JP2002237784A - Optical power level equalizing circuit - Google Patents

Optical power level equalizing circuit

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JP2002237784A JP2001031482A JP2001031482A JP2002237784A JP 2002237784 A JP2002237784 A JP 2002237784A JP 2001031482 A JP2001031482 A JP 2001031482A JP 2001031482 A JP2001031482 A JP 2001031482A JP 2002237784 A JP2002237784 A JP 2002237784A
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Yasuhiro Suzuki
安弘 鈴木
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昇 石原
Shunichi Tono
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To stably maintain an optical output level with wide input dynamic range by enabling not only attenuation but an amplifying of an optical signal in an optical power level equalizing circuit. SOLUTION: The optical power level equalizing circuit is provided with a power controlled semiconductor optical amplification element 6 to amplify/ attenuate the optical signal according to a driving current, a branching circuit 7 to be connected with a rear stage or a front stage of the semiconductor optical amplification element and to branch the optical signal, a photoelectric converting circuit 8 to convert the branched optical signal into an electric signal, a signal level detecting circuit 9 to detect a voltage level of the electric signal, to compare the detected voltage level with the reference level voltage and to output a voltage signal to act so that the driving current is reduced when the voltage level is higher than the reference level voltage and that the driving current is increased when the voltage level is lower than the reference level voltage and a voltage/current converting circuit 10 to convert the outputted voltage signal into the driving current and to feed the driving current back to the semiconductor optical amplification element 6.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信ネットワー
ク等において光信号のパワーレベル制御に用いられる光
パワーレベル等化回路に関する。
The present invention relates to an optical power level equalizing circuit used for controlling the power level of an optical signal in an optical communication network or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】光通信ネットワークにおいて、光信号の
パワーレベル制御は、光ネットワークのレベルダイヤグ
ラムを調整・最適化する上で、極めて重要な技術であ
る。特に、このパワーレベル制御は、光信号の波長分離
多重技術(WDM)を用いた大容量光通信ネットワーク
システムにおいては、複数の波長信号のレベルを統一し
たり、入力ダイナミックレンジの小さい光回路とのイン
ターフェースをとるための、レベル合わせ等に不可欠な
技術である。
2. Description of the Related Art In an optical communication network, power level control of an optical signal is a very important technique for adjusting and optimizing a level diagram of the optical network. In particular, in the large-capacity optical communication network system using the wavelength division multiplexing technology (WDM) of the optical signal, the power level control is used to unify the levels of a plurality of wavelength signals or to control an optical circuit having a small input dynamic range. This is an indispensable technology for level adjustment, etc., for taking an interface.

【0003】このような、光パワーレベル等化を実現す
る方法としては、これまで、光の可変減衰素子を用いた
構成が提案されている。
As a method for realizing such optical power level equalization, a configuration using a variable optical attenuation element has been proposed.

【0004】図1は、従来の光信号の可変減衰素子を用
いた光レベル制御回路の構成を示す(なお、この構成の
デバイスは、既に商品化されている。商品名:Variable
Optical Attenuators、型番:TVA08INMSS、製造社: N
TT エレクトロニクス株式会社)。ここで、1は光信号
伝送用の光ファイバ、2は可変減衰素子、3は可変減衰
素子2の可変減衰素子を制御するための加熱・冷却素子
である。4は加熱・冷却素子3を制御するための温度制
御回路であって電子回路により構成される。5は温度制
御回路4、加熱・冷却素子3を介して可変減衰素子2の
温度を電気的に制御するための制御端子である。
FIG. 1 shows a configuration of a conventional optical level control circuit using an optical signal variable attenuator (a device having this configuration has already been commercialized. Product name: Variable)
Optical Attenuators, Model: TVA08INMSS, Manufacturer: N
TT Electronics Co., Ltd.). Here, 1 is an optical fiber for transmitting an optical signal, 2 is a variable attenuation element, and 3 is a heating / cooling element for controlling the variable attenuation element of the variable attenuation element 2. Reference numeral 4 denotes a temperature control circuit for controlling the heating / cooling element 3, which is constituted by an electronic circuit. Reference numeral 5 denotes a control terminal for electrically controlling the temperature of the variable attenuation element 2 via the temperature control circuit 4 and the heating / cooling element 3.

【0005】この回路の動作を説明する。制御端子5に
印加する制御電圧により、可変減衰素子2の温度を制御
し、可変減衰素子2の入出力間の減衰量を制御する。可
変減衰素子2は、一般的に熱光学的効果を有する素子が
用いられ、温度変化により、光の屈折率、吸収係数が変
わり、光信号の入出力端子間の減衰量を変えることがで
きる。
The operation of this circuit will be described. The temperature of the variable attenuation element 2 is controlled by the control voltage applied to the control terminal 5, and the amount of attenuation between the input and output of the variable attenuation element 2 is controlled. As the variable attenuating element 2, an element having a thermo-optical effect is generally used. The refractive index and the absorption coefficient of light change with a change in temperature, and the amount of attenuation between the input and output terminals of an optical signal can be changed.

【0006】図2は、上記の可変減衰素子2の温度と光
信号の入出力端子間の一般的な減衰特性を示す。可変減
衰素子2の温度(制御端子5への注入電力)を制御する
ことにより、一般に20dB程度の減衰可変幅をもたせ
ることができる。したがって、この光レベル制御回路
は、制御端子5の電圧を調整することにより、光信号の
レベル等化に適用することができる。
FIG. 2 shows a general attenuation characteristic between the temperature of the variable attenuation element 2 and an input / output terminal of an optical signal. By controlling the temperature of the variable attenuation element 2 (power injected into the control terminal 5), it is possible to generally provide an attenuation variable width of about 20 dB. Therefore, this optical level control circuit can be applied to level equalization of an optical signal by adjusting the voltage of the control terminal 5.

【0007】しかし、この可変減衰素子2を用いた構成
では、図2に示すように、減衰動作のみで、増幅による
等化動作を行わせることができない。このため、光の出
力レベルを確保するには、別の光の増幅回路を付加する
必要がある。また、上記のように熱制御であるため、応
答速度が遅く、光出力レベルの安定化にはミリセカンド
オーダ以上の時間を要する。さらに、熱制御による電力
消費が大きいという点がある。
However, in the configuration using the variable attenuation element 2, as shown in FIG. 2, the equalization operation by amplification cannot be performed only by the attenuation operation. Therefore, it is necessary to add another light amplifying circuit to secure the light output level. In addition, since the thermal control is performed as described above, the response speed is slow, and stabilization of the optical output level requires a time on the order of milliseconds or more. Further, there is a point that power consumption by heat control is large.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来の可変減衰素子を用いた構成の光パワーレベル等化
回路では、レベル等化のために、光信号を減衰させるこ
としかできないこと、応答時間が遅いこと、大きな電力
を消費することから、光ネットワークシステムのレベル
ダイヤグラムの最適化、装置の簡略化、低電力化等に制
約が加わってしまうという課題がある。
As described above,
A conventional optical power level equalizing circuit using a variable attenuation element can only attenuate an optical signal for level equalization, has a slow response time, and consumes large power. There is a problem that optimization of the level diagram of the network system, simplification of the device, reduction of power consumption, and the like are restricted.

【0009】本発明は、上述のような課題を解決するた
めになされたもので、その目的とすることは、光信号の
減衰だけでなく増幅による等化動作も可能にすること、
熱制御でなく電気による制御を可能とすること、減衰動
作時には消費電力が小さくなること、広い入力ダイナミ
ックレンジを確保できること、出力レベル安定化を自動
制御できることが可能な光パワーレベル等化回路を提供
することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to enable not only attenuation of an optical signal but also equalization by amplification.
Provide an optical power level equalization circuit that enables control by electricity instead of heat control, reduces power consumption during attenuation operation, ensures a wide input dynamic range, and can automatically control output level stabilization. Is to do.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の光パワーレベル等化回路は、駆動電流に
応じて光信号の増幅・減衰を行う電流制御型の半導体光
増幅素子と、前記半導体光増幅素子の後段または前段に
接続して光信号を分岐する分岐回路と、前記分岐回路で
分岐された光信号レベルが小さいときには、高利得動作
となるように、該光信号レベルが大きいときには、低利
得あるいは減衰動作となるように、前記半導体光増幅素
子の前記駆動電流を制御する制御回路とを有することを
特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an optical power level equalizing circuit comprising: a current control type semiconductor optical amplifying element for amplifying and attenuating an optical signal according to a driving current; A branch circuit that is connected to a subsequent stage or a previous stage of the semiconductor optical amplifying element to branch an optical signal, and when the optical signal level branched by the branch circuit is low, the optical signal level is increased so that high gain operation is performed. A control circuit for controlling the drive current of the semiconductor optical amplifying element so as to perform a low gain or an attenuating operation when it is large.

【0011】ここで、前記制御回路は、前記分岐回路で
分岐された光信号を電気信号に変換する光/電気変換回
路と、前記光/電気変換回路で変換された電気信号の電
圧レベルを検出し、検出した電圧レベルと基準レベル電
圧とを比較して、該電圧レベルが該基準レベル電圧より
も大きい場合は該駆動電流が減少するように、該電圧レ
ベルが該基準レベル電圧よりも小さい場合は該駆動電流
が増大するように作用する電圧信号を出力する信号レベ
ル検出回路と、前記信号レベル検出回路から出力された
電圧信号を電流信号に変換し、該電流信号を前記駆動電
流として前記半導体光増幅素子に帰還する電圧/電流変
換回路とを有することを特徴とすることができる。
Here, the control circuit includes an optical / electrical conversion circuit for converting the optical signal branched by the branching circuit into an electric signal, and detects a voltage level of the electric signal converted by the optical / electrical conversion circuit. Then, comparing the detected voltage level with the reference level voltage, if the voltage level is lower than the reference level voltage so that the drive current decreases when the voltage level is higher than the reference level voltage Is a signal level detection circuit that outputs a voltage signal acting to increase the drive current, converts the voltage signal output from the signal level detection circuit into a current signal, and uses the current signal as the drive current as the semiconductor A voltage / current conversion circuit that feeds back to the optical amplifying element.

【0012】また、前記光/電気変換回路は、光信号を
電流信号に変換するフォトダイオードと、該フォトダイ
オードの出力電流信号を電圧信号に変換する抵抗と増幅
器とから構成される電流/電圧変換増幅回路と、該電圧
信号を積分して平均値を検出する容量とを有すること
で、信号レベルの平均値の検出結果として直流電圧信号
を出力し、前記信号レベル検出回路は、前記光/電気変
換回路の前記直流電圧信号と基準レベル電圧とを比較
し、その比較結果を出力電圧として出力する差動入力の
増幅回路を有し、前記電圧/電流変換回路は、駆動電流
設定用抵抗と、該抵抗に一方の入力ポートが接続し前記
信号レベル検出回路の出力電圧に他方の入力ポートが接
続する差動入力の増幅回路と、該増幅器の出力電圧より
ベース電位が制御される電流駆動用トランジスタとの組
合わせ回路により、前記信号レベル検出回路の出力電圧
を前記駆動電流に変換することを特徴とすることができ
る。
The optical / electrical conversion circuit includes a photodiode for converting an optical signal into a current signal, and a current / voltage conversion circuit comprising a resistor and an amplifier for converting an output current signal of the photodiode into a voltage signal. By having an amplifier circuit and a capacitance for integrating the voltage signal and detecting an average value, a DC voltage signal is output as a detection result of the average value of the signal level. A differential-input amplifier circuit that compares the DC voltage signal of the conversion circuit with a reference level voltage and outputs the comparison result as an output voltage, wherein the voltage / current conversion circuit includes a driving current setting resistor; A differential input amplifier circuit in which one input port is connected to the resistor and the other input port is connected to the output voltage of the signal level detection circuit; and the base potential is controlled by the output voltage of the amplifier. The combination circuit of a current drive transistor, can be characterized by converting the output voltage of the signal level detection circuit to the driving current.

【0013】また、前記制御回路は、前記分岐回路で分
岐された光信号を電気信号に変換する光/電気変換回路
と、前記光/電気変換回路で変換された電気信号の信号
波形のピーク値を検出し、検出したピーク電圧レベルを
出力するピーク値検出回路と、前記ピーク値検出回路か
ら出力されたピーク電圧レベルと基準レベル電圧とを比
較して、該電ピーク圧レベルが該基準レベル電圧よりも
大きい場合は該駆動電流が減少するように、該ピーク電
圧レベルが該基準レベル電圧よりも小さい場合は該駆動
電流が増大するように作用する電圧信号を出力する信号
レベル検出回路と、前記信号レベル検出回路から出力さ
れた電圧信号を電流信号に変換し、該電流信号を前記駆
動電流として前記半導体光増幅素子に帰還する電圧/電
流変換回路とを有することを特徴とすることができる。
Further, the control circuit includes an optical / electrical conversion circuit for converting the optical signal branched by the branching circuit into an electric signal, and a peak value of a signal waveform of the electric signal converted by the optical / electrical conversion circuit. And a peak value detection circuit that outputs the detected peak voltage level, and compares the peak voltage level output from the peak value detection circuit with a reference level voltage, so that the current peak pressure level is equal to the reference level voltage. A signal level detection circuit that outputs a voltage signal acting to increase the drive current when the peak voltage level is smaller than the reference level voltage, so that the drive current decreases when the level is larger than the reference level voltage; A voltage / current conversion circuit that converts a voltage signal output from the signal level detection circuit into a current signal and feeds back the current signal as the drive current to the semiconductor optical amplifier. It can be characterized Rukoto.

【0014】また、前記光/電気変換回路は、光信号を
電流信号に変換するフォトダイオードと、該フォトダイ
オードの出力電流信号を電圧信号に変換する抵抗と増幅
器とから構成される電流/電圧変換増幅回路とを有し、
前記ピーク値検出回路は、前記光/電気変換回路で変換
された電気信号の信号レベルを検出する差動入力の増幅
器と、該増幅器の後段に接続するダイオードと、該ダイ
オードの後段に接続する容量とピーク値電圧の保持時間
設定用の抵抗とを有し、前記信号レベルがHighの時
には、該ダイオードがオンとなって、該容量に電荷が蓄
積され、前記信号レベルがLowの時には、該ダイオー
ドがオフとなって、該容量に蓄積された電荷により、ピ
ーク値電圧が保持され、前記信号レベル検出回路は、前
記ピーク値検出回路の前記ピーク値電圧信号と基準レベ
ル電圧とを比較し、その比較結果を出力電圧として出力
する差動入力の増幅回路を有し、前記電圧/電流変換回
路は、駆動電流設定用抵抗と、該抵抗に一方の入力ポー
トが接続し前記信号レベル検出回路の出力電圧に他方の
入力ポートが接続する差動入力の増幅回路と、該増幅器
の出力電圧よりベース電位が制御される電流駆動用トラ
ンジスタとの組合わせ回路により、前記信号レベル検出
回路の出力電圧を前記駆動電流に変換することを特徴と
することができる。
The optical / electrical conversion circuit includes a photodiode for converting an optical signal into a current signal, a resistor and an amplifier for converting an output current signal of the photodiode into a voltage signal, and an amplifier. An amplification circuit;
The peak value detection circuit includes a differential input amplifier for detecting a signal level of an electric signal converted by the optical / electrical conversion circuit, a diode connected to a stage subsequent to the amplifier, and a capacitor connected to a stage subsequent to the diode. And a resistor for setting a holding time of a peak value voltage. When the signal level is High, the diode is turned on, charge is accumulated in the capacitor, and when the signal level is Low, the diode is turned off. Is turned off, the peak value voltage is held by the electric charge stored in the capacitor, the signal level detection circuit compares the peak value voltage signal of the peak value detection circuit with a reference level voltage, A differential input amplifier circuit for outputting a comparison result as an output voltage, wherein the voltage / current conversion circuit includes a driving current setting resistor, and one of the input ports connected to the resistor for setting the signal. The signal level detection circuit is formed by a combination circuit of a differential input amplifier circuit connected to the other input port to the output voltage of the level detection circuit, and a current driving transistor whose base potential is controlled by the output voltage of the amplifier. Is converted into the drive current.

【0015】また、プログラマブル制御回路を前記信号
レベル検出回路に置換えて接続し、該プログラマブル制
御回路は、前記半導体光増幅素子の増幅・減衰特性に応
じて、駆動電流と利得・減衰特性関係、波長依存性、偏
波依存性などの必要な条件を予め設定することにより、
高安定な光パワーレベル等化動作を実行可能とすること
を特徴とすることができる。
In addition, a programmable control circuit is connected to the signal level detection circuit in place of the signal level detection circuit. The programmable control circuit includes a drive current, a gain-attenuation characteristic relationship, a wavelength, By setting necessary conditions such as dependence and polarization dependence in advance,
It is possible to execute a highly stable optical power level equalizing operation.

【0016】また、前記プログラマブル制御回路は、前
記半導体光増幅素子の駆動電流と利得・減衰特性関係を
予め格納するメモリと、前記光/電気変換回路からのア
ナログレベルの信号をディジタル信号に変換するアナロ
グ/ディジタル変換回路と、前記アナログ/ディジタル
変換回路から出力するディジタル信号のレベルと前記メ
モリの格納情報とを比較して、最適な制御電圧信号を計
算処理して出力するディジタル演算制御回路と、前記デ
ィジタル演算制御回路から出力するディジタル信号をア
ナログ電圧信号に変換し変換したアナログ電圧信号を前
記電圧/電流変換回路へ出力するディジタル/アナログ
変換回路とを有することを特徴とすることができる。
The programmable control circuit stores a drive current of the semiconductor optical amplifying element and a gain / attenuation characteristic relationship in advance, and converts an analog level signal from the optical / electrical conversion circuit into a digital signal. An analog / digital conversion circuit, a digital operation control circuit for comparing the level of a digital signal output from the analog / digital conversion circuit with information stored in the memory, calculating and outputting an optimum control voltage signal, and A digital / analog conversion circuit for converting a digital signal output from the digital operation control circuit into an analog voltage signal and outputting the converted analog voltage signal to the voltage / current conversion circuit.

【0017】また、前記信号レベル検出回路と前記電圧
/電流変換回路の間に、高利得の増幅回路を挿入したこ
とを特徴とすることができる。
Also, a high gain amplifier circuit is inserted between the signal level detection circuit and the voltage / current conversion circuit.

【0018】(作用)本発明は、上記のように、光信号
の増幅・減衰素子として半導体光増幅素子を用い、この
半導体光増幅素子の電気的バイアスを自動的に調整可能
とする制御回路を設けているので、(a)光信号の減衰
だけでなく増幅による等化動作も可能であること、
(b)熱制御でなく、電気的制御により増幅・減衰特性
を制御できること、(c)広ダイナミックレンジ動作が
可能であること、(d)減衰動作時には、消費電力が小
さくできること、(e)出力レベルの自動安定化制御回
路を具備していること、(f)小形モジュール化/ハイ
ブリッド集積化/モノリシック集積化に適した回路であ
ること、(g)このため、多チャンネル化が可能である
こと、が従来技術と顕著に異なる。
(Operation) As described above, according to the present invention, there is provided a control circuit which uses a semiconductor optical amplifying element as an optical signal amplifying / attenuating element and automatically adjusts an electric bias of the semiconductor optical amplifying element. (A) equalization operation by amplification as well as attenuation of optical signal is possible;
(B) Amplification / attenuation characteristics can be controlled by electrical control instead of thermal control; (c) wide dynamic range operation is possible; (d) power consumption can be reduced during attenuation operation; and (e) output. A level automatic stabilization control circuit; (f) a circuit suitable for small module / hybrid integration / monolithic integration; (g) multi-channel capability , Are significantly different from the prior art.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0020】(第1の実施形態)図3は、本発明の第1
の実施形態の光パワーレベル等化回路の構成を示す。こ
こで、1は光ファイバ、6は光信号の増幅・減衰を行う
半導体光増幅・減衰素子、7は光信号の分岐回路、8は
光信号を電気信号に変換する光/電気変換回路(O/
E)、9は信号レベル検出回路(Det.)、10は電
圧信号を電流信号に変換する電圧/電流変換回路(V/
I)、11は基準レベル電圧端子である。半導体光増幅
・減衰素子6は、電流制御型の半導体光制御機能素子で
あって、半導体光増幅素子(SOA:Semiconductor Op
tical Amplifier)として現在精力的に研究開発が進めら
れている素子を想定している(SOAに関する文献例:
(文献1)T.Ito, N.Yoshimoto, O.Mitomi, K.Magari,
I.Ogawa, F.Ebisawa, Y.Yamada,and Y.Hasumi, "Polari
zation Independent Semiconductor Optical Amplifier
Gate and Its Application in WDM Systems", IEICE Tr
ans.Electron.,Vol.E81-C,No.8 August 1998.(文献
2)T.Ducellier, M.Goix, J.Phebert, O.Legouezigou,
"Compact high sensitivity 10Gbit/s SOA-filter-pin
receiver module",Electronics letters, 13th, March
1997, Vol.33, No.6.(文献3)K.Morito,M.Ekawa, T.
Watanabe, T.Fujii and Y.Kotaki, "High Saturation o
utput power(+17dBm) 1550nm polarization insensitiv
e semiconductor optical amplifier", ECOC 2000, Vo
l.1, Mon., September 4, Session 1.3.2.)。
(First Embodiment) FIG. 3 shows a first embodiment of the present invention.
1 shows a configuration of an optical power level equalization circuit according to the embodiment. Here, 1 is an optical fiber, 6 is a semiconductor optical amplifying / attenuating element for amplifying and attenuating an optical signal, 7 is a branch circuit for an optical signal, and 8 is an optical / electrical converting circuit (O / O) for converting an optical signal into an electric signal. /
E) and 9 are signal level detection circuits (Det.) And 10 is a voltage / current conversion circuit (V /
I) and 11 are reference level voltage terminals. The semiconductor optical amplifying / attenuating element 6 is a current control type semiconductor optical control function element, and is a semiconductor optical amplifying element (SOA).
It is assumed that the device is currently being actively researched and developed as a tical Amplifier).
(Reference 1) T. Ito, N. Yoshimoto, O. Mitomi, K. Magari,
I.Ogawa, F.Ebisawa, Y.Yamada, and Y.Hasumi, "Polari
zation Independent Semiconductor Optical Amplifier
Gate and Its Application in WDM Systems ", IEICE Tr
ans.Electron., Vol.E81-C, No.8 August 1998. (Reference 2) T.Ducellier, M.Goix, J.Phebert, O.Legouezigou,
"Compact high sensitivity 10Gbit / s SOA-filter-pin
receiver module ", Electronics letters, 13th, March
1997, Vol.33, No.6 (Reference 3) K. Morito, M. Ekawa, T.
Watanabe, T. Fujii and Y. Kotaki, "High Saturation o
utput power (+ 17dBm) 1550nm polarization insensitiv
e semiconductor optical amplifier ", ECOC 2000, Vo
l.1, Mon., September 4, Session 1.3.2.).

【0021】図4は、そのSOA(半導体光増幅素子)
を用いた半導体光増幅・減衰素子6の特性の一例で、横
軸に素子の駆動電流、縦軸に素子の光信号の入出力間の
利得を示す。半導体光増幅・減衰素子6の駆動電流をフ
ィードバック制御することにより、光ファイバ1を通る
光信号を減衰させたり、増幅させたりすることが可能で
ある。
FIG. 4 shows the SOA (semiconductor optical amplifier).
Is an example of the characteristics of the semiconductor optical amplifying / attenuating element 6, wherein the horizontal axis indicates the driving current of the element and the vertical axis indicates the gain between input and output of the optical signal of the element. By controlling the drive current of the semiconductor optical amplification / attenuation element 6 in a feedback manner, it is possible to attenuate or amplify the optical signal passing through the optical fiber 1.

【0022】この図4の例では、半導体光増幅・減衰素
子6の駆動電流を15mAから70mAまで可変する
と、この素子の光信号の入出力間の利得を−20から+
15dBまで、幅広く可変させることができる。よっ
て、35dBのダイナミックレンジとなる。なお、SO
Aは半導体チップ素子であって、そのサイズは、一般に
1mm角以下と小さい。
In the example of FIG. 4, when the drive current of the semiconductor optical amplifying / attenuating element 6 is varied from 15 mA to 70 mA, the gain between the input and output of the optical signal of this element is changed from -20 to +20.
It can be varied widely up to 15 dB. Therefore, the dynamic range is 35 dB. Note that SO
A is a semiconductor chip element, and its size is generally as small as 1 mm square or less.

【0023】図3の本発明の光パワーレベル等化回路の
動作は、次の通りである。まず、半導体光増幅・減衰素
子6からの光信号を分岐回路7で分岐し、分岐した光信
号を光/電気変換回路8で電気信号に変換する。その電
気信号のレベルと基準レベル電圧端子11の基準レベル
電圧(Vref)とを信号レベル検出回路9で比較し、
その比較結果を電圧/電流変換回路10により電流信号
に変換し、この電流信号を半導体光増幅・減衰素子6へ
フィードバックする。
The operation of the optical power level equalizing circuit of the present invention shown in FIG. 3 is as follows. First, an optical signal from the semiconductor optical amplifying / attenuating element 6 is branched by a branch circuit 7, and the branched optical signal is converted into an electric signal by an optical / electrical conversion circuit 8. A signal level detection circuit 9 compares the level of the electric signal with a reference level voltage (Vref) at a reference level voltage terminal 11, and
The comparison result is converted into a current signal by the voltage / current conversion circuit 10, and this current signal is fed back to the semiconductor optical amplification / attenuation element 6.

【0024】光/電気変換回路8の出力レベルが、基準
レベル電圧端子11の基準電圧よりも大きい場合は、半
導体光増幅・減衰素子6への駆動電流が小さくなるよう
に、また基準電圧よりも小さい場合は、その駆動電流が
大きくなるように、信号レベル検出回路9を構成するこ
とにより、分岐回路7の出力パワーレベルを安定化させ
ることができる。
When the output level of the optical / electrical conversion circuit 8 is higher than the reference voltage of the reference level voltage terminal 11, the drive current to the semiconductor optical amplifying / attenuating element 6 is reduced, and is lower than the reference voltage. When it is smaller, the output power level of the branch circuit 7 can be stabilized by configuring the signal level detection circuit 9 so that the drive current becomes larger.

【0025】図5は、図3の構成の光パワーレベル等化
回路の出力レベルの安定化動作を模式的に示す。図5に
示すように、光の出力信号レベルが小さいときには、高
利得動作となるように、光の出力信号レベルが大きいと
きには、低利得あるいは減衰動作となるように、半導体
光増幅・減衰素子6の駆動電流を制御することにより、
出力光レベルの安定化を図ることができる。この安定度
は、ループ利得で決まり、ループの利得を高くなるよう
に、例えば、信号レベル検出回路9と電圧/電流変換回
路10の間に必要に応じて高利得の増幅回路(アンプ)
を挿入することにより、30〜40dBの広い入力ダイ
ナミックレンジに対しても1dB以下の光出力レベルの
安定度を容易に確保することができる。
FIG. 5 schematically shows the operation of stabilizing the output level of the optical power level equalizing circuit having the configuration shown in FIG. As shown in FIG. 5, when the output signal level of the light is low, the semiconductor optical amplification / attenuation element 6 is operated so as to operate at a high gain, and when the output signal level of the light is high, the operation is performed at a low gain or attenuation. By controlling the drive current of
The output light level can be stabilized. This stability is determined by the loop gain. For example, a high-gain amplifier (amplifier) may be provided between the signal level detection circuit 9 and the voltage / current conversion circuit 10 as necessary so as to increase the loop gain.
, The stability of the optical output level of 1 dB or less can be easily ensured even for a wide input dynamic range of 30 to 40 dB.

【0026】さらに、光の大信号入力時には、半導体光
増幅・減衰素子6は減衰動作となるため、消費電力は、
少なくてすみ、また、半導体光増幅・減衰素子6は1m
m各以下のチップ素子であるため、小形モジュール化/
ハイブリッド集積化/モノリシック集積化に適してい
る。
Further, when a large light signal is input, the semiconductor optical amplifying / attenuating element 6 performs an attenuating operation.
It requires only a small amount, and the semiconductor optical amplifying / attenuating element 6 is 1 m.
m Smaller modules because each chip element is less than
Suitable for hybrid integration / monolithic integration.

【0027】また、半導体光増幅・減衰素子6の駆動電
流の制御は、上述のようにフィードバック制御であるの
で、光レベルの波長、偏波の変動に対しても補償でき
る。
Since the control of the drive current of the semiconductor optical amplifying / attenuating element 6 is feedback control as described above, it is possible to compensate for fluctuations in the wavelength and polarization of the light level.

【0028】なお、本発明では、利得・減衰制御素子と
してSOAを想定したが、光ファイバアンプ(光ファイ
バ増幅器)等の光増幅器を適用することも可能である。
In the present invention, an SOA is assumed as a gain / attenuation control element, but an optical amplifier such as an optical fiber amplifier (optical fiber amplifier) can be applied.

【0029】図6は、本発明の第1の実施形態の詳細な
回路構成と動作を示し、同図の(A)は図3における光
/電気変換回路(O/E)8,信号レベル検出回路(D
et.)9,電圧/電流変換回路(V/I)10部分の
詳細な回路構成を示す。
FIG. 6 shows a detailed circuit configuration and operation of the first embodiment of the present invention. FIG. 6A shows an optical / electrical conversion circuit (O / E) 8 in FIG. Circuit (D
et. 9) shows a detailed circuit configuration of a voltage / current conversion circuit (V / I) 10 portion.

【0030】ここで、12は光信号を電流信号に変換す
るフォトダイオード(PD)、13は電流信号を電圧信
号に変換するための抵抗、14−1は増幅回路、15は
容量であり、これら12〜15の素子により光/電気変
換回路(O/E)8を構成する。なお、25はフォトダ
イオード12へ印加されるPDバイアス電圧の供給用端
子であり、0は接地端子である。光/電気変換回路8
は、フォトダイオード13により光信号を電気信号に変
換すると同時に、容量15によりその電気信号を積分
し、平均値を検出する。
Here, 12 is a photodiode (PD) for converting an optical signal into a current signal, 13 is a resistor for converting a current signal into a voltage signal, 14-1 is an amplifier circuit, and 15 is a capacitor. An optical / electrical conversion circuit (O / E) 8 is constituted by the elements 12 to 15. 25 is a terminal for supplying a PD bias voltage applied to the photodiode 12, and 0 is a ground terminal. Optical / electrical conversion circuit 8
Converts an optical signal into an electric signal by the photodiode 13 and simultaneously integrates the electric signal by the capacitor 15 to detect an average value.

【0031】14−3は差動入力の増幅回路であって、
信号レベル検出回路9を構成する。信号レベル検出回路
9は光/電気変換回路8の出力電圧(Vo1)20と基
準レベル電圧端子11の基準電圧(Vref)16とを
比較し、その比較結果を出力電圧(Vo2)21として
出力する。
14-3 is a differential input amplifier circuit,
The signal level detection circuit 9 is configured. The signal level detection circuit 9 compares the output voltage (Vo1) 20 of the optical / electrical conversion circuit 8 with the reference voltage (Vref) 16 of the reference level voltage terminal 11, and outputs the comparison result as an output voltage (Vo2) 21. .

【0032】14−4は出力電圧(Vo2)21を入力
する差動入力の増幅回路、17は駆動電流設定用抵抗、
18は電流駆動用トランジスタであって、これら素子1
4−4〜18により電圧/電流変換回路(V/I)10
を構成する。なお、26は駆動電流(Id)回路用電源
端子、0は接地端子である。電圧/電流変換回路10で
は、増幅回路14−4、駆動電流設定用抵抗17、およ
び電流駆動用トランジスタ18の組合わせ回路により、
信号レベル検出回路9の出力電圧(Vo2)21を駆動
電流Idに変換し、この駆動電流Idを半導体光増幅・
減衰素子6へ供給する。
14-4 is a differential input amplifier circuit for inputting the output voltage (Vo2) 21, 17 is a drive current setting resistor,
Reference numeral 18 denotes a current driving transistor.
Voltage / current conversion circuit (V / I) 10 according to 4-4 to 18
Is configured. Reference numeral 26 denotes a power supply terminal for a drive current (Id) circuit, and 0 denotes a ground terminal. In the voltage / current conversion circuit 10, a combination circuit of the amplifier circuit 14-4, the driving current setting resistor 17, and the current driving transistor 18 provides
The output voltage (Vo2) 21 of the signal level detection circuit 9 is converted into a drive current Id, and this drive current Id is converted into a semiconductor optical amplifier / drive.
This is supplied to the attenuation element 6.

【0033】この回路の動作を説明する。まず、光信号
をPD12により電流信号Iinに変換し、抵抗13と
増幅器14−1とから構成される電流/電圧変換増幅回
路によりその電流信号Iinを電圧信号(Vo1)20
に変換する。これと同時に、積分用の容量15により平
均値の検出動作を実現させ、Vo1出力としては、信号
レベルの平均値の検出結果として、直流電圧信号が出力
される。
The operation of this circuit will be described. First, the optical signal is converted into a current signal Iin by the PD 12, and the current signal Iin is converted into a voltage signal (Vo1) 20 by a current / voltage conversion amplifier circuit including the resistor 13 and the amplifier 14-1.
Convert to At the same time, the detection operation of the average value is realized by the integration capacitor 15, and as the Vo1 output, a DC voltage signal is output as the detection result of the average value of the signal level.

【0034】このVo1出力レベルを差動入力の増幅回
路14−3で基準レベル電圧(Vref)と比較し、そ
の比較結果である出力電圧(Vo2)21を電圧/電流
変換回路10を介して駆動電流Idに変換し、この駆動
電流Idを半導体光増幅・減衰素子6(SOAに相応)
へフィードバックさせることにより、図3の分岐回路7
の光出力レベルを安定化させることができる。
The Vo1 output level is compared with a reference level voltage (Vref) by a differential input amplifier circuit 14-3, and an output voltage (Vo2) 21 as a result of the comparison is driven via a voltage / current conversion circuit 10. The drive current Id is converted into a current Id, and the drive current Id is converted into a semiconductor optical amplification / attenuation element 6 (corresponding to SOA)
The feedback to the branch circuit 7 in FIG.
Light output level can be stabilized.

【0035】図6の(B)は、同図の(A)の回路の動
作を模式的に示したものである。図6の(B)に示すよ
うに、基準レベル電圧Vrefよりも電圧信号Vo1が
大きい場合は、駆動電流Idは減少するように作用し、
基準レベル電圧Vrefよりも電圧信号Vo1が小さい
場合は駆動電流Idが増加するように作用する。電圧/
電流変換回路10では、差動増幅回路14−4と抵抗1
7,トランジスタ18の組み合わせ回路により、トラン
ジスタ18のベース電位を差動増幅回路14−4の出力
電圧により制御し、トランジスタ18のコレクタ電流を
線形に安定に制御できるように構成している。
FIG. 6B schematically shows the operation of the circuit shown in FIG. As shown in FIG. 6B, when the voltage signal Vo1 is larger than the reference level voltage Vref, the drive current Id acts to decrease.
When the voltage signal Vo1 is smaller than the reference level voltage Vref, the drive current Id acts to increase. Voltage/
In the current conversion circuit 10, the differential amplifier circuit 14-4 and the resistor 1
7, the combinational circuit of the transistor 18 controls the base potential of the transistor 18 by the output voltage of the differential amplifier circuit 14-4, so that the collector current of the transistor 18 can be linearly and stably controlled.

【0036】この回路構成の特徴は、初段のPD出力で
15の容量Cにより帯域制限をかけていることから、回
路は低速でよく、実現しやすい。また、雑音帯域も必然
的に狭まることから、Rfの値を大きくすることがで
き、高感度な動作をさせることができる。このため、図
3の光分岐回路7において、光/電気変換回路8への光
分岐量を小さく設定(例えば、10分の1以下)して
も、安定な制御動作を実現できる長所を有する。また、
この回路は低速でよいことから、廉価な部品を使用で
き、低コストでの実現が可能である。
The feature of this circuit configuration is that the band is limited by 15 capacitors C at the PD output of the first stage, so that the circuit can be operated at a low speed and is easy to realize. Further, since the noise band is necessarily narrowed, the value of Rf can be increased, and high-sensitivity operation can be performed. For this reason, in the optical branch circuit 7 of FIG. 3, there is an advantage that a stable control operation can be realized even if the amount of optical branch to the optical / electrical conversion circuit 8 is set small (for example, 1/10 or less). Also,
Since this circuit can be operated at a low speed, inexpensive components can be used and the circuit can be realized at low cost.

【0037】図7は、本発明の第1の実施形態の詳細な
回路の他の構成例と動作を示し、同図の(A)は図3に
おける光/電気変換回路8,信号レベル検出回路9,電
圧/電流変換回路10部分の詳細な回路構成を示す。
FIG. 7 shows another example of the configuration and operation of the detailed circuit according to the first embodiment of the present invention. FIG. 7A shows the optical / electrical conversion circuit 8 and signal level detection circuit in FIG. 9, a detailed circuit configuration of the voltage / current conversion circuit 10 is shown.

【0038】ここで、12は光信号を電流信号に変換す
るフォトダイオード(PD)、25はPD12のPDバ
イアス供給用端子、13は電流信号を電圧信号に変換す
るための抵抗、14−1は増幅回路、22は容量であ
り、これらの素子の組合わせにより光/電気変換回路8
を構成している。20−1は、光/電気変換回路8の出
力電圧(Vo1)である。
Here, 12 is a photodiode (PD) for converting an optical signal to a current signal, 25 is a PD bias supply terminal of the PD 12, 13 is a resistor for converting a current signal to a voltage signal, and 14-1 is a resistor. The amplifying circuit 22 is a capacitor.
Is composed. 20-1 is the output voltage (Vo1) of the optical / electrical conversion circuit 8.

【0039】また、14−2は出力電圧(Vo1)20
−1を入力する差動入力の増幅回路、19はダイオー
ド、23は容量、24は抵抗、0は接地端子であり、こ
れらの素子の組み合せにより後述のピーク値検出回路を
構成している。20−2はピーク値検出回路の出力電圧
(Vo1′)である。
The reference numeral 14-2 denotes an output voltage (Vo1) 20
A differential input amplifier circuit for inputting -1; 19, a diode; 23, a capacitor; 24, a resistor; and 0, a ground terminal. A combination of these elements constitutes a peak value detection circuit described later. 20-2 is an output voltage (Vo1 ') of the peak value detection circuit.

【0040】また、14−3は出力電圧(Vo1′)2
0−2を入力する差動入力の増幅回路、16はその増幅
回路20−2の基準レベル電圧端子11の基準レベル電
圧(Vref)であり、21は信号レベル検出回路9の
出力電圧(Vo2)である。
14-3 is an output voltage (Vo1 ') 2
Reference numeral 16 denotes a reference level voltage (Vref) of a reference level voltage terminal 11 of the amplifier circuit 20-2, and reference numeral 21 denotes an output voltage (Vo2) of the signal level detection circuit 9. It is.

【0041】また、14−4は出力電圧(Vo2)21
を入力する差動入力の増幅回路、26は駆動電流(I
d)の回路用電源端子、17は駆動電流(Id)の設定
用抵抗、18は電流駆動用トランジスタであり、これら
の素子の組み合せにより電圧/電流変換回路10を構成
し、電圧/電流変換回路10の駆動電流(Id)が半導
体光増幅・減衰素子6(SOAに相応)へ供給させる。
0は接地端子である。
14-4 is an output voltage (Vo2) 21
, An amplifier circuit having a differential input, and a driving current (I
d) a circuit power supply terminal, 17 is a resistor for setting the drive current (Id), 18 is a current drive transistor, and a voltage / current conversion circuit 10 is constituted by a combination of these elements. The drive current (Id) of 10 is supplied to the semiconductor optical amplifying / attenuating element 6 (corresponding to the SOA).
0 is a ground terminal.

【0042】図7の(B)は、同図の(A)の回路の動
作を模式的に示す。本発明の図7の回路構成は、上述の
本発明の図6の回路構成に対して、容量15が削除さ
れ、出力電圧(Vo1)20−1,差動入力の増幅回路
14−2,ダイオード19,容量23,抵抗24から構
成されるピーク値検出回路が付加されている点が異な
る。
FIG. 7B schematically shows the operation of the circuit shown in FIG. The circuit configuration of FIG. 7 of the present invention is different from the circuit configuration of FIG. 6 of the present invention in that the capacitance 15 is eliminated, the output voltage (Vo1) 20-1, the differential input amplifier circuit 14-2, and the diode The difference is that a peak value detection circuit composed of 19, a capacitor 23, and a resistor 24 is added.

【0043】図7の光パワーレベル等化回路の動作を説
明する。まず、図3の分岐回路7で分岐された光信号を
光/電気変換回路8を構成するフォトダイオード12に
より電流信号に変換し、この電流信号を抵抗13と増幅
回路14−1とから構成される電流/電圧変換増幅回路
により電圧信号(Vo1)に変換する。この電圧信号
(Vo1)を、22の容量(C1)を介して差動増幅回
路14−2,ダイオード19,容量23,抵抗24とか
ら構成されるピーク値検出回路へ入力する。
The operation of the optical power level equalizing circuit shown in FIG. 7 will be described. First, the optical signal branched by the branch circuit 7 in FIG. 3 is converted into a current signal by the photodiode 12 constituting the optical / electrical conversion circuit 8, and this current signal is constituted by the resistor 13 and the amplifier circuit 14-1. The current / voltage conversion amplifier circuit converts the signal into a voltage signal (Vo1). This voltage signal (Vo1) is input to a peak value detection circuit including a differential amplifier circuit 14-2, a diode 19, a capacitor 23, and a resistor 24 via a capacitor (C1) of 22.

【0044】ピーク値検出回路では、ダイオード19の
整流特性を利用して信号波形のピーク値を検出し、検出
したそのピーク電圧レベル(出力電圧20−2のVo
1′)を出力する。このピーク値検出動作を説明する
と、信号レベルがHigh(ハイレベル)の時には、ダ
イオード19がオンとなって、容量23(C2)に電荷
が蓄積され、信号レベルがLow(ローレベル)の時に
は、ダイオード19がオフとなって、容量23に蓄積さ
れた電荷により、ピーク値電圧が保持される。抵抗24
の抵抗値Rhは、入力信号レベルが変化した時の応答時
間を設定するためのもので、抵抗値Rhを高抵抗にする
とピーク値電圧の保持時間を長く設定でき、小さくする
とピーク値電圧の保持時間を短く設定できる。
The peak value detection circuit detects the peak value of the signal waveform using the rectification characteristic of the diode 19, and detects the detected peak voltage level (Vo of the output voltage 20-2).
1 ') is output. The peak value detection operation will be described. When the signal level is high (high level), the diode 19 is turned on, electric charge is accumulated in the capacitor 23 (C2), and when the signal level is low (low level), The diode 19 is turned off, and the peak value voltage is held by the electric charge accumulated in the capacitor 23. Resistance 24
Is to set the response time when the input signal level changes. If the resistance value Rh is set to a high resistance, the holding time of the peak value voltage can be set long, and if the resistance value Rh is set low, the holding value of the peak value voltage can be set. Time can be set shorter.

【0045】このピーク値電圧Vo1′(20−2)を
次の段の差動入力の増幅回路14−3で基準レベル電圧
(Vref)と比較し、その比較結果である電圧信号V
o2(21)を、差動入力の増幅回路14−4と抵抗1
7とトランジスタ18とで構成される電圧/電流変換回
路10を介して電流により半導体光増幅・減衰素子6
(SOAに相応)へフィードバックさせることにより、
図3の分岐回路7における光出力レベルを安定化させる
ことができる。
This peak value voltage Vo1 '(20-2) is compared with a reference level voltage (Vref) by a differential input amplifier circuit 14-3 at the next stage, and a voltage signal V which is the result of the comparison is obtained.
o2 (21) is connected to the differential input amplifier circuit 14-4 and the resistor 1
Semiconductor amplifying / attenuating element 6 by a current through a voltage / current conversion circuit 10 comprising a transistor 7 and a transistor 18.
(Corresponding to SOA)
The light output level in the branch circuit 7 of FIG. 3 can be stabilized.

【0046】図7の(B)に示すように、基準レベル電
圧Vrefよりもピーク値電圧Vo1′が大きい場合
は、駆動電流Idは減少するように作用し、基準レベル
電圧Vrefよりもピーク値電圧Vo1′が小さい場合
は、駆動電流Idが増加するように作用する。電圧/電
流変換回路10では、図6の構成例と同様に、トランジ
スタ18のベース電位を電圧により制御し、そのコレク
タ電流を線形に安定に制御できるよう構成している。
As shown in FIG. 7B, when the peak value voltage Vo1 'is higher than the reference level voltage Vref, the drive current Id acts to decrease, and the peak value voltage Vo1' is lower than the reference level voltage Vref. When Vo1 'is small, it acts to increase the drive current Id. The voltage / current conversion circuit 10 is configured such that the base potential of the transistor 18 is controlled by voltage and the collector current thereof can be linearly and stably controlled, as in the configuration example of FIG.

【0047】図7の回路構成の特徴は、図6の回路構成
と比較して、容量(C1)22で容量結合をし、ピーク
値検出を行っている点であり、この容量結合の効果によ
り、光信号の直流的な雑音(例えば、SOA6の自然放
出光成分)を取り除くことができる利点を有する。この
ため、図6の平均値検出回路に比べて、信号光に対して
より高精度な光出力の安定化制御を実現できる。
The feature of the circuit configuration of FIG. 7 is that, compared to the circuit configuration of FIG. 6, capacitive coupling is performed by the capacitor (C1) 22 and peak value detection is performed. This has an advantage that DC noise (for example, a spontaneous emission light component of the SOA 6) of an optical signal can be removed. Therefore, as compared with the average value detection circuit of FIG. 6, it is possible to realize a more accurate optical output stabilization control for the signal light.

【0048】(第2の実施形態)図8は本発明の第2の
実施形態の光パワーレベル等化回路の構成を示す。本実
施形態の回路構成は、図3の第1の実施形態の回路構成
に対して、光信号の分岐回路7を半導体光増幅・減衰素
子6の前段に配置し、その前段の分岐回路7で分岐した
光信号を用いて、光/電気変換回路8,信号レベル検出
回路9,電圧/電流変換回路10からなる回路を通し
て、半導体光増幅・減衰素子6に対しフィードフォーワ
ード制御を行っている点が異なる。
(Second Embodiment) FIG. 8 shows a configuration of an optical power level equalizing circuit according to a second embodiment of the present invention. The circuit configuration of the present embodiment is different from the circuit configuration of the first embodiment in FIG. 3 in that an optical signal branch circuit 7 is disposed in front of the semiconductor optical amplifying / attenuating element 6, and the branch circuit 7 in the preceding stage is used. Using the branched optical signal, feedforward control is performed on the semiconductor optical amplifying / attenuating element 6 through a circuit including an optical / electrical conversion circuit 8, a signal level detection circuit 9, and a voltage / current conversion circuit 10. Are different.

【0049】本実施形態ではフィードフォーワード制御
となるため、出力レベルの高精度安定化は厳しいが、半
導体光増幅・減衰素子6の前段で光信号を分岐し、その
光信号のレベルに応じた制御となるため、半導体光増幅
・減衰素子6の雑音(自然放出光など)の影響を受けな
いという利点を有する。
In this embodiment, since the feedforward control is performed, it is difficult to stabilize the output level with high precision. However, the optical signal is branched before the semiconductor optical amplifying / attenuating element 6, and the output is adjusted according to the level of the optical signal. Since the control is performed, there is an advantage that the semiconductor light amplification / attenuation element 6 is not affected by noise (such as spontaneous emission light).

【0050】図9は、図8の構成の変形例であって、図
8の信号レベル検出回路9に代えて、プログラマブル制
御回路9−2を導入した構成を示す。この構成では、半
導体光増幅・減衰素子6の増幅・減衰特性に応じて、プ
ログラマブル制御回路9−2の制御端子27で条件設定
(駆動電流と利得・減衰特性関係、波長依存性、偏波依
存性など)を行うことにより、高安定な光パワーレベル
等化動作を実現できる。
FIG. 9 is a modification of the configuration of FIG. 8, and shows a configuration in which a programmable control circuit 9-2 is introduced instead of the signal level detection circuit 9 of FIG. In this configuration, conditions are set at the control terminal 27 of the programmable control circuit 9-2 according to the amplification / attenuation characteristics of the semiconductor optical amplification / attenuation element 6 (drive current and gain / attenuation characteristics relationship, wavelength dependence, polarization dependence). ), A highly stable optical power level equalizing operation can be realized.

【0051】図10は、図9のプログラマブル制御回路
9−2の詳細な構成例を示す。ここで、28はアナログ
/ディジタル変換回路(A/D)、29はディジタル演
算制御回路、30はディジタル/アナログ変換回路(D
/A)、31はメモリ、27−2はメモリ情報設定端子
である。
FIG. 10 shows a detailed configuration example of the programmable control circuit 9-2 in FIG. Here, 28 is an analog / digital conversion circuit (A / D), 29 is a digital operation control circuit, and 30 is a digital / analog conversion circuit (D / D).
/ A), 31 is a memory, and 27-2 is a memory information setting terminal.

【0052】メモリ情報設定端子27−2を介してメモ
リ31に、半導体光増幅・減衰素子6の駆動電流と利得
・減衰特性関係を予めインプット(格納)しておき、光
/電気変換回路8からのアナログレベルの信号をA/D
28でディジタルの信号に変換し、ディジタル演算制御
回路29で、そのディジタル信号レベルとメモリ31の
メモリ情報の内容とを比較し、かつ最適な制御電圧信号
を計算処理して出力し、D/A30でそのディジタル信
号出力をアナログ電圧信号に変換して電圧/電流変換回
路10へ出力する。
The relationship between the drive current of the semiconductor optical amplifying / attenuating element 6 and the gain / attenuation characteristic is previously input (stored) to the memory 31 via the memory information setting terminal 27-2. A / D signal of analog level
The signal is converted into a digital signal at 28, the digital operation control circuit 29 compares the digital signal level with the contents of the memory information in the memory 31, calculates and outputs an optimal control voltage signal, and outputs the D / A 30 Converts the digital signal output into an analog voltage signal and outputs it to the voltage / current conversion circuit 10.

【0053】このような構成とすることにより、フィー
ドフォードでも安定で高精度な出力パワーレベル等化動
作を実現できる。
By adopting such a configuration, a stable and highly accurate output power level equalizing operation can be realized even in Feedford.

【0054】(第3の実施形態)図11は、本発明の第
3の実施形態として、本発明の応用実施形態を示す。こ
こで、40は、本発明の光パワーレベル等化回路(図
3,図8,図9で示すいずれかの回路)であり、41は
光受信回路等の光信号を受けて動作する光処理回路であ
る。例えば、41が光受信回路とすると、本発明の光パ
ワーレベル等化回路40を光受信回路41の前段に挿入
することにより、その光パワーレベル等化回路40の増
幅・減衰動作により、光入力信号に対するダイナミック
レンジを大幅に拡張することができる。
(Third Embodiment) FIG. 11 shows an applied embodiment of the present invention as a third embodiment of the present invention. Here, reference numeral 40 denotes an optical power level equalizing circuit (any one of the circuits shown in FIGS. 3, 8, and 9) of the present invention, and 41 denotes an optical processing circuit which receives an optical signal from an optical receiving circuit or the like and operates. Circuit. For example, assuming that 41 is an optical receiving circuit, the optical power level equalizing circuit 40 of the present invention is inserted in front of the optical receiving circuit 41, so that the optical power level equalizing circuit 40 amplifies and attenuates the optical input. The dynamic range for the signal can be greatly extended.

【0055】41に相当する回路としては、上記の光受
信回路の他、例えば入力ダイナミックレンジが小さく、
許容できる入力レベル変動幅の小さい光波長変換回路を
挙げることができ、そのような光波長変換回路の入力へ
の等化回路として本発明の光パワーレベル等化回路40
を有効に適用することができる。
As a circuit corresponding to 41, in addition to the above-described optical receiving circuit, for example, the input dynamic range is small,
An optical wavelength conversion circuit having a small allowable input level fluctuation range can be cited, and the optical power level equalization circuit 40 of the present invention is used as an equalization circuit for the input of such an optical wavelength conversion circuit.
Can be applied effectively.

【0056】(第4の実施形態)図12は、本発明の第
4の実施形態として、本発明の光パワーレベル等化回路
40の多チャンネル化への適用展開を示す。図13の
(A)に示すように、従来の減衰特性のみでは、チャン
ネル中の最低の出力レベルへの等化しかできないが、図
13の(B)に示すように、本発明の増幅・減衰動作を
用いることにより、任意の出力レベルに設定することが
できる。
(Fourth Embodiment) FIG. 12 shows, as a fourth embodiment of the present invention, the development of application of the optical power level equalizing circuit 40 of the present invention to multi-channel operation. As shown in FIG. 13A, only the conventional attenuation characteristic can equalize to the lowest output level in the channel, but as shown in FIG. By using the operation, an arbitrary output level can be set.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光信号の増幅・減衰素子として半導体光増幅素子を用
い、この半導体光増幅素子の電気的バイアスを自動的に
調整可能とする制御回路を設けたので、入力光信号に対
してより広ダイナミックレンジ、より高精度な光パワー
レベル等化動作を実現することができる。
As described above, according to the present invention,
A semiconductor optical amplifier is used as an optical signal amplifying / attenuating element, and a control circuit is provided to automatically adjust the electrical bias of the semiconductor optical amplifying element. A more accurate optical power level equalization operation can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の可変減衰回路の構成例を示すブロック図
である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of a conventional variable attenuation circuit.

【図2】従来の可変減衰回路の可変減衰特性を模式的に
示すグラフである。
FIG. 2 is a graph schematically showing a variable attenuation characteristic of a conventional variable attenuation circuit.

【図3】本発明の第1の実施形態の光パワーレベル等化
回路の基本構成を示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram illustrating a basic configuration of an optical power level equalization circuit according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明で用いる半導体光増幅・減衰素子の特性
例を模式的に示すグラフである。
FIG. 4 is a graph schematically showing a characteristic example of a semiconductor optical amplification / attenuation element used in the present invention.

【図5】本発明の第1の実施形態の光パワーレベル等化
回路の光パワーレベル等化動作を説明するグラフであ
る。
FIG. 5 is a graph illustrating an optical power level equalizing operation of the optical power level equalizing circuit according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1の実施形態における平均値検出型
の光信号レベル検出回路の詳細構成を示す回路図(A)
と、その回路の動作を示すグラフ(B)である。
FIG. 6 is a circuit diagram (A) showing a detailed configuration of an average value detection type optical signal level detection circuit according to the first embodiment of the present invention;
And a graph (B) showing the operation of the circuit.

【図7】本発明の第1の実施形態におけるピーク値検出
型の光信号レベル検出回路の詳細構成を示す回路図
(A)と、その回路の動作を示すグラフ(B)である。
FIGS. 7A and 7B are a circuit diagram (A) showing a detailed configuration of a peak value detection type optical signal level detection circuit according to the first embodiment of the present invention, and a graph (B) showing an operation of the circuit.

【図8】本発明の第2の実施形態の光パワーレベル等化
回路の構成を示すブロック図である。
FIG. 8 is a block diagram illustrating a configuration of an optical power level equalization circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第2の実施形態の光パワーレベル等化
回路の変形例を示すブロック図である。
FIG. 9 is a block diagram showing a modification of the optical power level equalization circuit according to the second embodiment of the present invention.

【図10】図9のプログラマブル制御回路の詳細構成を
示すブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram showing a detailed configuration of the programmable control circuit of FIG. 9;

【図11】本発明の第3の実施形態として本発明実施形
態の応用例を示すブロック図(A)と、その動作を説明
する概念図(B)である。
FIG. 11 is a block diagram (A) showing an application example of the embodiment of the present invention as a third embodiment of the present invention, and a conceptual diagram (B) for explaining the operation thereof.

【図12】本発明の第4の実施形態として、本発明の光
パワーレベル等化回路の多チャンネル化への適用展開を
示すブロック図である。
FIG. 12 is a block diagram showing, as a fourth embodiment of the present invention, the development of application of the optical power level equalizing circuit of the present invention to multi-channel.

【図13】光パワーレベル等化回路の多チャンネル化の
場合に、従来の減衰のみを利用した場合の作用を示すグ
ラフ(A)と、本発明を適用した場合の作用を示すグラ
フ(B)である。
FIG. 13 is a graph (A) showing an operation when only the conventional attenuation is used, and a graph (B) showing an operation when the present invention is applied, in a case where the optical power level equalization circuit has multiple channels. It is.

【符号の説明】 1 光ファイバ 2 可変減衰素子 3 可変減衰素子2を制御するための加熱・冷却素子 4 加熱・冷却素子3を制御するための温度制御回路 5 電気制御端子 6 半導体光増幅・減衰素子 7 光信号の分岐回路 8 光信号を電気信号に変換する光/電気変換回路 9 信号レベル検出回路 9−2 プログラマブル制御回路 10 電圧信号を電流信号に変換する電圧/電流変換回
路 11 基準レベル電圧端子 12 光信号を電流信号に変換するフォトダイオード
(PD) 13 電流信号を電圧信号に変換するための抵抗 14,14−1 増幅回路 14−2,4−3,4−4 差動入力の増幅回路 15 容量 16 基準レベル電圧(Vref) 17 駆動電流設定用抵抗 18 電流駆動用トランジスタ 19 ダイオード 20,20−1 光/電気変換回路の出力電圧(Vo
1) 20−2 ピーク値検出回路の出力電圧(Vo1′) 21 信号レベル検出回路の出力電圧(Vo2) 22,23 容量 24 抵抗 25 PDバイアス供給用端子 26 駆動電流回路用電源端子 27 制御端子 27−2 メモリ情報設定端子 28 アナログ/ディジタル変換回路(A/D) 29 ディジタル演算制御回路 30 ディジタル/アナログ変換回路(D/A) 31 メモリ図3、図8 40 本発明の光パワーレベル等化回路(図3,図8,
図9) 41 光受信回路等の光信号を受けて動作する光処理回
路 0 接地端子
[Description of Signs] 1 Optical fiber 2 Variable attenuation element 3 Heating / cooling element for controlling variable attenuation element 2 4 Temperature control circuit for controlling heating / cooling element 3 5 Electric control terminal 6 Semiconductor optical amplification / attenuation Element 7 Branch circuit for optical signal 8 Optical / electrical conversion circuit for converting optical signal to electric signal 9 Signal level detection circuit 9-2 Programmable control circuit 10 Voltage / current conversion circuit for converting voltage signal to current signal 11 Reference level voltage Terminal 12 Photodiode (PD) for converting an optical signal to a current signal 13 Resistor for converting a current signal to a voltage signal 14, 14-1 Amplifying circuit 14-2, 4-3, 4-4 Amplification of differential input Circuit 15 Capacitance 16 Reference level voltage (Vref) 17 Driving current setting resistor 18 Current driving transistor 19 Diode 20, 20-1 Light / electric conversion Circuit of the output voltage (Vo
1) 20-2 Output voltage of the peak value detection circuit (Vo1 ') 21 Output voltage of the signal level detection circuit (Vo2) 22, 23 Capacitance 24 Resistance 25 PD bias supply terminal 26 Drive current circuit power supply terminal 27 Control terminal 27 -2 memory information setting terminal 28 analog / digital conversion circuit (A / D) 29 digital operation control circuit 30 digital / analog conversion circuit (D / A) 31 memory FIG. 3, FIG. 8 40 Optical power level equalization circuit of the present invention (FIGS. 3, 8,
(Fig. 9) 41 Optical processing circuit that operates upon receiving an optical signal such as an optical receiving circuit 0 Ground terminal

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04J 14/02 H04B 10/17 10/16 (72)発明者 伊藤 敏夫 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 大木 明 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 鈴木 安弘 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 石原 昇 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 東野 俊一 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 Fターム(参考) 5K002 CA03 CA10 CA13 DA02 5K046 AA01 BA07 DD01 DD16 DD17Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H04J 14/02 H04B 10/17 10/16 (72) Inventor Toshio Ito 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Akira Oki 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Yasuhiro Suzuki 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo No. 1 Inside Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Noboru Ishihara Inventor 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Shunichi Higashino 2-chome Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo No.3-1 Nippon Telegraph and Telephone Corporation F-term (reference) 5K002 CA03 CA10 CA13 DA02 5K046 AA01 BA07 DD01 DD16 DD17

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 駆動電流に応じて光信号の増幅・減衰を
行う電流制御型の半導体光増幅素子と、 前記半導体光増幅素子の後段または前段に接続して光信
号を分岐する分岐回路と、 前記分岐回路で分岐された光信号レベルが小さいときに
は、高利得動作となるように、該光信号レベルが大きい
ときには、低利得あるいは減衰動作となるように、前記
半導体光増幅素子の前記駆動電流を制御する制御回路と
を有することを特徴とする光パワーレベル等化回路。
A current control type semiconductor optical amplifying element for amplifying and attenuating an optical signal according to a drive current; a branch circuit connected to a succeeding or preceding stage of the semiconductor optical amplifying element for branching an optical signal; When the level of the optical signal branched by the branch circuit is small, the driving current of the semiconductor optical amplifying element is changed so that high gain operation is performed, and when the optical signal level is large, low gain or attenuating operation is performed. An optical power level equalizing circuit, comprising: a control circuit for controlling.
【請求項2】 請求項1に記載の光パワーレベル等化回
路において、 前記制御回路は、 前記分岐回路で分岐された光信号を電気信号に変換する
光/電気変換回路と、 前記光/電気変換回路で変換された電気信号の電圧レベ
ルを検出し、検出した電圧レベルと基準レベル電圧とを
比較して、該電圧レベルが該基準レベル電圧よりも大き
い場合は該駆動電流が減少するように、該電圧レベルが
該基準レベル電圧よりも小さい場合は該駆動電流が増大
するように作用する電圧信号を出力する信号レベル検出
回路と、 前記信号レベル検出回路から出力された電圧信号を電流
信号に変換し、該電流信号を前記駆動電流として前記半
導体光増幅素子に帰還する電圧/電流変換回路とを有す
ることを特徴とする光パワーレベル等化回路。
2. The optical power level equalizer according to claim 1, wherein the control circuit is configured to convert an optical signal branched by the branch circuit into an electric signal, and the optical / electrical circuit. The voltage level of the electric signal converted by the conversion circuit is detected, and the detected voltage level is compared with a reference level voltage. When the voltage level is higher than the reference level voltage, the drive current is reduced. A signal level detection circuit that outputs a voltage signal that acts to increase the drive current when the voltage level is smaller than the reference level voltage; and converts the voltage signal output from the signal level detection circuit into a current signal. A voltage / current conversion circuit for converting the current signal and feeding back the current signal as the drive current to the semiconductor optical amplification element.
【請求項3】 請求項2に記載の光パワーレベル等化回
路において、 前記光/電気変換回路は、光信号を電流信号に変換する
フォトダイオードと、該フォトダイオードの出力電流信
号を電圧信号に変換する抵抗と増幅器とから構成される
電流/電圧変換増幅回路と、該電圧信号を積分して平均
値を検出する容量とを有することで、信号レベルの平均
値の検出結果として直流電圧信号を出力し、 前記信号レベル検出回路は、前記光/電気変換回路の前
記直流電圧信号と基準レベル電圧とを比較し、その比較
結果を出力電圧として出力する差動入力の増幅回路を有
し、 前記電圧/電流変換回路は、駆動電流設定用抵抗と、該
抵抗に一方の入力ポートが接続し前記信号レベル検出回
路の出力電圧に他方の入力ポートが接続する差動入力の
増幅回路と、該増幅器の出力電圧よりベース電位が制御
される電流駆動用トランジスタとの組合わせ回路によ
り、前記信号レベル検出回路の出力電圧を前記駆動電流
に変換することを特徴とする光パワーレベル等化回路。
3. The optical power level equalizing circuit according to claim 2, wherein the optical / electrical conversion circuit converts a light signal into a current signal, and converts an output current signal of the photodiode into a voltage signal. By having a current / voltage conversion amplifier circuit composed of a resistor for conversion and an amplifier, and a capacitor for integrating the voltage signal and detecting an average value, a DC voltage signal is obtained as a detection result of the average value of the signal level. The signal level detection circuit has a differential input amplifier circuit that compares the DC voltage signal of the optical / electrical conversion circuit with a reference level voltage and outputs the comparison result as an output voltage. The voltage / current conversion circuit includes a driving current setting resistor, a differential input amplifier circuit having one input port connected to the resistor, and the other input port connected to the output voltage of the signal level detection circuit. An optical power level equalizing circuit, wherein an output voltage of the signal level detecting circuit is converted into the driving current by a combination circuit with a current driving transistor whose base potential is controlled by an output voltage of the amplifier. .
【請求項4】 請求項1に記載の光パワーレベル等化回
路において、 前記制御回路は、 前記分岐回路で分岐された光信号を電気信号に変換する
光/電気変換回路と、 前記光/電気変換回路で変換された電気信号の信号波形
のピーク値を検出し、検出したピーク電圧レベルを出力
するピーク値検出回路と、 前記ピーク値検出回路から出力されたピーク電圧レベル
と基準レベル電圧とを比較して、該電ピーク圧レベルが
該基準レベル電圧よりも大きい場合は該駆動電流が減少
するように、該ピーク電圧レベルが該基準レベル電圧よ
りも小さい場合は該駆動電流が増大するように作用する
電圧信号を出力する信号レベル検出回路と、 前記信号レベル検出回路から出力された電圧信号を電流
信号に変換し、該電流信号を前記駆動電流として前記半
導体光増幅素子に帰還する電圧/電流変換回路とを有す
ることを特徴とする光パワーレベル等化回路。
4. The optical power level equalizing circuit according to claim 1, wherein the control circuit converts an optical signal branched by the branch circuit into an electric signal, and the optical / electrical circuit. A peak value detection circuit that detects a peak value of the signal waveform of the electric signal converted by the conversion circuit and outputs the detected peak voltage level; anda peak voltage level and a reference level voltage output from the peak value detection circuit. By comparison, the drive current decreases when the voltage peak voltage level is higher than the reference level voltage, and increases when the peak voltage level is lower than the reference level voltage. A signal level detection circuit that outputs a voltage signal that acts on the semiconductor device; converting the voltage signal output from the signal level detection circuit into a current signal; Optical power level equalizing circuit, characterized in that it comprises a voltage / current converter circuit for feeding back to the optical amplifier.
【請求項5】 請求項4に記載の光パワーレベル等化回
路において、 前記光/電気変換回路は、光信号を電流信号に変換する
フォトダイオードと、該フォトダイオードの出力電流信
号を電圧信号に変換する抵抗と増幅器とから構成される
電流/電圧変換増幅回路とを有し、 前記ピーク値検出回路は、前記光/電気変換回路で変換
された電気信号の信号レベルを検出する差動入力の増幅
器と、該増幅器の後段に接続するダイオードと、該ダイ
オードの後段に接続する容量とピーク値電圧の保持時間
設定用の抵抗とを有し、前記信号レベルがHighの時
には、該ダイオードがオンとなって、該容量に電荷が蓄
積され、前記信号レベルがLowの時には、該ダイオー
ドがオフとなって、該容量に蓄積された電荷により、ピ
ーク値電圧が保持され、 前記信号レベル検出回路は、前記ピーク値検出回路の前
記ピーク値電圧信号と基準レベル電圧とを比較し、その
比較結果を出力電圧として出力する差動入力の増幅回路
を有し、 前記電圧/電流変換回路は、駆動電流設定用抵抗と、該
抵抗に一方の入力ポートが接続し前記信号レベル検出回
路の出力電圧に他方の入力ポートが接続する差動入力の
増幅回路と、該増幅器の出力電圧よりベース電位が制御
される電流駆動用トランジスタとの組合わせ回路によ
り、前記信号レベル検出回路の出力電圧を前記駆動電流
に変換することを特徴とする光パワーレベル等化回路。
5. The optical power level equalizing circuit according to claim 4, wherein the optical / electrical conversion circuit converts a light signal into a current signal and converts the output current signal of the photodiode into a voltage signal. A current / voltage conversion / amplification circuit including a resistor to be converted and an amplifier, wherein the peak value detection circuit detects a signal level of an electric signal converted by the optical / electric conversion circuit; An amplifier, a diode connected to a stage subsequent to the amplifier, and a capacitor connected to a stage subsequent to the diode and a resistor for setting a holding time of a peak value voltage, and when the signal level is High, the diode is turned on. When the charge is stored in the capacitor and the signal level is Low, the diode is turned off, and the peak value voltage is held by the charge stored in the capacitor, The signal level detection circuit includes a differential input amplifier circuit that compares the peak value voltage signal of the peak value detection circuit with a reference level voltage, and outputs a result of the comparison as an output voltage. The conversion circuit includes a drive current setting resistor, a differential input amplifier circuit having one input port connected to the resistor and the other input port connected to the output voltage of the signal level detection circuit, and an output voltage of the amplifier. An optical power level equalizing circuit, wherein an output voltage of the signal level detecting circuit is converted into the driving current by a combination circuit with a current driving transistor whose base potential is controlled more.
【請求項6】 請求項2または3のいずれかに記載の光
パワーレベル等化回路において、 プログラマブル制御回路を前記信号レベル検出回路に置
換えて接続し、該プログラマブル制御回路は、前記半導
体光増幅素子の増幅・減衰特性に応じて、駆動電流と利
得・減衰特性関係、波長依存性、偏波依存性などの必要
な条件を予め設定することにより、高安定な光パワーレ
ベル等化動作を実行可能とすることを特徴とする光パワ
ーレベル等化回路。
6. The optical power level equalizing circuit according to claim 2, wherein a programmable control circuit is connected to said signal level detecting circuit, said programmable control circuit being connected to said semiconductor optical amplifier. Highly stable optical power level equalization operation can be performed by setting in advance the necessary conditions such as the relationship between the drive current and gain / attenuation characteristics, wavelength dependence, and polarization dependence according to the amplification / attenuation characteristics of the An optical power level equalizing circuit characterized by:
【請求項7】 請求項6に記載の光パワーレベル等化回
路において、 前記プログラマブル制御回路は、 前記半導体光増幅素子の駆動電流と利得・減衰特性関係
を予め格納するメモリと、 前記光/電気変換回路からのアナログレベルの信号をデ
ィジタル信号に変換するアナログ/ディジタル変換回路
と、 前記アナログ/ディジタル変換回路から出力するディジ
タル信号のレベルと前記メモリの格納情報とを比較し
て、最適な制御電圧信号を計算処理して出力するディジ
タル演算制御回路と、 前記ディジタル演算制御回路から出力するディジタル信
号をアナログ電圧信号に変換し変換したアナログ電圧信
号を前記電圧/電流変換回路へ出力するディジタル/ア
ナログ変換回路とを有することを特徴とする光パワーレ
ベル等化回路。
7. The optical power level equalizing circuit according to claim 6, wherein the programmable control circuit is configured to store in advance a driving current of the semiconductor optical amplifying element and a gain / attenuation characteristic relationship; An analog / digital conversion circuit for converting an analog level signal from the conversion circuit into a digital signal; and comparing the level of the digital signal output from the analog / digital conversion circuit with the information stored in the memory to determine an optimum control voltage. A digital operation control circuit for calculating and processing a signal, and a digital / analog conversion for converting the digital signal output from the digital operation control circuit into an analog voltage signal and converting the converted analog voltage signal to the voltage / current conversion circuit And an optical power level equalization circuit.
【請求項8】 請求項2〜5のいずれかに記載の光パワ
ーレベル等化回路において、 前記信号レベル検出回路と前記電圧/電流変換回路の間
に、高利得の増幅回路を挿入したことを特徴とする光パ
ワーレベル等化回路。
8. The optical power level equalizing circuit according to claim 2, wherein a high gain amplifier circuit is inserted between the signal level detection circuit and the voltage / current conversion circuit. Characteristic optical power level equalization circuit.
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