JP2002267871A - Optical element and optical component - Google Patents

Optical element and optical component

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JP2002267871A
JP2002267871A JP2002018256A JP2002018256A JP2002267871A JP 2002267871 A JP2002267871 A JP 2002267871A JP 2002018256 A JP2002018256 A JP 2002018256A JP 2002018256 A JP2002018256 A JP 2002018256A JP 2002267871 A JP2002267871 A JP 2002267871A
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optical
substrate
waveguide
optical waveguide
alignment mark
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Toshikazu Hashimoto
俊和 橋本
Ikuo Ogawa
育生 小川
Yasubumi Yamada
泰文 山田
Akira Himeno
明 姫野
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the optical waveguide shape of an optical element which enables satisfactory coupling with other optical waveguides independently of an end surface position. SOLUTION: An optical element 1 is arranged in the course of a coupling waveguide 2 formed on a substrate 5, and has an optical waveguide 3 which is optically coupled with the coupling waveguide 2 and has an optical axis inclined to the end surface normal on both end surfaces 4 inside. The optical waveguide 3 of the optical element 1 has a straight part in which the optical axis at both end surfaces 4 is inclined to the same side with respect to the end surface normal.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光素子及び光部品
に関する。特に、導波構造を有する光素子の光導波路構
造及び組立位置合わせマーク構造に関するものである。
[0001] The present invention relates to an optical element and an optical component. In particular, the present invention relates to an optical waveguide structure and an assembly alignment mark structure of an optical device having a waveguide structure.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体光アンプや光変調器など、導波構
造を有する光素子と光ファイバや光導波路などを光結合
して使用する場合、結合間隙にある媒質との屈折率不整
合により光素子端面において反射が発生する。
2. Description of the Related Art When an optical element having a waveguide structure, such as a semiconductor optical amplifier or an optical modulator, is optically coupled to an optical fiber or an optical waveguide or the like, the optical element is caused by a refractive index mismatch with a medium in a coupling gap. Reflection occurs at the element end face.

【0003】特に、半導体光アンプでは反射光が増幅さ
れノイズやアンプする光信号を歪ませる原因となる。こ
のため以前から光素子端面の反射を抑制するための構造
が考えられてきた。例えば、通常の半導体レーザに関す
る書籍(応用物理学シリーズ「半導体レーザ」伊賀健一
著、応用物理学会編オーム社刊P345)に一般的に記
載されている。
In particular, in a semiconductor optical amplifier, reflected light is amplified, causing noise and distorting an optical signal to be amplified. For this reason, a structure for suppressing the reflection at the end face of the optical element has been considered. For example, it is generally described in a book on ordinary semiconductor lasers (Applied Physics Series "Semiconductor Laser", Kenichi Iga, edited by the Japan Society of Applied Physics, published by Ohmsha, P345).

【0004】(1)斜めストライプを用いた半導体光ア
ンプの例 従来の半導体光アンプの模式図を図7に示す。この半導
体光アンプは、光導波路基板5上に光素子1を搭載し、
光素子1から光導波路基板5上の光導波路2に光をへ入
出射するようにしたものである。ここで、光素子1に
は、二つの劈開端面4に対して光軸が傾斜する直線状の
光導波路(以下、このような光導波路をストライプ構造
又はストライプ光導波路という)3が形成されている。
(1) Example of Semiconductor Optical Amplifier Using Diagonal Stripes FIG. 7 shows a schematic diagram of a conventional semiconductor optical amplifier. In this semiconductor optical amplifier, the optical element 1 is mounted on an optical waveguide substrate 5,
Light enters and exits from the optical element 1 to the optical waveguide 2 on the optical waveguide substrate 5. Here, a linear optical waveguide (hereinafter, such an optical waveguide is called a stripe structure or a stripe optical waveguide) 3 whose optical axis is inclined with respect to the two cleavage end faces 4 is formed in the optical element 1. .

【0005】図中に示すように、半導体光アンプの各劈
開端面4に於いて反射された光は、半導体内部に戻され
るが、光導波路2と結合しない部分が多くなり、ノイズ
として半導体光アンプ内で増幅される光の量が大幅に低
減される。特に無反射誘電体多層膜との併用によりこの
ようなモジュールでは反射による光ノイズを十分に低減
することが出来る。
As shown in the figure, the light reflected at each cleavage end face 4 of the semiconductor optical amplifier is returned to the inside of the semiconductor, but the portion that does not couple with the optical waveguide 2 increases, and the semiconductor optical amplifier becomes noise. The amount of light amplified within is greatly reduced. In particular, by using such a module together with a non-reflective dielectric multilayer film, optical noise due to reflection can be sufficiently reduced.

【0006】ここで、光素子1の光導波路3、光導波路
基板上の光導波路2、更にこれら2つの光導波路間の媒
質は各々屈折率が異なっている為に、進行する光は界面
において屈折する。そこで、屈折の方向と光導波路の方
向が揃うように光導波路3、光導波路2のそれぞれの光
導波路端面の法線方向に対してスネルの法則を満たすよ
うに光導波路光軸が傾斜して設定されている。
Here, since the optical waveguide 3 of the optical element 1, the optical waveguide 2 on the optical waveguide substrate, and the medium between the two optical waveguides have different refractive indexes, the traveling light is refracted at the interface. I do. Therefore, the optical axis of the optical waveguide is set to be inclined so as to satisfy Snell's law with respect to the normal direction of the end faces of the optical waveguides of the optical waveguide 3 and the optical waveguide 2 so that the direction of refraction and the direction of the optical waveguide are aligned. Have been.

【0007】しかしながら、このような光素子に於いて
は、劈開位置を調整することが難しく、10〜20μm
程度の劈開位置のずれが発生する。即ち、従来の光導波
路部分を傾けた光素子では、チップの長さが変化すると
チップの光導波路の端面位置が変化して光軸にずれが生
じる。このため、図7(b)に示すように、光素子1の
劈開端面4における光導波路の位置が定まらなくなり、
放射光の光軸10aのように光導波路2a,2bとの位
置ずれを生じ、パッシブアライメントを行うことが困難
になる。
However, in such an optical device, it is difficult to adjust the cleavage position, and it is difficult to adjust the cleavage position.
A slight displacement of the cleavage position occurs. That is, in the conventional optical device in which the optical waveguide portion is tilted, when the length of the chip changes, the end face position of the optical waveguide of the chip changes and the optical axis shifts. For this reason, as shown in FIG. 7B, the position of the optical waveguide on the cleavage end face 4 of the optical element 1 cannot be determined,
As in the case of the optical axis 10a of the radiated light, a positional shift occurs between the optical waveguides 2a and 2b, making it difficult to perform passive alignment.

【0008】ここで、「パッシブアライメント」とは、
光素子1と光導波路基板5とに設けられた位置決め基準
を合わせて位置合わせする方法で、微細加工によるマー
クなどを用いて自動認知できるなど、簡便で量産化に適
した方法である。この位置ずれは、設計値である2つの
放出光間の間隔g0に対し、本質的に光素子からの放出
光間隔がgと変化するため劈開位置にずれが有る場合に
は、回避することはできない。
Here, “passive alignment” means
This method is simple and suitable for mass production, for example, a method of aligning the optical element 1 and the optical waveguide substrate 5 by aligning them with a positioning reference provided, and automatically recognizing the marks using marks or the like formed by fine processing. This misalignment, relative distance g 0 between the two emission light is the design value, when essentially the deviation is in the cleavage position for emission interval from the optical element changes the g is to avoid Can not.

【0009】即ち、間隔がgとなった図7(b)の状態
では、光導波路2aと放射光の光軸10aを一致させよ
うとしてx軸+方向に平行移動させても、又はy軸+方
向に平行移動させても、何れの場合にも他方の光導波路
2bと放射光の光軸10bとの結合は逆に悪くなる。
In other words, in the state shown in FIG. 7B where the interval becomes g, the optical waveguide 2a and the optical axis 10a of the radiated light can be moved in parallel in the x-axis + direction to make them coincide with each other, or the y-axis + In any case, the coupling between the other optical waveguide 2b and the optical axis 10b of the radiated light becomes worse even if the optical waveguide 2b is moved in the parallel direction.

【0010】また、光素子をxy面内で回転させれば光
軸方向がずれて良好な結合は得られない。従って、劈開
により光素子の長さが設定値からずれた場合には、光素
子を活性動作させた上で光導波路3と光導波路2とが最
小損失で結合するようにアクティブアラインメントをせ
ざるを得なかった。
If the optical element is rotated in the xy plane, the direction of the optical axis is shifted, and good coupling cannot be obtained. Therefore, when the length of the optical element deviates from the set value due to cleavage, the active alignment of the optical element must be performed so that the optical waveguide 3 and the optical waveguide 2 are coupled with minimum loss after the optical element is activated. I didn't get it.

【0011】(2)窓構造を用いた半導体光アンプの例 窓構造を用いた半導体光アンプを図8に示す。ここで、
「窓構造」とは、光素子1における光導波路3をチップ
の劈開端面4の手前で無くす構造であり、光導波路端面
を埋め込む形で劈開端面近傍において光を自由伝搬させ
劈開端面4における反射光が光導波路と光結合するのを
抑制するものである。この窓構造においても、無反射誘
電体多層膜と併用することによって光ノイズを十分に低
減することが出来る。
(2) Example of a semiconductor optical amplifier using a window structure FIG. 8 shows a semiconductor optical amplifier using a window structure. here,
The “window structure” is a structure in which the optical waveguide 3 in the optical element 1 is eliminated just before the cleavage end face 4 of the chip. Is suppressed from being optically coupled to the optical waveguide. Also in this window structure, optical noise can be sufficiently reduced by using the antireflection dielectric multilayer film together.

【0012】しかしながら、このような光素子1では光
導波路端面に於いて十分に反射を抑制しなくてはなら
ず、埋め込み工程にプロセスを十分に制御する必要があ
ったり、作製歩留まりが下がるなど問題があった。さら
に、光導波路/光ファイバ2’との結合を考えると、劈
開端面近傍において光を自由伝搬させるため、実効的に
結合させたい光導波路/光ファイバ2’との距離が開く
ことになり、光結合率が下がってしまうという問題があ
る。
However, in such an optical element 1, it is necessary to sufficiently suppress the reflection at the end face of the optical waveguide, and it is necessary to sufficiently control the process in the embedding step, and the production yield is lowered. was there. Further, considering the coupling with the optical waveguide / optical fiber 2 ′, the light propagates freely in the vicinity of the cleaved end face, so that the distance between the optical waveguide and the optical fiber 2 ′ to be effectively coupled increases. There is a problem that the coupling ratio is reduced.

【0013】上述した従来の光素子1では劈開端面4に
対して斜めに光導波路3が作られているために組立工程
においてアクティブアライメントを行う必要があった。
また、窓構造を用いると、光導波路3と光導波路/光フ
ァイバ2’との間隙g(正確には屈折率を考慮に入れ
る)が広がり、結合効率が劣化してしまうなどの問題が
あった。
In the above-described conventional optical device 1, since the optical waveguide 3 is formed obliquely with respect to the cleavage end face 4, active alignment must be performed in the assembling process.
In addition, when the window structure is used, there is a problem that the gap g (accurately taking into account the refractive index) between the optical waveguide 3 and the optical waveguide / optical fiber 2 'is widened, and the coupling efficiency is deteriorated. .

【0014】さらに、半導体光アンプでは光導波路途中
で発生する自然放出光は光導波路の伝搬と同じ方向へ伝
搬する場合、端面に於いて反射、さらに増幅されるた
め、単純な直線構造の光導波路である上記従来技術では
十分に抑制することができなかった。
Further, in a semiconductor optical amplifier, when spontaneous emission light generated in the middle of an optical waveguide propagates in the same direction as the propagation of the optical waveguide, the spontaneous emission is reflected at the end face and further amplified. However, the above-mentioned prior art could not sufficiently suppress it.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の窓構造
を用いた半導体素子や斜めに傾斜したストライプ光導波
路を有する光素子では光導波路や光ファイバとの結合や
組立の観点から問題があった。本発明の目的は、光素子
と他の光導波路素子の結合について、光素子の端面(劈
開)位置が変った場合に他の光導波路素子との結合が悪
くなるという問題に対して、端面位置に依らず他の光導
波路と良好に結合できる光素子の光導波路形状を提案
し、これを用いた光部品、およびその作製方法を提供す
るものである。
The above-mentioned conventional semiconductor device using the window structure and the optical device having the obliquely striped optical waveguide have a problem from the viewpoint of coupling and assembly with the optical waveguide and the optical fiber. . SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the problem that when the end face (cleavage) position of an optical element changes, the coupling between the optical element and another optical waveguide element deteriorates. The present invention proposes an optical waveguide shape of an optical element that can be satisfactorily coupled to another optical waveguide regardless of the optical component, and provides an optical component using the same and a method of manufacturing the same.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】斯かる目的を達成する本
発明の請求項1に係る光部品は、基板上に形成された結
合導波路の途中に、前記結合導波路と光結合する光導波
路を内部に備えた光素子が配置された光部品であって、
前記光導波路は、前記光素子の両端面において、前記端
面法線に対して同じ側に傾斜した2つの直線部を有し、
前記光素子は、前記直線部に対して平行な素子側位置合
わせマークを前記直線部ごとに有し、前記基板には、前
記結合導波路の光軸に対してスネルの法則を満たすよう
に傾斜した光軸に対して平行に形成した、前記素子側位
置合わせマークに位置合わせされるべき基板側位置合わ
せマークを、前記結合導波路ごとに有することを特徴と
する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an optical component, wherein an optical waveguide optically coupled to the coupling waveguide is provided in the middle of the coupling waveguide formed on the substrate. An optical component having an optical element provided therein,
The optical waveguide has, on both end faces of the optical element, two linear portions inclined to the same side with respect to the end face normal,
The optical element has an element-side alignment mark parallel to the linear part for each linear part, and the substrate is inclined so as to satisfy Snell's law with respect to the optical axis of the coupling waveguide. A substrate-side alignment mark formed parallel to the optical axis and to be aligned with the element-side alignment mark is provided for each of the coupling waveguides.

【0017】上記目的を達成する本発明の請求項2に係
る光部品は、請求項1に記載の光部品であって、前記素
子側位置合わせマークは第1および第2の2本組ストラ
イプからなり、前記基板側位置合わせマークは、第3お
よび第4の2本組みストライプからなり、前記第1から
第4の2本組ストライプは、互いにストライプの間隔が
等しいことを特徴とする
An optical component according to a second aspect of the present invention that achieves the above object is the optical component according to the first aspect, wherein the element-side alignment mark is formed of first and second double stripes. The substrate-side alignment mark is composed of third and fourth double stripes, and the first to fourth double stripes have the same stripe interval.

【0018】上記目的を達成する本発明の請求項3に係
る光部品の製造方法は、基板上に形成された結合導波路
の途中に、前記結合導波路と光結合する光導波路を内部
に備えた光素子が配置された光部品の製造方法であっ
て、その両端面に、前記端面法線に対して同じ側に傾斜
した2つの直線部を有する光導波路を備え、かつ前記直
線部に対して平行な素子側位置合わせマークを前記直線
部ごとに備えた前記光素子を形成する工程、前記基板上
に、前記結合導波路の光軸に対してスネルの法則を満た
すように傾斜した光軸に対し平行に形成した、前記素子
側位置合わせマークに位置合わせされるべき基板側位置
合わせマークを、前記結合導波路ごとに形成する工程、
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical component, comprising an optical waveguide which is optically coupled to the coupling waveguide in the middle of the coupling waveguide formed on the substrate. A method for manufacturing an optical component having an optical element disposed thereon, comprising, on both end surfaces thereof, an optical waveguide having two linear portions inclined to the same side with respect to the end surface normal, and Forming the optical element provided with parallel element-side alignment marks for each of the linear portions, the optical axis being inclined on the substrate so as to satisfy Snell's law with respect to the optical axis of the coupling waveguide. Forming a substrate-side alignment mark to be aligned with the element-side alignment mark for each of the coupling waveguides.

【0019】および前記素子側位置合わせマークと前記
基板側位置合わせマークを用いて、前記光素子を前記基
板上の所定の位置に配置する工程を備えることを特徴と
する。
And a step of arranging the optical element at a predetermined position on the substrate by using the element-side alignment mark and the substrate-side alignment mark.

【0020】上記目的を達成する本発明の請求項4に係
る光部品の製造方法は、請求項3に記載の光部品の製造
方法であって、前記素子側位置合わせマークは第1およ
び第2の2本組ストライプからなり、前記基板側位置合
わせマークは第3および第4の2本組みストライプから
なり、前記光素子端面における、前記第1および第2の
2本組みストライプの端部4点が、前記第3および第4
の2本組みストライプ上に1点ずつ位置するように、前
記光素子を前記基板上に配置する工程を備えることを特
徴とする
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical component according to the third aspect of the present invention, wherein the element-side alignment marks include first and second alignment marks. And the substrate-side alignment mark is composed of third and fourth double stripes, and four end portions of the first and second double stripes on the end face of the optical element. Is the third and fourth
Arranging the optical element on the substrate so as to be positioned one point at a time on the two-piece stripe.

【0021】〔作用〕請求項1の光素子の構造によれば
光素子の前後の放射端面の反射が抑制され、かつ、位置
合わせマークによって光部品の自動組立が可能となる。
請求項2の2本組みストライプによれば、高精度かつ簡
易な自動組立が可能となる。また、請求項3によれば、
前後の放射端面の反射が抑制された光素子を基板に搭載
する工程を自動化でき、請求項4によれば自動組立を高
精度かつ簡易に行うことができる。
[Operation] According to the structure of the optical element of the first aspect, the reflection of the radiation end faces before and after the optical element is suppressed, and the optical component can be automatically assembled by the alignment mark.
According to the two-layered stripe of the second aspect, high-precision and simple automatic assembly can be performed. According to claim 3,
The process of mounting an optical element, the reflection of which at the front and rear radiation end faces is suppressed, on a substrate can be automated, and automatic assembly can be performed with high accuracy and ease.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】〔参考例1〕本発明の第1の参考
例に係る光導波路構造を用いた半導体アンプを図1に示
す。図1に示すように、光導波路基板5上において、光
導波路2の途中には、光素子1が配置されている。光導
波路基板5としては、Si上に形成した石英系平面光導
波路2の途中に素子搭載部を形成したものを用いた。
[First Embodiment] FIG. 1 shows a semiconductor amplifier using an optical waveguide structure according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, on the optical waveguide substrate 5, an optical element 1 is arranged in the middle of the optical waveguide 2. As the optical waveguide substrate 5, a substrate in which an element mounting portion was formed in the middle of the quartz-based planar optical waveguide 2 formed on Si was used.

【0023】光素子1は、劈開端面4の間に光導波路3
を有する。この光導波路3は、上記光導波路2と光結合
し、劈開端面4の法線方向に対して光軸が傾斜する。更
に、本参考例における光導波路3の前記両端面における
光軸は、端面法線に対して同じ側に傾斜している直線部
を有する。即ち、この光導波路3は、端面法線に対して
傾斜した二つの直線部とその間をつなぐ直線部とからな
り、2箇所で屈曲する曲がり光導波路である。
The optical element 1 has an optical waveguide 3 between the cleaved end faces 4.
Having. The optical waveguide 3 optically couples with the optical waveguide 2 and the optical axis is inclined with respect to the normal direction of the cleavage end face 4. Further, the optical axes at the both end surfaces of the optical waveguide 3 in the present reference example have linear portions inclined to the same side with respect to the end surface normal. That is, the optical waveguide 3 is a bent optical waveguide that is composed of two straight portions inclined with respect to the normal to the end face and a straight portion connecting the straight portions, and is bent at two places.

【0024】このような構造を持つ半導体アンプによれ
ば、光軸ずれを発生させず光導波路基板5と光素子1の
光結合が可能である。以下にその理由を示す。それぞれ
結合させる光導波路同士から放出される光軸10,11
の角度θ,φが一致するように基板、半導体光アンプを
設計する。この状態で、それぞれの光軸が一致するよう
に位置合わせを行えば所望の位置合わせとなる。
According to the semiconductor amplifier having such a structure, optical coupling between the optical waveguide substrate 5 and the optical element 1 is possible without causing optical axis shift. The reasons are as follows. Optical axes 10 and 11 emitted from optical waveguides to be coupled with each other.
The substrate and the semiconductor optical amplifier are designed so that the angles θ and φ are equal. In this state, if the alignment is performed so that the respective optical axes coincide, a desired alignment is obtained.

【0025】このような位置合わせは図1(b)に示す
ように導波路基板5から放出される2本の光軸11が結
ぶ点P0、半導体アンプの光導波路から放出される2本
の光軸10が結ぶ点Pを求め、ベクトルP→P0だけ光
素子1を動かせばよい。つまり、ベクトルP→P0に対
応するベクトルだけ光素子1を動かせば、放射光の光軸
は設計値の光軸に必ず一致するのである。以上が上記位
置合わせ可能な理由である。
As shown in FIG. 1B, such a positioning is performed at a point P 0 at which the two optical axes 11 emitted from the waveguide substrate 5 are connected to each other, and at a point P 0 between the two optical axes emitted from the optical waveguide of the semiconductor amplifier. The point P connecting the optical axis 10 is obtained, and the optical element 1 may be moved by the vector P → P 0 . That is, if the optical element 1 is moved by a vector corresponding to the vector P → P 0 , the optical axis of the emitted light always coincides with the optical axis of the design value. The above is the reason why the alignment is possible.

【0026】このように、参考例1の構造を用いれば、
劈開による光導波路端面間隔の変化以外に本質的に位置
ずれのない位置合わせが可能であり、図7(b)に示す
半導体光アンプでは光導波路端面間隔の変化以外に本質
的な光軸ずれ、即ち、g0からgへのずれが劈開位置の
ずれにより発生するのに比べ有利である。さらに、本参
考例においては、光半導体アンプの自然放出光を測定し
たところ、光導波路と結合しないモードに誘起した自然
放出光は曲がり光導波路により光導波路の外に放射さ
れ、導波モードに近い自然放出光は信号光に引き込まれ
るため、自然放出光が抑制された信号/雑音比の優れた
光半導体アンプが作製できた。
As described above, if the structure of Reference Example 1 is used,
Positioning with essentially no positional deviation other than a change in the optical waveguide end face interval due to cleavage is possible. In the semiconductor optical amplifier shown in FIG. that is, the deviation from the g 0 to g is advantageous compared to generate a shift of the cleavage location. Further, in this reference example, when the spontaneous emission light of the optical semiconductor amplifier was measured, the spontaneous emission light induced in the mode not coupled to the optical waveguide was radiated out of the optical waveguide by the bent optical waveguide, and was close to the waveguide mode. Since the spontaneous emission light is attracted to the signal light, an optical semiconductor amplifier having an excellent signal / noise ratio in which the spontaneous emission light is suppressed can be manufactured.

【0027】〔実施例1〕本発明の第1の実施例に係る
半導体アンプを図2に示す。ここで、光導波路基板5に
は、光導波路2から放出される2本の光軸にそれぞれ平
行に金をパターン化した2本組のストライプを基板側位
置合わせマーク21として形成した。
Embodiment 1 FIG. 2 shows a semiconductor amplifier according to a first embodiment of the present invention. Here, on the optical waveguide substrate 5, two sets of stripes each formed by patterning gold in parallel with two optical axes emitted from the optical waveguide 2 were formed as substrate-side alignment marks 21.

【0028】また、光素子1には、光導波路3と平行で
光導波路基板5のストライプ状のマークと間隔の等しい
2本組のストライプを素子側位置合わせマーク22とし
て作製した。ここで、半導体光アンプは劈開して外形を
整えることを考慮して、ドライエッチングによる彫り込
んだ溝を位置合わせマークに用いた。あるいは、半導体
レーザーや半導体光アンプでよく用いられるメサ構造が
基板にある場合はメサ構造の溝をマークとして直接用い
ても良い。
In the optical element 1, two sets of stripes parallel to the optical waveguide 3 and having the same interval as the stripe-shaped marks on the optical waveguide substrate 5 were produced as element-side alignment marks 22. Here, in consideration of cleaving the semiconductor optical amplifier to adjust its outer shape, a groove etched by dry etching was used as an alignment mark. Alternatively, when the substrate has a mesa structure often used in a semiconductor laser or a semiconductor optical amplifier, a groove of the mesa structure may be directly used as a mark.

【0029】図2における位置合わせ手順を述べる。ま
ず、図2(b)にあるように光素子1と基板側位置合わ
せマーク21の下側端面位置を合わせる。マーク21の
間隔は等しく作製してあるので合わせる位置は一意的に
決まる。さらに、光導波路基板5と光素子1の面内方向
の角度合わせは位置合わせマーク21,22の端を合わ
せることにより実現できる。
The alignment procedure in FIG. 2 will be described. First, as shown in FIG. 2B, the lower end surface position of the optical element 1 and the substrate-side alignment mark 21 are aligned. Since the intervals between the marks 21 are made equal, the position to be matched is uniquely determined. Further, the angle alignment between the optical waveguide substrate 5 and the optical element 1 in the in-plane direction can be realized by aligning the ends of the alignment marks 21 and 22.

【0030】つまり、二つの位置合わせマーク21,2
2の端を合わせることにより、光導波路基板5と光素子
1との位置が自動的に修正されるのである。この角度合
わせは光導波路基板5と光素子1それぞれの光導波路か
らの放出光の光軸の平行度調整と同じことである。この
後、図2(c)に矢印で示すように、光素子1を基板側
位置合わせマーク21に沿って動かし、光素子1の素子
側位置合わせマーク22の間の間隙が基板側位置合わせ
マーク21の間隙に一致する場所を見いだせばよい。
That is, the two alignment marks 21 and
By aligning the two ends, the positions of the optical waveguide substrate 5 and the optical element 1 are automatically corrected. This angle adjustment is the same as the adjustment of the parallelism of the optical axes of the light emitted from the optical waveguides of the optical waveguide substrate 5 and the optical element 1. Thereafter, as shown by an arrow in FIG. 2C, the optical element 1 is moved along the substrate-side alignment mark 21 so that the gap between the element-side alignment marks 22 of the optical element 1 becomes the substrate-side alignment mark. What is necessary is just to find a place corresponding to the gap of 21.

【0031】上記の素子側の位置合わせマーク22は、
間隔の等しく光導波路3に平行なストライプとしたが、
必ずしもストライプ状とする必要はなく、端部に点状の
ものを設けても良い。図3に計算を用いて位置合わせす
る手順を述べる。まず、図2(b)と同様の目的で同様
の操作を行う。即ち、図3(b)に示すように、図下側
において、素子側位置合わせマーク22の端と基板側位
置合わせマーク21の端が合うように、光素子1を移動
させる。このとき、2点で合わせているため光素子1の
光導波路基板5に対する角度は自動的に修正される。さ
らに、図3(c)に示すように、図上側においても、上
記と同様に素子側位置合わマーク22の端と基板側位置
合わせマーク21の端が合うように、光素子1を移動さ
せる。
The alignment mark 22 on the element side is
Although the stripes are equally spaced and parallel to the optical waveguide 3,
It is not always necessary to form a stripe, and a dot may be provided at the end. FIG. 3 illustrates a procedure for positioning using calculations. First, the same operation is performed for the same purpose as in FIG. That is, as shown in FIG. 3B, the optical element 1 is moved so that the end of the element-side alignment mark 22 and the end of the substrate-side alignment mark 21 are aligned on the lower side of the figure. At this time, since the alignment is performed at two points, the angle of the optical element 1 with respect to the optical waveguide substrate 5 is automatically corrected. Further, as shown in FIG. 3C, also on the upper side of the figure, the optical element 1 is moved so that the end of the element-side alignment mark 22 and the end of the substrate-side alignment mark 21 are aligned.

【0032】この二つの位置合わせの間に光素子1が移
動した距離を光素子1及び光導波路基板5の微動駆動系
のモータに与えたパルス数により計算しベクトルVを得
る。これより設計値として決めた光軸の傾きθ,φを用
いて、 d=(Vy−Vxtanθ)/(1+tanθ/tanφ) w=dcotφ を計算し、ベクトル(d,w)だけ最初の位置合わせ位
置から光素子を移動すれば位置合わせが完了する。
The distance traveled by the optical element 1 during these two alignments is calculated by the number of pulses applied to the optical element 1 and the motor of the fine movement drive system of the optical waveguide substrate 5 to obtain a vector V. Using the optical axis inclinations θ and φ determined as design values, d = (V y −V x tan θ) / (1 + tan θ / tan φ) w = dcot φ is calculated, and only the vector (d, w) When the optical element is moved from the alignment position, the alignment is completed.

【0033】上記の計算を用いて位置合わせをする場
合、基板側位置合わせマーク21は、必ずしもストライ
プ状とする必要はなく、点状のものとして良い。
When positioning is performed using the above calculations, the substrate-side positioning marks 21 do not necessarily have to be in the form of stripes, but may be in the form of dots.

【0034】〔参考例2〕本発明の第2の参考例に係る
光導波路構造を図4に示す。実施例1では、パッシブア
ライメントを行うために位置合わせマーク21,22を
用いて劈開位置に応じて移動させ最適位置へアライメン
トする方法であった。
Embodiment 2 FIG. 4 shows an optical waveguide structure according to a second embodiment of the present invention. In the first embodiment, in order to perform passive alignment, the alignment marks 21 and 22 are used to move in accordance with the cleavage position to perform alignment to an optimum position.

【0035】これに対し本参考例では、図4に示すよう
に、マーク23,24を所定の位置に固定して結合損失
を最適化する方法である。マーク23は光素子に形成し
た通常の位置合わせマークであり、マーク24は導波路
基板5に形成した通常の位置合わせマークである。図7
(b)に示すように、端面に対して斜めに入射する光導
波路2からの放射光の光軸10aは、劈開の位置すなわ
ち光素子1の劈開端面4により放射光の光軸の投影位置
が変化する。これは光導波路の端面における位置が変化
するためである。
On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 4, the marks 23 and 24 are fixed at predetermined positions to optimize the coupling loss. The mark 23 is a normal alignment mark formed on the optical element, and the mark 24 is a normal alignment mark formed on the waveguide substrate 5. FIG.
As shown in (b), the optical axis 10a of the radiated light from the optical waveguide 2 that is obliquely incident on the end face is positioned at the cleavage position, that is, the projected position of the optical axis of the radiated light due to the cleavage end face 4 of the optical element 1. Change. This is because the position on the end face of the optical waveguide changes.

【0036】そこで、本参考例では、劈開端面4の光導
波路端位置、放出角度を制御することにより実現した。
即ち、光導波路基板5上に形成された光導波路2の途中
若しくは端部に光素子1を配置し、光導波路2と光結合
し両端面4における光軸が端面法線に対して傾斜する光
導波路3を光素子1に形成し、光導波路3は出射光の光
軸方向が常に光導波路2の端面と一致する所定の曲線形
状を有するように設計した。
Therefore, this embodiment is realized by controlling the position of the optical waveguide end on the cleavage end face 4 and the emission angle.
That is, the optical element 1 is arranged in the middle or at the end of the optical waveguide 2 formed on the optical waveguide substrate 5, and optically coupled with the optical waveguide 2 so that the optical axis at both end faces 4 is inclined with respect to the normal to the end face. Waveguide 3 was formed in optical element 1, and optical waveguide 3 was designed so as to have a predetermined curved shape in which the optical axis direction of emitted light always coincided with the end face of optical waveguide 2.

【0037】具体的には、図4に示すように、以下の微
分方程式を用いて光導波路3の構造を決定した。すなわ
ち、光素子1の端面の位置4(変数をxとする)のとき
にy軸に投影した放射光のスポット位置Y(x)を与え
たとき、求めるべき光素子の劈開端面4の光導波路3の
位置を(x,y)として、劈開端面4における光導波路
3の傾き、 tanψ=dy/dx スネルの法則及びその微分型、 n0sinθ=ncsinψ n0cosθdθ=nccosψdψ 光素子劈開端面4の光導波路3の位置(x,y)から目
標の位置(0,Y(x))の関係を放出光の角度で表し
た式と端面の位置dxだけずれたときの関係式、 tanθ=(y+Y(x))/x tan(θ+dθ)=(y+dy+Y(x)+(dY/d
x)dx)/(x+dx)が解くべき連立微分方程式で
ある。
Specifically, as shown in FIG. 4, the structure of the optical waveguide 3 was determined using the following differential equation. That is, when the spot position Y (x) of the radiated light projected on the y-axis is given at the position 4 of the end face of the optical element 1 (the variable is x), the optical waveguide of the cleavage end face 4 of the optical element to be obtained is given. 3 of the position as (x, y), the tilt of the optical waveguide 3 at the cleaved end face 4, tanψ = dy / dx Snell's law and its differential, n 0 sinθ = n c sinψ n 0 cosθdθ = n c cosψdψ optical device A relationship between the position (x, y) of the optical waveguide 3 on the cleavage end surface 4 and the target position (0, Y (x)) expressed by the angle of the emitted light, and a relational expression when the relationship is shifted by the position dx of the end surface; tan θ = (y + Y (x)) / x tan (θ + dθ) = (y + dy + Y (x) + (dY / d
x) dx) / (x + dx) is a simultaneous differential equation to be solved.

【0038】図5は以上の式をもとに光導波路形状を設
定し計算した光導波路の位置及び傾き結合損失のグラフ
である。パラメータには石英系光導波路と半導体光アン
プの物性値及び構造値を用いた。ここでは簡単のため、
Y(x)=一定=0として必ず光導波路の中心である原
点に光素子から放出された光の中心に当たるよう設計し
た。
FIG. 5 is a graph of the position and inclination coupling loss of the optical waveguide calculated by setting the shape of the optical waveguide based on the above equation. The physical property values and the structure values of the quartz optical waveguide and the semiconductor optical amplifier were used as parameters. Here, for simplicity,
The design was made such that Y (x) = constant = 0 so that the center of the light emitted from the optical element always hit the origin, which is the center of the optical waveguide.

【0039】図5(b)にあるようにストライプ構造の
半導体光アンプに比較して劈開ずれによる損失を比較的
小さく抑えることが可能となる。以上のように本参考例
の微分方程式の解を用いれば劈開面の位置によらず、放
射光のスポット位置を調整でき、簡便なマーク23,2
4による位置合わせ方法を用いて光素子1の位置合わせ
が可能となる。また、ここでは示していないが、この光
導波路構造は光導波路同士の光結合のみならず光導波路
の光を特定の標的に集光する場合に応用可能である。
As shown in FIG. 5B, it is possible to suppress the loss due to the cleavage shift relatively small as compared with the semiconductor optical amplifier having the stripe structure. As described above, by using the solution of the differential equation of the present reference example, the spot position of the radiated light can be adjusted irrespective of the position of the cleavage plane.
4, the optical element 1 can be aligned. Although not shown here, this optical waveguide structure is applicable not only to optical coupling between optical waveguides but also to focusing light of the optical waveguide on a specific target.

【0040】〔参考例3〕本発明の第3の参考例に係る
半導体光増幅器を図6に示す。本参考例では、参考例2
の構造に相当する光素子1の片側の端を無反射端4と
し、もう一方の端を高い反射率を有する高反射率端面6
とする構造としたものであり、無反射端4から入射した
光が後方の高反射率端面6から反射され増幅されること
となる。
[Embodiment 3] FIG. 6 shows a semiconductor optical amplifier according to a third embodiment of the present invention. In this reference example, reference example 2
One end of the optical element 1 corresponding to the above structure is a non-reflection end 4 and the other end is a high reflectance end face 6 having a high reflectance.
The light incident from the non-reflection end 4 is reflected from the rear high-reflectance end face 6 and amplified.

【0041】無反射端4においては、参考例2の構造を
採用し、さらに誘電体多層膜による無反射コーティング
を施して良好な低反射率を実現した。さらに光導波路の
湾曲構造によって自然放出光の増幅を抑制し良好な信号
/雑音比を実現した。以上のように、片側に於いて光を
反射させ片側で反射を抑制する場合には、本実施例の構
造は非常に良好なモジュールを提供することが可能であ
ることを確認することができた。
At the non-reflection end 4, the structure of Reference Example 2 was adopted, and further, an anti-reflection coating made of a dielectric multilayer film was applied to realize a good low reflectance. Furthermore, the amplification of the spontaneous emission light was suppressed by the curved structure of the optical waveguide, and a good signal / noise ratio was realized. As described above, when light is reflected on one side and reflection is suppressed on one side, it was confirmed that the structure of this embodiment can provide a very good module. .

【0042】[0042]

【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように、本発明によれば、組み立て可能で端面におけ
る反射抑制に優れた光素子の作製が可能となる。また、
請求項1の光導波路構造により、自動認識で組立可能な
光素子の構造を与えることができる。
As described above in detail with reference to the embodiments, according to the present invention, it is possible to manufacture an optical element which can be assembled and has excellent reflection suppression at the end face. Also,
According to the optical waveguide structure of the first aspect, a structure of an optical element that can be assembled by automatic recognition can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の参考例に係る半導体光アンプの
構造図である。
FIG. 1 is a structural diagram of a semiconductor optical amplifier according to a first reference example of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施例に係る半導体アンプでの
平行移動による位置合わせ方法の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a positioning method by parallel movement in the semiconductor amplifier according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施例に係る半導体アンプに係
る計算のよる位置合わせ方法の説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a calculation-based alignment method for the semiconductor amplifier according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の参考例に係る光導波路位置、放
出角度を最適化した光導波路構造の説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of an optical waveguide structure according to a second reference example of the present invention, in which the position and the emission angle of the optical waveguide are optimized.

【図5】本発明の第2の参考例に係る光導波路位置、放
出角度を最適化した光導波路構造の形状及び結合効率を
示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing the shape and coupling efficiency of an optical waveguide structure with an optimized optical waveguide position and emission angle according to a second reference example of the present invention.

【図6】本発明の第3の参考例に係る光導波路位置、放
出角度を最適化した光導波路構造を用いた半導体光アン
プモジュールの説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a semiconductor optical amplifier module using an optical waveguide structure with an optimized optical waveguide position and emission angle according to a third reference example of the present invention.

【図7】斜めストライプによる光導波路構造の説明図で
ある。
FIG. 7 is an explanatory diagram of an optical waveguide structure using oblique stripes.

【図8】窓構造を有する光導波路構造の説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of an optical waveguide structure having a window structure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光素子 2 光導波路 3 光導波路 4 劈開端面 5 光導波路基板 6 高反射率端面 10,11 放射光の光軸 11 位置合わせマーク 21 基板側位置合わせマーク 22 素子側位置合わせマーク 23 基板側位置合わせマーク 24 素子側位置合わせマーク Reference Signs List 1 optical element 2 optical waveguide 3 optical waveguide 4 cleavage end face 5 optical waveguide substrate 6 high reflectance end face 10, 11 optical axis of emitted light 11 alignment mark 21 substrate side alignment mark 22 element side alignment mark 23 substrate side alignment Mark 24 Element alignment mark

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 泰文 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 姫野 明 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 Fターム(参考) 2H037 BA24 CA10 DA18 2H047 KA03 KA12 KB09 TA11 2H079 AA05 CA05 CA09 DA16 EA03 EA07 EA32 EA33 KA11 5F073 AB22 AB28 BA01  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yasufumi Yamada 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Within Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Akira Himeno 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo No. 1 Nippon Telegraph and Telephone Corporation F term (reference) 2H037 BA24 CA10 DA18 2H047 KA03 KA12 KB09 TA11 2H079 AA05 CA05 CA09 DA16 EA03 EA07 EA32 EA33 KA11 5F073 AB22 AB28 BA01

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に形成された結合導波路の途中
に、前記結合導波路と光結合する光導波路を内部に備え
た光素子が配置された光部品であって、 前記光導波路は、前記光素子の両端面において、前記端
面法線に対して同じ側に傾斜した2つの直線部を有し、 前記光素子は、前記直線部に対して平行な素子側位置合
わせマークを前記直線部ごとに有し、 前記基板には、前記結合導波路の光軸に対してスネルの
法則を満たすように傾斜した光軸に対して平行に形成し
た、前記素子側位置合わせマークに位置合わせされるべ
き基板側位置合わせマークを、前記結合導波路ごとに有
することを特徴とする光部品。
1. An optical component in which an optical element internally provided with an optical waveguide that optically couples with the coupling waveguide is disposed in the middle of the coupling waveguide formed on a substrate, wherein the optical waveguide comprises: On both end faces of the optical element, the optical element has two linear portions inclined to the same side with respect to the normal of the end face, and the optical element has an element-side alignment mark parallel to the linear portion with the linear portion. The substrate is aligned with the element-side alignment mark formed parallel to the optical axis inclined to satisfy Snell's law with respect to the optical axis of the coupling waveguide. An optical component having a substrate-side alignment mark to be provided for each of the coupling waveguides.
【請求項2】 請求項1に記載の光部品であって、 前記素子側位置合わせマークは第1および第2の2本組
ストライプからなり、 前記基板側位置合わせマークは、第3および第4の2本
組みストライプからなり、 前記第1から第4の2本組ストライプは、互いにストラ
イプの間隔が等しいことを特徴とする光部品。
2. The optical component according to claim 1, wherein the element-side alignment mark is composed of first and second double stripes, and the substrate-side alignment mark is third and fourth stripes. An optical component, characterized in that the first to fourth double-set stripes have the same stripe interval.
【請求項3】 基板上に形成された結合導波路の途中
に、前記結合導波路と光結合する光導波路を内部に備え
た光素子が配置された光部品の製造方法であって、 その両端面に、前記端面法線に対して同じ側に傾斜した
2つの直線部を有する光導波路を備え、かつ前記直線部
に対して平行な素子側位置合わせマークを前記直線部ご
とに備えた前記光素子を形成する工程、 前記基板上に、前記結合導波路の光軸に対してスネルの
法則を満たすように傾斜した光軸に対し平行に形成し
た、前記素子側位置合わせマークに位置合わせされるべ
き基板側位置合わせマークを、前記結合導波路ごとに形
成する工程、 前記素子側位置合わせマークと前記基板側位置合わせマ
ークを用いて、前記光素子を前記基板上の所定の位置に
配置する工程、を備えることを特徴とする光部品の製造
方法。
3. A method for manufacturing an optical component, wherein an optical element having an optical waveguide for optically coupling with the coupling waveguide is disposed in the middle of the coupling waveguide formed on the substrate, wherein both ends thereof are provided. An optical waveguide having two linear portions inclined on the same side with respect to the end surface normal, and an element-side alignment mark parallel to the linear portion for each of the linear portions. Forming an element, on the substrate, aligned with the element-side alignment mark formed parallel to the optical axis inclined to satisfy Snell's law with respect to the optical axis of the coupling waveguide. Forming a substrate-side alignment mark for each of the coupling waveguides; and arranging the optical element at a predetermined position on the substrate using the element-side alignment mark and the substrate-side alignment mark. Having A method for manufacturing an optical component, comprising:
【請求項4】 請求項3に記載の光部品の製造方法であ
って、 前記素子側位置合わせマークは第1および第2の2本組
ストライプからなり、 前記基板側位置合わせマークは第3および第4の2本組
みストライプからなり、 前記光素子端面における、前記第1および第2の2本組
みストライプの端部4点が、前記第3および第4の2本
組みストライプ上に1点ずつ位置するように、前記光素
子を前記基板上に配置する工程を備えることを特徴とす
る光部品の製造方法。
4. The method for manufacturing an optical component according to claim 3, wherein the element-side alignment mark is composed of first and second double stripes, and the substrate-side alignment mark is a third and a second stripe. Four end portions of the first and second double-set stripes on the end face of the optical element are arranged one by one on the third and fourth double-set stripes. A method for manufacturing an optical component, comprising a step of disposing the optical element on the substrate so as to be located.
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