JP2002269523A - Ic card - Google Patents

Ic card

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JP2002269523A
JP2002269523A JP2001070212A JP2001070212A JP2002269523A JP 2002269523 A JP2002269523 A JP 2002269523A JP 2001070212 A JP2001070212 A JP 2001070212A JP 2001070212 A JP2001070212 A JP 2001070212A JP 2002269523 A JP2002269523 A JP 2002269523A
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circuit
power supply
test
test mode
signal
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Rie Ito
理恵 伊藤
Kenji Misumi
賢治 三角
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/31719Security aspects, e.g. preventing unauthorised access during test

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the read or alteration of important data stored in a semiconductor nonvolatile memory in an IC card, by preventing the unauthorized working of a test mode control signal and making it impossible to control an internal circuit by a test external terminal group, after shipment to the market. SOLUTION: This IC card comprises an unauthorized access detecting circuit 15 for detecting the input of an unauthorized signal, when a test mode control signal 17 outputted from a test mode switching circuit 11 shows a general operation mode, and a signal of a prescribed level is applied to the test external terminal group 11, and an deletion/write circuit 113 for erasing the memory contents of the nonvolatile memory 115 provided in the internal circuit 116 in the detection of the unauthorized input signal by the unauthorized access detecting circuit.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、第三者によるテス
ト用外部端子からの不正な内部回路解析や、電気的に消
去/書き込みが可能な半導体不揮発性記憶装置に対する
データの読み出しや改ざんを不可能にする半導体集積回
路を内蔵したICカードに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention does not prevent unauthorized analysis of an internal circuit from a test external terminal by a third party, or reading or falsification of data in a nonvolatile semiconductor memory device that can be electrically erased and written. The present invention relates to an IC card having a built-in semiconductor integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ICカードは個人情報や金銭情報
などの重要なデータが格納されることが予想されるよう
になり、情報のセキュリティ技術が非常に重要になって
いる。
2. Description of the Related Art In recent years, it has been expected that important data such as personal information and money information will be stored in an IC card, and information security technology has become very important.

【0003】以下、従来のICカードについて、図面を
参照しながら説明する。
Hereinafter, a conventional IC card will be described with reference to the drawings.

【0004】図6は、従来のICカードに内蔵された半
導体集積回路の構成図である。図6において、61はテ
スト用外部端子群、61a、61b、…、61nはテス
ト用外部端子、62a、62b、…、62nは、それぞ
れ、対応するテスト用外部端子61a、61b、…、6
1nに接続される内部プルダウン抵抗、67はテストモ
ード制御信号、68はトランスファゲート群、69は動
作制止回路、610はパワーオンリセット回路、611
はテストモード切換回路、612はテストモード制御用
メモリ読み出しデータ、613は消去/書き込み回路、
614はテストモード制御用メモリ領域、615は半導
体不揮発性メモリ、616は内部回路、617は半導体
集積回路である。
FIG. 6 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit built in a conventional IC card. 6, 61 denotes a test external terminal group, 61a, 61b,..., 61n denotes test external terminals, 62a, 62b,..., 62n denote corresponding test external terminals 61a, 61b,.
1n, an internal pull-down resistor connected to 1n, 67 a test mode control signal, 68 a transfer gate group, 69 an operation suppression circuit, 610 a power-on reset circuit, 611
Is a test mode switching circuit, 612 is test mode control memory read data, 613 is an erase / write circuit,
614 is a test mode control memory area, 615 is a semiconductor nonvolatile memory, 616 is an internal circuit, and 617 is a semiconductor integrated circuit.

【0005】次に、このように構成された半導体集積回
路617の動作について説明する。
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit 617 thus configured will be described.

【0006】非接触ICカードの場合、製品として実際
に市場で使用する外部端子は、電源端子、接地端子、ア
ンテナのみである。しかし、非接触ICカードに内蔵さ
れる半導体集積回路617を出荷検査する段階では、検
査時間短縮や故障検出率の向上のため、テスト用外部端
子群61を用いる必要がある。一方、テスト用外部端子
群61からは、半導体不揮発性メモリ615に格納され
た重要なデータの読み出しや改ざんが可能であるため、
製品として市場に出荷後には、検査時に使用したテスト
用外部端子群61を使用不能にする必要がある。
[0006] In the case of a non-contact IC card, the only external terminals actually used in the market as a product are a power supply terminal, a ground terminal, and an antenna. However, at the stage of shipping inspection of the semiconductor integrated circuit 617 incorporated in the non-contact IC card, it is necessary to use the test external terminal group 61 in order to shorten the inspection time and improve the failure detection rate. On the other hand, since the important data stored in the semiconductor nonvolatile memory 615 can be read and falsified from the test external terminal group 61,
After being shipped to the market as a product, it is necessary to disable the test external terminal group 61 used at the time of inspection.

【0007】出荷検査工程において、半導体不揮発性メ
モリ615内のテストモード制御用メモリ領域614に
対して、テストモード設定用のデータを書き込む。この
テストモード設定用のデータは、半導体集積回路617
の電源立ち上げ時に、パワーオンリセット回路610か
らのリセット信号がテストモード切換回路611に入力
されると、テストモード制御用メモリ読み出しデータ6
12として読み出され、テストモード切換回路611に
格納される。格納されたデータに基づいて、テストモー
ド切換回路611からテストモード制御信号67として
“High”のレベルが出力される。この“High”
レベルのテストモード制御信号67をトランスファゲー
ト群68の制御端子に入力することにより、テスト用外
部端子群61と内部回路616とが電気的に接続され
る。
In a shipping inspection process, test mode setting data is written to a test mode control memory area 614 in the semiconductor nonvolatile memory 615. The test mode setting data is stored in the semiconductor integrated circuit 617.
When the reset signal from the power-on reset circuit 610 is input to the test mode switching circuit 611 at the time of power-on, the test mode control memory read data 6
12 and stored in the test mode switching circuit 611. Based on the stored data, the test mode switching circuit 611 outputs a “High” level as the test mode control signal 67. This "High"
By inputting the level test mode control signal 67 to the control terminal of the transfer gate group 68, the test external terminal group 61 and the internal circuit 616 are electrically connected.

【0008】これにより、出荷検査工程においては、テ
スト用外部端子群61を用いて内部回路616を制御
し、検査を容易かつ高速に実施することが可能となる。
Thus, in the shipping inspection process, the internal circuit 616 is controlled using the test external terminal group 61, and the inspection can be performed easily and at high speed.

【0009】次に、出荷検査工程の終盤において、半導
体不揮発性メモリ615内のテストモード制御用メモリ
領域614に対して、市場出荷用の通常動作モード設定
用のデータを書き込む。前記のテストモード設定時と同
様にして、通常動作モードに設定されているという情報
をテストモード切換回路611に格納する。格納データ
に基づいて、テストモード切換回路611からテストモ
ード制御信号67として“Low”のレベルが出力され
る。この“Low”レベルのテストモード制御信号67
をトランスファゲート群68に入力することにより、テ
スト用外部端子群61と内部回路616との接続が電気
的に切断される。
Next, at the end of the shipping inspection process, data for setting the normal operation mode for shipping to the market is written into the test mode control memory area 614 in the semiconductor nonvolatile memory 615. The information that the normal operation mode is set is stored in the test mode switching circuit 611 in the same manner as when the test mode is set. Based on the stored data, the test mode switching circuit 611 outputs a “Low” level as the test mode control signal 67. The "Low" level test mode control signal 67
Is input to the transfer gate group 68, whereby the connection between the test external terminal group 61 and the internal circuit 616 is electrically disconnected.

【0010】以上のように、市場に出荷した後は、テス
ト用外部端子群61による内部回路616へのアクセス
を不可能とする。また、出荷検査工程においては、テス
ト用外部端子群61を使用可能とすることで、ICカー
ドに内蔵される半導体集積回路617内に載置される内
部回路616の各機能を検査することが可能となる。
As described above, after shipment to the market, access to the internal circuit 616 by the test external terminal group 61 is disabled. Further, in the shipping inspection process, the functions of the internal circuit 616 mounted in the semiconductor integrated circuit 617 incorporated in the IC card can be inspected by making the test external terminal group 61 usable. Becomes

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のICカードでは、FIB(Focused Ion Beam)装置
などで、1つのテストモード制御信号67をテストモー
ド用の設定である“High”レベルに固定するだけ
で、常に、テスト用外部端子群61から半導体集積回路
617の制御や解析が可能となり、さらに、半導体不揮
発性メモリ615に格納された重要なデータの読み出し
や改ざん等を容易に行うことが可能であることが問題で
あった。
However, in the above-mentioned conventional IC card, one test mode control signal 67 is fixed to a "High" level which is a setting for the test mode by a FIB (Focused Ion Beam) device or the like. Alone, the control and analysis of the semiconductor integrated circuit 617 can always be performed from the test external terminal group 61, and important data stored in the semiconductor nonvolatile memory 615 can be easily read or falsified. Was a problem.

【0012】本発明は、上記の問題点を解決するもの
で、その目的は、ICカードのテストモード制御信号を
容易にFIB装置で加工できないばかりでなく、市場に
出荷した後は、テスト用外部端子群による内部回路の制
御を一切不可能とし、半導体不揮発性メモリに格納され
た重要データの読み出しや改ざんを不可能とする半導体
集積回路を内蔵したICカードを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned problems. The purpose of the present invention is not only that the test mode control signal of the IC card cannot be easily processed by the FIB device, but also that after the test card is shipped to the market, an external test device is used. An object of the present invention is to provide an IC card having a built-in semiconductor integrated circuit that makes it impossible to control an internal circuit by a terminal group at all, and makes it impossible to read or falsify important data stored in a semiconductor nonvolatile memory.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係るICカードは、半導体集積回路が内蔵
されたICカードであって、半導体集積回路は、外部か
ら信号を印加し半導体集積回路の動作をテストするため
のテスト用外部端子群と、テスト用外部端子群と内部回
路とを電気的に断続するためのトランスファゲート群
と、通常動作モードとテストモードの切り換えを制御す
るテストモード切換回路と、テストモード切換回路から
出力されるテストモード制御信号が通常動作モードを示
し、かつ、テスト用外部端子群に所定レベルの信号が印
加された場合に、不正な信号が入力されたことを検知す
る不正アクセス検知回路と、不正アクセス検知回路が不
正な入力信号を検知した場合に、内部回路に設けた半導
体不揮発性記憶装置の記憶内容を消去する消去/書き込
み回路とを備えたことを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, an IC card according to the present invention is an IC card having a built-in semiconductor integrated circuit. A test external terminal group for testing the operation of the integrated circuit, a transfer gate group for electrically connecting and disconnecting the test external terminal group and the internal circuit, and a test for controlling switching between a normal operation mode and a test mode A mode switching circuit and a test mode control signal output from the test mode switching circuit indicate a normal operation mode, and an incorrect signal is input when a signal of a predetermined level is applied to a test external terminal group. Access detection circuit for detecting that an unauthorized access signal has been detected, and a semiconductor nonvolatile memory device provided in an internal circuit when the unauthorized access detection circuit detects an unauthorized input signal Characterized by comprising an erasing / writing circuit for erasing the storage contents.

【0014】この構成によれば、市場に出荷した後は、
トランスファゲート群を電気的に切断することで、テス
ト用外部端子群による内部回路へのアクセスを不可能と
し、さらに、不正アクセス検知回路が、テスト用外部端
子群のいずれか1端子以上に不正な信号が印加されたこ
とを検知すると、半導体不揮発性記憶装置のうちテスト
モード制御用メモリ領域を除く全てのデータを消去す
る。これによって、半導体集積回路の不正な解析や半導
体不揮発性記憶装置に書き込まれた重要データの読み出
しや改ざんが不可能になる。
According to this configuration, after shipment to the market,
By electrically disconnecting the transfer gate group, it is impossible to access the internal circuit by the test external terminal group, and furthermore, the unauthorized access detection circuit prevents unauthorized access to at least one of the test external terminal groups. When the application of the signal is detected, all data in the semiconductor nonvolatile memory device except the test mode control memory area is erased. This makes it impossible to illegally analyze the semiconductor integrated circuit or read or tamper with important data written in the semiconductor nonvolatile memory device.

【0015】また、出荷検査工程においては、テスト用
外部端子群を使用可能とすることで、内部回路の各機能
を効率的に検査することが可能となり、短時間で高い故
障検出率を実現することが可能となる。
Also, in the shipping inspection process, by making the external terminal group for testing available, each function of the internal circuit can be efficiently inspected, and a high failure detection rate can be realized in a short time. It becomes possible.

【0016】本発明に係るICカードに内蔵された半導
体集積回路は、不正アクセス検知回路が、テスト用外部
端子群からの不正な入力信号を検知した場合に、電源−
接地電位間をMOSトランジスタにより短絡させる電源
ショート回路を備えることが好ましい。
In the semiconductor integrated circuit incorporated in the IC card according to the present invention, when the unauthorized access detection circuit detects an unauthorized input signal from the test external terminal group, the power supply is turned off.
It is preferable that a power supply short circuit for short-circuiting between ground potentials with a MOS transistor is provided.

【0017】この構成によれば、不正な信号が入力され
た場合、電源−接地電位間がNチャネルMOSトランジ
スタを介して接続(短絡)され、電源電圧が半導体集積
回路の動作下限電圧以下まで低下し、正常に動作が出来
なくなる。これにより、テスト用外部端子群を用いた内
部回路へのアクセスやICカード内に書き込まれたデー
タの読み出し、消去/書き込み等の一切の動作や電気的
解析を実施することが不可能となる。
According to this configuration, when an incorrect signal is input, the power supply and the ground potential are connected (short-circuited) via the N-channel MOS transistor, and the power supply voltage is reduced to the lower limit of operation or lower of the semiconductor integrated circuit. And cannot operate normally. This makes it impossible to access the internal circuit using the test external terminal group, read out data written in the IC card, perform any operation such as erasing / writing, and perform electrical analysis.

【0018】また、電源ショート回路は、その電源配線
および接地配線にそれぞれ対応する外部端子と内部回路
との間に配置されることが好ましい。
Preferably, the power supply short circuit is arranged between an external terminal and an internal circuit corresponding to the power supply wiring and the ground wiring, respectively.

【0019】この構成によれば、不正加工を試みた場
合、電源端子および接地端子から内部回路への電源供給
は不安定になり、内部回路が正常に動作せず、また、ノ
イズにも弱くなる。これによって、テスト用外部端子群
を介した不正なアクセスによる内部回路へのアクセスや
動作を不可能とすることに対して、より一層のセキュリ
ティの向上が実現可能となる。
According to this configuration, when illegal processing is attempted, the power supply from the power supply terminal and the ground terminal to the internal circuit becomes unstable, the internal circuit does not operate normally, and is weak against noise. . This makes it possible to further improve security against making it impossible to access or operate the internal circuit due to unauthorized access via the test external terminal group.

【0020】また、電源ショート回路は、内部回路と共
通の電源配線、接地配線、およびトランジスタを構成す
る拡散層を有することが好ましい。
Further, it is preferable that the power supply short circuit has a power supply line and a ground line common to the internal circuit and a diffusion layer forming a transistor.

【0021】この構成によれば、不正加工を試みた場
合、内部回路の動作に必要不可欠なトランジスタの動作
も不可能となる。これによって、テスト用外部端子群を
介した不正なアクセスによる内部回路へのアクセスや動
作を不可能とすることに対して、より一層のセキュリテ
ィの向上が実現可能となる。
According to this configuration, when an illegal processing is attempted, the operation of the transistor which is indispensable for the operation of the internal circuit becomes impossible. This makes it possible to further improve security against making it impossible to access or operate the internal circuit due to unauthorized access via the test external terminal group.

【0022】また、本発明に係るICカードに内蔵され
た半導体集積回路は、電源立ち上げ時にリセット信号を
発生するパワーオンリセット回路と、テスト用外部端子
群からの入力信号を検知し、その検知結果を不正アクセ
ス検知回路に出力する外部入力検知回路とを備え、半導
体不揮発性記憶装置は、テストモード切換回路に対する
制御用データが格納されたテストモード制御用メモリ領
域を有し、パワーオンリセット回路と、外部入力検知回
路と、テストモード制御用メモリ領域と、テストモード
切換回路と、電源ショート回路と、不正アクセス検知回
路と、トランスファゲート群と、これら各回路間の信号
と電源の配線レイアウトとが下層の配線層により構成さ
れ、下層の配線層は、内部回路の動作に必要不可欠な信
号と電源の配線レイアウトで覆い隠されることが好まし
い。
Further, the semiconductor integrated circuit built in the IC card according to the present invention detects a power-on reset circuit for generating a reset signal when power is turned on, and detects an input signal from a test external terminal group and detects the detection. An external input detection circuit that outputs a result to an unauthorized access detection circuit, wherein the semiconductor nonvolatile storage device has a test mode control memory area in which control data for the test mode switching circuit is stored, and a power-on reset circuit. And an external input detection circuit, a test mode control memory area, a test mode switching circuit, a power supply short circuit, an unauthorized access detection circuit, a transfer gate group, and a signal layout between these circuits and a power supply. Is composed of a lower wiring layer, which is a wiring layer for signals and power supplies that are indispensable for the operation of internal circuits. It is preferred that the obscured by out.

【0023】この構成によれば、不正アクセス時に、電
源−接地電位間のショートを回避するために、電源ショ
ート回路の電源−接地電位間を切断しようと試みる場合
や、テストモード制御信号や不正アクセス検知信号など
を不正に制御しようとしても、内部回路の動作に必要な
信号や電源などが先に切断されてしまい、半導体集積回
路としての動作を不可能とする。これによって、テスト
用外部端子群を介した不正なアクセスによる内部回路へ
のアクセスや動作を不可能とすることに対して、格段の
セキュリティの向上が実現可能となる。
According to this configuration, in order to avoid a short circuit between the power supply and the ground potential at the time of unauthorized access, an attempt is made to disconnect the power supply short circuit from the power supply to the ground potential, or a test mode control signal or an unauthorized access. Even if an attempt is made to illegally control a detection signal or the like, a signal, a power supply, and the like necessary for the operation of the internal circuit are cut off first, making the operation of the semiconductor integrated circuit impossible. This makes it possible to significantly improve security against making it impossible to access or operate the internal circuit due to unauthorized access via the test external terminal group.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0025】(第1の実施形態)まず、本発明の第1の
実施形態について、図1を参照しながら説明する。
(First Embodiment) First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0026】図1は、本発明の第1の実施形態によるI
Cカードに内蔵された半導体集積回路の構成図である。
図1において、11はテスト用外部端子群、11a、1
1b、…、11nはテスト用外部端子、12a、12
b、…、12nは、それぞれ、対応するテスト用外部端
子11a、11b、…、11nに接続される内部プルダ
ウン抵抗、13はOR回路、14aは外部入力検知信
号、14は外部入力検知回路、15は不正アクセス検知
回路、16は不正アクセス検知信号、17はテストモー
ド制御信号、18はトランスファゲート群、19は動作
制止回路、110はパワーオンリセット回路、111は
テストモード切換回路、112はテストモード制御用メ
モリ読み出しデータ、113は消去/書き込み回路、1
14はテストモード制御用メモリ領域、115は半導体
不揮発性メモリ、116は内部回路、117は半導体集
積回路である。
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit built in a C card.
In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a test external terminal group, 11a, 1
, 11n are external test terminals, 12a, 12
, 12n are internal pull-down resistors connected to the corresponding test external terminals 11a, 11b,..., 11n, 13 is an OR circuit, 14a is an external input detection signal, 14 is an external input detection circuit, 15 Is an unauthorized access detection circuit, 16 is an unauthorized access detection signal, 17 is a test mode control signal, 18 is a transfer gate group, 19 is an operation inhibition circuit, 110 is a power-on reset circuit, 111 is a test mode switching circuit, and 112 is a test mode. Control memory read data, 113 is an erase / write circuit, 1
Reference numeral 14 denotes a test mode control memory area, 115 denotes a semiconductor nonvolatile memory, 116 denotes an internal circuit, and 117 denotes a semiconductor integrated circuit.

【0027】次に、このように構成された半導体集積回
路117の動作について説明する。
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit 117 configured as described above will be described.

【0028】出荷検査工程において、半導体不揮発性メ
モリ115内のテストモード制御用メモリ領域114に
対して、テストモード設定用のデータを書き込む。この
テストモード設定用のデータは、半導体集積回路117
の電源立ち上げ時に、パワーオンリセット回路110か
らのリセット信号がテストモード切換回路111に入力
されると、テストモード制御用メモリ読み出しデータ1
12として読み出され、テストモード切換回路111に
格納される。
In the shipping inspection process, test mode setting data is written to the test mode control memory area 114 in the semiconductor nonvolatile memory 115. The test mode setting data is stored in the semiconductor integrated circuit 117.
When the reset signal from the power-on reset circuit 110 is input to the test mode switching circuit 111 when the power supply of the test mode is turned on, the test mode control memory read data 1
12 and stored in the test mode switching circuit 111.

【0029】格納されたデータに基づいて、テストモー
ド切換回路111からテストモード制御信号17として
“High”のレベルが出力される。“High”レベ
ルのテストモード制御信号17をトランスファゲート群
18の制御端子に入力することにより、テスト用外部端
子群11と内部回路116とが電気的に接続される。こ
の接続により、テスト用外部端子群11による内部回路
116の検査を容易かつ高速に実施することが可能とな
る。
Based on the stored data, the test mode switching circuit 111 outputs a “High” level as the test mode control signal 17. By inputting the “High” level test mode control signal 17 to the control terminal of the transfer gate group 18, the test external terminal group 11 and the internal circuit 116 are electrically connected. With this connection, the inspection of the internal circuit 116 by the test external terminal group 11 can be performed easily and at high speed.

【0030】また、“High”レベルのテストモード
制御信号17を不正アクセス検知回路15に入力するこ
とにより、不正アクセス検知回路15の出力信号である
不正アクセス検知信号16が“Low”レベルに固定さ
れる。これにより、テストモード時には、不正アクセス
検知回路15は、テスト用外部端子群11からの入力信
号は一切検知しない。
Further, by inputting the "High" level test mode control signal 17 to the unauthorized access detection circuit 15, the unauthorized access detection signal 16, which is the output signal of the unauthorized access detection circuit 15, is fixed at the "Low" level. You. Thus, in the test mode, the unauthorized access detection circuit 15 does not detect any input signal from the test external terminal group 11.

【0031】以上のように、出荷検査工程においては、
テスト用外部端子群11により、トランスファゲート群
18を介して、内部回路116を制御し、検査すること
が可能となる。
As described above, in the shipping inspection process,
The test external terminal group 11 makes it possible to control and inspect the internal circuit 116 via the transfer gate group 18.

【0032】次に、出荷検査工程の終盤において、半導
体不揮発性メモリ115内のテストモード制御用メモリ
領域114に対して、市場出荷用の通常動作モード設定
用のデータを書き込む。前記のテストモード設定時と同
様にして、通常動作モードに設定されているという情報
をテストモード切換回路111に格納する。格納された
データに基づいて、テストモード切換回路111からテ
ストモード制御信号17として“Low”のレベルが出
力される。
Next, at the end of the shipping inspection process, data for setting a normal operation mode for shipping to the market is written into the test mode control memory area 114 in the semiconductor nonvolatile memory 115. The information that the normal operation mode is set is stored in the test mode switching circuit 111 in the same manner as when the test mode is set. Based on the stored data, the test mode switching circuit 111 outputs a “Low” level as the test mode control signal 17.

【0033】“Low”レベルのテストモード制御信号
17をトランスファゲート群18の制御端子に入力する
ことにより、テスト用外部端子群11と内部回路116
との接続が電気的に切断される。この接続の切断によ
り、テスト用外部端子群11による内部回路116への
アクセスは不可能となる。
By inputting a "Low" level test mode control signal 17 to the control terminals of the transfer gate group 18, the test external terminal group 11 and the internal circuit 116 are controlled.
Is electrically disconnected. This disconnection makes it impossible for the test external terminal group 11 to access the internal circuit 116.

【0034】また、“Low”レベルのテストモード制
御信号17を不正アクセス検知回路15に入力すること
により、不正アクセス検知回路15への入力信号である
外部入力検知信号14aと、出力信号である不正アクセ
ス検知信号16とが接続される。
Also, by inputting the "Low" level test mode control signal 17 to the unauthorized access detection circuit 15, an external input detection signal 14a which is an input signal to the unauthorized access detection circuit 15 and an unauthorized signal which is an output signal are output. The access detection signal 16 is connected.

【0035】通常動作モードに設定した後は、テスト用
外部端子群11の全端子は開放状態、または“Low”
レベルに固定した状態で使用される。この場合、テスト
用外部端子群11の全端子には、内部プルダウン抵抗1
2a、12b、…、12nを接続しているため、OR回
路13の出力信号である外部入力検知信号14aは“L
ow”レベルになり、不正アクセス検知信号16も“L
ow”レベルとなって、半導体集積回路117は正常に
動作する。
After the normal operation mode is set, all the terminals of the test external terminal group 11 are open or “Low”.
Used with the level fixed. In this case, all terminals of the test external terminal group 11 are provided with an internal pull-down resistor 1.
, 12n, the external input detection signal 14a, which is the output signal of the OR circuit 13, is "L".
ow ”level, and the unauthorized access detection signal 16 is also“ L ”.
ow "level, and the semiconductor integrated circuit 117 operates normally.

【0036】しかし、テスト用外部端子群11のいずれ
か1端子以上に“High”レベルの信号が入力される
と、OR回路13の出力信号である外部入力検知信号1
4aは“High”レベルになり、不正アクセス検知信
号16も“High”レベルとなる。このとき、“Hi
gh”レベルの不正アクセス検知信号16によって、消
去/書き込み回路113を制御して、半導体不揮発性メ
モリ115のうち、テストモード制御用メモリ領域11
4を除く全てのデータを電気的に消去してしまい、IC
カード内に書き込まれた重要な個人データ等を読み出し
不可能とする。
However, when a “High” level signal is input to any one or more terminals of the test external terminal group 11, the external input detection signal 1 that is the output signal of the OR circuit 13 is output.
4a goes to the “High” level, and the unauthorized access detection signal 16 also goes to the “High” level. At this time, "Hi
The erase / write circuit 113 is controlled by the unauthorized access detection signal 16 at the “gh” level, and the test mode control memory area 11 of the semiconductor nonvolatile memory 115 is controlled.
All data except 4 is erased electrically and IC
Important personal data written in the card cannot be read.

【0037】以上のように、本実施形態によれば、市場
に出荷した後は、トランスファゲート群18を電気的に
切断することで、テスト用外部端子群11による内部回
路116へのアクセスを不可能とし、さらに、テスト用
外部端子群11のいずれか1端子以上から不正な信号
(“High”レベルの信号)が印加され、不正アクセ
ス検知信号16が“High”レベルになると、半導体
不揮発性メモリ115のうちテストモード制御用メモリ
領域114を除く全てのデータを消去するため、半導体
集積回路117の不正な解析や半導体不揮発性メモリ1
15に書き込まれた重要データの読み出しや改ざんが不
可能になる。
As described above, according to the present embodiment, after shipment to the market, the access to the internal circuit 116 by the test external terminal group 11 is prevented by electrically disconnecting the transfer gate group 18. Further, when an invalid signal (“High” level signal) is applied from one or more terminals of the test external terminal group 11 and the unauthorized access detection signal 16 becomes “High” level, the semiconductor nonvolatile memory In order to erase all data except for the test mode control memory area 114 of the semiconductor integrated circuit 115, the illegal analysis of the semiconductor integrated circuit 117 or the semiconductor nonvolatile memory 1
It becomes impossible to read or tamper with the important data written in 15.

【0038】また、出荷検査工程においては、テスト用
外部端子群11を使用可能とすることで、ICカードに
内蔵された半導体集積回路117内の内部回路116の
各機能を効率的に検査することが可能となり、短時間で
高い故障検出率を実現することが可能となる。
In the shipping inspection process, the functions of the internal circuit 116 in the semiconductor integrated circuit 117 built in the IC card can be efficiently inspected by making the test external terminal group 11 usable. And a high failure detection rate can be realized in a short time.

【0039】なお、本実施形態において、内部プルダウ
ン抵抗12a、12b、…、12nを全て内部プルアッ
プ抵抗に、またOR回路をNAND回路に置き換え、か
つ、テストモードに設定した後は、テスト用外部端子群
11の全端子を開放状態、または“High”レベルに
固定した状態にするのを正規の使用状態とした場合、テ
スト用外部端子群11のいずれか1端子以上に“Lo
w”レベルの信号が入力された場合に、NAND回路の
出力信号である外部入力検知信号が“High”レベル
になり、以降は同様の動作をすることは言うまでもな
い。
In this embodiment, after all the internal pull-down resistors 12a, 12b,..., 12n are replaced with internal pull-up resistors, the OR circuit is replaced with a NAND circuit, and after the test mode is set, the test external When it is assumed that all the terminals of the terminal group 11 are in an open state or a state in which the terminals are fixed at the “High” level in a normal use state, “Lo” is applied to at least one terminal of the external test terminal group 11.
When a signal at the “w” level is input, the external input detection signal, which is the output signal of the NAND circuit, goes to the “High” level, and it goes without saying that the same operation is performed thereafter.

【0040】(第2の実施形態)次に、本発明の第2の
実施形態について、図2を参照しながら説明する。
(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0041】図2は、本発明の第2の実施形態によるI
Cカードに内蔵された半導体集積回路の構成図である。
図2において、21はテスト用外部端子群、21a、2
1b、…、21nはテスト用外部端子、22a、22
b、…、22nは、それぞれ、対応するテスト用外部端
子21a、21b、…、21nに接続される内部プルダ
ウン抵抗、23はOR回路、24aは外部入力検知信
号、24は外部入力検知回路、25は不正アクセス検知
回路、26は不正アクセス検知信号、27はテストモー
ド制御信号、28はトランスファゲート群、29は動作
制止回路、210はパワーオンリセット回路、211は
テストモード切換回路、212はテストモード制御用メ
モリ読み出しデータ、213は消去/書き込み回路、2
14はテストモード制御用メモリ領域、215は半導体
不揮発性メモリ、216は内部回路、217は半導体集
積回路、218は電源ショート回路、218pは電源シ
ョート回路用電源配線、218gは電源ショート回路用
接地配線である。
FIG. 2 is a circuit diagram of an I / O according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit built in a C card.
In FIG. 2, reference numeral 21 denotes a test external terminal group, 21a, 2
, 21n are test external terminals, 22a, 22
, 22n are internal pull-down resistors connected to the corresponding test external terminals 21a, 21b,..., 21n, 23 is an OR circuit, 24a is an external input detection signal, 24 is an external input detection circuit, 25 Is an unauthorized access detection circuit, 26 is an unauthorized access detection signal, 27 is a test mode control signal, 28 is a transfer gate group, 29 is an operation suppression circuit, 210 is a power-on reset circuit, 211 is a test mode switching circuit, and 212 is a test mode. The control memory read data 213 is an erase / write circuit,
14 is a test mode control memory area, 215 is a semiconductor nonvolatile memory, 216 is an internal circuit, 217 is a semiconductor integrated circuit, 218 is a power short circuit, 218p is a power short circuit power wiring, and 218g is a power short circuit ground wiring. It is.

【0042】次に、このように構成された半導体集積回
路217の動作について説明する。
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit 217 thus configured will be described.

【0043】まず、出荷検査工程において、第1の実施
形態と同様にして、テストモード設定時には、不正アク
セス検知信号26は“Low”レベルに固定される。こ
の“Low”レベルの不正アクセス検知信号26は、電
源−接地電位間に接続され、NチャネルMOSトランジ
スタで構成された電源ショート回路218のゲートに入
力される。このとき、電源ショート回路218のゲート
入力信号は“Low”レベルに固定されているため、N
チャネルMOSトランジスタはオフ状態となり、電源−
接地電位間は切断される。このため、出荷検査工程にお
いては、テスト用外部端子群21を用いて、トランスフ
ァゲート群28を介して、内部回路216を制御し、検
査することが可能となる。
First, in the shipping inspection process, as in the first embodiment, when the test mode is set, the unauthorized access detection signal 26 is fixed at the "Low" level. The “Low” level unauthorized access detection signal 26 is connected between the power supply and the ground potential, and is input to the gate of the power supply short circuit 218 composed of an N-channel MOS transistor. At this time, since the gate input signal of the power supply short circuit 218 is fixed at the “Low” level,
The channel MOS transistor is turned off, and the power supply
It is disconnected between the ground potentials. Therefore, in the shipping inspection process, it is possible to control and inspect the internal circuit 216 through the transfer gate group 28 using the test external terminal group 21.

【0044】次に、出荷検査工程の終盤において、第1
の実施形態と同様にして、通常動作モード設定時には、
テスト用外部端子群21の全端子を開放状態、または
“Low”レベルに固定した状態で使用することで、半
導体集積回路217は正常に動作する。
Next, at the end of the shipping inspection process, the first
Similarly to the embodiment, when the normal operation mode is set,
The semiconductor integrated circuit 217 operates normally by using all the terminals of the test external terminal group 21 in an open state or a state in which the terminals are fixed at a “Low” level.

【0045】しかし、テスト用外部端子群21のいずれ
か1端子以上に“High”レベルの信号が入力される
と、外部入力検知信号24aは“High”レベルにな
り、不正アクセス検知信号26も“High”レベルと
なって、電源ショート回路218のNチャネルMOSト
ランジスタがオン状態になる。
However, when a "High" level signal is input to any one or more terminals of the test external terminal group 21, the external input detection signal 24a becomes "High" level and the unauthorized access detection signal 26 also becomes "High" level. It becomes High level, and the N-channel MOS transistor of the power supply short circuit 218 turns on.

【0046】このため、電源−接地電位間がNチャネル
MOSトランジスタを介して接続(短絡)され、電源電
圧が半導体集積回路217の動作下限電圧以下まで低下
し、正常に動作が出来なくなる。これにより、テスト用
外部端子群21を用いた内部回路へのアクセスやICカ
ード内に書き込まれたデータの読み出し、消去/書き込
み等の一切の動作や電気的解析を実施することが不可能
となる。
As a result, the power supply and the ground potential are connected (short-circuited) via the N-channel MOS transistor, and the power supply voltage is reduced to the operation lower limit voltage of the semiconductor integrated circuit 217 or lower, and normal operation cannot be performed. This makes it impossible to access the internal circuit using the test external terminal group 21, read out data written in the IC card, perform any operation such as erasing / writing, and perform electrical analysis. .

【0047】以上のように、本実施形態によれば、市場
に出荷した後は、トランスファゲート群28を電気的に
切断することで、テスト用外部端子群21による内部回
路216へのアクセスを不可能とし、さらに、テスト用
外部端子群21のいずれか1端子以上から不正な信号
(“High”レベルの信号)が印加され、不正アクセ
ス検知信号26が“High”レベルになると、半導体
集積回路217の一切の動作が正常に機能しなくなる。
また、出荷検査工程においては、テスト用外部端子群2
1を使用可能とすることで、ICカードに内蔵された半
導体集積回路217内の内部回路216の各機能を効率
的に検査することが可能となり、短時間で高い故障検出
率を実現することが可能となる。
As described above, according to the present embodiment, after shipment to the market, the transfer gate group 28 is electrically disconnected to prevent the test external terminal group 21 from accessing the internal circuit 216. Further, when an unauthorized signal (a signal of “High” level) is applied from one or more terminals of the test external terminal group 21 and the unauthorized access detection signal 26 becomes “High” level, the semiconductor integrated circuit 217 is activated. Will not work properly.
In the shipping inspection process, the test external terminal group 2
1 makes it possible to efficiently inspect each function of the internal circuit 216 in the semiconductor integrated circuit 217 incorporated in the IC card, and realize a high failure detection rate in a short time. It becomes possible.

【0048】(第3の実施形態)次に、本発明の第3の
実施形態について、図3を参照しながら説明する。
Third Embodiment Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0049】図3は、本発明の第3の実施形態によるI
Cカードに内蔵された半導体集積回路に設けた電源ショ
ート回路周辺のレイアウト詳細図である。図3におい
て、31は電源端子、32は接地端子、33は電源ショ
ート回路、33pは電源ショート回路用電源配線、33
gは電源ショート回路用接地配線、34a、34b、3
4c、34dはレーザーカッターやFIBなどの装置を
用いて不正に切断しようと試みる場合の不正切断点、3
5pは電源用拡散層−配線層間コンタクト窓、35gは
接地用拡散層−配線層間コンタクト窓、36は拡散層、
37は電源ショート回路制御用ゲート電極、38は内部
回路である。
FIG. 3 is a circuit diagram of an I / O according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a detailed layout diagram around a power supply short circuit provided in a semiconductor integrated circuit built in a C card. In FIG. 3, reference numeral 31 denotes a power supply terminal, 32 denotes a ground terminal, 33 denotes a power supply short circuit, 33p denotes a power supply wiring for a power supply short circuit,
g is a ground wiring for a power supply short circuit, 34a, 34b, 3
Reference numerals 4c and 34d denote illegal cutting points when attempting to cut illegally using a device such as a laser cutter or FIB.
5p is a power supply diffusion layer-wiring interlayer contact window, 35g is a ground diffusion layer-wiring interlayer contact window, 36 is a diffusion layer,
Reference numeral 37 denotes a power supply short circuit control gate electrode, and reference numeral 38 denotes an internal circuit.

【0050】次に、このように構成された半導体集積回
路内の電源ショート回路33のレイアウトおよび動作に
ついて説明する。
Next, the layout and operation of the power supply short circuit 33 in the semiconductor integrated circuit thus configured will be described.

【0051】まず、レイアウトに関して、図3に示すよ
うに、電源端子31および接地端子32と内部回路38
との間に、電源ショート回路33を配置する。
First, regarding the layout, as shown in FIG. 3, a power supply terminal 31, a ground terminal 32 and an internal circuit 38 are provided.
The power supply short circuit 33 is arranged between the power supply short circuit 33 and the power supply short circuit 33.

【0052】このとき、不正アクセスを試みる者は、電
源−接地電位間のショートを回避しようと、まず、電源
ショート回路33の電源ショート回路用電源配線33p
側に対して、これから切断を行なおうとする不正切断点
34aの電源端子31側と、同じくこれから切断を行な
おうとする不正切断点34bの内部回路38側とをFI
Bなどの装置を用いてタングステンで接続する。
At this time, a person who attempts unauthorized access attempts to avoid a short circuit between the power supply and the ground potential, first of all, the power supply short circuit power supply wiring 33p of the power supply short circuit 33.
The power supply terminal 31 side of the illegal disconnection point 34a to be disconnected from now and the internal circuit 38 side of the illegal disconnection point 34b to be disconnected from the
The connection is made with tungsten using a device such as B.

【0053】その後、不正切断点34aと不正切断点3
4bの各々を不正にレーザーカッターやFIBなどの装
置を用いて切断することで、電源ショート回路33の電
源ショート回路用電源配線33p側は電源ショート回路
33から機能的に切断される。
Thereafter, the illegal cutting point 34a and the illegal cutting point 3
By illegally cutting each of 4b using a device such as a laser cutter or FIB, the power supply short circuit power supply wiring 33p side of the power supply short circuit 33 is functionally disconnected from the power supply short circuit 33.

【0054】また、電源ショート回路33の電源ショー
ト回路用接地配線33g側も同様に、これから切断を行
なおうとする不正切断点34cの接地端子32側と、同
じくこれから切断を行なおうとする不正切断点34dの
内部回路38側とをタングステンで接続し、その後、各
々の点を切断すると、電源ショート回路33の電源ショ
ート回路用接地配線33g側も電源ショート回路33か
ら機能的に切断される。
Similarly, the power supply short circuit 33 on the side of the power supply short circuit ground wiring 33g and the ground terminal 32 on the illegal disconnection point 34c to be disconnected from the power supply short circuit 33g, and the illegal disconnection from the same. When the point 34d is connected to the internal circuit 38 side with tungsten, and then each point is disconnected, the power short circuit 33 side of the power short circuit ground line 33g is also functionally disconnected from the power short circuit 33.

【0055】しかしながら、電源端子31および接地端
子32から内部回路38への電源供給は不正加工により
不安定になり、内部回路38が正常に動作せず、また、
ノイズにも弱くなる。
However, the power supply from the power supply terminal 31 and the ground terminal 32 to the internal circuit 38 becomes unstable due to illegal processing, the internal circuit 38 does not operate normally, and
Weakness to noise.

【0056】以上のように、本実施形態によれば、テス
ト用外部端子群21による不正なアクセスによる内部回
路38へのアクセスや動作を不可能とすることに対し
て、より一層のセキュリティの向上が実現可能となる。
As described above, according to the present embodiment, the security is further improved against making it impossible to access or operate the internal circuit 38 due to unauthorized access by the test external terminal group 21. Can be realized.

【0057】(第4の実施形態)次に、本発明の第4の
実施形態について、図4を参照しながら説明する。
(Fourth Embodiment) Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0058】図4は、本発明の第4の実施形態によるI
Cカードに内蔵された半導体集積回路に設けた電源ショ
ート回路周辺のレイアウト詳細図である。図4におい
て、41は電源端子、42は接地端子、43は電源ショ
ート回路、44a、44b、44c、44dはレーザー
カッターやFIBなどの装置を用いて不正に切断しよう
と試みる場合の不正切断点、45pは電源用拡散層−配
線層間コンタクト窓、45gは接地用拡散層−配線層間
コンタクト窓、46は電源ショート回路制御用ゲート電
極、47は拡散層、48は内部回路用ゲート電極、49
は内部回路、410、411は内部回路49の動作に必
要不可欠なトランジスタ、412は接地配線、413は
電源配線である。
FIG. 4 is a block diagram showing a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a detailed layout diagram around a power supply short circuit provided in a semiconductor integrated circuit built in a C card. In FIG. 4, 41 is a power supply terminal, 42 is a ground terminal, 43 is a power supply short circuit, 44a, 44b, 44c, 44d are illegal cutting points when an illegal cutting is attempted using a device such as a laser cutter or FIB, 45p is a power diffusion layer-interlayer contact window, 45g is a ground diffusion layer-interlayer contact window, 46 is a power supply short circuit control gate electrode, 47 is a diffusion layer, 48 is an internal circuit gate electrode, and 49 is an internal circuit gate electrode.
Is an internal circuit, 410 and 411 are transistors indispensable for the operation of the internal circuit 49, 412 is a ground wiring, and 413 is a power supply wiring.

【0059】次に、このように構成された半導体集積回
路内の電源ショート回路43のレイアウトおよび動作に
ついて説明する。
Next, the layout and operation of the power supply short circuit 43 in the semiconductor integrated circuit thus configured will be described.

【0060】まず、レイアウトに関して、電源端子41
および接地端子42と内部回路49との間に電源ショー
ト回路43を配置し、さらに電源ショート回路43は内
部回路49の動作に必要不可欠なトランジスタ410、
411の一部と拡散層47を共有している。
First, regarding the layout, the power supply terminal 41
A power supply short circuit 43 is arranged between the ground terminal 42 and the internal circuit 49, and the power supply short circuit 43 further includes a transistor 410 indispensable for the operation of the internal circuit 49,
The diffusion layer 47 is shared with a part of the diffusion layer 47.

【0061】このとき、不正アクセスを試みる者は、電
源−接地電位間のショートを回避しようと、まず、電源
端子側において、不正切断点44aと不正切断点44b
の各々を不正にレーザーカッターやFIBなどの装置を
用いて切断して、その後、不正切断点44aと不正切断
点44bを直結させた場合、内部回路49の動作に必要
不可欠なトランジスタ410の動作も不可能となる。
At this time, in order to avoid a short circuit between the power supply and the ground potential, first, the unauthorized access point tries to avoid the short circuit between the power supply terminal and the ground potential on the power supply terminal side.
Is illegally cut using a device such as a laser cutter or FIB, and then the illegal cutting point 44a and the illegal cutting point 44b are directly connected, the operation of the transistor 410 which is indispensable for the operation of the internal circuit 49 is also reduced. Impossible.

【0062】また、接地端子42側の場合も電源端子4
1側と同様にして、不正切断点44cと不正切断点44
dの各々を切断した後、両点44cと44dを直結させ
た場合、内部回路49の動作に必要不可欠なトランジス
タ411の動作も不可能となってしまう。
Also, in the case of the ground terminal 42 side, the power supply terminal 4
In the same manner as the first side, the illegal cutting point 44c and the illegal cutting point 44
If both points 44c and 44d are directly connected after cutting each of d, the operation of the transistor 411 which is indispensable for the operation of the internal circuit 49 becomes impossible.

【0063】以上のように、本実施形態によれば、テス
ト用外部端子群21を用いた不正なアクセスによる内部
回路49へのアクセスや動作を不可能とすることに対し
て、より一層のセキュリティの向上が実現可能となる。
As described above, according to the present embodiment, further security is provided against making it impossible to access or operate the internal circuit 49 due to unauthorized access using the test external terminal group 21. Can be improved.

【0064】(第5の実施形態)次に、本発明の第5の
実施形態について、図2および図5を参照しながら説明
する。
(Fifth Embodiment) Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0065】図5は、本発明の第5の実施形態によるI
Cカードに内蔵された半導体集積回路に設けた電源ショ
ート回路周辺のレイアウト詳細図である。図5におい
て、51は下層の配線層、52は上層の配線層であり、
53はポリシリコンである。
FIG. 5 is a circuit diagram of an I-type semiconductor device according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a detailed layout diagram of a periphery of a power supply short circuit provided in a semiconductor integrated circuit built in a C card. In FIG. 5, reference numeral 51 denotes a lower wiring layer, 52 denotes an upper wiring layer,
53 is polysilicon.

【0066】次に、このように構成された半導体集積回
路内の電源ショート回路218(図2)のレイアウトお
よび動作について説明する。
Next, the layout and operation of the power supply short circuit 218 (FIG. 2) in the semiconductor integrated circuit thus configured will be described.

【0067】まず、レイアウトに関して、第5の実施形
態では、第4の実施形態における電源−接地電位間のシ
ョートの回避をさらに困難にするために、図2における
パワーオンリセット回路210と、テストモード切換回
路211と、テストモード制御用メモリ領域214と、
電源ショート回路218と、外部入力検知回路24と、
不正アクセス検知回路25と、トランスファゲート群2
8と、これら各回路間の信号と電源の配線レイアウトと
を下層の配線層51により構成し、下層の配線層51の
上に設けた上層の配線層52により、内部回路216の
動作に必要不可欠な信号と電源の配線レイアウトを構成
する。そして、下層の配線層51により構成される全て
の回路と各回路間の信号と電源の配線レイアウトの上
を、上層の配線層52で覆い隠すようなレイアウトの形
成を行う。
First, with regard to the layout, in the fifth embodiment, in order to make it more difficult to avoid a short circuit between the power supply and the ground potential in the fourth embodiment, the power-on reset circuit 210 shown in FIG. A switching circuit 211, a test mode control memory area 214,
A power supply short circuit 218, an external input detection circuit 24,
Unauthorized access detection circuit 25 and transfer gate group 2
8 and a wiring layout of signals and power supply between these circuits are constituted by a lower wiring layer 51, and an upper wiring layer 52 provided on the lower wiring layer 51 is essential for the operation of the internal circuit 216. Configure the wiring layout of the signals and power supply. Then, a layout is formed such that the upper wiring layer 52 covers the wiring layout of all the circuits constituted by the lower wiring layer 51 and the signal and power supply between the circuits with the upper wiring layer 52.

【0068】この配線レイアウトにより、不正なアクセ
ス時の電源−接地電位間のショートを回避するために、
電源ショート回路218の電源−接地電位間を切断しよ
うと試みる場合や、テストモード制御信号27や不正ア
クセス検知信号26などを不正に制御しようとしても、
内部回路216の動作に必要な信号や電源などが先に切
断されてしまい、半導体集積回路217としての動作を
不可能とする。
With this wiring layout, in order to avoid a short circuit between the power supply and the ground potential at the time of an illegal access,
If an attempt is made to disconnect the power supply-ground potential of the power supply short circuit 218, or if the test mode control signal 27, the unauthorized access detection signal 26, etc.
Signals and power supplies necessary for the operation of the internal circuit 216 are cut off first, making the operation of the semiconductor integrated circuit 217 impossible.

【0069】以上のように、本実施形態によれば、第4
の実施形態におけるテスト用外部端子群21を介した不
正なアクセスによる内部回路216へのアクセスや動作
を不可能とすることに対して、格段のセキュリティの向
上が実現可能となる。
As described above, according to the present embodiment, the fourth
In this embodiment, access to the internal circuit 216 due to improper access via the test external terminal group 21 and the operation of the internal circuit 216 are not allowed.

【0070】[0070]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ICカ
ードを市場に出荷した後、内部の半導体集積回路に対し
て外部から不正な入力信号が入力された場合には、半導
体不揮発性メモリを含む内部回路へのアクセスが禁止さ
れ、かつ、半導体不揮発性メモリの中の記憶情報は消去
される。または、不正な入力信号が入力された場合に
は、電源−接地電位間がショートすることで、内部の半
導体集積回路の一切の動作が不可能になる。また、電源
−接地電位間のショートを回避しようと電源−接地電位
間のショート経路の電源や制御信号の配線を不正に切断
しようとしても、内部回路に必要不可欠な信号や電源を
切断してしまうことになる。
As described above, according to the present invention, when an illegal input signal is input to the internal semiconductor integrated circuit from the outside after the IC card is shipped to the market, the semiconductor nonvolatile circuit Access to an internal circuit including the memory is prohibited, and stored information in the semiconductor nonvolatile memory is erased. Alternatively, when an incorrect input signal is input, a short circuit between the power supply and the ground potential makes any operation of the internal semiconductor integrated circuit impossible. Further, even if an attempt is made to avoid a short circuit between the power supply and the ground potential and to illegally disconnect the power supply and the control signal wiring of the short path between the power supply and the ground potential, the signals and the power supply indispensable to the internal circuit are cut off. Will be.

【0071】このため、市場に出荷した後は、テスト用
外部端子群による内部回路の動作を一切不可能とし、半
導体不揮発性メモリに書き込まれたデータの読み出しや
データの改ざんを行うことが不可能となる。また、出荷
検査工程においては、テスト用外部端子群を使用可能と
することで、半導体集積回路の各機能を効率的に検査す
ることができ、短時間で高い故障検出率を実現すること
が可能となるため、非常に高いセキュリティを有するI
Cカードを実現することが可能となる。
For this reason, after shipment to the market, the operation of the internal circuit by the test external terminal group cannot be performed at all, and it is not possible to read out or falsify data written in the semiconductor nonvolatile memory. Becomes Also, in the shipping inspection process, by making the test external terminal group available, each function of the semiconductor integrated circuit can be efficiently inspected, and a high failure detection rate can be realized in a short time. I, which has very high security
A C card can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施形態によるICカードに
内蔵された半導体集積回路の構成図
FIG. 1 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit built in an IC card according to a first embodiment of the present invention;

【図2】 本発明の第2の実施形態によるICカードに
内蔵された半導体集積回路の構成図
FIG. 2 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit built in an IC card according to a second embodiment of the present invention;

【図3】 本発明の第3の実施形態によるICカードに
内蔵された半導体集積回路に設けた電源ショート回路周
辺のレイアウト詳細図
FIG. 3 is a detailed layout diagram around a power supply short circuit provided in a semiconductor integrated circuit built in an IC card according to a third embodiment of the present invention;

【図4】 本発明の第4の実施形態によるICカードに
内蔵された半導体集積回路に設けた電源ショート回路周
辺のレイアウト詳細図
FIG. 4 is a detailed layout diagram around a power supply short circuit provided in a semiconductor integrated circuit built in an IC card according to a fourth embodiment of the present invention;

【図5】 本発明の第5の実施形態によるICカードに
内蔵された半導体集積回路に設けた電源ショート回路周
辺のレイアウト詳細図
FIG. 5 is a detailed layout diagram around a power supply short circuit provided in a semiconductor integrated circuit built in an IC card according to a fifth embodiment of the present invention;

【図6】 従来のICカードに内蔵された半導体集積回
路の構成図
FIG. 6 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit built in a conventional IC card.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11a、11b、11n、21a、21b、21n テ
スト用外部端子 11、21 テスト用外部端子群 12a、12b、12n、22a、22b、22n 内
部プルダウン抵抗 13、23 OR回路 14、24 外部入力検知回路 14a、24a 外部入力検知信号 15、25 不正アクセス検知回路 16、26 不正アクセス検知信号 17、27 テストモード制御信号 18、28 トランスファゲート群 19、29 動作制止回路 110、210 パワーオンリセット回路 111、211 テストモード切換回路 112、212 テストモード制御用メモリ読み出しデ
ータ 113、213 消去/書き込み回路 114、214 テストモード制御用メモリ領域 115、215 半導体不揮発性メモリ 116、216 内部回路 117、217 半導体集積回路 218 電源ショート回路 218p 電源ショート回路用電源配線 218g 電源ショート回路用接地配線 31、41 電源端子 32、42 接地端子 33、43 電源ショート回路 33p 電源ショート回路用電源配線 33g 電源ショート回路用接地配線 34a、34b、34c、34d、44a、44b、4
4c、44d 不正切断点 35p、45p 電源用拡散層−配線層間コンタクト窓 35g、45g 接地用拡散層−配線層間コンタクト窓 36、47 拡散層 37、46 電源ショート回路制御用ゲート電極 38、49 内部回路 48 内部回路用ゲート電極 410 内部回路49の動作に必要不可欠なトランジス
タ 411 内部回路49の動作に必要不可欠なトランジス
タ 412 接地配線 413 電源配線 51 下層の配線層 52 上層の配線層 53 ポリシリコン
11a, 11b, 11n, 21a, 21b, 21n Test external terminals 11, 21, Test external terminal group 12a, 12b, 12n, 22a, 22b, 22n Internal pull-down resistor 13, 23 OR circuit 14, 24 External input detection circuit 14a , 24a External input detection signal 15, 25 Unauthorized access detection circuit 16, 26 Unauthorized access detection signal 17, 27 Test mode control signal 18, 28 Transfer gate group 19, 29 Operation control circuit 110, 210 Power-on reset circuit 111, 211 Test Mode switching circuit 112, 212 Test mode control memory read data 113, 213 Erasing / writing circuit 114, 214 Test mode control memory area 115, 215 Semiconductor nonvolatile memory 116, 216 Internal circuit 117, 217 Semiconductor Integrated circuit 218 Power supply short circuit 218p Power supply short circuit power supply wiring 218g Power supply short circuit ground wiring 31, 41 Power supply terminal 32, 42 Ground terminal 33, 43 Power supply short circuit 33p Power supply short circuit power supply wiring 33g Power supply short circuit ground wiring 34a, 34b, 34c, 34d, 44a, 44b, 4
4c, 44d Illegal cutting point 35p, 45p Power supply diffusion layer-interlayer contact window 35g, 45g Ground diffusion layer-interlayer contact window 36, 47 Diffusion layer 37, 46 Power supply short circuit control gate electrode 38, 49 Internal circuit 48 Gate electrode for internal circuit 410 Transistor indispensable for operation of internal circuit 49 411 Transistor indispensable for operation of internal circuit 49 412 Ground wiring 413 Power supply wiring 51 Lower wiring layer 52 Upper wiring layer 53 Polysilicon

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11C 17/00 G01R 31/28 V 5B035 16/02 W 5L106 29/00 673 B G11C 17/00 601P Fターム(参考) 2G132 AA09 AA18 AK11 AK15 AK22 5B003 AB05 AD03 AD09 AE04 5B017 AA07 BA08 BB03 CA14 5B018 GA10 HA26 MA24 NA06 PA03 QA13 5B025 AD04 AD08 AD09 AD14 AE09 AE10 5B035 AA13 BB09 BC08 CA12 CA38 5L106 AA10 DD11 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) G11C 17/00 G01R 31/28 V 5B035 16/02 W 5L106 29/00 673 B G11C 17/00 601P F term (reference) 2G132 AA09 AA18 AK11 AK15 AK22 5B003 AB05 AD03 AD09 AE04 5B017 AA07 BA08 BB03 CA14 5B018 GA10 HA26 MA24 NA06 PA03 QA13 5B025 AD04 AD08 AD09 AD14 AE09 AE10 5B035 AA13 BB09 BC08 CA12 CA38 5L106A

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体集積回路が内蔵されたICカード
であって、前記半導体集積回路は、 外部から信号を印加し半導体集積回路の動作をテストす
るためのテスト用外部端子群と、 前記テスト用外部端子群と内部回路とを電気的に断続す
るためのトランスファゲート群と、 通常動作モードとテストモードの切り換えを制御するテ
ストモード切換回路と、 前記テストモード切換回路から出力されるテストモード
制御信号が通常動作モードを示し、かつ、前記テスト用
外部端子群に所定レベルの信号が印加された場合に、不
正な信号が入力されたことを検知する不正アクセス検知
回路と、 前記不正アクセス検知回路が不正な入力信号を検知した
場合に、前記内部回路に設けた半導体不揮発性記憶装置
の記憶内容を消去する消去/書き込み回路とを備えたこ
とを特徴とするICカード。
1. An IC card having a built-in semiconductor integrated circuit, wherein the semiconductor integrated circuit has a test external terminal group for applying an external signal to test the operation of the semiconductor integrated circuit; A transfer gate group for electrically connecting and disconnecting an external terminal group and an internal circuit; a test mode switching circuit for controlling switching between a normal operation mode and a test mode; and a test mode control signal output from the test mode switching circuit Indicates a normal operation mode, and when a signal of a predetermined level is applied to the test external terminal group, an unauthorized access detection circuit that detects that an unauthorized signal has been input; and An erasing / writing circuit for erasing the storage contents of the semiconductor nonvolatile memory device provided in the internal circuit when detecting an incorrect input signal; IC card characterized by comprising.
【請求項2】 前記半導体集積回路は、前記不正アクセ
ス検知回路が、前記テスト用外部端子群からの不正な入
力信号を検知した場合に、電源−接地電位間を短絡させ
る電源ショート回路を備えたことを特徴とする請求項1
記載のICカード。
2. The semiconductor integrated circuit includes a power supply short circuit that short-circuits between a power supply and a ground potential when the unauthorized access detection circuit detects an illegal input signal from the test external terminal group. 2. The method according to claim 1, wherein
The described IC card.
【請求項3】 前記電源ショート回路は、その電源配線
および接地配線にそれぞれ対応する外部端子と前記内部
回路との間に配置されることを特徴とする請求項2記載
のICカード。
3. The IC card according to claim 2, wherein the power supply short circuit is arranged between an external terminal corresponding to a power supply line and a ground line, respectively, and the internal circuit.
【請求項4】 前記電源ショート回路は、前記内部回路
と共通の電源配線、接地配線、およびトランジスタを構
成する拡散層を有することを特徴とする請求項3記載の
ICカード。
4. The IC card according to claim 3, wherein the power supply short circuit has a power supply line and a ground line common to the internal circuit, and a diffusion layer forming a transistor.
【請求項5】 前記半導体集積回路は、電源立ち上げ時
にリセット信号を発生するパワーオンリセット回路と、
前記テスト用外部端子群からの入力信号を検知し、その
検知結果を前記不正アクセス検知回路に出力する外部入
力検知回路とを備え、 前記半導体不揮発性記憶装置は、前記テストモード切換
回路に対する制御用データが格納されたテストモード制
御用メモリ領域を有し、 前記パワーオンリセット回路と、前記外部入力検知回路
と、前記テストモード制御用メモリ領域と、前記テスト
モード切換回路と、前記電源ショート回路と、前記不正
アクセス検知回路と、前記トランスファゲート群と、こ
れら各回路間の信号と電源の配線レイアウトとが下層の
配線層により構成され、前記下層の配線層は、前記内部
回路の動作に必要不可欠な信号と電源の配線レイアウト
で覆い隠されることを特徴とする請求項4記載のICカ
ード。
5. A power-on reset circuit for generating a reset signal when a power supply is turned on,
An external input detection circuit that detects an input signal from the test external terminal group and outputs a detection result to the unauthorized access detection circuit, wherein the semiconductor nonvolatile memory device controls the test mode switching circuit. A power-on reset circuit, the external input detection circuit, the test mode control memory area, the test mode switching circuit, and the power supply short circuit. The unauthorized access detection circuit, the transfer gate group, and the wiring layout of signals and power supply between these circuits are constituted by a lower wiring layer, and the lower wiring layer is indispensable for the operation of the internal circuit. 5. The IC card according to claim 4, wherein the IC card is covered by a wiring layout of a signal and a power supply.
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