JP2002237098A - Optical recording medium - Google Patents

Optical recording medium

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JP2002237098A
JP2002237098A JP2001030115A JP2001030115A JP2002237098A JP 2002237098 A JP2002237098 A JP 2002237098A JP 2001030115 A JP2001030115 A JP 2001030115A JP 2001030115 A JP2001030115 A JP 2001030115A JP 2002237098 A JP2002237098 A JP 2002237098A
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JP
Japan
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film
metal film
heat sink
recording medium
optical recording
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Application number
JP2001030115A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichiro Kijima
公一朗 木島
Yuji Kuroda
裕児 黒田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide heat sink reflection layer having satisfactory surface roughness and increased heat capacity in an optical recording medium. SOLUTION: In the optical recording medium wherein at least the heat sink reflection layer 3, a recording layer 4 and a protective layer 5 are successively laminated on a substrate 2 in which a groove 2a is formed along a recording track and recording and/or reproduction of a signal are performed by irradiation with light from the protective layer 5 side, the heat sink layer 3 has a laminated structure including at least a metal film 7.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に、少なく
ともヒートシンク反射層と、記録層と、保護層とが順次
積層されてなり、保護層側から光が照射されることによ
り、信号の記録及び/又は再生がなされる光記録媒体に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a signal recording method in which at least a heat sink reflective layer, a recording layer, and a protective layer are sequentially laminated on a substrate, and light is irradiated from the protective layer side. And / or an optical recording medium on which reproduction is performed.

【0002】[0002]

【従来の技術】光記録媒体としては、情報信号に対応し
たエンボスピットがディスク基板に予め形成されてなる
再生専用の光ディスクや、磁気光学効果を利用して情報
信号の記録を行う光磁気ディスク、記録膜の相変化を利
用して情報信号の記録を行う相変化型光ディスク等があ
る。
2. Description of the Related Art As an optical recording medium, a read-only optical disk in which emboss pits corresponding to an information signal are formed in advance on a disk substrate, a magneto-optical disk for recording an information signal using a magneto-optical effect, There is a phase change type optical disk or the like that records an information signal using a phase change of a recording film.

【0003】これらの光ディスクのうち、光磁気ディス
クや相変化型光ディスクのように書き込みが可能な光デ
ィスクでは、通常、ディスク基板に記録トラックに沿っ
たグルーブが形成されている。ここで、グルーブとは、
主にトラッキングサーボを行うために、記録トラックに
沿って形成される案内溝のことである。また、グルーブ
とグルーブの間の部分は、ランドと呼ばれている。
[0003] Of these optical disks, writable optical disks such as magneto-optical disks and phase-change optical disks usually have grooves formed along recording tracks on a disk substrate. Here, the groove is
A guide groove formed along a recording track mainly for performing tracking servo. The portion between the grooves is called a land.

【0004】ところで、これら光ディスクでは、記録再
生装置に搭載される光ピックアップの再生分解能を向上
させることにより、高記録密度化を達成している。具体
的には、光ディスクに照射されるレーザービームの波長
λを短くしたり、対物レンズの開口数NAを大きくして
光ディスクに照射されるレーザービームのスポット径を
小さくすることが行われている。
[0004] In these optical discs, a higher recording density has been achieved by improving the reproduction resolution of an optical pickup mounted on a recording / reproducing apparatus. Specifically, the wavelength λ of the laser beam applied to the optical disk is shortened, or the numerical aperture NA of the objective lens is increased to reduce the spot diameter of the laser beam applied to the optical disk.

【0005】しかしながら、対物レンズのNAを大きく
した場合には、ディスク基板の厚みをさらに薄くする必
要がある。これは、光学ピックアップの光軸に対してデ
ィスク面が垂直からずれる角度(チルト角)の許容量が
小さくなるためであり、このチルト角がディスク基板の
厚みによる収差や複屈折の影響を受けやすいためであ
る。すなわち、光ディスクでは、対物レンズの高NA化
に対応するために、ディスク基板の厚みを薄くしてチル
ト角をなるべく小さくする必要がある。
[0005] However, when the NA of the objective lens is increased, it is necessary to further reduce the thickness of the disk substrate. This is because the allowable amount of the angle (tilt angle) at which the disk surface deviates from the perpendicular to the optical axis of the optical pickup becomes small, and the tilt angle is easily affected by aberration and birefringence due to the thickness of the disk substrate. That's why. That is, in the optical disk, it is necessary to reduce the tilt angle as much as possible by reducing the thickness of the disk substrate in order to cope with an increase in the NA of the objective lens.

【0006】例えばデジタルオーディオディスクでは、
ディスク基板の厚みが1.2mm程度とされるのに対
し、デジタルオーディオディスクの6〜8倍の記録容量
を有するデジタルバーサタイルディスク(DVD:Digital V
ersatile Disk)においては、ディスク基板の厚みが0.
6mm程度とされる。
For example, in a digital audio disc,
While the thickness of the disk substrate is about 1.2 mm, a digital versatile disk (DVD: Digital V) having a recording capacity 6 to 8 times that of a digital audio disk
ersatile Disk), the thickness of the disk substrate is 0.
It is about 6 mm.

【0007】しかしながら、このような光記録媒体で
は、今後さらなる高記録密度化が要求されるものと思わ
れ、ディスク基板のさらなる薄型化が必要となってくる
ものと思われる。
However, in such an optical recording medium, it is expected that a higher recording density will be required in the future, and it will be necessary to further reduce the thickness of the disk substrate.

【0008】そこで、光記録媒体では、ディスク基板上
に積層された積層膜のうち、最上層に形成された保護層
側から光が照射されることにより、信号の記録及び/又
は再生がなされる光ディスクが提案されている。この光
ディスクでは、保護層を薄膜化することによって、対物
レンズのさらなる高NA化に対応することが可能となっ
ている。
Therefore, in an optical recording medium, signals are recorded and / or reproduced by irradiating light from the protective layer formed on the uppermost layer in the laminated film laminated on the disk substrate. Optical disks have been proposed. In this optical disk, it is possible to cope with a further increase in the NA of the objective lens by reducing the thickness of the protective layer.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した光
ディスクでは、高記録密度化、すなわち1ビット当たり
の記録面積が縮小するのに伴って、膜の表面粗さの問題
がより顕著となってきている。すなわち、光ディスクで
は、記録面積の縮小化によって、従来では問題とならな
い程度の膜の表面粗さでも、ディスクノイズが増加し、
S/NやC/Nが劣化してしまうことがある。
By the way, in the above-mentioned optical disk, as the recording density increases, that is, as the recording area per bit decreases, the problem of the surface roughness of the film becomes more prominent. I have. That is, in the optical disk, due to the reduction in the recording area, the disk noise increases even if the surface roughness of the film is not a problem in the related art,
S / N and C / N may deteriorate.

【0010】具体的に、図4に示すような光ディスクで
は、記録トラックに沿ってグルーブ100aが形成され
たディスク基板100上に、ヒートシンク反射層101
と、記録層102と、保護層103とが順次積層されて
おり、このうち、ディスクノイズに影響を及ぼす膜の表
面粗さは、ヒートシンク反射層101として金属膜を成
膜した際により顕著なものとなる。すなわち、この光デ
ィスクでは、図5に示すように、ディスク基板100上
に、ヒートシンク反射層101として例えばAl合金か
らなる金属膜を真空蒸着法やスパッタリング等の真空成
膜技術により成膜すると、この金属膜の結晶粒子101
aが比較的大きく成長してしまい、金属膜が平滑性を失
ってその表面粗さが大きくなってしまう。また、このヒ
ートシンク記録層101は、グルーブ100a上に成膜
された金属膜の膜厚よりも、グルーブ100aとグルー
ブ100aとの間のランド100b上に成膜された金属
膜の膜厚の方が厚くなっている。
More specifically, in the optical disk as shown in FIG. 4, a heat sink reflective layer 101 is provided on a disk substrate 100 on which grooves 100a are formed along recording tracks.
, A recording layer 102, and a protective layer 103 are sequentially laminated, and the surface roughness of the film affecting the disk noise is more remarkable when a metal film is formed as the heat sink reflective layer 101. Becomes That is, in this optical disc, as shown in FIG. 5, when a metal film made of, for example, an Al alloy is formed as a heat sink reflective layer 101 on a disc substrate 100 by a vacuum film forming technique such as a vacuum evaporation method or sputtering, Crystal particles 101 of the film
a grows relatively large, and the metal film loses smoothness and its surface roughness increases. In the heat sink recording layer 101, the thickness of the metal film formed on the land 100b between the grooves 100a is greater than the thickness of the metal film formed on the groove 100a. It is getting thicker.

【0011】この場合、上述したヒートシンク反射層1
01上に形成された記録層102に凹凸が生じてしま
い、良好な記録層としての特性が得られなくなってしま
う。
In this case, the heat sink reflective layer 1 described above is used.
Unevenness occurs in the recording layer 102 formed on the recording layer 01, and good characteristics as a recording layer cannot be obtained.

【0012】この改善策として、Al合金からなる金属
膜の膜厚を薄くすることで、結晶粒子101aの成長を
抑制し、この金属膜の表面粗さを小さくすることが考え
られる。
As a remedy, it is conceivable to reduce the thickness of the metal film made of an Al alloy to suppress the growth of the crystal grains 101a and to reduce the surface roughness of the metal film.

【0013】しかしながら、このAl合金からなる金属
膜の膜厚を薄くすると、ヒートシンク反射層101の熱
容量が低下するために、記録層102に記録される信号
のジッターが悪化するという報告(Aparna C.Sheila,T.
E.Schlesinger,avid N.Lambeth"Mark Edge Jitter Mode
l For Phase Change Recording"Digest of Optical Dat
a Storage 2000,Whistler,80-82,SPIE)もあり、単純に
Al合金からなる金属膜の膜厚を薄くすることはできな
い。
However, when the thickness of the metal film made of the Al alloy is reduced, the heat capacity of the heat sink reflective layer 101 is reduced, and the jitter of the signal recorded on the recording layer 102 is deteriorated (Aparna C. et al. Sheila, T.
E.Schlesinger, avid N.Lambeth "Mark Edge Jitter Mode
l For Phase Change Recording "Digest of Optical Dat
a Storage 2000, Whistler, 80-82, SPIE), and it is not possible to simply reduce the thickness of a metal film made of an Al alloy.

【0014】さらに、このような光ディスクでは、ディ
スク基板100の材料として、熱伝導率の低いポリカー
ボネート等のプラスチック材料を用いることが多く、こ
の場合、基板100とヒートシンク反射層101とが接
していることから、Al合金からなる金属膜の膜厚を薄
くすると、このヒートシンク反射層101の熱容量や熱
伝導率に基板材料の物性値が悪影響を及ぼすこととな
る。
Further, in such an optical disk, a plastic material such as polycarbonate having low thermal conductivity is often used as a material of the disk substrate 100. In this case, the substrate 100 and the heat sink reflective layer 101 are in contact with each other. Therefore, when the thickness of the metal film made of the Al alloy is reduced, the physical properties of the substrate material adversely affect the heat capacity and the thermal conductivity of the heat sink reflective layer 101.

【0015】そこで、本発明はこのような従来の事情に
鑑みて提案されたものであり、ヒートシンク反射層の表
面粗さを良好なものとし、且つ、ヒートシンク反射層の
熱容量の低下を抑制することを可能とした光記録媒体を
提供することを目的とする。
In view of the foregoing, the present invention has been proposed in view of the above circumstances, and has an object to improve the surface roughness of a heat sink reflective layer and to suppress a decrease in heat capacity of the heat sink reflective layer. It is an object of the present invention to provide an optical recording medium that enables the above.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、基板上に、少なくともヒートシンク反射
層と、記録層と、保護層とが順次積層されてなり、保護
層側から光が照射されることにより、信号の記録及び/
又は再生がなされる光記録媒体であって、ヒートシンク
反射層は、少なくとも金属膜を含む積層構造とされてい
ることを特徴としている。
In order to achieve this object, the present invention provides a light emitting device comprising at least a heat sink reflective layer, a recording layer, and a protective layer sequentially laminated on a substrate. Irradiates signals to record signals and / or
Alternatively, an optical recording medium to be reproduced is characterized in that the heat sink reflective layer has a laminated structure including at least a metal film.

【0017】以上のように本発明に係る光記録媒体で
は、ヒートシンク反射層において、金属膜を薄膜化し、
この金属膜の成膜時における結晶粒子の成長を抑制する
ことで、金属膜の表面粗さを小さくすることができる。
そして、ヒートシンク反射層をこの金属膜を含む積層構
造とすることで、当該ヒートシンク反射層の表面粗さを
良好なものとし、且つ、当該ヒートシンク反射層の熱容
量の低下を抑制することができる。
As described above, in the optical recording medium according to the present invention, in the heat sink reflection layer, the metal film is reduced in thickness.
By suppressing the growth of crystal grains during the formation of the metal film, the surface roughness of the metal film can be reduced.
Then, by forming the heat sink reflective layer to have a laminated structure including this metal film, the surface roughness of the heat sink reflective layer can be made good, and a decrease in the heat capacity of the heat sink reflective layer can be suppressed.

【0018】また、ヒートシンク反射層は、少なくとも
基板側から、高熱伝導率を有する膜と、金属膜とが積層
されてなる構造とすることが好ましい。
The heat sink reflective layer preferably has a structure in which a film having high thermal conductivity and a metal film are laminated at least from the substrate side.

【0019】この場合、ヒートシンク反射層において、
金属膜を薄膜化し、この金属膜の成膜時における結晶粒
子の成長を抑制することで、金属膜の表面粗さを小さく
することができる。そして、この金属膜を高熱伝導率を
有する金属膜上に積層することにより、当該ヒートシン
ク反射層の表面粗さを良好なものとし、且つ、当該ヒー
トシンク反射層の熱容量を大きくすることができる。
In this case, in the heat sink reflection layer,
By reducing the thickness of the metal film and suppressing the growth of crystal grains during the formation of the metal film, the surface roughness of the metal film can be reduced. Then, by laminating this metal film on a metal film having a high thermal conductivity, the surface roughness of the heat sink reflective layer can be improved, and the heat capacity of the heat sink reflective layer can be increased.

【0020】また、ヒートシンク反射層は、少なくとも
基板側から、他の金属膜と、高熱伝導率を有する膜と、
金属膜とが積層されてなる構造としてもよい。
Further, the heat sink reflective layer includes, at least from the substrate side, another metal film, a film having high thermal conductivity,
A structure in which a metal film and a metal film are stacked may be used.

【0021】この場合、ヒートシンク反射層において、
金属膜及び他の金属膜を薄膜化し、これら金属膜の成膜
時における結晶粒子の成長を抑制することで、金属膜及
び他の金属膜の表面粗さを小さくすることができる。そ
して、これら金属膜を高熱伝導率を有する膜により隔離
することで、当該ヒートシンク反射層の表面粗さを良好
なものとし、且つ、当該ヒートシンク反射層の熱容量を
大きくすることができる。
In this case, in the heat sink reflection layer,
The surface roughness of the metal film and other metal films can be reduced by reducing the thickness of the metal film and other metal films and suppressing the growth of crystal grains during the formation of these metal films. Then, by isolating these metal films by a film having a high thermal conductivity, the surface roughness of the heat sink reflective layer can be improved, and the heat capacity of the heat sink reflective layer can be increased.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0023】先ず、本発明の第1の実施の形態として図
1に示す相変化光ディスク1について説明する。なお、
図1は、この相変化光ディスク1の構造を示す要部断面
図である。
First, a phase change optical disk 1 shown in FIG. 1 will be described as a first embodiment of the present invention. In addition,
FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part showing the structure of the phase change optical disk 1.

【0024】この相変化光ディスク1は、略円盤状を呈
しており、略中心部に中心孔が穿設されたディスク基板
2の主面上に、例えば真空蒸着法やスパッタリング法等
の真空成膜技術により、ヒートシンク反射層3と、記録
層4と、保護層5とが順次積層された構造を有してい
る。そして、この相変化光ディスク1では、記録再生装
置により情報信号の記録再生が行われる際に、記録再生
装置に搭載された光学ピックアップの対物レンズにより
レーザービームが集光され、この集光されたレーザービ
ームが保護層5側から記録層4に照射されることとな
る。これにより、対物レンズのさらなる高NA化に対応
することが可能となっている。
The phase-change optical disk 1 has a substantially disk shape, and is formed on a main surface of a disk substrate 2 having a center hole formed at a substantially central portion thereof by, for example, a vacuum deposition method or a sputtering method. According to the technology, the heat sink reflective layer 3, the recording layer 4, and the protective layer 5 are sequentially laminated. In the phase-change optical disc 1, when recording / reproducing an information signal is performed by the recording / reproducing apparatus, a laser beam is condensed by an objective lens of an optical pickup mounted on the recording / reproducing apparatus. The beam is applied to the recording layer 4 from the protective layer 5 side. As a result, it is possible to cope with an even higher NA of the objective lens.

【0025】この相変化光ディスク1において、ディス
ク基板2は、例えばポリカーボネート(PC)や、ポリ
メタクリレート(PMMA)、アクリル、エポキシ樹脂
等のプラスチック材料からなる。また、ディスク基板2
の材料としては、ガラスや金属材料等を用いることがで
きる。そして、このディスク基板2の主面には、案内溝
であるグルーブ2aが記録トラックに沿って略スパイラ
ル状に形成されており、グルーブ2aとグルーブ2aと
の間には、ランド2bが形成されている。
In the phase change optical disk 1, the disk substrate 2 is made of a plastic material such as polycarbonate (PC), polymethacrylate (PMMA), acrylic, epoxy resin, or the like. Also, the disk substrate 2
As a material of the above, glass, a metal material, or the like can be used. A groove 2a, which is a guide groove, is formed in a substantially spiral shape along the recording track on the main surface of the disk substrate 2, and a land 2b is formed between the grooves 2a. I have.

【0026】ヒートシンク反射層3は、ヒートシンク膜
及び反射膜として機能するものであり、例えば基板2側
から順に、高熱伝導率を有する膜6と、金属膜7とが積
層された2層構造を有している。
The heat sink reflection layer 3 functions as a heat sink film and a reflection film, and has, for example, a two-layer structure in which a film 6 having a high thermal conductivity and a metal film 7 are laminated in this order from the substrate 2 side. are doing.

【0027】記録層4は、ZnS−SiO等からなる
第1の透明誘電体膜8と、GeSbTe等の相変化材料
からなる相変化記録膜9と、ZnS−SiO等からな
る第2の透明誘電体膜10とが順次積層されてなる。こ
のうち、相変化記録膜9は、金属膜7、第1の透明誘電
体膜8及び第2の透明誘電体膜10によりエンハンスが
なされている。
The recording layer 4, a ZnS-SiO 2 or the like first transparent dielectric film 8 made of, a phase change recording film 9 of a phase change material such as GeSbTe, a second made of ZnS-SiO 2 or the like The transparent dielectric film 10 and the transparent dielectric film 10 are sequentially laminated. Among them, the phase change recording film 9 is enhanced by the metal film 7, the first transparent dielectric film 8, and the second transparent dielectric film 10.

【0028】保護層5は、記録層4を保護するためのも
のであり、光透過性を有する樹脂材料等からなる。具体
的に、この保護層5は、記録層4上に、例えば紫外線硬
化樹脂をスピンコート法により塗布し、この紫外線硬化
樹脂に対して紫外線を照射し硬化させることで形成され
る。
The protective layer 5 is for protecting the recording layer 4 and is made of a light-transmissive resin material or the like. Specifically, the protective layer 5 is formed by applying, for example, an ultraviolet curable resin onto the recording layer 4 by a spin coating method, and irradiating the ultraviolet curable resin with ultraviolet light to cure the resin.

【0029】以上のように構成される相変化光ディスク
1では、対物レンズにより集光されたレーザービームを
記録層4に照射しながら、結晶状態からアモルファス状
態といった相変化を記録層4に生じさせることにより、
情報信号の記録又は消去が行われ、それに伴う光の反射
率変化を検出することにより、情報信号の再生が行われ
る。
In the phase change optical disk 1 configured as described above, a phase change from a crystalline state to an amorphous state is caused in the recording layer 4 while irradiating the recording layer 4 with the laser beam focused by the objective lens. By
The recording or erasing of the information signal is performed, and the information signal is reproduced by detecting a change in the reflectance of light accompanying the recording or erasing.

【0030】ところで、この相変化光ディスク1におい
て、ヒートシンク反射層3は、ディスク基板2側から順
に、高熱伝導率を有する膜6と、金属膜7とが積層され
た2層構造を有している。
Incidentally, in the phase-change optical disk 1, the heat sink reflective layer 3 has a two-layer structure in which a film 6 having a high thermal conductivity and a metal film 7 are laminated in this order from the disk substrate 2 side. .

【0031】このうち、金属膜7は、高熱伝導率を有す
るAl又はAl合金等のAlを含有する金属材料からな
り、少なくとも反射膜として機能するのに十分な膜厚を
有している。より具体的には、このAlを含有する金属
膜7の膜厚を30nm以上とすることが好ましい。
Of these, the metal film 7 is made of a metal material containing Al such as Al or an Al alloy having a high thermal conductivity, and has a thickness at least sufficient to function as a reflection film. More specifically, the thickness of the Al-containing metal film 7 is preferably set to 30 nm or more.

【0032】ここで、ディスク基板上に、Al膜からな
るヒートシンク反射層と、膜厚16nmのZnS−Si
膜、膜厚12nmのGeSbTe膜及び膜厚55n
mのZnS−SiOからなる記録層と、保護層とを順
次積層した相変化光ディスクについて、Al膜の膜厚を
変化させた際の反射率の変化を計算により求めた。
Here, a heat sink reflective layer made of an Al film and a ZnS-Si
O 2 film, GeSbTe film having a thickness of 12 nm and film thickness of 55 n
For a phase change optical disk in which a recording layer made of m ZnS-SiO 2 and a protective layer were sequentially laminated, the change in reflectance when the thickness of the Al film was changed was calculated.

【0033】このAl膜の膜厚と反射率との関係を示す
グラフを図2に示す。なお、図2は、レーザービームの
波長を405nmとし、保護層の屈折率を1.46、Z
nS−SiO膜の屈折率を2.35、GeSbTe膜
(結晶状態)の屈折率を(2.05−3.05i)とし
た場合をパラメータとして計算により求めたグラフであ
る。
FIG. 2 is a graph showing the relationship between the thickness of the Al film and the reflectance. FIG. 2 shows a case where the wavelength of the laser beam is 405 nm, the refractive index of the protective layer is 1.46, and Z is
nS-SiO 2 film refractive index of 2.35 is a graph obtained by calculation when the refractive index of the GeSbTe film (crystalline state) and (2.05-3.05I) as a parameter.

【0034】図2に示すグラフから、Al膜の膜厚を3
0nm以上とすれば、略々一定の反射率が得られ、反射
膜としての機能を十分満足することがわかる。
According to the graph shown in FIG.
When it is 0 nm or more, a substantially constant reflectance can be obtained, and it can be seen that the function as a reflection film is sufficiently satisfied.

【0035】したがって、Alを含有する金属膜7の膜
厚は、30nm以上とすることが好ましく、ここでは、
Alからなる金属膜7の膜厚を30nmとしている。
Therefore, the thickness of the metal film 7 containing Al is preferably set to 30 nm or more.
The thickness of the metal film 7 made of Al is 30 nm.

【0036】なお、このAlを含有する金属膜7の膜厚
は、下地となる高熱伝導率を有する膜6を加えたヒート
シンク反射層3全体の反射率を考慮すると、さらに薄く
することが可能であり、このヒートシンク反射層3がヒ
ートシンク膜として機能しなくなる程度にまで、さらに
膜厚を薄くすることも可能である。
The thickness of the Al-containing metal film 7 can be further reduced in consideration of the reflectance of the entire heat sink reflective layer 3 to which the underlying film 6 having a high thermal conductivity is added. In addition, the film thickness can be further reduced to such an extent that the heat sink reflective layer 3 does not function as a heat sink film.

【0037】一方、高熱伝導率を有する膜6は、ヒート
シンク反射層3の熱容量を大きくする機能、並びに、A
lを含有する金属膜7の下地となることで、この金属膜
7の成膜時における結晶粒子の成長を抑制する機能を有
している。
On the other hand, the film 6 having a high thermal conductivity has a function of increasing the heat capacity of the heat sink reflective layer 3, and
As a base of the metal film 7 containing 1, it has a function of suppressing the growth of crystal grains during the formation of the metal film 7.

【0038】すなわち、この高熱伝導率を有する膜6
は、Alを含有する金属膜7の結晶粒子の成長を抑制す
る作用を有することが好ましく、このAlを含有する金
属膜7よりも結晶粒径が小となる金属材料、或いは、成
膜後にアモルファス状態となる金属材料を用いることが
好ましい。
That is, the film 6 having high thermal conductivity
Preferably has a function of suppressing the growth of crystal grains of the Al-containing metal film 7. A metal material having a smaller crystal grain size than the Al-containing metal film 7, or an amorphous material after the film formation. It is preferable to use a metal material that can be in a state.

【0039】したがって、この高熱伝導率を有する膜6
は、少なくとも金属膜7の結晶粒子の成長を抑制する作
用を有するのに十分な膜厚を有することが好ましく、こ
こでは、高誘電率を有する膜6として、膜厚50nmの
SiC膜を用いている。
Therefore, the film 6 having a high thermal conductivity
Preferably has a thickness sufficient to have at least an action of suppressing the growth of crystal grains of the metal film 7. Here, a 50 nm-thick SiC film is used as the film 6 having a high dielectric constant. I have.

【0040】また、この高熱伝導率を有する膜6の材料
としては、上述したSiCに限定されるものではなく、
例えばAlや、SiN等の誘電材料を用いてもよ
い。さらに、1000℃以下においてAlと合金を作ら
ない高融点の金属材料や、半導体材料を用いることも可
能である。より具体的には、Be、Cr、Ni、Pd、
Pt、Ti、W、Mo等の金属材料や、ZrO、Si
等の半導体材料、並びにこれらの混合材料を用いること
ができる。
The material of the film 6 having a high thermal conductivity is not limited to the above-described SiC.
For example, a dielectric material such as Al 2 O 3 or SiN may be used. Further, a high melting point metal material or a semiconductor material which does not form an alloy with Al at 1000 ° C. or lower can be used. More specifically, Be, Cr, Ni, Pd,
Metal materials such as Pt, Ti, W, Mo, ZrO 2 , Si
And the like, and a mixed material thereof can be used.

【0041】以上のように、この相変化光ディスク1で
は、ヒートシンク反射層3において、Alを含有する金
属膜7を薄膜化し、この金属膜7の成膜時における結晶
粒子の成長を抑制することで、Alを含有する金属膜7
の表面粗さを小さくすることができる。そして、このA
lを含有する金属膜7を高熱伝導率を有する膜6上に積
層することで、当該ヒートシンク反射層3の表面粗さを
良好なものとし、且つ、当該ヒートシンク反射層3の熱
容量を大きくすることができる。
As described above, in the phase change optical disc 1, the metal film 7 containing Al is made thinner in the heat sink reflective layer 3 and the growth of crystal grains during the formation of the metal film 7 is suppressed. Film 7 containing Al and Al
Can be reduced in surface roughness. And this A
By laminating the metal film 7 containing 1 on the film 6 having a high thermal conductivity, the surface roughness of the heat sink reflective layer 3 is improved, and the heat capacity of the heat sink reflective layer 3 is increased. Can be.

【0042】したがって、この相変化光ディスク1で
は、ディスクノイズの発生を抑制することができ、さら
なる高記録密度化に対応することができる。
Therefore, in the phase-change optical disk 1, it is possible to suppress the occurrence of disk noise and to cope with a further increase in recording density.

【0043】次に、本発明の第2の実施の形態として図
3に示す相変化光ディスク20について説明する。
Next, a phase change optical disc 20 shown in FIG. 3 will be described as a second embodiment of the present invention.

【0044】なお、以下の説明において第1の実施の形
態に示す相変化光ディスク1と同等な部位については説
明を省略するとともに、図面において同じ符号を付すも
のとする。なお、図3は、この相変化光ディスク20の
構造を示す要部断面図である。
In the following description, portions that are the same as those of the phase change optical disc 1 according to the first embodiment will not be described, and the same reference numerals will be used in the drawings. FIG. 3 is a sectional view of a main part showing the structure of the phase change optical disc 20.

【0045】この相変化光ディスク20は、ヒートシン
ク反射層21が3層構造を有する以外は、図1に示す相
変化光ディスク1と同じ構造を有している。
This phase change optical disk 20 has the same structure as the phase change optical disk 1 shown in FIG. 1, except that the heat sink reflection layer 21 has a three-layer structure.

【0046】すなわち、この相変化光ディスク20にお
いて、ヒートシンク反射層21は、ディスク基板2側か
ら順に、第1の金属膜22と、高熱伝導率を有する膜2
3と、第2の金属膜24とが積層された3層構造を有し
ている。
That is, in this phase-change optical disk 20, the heat sink reflective layer 21 is formed by sequentially forming the first metal film 22 and the film 2 having high thermal conductivity from the disk substrate 2 side.
3 and a second metal film 24 in a three-layer structure.

【0047】このうち、第2の金属膜24は、高熱伝導
率を有するAl又はAl合金等のAlを含有する金属材
料からなり、少なくとも反射膜として機能するのに十分
な膜厚を有している。より具体的には、このAlを含有
する第2の金属膜24の膜厚を30nm以上とすること
が好ましく、ここでは、Alからなる第2の金属膜24
の膜厚を30nmとしている。
The second metal film 24 is made of a metal material containing Al such as Al or an Al alloy having a high thermal conductivity, and has a thickness at least sufficient to function as a reflection film. I have. More specifically, the thickness of the second metal film 24 containing Al is preferably set to 30 nm or more. In this case, the second metal film 24 made of Al is used here.
Has a thickness of 30 nm.

【0048】なお、このAlを含有する第2の金属膜2
4の膜厚は、下地となる高熱伝導率を有する膜23を加
えたヒートシンク反射層21全体の反射率を考慮する
と、さらに薄くすることが可能であり、このヒートシン
ク反射層3がヒートシンク膜として機能しなくなる程度
にまで、さらに膜厚を薄くすることも可能である。
The second metal film 2 containing Al
The thickness of the heat sink reflective layer 4 can be further reduced in consideration of the reflectance of the entire heat sink reflective layer 21 to which the film 23 having a high thermal conductivity as a base is added, and the heat sink reflective layer 3 functions as a heat sink film. It is also possible to further reduce the film thickness to such an extent that it is no longer possible.

【0049】一方、高熱伝導率を有する膜23は、ヒー
トシンク反射層21の熱容量を大きくする機能、Alを
含有する第2の金属膜24の下地となることで、この第
2の金属膜24の成膜時における結晶粒子の成長を抑制
する機能、並びに第1の金属膜22と第2の金属膜24
とを隔離する機能を有している。
On the other hand, the film 23 having a high thermal conductivity has a function of increasing the heat capacity of the heat sink reflective layer 21 and serves as a base for the second metal film 24 containing Al. A function of suppressing the growth of crystal grains during film formation, and a first metal film 22 and a second metal film 24
It has the function to isolate

【0050】すなわち、この高熱伝導率を有する膜23
は、Alを含有する第2の金属膜24の結晶粒子の成長
を抑制する作用を有することが好ましく、このAlを含
有する第2の金属膜24よりも結晶粒径が小となる金属
材料、或いは、成膜後にアモルファス状態となる金属材
料を用いることが好ましい。
That is, the film 23 having high thermal conductivity
Preferably has a function of suppressing the growth of crystal grains of the second metal film 24 containing Al, a metal material having a smaller crystal grain size than the second metal film 24 containing Al. Alternatively, it is preferable to use a metal material which becomes amorphous after film formation.

【0051】したがって、この高熱伝導率を有する膜2
3は、少なくとも第2の金属膜24の結晶粒子の成長を
抑制する作用を有するのに十分な膜厚を有することが好
ましく、ここでは、高熱伝導率を有する膜23として、
膜厚5nmのSiC膜を用いている。
Therefore, the film 2 having a high thermal conductivity
3 preferably has a thickness sufficient to have at least an action of suppressing the growth of crystal grains of the second metal film 24. Here, the film 23 having high thermal conductivity
A 5 nm-thick SiC film is used.

【0052】また、この高熱伝導率を有する膜23の材
料としては、上述したSiCに限定されるものではな
く、例えばAlや、SiN等の誘電材料を用いて
もよい。さらに、1000℃以下においてAlと合金を
作らない高融点の金属材料や、半導体材料を用いること
も可能である。より具体的には、Be、Cr、Ni、P
d、Pt、Ti、W、Mo等の金属材料や、ZrO
Si等の半導体材料、並びにこれらの混合材料を用いる
ことができる。
The material of the film 23 having a high thermal conductivity is not limited to the above-described SiC, but may be a dielectric material such as Al 2 O 3 or SiN. Further, a high melting point metal material or a semiconductor material which does not form an alloy with Al at 1000 ° C. or lower can be used. More specifically, Be, Cr, Ni, P
metal materials such as d, Pt, Ti, W, Mo, ZrO 2 ,
A semiconductor material such as Si, or a mixed material thereof can be used.

【0053】一方、第1の金属膜22は、高熱伝導率を
有する金属材料として、Al又はAl合金等のAlを含
有する金属材料、又は、Au、Ag、Cu等のAlと合
金を作る金属材料からなる。すなわち、この第1の金属
膜22と第2の金属膜24とは、Al及びAu、Ag、
Cu等の何れとも合金を作らない上述した高熱伝導率を
有する膜23により隔離されることから、この第1の金
属膜22として、上述したAlを含有する又はAlと合
金を作る金属材料を用いることができる。なお、ここで
は、膜厚30nmのAlからなる第1の金属膜22を用
いている。
On the other hand, the first metal film 22 is made of a metal material having high thermal conductivity, a metal material containing Al such as Al or an Al alloy, or a metal forming an alloy with Al such as Au, Ag, and Cu. Made of material. That is, the first metal film 22 and the second metal film 24 are made of Al, Au, Ag,
The first metal film 22 is made of the above-mentioned metal material containing Al or forming an alloy with Al because the first metal film 22 is isolated by the above-mentioned film 23 having a high thermal conductivity which does not form an alloy with any of Cu and the like. be able to. Here, a first metal film 22 made of Al having a thickness of 30 nm is used.

【0054】以上のように、この相変化光ディスク20
では、ヒートシンク反射層21において、Alを含有す
る又はAlと合金を作る第1の金属膜22、並びに、A
lを含有する第2の金属膜24を薄膜化し、これら第1
の金属膜22及び第2の金属膜24の成膜時における結
晶粒子の成長を抑制することで、Alを含有する又はA
lと合金を作る第1の金属膜22の表面粗さ、並びに、
Alを含有する第2の金属膜24の表面粗さを小さくす
ることができる。そして、これら第1の金属膜22と第
2の金属膜24とを高熱伝導率を有する膜23により隔
離することで、当該ヒートシンク反射層21の表面粗さ
を良好なものとし、且つ、当該ヒートシンク反射層21
の熱容量を大きくすることができる。
As described above, the phase change optical disk 20
In the heat sink reflective layer 21, a first metal film 22 containing Al or forming an alloy with Al, and A
The first metal film 24 containing 1
Suppresses the growth of crystal grains during the formation of the first metal film 22 and the second metal film 24, thereby containing Al or A
surface roughness of the first metal film 22 forming an alloy with
The surface roughness of the second metal film 24 containing Al can be reduced. By separating the first metal film 22 and the second metal film 24 by a film 23 having high thermal conductivity, the surface roughness of the heat sink reflective layer 21 is improved, and Reflective layer 21
Heat capacity can be increased.

【0055】具体的には、Alからなる第1の金属膜2
2及び第2の金属膜24の膜厚をそれぞれ30nmと薄
膜化しながら、全体として膜厚を60nmとすることが
できる。これにより、ヒートシンク反射層21の表面粗
さを良好なものとし、且つ、ヒートシンク反射層21の
熱容量を大きくすることができる。
Specifically, the first metal film 2 made of Al
While reducing the thickness of each of the second and second metal films 24 to 30 nm, the overall thickness can be 60 nm. Thereby, the surface roughness of the heat sink reflective layer 21 can be made good, and the heat capacity of the heat sink reflective layer 21 can be increased.

【0056】したがって、この相変化光ディスク20で
は、ディスクノイズの発生を抑制することができ、さら
なる高記録密度化に対応することができる。
Therefore, in the phase change optical disk 20, the occurrence of disk noise can be suppressed, and it is possible to cope with a higher recording density.

【0057】ところで、光ピックアップの光源として用
いられるレーザービームの波長が400nm付近になる
と、Alを含有する金属膜又はAgを含有する金属膜以
外に光学的に良好な反射膜としての機能を有する金属材
料は存在しなくなる。しかしながら、Alを含有する金
属膜には、上述した膜の表面粗さに起因するディスクノ
イズの問題があり、また、Agを含有する金属膜には、
耐腐食性が低いといった問題がある。
When the wavelength of a laser beam used as a light source of an optical pickup is about 400 nm, a metal film having an optically good function as a reflection film other than a metal film containing Al or a metal film containing Ag is used. Material no longer exists. However, the metal film containing Al has a problem of disk noise caused by the surface roughness of the film described above, and the metal film containing Ag has a problem.
There is a problem that the corrosion resistance is low.

【0058】例えば、光磁気ディスクの場合には、上述
したAlを含有する金属膜の代わりに、Agを含有する
金属膜を用いることで、表面粗さを改善する試みがなさ
れている。
For example, in the case of a magneto-optical disk, an attempt has been made to improve the surface roughness by using a metal film containing Ag instead of the above-mentioned metal film containing Al.

【0059】しかしながら、相変化光ディスクの場合に
は、記録層として相変化記録膜の両主面側にZnS−S
iOからなる透明誘電体膜が配されていることが多
い。この場合、Agを含有する金属膜は、透明誘電体膜
に含まれる硫黄により腐食しやすいことから、ヒートシ
ンク反射層としてAgを含有する金属膜を用いることは
非常に困難となる。
However, in the case of a phase change optical disk, ZnS-S is formed on both main surfaces of the phase change recording film as a recording layer.
In many cases, a transparent dielectric film made of iO 2 is provided. In this case, since the Ag-containing metal film is easily corroded by sulfur contained in the transparent dielectric film, it is very difficult to use the Ag-containing metal film as the heat sink reflective layer.

【0060】さらに、Ag合金からなる金属膜を用いた
光磁気ディスクにおいても、膜の表面粗さに起因するデ
ィスクノイズの問題が完全に解決したわけではない。
Further, even with a magneto-optical disk using a metal film made of an Ag alloy, the problem of disk noise caused by the surface roughness of the film has not been completely solved.

【0061】そこで、上述した相変化光ディスク20の
ように、ヒートシンク反射層21において、例えばディ
スク基板2上に、膜厚30nmのAgからなる第1の金
属膜22と、膜厚5nmのBeからなる高熱伝導率を有
する膜23と、膜厚30nmのAlからなる第2の金属
膜24とを順次積層する。
Therefore, like the above-mentioned phase change optical disk 20, in the heat sink reflective layer 21, for example, on the disk substrate 2, a first metal film 22 made of Ag having a thickness of 30 nm and Be having a thickness of 5 nm are formed. A film 23 having high thermal conductivity and a second metal film 24 made of Al having a thickness of 30 nm are sequentially laminated.

【0062】この場合、Agからなる第1の金属膜22
は、記録層4のZnS−SiOからなる第1の透明誘
電体膜8に接することがないので、この第1の透明誘電
体膜8に含まれる硫黄による腐食を防ぐことができる。
In this case, the first metal film 22 made of Ag
Does not come into contact with the first transparent dielectric film 8 made of ZnS—SiO 2 of the recording layer 4, so that corrosion due to sulfur contained in the first transparent dielectric film 8 can be prevented.

【0063】なお、このヒートシンク反射層21のう
ち、記録層4側に位置する第2の金属膜24を除いた2
層構造、すなわちディスク基板2側から順に、Agから
なる第1の金属膜22と、高熱伝導率を有する膜23と
が積層された構造とすることも可能である。
In the heat sink reflective layer 21, the second metal film 24 located on the recording layer 4 side is removed.
It is also possible to adopt a layer structure, that is, a structure in which a first metal film 22 made of Ag and a film 23 having high thermal conductivity are stacked in order from the disk substrate 2 side.

【0064】したがって、本発明を適用すれば、ヒート
シンク反射層21としてAgを含有する金属膜22を用
いることも可能となる。
Therefore, when the present invention is applied, it is possible to use a metal film 22 containing Ag as the heat sink reflection layer 21.

【0065】なお、ヒートシンク反射層の積層構造とし
ては、上述した2層構造を有するヒートシンク反射層3
や、3層構造を有するヒートシンク反射層21に必ずし
も限定されるものではない。すなわち、上述した第1の
金属膜22、高熱伝導率を有する膜23及び第2の金属
膜24を積層するに加えて、さらにこれらを積層するこ
とで、さらなる多層構造とすることも可能である。
As the laminated structure of the heat sink reflective layer, the heat sink reflective layer 3 having the two-layer structure described above is used.
Further, the present invention is not necessarily limited to the heat sink reflective layer 21 having a three-layer structure. That is, in addition to laminating the first metal film 22, the film 23 having high thermal conductivity, and the second metal film 24 described above, a further multilayer structure can be obtained by further laminating them. .

【0066】以上のように、本発明を適用した光記録媒
体では、ヒートシンク反射層が、少なくとも金属膜を含
む積層構造とされていることから、当該ヒートシンク反
射層において、金属膜を薄膜化し、この金属膜の成膜時
における結晶粒子の成長を抑制することで、金属膜の表
面粗さを小さくすることができる。そして、ヒートシン
ク反射層をこの金属膜を含む積層構造とすることで、当
該ヒートシンク反射層の表面粗さを良好なものとし、且
つ、当該ヒートシンク反射層の熱容量の低下を抑制する
ことができる。
As described above, in the optical recording medium to which the present invention is applied, since the heat sink reflection layer has a laminated structure including at least a metal film, the metal film is reduced in the heat sink reflection layer. By suppressing the growth of crystal grains during the formation of the metal film, the surface roughness of the metal film can be reduced. Then, by forming the heat sink reflective layer to have a laminated structure including this metal film, the surface roughness of the heat sink reflective layer can be made good, and a decrease in the heat capacity of the heat sink reflective layer can be suppressed.

【0067】したがって、本発明を適用すれば、高記録
密度化に対応した高品質の光記録媒体とすることができ
る。特に、本発明は、ディスク基板の材料として、熱伝
導率の小さいポリカーボネート等のプラスチック材料を
用い、このディスク基板上に、ヒートシンク反射層、記
録層及び保護層が順次積層されてなり、保護層側から光
が照射されることにより情報信号の記録及び/又は再生
がなされる光記録媒体において大変有効である。
Therefore, by applying the present invention, it is possible to obtain a high-quality optical recording medium corresponding to high recording density. In particular, the present invention uses a plastic material such as polycarbonate having a low thermal conductivity as a material of a disk substrate, and a heat sink reflective layer, a recording layer and a protective layer are sequentially laminated on the disk substrate, This is very effective in an optical recording medium in which recording and / or reproduction of an information signal is performed by irradiating light from the optical recording medium.

【0068】[0068]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、ヒートシンク反射層の表面粗さを良好なものと
し、且つ、ヒートシンク反射層の熱容量の低下を抑制す
ることにより、高記録密度化に対応した高品質の光記録
媒体とすることができる。
As described in detail above, according to the present invention, the surface roughness of the heat sink reflective layer is improved, and the reduction in heat capacity of the heat sink reflective layer is suppressed, thereby achieving a high recording density. A high quality optical recording medium can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態として示す相変化光
ディスクの構造を説明するための要部断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part for describing a structure of a phase change optical disc shown as a first embodiment of the present invention.

【図2】Al膜の膜厚と反射率との関係を示す特性図で
ある。
FIG. 2 is a characteristic diagram showing a relationship between a thickness of an Al film and a reflectance.

【図3】本発明の第2の実施の形態として示す相変化光
ディスクの構造を説明するための要部断面図である。
FIG. 3 is an essential part cross-sectional view for explaining a structure of a phase change optical disc shown as a second embodiment of the present invention.

【図4】従来の光ディスクの構造を示す要部断面図であ
る。
FIG. 4 is a sectional view of a main part showing a structure of a conventional optical disk.

【図5】ディスク基板上に、ヒートシンク反射層として
Al合金からなる金属膜を成膜した状態を拡大して示す
要部断面図である。
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing a state in which a metal film made of an Al alloy is formed as a heat sink reflection layer on a disk substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 相変化光ディスク、2 ディスク基板、3 ヒート
シンク反射層、4 記録層、5 保護層、6 高熱伝導
率を有する膜、7 金属膜、8 第1の透明誘電体膜、
9 相変化記録膜、10 第2の透明誘電体膜、20
相変化光ディスク、21 ヒートシンク反射層、22
第1の金属膜、23 高熱伝導率を有する膜、24 第
2の金属膜
1 phase change optical disk, 2 disk substrate, 3 heat sink reflection layer, 4 recording layer, 5 protective layer, 6 film having high thermal conductivity, 7 metal film, 8 first transparent dielectric film,
9 phase change recording film, 10 second transparent dielectric film, 20
Phase change optical disk, 21 heat sink reflective layer, 22
1st metal film, 23 film having high thermal conductivity, 24 2nd metal film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H111 EA04 EA12 EA23 EA31 EA34 EA37 FA12 FA14 FA21 FA23 FA25 FA27 FB05 FB09 FB12 FB27 5D029 JA01 KB03 MA12 MA14 MA17 MA27  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page F term (reference) 2H111 EA04 EA12 EA23 EA31 EA34 EA37 FA12 FA14 FA21 FA23 FA25 FA27 FB05 FB09 FB12 FB27 5D029 JA01 KB03 MA12 MA14 MA17 MA27

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に、少なくともヒートシンク反射
層と、記録層と、保護層とが順次積層されてなり、上記
保護層側から光が照射されることにより、信号の記録及
び/又は再生がなされる光記録媒体であって、 上記ヒートシンク反射層は、少なくとも金属膜を含む積
層構造とされていることを特徴とする光記録媒体。
At least a heat sink reflective layer, a recording layer, and a protective layer are sequentially laminated on a substrate, and light is irradiated from the protective layer side to record and / or reproduce signals. An optical recording medium according to claim 1, wherein said heat sink reflective layer has a laminated structure including at least a metal film.
【請求項2】 上記基板には、記録トラックに沿って溝
が形成されていることを特徴とする請求項1記載の光記
録媒体。
2. The optical recording medium according to claim 1, wherein a groove is formed on the substrate along a recording track.
【請求項3】 上記基板は、プラスチック材料からなる
ことを特徴とする請求項1記載の光記録媒体。
3. The optical recording medium according to claim 1, wherein said substrate is made of a plastic material.
【請求項4】 上記記録層は、誘電体膜と、相変化記録
膜と、誘電体膜とが積層されてなることを特徴とする請
求項1記載の光記録媒体。
4. The optical recording medium according to claim 1, wherein the recording layer is formed by laminating a dielectric film, a phase change recording film, and a dielectric film.
【請求項5】 上記金属膜は、Alを含有する金属材料
からなることを特徴とする請求項1記載の光記録媒体。
5. The optical recording medium according to claim 1, wherein said metal film is made of a metal material containing Al.
【請求項6】 上記ヒートシンク反射層は、少なくとも
上記基板側から、高熱伝導率を有する膜と、上記金属膜
とが積層されてなることを特徴とする請求項1記載の光
記録媒体。
6. The optical recording medium according to claim 1, wherein the heat sink reflection layer is formed by laminating a film having high thermal conductivity and the metal film at least from the substrate side.
【請求項7】 上記高熱伝導率を有する膜は、上記金属
膜よりも結晶粒径が小となる金属材料からなることを特
徴とする請求項6記載の光記録媒体。
7. The optical recording medium according to claim 6, wherein the film having a high thermal conductivity is made of a metal material having a smaller crystal grain size than the metal film.
【請求項8】 上記高熱伝導率を有する膜は、アモルフ
ァス材料からなることを特徴とする請求項6記載の光記
録媒体。
8. The optical recording medium according to claim 6, wherein said film having a high thermal conductivity is made of an amorphous material.
【請求項9】 上記高熱伝導率を有する膜は、誘電材料
からなることを特徴とする請求項6記載の光記録媒体。
9. The optical recording medium according to claim 6, wherein said film having a high thermal conductivity is made of a dielectric material.
【請求項10】 上記高誘電率を有する膜は、1000
℃以下においてAlと合金を作らない金属材料からなる
ことを特徴とする請求項6記載の光記録媒体。
10. The film having a high dielectric constant is 1000
7. The optical recording medium according to claim 6, wherein the optical recording medium is made of a metal material that does not form an alloy with Al at a temperature of not more than ° C.
【請求項11】 上記ヒートシンク反射層は、少なくと
も上記基板側から、他の金属膜と、上記高熱伝導率を有
する膜と、上記金属膜とが積層されてなることを特徴と
する請求項5記載の光記録媒体。
11. The heat sink reflection layer according to claim 5, wherein at least from the substrate side, another metal film, the film having high thermal conductivity, and the metal film are laminated. Optical recording medium.
【請求項12】 上記他の金属膜は、Alを含有する又
はAlと合金を作る金属材料からなることを特徴とする
請求項11記載の光記録媒体。
12. The optical recording medium according to claim 11, wherein said other metal film is made of a metal material containing Al or forming an alloy with Al.
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