JP2002244270A - Manufacturing method for phase shift mask and phase shift mask - Google Patents

Manufacturing method for phase shift mask and phase shift mask

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JP2002244270A
JP2002244270A JP2001037998A JP2001037998A JP2002244270A JP 2002244270 A JP2002244270 A JP 2002244270A JP 2001037998 A JP2001037998 A JP 2001037998A JP 2001037998 A JP2001037998 A JP 2001037998A JP 2002244270 A JP2002244270 A JP 2002244270A
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forming
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Haruo Kokubo
晴夫 小久保
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    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method in which processes are made efficient as a manufacturing method for manufacturing a one-side recessed type phase shift mask having a shifter part and a non-shifter part made mutually adjacent and also having a light shield layer pattern formed of a light shield film covering from an end part of the shifter part to an end part of the non-shifter part continuously including even a flank part of a recessed part for forming the shifter part. SOLUTION: When a recessed part formation area for shifter part formation is patterned, photoresist is applied on one surface of a substrate directly or via a metal film, the recessed part formation area of the photoresist is selectively exposed by a photorepeater, and further development processing is carried out to form a resist pattern having the recessed part formation area opened.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクとそ
の製造方法に関し、特に基板彫り込み型の位相シフトマ
スクとその製造方法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a photomask and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a substrate-engraved phase shift mask and a method for manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】より微細なレジストパターンをウエハ上
に形成するための、光リソグラフィー技術の進歩は目ざ
ましい中、投影露光装置の解像度を向上させる一手法と
して、マスク上の隣接する２箇所の透明部分を透過する
光の位相を互いに変え、パターン解像度を上げる位相シ
フト法が採られている。この方法は、隣接する透光部の
一方に位相を反転させるためのシフタとして、膜厚を
ｄ、屈折率をｎ、露光波長をλとするとき、ｄ＝λ／２
（ｎ−１）の関係を満たすように形成したマスク（以
降、位相シフトマスクと言う）を用いてウエハ上に投影
露光するもので、シフタを通過した光は隣接する他の透
光部の透過光と逆位相（１８０度のずれ）であるため、
パターン境界部で光強度が０となり、パターンが分離し
解像度が向上する。2. Description of the Related Art As the progress of photolithography technology for forming finer resist patterns on a wafer is remarkable, as one method for improving the resolution of a projection exposure apparatus, two adjacent transparent portions on a mask are used. The phase shift method has been adopted in which the phases of the light passing through are changed to increase the pattern resolution. According to this method, when a film thickness is d, a refractive index is n, and an exposure wavelength is λ, d = λ / 2 as a shifter for inverting the phase to one of the adjacent light transmitting portions.
Projection exposure is performed on a wafer using a mask (hereinafter, referred to as a phase shift mask) formed so as to satisfy the relationship of (n-1), and light passing through the shifter is transmitted through another adjacent light transmitting portion. Because it is out of phase (shift of 180 degrees) with light,
The light intensity becomes 0 at the pattern boundary, the pattern is separated, and the resolution is improved.

【０００３】上記位相シフト法による高解像度を実現す
るマスク形状としては、図７（ａ）に示すように、隣合
う開口部（透光部）５２１の片方に透明で屈折率が空気
と異なる媒質（位相シフト膜あるいはシフタとも言う）
５３０を設けたシフタ形成型の位相シフトマスクもある
が、このマスクの場合、基板と同一の屈折率を有する位
相シフト膜を精度良く堆積させることが困難であり、さ
らに位相シフト膜５３０における多重反射の問題があ
る。これらの問題を解決する位相シフトマスクとして、
透明基板をエッチング等にて掘り込んだ、基板掘り込み
型位相シフトマスク（彫り込み型位相シフトマスクとも
言う）が種々あるが、中でも、図７（ｂ）（ロ）、図７
（ｃ）に示す基板掘り込み型位相シフトマスクが、現
在、主流となっている。図７（ｂ）（ロ）に示す掘り込
み型位相シフトマスクは、図７（ｂ）（イ）に示すよう
に、途中まで基板（一般にはＱｚが使用される）のドラ
イエッチングを行い、更に、掘り込み部にのみウェット
エッチングを追加し、所定位相差（通常１８０°）を生
じるようにする片掘り型位相シフトマスクと言われるも
ので、図７（ｃ）に示す掘り込み型位相シフトマスク
は、所定位相差（通常１８０°）を生じるように基板
を、図７（ｂ）（イ）に示すように、ドライエッチング
した後に、更に、開口部全面にウェットエッチングを追
加した両掘り型位相シフトマスクと言われるものであ
る。基板を垂直にドライエッチングしただけの基板掘り
込み型位相シフトマスク（図７（ｂ）（イ）で所定位相
差（通常１８０°）としたもの）では、開口部の基板掘
り込みの有無で、その透過光強度が異なるという問題が
あり、これを解決するために、図７（ｂ）（ロ）、図７
（ｃ）に示す基板掘り込み型位相シフトマスクが開発さ
れたものである。尚、一般に、波長λの露光光に対して
透明な屈折率ｎの透明基板上に、露光光を遮光する遮光
部と透光部とが形成されたパターンを有し、且つ、透光
部の透明基板部を掘り込んで、一方の凹部深さをｄ１、
他方の凹部深さをｄ２とし、ｄ１−ｄ２をほぼλ／２
（ｎ−１）した、隣接する透光部を設けた位相シフトマ
スクを、基板掘り込み型の位相シフトマスクと言ってい
る。ｄ１、ｄ２の一方が０の場合が片掘り型位相シフト
マスクで、ｄ１、ｄ２の両方が０でない場合が両掘り型
位相シフトマスクである。そして、一般には、凹部深さ
（掘り込み量とも言う）ｄ１，ｄ２の大きい凹部側をシ
フター部、小さい凹部側を非シフター部と言う。As shown in FIG. 7A, as a mask shape for realizing high resolution by the above-mentioned phase shift method, as shown in FIG. 7A, one of adjacent openings (light transmitting portions) 521 is transparent and has a refractive index different from that of air. (Also called phase shift film or shifter)
Although there is a shifter forming type phase shift mask provided with a phase shifter 530, it is difficult to accurately deposit a phase shift film having the same refractive index as that of the substrate. There is a problem. As a phase shift mask that solves these problems,
There are various types of substrate digging type phase shift masks (also referred to as engraving type phase shift masks) in which a transparent substrate is digged by etching or the like.
The substrate digging type phase shift mask shown in (c) is currently the mainstream. As shown in FIGS. 7B and 7B, the digging type phase shift mask shown in FIGS. 7B and 2B performs dry etching of the substrate (in general, Qz is used) halfway, and further, A digging type phase shift mask which adds a wet etching only to the digging portion to generate a predetermined phase difference (usually 180 °) is called a digging type phase shift mask shown in FIG. As shown in FIG. 7B and FIG. 7B, a double digging type phase-shifting method in which a substrate is dry-etched so as to generate a predetermined phase difference (usually 180 °) and then wet-etched over the entire opening. This is called a shift mask. In a substrate digging type phase shift mask in which the substrate is simply dry-etched vertically (a predetermined phase difference (usually 180 °) in FIG. 7 (b) (a)), the presence or absence of the substrate digging in the opening is determined by: There is a problem that the transmitted light intensities are different, and in order to solve this problem, FIG.
The substrate digging type phase shift mask shown in (c) has been developed. In general, on a transparent substrate having a refractive index n transparent to exposure light having a wavelength λ, a pattern in which a light-shielding portion for shielding exposure light and a light-transmitting portion are formed, and The transparent substrate is dug and the depth of one concave is d1,
The depth of the other recess is d2, and d1-d2 is approximately λ / 2.
The (n-1) phase shift mask provided with the adjacent light-transmitting portions is referred to as a substrate digging type phase shift mask. A case where one of d1 and d2 is 0 is a single-dig type phase shift mask, and a case where both d1 and d2 are not 0 is a double-dig type phase shift mask. In general, a concave portion having a large concave depth (also referred to as a dug amount) d1, d2 is referred to as a shifter portion, and a small concave portion is referred to as a non-shifter portion.

【０００４】しかし、図７（ｂ）（ロ）や図７（ｃ）に
示す掘り込み型位相シフトマスクの構造では、ウェット
エッチングにより遮光膜の庇５２５が形成されてしま
い、遮光膜の欠けや剥がれが発生しやすくなってしま
う。特にウェットエッチング後の洗浄耐性が著しくしく
低下してしまい、通常の洗浄を行うことができなくなっ
ている。また、半導体集積回路の高速化や高密度化に伴
い、今後回路パターンの微細化が進んでくると、この構
造ではウェットエッチング中に遮光膜剥がれが発生して
してしまい、製造困難となることは容易に予想でき、最
近では、この構造上の問題を解決するために、被エッチ
ング部（シフター部）と非エッチング部（非シフター
部）が互いに隣接している基板掘り込み型位相シフトマ
スクで、シフター部の端部から非シフタ一部の端部まで
を連続して覆うように遮光膜が成膜されている、図８
（ａ）のような、掘り込み部の側面７１６が基板方向に
ほぼ直交する構造の基板掘り込み型位相シフトマスクが
提案されている。図８（ａ）に示す構造のマスクであれ
ば、遮光膜の庇がないために欠けや剥がれが発生せず、
耐久性に優れたマスクを作製することができる。しか
し、図８（ａ）のような構造の基板掘り込み型位相シフ
トマスクを作製する際には、基板の段差部にも遮光膜の
成膜を均一に行う必要がある。遮光膜が不均一に成膜さ
れていると、製版時の加工精度に影響が生じたり、遮光
膜の薄い部分で洗浄耐性の低下など様々な問題が発生し
てしまう。However, in the structure of the digging type phase shift mask shown in FIGS. 7B and 7C and FIG. 7C, the eaves 525 of the light-shielding film are formed by wet etching, so Peeling is likely to occur. In particular, the cleaning resistance after wet etching is significantly reduced, and normal cleaning cannot be performed. In addition, as circuit patterns become finer in the future as semiconductor integrated circuits operate at higher speeds and at higher densities, the light-shielding film will peel off during wet etching in this structure, making it difficult to manufacture. Can be easily predicted. Recently, in order to solve this structural problem, a substrate digging type phase shift mask in which an etched portion (shifter portion) and a non-etched portion (non-shifter portion) are adjacent to each other is used. 8, a light shielding film is formed so as to continuously cover from the end of the shifter portion to the end of a part of the non-shifter.
A substrate digging type phase shift mask having a structure in which the side surface 716 of the digging portion is substantially perpendicular to the substrate direction as shown in FIG. In the case of the mask having the structure shown in FIG. 8A, chipping or peeling does not occur because there is no eave of the light shielding film.
A mask with excellent durability can be manufactured. However, when fabricating a substrate digging type phase shift mask having a structure as shown in FIG. 8A, it is necessary to uniformly form a light-shielding film even on a step portion of the substrate. If the light-shielding film is formed non-uniformly, various problems occur, such as an influence on the processing accuracy at the time of plate making and a decrease in cleaning resistance in a thin portion of the light-shielding film.

【０００５】これらに対応するため、既に、本願発明者
は、図８（ｂ）や図８（ｃ）に示す、片掘り型の基板掘
り込み型位相シフトマスクを提案している。図８（ｂ）
に示すマスクは、掘り込み部の側面の上頂部３４２、下
底部３４３に丸みをもたせものであり、図８（ｃ）に示
すマスクは、掘り込み部の側面２１６が基板表面に向か
い広がるように傾斜しているものであり、遮光膜３５０
（あるいは２５０）形成のための成膜を均一にできる構
造のものである。In order to cope with these problems, the inventor of the present application has already proposed a single-digging type substrate-digging type phase shift mask shown in FIGS. 8B and 8C. FIG. 8B
The mask shown in FIG. 8 has rounded top and bottom portions 342 and 343 of the side surface of the dug portion, and the mask shown in FIG. 8C has the side surface 216 of the dug portion spread toward the substrate surface. The light shielding film 350 is inclined.
(Or 250) has a structure capable of forming a uniform film.

【０００６】図８（ａ）や図８（ｂ）、図８（ｃ）のよ
うな構造の基板掘り込み型位相シフトマスクの作製は、
基板掘り込み部形成のための第１の製版を行ない基板掘
り込みを行なった後、遮光膜を成膜し、遮光膜パタン形
成のための第２の製版を行なうのに対し、従来の図７
（ｂ）（ロ）や図７（ｃ）に示す掘り込み型位相シフト
マスクの構造の場合は、遮光膜パタン形成のための製版
を行ない、遮光膜パタンを形成した後、必要に応じ、基
板掘り込み部形成のための製版を行ない、基板掘り込み
部形成を行なうものである。即ち、図８（ａ）や図８
（ｂ）、図８（ｃ）のような構造の基板掘り込み型位相
シフトマスクの作製においては、基板掘り込み部形成の
ための第１の製版、遮光膜パタン形成のための第２の製
版を行なうため、工程が長く、その工程効率化が求めら
れていた。[0008] The fabrication of a substrate-indented phase shift mask having a structure as shown in FIGS. 8 (a), 8 (b), and 8 (c) involves the following steps.
After performing a first plate making for forming a substrate digging portion and performing a substrate digging, a light shielding film is formed and a second plate making for forming a light shielding film pattern is performed.
(B) In the case of the digging type phase shift mask structure shown in (b) or FIG. 7 (c), plate making for forming a light shielding film pattern is performed, and after forming the light shielding film pattern, the substrate Plate making for forming a dug portion is performed to form a substrate dug portion. That is, FIG.
(B) In making a substrate digging type phase shift mask having a structure as shown in FIG. 8C, a first plate making for forming a substrate digging portion and a second plate making for forming a light shielding film pattern. Therefore, the process is long and the efficiency of the process has been required.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の図
７（ｂ）（ロ）や図７（ｃ）に示す掘り込み型位相シフ
トマスクの遮光膜パタンの庇の問題を解決した、図８
（ａ）や図８（ｂ）、図８（ｃ）に示すシフター部と非
シフター部が互いに隣接している片掘り型の基板掘り込
み型位相シフトマスクにおいては、その工程効率化が求
められていた。本発明は、これに対応するもので、シフ
ター部と非シフター部が互いに隣接し、且つ、シフター
部の端部から非シフタ一部の端部までを、シフター部を
形成するための掘り込み部（凹部とも言う）の側面部も
含め、連続して覆う遮光膜からなる遮光層パタンが形成
されている片掘り型の基板掘り込み型位相シフトマスク
を製造するための、位相シフトマスクの製造方法であっ
て、工程効率化を達成できる製造方法を提供しようとす
るものである。As described above, the problem of the eaves of the light-shielding film pattern of the digging type phase shift mask shown in FIGS. 7B and 7C and FIG. 7C is solved. 8
In the case of the single-sided type substrate digging type phase shift mask in which the shifter part and the non-shifter part shown in FIG. 8A, FIG. 8B and FIG. 8C are adjacent to each other, the process efficiency is required. I was According to the present invention, a shifter portion and a non-shifter portion are adjacent to each other, and a dug portion for forming a shifter portion from an end of the shifter portion to an end of a portion of the non-shifter. A method of manufacturing a phase shift mask for manufacturing a single-cut type substrate dug-in type phase shift mask in which a light-shielding layer pattern made of a light-shielding film that covers continuously, including a side surface portion (also referred to as a concave portion), is formed. Therefore, it is an object of the present invention to provide a manufacturing method capable of achieving a higher process efficiency.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の位相シフトマス
クの製造方法は、シフター部と非シフター部が互いに隣
接し、シフター部の端部から非シフタ一部の端部まで
を、シフター部を形成するための掘り込み部（凹部）の
側面部も含めて連続して覆う、露光光に対し遮光性を有
する遮光膜からなる遮光膜パタンが形成されている片掘
り型の基板掘り込み型位相シフトマスクを製造するため
の、位相シフトマスクの製造方法であって、シフター部
形成用の掘り込み部形成領域のパタンニングの際、フォ
トレジストを、基板の一面上に、直接あるいは金属膜を
介して塗布形成し、フォトリピータで、前記フォトレジ
ストの掘り込み部形成領域を選択的に露光し、更に現像
処理を施し、掘り込み部形成領域を開口したレジストパ
タンを形成するレジストパタン形成工程を有することを
特徴とするものである。そして、上記において、レジス
トパタン形成工程は、シフター部形成用の掘り込み部形
成領域のパタンニングの際、フォトレジストを、基板の
一面上に、金属膜を介して塗布形成し、フォトリピータ
で、フォトレジストの掘り込み部形成領域を選択的に露
光し、更に現像処理を施し、掘り込み部形成領域を開口
したレジストパタンを形成するもので、且つ、前記金属
膜は、ドライエッチングにより基板を掘り込む際のエッ
チングガスに対し少なくとも耐性のあるものであり、レ
ジストパタンを形成後、該レジストパタンを耐エッチン
グマスクとしてその開口から露出した金属膜をエッチン
グして、金属膜パタンを形成し、更に、金属膜パタンの
開口から露出した基板部をドライエッチングして掘り込
み部を形成し、レジストパタンを除去し、金属膜パタン
を剥離し、必要に応じ全体をウェットエッチング、洗浄
処理等を施した後、基板の掘り込み部形成側面に露光光
に対し遮光性を有する遮光膜を成膜し、フォトエッチン
グ法により前記遮光膜からなる遮光膜パタンを形成する
ことを特徴とするものである。あるいは、上記におい
て、レジストパタン形成工程は、シフター部形成用の掘
り込み部形成領域のパタンニングの際、フォトレジスト
を基板の一面上に直接塗布形成し、フォトリピータで掘
り込み部形成領域を選択的に露光し、更に現像処理を施
し、掘り込み部形成領域を開口したレジストパタンを形
成するもので、レジストパタンを形成後、該レジストパ
タンを耐エッチングマスクとしてその開口から露出した
基板部をエッチングして掘り込み部を形成し、次いで、
基板の掘り込み部形成側面に露光光に対し遮光性を有す
る遮光膜を成膜し、フォトエッチング法により前記遮光
膜からなる遮光膜パタンを形成することを特徴とするも
のである。そしてまた、上記において、基板部の掘り込
みは、露光光の波長をλ、基板の屈折率をｎとして、そ
の掘り込み部（凹部）の深さｄ０をほぼλ／２（ｎ−
１）するものであることを特徴とするものである。According to a method of manufacturing a phase shift mask of the present invention, a shifter portion and a non-shifter portion are adjacent to each other, and a shifter portion is formed from an end of the shifter portion to an end of a portion of the non-shifter. A single-cut type substrate digging type phase in which a light-shielding film pattern made of a light-shielding film having a light-shielding property with respect to exposure light is continuously covered including a side surface of a digging portion (recess) for forming. A method of manufacturing a phase shift mask for manufacturing a shift mask, wherein a photoresist is formed on one surface of a substrate, directly or through a metal film, when patterning a dug portion forming region for forming a shifter portion. A resist for selectively exposing the digging portion forming region of the photoresist with a photo repeater, further performing a developing process, and forming a resist pattern having an opening in the digging portion forming region. It is characterized in that it has a Topatan formation process. In the above, in the resist pattern forming step, at the time of patterning the dug portion forming region for forming the shifter portion, a photoresist is coated and formed on one surface of the substrate via a metal film, and a photo repeater is used. The digging portion forming region of the photoresist is selectively exposed, and further subjected to a development process to form a resist pattern having an opening in the digging portion forming region, and the metal film is formed by digging the substrate by dry etching. The resist pattern is at least resistant to an etching gas, and after forming a resist pattern, the metal pattern exposed from the opening is etched using the resist pattern as an etching resistant mask to form a metal film pattern. The substrate portion exposed from the opening of the metal film pattern is dry etched to form a dug portion, the resist pattern is removed, After removing the metal film pattern and subjecting the whole to wet etching and cleaning as necessary, a light-shielding film having a light-shielding property against exposure light is formed on the side of the digging portion of the substrate, and the photo-etching method is used. The method is characterized in that a light shielding film pattern made of the light shielding film is formed. Alternatively, in the above, in the resist pattern forming step, when patterning the digging portion forming region for forming the shifter portion, a photoresist is directly applied and formed on one surface of the substrate, and the digging portion forming region is selected by a photo repeater. The resist pattern is formed by exposing the resist pattern and then developing it to form a resist pattern with an opening in the digging part formation area. After the resist pattern is formed, the substrate part exposed from the opening is etched using the resist pattern as an etching resistant mask. To form a digging, then
A light-shielding film having a light-shielding property with respect to exposure light is formed on a side surface on which a dug portion of the substrate is formed, and a light-shielding film pattern made of the light-shielding film is formed by a photoetching method. In the above description, the substrate portion is dug by setting the wavelength of the exposure light to λ and the refractive index of the substrate to n, and setting the depth d0 of the dug portion (concave portion) to approximately λ / 2 (n−
1) It is characterized in that:

【０００９】尚、フォトリピータは、簡単には、ｉ線
（３６５ｎｍ）等の紫外線、ＫｒＦ（２４８ｎｍ波長等
のエキシマレーザを露光光として用い、レンズ系を介し
て親マスクのパターンを子マスク上に縮小投影するもの
で、子マスクの位置を所定ピッチで繰り返し移動しなが
ら、そのパターンを高速に繰り返し露光する装置であ
り、親マスクのパターンをウエハ上に露光する場合には
フォトステッパーと呼ばれている。また、露光光に対し
遮光性とは、作製された位相シフトマスクを用いてウエ
ハ上に露光する際の、露光光に対し、遮光性であること
を意味する。The photo-repeater simply uses an ultraviolet ray such as i-ray (365 nm) or an excimer laser such as KrF (wavelength of 248 nm) as exposure light, and transfers a pattern of a parent mask onto a child mask through a lens system. This is a device that performs reduction projection, and repeatedly exposes the pattern of the parent mask at high speed while repeatedly moving the position of the child mask at a predetermined pitch.When exposing the pattern of the parent mask on the wafer, it is called a photostepper. In addition, the term "light-shielding property against exposure light" means that it is light-shielding property against exposure light when exposing a wafer using a manufactured phase shift mask.

【００１０】本発明の位相シフトマスクは、シフター部
と非シフター部が互いに隣接し、シフター部の端部から
非シフタ一部の端部までを、シフター部を形成するため
の掘り込み部（凹部）の側面部も含めて連続して覆う、
露光光に対し遮光性を有する遮光膜からなる遮光膜パタ
ンが形成されている片掘り型の基板掘り込み型位相シフ
トマスクであって、上記本発明の製造方法により形成さ
れたことを特徴とするものである。In the phase shift mask according to the present invention, the shifter portion and the non-shifter portion are adjacent to each other, and a dug portion (recess portion) for forming the shifter portion extends from an end of the shifter portion to a portion of the non-shifter. ) Continuously cover the side including
A one-sided type substrate dug-in type phase shift mask in which a light-shielding film pattern made of a light-shielding film having a light-shielding property against exposure light is formed, characterized by being formed by the manufacturing method of the present invention. Things.

【００１１】[0011]

【作用】本発明の位相シフトマスクの製造方法は、この
ような構成にすることにより、シフター部と非シフター
部が互いに隣接し、且つ、シフター部の端部から非シフ
タ一部の端部までを、シフター部を形成するための掘り
込み部（凹部とも言う）の側面部も含め、連続して覆
う、露光光に対し遮光性を有する遮光膜からなる遮光層
パタンが形成されている片掘り型の基板掘り込み型位相
シフトマスクを製造するための、位相シフトマスクの製
造方法であって、工程効率化を達成できる製造方法の提
供を可能としている。詳しくは、本発明は、基板掘り込
み部は繰り返しパターンとなっていること、そして、シ
フター部と非シフター部が互いに隣接し、且つ、シフタ
ー部の端部から非シフタ一部の端部までを、シフター部
を形成するための掘り込み部（凹部とも言う）の側面部
も含め、連続して覆う（第２の）遮光膜からなる遮光層
パタンが形成されている片掘り型の基板掘り込み型位相
シフトマスクにおいては、その作製の際、基板掘り込み
部形成のための製版の精度は、（第２の）遮光膜からな
る遮光膜パタン形成のための製版の精度より、低い精度
でも良いことより、基板掘り込み部形成のための製版へ
の、フォトリピータの適用を見出したもので、基板掘り
込み部形成のための製版へフォトリピータを適用したこ
とにより、工程効率化を可能にしている。このように、
フォトリピータを用いることにより、電子ビーム描画露
光装置や他のフォト描画露光装置に比べ、高速に繰り返
しパターンを露光でき、様々なパターンを入れたマスタ
ーマスクをあらかじめ作製しておくことにより、いろい
ろなサイズに対してシフター部形成のための掘り込み部
形成の露光を迅速に行うことが可能となる。特に、遮光
膜の成膜されていない基板上にレジストを直接塗布し露
光を行う場合は、光による露光のため、チャージアップ
による影響を考える必要がなくなる。このように、フォ
トリピータを用いることにより、スループツトの向上と
コストダウンを図ることが可能となる。According to the method of manufacturing a phase shift mask of the present invention, by adopting such a structure, the shifter portion and the non-shifter portion are adjacent to each other, and from the end of the shifter portion to the end of the non-shifter part. In which a light-shielding layer pattern made of a light-shielding film having a light-shielding property for exposure light is continuously covered, including a side surface of a dug portion (also referred to as a concave portion) for forming a shifter portion. The present invention provides a method for manufacturing a phase shift mask for manufacturing a phase shift mask in which a mold is dug into a substrate, the method being capable of achieving a higher process efficiency. Specifically, in the present invention, the substrate dug portion has a repetitive pattern, and the shifter portion and the non-shifter portion are adjacent to each other, and from the end of the shifter portion to the end of the non-shifter part. Digging-type substrate digging in which a light-shielding layer pattern made of a (second) light-shielding film is continuously covered, including a side surface of a digging portion (also referred to as a concave portion) for forming a shifter portion. In the mold phase shift mask, the precision of the plate making for forming the substrate digging portion may be lower than the precision of the plate making for forming the light shielding film pattern formed of the (second) light shielding film. From this, it was found that a photo repeater was applied to the plate making for forming the substrate digging portion, and by applying the photo repeater to the plate making for the substrate digging portion, it was possible to increase the process efficiency. Is in this way,
By using a photo repeater, patterns can be repeatedly exposed at a higher speed than with an electron beam lithography exposure system or other photolithography lithography systems, and by preparing a master mask containing various patterns in advance, various sizes can be obtained. In this case, it is possible to quickly perform exposure for forming a dug portion for forming a shifter portion. In particular, in the case where exposure is performed by directly applying a resist on a substrate on which a light-shielding film is not formed, it is not necessary to consider the influence of charge-up because of exposure by light. As described above, by using the photo repeater, it is possible to improve the throughput and reduce the cost.

【００１２】本発明の製造方法を適用する基板彫り込み
型の位相シフトマスクとして、レベンソン型位相シフト
マスクが挙げられ、１．０μｍ以下の、シフター部、非
シフター部がそれぞれ互いに交互に格子状に配置されて
いるラインアンドスペースパターン（Ｌ＆Ｓパターンと
も言う）において、適用された場合には、特に有効であ
る。また、適用する基板彫り込み型の位相シフトマスク
が、露光光が波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー
用の位相シフトマスクである場合に有効で、露光光が波
長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー用の位相シフト
マスクや、露光光が波長１５７ｎｍのＦ２エキシマレー
ザー用の位相シフトマスクである場合にも有効である。As a substrate-engraving type phase shift mask to which the manufacturing method of the present invention is applied, there is a Levenson type phase shift mask, and shifters and non-shifters of 1.0 μm or less are arranged alternately in a lattice pattern. This is particularly effective when applied to a line and space pattern (also referred to as an L & S pattern). Further, the substrate-engraving type phase shift mask to be applied is effective when the exposure light is a phase shift mask for a KrF excimer laser having a wavelength of 248 nm, and the exposure light is a phase shift mask for an ArF excimer laser having a wavelength of 193 nm. This is also effective when the exposure light is a phase shift mask for an F2 excimer laser having a wavelength of 157 nm.

【００１３】本発明の位相シフトマスクは、このような
構成にすることにより、結局、シフター部と非シフター
部が互いに隣接し、シフター部の端部から非シフタ一部
の端部までを、シフター部を形成するための掘り込み部
（凹部）の側面部も含め、連続して覆う第２の遮光膜か
らなる遮光膜パタンが形成されている片掘り型の基板掘
り込み型位相シフトマスクで、低コストのものの提供を
可能としている。また、本発明の位相シフトマスクが、
露光光が波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー用の
位相シフトマスクである場合に有効で、露光光が波長１
９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー用の位相シフトマス
クである場合には、更に有効で、露光光が波長１５７ｎ
ｍのＦ２エキシマレーザー用の位相シフトマスクである
場合には特に有効である。In the phase shift mask according to the present invention, the shifter portion and the non-shifter portion are eventually adjacent to each other, and the shifter portion and the non-shifter portion have a shifter portion. A single-sided substrate digging type phase shift mask in which a light-shielding film pattern made of a second light-shielding film is continuously covered, including a side surface portion of a digging portion (recess) for forming a portion. It is possible to provide low-cost items. Further, the phase shift mask of the present invention,
This is effective when the exposure light is a phase shift mask for a KrF excimer laser having a wavelength of 248 nm.
In the case of a phase shift mask for an ArF excimer laser of 93 nm, it is more effective and the exposure light has a wavelength of 157 nm.
This is particularly effective in the case of a phase shift mask for an F2 excimer laser of m.

【００１４】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態例を図に基づ
いて説明する。図１は本発明の位相シフトマスクの製造
方法の実施の形態の２例の特徴工程を説明するための該
概略工程フロー図で、図２はフォトリピータによる露光
を説明するための概略図で、図３は図８（ｃ）に示す位
相シフトマスクの製造工程の一部を示した工程断面図
で、図４は図３に続く工程を示した工程断面図で、図５
は図８（ｂ）に示す位相シフトマスクの製造工程を示し
た工程断面図で、図６（ａ）は、図８（ｃ）に示す構造
の本発明の位相シフトマスクをラインアンドスペースパ
ターンに適用し、投影した場合の隣接する透光部（ライ
ン部）のウエハ上での光強度分布を示した図で、図６
（ｂ）はラインアンドスペースパターンの配列を示した
図である。図１中、細線矢印の工程は実施の形態の第１
の例を示したもので、太線矢印の工程は実施の形態の第
２の例を示したもので、Ｓ１００〜Ｓ１７０は処理ステ
ップを示し、ステップＳ１００、Ｓ１１０、Ｓ１１１、
Ｓ１２０、Ｓ１５０、Ｓ１５１、Ｓ１６０における断面
図は、製造するマスク特徴部の断面を示したものであ
る。図 1中、１１０は基板（透明基板とも言う）、１２
０は金属膜、１２０Ａは金属膜パタン、１２１は開口、
１３０、１３５はレジスト膜（フォトレジストとも言
う）、１３０Ａ、１３５Ａはレジストパタン、１３１、
１３６は開口で、図２中、１０は親マスク（マスターマ
スクとも言う）、１０ａは露光領域、１２は子マスク
（作製対象の位相シフトマスクとなるマスク）、１２
ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄは被露光領域、１３はレン
ズ系、１４は露光光、１５はＸＹステージで、図３、図
４中、２１０は基板（透明基板とも言う）、２１５は掘
り込み部（凹部とも言う）、２１６は側面部、２２０は
レジスト、２２５は開口部、２３０はドライエッチング
処理ガス、２５０は遮光膜、２５５は開口、２６０はレ
ジスト、２６５は開口、２８０はシフター部（透光
部）、２８５は非シフター部（透光部）、２９０は段差
部で、図５中、３１０は基板（透明基板とも言う）、３
１５は掘り込み部（凹部とも言う）、３１６は側面部、
３１７、３１７ａは上頂部、３１８、３１８ａは底角
部、３２０金属膜、３２０Ａは金属膜パタン、３２５は
開口、３３０はドライエッチング処理ガス、３３４、３
３５はレジスト膜、３４０は遮光膜、３４０Ａは遮光膜
パタン、３４５は開口、３５０はシフター部（透光
部）、３５５は非シフター部（透光部）で、図６中、６
５０は凹部の深さｄ１＝０の透光部（ライン部とも言
う）、６５０Ａはウエハ上光強度、６６０は凹部の深さ
ｄ２＝λ／２（ｎ−１）の透光部（ライン部とも言
う）、６６０Ａはウエハ上光強度、６７０は透光部、６
７５はマスクの隣接するライン間ピッチ、６７５Ａは投
影像のライン間ピッチ、６８０は遮光部（遮光膜）、６
９０は（ウエハ上の）光強度プロファイル、６９５は閾
値である。尚、図８（ｂ）、図８（ｃ）に示すマスク
は、図５（ｉ）、図４（ｉ）に相当するもので、便宜上
同じ符号を用いている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic process flow diagram for explaining two characteristic steps of an embodiment of a method for manufacturing a phase shift mask of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram for explaining exposure by a photo-repeater. 3 is a process sectional view showing a part of the manufacturing process of the phase shift mask shown in FIG. 8C, and FIG. 4 is a process sectional view showing a process following FIG.
6A is a process sectional view showing a manufacturing process of the phase shift mask shown in FIG. 8B, and FIG. 6A is a line and space pattern of the phase shift mask of the present invention having the structure shown in FIG. FIG. 6 is a diagram showing a light intensity distribution on a wafer of an adjacent light transmitting portion (line portion) when applied and projected.
(B) is a diagram showing an arrangement of a line and space pattern. In FIG. 1, the step indicated by the thin arrow is the first step of the embodiment.
The steps indicated by bold arrows indicate the second example of the embodiment, and S100 to S170 indicate processing steps, and include steps S100, S110, S111,
The cross-sectional views in S120, S150, S151, and S160 show cross sections of a mask feature to be manufactured. In FIG. 1, reference numeral 110 denotes a substrate (also referred to as a transparent substrate);
0 is a metal film, 120A is a metal film pattern, 121 is an opening,
130 and 135 are resist films (also referred to as photoresist); 130A and 135A are resist patterns;
Reference numeral 136 denotes an opening. In FIG. 2, reference numeral 10 denotes a parent mask (also referred to as a master mask), reference numeral 10a denotes an exposure region, reference numeral 12 denotes a child mask (a mask to be a phase shift mask to be formed), and reference numeral 12 denotes a mask.
Reference numerals a, 12b, 12c, and 12d denote areas to be exposed, 13 denotes a lens system, 14 denotes exposure light, 15 denotes an XY stage, and in FIGS. 3 and 4, reference numeral 210 denotes a substrate (also referred to as a transparent substrate); 216 is a side surface, 220 is a resist, 225 is an opening, 230 is a dry etching gas, 250 is a light shielding film, 255 is an opening, 260 is a resist, 265 is an opening, and 280 is a shifter (transparent). 285, a non-shifter portion (light-transmitting portion), 290 is a step portion, and in FIG. 5, 310 is a substrate (also called a transparent substrate), 3
15 is a dug portion (also called a concave portion), 316 is a side portion,
317, 317a are top portions, 318, 318a are bottom corner portions, 320 metal film, 320A is a metal film pattern, 325 is an opening, 330 is a dry etching gas, 334, 3
35 is a resist film, 340 is a light-shielding film, 340A is a light-shielding film pattern, 345 is an opening, 350 is a shifter portion (light-transmitting portion), and 355 is a non-shifter portion (light-transmitting portion).
50 is a light-transmitting portion (also referred to as a line portion) having a depth d1 = 0 of the concave portion, 650A is a light intensity on the wafer, and 660 is a light-transmitting portion (line portion) having a concave portion depth d2 = λ / 2 (n-1). 660A is the light intensity on the wafer, 670 is the light transmitting portion, 6
75 is a pitch between adjacent lines of the mask, 675A is a pitch between lines of the projected image, 680 is a light shielding portion (light shielding film), 6
90 is the light intensity profile (on the wafer) and 695 is the threshold. The masks shown in FIGS. 8B and 8C correspond to FIGS. 5I and 4I, and the same reference numerals are used for convenience.

【００１５】本発明の位相シフトマスクの製造方法実施
の形態例の特徴部を、図１に基づいて説明する。はじめ
に、実施の形態の第１の例の工程フローを簡単に説明す
る。第１の例は、シフター部と非シフター部が互いに隣
接し、シフター部の端部から非シフタ一部の端部まで
を、シフター部を形成するための掘り込み部（凹部）の
側面部も含め、連続して覆う、露光光に対し遮光性を有
する遮光膜からなる遮光膜パタンが形成されている片掘
り型の基板掘り込み型位相シフトマスクを製造するため
の、位相シフトマスクの製造方法であって、シフター部
形成用の掘り込み部形成領域のパタンニングの際、フォ
トレジストを、基板の一面上に、金属膜を介して塗布形
成し、フォトリピータで、フォトレジストの掘り込み部
形成領域を選択的に露光し、更に現像処理を施し、掘り
込み部形成領域を開口したレジストパタンを形成するレ
ジストパタン形成工程を有する位相シフトマスクの製造
方法である。但し、前記金属膜は、ドライエッチングに
より基板を掘り込む際のエッチングガスに対し少なくと
も耐性のあるものである。先ず、ウエハへの露光の際の
露光光（波長λ）に対し透明な両面平坦な基板１１０を
用意し（Ｓ１００）、その一面全面に金属膜１２０を形
成する。（Ｓ１１０） 波長λの露光光に透明な基板１１０としては、石英、合
成石英が一般には用いられる。金属膜１２０は、クロム
単層、あるいはクロム層と酸化クロム層、酸化窒化クロ
ム層を積層したものが一般的に用いられ、スパッタリン
グ法、蒸着法等により基板１１０に成膜される。次い
で、金属膜１２０上全面にレジスト膜１３０を形成した
（Ｓ１１１）後、フォトリピータで掘り込み部形成領域
を選択的に露光し（Ｓ１３０）、更に、現像処理を施し
（Ｓ１４０）、掘り込み部形成領域を開口したレジスト
パタン１３０Ａを形成する。（Ｓ１５０） 次いで、レジストパタン１３０Ａの開口１３５から露出
した金属膜１２０をエッチングし、遮光膜パタンを形成
した（Ｓ１５１）後、レジストパタン１３０Ａ、金属膜
パタン１２０Ａを耐エッチングマスクとして基板掘り込
み処理（Ｓ１７０）へとすすむ。尚、金属膜１２０と
し、上記クロム系のものを用いた場合には、硝酸第二セ
リウムアンモン液によるウェットエッチング、あるいは
塩素系のガスをエッチャントとして用い、ドライエッチ
ングにて行なう。レジスト膜１３０としては、処理性の
良いもので、所定の解像性を有し、且つ、耐エッチング
性があるものであれば特に限定はされない。本例は、こ
のように、フォトリピータを用いて、工程効率化を可能
としている。The features of the embodiment of the method for manufacturing a phase shift mask according to the present invention will be described with reference to FIG. First, a process flow of a first example of the embodiment will be briefly described. In the first example, the shifter portion and the non-shifter portion are adjacent to each other, and the side portion of the dug portion (recess) for forming the shifter portion extends from the end of the shifter portion to the end of a portion of the non-shifter. A method of manufacturing a phase shift mask for manufacturing a single-sided type substrate dug-in type phase shift mask in which a light shielding film pattern made of a light shielding film having a light shielding property against exposure light is continuously covered. When patterning a digging portion forming region for forming a shifter portion, a photoresist is applied and formed on one surface of the substrate via a metal film, and a photoresist is formed on the digging portion forming region. This is a method for manufacturing a phase shift mask including a resist pattern forming step of selectively exposing a region, further performing a development process, and forming a resist pattern in which a dug portion forming region is opened. However, the metal film is at least resistant to an etching gas when the substrate is dug by dry etching. First, a substrate 110 having both surfaces flat and transparent to exposure light (wavelength λ) when exposing a wafer is prepared (S100), and a metal film 120 is formed on the entire surface. (S110) As the substrate 110 transparent to the exposure light having the wavelength λ, quartz or synthetic quartz is generally used. As the metal film 120, a single layer of chromium, or a laminate of a chromium layer, a chromium oxide layer, and a chromium oxynitride layer is generally used, and is formed on the substrate 110 by a sputtering method, an evaporation method, or the like. Next, after forming a resist film 130 on the entire surface of the metal film 120 (S111), the digging portion forming region is selectively exposed by a photo repeater (S130), and further subjected to a development process (S140). A resist pattern 130A having an opening in a formation region is formed. (S150) Next, the metal film 120 exposed from the opening 135 of the resist pattern 130A is etched to form a light-shielding film pattern (S151), and then the substrate digging process is performed using the resist pattern 130A and the metal film pattern 120A as an etching-resistant mask (S150). Proceed to S170). When the chromium-based material is used as the metal film 120, the etching is performed by wet etching with a ceric ammonium nitrate solution or by dry etching using a chlorine-based gas as an etchant. The resist film 130 is not particularly limited as long as it has good processability, has a predetermined resolution, and has etching resistance. In this example, the process efficiency can be improved by using the photo repeater.

【００１６】次に、実施の形態の第２の例のフローを簡
単に説明する。第２の例も第１の例と同様、シフター部
と非シフター部が互いに隣接し、シフター部の端部から
非シフタ一部の端部までを、シフター部を形成するため
の掘り込み部（凹部）の側面部も含め、連続して覆う、
露光光に対し遮光性を有する遮光膜からなる遮光膜パタ
ンが形成されている片掘り型の基板掘り込み型位相シフ
トマスクを製造するための、位相シフトマスクの製造方
法であるが、第２の例の場合は、シフター部形成用の掘
り込み部形成領域のパタンニングの際、フォトレジスト
を基板の一面上に直接塗布形成し、フォトリピータで掘
り込み部形成領域を選択的に露光し、更に現像処理を施
し、掘り込み部形成領域を開口したレジストパタンを形
成するレジストパタン形成工程を有する位相シフトマス
クの製造方法である。先ず、第１の例と同様、ウエハへ
の投影露光の際の露光光（波長λ）に対し透明な両面平
坦な基板１１０を用意し（Ｓ１００）、その一面全面に
レジスト膜１３５を形成した（Ｓ１２０）後、フォトリ
ピータで掘り込み部形成領域を選択的に露光し（Ｓ１３
０）、更に、現像処理を施し（Ｓ１４０）、掘り込み部
形成領域を開口したレジストパタン１３５Ａを形成す
る。（Ｓ１５０） 次いで、レジストパタン１３５Ａを耐エッチングマスク
として基板掘り込み処理（Ｓ１７０）へとすすむ。レジ
スト膜１３５としては、処理性の良いもので、所定の解
像性を有し、且つ、耐エッチング性があるものであれば
特に限定はされない。本例も、このように、フォトリピ
ータを用いて、工程効率化を可能としている。Next, the flow of a second example of the embodiment will be briefly described. In the second example, similarly to the first example, the shifter portion and the non-shifter portion are adjacent to each other, and a dug portion for forming the shifter portion from the end of the shifter portion to the end of the non-shifter part ( (Concave), including the side surface,
This is a method for manufacturing a phase shift mask for manufacturing a one-sided type substrate dug-in type phase shift mask in which a light shielding film pattern made of a light shielding film having a light shielding property for exposure light is formed. In the case of the example, when patterning the digging portion forming region for forming the shifter portion, a photoresist is directly applied and formed on one surface of the substrate, and the digging portion forming region is selectively exposed by a photo repeater, and further, This is a method for manufacturing a phase shift mask including a resist pattern forming step of forming a resist pattern having an opening in a dug portion forming region by performing a developing process. First, in the same manner as in the first example, a substrate 110 having both surfaces flat and transparent to exposure light (wavelength λ) at the time of projection exposure on a wafer was prepared (S100), and a resist film 135 was formed on the entire surface of the substrate 110 (S100). After S120), the dug portion forming region is selectively exposed with a photo repeater (S13).
0) Further, a development process is performed (S140) to form a resist pattern 135A having an opening in the dugout formation region. (S150) Next, the process proceeds to the substrate digging process (S170) using the resist pattern 135A as an etching-resistant mask. The resist film 135 is not particularly limited as long as it has good processability, has a predetermined resolution, and has etching resistance. Also in this example, the process efficiency can be improved by using the photo repeater.

【００１７】次に、フォトリピータによる露光を、図２
に基づいて、簡単に説明しておく。尚、説明を分かり易
くするため、ここでは、親マスク（マスタマスクとも言
う）１０の露光領域１０ａの絵柄を、それぞれ、子マス
ク１２（図１のステップＳ１１１，Ｓ１２０のものに相
当）へ、所定ピッチで２行２列配列して投影露光するも
のとするが、実際は、配列、ピッチは作製する位相シフ
トマスクにあわせる。子マスク１２はＸＹステージ１５
に固定されており、ＸＹステージ１５により、子マスク
１２をＸ、Ｙ方向に移動し、所定の位置に停止した状態
で、子マスク１２に、親マスク１０の露光領域１０ａ絵
柄全体をレンズ系１３を介して縮小投影する動作を繰り
返して行ない。レンズ系１３と親マスク１０の相対位置
は固定で上記動作を繰り返す。これにより、親マスク１
０の露光領域１０ａの絵柄全体が、それぞれ、子マスク
１２の被露光領域１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに、
レンズ系１３により縮小投影される。先にも述べたよう
に、基板掘り込み部は繰り返しパターンとなっているこ
と、基板掘り込み部形成のためのレジストパタンニング
は、低い精度で良いことにより、フォトリピータによる
露光を前記レジストパタンニングのための露光とするこ
とができる。そして、このレジストパタンニングにおけ
る露光をフォトリピータにて行なうことにより、工程効
率化が図れる。使用するフォトリピータの露光精度も低
くて済む。照明光学系が複雑となるＫｒＦ（２４８ｎｍ
波長）等のエキシマレーザを使用必要もない。Next, the exposure by the photo-repeater is shown in FIG.
Based on the above, a brief description will be given. In order to make the description easy to understand, here, the pattern of the exposure area 10a of the parent mask (also called the master mask) 10 is respectively transferred to the child mask 12 (corresponding to those of steps S111 and S120 in FIG. 1). Projection exposure is performed by arranging two rows and two columns at a pitch, but in actuality, the arrangement and pitch are adjusted to the phase shift mask to be manufactured. The child mask 12 is an XY stage 15
The child mask 12 is moved in the X and Y directions by the XY stage 15 and is stopped at a predetermined position. The operation of reducing and projecting through is repeated. The above operation is repeated while the relative position between the lens system 13 and the parent mask 10 is fixed. Thereby, the parent mask 1
The entire pattern of the exposure area 10a of 0 is placed on the exposed areas 12a, 12b, 12c, and 12d of the child mask 12, respectively.
The image is reduced and projected by the lens system 13. As described above, the substrate digging portion has a repetitive pattern, and the resist patterning for forming the substrate digging portion can be performed with low accuracy. For exposure. Then, by performing the exposure in the resist patterning with a photo-repeater, the process efficiency can be improved. The exposure accuracy of the photo repeater used can be low. KrF (248 nm) which complicates the illumination optical system
It is not necessary to use an excimer laser such as a wavelength.

【００１８】次いで、実施の形態第２の例の位相シフト
マスクの製造方法を用い、図８（ｃ）に示す位相シフト
マスクを作製する１例を挙げ、図３、図４に基づいて説
明する。先ず、波長λの露光光に対し透明な、屈折率ｎ
の透明基板２１０（図３（ａ））を用意し、図１に示す
実施の形態の第２の例のように、レジスト膜形成（Ｓ１
２０）、フォトリピータによる露光（Ｓ１３０）、現像
処理（Ｓ１４０）を行ない、その一面に、直接、形成す
る掘り込み部の形状に合せ、所定の開口を有するレジス
ト膜２２０を形成し（図３（ｂ））する。掘り込み部形
成領域は単純な繰り返しパターンで、露光をフォトリピ
ータで行うことにより、電子ビーム露光装置やフォト描
画装置の場合の描画時間に比べ、露光時間を大幅に短縮
することができる。次いで、レジスト膜２２０を耐エッ
チングマスクとして、ドライエッチングを行い（図３
（ｃ））、掘り込み部２１５を形成する。（図３
（ｄ）） この場合、ドライエッチングは異方性で、ほぼ基板面に
直交する方向のみに掘り込み（エッチング）が進む。掘
り込む深さの管理は、位相差測定装置（レーザーテック
製ＭＰＭ−２４８）等を用い、正確に行なうことができ
る。エッチング用ガスとしては、ＣＦ4 ガス、ＣＦ3 ガ
ス等のフッ素系ガスを用い、選択的にドライエッチング
して、所定の深さＤ０（通常、λ／２（ｎ−１）に相
当）とする。尚、ウエットエッチング法は等方性で、各
方向にほぼ等しい速度で掘り込み（エッチング）が進む
ため、ここではこの方法は用いない。レジスト膜２２０
としては、ドライエッチングの際に膜減りをするもの
で、膜減り効果により、レジスト膜の開口部２２５の幅
が次第に大きくなるものを用いる。ドライエッチングの
際に、レジスト膜の開口部２２５の幅が次第に大きくな
ることにより、側面部２１６は、基板表面に向かい広が
るように傾斜して形成される。レジスト膜２２０を形成
するためのレジストとしては、例えば、ＩＰ３５００
（東京応化工業株式会社製）、ＴＨＭＲ−１００（東京
応化工業株式会社製）等が適用でき、レジスト膜１２０
の露光を、レーザー描画装置（例えば、ＥＴＥＣ社製Ａ
ＬＴＡ３０００）やフォトリピーター転写装置（例え
ば、ＮＩＫＯＮＮ製ＮＳＲ−ＲＥ３６５）で行なう。こ
の露光の場合、電子ビーム露光装置の場合のようなチャ
ージアップの問題もない。Next, an example of manufacturing the phase shift mask shown in FIG. 8C using the method of manufacturing the phase shift mask according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. . First, a refractive index n transparent to exposure light having a wavelength λ
3A is prepared, and a resist film is formed (S1) as in the second example of the embodiment shown in FIG.
20), exposure using a photo repeater (S130), and development processing (S140) are performed, and a resist film 220 having a predetermined opening is formed on one surface thereof in accordance with the shape of the dug portion to be formed directly (FIG. b)). The excavated portion forming area is a simple repetitive pattern, and the exposure is performed by a photo repeater, so that the exposure time can be significantly reduced as compared with the writing time in the case of an electron beam exposure apparatus or a photo writing apparatus. Next, dry etching is performed using the resist film 220 as an etching resistant mask (FIG. 3).
(C)), a dug portion 215 is formed. (FIG. 3
(D)) In this case, dry etching is anisotropic, and digging (etching) proceeds only in a direction substantially perpendicular to the substrate surface. The digging depth can be accurately controlled using a phase difference measuring device (MPM-248 manufactured by Lasertec) or the like. As the etching gas, a fluorine-based gas such as a CF 4 gas or a CF 3 gas is used, and selectively dry-etched to a predetermined depth D 0 (usually equivalent to λ / 2 (n−1)). . Note that the wet etching method is isotropic, and digging (etching) proceeds at substantially the same speed in each direction. Therefore, this method is not used here. Resist film 220
The thickness of the opening 225 of the resist film gradually increases due to the effect of the thickness reduction. During the dry etching, the width of the opening 225 of the resist film gradually increases, so that the side surface 216 is formed to be inclined so as to spread toward the substrate surface. As a resist for forming the resist film 220, for example, IP3500
(Manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), THMR-100 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) and the like.
Exposure with a laser drawing device (for example, A
LTA3000) or a photo-repeater transfer device (for example, NSR-RE365 manufactured by NIKONN). In the case of this exposure, there is no problem of charge-up as in the case of the electron beam exposure apparatus.

【００１９】次いで、所定の剥離液により、レジスト膜
２２０を剥離除去し、洗浄処理を施した（図３（ｅ））
後、スパッタリング法、蒸着法等により、基板２１０の
掘り込み部２１５形成側全面に遮光膜を形成する。（図
４（ｆ）） 遮光膜２５０としては、クロム系のものが一般的で、通
常は、クロム単層、あるいはクロム層に必要に応じ、酸
化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロム等を積層する。
次いで、遮光膜２５０上に、フォトリソ法によりレジス
ト層２６０を所定形状に形成する。（図４（ｇ）） 作製する位相シフトマスクのシフタ部と非シフター部領
域を開口する。レジスト層２６０は遮光膜２５０をエッ
チングする際の耐エッチングレジストとなるもので、処
理性が良く、目的とする解像性があれば特に限定はされ
ない。Next, the resist film 220 was stripped and removed with a predetermined stripping solution, and a cleaning process was performed (FIG. 3E).
Thereafter, a light-shielding film is formed on the entire surface of the substrate 210 on the side of the digging portion 215 by a sputtering method, an evaporation method, or the like. (FIG. 4 (f)) The light-shielding film 250 is generally a chromium-based film. Usually, a chromium oxide, chromium nitride, chromium oxynitride, or the like is laminated on a chromium single layer or a chromium layer as necessary. .
Next, a resist layer 260 is formed in a predetermined shape on the light shielding film 250 by a photolithography method. (FIG. 4 (g)) Open the shifter and non-shifter regions of the phase shift mask to be manufactured. The resist layer 260 serves as an etching resistant resist when the light shielding film 250 is etched, and is not particularly limited as long as it has a good processability and a desired resolution.

【００２０】次いで、レジスト膜２６０の開口部２６５
から露出した遮光膜２５０をエッチング除去する。（図
４（ｈ）） エッチングは、遮光膜２５０としてクロム、酸化窒化ク
ロム等を用いる場合には、硝酸セリウムアンモン液、あ
るいは塩素系のガスを用いたドライエッチングでも良
い。この後、レジスト膜２６０を剥離除去して、洗浄処
理等を施し、目的とする基板掘り込み型位相シフトマス
クが得られる。（図４（ｉ）） 図４（ｉ）中、２８０はシフター部（透光部）、２８５
は非シフター部（透光部）である。Next, the opening 265 of the resist film 260 is formed.
The light shielding film 250 exposed from is removed by etching. (FIG. 4H) When chromium, chromium oxynitride, or the like is used for the light-shielding film 250, the etching may be dry etching using a cerium ammonium nitrate solution or a chlorine-based gas. Thereafter, the resist film 260 is peeled and removed, and a cleaning process or the like is performed, thereby obtaining a target substrate digging type phase shift mask. (FIG. 4 (i)) In FIG. 4 (i), 280 is a shifter portion (light transmitting portion), 285
Denotes a non-shifter portion (light-transmitting portion).

【００２１】次ぎに、実施の形態第１の例の位相シフト
マスクの製造方法を用い、図８（ｂ）に示す位相シフト
マスクを作製する１例を挙げ、図５に基づいて説明す
る。先ず、波長λの露光光に透明な両面平坦な基板３１
０を用意し（図５（ａ））、図１に示す第１の実施の形
態例のように、基板３１０の一面に第１の金属膜３２０
を成膜し（図５（ｂ）、図１のＳ１１０に相当）、金属
膜３２０上全面にレジストを形成し（図１のＳ１１１に
相当）、フォトリピータによる露光（Ｓ１３０）、現像
処理（Ｓ１４０）を行ない、基板３１０の一面に、金属
膜３２０を介して、形成する掘り込み部の形状に合せ、
所定の開口を有するレジスト膜３３４を形成し（図１の
Ｓ１５０に相当）、更に、前記所定の開口を有するレジ
スト膜３３４を耐エッチングマスクとして、その開口か
ら露出した遮光膜をエッチングし、掘り込み部形成領域
を開口した遮光膜パタンを形成する。（図５（ｃ）、図
１のＳ１５１に相当） この場合も、掘り込み部形成領域は単純な繰り返しパタ
ーンで、露光をフォトリピータで行うことにより、電子
ビーム露光装置やフォト描画装置の場合の描画時間に比
べ、露光時間を大幅に短縮することができる。この後、
金属膜パタン３２０Ａ形成用のレジスト膜３３４を、除
去し、洗浄処理を施しておく。波長λの露光光に透明な
両面平坦な基板３１０としては、石英、合成石英が一般
には用いられる。金属膜３２０としては、ドライエッチ
ングにより基板を掘り込む際のエッチングガスに対し少
なくとも耐性のあるもので、金属膜３２０としてクロ
ム、酸化窒化クロムを用いる場合には、塩素系のガスを
エッチャントとして用い、ドライエッチングを行なうこ
ともできる。レジスト膜３３４としては、処理性の良い
もので、所定の解像性を有し、且つ、耐エッチング性が
あるものであれば特に限定はされない。Next, an example of manufacturing the phase shift mask shown in FIG. 8B using the method of manufacturing the phase shift mask of the first embodiment will be described with reference to FIG. First, a substrate 31 having a flat surface on both sides transparent to exposure light having a wavelength λ.
0 (FIG. 5A), and a first metal film 320 is formed on one surface of the substrate 310 as in the first embodiment shown in FIG.
(FIG. 5 (b), corresponding to S110 in FIG. 1), a resist is formed on the entire surface of the metal film 320 (corresponding to S111 in FIG. 1), exposure by a photo repeater (S130), and development processing (S140) ) Is performed on one surface of the substrate 310 via the metal film 320 in accordance with the shape of the dug portion to be formed.
A resist film 334 having a predetermined opening is formed (corresponding to S150 in FIG. 1). Further, using the resist film 334 having the predetermined opening as an etching resistant mask, the light-shielding film exposed from the opening is etched and dug. A light-shielding film pattern having an opening in a portion forming region is formed. (FIG. 5 (c), corresponding to S151 in FIG. 1) In this case as well, the digging portion forming region is a simple repetitive pattern, and the exposure is performed by a photo-repeater, so that the electron beam lithography device or the photo lithography device can be used. The exposure time can be greatly reduced as compared with the drawing time. After this,
The resist film 334 for forming the metal film pattern 320A is removed and subjected to a cleaning process. Quartz or synthetic quartz is generally used as the substrate 310 that is transparent to both sides of the exposure light having the wavelength λ. The metal film 320 is at least resistant to an etching gas when the substrate is dug by dry etching. When chromium or chromium oxynitride is used as the metal film 320, a chlorine-based gas is used as an etchant. Dry etching can also be performed. The resist film 334 is not particularly limited as long as it has good processability, has a predetermined resolution, and has etching resistance.

【００２２】次いで、フォトリソ法により耐ドライエッ
チング性のレジスト膜３３５を金属膜パタン３２０Ａ上
に形成し、レジスト膜３３５、金属膜パタン３２０Ａを
耐エッチングマスクとして、ドライエッチングにより、
基板を掘り込んで、露光光の波長をλ、基板の屈折率を
ｎとして、その掘り込み部（凹部）の深さｄ０をほぼλ
／２（ｎ−１）する。（図５（ｄ）、図５（ｅ）） 彫り込む深さの管理は、位相差測定装置（レーザーテッ
ク製ＭＰＭ−２４８）等を用い、正確に行なうことがで
きる。この場合、ドライエッチングは異方性で、ほぼ透
明基板面に直交する方向のみに彫り込み（エッチング）
が進む。ＣＦ4 等のフッ素系ガスをエッチャントとし
て、開口から露出した透明基板部をドライエッチングす
る。レジストとしては、処理性の良いもので、所定の解
像性を有し、且つ、耐ドライエッチング性があるもので
あれば特に限定はされない。尚、場合によっては、金属
膜パタン３２０Ａ上に、レジスト膜を設けないで、ドラ
イエッチングにより、基板を掘り込んでも良い。Next, a dry etching resistant resist film 335 is formed on the metal film pattern 320A by a photolithography method, and dry etching is performed by using the resist film 335 and the metal film pattern 320A as an etching resistant mask.
When the substrate is dug and the wavelength of the exposure light is λ and the refractive index of the substrate is n, the depth d0 of the dug portion (recess) is substantially λ.
/ 2 (n-1). (FIGS. 5 (d) and 5 (e)) The engraving depth can be accurately controlled by using a phase difference measuring device (MPM-248 manufactured by Lasertec) or the like. In this case, the dry etching is anisotropic, and is engraved (etched) only in a direction substantially perpendicular to the transparent substrate surface.
Advances. The transparent substrate exposed from the opening is dry-etched using a fluorine-based gas such as CF 4 as an etchant. The resist is not particularly limited as long as it has good processability, has a predetermined resolution, and has dry etching resistance. In some cases, the substrate may be dug by dry etching without providing a resist film on the metal film pattern 320A.

【００２３】次いで、ドライエッチング後、レジスト膜
３３５を、除去し、金属膜３２０からなる金属膜パタン
３２０Ａを剥離し、洗浄処理等を施した（図５（ｆ））
後、基板３１０の掘り込み部３１５形成側全面にウェッ
トエッチングを行なう。（図５（ｇ）） この場合、ウエットエッチングは等方性で、各方向にほ
ぼ等しい速度で掘り込み（エッチング）が進む。ウエッ
トエッチングのエッチャントとしては、ふっ酸溶液、熱
アルカリ溶液が用いられる。ウェットエッチングのエッ
チング量は、１０ｎｍ〜１００ｎｍが好ましい。Next, after the dry etching, the resist film 335 is removed, the metal film pattern 320A made of the metal film 320 is peeled off, and a cleaning process is performed (FIG. 5 (f)).
Thereafter, wet etching is performed on the entire surface of the substrate 310 on the side where the digging portion 315 is formed. (FIG. 5 (g)) In this case, the wet etching is isotropic, and digging (etching) proceeds at substantially the same speed in each direction. A hydrofluoric acid solution or a hot alkaline solution is used as an etchant for wet etching. The etching amount of the wet etching is preferably 10 nm to 100 nm.

【００２４】次いで、シフター部を形成するための掘り
込み部（凹部）３１５の側面部も含め、基板３１０の掘
り込み部３１５形成側全面を連続して覆う、 光に遮光
性の遮光膜３４０を成膜し（図５（ｈ））、更にフォト
エッチング法により、シフター部と非シフター部を開口
する遮光膜３４０からなる前記遮光層パタン３４０Ａを
形成する。（図５（ｉ）） 遮光膜３４０をスパッタリング法、蒸着法等により基板
３１０に成膜した後、通常の、前記と同様、フォトリソ
グラフィー法により、形成する遮光部の形状に合せ、所
定の開口を有するレジスト膜（図示していない）を形成
し、該レジスト膜を耐エッチングマスクとして、ドライ
エッチングあるいはウェットエッチング等を行い、遮光
膜３４０からなる所定形状の遮光膜パタン３４０Ａを形
成する。この後、遮光膜パタン３４０Ａ形成用のレジス
ト膜を、除去し、洗浄処理を施しておく。遮光膜３４０
としてクロム、酸化窒化クロムを用いる場合には、塩素
系のガスをエッチャントとして用い、ドライエッチング
を行なうこともできる。レジストとしては、処理性の良
いもので、所定の解像性を有し、且つ、耐エッチング性
があるものであれば特に限定はされない。Next, a light-shielding light-shielding film 340 that continuously covers the entire surface of the substrate 310 on which the digging portion 315 is formed, including the side surface of the digging portion (recess) 315 for forming the shifter portion, is provided. A film is formed (FIG. 5 (h)), and the light-shielding layer pattern 340A composed of the light-shielding film 340 that opens the shifter portion and the non-shifter portion is formed by photoetching. (FIG. 5 (i)) After the light-shielding film 340 is formed on the substrate 310 by a sputtering method, an evaporation method, or the like, a predetermined opening is formed by photolithography in the same manner as described above in accordance with the shape of the light-shielding portion to be formed. Is formed, and using the resist film as an etching resistant mask, dry etching or wet etching is performed to form a light shielding film pattern 340A of a predetermined shape composed of the light shielding film 340. Thereafter, the resist film for forming the light-shielding film pattern 340A is removed and a cleaning process is performed. Light shielding film 340
When chromium or chromium oxynitride is used, dry etching can be performed using a chlorine-based gas as an etchant. The resist is not particularly limited as long as it has good processing properties, has a predetermined resolution, and has etching resistance.

【００２５】[0025]

【実施例】（実施例１）実施例１は、図１に示す第１の
実施の形態例を適用した、ほぼ図５に示す工程と同じ工
程で、図５（ｉ）に示す位相シフトマスクを作製したも
ので、図６（ｂ）に示すラインアンドスペースパターン
配列を有するＫｒＦ用レベンソン型の位相シフトマスク
を形成したものである。図１、図５に基づいて説明す
る。先ず、合成石英基板（以下Ｑｚ基板とも言う）から
なる透明基板３１０（図５（ａ））の一面上に、スパッ
タリング法により、クロム膜（１１０ｎｍ厚）、酸化ク
ロム（数ｎｍ厚）からなる金属膜３２０を全面に形成し
たフォトマスクブランクス（図５（ｂ））の、金属膜３
２０上に、レジストＩＰ３５００（東京応化工業株式会
社製）を塗布し、フォトリピータ転写装置ＮＳＲ−ＲＥ
３６５（ＮＩＫＯＮ社製）で、レジストの掘り込み部形
成領域を開口するための所定の露光を行った。（図１の
Ｓ１３０に相当） 尚、フォトリピータ転写装置ＮＳＲ−ＲＥ３６５（ＮＩ
ＫＯＮ社製）は、３６５ｎｍ波長の紫外線を露光光とし
て用いるもので、複数のマスターマスクを用いてつなぎ
合わせ露光することで、露光エリアよりも大きなパター
ンを露光できる、等の特徴がある。次いで、無機アルカ
リ現像液で現像を行い、金属膜３２０上に所定の開口を
有するレジスト膜３３４からなるレジストパタンを形成
した後、該レジスト膜の開口部から露出した酸化クロ
ム、クロムからなる金属膜３２０を塩素系のガスを用い
てドライエッチングし、金属膜パタン３２０Ａを形成し
た。（図５（ｃ））EXAMPLE 1 In Example 1, a phase shift mask shown in FIG. 5 (i) was obtained by applying the first embodiment shown in FIG. 1 and performing substantially the same steps as those shown in FIG. And a Levenson-type phase shift mask for KrF having a line and space pattern arrangement shown in FIG. 6B was formed. A description will be given based on FIGS. First, on one surface of a transparent substrate 310 (FIG. 5A) composed of a synthetic quartz substrate (hereinafter also referred to as a Qz substrate), a metal composed of a chromium film (110 nm thick) and chromium oxide (a few nm thick) is formed by sputtering. The metal film 3 of the photomask blanks (FIG. 5B) in which the film 320 is formed on the entire surface
20 is coated with a resist IP3500 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) and a photo-repeater transfer device NSR-RE
With 365 (manufactured by NIKON), predetermined exposure for opening a region where a digging portion of a resist was formed was performed. (Corresponding to S130 in FIG. 1) The photo-repeater transfer device NSR-RE365 (NI
KON Corporation) uses ultraviolet light of 365 nm wavelength as exposure light, and has a feature that a pattern larger than an exposure area can be exposed by performing joint exposure using a plurality of master masks. Then, development is performed with an inorganic alkali developer to form a resist pattern made of a resist film 334 having a predetermined opening on the metal film 320, and then a metal film made of chromium oxide and chromium exposed from the opening of the resist film. 320 was dry-etched using a chlorine-based gas to form a metal film pattern 320A. (FIG. 5 (c))

【００２６】次いで、シフター部を形成するためにＣＦ
4 ガスを用いドライエッチングし、基板３１０を掘り込
んで、露光光の波長をλ、基板３１０の屈折率をｎとし
て、その掘り込み部（凹部）の深さをほぼλ／２（ｎ−
１）とした。（図５（ｄ）、図５（ｅ）に相当） ここでは、レジスト３３４膜をそのまま図５（ｄ）に示
すレジスト３３５膜の代用として用いた。次いで、レジ
スト膜３３４を除去し、金属膜パタン３２０Ａを剥離し
（図５（ｆ））、フッ酸溶液を用い、基板３１０全面に
４０ｎｍのウエットエッチングを行なった。これによ
り、基板の掘り込み部３１５の上頂部３１７ａが丸まっ
た。（図５（ｇ））Next, CF is formed to form a shifter portion.
The substrate 310 is dug by dry etching using four gases, and the wavelength of the exposure light is λ, the refractive index of the substrate 310 is n, and the depth of the dug portion (recess) is approximately λ / 2 (n−
1). (Equivalent to FIGS. 5D and 5E) Here, the resist 334 film was used as it is as a substitute for the resist 335 film shown in FIG. 5D. Next, the resist film 334 was removed, the metal film pattern 320A was peeled off (FIG. 5F), and 40 nm wet etching was performed on the entire surface of the substrate 310 using a hydrofluoric acid solution. As a result, the top 317a of the dug portion 315 of the substrate was rounded. (FIG. 5 (g))

【００２７】次いで、基板３１０の掘り込み部３１５形
成側全面にクロム膜（１１０ｎｍ厚）、酸化クロム（数
ｎｍ厚）からなる露光光に対し遮光性の遮光膜３４０を
スパッタリング形成した。（図５（ｈ）） 基板の掘り込み部３１５の上頂部３１７ａが丸まってい
る状態（図５（ｇ））で遮光膜３４０の成膜を行なった
ため、基板の掘り込み部３１５の上頂部３１７ａ近傍も
他の平坦部と同様、均一に成膜された。Next, a light-shielding film 340, which is made of a chrome film (110 nm thick) and chromium oxide (several nm thick), is formed on the entire surface of the substrate 310 on the side of the dug portion 315 by sputtering. (FIG. 5 (h)) Since the light shielding film 340 was formed in a state in which the top portion 317a of the recessed portion 315 of the substrate was rounded (FIG. 5G), the top portion 317a of the recessed portion 315 of the substrate was formed. In the vicinity, as in the case of the other flat portions, a uniform film was formed.

【００２８】次いで、遮光膜３４０上に、レジストＺＥ
Ｐ（日本ゼオン株式会社製）を塗布し、電子ビーム描画
装置ＨＬ８００（日立株式会社製）で描画し、無機アル
カリ現像液で現像し、所定形状にレジスト膜（図示して
いない）を形成した後、開口部の酸化クロム、クロムか
らなる遮光膜３４０を塩素系のガスを用いてドライエッ
チングし、更に、前記レジスト膜を所定の剥離液で剥離
して、洗浄処理を施し、図５（ｉ）に示す本発明の片掘
り型の基板掘り込み型位相シフトマスクを作製した。こ
れにより、図６（ｂ）に示す、掘り込み部のライン部
（透光部）６５０の遮光膜６８０の開口サイズを０. ６
μｍ□とし、且つ、掘り込みをいれない（凹部深さを０
の）ライン部（透光部）６６０の遮光膜６８０の開口サ
イズを０. ６μｍ□とし、これら開口のピッチを１. ２
μｍとした位相シフトマスクを得た。Next, a resist ZE is formed on the light shielding film 340.
After coating with P (manufactured by Zeon Corporation), drawing with an electron beam drawing apparatus HL800 (manufactured by Hitachi, Ltd.), developing with an inorganic alkali developer, and forming a resist film (not shown) in a predetermined shape Then, the light-shielding film 340 made of chromium oxide and chromium in the opening is dry-etched using a chlorine-based gas, and the resist film is peeled off with a predetermined peeling liquid, followed by a cleaning treatment. Of the present invention was manufactured as shown in FIG. Thus, the opening size of the light shielding film 680 in the line portion (light transmitting portion) 650 of the dug portion shown in FIG.
μm □ and no digging (recess depth is 0
The opening size of the light-shielding film 680 of the line portion (light-transmitting portion) 660 is 0.6 μm □, and the pitch of these openings is 1.2.
A phase shift mask having a thickness of μm was obtained.

【００２９】このようにして、得られた基板掘り込み型
位相シフトマスクを用い、ウエハ上に投影露光を行なっ
たが、現像後、マスクの掘り込み部のライン部（透光
部）６５０のレジスト像と、マスクの掘り込みをいれな
い（凹部深さを０の）ライン部（透光部）６６０のレジ
スト像は、同じ寸法で形成された。ウエハ上の光強度
を、レーザテック社製のシュミレータＭＳＭ１００等を
用いて測定した結果、図６（ａ）のようになった。ウエ
ハ上の光強度プロファイル６９０は、図６（ａ）のよう
になり、ライン部（透光部）６５０、６６０にそれぞれ
対応する、隣接するライン部のウエハ上の光強度６５０
Ａ，６６０Ａには、ほとんど差がみられなかったProjection exposure was performed on the wafer using the obtained substrate digging type phase shift mask. After development, the resist of the line portion (light transmitting portion) 650 of the digging portion of the mask was developed. The image and the resist image of the line portion (light-transmitting portion) 660 in which the mask was not dug (the depth of the concave portion was 0) were formed with the same dimensions. As a result of measuring the light intensity on the wafer using a simulator MSM100 manufactured by Lasertec, etc., the result was as shown in FIG. 6A. The light intensity profile 690 on the wafer is as shown in FIG. 6A, and the light intensity 650 on the wafer of the adjacent line portion corresponding to the line portions (light transmitting portions) 650 and 660, respectively.
A, 660A showed little difference

【００３０】（実施例２）実施例２は、図１に示す第２
の実施の形態例を適用した、図３、図４に示す工程で、
図４（ｉ）に示す位相シフトマスクを作製したもので、
実施例１と同様、図６（ｂ）に示すラインアンドスペー
スパターン配列を有するＫｒＦ用レベンソン型の位相シ
フトマスクを形成したものである。図１、図３、図４に
基づいて説明する。先ず、合成石英基板（以下Ｑｚ基板
とも言う）からなる透明基板２１０（図３（ａ））の一
面上に、レジストＩＰ３５００（東京応化工業株式会社
製）を塗布し、実施例１と同様、フォトリピータ転写装
置ＮＳＲ−ＲＥ３６５（ＮＩＫＯＮ社製）で、レジスト
の掘り込み部形成領域を開口するための所定の露光を行
った。（図１のＳ１３０に相当） 次いで、無機アルカリ現像液で現像を行い、基板２１０
上に直接所定の開口を有するレジスト膜２２０からなる
レジストパタンを形成した後、該レジスト膜２２０の開
口部から露出した基板部をＣＦ4 ガスを用いドライエッ
チングし（図３（ｃ））、掘り込み部２１５を形成し
た。（図３（ｄ）） 露光光の波長をλ、基板３１０の屈折率をｎとして、そ
の掘り込み部（凹部）の深さをほぼλ／２（ｎ−１）と
した。このとき、基板２１０部のエツチングと同時にレ
ジスト膜２２０も膜減りしていくため、時間とともに開
口幅パターンがに広がっていき、図３（ｄ）のように掘
り込み部２１５の側壁２１６が表面に向かい広がるよう
に傾斜した状態でエツチングが仕上がった。次いで、レ
ジスト膜２２０を剥離し、洗浄処理を施した（図３
（ｅ））後、基板２１０の掘り込み部２１５形成側面全
体に、クロム膜、酸化クロム膜を、それぞれ、１１０ｎ
ｍ，数ｎｍ（６〜８ｎｍ程度）にスパッタリング法によ
り成膜し、露光光に対し遮光性を有する遮光膜２５０を
形成した。（図４（ｆ）） 側壁部２１６を含み全面に、基板２１０の表面平坦部や
掘り込み部２１５の底面部と同様に遮光膜２５０が均一
にが成膜された。次いで、遮光膜２５０上に、レジスト
ＺＥＰ（日本ゼオン株式会社製）を塗布し、電子ビーム
描画装置ＨＬ８００（日立株式会社製）で描画し、無機
アルカリ現像液で現像し、所定形状にレジスト膜２６０
を形成した。（図４（ｇ）） 次いで、レジスト膜２６０の開口部２６５から露出した
酸化クロム及びクロムからなる遮光膜２５０に対し塩素
を主成分とするエッチヤントにてドライエッチングし、
レジストを剥離し洗浄を行なった。（図４（ｈ）） 次いで、レジスト膜を所定の剥離液で剥離して、洗浄処
理を施し、図４（ｉ）に示す本発明の片掘り型の基板掘
り込み型位相シフトマスクを作製した。これにより、図
５（ｂ）に示す、掘り込み部のライン部（透光部）６５
０の遮光膜６８０の開口サイズを０. ６μｍ□とし、且
つ、掘り込みをいれない（凹部深さを０の）ライン部
（透光部）６６０の遮光膜６８０の開口サイズを０. ６
μｍ□とし、これら開口のピッチを１. ２μｍとした位
相シフトマスクを得た。(Embodiment 2) In Embodiment 2, the second embodiment shown in FIG.
In the steps shown in FIGS. 3 and 4 to which the embodiment of
A phase shift mask shown in FIG.
As in the first embodiment, a Levenson-type phase shift mask for KrF having a line and space pattern arrangement shown in FIG. 6B is formed. A description will be given based on FIGS. 1, 3, and 4. First, a resist IP3500 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied on one surface of a transparent substrate 210 (FIG. 3A) composed of a synthetic quartz substrate (hereinafter also referred to as a Qz substrate). Using a repeater transfer device NSR-RE365 (manufactured by NIKON), predetermined exposure for opening a region where a digging portion of a resist was formed was performed. (Corresponding to S130 in FIG. 1) Next, development is performed with an inorganic alkali developer, and the substrate 210
After a resist pattern composed of a resist film 220 having a predetermined opening is directly formed thereon, the substrate exposed from the opening of the resist film 220 is dry-etched using CF 4 gas (FIG. 3C), and digging is performed. A recess 215 was formed. (FIG. 3D) The wavelength of the exposure light is λ, the refractive index of the substrate 310 is n, and the depth of the dug portion (recess) is approximately λ / 2 (n−1). At this time, since the resist film 220 is also reduced in thickness at the same time as the etching of the substrate 210, the opening width pattern widens with time, and the side wall 216 of the dug portion 215 is formed on the surface as shown in FIG. Etching was finished in a state of being inclined so as to spread out. Next, the resist film 220 was peeled off, and a cleaning process was performed (FIG. 3).
(E)) After that, a chromium film and a chromium oxide film are respectively formed on the entire side surface of the substrate 210 where the dug portion 215 is formed by 110 n.
m, several nm (about 6 to 8 nm) were formed by a sputtering method, and a light-shielding film 250 having a light-shielding property with respect to exposure light was formed. (FIG. 4F) A light-shielding film 250 is uniformly formed on the entire surface including the side wall portion 216, similarly to the flat surface portion of the substrate 210 and the bottom surface portion of the dug portion 215. Next, a resist ZEP (manufactured by Zeon Corporation) is applied on the light-shielding film 250, drawn by an electron beam drawing apparatus HL800 (manufactured by Hitachi, Ltd.), developed with an inorganic alkali developer, and formed into a predetermined shape.
Was formed. (FIG. 4G) Next, the light-shielding film 250 made of chromium oxide and chromium exposed from the opening 265 of the resist film 260 is dry-etched by an etchant containing chlorine as a main component.
The resist was peeled off and washed. (FIG. 4 (h)) Next, the resist film was stripped with a predetermined stripping solution, and a cleaning process was performed to produce a single-cut type substrate dug-in type phase shift mask of the present invention shown in FIG. . Thereby, the line portion (light-transmitting portion) 65 of the dug portion shown in FIG.
The opening size of the light-shielding film 680 of the line portion (light-transmitting portion) 660 which does not need to be dug (the depth of the concave portion is 0) is 0.6 μm □ and the opening size of the light-shielding film 680 is 0.6 μm □.
μm □, and a phase shift mask having a pitch of these openings of 1.2 μm was obtained.

【００３１】このようにして、得られた片掘り型の基板
掘り込み型位相シフトマスクを用い、ウエハ上に投影露
光を行なったが、実施例１と同様、現像後、マスクの掘
り込み部のライン部（透光部）６５０のレジスト像と、
マスクの掘り込みをいれない（凹部深さ０の）ライン部
（透光部）６６０のレジスト像は、同じ寸法で形成され
た。ウエハ上の光強度を、レーザテック社製のシュミレ
ータＭＳＭ１００等を用いて測定した結果、実施例１と
同様、図６（ａ）のようになった。ウエハ上の光強度プ
ロファイル６９０は、図６（ａ）のようになり、ライン
部（透光部）６５０、６６０にそれぞれ対応する、隣接
するライン部のウエハ上の光強度６５０Ａ，６６０Ａに
は、ほとんど差がみられなかった。Projection exposure was performed on the wafer using the thus obtained single-cavity type substrate digging type phase shift mask. After development, as in the first embodiment, the mask digging portion was formed. A resist image of the line portion (light-transmitting portion) 650;
The resist image of the line portion (light-transmitting portion) 660 in which the mask was not dug (the concave portion had a depth of 0) was formed with the same dimensions. The light intensity on the wafer was measured using a simulator MSM100 manufactured by Lasertec Corporation, and the result was as shown in FIG. The light intensity profile 690 on the wafer is as shown in FIG. 6A, and the light intensity 650A, 660A on the adjacent line portion corresponding to the line portions (light transmitting portions) 650, 660 includes: There was almost no difference.

【００３２】[0032]

【発明の効果】本発明は、上記のように、シフター部と
非シフター部が互いに隣接し、且つ、シフター部の端部
から非シフタ一部の端部までを、シフター部を形成する
ための掘り込み部（凹部とも言う）の側面部も含め、連
続して覆う遮光膜からなる遮光層パタンが形成されてい
る片掘り型の基板掘り込み型位相シフトマスクを製造す
るための、位相シフトマスクの製造方法であって、工程
効率化を達成できる製造方法の提供を可能とした。これ
により、シフター部と非シフター部が互いに隣接し、且
つ、シフター部の端部から非シフタ一部の端部までを、
シフター部を形成するための掘り込み部（凹部とも言
う）の側面部も含め、連続して覆う遮光膜からなる遮光
層パタンが形成されている片掘り型の基板掘り込み型位
相シフトマスクで低コストのものの提供を可能とした。According to the present invention, as described above, the shifter portion and the non-shifter portion are adjacent to each other, and the shifter portion is formed from the end of the shifter portion to the end of a portion of the non-shifter. A phase shift mask for manufacturing a single-cavity type substrate dug-in type phase shift mask in which a light-shielding layer pattern made of a light-shielding film that covers continuously including a side surface of a dug portion (also referred to as a concave portion) is formed. In which the production efficiency can be improved. Thereby, the shifter part and the non-shifter part are adjacent to each other, and from the end of the shifter part to the end of the non-shifter part,
A single-sided substrate digging type phase shift mask in which a light-shielding layer pattern made of a light-shielding film continuously covered is formed, including a side surface portion of a digging portion (also referred to as a concave portion) for forming a shifter portion. It is possible to provide the cost one.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の位相シフトマスクの製造方法の実施の
形態の２例の特徴工程を説明するための該概略工程フロ
ー図FIG. 1 is a schematic process flow chart for explaining two characteristic steps of an embodiment of a method for manufacturing a phase shift mask of the present invention.

【図２】フォトリピータによる露光を説明するための概
略図FIG. 2 is a schematic diagram for explaining exposure by a photo repeater.

【図３】位相シフトマスクの製造工程の一部を示した工
程断面図FIG. 3 is a process cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the phase shift mask.

【図４】図３に続く工程を示した工程断面図FIG. 4 is a process cross-sectional view showing a process following FIG. 3;

【図５】位相シフトマスクの製造工程を示した工程断面
図FIG. 5 is a process sectional view showing a manufacturing process of the phase shift mask.

【図６】図６（ａ）は、隣接する透光部（ライン部）の
ウエハ上での光強度分布を示した図で、図６（ｂ）はラ
インアンドスペースパターンの配列を示した図である。FIG. 6A is a diagram showing a light intensity distribution of an adjacent light transmitting portion (line portion) on a wafer, and FIG. 6B is a diagram showing an arrangement of a line and space pattern; It is.

【図７】従来の掘り込み型の位相シフトマスクを説明す
るための一部断面図FIG. 7 is a partial cross-sectional view illustrating a conventional digging type phase shift mask.

【図８】各種片掘り型の掘り込み型位相シフトマスクの
一部断面図FIG. 8 is a partial cross-sectional view of various digging type digging type phase shift masks.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ 親マスク（マスターマスクとも言
う） １０ａ 露光領域 １２ 子マスク（作製対象の位相シフト
マスクとなるマスク） １２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ 被露光領域 １３ レンズ系 １４ 露光光 １５ ＸＹステージ １１０ 基板（透明基板とも言う） １２０ 金属膜 １２０Ａ 金属膜パタン １２１ 開口 １３０、１３５ レジスト膜（フォトレジストとも
言う） １３０Ａ，１３５Ａ レジストパタン １３１、１３６ 開口 ２１０ 基板（透明基板とも言う） ２１５ 掘り込み部（凹部とも言う） ２１６ 側面部 ２２０ レジスト ２２５ 開口部 ２３０ ドライエッチング処理ガス ２５０ 遮光膜 ２５５ 開口 ２６０ レジスト ２６５ 開口 ２８０ シフター部（透光部） ２８５ 非シフター部（透光部） ２９０ 段差部 ３１０ 基板（透明基板とも言う） ３１５ 掘り込み部（凹部とも言う） ３１６ 側面部 ３１７、３１７ａ 上頂部 ３１８、３１８ａ 底角部 ３２０ 金属膜 ３２０Ａ 金属膜パタン ３２５ 開口 ３３０ ドライエッチング処理ガス ３３４、３３５ レジスト膜 ３４０ 遮光膜 ３４０Ａ 遮光膜パタン ３４５ 開口 ３５０ シフター部（透光部） ３５５ 非シフター部（透光部） ５１０ 透明基板 ５２０ 遮光膜 ５２１ 開口部（透光部） ５２２、５２２Ａ 開口部（透光部） ５２３、５２３Ａ 開口部（透光部） ５２４、５２４Ａ 開口部（透光部） ５２５ 庇 ５３０ シフタ ５４０、５４５、５４７ 掘り込み部（凹部とも言う） ６５０ 凹部の深さｄ１＝０の透光部（ラ
イン部とも言う） ６５０Ａ ウエハ上光強度 ６６０ 凹部の深さｄ２＝λ／２（ｎ−
１）の透光部（ライン部とも言う） ６６０Ａ ウエハ上光強度 ６７０ 透光部 ６７５ マスクの隣接するライン間ピッチ ６７５Ａ 投影像のライン間ピッチ ６８０ 遮光部（遮光膜） ６９０ （ウエハ上の）光強度プロファイル ６９５ 閾値 ７１０ 透明基板 ７１６ 側面 ７５０ 遮光膜 ７５５ 開口Reference Signs List 10 parent mask (also referred to as master mask) 10a exposure region 12 child mask (mask to be a phase shift mask to be manufactured) 12a, 12b, 12c, 12d exposure region 13 lens system 14 exposure light 15 XY stage 110 substrate (transparent substrate) 120 metal film 120A metal film pattern 121 opening 130, 135 resist film (also referred to as photoresist) 130A, 135A resist pattern 131, 136 opening 210 substrate (also referred to as transparent substrate) 215 digging portion (also referred to as concave portion) 216 Side surface 220 Resist 225 Opening 230 Dry etching process gas 250 Light-shielding film 255 Opening 260 Resist 265 Opening 280 Shifter part (light transmitting part) 285 Non-shifter part (light transmitting part) 290 Step part 310 Substrate (also called transparent substrate) 15 Engraved portion (also referred to as concave portion) 316 Side surface portion 317, 317a Top portion 318, 318a Bottom corner portion 320 Metal film 320A Metal film pattern 325 Opening 330 Dry etching processing gas 334, 335 Resist film 340 Light shielding film 340A Light shielding film pattern 345 Opening 350 Shifter part (light-transmitting part) 355 Non-shifter part (light-transmitting part) 510 Transparent substrate 520 Light-shielding film 521 Opening (light-transmitting part) 522, 522A Opening (light-transmitting part) 523, 523A Opening (light-transmitting part) Part) 524, 524A Opening part (light transmitting part) 525 Eaves 530 Shifter 540, 545, 547 Engraved part (also called concave part) 650 Light transmitting part with concave part depth d1 = 0 (also called line part) 650A on wafer Light intensity 660 Depth of concave portion d2 = λ / 2 (n−
1) Light transmitting portion (also referred to as line portion) 660A Light intensity on wafer 670 Light transmitting portion 675 Pitch between adjacent lines of mask 675A Pitch between lines of projected image 680 Light shielding portion (light shielding film) 690 (on wafer) Intensity profile 695 Threshold value 710 Transparent substrate 716 Side surface 750 Light shielding film 755 Opening

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 シフター部と非シフター部が互いに隣接
し、シフター部の端部から非シフタ一部の端部までを、
シフター部を形成するための掘り込み部（凹部）の側面
部も含めて連続して覆う、露光光に対し遮光性を有する
遮光膜からなる遮光膜パタンが形成されている片掘り型
の基板掘り込み型位相シフトマスクを製造するための、
位相シフトマスクの製造方法であって、シフター部形成
用の掘り込み部形成領域のパタンニングの際、フォトレ
ジストを、基板の一面上に、直接あるいは金属膜を介し
て塗布形成し、フォトリピータで、前記フォトレジスト
の掘り込み部形成領域を選択的に露光し、更に現像処理
を施し、掘り込み部形成領域を開口したレジストパタン
を形成するレジストパタン形成工程を有することを特徴
とする位相シフトマスクの製造方法。1. A shifter part and a non-shifter part are adjacent to each other, and a part from an end of the shifter part to an end of a part of the non-shifter is
Excavation type substrate digging in which a light-shielding film pattern made of a light-shielding film having a light-shielding property with respect to exposure light is continuously covered including a side surface of a dug portion (recess) for forming a shifter portion. To manufacture embedded phase shift masks,
In a method of manufacturing a phase shift mask, a photoresist is applied on one surface of a substrate, directly or via a metal film, when patterning a dug portion forming region for forming a shifter portion, and the photo repeater is used. And a resist pattern forming step of selectively exposing the digging portion forming region of the photoresist, further performing a developing process, and forming a resist pattern having an opening in the digging portion forming region. Manufacturing method. 【請求項２】 請求項１において、レジストパタン形成
工程は、シフター部形成用の掘り込み部形成領域のパタ
ンニングの際、フォトレジストを、基板の一面上に、金
属膜を介して塗布形成し、フォトリピータで、フォトレ
ジストの掘り込み部形成領域を選択的に露光し、更に現
像処理を施し、掘り込み部形成領域を開口したレジスト
パタンを形成するもので、且つ、前記金属膜は、ドライ
エッチングにより基板を掘り込む際のエッチングガスに
対し少なくとも耐性のあるものであり、レジストパタン
を形成後、該レジストパタンを耐エッチングマスクとし
てその開口から露出した金属膜をエッチングして、金属
膜パタンを形成し、更に、金属膜パタンの開口から露出
した基板部をドライエッチングして掘り込み部を形成
し、レジストパタンを除去し、金属膜パタンを剥離し、
必要に応じ全体をウェットエッチング、洗浄処理等を施
した後、基板の掘り込み部形成側面に露光光に対し遮光
性を有する遮光膜を成膜し、フォトエッチング法により
前記遮光膜からなる遮光膜パタンを形成することを特徴
とする位相シフトマスクの製造方法。2. The resist pattern forming step according to claim 1, wherein, in patterning a dug portion forming region for forming a shifter portion, a photoresist is applied and formed on one surface of the substrate via a metal film. A photo-repeater, selectively exposing the digging portion forming region of the photoresist, and further performing a developing process to form a resist pattern having an opening in the digging portion forming region, and wherein the metal film is dry It is at least resistant to an etching gas when the substrate is dug by etching, and after forming a resist pattern, the metal film exposed from the opening is etched by using the resist pattern as an etching-resistant mask to form a metal film pattern. Then, the substrate part exposed from the opening of the metal film pattern is dry etched to form a dug part, and the resist pattern is formed. Remove, peel off the metal film pattern,
After performing wet etching, cleaning, and the like on the whole as necessary, a light-shielding film having a light-shielding property against exposure light is formed on the side surface on which the digging portion is formed on the substrate, and the light-shielding film made of the light-shielding film is formed by a photoetching method. A method for manufacturing a phase shift mask, comprising forming a pattern. 【請求項３】 請求項１において、レジストパタン形成
工程は、シフター部形成用の掘り込み部形成領域のパタ
ンニングの際、フォトレジストを基板の一面上に直接塗
布形成し、フォトリピータで掘り込み部形成領域を選択
的に露光し、更に現像処理を施し、掘り込み部形成領域
を開口したレジストパタンを形成するもので、レジスト
パタンを形成後、該レジストパタンを耐エッチングマス
クとしてその開口から露出した基板部をエッチングして
掘り込み部を形成し、次いで、基板の掘り込み部形成側
面に露光光に対し遮光性を有する遮光膜を成膜し、フォ
トエッチング法により前記遮光膜からなる遮光膜パタン
を形成することを特徴とする位相シフトマスクの製造方
法。3. The resist pattern forming step according to claim 1, wherein in patterning a dug-out part forming region for forming a shifter part, a photoresist is directly applied and formed on one surface of the substrate, and the resist is dug by a photo-repeater. The resist pattern is selectively exposed to light and then subjected to a development process to form a resist pattern with an opening in the digging part forming area. After forming the resist pattern, the resist pattern is exposed from the opening using the resist pattern as an etching resistant mask. The etched substrate portion is etched to form a dug portion, and then a light shielding film having a light shielding property for exposure light is formed on the dug portion forming side surface of the substrate, and the light shielding film made of the light shielding film is formed by a photoetching method. A method for manufacturing a phase shift mask, comprising forming a pattern. 【請求項４】 請求項１ないし３において、基板部の掘
り込みは、露光光の波長をλ、基板の屈折率をｎとし
て、その掘り込み部（凹部）の深さｄ０をほぼλ／２
（ｎ−１）するものであることを特徴とする位相シフト
マスクの製造方法。4. The digging of a substrate portion according to claim 1, wherein the wavelength of the exposure light is λ, the refractive index of the substrate is n, and the depth d0 of the digging portion (recess) is approximately λ / 2.
(N-1) A method for manufacturing a phase shift mask, characterized in that: 【請求項５】 シフター部と非シフター部が互いに隣接
し、シフター部の端部から非シフタ一部の端部までを、
シフター部を形成するための掘り込み部（凹部）の側面
部も含めて連続して覆う、露光光に対し遮光性を有する
遮光膜からなる遮光膜パタンが形成されている片掘り型
の基板掘り込み型位相シフトマスクであって、請求項１
ないし４に記載の製造方法により形成されたことを特徴
とする位相シフトマスク。5. The shifter portion and the non-shifter portion are adjacent to each other, and a portion from an end of the shifter portion to an end of a part of the non-shifter is provided.
Excavation type substrate digging in which a light-shielding film pattern made of a light-shielding film having a light-shielding property with respect to exposure light is continuously covered including a side surface of a dug portion (recess) for forming a shifter portion. 2. An embedded phase shift mask, comprising:
A phase shift mask formed by the manufacturing method according to any one of Items 1 to 4.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005345737A (en) * 2004-06-02 2005-12-15 Hoya Corp Mask blank, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing template
JP2007298546A (en) * 2006-04-27 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd Levenson type phase shift mask
JP2011002859A (en) * 2010-10-04 2011-01-06 Hoya Corp Method for producing phase shift mask, and method for producing template
US20190163051A1 (en) * 2017-11-29 2019-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming photomask and photolithography method
CN115679254A (en) * 2022-09-08 2023-02-03 京东方科技集团股份有限公司 Mask plate, display substrate and display device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005345737A (en) * 2004-06-02 2005-12-15 Hoya Corp Mask blank, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing template
JP4619043B2 (en) * 2004-06-02 2011-01-26 Ｈｏｙａ株式会社 Phase shift mask manufacturing method and template manufacturing method
JP2007298546A (en) * 2006-04-27 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd Levenson type phase shift mask
JP2011002859A (en) * 2010-10-04 2011-01-06 Hoya Corp Method for producing phase shift mask, and method for producing template
US20190163051A1 (en) * 2017-11-29 2019-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming photomask and photolithography method
US10845699B2 (en) * 2017-11-29 2020-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming photomask and photolithography method
US11307492B2 (en) 2017-11-29 2022-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming photomask and photolithography method
CN115679254A (en) * 2022-09-08 2023-02-03 京东方科技集团股份有限公司 Mask plate, display substrate and display device

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