JP2002235130A - Silver alloy for optical disk reflection film - Google Patents

Silver alloy for optical disk reflection film

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JP2002235130A
JP2002235130A JP2001027864A JP2001027864A JP2002235130A JP 2002235130 A JP2002235130 A JP 2002235130A JP 2001027864 A JP2001027864 A JP 2001027864A JP 2001027864 A JP2001027864 A JP 2001027864A JP 2002235130 A JP2002235130 A JP 2002235130A
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JP
Japan
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film
silver alloy
optical disk
mass
thermal conductivity
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Application number
JP2001027864A
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Japanese (ja)
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Juichi Shimizu
寿一 清水
Tsukasa Nakai
司 中居
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Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To produce a silver alloy which has high reflectivity and high thermal conductivity, simultaneously exhibits good corrosion resistance, and is used as a reflection film for an optical disk corresponding to high recording density. SOLUTION: A silver alloy having a composition (1) containing 1 to 20 mass% Zn, and the balance Ag with inevitable impurities, or a composition (2) containing 1 to 20 mass% Zn and one or more kinds selected from Pd and Au by 0.1 to 15 mass%, and the balance Ag with inevitable impurities is used as a target to deposit an optical disk reflection film.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、各種光記録ディス
クの反射膜として用いられる銀合金に関する。
The present invention relates to a silver alloy used as a reflection film of various optical recording disks.

【0002】[0002]

【従来の技術】コンピュータ情報や映像情報、あるいは
音楽情報を記録する媒体として、CD、CD−R、CD
−RW、DVD、DVD−RW、DVD+RW、DVD
−RAM、MOD、MD等の各種光記録ディスク(以
下、光ディスク)が用いられている。
2. Description of the Related Art As a medium for recording computer information, video information, or music information, CD, CD-R, CD
-RW, DVD, DVD-RW, DVD + RW, DVD
-Various optical recording disks (hereinafter, optical disks) such as RAM, MOD, and MD are used.

【0003】これらの光ディスクの構造は、記録再生方
式によってそれぞれ異なるものの、透明なプラスチック
製基板の上に、各種機能を有する薄膜を層状に形成する
こと、典型的には、下部保護層、記録層、上部保護層、
反射放熱層およびオーバーコート層を形成することによ
り、積層断面構造を有する点で共通している。この反射
放熱層が、本発明の対象となる反射膜である。
The structures of these optical disks differ depending on the recording / reproducing method, but thin films having various functions are formed in layers on a transparent plastic substrate, typically a lower protective layer and a recording layer. , Upper protective layer,
The fact that the reflective heat dissipation layer and the overcoat layer are formed has a common laminated cross-sectional structure. This reflective heat dissipation layer is a reflective film to which the present invention is applied.

【0004】反射膜は、記録の読み書きに使用するレー
ザー光を反射する機能を有し、主として、Al、Au、
Ag、およびそれらの合金からなる薄膜が用いられる。
[0004] The reflection film has a function of reflecting a laser beam used for reading and writing of recording, and is mainly composed of Al, Au,
A thin film made of Ag or an alloy thereof is used.

【0005】反射膜には、反射率の高いこと、熱伝導性
の高いこと、耐食性の高いこと等の特性が要求される。
特に、光ディスクの高記録密度化に対応して、高い反射
率と高い熱伝導性を共に備えた反射膜の要求が高まって
きている。
[0005] The reflective film is required to have characteristics such as high reflectivity, high thermal conductivity, and high corrosion resistance.
In particular, the demand for a reflective film having both high reflectance and high thermal conductivity has been increasing in response to the increase in the recording density of optical disks.

【0006】しかしながら、Alについては反射率と熱
伝導性が共に低いという問題点を有し、Auについては
価格が非常に高くて量産品に適用するのが困難であると
いう問題点を有し、さらにAgについては、反射率と熱
伝導性は高いが、酸化や硫化に対する耐食性が低いとい
う問題点、また、書換えによるディスクの特性劣化の問
題点を有しており、要求特性を完全に満足する反射膜は
得られていない。
However, Al has a problem that both reflectance and thermal conductivity are low, and Au has a problem that its price is very high and it is difficult to apply it to mass-produced products. Further, Ag has high reflectance and thermal conductivity, but has low corrosion resistance to oxidation and sulfidation, and has a problem of deterioration of disk characteristics due to rewriting, and completely satisfies required characteristics. No reflective film was obtained.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、かか
る点に鑑み、高い反射率と高い熱伝導性を有すると同時
に、良好な耐食性を示し、高記録密度対応の光ディスク
のための反射膜として用いられる銀合金を提供すること
にある。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the foregoing, it is an object of the present invention to provide a reflective film for an optical disk having a high reflectance and a high thermal conductivity, exhibiting good corrosion resistance, and supporting a high recording density. An object of the present invention is to provide a silver alloy used as a silver alloy.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の光ディスク反射膜用銀合金は、(1)Z
nを1〜20質量%含み、残部がAgおよび不可避不純
物からなるか、(2)Znを1〜20質量%含み、Pd
およびAuの一種以上を0.1〜15質量%含み、残部
がAgおよび不可避不純物からなる。
In order to achieve the above object, a silver alloy for an optical disk reflective film according to the present invention comprises (1) Z
n in an amount of 1 to 20% by mass and the balance of Ag and inevitable impurities, or (2) Zn in an amount of 1 to 20% by mass and Pd
And at least one kind of Au in an amount of 0.1 to 15% by mass, with the balance being Ag and unavoidable impurities.

【0009】本発明の光ディスク反射膜は、前記銀合金
をターゲットとして用いて形成するのが好ましい。
The optical disk reflection film of the present invention is preferably formed using the silver alloy as a target.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の構成要素の詳細
について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the components of the present invention will be described in detail.

【0011】本発明者らは、種々の検討を行った結果、
AgにZnを添加することによって諸特性を好適な範囲
に維持することが可能であることを見出した。
The present inventors have conducted various studies, and as a result,
It has been found that various properties can be maintained in a suitable range by adding Zn to Ag.

【0012】(1)Znを1〜20質量%含み、残部が
Agおよび不可避不純物からなるか、(2)Znを1〜
20質量%含み、PdおよびAuの一種以上を0.1〜
15質量%含み、残部がAgおよび不可避不純物からな
る銀合金を、ターゲットとして用いて、光ディスク反射
膜を形成する。
(1) Zn is contained in an amount of 1 to 20% by mass, and the balance consists of Ag and inevitable impurities;
20% by mass, and at least one of Pd and Au is 0.1 to
An optical disk reflective film is formed using a silver alloy containing 15% by mass and the balance being Ag and unavoidable impurities as a target.

【0013】Znの添加量が1質量%未満では、濃度が
低すぎて、耐食性向上の効果が少ないために、書換えに
よる光ディスクの特性劣化が発生する。20質量%を超
えると、銀合金の反射率および熱伝導性が低下して、光
ディスクの高記録密度化に対応ができなくなる。
If the amount of Zn is less than 1% by mass, the concentration is too low and the effect of improving the corrosion resistance is small, so that the characteristics of the optical disc are degraded due to rewriting. If the content exceeds 20% by mass, the reflectivity and the thermal conductivity of the silver alloy decrease, and it is impossible to cope with an increase in the recording density of the optical disk.

【0014】さらに、PdおよびAuの一種以上を0.
1〜15質量%含んでもよいが、PdおよびAuは、耐
食性をさらに向上させる効果を有する元素であり、これ
らの元素を含有させることは、ZnSを含む保護膜を用
いる光ディスクの場合に、特に有効である。
Further, at least one of Pd and Au is added to 0.1%.
Although Pd and Au may be contained in an amount of 1 to 15% by mass, Pd and Au are elements having an effect of further improving corrosion resistance, and inclusion of these elements is particularly effective in an optical disk using a protective film containing ZnS. It is.

【0015】PdおよびAuの一種以上の添加量が0.
1質量%未満では、濃度が低すぎて耐食性向上の効果が
少ない。15質量%を超えると、銀合金の熱伝導性が低
下して光ディスクの高記録密度化に対応できなくなる。
[0015] The amount of one or more of Pd and Au added is 0.
If it is less than 1% by mass, the concentration is too low and the effect of improving corrosion resistance is small. If the content exceeds 15% by mass, the thermal conductivity of the silver alloy is reduced, and it is impossible to cope with an increase in the recording density of the optical disk.

【0016】反射放熱層の形成には、次の方法がある。There are the following methods for forming the reflection heat radiation layer.

【0017】(1)純Agターゲット上に、例えば、5
×5×0.5[mm]の添加元素のチップを、目的の濃
度に応じて数量および位置を選択して配置し、スパッタ
する方法(オンチップ法)。
(1) On a pure Ag target, for example, 5
A method (on-chip method) in which chips of the added element of × 5 × 0.5 [mm] are selected and arranged in a quantity and position according to a target concentration, and sputtered (on-chip method).

【0018】(2)純Agターゲットに目的の合金元素
のペレットを埋め込んだターゲット(複合ターゲット)
を用いて、スパッタする方法。
(2) A target in which a pellet of the target alloy element is embedded in a pure Ag target (composite target)
Sputtering method using

【0019】(3)Ag粉と、合金とする金属粉とを混
合して、ホットプレス法などにて作製したターゲット
(本明細書では、混合焼結体ターゲットと呼ぶ)を用い
て、スパッタする方法。
(3) Ag powder and metal powder to be alloyed are mixed, and sputtering is performed using a target (hereinafter, referred to as a mixed sintered body target) manufactured by a hot press method or the like. Method.

【0020】(4)溶解法により作製した合金ターゲッ
トを用いて、スパッタする方法。溶解法は、添加する元
素により大気溶解、真空溶解、アルゴンガス雰囲気溶解
を行う方法。
(4) Sputtering method using an alloy target produced by a melting method. The dissolution method is a method of dissolving in the air, dissolving in a vacuum, and dissolving in an argon gas atmosphere depending on an element to be added.

【0021】(1)のオンチップ法、(2)の複合ター
ゲットを用いた方法では、基板を自転させたり、基板を
自転および公転させる。その他の(3)、(4)では、
基板を静止させる。
In the on-chip method (1) and the method using the composite target (2), the substrate is rotated, or the substrate is rotated and revolved. In other cases (3) and (4),
Let the substrate stand still.

【0022】また、(1)のオンチップ法、(2)の複
合ターゲットを用いた方法では、純Agターゲット、添
加元素のチップおよび合金元素のペレットとして、それ
ぞれ99.99質量%(4N)の純度のものを用いる。
(3)の方法では、Ag粉と、合金とする金属粉も、そ
れぞれ99.99質量%(4N)の純度のものを用い
る。(4)の方法では、原料であるAg地金および添加
元素のショット、もしくは原料粉も、それぞれ99.9
9質量%(4N)の純度のものを用いる。
In the method using the on-chip method (1) and the method using the composite target (2), 99.99% by mass (4N) of pure Ag target, additional element chips and alloy element pellets are used. Use pure one.
In the method (3), the Ag powder and the metal powder to be used as the alloy also have a purity of 99.99% by mass (4N). According to the method (4), the shots of the raw material Ag metal and the additive element or the raw material powder are also 99.9% each.
A material having a purity of 9% by mass (4N) is used.

【0023】なお、反射膜を形成するためのスパッタリ
ングターゲットの組成の範囲を規定した場合、該スパッ
タリングターゲットを用いて形成した反射膜の組成は、
前記範囲と若干異なるものの、両者共に本発明に含めら
れる。すなわち、本発明者らの実験によれば、反射放熱
層の形成に用いた銀合金は、溶解法により作製した合金
ターゲットや、混合焼結体ターゲットを用いれば、基板
静止の状態でも、ターゲット組成と膜組成とはほとんど
組成ずれが無く、また基板内での組成の均一性の良いこ
とが分かった。また、これらの合金ターゲットや混合焼
結体ターゲットを用いれば、成膜レートも高く、また安
定しており、スパッタリングターゲットとして好適であ
った。
When the range of the composition of the sputtering target for forming the reflection film is specified, the composition of the reflection film formed using the sputtering target is as follows.
Although slightly different from the above range, both are included in the present invention. That is, according to the experiments performed by the present inventors, the silver alloy used for forming the reflective heat dissipation layer has a target composition even when the substrate is stationary when an alloy target manufactured by a melting method or a mixed sintered body target is used. It was found that there was almost no composition deviation between the film composition and the film composition, and that the composition uniformity in the substrate was good. When these alloy targets and mixed sintered body targets were used, the film formation rate was high and stable, so that they were suitable as sputtering targets.

【0024】本発明の光ディスクの反射膜用銀合金の諸
特性に係わる測定方法を、次に説明する。
A method for measuring various characteristics of the silver alloy for a reflective film of the optical disk of the present invention will be described below.

【0025】熱伝導率 反射放熱層の熱伝導率の測定は、膜厚が薄い場合には非
常に困難である。従来の特許公報や各種の論文等におい
ては、膜の熱伝導率を電気抵抗率の測定値からWiedeman
n-Franz則を用いて推定するという評価が行われてい
る。しかしながら、この方法を用いるには、測定するサ
ンプルについて十分吟味する必要があるが、必ずしも十
分と言えない場合が見受けられる。そのため、本発明者
らは以下に示す2つの方法により評価し、その妥当性を
十分吟味した。
[0025] Measurement of thermal conductivity of the thermal conductivity of the reflective heat dissipation layer is very difficult when the film thickness is thin. In conventional patent publications and various papers, the thermal conductivity of a film is determined from the measured electrical resistivity by Wiedeman.
It has been evaluated that estimation is performed using the n-Franz rule. However, in order to use this method, it is necessary to thoroughly examine the sample to be measured, but in some cases it is not always sufficient. Therefore, the present inventors evaluated by the following two methods, and examined their validity sufficiently.

【0026】第1の方法は、直流4端子法により膜の電
気抵抗率(電気伝導率)を測定し、Wiedemann-Franz則
に従って、(1)式により熱伝導率を求める方法であ
る。
The first method is a method of measuring the electrical resistivity (electrical conductivity) of a film by a DC four-terminal method and obtaining the thermal conductivity according to the formula (1) according to the Wiedemann-Franz rule.

【0027】 λ・ρ/T=L0=2.43×10-8[W・Ω/K2] ・・・・・(1)Λ · ρ / T = L 0 = 2.43 × 10 −8 [W · Ω / K 2 ] (1)

【0028】ここで、λは膜の熱伝導率[W/m・
K]、ρは電気抵抗率[Ω・cm]、Tは(絶対)温度
[K]、L0はLorentz数[W・Ω/K2]である。な
お、電気抵抗率ρの測定は、4探針法やVan der Pauw法
を用いても良い。
Here, λ is the thermal conductivity of the film [W / m ·
K] and ρ are electrical resistivity [Ω · cm], T is (absolute) temperature [K], and L 0 is Lorentz number [W · Ω / K 2 ]. Note that the electric resistivity ρ may be measured by a four probe method or a Van der Pauw method.

【0029】第2の方法は、ACカロリメトリ法により
膜の熱拡散率を、DSC(示差走査熱量計)により膜の
比熱を、さらに膜の密度を、それぞれ測定し、膜の熱伝
導率を(2)式により求める方法である。
In the second method, the thermal diffusivity of the film is measured by the AC calorimetry method, the specific heat of the film is measured by the DSC (differential scanning calorimeter), and the density of the film is measured. This is a method obtained by the expression 2).

【0030】λ=α・Cp・ρd ・・・・・(2)Λ = α · Cp · ρ d (2)

【0031】ここで、λは膜の熱伝導率[W/m・
K]、αは熱拡散率[cm2/sec]、Cpは比熱
[J/g・K]、ρdは密度[g/cm3]である。測定
は、全て室温(25[℃])、真空中とした。
Here, λ is the thermal conductivity of the film [W / m ·
K], α are thermal diffusivity [cm 2 / sec], Cp is specific heat [J / g · K], and ρ d is density [g / cm 3 ]. All measurements were performed at room temperature (25 [° C.]) and in vacuum.

【0032】電気抵抗率(電気伝導率)ρの測定値から
Wiedemann-Franz則を用いて熱伝導率λを求める第1の
方法は、ACカロリメトリ法による熱拡散率αの測定
値、DSCによる比熱Cpの測定値および膜の密度ρd
の測定値から熱伝導率λを求める第2の方法と比較し
て、非常に簡便である。
From the measured value of the electric resistivity (electric conductivity) ρ
The first method for determining the thermal conductivity λ using the Wiedemann-Franz rule is a measured value of the thermal diffusivity α by the AC calorimetry method, a measured value of the specific heat Cp by the DSC, and the density ρ d of the film.
Is very simple as compared with the second method of obtaining the thermal conductivity λ from the measured value of

【0033】反射率 反射放熱層の反射率は、ガラス基板上に形成した膜を分
光光度計にかけて行った。
The reflectance of the reflective heat dissipation layer was measured by applying a film formed on a glass substrate to a spectrophotometer.

【0034】本発明者らは、反射放熱層の硫化劣化の試
験を以下のような方法にて行って測定した。
The present inventors conducted a test for the deterioration of the reflective heat dissipation layer by sulfurization by the following method and measured it.

【0035】(1)先ず初めに、ガラス基板上に銀合金
の薄膜を形成する。膜厚は、例えば3000[Å]とし
た。
(1) First, a silver alloy thin film is formed on a glass substrate. The film thickness was, for example, 3000 [Å].

【0036】(2)ZnS+SiO2ターゲットの原料
粉であるZnS粉には、数質量%の遊離S(硫黄)が存
在する。これを分析し、遊離S(硫黄)を例えば1質量
%としたZnS粉に、ガラス基板に成膜した銀合金の薄
膜を一定時間(例えば、24[h])だけ投入し、投入
前後の反射率の変化を測定した。
(2) ZnS powder, which is a raw material powder for the ZnS + SiO 2 target, contains several mass% of free S (sulfur). This is analyzed, and a silver alloy thin film formed on a glass substrate is injected into ZnS powder with free S (sulfur) of, for example, 1% by mass for a certain period of time (for example, 24 [h]). The change in rate was measured.

【0037】反射率の変化率は、投入前のサンプルの反
射率から、投入後のサンプルの反射率を差し引き、投入
前のサンプルの反射率で割って、絶対値をとり、100
を掛けて単位を[%]とした。
The rate of change of the reflectance is obtained by subtracting the reflectance of the sample after the addition from the reflectance of the sample before the addition, dividing the reflectance by the reflectance of the sample before the addition, and taking the absolute value.
Was multiplied to make the unit [%].

【0038】ディスク特性 ディスク特性の測定の試験を以下のような方法にて行っ
た。
The tests were carried out of the measurement of the disk characteristics of disc properties in the following way.

【0039】CD系の光ディスクでは、波長780[n
m]の半導体レーザー光を、NA0.55のレンズを通
して、媒体面で直径1[μm]のスポット径に絞り込
み、基板側から照射することにより行った。
In the case of a CD type optical disk, a wavelength of 780 [n
m] was passed through a lens with an NA of 0.55, focused on the medium surface to a spot diameter of 1 [μm], and irradiated from the substrate side.

【0040】DVD系の光ディスクでは、波長633
[nm]の半導体レーザー光を、NA0.6のレンズを
通して、媒体面で直径0.5[μm]のスポット径に絞
り込み、基板側から照射することにより行った。
For a DVD-based optical disk, the wavelength 633
The semiconductor laser light of [nm] was narrowed down to a spot diameter of 0.5 [μm] on the medium surface through a lens of NA 0.6 and irradiated from the substrate side.

【0041】ディスク全面を十分に結晶化させて、それ
を初期(未記録)状態とし、各線速にて、レーザーパワ
ーをPe/Pw=0.5として、記録時のレーザーパワ
ーPwを8〜16[mW]に変化させ、CNR(キャリ
ア対ノイズ比)が大きく、ジッターが小さくなる条件を
選択することにより、その時のCNR、ジッターおよび
変調度(試験前)を測定した。ここで、Peは消去時の
レーザーパワーである。
The entire surface of the disk is sufficiently crystallized to be in an initial (unrecorded) state. At each linear velocity, the laser power is set to Pe / Pw = 0.5, and the laser power Pw at the time of recording is set to 8-16. [MW], and by selecting conditions under which the CNR (carrier-to-noise ratio) was large and the jitter was small, the CNR, jitter and modulation factor (before the test) at that time were measured. Here, Pe is the laser power at the time of erasing.

【0042】その後、各光ディスクを80℃、85%R
Hの高温高湿の状態に500時間放置後、各線速にて、
同様にCNR、ジッターおよび変調度(試験後)を測定
した。本試験を高温高湿保管試験と称する。
Thereafter, each optical disk was heated to 80 ° C. and 85% R
After leaving for 500 hours in a high temperature and high humidity state of H, at each linear speed,
Similarly, CNR, jitter, and modulation (after the test) were measured. This test is called a high-temperature high-humidity storage test.

【0043】(実施例)以下に、本発明の具体的構成を
実施例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこれら
の実施例に限定されない。
(Examples) Hereinafter, the specific constitution of the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0044】(実施例1、2、4、6、10〜12、1
5、比較例1、4)次のようにCD系の光ディスクを作
製した。
(Examples 1, 2, 4, 6, 10 to 12, 1
5. Comparative Examples 1 and 4) CD-type optical disks were produced as follows.

【0045】ピッチ1.6[μm]、深さ50[nm]
の溝が付いた厚さ1.2[mm]、直径120[mm]
のポリカーボネート基板を射出成形により作製し、その
上に、表2に示した条件のスパッタ法により下部保護
層、記録層、上部保護層を順次形成し、表1に示したタ
ーゲット組成のスパッタリングターゲットを用いた反射
放熱層を形成し、その上に、紫外線硬化樹脂(UV硬化
樹脂)をスピンコート法により塗布し、紫外線を照射し
て硬化させ、オーバーコート層として5[μm]積層
し、それぞれのCD系の光ディスクを作製した。
Pitch 1.6 [μm], Depth 50 [nm]
1.2 mm thick and 120 mm diameter with grooves
Was produced by injection molding, and a lower protective layer, a recording layer, and an upper protective layer were sequentially formed thereon by sputtering under the conditions shown in Table 2, and a sputtering target having a target composition shown in Table 1 was obtained. The reflective heat dissipation layer used was formed, and an ultraviolet curable resin (UV curable resin) was applied thereon by spin coating, and was cured by irradiating ultraviolet rays, and 5 [μm] was laminated as an overcoat layer. A CD-type optical disk was manufactured.

【0046】下部保護層および上部保護層は、Zn:S
=1:1となるような条件で成膜して得られる(Zn
S)80(SiO220膜を用いた。そのため、(Zn
S)80(SiO220の焼結体ターゲットをホットプレ
ス法により作製したスパッタリングターゲットを使用し
た。
The lower protective layer and the upper protective layer are made of Zn: S
= 1: 1 (Zn
S) 80 (SiO 2 ) 20 film was used. Therefore, (Zn
S) A sputtering target prepared by hot pressing a sintered body target of 80 (SiO 2 ) 20 was used.

【0047】また、記録層は、Ag5In6Sb60Te29
膜とした。そのため、Ag5In6Sb60Te29の合金タ
ーゲットをホットプレス法により作製したスパッタリン
グターゲットを用いた。
The recording layer is made of Ag 5 In 6 Sb 60 Te 29
It was a membrane. Therefore, a sputtering target prepared by hot-pressing an Ag 5 In 6 Sb 60 Te 29 alloy target was used.

【0048】反射放熱層は、銀合金膜であるが、表1に
示したターゲット組成で、前記の4つの方法のうち溶解
法で作製した。
The reflective heat dissipation layer was a silver alloy film, and was produced by the melting method of the above four methods with the target compositions shown in Table 1.

【0049】各層の成膜において、プリスパッタは、最
低1.5[kWh]以上行い、スパッタ開始前のチャン
バー内の到達真空度は6.0×10-5[Pa]以下とし
た。
In forming each layer, pre-sputtering was performed at least 1.5 [kWh] or more, and the ultimate vacuum in the chamber before the start of sputtering was 6.0 × 10 −5 [Pa] or less.

【0050】(実施例3、5、7〜9、13、14、比
較例2、3)次のようにDVD系の光ディスクを作製し
た。
(Examples 3, 5, 7 to 9, 13, and 14 and Comparative Examples 2 and 3) A DVD-type optical disk was manufactured as follows.

【0051】ピッチ0.8[μm]、深さ30[nm]
の溝が付いた厚さ0.6[mm]、直径120[mm]
のポリカーボネート基板を射出成形により作製し、その
上に、表2に示した条件のスパッタ法により下部保護
層、記録層、上部保護層を順次形成し、表1に示したタ
ーゲット組成のスパッタリングターゲットを用いた反射
放熱層を形成し、その上に、紫外線硬化樹脂(UV硬化
樹脂)をスピンコート法により塗布し、紫外線を照射し
て硬化させ、オーバーコート層として4[μm]積層
し、さらに、何も形成されていない厚さ0.6[m
m]、直径120[mm]のポリカーボネート基板(い
わゆるブランクディスク)を紫外線硬化樹脂を用いて貼
り合わせて、それぞれのDVD系の光ディスクを作製し
た。
Pitch 0.8 [μm], Depth 30 [nm]
0.6 [mm] with a groove of 120 mm [diameter]
Was produced by injection molding, and a lower protective layer, a recording layer, and an upper protective layer were sequentially formed thereon by sputtering under the conditions shown in Table 2, and a sputtering target having a target composition shown in Table 1 was obtained. The reflective heat dissipation layer used was formed, and an ultraviolet-curable resin (UV-curable resin) was applied thereon by spin coating, cured by irradiating ultraviolet rays, and laminated as an overcoat layer of 4 [μm]. 0.6 [m] with nothing formed
m], and a polycarbonate substrate (so-called blank disk) having a diameter of 120 [mm] was bonded using an ultraviolet-curable resin to produce respective DVD-type optical disks.

【0052】下部保護層、記録層、上部保護層および反
射放熱層の組成や形成方法は、前述と同様にして行っ
た。
The composition and forming method of the lower protective layer, the recording layer, the upper protective layer, and the reflective heat dissipation layer were the same as described above.

【0053】実施例1〜15および比較例1〜4で、反
射放熱層の組成および各層の膜厚を測定した。結果を、
表1および表3に示す。
In Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 4, the composition of the reflective heat radiation layer and the thickness of each layer were measured. The result
The results are shown in Tables 1 and 3.

【0054】反射放熱層の組成は、ガラス基板上にそれ
ぞれの膜を作製し、EPMA(Electron Probe Micro A
nalysis)により分析を行った。
The composition of the reflective heat dissipation layer was determined by preparing each film on a glass substrate and using EPMA (Electron Probe Micro A).
analysis).

【0055】[0055]

【表1】 [Table 1]

【0056】[0056]

【表2】 [Table 2]

【0057】[0057]

【表3】 [Table 3]

【0058】表1のターゲット組成と反射放熱層の組成
とから分かるように、Zn含有量の変化は数%以内であ
った。
As can be seen from the target composition and the composition of the reflective heat radiation layer in Table 1, the change in the Zn content was within several percent.

【0059】実施例1〜15および比較例1〜4につい
て、反射放熱層の熱伝導率、反射放熱層の反射率、該反
射率の変化率、ディスク特性を測定した。結果を表4お
よび表5に示す。
For Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 4, the thermal conductivity of the reflective heat radiation layer, the reflectance of the reflective heat radiation layer, the rate of change of the reflectance, and the disk characteristics were measured. The results are shown in Tables 4 and 5.

【0060】前記第1の方法における電気抵抗率ρの測
定用サンプルは、20×70×0.8[mm]のカバー
ガラスに成膜し、3×6[mm]に切り出して測定し
た。膜厚は、3000[Å]である。
The sample for measuring the electric resistivity ρ in the first method was formed into a film on a cover glass of 20 × 70 × 0.8 [mm], cut out to 3 × 6 [mm], and measured. The film thickness is 3000 [Å].

【0061】前記第2の方法における熱拡散率αの測定
用サンプルは、同じカバーガラスに成膜し、10×4
[mm]に切り出して測定した。膜厚は、3000
[Å]である。
The sample for measuring the thermal diffusivity α in the second method was formed into a film on the same cover glass.
[Mm] was cut out and measured. The film thickness is 3000
[Å].

【0062】DSCによる比熱Cpの測定は、同じカバ
ーガラスに成膜したサンプルを、必要質量だけ剥ぎ取
り、試料容器にセットして実施した。
The measurement of the specific heat Cp by DSC was performed by stripping a sample formed on the same cover glass by a necessary mass and setting the sample in a sample container.

【0063】なお、各測定用サンプルの作製に先立ち、
各組成サンプルを予め作製し、それらについてX線回折
を行い、その結晶性を確認した。さらに、上記の電気抵
抗率ρおよび熱拡散率αの測定用サンプルには、膜中の
欠陥が非常に少ない条件で作製されたものを用いた。
Prior to the preparation of each measurement sample,
Each composition sample was prepared in advance and subjected to X-ray diffraction to confirm its crystallinity. Further, as a sample for measuring the electric resistivity ρ and the thermal diffusivity α, a sample prepared under the condition that the number of defects in the film was very small was used.

【0064】このように十分に測定条件を吟味したた
め、電気伝導率ρの測定値からWiedemann-Franz則を用
いて求めた熱伝導率λの推定値と、ACカロリメトリ法
による熱拡散率αの測定値、DSCによる比熱Cpの測
定値および膜の密度ρdの測定値から求めた熱伝導率λ
の推定値とが、測定精度内で一致した。
As described above, since the measurement conditions were sufficiently examined, the estimated value of the thermal conductivity λ obtained from the measured value of the electric conductivity ρ using the Wiedemann-Franz rule and the measurement of the thermal diffusivity α by the AC calorimetry method Conductivity, λ obtained from the measured value of specific heat Cp by DSC and the measured value of film density ρ d
And the estimated value were consistent within the measurement accuracy.

【0065】反射放熱層の反射率は、ガラス基板上に形
成した膜を分光光度計により、波長400〜900[n
m]の範囲にて測定した。膜厚は、電気抵抗率ρおよび
熱拡散率αの測定と同様に、いずれも3000[Å]で
ある。
The reflectance of the reflective heat dissipation layer is determined by measuring the film formed on the glass substrate with a spectrophotometer at a wavelength of 400 to 900 [n].
m]. Each of the film thicknesses is 3000 [測定] as in the measurement of the electric resistivity ρ and the thermal diffusivity α.

【0066】[0066]

【表4】 [Table 4]

【0067】硫化劣化試験では、1%の遊離硫黄を含む
ZnS粉への各Ag含有膜の投入時間は24時間とし、
ガラス基板上に成膜させたAg合金の膜厚は3000
[Å]とした。
In the sulfide deterioration test, the time of introducing each Ag-containing film into ZnS powder containing 1% free sulfur was set to 24 hours.
The thickness of the Ag alloy formed on the glass substrate is 3000
[Å].

【0068】表4に、投入前後での変化率を示す。Table 4 shows the rate of change before and after introduction.

【0069】また、硫化劣化試験を行うと共に、合わせ
て金属顕微鏡にて表面状態を観察した。
In addition to the sulfide deterioration test, the surface condition was observed with a metal microscope.

【0070】ディスク特性の評価は、CD系の光ディス
クとDVD系の光ディスクで、それぞれの前記の条件に
て行った。
The evaluation of the disk characteristics was carried out on a CD optical disk and a DVD optical disk under the above-mentioned conditions.

【0071】成膜後の記録層は非結晶であったが、ディ
スク特性の測定に際し、最初に媒体面で10[mW]の
DC光でディスク全面を十分に結晶化させた。
Although the recording layer after film formation was amorphous, the disk surface was first sufficiently crystallized with 10 [mW] DC light on the medium surface when measuring the disk characteristics.

【0072】このときの光ディスクの線速は、CD系の
光ディスクに対しては、2.0、5.0、10.0[m
/sec]の3水準、DVD系の光ディスクに対して
は、7.0、15.0[m/sec]の2水準とした。
読み取りパワーPrは、0.9[mW]とした。
At this time, the linear velocity of the optical disk is 2.0, 5.0, 10.0 [m
/ Sec], and two levels of 7.0 and 15.0 [m / sec] for DVD-type optical discs.
The reading power Pr was set to 0.9 [mW].

【0073】その後、高温高湿保管試験を行い、試験前
と試験後のCNR、ジッターおよび変調度を測定した。
結果を表5に示す。
Thereafter, a high-temperature and high-humidity storage test was performed, and CNR, jitter and modulation were measured before and after the test.
Table 5 shows the results.

【0074】表5には、本発明の実施例について、各線
速の中で、一番悪い線速のデータを代表として選択して
示している。比較例については、いずれの線速において
もほぼ同様であったが、各線速の中で一番良い線速のデ
ータを代表として選択して示している。
Table 5 shows the data of the worst linear velocity selected as a representative among the linear velocities in the embodiment of the present invention. In the comparative example, the data was almost the same at all linear velocities, but data of the best linear velocity among the linear velocities was selected and shown as a representative.

【0075】[0075]

【表5】 [Table 5]

【0076】(評価)熱伝導率 表4の熱伝導率λからも分かるように、一般的には、添
加元素の量を増加させれば、熱伝導率λは低下するが、
その変化量は添加する元素によっても異なる。
(Evaluation) Thermal conductivity As can be seen from the thermal conductivity λ in Table 4, the thermal conductivity λ generally decreases with an increase in the amount of the added element.
The amount of change varies depending on the element to be added.

【0077】光ディスクでは、膜構成(組成や膜厚な
ど)により、要求される反射放熱層の熱伝導率λも異な
るので、実施例1〜15のように本発明の範囲におい
て、添加元素により熱伝導率λを幅広く可変できること
は、本発明の銀合金が幅広く使用できることを示してお
り、大変望ましい。
In the optical disk, the required thermal conductivity λ of the reflective heat dissipation layer is different depending on the film configuration (composition, film thickness, etc.). The fact that the conductivity λ can be varied widely indicates that the silver alloy of the present invention can be widely used, and is very desirable.

【0078】比較例2〜4のように、本発明の範囲を超
えて添加元素の量を増加させれば、さらに熱伝導率λを
可変できるが、熱伝導率λが低すぎ、放熱能力が小さく
なり、かつ、以下に述べる反射率をも低下させ、反射の
役割を果たさなくなるので望ましくない。
As in Comparative Examples 2 to 4, when the amount of the additional element is increased beyond the range of the present invention, the thermal conductivity λ can be further varied. It is not desirable because it becomes smaller and also lowers the reflectance, which will be described below, and does not play the role of reflection.

【0079】反射率 表4の反射率から分かるように、本発明の銀合金は、広
い波長範囲において、反射率が高い。また、上述したよ
うに、熱伝導率λを広く可変できるので、光ディスク反
射放熱膜として最適である。
[0079] As can be seen from the reflectance of the reflectance Table 4, silver alloys of the present invention, in a wide wavelength range, high reflectivity. Further, as described above, since the thermal conductivity λ can be varied widely, it is most suitable as an optical disk reflective heat dissipation film.

【0080】表4の反射率の変化率から分かるように、
本発明の銀合金は、S(硫黄)との反応性を低く抑える
ことができる。従って、S(硫黄)に対する耐食性を向
上させることができた。
As can be seen from the reflectance change rate in Table 4,
The silver alloy of the present invention can keep the reactivity with S (sulfur) low. Therefore, the corrosion resistance to S (sulfur) could be improved.

【0081】比較例1のように、添加するZnが少なす
ぎると、反射率の変化率が大きすぎ、耐食性が低く実用
的でなくなる。
As in Comparative Example 1, when the amount of Zn added is too small, the rate of change of the reflectance is too large, and the corrosion resistance is low, making it impractical.

【0082】比較例2〜4のように、本発明の範囲を超
えて添加元素の量を増加させれば、さらに耐食性を向上
させることができるが、この範囲に至っては、先に述べ
たように、熱伝導率が低すぎ、かつ反射率が低下するの
で、反射放熱層としての役割を果たさなくなり望ましく
ない。
As in Comparative Examples 2 to 4, the corrosion resistance can be further improved by increasing the amount of the added element beyond the range of the present invention. In addition, since the thermal conductivity is too low and the reflectance is lowered, it does not function as a reflective heat radiation layer, which is not desirable.

【0083】金属顕微鏡などにより、表面状態を観察し
た結果によると、反射率が低下する原因は、銀合金の表
層にできるAg2Sの相にあり、比較的、S(硫黄)と
の接触時間が短い場合は、黒い点が点在する程度である
が、これが一定の時間を超えるようになると、膜面の全
体にまで達する。この過程において、反射率が徐々に減
少する。この反応が起こる原因は、銀とS(硫黄)とが
結合しやすいことによるが、本発明の銀合金では、これ
を大幅に抑制することができる。
According to the result of observing the surface state with a metallographic microscope or the like, the cause of the decrease in reflectance is due to the Ag 2 S phase formed on the surface of the silver alloy, and the contact time with S (sulfur) is relatively short. Is short, black dots are scattered, but when this exceeds a certain time, it reaches the entire film surface. In this process, the reflectance gradually decreases. The cause of this reaction is that silver and S (sulfur) are easily bonded, but the silver alloy of the present invention can significantly suppress this.

【0084】ディスク特性 表5から分かるように、本発明の銀合金を反射放熱層に
用いれば、良好な初期特性を有する光ディスクを作製す
ることができ、かつ、高温高湿保管試験後に、CNR、
ジッターおよび変調度ともに、ほとんど変化が見られな
かった。
[0084] As can be seen from the disk characteristic table 5, the use of the silver alloy of the present invention to the reflective heat dissipation layer, it is possible to produce an optical disc having a good initial characteristics, and, after storage test high temperature and high humidity, CNR,
There was almost no change in both jitter and modulation.

【0085】これは、本発明の銀合金が硫化に対する耐
食性が高いことを示すと共に、水分による腐食、すなわ
ち酸化に対する耐食性が高いことも示している。従っ
て、硫化による腐食の心配が無い例えばSiN系、Al
N系、ZrN系などの各種窒化物の保護膜、Ta2
5系、Al23系、ZrO2系、MgO系などの各種酸化
物の保護膜、およびSiC系の炭化物の保護膜を用いた
場合にも、保護膜にZnS+SiO2系もしくはZnS
系を用いる場合で、上部保護膜と反射放熱層との間にバ
リア層もしくは拡散防止層を用いる場合にも、本発明の
反射放熱層を用いることが、ディスクの信頼性を向上さ
せる上で、有益と考えられる。
This indicates that the silver alloy of the present invention has high corrosion resistance to sulfurization and also has high corrosion resistance to corrosion by moisture, that is, oxidation. Therefore, there is no fear of corrosion due to sulfurization, for example, SiN-based, Al
Protective film of various nitrides such as N-based and ZrN-based, Ta 2 O
Even when a protective film of various oxides such as a 5- system, an Al 2 O 3 system, a ZrO 2 system, and a MgO system, and a protective film of a SiC-based carbide are used, a ZnS + SiO 2 system or ZnS
When using a system, even when using a barrier layer or a diffusion prevention layer between the upper protective film and the reflective heat dissipation layer, the use of the reflective heat dissipation layer of the present invention improves the reliability of the disc. Considered useful.

【0086】一方、比較例1の光ディスクは、高温高湿
保管試験後に、CNR、ジッター及び変調度が大きく変
化していた。比較例2〜4の光ディスクは、初期特性に
おいて良好なディスク特性を有することが困難であっ
た。
On the other hand, in the optical disk of Comparative Example 1, the CNR, the jitter and the degree of modulation significantly changed after the high-temperature and high-humidity storage test. It was difficult for the optical disks of Comparative Examples 2 to 4 to have good disk characteristics in the initial characteristics.

【0087】高温高湿保管試験後の光ディスクを種々分
析すると、比較例1のような結果となるのは、反射放熱
層である銀合金の硫化が影響していることが確認され
た。比較例2〜4のような結果となるのは、主に反射放
熱層の銀合金について、熱伝導率が小さいこと、および
反射率が低いことが原因と考えられる。
Various analyzes of the optical disk after the high-temperature and high-humidity storage test showed that the results as in Comparative Example 1 were affected by the sulfuration of the silver alloy as the reflective heat dissipation layer. It is considered that the results as Comparative Examples 2 to 4 are mainly due to the low thermal conductivity and the low reflectance of the silver alloy of the reflective heat dissipation layer.

【0088】これらの結果から容易に理解できるよう
に、本発明の銀合金は反射率が高く、かつ、硫化に対す
る耐食性が高い。また、添加する元素の濃度により、反
射放熱層の熱伝導率を大きく変えることができるという
特徴を有する。これにより、初期特性から高温高湿保管
試験後までの間で、良好な特性を維持する光ディスクを
作製できる。
As can be easily understood from these results, the silver alloy of the present invention has a high reflectance and a high corrosion resistance to sulfuration. Further, it has a feature that the thermal conductivity of the reflective heat dissipation layer can be largely changed depending on the concentration of the added element. This makes it possible to manufacture an optical disc that maintains good characteristics from the initial characteristics to after the high-temperature and high-humidity storage test.

【0089】本発明の銀合金は、光ディスクや光磁気デ
ィスクなどの本発明の実施例の他に、耐食性が要求さ
れ、かつ高反射率が必要な用途、例えば耐食性が必要と
される反射鏡の反射膜、照明器具の反射膜、標識用反射
膜、リフレクター用の反射膜にも適用可能と考えられ
る。
The silver alloy of the present invention can be used in applications where corrosion resistance is required and a high reflectance is required, for example, in a reflection mirror where corrosion resistance is required, in addition to the embodiments of the present invention such as an optical disk and a magneto-optical disk. It is considered that the present invention can be applied to a reflective film, a reflective film of a lighting fixture, a reflective film for a sign, and a reflective film for a reflector.

【0090】また、本発明ではスパッタリング法により
成膜した実施例を示したが、本発明の反射膜は、種々の
真空蒸着法、イオンプレーティング法や各種CVD法お
よびめっき法など各種成膜技術によっても作製できる。
In the present invention, an example in which a film is formed by a sputtering method is shown. However, the reflective film of the present invention can be formed by various film forming techniques such as various vacuum deposition methods, ion plating methods, various CVD methods, and plating methods. Can also be produced.

【0091】[0091]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
銀合金は、高い反射率と高い熱伝導性を有すると同時
に、良好な耐食性を示す。
As described in detail above, the silver alloy of the present invention has high reflectance and high thermal conductivity, and at the same time shows good corrosion resistance.

【0092】また、本発明の銀合金は、液晶ディスプレ
イ(LCD)やプラズマディスプレイ(PDP)、EL
(エレクトロルミネッセンス)ディスプレイなどの、放
熱も重要となる反射鏡にも、非常に有用と考えられる。
もちろん、熱伝導率が高いということは電気伝導率が高
いことを示しているので、種々の耐食性が要求され、か
つ電気抵抗率が小さいことの必要な各種配線材料などに
も有用と考えられる。
The silver alloy of the present invention can be used for a liquid crystal display (LCD), a plasma display (PDP),
It is considered to be very useful for reflectors, such as (electroluminescence) displays, where heat dissipation is also important.
Of course, a high thermal conductivity indicates a high electrical conductivity, and thus it is considered to be useful for various wiring materials that require various corrosion resistances and require a low electrical resistivity.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 7/26 531 G11B 7/26 531 Fターム(参考) 4K029 AA11 BA22 BB02 BD09 BD12 CA05 DC04 DC08 5D029 MA13 MA17 5D121 AA05 EE14 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G11B 7/26 531 G11B 7/26 531 F-term (Reference) 4K029 AA11 BA22 BB02 BD09 BD12 CA05 DC04 DC08 5D029 MA13 MA17 5D121 AA05 EE14

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 Znを1〜20質量%含み、残部がAg
および不可避不純物からなることを特徴とする光ディス
ク反射膜用銀合金。
1. A composition containing 1 to 20% by mass of Zn and the balance of Ag
And a silver alloy for an optical disk reflective film, comprising a silver alloy.
【請求項2】 Znを1〜20質量%含み、Pdおよび
Auの一種以上を0.1〜15質量%含み、残部がAg
および不可避不純物からなることを特徴とする光ディス
ク反射膜用銀合金。
2. A composition containing 1 to 20% by mass of Zn, 0.1 to 15% by mass of at least one of Pd and Au, and the balance of Ag
And a silver alloy for an optical disk reflective film, comprising a silver alloy.
【請求項3】 請求項1または2に記載の銀合金からな
るスパッタリングターゲット。
3. A sputtering target comprising the silver alloy according to claim 1.
【請求項4】 請求項1または2に記載の銀合金からな
る光ディスク反射膜。
4. An optical disk reflection film comprising the silver alloy according to claim 1.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004280868A (en) * 2003-03-12 2004-10-07 Toshiba Corp Optical disk
WO2004102553A1 (en) * 2003-05-16 2004-11-25 Mitsubishi Materials Corporation Silver alloy sputtering target for forming reflection layer of optical recording medium
EP1560704A4 (en) * 2003-04-18 2006-09-06 Target Technology Co Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US7465424B2 (en) 2001-03-16 2008-12-16 Ishifuku Metal Industry Co., Ltd. Sputtering target material

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7465424B2 (en) 2001-03-16 2008-12-16 Ishifuku Metal Industry Co., Ltd. Sputtering target material
JP2004280868A (en) * 2003-03-12 2004-10-07 Toshiba Corp Optical disk
EP1560704A4 (en) * 2003-04-18 2006-09-06 Target Technology Co Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US7645500B2 (en) 2003-04-18 2010-01-12 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
WO2004102553A1 (en) * 2003-05-16 2004-11-25 Mitsubishi Materials Corporation Silver alloy sputtering target for forming reflection layer of optical recording medium

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