JP2002276921A - Silane removing apparatus - Google Patents

Silane removing apparatus

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JP2002276921A
JP2002276921A JP2001084386A JP2001084386A JP2002276921A JP 2002276921 A JP2002276921 A JP 2002276921A JP 2001084386 A JP2001084386 A JP 2001084386A JP 2001084386 A JP2001084386 A JP 2001084386A JP 2002276921 A JP2002276921 A JP 2002276921A
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silane
pilot burner
nozzle
burner
gas
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JP2001084386A
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Japanese (ja)
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Satohiko Mine
聡彦 嶺
Shinichiro Nomura
伸一郎 野村
Akira Baba
彰 馬場
Hidehisa Yoshizako
秀久 吉廻
Yasutsune Katsuta
康常 勝田
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Mitsubishi Power Ltd
Original Assignee
Babcock Hitachi KK
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent an adhesion of silica generated when the silane is burned and removed from a silane-containing gas to a burner and to further expedite a mixture of an exhaust gas with a combustion air. SOLUTION: In a silane burning and decomposing apparatus of the silane- containing gas such as a semiconductor manufacturing exhaust gas or the like, a distal end of a flame rod 6 for monitoring a flame of a pilot burner 2 is not projected in a furnace but reversely disposed in a burner nozzle. Thus, the adhesion of a silica powder to the distal end of the flame rod can be prevented. Further, an outer peripheral gas channel 7 for injecting outer peripheral gas along a burner cylinder and a semiconductor manufacturing exhaust gas introducing tube 8 of a gas to be treated are installed on the outer periphery of the burner 2 toward a nozzle direction of the pilot burner. Thus, approaching of the silica powder to a nozzle opening can be suppressed, and the mixture of the gas to be treated with the combustion air is expedited to improve a decomposing efficiency.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はシラン除去装置に係
り、特に、半導体製造プロセスなどで生じる排ガス中に
含まれるシランを効果的に除去する装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for removing silane, and more particularly, to an apparatus for effectively removing silane contained in exhaust gas generated in a semiconductor manufacturing process or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、地球温暖化の問題がクローズアッ
プされており、化石燃料を大量に消費して生成される一
酸化炭素、二酸化炭素等の排ガスの排出量を抑制するこ
とが求められている。
2. Description of the Related Art In recent years, the problem of global warming has been highlighted, and it has been required to suppress the emission of exhaust gas such as carbon monoxide and carbon dioxide generated by consuming a large amount of fossil fuel. I have.

【0003】半導体製造プロセスから排出される排ガス
(以下、半導体製造排ガスとも称す)には、フロン(P
FC:Perfluorocarbons,パーフルオ
ロカーボン)およびシラン(SiH)が含まれてい
る。
[0003] Exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process (hereinafter also referred to as semiconductor manufacturing exhaust gas) includes Freon (P).
FC: Perfluorocarbons, contains perfluorocarbon) and silane (SiH 4) is.

【0004】このうち、フロンは、総使用量は少ない
が、地球温暖化係数は、二酸化炭素の1,000倍から
10,000倍といわれており、半導体生産が今後も増
加することを見込むと無視できない。
Of these, chlorofluorocarbon is used in a small amount, but its global warming potential is said to be 1,000 to 10,000 times that of carbon dioxide, and it is expected that semiconductor production will continue to increase in the future. I can't ignore it.

【0005】一方、半導体製造排ガスには、フロンのほ
かにも、シランなどの有害な成分が含まれており、半導
体製造排ガス処理装置は、フロンを分解するとともに、
シランなどの有害ガスも分解する必要があり、フロンや
シランなどを無害化する排ガス処理装置の開発が必要と
されている。
[0005] On the other hand, harmful components such as silane are contained in the semiconductor manufacturing exhaust gas in addition to CFCs.
It is also necessary to decompose harmful gases such as silane, and there is a need for the development of an exhaust gas treatment device that renders chlorofluorocarbons and silanes harmless.

【0006】そこで、フロンとシランを1,000℃以
上の高温燃焼炉で同時処理する装置が考案されている
が、フッ化水素HF(フロンガス分解で生成)とシリカ
粉(シランガス分解で生成)の共存下では、シリカ粉末
の100%捕集が難しく、シリカ粉末による装置内で付
着障害を起こし、連続運転を妨げる原因となっている。
To cope with this problem, an apparatus has been devised for simultaneously processing chlorofluorocarbon and silane in a high-temperature combustion furnace at a temperature of 1,000 ° C. or higher. Under the coexistence, it is difficult to collect 100% of the silica powder, which causes an adhesion failure in the device due to the silica powder and hinders continuous operation.

【0007】そこで、それに対処するプロセスとして、
シランとフロンとを別々に処理する方法が考案された。
そこでは、まず半導体製造排ガスをシラン燃焼炉に導入
してシランのみを選択的に燃焼させ、フッ化水素が存在
しない状態で生成したシリカ粉末を捕集し、その後、フ
ロン分解装置でフロンを分解するようになっている。
[0007] Therefore, as a process to deal with it,
A method of separately treating silane and chlorofluorocarbon has been devised.
First, semiconductor production exhaust gas is introduced into a silane combustion furnace to selectively burn only silane, and to collect silica powder generated in the absence of hydrogen fluoride. It is supposed to.

【0008】従来のシラン燃焼炉は、約300℃に昇温
した燃焼炉内に半導体製造排ガスを送り込み、燃焼炉内
壁周囲に設けた数個の空気孔から供給した燃焼用空気と
シランとを反応させて燃焼分解する。
In a conventional silane combustion furnace, semiconductor production exhaust gas is sent into a combustion furnace heated to about 300 ° C., and the combustion air supplied from several air holes provided around the inner wall of the combustion furnace reacts with silane. Decompose by burning.

【0009】シランの燃焼分解によって生成するシリカ
(SiO)粉末は、下流に設置したバグフィルタなど
で捕集する。このシラン燃焼炉ではフロンガスは燃焼分
解せず、次のプロセスでフロン燃焼分解炉へと送り込
む。
[0009] Silica (SiO 2 ) powder generated by combustion decomposition of silane is collected by a bag filter or the like installed downstream. In this silane combustion furnace, the chlorofluorocarbon gas is not burned and decomposed, but is sent to the chlorofluorocarbon combustion furnace in the next process.

【0010】また、従来のシラン燃焼炉では、流量調整
された空気と燃料がノズル内で予混合され、まず、点火
プラグにて点火され、その後は、保炎部の高温循環ガス
によって保炎されてノズル先端以降で火炎を形成する。
そのため、火炎検出用のフレームロッド(火炎検知棒)
の先端は、ノズル先端より燃焼炉内に出たところに設置
される。
In a conventional silane combustion furnace, air and fuel whose flow rates have been adjusted are premixed in a nozzle, first ignited by a spark plug, and thereafter, flame is held by a high-temperature circulating gas in a flame holding section. To form a flame after the tip of the nozzle.
Therefore, flame rod for flame detection (flame detection rod)
Is installed at a position protruding into the combustion furnace from the nozzle end.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】上記シラン燃焼炉に
は、2つの問題がある。1つは、生成するシリカ粉末
(SiO)が、パイロットバーナノズル内に付着して
保炎を悪くしたり、バーナ内に設置しているフレームロ
ッドに付着して火炎検知を妨害し、失火を引き起こす原
因となることである。
The silane combustion furnace has two problems. One is that the generated silica powder (SiO 2 ) adheres to the inside of the pilot burner nozzle to deteriorate the flame holding, or adheres to the frame rod installed in the burner to hinder the flame detection, thereby causing a misfire. It is a cause.

【0012】2つ目は、燃焼炉へ供給される燃焼用空気
とシラン含有ガスとの混合が悪いと、炉内で100%の
分解反応ができず、下流のフロン燃焼炉で燃焼してシリ
カ粉末を生成し、そこで付着問題を起こすことである。
Second, if the combustion air supplied to the combustion furnace and the silane-containing gas are improperly mixed, a 100% decomposition reaction cannot be performed in the furnace, and the silica is burned in a downstream chlorofluorocarbon combustion furnace to produce silica. To produce a powder, where adhesion problems occur.

【0013】本発明の課題は、半導体製造プロセスなど
から排出されるシラン含有ガスから、シランを燃焼除去
する装置において、少なくとも、燃焼生成物であるシリ
カの付着によるパイロットバーナの燃焼不良を防止し、
さらには、シラン含有ガスと燃焼用空気との混合を促進
して、シランの燃焼分解効率を高めることである。
An object of the present invention is to provide a device for burning and removing silane from a silane-containing gas discharged from a semiconductor manufacturing process or the like, at least preventing poor combustion of a pilot burner due to adhesion of silica as a combustion product,
It is another object of the present invention to promote the mixing of the silane-containing gas with the combustion air to increase the efficiency of silane combustion decomposition.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、シラン除去装置において、パイロットバ
ーナの火炎を監視するフレームロッドの先端を、炉内に
突出させるのではなく、逆にバーナノズルの内部に位置
させた。これにより、フレームロッド先端へのシリカ粉
末の付着を防止できる。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention relates to a silane removing apparatus, in which the tip of a flame rod for monitoring the flame of a pilot burner is not protruded into a furnace, but is conversely. It was located inside the burner nozzle. This can prevent the silica powder from adhering to the end of the frame rod.

【0015】また、以下のような安定保炎を確保したパ
イロットバーナの併用により、安定燃焼は向上する。す
なわち、パイロットバーナのノズル内のガス流をノズル
内壁側へ押しやる拡大部をフレームロッドに設置した
り、パイロットバーナ先端に網を設けたり、さらには、
パイロットバーナノノズルの先端を内側から外側に向か
ってスムーズに削ることで、ノズル内部への逆流を防
ぎ、シリカ粉末のノズル内壁への付着を防止する。こう
して安定した着火保炎が達成される。
In addition, stable combustion is improved by using a pilot burner that ensures stable flame holding as described below. That is, an enlarged portion that pushes the gas flow in the nozzle of the pilot burner to the nozzle inner wall side is installed on the frame rod, a net is provided at the tip of the pilot burner, and further,
By smoothly shaving the tip of the pilot bar nano nozzle from the inside to the outside, backflow into the nozzle is prevented and adhesion of silica powder to the inner wall of the nozzle is prevented. In this way, stable ignition flame holding is achieved.

【0016】さらに、パイロットバーナの外周に、バー
ナ筒に沿って外周ガスを噴出させたり、被処理ガスであ
る半導体製造排ガスなどのシラン含有ガスの導入管を、
パイロットバーナのノズル方向に向けて設置することに
より、シリカ粉末がノズル開口部に接近するのを防ぐと
ともに、被処理ガスと燃焼用空気との混合が促進され、
シラン分解効率が向上する。
Further, an outer peripheral gas is ejected along the burner cylinder around the outer periphery of the pilot burner, and a pipe for introducing a silane-containing gas such as a semiconductor manufacturing exhaust gas to be processed is provided.
By installing it toward the nozzle direction of the pilot burner, while preventing the silica powder from approaching the nozzle opening, the mixing of the gas to be treated and the combustion air is promoted,
The silane decomposition efficiency is improved.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。本発明は、シラン除去装置
において、パイロットバーナの構造や、燃焼用空気およ
びシラン含有ガスの送入部の構造を種々考案したもので
ある。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The present invention has variously devised the structure of a pilot burner and the structure of a feed section for combustion air and a silane-containing gas in a silane removing apparatus.

【0018】図1に、本発明のシラン除去装置の一実施
形態を示す。燃焼炉1の上部に、鉛直方向に垂直なパイ
ロットバーナ2が設置され、パイロットバーナ2のバー
ナノズル8内に同心軸上にフレームロッド(火炎検知
棒)6が挿入されている。
FIG. 1 shows an embodiment of the silane removing apparatus of the present invention. A pilot burner 2 perpendicular to the vertical direction is installed on the upper part of the combustion furnace 1, and a frame rod (flame detection rod) 6 is coaxially inserted into a burner nozzle 8 of the pilot burner 2.

【0019】本発明では、このフレームロッド6の先端
を、ノズル8の開口部よりも内側に位置させた。これに
より、シランの燃焼生成物であるシリカが、フレームロ
ッドに付着することを防止した。
In the present invention, the tip of the frame rod 6 is located inside the opening of the nozzle 8. This prevented silica, which is a combustion product of silane, from adhering to the frame rod.

【0020】また、パイロットバーナ2の円筒ノズルの
外周に、本発明における外周ガス(燃焼用空気)7aの
流路7が設置されている。さらに、燃焼炉上部のパイロ
ットバーナ2の周辺部からは、シラン含有ガス3aの導
入管3が、バーナノズル先端部へ向けて斜め方向に向け
て設置されている。なお、図中の符号の2aはパイロッ
トバーナ燃焼用空気、20はLPGなどの燃料である。
A flow path 7 for an outer peripheral gas (combustion air) 7a according to the present invention is provided on the outer periphery of the cylindrical nozzle of the pilot burner 2. Further, from the periphery of the pilot burner 2 in the upper part of the combustion furnace, an introduction pipe 3 for the silane-containing gas 3a is installed obliquely toward the tip of the burner nozzle. In the drawing, reference numeral 2a denotes pilot burner combustion air, and reference numeral 20 denotes a fuel such as LPG.

【0021】外周ガス流路7からの噴出空気は、バーナ
ノズル表面へのシリカ粉末の付着を防止するだけでな
く、バーナノズル先端部で、シラン含有ガス3aと良好
に混合して、しかも火炎からの熱をうけて、被処理ガス
中のシランの燃焼分解反応を促進する。さらに、シラン
含有ガス導入管3を、パイロットバーナノズルに向けて
斜めに設置することにより、燃焼用空気との混合を促進
している。
The air ejected from the outer gas passage 7 not only prevents the silica powder from adhering to the surface of the burner nozzle, but also mixes well with the silane-containing gas 3a at the tip of the burner nozzle. To promote the combustion decomposition reaction of silane in the gas to be treated. Further, the silane-containing gas introduction pipe 3 is installed obliquely toward the pilot burner nozzle to promote mixing with the combustion air.

【0022】ここで、シラン燃焼除去装置の比較例を図
2に示す。本例では、フレームロッド6の先端が、パイ
ロットバーナ2のノズル開口部から、炉内に突出してい
る。また、本発明においてバーナノズル8に沿って設け
た外周ガス流路7を有さず、燃焼用空気4が炉内壁に設
置された空気孔5から供給される。さらに、半導体製造
排ガス(シラン含有ガス)3aの導入管3も、ノズル8
と平行に鉛直方向に設置されている。
FIG. 2 shows a comparative example of the silane combustion removing apparatus. In this example, the tip of the frame rod 6 projects from the nozzle opening of the pilot burner 2 into the furnace. Further, in the present invention, the combustion air 4 is supplied from the air hole 5 provided on the inner wall of the furnace without the outer gas flow path 7 provided along the burner nozzle 8 in the present invention. Further, the introduction pipe 3 for the semiconductor manufacturing exhaust gas (silane-containing gas) 3a is also connected to the nozzle 8
It is installed in the vertical direction in parallel with.

【0023】そのため、シランの燃焼反応により生成し
たシリカ(SiO)粉末は、炉内に突出しているフレ
ームロッド6の先端部に容易に付着し、燃焼不良の原因
となっている。また、火炎の形成されるバーナノズル先
端部とはずれた方向に半導体製造排ガスや燃焼用空気を
噴出しているので、これらのガスの混合効率が本発明の
ものに比較してよくない。
For this reason, the silica (SiO 2 ) powder produced by the combustion reaction of silane easily adheres to the tip of the frame rod 6 projecting into the furnace, causing poor combustion. Further, since semiconductor manufacturing exhaust gas and combustion air are jetted in a direction deviated from the tip of the burner nozzle where the flame is formed, the mixing efficiency of these gases is not as good as that of the present invention.

【0024】次に、本発明におけるパイロットバーナの
種々の改良例を説明する。図3は、図1におけるパイロ
ットバーナの拡大断面図である。火炎検知のフレームロ
ッド6の先端が、ノズル8内にあり、これだけでもロッ
ドへのシリカ粉末の付着防止になる。
Next, various improved examples of the pilot burner according to the present invention will be described. FIG. 3 is an enlarged sectional view of the pilot burner in FIG. The tip of the flame rod 6 for flame detection is located in the nozzle 8, and this alone prevents the silica powder from adhering to the rod.

【0025】図4は、フレームロッド6に、ガス流れを
ノズル内壁へ押しやる拡大部10を設置したパイロット
バーナの拡大断面図である。ガス流をノズル内壁側に押
しやることにより、内壁境界層における流速低下が防止
され、内壁内部への逆流の形成を阻止してノズル内部へ
のシリカ粉末が同伴付着することが抑制される。
FIG. 4 is an enlarged sectional view of a pilot burner in which an enlarged portion 10 for pushing a gas flow to an inner wall of a nozzle is installed in a frame rod 6. By forcing the gas flow to the inner wall side of the nozzle, a decrease in the flow velocity in the inner wall boundary layer is prevented, the formation of a backflow inside the inner wall is prevented, and the entrainment of silica powder inside the nozzle is suppressed.

【0026】図5は、パイロットバーナのノズル先端の
開口部の正面図であり、ここに網9を設置して、ノズル
開口部から内部への逆流を網9により抑制し、シリカ粉
末の接近を防ぐようにした例である。
FIG. 5 is a front view of the opening at the tip of the nozzle of the pilot burner, where a net 9 is installed to prevent the backflow from the nozzle opening into the interior by the net 9 to prevent the silica powder from approaching. This is an example in which it is prevented.

【0027】図6に示す例は、パイロットバーナのノズ
ル先端部が、内側から外側へスムースに削られている。
このように、ノズル開口部を末広がりに形成することに
より、燃焼ガスの円滑な噴出を可能とし、ノズル先端縁
部における渦流の発生が抑制され、シリカ粉末の逆流が
防止される。
In the example shown in FIG. 6, the nozzle tip of the pilot burner is smoothly cut from the inside to the outside.
In this way, by forming the nozzle opening divergently, the smooth ejection of the combustion gas is enabled, the generation of the vortex at the nozzle tip edge is suppressed, and the backflow of the silica powder is prevented.

【0028】なお、以上説明した本発明の種々の例にお
いて、シラン燃焼用空気の投入に関し、図1のバーナノ
ズル外周部の外周ガス流路7と図2の空気孔5とを併用
することも本発明の範囲である。
In addition, in the various examples of the present invention described above, regarding the introduction of the silane combustion air, it is also possible to use the outer gas passage 7 in the outer peripheral portion of the burner nozzle in FIG. 1 and the air hole 5 in FIG. It is within the scope of the invention.

【0029】ここで、図7に、図2に示した比較例で用
いられるパイロットバーナの一例を示す。流量調整され
た空気19と燃料20とが、ノズル8内で予混合され、
まず、点火プラグ12にて点火され、その後は、保炎部
11の高温循環ガスによって保炎されて、ノズル先端以
降で火炎21を形成する。そのため、火炎検出用のフレ
ームロッド6の先端は、ノズル先端部より炉内に出たと
ころに位置している。
FIG. 7 shows an example of a pilot burner used in the comparative example shown in FIG. The flow-regulated air 19 and fuel 20 are premixed in the nozzle 8,
First, it is ignited by the spark plug 12, and thereafter, the flame is held by the high-temperature circulating gas in the flame holding section 11, and a flame 21 is formed after the nozzle tip. Therefore, the tip of the flame rod 6 for flame detection is located at a position protruding into the furnace from the tip of the nozzle.

【0030】本例によれば、シランの燃焼分解反応によ
って生成したシリカ粉末(SiO)が、パイロットバ
ーナノズル内に付着して保炎を悪くしたり、バーナ内に
設置しているフレームロッドに付着して、火炎検知を妨
害し、また、失火を引き起こす原因となる。
According to this embodiment, the silica powder (SiO 2 ) generated by the combustion decomposition reaction of silane adheres to the inside of the pilot burner nozzle to deteriorate the flame holding, or to the flame rod installed in the burner. Adhesion can interfere with flame detection and cause a misfire.

【0031】次に、本発明になるシラン除去装置が適用
される具体的プロセスを説明する。図8は、半導体製造
排ガス処理装置の一例で、シランとフロンとを別々に処
理する方式の概略系統図である。
Next, a specific process to which the silane removing apparatus according to the present invention is applied will be described. FIG. 8 is a schematic system diagram of an example of a semiconductor manufacturing exhaust gas treatment apparatus in which silane and chlorofluorocarbon are separately treated.

【0032】まず、シランやフロンを含有する半導体製
造排ガス17を、導入管3を介してシラン燃焼炉1に導
入し、そこでシランのみを選択的に燃焼させ、フッ化水
素(HF)が存在しない状態で生成したシリカ粉末を、
シリカ捕集フィルタ16で完全に捕集する。
First, a semiconductor production exhaust gas 17 containing silane or chlorofluorocarbon is introduced into a silane combustion furnace 1 through an introduction pipe 3, where only silane is selectively burned, and there is no hydrogen fluoride (HF). The silica powder generated in the state,
The silica is completely collected by the silica collection filter 16.

【0033】その後、フロン分解装置13に導入し、ガ
ス温度1,000℃以上でフロンを分解し、生成したフ
ッ化水素を吸収塔14で湿式除去してバッファタンク1
5に収容する。有害成分を含まないガスは排気管18か
ら排気する。
Thereafter, the mixture is introduced into a chlorofluorocarbon decomposer 13, where the chlorofluorocarbon is decomposed at a gas temperature of 1,000 ° C. or higher, and the produced hydrogen fluoride is wet-removed in an absorption tower 14 to form a buffer tank 1
5 housed. Gas containing no harmful components is exhausted from the exhaust pipe 18.

【0034】このシラン燃焼炉に、本発明を適用するこ
とにより、シラン燃焼炉内では、パイロットバーナおよ
びフレームロッドへのシリカ粉末の付着がなく、長時間
にわたる安定燃焼が確保されるとともに、シラン含有ガ
スの燃焼分解効率もほぼ100%達成できる。
By applying the present invention to this silane combustion furnace, in the silane combustion furnace, silica powder does not adhere to the pilot burner and the flame rod, and stable combustion over a long period of time is ensured. Almost 100% gas combustion decomposition efficiency can be achieved.

【0035】[0035]

【発明の効果】本発明によれば、半導体製造排ガスなど
のシラン含有ガス中のシランを燃焼分解した際、生成物
であるシリカがフレームロッドやパイロットバーナ内に
付着するのが防止されるので、燃焼不良が防止され、さ
らには、被処理ガスと燃焼用空気との混合が促進され
て、長時間にわたる安定燃焼が確保されるとともに、シ
ランの燃焼分解効率も向上する。
According to the present invention, when silane in a silane-containing gas such as semiconductor manufacturing exhaust gas is burned and decomposed, silica as a product is prevented from adhering to a frame rod or a pilot burner. Poor combustion is prevented, and furthermore, the mixing of the gas to be treated and the combustion air is promoted, stable combustion over a long period of time is ensured, and the combustion decomposition efficiency of silane is also improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のシラン燃焼除去装置の一実施形態を示
す概略構成図。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a silane combustion removal apparatus of the present invention.

【図2】シラン燃焼除去装置の一比較例を示す概略構成
図。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a comparative example of a silane combustion removal device.

【図3】本発明のシラン除去装置のパイロットバーナの
一例を示す断面図。
FIG. 3 is a sectional view showing an example of a pilot burner of the silane removing device of the present invention.

【図4】本発明のシラン除去装置のパイロットバーナの
他の例を示す断面図。
FIG. 4 is a sectional view showing another example of the pilot burner of the silane removing device of the present invention.

【図5】本発明のシラン除去装置のパイロットバーナの
さらに他の例を示す断面図。
FIG. 5 is a sectional view showing still another example of the pilot burner of the silane removing device of the present invention.

【図6】本発明のシラン除去装置のパイロットバーナの
さらに他の例を示す断面図。
FIG. 6 is a sectional view showing still another example of the pilot burner of the silane removing device of the present invention.

【図7】シラン除去装置のパイロットバーナの比較例を
示す断面図。
FIG. 7 is a sectional view showing a comparative example of a pilot burner of the silane removing device.

【図8】半導体排ガス処理装置の一例を示す概略系統
図。
FIG. 8 is a schematic system diagram showing an example of a semiconductor exhaust gas treatment device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 燃焼炉 2 パイロットバーナ 3 シラン含有ガス導入管 6 フレームロッド(火炎検知棒) 6a フレームロッド先端 7 外周ガス(燃焼用空気)流路 8 ノズル 9 網 10 拡大部 11 保炎部 12 点火プラグ 17 シラン含有ガス DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Combustion furnace 2 Pilot burner 3 Silane-containing gas introduction pipe 6 Flame rod (flame detection rod) 6a Flame rod tip 7 Outer gas (combustion air) flow path 8 Nozzle 9 Net 10 Enlarged part 11 Flame holding part 12 Spark plug 17 Silane Contained gas

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 馬場 彰 広島県呉市宝町3番36号 バブコック日立 株式会社呉研究所内 (72)発明者 吉廻 秀久 広島県呉市宝町3番36号 バブコック日立 株式会社呉研究所内 (72)発明者 勝田 康常 広島県呉市宝町3番36号 バブコック日立 株式会社呉研究所内 Fターム(参考) 3K062 AA23 AB01 AC19 AC20 BA02 CA01 DA01 DB06 DB13 3K078 BA03 BA26 BA29 CA03 CA08 CA13  ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Akira Baba 3-36 Takara-cho, Kure-shi, Hiroshima Babcock-Hitachi Inside Kure Research Laboratories (72) Inventor Hidehisa Yoshiwara 3-36 Takara-cho, Kure-shi, Hiroshima Babcock-Hitachi Co., Ltd. Kure Research Institute Co., Ltd. (72) Inventor Yasunori Katsuta 3-36 Takara-cho, Kure City, Hiroshima Prefecture Babcock Hitachi Kure Research Laboratory F-term (reference)

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 シラン含有ガス中のシランを燃焼分解す
るためのパイロットバーナを備え、該パイロットバーナ
の中心軸上に、炉内温度を所定温度以上に維持するため
の火炎検知棒を有するシラン除去装置において、前記火
炎検知棒の先端を、前記パイロットバーナのノズルの内
部に位置させたことを特徴とするシラン除去装置。
1. A silane removal device comprising a pilot burner for burning and decomposing silane in a silane-containing gas, and a flame detection rod on a central axis of the pilot burner for maintaining a furnace temperature at a predetermined temperature or higher. In the apparatus, the tip of the flame detection rod is located inside a nozzle of the pilot burner.
【請求項2】 請求項1に記載のシラン除去装置におい
て、前記パイロットバーナのノズル内の燃焼用ガス流
を、前記ノズルの内壁側へ偏向させる拡大部を、前記火
炎検知棒に設置したことを特徴とするシラン除去装置。
2. The silane removing apparatus according to claim 1, wherein an enlarged portion for deflecting a combustion gas flow in a nozzle of the pilot burner toward an inner wall side of the nozzle is provided on the flame detecting rod. Characteristic silane removal equipment.
【請求項3】 請求項1または2に記載のシラン除去装
置において、前記パイロットバーナの先端の開口部に、
網を設置したことを特徴とするシラン除去装置。
3. The silane removing apparatus according to claim 1, wherein the pilot burner has an opening at a tip thereof.
A silane removing device having a net installed.
【請求項4】 請求項1、2または3のうちいずれか1
項に記載のシラン除去装置において、前記パイロットバ
ーナのノズルの内壁の先端が、内側から外側に向かって
末広がりに削られていることを特徴とするシラン除去装
置。
4. One of claims 1, 2 and 3
3. The silane removing apparatus according to claim 1, wherein the tip of the inner wall of the nozzle of the pilot burner is cut so as to expand from the inside toward the outside.
【請求項5】 請求項1〜4のうちいずれか1項に記載
のシラン除去装置において、前記パイロットバーナの外
周に、バーナ筒に沿って外周ガスを噴出させる外周ガス
流路を備えたことを特徴とするシラン除去装置。
5. The silane removing apparatus according to claim 1, wherein an outer peripheral gas flow path for ejecting an outer peripheral gas along a burner cylinder is provided on an outer periphery of the pilot burner. Characteristic silane removal equipment.
【請求項6】 半導体の製造により生成する排ガス中に
含まれるシランを燃焼分解するためのパイロットバーナ
を有し、該パイロットバーナの中心軸上に、炉内温度を
所定温度以上に維持するための火炎検知棒を有するシラ
ン除去装置において、前記パイロットバーナの外周に、
バーナ筒に沿って外周ガスを噴出させる外周ガス流路を
備えたことを特徴とするシラン除去装置。
6. A pilot burner for combusting and decomposing silane contained in exhaust gas generated by the production of semiconductors. The pilot burner is provided on a central axis of the pilot burner for maintaining a furnace temperature at a predetermined temperature or higher. In the silane removal device having a flame detection rod, on the outer periphery of the pilot burner,
A silane removing device comprising an outer peripheral gas flow path for ejecting an outer peripheral gas along a burner cylinder.
【請求項7】 請求項1〜6のうちいずれか1項に記載
のシラン除去装置において、前記半導体製造による排ガ
ス導入流路を、前記パイロットバーナのノズルの方向に
向けて設置したことを特徴とするシラン除去装置。
7. The silane removing apparatus according to claim 1, wherein an exhaust gas introduction flow path for producing the semiconductor is installed toward a nozzle of the pilot burner. Silane removal equipment.
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