occur during overwriting. Ge improves the storability in a high-temperature, high-humidity environment. However, if it is too large, the crystallization temperature is high, the crystallization speed is slow, and the recording characteristics are inferior.

【0031】各元素の好ましい範囲は、1<Ge<5, 1<G
a<7, 0≦In<6, 60<δ<80,15<ε25である。
反射層は、熱伝導率が高く、放熱性がよいものがよく、
反射率も高い方がよい。Au,Ag,Al,Cu単体あ
るいは、これらの合金あるいは他の金属との合金があ
る。合金化は高温高湿下の腐食を抑制するのに効果があ
る。本発明において、下部保護層、記録層、上部保護
層、反射層の4層構成の場合は、下部保護層、上部保護
層がZNS・SiO(ZnS:SiO=80:2
0),記録層Ge Ga In Sb Te、反射層がAl
Ti層を主な構成としている。しかし、上部保護層が
ZNS・SiO以外である場合は、反射層をAgと
し、Agと構成元素が高温高湿下で反応しない上部保護
層であれば反射層をAgあるいは合金としても良い。こ
の場合の上部保護層としては、SiN,Al,I
,AlNなどの酸化物、窒化物などがある。上
部保護層がZNS・SiOである場合で、反射層がA
gの場合は高温高湿下で反応し、AgSを形成し、記録
特性が劣化してしまう。この場合は、上部保護層と反射
層の間に第2の上部保護層を設けて反応を防ぐ。この場
合の第2の上部保護層は、SiN,Al,In
,AlN、SiCなどの窒化物、酸化物、炭化物が
あり、熱伝導率がZNS・SiOより高くAgとの密
着性が強いものが良い。膜厚は、2nm〜10nmであ
る。他の層の膜厚は、下部保護層は35nm〜250n
m,記録層は5nm〜25nm,上部保護層は5nm〜
30nm,反射層は50nm〜250nmである。
The preferred range of each element is 1 <Ge <5, 1 <G
a <7, 0 ≦ In <6, 60 <δ <80, 15 <ε25.
The reflective layer should have high thermal conductivity and good heat dissipation,
The higher the reflectivity, the better. There are Au, Ag, Al, and Cu alone, or alloys of these, or alloys with other metals. Alloying is effective in suppressing corrosion under high temperature and high humidity. In the present invention, the lower protective layer, a recording layer, an upper protective layer, in the case of four-layer structure of the reflective layer, a lower protective layer, an upper protective layer ZNS · SiO 2 (ZnS: SiO 2 = 80: 2
0), the recording layer was GeGaInSbTe, and the reflection layer was Al.
The main structure is a Ti layer. However, when the upper protective layer is made of a material other than ZNS · SiO 2 , the reflective layer may be made of Ag, and the reflective layer may be made of Ag or an alloy as long as the upper protective layer does not react with Ag and constituent elements under high temperature and high humidity. In this case, as the upper protective layer, SiN, Al 2 O 3 , I
There are oxides such as n 2 O 3 and AlN, and nitrides. When the upper protective layer is made of ZNS · SiO 2 and the reflective layer is made of A
In the case of g, it reacts under high temperature and high humidity to form AgS, and the recording characteristics deteriorate. In this case, a reaction is prevented by providing a second upper protective layer between the upper protective layer and the reflective layer. In this case, the second upper protective layer is made of SiN, Al 2 O 3 , In 2
There are nitrides, oxides, and carbides such as O 3 , AlN, and SiC, and those having higher thermal conductivity than ZNS · SiO 2 and strong adhesion to Ag are preferable. The film thickness is 2 nm to 10 nm. The thickness of the other layers is 35 nm to 250 n for the lower protective layer.
m, the recording layer is 5 nm to 25 nm, and the upper protective layer is 5 nm to
The thickness of the reflective layer is 30 nm to 50 nm to 250 nm.

【0032】これら構成と記録層材料及び各層の膜厚を
最適化し、速くしかも広い線速で十分な記録特性を得る
ことが可能であるが、これまでは一つの媒体で、線速が
1条件の場合を述べてきたが、一つの媒体で幅広い記録
線速で対応することも必要である。この場合、記録媒体
として、最適な記録パワー、消去パワーきまる消去パワ
ーをDC照射した場合、低い線速から速い線速まで線速
を変えていくと、ある線速から記録層全体が非晶質化し
はじめる。
While it is possible to optimize the structure, the material of the recording layer and the film thickness of each layer, and obtain sufficient recording characteristics at a high speed and a wide linear velocity, a single medium has been used under one condition of a linear velocity. However, it is also necessary that one medium can handle a wide range of recording linear velocities. In this case, as the recording medium, when the optimum recording power and the erasing power are irradiated with DC at a certain erasing power, when the linear velocity is changed from a low linear velocity to a high linear velocity, the entire recording layer becomes amorphous from a certain linear velocity. Start to turn.

【0033】以下の実施例1〜8は、記録線速付近では
まだ、記録層全体が結晶相である場合である。この場合
は、記録パワーを変えるとともに、消去パワーを変えて
記録する。また、ボトムパワーは再生パワー以下とし
て、冷却速度を速くするように記録することでマークが
所定の長さで一様に形成できる。しかし、線速をいくら
でも速くすることは限界である。そのため、できるだけ
速い線速に対応するためのもう一つの記録方法として、
消去パワーをDC照射した場合に、記録層が非晶質相に
なる場合の記録線速で記録する方法である。この付近の
線速では、記録層が溶融状態になる記録パワーを照射す
ることで非晶質相は形成しやすいが、消去パワーが高す
ぎるとこのパワーにおいても非晶質相が形成されやすく
なる。そのために、消去パワーのマージンは狭くなる。
この方法の場合、消去パワーをかなり低くし固相状態で
結晶化させる方が、オーバーライトによる消し残りが少
ない。さらに、この場合、ボトムパワーがあまり低いと
冷却を促進しやすいため、再生パワーより大きくした方
が良い。記録パワーに対するマージンを確保するために
は、消去パワーを一定とする記録方法が適している。よ
り速い線速で記録するために以上の2つの方法がある。
The following Examples 1 to 8 are cases in which the entire recording layer is still in a crystalline phase near the recording linear velocity. In this case, recording is performed while changing the erasing power while changing the recording power. Also, the mark can be formed uniformly with a predetermined length by recording with the bottom power being equal to or less than the reproduction power and increasing the cooling rate. However, increasing the linear velocity as much as possible is the limit. Therefore, as another recording method to correspond to the linear velocity as fast as possible,
This is a method of recording at a recording linear velocity when the recording layer becomes an amorphous phase when DC power is applied to the erasing power. At a linear velocity in the vicinity, an amorphous phase is easily formed by irradiating recording power at which the recording layer is in a molten state. However, when the erasing power is too high, an amorphous phase is easily formed even at this power. . Therefore, the margin of the erasing power becomes narrow.
In the case of this method, when the erasing power is considerably reduced and the crystallization is performed in a solid state, the unerased residue due to overwriting is reduced. Further, in this case, if the bottom power is too low, the cooling is easily promoted. In order to secure a margin for the recording power, a recording method in which the erasing power is constant is suitable. There are the above two methods for recording at a higher linear velocity.

【0034】以下に実施例を示す。Examples will be described below.

【0035】(実施例1−4)ポリカーボネート基板上
に、ZNS・SiO 78nm,Ge Ga InSb
Te 17nm,ZNS・SiO 15nm、Al
Ti 160nmの順にスパッタリング法により作製し
た。ポリカーボネート基板の基板の厚さは、0.6m
m、溝の形状は溝深さ350nm、溝幅は0.3μm、
溝ピッチは0.74μmである。反射層の上に紫外線硬
化型樹脂を3μmの厚さとし、保護層とした。その上
に、膜のない同じ厚さのポリカーボネート基板を紫外線
硬化型樹脂でさらに接着し媒体とした。記録条件は、ピ
ックアップの波長、NAを655nm、NA0.65と
し、各記録線速とその記録線速に対応したストラテジー
で記録した。この場合は、消去パワーと記録パワーの比
を一定とした。記録層の組成、消去パワー/記録パワー
の比(Pe/Pw)は表1に示した。記録ストラテジー
は、表3に示す。
Example 1-4 On a polycarbonate substrate, ZNS / SiO 2 78 nm, Ge Ga InSb
Te 17 nm, ZNS / SiO 2 15 nm, Al
Ti was produced in the order of 160 nm by a sputtering method. The thickness of the polycarbonate substrate is 0.6m
m, groove shape is groove depth 350nm, groove width is 0.3μm,
The groove pitch is 0.74 μm. A UV-curable resin having a thickness of 3 μm was formed on the reflective layer to form a protective layer. A polycarbonate substrate of the same thickness without a film was further bonded thereon with an ultraviolet-curable resin to form a medium. The recording conditions were a pickup wavelength, NA of 655 nm and NA of 0.65, and recording was performed with each recording linear velocity and a strategy corresponding to the recording linear velocity. In this case, the ratio between the erasing power and the recording power was kept constant. Table 1 shows the composition of the recording layer and the ratio of erasing power / recording power (Pe / Pw). The recording strategy is shown in Table 3.

【0036】[0036]

【表1】 [Table 1]

【0037】[0037]

【表2】 [Table 2]

【0038】パターンを使用し、表1に示したように記
録線速に応じて異なる。記録変調方式は、(8−16)
変調である。最短マークは3Tであり、マーク長は0.
4μmである。nは、3≦n≦14であり、マークの長
さはランダムで記録した。記録パワーは、12mW〜1
6mWの範囲で変えた。表1に示す結果は、記録パワー
15mWで記録した場合である。ボトムパワーは、Pb
0.1mW,再生パワーは0.7mWである。再生線
速は3.5m/sである。変調度:{(14Tスヘ゜ースの反
射率)−(14Tマークの反射率)}/(14Tスヘ゜ースの反
射率)、 シ゛ッター 10%以下のDOW回数を示した。
A pattern is used and varies depending on the recording linear velocity as shown in Table 1. The recording modulation method is (8-16)
Modulation. The shortest mark is 3T, and the mark length is 0.
4 μm. n is 3 ≦ n ≦ 14, and the mark length was recorded at random. Recording power is 12mW ~ 1
It was changed in the range of 6 mW. The results shown in Table 1 are obtained when recording was performed at a recording power of 15 mW. The bottom power is Pb
The reproducing power is 0.1 mW and the reproducing power is 0.7 mW. The reproduction linear velocity is 3.5 m / s. Degree of modulation: {(reflectance of 14T space)-(reflectance of 14T mark)} / (reflectance of 14T space), and the number of DOWs less than or equal to 10% was shown.

【0039】(実施例5−8)ポリカーボネート基板上
に、ZNS・SiO 78nm,Ge Ga InSb
Te 17nm,ZNS・SiO 12nm、Si
C 3nm,Ag 160nmの順にスパッタリング法
により作製した。ポリカーボネート基板の基板の厚さ
は、0.6mm,溝の形状は溝深さ350nm,溝幅 0.3
μm,溝ピッチ 0.74μmである。反射層の上に紫外
線硬化型樹脂を3μmの厚さとし、保護層とした。その
上に、膜のない同じ厚さのポリカーボネート基板を紫外
線硬化型樹脂でさらに、接着し媒体とした。記録条件
は、ピックアップの波長、NAを655nm,NA0.
65とし、各記録線速とその記録線速に対応したストラ
テジーで記録した。この場合は、消去パワーと記録パワ
ーの比を一定とした。記録層の組成、消去パワー/記録
パワーの比(Pe/Pw)は表1に示した。記録ストラテジー
は、表3に示すパターンを使用し、表1に示したように
記録線速に応じて異なる。記録変調方式は、(8−1
7)変調である。最短マークは3Tであり、マーク長は
0.4μmである。nは、3≦n≦14であり、マークの
長さはランダムで記録した。記録パワーは、12mWか
ら16mWの範囲で変えた。
Example 5-8 ZNS.SiO 2 78 nm, GeGaInSb on a polycarbonate substrate
Te 17 nm, ZNS / SiO 2 12 nm, Si
It was produced by a sputtering method in the order of C 3 nm and Ag 160 nm. The thickness of the polycarbonate substrate is 0.6 mm, the groove shape is a groove depth of 350 nm, and the groove width is 0.3
μm, groove pitch 0.74 μm. A UV-curable resin having a thickness of 3 μm was formed on the reflective layer to form a protective layer. A polycarbonate substrate of the same thickness without a film was further bonded thereon with an ultraviolet curable resin to form a medium. Recording conditions were as follows: pickup wavelength, NA 655 nm, NA 0.
65, and recording was performed using each recording linear velocity and a strategy corresponding to the recording linear velocity. In this case, the ratio between the erasing power and the recording power was kept constant. Table 1 shows the composition of the recording layer and the ratio of erasing power / recording power (Pe / Pw). The recording strategy uses the patterns shown in Table 3 and varies according to the recording linear velocity as shown in Table 1. The recording modulation method is (8-1
7) Modulation. The shortest mark is 3T, and the mark length is 0.4 μm. n is 3 ≦ n ≦ 14, and the mark length was recorded at random. The recording power was changed in the range from 12 mW to 16 mW.

【0040】表1に示す結果は、記録パワー15mWで
記録した場合である。ボトムパワーは、Pb0.2m
W,再生パワーは0.7mWである。再生線速は3.5
m/sである。
The results shown in Table 1 are obtained when recording was performed at a recording power of 15 mW. Bottom power is Pb0.2m
W, the reproduction power is 0.7 mW. Reproduction linear velocity is 3.5
m / s.

【0041】(比較例1−4)4層構成は、実施例1−
4、5層構成は実施例5−8の場合と同じである。記録
ストラテジーは従来方法で行った。
(Comparative Example 1-4) The four-layer structure is the same as that of Example 1
The configuration of the four or five layers is the same as that of the embodiment 5-8. The recording strategy was performed by a conventional method.

【0042】(実施例9−11)層構成は実施例5−8
で用いた場合と同じである。記録層の組成は、表2に示
す通りである。
(Embodiments 9-11) The layer structure is as described in Embodiment 5-8.
The same as when used in. The composition of the recording layer is as shown in Table 2.

【0043】[0043]

【表3】 [Table 3]

【0044】ストラテジーはpattern 1を用い、基準ク
ロックは各線速に対応した値を用いる。記録線速が11
m/s,13m/sにおいて、Pe/Pw=0.53,
0.49とし、Tは、12.1nsec.,10.3n
sec.,Pbを0.2mWとした。
The strategy uses pattern 1, and the reference clock uses a value corresponding to each linear velocity. Recording linear velocity is 11
Pe / Pw = 0.53 at m / s and 13 m / s
0.49, and T is 12.1 nsec. , 10.3n
sec. , Pb was set to 0.2 mW.

【0045】17m/sにおいては、Pe=4.0mW
固定とし、Pb 1mWとして、記録した。その結果、
一つの記録媒体で広い線速に対応することができる。
At 17 m / s, Pe = 4.0 mW
It was fixed and recorded as Pb 1 mW. as a result,
One recording medium can cope with a wide linear velocity.

【0046】以上の記録方法及び記録媒体により、より
速い線速でしかも高密度に記録しても十分な特性を得る
ことが可能となる。
With the above-described recording method and recording medium, sufficient characteristics can be obtained even when recording is performed at a higher linear velocity and at a higher density.

【0047】[0047]

【発明の効果】請求項1〜4に記載の発明によれば、速
い線速でしかも記録特性の優れた記録方法を提供でき
る。
According to the first to fourth aspects of the present invention, it is possible to provide a recording method having a high linear velocity and excellent recording characteristics.

【0048】請求項5〜7に記載された発明によれば、
速い線速でしかも記録特性の優れた記録媒体を提供でき
る。
According to the invention described in claims 5 to 7,
A recording medium having a high linear velocity and excellent recording characteristics can be provided.

【0049】請求項8および請求項9に記載された発明
によれば、速い線速でしかも一つの記録媒体で広い線速
に対応できる記録方法を提供できる。
According to the eighth and ninth aspects of the present invention, it is possible to provide a recording method which has a high linear velocity and can cope with a wide linear velocity with one recording medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の記録ストラテジーを示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a conventional recording strategy.

【図2】本発明の記録ストラテジーを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a recording strategy of the present invention.

【図3】媒体構成の第1の例を示す積層図である。FIG. 3 is a stack diagram illustrating a first example of a medium configuration.

【図4】媒体構成の第2の例を示す積層図である。FIG. 4 is a stack diagram showing a second example of the medium configuration.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 7/24 538 B41M 5/26 X (72)発明者 鈴木 栄子 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 Fターム(参考) 2H111 EA04 EA23 EA32 EA33 FA12 FA14 FA23 FB05 FB09 FB12 FB21 FB30 5D029 JA01 JB18 LB11 LC21 MA13 5D090 AA01 CC01 DD01 FF21 HH01 KK04 KK05 5D119 AA23 AA24 BA01 BB04 DA02 HA47 HA49 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI FI Theme Court ゛ (Reference) G11B 7/24 538 B41M 5/26 X (72) Inventor Eiko Suzuki 1-3-3 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo No. 6 Inside Ricoh Co., Ltd. (72) Yoshiyuki Kageyama, Inventor 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Inside Ricoh Company (72) Hiroko Tashiro 1-3-6, Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Co., Ltd. F-term in Ricoh (reference) 2H111 EA04 EA23 EA32 EA33 FA12 FA14 FA23 FB05 FB09 FB12 FB21 FB30 5D029 JA01 JB18 LB11 LC21 MA13 5D090 AA01 CC01 DD01 FF21 HH01 KK04 KK05 5D119 AA23 HA01 BB04

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 結晶相と非晶質相の可逆的相変化を利用
した相変化記録型媒体に照射するレーザー光が記録、消
去、ボトムの3値の発光パワ−で制御され、消去レベル
は一定の値にバイアスされており、記録すべきマークn
T(Tは基準クロック、nは整数)に対し、記録パワー照
射時間であるオンパルス時間、ボトムパワー照射時間で
あるオフパルス時間をそれぞれOP,FPとした場合、
各々OP,FPとし、これを一組のパルスとした場合、
パルス列のパルスの数Nは、0<N<n、N≧2である
ことを特徴とする光記録方法。
1. A laser beam applied to a phase change recording medium utilizing a reversible phase change between a crystalline phase and an amorphous phase is controlled by ternary light emission power of recording, erasing, and bottom, and the erasing level is controlled. Mark n to be recorded, which is biased to a constant value
With respect to T (T is a reference clock, n is an integer), when the on-pulse time as the recording power irradiation time and the off-pulse time as the bottom power irradiation time are OP and FP, respectively,
When OP and FP are respectively set as a set of pulses,
An optical recording method, wherein the number N of pulses in a pulse train is 0 <N <n, N ≧ 2.
【請求項2】 パルス列の個々のパルスOPi,FPi
(i=1,2・・・,N)の時間が可変であることを特
徴とする請求項1に記載の光記録方法。
2. Individual pulses OPi, FPi of a pulse train
2. The optical recording method according to claim 1, wherein the time (i = 1, 2,..., N) is variable.
【請求項3】 パルス列のi番目のパルスOPi,FP
iにおいて、0.5T<OPi+FPi<nT(i=
1,2・・・,N)であることを特徴とする請求項1ま
たは請求項2に記載の光記録方法。
3. The i-th pulse OPi, FP of the pulse train
In i, 0.5T <OPi + FPi <nT (i =
3. The optical recording method according to claim 1, wherein the optical recording method is 1, 2,..., N).
【請求項4】 先頭部のパルス開始時間が、0〜T遅れ
ることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光
記録方法。
4. The optical recording method according to claim 1, wherein the pulse start time at the head is delayed by 0 to T.
【請求項5】 請求項1に記載の方法により記録される
媒体構成が、透明基板上に、下部保護層、記録層、上部
保護層、上部第2保護層、反射層の順に積層され、反射
層がAgであることを特徴とする光記録媒体。
5. A medium configuration recorded by the method according to claim 1, wherein a lower protective layer, a recording layer, an upper protective layer, an upper second protective layer, and a reflective layer are laminated in this order on a transparent substrate. An optical recording medium, wherein the layer is Ag.
【請求項6】 請求項1に記載の方法により記録される
媒体構成が、透明基板上に、下部保護層、記録層、上部
保護層、反射層の順に積層されたことを特徴とする光記
録媒体。
6. An optical recording comprising a medium structure recorded by the method according to claim 1 laminated on a transparent substrate in the order of a lower protective layer, a recording layer, an upper protective layer, and a reflective layer. Medium.
【請求項7】 請求項5または請求項6に記載の記録層
の構成元素と構成比がGeα Gaβ Inγ Sbδ Teεであ
り、各元素の原子比(at%)が0<α<10, 0<β<10,
0≦γ<10, 55<δ< 85, 10<ε<30であるこ
とを特徴とする光記録媒体。
7. The recording layer according to claim 5 or 6, wherein the constituent elements and the constituent ratio are Geα Gaβ Inγ Sbδ Teε, and the atomic ratio (at%) of each element is 0 <α <10, 0 <. β <10,
An optical recording medium, wherein 0 ≦ γ <10, 55 <δ <85, and 10 <ε <30.
【請求項8】 結晶状態にある記録層に一定にバイアス
された消去パワーを照射後、記録層が非晶質相に相変化
する線速以上を記録線速とする場合において、記録パワ
ーによらず結晶化が十分できる一定の消去パワーで記録
することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれ
か1項に記載の光記録方法。
8. When the recording layer in a crystalline state is irradiated with a constant biased erasing power, and when the recording linear velocity is equal to or higher than the linear velocity at which the recording layer changes to an amorphous phase, the recording power depends on the recording power. 5. The optical recording method according to claim 1, wherein recording is performed with a constant erasing power capable of sufficiently crystallization.
【請求項9】 一定にバイアスされた消去パワーを結晶
状態にある記録媒体に照射後、記録層が非晶質相に相変
化する線速以下を記録線速とする場合において、記録パ
ワーと消去パワーの比を固定して記録することを特徴と
する請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の光
記録方法。
9. A method in which a recording medium in a crystalline state is irradiated with a constant biased erasing power and the recording linear velocity is changed to a linear velocity lower than a linear velocity at which the recording layer changes to an amorphous phase. 5. The optical recording method according to claim 1, wherein recording is performed with a fixed power ratio.
JP2001084550A 2001-03-23 2001-03-23 Optical recording method and optical recording medium Pending JP2002288828A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001084550A JP2002288828A (en) 2001-03-23 2001-03-23 Optical recording method and optical recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001084550A JP2002288828A (en) 2001-03-23 2001-03-23 Optical recording method and optical recording medium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002288828A true JP2002288828A (en) 2002-10-04

Family

ID=18940199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001084550A Pending JP2002288828A (en) 2001-03-23 2001-03-23 Optical recording method and optical recording medium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002288828A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005055219A1 (en) * 2003-12-03 2005-06-16 Ricoh Company, Ltd. Optical recording medium
JPWO2004038705A1 (en) * 2002-10-28 2006-02-23 松下電器産業株式会社 Optical information recording method, optical information recording apparatus, and optical information recording medium
JP2009070561A (en) * 2003-02-19 2009-04-02 Victor Co Of Japan Ltd Optical recording method and optical recording medium

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2004038705A1 (en) * 2002-10-28 2006-02-23 松下電器産業株式会社 Optical information recording method, optical information recording apparatus, and optical information recording medium
JP2010140635A (en) * 2002-10-28 2010-06-24 Panasonic Corp Optical information recording method, optical information recording device and optical information recording medium
JP2009070561A (en) * 2003-02-19 2009-04-02 Victor Co Of Japan Ltd Optical recording method and optical recording medium
US9025424B2 (en) 2003-02-19 2015-05-05 JVC Kenwood Corporation Optical recording method, optical recording medium, optical recording medium recording apparatus, optical recording apparatus, optical disk, and optical disk recording/reproducing apparatus
US9418694B2 (en) 2003-02-19 2016-08-16 JVC Kenwood Corporation Optical recording method, optical recording medium, optical recording medium recording apparatus, optical recording apparatus, optical disk, and optical disk recording/reproducing apparatus
WO2005055219A1 (en) * 2003-12-03 2005-06-16 Ricoh Company, Ltd. Optical recording medium
EP1696430A1 (en) * 2003-12-03 2006-08-30 Ricoh Company, Ltd. Optical recording medium
EP1696430A4 (en) * 2003-12-03 2009-02-18 Ricoh Kk Optical recording medium

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100551917B1 (en) Optical recording method, optical recorder, and optical recording medium
JP2003305955A (en) Optical recording medium and recording method
US20070147210A1 (en) Recording method for a phase-change optical recording medium
JP3996051B2 (en) Optical recording method
JP3790673B2 (en) Optical recording method, optical recording apparatus, and optical recording medium
EP1638092B1 (en) Method of recording information on optical recording medium, and information recording and reproducing apparatus
WO2002043058A1 (en) Optical recording medium inspecting method and optical recording medium manufacturing method
KR19990044139A (en) Reversible Optical Information Medium
JP2002288828A (en) Optical recording method and optical recording medium
US20050286383A1 (en) Method of recording data on optical recording media and optical recording device
JP2003233929A (en) Optical recording medium and method for recording information on the same
JP2002269742A (en) Phase change optical recording medium and recording method
JP2006221712A (en) Phase change type optical recording medium and recording method thereto, and evaluation method of transition linear speed
JP2003248967A (en) Optical recording medium
WO2003028021A1 (en) Optical recording medium and its recording system
JP4407573B2 (en) Information recording method and optical recording apparatus for optical recording medium
JP2004046956A (en) Optical recording medium and optical recording method
JP4019135B2 (en) Optical recording medium and recording method therefor
JP2002203317A (en) Optical recording method, optical recorder and optical recording medium
JP3954621B2 (en) Information recording method for optical recording medium, information recording apparatus for optical recording medium, and optical recording medium
JP4368586B2 (en) Optical recording medium
JP2007237437A (en) Optical recording medium
JP2002260281A (en) Optical recording medium
JP2005108338A (en) Optical information recording medium and recording method
JP2004013926A (en) Optical information recording medium and its manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050425

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20050510

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050930

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051025

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060201

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060403

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060614