JP2002252101A - Electronic component - Google Patents

Electronic component

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JP2002252101A
JP2002252101A JP2001046070A JP2001046070A JP2002252101A JP 2002252101 A JP2002252101 A JP 2002252101A JP 2001046070 A JP2001046070 A JP 2001046070A JP 2001046070 A JP2001046070 A JP 2001046070A JP 2002252101 A JP2002252101 A JP 2002252101A
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JP
Japan
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film
element forming
base
electronic component
forming film
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Pending
Application number
JP2001046070A
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Japanese (ja)
Inventor
Takehiko Yoneda
毅彦 米田
Hiromi Sakida
広実 崎田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide electronic components that improve mountability by suppressing the occurrence of element lifting phenomena and can be manufactured with high productivity. SOLUTION: The electronic components are equipped with a base 11, an element-forming film 12 provided on the base 11, and an element section S provided by forming grooves 13, etc., into the element-forming film 12. The components are also equipped with terminal sections 16 and 17 provided on the base 11 and a ceramic film 14 provided on the element section S.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器等に好適
に用いられる電子部品(チップ抵抗器,チップインダク
タ,チップコンデンサ,チップアンテナ,複合チップ電
子部品等)に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to electronic components (chip resistors, chip inductors, chip capacitors, chip antennas, composite chip electronic components, etc.) suitably used for electronic equipment and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】チップ部品としては、図5,6に示すよ
うな構造のものが存在する。すなわち、角柱状の基台
(図示せず)の両端部に、端子部1,2を設け、端子部
1,2の間に保護材3が設けられている。基台上には素
子形成膜や抵抗膜などが形成されており、しかもスパイ
ラル状の溝を設けることで、素子部が設けられており、
この素子部の構成によって、チップ抵抗器,チップイン
ダクタ,チップコンデンサ,チップアンテナ等が作製さ
れている。
2. Description of the Related Art There are chip components having a structure as shown in FIGS. That is, terminal portions 1 and 2 are provided at both ends of a prismatic base (not shown), and a protective material 3 is provided between the terminal portions 1 and 2. On the base, an element forming film, a resistance film, etc. are formed, and furthermore, by providing a spiral groove, an element portion is provided,
A chip resistor, a chip inductor, a chip capacitor, a chip antenna, and the like are manufactured by the configuration of the element unit.

【0003】先行例としては、特開平11−23862
4号公報,特開平11−233345号公報等が存在す
る。
As a prior example, Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-23862 has been proposed.
No. 4, JP-A-11-233345, and the like.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら以上のよ
うな構成では、図6に示すように、幾つかの電子部品に
おいて、保護材3を樹脂のみで構成した場合に、ポイン
トPの様に両端の端子部1,2から膨出した部分が形成
され、電子部品を回路基板上などに実装して、リフロー
を行うと、電子部品が立ち上がってしまう現象(マンハ
ッタン現象)が生じてしまうという問題点があった。な
お、保護材3をプレスなどで押圧して膨出部の発生を防
止することもあるが、この様な構成では、手間が掛かる
と共に、保護材3の形状がばらつき、不具合が生じる。
However, in the above configuration, as shown in FIG. 6, in some electronic components, when the protective member 3 is made of only the resin, as shown in a point P, both end portions are formed. There is a problem that a portion bulging from the terminal portions 1 and 2 is formed, and when an electronic component is mounted on a circuit board or the like and reflow is performed, a phenomenon that the electronic component starts up (Manhattan phenomenon) occurs. there were. In some cases, the protection member 3 is pressed by a press or the like to prevent the occurrence of the bulging portion. However, such a configuration requires time and effort, and the shape of the protection member 3 varies to cause a problem.

【0005】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、素子立ち現象を抑え、実装性の向上を行うことがで
き、また、生産性の良い電子部品を提供することを目的
とする。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and it is an object of the present invention to provide an electronic part which can suppress the phenomenon of standing up of the element, improve the mountability, and have high productivity.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、基台と、基台
の上に設けられた素子形成膜と、素子形成膜に溝等を形
成して設けられた素子部と、基台に設けられた端子部
と、素子部上に設けられたセラミック膜とを備えた。
According to the present invention, there is provided a base, an element formation film provided on the base, an element portion provided by forming a groove or the like in the element formation film, and a base. The terminal part provided was provided with a ceramic film provided on the element part.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】請求項1記載の発明は、基台と、
前記基台の上に設けられた素子形成膜と、前記素子形成
膜に溝等を形成して設けられた素子部と、前記基台に設
けられた端子部と、前記素子部上に設けられたセラミッ
ク膜とを備えたことを特徴とする電子部品とすること
で、樹脂製の保護材が不要になるか或いは、非常に薄保
護材を用いることができるので、保護材の膨出部形成を
抑制でき、素子立ち現象を抑え、実装性を向上させるこ
とができ、しかも生産性が向上する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The invention according to claim 1 comprises a base,
An element formation film provided on the base, an element portion provided by forming a groove or the like in the element formation film, a terminal portion provided on the base, and an element provided on the element portion. The electronic component is characterized in that it has a ceramic film and a protective film made of resin is unnecessary, or a very thin protective material can be used. Can be suppressed, the element standing phenomenon can be suppressed, the mountability can be improved, and the productivity can be improved.

【0008】請求項2記載の発明は、セラミック膜の構
成材料と基台の構成材料を同一とするかもしくは主成分
を同一としたことを特徴とする請求項1記載の電子部品
とすることで、基台とセラミック膜の熱膨張係数などを
同一か或いは近似させることができ、応力によるセラミ
ックの剥がれ等を防止できる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the electronic component according to the first aspect, wherein the constituent material of the ceramic film and the constituent material of the base are the same or the main components are the same. The thermal expansion coefficient and the like of the base and the ceramic film can be the same or approximated, and peeling of the ceramic due to stress can be prevented.

【0009】請求項3記載の発明は、セラミック膜とし
てアルミナ膜を設けたことを特徴とする請求項1記載の
電子部品とすることで、非常に耐候性が向上し、しかも
確実に密着させることができ、更には非常に硬度を高く
することができる。
According to a third aspect of the present invention, the electronic component according to the first aspect, wherein an alumina film is provided as the ceramic film, the weather resistance is significantly improved, and the film is securely adhered. And the hardness can be made very high.

【0010】請求項4記載の発明は、セラミック層を形
成する前に、素子部上に密着強化層を設けたことを特徴
とする請求項1記載の電子部品とすることで、素子形成
膜とセラミック層との相性が悪く、うまくセラミック膜
が素子形成膜上に形成できない場合、この密着強化層を
設けることで確実に接合させることができる。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an electronic component according to the first aspect, wherein an adhesion reinforcing layer is provided on the element portion before forming the ceramic layer. In the case where the compatibility with the ceramic layer is poor and a ceramic film cannot be formed on the element forming film well, bonding can be surely performed by providing the adhesion reinforcing layer.

【0011】請求項5記載の発明は、密着強化層として
酸化チタン膜を用いたことを特徴とする請求項4記載の
電子部品とすることで、素子形成膜が金属や金属化合物
等で構成されたとしても、酸化チタン膜は確実に素子形
成膜の上に形成され、しかもセラミック膜との密着強度
も高くすることができる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the electronic component according to the fourth aspect, a titanium oxide film is used as the adhesion reinforcing layer, and the element forming film is made of a metal, a metal compound, or the like. Even so, the titanium oxide film can be reliably formed on the element forming film, and the adhesion strength with the ceramic film can be increased.

【0012】請求項6記載の発明は、基台に全周に渡っ
て段差部を設け、前記段差部中に素子部を設けたことを
特徴とする請求項1記載の電子部品とすることで、素子
部と回路基板等との間に隙間を設けることができるの
で、実装時に特性がばらつくことはなく、しかも樹脂製
の保護材を設ける場合などにも、大きく保護材が突出す
ることはないので、電子部品の座りなどが悪くなり、実
装性が悪くなくことはない。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the electronic component according to the first aspect, wherein a step portion is provided on the base over the entire circumference, and an element portion is provided in the step portion. Since a gap can be provided between the element portion and the circuit board or the like, the characteristics do not vary at the time of mounting, and even when a protective material made of resin is provided, the protective material does not protrude greatly. Therefore, the seating of the electronic parts is deteriorated, and the mountability is not poor.

【0013】請求項7記載の発明は、端子部の断面を円
形状もしくは略正多角形状とした事を特徴とする請求項
1記載の電子部品とすることで、実装の際の方向性を無
くすることができるので、バルク実装が可能となり、実
装性が向上する。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the electronic component according to the first aspect, wherein the cross section of the terminal portion has a circular shape or a substantially regular polygonal shape. As a result, bulk mounting becomes possible and mountability is improved.

【0014】請求項8記載の発明は、基台の両端部上に
形成された素子形成膜を一対の端子部とし、前記一対の
端子部の間に素子部を設けた請求項1記載の電子部品と
することで、両端を回路基板等へ接合でき、実装を確実
に行え、チップ部品として用いることが可能となる。
The invention according to claim 8 is the electronic device according to claim 1, wherein the element forming films formed on both ends of the base are a pair of terminals, and the element is provided between the pair of terminals. By forming a component, both ends can be joined to a circuit board or the like, mounting can be performed reliably, and it can be used as a chip component.

【0015】請求項9記載の発明は、素子形成膜を導電
材料で構成し、しかも前記素子形成膜にスパイラル状の
溝を形成することで、軸心が基台の長手方向に沿うよう
にスパイラル状の素子形成膜を設けて所定のインダクタ
ンスを形成したことを特徴とする請求項1記載の電子部
品とすることで、小型でしかも耐候性の優れたチップイ
ンダクタを生産性良く量産できる。
According to a ninth aspect of the present invention, the element forming film is formed of a conductive material, and furthermore, a spiral groove is formed in the element forming film, so that the axis is aligned with the longitudinal direction of the base. The electronic component according to claim 1, wherein a predetermined inductance is formed by providing an element-forming film in a shape of small, and a chip inductor having a small size and excellent weather resistance can be mass-produced with high productivity.

【0016】請求項10記載の発明は、素子形成膜を抵
抗材料で構成し、しかも前記素子形成膜にスパイラル状
の溝を形成することで、軸心が基台の長手方向に沿うよ
うにスパイラル状の素子形成膜を設けて所定の抵抗値を
得ることを特徴とする請求項1記載の電子部品とするこ
とで、小型でしかも耐候性の優れたチップ抵抗器を生産
性良く量産できる。
According to a tenth aspect of the present invention, the element forming film is formed of a resistive material, and further, a spiral groove is formed in the element forming film so that the axis of the spiral extends along the longitudinal direction of the base. The electronic component according to claim 1, wherein a predetermined resistance value is obtained by providing an element-forming film in a shape of a small, and a chip resistor having a small size and excellent weather resistance can be mass-produced with high productivity.

【0017】請求項11記載の発明は、素子形成膜を導
電材料で構成し、しかも前記素子形成膜に環状溝を形成
することで、前記素子形成膜を分割し、前記分割された
素子形成膜間で容量を形成することを特徴とする請求項
1記載の電子部品とすることで、耐候性の優れたチップ
コンデンサを得ることができる。
According to a still further aspect of the present invention, the element forming film is made of a conductive material, and the device forming film is divided by forming an annular groove in the element forming film. By forming the electronic component according to the first aspect of the present invention, a chip capacitor having excellent weather resistance can be obtained.

【0018】請求項12記載の発明は、素子形成膜を導
電材料で構成し、しかも前記素子形成膜にスパイラル状
の溝を形成することで、軸心が基台の長手方向に沿うよ
うにスパイラル状の素子形成膜を設け、端子部を給電部
としてアンテナ特性を得ることを特徴とする請求項1記
載の電子部品とすることで、小型で耐候性の大きなチッ
プアンテナを量感可能とすることができる。
According to a twelfth aspect of the present invention, the element forming film is formed of a conductive material, and the spiral groove is formed in the element forming film so that the axis is along the longitudinal direction of the base. An electronic component according to claim 1, wherein a chip-shaped antenna having a small size and high weather resistance can be mass-produced by providing an element-forming film in a shape of a letter and obtaining antenna characteristics by using a terminal portion as a power supply portion. it can.

【0019】請求項13記載の発明は、セラミック層の
上に更に樹脂製の保護材を設けたことを特徴とする請求
項1記載の電子部品とするとで、実装機のノズルで吸着
させる際に、ピックアップミスが非常に少なくなる。
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the electronic component according to the first aspect, a protective material made of resin is further provided on the ceramic layer. , Pick-up mistakes are greatly reduced.

【0020】以下、本発明における電子部品の実施の形
態について説明する。
Hereinafter, embodiments of the electronic component according to the present invention will be described.

【0021】図1,図2はそれぞれ本発明の一実施の形
態における電子部品を示す斜視図及び側断面図である。
1 and 2 are a perspective view and a side sectional view, respectively, showing an electronic component according to an embodiment of the present invention.

【0022】図1,2において、11は絶縁材料などを
プレス加工,押し出し法等を施して構成されている基
台、12は基台11の上に設けられている素子形成膜
で、素子形成膜12は、メッキ法,スパッタリング法等
の蒸着法,焼き付け法等によって基台11上に形成され
る。13は素子形成膜12に設けられた溝で、溝13
は、レーザ光線等を素子形成膜12に照射することによ
って形成したり、素子形成膜12に砥石等を当てて機械
的に形成されたり、レジストなどを用いた選択的エッチ
ングによって形成されている。この溝13はスパイラル
状に設けることによって、素子形成膜12にスパイラル
状の素子形成膜12が形成されることになる。また、溝
13は、好ましくは基台11と素子形成膜12の双方に
形成した方が好ましく、この様な構成によって、完全に
素子形成膜12を切断することができ、特性劣化を防止
できる。
In FIGS. 1 and 2, reference numeral 11 denotes a base formed by subjecting an insulating material or the like to press working, extrusion, or the like, and reference numeral 12 denotes an element formation film provided on the base 11, The film 12 is formed on the base 11 by a plating method, a vapor deposition method such as a sputtering method, a baking method, or the like. Reference numeral 13 denotes a groove provided in the element forming film 12, and the groove 13
Is formed by irradiating the element forming film 12 with a laser beam or the like, is formed mechanically by applying a grindstone or the like to the element forming film 12, or is formed by selective etching using a resist or the like. By providing the groove 13 in a spiral shape, the spiral element forming film 12 is formed in the element forming film 12. Further, the groove 13 is preferably formed in both the base 11 and the element forming film 12. With such a configuration, the element forming film 12 can be completely cut, and deterioration of characteristics can be prevented.

【0023】なお、本実施の形態では、上述の通り少な
くとも素子形成膜12自体に溝13を設けて、抵抗,イ
ンダクタ,コンデンサ等の機能を有する素子部Sを形成
したが、前述の通り、素子形成膜12に溝13をレーザ
ー等で形成しなくても、基台11上において素子形成膜
12を非配置とする部分に、フォトレジスト層を設けた
後に基台11上に素子形成膜12を形成し、その後にフ
ォトレジスト層を取り除くことで、素子形成膜12にの
み溝13を形成しても良い。
In this embodiment, as described above, at least the groove 13 is provided in the element forming film 12 itself to form the element portion S having functions such as resistance, inductor, and capacitor. Even if the grooves 13 are not formed in the formation film 12 by a laser or the like, the element formation film 12 is formed on the base 11 after a photoresist layer is provided on a portion where the element formation film 12 is not arranged on the base 11. The groove 13 may be formed only in the element forming film 12 by forming the film and then removing the photoresist layer.

【0024】14は素子形成膜12を覆うように設けら
れたセラミック膜で、このセラミック膜14で素子形成
膜12等の保護を行う。
Reference numeral 14 denotes a ceramic film provided so as to cover the element forming film 12, and the ceramic film 14 protects the element forming film 12 and the like.

【0025】15は素子形成膜12(素子部S)上に形
成された保護材、16,17はそれぞれ基台11の端部
上に設けられた端子部である。
Reference numeral 15 denotes a protective material formed on the element forming film 12 (element part S), and reference numerals 16 and 17 denote terminal parts provided on the end of the base 11, respectively.

【0026】以上の様に、耐候性に優れ、しかも大きな
強度を持つセラミック膜14を素子形成膜(素子部S)
上に設けることで、従来の樹脂のみの保護材によって保
護する時よりも、図6に示すような膨出部は形成されな
い。
As described above, the ceramic film 14 having excellent weather resistance and high strength is formed by forming the ceramic film 14 (device portion S).
By providing it on the upper side, the bulging portion as shown in FIG. 6 is not formed as compared with the conventional case where the protective material is made of only the resin.

【0027】すなわち、従来の様に樹脂のみで素子形成
膜の保護を行うとどうしても耐候性の面や強度などの面
で、非常に厚く樹脂を塗布しなければならないので、時
折、図6に示す様な膨出部が形成され不具合が生じる
が、本実施の形態のようにセラミック膜14を形成する
ことで、非常に薄い膜でも十分に耐候性を得ることがで
き、しかもセラミック膜14自体の強度も大きいので、
従来のような膨出部は形成されず、素子立ち現象を抑え
ることができる。
That is, if the element formation film is protected only by the resin as in the prior art, the resin must be applied very thick in terms of weather resistance and strength. Although such a bulging portion is formed, a problem occurs. However, by forming the ceramic film 14 as in the present embodiment, sufficient weather resistance can be obtained even with a very thin film, and the ceramic film 14 itself can be obtained. Because the strength is large,
A bulging portion is not formed as in the related art, and an element standing phenomenon can be suppressed.

【0028】なお、本実施の形態の場合、実装機による
ピックアップの際に、セラミック膜14が表面に露出し
ていると、ノズルによる吸着性が悪いので、樹脂製の薄
い保護材15を設けることで、この課題を解決したが、
この様な課題が生じない場合には、保護材15を設ける
必要はない。従って、保護材15が不要か、あるいは保
護材15を形成するにしても非常に薄く、しかも精度が
悪くても良いので生産性が向上する。
In the case of this embodiment, when the ceramic film 14 is exposed on the surface during pickup by the mounting machine, the suction property by the nozzle is poor, so that a thin protective material 15 made of resin is provided. So, we solved this problem,
When such a problem does not occur, it is not necessary to provide the protection member 15. Therefore, the protection material 15 is unnecessary, or even if the protection material 15 is formed, the thickness is very thin and the accuracy may be poor, so that the productivity is improved.

【0029】又、端子部16,17の断面を正多角形状
或いは円形状とすることで、端子部16,17における
どの側面を実装面としても良いので実装性が飛躍的に向
上する。
Further, by making the cross sections of the terminal portions 16 and 17 into a regular polygonal shape or a circular shape, any side surface of the terminal portions 16 and 17 may be used as a mounting surface, so that mountability is greatly improved.

【0030】まず、基台11の形状について説明する。First, the shape of the base 11 will be described.

【0031】基台11は角柱状もしくは円柱状とするこ
とが好ましく、図1,2に示す様に基台11を角柱状と
することによって、実装性を向上させることができ、素
子の転がり等を防止できる等の効果を有する。また、基
台11を角柱状とする中でも特に四角柱状とすることが
非常に実装性や、素子の回路基板上での位置決めを容易
にする。更に、基台11を角柱状とすることによって構
造が非常に簡単になるので、生産性がよく、しかもコス
ト面が非常に有利になる。
The base 11 is preferably formed in a prismatic or cylindrical shape. By forming the base 11 in a prismatic shape as shown in FIGS. And the like. In addition, among the rectangular bases, the base 11 is particularly preferably formed in a square pillar shape, which greatly facilitates the mounting and the positioning of the element on the circuit board. Further, since the base 11 has a prismatic structure, the structure becomes very simple, so that the productivity is good and the cost is very advantageous.

【0032】また、基台11の形状を円柱状とすること
によって、後述するように基台11上に素子形成膜12
を形成し、その素子形成膜12にレーザ加工等によって
溝13を形成する場合、その溝13の深さなどを精度よ
く形成することができ、特性のばらつきを抑えることが
できる。
Further, by forming the base 11 into a columnar shape, the element formation film 12 is formed on the base 11 as described later.
When the groove 13 is formed in the element forming film 12 by laser processing or the like, the depth and the like of the groove 13 can be formed with high accuracy, and variations in characteristics can be suppressed.

【0033】また、基台11の両端部を除いて、全周に
渡り段差部11zが形成されており、素子部Sはこの段
差部11z中に設けられている。この段差部11zを設
けることで、素子部Sが直接回路基板等と接触して特性
の変化が生じたりするなどの不具合の発生を防止でき
る。なお、回路基板などに工夫が施されたり、或いは、
他の手段にて、素子部Sと回路基板等との接触の危険性
が非常に少ない場合等には、特に段差部11zを設ける
必要はない(図3参照)。なお、段差部を基台11に設
けなくても良い場合には、基台11が非常にシンプルな
構成となり、生産性が良くなり、しかも精度などを向上
させることができる。
Except for both ends of the base 11, a step portion 11z is formed over the entire circumference, and the element portion S is provided in the step portion 11z. By providing the step portion 11z, it is possible to prevent such a problem that the element portion S comes into direct contact with a circuit board or the like to cause a change in characteristics. It should be noted that the circuit board or the like is devised, or
When the risk of contact between the element portion S and the circuit board or the like is extremely small by other means, it is not particularly necessary to provide the step portion 11z (see FIG. 3). When the step portion does not need to be provided on the base 11, the base 11 has a very simple configuration, productivity is improved, and accuracy and the like can be improved.

【0034】また基台11の両端部の断面の形状は、上
述の通り、円形または多角形状とすることが好ましく、
しかも多角形状とする場合には、特に正多角形状とする
ことによって、どの方向に実装しても、特性の変化があ
まりないので好ましい。更に、段差部11zにおける断
面も、同様に、円形または多角形状とすることが好まし
く、しかも多角形状とする場合には、特に正多角形状と
することが好ましい。なお、段差部11zの断面形状と
両端部の断面形状の断面形状は異なった形でも良いし、
同一形状としても良い。
As described above, the cross-sectional shape of both ends of the base 11 is preferably circular or polygonal.
In addition, it is preferable to use a polygonal shape, in particular, a regular polygonal shape, because the characteristics do not change much in any direction. Similarly, the cross section of the step portion 11z is also preferably circular or polygonal, and when it is polygonal, it is particularly preferably regular polygonal. The cross-sectional shape of the step portion 11z and the cross-sectional shape of both end portions may be different from each other,
The shape may be the same.

【0035】基台11の構成材料としては、絶縁材料、
抵抗材料、誘電体材料等を用いることができる。また、
基台11の構成材料として、フェライト等の磁性材料で
構成してもよい。
The constituent material of the base 11 is an insulating material,
A resistance material, a dielectric material, or the like can be used. Also,
The base 11 may be made of a magnetic material such as ferrite.

【0036】なお、本実施の形態では、素子形成膜12
と基台11の接合強度を基台11の表面粗さを調整する
ことによって、向上させたが、例えば、基台11と素子
形成膜12の間に炭素単体,炭素に他の元素を添加した
もの、Cr単体またはCrと他の金属の合金(例えばN
i−Cr等)の少なくとも一方で構成された中間層を設
けることによって、表面粗さを調整せずとも素子形成膜
12と基台11の密着強度を向上させることができる。
In this embodiment, the element forming film 12
The surface strength of the base 11 was adjusted by adjusting the surface roughness of the base 11, but, for example, between the base 11 and the element forming film 12, simple carbon or other elements were added to carbon. , Cr alone or an alloy of Cr and another metal (eg, N
By providing an intermediate layer constituted of at least one of i-Cr and the like, the adhesion strength between the element forming film 12 and the base 11 can be improved without adjusting the surface roughness.

【0037】次に素子形成膜12について説明する。Next, the element forming film 12 will be described.

【0038】以下具体的に素子形成膜12について説明
する。
Hereinafter, the element forming film 12 will be specifically described.

【0039】素子形成膜12の構成材料としては、例え
ば所望する電子部品がチップ抵抗器であれば、素子形成
膜12は、炭素などの抵抗材料で構成され、所望する電
子部品がチップインダクタ,チップコンデンサ,チップ
アンテナ等であれば、銅や銅合金,錫,錫合金などの導
電材料が好適に用いられる。
As a constituent material of the element forming film 12, for example, if the desired electronic component is a chip resistor, the element forming film 12 is formed of a resistive material such as carbon, and the desired electronic component is a chip inductor, a chip. For a capacitor, a chip antenna, or the like, a conductive material such as copper, a copper alloy, tin, or a tin alloy is preferably used.

【0040】素子形成膜12は、その構成材料によって
製法も異なるが、例えば、鍍金法,蒸着法やスパッタ法
などの真空薄膜形成技術等によって、素子形成膜12を
直接基台11上に形成しても良い。
Although the manufacturing method of the element forming film 12 differs depending on the constituent material, the element forming film 12 is formed directly on the base 11 by, for example, a plating method, a vacuum thin film forming technique such as a vapor deposition method or a sputtering method. May be.

【0041】更に他の方法としては、基台11上にカー
ボン膜をカーボン焼成法や真空薄膜形成技術によって形
成した後に、そのカーボン膜の上に素子形成膜12を形
成しても良い。特に下地膜としてカーボンを用いること
で、素子形成膜12と基台11との密着強度などを向上
させることができ、素子形成膜12等の剥がれを防止で
きる。
As still another method, after a carbon film is formed on the base 11 by a carbon baking method or a vacuum thin film forming technique, the element forming film 12 may be formed on the carbon film. In particular, by using carbon as the base film, the adhesion strength between the element formation film 12 and the base 11 can be improved, and peeling of the element formation film 12 and the like can be prevented.

【0042】なお、素子形成膜12の膜厚としては、1
〜50μm(好ましくは2μm〜20μm)とすること
が良く、素子形成膜12の膜厚が1μmより小さいと、
高周波電流が流れるのに必要な表皮深さを十分に確保で
きなくなったり、DCRが高くなり特性が悪くなり、5
0μmより大きいと表皮深さは、十分に確保できるが生
産性が悪くなるばかりか、ヒートショックなどの耐環境
性能の劣化を招く。
The thickness of the element forming film 12 is 1
To 50 μm (preferably 2 μm to 20 μm), and when the film thickness of the element forming film 12 is smaller than 1 μm,
The skin depth required for high-frequency current to flow cannot be sufficiently secured, or the DCR becomes high, resulting in poor characteristics.
If it is larger than 0 μm, the skin depth can be sufficiently ensured, but not only does the productivity deteriorate, but also the environmental resistance such as heat shock deteriorates.

【0043】素子部Sについて各チップ部品における構
成について説明する。
The structure of the element part S in each chip component will be described.

【0044】まず、チップ抵抗器の場合を説明する。First, the case of a chip resistor will be described.

【0045】この場合には、素子形成膜12を好ましく
は抵抗材料で構成し、図2,図3に示す様に溝13を基
台11の全側面に渡ってスパイラル状に設けることで、
巻軸が基台11の端面と交差するようなスパイラル状の
素子形成膜12を形成し、素子部Sとする。この様に構
成することで、例えば、スパイラル状の素子形成膜12
の幅や形成長さ等を調整することで、チップ抵抗器の抵
抗値を調整できる。また、溝13を設けなくても、所定
の抵抗値を得ることができるのであれば、特に溝13を
設ける必要はない。更に、素子形成膜12に円形状の孔
を設け、その孔の数を調整することで抵抗値を調整して
も良い。
In this case, the element forming film 12 is preferably made of a resistance material, and the groove 13 is provided spirally over the entire side surface of the base 11 as shown in FIGS.
A spiral element forming film 12 whose winding axis intersects with the end face of the base 11 is formed to be an element portion S. With such a configuration, for example, the spiral element forming film 12
The resistance value of the chip resistor can be adjusted by adjusting the width, the formation length, and the like of the chip resistor. Further, as long as a predetermined resistance value can be obtained without providing the groove 13, it is not particularly necessary to provide the groove 13. Further, a resistance value may be adjusted by providing a circular hole in the element forming film 12 and adjusting the number of the holes.

【0046】次にチップインダクタについて説明する。Next, the chip inductor will be described.

【0047】この場合には、素子形成膜12を銅或いは
銅合金等の導電材料で構成し、図2,図3に示す様に溝
13を基台11の全側面に渡ってスパイラル状に設ける
ことで、巻軸が基台11の端面と交差するようなスパイ
ラル状の素子形成膜12を形成し、素子部Sとする。こ
の様に構成することで、例えば、スパイラル状の素子形
成膜12の幅や形成長さ等を調整することで、チップイ
ンダクタのインダクタンス値等を調整することができ
る。
In this case, the element forming film 12 is made of a conductive material such as copper or a copper alloy, and the groove 13 is provided spirally over the entire side surface of the base 11 as shown in FIGS. Thus, a spiral element forming film 12 in which the winding axis intersects the end face of the base 11 is formed, and the element portion S is formed. With such a configuration, for example, the inductance value of the chip inductor can be adjusted by adjusting the width, the formation length, and the like of the spiral element formation film 12.

【0048】次にチップアンテナについて説明する。Next, the chip antenna will be described.

【0049】この場合には、素子形成膜12を銅或いは
銅合金等の導電材料で構成し、図2,図3に示す様に溝
13を基台11の全側面に渡ってスパイラル状に設ける
ことで、巻軸が基台11の端面と交差するようなスパイ
ラル状の素子形成膜12を形成し、素子部Sとする。こ
の様に構成することで、例えば、スパイラル状の素子形
成膜12の幅や形成長さ等を調整することで、チップア
ンテナの周波数特性等を調整することができる。また、
端子部16,17の一方を給電部として回路基板上に実
装される。
In this case, the element forming film 12 is made of a conductive material such as copper or a copper alloy, and the grooves 13 are provided spirally over the entire side surface of the base 11 as shown in FIGS. Thus, a spiral element forming film 12 in which the winding axis intersects the end face of the base 11 is formed, and the element portion S is formed. With such a configuration, for example, the frequency characteristics and the like of the chip antenna can be adjusted by adjusting the width and the formation length of the spiral element forming film 12. Also,
One of the terminal portions 16 and 17 is mounted on a circuit board as a power supply portion.

【0050】次に、チップコンデンサについて説明す
る。
Next, the chip capacitor will be described.

【0051】この場合には、素子形成膜12を銅或いは
銅合金等の導電材料で構成し、図4に示す様に、環状で
連続した溝13を素子形成膜12に設けることで、端子
部16側と端子部17側の素子形成膜12を電気的に分
離させて素子部Sとする。この様に構成することで、分
離された素子形成膜12間で容量を得ることができ、そ
の溝13の幅や深さを調整することで、容量調整を行う
ことができる。
In this case, the element forming film 12 is made of a conductive material such as copper or a copper alloy, and a ring-shaped continuous groove 13 is provided in the element forming film 12 as shown in FIG. The element forming film 12 on the 16 side and the terminal section 17 side is electrically separated to form an element section S. With such a configuration, a capacitance can be obtained between the separated element forming films 12, and the capacitance can be adjusted by adjusting the width and depth of the groove 13.

【0052】次にセラミック膜14について説明する。Next, the ceramic film 14 will be described.

【0053】セラミック膜14としては、アルミナ膜が
好適に用いられる。アルミナ膜は非常に堅く、しかも耐
候性に富んでおり、しかも非常に密着性が良い。また、
アルミナ膜で構成する場合には、膜厚は0.05μm〜
1.1μm程度の厚さで構成することが好ましい。0.
05μm以下であると、十分な耐候性は得られ難く、
1.1μm以上であると、アルミナ膜が剥離しやすい。
As the ceramic film 14, an alumina film is preferably used. The alumina film is very hard, has excellent weather resistance, and has very good adhesion. Also,
When composed of an alumina film, the thickness is 0.05 μm or more.
It is preferable that the thickness is about 1.1 μm. 0.
If it is less than 05 μm, it is difficult to obtain sufficient weather resistance,
When the thickness is 1.1 μm or more, the alumina film is easily peeled.

【0054】アルミナ膜を形成する方法としては、ま
ず、端子部16,17となる素子形成膜12部分を除
き、しかも少なくとも素子部S上に水酸化アルミニウム
ゾル水溶液をディッピング法などで塗布する。この時、
アルミナ膜を所望の膜厚にするには、水酸化アルミニウ
ムゾル中のアルミナ分を調整することで実現可能であ
る。すなわち、塗布する水酸化アルミニウムゾル中のア
ルミナ分を少なくすれば、薄いアルミナ膜を構成するこ
とができ、濃くすれば厚いアルミナ膜を形成できる。
As a method for forming an alumina film, first, an aluminum hydroxide sol aqueous solution is applied by a dipping method or the like on at least the element portion S except for the element forming film 12 to be the terminal portions 16 and 17. At this time,
The desired thickness of the alumina film can be realized by adjusting the alumina content in the aluminum hydroxide sol. That is, a thin alumina film can be formed by reducing the amount of alumina in the aluminum hydroxide sol to be applied, and a thick alumina film can be formed by increasing the concentration.

【0055】例えば、アルミナ膜の厚さを上述の範囲に
設定する場合には、アルミナ分としては、0.8wt%
〜8wt%程度とすることが好ましい。なお、具体的な
水酸化アルミナゾルとしては、例えば商品名(日産化学
製 アルミナゾル 100)等を用いることができる。
For example, when the thickness of the alumina film is set in the above range, the alumina content is 0.8 wt%.
Preferably, the content is about 8 wt%. In addition, as a specific alumina hydroxide sol, for example, a trade name (alumina sol 100 manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) or the like can be used.

【0056】水酸化アルミナゾルを塗布した後に、例え
ば、0.5〜10時間ほど乾燥させ、300℃〜550
℃の間で30分間熱処理して、アルミナ膜を形成する。
After the application of the alumina sol, the coating is dried, for example, for about 0.5 to 10 hours.
Heat treatment is performed at a temperature of 30 ° C. for 30 minutes to form an alumina film.

【0057】なお、特に基台11をアルミナ単体或いは
アルミナを主成分とする材料で構成した場合に、基台1
1とセラミック膜14は、非常に近似した熱膨張係数を
有するので、応力によってアルミナ膜が剥がれたりする
ことは、非常に少なくなる。
In particular, when the base 11 is made of alumina alone or a material containing alumina as a main component, the base 1
1 and the ceramic film 14 have very similar coefficients of thermal expansion, so that the alumina film is very unlikely to be peeled off by stress.

【0058】すなわち、基台11の構成材料とセラミッ
ク膜14の構成材料を同等にするか或いは非常に近似し
た組成とすることで、例えば、溝13から表出した基台
11とセラミック膜14が強固に密着し、しかも熱膨張
係数の違いによる応力の蓄積などを緩和させることがで
きる。
That is, by making the constituent material of the base 11 and the constituent material of the ceramic film 14 equal or very similar, for example, the base 11 and the ceramic film 14 exposed from the groove 13 are formed. It can firmly adhere and can alleviate the accumulation of stress due to the difference in thermal expansion coefficient.

【0059】なお、材料の相性に等によって、素子形成
膜12上にセラミック膜14が形成されにくい場合に
は、図示していないが、まず、セラミック膜14を形成
しようとする部分にゾルゲル法等を用いて酸化チタン
(光触媒で有名)膜を0.1μm〜数μm形成した後
に、上述の様に例えばアルミナ膜などのセラミック膜1
4を形成することで、素子形成膜12上にも強固にセラ
ミック膜14を形成できる。なお、この場合には、酸化
チタン膜は密着強化層としての作用を有する。
In the case where the ceramic film 14 is difficult to be formed on the element forming film 12 due to the compatibility of the materials and the like, although not shown, first, a sol-gel method or the like is applied to the portion where the ceramic film 14 is to be formed. After a titanium oxide (famous for photocatalyst) film is formed in a thickness of 0.1 μm to several μm by using a ceramic film 1 such as an alumina film as described above,
By forming 4, the ceramic film 14 can be firmly formed on the element forming film 12. In this case, the titanium oxide film has a function as an adhesion reinforcing layer.

【0060】次に保護材15について説明する。Next, the protective member 15 will be described.

【0061】保護材15は、必要に応じて設けられる。
すなわち、耐候性については、保護材15が設けられて
いるので、十分であるので、仕様などによっては保護材
15は設けなくても良い。
The protection member 15 is provided as needed.
In other words, the weather resistance is sufficient since the protective material 15 is provided, so that the protective material 15 may not be provided depending on specifications and the like.

【0062】また、時には素子部Sと回路基板などとの
絶縁性を確保する等の目的で、薄い保護材15を設けて
も良い。上述の通り、素子部S上にはセラミック膜14
が設けられているので、耐候性には問題はなく、従来の
様に、均一でしかも厚さの厚い保護材15を設けなくて
も良いので、生産性が向上する。
In some cases, a thin protective material 15 may be provided for the purpose of ensuring insulation between the element portion S and a circuit board or the like. As described above, the ceramic film 14 is formed on the element portion S.
Is provided, there is no problem in weather resistance, and it is not necessary to provide a uniform and thick protective material 15 as in the related art, so that productivity is improved.

【0063】また、実装機のノズルで吸着して実装する
場合に、ノズルが当接する表面がセラミック膜14であ
る場合には、吸着ミスが発生する可能性があるので、保
護材15を比較的薄く形成させていくことで、吸着ミス
を大幅に低減させることができる。
In the case of mounting by suction with the nozzle of the mounting machine, if the surface in contact with the nozzle is the ceramic film 14, a suction error may occur. By making the film thin, it is possible to significantly reduce suction errors.

【0064】更に、保護材15を設けることで、保護材
15から露出した部分を端子部16,17とすることが
でき、端子部16,17を明確にすることができるの
で、実装の際に精度を向上させることができる。なお、
特に、チップアンテナの場合、端子部16,17のいず
れかを給電部としなければならないので、この様に、保
護材15を設けることで、給電部となる位置(端子部1
6,17と素子部Sとの距離)を統一しておくことで、
実装の際に特性のバラツキの小さなチップアンテナを得
ることができる。
Further, by providing the protective material 15, the portions exposed from the protective material 15 can be used as the terminal portions 16 and 17, and the terminal portions 16 and 17 can be clarified. Accuracy can be improved. In addition,
In particular, in the case of a chip antenna, one of the terminal portions 16 and 17 must be used as a power supply portion. Thus, by providing the protective material 15 in this manner, the position (terminal portion 1) that becomes the power supply portion is provided.
By unifying the distance between 6, 17 and the element section S),
At the time of mounting, a chip antenna with small variations in characteristics can be obtained.

【0065】保護材15としては、エポキシ樹脂などを
塗布する方法や、カチオン塗料などを電着法で形成する
方法、すなわち、保護材15の上に電着樹脂膜を形成す
る方法などが好適に用いられる。
As the protective material 15, a method of applying an epoxy resin or the like, a method of forming a cationic paint or the like by an electrodeposition method, that is, a method of forming an electrodeposited resin film on the protective material 15 is preferably used. Used.

【0066】次に端子部16,17について説明する。Next, the terminal portions 16 and 17 will be described.

【0067】端子部16,17としては、半田などとの
接合性が良い材料で素子形成膜12を形成した場合に
は、素子形成膜12そのものを用いても良いし、端子部
16,17となる素子形成膜12上に、Ni,Ni合金
等の導電性を有し耐食性を有する耐食層を設け、その耐
食性の上に、半田,Sn単体,Sn合金(但し鉛合金は
除く)等の接合層を積層して端子部16,17としても
良い。なお、耐食層及び接合層の内、少なくとも接合は
必要となる。また、Sn単体,Sn合金(但し鉛合金は
除く)等の接合層を用いることで、鉛フリーの電子部品
を得ることができる。
In the case where the element forming film 12 is formed of a material having a good bonding property with solder or the like, the element forming film 12 itself may be used as the terminal portions 16 and 17. A conductive corrosion-resistant layer such as Ni or a Ni alloy is provided on the element forming film 12 and has a corrosion resistance. The terminals 16 and 17 may be formed by laminating layers. In addition, at least bonding is required among the corrosion resistant layer and the bonding layer. In addition, a lead-free electronic component can be obtained by using a bonding layer such as Sn alone or a Sn alloy (excluding a lead alloy).

【0068】また、少なくとも、端子部16,17の全
側面に保護材15を設けることによって、実装の際の方
向性を無くすことができる。すなわち、端子部16,1
7のそれぞれの対向する端面には保護無く保護材15や
素子形成膜12等は設けても設けなくても良い。
Further, by providing the protective members 15 on at least all side surfaces of the terminal portions 16 and 17, the directionality at the time of mounting can be eliminated. That is, the terminal portions 16 and 1
The protection member 15 and the element forming film 12 may be provided or not provided on each of the opposing end surfaces of 7 without protection.

【0069】以上の様に構成された電子部品について、
以下その製造方法について説明する。
With respect to the electronic component configured as described above,
Hereinafter, the manufacturing method will be described.

【0070】まず、アルミナ等の絶縁材料をプレス成形
や押し出し法によって、基台11を作製する。次にその
基台11全体(或いは端面を除く全側面)にメッキ法や
スパッタリング法などによって素子形成膜12もしく
は、溝13等を形成して、素子部Sを基台11の側面上
に形成する。チップ抵抗器,チップインダクタ,チップ
アンテナの場合には好ましくはスパイラル状の素子形成
膜12が設けられた素子部Sであり、チップコンデンサ
の場合には、環状で左右の素子形成膜12を分離するよ
うに設けた素子部Sである。フォトレジストなどを用い
ずに、素子形成膜12に溝13を形成する場合には、レ
ーザー加工や砥石による切削加工が好適に用いられる。
First, the base 11 is manufactured by pressing or extruding an insulating material such as alumina. Next, an element forming film 12, a groove 13, or the like is formed on the entire base 11 (or on all side faces excluding the end face) by a plating method, a sputtering method, or the like, and an element portion S is formed on the side surface of the base 11. . In the case of a chip resistor, a chip inductor, or a chip antenna, it is preferably an element portion S provided with a spiral element forming film 12, and in the case of a chip capacitor, a ring-shaped left and right element forming film 12 is separated. The element section S is provided as described above. When the grooves 13 are formed in the element forming film 12 without using a photoresist or the like, laser processing or cutting with a grindstone is preferably used.

【0071】次に、前述の通り、セラミック膜14を塗
布・乾燥・熱処理等を施してセラミック膜14を素子部
S上に形成する。この時、端子部16,17を除いてセ
ラミック膜14は形成される。時には、セラミック膜1
4を素子部S上に形成させる前に、酸化チタン膜などの
密着強化層を形成する。
Next, as described above, the ceramic film 14 is formed on the element portion S by applying, drying, and heat-treating the ceramic film 14. At this time, the ceramic film 14 is formed except for the terminal portions 16 and 17. Sometimes ceramic membrane 1
Before forming 4 on the element portion S, an adhesion strengthening layer such as a titanium oxide film is formed.

【0072】次に、電子部品の仕様等によって、保護材
15を両端を避けて、或いは素子部Sを覆うようにして
設ける。
Next, depending on the specifications of the electronic component, etc., the protective member 15 is provided so as to avoid both ends or to cover the element portion S.

【0073】この様に、基台11の表面に素子部Sを構
成する電子部品において、セラミック膜14を設けるこ
とで、樹脂製の保護材15を全く設けなくても良いかあ
るいは、非常に薄く形成するだけでよいので、従来の様
に、保護材15の膨出部を形成する必要はなく、素子立
ち現象などの発生を防止できる。
As described above, in the electronic component constituting the element portion S on the surface of the base 11, the provision of the ceramic film 14 eliminates the need to provide the resin protective material 15 at all, or makes it extremely thin. Since it is only necessary to form them, it is not necessary to form the bulging portion of the protective material 15 as in the related art, and it is possible to prevent the occurrence of an element standing phenomenon or the like.

【0074】[0074]

【発明の効果】本発明は、基台と、基台の上に設けられ
た素子形成膜と、素子形成膜に溝等を形成して設けられ
た素子部と、基台に設けられた端子部と、素子部上に設
けられたセラミック膜とを備えたことで、樹脂製の保護
材が不要になるか或いは、非常に薄保護材を用いること
ができるので、保護材の膨出部形成を抑制でき、素子立
ち現象を抑え、実装性を向上させることができ、しかも
生産性が向上する。
According to the present invention, there are provided a base, an element forming film provided on the base, an element portion provided by forming a groove or the like in the element forming film, and a terminal provided on the base. And the ceramic film provided on the element portion, the protective material made of resin becomes unnecessary, or a very thin protective material can be used. Can be suppressed, the element standing phenomenon can be suppressed, the mountability can be improved, and the productivity can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態における電子部品を示す
斜視図
FIG. 1 is a perspective view showing an electronic component according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態における電子部品を示す
側断面図
FIG. 2 is a side sectional view showing the electronic component according to the embodiment of the present invention;

【図3】本発明の一実施の形態における電子部品を示す
側断面図
FIG. 3 is a side sectional view showing the electronic component according to the embodiment of the present invention;

【図4】本発明の一実施の形態における電子部品を示す
側断面図
FIG. 4 is a side sectional view showing an electronic component according to one embodiment of the present invention.

【図5】従来の電子部品を示す斜視図FIG. 5 is a perspective view showing a conventional electronic component.

【図6】従来の電子部品を示す側面図FIG. 6 is a side view showing a conventional electronic component.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 基台 11z 段差部 12 素子形成膜 13 溝 14 セラミック膜 15 保護材 16,17 端子部 S 素子部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Base 11z Step part 12 Element formation film 13 Groove 14 Ceramic film 15 Protective material 16, 17 Terminal part S Element part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01Q 1/38 H01G 1/14 C Fターム(参考) 5E028 BB01 CA01 JC06 5E033 AA10 BB03 BD01 5E070 AA01 AB04 CC03 5J046 AA00 AA09 AB00 AB12 PA01──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01Q 1/38 H01G 1/14 CF term (Reference) 5E028 BB01 CA01 JC06 5E033 AA10 BB03 BD01 5E070 AA01 AB04 CC03 5J046 AA00 AA09 AB00 AB12 PA01

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基台と、前記基台の上に設けられた素子形
成膜と、前記素子形成膜に溝等を形成して設けられた素
子部と、前記基台に設けられた端子部と、前記素子部上
に設けられたセラミック膜とを備えたことを特徴とする
電子部品。
1. A base, an element forming film provided on the base, an element part formed by forming a groove or the like in the element forming film, and a terminal part provided on the base And a ceramic film provided on the element section.
【請求項2】セラミック膜の構成材料と基台の構成材料
を同一とするかもしくは主成分を同一としたことを特徴
とする請求項1記載の電子部品。
2. The electronic component according to claim 1, wherein the constituent material of the ceramic film and the constituent material of the base are the same or the main components are the same.
【請求項3】セラミック膜としてアルミナ膜を設けたこ
とを特徴とする請求項1記載の電子部品。
3. The electronic component according to claim 1, wherein an alumina film is provided as the ceramic film.
【請求項4】セラミック層を形成する前に、素子部上に
密着強化層を設けたことを特徴とする請求項1記載の電
子部品。
4. The electronic component according to claim 1, wherein an adhesion strengthening layer is provided on the element portion before forming the ceramic layer.
【請求項5】密着強化層として酸化チタン膜を用いたこ
とを特徴とする請求項4記載の電子部品。
5. The electronic component according to claim 4, wherein a titanium oxide film is used as the adhesion reinforcing layer.
【請求項6】基台に全周に渡って段差部を設け、前記段
差部中に素子部を設けたことを特徴とする請求項1記載
の電子部品。
6. The electronic component according to claim 1, wherein a step portion is provided on the base over the entire circumference, and an element portion is provided in the step portion.
【請求項7】端子部の断面を円形状もしくは略正多角形
状としたことを特徴とする請求項1記載の電子部品。
7. The electronic component according to claim 1, wherein the cross section of the terminal portion has a circular shape or a substantially regular polygonal shape.
【請求項8】基台の両端部上に形成された素子形成膜及
び保護膜を一対の端子部とし、前記一対の端子部の間に
素子部を設けたことを特徴とする請求項1記載の電子部
品。
8. The device according to claim 1, wherein the element forming film and the protective film formed on both ends of the base are a pair of terminals, and the element is provided between the pair of terminals. Electronic components.
【請求項9】素子形成膜を導電材料で構成し、しかも前
記素子形成膜にスパイラル状の溝を形成することで、軸
心が基台の長手方向に沿うようにスパイラル状の素子形
成膜を設けて所定のインダクタンスを形成したことを特
徴とする請求項1記載の電子部品。
9. The element forming film is formed of a conductive material, and a spiral groove is formed in the element forming film so that the spiral element forming film is formed so that the axis thereof is along the longitudinal direction of the base. 2. The electronic component according to claim 1, wherein the electronic component is provided to form a predetermined inductance.
【請求項10】素子形成膜を抵抗材料で構成し、しかも
前記素子形成膜にスパイラル状の溝を形成することで、
軸心が基台の長手方向に沿うようにスパイラル状の素子
形成膜を設けて所定の抵抗値を得ることを特徴とする請
求項1記載の電子部品。
10. An element forming film made of a resistance material, and a spiral groove is formed in said element forming film.
2. The electronic component according to claim 1, wherein a predetermined resistance value is obtained by providing a spiral element forming film such that the axis is along the longitudinal direction of the base.
【請求項11】素子形成膜を導電材料で構成し、しかも
前記素子形成膜に環状溝を形成することで、前記素子形
成膜を分割し、前記分割された素子形成膜間で容量を形
成することを特徴とする請求項1記載の電子部品。
11. An element forming film made of a conductive material, and by forming an annular groove in the element forming film, the element forming film is divided, and a capacitance is formed between the divided element forming films. The electronic component according to claim 1, wherein:
【請求項12】素子形成膜を導電材料で構成し、しかも
前記素子形成膜にスパイラル状の溝を形成することで、
軸心が基台の長手方向に沿うようにスパイラル状の素子
形成膜を設け、端子部を給電部としてアンテナ特性を得
ることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
12. An element forming film is formed of a conductive material, and a spiral groove is formed in said element forming film.
2. The electronic component according to claim 1, wherein a spiral element forming film is provided so that an axis thereof extends along a longitudinal direction of the base, and antenna characteristics are obtained by using a terminal portion as a feeding portion.
【請求項13】セラミック層の上に更に樹脂製の保護材
を設けたことを特徴とする請求項1記載の電子部品。
13. The electronic component according to claim 1, further comprising a resin protective material provided on the ceramic layer.
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