JP2002246376A - Inductively coupled plasma treatment equipment - Google Patents
Inductively coupled plasma treatment equipmentInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置（Ｌ
ＣＤ）用のガラス基板等の被処理基板に対してドライエ
ッチング等のプラズマ処理を施す誘導結合プラズマ処理
装置に関する。The present invention relates to a liquid crystal display (L).
The present invention relates to an inductively coupled plasma processing apparatus for performing plasma processing such as dry etching on a substrate to be processed such as a glass substrate for CD).
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、ＬＣＤ製造プロセスにおいて
は、被処理基板であるＬＣＤガラス基板に対して、エッ
チングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相成長）等の
プラズマ処理が多用されている。2. Description of the Related Art For example, in an LCD manufacturing process, plasma processing such as etching, sputtering, and CVD (chemical vapor deposition) is frequently used for an LCD glass substrate as a substrate to be processed.
【０００３】このようなプラズマ処理を行うためのプラ
ズマ処理装置としては、種々のものが用いられている
が、その中で、高密度プラズマを発生することができる
ものとして誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）処理装置が知ら
れている。Various types of plasma processing apparatuses have been used for performing such plasma processing. Among them, an inductively coupled plasma (ICP) processing has been proposed as one capable of generating high-density plasma. Devices are known.
【０００４】誘導結合プラズマ処理装置としては、真空
に保持可能なプラズマ処理を行うための処理室の天井が
誘電体壁で構成され、その上に高周波（ＲＦ）アンテナ
が配設された構造のものが知られている。そして、この
高周波アンテナに高周波電力が供給されることにより、
処理室内に誘導電磁界が形成され、この誘導電磁界によ
り処理室に導入された処理ガスがプラズマ化し、このよ
うにして形成された処理ガスのプラズマによりエッチン
グ等のプラズマ処理が施される。An inductively coupled plasma processing apparatus has a structure in which a ceiling of a processing chamber for performing plasma processing capable of being maintained in a vacuum is constituted by a dielectric wall, and a radio frequency (RF) antenna is disposed thereon. It has been known. By supplying high-frequency power to this high-frequency antenna,
An induction electromagnetic field is formed in the processing chamber, and the processing gas introduced into the processing chamber is turned into plasma by the induction electromagnetic field, and the plasma of the processing gas thus formed is subjected to plasma processing such as etching.
【０００５】ところが、このような誘導結合プラズマ処
理装置においては、処理に伴って処理室内で生成される
反応生成物が上記誘電体壁へ付着し、この付着した反応
生成物が剥離してコンタミネーションの原因となること
がある。However, in such an inductively coupled plasma processing apparatus, a reaction product generated in the processing chamber accompanying the processing adheres to the dielectric wall, and the adhered reaction product peels off to cause contamination. May cause
【０００６】このような問題に関して、特開２０００−
２３５９７２号公報には、その内部でヘリコン波プラズ
マを発生させるソースチャンバーと、その内部に前記ヘ
リコン波プラズマを導入して被処理体にプラズマ処理を
施す拡散チャンバーとを有するヘリコン波プラズマ処理
装置において、ソースチャンバーの誘電体壁のチャンバ
ー外側に光吸収層を設け、この光吸収層に外部から熱線
を照射することにより加熱してソースチャンバー内面に
付着物が付着することを防止する技術が示されている。[0006] With respect to such a problem,
Japanese Patent No. 235972 discloses a helicon wave plasma processing apparatus having a source chamber for generating helicon wave plasma therein and a diffusion chamber for introducing the helicon wave plasma therein and performing plasma processing on an object to be processed. A technique has been disclosed in which a light absorbing layer is provided outside the chamber on the dielectric wall of the source chamber, and the light absorbing layer is heated by irradiating a heat ray from the outside to prevent deposits from adhering to the inner surface of the source chamber. I have.
【０００７】しかしながら、近時における基板や装置の
大型化にともない誘電体壁が大型化し、かつ厚くなって
いるため、上記公報に記載されているように誘電体壁の
処理室と反対側の面に設けられた光吸収層に熱線を照射
しても、誘電体壁の処理室側の全面を十分に高温化する
ことは困難となっており、この技術では誘電体壁への反
応生成物の付着を十分に防止することはできない。However, since the dielectric wall has recently become larger and thicker with the increase in the size of the substrate or the apparatus, as described in the above-mentioned publication, the surface of the dielectric wall opposite to the processing chamber has been described. However, it is difficult to sufficiently raise the temperature of the entire surface of the dielectric wall on the processing chamber side even if the light absorption layer provided in the substrate is irradiated with heat rays. Adhesion cannot be sufficiently prevented.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであって、誘電体壁に反応生成物が
付着することを有効に防止することができる誘導結合プ
ラズマ処理装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and provides an inductively coupled plasma processing apparatus capable of effectively preventing reaction products from adhering to a dielectric wall. The purpose is to do.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、被処理基板を収容する処理室と、前記処
理室内に設けられ、被処理基板が載置される載置台と、
前記処理室の外側に設けられ、前記処理室内に誘導電磁
界を形成するアンテナと、前記アンテナと前記処理室と
の間に設けられた熱線透過性を有する誘電体壁と、前記
アンテナに高周波電力を印加して誘導電磁界を形成させ
る高周波電源と、前記処理室内に処理ガスを供給する処
理ガス供給手段と、前記処理室外に設けられ、前記誘電
体壁に熱線を照射するランプと、前記誘電体壁の前記処
理室側の面に設けられた熱線吸収性を有する熱線吸収層
とを具備することを特徴とする誘導結合プラズマ処理装
置を提供する。In order to solve the above problems, the present invention provides a processing chamber for accommodating a substrate to be processed, a mounting table provided in the processing chamber, and on which the substrate to be processed is mounted;
An antenna that is provided outside the processing chamber and forms an induction electromagnetic field in the processing chamber; a dielectric wall having a heat ray transmission property provided between the antenna and the processing chamber; A processing gas supply means for supplying a processing gas into the processing chamber, a lamp provided outside the processing chamber and irradiating the dielectric wall with a heat ray, A heat-absorbing layer having a heat-absorbing property provided on a surface of the body wall on the side of the processing chamber.
【００１０】上記構成によれば、前記アンテナと前記処
理室との間に設けられた熱線透過性を有する誘電体壁
と、前記アンテナに高周波電力を印加して誘導電磁界を
形成させる高周波電源と、前記処理室内に処理ガスを供
給する処理ガス供給手段と、前記処理室外に設けられ、
前記誘電体壁に熱線を照射するランプと、前記誘電体壁
の前記処理室側の面に設けられた熱線吸収性を有する熱
線吸収層とを具備するので、前記ランプからの熱線によ
り前記熱線吸収層を発熱させることによって、前記誘電
体壁の処理室側の全面を直接的に効率よく加熱して高温
化することができ、前記誘電体壁への反応生成物の付着
を有効に防止することができる。[0010] According to the above configuration, a dielectric wall having heat ray permeability provided between the antenna and the processing chamber, and a high frequency power supply for applying a high frequency power to the antenna to form an induction electromagnetic field. A processing gas supply unit for supplying a processing gas into the processing chamber, and a processing gas supply unit provided outside the processing chamber;
Since a lamp for irradiating the dielectric wall with heat rays and a heat ray absorbing layer having a heat ray absorbing property provided on the surface of the dielectric wall on the processing chamber side are provided, the heat rays from the lamp absorb the heat rays. By heating the layer, the entire surface of the dielectric wall on the processing chamber side can be directly and efficiently heated to a high temperature, thereby effectively preventing reaction products from adhering to the dielectric wall. Can be.
【００１１】上記構成において、前記熱線吸収層は、溶
射膜とすることができる。また、前記熱線吸収層は、前
記誘電体壁の前記処理室側の面を覆うカバー部材とする
こともでき、この場合には、前記カバー部材の前記誘電
体壁側の面には、熱線吸収性膜を形成してもよい。いず
れの場合も、前記熱線吸収層は例えばセラミックスで構
成することができる。In the above configuration, the heat ray absorbing layer may be a thermal spray coating. Further, the heat ray absorbing layer may be a cover member that covers the surface of the dielectric wall on the side of the processing chamber. In this case, the surface of the cover member on the side of the dielectric wall may be a heat absorbing layer. A functional film may be formed. In any case, the heat ray absorbing layer can be made of, for example, ceramics.
【００１２】また、前記誘電体壁の上方に設けられ、前
記アンテナを収容するアンテナ室をさらに具備し、前記
ランプは前記アンテナ室の外方から熱線を照射する構成
とすることができ、この場合には前記アンテナ室を減圧
する減圧手段をさらに具備することが好ましい。このよ
うにすることで、前記アンテナ室を減圧手段で減圧しつ
つ前記ランプからの熱線を照射して、前記熱線吸収層を
より効率よく加熱することが可能となる。[0012] Further, the apparatus may further include an antenna chamber provided above the dielectric wall and accommodating the antenna, wherein the lamp radiates heat rays from outside the antenna chamber. Preferably, the apparatus further comprises a pressure reducing means for reducing the pressure in the antenna chamber. This makes it possible to irradiate heat rays from the lamp while decompressing the antenna chamber with decompression means, thereby heating the heat ray absorbing layer more efficiently.
【００１３】さらにまた、前記アンテナは、前記ランプ
からの熱線を反射する反射皮膜を有することが好まし
い。これにより前記ランプからの熱線により前記アンテ
ナが加熱されることを防止することができる。[0013] Furthermore, it is preferable that the antenna has a reflection film that reflects heat rays from the lamp. Thus, the antenna can be prevented from being heated by the heat rays from the lamp.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態について説明する。図１は本発明の第１の
実施形態に係るＬＣＤガラス基板用のプラズマエッチン
グ装置を模式的に示す断面図である。このプラズマエッ
チング装置１は、誘導結合プラズマエッチング装置とし
て構成されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view schematically showing a plasma etching apparatus for an LCD glass substrate according to a first embodiment of the present invention. This plasma etching apparatus 1 is configured as an inductively coupled plasma etching apparatus.
【００１５】このプラズマエッチング装置１は、例え
ば、内壁面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたア
ルミニウムからなる角筒形状の気密な本体容器２を有し
ている。この本体容器２は、断熱保持部材９によって保
持された誘電体壁１１によって、その上方のアンテナ室
２１およびその下方の処理室３０に気密に区画されてい
る。誘電体壁１１は、熱線透過性を有し、後述するラン
プ１８からの熱線を透過する材料、例えば石英からなっ
ており、その処理室３０側の面には熱線吸収性を有する
材料からなる熱線吸収層１２が設けられている。すなわ
ち、アンテナ室２１はその底面が誘電体壁１１によって
構成されており、処理室３０はその天井が誘電体壁１１
で構成されている。また、誘電体壁１１の処理室３０側
は熱線吸収層１２によって覆われている。The plasma etching apparatus 1 has, for example, an airtight main body container 2 in the form of a rectangular cylinder made of aluminum whose inner wall surface is anodized (anodized). The main body container 2 is air-tightly partitioned by the dielectric wall 11 held by the heat-insulating holding member 9 into the antenna chamber 21 above it and the processing chamber 30 below it. The dielectric wall 11 is made of a material having a heat ray transmitting property and transmitting a heat ray from a lamp 18 described later, for example, quartz, and a heat ray absorbing material made of a material having a heat ray absorbing property is provided on a surface on the processing chamber 30 side. An absorption layer 12 is provided. That is, the antenna chamber 21 has a bottom surface formed by the dielectric wall 11, and the processing chamber 30 has a ceiling formed by the dielectric wall 11.
It is composed of The processing chamber 30 side of the dielectric wall 11 is covered with the heat ray absorbing layer 12.
【００１６】熱線吸収層１２は、その材質は問わない
が、誘電体であること、耐プラズマ性があること、およ
び熱線吸収性があるという理由でセラミックスで構成す
ることが好ましく、また、熱線吸収性をより高くする観
点からは、暗色系のセラミックス、例えばＴｉＯ２を使
用することが好ましい。このような熱線吸収層１２は、
誘電体壁１１の下面に適宜の成膜技術により形成するこ
とができ、その中でも溶射によって形成された溶射膜で
あることが好ましい。また、図２に示すように誘電体壁
１１の下面を熱線吸収性を有するカバー部材４０で覆
い、これを熱線吸収層として用いてもよい。また、カバ
ー部材４０がＡｌ２Ｏ３のように白色系のセラミックス
である場合、図３に示すようにカバー部材４０の誘電体
壁１１側の面に暗色系のポリベンゾイミダール（ＰＢ
Ｉ）等のポリイミド系樹脂からなる熱線吸収性膜４１を
設けることにより、カバー部材４０を一層効率よく加熱
することが可能になる。熱線吸収層１２の材質は、エッ
チングプロセスに応じて（例えば、酸化膜のエッチング
やアルミのエッチング）、最適の材質を選択することが
望ましい。The heat ray absorbing layer 12 is not limited to a particular material, but is preferably made of ceramics because it is a dielectric substance, has plasma resistance, and has heat ray absorbing property. From the viewpoint of enhancing the properties, it is preferable to use dark ceramics, for example, TiO 2 . Such a heat ray absorbing layer 12
It can be formed on the lower surface of the dielectric wall 11 by an appropriate film forming technique, and among them, a thermal sprayed film formed by thermal spraying is preferable. Further, as shown in FIG. 2, the lower surface of the dielectric wall 11 may be covered with a cover member 40 having a heat ray absorbing property, and this may be used as a heat ray absorbing layer. When the cover member 40 is made of a white ceramic such as Al 2 O 3 , as shown in FIG. 3, the surface of the cover member 40 on the dielectric wall 11 side is made of a dark polybenzimidal (PB).
By providing the heat ray absorbing film 41 made of a polyimide resin such as I), the cover member 40 can be more efficiently heated. It is desirable to select an optimal material for the heat ray absorbing layer 12 according to the etching process (for example, etching of an oxide film or etching of aluminum).
【００１７】上述したように誘電体壁１１の上方に形成
されるアンテナ室２１は、その天井壁２１ａに開口１８
を有しており、この開口１８内には赤外線等の熱線を放
射するハロゲンランプ１９が設けられている。この開口
１８の下部は熱線を透過する材料からなる窓部２０で覆
われており、ハロゲンランプ１９はアンテナ室２１から
隔離されている。このように配置されたハロゲンランプ
１９から熱線を下方の誘電体壁１１に向けて照射するこ
とにより、熱線は窓部２０および誘電体壁１１を透過し
て熱線吸収層１２に吸収され、そのエネルギーにより熱
線吸収層１２が発熱するようになっている。この際、誘
電体壁１１は断熱保持部材９で保持されれいるので、誘
電体壁１１および熱線吸収層１２から他の部材へ熱が逃
げにくくなっており、ハロゲンランプ１９からの熱線に
より熱線吸収層１２は容易に高温化する。As described above, the antenna room 21 formed above the dielectric wall 11 has an opening 18 in its ceiling wall 21a.
A halogen lamp 19 that radiates heat rays such as infrared rays is provided in the opening 18. The lower part of the opening 18 is covered with a window 20 made of a material that transmits heat rays, and the halogen lamp 19 is isolated from the antenna room 21. By irradiating a heat ray from the halogen lamp 19 arranged in this way toward the lower dielectric wall 11, the heat ray passes through the window 20 and the dielectric wall 11, is absorbed by the heat ray absorbing layer 12, and has its energy. This causes the heat ray absorbing layer 12 to generate heat. At this time, since the dielectric wall 11 is held by the heat insulating holding member 9, it is difficult for heat to escape from the dielectric wall 11 and the heat ray absorbing layer 12 to other members, and the heat ray is absorbed by the heat ray from the halogen lamp 19. Layer 12 easily heats up.
【００１８】また、アンテナ室２１内の誘電体壁１１上
には、誘電体壁１１と面するように、アンテナ１３が配
設されている。アンテナ１３は、銅製のパイプで形成さ
れており、その中空部をアンテナ１３を冷却するための
冷媒が通流するようになっている（図示略）。アンテナ
１３は略角形渦巻き状をなす平面型のコイルからなって
おり、その渦巻きの中心端部には給電線１５の一端が接
続され、この給電線１５の他端は整合器１６を介して高
周波電源１７に接続されている。一方、渦巻きの外側端
部は接地されている。プラズマ処理中、高周波電源１７
からは、誘導電磁界形成用の例えば周波数が１３．５６
ＭＨｚの高周波電力がアンテナ１３へ供給される。この
ように高周波電力が供給されたアンテナ１３により、誘
電体壁１１下方の処理室３０内に誘導電磁界が形成さ
れ、この誘導電磁界により処理ガスがプラズマ化され
る。また、アンテナ１３の表面には、前記ハロゲンラン
プ１９からの熱線を反射する反射皮膜１４が形成されて
おり、これにより前記ハロゲンランプ１９からの熱線に
よりアンテナ１３が昇温されることを防止している。An antenna 13 is provided on the dielectric wall 11 in the antenna chamber 21 so as to face the dielectric wall 11. The antenna 13 is formed of a copper pipe, and a coolant for cooling the antenna 13 flows through the hollow portion (not shown). The antenna 13 is formed of a planar coil having a substantially rectangular spiral shape. One end of a feed line 15 is connected to the center end of the spiral, and the other end of the feed line 15 is connected to a high-frequency wave through a matching unit 16. Connected to power supply 17. On the other hand, the outer end of the spiral is grounded. During plasma processing, high frequency power supply 17
For example, the frequency for forming an induction electromagnetic field is 13.56.
A high frequency power of MHz is supplied to the antenna 13. An induction electromagnetic field is formed in the processing chamber 30 below the dielectric wall 11 by the antenna 13 to which the high-frequency power is supplied, and the processing gas is turned into plasma by the induction electromagnetic field. Further, on the surface of the antenna 13, a reflection film 14 for reflecting the heat rays from the halogen lamp 19 is formed, thereby preventing the antenna 13 from being heated by the heat rays from the halogen lamp 19. I have.
【００１９】さらに、アンテナ室２１の側壁には排気管
２２を介して真空ポンプ等からなる排気装置２３（減圧
手段）が接続されている。この排気装置２３で排気する
ことにより、アンテナ室２１内は所定の減圧状態に維持
することができ、このようにすることで熱の対流が減少
し、ハロゲンランプ１９からの熱線で熱線吸収層１２を
一層効率よく加熱することが可能になっている。さらに
また、このように構成されるアンテナ室２１の側壁およ
び天井壁２１ａの内面、および、ハロゲンランプ１９が
配置された部分の内面に、ハロゲンランプ１９からの熱
線を反射する反射皮膜を設けてもよい。これにより、ハ
ロゲンランプ１９からの熱線をむだなく誘電体壁１１に
照射することが可能となる。Further, an exhaust device 23 (decompression means) such as a vacuum pump is connected to a side wall of the antenna chamber 21 via an exhaust pipe 22. By evacuating with the exhaust device 23, the inside of the antenna chamber 21 can be maintained at a predetermined reduced pressure. In this way, convection of heat is reduced, and the heat ray from the halogen lamp 19 causes the heat ray absorbing layer 12. Can be more efficiently heated. Furthermore, a reflective film that reflects heat rays from the halogen lamp 19 may be provided on the inner surface of the side wall and the ceiling wall 21a of the antenna room 21 configured as described above, and on the inner surface of the portion where the halogen lamp 19 is disposed. Good. This makes it possible to irradiate the dielectric wall 11 with the heat rays from the halogen lamp 19 without use.
【００２０】一方、上述した誘電体壁１１の下方に形成
される処理室３０は、その底壁３０ａに絶縁材からなる
角柱状の絶縁板３が設けられており、さらにこの絶縁板
３の上に被処理基板であるＬＣＤガラス基板Ｇ（以下、
基板Ｇという。）を載置するためのサセプタ（載置台）
４が設けられている。サセプタ４は、例えばアルマイト
処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムで構成され、
その外周に絶縁部材５が設けられている。また、サセプ
タ４には、高周波電力を供給するための給電線６が接続
され、この給電線６には整合器７および高周波電源８が
接続されている。この高周波電源８からは、プラズマ処
理中に例えば６ＭＨｚの高周波電力がサセプタ４に供給
され、所定のバイアス電圧をサセプタ４に印加するよう
になっている。On the other hand, the processing chamber 30 formed below the above-mentioned dielectric wall 11 is provided with a prismatic insulating plate 3 made of an insulating material on its bottom wall 30a. An LCD glass substrate G (hereinafter, referred to as a substrate to be processed)
It is called a substrate G. Susceptor (mounting table)
4 are provided. The susceptor 4 is made of, for example, alumite-treated (anodized) aluminum.
An insulating member 5 is provided on the outer periphery. A power supply line 6 for supplying high-frequency power is connected to the susceptor 4, and a matching device 7 and a high-frequency power supply 8 are connected to the power supply line 6. The high-frequency power supply 8 supplies a high-frequency power of, for example, 6 MHz to the susceptor 4 during the plasma processing, and applies a predetermined bias voltage to the susceptor 4.
【００２１】処理室３０の側壁には、処理室３０内に処
理ガスを供給する処理ガス供給ノズル２４が設けられて
おり、この処理ガス供給ノズル２４にはバルブ２５およ
びマスフローコントローラ２６を介して処理ガス供給源
２７が接続されている。このような構成により、処理ガ
ス供給源２７から供給されるハロゲン系のガス、Ｏ２ガ
ス、Ａｒガス等のエッチングのための処理ガスが、マス
フローコントローラ２６によってその流量を制御されつ
つ、バルブ２５を介して処理ガス供給ノズル２４から処
理室３０内に供給される。A processing gas supply nozzle 24 for supplying a processing gas into the processing chamber 30 is provided on a side wall of the processing chamber 30. The processing gas supply nozzle 24 is provided with a processing gas through a valve 25 and a mass flow controller 26. A gas supply source 27 is connected. With such a configuration, the processing gas for etching, such as a halogen-based gas, O 2 gas, or Ar gas, supplied from the processing gas supply source 27 is controlled by the mass flow controller 26 to control the flow rate of the valve 25. The processing gas is supplied from the processing gas supply nozzle 24 into the processing chamber 30 through the processing chamber 30.
【００２２】また、処理室３０の側壁には、排気管３１
が接続されており、この排気管３１には排気装置３２が
接続されている。排気装置３２はターボ分子ポンプなど
の真空ポンプを備えており、これにより処理室３０内を
所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成されて
いる。また、処理室３０の側壁には基板搬入出口２８お
よびこの基板搬入出口２８を開閉するゲートバルブ２９
も設けられており、このゲートバルブ２９を開にした状
態で基板Ｇが隣接するロードロック室（図示せず）との
間で搬送されるようになっている。An exhaust pipe 31 is provided on a side wall of the processing chamber 30.
The exhaust pipe 31 is connected to an exhaust device 32. The evacuation device 32 is provided with a vacuum pump such as a turbo-molecular pump, so that the inside of the processing chamber 30 can be evacuated to a predetermined reduced pressure atmosphere. A substrate loading / unloading port 28 and a gate valve 29 for opening and closing the substrate loading / unloading port 28 are provided on the side wall of the processing chamber 30.
The substrate G is conveyed between an adjacent load lock chamber (not shown) with the gate valve 29 opened.
【００２３】次に、上記構成のプラズマエッチング装置
１における処理動作について説明する。まず、ゲートバ
ルブ２９を開にした状態で、図示しないロードロック室
から基板搬入出口２８を介して基板Ｇを処理室３０内へ
搬入し、サセプタ４上に載置する。この際、基板Ｇの受
け渡しはサセプタ４の内部に挿通され、サセプタ４から
突没可能に設けられたリフターピン（図示せず）を介し
て行われる。その後、ゲートバルブ２９を閉じ、排気装
置３２によって処理室３０内を所定の真空度まで真空引
きする。Next, the processing operation in the plasma etching apparatus 1 having the above configuration will be described. First, with the gate valve 29 opened, the substrate G is loaded into the processing chamber 30 from the load lock chamber (not shown) via the substrate loading / unloading port 28 and placed on the susceptor 4. At this time, the transfer of the substrate G is performed through a lifter pin (not shown) which is inserted into the susceptor 4 and is provided so as to be able to protrude and retract from the susceptor 4. Thereafter, the gate valve 29 is closed, and the inside of the processing chamber 30 is evacuated to a predetermined degree of vacuum by the exhaust device 32.
【００２４】その後、アンテナ室２１を排気装置２３に
より所定の減圧雰囲気としつつ、ハロゲンランプ１９か
ら熱線を放射して熱線吸収層１２を加熱して高温度化す
るとともに、バルブ２５を開放し、処理ガス供給源２７
からの処理ガスをマスフローコントローラ２６によって
流量を調整しながら供給し、処理室３０内の圧力を所定
の値に維持する。Thereafter, while the antenna chamber 21 is evacuated to a predetermined reduced-pressure atmosphere, heat is emitted from the halogen lamp 19 to heat the heat-ray absorbing layer 12 to increase the temperature, and the valve 25 is opened to perform processing. Gas supply source 27
Is supplied while adjusting the flow rate by the mass flow controller 26, and the pressure in the processing chamber 30 is maintained at a predetermined value.
【００２５】この状態で高周波電源１７から整合器１６
を介して高周波電力をアンテナ１３に印加することによ
り、アンテナ１３下方の処理室３０内に誘電体壁１１を
介して誘導電磁界が形成される。この誘導電磁界によ
り、処理室３０内の処理ガスがプラズマ化され、高密度
の誘導結合プラズマが生成される。このようにしてプラ
ズマを生成しつつ、サセプタ４に高周波電源８から整合
器７を介して高周波電力を供給して所定のバイアス電圧
を印加することにより、基板Ｇに処理ガスのプラズマを
利用したエッチング処理が施される。In this state, the high-frequency power supply 17
By applying high frequency power to the antenna 13 through the antenna 13, an induction electromagnetic field is formed in the processing chamber 30 below the antenna 13 via the dielectric wall 11. The processing gas in the processing chamber 30 is turned into plasma by this induction electromagnetic field, and high-density inductively coupled plasma is generated. By generating a plasma in this manner and supplying a high-frequency power from the high-frequency power supply 8 to the susceptor 4 through the matching unit 7 to apply a predetermined bias voltage, the etching using the processing gas plasma is performed on the substrate G. Processing is performed.
【００２６】以上のようにしてエッチング処理を施した
後、高周波電源８および１７からの高周波電力の印加を
停止し、処理室３０内の圧力を所定の圧力まで昇圧して
ゲートバルブ２９を開いた状態とし、基板搬入出口２８
を介して処理室３０内から図示しないロードロック室に
基板Ｇを搬出することにより、基板Ｇのエッチング処理
は終了する。After performing the etching process as described above, the application of the high-frequency power from the high-frequency power supplies 8 and 17 is stopped, the pressure in the processing chamber 30 is increased to a predetermined pressure, and the gate valve 29 is opened. State, and the substrate loading / unloading port 28
Then, the substrate G is carried out from the processing chamber 30 to the load lock chamber (not shown) through the processing chamber 30, thereby completing the etching of the substrate G.
【００２７】このようなプロセスにおいては、処理室３
０内で高密度の誘導結合プラズマにより基板Ｇのエッチ
ング処理が行われるが、本実施形態に係るプラズマエッ
チング装置１においては、ハロゲンランプ１９からの熱
線で熱線吸収層１２を加熱することによって、誘電体壁
１１の処理室３０側の面を直接的に加熱することができ
るので、誘電体壁１１の処理室３０側の面を容易にかつ
効率的に高温化することができ、これにより誘電体壁１
１の処理室３０側の面にエッチング処理による反応生成
物等が付着してコンタミネーションの原因となることを
十分に防止することができる。In such a process, the processing chamber 3
The substrate G is etched by high-density inductively-coupled plasma within 0. In the plasma etching apparatus 1 according to the present embodiment, the heat ray absorption layer 12 is heated by the heat ray from the halogen lamp 19, and the dielectric Since the surface of the body wall 11 on the side of the processing chamber 30 can be directly heated, the surface of the dielectric wall 11 on the side of the processing chamber 30 can be easily and efficiently heated to a high temperature. Wall 1
It is possible to sufficiently prevent a reaction product or the like by the etching process from adhering to the surface of the first processing chamber 30 and causing contamination.
【００２８】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく種々変形可能である。また、上記の実施形態
においては誘電体壁１１が処理室３０の天井壁を構成す
る場合について示したが、これに限られるものではな
い。さらに、本発明はＣＶＤ成膜等の他の誘導結合プラ
ズマ処理装置に適用することもできる。さらにまた、被
処理体はＬＣＤガラス基板に限られず、半導体ウエハで
あってもよい。The present invention can be variously modified without being limited to the above embodiment. Further, in the above embodiment, the case where the dielectric wall 11 forms the ceiling wall of the processing chamber 30 has been described, but the present invention is not limited to this. Further, the present invention can be applied to other inductively coupled plasma processing apparatuses such as CVD film formation. Furthermore, the object to be processed is not limited to the LCD glass substrate, and may be a semiconductor wafer.
【００２９】[0029]
【発明の効果】本発明によれば、前記アンテナと前記処
理室との間に設けられた熱線透過性を有する誘電体壁
と、前記アンテナに高周波電力を印加して誘導電磁界を
形成させる高周波電源と、前記処理室内に処理ガスを供
給する処理ガス供給手段と、前記処理室外に設けられ、
前記誘電体壁に熱線を照射するランプと、前記誘電体壁
の前記処理室側の面に設けられた熱線吸収性を有する熱
線吸収層とを具備するので、前記ランプからの熱線によ
り前記熱線吸収層を発熱させることによって、前記誘電
体壁の処理室側の全面を直接的に効率よく加熱して高温
化することができる。このように前記誘電体壁の処理室
側の全面を高温化することにより、コンタミネーション
の原因となる反応生成物の付着を防止することができ
る。According to the present invention, a dielectric wall having a heat ray transmitting property provided between the antenna and the processing chamber, and a high frequency power for applying a high frequency power to the antenna to form an induction electromagnetic field. A power supply, processing gas supply means for supplying a processing gas into the processing chamber, and provided outside the processing chamber;
Since a lamp for irradiating the dielectric wall with a heat ray and a heat ray absorbing layer having a heat ray absorbing property provided on a surface of the dielectric wall on the side of the processing chamber are provided, the heat ray from the lamp absorbs the heat ray. By heating the layer, the entire surface of the dielectric wall on the processing chamber side can be directly and efficiently heated to a high temperature. By raising the temperature of the entire surface of the dielectric wall on the processing chamber side in this way, it is possible to prevent the reaction products that cause contamination from being attached.
【図１】本発明の実施の形態に係るプラズマエッチング
装置の断面図。FIG. 1 is a sectional view of a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の変形例に係るプラズマエッチング装置
の要部を示す部分断面図。FIG. 2 is a partial sectional view showing a main part of a plasma etching apparatus according to a modification of the present invention.
【図３】本発明の他の変形例に係るプラズマエッチング
装置の要部を示す部分断面図。FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing a main part of a plasma etching apparatus according to another modification of the present invention.
１；プラズマエッチング装置 ２；本体容器 ４；サセプタ ８；高周波電源 ９；断熱保持部材 １１；誘電体壁 １２；熱線吸収層 １３；アンテナ １７；高周波電源 １９；ハロゲンランプ ２１；アンテナ室 ２１ａ；天井壁 ２４；処理ガス供給ノズル ３０；処理室 ３０ａ；底壁 ４０；カバー部材 ４１；熱線吸収性膜 Ｇ；ガラス基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Plasma etching apparatus 2; Main body container 4; Susceptor 8; High-frequency power supply 9; Heat insulation holding member 11; Dielectric wall 12; Heat ray absorption layer 13; 24; processing gas supply nozzle 30; processing chamber 30a; bottom wall 40; cover member 41; heat ray absorbing film G;
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 BC02 BC04 BC06 BD14 CA02 CA03 CA12 CA24 CA47 CA52 DA01 EA01 EB01 EB41 EC30 FB02 FB04 FB06 FB11 FC06 FC15 4K030 DA06 FA10 KA22 5F004 AA13 BA20 BB27 BB29 5F045 AA08 AF01 AF07 BB15 EH03 EH11 EK12 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4G075 AA24 AA30 BC02 BC04 BC06 BD14 CA02 CA03 CA12 CA24 CA47 CA52 DA01 EA01 EB01 EB41 EC30 FB02 FB04 FB06 FB11 FC06 FC15 4K030 DA06 FA10 KA22 5F004 AA13 BA20 BB27 ABB15 AF EH03 EH11 EK12
Claims (8)
台と、 前記処理室の外側に設けられ、前記処理室内に誘導電磁
界を形成するアンテナと、 前記アンテナと前記処理室との間に設けられた熱線透過
性を有する誘電体壁と、 前記アンテナに高周波電力を印加して誘導電磁界を形成
させる高周波電源と、 前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段
と、 前記処理室外に設けられ、前記誘電体壁に熱線を照射す
るランプと、 前記誘電体壁の前記処理室側の面に設けられた熱線吸収
性を有する熱線吸収層とを具備することを特徴とする誘
導結合プラズマ処理装置。A processing chamber for accommodating a substrate to be processed; a mounting table provided in the processing chamber for mounting the substrate to be processed; and an induction electromagnetic field provided outside the processing chamber and provided in the processing chamber. An antenna for forming an electromagnetic field; a dielectric wall having heat ray permeability provided between the antenna and the processing chamber; a high-frequency power supply for applying high-frequency power to the antenna to form an induction electromagnetic field; Processing gas supply means for supplying a processing gas into a chamber; a lamp provided outside the processing chamber to irradiate the dielectric wall with heat rays; and a heat ray absorbing member provided on a surface of the dielectric wall on the processing chamber side. An inductively coupled plasma processing apparatus, comprising: a heat ray absorbing layer having:
特徴とする請求項１に記載の誘導結合プラズマ処理装
置。2. The inductively coupled plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the heat ray absorbing layer is a sprayed film.
処理室側の面を覆うカバー部材であることを特徴とする
請求項１に記載の誘導結合プラズマ処理装置。3. The inductively coupled plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the heat ray absorbing layer is a cover member that covers a surface of the dielectric wall on the processing chamber side.
は、熱線吸収性膜が形成されていることを特徴とする請
求項３に記載の誘導結合プラズマ処理装置。4. The inductively coupled plasma processing apparatus according to claim 3, wherein a heat ray absorbing film is formed on a surface of the cover member on the side of the dielectric wall.
ることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１
項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。5. The heat ray absorbing layer according to claim 1, wherein the heat ray absorbing layer is made of a ceramic.
Item 10. The inductively coupled plasma processing apparatus according to Item 1.
ンテナを収容するアンテナ室をさらに具備し、前記ラン
プは前記アンテナ室の外方から熱線を照射することを特
徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の
誘導結合プラズマ処理装置。6. The apparatus according to claim 1, further comprising an antenna chamber provided above the dielectric wall and housing the antenna, wherein the lamp emits heat rays from outside the antenna chamber. An inductively coupled plasma processing apparatus according to claim 5.
らに具備することを特徴とする請求項６に記載の誘導結
合プラズマ処理装置。7. The inductively coupled plasma processing apparatus according to claim 6, further comprising a decompression means for decompressing the antenna chamber.
を反射する反射皮膜を有することを特徴とする請求項１
から請求項７のいずれか１項に記載の誘導結合プラズマ
処理装置。8. The antenna according to claim 1, wherein the antenna has a reflection film for reflecting heat rays from the lamp.
An inductively coupled plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 7.
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004172584A (en) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Samsung Electronics Co Ltd | Chamber structure of inductively coupled plasma etching device |
| JP2005256024A (en) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Shincron:Kk | Thin film deposition apparatus and thin film deposition method |
| JP2010174378A (en) * | 2010-03-19 | 2010-08-12 | Shincron:Kk | Method for depositing thin film |
| JP2012009658A (en) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Panasonic Corp | Dry etching apparatus and dielectric cover for use therein |
| CN104952684A (en) * | 2014-03-27 | 2015-09-30 | 细美事有限公司 | Apparatus for treating substrate |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04228569A (en) * | 1990-04-09 | 1992-08-18 | Anelva Corp | Mechanism for controlling substrate temperature |
| JPH05343361A (en) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Nec Corp | Reactive ion etching apparatus |
| JPH09115895A (en) * | 1995-08-17 | 1997-05-02 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment apparatus |
| JP2000235972A (en) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Anelva Corp | Plasma processing apparatus |
| JP2000340548A (en) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Plasma treatment apparatus |
| JP2001053069A (en) * | 1999-08-10 | 2001-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma processing method and apparatus |
-
2001
- 2001-02-21 JP JP2001045556A patent/JP4554097B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04228569A (en) * | 1990-04-09 | 1992-08-18 | Anelva Corp | Mechanism for controlling substrate temperature |
| JPH05343361A (en) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Nec Corp | Reactive ion etching apparatus |
| JPH09115895A (en) * | 1995-08-17 | 1997-05-02 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment apparatus |
| JP2000235972A (en) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Anelva Corp | Plasma processing apparatus |
| JP2000340548A (en) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Plasma treatment apparatus |
| JP2001053069A (en) * | 1999-08-10 | 2001-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma processing method and apparatus |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004172584A (en) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Samsung Electronics Co Ltd | Chamber structure of inductively coupled plasma etching device |
| JP2005256024A (en) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Shincron:Kk | Thin film deposition apparatus and thin film deposition method |
| JP4540369B2 (en) * | 2004-03-09 | 2010-09-08 | 株式会社シンクロン | Thin film forming equipment |
| JP2010174378A (en) * | 2010-03-19 | 2010-08-12 | Shincron:Kk | Method for depositing thin film |
| JP2012009658A (en) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Panasonic Corp | Dry etching apparatus and dielectric cover for use therein |
| CN104952684A (en) * | 2014-03-27 | 2015-09-30 | 细美事有限公司 | Apparatus for treating substrate |
| US20150279630A1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
| KR101559024B1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-13 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
| CN104952684B (en) * | 2014-03-27 | 2017-04-05 | 细美事有限公司 | Substrate processing apparatus |
| US10692702B2 (en) | 2014-03-27 | 2020-06-23 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
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| Publication number | Publication date |
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