JP2002270544A - 半導体チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明では、ダイシング時における半導体チッ
プの損傷の発生を防止し、また、半導体チップ製造の作
業効率の向上をはかることが可能な半導体チップの製造
方法を提供する 【解決手段】ウェハをダイシングして半導体チップを個
片化した後、半導体チップの裏面を研削する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップの製造
方法に関し、特に、半導体チップの損傷を防止すること
が可能な半導体チップの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の組み立てプロセスにおい
て、薄型のパッケージングでは薄型化した半導体チップ
が用いられており、この半導体チップの薄型化には、次
のような方法が用いられていた。

【０００３】まず、図４（ａ）に示すように、半導体チ
ップを構成する配線パターンが複数形成されたウェハ４
００を用意し、このウェハ４００を裏面から砥石５００
を用いて所望の厚さまで研削する。

【０００４】そして、図４（ｂ）に示すように、所望の
厚さに研削したウェハ４００をダイシングして個片化
し、図４（ｃ）に示すように、所望の形状を成した半導
体チップ４１０を作成する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体チッ
プの薄型化に対する要求は半導体装置の小型化に伴って
高まり、最近ではチップの厚みが５０μｍ以下のものも
実用化されるようになってきた。

【０００６】しかし、この研削方法では、厚さの薄いウ
ェハをダイシングして半導体チップを個片化させている
ため、厚みが１００μｍ以下の半導体チップを形成する
場合には、ダイシング時にカケ等の損傷が生じるおそれ
があった。

【０００７】また、ウェハを面均一的に研削すると、ウ
ェハの中心部と周辺部とで厚みに±１０μｍ程度のバラ
ツキが生じ、ダイシング後の半導体チップの厚みを均一
とすることが困難であった。

【０００８】さらに、ダイシングに先立ち、ウェハに形
成されたＩＣを構成する配線パターンを一括して研削す
るため、不都合を有するパターンに対しても研削が行わ
れ、作業効率の低下が生じていた。

【０００９】そこで本発明では、ダイシング時における
半導体チップの損傷の発生を防止し、研削後の半導体チ
ップの厚みのバラツキを抑え、また、半導体チップ製造
の作業効率の向上をはかることが可能な半導体チップの
製造方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体チップの
製造方法では、ウェハから半導体チップを切り離す工程
と、切り離した前記半導体チップの裏面を研削する工程
とを有する。

【００１１】この構成では、ダイシング時における半導
体チップのチッピングやカケを防止することができる。

【００１２】また、切り離した前記半導体チップをコン
ベアに搭載し、前記コンベアの移動に伴って、前記半導
体チップの裏面を研削し、研削した前記半導体チップを
前記コンベアから取り出すことにより、研削後の半導体
チップの厚さを容易に一定とすることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体チップの製
造方法を図面を用いて詳細に説明する。

【００１４】図２に示すように、製造装置２００には、
コンベア２１０、砥石２２０、支持テーブル２３０、回
転盤２４０が設けられ、この半導体チップの製造装置２
００は、コンベア２１０に搭載された半導体チップ１０
０の研削を行う面（裏面）が、このコンベア２１０の移
動に伴って砥石２２０で研削されるように構成される。

【００１５】支持テーブル２３０には、上りの傾斜を有
する傾斜部Ｂと研削によって形成される半導体チップ１
１０の厚みに応じてコンベア２１０と砥石２２０との間
の距離Ａが設定された水平部Ｃとが設けられる。

【００１６】一方コンベア２１０は、半導体チップの搬
送手段であり、テープ材（ベルト帯）を用いて形成さ
れ、図示しない駆動方法によって支持テーブルに沿って
長手方向に移動し、搭載された半導体チップ１００を傾
斜部から水平部に向けて搬送する。

【００１７】また、砥石２２０は、回転盤２４０に保持
され、支持テーブルの水平部と傾斜部とを覆うと共に、
半導体チップの搭載面から所望の距離離間し、水平部に
対向して平行に配置される。

【００１８】さて、上記構成において、図１及び図２に
示すように、半導体チップ１００は、傾斜部Ｂを一定距
離搬送されると停止し、回転する砥石２２０で研削さ
れ、研削後再び一定距離搬送されて研削されるというよ
うに、搬送と研削とが交互に繰り返され、傾斜部Ｂを上
るにつれて徐々に研削される。

【００１９】そして、水平部Ｃを通過する際に半導体チ
ップ１００は所望の厚みに研削され、薄型化した半導体
チップ１１０が形成される。

【００２０】なお、図１に示すように、回転盤２４０の
中心を挟んで異なる方向に移動するコンベア２１０を設
置することにより、研削の効率を上げることができる。
この際、支持テーブルの傾斜部及び平行部は、各コンベ
アの進行方向に応じて設定する。

【００２１】図３は、本発明における半導体チップの製
造方法を示す概念図である。

【００２２】まず、図３（ａ）に示すように、半導体チ
ップの配線回路が複数形成されたウェハ３００を、図３
（ｂ）に示すように、ダイシングして各半導体チップ１
００ごとに個片化する。

【００２３】そして、図３（ｃ）に示すように、個片化
した半導体チップ１００をコンベア２１０に研削する面
（裏面）を上にして搭載する。

【００２４】ついで上述した製造装置（「図２」参照）
を稼動させ、コンベア２１０を傾斜部及び水平部を有す
る支持テーブル２３０の形状に沿って矢印に示すように
移動させ、半導体チップ１００を上述したごとく水平部
において所望の厚みに研削する。

【００２５】この後、研削された半導体チップ１１０を
コンベア２１０から取り出し、図３（ｄ）に示すよう
に、所望の厚さに研削された半導体チップ１１０を形成
する。

【００２６】このように本実施の形態では、ダイシング
後の各々の半導体チップをそれぞれ研削するため、研削
を行ったウェハをダイシングする際に発生していた半導
体チップのチッピングやカケといった損傷を防止するこ
とができる。

【００２７】また、ウェハを一括して研削した後、ダイ
シングを行うことによって生じていた半導体チップの厚
みのバラツキを、±２μｍ以内に抑制することができ
る。

【００２８】さらに、従来は半導体チップを構成する配
線回路が複数形成されたウェハを一括して研削していた
のに対し、本実施の形態では切り出した半導体チップの
品質を検査し、品質が良好なチップのみを研削すること
が可能なため、品質の好ましくないチップに対する研削
を省くことが可能となり、作業効率を向上させることが
できる。

【００２９】このため、特にウェハ１枚あたりの良品率
が低い半導体チップほど、本発明は有効である。

【００３０】なお、半導体チップの製造方法は、図１及
び図２を用いて説明した製造装置を用いた方法に限られ
るものではなく、個片化した半導体チップ１つ１つに砥
石をあてて研削するなど、個片化した半導体チップを良
好に研削する方法を適宜用いることができる。

【００３１】

【発明の効果】本発明の製造方法によれば、厚みのきわ
めて薄い半導体装置であっても、チッピングやダイボン
ディング工程での破損を防止することができる。

【００３２】また、ウェハを一括研削することによって
生じていた、半導体チップの厚みのバラツキを低減する
ことができる。

【００３３】また、ダイシング後の品質の良好なチップ
のみを研削することが可能なため、品質の好ましくない
チップに対する研削を省き、薄型化半導体チップの製造
を効率化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体チップの製造装置の構成を示す
平面図

【図２】本発明の半導体チップの製造装置の構成を示す
断面図

【図３】本発明の半導体チップの製造方法の構成を示す
概念図

【図４】従来の半導体チップの製造方法を示す平面図

【符号の説明】

１００、１１０、４１０…半導体チップ ２００…製造装置 ２１０…コンベア ２２０、５００…砥石 ２３０…支持テーブル ２４０…回転盤 ３００、４００…ウェハ Ａ…コンベアと砥石との距離 Ｂ…傾斜部 Ｃ…平行部

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウェハから半導体チップを切り離す工程
   と、 切り離した前記半導体チップの裏面を研削する工程と を有することを特徴とする半導体チップの製造方法。
2. 【請求項２】 切り離した前記半導体チップをコンベア
   に搭載し、 前記コンベアの移動に伴って、前記半導体チップの裏面
   を研削し、 研削した前記半導体チップを前記コンベアから取り出す
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体チップの製造方
   法。