JP2002270761A - Method of mounting ic chip for high-frequency module - Google Patents

Method of mounting ic chip for high-frequency module

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of mounting IC chip for high-frequency module by which the components of a high-frequency module can be utilized effectively. SOLUTION: An MMIC 20 and line substrates 30 are mounted on a base 10, and at the same time, an MMIC 70, which works in place of the MMIC 20, is arranged on the MMIC 20 having a defective spot in an overlapped state. The MMIC 70 is electrically connected to the lines provided on the substrates 30 through bonding sires 80 and 81, respectively. The MMICs 20 and 70 and line substrates 30 are hermetically sealed with a lid member 50 placed on the base 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は高周波モジュール
におけるＩＣチップの実装方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for mounting an IC chip in a high-frequency module.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、マイクロ波やミリ波といった高周
波信号を取り扱う素子等をワンチップ化し、当該チップ
をモジュール化することが行われている。このとき、歩
留りを向上したい等の要求がある。2. Description of the Related Art Heretofore, it has been practiced to integrate elements for handling high-frequency signals such as microwaves and millimeter waves into one chip, and to modularize the chip. At this time, there is a demand for improving the yield.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような背
景の下になされたものであり、その目的は、モジュール
構成部品の有効利用を図ることができる高周波モジュー
ルにおけるＩＣチップの実装方法を提供することにあ
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made under such a background, and an object of the present invention is to provide a method of mounting an IC chip in a high-frequency module capable of effectively utilizing module components. Is to do.

【０００４】[0004]

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の高周波
モジュールにおけるＩＣチップの実装方法においては、
不良箇所のあるＭＭＩＣまたは故障したＭＭＩＣの上
に、当該ＭＭＩＣの代わりをするＭＭＩＣを重ねた状態
で配置するようにしたことを特徴としている。従来、Ｍ
ＭＩＣが不良品であったり故障すると、そのモジュール
全体が不良であるとして再生不可能であったが、本発明
によればＭＭＩＣの上に該ＭＭＩＣの代わりをするＭＭ
ＩＣを重ねた状態で配置することにより、モジュール構
成部品の有効利用を図ることができる。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for mounting an IC chip in a high-frequency module.
It is characterized in that an MMIC as a substitute for the MMIC is placed in a state of being superimposed on an MMIC having a defective portion or a failed MMIC. Conventionally, M
If the MIC is defective or fails, the entire module is defective and cannot be reproduced. According to the present invention, however, the MM that replaces the MMIC is placed on the MMIC.
By arranging the ICs in an overlapping state, it is possible to effectively use the module components.

【０００５】請求項３に記載の高周波モジュールにおけ
るＩＣチップの実装方法によれば、コプレーナウェーブ
ガイドの場合、裏面のグランド電極が必要無いので接着
強度・作業性等の良い非導電性接着剤を使用することが
できる。According to the method for mounting an IC chip in a high-frequency module according to the third aspect, in the case of a coplanar waveguide, a non-conductive adhesive having good adhesive strength and workability is used because a ground electrode on the back surface is not required. can do.

【０００６】請求項４〜７のいずれか１項に記載の高周
波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法によれば、
マイクロストリップラインまたはグランド付コプレーナ
ウェーブガイドのグランド電極が安定した電位になる。According to a method for mounting an IC chip in a high-frequency module according to any one of claims 4 to 7,
The ground electrode of the microstrip line or the coplanar waveguide with ground has a stable potential.

【０００７】請求項８に記載のように、特に３０ＧＨｚ
以上のミリ波帯用ＭＭＩＣの実装に適用すれば、製造コ
ストに比べ部品原価が高いモジュールの実装として好ま
しいものになる。[0007] As described in claim 8, in particular, 30GHz
When applied to the mounting of the above-described MMIC for the millimeter wave band, it is preferable to mount a module whose component cost is higher than the manufacturing cost.

【０００８】請求項９，１０に記載の高周波モジュール
におけるＩＣチップの実装方法によれば、ＭＭＩＣを重
ねて配置する際に、ＭＭＩＣを、ある複数段積み重ねた
時にボンディングワイヤーの長さが最短になるように設
計することができ、ＭＭＩＣを複数段積み重ねたことに
よる損失の劣化を補うことができる。According to the method of mounting an IC chip in a high-frequency module according to the ninth and tenth aspects, when the MMICs are stacked and arranged, the length of the bonding wire is minimized when the MMICs are stacked in a plurality of stages. Thus, the deterioration of the loss caused by stacking a plurality of MMICs can be compensated.

【０００９】請求項１１に記載の高周波モジュールにお
けるＩＣチップの実装方法によれば、ＭＭＩＣを二段重
ねした際にボンディングワイヤーの長さが最短になるよ
うにすると、統計的にモジュール不良はＭＭＩＣ一個に
つき一回以内であることが多い。そのため、一回だけ不
良が発生した時に一番特性が良く再生できるようにする
ことがモジュールの歩留まり向上につながる。According to the method for mounting an IC chip in a high-frequency module according to the present invention, when the length of the bonding wire is minimized when the MMICs are stacked in two stages, the module failure is statistically one MMIC. It is often less than once per session. For this reason, it is possible to improve the yield of the module by making it possible to reproduce data with the best characteristics when a defect occurs only once.

【００１０】請求項１２に記載の高周波モジュールにお
けるＩＣチップの実装方法によれば、通常時（ＭＭＩＣ
一段実装時）のボンディングワイヤーの長さのバラツキ
に対してよりもＭＭＩＣ二段もしくはそれ以上の複数の
段数を実装した場合のボンディングワイヤーの長さのバ
ラツキに対しての方が特性が良くなるように設計されて
いると、ＭＭＩＣを重ねて配置する際にＭＭＩＣがある
複数段積み重ねた時にボンディングワイヤーの損失が最
小になるように設計することで、ＭＭＩＣを複数段積み
重ねたことによる損失の劣化を補うことができる。According to the method for mounting an IC chip in a high-frequency module according to the twelfth aspect of the present invention, the normal (MMIC)
The characteristics are better for the variation in the length of the bonding wire when two or more MMICs are mounted than for the variation in the length of the bonding wire during single-stage mounting). When the MMICs are stacked and arranged, the loss of the bonding wires caused by stacking the MMICs is minimized by designing the MMIC so that the loss of the bonding wire is minimized when the MMICs are stacked in a plurality of stages. I can make up for it.

【００１１】請求項１３に記載の高周波モジュールにお
けるＩＣチップの実装方法によれば、ＭＭＩＣを二段重
ねした際にボンディングワイヤーの損失が最小になるよ
うにすれば、統計的にモジュール不良はＭＭＩＣ一個に
つき一回以内であることが多い。そのため、一回だけ不
良が発生した時に一番特性が良く再生できるようにする
ことがモジュールの歩留まり向上につながる。特に、請
求項１４のように、３０ＧＨｚ帯以上のミリ波帯ＭＭＩ
Ｃを対象として行うと、製造コストに比べ部品原価が高
いモジュールの実装として好ましいものになる。According to the method of mounting an IC chip in a high-frequency module according to the present invention, if the loss of the bonding wire is minimized when the MMICs are stacked in two stages, the module failure is statistically one MMIC. It is often less than once per session. For this reason, it is possible to improve the yield of the module by making it possible to reproduce data with the best characteristics when a defect occurs only once. In particular, a millimeter-wave band MMI of 30 GHz or more,
When C is performed, it is preferable to mount a module whose component cost is higher than manufacturing cost.

【００１２】請求項１５に記載の高周波モジュールにお
けるＩＣチップの実装方法によっても、ＭＭＩＣの上に
該ＭＭＩＣの代わりをするＭＭＩＣを重ねた状態で配置
することにより、モジュール構成部品を有効利用して歩
留まりの向上を図ることが可能となる。According to the method of mounting an IC chip in a high-frequency module according to the present invention, by arranging the MMIC in place of the MMIC in an overlapping state on the MMIC, the yield can be obtained by effectively utilizing the module components. Can be improved.

【００１３】[0013]

【発明の実施の形態】以下、この発明を具体化した実施
の形態を図面に従って説明する。図１には本実施の形態
における高周波モジュールの縦断面図を示す。本モジュ
ールは、取り扱う高周波がミリ波帯である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a longitudinal sectional view of the high-frequency module according to the present embodiment. This module handles high frequencies in the millimeter wave band.

【００１４】図１において、基台（キャリア）１０の上
にはＭＭＩＣ２０と線路基板３０が搭載されている。Ｍ
ＭＩＣ２０には能動素子や整合回路等が形成され、ＭＭ
ＩＣ２０中を流れるミリ波信号が処理される。例えば、
能動素子による増幅等が行われる。線路基板３０に関し
て、同基板の材料としてテトラフルオロエチレン樹脂
（フッ素樹脂）を用いている。また、線路基板３０には
マイクロストリップライン、コプレーナウェーブガイ
ド、グランド付コプレーナウェーブガイド等の線路が形
成されている。さらに、線路基板３０の上面にはチップ
部品３１が搭載されている。In FIG. 1, an MMIC 20 and a line board 30 are mounted on a base (carrier) 10. M
An active element, a matching circuit, and the like are formed in the MIC 20.
The millimeter wave signal flowing through the IC 20 is processed. For example,
Amplification by an active element is performed. Regarding the line substrate 30, a tetrafluoroethylene resin (fluororesin) is used as a material of the substrate. In addition, lines such as a microstrip line, a coplanar waveguide, and a coplanar waveguide with a ground are formed on the line substrate 30. Further, a chip component 31 is mounted on the upper surface of the line board 30.

【００１５】基台１０の上には蓋材５０が配置され、蓋
材５０にてＭＭＩＣ２０と線路基板３０を気密封止して
いる。また、基台１０の上には外部接続用コネクタ４０
が搭載されている。線路基板３０の線路と外部接続用コ
ネクタ４０の接続端子４１とはボンディングワイヤー８
２により接続されている。A lid member 50 is disposed on the base 10, and the MMIC 20 and the line board 30 are hermetically sealed with the lid member 50. An external connection connector 40 is provided on the base 10.
Is installed. The lines of the line board 30 and the connection terminals 41 of the external connection connector 40 are connected to the bonding wires 8.
2 are connected.

【００１６】ここで、ＭＭＩＣ２０に関して、基台１０
の上にはＭＭＩＣ２０が搭載されているが、不良箇所の
あるＭＭＩＣ２０の上に、当該ＭＭＩＣ２０の代わりを
するＭＭＩＣ７０が重ねた状態で配置されている。Here, regarding the MMIC 20, the base 10
The MMIC 20 is mounted on the MMIC 20, but the MMIC 70 serving as the substitute for the MMIC 20 is arranged on the MMIC 20 having the defective portion.

【００１７】図２には、ＭＭＩＣの配置部分の拡大図を
示す。図２において、線路基板３０の中央部分には四角
穴部３０ａが形成され、この穴部３０ａにおいて不良箇
所のあるＭＭＩＣ２０が搭載されている。ＭＭＩＣ２０
の上には接着剤６０により、代わりをするＭＭＩＣ７０
が固定されている。また、各ＭＭＩＣ２０，７０におけ
る基板厚ｔ１よりも線路基板３０の基板厚みｔ２が厚く
なっている（ｔ２＞ｔ１）。一方、線路基板３０の上面
において線路の端部には整合回路３２，３３が形成され
ている。ＭＭＩＣ７０のパッド７１，７２と線路基板３
０の整合回路３２，３３とはボンディングワイヤー８
０，８１により電気的に接続されている。FIG. 2 is an enlarged view of an arrangement portion of the MMIC. In FIG. 2, a square hole 30a is formed in the center of the line board 30, and the MMIC 20 having a defective portion is mounted in the hole 30a. MMIC20
On top of the MMIC 70 is replaced by an adhesive 60
Has been fixed. Further, the substrate thickness t2 of the line substrate 30 is larger than the substrate thickness t1 of each of the MMICs 20 and 70 (t2> t1). On the other hand, matching circuits 32 and 33 are formed at the ends of the line on the upper surface of the line substrate 30. Pads 71 and 72 of MMIC 70 and line board 3
0 matching circuits 32 and 33 are bonding wires 8
0, 81 are electrically connected.

【００１８】次に、高周波モジュールの製造工程を説明
する。図３は、製造の際の作業順序を示す図である。ま
ず、図４に示すように、基台１０を用意する。そして、
基台１０の上面での所定領域に硬化前接着剤である導電
性ペーストを印刷し（図３での符号１００）、図５に示
すように、その上にフッ素樹脂製線路基板３０を配置し
加熱・硬化して貼り合わせる（図３での符号１０１）。
さらに、基台１０の上面での所定領域および線路基板３
０の上面での所定領域に硬化前接着剤である導電性ペー
ストを塗布し（図３での符号１０２）、図６に示すよう
に、その上にＭＭＩＣ２０とチップ部品３１とコネクタ
４０を載置し加熱・硬化して固定する（図３での符号１
０３）。引き続き、図７に示すように、ＭＭＩＣ２０と
線路基板３０の線路の間、および線路基板３０の線路と
コネクタ４０の接続端子４１の間を、ワイヤー８２，８
３，８４にてボンディングする（図３での符号１０
４）。Next, the manufacturing process of the high-frequency module will be described. FIG. 3 is a diagram showing an operation sequence at the time of manufacturing. First, as shown in FIG. 4, a base 10 is prepared. And
A conductive paste as an adhesive before curing is printed on a predetermined region on the upper surface of the base 10 (reference numeral 100 in FIG. 3), and a fluororesin line substrate 30 is disposed thereon as shown in FIG. Heating, curing and bonding (reference numeral 101 in FIG. 3).
Further, a predetermined region on the upper surface of the base 10 and the line substrate 3
A conductive paste, which is an adhesive before curing, is applied to a predetermined area on the upper surface of the substrate 0 (reference numeral 102 in FIG. 3), and the MMIC 20, the chip component 31, and the connector 40 are mounted thereon as shown in FIG. And heat and cure to fix (reference numeral 1 in FIG. 3).
03). Subsequently, as shown in FIG. 7, wires 82 and 8 are connected between the MMIC 20 and the line of the line board 30 and between the line of the line board 30 and the connection terminal 41 of the connector 40.
Bonding at 3, 84 (reference numeral 10 in FIG. 3)
4).

【００１９】この状態で、図３で符号１０５で示すごと
く、プローブピンを用いてＤＣバイアス電流の測定を行
い、その値が所定の範囲に入っているか否か検査する。
この検査にて不良が発生すると以下のようにする。In this state, as shown by reference numeral 105 in FIG. 3, a DC bias current is measured using a probe pin to check whether or not the value is within a predetermined range.
If a defect occurs in this inspection, the following is performed.

【００２０】まず、図３での１０６において、ＭＭＩＣ
２０と線路基板３０の線路との間のボンディングワイヤ
ー８３，８４を図８に示すように取り外す。そして、図
９に示すように、ＭＭＩＣ２０の上に接着剤６０を塗布
した後、ＭＭＩＣ２０の上に代わりをするＭＭＩＣ７０
を搭載する。さらに、図１０に示すように、ＭＭＩＣ７
０と線路基板３０の線路との間をワイヤー８０，８１に
てボンディングする（図３での符号１０７）。First, at 106 in FIG.
The bonding wires 83 and 84 between the line 20 and the line on the line board 30 are removed as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 9, after the adhesive 60 is applied on the MMIC 20, the MMIC 70
With. Further, as shown in FIG.
0 and the line of the line board 30 are bonded by wires 80 and 81 (107 in FIG. 3).

【００２１】この状態で、再び図３で符号１０５で示す
ごとく、プローブピンを用いてＤＣバイアス電流の測定
を行い、その値が所定の範囲に入っているか否か検査す
る。この検査にて不良が発生しないと以下のようにす
る。In this state, as shown by reference numeral 105 in FIG. 3 again, the DC bias current is measured using the probe pins, and it is checked whether the value is within a predetermined range. If no defect occurs in this inspection, the following is performed.

【００２２】まず、図１１に示すように、基台１０の上
に蓋材５０を配置し、蓋材５０における基台１０との接
触部に樹脂５１を配置し、加熱・硬化させシールする
（図３での符号１０８）。さらに、窒素雰囲気下にて蓋
材５０の穴５２をろう封止する（図３での符号１０
９）。これにより、蓋材５０の内部は窒素雰囲気とな
る。その結果、図１のモジュールを得る。First, as shown in FIG. 11, a lid member 50 is disposed on the base 10, and a resin 51 is disposed at a contact portion of the lid member 50 with the base 10, and is heated and cured to seal ( Reference numeral 108 in FIG. 3). Further, the hole 52 of the lid member 50 is solder-sealed under a nitrogen atmosphere (reference numeral 10 in FIG. 3).
9). As a result, the inside of the lid member 50 becomes a nitrogen atmosphere. As a result, the module of FIG. 1 is obtained.

【００２３】このように、高周波モジュールにおけるＩ
Ｃチップの実装方法として、不良箇所のあるＭＭＩＣ２
０の上にＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０を重
ねた状態で配置するようにした。よって、従来、ＭＭＩ
Ｃが不良品であると、そのモジュール全体が不良である
として再生不可能であったが、本実施形態によればＭＭ
ＩＣ２０の上に代わりをするＭＭＩＣ７０を重ねた状態
で配置することにより、モジュールの構成部品を有効利
用して歩留まりの向上を図ることが可能となる。また、
モジュールを再生することができ、廃棄物を低減するこ
とができる。As described above, I in the high-frequency module
As a mounting method of the C chip, MMIC2 having a defective portion is used.
The MMIC 70 instead of the MMIC 20 is placed on the 0. Therefore, conventionally, MMI
If C is defective, the entire module is defective and cannot be reproduced.
By arranging the MMIC 70 as a substitute on the IC 20 in an overlapping state, it is possible to effectively use the components of the module and improve the yield. Also,
Modules can be regenerated and waste can be reduced.

【００２４】特に、図６，７のごとく基台１０の上にＭ
ＭＩＣ２０および線路基板３０を搭載するとともにＭＭ
ＩＣ２０と線路基板３０の信号線路を電気的に接続し、
モジュールの検査を行い、図８のごとく不良となったモ
ジュールでのＭＭＩＣ２０における線路基板３０との電
気的接続部材（ボンディングワイヤー８３，８４）を除
去し、図９，１０のごとくＭＭＩＣ２０の上に、当該Ｍ
ＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０を重ねた状態で
配置するとともに、代わりをするＭＭＩＣ７０と線路基
板３０の信号線路をボンディングワイヤー８０，８１に
て電気的に接続した。このように、不良箇所のあるＭＭ
ＩＣ２０と線路を接続しているボンディングワイヤー８
３，８４を取り外した後に、不良箇所のあるＭＭＩＣ２
０の上に、ＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０を
重ねた状態で配置し、このＭＭＩＣ７０と線路をボンデ
ィングワイヤー８０，８１で接続するようにしたので、
実用上好ましい。In particular, as shown in FIGS.
With the MIC 20 and the line board 30 mounted,
The IC 20 and the signal line of the line board 30 are electrically connected,
The module is inspected, and the electrical connection members (bonding wires 83 and 84) with the line board 30 in the MMIC 20 in the defective module as shown in FIG. 8 are removed, and as shown in FIGS. The M
The MMIC 70 as a substitute for the MIC 20 was arranged in an overlapping state, and the substitute MMIC 70 and the signal line of the line board 30 were electrically connected by bonding wires 80 and 81. As described above, the MM having the defective portion
Bonding wire 8 connecting the line with IC 20
After removing 3,84, MMIC2
Since the MMIC 70 as a substitute for the MMIC 20 is placed on top of the MMIC 0 and the MMIC 70 and the line are connected by bonding wires 80 and 81,
It is practically preferable.

【００２５】また、ＭＭＩＣ２０，７０は３０ＧＨｚ以
上のミリ波帯を取り扱うものであるので（３０ＧＨｚ以
上のミリ波帯用ＭＭＩＣの実装に適用すれば）、製造コ
ストに比べ部品原価が高いモジュールの実装として好ま
しいものになる。Further, since the MMICs 20 and 70 handle the millimeter wave band of 30 GHz or more (when applied to the mounting of the MMIC for the millimeter wave band of 30 GHz or more), they can be mounted on a module whose component cost is higher than the manufacturing cost. It will be preferable.

【００２６】次に、不良のＭＭＩＣ２０の上にその代わ
りをするＭＭＩＣ７０を搭載するとともに、線路と電気
的に接続するための手法について説明を加える。図１２
に示すように、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の代わりを
するＭＭＩＣ７０の線路にコプレーナウェーブガイドを
用い、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の上に、非導電性接
着剤６１を介して当該ＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭ
ＩＣ７０を重ねた状態で接着する。このように、コプレ
ーナウェーブガイドの場合、裏面のグランド電極が必要
無いので接着強度・作業性等の良い非導電性接着剤６１
を使用することができる。Next, a description will be given of a method for mounting the MMIC 70 in place of the defective MMIC 20 and electrically connecting the MMIC 70 to the line. FIG.
As shown in the figure, a coplanar waveguide is used for the line of the MMIC 70 which substitutes the MMIC 20 having the defective portion, and the MMIC 20 which substitutes the MMIC 20 on the defective MMIC 20 via the non-conductive adhesive 61.
The ICs 70 are adhered in a stacked state. As described above, in the case of the coplanar waveguide, since the ground electrode on the back surface is not required, the non-conductive adhesive 61 having good adhesive strength and workability is used.
Can be used.

【００２７】また、図１３に示すように、不良箇所のあ
るＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０の線路にグ
ランド付コプレーナウェーブガイド（またはマイクロス
トリップライン）を用い、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０
での配線のスルーホール部分２１と導通するように当該
ＭＭＩＣ２０の上面の全面（または一部）に導電性ペー
スト（硬化前接着剤）６２を塗布し、この導電性ペース
ト６２の上に、代わりをするＭＭＩＣ７０を重ねた状態
で接着する。その結果、グランド付コプレーナウェーブ
ガイド（またはマイクロストリップライン）のグランド
電極７３が安定した電位になる。As shown in FIG. 13, a coplanar waveguide (or microstrip line) with a ground is used for the line of the MMIC 70 in place of the MMIC 20 having the defective portion, and the MMIC 20 having the defective portion is used.
A conductive paste (adhesive before curing) 62 is applied to the entire surface (or a part) of the upper surface of the MMIC 20 so as to be electrically connected to the through-hole portion 21 of the wiring in the above step. The MMICs 70 to be bonded are bonded together. As a result, the ground electrode 73 of the coplanar waveguide with ground (or microstrip line) has a stable potential.

【００２８】また、図１４に示すように、不良箇所のあ
るＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０の線路にグ
ランド付コプレーナウェーブガイド（またはマイクロス
トリップライン）を用い、当該代わりをするＭＭＩＣ７
０の裏面のグランド電極７３に導電性ペースト（硬化前
接着剤）６３を塗布し、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の
上に、導電性ペースト６３を塗布したＭＭＩＣ７０を、
不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の配線のスルーホール部分
２２と導通する状態で接着する。その結果、グランド付
コプレーナウェーブガイド（またはマイクロストリップ
ライン）のグランド電極７３が安定した電位になる。As shown in FIG. 14, a grounded coplanar waveguide (or microstrip line) is used for the line of the MMIC 70 in place of the MMIC 20 having a defective portion, and the MMIC 7 in place of the coplanar waveguide is used.
A conductive paste (adhesive before curing) 63 is applied to the ground electrode 73 on the back surface of the MMIC 0, and the MMIC 70 in which the conductive paste 63 is applied is placed on the MMIC 20 having a defective portion.
It is adhered in a state where it is electrically connected to the through hole portion 22 of the wiring of the MMIC 20 having a defective portion. As a result, the ground electrode 73 of the coplanar waveguide with ground (or microstrip line) has a stable potential.

【００２９】また、図１５に示すように、不良箇所のあ
るＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０の線路にマ
イクロストリップライン（またはグランド付コプレーナ
ウェーブガイド）を用い、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０
の上に導電性ペースト（硬化前接着剤）６４を塗布し、
不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の上に導電性ペースト６４
を介して、代わりをするＭＭＩＣ７０のグランド電極７
４を不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の側面を用いて不良箇
所のあるＭＭＩＣ２０の裏面のグランド電極２３または
基台１０と導通する状態で接着する。その結果、マイク
ロストリップライン（またはグランド付コプレーナウェ
ーブガイド）のグランド電極７４が安定した電位にな
る。As shown in FIG. 15, a microstrip line (or a coplanar waveguide with a ground) is used for the line of the MMIC 70 in place of the MMIC 20 having a defective portion.
A conductive paste (adhesive before curing) 64 on the
The conductive paste 64 is placed on the MMIC 20 having the defective portion.
Through the ground electrode 7 of the MMIC 70
4 is adhered to the ground electrode 23 or the base 10 on the back surface of the MMIC 20 having the defective portion by using the side surface of the MMIC 20 having the defective portion. As a result, the ground electrode 74 of the microstrip line (or coplanar waveguide with ground) has a stable potential.

【００３０】また、図１６に示すように、不良箇所のあ
るＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０の線路にマ
イクロストリップライン（またはグランド付コプレーナ
ウェーブガイド）を用い、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０
を砕き、その上面に当該ＭＭＩＣ２０の割れ目２４に滲
み込むように導電性ぺ一スト（硬化前接着剤）６５を塗
布し、当該ＭＭＩＣ２０の上に、代わりをするＭＭＩＣ
７０を不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の裏面のグランド電
極２５または基台１０と導通する状態で接着する。その
結果、マイクロストリップライン（またはグランド付コ
プレーナウェーブガイド）のグランド電極７５が安定し
た電位になる。As shown in FIG. 16, a microstrip line (or a coplanar waveguide with a ground) is used for the line of the MMIC 70 in place of the MMIC 20 having the defective portion, and the MMIC 20 having the defective portion is used.
And a conductive paste (adhesive before curing) 65 is applied to the upper surface of the MMIC 20 so as to penetrate into the cracks 24 of the MMIC 20, and a substitute MMIC is placed on the MMIC 20.
70 is bonded to the ground electrode 25 or the base 10 on the back surface of the MMIC 20 having a defective portion in a state of being electrically connected. As a result, the ground electrode 75 of the microstrip line (or coplanar waveguide with ground) has a stable potential.

【００３１】また、図１７に示すように、基台１０の上
面に凹部１１を形成し、この凹部１１の底面をＭＭＩＣ
２０の配置領域とし、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０にお
ける上面での高さＨ１よりも、当該ＭＭＩＣ２０と接続
する線路側部位の高さＨ２を高くする。よって、ＭＭＩ
Ｃを重ねて配置する際に、ＭＭＩＣを、ある複数段積み
重ねた時にボンディングワイヤーの長さが最短になるよ
うに設計することができ、ＭＭＩＣを複数段積み重ねた
ことによる損失の劣化を補うことができる。As shown in FIG. 17, a concave portion 11 is formed on the upper surface of the base 10, and the bottom surface of the concave portion 11 is formed by an MMIC.
20 and the height H2 of the line side portion connected to the MMIC 20 is set higher than the height H1 of the MMIC 20 having the defective portion on the upper surface. Therefore, MMI
When arranging C in an overlapping manner, the MMIC can be designed so that the length of the bonding wire becomes the shortest when a plurality of stacked MMICs are stacked, and the deterioration of the loss due to the stacked MMICs can be compensated. it can.

【００３２】また、図１８に示すように、凹部１１を形
成することにより、ＭＭＩＣ２０，７０を二段重ねした
状態で、ボンディングワイヤーの長さが最短になるよう
にする。あるいは、図１９に示すように、線路基板３０
の厚さを最適化することにより、ＭＭＩＣ２０，７０を
二段重ねした状態で、ボンディングワイヤーの長さが最
短になるようにする。ＭＭＩＣを二段重ねした際にボン
ディングワイヤーの長さが最短になるようにすると、統
計的にモジュール不良はＭＭＩＣ一個につき一回以内で
あることが多い。そのため、一回だけ不良が発生した時
に一番特性が良く再生できるようにすることがモジュー
ルの歩留まり向上につながる。Further, as shown in FIG. 18, the recess 11 is formed so that the length of the bonding wire is minimized in a state where the MMICs 20 and 70 are stacked in two stages. Alternatively, as shown in FIG.
By optimizing the thickness, the length of the bonding wire is minimized in a state where the MMICs 20 and 70 are stacked in two stages. If the length of the bonding wire is minimized when the MMICs are stacked in two stages, the number of module failures is statistically often less than one per MMIC. For this reason, it is possible to improve the yield of the module by making it possible to reproduce data with the best characteristics when a defect occurs only once.

【００３３】また、図２に示すように、ＭＭＩＣ７０の
信号入力部分と線路の接続部分、および、ＭＭＩＣ７０
の信号出力部分と線路の接続部分の少なくともいずれか
一方に、ボンディングワイヤー８０，８１の接続による
インピーダンス不整合を補償する整合回路３２，３３を
設け、整合回路３２，３３に、代わりをするＭＭＩＣ７
０を重ねたときのボンディングワイヤーの長さに対して
広帯域設計を行う。通常時（ＭＭＩＣ一段実装時）のボ
ンディングワイヤーの長さのバラツキに対してよりもＭ
ＭＩＣ二段もしくはそれ以上の複数の段数を実装した場
合のボンディングワイヤーの長さのバラツキに対しての
方が特性が良くなるように設計されていると、ＭＭＩＣ
を重ねて配置する際にＭＭＩＣがある複数段積み重ねた
時にボンディングワイヤーの損失が最小になるように設
計することで、ＭＭＩＣを複数段積み重ねたことによる
損失の劣化を補うことができる。As shown in FIG. 2, the signal input portion of the MMIC 70 and the connection portion of the line, and the MMIC 70
At least one of the signal output portion and the connection portion of the line is provided with matching circuits 32 and 33 for compensating for impedance mismatch due to the connection of the bonding wires 80 and 81, and the MMIC 7 that substitutes for the matching circuits 32 and 33 is provided.
A wide band design is performed for the length of the bonding wire when 0 is overlapped. Normally (at the time of MMIC single-stage mounting) M
If the design is such that the characteristics are better for variations in the length of the bonding wire when two or more MICs are mounted,
By arranging the MMICs in such a manner that the loss of the bonding wire is minimized when the MMICs are stacked in a plurality of stages, it is possible to compensate for the loss deterioration caused by stacking the MMICs in a plurality of stages.

【００３４】特に、整合回路３２，３３に、代わりをす
るＭＭＩＣ７０を一段だけ重ねたときのボンディングワ
イヤーの損失が最小（図２０参照）になるよう広帯域設
計を行う（３０ＧＨｚ帯以上のミリ波帯ＭＭＩＣを対象
とした広帯域設計を行う）。具体的には、例えば、図２
での線路長Ｌや線路幅Ｗ１，Ｗ２を調整する。In particular, a wide band design is performed so that the loss of the bonding wire when the MMIC 70 as a substitute is superimposed on the matching circuits 32 and 33 by only one stage is minimized (see FIG. 20). Broadband design for). Specifically, for example, FIG.
The line length L and the line widths W1 and W2 are adjusted.

【００３５】このように、ＭＭＩＣを二段重ねした際に
ボンディングワイヤーの損失が最小になるようにすれ
ば、前にも述べたように統計的にモジュール不良はＭＭ
ＩＣ一個につき一回以内であることが多く、一回だけ不
良が発生した時に一番特性が良く再生できるようにする
ことがモジュールの歩留まり向上につながる。特に、広
帯域設計を３０ＧＨｚ帯以上のミリ波帯ＭＭＩＣを対象
として行うと、製造コストに比べ部品原価が高いモジュ
ールの実装として好ましいものになる。As described above, if the loss of the bonding wire is minimized when the MMICs are stacked in two stages, the module failure is statistically reduced as described above.
In many cases, the number of times is less than one per IC, and if the defect occurs only once, the best characteristics can be reproduced to improve the module yield. In particular, when a wideband design is performed for a millimeter-wave band MMIC of 30 GHz or more, it is preferable to mount a module whose component cost is higher than manufacturing cost.

【００３６】これまでの説明においては不良箇所のある
ＭＭＩＣ２０の上にそれに代わるＭＭＩＣ７０を重ねて
配置する場合について説明してきたが、不良箇所のある
ＭＭＩＣ２０ではなく故障したＭＭＩＣの上にそれに代
わるＭＭＩＣを重ねて配置してもよい。即ち、一度出荷
した高周波モジュールを回収して、故障したＭＭＩＣの
上にそれに代わるＭＭＩＣを重ねて配置し検査を行った
後に出荷するようにしてもよい。このようにしてもモジ
ュール構成部品の有効利用を図ることができる。In the above description, the case where the alternative MMIC 70 is disposed on the MMIC 20 having the defective portion is described. May be arranged. That is, the high-frequency module that has been shipped once may be collected, replaced with an MMIC that is placed over the failed MMIC, inspected, and then shipped. Even in this case, the module components can be effectively used.

【００３７】また、基台１０と線路基板３０とを一体化
して、基台１０に線路を形成しＭＭＩＣと接続するよう
にしてもよい。The base 10 and the line board 30 may be integrated to form a line on the base 10 and connect to the MMIC.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 実施の形態における高周波モジュールの縦断
面図。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a high-frequency module according to an embodiment.

【図２】 線路基板とＭＭＩＣの詳細を説明するための
図。FIG. 2 is a diagram illustrating details of a line substrate and an MMIC.

【図３】 実装工程図。FIG. 3 is a mounting process diagram.

【図４】 実装工程を説明するための図。FIG. 4 is a diagram for explaining a mounting process.

【図５】 実装工程を説明するための図。FIG. 5 is a diagram for explaining a mounting process.

【図６】 実装工程を説明するための図。FIG. 6 is a view for explaining a mounting step.

【図７】 実装工程を説明するための図。FIG. 7 is a diagram for explaining a mounting process.

【図８】 実装工程を説明するための図。FIG. 8 is a view for explaining a mounting step.

【図９】 実装工程を説明するための図。FIG. 9 is a diagram for explaining a mounting process.

【図１０】 実装工程を説明するための図。FIG. 10 is a diagram for explaining a mounting process.

【図１１】 実装工程を説明するための図。FIG. 11 is a view for explaining a mounting step.

【図１２】 ＭＭＩＣの実装を説明するための図。FIG. 12 is a diagram for explaining the mounting of the MMIC.

【図１３】 ＭＭＩＣの実装を説明するための図。FIG. 13 is a view for explaining the mounting of the MMIC.

【図１４】 ＭＭＩＣの実装を説明するための図。FIG. 14 is a diagram for explaining the mounting of the MMIC.

【図１５】 ＭＭＩＣの実装を説明するための図。FIG. 15 is a diagram for explaining the mounting of the MMIC.

【図１６】 ＭＭＩＣの実装を説明するための図。FIG. 16 is a diagram for explaining the mounting of the MMIC.

【図１７】 ＭＭＩＣの実装を説明するための図。FIG. 17 is a diagram for explaining the mounting of the MMIC.

【図１８】 ＭＭＩＣの実装を説明するための図。FIG. 18 is a diagram for explaining the mounting of the MMIC.

【図１９】 ＭＭＩＣの実装を説明するための図。FIG. 19 is a diagram for explaining the mounting of the MMIC.

【図２０】 整合回路の設計を説明するための図。FIG. 20 is a diagram illustrating the design of a matching circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０…基台、１１…凹部、２０…ＭＭＩＣ、２１…スル
ーホール部分、２２…スルーホール部分、２３…グラン
ド電極、２４…割れ目、２５…グランド電極、３０…線
路基板、３２…整合回路、３３…整合回路、４０…コネ
クタ、５０…蓋材、６１…非導電性接着剤、６２…導電
性ペースト、６３…導電性ペースト、６４…導電性ペー
スト、７０…ＭＭＩＣ、８０，８１，８２，８３，８４
…ボンディングワイヤー。DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Base, 11 ... recessed part, 20 ... MMIC, 21 ... Through-hole part, 22 ... Through-hole part, 23 ... Ground electrode, 24 ... Split, 25 ... Ground electrode, 30 ... Line board, 32 ... Matching circuit, 33 ... matching circuit, 40 ... connector, 50 ... lid material, 61 ... non-conductive adhesive, 62 ... conductive paste, 63 ... conductive paste, 64 ... conductive paste, 70 ... MMIC, 80, 81, 82, 83 , 84
... bonding wire.

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基台（１０）の上にＭＭＩＣを搭載する
とともに当該ＭＭＩＣと線路を電気的に接続した高周波
モジュールにおけるＩＣチップの実装方法であって、 不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩ
Ｃの上に、当該ＭＭＩＣ（２０）の代わりをするＭＭＩ
Ｃ（７０）を重ねた状態で配置するようにしたことを特
徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方
法。1. A method of mounting an IC chip in a high-frequency module having an MMIC mounted on a base (10) and electrically connecting the MMIC to a line, the method comprising: MMI
On C, an MMI that replaces the MMIC (20)
A method for mounting an IC chip in a high-frequency module, wherein C (70) is arranged in an overlapping state. 【請求項２】 請求項１に記載の高周波モジュールにお
けるＩＣチップの実装方法において、 不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩ
Ｃと線路を接続しているボンディングワイヤー（８３，
８４）を取り外した後に、不良箇所のあるＭＭＩＣ（２
０）または故障したＭＭＩＣの上に、当該ＭＭＩＣ（２
０）の代わりをするＭＭＩＣ（７０）を重ねた状態で配
置し、このＭＭＩＣ（７０）と線路をボンディングワイ
ヤー（８０，８１）で接続するようにしたことを特徴と
する高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法。2. The method for mounting an IC chip in a high-frequency module according to claim 1, wherein the MMIC having a defective portion or the failed MMI is provided.
C and the bonding wire (83,
84), and remove the MMIC (2
0) or the failed MMIC (2)
MMIC (70) instead of (0) is arranged in an overlapping state, and the MMIC (70) and the line are connected by bonding wires (80, 81). Implementation method. 【請求項３】 請求項１または２に記載の高周波モジュ
ールにおけるＩＣチップの実装方法において、 不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩ
Ｃの代わりをするＭＭＩＣ（７０）の線路にコプレーナ
ウェーブガイドを用い、不良箇所のあるＭＭＩＣ（２
０）または故障したＭＭＩＣの上に、非導電性接着剤
（６１）を介して当該ＭＭＩＣ（２０）の代わりをする
ＭＭＩＣ（７０）を重ねた状態で接着するようにしたこ
とを特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの
実装方法。3. The method for mounting an IC chip in a high-frequency module according to claim 1, wherein the MMIC having a defective portion or the failed MMI.
A coplanar waveguide is used for the line of the MMIC (70) instead of the C, and the MMIC (2
0) or an MMIC (70) that substitutes for the MMIC (20) is superimposed on the failed MMIC via a non-conductive adhesive (61) in a state of being superimposed. A method for mounting an IC chip in a module. 【請求項４】 請求項１または２に記載の高周波モジュ
ールにおけるＩＣチップの実装方法において、 不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩ
Ｃの代わりをするＭＭＩＣ（７０）の線路にグランド付
コプレーナウェーブガイドまたはマイクロストリップラ
インを用い、不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故
障したＭＭＩＣでの配線のスルーホール部分（２１）と
導通するように当該ＭＭＩＣ（２０）の上面の一部また
は全面に導電性ペースト（６２）を塗布し、この導電性
ペースト（６２）の上に、代わりをするＭＭＩＣ（７
０）を重ねた状態で接着するようにしたことを特徴とす
る高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法。4. The method for mounting an IC chip in a high-frequency module according to claim 1, wherein the MMIC (20) having a defective portion or the failed MMI.
A coplanar waveguide with a ground or a microstrip line is used for the line of the MMIC (70) instead of the C, so that it is electrically connected to the defective MMIC (20) or the through-hole portion (21) of the wiring in the failed MMIC. A conductive paste (62) is applied to a part or the entire surface of the upper surface of the MMIC (20), and a substitute MMIC (7) is placed on the conductive paste (62).
A method of mounting an IC chip in a high-frequency module, wherein the bonding is performed in a state where 0) is overlapped. 【請求項５】 請求項１または２に記載の高周波モジュ
ールにおけるＩＣチップの実装方法において、 不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩ
Ｃの代わりをするＭＭＩＣ（７０）の線路にグランド付
コプレーナウェーブガイドまたはマイクロストリップラ
インを用い、当該代わりをするＭＭＩＣ（７０）の裏面
のグランド電極（７３）に導電性ペースト（６３）を塗
布し、不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障した
ＭＭＩＣの上に、前記導電性ペースト（６３）を塗布し
たＭＭＩＣ（７０）を、不良箇所のあるＭＭＩＣ（２
０）または故障したＭＭＩＣの配線のスルーホール部分
（２２）と導通する状態で接着するようにしたことを特
徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方
法。5. The method for mounting an IC chip in a high-frequency module according to claim 1, wherein the MMIC (20) having a defective portion or the failed MMI.
A conductive paste (63) is applied to the ground electrode (73) on the back surface of the MMIC (70) using a coplanar waveguide or a microstrip line with a ground for the line of the MMIC (70) instead of the C. The MMIC (70) obtained by applying the conductive paste (63) on the MMIC (20) having a defective portion or the failed MMIC is replaced with the MMIC (2) having the defective portion.
0) or a method for mounting an IC chip in a high-frequency module, wherein the IC chip is adhered in a conductive state with a through-hole portion (22) of a wiring of a failed MMIC. 【請求項６】 請求項１または２に記載のに記載の高周
波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法において、 不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩ
Ｃの代わりをするＭＭＩＣ（７０）の線路にグランド付
コプレーナウェーブガイドまたはマイクロストリップラ
インを用い、不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故
障したＭＭＩＣの上に導電性ペースト（６４）を塗布
し、当該ＭＭＩＣ（２０）の上に前記導電性ペースト
（６４）を介して、代わりをするＭＭＩＣ（７０）のグ
ランド電極（７４）を不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）
または故障したＭＭＩＣの側面を用いて不良箇所のある
ＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの裏面のグラ
ンド電極（２３）または基台（１０）と導通する状態で
接着するようにしたことを特徴とする高周波モジュール
におけるＩＣチップの実装方法。6. The method for mounting an IC chip in a high-frequency module according to claim 1, wherein the MMIC having a defective portion or the failed MMI.
Using a coplanar waveguide with a ground or a microstrip line for the line of the MMIC (70) instead of C, a conductive paste (64) is applied on the defective MMIC (20) or the failed MMIC. The ground electrode (74) of the substitute MMIC (70) is placed on the MMIC (20) via the conductive paste (64) via the conductive paste (64).
Alternatively, the side surface of the failed MMIC is used to bond the MMIC (20) having a defective portion or the ground electrode (23) or the base (10) on the back surface of the failed MMIC in a conductive state. A method for mounting an IC chip in a high-frequency module. 【請求項７】 請求項１または２に記載の高周波モジュ
ールにおけるＩＣチップの実装方法において、 不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩ
Ｃの代わりをするＭＭＩＣ（７０）の線路にグランド付
コプレーナウェーブガイドまたはマイクロストリップラ
インを用い、不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故
障したＭＭＩＣを砕き、その上面に当該ＭＭＩＣ（２
０）の割れ目（２４）に滲み込むように導電性ぺ一スト
（６５）を塗布し、当該ＭＭＩＣ（２０）の上に、代わ
りをするＭＭＩＣ（７０）を不良箇所のあるＭＭＩＣ
（２０）または故障したＭＭＩＣの裏面のグランド電極
（２５）または基台（１０）と導通する状態で接着する
ようにしたことを特徴とする高周波モジュールにおける
ＩＣチップの実装方法。7. The method for mounting an IC chip in a high-frequency module according to claim 1 or 2, wherein the MMIC (20) having a defective portion or the failed MMI.
Using a coplanar waveguide with a ground or a microstrip line for the line of the MMIC (70) instead of the C, the MMIC (20) having a defective portion or the failed MMIC is crushed, and the MMIC (2) is placed on the upper surface thereof.
A conductive paste (65) is applied so as to seep into the cracks (24) of (0), and a substitute MMIC (70) is placed on the MMIC (20).
(20) A method for mounting an IC chip in a high-frequency module, wherein the IC chip is adhered in a conductive state to a ground electrode (25) or a base (10) on the back surface of a failed MMIC. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１項に記載の高
周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法におい
て、 ＭＭＩＣ（２０，７０）は３０ＧＨｚ以上のミリ波帯を
取り扱うものであることを特徴とする高周波モジュール
におけるＩＣチップの実装方法。8. The method for mounting an IC chip in a high-frequency module according to claim 1, wherein the MMIC (20, 70) handles a millimeter wave band of 30 GHz or more. Method of mounting an IC chip in a high-frequency module. 【請求項９】 請求項１〜８のいずれか１項に記載の高
周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法におい
て、 不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩ
Ｃにおける上面での高さ（Ｈ１）よりも、当該ＭＭＩＣ
（２０）と接続する線路側部位の高さ（Ｈ２）を高くし
たことを特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチッ
プの実装方法。9. The method of mounting an IC chip in a high-frequency module according to claim 1, wherein the MMIC having a defective portion or the failed MMI is provided.
C, the MMIC is higher than the height (H1) on the upper surface in C.
(20) A method of mounting an IC chip in a high-frequency module, wherein a height (H2) of a line side portion connected to (20) is increased. 【請求項１０】 請求項９に記載の高周波モジュールに
おけるＩＣチップの実装方法において、 基台（１０）の上面に凹部（１１）を形成し、この凹部
（１１）の底面をＭＭＩＣ（２０）の配置領域とするこ
とにより、不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障
したＭＭＩＣにおける上面での高さ（Ｈ１）よりも、当
該ＭＭＩＣ（２０）と接続する線路側部位の高さ（Ｈ
２）を高くするようにしたことを特徴とする高周波モジ
ュールにおけるＩＣチップの実装方法。10. The method for mounting an IC chip in a high-frequency module according to claim 9, wherein a recess (11) is formed on an upper surface of the base (10), and a bottom surface of the recess (11) is formed on the MMIC (20). By setting the arrangement area, the height (H1) of the line side portion connected to the MMIC (20) is higher than the height (H1) of the MMIC (20) having the defective portion or the failed MMIC on the upper surface.
2) A method for mounting an IC chip in a high-frequency module, wherein the method of (2) is increased. 【請求項１１】 請求項９または１０に記載の高周波モ
ジュールにおけるＩＣチップの実装方法において、 ＭＭＩＣ（２０，７０）を二段重ねした状態で、ボンデ
ィングワイヤーの長さが最短になるようにしたことを特
徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方
法。11. The method of mounting an IC chip in a high-frequency module according to claim 9, wherein the length of the bonding wire is minimized in a state where the MMICs (20, 70) are stacked in two stages. A method for mounting an IC chip in a high-frequency module. 【請求項１２】 請求項１〜１１のいずれか１項に記載
の高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法にお
いて、 ＭＭＩＣ（７０）の信号入力部分と線路の接続部分、お
よび、ＭＭＩＣ（７０）の信号出力部分と線路の接続部
分の少なくともいずれか一方に、ボンディングワイヤー
（８０，８１）の接続によるインピーダンス不整合を補
償する整合回路（３２，３３）を設け、整合回路（３
２，３３）に、代わりをするＭＭＩＣ（７０）を重ねた
ときのボンディングワイヤーの長さに対して広帯域設計
を行ったことを特徴とする高周波モジュールにおけるＩ
Ｃチップの実装方法。12. The method of mounting an IC chip in a high-frequency module according to claim 1, wherein a signal input portion of the MMIC (70) is connected to a line, and a signal of the MMIC (70). A matching circuit (32, 33) for compensating for impedance mismatch due to the connection of the bonding wires (80, 81) is provided in at least one of the output portion and the connection portion of the line.
2, 33), in which a broadband design is performed for the length of the bonding wire when the MMIC (70) as a substitute is stacked,
How to mount a C chip. 【請求項１３】 請求項１２に記載の高周波モジュール
におけるＩＣチップの実装方法において、 整合回路（３２，３３）に、代わりをするＭＭＩＣ（７
０）を一段だけ重ねたときのボンディングワイヤーの損
失が最小になるよう広帯域設計を行うようにしたことを
特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装
方法。13. The method of mounting an IC chip in a high-frequency module according to claim 12, wherein the MMIC (7) substitutes for the matching circuit (32, 33).
A method for mounting an IC chip in a high-frequency module, wherein a wideband design is performed so as to minimize the loss of a bonding wire when one of (0) is superimposed one step. 【請求項１４】 請求項１３に記載の高周波モジュール
におけるＩＣチップの実装方法において、 広帯域設計は３０ＧＨｚ帯以上のミリ波帯ＭＭＩＣを対
象にして行うようにしたことを特徴とする高周波モジュ
ールにおけるＩＣチップの実装方法。14. The method of mounting an IC chip in a high-frequency module according to claim 13, wherein the wideband design is performed for a millimeter-wave band MMIC of 30 GHz or more. How to implement. 【請求項１５】 基台（１０）の上にＭＭＩＣ（２０）
および線路基板（３０）を搭載するとともにＭＭＩＣ
（２０）と線路基板（３０）の信号線路を電気的に接続
する工程と、 モジュールの検査を行い、不良となったモジュールでの
前記ＭＭＩＣ（２０）における線路基板（３０）との電
気的接続部材（８３，８４）を除去する工程と、 前記ＭＭＩＣ（２０）の上に、当該ＭＭＩＣ（２０）の
代わりをするＭＭＩＣ（７０）を重ねた状態で配置する
とともに、代わりをするＭＭＩＣ（７０）と線路基板
（３０）の信号線路を電気的に接続する工程と、を備え
たことを特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチッ
プの実装方法。15. An MMIC (20) on a base (10).
And line board (30) and MMIC
(20) electrically connecting the signal line of the line board (30) to the signal line of the line board (30); inspecting the module; and electrically connecting the failed module to the line board (30) in the MMIC (20). Removing the members (83, 84); disposing the MMIC (70) as a substitute for the MMIC (20) on the MMIC (20) in an overlapping state; Electrically connecting the signal line of the line substrate (30) to a signal line of the line substrate (30).
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