JP2002250708A - Laser measuring instrument - Google Patents

Laser measuring instrument

Info

Publication number
JP2002250708A
JP2002250708A JP2001050968A JP2001050968A JP2002250708A JP 2002250708 A JP2002250708 A JP 2002250708A JP 2001050968 A JP2001050968 A JP 2001050968A JP 2001050968 A JP2001050968 A JP 2001050968A JP 2002250708 A JP2002250708 A JP 2002250708A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
laser
detection
light source
laser light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001050968A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazumasa Motai
和真 馬渡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Corp
Original Assignee
Asahi Kasei Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei Corp filed Critical Asahi Kasei Corp
Priority to JP2001050968A priority Critical patent/JP2002250708A/en
Publication of JP2002250708A publication Critical patent/JP2002250708A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive laser measuring instrument of high accuracy. SOLUTION: The laser measuring instrument is constituted so as to detect the physical or chemical change generated by irradiating a sample with acting beam using detection beam to perform the measurement of the sample and equipped with a beam source 1 for acting beam having a wavelength different from that of the detection beam and capable of being modulated in its output, a beam source 3 for the detection beam constituted of a semiconductor laser emitting means, a detection means 9 for detecting the detection beam and a quantity-of-beam reducing means 5 for reducing the quantity of the acting beam incident on the beam source 3 for the detection beam.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光を用い
て試料の計測を行うレーザー計測装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser measuring apparatus for measuring a sample using a laser beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、光を利用する計測法においては、
高輝度性,高集光性,高指向性などの特徴を生かしてレ
ーザーが光源として頻繁に用いられてきてきた。例え
ば、アルゴンイオンレーザーやヘリウムネオンレーザー
などの希ガスレーザーや、YAGレーザーなどの固体レ
ーザー、また色素レーザーなどがある。特に、最近にお
いては、安価で扱い易いことに加えて、高出力で長寿命
を達成する安定な製造プロセスが確立されてきたことか
ら、ガスレーザーに代わって半導体レーザーが製品に用
いられるようになってきている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a measuring method using light,
Lasers have been frequently used as light sources by taking advantage of features such as high brightness, high light condensing, and high directivity. For example, there are rare gas lasers such as an argon ion laser and a helium neon laser, solid lasers such as a YAG laser, and dye lasers. In particular, semiconductor lasers have recently been used in products instead of gas lasers because stable manufacturing processes that achieve high output and long life have been established in addition to being cheap and easy to handle. Is coming.

【0003】また、半導体レーザーを計測装置に用いる
場合の特徴として、出力を容易にギガヘルツ(GHz)
レベルまでの任意の周波数で変調できることが挙げられ
る。出力を電気的に容易に変調できることは、光を用い
た計測装置においては、光検出器以降の信号処理におい
て、積算平均化などの演算により測定のS/N(Sig
nal−to−Noise ratio)を向上するこ
とができるし、また測定信号から変調周波数と同周期の
成分のみを低ノイズに抽出するロックインアンプなどの
高精度な信号処理を行うことができるので、大きな特徴
となり得る。
[0003] When a semiconductor laser is used in a measuring apparatus, the output is easily gigahertz (GHz).
It can be modulated at any frequency up to the level. The fact that the output can be easily modulated electrically is that in a measuring device using light, in signal processing after a photodetector, the S / N (Sig
nal-to-noise ratio), and high-precision signal processing such as a lock-in amplifier that extracts only components having the same cycle as the modulation frequency from the measurement signal with low noise can be performed. It can be a big feature.

【0004】一般的に計測装置は1つの半導体レーザー
を用いて、測定対象の化学的変化や物理的変化などを計
測することが多いが、2つのレーザーを用いれば、前述
の変調能を活かしてさらに高精度な測定を行うことが可
能となる。このような例として、気体や液体試料の濃度
を高感度に計測する熱レンズ分光分析装置が挙げられ
る。
In general, a measuring device often uses one semiconductor laser to measure a chemical change or a physical change of an object to be measured. However, if two lasers are used, the above-described modulation capability is utilized. Further, highly accurate measurement can be performed. As such an example, there is a thermal lens spectroscopic analyzer that measures the concentration of a gas or liquid sample with high sensitivity.

【0005】レーザーを集光レンズにより集光し測定対
象物に入射した場合、焦点(集光位置)近傍で熱が発生
し、温度上昇が起こる。レーザーの焦点での空間強度分
布は一般にガウス型であるために、その強度分布に比例
して生じる発熱量分布、その結果として生じる温度分布
もガウス型となる。そして、溶媒の屈折率は温度上昇に
より減少するので、屈折率分布は反転ガウス型となる。
この屈折率分布は凹レンズと光学的に等価と見なすこと
ができ、このような屈折率分布を熱レンズという。この
熱レンズ分光分析法は、吸光度法と比べて100倍以上
高感度であるという優れた特徴を備えている(例えば、
Manabu Tokeshi et al., J. Lumin. Vol.83-84, 261-26
4, 1999 )。
When a laser is condensed by a condenser lens and is incident on an object to be measured, heat is generated near a focal point (condensing position), and a temperature rise occurs. Since the spatial intensity distribution at the focus of the laser is generally Gaussian, the calorific value distribution generated in proportion to the intensity distribution and the resulting temperature distribution are also Gaussian. Then, since the refractive index of the solvent decreases as the temperature rises, the refractive index distribution becomes inverted Gaussian.
This refractive index distribution can be regarded as optically equivalent to a concave lens, and such a refractive index distribution is called a thermal lens. This thermal lens spectroscopy has an excellent feature of being 100 times or more more sensitive than the absorbance method (for example,
Manabu Tokeshi et al., J. Lumin.Vol.83-84, 261-26
4, 1999).

【0006】この例においては、測定対象物の波長に合
わせたレーザー光(励起光)をキロヘルツレベルで出力
を変調して試料に入射し、熱レンズを周期的に発生さ
せ、別の波長のレーザー光をこの熱レンズに入射して、
フォトダイオードとロックインアンプにより励起光と同
周期の成分のみを取り出している。このように、ある周
期で変調されたレーザー光(作用光)により系(測定対
象物)に刺激をあたえて物理的変化または化学的変化を
起こし、別の波長のレーザー光(検出光)を用いてその
変化のうちの作用光と同周期成分を測定することは、測
定のバックグラウンドがゼロであることから、ダイナミ
ックレンジを広く取れる高精度で低ノイズな計測法であ
る。
In this example, a laser beam (excitation light) adjusted to the wavelength of an object to be measured has its output modulated at a kilohertz level and is incident on a sample, a thermal lens is periodically generated, and a laser of another wavelength is generated. Light enters this thermal lens,
Only components having the same period as the excitation light are extracted by the photodiode and the lock-in amplifier. In this way, the system (measurement target) is stimulated by the laser light (action light) modulated at a certain cycle to cause a physical change or a chemical change, and the laser light (detection light) of another wavelength is used. Measuring the component having the same period as the action light in the change is a highly accurate and low-noise measurement method capable of obtaining a wide dynamic range since the background of the measurement is zero.

【0007】一方、半導体レーザーを用いてその出力を
最終的にフォトダイオードなどで検出する場合、系から
の戻り光により光の干渉が発生しノイズとなることが一
般的に知られている。この場合、波長板と偏光依存ビー
ムスプリッタを用いて戻り光そのものを減らしたり、高
周波重畳により干渉能を低下させて戻り光によるノイズ
を低減する対策が取られてきた。
On the other hand, it is generally known that when the output is finally detected by a photodiode or the like using a semiconductor laser, light interference occurs due to return light from the system, resulting in noise. In this case, measures have been taken to reduce the return light itself by using a wave plate and a polarization dependent beam splitter, or to reduce the interference due to the return light by lowering the interference capability by high frequency superposition.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】2つの半導体レーザー
で計測装置を構成する場合も、戻り光によるノイズを低
減するために、前述のように、同波長の光が戻らないよ
うな対策が取られるのが通常である。実際に本発明者ら
は、2つの半導体レーザーを用いて、作用光を変調可能
として、熱レンズ分光分析の光学系を構築した。この
時、同波長の戻り光によるノイズを低減するために、戻
り光の対策を施して低ノイズに液体試料の熱レンズ測定
を行うことを試みた。
When a measuring device is constituted by two semiconductor lasers, as described above, measures are taken to prevent light of the same wavelength from returning in order to reduce noise due to return light. Is usually the case. In fact, the present inventors have constructed an optical system for thermal lens spectroscopic analysis by using two semiconductor lasers to modulate working light. At this time, in order to reduce noise due to return light of the same wavelength, an attempt was made to measure the thermal lens of the liquid sample with low noise by taking measures against the return light.

【0009】しかしながら、意図に反して、検出光が半
導体レーザー光である場合、異波長である作用光が検出
光の光源に入射することによって、測定試料を設置して
いない場合でも大きなバックグラウンド信号が発生し
て、測定の精度を低下させることが分かった。従来の熱
レンズ分光分析系においては、励起光と検出光ともにガ
スレーザー光を用いるか、励起光に半導体レーザー光、
検出光にガスレーザー光を用いており、検出光に半導体
レーザー光を用いた例は報告されていない。従って、検
出光の光源である半導体レーザー発光手段に、変調され
た異なる波長のレーザー光が入射すると、大きなバック
グラウンド信号が発生するという前記の問題は、本発明
者が初めて見出した現象である。
However, contrary to the intention, when the detection light is a semiconductor laser light, a large background signal is generated even when the measurement sample is not installed, because the working light having a different wavelength enters the light source of the detection light. Was found to reduce the accuracy of the measurement. In a conventional thermal lens spectroscopic analysis system, gas laser light is used for both excitation light and detection light, or semiconductor laser light,
Gas laser light is used as the detection light, and no example using semiconductor laser light as the detection light has been reported. Therefore, the above-mentioned problem that a large background signal is generated when modulated laser beams having different wavelengths are incident on the semiconductor laser light-emitting means, which is a light source of the detection light, is a phenomenon first discovered by the present inventors.

【0010】なお、入射するレーザー光が変調されてい
る場合にこの現象が発生するが、試料における熱レンズ
効果の生成の有無とは全く無関係の現象であった。ま
た、この現象は、従来から知られている系からの戻り光
により半導体レーザーにおいて光の干渉が起きて発生す
るノイズとは、全く別の現象であった。本発明者は、光
学的フィルターのような、検出光の光源へ入射する励起
光の光量を低減する手段を備えることにより、この問題
を解決できることを見出して、本発明を成した。
Although this phenomenon occurs when the incident laser light is modulated, it is completely unrelated to the presence or absence of the thermal lens effect in the sample. Further, this phenomenon is completely different from noise that occurs when light interference occurs in a semiconductor laser due to return light from a conventionally known system. The present inventors have found that this problem can be solved by providing means for reducing the amount of excitation light incident on the light source of the detection light, such as an optical filter, and made the present invention.

【0011】さらに、本発明者は、熱レンズ分光分析装
置に限らず、2つのレーザーを備えたレーザー計測装置
であれば、この解決手段が広く適用可能であることを見
出して、本発明を完成するに至った。
Further, the present inventor has found that this solution can be widely applied to not only the thermal lens spectroscopic analyzer but also a laser measuring apparatus having two lasers, and completed the present invention. I came to.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】そこで、本発明は次のよ
うな構成からなる。すなわち、本発明に係る請求項1の
レーザー計測装置は、レーザー光を用いて試料の計測を
行うレーザー計測装置であって、半導体レーザー発光手
段で構成された前記レーザー光の光源と、前記レーザー
光を検出する検出手段と、前記レーザー光とは波長が異
なり且つその出力が変調可能な第二のレーザー光の光源
と、前記レーザー光の光源へ入射する前記第二のレーザ
ー光の光量を低減する光量低減手段と、を備えることを
特徴とする。
The present invention has the following configuration. That is, the laser measuring device according to claim 1 of the present invention is a laser measuring device that measures a sample using laser light, wherein the light source of the laser light configured by a semiconductor laser light emitting unit and the laser light A light source for a second laser light having a wavelength different from that of the laser light and whose output can be modulated, and a light amount of the second laser light incident on the light source for the laser light. Light quantity reducing means.

【0013】変調されたレーザー光である前記第二のレ
ーザー光が、前記レーザー光とともにレーザー計測装置
において使用されていると、前記第二のレーザー光が前
記レーザー光の光源へ入射して、前記レーザー光による
前記試料の計測の精度を低下させるおそれがある。しか
しながら、前記レーザー光の光源へ入射する前記第二の
レーザー光の光量を低減する光量低減手段を備えていれ
ば、前記第二のレーザー光の影響を受けることなく、前
記レーザー光を(真の信号のみを)前記検出手段によっ
て検出することが可能である。
When the second laser light, which is a modulated laser light, is used together with the laser light in a laser measuring device, the second laser light enters a light source of the laser light, There is a possibility that the accuracy of the measurement of the sample by the laser light is reduced. However, if a light amount reducing unit that reduces the amount of the second laser light incident on the light source of the laser light is provided, the laser light is not affected by the second laser light (true light). (Only the signal) can be detected by the detection means.

【0014】なお、前記第二のレーザー光の例として
は、前記試料に照射されて物理的変化(後述する光熱変
換現象など)又は化学的変化を生じさせる作用光や、前
記レーザー光とは全く独立に別の計測をする検出光等が
あげられる。また、本発明に係る請求項2記載のレーザ
ー計測装置は、請求項1記載のレーザー計測装置におい
て、前記第二のレーザー光を、前記試料に照射されて物
理的変化又は化学的変化を生じさせる作用光とし、前記
レーザー光を、前記物理的変化又は前記化学的変化を検
知する検出光としたことを特徴とする。
[0014] Examples of the second laser light include an operation light that is irradiated on the sample to cause a physical change (such as a photothermal conversion phenomenon described later) or a chemical change, and the laser light is completely different from the laser light. Detection light or the like that performs another measurement independently. Further, in the laser measuring device according to claim 2 of the present invention, in the laser measuring device according to claim 1, the sample is irradiated with the second laser light to cause a physical change or a chemical change. The laser light may be detection light for detecting the physical change or the chemical change.

【0015】このような構成であれば、前記第二のレー
ザー光(作用光)の出力が変調されていることにより、
前記物理的変化または前記化学的変化が周期変化となる
ので、前記レーザー光(検出光)の出力もその作用によ
り同周期で変調されることにより、検出手段からの電気
的出力のS/Nを、積算などの信号処理により高めるこ
とができる。
With such a configuration, the output of the second laser light (working light) is modulated,
Since the physical change or the chemical change is a periodic change, the output of the laser light (detection light) is also modulated in the same cycle by the action, thereby reducing the S / N of the electrical output from the detection means. , Can be increased by signal processing such as integration.

【0016】また、前記レーザー光の光源へ入射する変
調された作用光の光量を低減する光量低減手段を備えて
いるので、検出手段において、試料がないにも係わらず
発生するバックグラウンド信号を低減し、測定精度を高
めることができる。なお、物理的変化および化学的変化
は、反射,屈折,散乱,偏光面の回転など、検出光に対
して何らかの光学的作用を及ぼす変化であれば、本発明
はそれらのすべてのレーザー計測装置において有効であ
る。特に有用な応用例としては、試料が作用光を吸収し
て熱を発生し、熱膨張により屈折率を変えて検出光の光
路を変化させ、その変化の度合いから試料の濃度などを
高感度に分析する光熱変換分光分析法が挙げられる。ま
た、化学的変化の例としては、アゾベンゼンなどの系に
見られるように、ある波長の作用光の照射により光異性
化を起こす例がある。この場合、光異性化による吸光度
の変化を検出光により計測すればよい。
In addition, since the light quantity reducing means for reducing the quantity of the modulated working light incident on the light source of the laser light is provided, the detection means can reduce the background signal generated despite the absence of the sample. In addition, measurement accuracy can be improved. In addition, the present invention is applicable to all the laser measurement devices as long as the physical change and the chemical change are changes that have some optical effect on the detection light, such as reflection, refraction, scattering, rotation of the polarization plane, and the like. It is valid. As a particularly useful application example, the sample absorbs the action light to generate heat, changes the refractive index by thermal expansion, changes the optical path of the detection light, and changes the sample concentration etc. with high sensitivity based on the degree of the change. Photothermal conversion spectroscopy to be analyzed. Further, as an example of a chemical change, there is an example in which photoisomerization is caused by irradiation of a working light having a certain wavelength as seen in a system such as azobenzene. In this case, the change in absorbance due to photoisomerization may be measured using detection light.

【0017】さらに、本発明に係る請求項3記載のレー
ザー計測装置は、請求項1又は2記載のレーザー計測装
置において、前記検出手段を同期検波手段としたことを
特徴とする。このような構成であれば、前記第二のレー
ザー光の変調周波数と同周期成分のみを低ノイズでかつ
高感度に検出するロックインアンプなどの同期検波手段
を用いることにより、さらに高精度な計測装置とするこ
とができる。
Further, a laser measuring apparatus according to a third aspect of the present invention is the laser measuring apparatus according to the first or second aspect, wherein the detecting means is a synchronous detecting means. With such a configuration, even more accurate measurement can be performed by using a synchronous detection unit such as a lock-in amplifier that detects only components having the same period as the modulation frequency of the second laser light with low noise and high sensitivity. It can be a device.

【0018】さらに、本発明に係る請求項4記載のレー
ザー計測装置は、請求項1〜3のいずれかに記載のレー
ザー計測装置において、前記第二のレーザー光の光源
を、前記レーザー光の光源とは別の半導体レーザー発光
手段で構成したことを特徴とする。このような構成であ
れば、前記レーザー光の光源に加えて第二のレーザー光
の光源も半導体レーザー発光手段としたので、より安価
な計測装置とすることができる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the laser measuring apparatus according to any one of the first to third aspects, the light source of the second laser light is changed to the light source of the laser light. And a semiconductor laser emitting means different from the above. With such a configuration, the light source of the second laser light in addition to the light source of the laser light is also a semiconductor laser light emitting unit, so that a less expensive measuring device can be provided.

【0019】さらに、本発明に係る請求項5記載のレー
ザー計測装置は、請求項1〜4のいずれかに記載のレー
ザー計測装置において、前記光量低減手段を光学的フィ
ルターとしたことを特徴とする。このような構成であれ
ば、前記レーザー光と前記第二のレーザー光が別の波長
であるということを利用して、吸収フィルターや干渉フ
ィルターなどの光学的フィルターにより、前記レーザー
光の光源へ入射する第二のレーザー光の光量を低減する
ことができる。そして、その結果、検出手段におけるバ
ックグラウンド信号を低減して、測定精度を高めること
ができる。
Further, a laser measuring apparatus according to a fifth aspect of the present invention is the laser measuring apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein the light amount reducing means is an optical filter. . With such a configuration, utilizing the fact that the laser light and the second laser light have different wavelengths, the light is incident on the light source of the laser light by an optical filter such as an absorption filter or an interference filter. The amount of the second laser light to be emitted can be reduced. As a result, the background signal in the detection means can be reduced, and the measurement accuracy can be increased.

【0020】さらに、本発明に係る請求項6記載のレー
ザー計測装置は、請求項2〜5のいずれかに記載のレー
ザー計測装置において、前記物理的変化が光熱変換現象
による変化であることを特徴とする。このような構成で
あれば、その特徴である液体試料の濃度の高感度な分析
を行うことが可能となる。また、光熱変換現象を利用し
た計測法は、一般的に波長の異なる2つの別のレーザー
を使用する方が高感度であるので、本発明は高感度であ
るという特徴と、安価で高精度であるという特徴を同時
に備えることが可能となる。
Further, the laser measuring device according to claim 6 of the present invention is characterized in that, in the laser measuring device according to any one of claims 2 to 5, the physical change is a change due to a photothermal conversion phenomenon. And With such a configuration, it is possible to perform a highly sensitive analysis of the characteristic of the concentration of the liquid sample. In addition, since the measurement method using the photothermal conversion phenomenon generally has higher sensitivity when two different lasers having different wavelengths are used, the present invention has the feature of high sensitivity, and is inexpensive and highly accurate. It is possible to simultaneously have the feature of being.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】本発明に係るレーザー計測装置の
実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。図
1は、本発明の一実施形態であるレーザー計測装置の構
成を説明する構成図である。なお、本実施形態は本発明
の一例を示したものであって、本発明は本実施形態に限
定されるものではない。また、本実施形態では、第二の
レーザー光は試料に物理的または化学的変化を起こす作
用光の場合について説明する。さらに、計測する物理的
変化および化学的変化については、本実施形態において
は限定しておらず、本発明の効果を実施する最小限の構
成とした。もしも、特定の物理的変化および化学的変化
を計測する場合には、必要な光学部品などを本実施形態
に付け足せばよい。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the laser measuring apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram illustrating a configuration of a laser measurement device according to one embodiment of the present invention. Note that the present embodiment is an example of the present invention, and the present invention is not limited to the present embodiment. In the present embodiment, a case will be described in which the second laser light is a working light that causes a physical or chemical change in the sample. Further, the physical change and the chemical change to be measured are not limited in the present embodiment, and have a minimum configuration for implementing the effects of the present invention. If a specific physical change or chemical change is to be measured, necessary optical components and the like may be added to this embodiment.

【0022】作用光の光源1には、安価であることから
半導体レーザー発光手段を使用することが望ましい。半
導体レーザー発光手段であれば、外部から電気的変調信
号を入力するだけで、簡便に出力を変調することが可能
となる。図示しないが、半導体レーザー発光手段の制御
は、出力制御型でも電流制御型でも構わない。さらに、
戻り光によるノイズの対策として、100MHzレベル
の高周波を重畳させていることが望ましい。また、作用
光の光源1の波長は、試料にどのような物理的変化およ
び化学的変化を起こすかによって、その変化が大きくな
るような波長を選べばよい。なお、光熱変換現象を起こ
す場合には、試料の吸収を利用するので、試料の吸収が
なるべく大きくなるような波長を選択することが望まし
い。
As the light source 1 for the working light, it is desirable to use a semiconductor laser emitting means because it is inexpensive. In the case of a semiconductor laser light emitting means, the output can be easily modulated simply by inputting an electric modulation signal from the outside. Although not shown, the control of the semiconductor laser light emitting means may be an output control type or a current control type. further,
As a countermeasure against noise due to return light, it is desirable to superimpose a high frequency of 100 MHz level. Further, the wavelength of the working light source 1 may be selected such that the change becomes large depending on what physical change and chemical change occur in the sample. When the photothermal conversion phenomenon occurs, the absorption of the sample is used, so that it is desirable to select a wavelength that maximizes the absorption of the sample.

【0023】作用光の光源1に半導体レーザー発光手段
を使用する場合、通常その出力光は発散光であるため
に、それを平行光に近づけるコリメータレンズ2を用い
ることが望ましい。コリメータレンズ2は正の焦点距離
を有するものであればよく、例えば凸レンズや屈折率分
布を持ったGRINレンズなどを用いてもよい。また、
波長の精度が必要な場合には、別の種類の半導体レーザ
ーとして、共振器の中に回折格子を刻んだ分布帰還(D
FB)型や分布反射(DBR)型が、スペクトル幅を狭
くでき、且つ波長を安定化することができるので望まし
い。
When a semiconductor laser light emitting means is used as the light source 1 for the working light, the output light is usually divergent light, and therefore it is desirable to use a collimator lens 2 for making it closer to parallel light. The collimator lens 2 only needs to have a positive focal length, and for example, a convex lens or a GRIN lens having a refractive index distribution may be used. Also,
When wavelength accuracy is required, another type of semiconductor laser, distributed feedback (D
The FB) type and the distributed reflection (DBR) type are preferable because the spectral width can be narrowed and the wavelength can be stabilized.

【0024】なお、作用光の光源1は特に半導体レーザ
ー発光手段に限定されず、ガスレーザーや固体レーザ
ー、もしくは色素レーザーなどを用いても良い。この場
合、電気的に変調することができないため、光路中にチ
ョッパーなどの機械的変調手段を用いることになる。ま
た、この場合は、出力光は平行光に近いので、コリメー
タレンズ2を除いても構わない。
The light source 1 of the working light is not particularly limited to a semiconductor laser light emitting means, but may be a gas laser, a solid laser, a dye laser or the like. In this case, since electrical modulation is not possible, mechanical modulation means such as a chopper is used in the optical path. In this case, since the output light is close to parallel light, the collimator lens 2 may be omitted.

【0025】検出光の光源3に用いる半導体レーザー発
光手段は、励起光と波長が異なれば特に問題なく使用す
ることができる。その制御は、出力制御型でも電流制御
型でも構わない。作用光の光源1と同様に、戻り光のノ
イズを低減するために高周波を重畳させていることが望
ましい。また、波長の精度が必要な場合には、別の種類
の半導体レーザーとして、共振器の中に回折格子を刻ん
だ分布帰還(DFB)型や分布反射(DBR)型が、ス
ペクトル幅を狭くでき、且つ波長を安定化することがで
きるので望ましい。
The semiconductor laser light emitting means used as the light source 3 for the detection light can be used without any problem as long as the wavelength is different from that of the excitation light. The control may be an output control type or a current control type. Like the light source 1 for the working light, it is desirable to superimpose a high frequency to reduce the noise of the return light. When wavelength accuracy is required, a distributed feedback (DFB) type or a distributed reflection (DBR) type in which a diffraction grating is formed in a resonator as another type of semiconductor laser can reduce the spectral width. It is desirable because the wavelength can be stabilized.

【0026】また、検出光の光源3は半導体レーザー発
光手段であるため、コリメータレンズ4を使用し平行光
に近づけることが望ましい。コリメータレンズ4につい
ては、正の焦点距離を有するものであればよく、例えば
凸レンズや屈折率分布を持ったGRINレンズなどを用
いてもよい。これら作用光と検出光を同軸にするため
に、ビームスプリッタ6を用いた。ビームスプリッタ6
は、作用光と検出光の波長の違いを利用して同軸にする
ものでも良いし、偏光面の違いを利用して同軸にするも
のでもよい。なお、ビームスプリッタ6は、作用光に対
する反射率がなるべく高く、必要な場合には検出光に対
しても透過率が高い方が望ましい。なお、本実施形態に
おいては、作用光と検出光を同軸にしているが、特に限
定されるものではなく、交差させて試料セル7に入射さ
せてもよいし、対向させても構わない。
Further, since the light source 3 of the detection light is a semiconductor laser light emitting means, it is desirable to use a collimator lens 4 to make the light close to parallel light. The collimator lens 4 only needs to have a positive focal length, and for example, a convex lens or a GRIN lens having a refractive index distribution may be used. The beam splitter 6 was used to make the working light and the detection light coaxial. Beam splitter 6
May be made coaxial by using the difference in the wavelength of the working light and the detection light, or may be made coaxial by using the difference in the polarization plane. It is desirable that the beam splitter 6 has as high a reflectivity as possible with respect to the working light and, if necessary, a high transmittance with respect to the detection light. In the present embodiment, the working light and the detection light are made coaxial. However, the present invention is not limited to this. The light may intersect and be incident on the sample cell 7 or may face each other.

【0027】以上の様に、作用光の光源1をある周波数
で変調し、その変調された作用光が半導体レーザー発光
手段である検出光の光源3に入射する場合、検出手段9
において試料セル7がないにも係わらず、バックグラウ
ンド信号が発生し測定の精度を著しく低下させることを
見出した。この入射は、構成される光学部品表面からの
反射光によることもあるし、散乱光による迷光なども考
えられる。
As described above, when the working light source 1 is modulated at a certain frequency and the modulated working light is incident on the detection light source 3 which is a semiconductor laser light emitting means, the detecting means 9
It was found that, despite the absence of the sample cell 7, a background signal was generated and the accuracy of the measurement was significantly reduced. This incidence may be due to light reflected from the surface of the configured optical component, or stray light due to scattered light.

【0028】このように、検出光の光源3へ入射する作
用光の光量を低減する光量低減手段5を備えることが、
測定精度を高める上で非常に重要なポイントとなる。こ
の光量低減手段5には、作用光と検出光の波長が違うこ
とを利用して光学的フィルターが用いられる。光学的フ
ィルターには、作用光の光だけを吸収する吸収フィルタ
ーを用いることができる。この場合、吸収フィルターは
作用光の光をなるべくカットし、もしも検出光の出力を
落としたくない場合には、検出光をなるべく透過するも
のが望ましい。
As described above, the provision of the light amount reducing means 5 for reducing the amount of the working light incident on the light source 3 of the detection light is provided.
This is a very important point in improving measurement accuracy. An optical filter is used as the light amount reducing unit 5 by utilizing the fact that the wavelengths of the working light and the detection light are different. As the optical filter, an absorption filter that absorbs only the working light can be used. In this case, the absorption filter cuts the light of the working light as much as possible, and if it is desired not to reduce the output of the detection light, it is desirable that the absorption filter transmit the detection light as much as possible.

【0029】また、別の光学的フィルターとして、干渉
フィルターを用いても構わない。この場合、検出光のみ
を選択的に透過させるフィルターを用いることができ、
吸収フィルターと同様に作用光の光をなるべくカット
し、もしも検出光の出力を落としたくない場合には、検
出光をなるべく透過するものが望ましい。試料セル7
は、液体や気体の場合にはガラスや透明樹脂で作られた
セルを用いればよいし、固体の場合にはセルを用いなく
てもよい。物理的変化の現象が光熱変換現象である場合
には、高感度に光の吸収量を測定するので、ガラスや透
明樹脂は作用光の波長における吸収がなるべく小さいこ
とが望ましく、できれば1%以下の吸収率であることが
望ましい。
Further, an interference filter may be used as another optical filter. In this case, a filter that selectively transmits only the detection light can be used,
As in the case of the absorption filter, the light of the working light is cut as much as possible, and if it is desired not to reduce the output of the detection light, it is desirable that the detection light be transmitted as much as possible. Sample cell 7
For a liquid or gas, a cell made of glass or a transparent resin may be used, and for a solid, a cell may not be used. When the physical change phenomenon is a photothermal conversion phenomenon, the amount of light absorption is measured with high sensitivity. Therefore, it is desirable that the absorption of glass or transparent resin at the wavelength of the working light be as small as possible, preferably 1% or less. Desirably, the absorption rate.

【0030】作用光カットフィルター8は、作用光をカ
ットし検出光を選択的に透過させるためのものである。
この作用光カットフィルター8は、光量低減手段5と同
様のフィルターを用いれば問題ない。また、分光器など
の分光手段を用いても構わない。検出手段9には、主に
フォトダイオードが用いられる。フォトダイオードは検
出光の波長に感度があれば問題ないが、検出光の出力が
小さい場合には十分な感度を有することが望ましい。
The working light cut filter 8 is for cutting the working light and selectively transmitting the detection light.
As the working light cut filter 8, there is no problem if a filter similar to the light amount reducing means 5 is used. Further, spectral means such as a spectroscope may be used. A photodiode is mainly used as the detection means 9. There is no problem if the photodiode has sensitivity to the wavelength of the detection light, but it is desirable that the photodiode have sufficient sensitivity when the output of the detection light is small.

【0031】さらに、試料セル7における周期的な物理
的変化および化学的変化による、検出光の周期的な出力
変化を計測するには、検出手段9にオシロスコープやロ
ックインアンプを備えればよい。オシロスコープの場合
には、周期的な波形を積算できるデジタルオシロスコー
プを用いることが望ましい。また、ロックインアンプを
用いれば作用光の変調周波数と同周期の成分を取り出す
ことが可能となるので、低ノイズで高精度な測定が可能
となる。もしも、オシロスコープやロックインアンプで
の感度が不足する場合には、あらかじめアンプなどによ
り電流信号や電圧信号を増幅すればよい。
Further, in order to measure a periodic output change of the detection light due to a periodic physical change and a chemical change in the sample cell 7, the detection means 9 may be provided with an oscilloscope or a lock-in amplifier. In the case of an oscilloscope, it is desirable to use a digital oscilloscope capable of integrating periodic waveforms. In addition, if a lock-in amplifier is used, it is possible to extract a component having the same cycle as the modulation frequency of the working light, so that high-precision measurement with low noise is possible. If the sensitivity of the oscilloscope or the lock-in amplifier is insufficient, the current signal or the voltage signal may be amplified by an amplifier or the like in advance.

【0032】(実施例)次に、本発明に係るレーザー計
測装置を用いた測定を、実施例により詳細に説明する。
図2は本実施例において使用したレーザー計測装置、具
体的には熱レンズ分光分析装置の構成を示す構成図であ
る。なお、図2のレーザー計測装置の構成は、図1のレ
ーザー計測装置の構成とほぼ同様であるので、異なる部
分のみ説明し、同様の部分の説明は省略する。また、図
2においては、図1と同一又は相当する部分には、図1
と同一の符号を付してある。さらに、実施例中に自作の
部品があるが、同等のスペックの市販品を用いても問題
ない。
(Example) Next, measurement using the laser measuring apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to an example.
FIG. 2 is a configuration diagram showing the configuration of the laser measurement device used in the present embodiment, specifically, the configuration of a thermal lens spectrometer. Note that the configuration of the laser measurement device of FIG. 2 is substantially the same as the configuration of the laser measurement device of FIG. 1, and therefore only different portions will be described, and description of the same portions will be omitted. In FIG. 2, the same or corresponding parts as those in FIG.
The same reference numerals are given as. Further, although there are self-made parts in the embodiments, there is no problem even if a commercially available part having the same specifications is used.

【0033】作用光の光源1には、波長635nm、定
格出力30mWの半導体レーザー発光装置(LT051
PS、シャープ株式会社製)を用い、レンズ12の後に
おいて3.5mWとなるように出力を調整した。また、
検出光の光源3には、波長780nm、定格出力50m
Wの半導体レーザー発光装置(ML60114R、三菱
電機株式会社製)を用いた。検出光はレンズ12の後に
おいて3.5mWとなるように出力を調整した。
The light source 1 of the working light includes a semiconductor laser light emitting device (LT051 having a wavelength of 635 nm and a rated output of 30 mW).
(PS, manufactured by Sharp Corporation), and the output was adjusted to 3.5 mW after the lens 12. Also,
The light source 3 of the detection light has a wavelength of 780 nm and a rated output of 50 m.
A W semiconductor laser light emitting device (ML60114R, manufactured by Mitsubishi Electric Corporation) was used. The output of the detection light was adjusted to be 3.5 mW after the lens 12.

【0034】これら半導体レーザーは、図示しない市販
のLDドライバー(ALP−6323CA、旭データシ
ステムズ社製)により、出力制御および電流制御できる
ようにした。LDドライバは、同じく図示しないPCI
カード(NIPCI−6025E、ナショナルインスツ
ルメンツ社製)を介してパーソナルコンピュータにつな
がっており、半導体レーザーの出力や電流、変調周波数
はパーソナルコンピュータから設定できるようにした。
また、励起光の変調周波数は約1kHzとした。さら
に、作用光および検出光とも350MHzの高周波を重
畳し、戻り光による影響を小さくした。
The output and current of these semiconductor lasers can be controlled by a commercially available LD driver (ALP-6323CA, manufactured by Asahi Data Systems) not shown. The LD driver is a PCI (not shown)
It is connected to a personal computer via a card (NIPCI-6025E, manufactured by National Instruments), and the output, current, and modulation frequency of the semiconductor laser can be set from the personal computer.
The modulation frequency of the excitation light was set to about 1 kHz. Further, a high frequency of 350 MHz was superimposed on both the operation light and the detection light to reduce the influence of the return light.

【0035】作用光用のコリメータレンズ2には、開口
数0.34、焦点距離8mmの自作のレンズを用いた。
そして、プローブ光用コリメータレンズ4には、開口数
0.39、焦点距離7mmの自作のレンズを用いた。さ
らに、作用光と検出光を同軸にするためのビームスプリ
ッタ6には、p偏光に対する透過率が100%であり、
s偏光に対する反射率が100%である自作の偏光依存
ビームスプリッタを用いた。なお、この場合、作用光は
s偏光に、検出光はp偏光となっているため、このビー
ムスプリッタにおけるパワーロスはほぼ0となってい
る。
As the collimator lens 2 for working light, a self-made lens having a numerical aperture of 0.34 and a focal length of 8 mm was used.
As the collimator lens 4 for probe light, a self-made lens having a numerical aperture of 0.39 and a focal length of 7 mm was used. Further, the beam splitter 6 for making the working light and the detection light coaxial has a transmittance for p-polarized light of 100%,
A self-made polarization dependent beam splitter having a reflectance of 100% for s-polarized light was used. In this case, since the working light is s-polarized light and the detection light is p-polarized, the power loss in this beam splitter is almost zero.

【0036】また、4分の1波長板11(02WRM0
19、メレスグリオ社製)を用い、戻り光の偏光面を9
0度変えることで、前述のビームスプリッタ6との組み
合わせで、同波長の戻り光を100分の1に低減した。
さらに、集光レンズ12には、開口数0.4、焦点距離
4.5mm(350022、GELTECH社製)を用
いた。
The quarter wave plate 11 (02WRM0)
19, manufactured by Meles Griot) and the polarization plane of the return light is 9
By changing the angle by 0 degrees, the return light of the same wavelength was reduced to 1/100 in combination with the beam splitter 6 described above.
Further, as the condenser lens 12, a numerical aperture of 0.4 and a focal length of 4.5 mm (350022, manufactured by GELTECH) were used.

【0037】さらに、受光レンズ13には、集光レンズ
12と同様のものを用いた。なお、試料を使用しないた
め、本実施例では試料セル7については記していない。
さらに、絞り14には、口径が0.8mmから25mm
まで調整可能なアイリス絞り(BJ35110、エドモ
ンドサイエンティフィック・ジャパン株式会社製)を用
いた。
Further, the same light receiving lens 13 as the condenser lens 12 was used. In this embodiment, the sample cell 7 is not described because no sample is used.
Further, the aperture 14 has a diameter of 0.8 mm to 25 mm.
An iris diaphragm (BJ35110, manufactured by Edmund Scientific Japan KK) that can be adjusted to a maximum is used.

【0038】さらに、作用光カットフィルター8には、
中心波長780nm、半値幅10nmのレーザーライン
干渉フィルター(03FIL050、メレスグリオ株式
会社製)を用いた。フィルターを透過した検出光は、検
出手段9に導かれ、電気信号に変換された。検出手段9
には4分割フォトダイオード(S6344、浜松ホトニ
クス社製)を用いた。なお、検出手段9に4分割フォト
ダイオードを用いる必要はなく、非分割のフォトダイオ
ードでも構わない。本実施例においては、4分割フォト
ダイオードの4つの電気信号の和を演算し信号とした。
Further, the working light cut filter 8 includes:
A laser line interference filter (03FIL050, manufactured by Meles Griot Co., Ltd.) having a center wavelength of 780 nm and a half width of 10 nm was used. The detection light transmitted through the filter was guided to the detection means 9 and was converted into an electric signal. Detecting means 9
, A 4-division photodiode (S6344, manufactured by Hamamatsu Photonics) was used. Note that it is not necessary to use a four-division photodiode for the detection means 9, and a non-division photodiode may be used. In the present embodiment, the sum of the four electric signals of the four-division photodiode is calculated and used as a signal.

【0039】4分割フォトダイオードからの出力は、自
作の回路により電流から電圧に変換された。電流から電
圧への変換倍率は1000倍とした。さらに、変換され
た電圧信号はゲインが100倍の低雑音プリアンプ(L
I−75A、エヌエフ回路ブロック社製)に導かれ(図
示せず)、さらに、同じく図示しない2位相ロックイン
アンプ(5610B、エヌエフ回路ブロック社製)に導
かれ、作用光の変調周波数と同期する電気信号のみを抽
出し、信号値とした。
The output from the four-division photodiode was converted from a current to a voltage by a self-made circuit. The conversion magnification from current to voltage was 1000 times. Furthermore, the converted voltage signal is a low noise preamplifier (L
(I-75A, manufactured by NF Corporation) (not shown), and further guided to a two-phase lock-in amplifier (5610B, manufactured by NF Corporation) (not shown) to synchronize with the modulation frequency of the working light. Only electric signals were extracted and used as signal values.

【0040】さらに、検出光の光源3へ入射する作用光
の光量を低減する光量低減手段5には、1 枚で作用光に
対し1000分の1にカットし、検出光に対して70%
透過する吸収フィルター(IR76、富士フィルム株式
会社製)を用いた。このような本実施例の装置を用い
て、試料セル7がない状態で、光量低減手段5の吸収フ
ィルターの枚数を変えた場合の、ロックインアンプから
の出力を計測した。
Further, the light amount reducing means 5 for reducing the amount of the working light incident on the light source 3 of the detection light is cut into 1/1000 of the working light by one sheet, and 70% of the detection light is cut.
A transmitting absorption filter (IR76, manufactured by Fuji Film Co., Ltd.) was used. Using the apparatus of this embodiment, the output from the lock-in amplifier was measured when the number of the absorption filters of the light amount reducing means 5 was changed without the sample cell 7.

【0041】フィルターが全くない状態においては、試
料セル7がないにも係わらず、ロックインアンプにおい
て、0.5Vのバックグラウンド信号が発生した。これ
は、作用光が検出光の光源3に入射することにより、検
出光が作用光と同周波数で変調されていることを意味す
る。フィルターを1枚にし作用光の入射を1000分の
1以下にすると、このバックグラウンド信号は0.00
9Vと50分の1に低下し、2枚では0.006Vであ
った。
In the state without any filter, a background signal of 0.5 V was generated in the lock-in amplifier despite the absence of the sample cell 7. This means that the detection light is modulated at the same frequency as that of the operation light because the operation light is incident on the light source 3 of the detection light. If one filter is used and the incidence of the working light is made 1/1000 or less, this background signal becomes 0.00
The voltage dropped to 1/50, that is, 9 V, and was 0.006 V in two sheets.

【0042】このように、光量低減手段5を用いて、検
出光の光源3へ入射する作用光の光量を低減することに
よって、バックグラウンド信号が低減し、測定精度が著
しく改善された。
As described above, by reducing the amount of the working light incident on the light source 3 of the detection light by using the light amount reducing means 5, the background signal is reduced and the measurement accuracy is remarkably improved.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、安価で
高精度なレーザー計測装置を実現できる。さらに、本発
明は、別々の2つのレーザーを使用し、少なくとも検出
光の光源が半導体レーザー発光手段で構成されるあらゆ
るレーザー計測装置に応用可能であることが示された。
As described above, according to the present invention, an inexpensive and highly accurate laser measuring apparatus can be realized. Further, the present invention has been shown to be applicable to any laser measuring device using two separate lasers and at least the light source of the detection light is constituted by a semiconductor laser emitting means.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のレーザー計測装置の一実施形態を示す
構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of a laser measurement device of the present invention.

【図2】実施例のレーザー計測装置の構成を説明する構
成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram illustrating a configuration of a laser measurement device according to an embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 作用光の光源 3 検出光の光源 5 光量低減手段 7 試料セル 9 検出手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light source of working light 3 Light source of detection light 5 Light intensity reduction means 7 Sample cell 9 Detection means

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザー光を用いて試料の計測を行うレ
ーザー計測装置であって、 半導体レーザー発光手段で構成された前記レーザー光の
光源と、 前記レーザー光を検出する検出手段と、 前記レーザー光とは波長が異なり且つその出力が変調可
能な第二のレーザー光の光源と、 前記レーザー光の光源へ入射する前記第二のレーザー光
の光量を低減する光量低減手段と、を備えることを特徴
とするレーザー計測装置。
1. A laser measuring apparatus for measuring a sample using a laser beam, comprising: a light source of the laser beam configured by a semiconductor laser light emitting unit; a detecting unit for detecting the laser beam; And a light source of a second laser light having a different wavelength and whose output can be modulated, and a light amount reducing unit that reduces the light amount of the second laser light incident on the light source of the laser light. Laser measuring device.
【請求項2】 前記第二のレーザー光を、前記試料に照
射されて物理的変化又は化学的変化を生じさせる作用光
とし、前記レーザー光を、前記物理的変化又は前記化学
的変化を検知する検出光としたことを特徴とする請求項
1記載のレーザー計測装置。
2. The method according to claim 1, wherein the second laser light is used as an operating light that irradiates the sample to cause a physical change or a chemical change, and the laser light detects the physical change or the chemical change. The laser measurement device according to claim 1, wherein the detection light is used as the detection light.
【請求項3】 前記検出手段を同期検波手段としたこと
を特徴とする請求項1又は2記載のレーザー計測装置。
3. The laser measuring apparatus according to claim 1, wherein said detecting means is a synchronous detecting means.
【請求項4】 前記第二のレーザー光の光源を、前記レ
ーザー光の光源とは別の半導体レーザー発光手段で構成
したことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の
レーザー計測装置。
4. The laser measuring apparatus according to claim 1, wherein the light source of the second laser light is constituted by a semiconductor laser light emitting means different from the light source of the laser light. .
【請求項5】 前記光量低減手段を光学的フィルターと
したことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の
レーザー計測装置。
5. The laser measuring apparatus according to claim 1, wherein said light amount reducing means is an optical filter.
【請求項6】 前記物理的変化が光熱変換現象による変
化であることを特徴とする請求項2〜5のいずれかに記
載のレーザー計測装置。
6. The laser measuring apparatus according to claim 2, wherein the physical change is a change due to a photothermal conversion phenomenon.
JP2001050968A 2001-02-26 2001-02-26 Laser measuring instrument Pending JP2002250708A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001050968A JP2002250708A (en) 2001-02-26 2001-02-26 Laser measuring instrument

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001050968A JP2002250708A (en) 2001-02-26 2001-02-26 Laser measuring instrument

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002250708A true JP2002250708A (en) 2002-09-06

Family

ID=18911845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001050968A Pending JP2002250708A (en) 2001-02-26 2001-02-26 Laser measuring instrument

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002250708A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012083159A (en) * 2010-10-08 2012-04-26 Shimadzu Corp Gas concentration measuring apparatus
JP2015024419A (en) * 2013-07-25 2015-02-05 独立行政法人国立高等専門学校機構 Laser processing device and manufacturing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012083159A (en) * 2010-10-08 2012-04-26 Shimadzu Corp Gas concentration measuring apparatus
JP2015024419A (en) * 2013-07-25 2015-02-05 独立行政法人国立高等専門学校機構 Laser processing device and manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7036979B2 (en) Photothermal transducing spectroscopic analyzer
US10401281B2 (en) Optical absorption spectroscopy based gas analyzer systems and methods
US5767976A (en) Laser diode gas sensor
CN1653319B (en) System and method for controlling a ligth source for cavity ring-down spectroscopy
US7522287B2 (en) Photothermal conversion measurement apparatus, photothermal conversion measurement method, and sample cell
CN107345904B (en) Method and device for detecting gas concentration based on optical absorption and interferometry
US10132787B2 (en) Device for optically determining the concentration of alcohol and carbohydrates in a liquid sample
US5640245A (en) Spectroscopic method with double modulation
JP2008128942A (en) Device for measuring photothermal conversion
JPWO2019116461A1 (en) Far-infrared light source, far-infrared spectroscope
US6141094A (en) Sensitive laser spectroscopic detection based on three-dimensional nonlinear four-wave mixing
CN111829971A (en) Method for reducing measurement error of wide spectrum transmittance
JP2002250708A (en) Laser measuring instrument
JP4290142B2 (en) Photothermal conversion measuring apparatus and method
JP2005127748A (en) Photothermal converting/measuring apparatus and method
EP1129335A1 (en) Contaminant identification and concentration determination by monitoring the intensity of the output of an intracavity laser
CN107076667B (en) Laser beam blocking element and spectroscopic system comprising such an element
JP4119385B2 (en) Photothermal conversion measuring device
JP2004286578A (en) Reflection type spectrum analyzer for hot lens
JP2016114532A (en) Photothermal conversion spectroscopic analyzer
CN112213297A (en) Paraxial double-pulse LIBS system based on annular light beam
JP4116979B2 (en) Photothermal conversion measuring apparatus and method
JP4331126B2 (en) Thermal lens spectrometer
CN220305144U (en) Variable-range gas concentration detection system
CN113063752B (en) Double-beam-splitting near infrared spectrometer based on supercontinuum laser

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20050105

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A977 Report on retrieval

Effective date: 20061208

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070911

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080408