JP2002270564A - Apparatus and method for cleaning substrate - Google Patents

Apparatus and method for cleaning substrate

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JP2002270564A
JP2002270564A JP2001351830A JP2001351830A JP2002270564A JP 2002270564 A JP2002270564 A JP 2002270564A JP 2001351830 A JP2001351830 A JP 2001351830A JP 2001351830 A JP2001351830 A JP 2001351830A JP 2002270564 A JP2002270564 A JP 2002270564A
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liquid
gas
substrate
cleaning
cleaning apparatus
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Application number
JP2001351830A
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Japanese (ja)
Inventor
Masanobu Sato
雅伸 佐藤
Sadao Hirae
貞雄 平得
Shuichi Yasuda
周一 安田
Takeya Morinishi
健也 森西
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and a method for cleaning a substrate capable of improving detergency of the surface of the substrate by sufficiently removing fine particles on the surface of the substrate. SOLUTION: The method for cleaning the substrate comprises the steps of discharging the cleaning force of a liquid droplet from a cleaning nozzle 7 onto the surface of the substrate W rotated at a rotation stopping Pa of the substrate W as a center. The nozzle 7 has a gas discharge nozzle 100 for discharging air to its body 7b and a liquid discharge nozzle 200 for discharging pure water. The method further comprises the steps of setting the air discharged from a gas discharge port 101 and the pure water discharged from a liquid discharge port 201 to a range of 0 to 110 deg. of an incident angle α at its collision site G. The method also comprises the steps of mixing the air with the pure water in the air, and cleaning the surface of the substrate with a cleaning liquid of the liquid droplet formed as a spray state.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマ・ディスプ
レイ・パネル)基板、あるいは、磁気ディスク用のガラ
ス基板やセラミック基板などのような各種の基板に洗浄
処理を施すための洗浄装置および洗浄方法に関する。
The present invention relates to various substrates such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display, a PDP (plasma display panel) substrate, a glass substrate for a magnetic disk, and a ceramic substrate. The present invention relates to a cleaning apparatus and a cleaning method for performing a cleaning process.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の製造工程には、半導体ウエ
ハ(以下、単に「基板」という。)の表面に成膜やエッ
チングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成
していく工程が含まれる。微細加工のためには基板の両
面、特に薄膜が形成される基板の一方面(薄膜形成面)
を清浄に保つ必要があるから、必要に応じて基板の洗浄
処理が行われる。
2. Description of the Related Art A semiconductor device manufacturing process includes a process of forming a fine pattern by repeatedly performing processes such as film formation and etching on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as "substrate"). . For microfabrication, both sides of the substrate, especially one side of the substrate on which the thin film is formed (thin film forming surface)
It is necessary to keep the substrate clean, and the substrate is subjected to a cleaning process as necessary.

【0003】上述のような従来の基板の洗浄を行う基板
洗浄装置は、基板の表面上に付着している汚染物を強力
に除去する洗浄用二流体ノズルを用いた液滴噴射の洗浄
が提案されている。
A conventional substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate as described above proposes cleaning by jetting droplets using a cleaning two-fluid nozzle for strongly removing contaminants adhering to the surface of the substrate. Have been.

【0004】図6は、従来の洗浄用二流体ノズルを用い
た洗浄装置の模式図である。この洗浄装置は、洗浄カッ
プ51と、洗浄カップ51内の基板Wを保持するスピン
チャック52と、このスピンチャック52を回転させる
電動モータ53と、液滴を基板Wの表面に向けて噴出す
る洗浄用二流体ノズル60に加圧したガスを供給する気
体供給手段55と、洗浄用二流体ノズル60に加圧した
液体を供給する液体供給手段56とを備えている。ま
た、洗浄用二流体ノズル60を保持し、移動させるロボ
ットアーム57を備えている。
FIG. 6 is a schematic view of a conventional cleaning apparatus using a two-fluid nozzle for cleaning. This cleaning apparatus includes a cleaning cup 51, a spin chuck 52 for holding a substrate W in the cleaning cup 51, an electric motor 53 for rotating the spin chuck 52, and cleaning for ejecting droplets toward the surface of the substrate W. A gas supply unit 55 for supplying a pressurized gas to the cleaning two-fluid nozzle 60 and a liquid supply unit 56 for supplying a pressurized liquid to the cleaning two-fluid nozzle 60 are provided. Further, a robot arm 57 for holding and moving the cleaning two-fluid nozzle 60 is provided.

【0005】図7は、従来の洗浄用二流体ノズル60の
断面図である。洗浄用二流体ノズル60は、その中をガ
スが通過する第1の管路61と、第1の管路61の外側
から、第1の管路61の側壁を貫通し、第1の管路61
内にまでその先端部が延び、その中を液体が通過する第
2の管路62とを備えている。第2の管路62の先端
は、第1の管路61が延びる方向と同じ方向に延びてい
る。
FIG. 7 is a sectional view of a conventional two-fluid nozzle 60 for cleaning. The cleaning two-fluid nozzle 60 includes a first conduit 61 through which gas passes, and a first conduit 61 that penetrates a side wall of the first conduit 61 from outside the first conduit 61. 61
And a second conduit 62 through which the liquid extends. The tip of the second conduit 62 extends in the same direction as the direction in which the first conduit 61 extends.

【0006】次にこの洗浄装置の動作について説明す
る。基板Wをスピンチャック52に固定し、所定の回転
数で回転する。気体供給手段55から加圧したガスを、
また液体供給手段56から加圧した液体をそれぞれ洗浄
用二流体ノズル60に供給する。洗浄用二流体ノズル6
0では、ガスと液体とが混合され、液体は粒状の液滴に
変化し、第1の管路61内のガスの流れによって加速さ
れ、第1の管路61の先端から噴出される。噴出した噴
霧状の液滴は、基板Wの表面に衝突し、基板Wの表面上
に付着している汚染物を除去する。
Next, the operation of the cleaning apparatus will be described. The substrate W is fixed to the spin chuck 52 and rotates at a predetermined rotation speed. The gas pressurized from the gas supply means 55 is
The pressurized liquid is supplied from the liquid supply means 56 to the two-fluid nozzle 60 for cleaning. Two-fluid nozzle for cleaning 6
At 0, the gas and the liquid are mixed, and the liquid is changed into granular droplets, accelerated by the flow of the gas in the first conduit 61, and ejected from the tip of the first conduit 61. The jetted spray droplets collide with the surface of the substrate W and remove contaminants adhering to the surface of the substrate W.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記洗
浄装置においては、洗浄用二流体ノズル60の内部で気
体と液体を混合しているため、気体および液体を夫々独
立に流量を可変しようと一方の流量を変化させた場合、
第1の管路61内で互いの圧力が干渉し、他方の流量も
変化してしまうという問題があった。
However, in the above-described cleaning apparatus, since the gas and the liquid are mixed inside the cleaning two-fluid nozzle 60, one of the two cleaning fluid nozzles is designed to independently vary the flow rates of the gas and the liquid. When changing the flow rate,
There is a problem that the pressures in the first conduit 61 interfere with each other and the flow rate of the other also changes.

【0008】即ち、洗浄力を上げるため、気体流量を増
加させると、第1の管路61内部の気体の圧力が高まる
ので、第2の管路62より供給される液体の流量が押え
られてしまう。そして、二流体ノズル60のノズル先端
開口より噴出される液滴は液体流量が抑えられることに
より、当初の洗浄力と異なる結果になる問題があった。
That is, when the gas flow rate is increased in order to increase the cleaning power, the pressure of the gas inside the first pipe line 61 increases, so that the flow rate of the liquid supplied from the second pipe line 62 is suppressed. I will. Then, there is a problem that the liquid ejected from the nozzle tip opening of the two-fluid nozzle 60 has a different result from the initial detergency because the liquid flow rate is suppressed.

【0009】その結果、基板W表面にゴミやスラリーな
どの微細なパーティクルが残ってしまい、半導体装置の
製造工程において歩留りの低下につながり、大きな問題
となっていた。
As a result, fine particles such as dust and slurry remain on the surface of the substrate W, leading to a decrease in yield in the process of manufacturing a semiconductor device, which has been a serious problem.

【0010】また、上記洗浄装置においては、洗浄用二
流体ノズル60の内部で気体と液体を混合しているた
め、ノズル60内壁面の凹凸を削ることで撥塵を伴っ
た。この撥塵は、ノズル60内に付着した液体が乾燥し
た付着物を、混合時に削り取ることで発生する場合もあ
った。
In the above-described cleaning apparatus, since gas and liquid are mixed inside the cleaning two-fluid nozzle 60, dust is repelled by shaving irregularities on the inner wall surface of the nozzle 60. The dust repellency was sometimes generated by scraping off the adhered matter from which the liquid adhered in the nozzle 60 was dried during mixing.

【0011】そこで、本発明の目的は、上述の技術的課
題を解決し、基板表面の微細なパーティクルを十分に除
去し、基板表面の洗浄が可能な基板洗浄装置を提供する
ことにある。
An object of the present invention is to solve the above technical problems and to provide a substrate cleaning apparatus capable of sufficiently removing fine particles on the substrate surface and cleaning the substrate surface.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
記目的を達成するために、本発明は、基板洗浄装置であ
って、液体を吐出する液体吐出手段と、前記液体吐手段
に近接して気体を吐出する気体吐出手段と、を備え、前
記液体吐出手段から吐出される液体を、空中にて前記気
体吐出手段より吐出された気体と混合し、生成した液滴
の洗浄液を基板面に衝突させることにより洗浄を行うこ
とを特徴とする基板洗浄装置である。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate cleaning apparatus, comprising: a liquid discharging means for discharging a liquid; A gas discharging means for discharging a gas, wherein the liquid discharged from the liquid discharging means is mixed with the gas discharged from the gas discharging means in the air, and the cleaning liquid of the generated droplet collides with the substrate surface. A substrate cleaning apparatus characterized by performing cleaning by causing the substrate to be cleaned.

【0013】請求項2に係る発明は、請求項1に記載の
基板洗浄装置であって、前記液体と気体の混合は、前記
液体吐出手段から吐出される液体と、前記気体吐出手段
より吐出された気体とを空中にて衝突させることにより
行うことを特徴とする。
The invention according to claim 2 is the substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the mixing of the liquid and the gas is performed by discharging the liquid discharged from the liquid discharging means and discharging the liquid from the gas discharging means. This is characterized in that it is carried out by colliding the gas with air in the air.

【0014】請求項3に係る発明は、請求項1に記載の
基板洗浄装置であって、前記液体と気体の混合は、吐出
された液体もしくは気体のどちらか一方の空中への噴流
中で他方を吐出させることにより行うことを特徴とす
る。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the substrate cleaning apparatus according to the first aspect, wherein the mixing of the liquid and the gas is performed by jetting one of the discharged liquid and the gas into the air. Is performed by ejecting the ink.

【0015】請求項4に係る発明は、請求項1に記載の
基板洗浄装置であって、前記液体吐出手段は液体供給手
段と、その液体供給手段より供給された液体を吐出する
液体吐出口と、を備え、前記気体吐出手段は気体供給手
段と、その気体供給手段により供給された気体を吐出す
る気体吐出口と、を備え、前記液体吐出口を通る中心軸
線と、前記気体吐出口を通る中心軸線との交点における
各軸線のなす角度は、0度以上で110度以下の範囲で
あることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus according to the first aspect, the liquid discharge means includes a liquid supply means, and a liquid discharge port for discharging the liquid supplied from the liquid supply means. Wherein the gas discharge means includes a gas supply means, and a gas discharge port for discharging gas supplied by the gas supply means, and a central axis passing through the liquid discharge port and passing through the gas discharge port. The angle formed by each axis at the intersection with the central axis is in the range of 0 to 110 degrees.

【0016】請求項5に係る発明は、基板洗浄装置であ
って、液体供給手段より供給された液体を吐出する液体
吐出口と、気体供給手段より供給された気体を吐出する
気体吐出口と、をノズルに備え、前記液体吐出口から吐
出された液体に、液体吐出口の直後において、気体を混
入すべく前記気体吐出口より吐出し、前記液体と気体の
混合により生成した液滴の洗浄液を基板面に衝突させる
ことにより洗浄を行うことを特徴とする基板洗浄装置で
ある。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate cleaning apparatus, comprising: a liquid discharge port for discharging the liquid supplied from the liquid supply means; a gas discharge port for discharging the gas supplied from the gas supply means; Is provided in the nozzle, and to the liquid discharged from the liquid discharge port, immediately after the liquid discharge port, is discharged from the gas discharge port so as to mix a gas, and the cleaning liquid of the droplet generated by mixing the liquid and the gas is removed. A substrate cleaning apparatus characterized in that cleaning is performed by colliding with a substrate surface.

【0017】請求項6に係る発明は、請求項5に記載の
基板洗浄装置であって、前記液体と気体の混合は、前記
液体吐出口から吐出される液体と、前記気体吐出口より
吐出された気体とを空中にて衝突させることにより行う
ことを特徴とする。
The invention according to claim 6 is the substrate cleaning apparatus according to claim 5, wherein the mixing of the liquid and the gas is performed by mixing the liquid discharged from the liquid discharge port with the liquid discharged from the gas discharge port. This is characterized in that it is carried out by colliding the gas with air in the air.

【0018】請求項7に係る発明は、請求項5に記載の
基板洗浄装置であって、前記液体と気体の混合は、吐出
された液体もしくは気体のどちらか一方の空中への噴流
中で他方を吐出させることにより行うことを特徴とす
る。
The invention according to claim 7 is the substrate cleaning apparatus according to claim 5, wherein the mixing of the liquid and the gas is performed by jetting one of the discharged liquid and the gas into the air. Is performed by ejecting the ink.

【0019】請求項8に係る発明は、請求項5に記載の
基板洗浄装置であって、前記液体吐出口を通る中心軸線
と、前記気体吐出口を通る中心軸線との交点における各
軸線のなす角度は、0度以上で110度以下の範囲であ
ることを特徴とする。
According to an eighth aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus according to the fifth aspect, each axis is formed at an intersection of a central axis passing through the liquid discharge port and a central axis passing through the gas discharge port. The angle is in a range of 0 degree or more and 110 degrees or less.

【0020】請求項9に係る発明は、請求項4乃至請求
項8に記載の基板洗浄装置において、前記気体供給手段
を作動して気体の吐出を開始し、所定時間の後に、前記
液体供給手段を作動させ液体の吐出を開始するように制
御する制御手段と、を有することを特徴とする。
According to a ninth aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus according to any one of the fourth to eighth aspects, the gas supply means is activated to start discharging the gas, and after a predetermined time, the liquid supply means. And control means for controlling so as to start discharging the liquid.

【0021】請求項10に係る発明は、請求項4乃至請
求項9に記載の基板洗浄装置において、前記液体供給手
段の作動を停止して、所定時間の後に、前記気体供給手
段を作動を停止するように制御する制御手段と、を有す
ることを特徴とする。
According to a tenth aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus according to any one of the fourth to ninth aspects, the operation of the liquid supply unit is stopped, and the operation of the gas supply unit is stopped after a predetermined time. And control means for performing control so as to perform

【0022】請求項11に係る発明は、請求項1乃至請
求項10に記載の基板洗浄装置を用いて基板を洗浄する
ことを特徴とする基板洗浄方法である。
An eleventh aspect of the present invention is a substrate cleaning method, wherein a substrate is cleaned using the substrate cleaning apparatus according to any one of the first to tenth aspects.

【0023】本発明の作用は次のとおりである。ここ
で、請求項1に係る発明の基板洗浄装置によると、気体
と液体が空中にて混合し、生成した液滴の洗浄液にて基
板面が洗浄される。
The operation of the present invention is as follows. Here, according to the substrate cleaning apparatus of the first aspect, the gas and the liquid are mixed in the air, and the substrate surface is cleaned with the generated cleaning liquid of the droplet.

【0024】ここで、液滴の洗浄液は、気体吐出手段と
液体吐出手段より吐出された後に生成される。このた
め、液体と気体の流量や流速は、互いに独立した状態を
維持される。そして、吐出された液体と気体は空中で混
合し、その結果、液滴となる。よって、液滴の洗浄液が
生成される時に、従来の二流体ノズルのように管内部に
て混合することで、互いの流れが干渉することなく、所
望の液滴流を得ることができる。したがって、このよう
に空気中で混合して生成される洗浄液は、液体または気
体の流量や流速を所望に制御することで、所望の液滴が
得られるので、基板面の微細なパーティクルを十分に除
去し、基板表面の洗浄力を向上させることができる。ま
た、気体と液体を空中で混合することで、管内部におけ
る付着物やゴミを削り取ることによる撥塵の発生を防止
することができる。
Here, the cleaning liquid of the droplet is generated after being discharged from the gas discharging means and the liquid discharging means. For this reason, the flow rates and the flow rates of the liquid and the gas are maintained independent of each other. Then, the discharged liquid and gas are mixed in the air, and as a result, become a droplet. Therefore, when the cleaning liquid of the droplet is generated, by mixing inside the tube like a conventional two-fluid nozzle, a desired droplet flow can be obtained without interference between the flows. Therefore, a desired droplet can be obtained by controlling the flow rate and flow rate of the liquid or gas as desired in the cleaning liquid generated by mixing in air in this manner, and thus the fine particles on the substrate surface can be sufficiently removed. By removing it, the cleaning power of the substrate surface can be improved. Further, by mixing the gas and the liquid in the air, it is possible to prevent the occurrence of dust repellency due to scraping off deposits and dust inside the tube.

【0025】なお、ここでいう「基板面」とは、基板の
薄膜が形成された面であっても、基板の薄膜が形成され
ていない面であってもよく、また、基板の上面、下面の
いずれでもよい。すなわち、基板面とは、基板の周縁部
の端面を除いたどの面であってもよい。
The “substrate surface” here may be the surface of the substrate on which the thin film is formed, the surface of the substrate on which the thin film is not formed, or the upper and lower surfaces of the substrate. Either may be used. That is, the substrate surface may be any surface except for the end surface of the peripheral portion of the substrate.

【0026】またさらに、ここでいう「洗浄液」とは、
液体と気体が混合されて噴霧状に生成される液滴であっ
て、その液滴は液体のみで生成される場合や、液滴化さ
れる際に液体に気体が溶解したものでもよい。液体とし
ては、純水および薬液(たとえば、フッ酸、硫酸、塩
酸、硝酸、燐酸、酢酸、アンモニアまたはこれらの過酸
化水素水溶液など)のいずれであってもよく、基板面を
洗浄できる液体であればなんでもよい。また、気体とし
ては、空気、オゾンガス、二酸化炭素、水素のいずれで
あってもよい。
Further, the "cleaning liquid" as used herein means:
A liquid droplet and a gas are mixed to generate a spray, and the liquid droplet may be formed of only the liquid, or may be a liquid in which the gas is dissolved when the liquid is formed into a droplet. The liquid may be any of pure water and a chemical solution (for example, hydrofluoric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, ammonia or an aqueous solution of hydrogen peroxide thereof), and any liquid capable of cleaning the substrate surface. Anything is fine. Further, the gas may be any of air, ozone gas, carbon dioxide, and hydrogen.

【0027】請求項2に係る発明の基板洗浄装置による
と、液体と気体との空中における混合は、液体と気体を
衝突させることにより行われる。その結果、基板面には
確実に液滴の洗浄液が生成され、基板面を洗浄できる。
According to the substrate cleaning apparatus of the second aspect of the invention, the mixing of the liquid and the gas in the air is performed by colliding the liquid and the gas. As a result, a cleaning liquid of a droplet is reliably generated on the substrate surface, and the substrate surface can be cleaned.

【0028】請求項3に係る発明の基板洗浄装置による
と、液体と気体との空中における混合は、液体と気体の
どちらか一方の空中への噴流中で他方を吐出させること
により行われる。その結果、確実に液滴の洗浄液が生成
され、基板面を洗浄できる。また、例えば、気体の噴流
中で液体を吐出する場合、液体は吐出直後に気体の流速
に律速され、速やかに気体と混合され液滴が生成され
る。また、気体の噴流中での混合であるため、生成され
る液滴はそのまま噴流に案内されるので、液滴が不必要
に飛び散ることが防止できる。
According to the substrate cleaning apparatus of the third aspect of the invention, the mixing of the liquid and the gas in the air is performed by discharging one of the liquid and the gas in a jet flow into the air. As a result, the cleaning liquid of the droplet is reliably generated, and the substrate surface can be cleaned. In addition, for example, when a liquid is ejected in a gas jet, the liquid is limited by the flow velocity of the gas immediately after the ejection, and is quickly mixed with the gas to generate droplets. Further, since the mixing is performed in the gas jet, the generated droplet is guided to the jet as it is, so that it is possible to prevent the droplet from scattering unnecessarily.

【0029】請求項4に係る発明の基板洗浄装置による
と、液体と気体との空中における衝突は、液体吐出口を
通る中心軸線と気体吐出口を通る中心軸線との交点にお
ける各軸線のなす角度が、0度以上で110度以下の範
囲に設定される。その結果、確実に液滴の洗浄液が生成
され、基板面を洗浄できる。
According to the substrate cleaning apparatus of the present invention, the collision between the liquid and the gas in the air is caused by the angle formed by each axis at the intersection of the central axis passing through the liquid discharge port and the central axis passing through the gas discharge port. Is set in a range of 0 degree or more and 110 degrees or less. As a result, the cleaning liquid of the droplet is reliably generated, and the substrate surface can be cleaned.

【0030】さらに、ここで各中心軸線の交点における
各軸線のなす角度が0度であれば、気体と液体の吐出は
平行状態となり、液体及び気体の一方の噴流中に他方を
吐出することで混合が行われる。また、110度以下で
あれば液体と気体の衝突による液滴が良好に生成され
た。しかしながら、110度より大きければ液体と気体
との衝突が正面衝突に近くなり、液滴が一方向ではなく
四方に飛び散るのが確認された。即ち、基板面を洗浄す
るに基板面に向かう液滴が減少し、良好な洗浄が行なえ
ない。そこで、0度以上で110度以下の範囲とするこ
とで、液滴の洗浄液を一方向に向かわすことができる。
Furthermore, if the angle between the axes at the intersection of the central axes is 0 degrees, the discharge of the gas and the liquid is in a parallel state, and the discharge of one of the liquid and the gas is performed by discharging the other during the jet. Mixing is performed. In addition, when the temperature was 110 degrees or less, a droplet was satisfactorily generated due to collision between the liquid and the gas. However, when the angle was larger than 110 degrees, the collision between the liquid and the gas was close to the head-on collision, and it was confirmed that the droplets scattered in all directions instead of one direction. That is, when the substrate surface is cleaned, the number of droplets directed to the substrate surface is reduced, and good cleaning cannot be performed. Therefore, by setting the range of 0 ° or more and 110 ° or less, the cleaning liquid of the droplet can be directed in one direction.

【0031】請求項5に係る発明の基板洗浄装置による
と、気体と液体が空中にて液滴となした洗浄液にて基板
面が洗浄される。そして、この基板洗浄装置によれば、
ノズルに液体吐出口と気体吐出口を備えているので、ノ
ズルを基板上に配置することで洗浄液を基板面に衝突さ
せることができる。
According to the substrate cleaning apparatus of the fifth aspect, the substrate surface is cleaned with the cleaning liquid in which the gas and the liquid form droplets in the air. And according to this substrate cleaning apparatus,
Since the nozzle is provided with the liquid discharge port and the gas discharge port, the cleaning liquid can collide with the substrate surface by disposing the nozzle on the substrate.

【0032】請求項6に係る発明の基板洗浄装置による
と、液体と気体との混合は、液体と気体を衝突させるこ
とにより行われる。その結果、基板面には確実に液滴の
洗浄液が生成され、基板面を洗浄できる。
According to the substrate cleaning apparatus of the present invention, the mixing of the liquid and the gas is performed by causing the liquid and the gas to collide. As a result, a cleaning liquid of a droplet is reliably generated on the substrate surface, and the substrate surface can be cleaned.

【0033】請求項7に係る発明の基板洗浄装置による
と、液体と気体との混合は、液体と気体のどちらか一方
の空中への噴流中で他方を吐出させることにより行われ
る。その結果、基板面には確実に液滴の洗浄液が生成さ
れ、基板面を洗浄できる。
According to the substrate cleaning apparatus of the present invention, the mixing of the liquid and the gas is performed by discharging one of the liquid and the gas in a jet flow into the air. As a result, a cleaning liquid of a droplet is reliably generated on the substrate surface, and the substrate surface can be cleaned.

【0034】請求項8に係る発明の基板洗浄装置による
と、液体と気体との空中における衝突は、液体吐出口を
通る中心軸線と気体吐出口を通る中心軸線との交点にお
ける各軸線のなす角度が、0度以上で110度以下の範
囲に設定されようにノズルが構成される。その結果、確
実に液滴の洗浄液が生成され、基板面を洗浄できる。
According to the substrate cleaning apparatus of the present invention, the collision between the liquid and the gas in the air is caused by the angle formed by each axis at the intersection of the central axis passing through the liquid discharge port and the central axis passing through the gas discharge port. Is set in a range of 0 degree or more and 110 degrees or less. As a result, the cleaning liquid of the droplet is reliably generated, and the substrate surface can be cleaned.

【0035】請求項9に係る発明の基板洗浄装置による
と、液滴の生成の際に気体を吐出させた後に、液体が吐
出される。その結果、液体は吐出された当初から気体と
衝突して液滴となり、液流のまま基板面に衝突される無
駄を省くことができる。
According to the substrate cleaning apparatus of the ninth aspect, the liquid is discharged after the gas is discharged at the time of generating the droplet. As a result, the liquid collides with the gas from the beginning of the ejection to become liquid droplets, and wasteful collision with the substrate surface in the liquid flow can be eliminated.

【0036】請求項10に係る発明の基板洗浄装置によ
ると、洗浄停止の際に液体の吐出を停止させた後に、気
体の吐出が停止される。その結果、液滴の洗浄液による
基板面の洗浄後に、液流が基板面に衝突される無駄を省
くことができる。
According to the tenth aspect of the present invention, the discharge of the gas is stopped after the discharge of the liquid is stopped when the cleaning is stopped. As a result, after the cleaning of the substrate surface with the cleaning liquid for the droplets, wasteful collision of the liquid flow with the substrate surface can be eliminated.

【0037】請求項11に係る発明の基板洗浄方法によ
ると、空中にて気体と液体を混合して生成された液滴に
よる洗浄液により基板を洗浄する洗浄方法が提供され
る。その結果、基板面の微細なパーティクルを十分に除
去し、基板表面の洗浄力を向上させることができる。
According to the eleventh aspect of the present invention, there is provided a cleaning method for cleaning a substrate with a cleaning liquid by droplets generated by mixing a gas and a liquid in the air. As a result, fine particles on the substrate surface can be sufficiently removed, and the detergency of the substrate surface can be improved.

【0038】[0038]

【発明の実施の形態】以下に、上述の技術的課題を解決
するための本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置を、
添付図面を参照して詳細に説明する。 <第1実施例>図1は、実施例に係る基板洗浄装置の概
略構成を示すブロック図であり、図2はその平面図であ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention for solving the above technical problems will be described.
This will be described in detail with reference to the accompanying drawings. <First Embodiment> FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment, and FIG. 2 is a plan view thereof.

【0039】図中、符号1は円板状のスピンチャックで
あり、このスピンチャック1に6個の支持ピン1aが立
設されている。図1に示すように、スピンチャック1
は、その底面に連結された回転軸3を介して電動モータ
5で回転されるようになっている。この回転駆動によ
り、支持ピン1aで周縁部を当接支持された基板Wが回
転中心Pa周りに水平面内で回転される。スピンチャッ
ク1の周囲には、2流体式の洗浄ノズル7から吐出され
た洗浄液Mが飛散するのを防止するための飛散防止カッ
プ9が配備されている。この飛散防止カップ9は、未洗
浄の基板Wをスピンチャック1に載置したり、図示して
いない搬送手段が洗浄済の基板Wをスピンチャック1か
ら受け取る際に図中に矢印で示すようにスピンチャック
1に対して昇降するように構成されている。
In the drawing, reference numeral 1 denotes a disk-shaped spin chuck, on which six support pins 1a are provided upright. As shown in FIG.
Is rotated by an electric motor 5 via a rotating shaft 3 connected to its bottom surface. By this rotational driving, the substrate W whose peripheral edge is supported by the support pins 1a is rotated in a horizontal plane around the rotation center Pa. A scattering prevention cup 9 for preventing the cleaning liquid M discharged from the two-fluid cleaning nozzle 7 from scattering around the spin chuck 1 is provided. As shown by arrows in the figure, when the unwashed substrate W is placed on the spin chuck 1 or the transfer means (not shown) receives the washed substrate W from the spin chuck 1, It is configured to move up and down with respect to the spin chuck 1.

【0040】洗浄ノズル7は、図1に示すように、胴部
7bに支持アーム8の先端が連接されて吐出面7aが基
板Wの表面に向かう姿勢で支持されている。一方、支持
アーム8の基端部は、昇降・移動機構11に連接されて
いる。この昇降・移動機構11によって、図2に示すよ
うに、基板W面内の洗浄液の供給開始位置Kから回転中
心Paを通って供給終了位置Fに向かうように構成され
ている。さらに、支持アーム8には、回転モータ11a
の回転軸11bに連結されている。回転モータ11aの
回転中心Pbの周りに洗浄ノズル7を基板W上で揺動さ
せるためのものである。
As shown in FIG. 1, the tip of a support arm 8 is connected to the body 7b of the cleaning nozzle 7, and the discharge surface 7a is supported in a posture facing the surface of the substrate W. On the other hand, the base end of the support arm 8 is connected to the lifting / moving mechanism 11. As shown in FIG. 2, the lifting / moving mechanism 11 is configured to move from the supply start position K of the cleaning liquid on the surface of the substrate W to the supply end position F through the rotation center Pa. Further, the support arm 8 includes a rotary motor 11a.
Of the rotary shaft 11b. This is for swinging the cleaning nozzle 7 on the substrate W around the rotation center Pb of the rotation motor 11a.

【0041】また、洗浄ノズル7は、その胴部7bに気
体として圧縮空気を導入する配管15aと、液体として
純水を導入する配管15dとが連通接続された二流体ノ
ズルを構成している。配管15aは、その上手で本発明
の気体供給手段に相当する圧縮空気供給部21に接続さ
れている。配管15aには、流通する空気の圧力をコン
トローラ20から入力された制御信号に対応する圧力に
調整する電空レギュレータ17aと、空気の圧力を検出
する圧力センサ18aと、流量を検出する流量センサ1
9aとがそれぞれ備えられている。
The cleaning nozzle 7 is a two-fluid nozzle in which a pipe 15a for introducing compressed air as gas and a pipe 15d for introducing pure water as liquid are connected to the body 7b. The pipe 15a is well connected to a compressed air supply unit 21 corresponding to the gas supply means of the present invention. The pipe 15a has an electropneumatic regulator 17a for adjusting the pressure of the flowing air to a pressure corresponding to the control signal input from the controller 20, a pressure sensor 18a for detecting the pressure of the air, and a flow sensor 1 for detecting the flow rate.
9a.

【0042】また、配管15bには、流通する純水の圧
力をコントローラ20から入力された制御信号に対応す
る圧力に調整する電空レギュレータ17bと、空気の圧
力を検出する圧力センサ18bと、流量を検出する流量
センサ19bとがそれぞれ備えられている。なお、使用
される液体は純粋に限られず、超純水などであってもよ
い。また、薬液(たとえば、フッ酸、硫酸、塩酸、硝
酸、燐酸、酢酸、アンモニアまたはこれらの過酸化水素
水溶液など)のいずれであってもよい。
The pipe 15b has an electropneumatic regulator 17b for adjusting the pressure of the pure water flowing therethrough to a pressure corresponding to the control signal input from the controller 20, a pressure sensor 18b for detecting the pressure of the air, And a flow sensor 19b for detecting the flow rate. Note that the liquid used is not limited to pure water, and may be ultrapure water or the like. Further, any chemical solution (for example, hydrofluoric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, ammonia, or an aqueous solution of hydrogen peroxide thereof) may be used.

【0043】電空レギュレータ17a、17bのそれぞ
れには、コントローラ20から制御信号が入力され、こ
の制御信号に応じて配管15a、15bを流通する各気
体と純水の圧力がそれぞれ調整されている。一方、圧力
センサ18a、18b流量センサ19a、19bのそれ
ぞれから逐次検出された検出結果がコントローラ20に
フィードバックされる。
A control signal is input from the controller 20 to each of the electropneumatic regulators 17a and 17b, and the pressure of each gas and pure water flowing through the pipes 15a and 15b is adjusted according to the control signal. On the other hand, the detection results sequentially detected from the pressure sensors 18a, 18b and the flow sensors 19a, 19b are fed back to the controller 20.

【0044】コントローラ20には、電動モータ5と、
昇降・移動機構11と、電空レギュレータ17a、17
bと、圧力センサ18a、18bと、流量センサ19
a、19bのそれぞれが接続されている。そして、基板
Wに応じた洗浄条件が、洗浄プログラム(レシピーとも
呼ばれる)として予めコントローラ20に格納されてお
り、各基板Wごとの洗浄プログラムに準じて前記各部が
制御されている。このコントローラ20が本発明の制御
手段に相当する。
The controller 20 includes the electric motor 5 and
Elevating / moving mechanism 11, electropneumatic regulators 17a, 17
b, pressure sensors 18a, 18b, and flow sensor 19
a and 19b are connected. Cleaning conditions corresponding to the substrate W are stored in the controller 20 in advance as a cleaning program (also called a recipe), and the above-described units are controlled according to the cleaning program for each substrate W. This controller 20 corresponds to the control means of the present invention.

【0045】なお、コントローラ20には、さらに洗浄
プログラムの作成・変更や、複数の洗浄プログラムの中
から所望のものを選択するために用いる指示部30が接
続されている。
The controller 20 is further connected to an instruction unit 30 used to create and change a cleaning program and to select a desired one from a plurality of cleaning programs.

【0046】さて、次に、本実施例の特徴的な構成を備
えている洗浄ノズル7の内部構造について、図を用い
て、詳しく説明する。図3は、洗浄ノズル7の構成を簡
略的に示す装置側方から見た断面図である。
Next, the internal structure of the cleaning nozzle 7 having the characteristic configuration of this embodiment will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 3 is a sectional view schematically showing the configuration of the cleaning nozzle 7 as viewed from the side of the apparatus.

【0047】なお、胴部7bは上述の支持アーム8の一
方端にボルト等によって固定されており、胴部7b内に
気体吐出口101を有する気体吐出ノズル100と、液
体吐出口201を有する液体吐出ノズル200が挿通し
て配置される。気体吐出ノズル100と液体吐出ノズル
200は、支持アーム8の内部を通る配管15a、15
bを介して、上述の圧縮空気供給部21と純水供給部2
5に接続されている。
The body 7b is fixed to one end of the support arm 8 with a bolt or the like. The gas discharge nozzle 100 having the gas discharge port 101 in the body 7b and the liquid having the liquid discharge port 201 in the body 7b. The discharge nozzle 200 is inserted and arranged. The gas discharge nozzle 100 and the liquid discharge nozzle 200 are connected to pipes 15 a and 15
b, the compressed air supply unit 21 and the pure water supply unit 2 described above.
5 is connected.

【0048】気体吐出ノズル100は、その気体吐出口
101が基板Wの表面に対向するように配置され、気体
吐出口101を通る中心軸線P1は基板Wの表面に垂直
に交わる。一方、液体吐出ノズル200は、気体吐出ノ
ズル100の近傍で斜めに傾斜して配置され、その液体
吐出口201を通る中心軸線P2が、基板Wの表面に対
して斜めに交わる。そして、中心軸線P1、P2が交わ
る交点が、液体と気体との混合領域である衝突部位Gと
なる。
The gas discharge nozzle 100 is disposed such that the gas discharge port 101 faces the surface of the substrate W, and the central axis P1 passing through the gas discharge port 101 intersects perpendicularly with the surface of the substrate W. On the other hand, the liquid discharge nozzle 200 is disposed obliquely in the vicinity of the gas discharge nozzle 100, and a central axis P <b> 2 passing through the liquid discharge port 201 obliquely intersects the surface of the substrate W. Then, the intersection of the central axes P1 and P2 intersects with each other at a collision site G which is a mixed region of liquid and gas.

【0049】そして、洗浄ノズル7の胴部7bは、円柱
状で、その吐出面7aの外周端縁が下方に突出した傘部
7cを形成される。その傘部7cの上面部7dには、気
体吐出口101が配置されるように気体吐出ノズル10
0は配置され、傘部7cの途中に液体吐出口201が配
置されるように液体吐出ノズル200は配置される。
尚、胴部7bはテフロン(登録商標)などのフッ素樹脂
で一体的に形成されている。
The body 7b of the cleaning nozzle 7 is formed in a columnar shape, and an umbrella portion 7c is formed in which the outer peripheral edge of the discharge surface 7a protrudes downward. On the upper surface 7d of the umbrella portion 7c, the gas discharge nozzle 10 is arranged so that the gas discharge port 101 is disposed.
0 is arranged, and the liquid ejection nozzle 200 is arranged so that the liquid ejection port 201 is arranged in the middle of the head portion 7c.
The body 7b is integrally formed of a fluorine resin such as Teflon (registered trademark).

【0050】次に、この洗浄ノズル7にて噴霧状の液滴
による洗浄液を生成するに、衝突部位Gにおける中心軸
線P1、P2の入射角度αは、各流体の流量や流速によ
り若干異なるが、0度以上で110度以下の範囲が好ま
しい。ここで各入射角度αが0度であれば、空気と純水
の吐出は平行状態となるが、一方の噴流中に他方と吐出
することで液滴が生成できる。その態様に関しては、後
述する第2実施例にて詳細を説明する。しかしながら、
入射角度αが、110度より大きければ純水と空気との
衝突が正面衝突に近くなり、液滴が一方向ではなく四方
に飛び散るのが確認された。即ち、基板Wの表面を洗浄
するに基板Wの表面に向かう液滴が減少し、良好な洗浄
が行なえない。そこで、入射角度αを0度以上で110
度以下の範囲とすることで、噴霧状の洗浄液を一方向に
向かわすことができる。
Next, when the cleaning nozzle 7 generates the cleaning liquid in the form of spray droplets, the incident angle α of the central axes P1 and P2 at the collision site G slightly differs depending on the flow rate and the flow velocity of each fluid. A range from 0 degree to 110 degree is preferable. Here, if each incident angle α is 0 degrees, the discharge of air and pure water is in a parallel state, but droplets can be generated by discharging one jet into the other jet. This aspect will be described in detail in a second embodiment described later. However,
When the incident angle α is larger than 110 degrees, the collision between pure water and air is close to a head-on collision, and it has been confirmed that the droplet scatters not in one direction but in all directions. That is, when cleaning the surface of the substrate W, the number of droplets directed to the surface of the substrate W is reduced, and good cleaning cannot be performed. Therefore, when the incident angle α is 0 degree or more, 110
By setting the temperature within the range, the spray liquid can be directed in one direction.

【0051】さらに、液体吐出口201から衝突部位G
までの距離βは、液体の水噴流の圧力が減衰して流れが
崩壊しない距離として、0mmよりも大きく20mm以
下に設けることがよい。
Further, the collision portion G
Is preferably greater than 0 mm and not more than 20 mm as a distance at which the pressure of the liquid water jet is attenuated and the flow does not collapse.

【0052】また、衝突部位Gは洗浄ノズル7の吐出面
7aと同位置もしくは少し基板Wの表面側に位置する。
こうすることで、衝突部位Gにおいて傘部7cにより外
的影響を防止し、純水と空気の混合をすることができ
る。さらに、上面部7dに近接しないことにより傘部7
c内面に対する噴霧状の液滴が付着し滴り落ちることを
防止することができる。そして、衝突部位Gと基板Wの
表面との間隔は、所望する洗浄能力に従う間隔であれば
よく、通常100mm以下、好ましくは3〜30mm程
度に設定される。
The collision site G is located at the same position as the discharge surface 7 a of the cleaning nozzle 7 or slightly on the front surface side of the substrate W.
By doing so, external effects can be prevented by the umbrella portion 7c at the collision site G, and pure water and air can be mixed. Further, the umbrella portion 7 is not approached to the upper surface portion 7d.
It is possible to prevent spray-like droplets from adhering to the inner surface of the c and dropping. The distance between the collision site G and the surface of the substrate W may be any distance according to the desired cleaning ability, and is usually set to 100 mm or less, preferably about 3 to 30 mm.

【0053】以上の構成により、電空レギュレータ17
a、17bがコントローラ20の信号により開成されて
気体吐出口101と液体吐出口201から空気と純水が
供給されると、噴射する空気の噴流中に純水が混入し噴
流構造を崩壊させることにより液滴化が促進される。そ
して、この噴霧状の洗浄液により基板Wの表面が洗浄さ
れる。
With the above configuration, the electropneumatic regulator 17
When a and 17b are opened by the signal of the controller 20 and air and pure water are supplied from the gas discharge port 101 and the liquid discharge port 201, pure water is mixed into the jet of the jetting air to cause the jet structure to collapse. This promotes droplet formation. Then, the surface of the substrate W is cleaned with the spray liquid.

【0054】次に、以上の構成を有する基板洗浄装置に
よる洗浄処理動作について説明する。先ず、所定の基板
Wに応じた洗浄プログラムを指示部30から選択して実
行する。そうすると、飛散防止カップ9をスピンチャッ
ク1に対して下降させ、洗浄ノズル7が待機位置に位置
している状態で、図示しない基板搬送ロボットのハンド
によって、基板Wが基板洗浄装置内に搬入され、スピン
チャック1の上面に載置されて保持される。そして、飛
散防止カップ9を上昇させるとともに、洗浄ノズル7が
洗浄開始位置に移動する。次に、基板Wを保持したスピ
ンチャック1が回転されて、基板Wが回転中心Paを中
心に回転方向に回転される(基板回転工程)。
Next, the cleaning operation performed by the substrate cleaning apparatus having the above configuration will be described. First, a cleaning program corresponding to a predetermined substrate W is selected from the instruction unit 30 and executed. Then, the scattering prevention cup 9 is lowered with respect to the spin chuck 1, and the substrate W is carried into the substrate cleaning apparatus by a hand of a substrate transfer robot (not shown) while the cleaning nozzle 7 is located at the standby position. It is placed and held on the upper surface of the spin chuck 1. Then, the scattering prevention cup 9 is raised, and the cleaning nozzle 7 is moved to the cleaning start position. Next, the spin chuck 1 holding the substrate W is rotated, and the substrate W is rotated in the rotational direction about the rotation center Pa (substrate rotating step).

【0055】次に、基板Wを一定速度で低速回転させつ
つ、洗浄ノズル7は、図2に示すように、洗浄液の供給
開始位置Kから回転中心Paを通り、供給終了位置Fま
で移動する(洗浄液供給工程)。また、スピンチャック
1の回転速度は10rpmから1000rpm程度が好
ましい。
Next, while rotating the substrate W at a low speed at a constant speed, the cleaning nozzle 7 moves from the cleaning liquid supply start position K through the rotation center Pa to the supply end position F as shown in FIG. Cleaning liquid supply step). The rotation speed of the spin chuck 1 is preferably from about 10 rpm to about 1000 rpm.

【0056】このとき、コントローラ20から各電気空
レギュレータ17a、17bに制御信号が送られ、衝突
部位Gで液滴化するように空気と純水の圧力が適切に調
整される。また、同時に、各圧力センサ18a、18b
と流量センサ19a、19bから検出された結果が、逐
次コントローラ20にフィードバックされる。つまり、
圧縮空気供給部21から供給された空気が配管15aか
ら搬送され、同時に純水供給部25から純水が配管15
bから搬送される。
At this time, a control signal is sent from the controller 20 to each of the electropneumatic regulators 17a and 17b, and the pressure of the air and the pure water is appropriately adjusted so as to form droplets at the collision site G. At the same time, each of the pressure sensors 18a, 18b
And the results detected from the flow sensors 19a and 19b are sequentially fed back to the controller 20. That is,
The air supplied from the compressed air supply unit 21 is conveyed from the pipe 15a, and at the same time, pure water is supplied from the pure water supply unit 25 to the pipe 15a.
b.

【0057】この時、洗浄ノズル7の気体吐出口101
から空気が吐出開始され、所定時間経過後に液体吐出口
201から純水が供給される。こうすることで、衝突部
位Gに供給された純水は液滴化されると同時に、供給さ
れた空気と混合される。その結果、純水は吐出された当
初から空気と衝突して生成された液滴が噴霧状となり、
液流のまま基板Wの表面に衝突される無駄を省くことが
できる。この液滴はそのまま基板Wに向けて直接供給さ
れる。
At this time, the gas discharge port 101 of the cleaning nozzle 7
From the liquid discharge port 201 after a lapse of a predetermined time. By doing so, the pure water supplied to the collision site G is formed into droplets and simultaneously mixed with the supplied air. As a result, pure water collides with air from the beginning of discharge, and droplets generated are sprayed,
It is possible to eliminate waste caused by collision with the surface of the substrate W while maintaining the liquid flow. This droplet is directly supplied to the substrate W as it is.

【0058】ここで、噴霧状の洗浄液の噴出速度は、互
いに独立した状態を維持される純水と空気の流量や流速
を調整することで設定することができる。この制御は互
いに空気と純水が干渉することがないので、液体または
気体の流量や流速を所望に制御することで、所望の液滴
が得られるの。そして、基板面の微細なパーティクルを
十分に除去ことができる。
Here, the jetting speed of the spray cleaning liquid can be set by adjusting the flow rates and the flow rates of pure water and air, which are maintained independently of each other. In this control, since air and pure water do not interfere with each other, desired droplets can be obtained by controlling the flow rate and flow rate of the liquid or gas as desired. Then, fine particles on the substrate surface can be sufficiently removed.

【0059】次に、スピンチャック1による基板Wの回
転が停止される。そして最後に、洗浄ノズル7が供給終
了位置Fに到達すると、コントローラ20からの制御信
号が電空レギュレータ17a、17bに送られて各供給
物の供給が停止され、洗浄ノズル7は待機位置13に移
送される。この洗浄停止の際に洗浄ノズル7は、純水の
吐出を停止させた後に、空気の吐出が停止される。その
結果、噴霧状の洗浄液による基板Wの表面の洗浄後に、
液流が基板Wの表面に衝突される無駄を省くことができ
る。
Next, the rotation of the substrate W by the spin chuck 1 is stopped. Finally, when the cleaning nozzle 7 reaches the supply end position F, a control signal from the controller 20 is sent to the electropneumatic regulators 17a and 17b to stop the supply of each supply, and the cleaning nozzle 7 is moved to the standby position 13. Be transported. When the cleaning is stopped, the cleaning nozzle 7 stops discharging pure water and then stops discharging air. As a result, after cleaning the surface of the substrate W with the spray-like cleaning liquid,
The waste that the liquid flow collides with the surface of the substrate W can be eliminated.

【0060】そして、基板Wを高速回転させて基板W面
に付着している洗浄液を飛散し、基板W面の振り切り乾
燥処理を行って一連の動作が終了する(乾燥工程)。最
後に、図示しない基板搬送ロボットのハンドによって基
板Wがスピンチャック1から搬出されて、1枚の基板W
に対するこの基板処理装置での洗浄処理が終了する。こ
の後は、基板Wを複数枚収容可能なカセットに収容され
る。
Then, the substrate W is rotated at a high speed so that the cleaning liquid adhering to the surface of the substrate W is scattered, and the surface of the substrate W is shake-dried to complete a series of operations (drying step). Finally, the substrate W is unloaded from the spin chuck 1 by a hand of a substrate transport robot (not shown), and one substrate W
Is completed in the substrate processing apparatus. After that, the substrates W are stored in a cassette that can store a plurality of substrates W.

【0061】以上、本発明によれば、気体と液体が空中
にて混合し生成した液滴の洗浄液にて基板面が洗浄され
る。その際、液滴の洗浄液は、気体吐出手段と液体吐出
手段より吐出された後に生成される。このため、液体と
気体の流量や流速は、互いに独立した状態を維持され
る。そして、吐出された液体と気体は空中で混合し、そ
の結果、液滴となる。よって、液滴の洗浄液が生成され
る時に、互いの流れが干渉することなく、所望の液滴を
得ることができる。したがって、基板面の微細なパーテ
ィクルを十分に除去し、基板表面の洗浄力を向上させる
ことができる。
As described above, according to the present invention, the substrate surface is cleaned with the cleaning liquid of the droplet generated by mixing the gas and the liquid in the air. At that time, the cleaning liquid of the droplet is generated after being discharged from the gas discharging means and the liquid discharging means. For this reason, the flow rates and the flow rates of the liquid and the gas are maintained independent of each other. Then, the discharged liquid and gas are mixed in the air, and as a result, become a droplet. Therefore, when the cleaning liquid for the droplets is generated, desired droplets can be obtained without interference between the flows. Therefore, fine particles on the substrate surface can be sufficiently removed, and the cleaning power on the substrate surface can be improved.

【0062】なお、上記の実施例においては洗浄ノズル
7の気体吐出口101を通る中心軸線P1が基板Wの表
面に略垂直に向くように配置しているが、斜めに向くよ
うに配置してもよい。
In the above embodiment, the central axis P1 passing through the gas discharge port 101 of the cleaning nozzle 7 is arranged so as to be substantially perpendicular to the surface of the substrate W, but is arranged so as to be inclined. Is also good.

【0063】以上、この発明の一実施形態について説明
したが、本発明は液体と気体の混合を他の形態で実施す
ることもできる。 <第2実施例>図4は、この発明の第2実施例にかかる
洗浄ノズルの他の構成を簡略的に示す装置側方から見た
断面図である。なお、第1実施例と同様の構成に関して
は、同符号を付与し説明を省略する。この第2実施例の
洗浄ノズルを使用する洗浄装置の他の構成は第1実施例
と同様である。洗浄ノズル71は、胴部71bは内部に
気体吐出口101を有する気体吐出ノズル100が挿通
される。そして、洗浄ノズル7の傘部71cの上面部7
1dには、気体吐出口101が配置される。傘部71c
の下端に液体吐出ノズル300が配置される。
While the embodiment of the present invention has been described above, the present invention can also be applied to the mixing of a liquid and a gas in other forms. <Second Embodiment> FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing another configuration of a cleaning nozzle according to a second embodiment of the present invention, as viewed from the side of the apparatus. In addition, about the structure similar to 1st Example, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted. Other configurations of the cleaning device using the cleaning nozzle of the second embodiment are the same as those of the first embodiment. The cleaning nozzle 71 has a body 71b into which a gas discharge nozzle 100 having a gas discharge port 101 therein is inserted. Then, the upper surface portion 7 of the umbrella portion 71c of the cleaning nozzle 7
At 1d, a gas discharge port 101 is arranged. Umbrella part 71c
The liquid ejection nozzle 300 is arranged at the lower end of the nozzle.

【0064】液体吐出ノズル300は、吐出面7aに水
平に配置され、その先端が気体吐出口101の下方で、
空気の噴流中に延在して配置される。そして、先端部は
下方へ曲折され、液体吐出口301が基板Wの表面に対
向するように配置される。さらに、気体吐出口101を
通る中心軸線P1が基板Wの表面に垂直に交わるととも
に、液体吐出口301を通る中心軸線とも一致してな
る。そして、液体吐出口301の吐出方向直近におい
て、吐出された純水はその周囲の空気の噴流によりすみ
やかに液滴化されるため、図中G1が液体と気体との混
合領域である衝突部位となる。すなわち、この第2実施
例ではる中心軸線P1と液体吐出口301を通る中心軸
線との入射角度が0度として配置構成されている。
The liquid discharge nozzle 300 is disposed horizontally on the discharge surface 7a, and its tip is below the gas discharge port 101.
It is arranged to extend into a jet of air. Then, the tip is bent downward, and the liquid ejection port 301 is arranged so as to face the surface of the substrate W. Further, the central axis P1 passing through the gas discharge port 101 intersects perpendicularly with the surface of the substrate W, and also coincides with the central axis passing through the liquid discharge port 301. Then, in the immediate vicinity of the discharge direction of the liquid discharge port 301, the discharged pure water is rapidly turned into droplets by the jet of the surrounding air, so that G1 in the figure corresponds to the collision area where the liquid and gas are mixed. Become. That is, in the second embodiment, the incident angle between the central axis P1 and the central axis passing through the liquid ejection port 301 is set to 0 degree.

【0065】以上、この第2実施例によれば、空気の噴
流中で純水を吐出することで、すみやかに液滴が生成さ
れる。また、噴流中で液滴が生成されるので、液滴の飛
び散りが少なく、洗浄効果が良好となる。なお、第2実
施例は一方の噴流中に他方を吐出すればよく、液体吐出
口301と気体吐出口101のそれぞれの中心軸線は必
ずしも一致しなくともよい。すなわち、一方の噴流中に
て他方を吐出できるのであれば、噴流中の吐出口を多少
傾斜させてもよい。
As described above, according to the second embodiment, by discharging pure water in a jet of air, droplets are immediately generated. Further, since the droplets are generated in the jet, the scattering of the droplets is small, and the cleaning effect is improved. In the second embodiment, it is only necessary to discharge one jet during one jet, and the respective central axes of the liquid discharge port 301 and the gas discharge port 101 do not necessarily have to coincide with each other. That is, the discharge port in the jet may be slightly inclined as long as the other jet can be discharged in one jet.

【0066】<第3実施例>図5は、この発明の第3実
施例にかかる洗浄ノズルの構成を簡略的に示す装置側方
から見た断面図である。なお、第1実施例と同様の構成
に関しては、同符号を付与し説明を省略する。この第3
実施例の洗浄ノズルを使用する洗浄装置の他の構成は第
1実施例と同様である。
<Third Embodiment> FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a cleaning nozzle according to a third embodiment of the present invention, as viewed from the side of the apparatus. In addition, about the structure similar to 1st Example, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted. This third
The other configuration of the cleaning apparatus using the cleaning nozzle of the embodiment is the same as that of the first embodiment.

【0067】洗浄ノズル81は、胴部81bの内部に液
体吐出口401を有する液体吐出ノズル400が挿通さ
れる。そして、洗浄ノズル81の傘部81cの上面部8
1dには、液体吐出口401が配置される。気体吐出ノ
ズル500は液体吐出ノズル400を囲んだリング状の
ガス通路を規定する。気体吐出ノズル500の先端部は
先細にテーパ状とされており、このノズル開口は基板W
の表面に対向している。気体吐出口501からの気体の
吐出軌跡は、液体吐出口401からの純水の吐出軌跡に
交わっている。液体吐出口401からの液体(純水)流
は、混合領域内の衝突部位G2において気体流と衝突す
る。気体流はこの衝突部位G2に収束すうように吐出さ
れる。この混合領域は、胴部81bの下端部の空間であ
る。このため、液体吐出口401からの純水の吐出方向
の直近において純水はそれに衝突する気体によってすみ
やかに液滴化される。
The cleaning nozzle 81 is inserted with a liquid discharge nozzle 400 having a liquid discharge port 401 inside the body portion 81b. Then, the upper surface portion 8 of the umbrella portion 81c of the cleaning nozzle 81
1d, a liquid ejection port 401 is arranged. The gas discharge nozzle 500 defines a ring-shaped gas passage surrounding the liquid discharge nozzle 400. The distal end of the gas discharge nozzle 500 is tapered to have a tapered shape.
Facing the surface. The discharge trajectory of the gas from the gas discharge port 501 intersects the discharge trajectory of the pure water from the liquid discharge port 401. The liquid (pure water) flow from the liquid discharge port 401 collides with the gas flow at the collision site G2 in the mixing area. The gas flow is discharged so as to converge on the collision site G2. This mixed area is a space at the lower end of the body 81b. For this reason, the pure water is immediately turned into droplets by the gas colliding with the pure water immediately in the discharge direction of the pure water from the liquid discharge port 401.

【0068】すなわち、この第3実施例のノズルでは、
吐出される純水の液流を囲むように気体が吐出され、純
水と気体とが衝突して混合される。生成される液滴は、
均一に分布した状態で基板Wの表面の限られた範囲を洗
浄する。ノズル81が基板Wの表面をスキャンすること
によって、基板Wの表面の全体が気体と純水との混合物
で洗浄される。なお、この実施例において、洗浄ノズル
81の上面部81dにおいて液体吐出口401と気体吐
出口501は面一である必要はなく、どちらかが突出し
ていてもよい。
That is, in the nozzle of the third embodiment,
The gas is discharged so as to surround the liquid flow of the discharged pure water, and the pure water and the gas collide and are mixed. The resulting droplet is
A limited area on the surface of the substrate W is cleaned in a uniformly distributed state. When the nozzle 81 scans the surface of the substrate W, the entire surface of the substrate W is cleaned with a mixture of gas and pure water. In this embodiment, the liquid discharge port 401 and the gas discharge port 501 do not need to be flush with each other on the upper surface portion 81d of the cleaning nozzle 81, and either one may protrude.

【0069】以上、この発明の一実施形態について説明
したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものでは
なく、さらに他の形態で実施することもできる。 (1)上述した本実施例では、配管15aから空気を供
給し、配管15bから純水を供給しているが、配管15
aから純水を供給し、配管15bから空気を供給するよ
うにしてもよい。
As described above, one embodiment of the present invention has been described. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and may be embodied in other forms. (1) In this embodiment described above, air is supplied from the pipe 15a and pure water is supplied from the pipe 15b.
Alternatively, pure water may be supplied from a, and air may be supplied from the pipe 15b.

【0070】(2)さらに、上述した一実施形態におい
ては、配管15aから供給される気体が空気のみである
が、空気と洗浄度合いに寄与する気体の混合気体や、単
に洗浄度合いに寄与する気体、例えば、オゾンガス、二
酸化炭素、水素のみを供給するようにしてもよい。
(2) Further, in the above-described embodiment, the gas supplied from the pipe 15a is only air, but a gas mixture of air and a gas contributing to the cleaning degree or a gas merely contributing to the cleaning degree For example, only ozone gas, carbon dioxide, and hydrogen may be supplied.

【0071】(3)上述した本実施例では、洗浄ノズル
7から液滴の洗浄液を供給するソフトタイプの基板洗浄
装置であるが、洗浄ノズル7とハードタイプのブラシを
併用してもよい。
(3) In the above-described embodiment, the soft type substrate cleaning apparatus supplies the cleaning liquid of the droplets from the cleaning nozzle 7, but the cleaning nozzle 7 and the hard type brush may be used in combination.

【0072】(4)上述した本実施例では、洗浄液を供
給する基板W面内を洗浄ノズル7が一方向に1回しか揺
動していないが、基板W面内を複数回揺動するようにし
てもよい。
(4) In the above-described embodiment, the cleaning nozzle 7 oscillates only once in one direction in the surface of the substrate W for supplying the cleaning liquid. It may be.

【0073】(5)また、上述した一実施形態におい
て、スピンチャック1は、基板Wの周縁部をその下方お
よび端面でピン保持しつつ回転させるピン保持式のスピ
ンチャックとしていたが、基板Wの下面を吸着して保持
する吸引式のスピンチャックであってもよい。
(5) In the above-described embodiment, the spin chuck 1 is a pin-hold type spin chuck that rotates while rotating the peripheral portion of the substrate W with pins below and at the end face. A suction-type spin chuck that sucks and holds the lower surface may be used.

【0074】(6)あるいは、スピンチャック1は、基
板Wの周縁部の端面に当接しつつ基板Wの回転中心Pa
に平行な軸を中心に回転する少なくとも3つのローラピ
ンのようなものであってもよい。このローラピンを用い
たスピンチャックは、特に、基板Wの両面を洗浄する場
合に有効であり、洗浄ノズル7を基板Wを挟む位置に配
置すれば、基板両面の全域を良好に洗浄できる。
(6) Alternatively, the spin chuck 1 contacts the end surface of the peripheral portion of the substrate W while the rotation center Pa of the substrate W
Such as at least three roller pins that rotate about an axis parallel to. The spin chuck using the roller pins is particularly effective when cleaning both surfaces of the substrate W. If the cleaning nozzle 7 is disposed at a position sandwiching the substrate W, the entire area on both surfaces of the substrate W can be cleaned well.

【0075】また、上述した一実施形態においては、基
板Wとして半導体ウエハを洗浄する場合について説明し
ているが、本発明は、液晶表示装置用ガラス基板、PD
P(プラズマ・ディスプレイ・パネル)基板、あるい
は、磁気ディスク用のガラス基板やセラミック基板など
のような他の各種の基板の洗浄に対して広く適用するこ
とができる。また、その基板の形状についても、上述し
た一実施形態の円形基板の他、正方形や長方形の角型基
板に対しても、本発明を適用することができる。
Further, in the above-described embodiment, the case where the semiconductor wafer is cleaned as the substrate W is described.
The present invention can be widely applied to cleaning of a P (Plasma Display Panel) substrate, or other various substrates such as a glass substrate or a ceramic substrate for a magnetic disk. Further, as for the shape of the substrate, the present invention can be applied not only to the circular substrate of the above-described embodiment but also to a square or rectangular square substrate.

【0076】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲内で種々の設計変更を施すことが可能である。
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.

【0077】[0077]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
気体と液体を洗浄ノズルの外部である空中にて混合させ
ることにより、互いの流れが干渉することなく、所望の
液滴流を得ることができる。したがって、所望の液滴が
得られるので、基板面の微細なパーティクルを十分に除
去し、基板表面の洗浄力を向上させることができるとい
う効果を奏する。さらに、ノズル内部で混合させる場合
に比較して、ゴミ等の撥塵を防止することができる。
As described above, according to the present invention,
By mixing the gas and the liquid in the air outside the cleaning nozzle, a desired droplet flow can be obtained without mutual interference of the flows. Therefore, a desired liquid droplet can be obtained, and there is an effect that fine particles on the substrate surface can be sufficiently removed, and the detergency of the substrate surface can be improved. Furthermore, dust repellency such as dust can be prevented as compared with the case where mixing is performed inside the nozzle.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例に係る基板洗浄装置の概略構成
を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例に係る基板洗浄装置の平面図で
ある。
FIG. 2 is a plan view of the substrate cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例に係る洗浄ノズルの構成を示す
縦断面図である。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a cleaning nozzle according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2実施例に係る洗浄ノズルの構成を
示す縦断面図である。
FIG. 4 is a longitudinal sectional view illustrating a configuration of a cleaning nozzle according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3実施例に係る洗浄ノズルの構成を
示す縦断面図である。
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a cleaning nozzle according to a third embodiment of the present invention.

【図6】従来の洗浄装置の説明図である。FIG. 6 is an explanatory view of a conventional cleaning device.

【図7】従来の洗浄ノズルの説明図である。FIG. 7 is an explanatory view of a conventional cleaning nozzle.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 スピンチャック 7、71、81 洗浄ノズル 15a〜15d 配管 17a、17b 電空レギュレータ 18a、18b 圧力センサ 19a、19b 流量センサ 20 コントローラ 21 圧縮空気供給部 25 純水供給部 G、G1 衝突部位 W 基板 100、500 気体吐出ノズル 101、501 気体吐出口 200、300、400 液体吐出ノズル 201、301、401 液体吐出口 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Spin chuck 7, 71, 81 Cleaning nozzle 15a-15d Piping 17a, 17b Electropneumatic regulator 18a, 18b Pressure sensor 19a, 19b Flow rate sensor 20 Controller 21 Compressed air supply unit 25 Pure water supply unit G, G1 Collision site W substrate 100 , 500 gas discharge nozzles 101, 501 gas discharge ports 200, 300, 400 liquid discharge nozzles 201, 301, 401 liquid discharge ports

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 5/84 G11B 5/84 Z (72)発明者 安田 周一 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 森西 健也 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 2H088 FA21 FA30 HA01 MA20 2H090 JB02 JB04 JC19 5D112 AA02 AA24 BA03 BA04 BA09 GA08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G11B 5/84 G11B 5/84 Z (72) Inventor Shuichi Yasuda 4 (72) Inventor Kenya Morinishi Kenya Morinishi 4-chome Tenjin Kitamachi 1-1-1 Dainippon Screen Manufacturing Co., Ltd. Term (reference) 2H088 FA21 FA30 HA01 MA20 2H090 JB02 JB04 JC19 5D112 AA02 AA24 BA03 BA04 BA09 GA08

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板洗浄装置であって、 液体を吐出する液体吐出手段と、 前記液体吐手段に近接して気体を吐出する気体吐出手段
と、を備え、 前記液体吐出手段から吐出される液体を、空中にて前記
気体吐出手段より吐出された気体と混合し、生成した液
滴の洗浄液を基板面に衝突させることにより洗浄を行う
ことを特徴とする基板洗浄装置。
1. A substrate cleaning apparatus, comprising: a liquid discharging unit that discharges a liquid; and a gas discharging unit that discharges a gas in proximity to the liquid discharging unit, wherein a liquid discharged from the liquid discharging unit is provided. A substrate cleaning apparatus, wherein the cleaning is performed by mixing the air with the gas discharged from the gas discharging means in the air, and causing the cleaning liquid of the generated droplets to collide with the substrate surface.
【請求項2】 請求項1に記載の基板洗浄装置であっ
て、 前記液体と気体の混合は、前記液体吐出手段から吐出さ
れる液体と、前記気体吐出手段より吐出された気体とを
空中にて衝突させることにより行うことを特徴とする基
板洗浄装置。
2. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the mixing of the liquid and the gas is performed by placing the liquid discharged from the liquid discharging unit and the gas discharged from the gas discharging unit in the air. A substrate cleaning apparatus characterized in that the substrate is cleaned by collision.
【請求項3】 請求項1に記載の基板洗浄装置であっ
て、 前記液体と気体の混合は、吐出された液体もしくは気体
のどちらか一方の空中への噴流中で他方を吐出させるこ
とにより行うことを特徴とする基板洗浄装置。
3. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the mixing of the liquid and the gas is performed by discharging one of the discharged liquid and the gas in a jet flow into the air. A substrate cleaning apparatus characterized by the above-mentioned.
【請求項4】 請求項1に記載の基板洗浄装置であっ
て、 前記液体吐出手段は液体供給手段と、その液体供給手段
より供給された液体を吐出する液体吐出口と、を備え、 前記気体吐出手段は気体供給手段と、その気体供給手段
により供給された気体を吐出する気体吐出口と、を備
え、 前記液体吐出口を通る中心軸線と、前記気体吐出口を通
る中心軸線との交点における各軸線のなす角度は、0度
以上で110度以下の範囲であることを特徴とする基板
洗浄装置。
4. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the liquid discharge unit includes a liquid supply unit, and a liquid discharge port that discharges a liquid supplied from the liquid supply unit. The discharge unit includes a gas supply unit and a gas discharge port that discharges the gas supplied by the gas supply unit, at an intersection of a central axis passing through the liquid discharge port and a central axis passing through the gas discharge port. An angle between the axes ranges from 0 degree to 110 degrees.
【請求項5】 基板洗浄装置であって、 液体供給手段より供給された液体を吐出する液体吐出口
と、 気体供給手段より供給された気体を吐出する気体吐出口
と、をノズルに備え、 前記液体吐出口から吐出された液体に、液体吐出口の直
後において、気体を混入すべく前記気体吐出口より吐出
し、前記液体と気体の混合により生成した液滴の洗浄液
を基板面に衝突させることにより洗浄を行うことを特徴
とする基板洗浄装置。
5. A substrate cleaning apparatus, comprising: a nozzle provided with a liquid discharge port for discharging a liquid supplied from a liquid supply means, and a gas discharge port for discharging a gas supplied from a gas supply means, Immediately after the liquid discharge port, the liquid discharged from the liquid discharge port is discharged from the gas discharge port to mix gas, and the cleaning liquid of the droplet generated by mixing the liquid and the gas is caused to collide with the substrate surface. A substrate cleaning apparatus characterized by performing cleaning by:
【請求項6】 請求項5に記載の基板洗浄装置であっ
て、 前記液体と気体の混合は、前記液体吐出口から吐出され
る液体と、前記気体吐出口より吐出された気体とを空中
にて衝突させることにより行うことを特徴とする基板洗
浄装置。
6. The substrate cleaning apparatus according to claim 5, wherein the mixing of the liquid and the gas is performed by mixing the liquid discharged from the liquid discharge port and the gas discharged from the gas discharge port in the air. A substrate cleaning apparatus characterized in that the substrate is cleaned by collision.
【請求項7】 請求項5に記載の基板洗浄装置であっ
て、 前記液体と気体の混合は、吐出された液体もしくは気体
のどちらか一方の空中への噴流中で他方を吐出させるこ
とにより行うことを特徴とする基板洗浄装置。
7. The substrate cleaning apparatus according to claim 5, wherein the mixing of the liquid and the gas is performed by discharging one of the discharged liquid and the gas in a jet flow into the air. A substrate cleaning apparatus characterized by the above-mentioned.
【請求項8】 請求項5に記載の基板洗浄装置であっ
て、 前記液体吐出口を通る中心軸線と、前記気体吐出口を通
る中心軸線との交点における各軸線のなす角度は、0度
以上で110度以下の範囲であることを特徴とする基板
洗浄装置。
8. The substrate cleaning apparatus according to claim 5, wherein an angle formed by each axis at an intersection of a central axis passing through the liquid ejection port and a central axis passing through the gas ejection port is 0 degree or more. A substrate cleaning apparatus, wherein the temperature is within a range of 110 degrees or less.
【請求項9】 請求項4乃至請求項8に記載の基板洗浄
装置において、 前記気体供給手段を作動して気体の吐出を開始し、所定
時間の後に、前記液体供給手段を作動させ液体の吐出を
開始するように制御する制御手段と、を有することを特
徴とする基板洗浄装置。
9. The substrate cleaning apparatus according to claim 4, wherein the gas supply unit is operated to start gas discharge, and after a predetermined time, the liquid supply unit is operated to discharge liquid. Control means for controlling to start the substrate cleaning.
【請求項10】 請求項4乃至請求項9に記載の基板洗
浄装置において、 前記液体供給手段の作動を停止して、所定時間の後に、
前記気体供給手段を作動を停止するように制御する制御
手段と、を有することを特徴とする基板洗浄装置。
10. The substrate cleaning apparatus according to claim 4, wherein the operation of the liquid supply unit is stopped, and after a predetermined time,
Control means for controlling the gas supply means to stop its operation.
【請求項11】 請求項1乃至請求項10に記載の基板
洗浄装置を用いて基板を洗浄することを特徴とする基板
洗浄方法。
11. A substrate cleaning method, comprising cleaning a substrate using the substrate cleaning apparatus according to claim 1.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004281429A (en) * 2003-03-12 2004-10-07 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd Wet cleaning device and nozzle used therefor
JP2005327833A (en) * 2004-05-13 2005-11-24 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd Cleaning device
KR100602894B1 (en) * 2003-05-22 2006-07-19 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 Substrate treatment apparatus
JP2009021617A (en) * 2002-11-12 2009-01-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing method
US7524771B2 (en) 2002-10-29 2009-04-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method using alkaline solution and acid solution
KR101244579B1 (en) * 2009-06-16 2013-03-25 (주)다우산업 Arm for delivering slurry
JP2013207077A (en) * 2012-03-28 2013-10-07 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2018075511A (en) * 2016-11-08 2018-05-17 東洋熱工業株式会社 Gas-liquid dust collector

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7524771B2 (en) 2002-10-29 2009-04-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method using alkaline solution and acid solution
JP2009021617A (en) * 2002-11-12 2009-01-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing method
JP2004281429A (en) * 2003-03-12 2004-10-07 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd Wet cleaning device and nozzle used therefor
KR100602894B1 (en) * 2003-05-22 2006-07-19 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 Substrate treatment apparatus
US7600522B2 (en) 2003-05-22 2009-10-13 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
JP2005327833A (en) * 2004-05-13 2005-11-24 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd Cleaning device
KR101244579B1 (en) * 2009-06-16 2013-03-25 (주)다우산업 Arm for delivering slurry
JP2013207077A (en) * 2012-03-28 2013-10-07 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2018075511A (en) * 2016-11-08 2018-05-17 東洋熱工業株式会社 Gas-liquid dust collector

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