JP2002264246A - Gas barrier film - Google Patents

Gas barrier film

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JP2002264246A JP2001070025A JP2001070025A JP2002264246A JP 2002264246 A JP2002264246 A JP 2002264246A JP 2001070025 A JP2001070025 A JP 2001070025A JP 2001070025 A JP2001070025 A JP 2001070025A JP 2002264246 A JP2002264246 A JP 2002264246A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gas barrier film which is light in weight and flexible, shows a small temperature dependence of a gas barrier property while showing the high gas barrier property and does not generate a toxic gas when the film is incinerated. SOLUTION: A gas barrier film has a gas barrier layer mounted on at least one surface of a substrate made of a plastic film wherein the gas barrier layer is made mainly of an oxide of indium and celium.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、酸素や水蒸気の透
過に対するバリア性が必要とされる食品、医薬品等の包
装用、あるいは液晶表示装置などの基材として用いられ
るガスバリア性フィルムに関するものである。さらには
プラスチックフィルムの少なくとも片面にガスバリア層
を設けたガスバリア性フィルムに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas barrier film used for packaging foods and medicines which require a barrier property against permeation of oxygen or water vapor, or used as a base material for liquid crystal display devices. . Further, the present invention relates to a gas barrier film having a gas barrier layer provided on at least one surface of a plastic film.

【0002】[0002]

【従来の技術】上記のような用途に用いられるガスバリ
ア性フィルムには、酸素や水蒸気の透過に対する高度な
バリア性が要求される。すなわち、食品包装では蛋白質
や油脂等の酸化や変質を抑制して味や鮮度を保持するこ
と、医薬品包装においては有効成分の変質を抑制して効
能を維持することが重要なためである。また液晶表示装
置において、基板をガラスからプラスチックに替えるこ
とは、重量、耐衝撃性、生産性などの点で有利である
が、そのためには液晶セル内への空気などの侵入による
表示欠陥の生成や液晶セルの破損を防止することが不可
欠なためである。このような要求を満たすため、基材と
なるプラスチックフィルム上に、ポリビニルアルコール
(PVA)、エチレンビニルアルコール共重合体(EV
OH)、あるいはポリ塩化ビニリデン(PVDC)など
のガスバリア性ポリマ−をラミネートやコーティングに
より設けたものや、酸化珪素(SiOx)などの無機化
合物の薄膜を蒸着やスパッタリングなどによって形成し
たものが開発され、用いられている。
2. Description of the Related Art A gas barrier film used for the above applications is required to have a high barrier property against permeation of oxygen and water vapor. That is, in food packaging, it is important to suppress the oxidation and deterioration of proteins and fats and oils to maintain taste and freshness, and in pharmaceutical packaging, it is important to suppress deterioration of active ingredients and maintain efficacy. In a liquid crystal display device, changing the substrate from glass to plastic is advantageous in terms of weight, impact resistance, and productivity, but for that purpose, the generation of display defects due to intrusion of air or the like into the liquid crystal cell. It is indispensable to prevent the liquid crystal cell from being damaged. In order to satisfy such requirements, polyvinyl alcohol (PVA) and ethylene vinyl alcohol copolymer (EV
OH) or a gas barrier polymer such as polyvinylidene chloride (PVDC) provided by lamination or coating, or a thin film of an inorganic compound such as silicon oxide (SiOx) formed by vapor deposition or sputtering. Used.

【0003】ところが、PVAやEVOHを用いてなる
ガスバリア性フィルムは、ガスバリア性の温湿度依存性
が大きく、高温又は高湿下においてガスバリア性が低下
する。特に水蒸気バリア性の低下が著しく、煮沸殺菌処
理やレトルト殺菌処理を行う用途や、内容物に多くの水
分が含まれる高水分活性の食品包装用としては不適であ
る。またPVDCを用いてなるガスバリア性フィルムの
場合、湿度依存性は小さいが、高度なガスバリア性を得
ることは困難であり、加えて塩素を多量に含むために焼
却処理やリサイクリングなど廃棄物処理の面で問題があ
る。一方、SiOxなどの無機化合物薄膜を製膜したガ
スバリア性フィルムは、ガスバリア性ポリマ−を用いた
ものよりガスバリア性が良く、温湿度依存性も小さい
が、液晶表示装置用基材などの高ガスバリア性が必要と
される用途に利用するには不十分である。また、SiO
xの薄膜は薄黄色に着色したものが多く、透明性を阻害
するばかりでなく、内容物の変質を連想させてしまうと
いった問題もある。
[0003] However, gas barrier films made of PVA or EVOH have a large dependence on the temperature and humidity of the gas barrier properties, and the gas barrier properties decrease at high temperatures or high humidity. In particular, the water vapor barrier property is remarkably reduced, and it is not suitable for use in boiling sterilization treatment or retort sterilization treatment or for food packaging with high water activity containing a large amount of water in the contents. In the case of a gas barrier film using PVDC, the humidity dependence is small, but it is difficult to obtain a high gas barrier property. In addition, since a large amount of chlorine is contained, waste gas treatment such as incineration and recycling is required. There is a problem in terms. On the other hand, a gas barrier film formed of a thin film of an inorganic compound such as SiOx has a better gas barrier property and a lower temperature / humidity dependency than those using a gas barrier polymer, but has a high gas barrier property such as a substrate for a liquid crystal display device. Is not enough to use for the applications where is needed. In addition, SiO
In many cases, the thin film of x is colored light yellow, which not only impairs the transparency but also has a problem that it is associated with the deterioration of the contents.

【0004】また、包装用の高ガスバリア性フィルムと
してはアルミニウム箔やアルミニウム蒸着フィルムなど
も用いられるが、これらは不透明で内容物の目視確認が
出来ないこと、内容物充填後の金属検査機による異物
(金属片)検査が出来ないこと、電子レンジ(マイクロ
波)による内容物の加熱が出来ないこと、使用後の焼却
処理においてアルミニウムが熔融して炉底に溜まり、焼
却炉を傷めることで倦厭されていること、といった問題
がある。
[0004] As a high gas barrier film for packaging, an aluminum foil or an aluminum vapor-deposited film is also used. However, these are opaque and the contents cannot be visually checked, and the foreign matter by a metal inspection machine after the contents are filled. (Metal pieces) Inability to inspect, content heating by microwave oven (microwave) not possible, aluminum melted in the incineration process after use and accumulated in the furnace bottom, damaging the incinerator Problem.

【0005】一方、液晶表示素子用としてはガラス基板
が用いられているが、ガラス基板は重い上に、電子手帳
や携帯電話などでは携帯中に破損する場合があること、
曲面を有するディスプレイには適用出来ないこと、巻取
りによる連続生産が出来ないために高価になること、と
いった問題がある。
On the other hand, a glass substrate is used for a liquid crystal display element. However, the glass substrate is heavy and may be damaged during carrying with an electronic organizer or a mobile phone.
There are problems that it cannot be applied to a display having a curved surface, and that it is expensive because continuous production by winding is not possible.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
事情に基づいてなされたものであり、本発明の目的とす
るところは、プラスチックフィルムを基材とすることで
ガラスを基材としたものに比べて軽く、透明性と可撓性
に優れ、かつ高いガスバリア性を有しながらその温湿度
変化が小さく、さらには焼却処理の際に有毒ガスを発生
することの無いガスバリア性フィルムを提供することに
ある。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made based on the above circumstances, and an object of the present invention is to make a glass base material by using a plastic film as a base material. Providing a gas barrier film that is lighter in weight, has excellent transparency and flexibility, has a high gas barrier property, has a small change in temperature and humidity, and does not generate toxic gas during incineration. Is to do.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は上記ような目的
を達成するためのものであって、請求項1に記載の発明
は、プラスチックフィルムからなる基材の少なくとも片
面上に、ガスバリア層を設けてなるガスバリア性フィル
ムにおいて、該ガスバリア層が主にインジウムセリウム
系酸化物からなることを特徴とするガスバリア性フィル
ムを提供するものである。請求項2に記載の発明は、プ
ラスチックフィルムからなる基材の少なくとも片面上
に、主にインジウムセリウム系酸化物からなるガスバリ
ア層が形成され、さらにその上に保護層が設けられてな
ることを特徴とするガスバリア性フィルムを提供するも
のである。また、請求項3に記載の発明は、請求項1も
しくは2に記載の発明を前提として、該ガスバリア性フ
ィルムのガスバリア層および保護層側の表面が、1×1
8Ω/□以上のシ−ト抵抗値を有することを特徴とす
るガスバリア性フィルムを提供するものである。請求項
4に記載の発明は、請求項1から3に記載の発明を前提
とし、該ガスバリア層がインジウムセリウム系酸化物を
主成分として、スズとチタンの何れか一方、又は双方を
含む酸化物からなることを特徴とするガスバリア性フィ
ルムを提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has the above object.
The invention according to claim 1 for achieving
Is at least one piece of a substrate made of a plastic film
Gas barrier film with a gas barrier layer on the surface
The gas barrier layer is mainly composed of indium cerium
Gas barrier film characterized by being composed of a base oxide
It provides a system. The invention described in claim 2 is a
On at least one side of a substrate made of a plastic film
Gas barrier mainly composed of indium cerium oxide
Layer is formed, and a protective layer is further provided thereon.
To provide a gas barrier film characterized by
It is. The invention described in claim 3 is also applicable to claim 1.
Alternatively, based on the premise of the invention described in 2, the gas barrier
The surface of the film on the gas barrier layer and protective layer side is 1 × 1
0 8It has a sheet resistance value of Ω / □ or more.
And a gas barrier film. Claim
The invention described in Item 4 is based on the invention described in Claims 1 to 3.
And the gas barrier layer is made of indium-cerium-based oxide.
As a main component, one or both of tin and titanium
Gas barrier filter comprising an oxide containing
It provides lum.

【0008】請求項5に記載の発明は、該ガスバリア層
が主にインジウムセリウム系酸化物からなる第1層と、
水溶性高分子と、(a)1種以上の金属アルコキシドお
よびその加水分解物、又は(b)塩化スズ、の少なくと
も一方を含むものからなる第2層とが積層されてなるこ
とを特徴とするガスバリア性フィルムを提供するもので
ある。請求項6に記載の発明は、請求項2記載の発明を
前提とし、該保護層が(a)1種以上の金属アルコキシ
ドおよびその加水分解物、又は(b)塩化スズ、の少な
くとも一方を含むものからなる第2層からなることを特
徴とする請求項2に記載のガスバリア性フィルムを提供
するものである。請求項7に記載の発明は、請求項5ま
たは6に記載の発明を前提とし、該第1層を形成する無
機化合物が、インジウムセリウム系酸化物のみからなる
ことを特徴とするガスバリア性フィルムを提供するもの
である。請求項8に記載の発明は、請求項5または6に
記載の発明を前提とし該第1層を形成する無機化合物
が、インジウムセリウム系酸化物を主成分とし、スズと
チタンの何れか一方、又は双方を含む酸化物からなるこ
とを特徴とするガスバリア性フィルムを提供するもので
ある。請求項9に記載の発明は、請求項5、6、7又は
8何れかに記載の発明を前提とし該水溶性高分子が、ポ
リビニルアルコールであることを特徴とするガスバリア
性フィルムを提供するものである。請求項10に記載の
発明は、請求項5または6に記載の発明を前提とし該金
属アルコキシドが、テトラエトキシシラン又はトリイソ
プロポキシアルミニウム、あるいはそれらの混合物であ
ることを特徴とするガスバリア性フィルムを提供するも
のである。
[0008] According to a fifth aspect of the present invention, the gas barrier layer comprises a first layer mainly composed of an indium-cerium-based oxide;
A water-soluble polymer and a second layer comprising at least one of (a) one or more metal alkoxides and hydrolysates thereof, and (b) tin chloride, are laminated. It is intended to provide a gas barrier film. The invention according to claim 6 is based on the invention according to claim 2, wherein the protective layer contains at least one of (a) one or more metal alkoxides and a hydrolyzate thereof, or (b) tin chloride. The gas barrier film according to claim 2, comprising a second layer made of a material. According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a gas barrier film according to the fifth or sixth aspect, wherein the inorganic compound forming the first layer comprises only indium-cerium-based oxide. To provide. The invention according to claim 8 is based on the premise of claim 5 or 6, wherein the inorganic compound forming the first layer is mainly composed of indium-cerium-based oxide, and one of tin and titanium; Another object of the present invention is to provide a gas barrier film comprising an oxide containing both of them. According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a gas-barrier film characterized in that the water-soluble polymer is polyvinyl alcohol, based on the premise of the fifth, sixth, seventh or eighth aspect. It is. According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a gas barrier film according to the fifth or sixth aspect, wherein the metal alkoxide is tetraethoxysilane or triisopropoxyaluminum, or a mixture thereof. To provide.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明において、基材として用い
られるプラスチックフィルムとは、ポリオレフィン(ポ
リエチレン、ポリプロピレンなど)、ポリエステル(ポ
リエチレンテレフタレ−ト、ポリブチレンテレフタレ−
ト、ポリエチレンナフタレ−トなど)、ポリアミド、ポ
リイミド、ポリアクリレ−ト、ポリカ−ボネ−ト、ポリ
エ−テルスルフォンなどや、これらの共重合体の無延伸
あるいは延伸フィルムであり、用途に応じて適宜選択さ
れる。特に液晶表示装置用としては、透明性やガスバリ
ア性に加えて、透明電極膜や配向膜の製膜工程において
熱が掛かるために耐熱性が良いこと、偏向膜内に置かれ
て使用されるために光学的異方性(リタデ−ション)が
小さいこと、などが必要とされる。そのためポリアクリ
レ−トやポリカ−ボネ−ト、ポリエ−テルスルフォン、
非晶質ポリオレフィンなどが好ましく用いられるプラス
チックフィルム基材である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, plastic films used as substrates include polyolefins (polyethylene, polypropylene, etc.) and polyesters (polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate).
, Polyethylene naphthalate, etc.), polyamide, polyimide, polyacrylate, polycarbonate, polyethersulfone, and the like, and non-stretched or stretched films of copolymers thereof. Selected. Especially for liquid crystal display devices, in addition to transparency and gas barrier properties, it has good heat resistance due to the application of heat in the process of forming a transparent electrode film and alignment film, because it is used in a deflection film It is required that the optical anisotropy (retardation) is small. Therefore, polyacrylate, polycarbonate, polyethersulfone,
A plastic film substrate is preferably used such as an amorphous polyolefin.

【0010】このようなプラスチックフィルムには、必
要に応じて帯電防止剤や紫外線吸収剤、可塑剤、滑剤な
どといった添加剤が含まれていても構わず、表面がコロ
ナ処理、プラズマ処理、フレ−ム処理、薬品処理、アン
カーコート処理などによって改質されたものであっても
差し支えない。
[0010] Such a plastic film may contain additives such as an antistatic agent, an ultraviolet absorber, a plasticizer, a lubricant and the like, if necessary. It may be modified by a system treatment, a chemical treatment, an anchor coat treatment or the like.

【0011】本発明では、上記のようなプラスチックフ
ィルムの少なくとも片面上に、インジウムセリウム系酸
化物、あるいはインジウムセリウム系酸化物を主成分と
し、スズとチタンの何れか一方、又は双方を含む酸化物
からなる無機化合物層のガスバリア層が形成される。な
お、ガスバリア層は、無機化合物層のみにより形成する
ものでも良いが、別な層を加えてガスバリア層としても
良い。特に、無機化合物層だけでは可撓性に欠けるため
に揉みや折り曲げに弱く、包装材料や液晶表示素子用基
板としての後加工の際にクラックを発生しガスバリア性
が低下する場合や、携帯用途のようにある程度の可撓性
が求められる場合などでは、水溶性高分子と、(a)1
種以上の金属アルコキシドおよびその加水分解物、又は
(b)塩化スズ、の少なくとも一方を含むものからなる
第2層を加える事が一層効果的である。また、別の効果
を狙ったり、更なる高ガスバリア性を発現させる為に、
上記第2層を別のガスバリア層に置き換えたり、加えた
りする事も可能である。
In the present invention, at least one surface of the plastic film as described above is provided with indium-cerium-based oxide or an oxide containing indium-cerium-based oxide as a main component and containing either or both of tin and titanium. A gas barrier layer of an inorganic compound layer made of is formed. Note that the gas barrier layer may be formed using only an inorganic compound layer, or may be formed as a gas barrier layer by adding another layer. In particular, the inorganic compound layer alone is weak in rubbing and bending due to lack of flexibility, cracks are generated during post-processing as a packaging material or a substrate for a liquid crystal display element, and gas barrier properties are reduced, or when used in portable applications. When a certain degree of flexibility is required, the water-soluble polymer and (a) 1
It is more effective to add a second layer comprising at least one of at least one of metal alkoxides and hydrolysates thereof, and (b) tin chloride. In addition, in order to aim for another effect or to express further high gas barrier properties,
It is also possible to replace or add the second layer to another gas barrier layer.

【0012】この様なガスバリア層における無機化合物
層は、インジウムセリウム系酸化物を主成分とし、本発
明の作用効果を発現させるものであれば良い。従って、
インジウムセリウム系酸化物にスズとチタンの何れか一
方、又は双方を含む酸化物からなる場合や、更に他の金
属等の材料を含むものが一般的である。このとき、含ま
れる材料は、導電率、ガスバリア性、透明性、密着性な
どを意図して混入する場合、意図せざる場合であって
も、本発明の作用効果を生ずる場合はインジウムセリウ
ム系酸化物を主成分といえ、本発明に含まれる。この無
機化合物層の組成として、層中に含まれる全金属元素の
含有量に占めるインジウムとセリウムの原子比率がそれ
ぞれ70〜98at%、2〜30at%の範囲内である
ことが十分なガスバリア性を示す上で望まれるものであ
り、好ましくはそれぞれ85〜95at%、5〜15a
t%、最も好ましくはそれぞれ87〜92%、8〜13
%である。インジウムおよびセリウムの含有量のいずれ
か一方、もしくは双方がこの範囲から外れることによっ
てガスバリア性は序々に低下する。この場合、インジウ
ムセリウム系酸化物はインジウムセリウム複合酸化物状
態となっているものであるが、インジウム酸化物とセリ
ウムの混合物、インジウムとセリウム酸化物の混合物、
インジウムセリウムの混合物を酸化させたものによって
形成されたものでも良いが、均一性能を出すにはインジ
ウム酸化物とセリウム酸化物の混合物が好ましい。ま
た、層中にスズとチタンの何れか一方、又は双方が含ま
れる場合、その含有量はそれぞれ全金属元素の7at%
未満、3at%未満であり、好ましくはそれぞれ5at
%未満、1at%未満である。また、何れの場合におい
ても、そのガスバリア性や透明性を阻害しない範囲内で
あれば、インジウム、セリウム、スズ、チタンおよび酸
素以外の元素が含まれていても差し支えない。
The inorganic compound layer in such a gas barrier layer may be any layer as long as it contains indium-cerium-based oxide as a main component and exerts the function and effect of the present invention. Therefore,
In general, the indium-cerium-based oxide is made of an oxide containing one or both of tin and titanium, and further contains a material such as another metal. At this time, when the material contained is intentionally mixed for the purpose of conductivity, gas barrier property, transparency, adhesion, etc., or even if it is not intended, the indium-cerium-based oxide An object is a main component and is included in the present invention. The composition of the inorganic compound layer has sufficient gas barrier properties so that the atomic ratio of indium and cerium in the content of all metal elements contained in the layer is in the range of 70 to 98 at% and 2 to 30 at%, respectively. Which are desired in the description, and are preferably 85 to 95 at% and 5 to 15 a, respectively.
t%, most preferably 87-92%, respectively 8-13
%. When one or both of the contents of indium and cerium deviate from this range, the gas barrier properties gradually decrease. In this case, the indium-cerium-based oxide is in an indium-cerium composite oxide state, but a mixture of indium oxide and cerium, a mixture of indium and cerium oxide,
A mixture formed by oxidizing a mixture of indium and cerium may be used, but a mixture of indium oxide and cerium oxide is preferable for obtaining uniform performance. When one or both of tin and titanium are contained in the layer, the content thereof is 7 at% of the total metal element.
Less than 3 at%, preferably 5 at% each.
%, Less than 1 at%. In any case, elements other than indium, cerium, tin, titanium, and oxygen may be contained as long as the gas barrier properties and the transparency are not impaired.

【0013】このようなガスバリア層の形成方法は特に
何らかの制限を受けるものではないが、インジウムセリ
ウム系酸化物、あるいはインジウムセリウム系酸化物を
主成分としてスズとチタンの何れか一方、又は双方を含
む酸化物、からなるタ−ゲットを用い、直流(DC)ス
パッタリング、交流(AC)スパッタリング、高周波
(RF)スパッタリングなどによって製膜するのが、ガ
スバリア性や透明性といった膜質の点からも製膜速度の
面からも適した方法である。このようなインジウム・セ
リウム系酸化物のタ−ゲットは導電性を持つため、DC
によるスパッタリングも可能である。また完全に無色透
明な膜を得るためには、スパッタリング中に酸素ガスな
どの酸化性ガスを供給することも有効な方法である。ま
た、このような無機化合物層の厚さは、5nmから50
0nmの範囲内であることが望ましいが、10nm以下
では島状になって連続膜にならない場合があり、反対に
300nmを越えると膜自身の内部応力によって、膜が
割れ易くなり、高いガスバリア性が得られない場合が出
てくるため、好ましくは10nm〜300nmである。
なお、無機化合物層の上に第2層を設ける場合は、水溶
性高分子と、(a)1種以上の金属アルコキシドおよび
その加水分解物又は(b)塩化スズ、の少なくとも一方
を含むものである。
The method of forming such a gas barrier layer is not particularly limited, but includes indium-cerium-based oxide or one or both of tin and titanium with indium-cerium-based oxide as a main component. Film formation by direct current (DC) sputtering, alternating current (AC) sputtering, radio frequency (RF) sputtering, or the like using a target made of an oxide is also required in view of film quality such as gas barrier properties and transparency. This is also a suitable method from the viewpoint of. Since such an indium-cerium-based oxide target has conductivity, DC
Is also possible. In order to obtain a completely colorless and transparent film, supplying an oxidizing gas such as oxygen gas during sputtering is also an effective method. The thickness of such an inorganic compound layer is from 5 nm to 50 nm.
It is desirable that the thickness be within the range of 0 nm, but if it is less than 10 nm, it may become an island and not a continuous film. Since it may not be obtained, the thickness is preferably 10 nm to 300 nm.
When the second layer is provided on the inorganic compound layer, the second layer contains a water-soluble polymer and at least one of (a) one or more metal alkoxides and a hydrolyzate thereof, and (b) tin chloride.

【0014】水溶性高分子と塩化スズを水系(水あるい
は水/アルコール混合)溶媒で溶解させた溶液、あるい
はこれに金属アルコキシドを直接、あるいは予め加水分
解させるなど処理を行ったものを混合した溶液を、プラ
スチックフィルム基材上の無機化合物層にコーティン
グ、加熱乾燥し、形成したものである。コーティング剤
に含まれる各成分について以下に詳述する。
A solution obtained by dissolving a water-soluble polymer and tin chloride in an aqueous (water or water / alcohol mixture) solvent, or a solution prepared by directly or preliminarily hydrolyzing a metal alkoxide. Is coated on an inorganic compound layer on a plastic film substrate, dried by heating and formed. Each component contained in the coating agent will be described in detail below.

【0015】コーティング剤に用いられる水溶性高分子
は、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、デ
ンプン、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロー
ス、アルギン酸ナトリウムなどが挙げられる。特にポリ
ビニルアルコール(以下、PVAとする)を本発明のガ
スバリア性フィルムのコーティング剤に用いた場合にガ
スバリア性が最も優れたものになる。ここで言うPVA
は、一般にポリ酢酸ビニルをけん化して得られるもの
で、酢酸基が数10%残存している、いわゆる部分けん
化PVAから酢酸基が数%しか残存していない完全けん
化PVAまでを含み、特に限定されるものではない。ま
た塩化スズは塩化第一スズ(SnCl2)、塩化第二ス
ズ(SnCl4)、あるいはそれらの混合物であっても
よく、無水物でも水和物でも用いることが出来る。
The water-soluble polymer used in the coating agent includes polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, starch, methyl cellulose, carboxymethyl cellulose, sodium alginate and the like. In particular, when polyvinyl alcohol (hereinafter, referred to as PVA) is used for the coating agent for the gas barrier film of the present invention, the gas barrier properties are most excellent. PVA here
Is generally obtained by saponifying polyvinyl acetate, and includes so-called partially saponified PVA in which acetic acid groups remain in several tens percent, to completely saponified PVA in which only a few percent of acetic acid groups remain, and is particularly limited. It is not something to be done. The tin chloride may be stannous chloride (SnCl 2 ), stannic chloride (SnCl 4 ), or a mixture thereof, and may be used as an anhydride or a hydrate.

【0016】さらに金属アルコキシドは、テトラエトキ
シシラン〔Si(OC254〕、トリイソプロポキシ
アルミニウム〔Al(O−2’−C373〕などの一
般式、M(OR)n(M:Si、Ti、Ai、Zrなど
の金属,R:CH3、C25などのアルキル基)で表せ
るものである。なかでもテトラエトキシシラン、トリイ
ソプロポキシアルミニウムが加水分解後、水系の溶媒中
において比較的安定であるので好ましい。上述した各成
分は、単独又は幾つかを組み合わせてコーティング剤に
加えることが出来、さらにコーティング剤のガスバリア
性を損なわない範囲内で、イソシアネート化合物、シラ
ンカップリング剤、あるいは分散剤、安定化剤、粘度調
整剤、着色剤など公知の添加剤を加えることが出来る。
The metal alkoxide is a general formula such as tetraethoxysilane [Si (OC 2 H 5 ) 4 ], triisopropoxy aluminum [Al (O-2′-C 3 H 7 ) 3 ], M (OR) n (M: metal such as Si, Ti, Ai, Zr, R: alkyl group such as CH 3 , C 2 H 5 ). Among them, tetraethoxysilane and triisopropoxyaluminum are preferable since they are relatively stable in an aqueous solvent after hydrolysis. Each of the above-described components can be added to the coating agent alone or in a combination of some, and as long as the gas barrier property of the coating agent is not impaired, an isocyanate compound, a silane coupling agent, or a dispersant, a stabilizer, Known additives such as a viscosity modifier and a coloring agent can be added.

【0017】例えばコーティング剤に加えられるイソシ
アネート化合物は、その分子中に2個以上のイソシアネ
ート基(NCO基)を有するものであり、例えばトリレ
ンジイソシアネート(以下、TDIとする)、トリフェ
ニルメタントリイソシアネート(以下、TTIとす
る)、テトラメチルキシレンジイソシアネート(以下、
TMXDIとする)などのモノマー類と、これらの重合
体、誘導体などがある。
For example, an isocyanate compound added to a coating agent has two or more isocyanate groups (NCO groups) in its molecule. For example, tolylene diisocyanate (hereinafter referred to as TDI), triphenylmethane triisocyanate (Hereinafter, referred to as TTI), tetramethylxylene diisocyanate (hereinafter, referred to as TTI)
TMXDI), and polymers and derivatives thereof.

【0018】コーティング剤の塗布方法には、通常用い
られる、ディッピング法、ロールコーティング法、スク
リーン印刷法、スプレー法など従来公知の手段が用いら
れる。被膜の厚さはコーティング剤の種類によって異な
るが、乾燥後の厚さが約0.01〜100μmの範囲で
あればよいが、50μm以上では、膜にクラックが生じ
易くなるため、0.01〜50μmとすることが望まし
い。
As a method for applying the coating agent, conventionally known means such as a dipping method, a roll coating method, a screen printing method, and a spray method, which are usually used, are used. Although the thickness of the coating varies depending on the type of the coating agent, the thickness after drying may be in the range of about 0.01 to 100 μm. When the thickness is 50 μm or more, cracks are easily generated in the film. It is desirable that the thickness be 50 μm.

【0019】なお、詳細は不明なところが多いが、無機
化合物層と第2層との間に、何らかの反応層(相互作用
層)が形成されるか、あるいは第2層が無機化合物層に
生じるピンホール、クラック、粒界などの欠陥あるいは
微細孔を充填、補強することで、緻密構造が形成され、
これがガスバリア性の向上と無機化合物層である無機化
合物層の保護層としての役割も果たす。
Although the details are not clear in many places, any reaction layer (interaction layer) is formed between the inorganic compound layer and the second layer, or a pin formed on the inorganic compound layer is formed on the inorganic compound layer. Filling and reinforcing defects, such as holes, cracks, grain boundaries, or micropores, forms a dense structure,
This also plays a role of improving the gas barrier properties and as a protective layer of the inorganic compound layer which is the inorganic compound layer.

【0020】また、コーティング剤の組成が、金属アル
コキシドあるいは塩化スズからなる無機成分とPVAな
どの水溶性高分子を主剤とするものであることから、ガ
スバリア性の向上が図れるものである。すなわち金属ア
ルコキシドあるいは塩化スズからなる無機成分は溶液中
で加水分解、重縮合反応して鎖状或いは三次元樹枝状の
ポリマーを形成し、乾燥加熱にともなう溶媒の蒸発によ
ってさらに重合が進行する、反応性に富む無機成分であ
り、水溶性高分子とは分子レベルの複合体を形成してい
ると考えられる。したがって、特定の粒子径からなるシ
リカ(SiO2)などの微粒子や珪酸ソーダ(水ガラ
ス)から得られるシリカゾル(コロイダルシリカ)など
単に微粒子を分散したものとは異なるものである。
Further, since the composition of the coating agent is mainly composed of an inorganic component such as metal alkoxide or tin chloride and a water-soluble polymer such as PVA, gas barrier properties can be improved. In other words, the inorganic component consisting of metal alkoxide or tin chloride undergoes hydrolysis and polycondensation reaction in a solution to form a chain or three-dimensional dendritic polymer, and the polymerization proceeds further by evaporation of the solvent accompanying drying and heating. It is an inorganic component rich in properties, and is considered to form a complex at the molecular level with a water-soluble polymer. Therefore, they are different from fine particles such as silica (SiO 2 ) having a specific particle diameter or silica sol (colloidal silica) obtained from sodium silicate (water glass) in which fine particles are simply dispersed.

【0021】なお、特に液晶表示装置用として用いられ
るガスバリア性フィルムは、その上に電極として透明導
電膜のパタ−ンニング層を設けるため、表面抵抗が大き
く実質的に絶縁性である必要がある。本発明におけるイ
ンジウムセリウム系酸化物、あるいはインジウムセリウ
ム系酸化物を主成分とし、スズとチタンの何れか一方、
又は双方を含む酸化物からなるガスバリア層は、その製
膜条件によって容易に表面抵抗を制御することが出来、
1.0×108Ω/□以上の表面抵抗値を有する実質的
に電気絶縁性を示す膜にすることが出来る。具体的な条
件はその製膜方法や製膜装置、基材の種類などによって
異なるが、概して製膜速度が低い場合や基材の表面温度
が低い場合、製膜中のガス分圧が高い場合などに、高抵
抗の膜が得られやすい。しかし、電極としてパタ−ンニ
ングされる透明導電膜は、多くの場合インジウムとスズ
との複合酸化物(ITO)であり、本発明におけるガス
バリア層の表面抵抗値が例え大きい場合でも、その主成
分がインジウム酸化物であるために、透明導電膜のパタ
−ンニング(エッチング)工程で一緒にエッチングされ
てしまう可能性がある。そこで、本発明におけるガスバ
リア性フィルムをこのような用途に用いる場合には、上
述第2層の形成が必要でない場合でも、ガスバリア層の
上に保護層を設けるのが、ガスバリア層を物理的、化学
的に保護するばかりでなく、表面の抵抗値を高めて実質
的に電気絶縁性を示す膜を得るためにも有効である。も
ちろん、上述の第2層の上にさらに保護層を設ける構成
であっても構わない。
In particular, a gas barrier film used for a liquid crystal display device is required to have a large surface resistance and to be substantially insulating since a patterning layer of a transparent conductive film is provided thereon as an electrode. Indium cerium-based oxide in the present invention, or based on indium cerium-based oxide, any one of tin and titanium,
Or, the gas barrier layer made of an oxide containing both, the surface resistance can be easily controlled by the film forming conditions,
A film having a surface resistance of 1.0 × 10 8 Ω / □ or more and exhibiting substantially electrical insulation can be obtained. Specific conditions vary depending on the film forming method, film forming apparatus, type of base material, etc., but generally when the film forming speed is low, when the surface temperature of the base material is low, and when the gas partial pressure during film forming is high. For example, a high-resistance film is easily obtained. However, the transparent conductive film patterned as an electrode is often a composite oxide (ITO) of indium and tin, and even if the gas barrier layer in the present invention has a large surface resistance, its main component is Since it is indium oxide, it may be etched together in a patterning (etching) step of the transparent conductive film. Therefore, when the gas barrier film of the present invention is used for such a purpose, it is necessary to provide a protective layer on the gas barrier layer even if the formation of the second layer is not necessary, since the gas barrier layer is physically and chemically formed. This is effective not only for protecting the film, but also for increasing the surface resistance to obtain a film having substantially electric insulation. Of course, a configuration in which a protective layer is further provided on the above-described second layer may be employed.

【0022】このような保護層の成分や組成、製造方
法、厚さなどは、上記の目的を満たすものである限り、
特に限定されるものではない。例えば紫外線硬化性ある
いは電子線硬化性樹脂の紫外線あるいは電子線硬化物か
らなる有機ポリマ−層、もしくはウレタン系やエポキシ
系、アクリル系などの有機ポリマーの熱硬化層、もしく
は上述の第2層に相当するものや、それ以外の金属アル
コキシドの加水分解と重合(いわゆるゾルゲル法)など
による酸化ケイ素や酸化アルミニウムなどの無機化合物
層などが挙げられる。
The components, compositions, manufacturing methods, thicknesses, and the like of such a protective layer are not limited as long as the above objects are satisfied.
There is no particular limitation. For example, an organic polymer layer made of an ultraviolet ray or an electron beam curable resin of an ultraviolet curable or electron beam curable resin, or a thermosetting layer of an urethane-based, epoxy-based, acrylic-based organic polymer, or the above-described second layer And inorganic compound layers such as silicon oxide and aluminum oxide obtained by hydrolysis and polymerization of other metal alkoxides (so-called sol-gel method).

【0023】[0023]

【実施例】次に、本発明のガスバリア性フィルムを具体
的な実施例を挙げて、さらに詳しく説明する。
Next, the gas barrier film of the present invention will be described in more detail with reference to specific examples.

【0024】〔実施例1〕厚さ100μmのポリエチレ
ンテレフタレート(以下、PETとする)フィルムを基
材とし、その上面にインジウム・セリウムの複合酸化物
の下記ターゲットを用い、スパッタリングガスとしての
アルゴンガス(300sccm)と反応ガスとしての酸
素ガス(10sccm)を供給し、DCマグネトロンス
パッタリング(DC出力3.0kW、製膜速度6.0n
m/min)によって、膜厚約50nmの無機化合物層
からなるガスバリア層を形成しガスバリア性フィルムを
得た。
Example 1 A polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 100 μm was used as a base material, and the following target of a composite oxide of indium and cerium was used on the upper surface thereof. 300 sccm) and an oxygen gas (10 sccm) as a reaction gas are supplied, and DC magnetron sputtering (DC output: 3.0 kW, film formation speed: 6.0 n)
m / min) to form a gas barrier layer composed of an inorganic compound layer having a thickness of about 50 nm to obtain a gas barrier film.

【0025】(酸化物タ−ゲット中の各金属元素の割
合) インジウム(In)/セリウム(Ce)=90/10
(at%) 得られたガスバリア性フィルムのガスバリア性を酸素透
過度および水蒸気透過度の測定により評価した。酸素バ
リア性は、30℃−70%RH雰囲気下で、酸素透過度
測定装置(モダンコントロール社製 MOCON OX
TRAN 10/50A)を用いて測定し、水蒸気バリ
ア性は、40℃−90RH雰囲気下で水蒸気透過度測定
装置(モダンコントロール社製 PERMATRAN
W6)を用いて測定した。その結果を表1に示す。ま
た、表1にはX線光電子分光分析装置(島津製作所製
ESCA3200)を用いて分析したディプスプロファ
イルから求めた無機化合物層中の平均金属元素含有率
(at%)と四端子法抵抗装置(三菱化学製 Lore
sta HP)で測定した表面シ−ト抵抗値を同時に記
載した。
(Ratio of Each Metal Element in Oxide Target) Indium (In) / Cerium (Ce) = 90/10
(At%) The gas barrier properties of the obtained gas barrier film were evaluated by measuring oxygen permeability and water vapor permeability. The oxygen barrier property is measured under an atmosphere of 30 ° C.-70% RH under an atmosphere of oxygen permeability (MOCON OX manufactured by Modern Control Co., Ltd.).
TRAN 10 / 50A), and the water vapor barrier property was measured under a 40 ° C.-90 RH atmosphere using a water vapor permeability measuring device (PERMATRAN manufactured by Modern Control Co., Ltd.).
W6). Table 1 shows the results. Table 1 shows an X-ray photoelectron spectrometer (manufactured by Shimadzu Corporation).
Average metal element content (at%) in the inorganic compound layer obtained from the depth profile analyzed by using ESCA 3200) and a four-terminal method resistance device (Lore manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)
sta HP) was also described.

【0026】[0026]

【表1】 [Table 1]

【0027】〔実施例2〕厚さ100μmのPETフィ
ルムを基材とし、その上面にインジウム・セリウム・ス
ズ・チタンの複合酸化物の下記タ−ゲットを用い、スパ
ッタリングガスとしてのアルゴンガス(300scc
m)と反応ガスとしての酸素ガス(10sccm)を供
給し、DCマグネトロンスパッタリング(DC出力3.
0kW、製膜速度6.5nm/min)によって、膜厚
約50nmの無機化合物層を形成しガスバリア性フィル
ムを得た。
Example 2 A PET film having a thickness of 100 μm was used as a base material, and the following target of a composite oxide of indium, cerium, tin and titanium was used on the upper surface thereof, and argon gas (300 scc) was used as a sputtering gas.
m) and oxygen gas (10 sccm) as a reaction gas, and DC magnetron sputtering (DC output 3.
An inorganic compound layer having a thickness of about 50 nm was formed at 0 kW at a film formation rate of 6.5 nm / min) to obtain a gas barrier film.

【0028】(酸化物タ−ゲット中の各金属元素の割
合) インジウム(In)/セリウム(Ce)/スズ(Sn)
/チタン(Ti)=88/8.5/3/0.5(at
%)
(Ratio of Each Metal Element in Oxide Target) Indium (In) / Cerium (Ce) / Tin (Sn)
/ Titanium (Ti) = 88 / 8.5 / 3 / 0.5 (at
%)

【0029】得られたガスバリア性フィルムのガスバリ
ア性、無機化合物層中の平均金属元素含有率および表面
シ−ト抵抗値を実施例1と同様にして測定し、その結果
を表1に記した。
The gas barrier properties of the obtained gas barrier film, the average metal element content in the inorganic compound layer, and the surface sheet resistance were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

【0030】〔実施例3〕厚さ100μmのPETフィ
ルムを基材とし、その上面にインジウム・セリウム・ス
ズの複合酸化物の下記タ−ゲットを用い、スパッタリン
グガスとしてのアルゴンガス(300sccm)と反応
ガスとしての酸素ガス(10sccm)を供給し、DC
マグネトロンスパッタリング(DC出力3.0kW、製
膜速度5.0nm/min)によって、膜厚約50nm
の無機化合物層を形成しガスバリア性フィルムを得た。
Example 3 A PET film having a thickness of 100 μm was used as a base material, and the following target of a composite oxide of indium, cerium and tin was used on the upper surface thereof, and reacted with argon gas (300 sccm) as a sputtering gas. Oxygen gas (10 sccm) is supplied as a gas, and DC
Approximately 50 nm in film thickness by magnetron sputtering (DC output: 3.0 kW, film formation speed: 5.0 nm / min)
To form a gas barrier film.

【0031】(酸化物タ−ゲット中の各金属元素の割
合) インジウム(In)/セリウム(Ce)/スズ(Sn)
=89/9/2(at%) 得られたガスバリア性フィルムのガスバリア性、無機化
合物層中の平均金属元素含有率および表面シ−ト抵抗値
を実施例1と同様にして測定し、その結果を表1に記し
た。
(Ratio of Each Metal Element in Oxide Target) Indium (In) / Cerium (Ce) / Tin (Sn)
= 89/9/2 (at%) The gas barrier properties of the obtained gas barrier film, the average metal element content in the inorganic compound layer, and the surface sheet resistance were measured in the same manner as in Example 1. The results were as follows. Are shown in Table 1.

【0032】〔実施例4〕厚さ100μmのPETフィ
ルムを基材とし、その上面にインジウム・セリウム・ス
ズの複合酸化物の下記タ−ゲットを用い、スパッタリン
グガスとしてのアルゴンガス(300sccm)と反応
ガスとしての酸素ガス(10sccm)を供給し、DC
マグネトロンスパッタリング(DC出力3.0kW、製
膜速度3.5nm/min)によって、膜厚約50nm
の無機化合物層を形成しガスバリア性フィルムを得た。
Example 4 A PET film having a thickness of 100 μm was used as a base material, and the following target of a composite oxide of indium, cerium and tin was used on the upper surface thereof, and reacted with argon gas (300 sccm) as a sputtering gas. Oxygen gas (10 sccm) is supplied as a gas, and DC
Approximately 50 nm in film thickness by magnetron sputtering (DC output: 3.0 kW, film formation speed: 3.5 nm / min)
To form a gas barrier film.

【0033】(酸化物タ−ゲット中の各金属元素の割
合) インジウム(In)/セリウム(Ce)/チタン(S
n)=90/9.5/0.5(at%) 得られたガスバリア性フィルムのガスバリア性、無機化
合物層中の平均金属元素含有率および表面シ−ト抵抗値
を実施例1と同様にして測定し、その結果を表1に記し
た。
(Ratio of Each Metal Element in Oxide Target) Indium (In) / Cerium (Ce) / Titanium (S
n) = 90 / 9.5 / 0.5 (at%) The gas barrier properties of the obtained gas barrier film, the average metal element content in the inorganic compound layer and the surface sheet resistance were the same as in Example 1. And the results are shown in Table 1.

【0034】〔実施例5〕実施例1で得られたガスバリ
ア性フィルムの無機化合物層からなるガスバリア層上
に、重合硬化後の厚さが約2μmとなるようにアクリレ
−トモノマ−〔トリエチレングリコ−ルジアクリレ−ト
とエチレングリコ−ルジグリシジルエ−テル・メタクリ
ル酸付加物とのモル比8:2の混合物〕をコ−ティング
し、加速電圧120kV、照射線量0.1kGyの電子
線を照射して硬化させることによって保護層を形成し、
ガスバリア性フィルムを得た。得られたガスバリア性フ
ィルムのガスバリア性、無機化合物層中の平均金属元素
含有率および表面シ−ト抵抗値を実施例1と同様にして
測定し、その結果を表1に記した。
Example 5 An acrylate monomer [triethylene glycol] was formed on the gas barrier layer comprising the inorganic compound layer of the gas barrier film obtained in Example 1 so that the thickness after polymerization and curing was about 2 μm. -Mixture of ethylene glycol-diglycidyl ether / methacrylic acid adduct at a molar ratio of 8: 2], and irradiating with an electron beam having an acceleration voltage of 120 kV and an irradiation dose of 0.1 kGy. Form a protective layer by curing,
A gas barrier film was obtained. The gas barrier properties, average metal element content in the inorganic compound layer, and surface sheet resistance of the obtained gas barrier film were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

【0035】〔実施例6〕実施例2で得られたガスバリ
ア性フィルムの無機化合物層上に、重合硬化後の厚さが
約2μmとなるようにアクリレ−トモノマ−〔トリエチ
レングリコ−ルジアクリレ−トとエチレングリコ−ルジ
グリシジルエ−テル・メタクリル酸付加物とのモル比
8:2の混合物〕をコ−ティングし、加速電圧120k
V、照射線量0.1kGyの電子線を照射して硬化させ
ることによって保護層を形成し、ガスバリア性フィルム
を得た。得られたガスバリア性フィルムのガスバリア
性、無機化合物層中の平均金属元素含有率および表面シ
−ト抵抗値を実施例1と同様にして測定し、その結果を
表1に記した。
Example 6 An acrylate monomer [triethylene glycol diacrylate] was formed on the inorganic compound layer of the gas barrier film obtained in Example 2 so that the thickness after polymerization and curing was about 2 μm. And a mixture of ethylene glycol diglycidyl ether and methacrylic acid in a molar ratio of 8: 2], and the accelerating voltage is 120 k.
V, an electron beam having an irradiation dose of 0.1 kGy was irradiated to cure the film, thereby forming a protective layer to obtain a gas barrier film. The gas barrier properties, average metal element content in the inorganic compound layer, and surface sheet resistance of the obtained gas barrier film were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

【0036】〔実施例7〕実施例3で得られたガスバリ
ア性フィルムの無機化合物層上に、重合硬化後の厚さが
約2μmとなるようにアクリレ−トモノマ−〔トリエチ
レングリコ−ルジアクリレ−トとエチレングリコ−ルジ
グリシジルエ−テル・メタクリル酸付加物とのモル比
8:2の混合物〕をコ−ティングし、加速電圧120k
V、照射線量0.1kGyの電子線を照射して硬化させ
ることによって保護層を形成し、ガスバリア性フィルム
を得た。得られたガスバリア性フィルムのガスバリア
性、無機化合物層中の平均金属元素含有率および表面シ
−ト抵抗値を実施例1と同様にして測定し、その結果を
表1に記した。
[Example 7] An acrylate monomer [triethylene glycol diacrylate] was formed on the inorganic compound layer of the gas barrier film obtained in Example 3 so that the thickness after polymerization was about 2 µm. And a mixture of ethylene glycol diglycidyl ether and methacrylic acid in a molar ratio of 8: 2], and the accelerating voltage is 120 k.
V, an electron beam having an irradiation dose of 0.1 kGy was irradiated to cure the film, thereby forming a protective layer to obtain a gas barrier film. The gas barrier properties, average metal element content in the inorganic compound layer, and surface sheet resistance of the obtained gas barrier film were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

【0037】〔実施例8〕実施例4で得られたガスバリ
ア性フィルムの無機化合物層上に、重合硬化後の厚さが
約2μmとなるようにアクリレ−トモノマ−〔トリエチ
レングリコ−ルジアクリレ−トとエチレングリコ−ルジ
グリシジルエ−テル・メタクリル酸付加物とのモル比
8:2の混合物〕をコ−ティングし、加速電圧120k
V、照射線量0.1kGyの電子線を照射して硬化させ
ることによって保護層を形成し、ガスバリア性フィルム
を得た。得られたガスバリア性フィルムのガスバリア
性、無機化合物層中の平均金属元素含有率および表面シ
−ト抵抗値を実施例1と同様にして測定し、その結果を
表1に記した。
Example 8 An acrylate monomer [triethylene glycol diacrylate] was applied on the inorganic compound layer of the gas barrier film obtained in Example 4 so that the thickness after polymerization and curing was about 2 μm. And a mixture of ethylene glycol diglycidyl ether and methacrylic acid in a molar ratio of 8: 2], and the accelerating voltage is 120 k.
V, an electron beam having an irradiation dose of 0.1 kGy was irradiated to cure the film, thereby forming a protective layer to obtain a gas barrier film. The gas barrier properties, average metal element content in the inorganic compound layer, and surface sheet resistance of the obtained gas barrier film were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

【0038】〔比較例1〕厚さ100μmのPETフィ
ルム上にインジウム酸化物(In2O3)のタ−ゲット
を用い、スパッタリングガスとしてのアルゴンガス(3
00sccm)と反応ガスとしての酸素ガス(10sc
cm)を供給し、RFマグネトロンスパッタリング(R
F出力3.0kW、製膜速度2.5nm/min)によ
って、膜厚約50nmの無機化合物層を形成しガスバリ
ア性フィルムを得た。得られたガスバリア性フィルムの
ガスバリア性、無機化合物層中の平均金属元素含有率お
よび表面シ−ト抵抗値を実施例1と同様にして測定し、
その結果を表1に記した。
COMPARATIVE EXAMPLE 1 An indium oxide (In 2 O 3) target was used on a PET film having a thickness of 100 μm, and argon gas (3) was used as a sputtering gas.
00 sccm) and oxygen gas (10 sccm) as a reaction gas.
cm) and RF magnetron sputtering (R
At an F output of 3.0 kW and a film formation rate of 2.5 nm / min), an inorganic compound layer having a thickness of about 50 nm was formed to obtain a gas barrier film. The gas barrier properties of the obtained gas barrier film, the average metal element content in the inorganic compound layer and the surface sheet resistance were measured in the same manner as in Example 1.
The results are shown in Table 1.

【0039】〔比較例2〕厚さ100μmのPETフィ
ルム上に電子線加熱式真空蒸着装置を用い、金属アルミ
ニウムを蒸発させると共に酸素ガスを供給して酸化させ
る反応性蒸着によって、厚さ約20nmの酸化アルミニ
ウム膜を製膜し、ガスバリア性フィルムを得た。得られ
たガスバリア性フィルムのガスバリア性、無機化合物層
中の平均金属元素含有率および表面シ−ト抵抗値を実施
例1と同様にして測定し、その結果を表1に記した。
[Comparative Example 2] A reactive evaporation of about 20 nm in thickness was performed on a PET film having a thickness of 100 μm by using an electron beam heating vacuum evaporation apparatus to evaporate metallic aluminum and supply oxygen gas to oxidize. An aluminum oxide film was formed to obtain a gas barrier film. The gas barrier properties, average metal element content in the inorganic compound layer, and surface sheet resistance of the obtained gas barrier film were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

【0040】〔比較例3〕厚さ100μmのPETフィ
ルム上に電子線加熱式真空蒸着装置を用い、一酸化ケイ
素を蒸発・凝縮させて、厚さ約40nmの酸化ケイ素膜
を製膜し、ガスバリア性フィルムを得た。得られたガス
バリア性フィルムのガスバリア性、無機化合物層中の平
均金属元素含有率および表面シ−ト抵抗値を実施例1と
同様にして測定し、その結果を表1に記した。
Comparative Example 3 A silicon oxide film having a thickness of about 40 nm was formed by evaporating and condensing silicon monoxide on a PET film having a thickness of 100 μm by using an electron beam heating type vacuum evaporation apparatus. A functional film was obtained. The gas barrier properties, average metal element content in the inorganic compound layer, and surface sheet resistance of the obtained gas barrier film were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

【0041】〔実施例9〜13〕厚さ12μmのポリエ
チレンテレフタレート(以下、PETとする)フィルム
を基材とし、その上面にインジウム・セリウム酸化物の
下記ターゲットを用い、スパッタリングガスとしてのア
ルゴンガスと反応ガスとしての酸素ガスを供給し、DC
マグネトロンスパッタリングによって、膜厚約30nm
の無機化合物層を形成し、さらに下記組成を組み合わ
せ、所定の割合に混合してなるコーティング剤をバーコ
ーターにより塗布し乾燥機で120℃、1分間乾燥さ
せ、膜厚約0.3μmのコーティング層を形成しガスバ
リア性フィルムを得た。
[Examples 9 to 13] A polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 12 μm was used as a base material, the following target of indium / cerium oxide was used on the upper surface, and argon gas was used as a sputtering gas. Supplying oxygen gas as a reaction gas, DC
Approximately 30 nm in film thickness by magnetron sputtering
An inorganic compound layer is formed, and the following composition is further combined, and a coating agent obtained by mixing in a predetermined ratio is applied by a bar coater, and dried at 120 ° C. for 1 minute by a drier to obtain a coating layer having a thickness of about 0.3 μm. Was formed to obtain a gas barrier film.

【0042】(ターゲットの組成) 酸化インジウム(In23)/酸化セリウム(Ce
2)=90/10(wt%)
(Target Composition) Indium oxide (In 2 O 3 ) / cerium oxide (Ce)
O 2 ) = 90/10 (wt%)

【0043】(コーティング剤の成分) (A)テトラエトキシシラン〔Si(OC254:以
下、TEOSとする〕10.4gに塩酸(0.1N)8
9.6gを加え、30分間攪拌し加水分解させた固形分
3wt%(SiO2換算)の加水分解溶液。 (B)トリイソプロポキシアルミニウム〔Al(O−
2’−C373:以下、TPOAとする〕6.0gを
80℃の熱水90g中で溶解した後、塩酸(5N)4g
を添加し解膠させた固形分3wt%(Al23換算)の
加水分解溶液 (C)塩化第一スズ(無水物)の3wt%の水/エタノ
ール溶液(水:エタノール重量比で50:50) (D)塩化第二スズ(無水物)の3wt%の水溶液 (E)ポリビニルアルコールの3.0wt%水/イソプ
ロピルアルコール溶液(水:イソプロピルアルコール重
量比で90:10)
(Components of Coating Agent) (A) Tetraethoxysilane [Si (OC 2 H 5 ) 4 : hereinafter referred to as TEOS] 10.4 g of hydrochloric acid (0.1N) 8
9.6 g was added thereto, and the mixture was stirred for 30 minutes and hydrolyzed to obtain a hydrolysis solution having a solid content of 3 wt% (in terms of SiO 2 ). (B) Triisopropoxy aluminum [Al (O-
2′-C 3 H 7 ) 3 : hereinafter referred to as TPOA] after dissolving 6.0 g in 90 g of hot water at 80 ° C., and then adding 4 g of hydrochloric acid (5N).
3 wt% of water / ethanol solution of hydrolyzed solution of the added solids 3 wt% obtained by peptizing a (Al 2 O 3 in terms of) (C) stannous chloride (anhydrous) (water: ethanol weight ratio of 50: 50) (D) 3 wt% aqueous solution of stannic chloride (anhydride) (E) 3.0 wt% water / isopropyl alcohol solution of polyvinyl alcohol (90:10 by weight of water: isopropyl alcohol)

【0044】 (コーティング剤の組成) 実施例9 (A)/(E) 配合比(wt%)60/40 実施例10 (B)/(E) 配合比(wt%)50/10/40 実施例11 (C)/(E) 配合比(wt%)60/40 実施例12 (A)/(C)/(E) 配合比(wt%)40/30/30 実施例13 (A)/(D)/(E) 配合比(wt%)40/30/30(Composition of Coating Agent) Example 9 (A) / (E) Compounding Ratio (wt%) 60/40 Example 10 (B) / (E) Compounding Ratio (wt%) 50/10/40 Example 11 (C) / (E) Mixing ratio (wt%) 60/40 Example 12 (A) / (C) / (E) Mixing ratio (wt%) 40/30/30 Example 13 (A) / (D) / (E) Compounding ratio (wt%) 40/30/30

【0045】得られたガスバリア性フィルムを40℃−
90%RHのガスバリア性を酸素透過度および水蒸気透
過度の測定により評価した。
The obtained gas barrier film was heated at 40 ° C.
The gas barrier property of 90% RH was evaluated by measuring oxygen permeability and water vapor permeability.

【0046】酸素バリア性は、25℃−70%RH雰囲
気下で、酸素透過度測定装置(モダンコントロール社製
MOCON OXTRAN 10/50A)を用いて
測定し、水蒸気バリア性測定は実施例1と同条件で行っ
た。
The oxygen barrier property was measured in an atmosphere of 25 ° C.-70% RH using an oxygen permeability measuring apparatus (MOCON OXTRAN 10 / 50A manufactured by Modern Control), and the water vapor barrier property was measured as in Example 1. Performed under conditions.

【0047】表1から無機化合物層製膜フィルムにコー
ティング剤をコーティングしたもの(実施例9〜13)
は、酸素バリア性および水蒸気バリア性はともに更に高
いガスバリア性を示した。
Table 1 shows that the inorganic compound layer-formed film was coated with a coating agent (Examples 9 to 13).
Showed higher gas barrier properties in both oxygen barrier property and water vapor barrier property.

【0048】〔実施例14〜18〕厚さ200μmのポ
リエーテルスルホン(以下、PESとする)フィルムを
基材とし、その上面にインジウムとセリウムに加え、ス
ズとチタンを含む合金酸化物の下記ターゲットを用い、
スパッタリングガスとしてのアルゴンガスと反応ガスと
しての酸素ガスを供給し、DCマグネトロンスパッタリ
ングによって、膜厚約30nmの無機化合物層を形成
し、さらに実施例9〜13と全く同様のコーティング剤
をバーコーターにより塗布し乾燥機で120℃、1分間
乾燥させ、膜厚約0.3μmのコーティング層を形成し
ガスバリア性フィルムを得た。
[Examples 14-18] A polyethersulfone (hereinafter referred to as PES) film having a thickness of 200 µm was used as a base material, and the following targets of alloy oxides containing tin and titanium in addition to indium and cerium on the upper surface thereof Using
An argon gas as a sputtering gas and an oxygen gas as a reaction gas are supplied, an inorganic compound layer having a thickness of about 30 nm is formed by DC magnetron sputtering, and the same coating agent as in Examples 9 to 13 is further coated with a bar coater. It was applied and dried at 120 ° C. for 1 minute with a drier to form a coating layer having a thickness of about 0.3 μm to obtain a gas barrier film.

【0049】(ターゲットの組成) 酸化インジウム(In2O3)に対し、下記の元素を下
記の比率で加え、合金酸化物としたもの セリウム(Ce) 8.5(at%) スズ(Sn) 3.0(at%) チタン(Ti) 0.5(at%)
(Composition of target) Indium oxide (In 2 O 3) was added to the following elements at the following ratio to form an alloy oxide. Cerium (Ce) 8.5 (at%) Tin (Sn) 3.0 (At%) Titanium (Ti) 0.5 (at%)

【0050】(コーティング剤の成分)実施例9〜13
と同じ
(Components of Coating Agent) Examples 9 to 13
Same as

【0051】 (コーティング剤の組成) 実施例14 (A)/(E) 配合比(wt%)60/40 実施例15 (B)/(E) 配合比(wt%)50/10/40 実施例16 (C)/(E) 配合比(wt%)60/40 実施例17 (A)/(C)/(E) 配合比(wt%)40/30/30 実施例18 (A)/(D)/(E) 配合比(wt%)40/30/30(Composition of Coating Agent) Example 14 (A) / (E) Compounding Ratio (wt%) 60/40 Example 15 (B) / (E) Compounding Ratio (wt%) 50/10/40 Example 16 (C) / (E) Mixing ratio (wt%) 60/40 Example 17 (A) / (C) / (E) Mixing ratio (wt%) 40/30/30 Example 18 (A) / (D) / (E) Compounding ratio (wt%) 40/30/30

【0052】得られたガスバリア性フィルムを実施例9
〜13と全く同様にして評価した。
The obtained gas barrier film was used in Example 9.
The evaluation was performed in exactly the same manner as in Examples 13 to 13.

【0053】表1から無機化合物層製膜フィルムにコー
ティング剤をコーティングしたもの(実施例14〜1
8)は、酸素バリア性および水蒸気バリア性はともに実
施例1〜8と比べても高いガスバリア性を示した。
Table 1 shows that the inorganic compound layer formed film was coated with a coating agent (Examples 14 to 1).
8) showed higher gas barrier properties than Examples 1 to 8 in both oxygen barrier properties and water vapor barrier properties.

【0054】[0054]

【発明の効果】本発明は、ガスバリア層として、インジ
ウムとセリウムの複合酸化物、もしくはインジウムとセ
リウムを主成分とし、スズとチタンの何れか一方、又は
双方を含む複合酸化物をプラスチックフィルムからなる
基材上に設けることにより、酸素や水蒸気の透過速度を
極めて低く抑えることが可能なガスバリア性フィルムを
提供することが出来るものである。さらには、このよう
な複合酸化物層上に有機ポリマ−層などの保護層を設け
る発明では、その表面のシ−ト抵抗値を容易に1×10
8Ω/□以上にする出来、液晶表示装置の基板などへも
応用が可能なガスバリア性フィルムを提供することが出
来るものである。また、上記第2層を付け加える事によ
れば、透明性と可撓性に優れ、かつ高いガスバリア性を
有しながらその温湿度変化が小さく、さらには焼却処理
の際に有毒ガスを発生することの無いガスバリア性フィ
ルムを提供することが出来る。
According to the present invention, as a gas barrier layer, a composite oxide of indium and cerium, or a composite oxide containing indium and cerium as a main component and containing either or both of tin and titanium is formed of a plastic film. By providing the gas barrier film on a substrate, it is possible to provide a gas barrier film capable of extremely suppressing the permeation rate of oxygen or water vapor. Further, in the invention in which a protective layer such as an organic polymer layer is provided on such a composite oxide layer, the sheet resistance of the surface can be easily reduced to 1 × 10 5
It is possible to provide a gas barrier film which can be set to 8 Ω / □ or more and can be applied to a substrate of a liquid crystal display device and the like. Moreover, according to the addition of the second layer, the change in temperature and humidity is small while having excellent transparency and flexibility and high gas barrier properties, and furthermore, toxic gas is generated during incineration treatment. It is possible to provide a gas barrier film having no gas barrier.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇山 晴夫 東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 松尾 龍吉 東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内 Fターム(参考) 4F006 AA12 AA22 AA35 AA36 AA38 AA39 AA40 AB74 BA05 CA05 CA07 DA01 4F100 AA05C AA05E AA05H AA21B AA28B AA33B AH02C AH02E AH02H AH06C AH06H AH08C AH08E AH08H AK01A AK01C AK01D AK01E AK21C AK42A AR00B BA02 BA03 BA05 BA07 EH66B JB09C JB09E JD02B JG04B JM02B YY00B 4K029 AA11 AA25 BA50 BC05 BD00 CA05 CA06 DC05 DC34 DC39 GA03  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Haruo Uyama, Inventor, 1-5-1, Taito, Taito-ku, Tokyo Inside Toppan Printing Co., Ltd. (72) Ryuyoshi Matsuo 1-1-1, Taito, Taito-ku, Tokyo Letterpress F-term (Reference) in Printing Co., Ltd. JB09C JB09E JD02B JG04B JM02B YY00B 4K029 AA11 AA25 BA50 BC05 BD00 CA05 CA06 DC05 DC34 DC39 GA03

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】プラスチックフィルムからなる基材の少な
くとも片面上に、ガスバリア層を設けてなるガスバリア
性フィルムにおいて、該ガスバリア層が主にインジウム
セリウム系酸化物を含む層からなることを特徴とするガ
スバリア性フィルム。
1. A gas barrier film having a gas barrier layer provided on at least one surface of a substrate made of a plastic film, wherein the gas barrier layer is mainly composed of a layer containing an indium-cerium-based oxide. Film.
【請求項2】プラスチックフィルムからなる基材の少な
くとも片面上に、主にインジウムセリウム系酸化物から
なるガスバリア層が形成され、さらにその上に保護層が
設けられてなることを特徴とするガスバリア性フィル
ム。
2. A gas barrier property comprising: a gas barrier layer mainly composed of indium-cerium-based oxide formed on at least one surface of a substrate composed of a plastic film, and a protective layer further provided thereon. the film.
【請求項3】該ガスバリア性フィルムの表面が、1×1
8Ω/□以上のシ−ト抵抗値を有することを特徴とす
る請求項1、もしくは請求項2に記載のガスバリア性フ
ィルム。
3. The gas barrier film having a surface of 1 × 1
0 8 Ω / □ or more sheet - gas barrier film according to claim 1 or claim 2, characterized in that it has a sheet resistance value.
【請求項4】該ガスバリア層が、インジウムセリウム系
酸化物を主成分とし、スズとチタンの何れか一方、又は
双方を含む酸化物からなることを特徴とする請求項1か
ら3に記載のガスバリア性フィルム。
4. The gas barrier according to claim 1, wherein the gas barrier layer comprises an oxide containing indium cerium-based oxide as a main component and either or both of tin and titanium. Film.
【請求項5】該ガスバリア層が主にインジウムセリウム
系酸化物を含む層からなる第1層、および水溶性高分子
と、(a)1種以上の金属アルコキシドおよびその加水
分解物、又は(b)塩化スズ、の少なくとも一方を含む
ものからなる第2層とが積層されてなることを特徴とす
るガスバリア性フィルム。
5. The gas barrier layer according to claim 1, wherein the first layer comprises a layer mainly containing an indium-cerium-based oxide, and a water-soluble polymer; and (a) one or more metal alkoxides and hydrolysates thereof; A) a gas barrier film, wherein a second layer comprising at least one of tin chloride is laminated.
【請求項6】該保護層が(a)1種以上の金属アルコキ
シドおよびその加水分解物、又は(b)塩化スズ、の少
なくとも一方を含むものからなる第2層からなることを
特徴とする請求項2に記載のガスバリア性フィルム。
6. The protective layer comprises a second layer comprising at least one of (a) at least one metal alkoxide and a hydrolyzate thereof, and (b) tin chloride. Item 3. A gas barrier film according to Item 2.
【請求項7】該第1層を形成する無機化合物が、インジ
ウムセリウム系酸化物のみからなることを特徴とする請
求項5、6何れかに記載のガスバリア性フィルム。
7. The gas barrier film according to claim 5, wherein the inorganic compound forming the first layer comprises only an indium-cerium-based oxide.
【請求項8】該第1層を形成する無機化合物が、インジ
ウムセリウム系酸化物を主成分とし、スズとチタンの何
れか一方、又は双方を含む酸化物からなることを特徴と
する請求項5、6何れかに記載のガスバリア性フィル
ム。
8. The method according to claim 5, wherein the inorganic compound forming the first layer comprises an oxide containing indium cerium-based oxide as a main component and one or both of tin and titanium. 7. The gas barrier film according to any one of claims 6 and 7.
【請求項9】該第2層の水溶性高分子が、ポリビニルア
ルコールであることを特徴とする請求項5、6、7又は
8何れかに記載のガスバリア性フィルム。
9. The gas barrier film according to claim 5, wherein the water-soluble polymer of the second layer is polyvinyl alcohol.
【請求項10】該第2層の金属アルコキシドが、テトラ
エトキシシラン又はトリイソプロポキシアルミニウム、
あるいはそれらの混合物であることを特徴とする請求項
5又は6何れかにに記載のガスバリア性フィルム。
10. The method according to claim 10, wherein the metal alkoxide of the second layer is tetraethoxysilane or triisopropoxyaluminum.
Alternatively, the gas barrier film according to claim 5 or 6, which is a mixture thereof.
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