JP2002273926A - Method for manufacturing glazed substrate - Google Patents

Method for manufacturing glazed substrate

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JP2002273926A
JP2002273926A JP2001081749A JP2001081749A JP2002273926A JP 2002273926 A JP2002273926 A JP 2002273926A JP 2001081749 A JP2001081749 A JP 2001081749A JP 2001081749 A JP2001081749 A JP 2001081749A JP 2002273926 A JP2002273926 A JP 2002273926A
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resist film
manufacturing
substrate
particle diameter
glaze
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Yuichi Nakada
勇一 中田
Kazuki Baba
和希 馬場
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Shibuya Corp
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Shibuya Machinery Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a glazed substrate by which a resist film can be exactly removed an washing work after the resist film is removed is only finished by convenient washing with water and it is unnecessary to treat a used organic solvent as in the conventional case and to improve operability and to reduce cost. SOLUTION: In the method for manufacturing a glazed substrate in which a glazed layer 2 is formed on a ceramic base 1 and in addition, a resist film 3 with a specified pattern is formed thereon and after an etching treatment, the resist film 3 is removed, by spraying sodium bicarbonate particles with a particle diameter of at most 250 μm with at least a pressurized liquid from a nozzle 5. It is preferable that the mean particle diameter of the sodium bicarbonate is at most 130 μm and amount of use is at least 300 g/min. The pressurized liquid is preferably jetted at least at 3 MPa.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プリンタのサーマ
ルヘッドなどに好適なグレーズ基板の製造方法に関す
る。より詳しくは、グレーズ基板の製造工程において必
要とされるレジスト膜の除去技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a glaze substrate suitable for a thermal head of a printer. More specifically, the present invention relates to a technique for removing a resist film required in a manufacturing process of a glaze substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】グレーズ基板の製造方法として、アルミ
ナ等のセラミック基板上にグレーズ層を形成し、そのグ
レーズ層の表面にマスキングを施した上、サンドブラス
ト加工によりグレーズ層の上部を所定深さ除去すること
により、所定パターンのグレーズ基板を形成する方法が
知られている(特開平3−251466号公報)。サン
ドブラスト加工により形成された凸部分は、マスク物質
を除去した後、熱処理によるアール化(R化)が実施さ
れる。このサンドブラスト加工による従来方法は、加工
精度に限界があり、精緻なパターンの形成に技術的な難
点があった。そこで、他の方法として、セラミック基板
上にグレーズ層を形成し、そのグレーズ層の表面にレジ
スト膜を形成して、エッチングにより精緻な所定パター
ンを形成する方法が知られている(特開平9−2271
55号公報)。この方法において、レジスト膜を除去す
る際には、有機溶剤が使用されるのが一般的であった。
2. Description of the Related Art As a method of manufacturing a glaze substrate, a glaze layer is formed on a ceramic substrate of alumina or the like, the surface of the glaze layer is masked, and the upper portion of the glaze layer is removed to a predetermined depth by sandblasting. Accordingly, a method of forming a glaze substrate having a predetermined pattern is known (Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-251466). After the mask material is removed from the convex portion formed by sandblasting, the convex portion is formed into a radius (R) by heat treatment. The conventional method using the sand blast processing has a limitation in processing accuracy and has a technical difficulty in forming a fine pattern. Therefore, as another method, there is known a method in which a glaze layer is formed on a ceramic substrate, a resist film is formed on the surface of the glaze layer, and a precise predetermined pattern is formed by etching (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. Hei 9-1997). 2271
No. 55). In this method, when removing the resist film, an organic solvent was generally used.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、後者の従来
方法の場合には、精緻なパターンの形成は比較的容易な
ものの、レジスト膜の除去に有機溶剤を使用しても完全
に除去することはなかなか困難であり、薄く残存して不
良品の発生原因になるといった技術的な難点があった。
さらに、レジスト膜除去工程後に基板に付着した有機溶
媒を除去する脱溶剤作業や、その使用済の有機溶剤を処
理する上でも、手間やコストがかかった。本発明は、こ
のような従来の技術的状況に鑑みて開発したものであ
り、レジスト膜を的確効率的に除去することができ、し
かもレジスト膜除去後の洗浄作業が簡便な水洗で済み、
従来のように使用済有機溶剤の処理の必要がなく環境に
もやさしいグレーズ基板の製造方法を提供し、作業性の
向上やコストの削減を図ることを目的とするものであ
る。
In the case of the latter conventional method, it is relatively easy to form a fine pattern, but it is not possible to completely remove the resist film even by using an organic solvent. It is quite difficult, and there is a technical difficulty that it remains thin and causes defective products.
Furthermore, it takes time and effort to remove the organic solvent attached to the substrate after the resist film removing step and to treat the used organic solvent. The present invention has been developed in view of such a conventional technical situation, and it is possible to accurately and efficiently remove a resist film.
It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a glaze substrate that does not need to treat a used organic solvent and is environmentally friendly unlike the related art, and aims to improve workability and reduce costs.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明では、基
板上にグレーズ層を形成し、さらにその上に所定パター
ンのレジスト膜を形成して、エッチング処理後に前記レ
ジスト膜を除去するグレーズ基板の製造方法において、
粒子径が250μm以下の炭酸水素ナトリウム粒子を少
なくとも加圧液体と共に吹付けてレジスト膜を除去する
という技術手段を採用した。幾多の実験の結果、炭酸水
素ナトリウム粒子を用いてレジスト膜の除去を行う場合
には、その最大粒子径がグレーズ層の表面にキズをつけ
るか否かに大きく関わり、250μm以下の粒子径のも
のであれば、キズをつけることが殆どないことが判明し
た。請求項2の発明では、前記炭酸水素ナトリウム粒子
の平均粒子径は130μm以下とした。請求項3の発明
では、前記炭酸水素ナトリウム粒子の使用量は300g
/min以上とした。請求項4の発明では、前記加圧液
体は3MPa以上で噴射されるものとした。
According to the present invention, a glaze layer is formed on a substrate, a resist film having a predetermined pattern is further formed thereon, and the resist film is removed after etching. In the manufacturing method of
Technical means was employed in which sodium bicarbonate particles having a particle diameter of 250 μm or less were sprayed together with at least a pressurized liquid to remove the resist film. As a result of many experiments, when removing the resist film using sodium bicarbonate particles, the maximum particle size is largely related to whether or not the surface of the glaze layer is scratched. Then, it turned out that there was almost no scratch. In the invention according to claim 2, the average particle diameter of the sodium hydrogencarbonate particles is 130 μm or less. In the invention according to claim 3, the amount of the sodium bicarbonate particles used is 300 g.
/ Min or more. In the invention of claim 4, the pressurized liquid is ejected at 3 MPa or more.

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】レジスト膜を除去するために吹付
ける作用媒体としては、加圧液体に予め炭酸水素ナトリ
ウム粒子を混入したものでもよいし、吹付ける際にノズ
ル部でそれらを混合するものでもよい。また、更に空気
等の気体を加え液滴状にしてもよい。加圧液体として水
道水等の普通水や温水を使用すれば、レジスト膜の除去
に使用した炭酸水素ナトリウム粒子は水に溶け簡便に処
理できることから、従来の有機溶剤を使用する場合に比
べて、作業性が向上しコストの削減が可能である。しか
も、環境に対してもやさしい処理が可能である。炭酸水
素ナトリウム粒子としては、粒子径が250μm以下の
ものを使用する。ここで、粒子径とは液体に混合される
前の粉末状態における粒子径をいう。最大の粒子径が2
50μm以下であれば、種々の分布形態のものが使用可
能であり、平均粒子径としては130μm以下が好適で
ある。また、炭酸水素ナトリウム粒子の使用量に関して
は、300g/min以上が作業効率から望ましい。加
圧液体は、3MPa以上の圧力によって噴射するように
すれば、レジスト膜を効果的に除去することが可能であ
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION As a working medium to be sprayed to remove a resist film, a medium in which sodium bicarbonate particles are mixed in advance into a pressurized liquid, or a medium in which these are mixed at a nozzle portion during spraying May be. Further, a gas such as air may be further added to form a droplet. If normal water such as tap water or warm water is used as the pressurized liquid, the sodium hydrogencarbonate particles used for removing the resist film can be easily dissolved in water, so that compared to the case where a conventional organic solvent is used, Workability is improved and cost can be reduced. In addition, processing that is easy on the environment is possible. As the sodium hydrogen carbonate particles, those having a particle size of 250 μm or less are used. Here, the particle size refers to a particle size in a powder state before being mixed with a liquid. Maximum particle size is 2
If it is 50 μm or less, various distribution forms can be used, and the average particle diameter is preferably 130 μm or less. Further, regarding the amount of sodium hydrogencarbonate particles used, 300 g / min or more is desirable from the viewpoint of working efficiency. If the pressurized liquid is jetted at a pressure of 3 MPa or more, the resist film can be effectively removed.

【0006】[0006]

【実施例】図1は本発明が適用されるグレーズ基板の製
造方法に関する基本的な作業手順を例示した概略説明図
である。工程(1)ではセラミック基板1上にガラス層
等からなるグレーズ層2を形成する。工程(2)ではグ
レーズ層2の上面に所定パターンを抜いたレジスト膜3
を形成する。工程(3)ではエッチング処理を実施し
て、レジスト膜3により被覆されていない所定パターン
を浸食して凹部4を形成する。しかる後、工程(4)に
おいてレジスト膜3を除去することになる。本発明の特
徴は、この工程(4)におけるレジスト膜3の除去に関
し、ノズル5から噴射される炭酸水素ナトリウム粒子を
含んだ噴射流6を用いて、グレーズ層2の表面にキズを
つけることなく、より的確かつ効率的にレジスト膜3を
除去する点にある。レジスト膜3の除去後は、水洗によ
る洗浄作業を実施し、しかる後、熱処理によるアール化
(R化)を実施する。以上により、所定パターンの凹部
4が形成された目的のグレーズ基板が得られ基本的な作
業が完了する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a schematic explanatory view exemplifying a basic operation procedure relating to a method for manufacturing a glaze substrate to which the present invention is applied. In step (1), a glaze layer 2 made of a glass layer or the like is formed on a ceramic substrate 1. In step (2), a resist film 3 having a predetermined pattern removed on the upper surface of the glaze layer 2
To form In the step (3), an etching process is performed to erode a predetermined pattern not covered with the resist film 3 to form the concave portion 4. Thereafter, in step (4), the resist film 3 is removed. The feature of the present invention relates to the removal of the resist film 3 in this step (4), using the jet flow 6 containing sodium hydrogen carbonate particles jetted from the nozzle 5 without scratching the surface of the glaze layer 2. In that the resist film 3 is more accurately and efficiently removed. After the removal of the resist film 3, a cleaning operation by water washing is performed, and thereafter, a rounding (R) is performed by a heat treatment. As described above, the target glaze substrate on which the concave portions 4 having the predetermined pattern are formed is obtained, and the basic operation is completed.

【0007】表1はレジスト膜3の除去に関する実験結
果を示したものであり、炭酸水素ナトリウム粒子の最大
粒子径、平均粒子径及び加圧液体としての水圧を変化さ
せた場合における、グレーズ層2の表面に対するキズの
有無及びレジスト膜3の残存の有無を示したものであ
る。一般的に、グレーズ基板の大きさとしては、285
×85mm、285×55mm、300×55mm、3
80×60mmなどが使用されるケースが多い。また、
これらの大きさのものを1枚当り10秒以内で処理する
要望が強い。このため、3000mm2/s程度の剥離
速度が必要とされる。そこで、本実験では、剥離速度が
3000mm2/sになるようにノズル5の吹付け範囲
や相対移動速度などを設定した。例えば、ノズル5の移
動速度を200mm/s、送りピッチを15mmとし
て、レジスト膜3の両側でピッチ送りを行いながら、往
復両方向で剥離作業を実施するようにした。液体として
は水を用い、ノズル部内で噴射される水流に炭酸水素ナ
トリウム粒子を含んだ加圧エアを混合して液滴状の噴射
流を形成し、レジスト膜に吹付けるようにした。なお、
加圧エアは、供給管路内における炭酸水素ナトリウム粒
子の搬送用としても作用し、そのエア供給圧は0.3M
Paとした。また、炭酸水素ナトリウム粒子の使用量
は、300g/minとした。本実験の各実験例(A)
〜(C)において使用した炭酸水素ナトリウム粒子の粒
子径に関する分布状態は、図2に示したとおりである。
これは、炭酸水素ナトリウム粒子のサンプル100gを
ロータップ篩振盪機(田中化学機械製R−2型)及び標
準篩(φ=200mm)を用いて10分間振盪させて測
定したものである。
Table 1 shows the results of experiments on the removal of the resist film 3. The glaze layer 2 was obtained when the maximum particle diameter and average particle diameter of the sodium hydrogen carbonate particles and the water pressure as the pressurized liquid were changed. 3 shows the presence or absence of a scratch on the surface of FIG. Generally, the size of the glaze substrate is 285
× 85mm, 285 × 55mm, 300 × 55mm, 3
In many cases, 80 × 60 mm or the like is used. Also,
There is a strong demand to process these sizes within 10 seconds per sheet. Therefore, a peeling speed of about 3000 mm 2 / s is required. Therefore, in this experiment, the spraying range of the nozzle 5 and the relative moving speed were set so that the peeling speed was 3000 mm 2 / s. For example, with the moving speed of the nozzle 5 set to 200 mm / s and the feed pitch set to 15 mm, the stripping operation is performed in both reciprocating directions while pitch feeding is performed on both sides of the resist film 3. Water was used as a liquid, and a pressurized air containing sodium hydrogen carbonate particles was mixed with a water stream jetted in the nozzle portion to form a jet flow in the form of droplets, which was sprayed on the resist film. In addition,
The pressurized air also acts to transport sodium bicarbonate particles in the supply pipe, and the air supply pressure is 0.3M
Pa. The amount of the sodium bicarbonate particles used was 300 g / min. Each experimental example of this experiment (A)
The distribution state regarding the particle size of the sodium hydrogencarbonate particles used in (C) to (C) is as shown in FIG.
This was measured by shaking 100 g of a sample of sodium hydrogencarbonate particles using a low tap sieve shaker (R-2 type manufactured by Tanaka Kagaku Kikai) and a standard sieve (φ = 200 mm) for 10 minutes.

【0008】[0008]

【表1】 [Table 1]

【0009】表1に示した実験結果のとおり、レジスト
膜3の除去状態に関しては、実験例Aで水圧が1MPa
の場合にのみ、レジスト膜3の残存が有ったり無かった
りバラツキがあったが、他の場合には全てきれいに除去
された。これにより、炭酸水素ナトリウム粒子を用いた
吹付け除去方式自体は、レジスト膜3の除去にきわめて
効果的であることが判る。なお、前記実験例Aで水圧が
1MPaの場合におけるレジスト膜3の残存に関するバ
ラツキは、各検体によってレジスト膜3の厚さにムラが
あったことによるものと推測される。このバラツキを回
避するには、水圧を3MPa以上に設定すればよい。ま
た、グレーズ層2の表面に対するキズの有無に関して
は、炭酸水素ナトリウム粒子の最大粒子径が500μm
で平均粒子径が240μmの実験例Cの場合には、液体
の供給圧すなわち水圧を1〜5MPaと変化させた全て
の場合にキズが認められた。他方、最大粒子径が250
μm以下で平均粒子径が130μm以下の実験例A及び
Bの場合には、水圧を1〜5MPaと変化させた全ての
場合にキズは認められなかった。キズの発生の有無には
最大粒子径が大きな影響を有するものと経験的に推測さ
れるところから、グレーズ層2に対するキズを回避する
には、前記実験結果から炭酸水素ナトリウム粒子の最大
粒子径を250μmにすればよいことが判明した。ま
た、平均粒子径としては130μm以下が望ましいこと
も判明した。なお、水圧は3MPa以上が望ましいこと
は前述のとおりである。
As shown in the experimental results shown in Table 1, with respect to the removal state of the resist film 3, the water pressure was 1 MPa in Experimental Example A.
Only in the case of (1), there was a variation in the presence or absence of the resist film 3, but in other cases, the resist film 3 was completely removed. This indicates that the spray removal method using sodium hydrogencarbonate particles is extremely effective for removing the resist film 3. The variation in the remaining resist film 3 when the water pressure is 1 MPa in Experimental Example A is presumed to be due to unevenness in the thickness of the resist film 3 depending on each sample. To avoid this variation, the water pressure may be set to 3 MPa or more. Regarding the presence or absence of scratches on the surface of the glaze layer 2, the maximum particle size of the sodium hydrogencarbonate particles was 500 μm.
In the case of Experimental Example C having an average particle diameter of 240 μm, scratches were observed in all cases where the supply pressure of the liquid, that is, the water pressure was changed to 1 to 5 MPa. On the other hand, when the maximum particle size is 250
In the case of Experimental Examples A and B in which the average particle diameter was 130 μm or less and the average particle diameter was 130 μm or less, no scratch was observed in all cases where the water pressure was changed to 1 to 5 MPa. It is empirically estimated that the maximum particle diameter has a large effect on the presence or absence of flaws. To avoid flaws on the glaze layer 2, the maximum particle diameter of the sodium bicarbonate particles is determined from the above experimental results. It has been found that the thickness should be 250 μm. It was also found that the average particle size was desirably 130 μm or less. As described above, the water pressure is desirably 3 MPa or more.

【0010】次に、炭酸水素ナトリウム粒子の使用量と
レジスト膜3の除去状態に関する実験結果を表2に示
す。本実験では、前記実験例Aと同様の最大粒子径が1
80μmで平均粒子径が73μmの炭酸水素ナトリウム
粒子を用いて、その使用量を変化させながらレジスト膜
3の残存の有無を調べた。なお、水圧は3MPa、エア
供給圧は0.3MPa、剥離速度は3000mm2/s
とした。
Next, Table 2 shows experimental results on the amount of sodium hydrogen carbonate particles used and the state of removal of the resist film 3. In this experiment, the maximum particle size was 1
Using sodium hydrogen carbonate particles having a particle diameter of 80 μm and an average particle diameter of 73 μm, the presence or absence of the resist film 3 was examined while changing the amount of the particles. The water pressure was 3 MPa, the air supply pressure was 0.3 MPa, and the peeling speed was 3000 mm 2 / s
And

【0011】[0011]

【表2】 [Table 2]

【0012】表2に示した実験結果から、一般的に要求
される3000mm2/s程度の剥離速度を維持しなが
らレジスト膜3の残存を回避するには、炭酸水素ナトリ
ウム粒子の使用量を300g/min以上にすることが
望ましいことが判明した。なお、以上の各実験に使用し
た検体を洗浄してR化処理を実施したところ、グレーズ
基板として特段の問題がないことが確認されている。な
お、加圧エアの供給は、吸引方式に変更することも可能
である。また、場合に応じてエア等の気体を供給しない
形態も可能である。
From the experimental results shown in Table 2, in order to prevent the resist film 3 from remaining while maintaining the generally required peeling speed of about 3000 mm 2 / s, the amount of the sodium hydrogencarbonate particles used should be 300 g. / Min or more was found to be desirable. In addition, when the sample used in each of the above experiments was washed and subjected to R-treatment, it was confirmed that there was no particular problem as a glaze substrate. The supply of the pressurized air can be changed to a suction method. In some cases, a mode in which gas such as air is not supplied is also possible.

【0013】[0013]

【発明の効果】本発明によれば、グレーズ層の表面をキ
ズつけることなく、レジスト膜のみを的確かつ効率的に
除去することができる。しかも、レジスト膜の除去手段
として使用する炭酸水素ナトリウム粒子は水に対する可
溶性を有するので、レジスト膜除去後の基板に対する洗
浄作業は、簡便な水洗で済ませることができる。したが
って、グレーズ基板の製造に関する作業性を向上し、コ
ストの低減を図ることができる。また、従来のように使
用済有機溶剤の処理の必要はないので、環境にもやさし
い作業が可能である。
According to the present invention, only the resist film can be removed accurately and efficiently without damaging the surface of the glaze layer. In addition, since the sodium hydrogencarbonate particles used as a means for removing the resist film are soluble in water, the washing operation for the substrate after the removal of the resist film can be simply performed with water. Therefore, the workability related to the manufacture of the glaze substrate can be improved, and the cost can be reduced. In addition, since there is no need to treat the used organic solvent as in the related art, an environment-friendly operation can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明が適用されるグレーズ基板の製造方法
に関する基本的な作業手順を例示した概略説明図であ
る。
FIG. 1 is a schematic explanatory view illustrating a basic operation procedure relating to a method for manufacturing a glaze substrate to which the present invention is applied.

【図2】 実験に使用した炭酸水素ナトリウム粒子の粒
子径に関する分布状態を示した分布説明図である。
FIG. 2 is a distribution explanatory diagram showing a distribution state regarding a particle diameter of sodium hydrogencarbonate particles used in an experiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…セラミック基板、2…グレーズ層、3…レジスト
膜、4…凹部、5…ノズル、6…噴射流
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ceramic substrate, 2 ... Glaze layer, 3 ... Resist film, 4 ... Depression, 5 ... Nozzle, 6 ... Jet flow

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上にグレーズ層を形成し、さらにそ
の上に所定パターンのレジスト膜を形成して、エッチン
グ処理後に前記レジスト膜を除去するグレーズ基板の製
造方法において、粒子径が250μm以下の炭酸水素ナ
トリウム粒子を少なくとも加圧液体と共に吹付けてレジ
スト膜を除去することを特徴とするグレーズ基板の製造
方法。
1. A method of manufacturing a glaze substrate, comprising: forming a glaze layer on a substrate, forming a resist film having a predetermined pattern thereon, and removing the resist film after the etching process, wherein the particle diameter is 250 μm or less. A method for manufacturing a glaze substrate, comprising spraying sodium bicarbonate particles together with at least a pressurized liquid to remove a resist film.
【請求項2】 前記炭酸水素ナトリウム粒子の平均粒子
径は130μm以下である請求項1に記載のグレーズ基
板の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the average particle diameter of the sodium hydrogencarbonate particles is 130 μm or less.
【請求項3】 前記炭酸水素ナトリウム粒子の使用量は
300g/min以上である請求項1又は2に記載のグ
レーズ基板の製造方法。
3. The method for manufacturing a glaze substrate according to claim 1, wherein the amount of the sodium hydrogencarbonate particles used is 300 g / min or more.
【請求項4】 前記加圧液体は3MPa以上で噴射され
る請求項1〜3に記載のグレーズ基板の製造方法。
4. The method for manufacturing a glaze substrate according to claim 1, wherein the pressurized liquid is jetted at a pressure of 3 MPa or more.
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