JP2002232138A - Manufacturing method of multilayer circuit board - Google Patents

Manufacturing method of multilayer circuit board

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JP2002232138A
JP2002232138A JP2001029285A JP2001029285A JP2002232138A JP 2002232138 A JP2002232138 A JP 2002232138A JP 2001029285 A JP2001029285 A JP 2001029285A JP 2001029285 A JP2001029285 A JP 2001029285A JP 2002232138 A JP2002232138 A JP 2002232138A
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JP
Japan
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polymer
insulating layer
ene
circuit board
plating
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Application number
JP2001029285A
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Japanese (ja)
Inventor
Takeyoshi Kato
丈佳 加藤
Naoki Kanda
直樹 神田
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Zeon Corp
Original Assignee
Nippon Zeon Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the manufacturing method of a multilayer circuit board that has high adhesion property between an electrical insulating layer and a conductor layer, and improved patterning properties. SOLUTION: In the manufacturing method of the multilayer circuit board, the surface of the electrical insulating layer, where a curing resin composition containing an alicyclic olefin polymer or aromatic series polyether polymer is cured is heated to 50-250 deg. for retaining the temperature and brought into contact with plasma, then is subjected to dry plating, and then wet plating or dry plating, thus forming the conductor layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、多層回路基板の製
造方法に関し、さらに詳しくは、電気絶縁層と導電体層
との密着性が高く、且つパターニング性に優れた多層回
路基板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer circuit board, and more particularly, to a method for manufacturing a multilayer circuit board having high adhesion between an electrical insulating layer and a conductor layer and excellent patterning properties. .

【0002】[0002]

【従来の技術】電子機器の小型化、多機能化に伴って、
電子機器に用いられている回路基板もより高密度化が要
求されるようになってきている。回路基板の高密度化の
一般的手法として、回路基板を多層化することが良く知
られている。多層回路基板は、通常、電気絶縁層(1)
と、その表面に形成された導電体回路(1)とからなる
内層基板上に、電気絶縁層(2)を積層し、該電気絶縁
層(2)の上に導電体回路(2)を形成することによっ
て、必要に応じて、さらに電気絶縁層と導電体回路を複
数段積層することによって得られる。多層回路基板内の
導電体回路は、電気絶縁層の全面に、湿式メッキ法、乾
式メッキ法などによって、銅などの導電体を被覆し、必
要に応じて、レジストなどを用いて所望の回路パターン
を形成するようにエッチングして、形成される。
2. Description of the Related Art As electronic devices have become smaller and more multifunctional,
Circuit boards used in electronic devices have also been required to have higher densities. As a general method of increasing the density of a circuit board, it is well known that the circuit board is multilayered. The multilayer circuit board usually has an electric insulating layer (1).
An electric insulating layer (2) is laminated on an inner layer substrate comprising a conductive circuit (1) formed on the surface thereof, and a conductive circuit (2) is formed on the electric insulating layer (2). By doing so, it can be obtained by further laminating an electric insulating layer and a conductor circuit in a plurality of stages as necessary. The conductor circuit in the multilayer circuit board is coated with a conductor such as copper on the entire surface of the electrical insulating layer by wet plating, dry plating, etc., and if necessary, the desired circuit pattern using a resist etc. Are formed by etching so as to form.

【0003】電気絶縁層とメッキによって形成される導
電体層との密着を高めるために、電気絶縁層の表面粗さ
を大きくすることがよく知られている。しかし、表面粗
さの大きい電気絶縁層上に設けられた導電体層は、パタ
ーニング性に劣る。そのため所望のインピーダンスやコ
ンダクタンスが得られずノイズを拾いやすくなる。一方
表面粗さを小さくすると電気絶縁層と導電体層との密着
性が低下する。電気絶縁層と導電体層との密着力を高め
るために、高分子材料からなる電気絶縁層をプラズマで
表面エッチング処理することが知られている(特開平6
―69644号)。プラスチックのプラズマ表面処理は
低温で行われる(「プラスチック加工技術ハンドブッ
ク」高分子学会編、P1167−)。しかしながら、回
路基板の高密度化に伴って導電体層が細密化してきたた
めに、低温プラズマ処理でも密着性が不十分になる場合
があった。
It is well known that the surface roughness of an electric insulating layer is increased in order to increase the adhesion between the electric insulating layer and a conductor layer formed by plating. However, a conductor layer provided on an electric insulating layer having a large surface roughness has poor patterning properties. For this reason, desired impedance and conductance cannot be obtained, and noise can be easily picked up. On the other hand, when the surface roughness is reduced, the adhesion between the electric insulating layer and the conductor layer is reduced. In order to increase the adhesion between the electric insulating layer and the conductor layer, it is known that the electric insulating layer made of a polymer material is subjected to a surface etching treatment with plasma (Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6 (1994) -176).
-69644). Plasma surface treatment of plastic is performed at a low temperature ("Plastic Processing Technology Handbook", edited by The Society of Polymer Science, P1167-). However, since the conductor layers have become finer with the increase in the density of circuit boards, the adhesion may be insufficient even at low-temperature plasma treatment.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、電気
絶縁層と導電体層との密着性が高く、且つパターニング
性に優れた多層回路基板を提供することにある。本発明
者は、上記目的を達成するために鋭意研究をした結果、
高分子材料からなる電気絶縁層を表面温度50〜250
℃でプラズマ処理を行い、次いで該表面に導電体層を形
成することによって、上記目的を達成できることを見い
だし、この知見に基づいて本発明を完成するに到った。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a multilayer circuit board having high adhesion between an electric insulating layer and a conductive layer and excellent in patternability. The present inventor has conducted intensive studies to achieve the above object,
An electric insulating layer made of a polymer material is coated at a surface temperature of 50 to 250.
It has been found that the above object can be achieved by performing a plasma treatment at a temperature of ° C. and then forming a conductor layer on the surface, and the present invention has been completed based on this finding.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】かくして、本発明によれ
ば、(1)高分子材料からなる電気絶縁層を表面温度5
0〜250℃でプラズマと接触させ、次いで該表面に導
電体層を形成することを含む多層回路基板の製造方法が
提供され、好適な態様として、(2)高分子材料が、脂
環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテル重合体を
含有する、硬化性樹脂組成物が硬化してなるものである
製造方法、(3)乾式メッキを含む方法によって導電体
層を形成することを含む製造方法、(4)乾式メッキ
し、次いで湿式メッキ又は乾式メッキして導電体層を形
成することを含む製造方法、及び(5)乾式メッキを複
数回繰り返し、次いで湿式メッキして導電体層を形成す
ることを含む製造方法が提供される。
According to the present invention, (1) the electric insulating layer made of a polymer material has a surface temperature of 5.
There is provided a method for producing a multilayer circuit board, comprising contacting with a plasma at 0 to 250 ° C., and then forming a conductor layer on the surface. In a preferred embodiment, (2) the polymer material is an alicyclic olefin A production method comprising curing a curable resin composition containing a polymer or an aromatic polyether polymer, (3) a production method comprising forming a conductor layer by a method including dry plating, (4) A manufacturing method including forming a conductor layer by dry plating and then wet plating or dry plating, and (5) forming a conductor layer by repeating dry plating a plurality of times and then wet plating. There is provided a manufacturing method comprising:

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】本発明の多層回路基板の製造方法
は、高分子材料からなる電気絶縁層を特定表面温度でプ
ラズマと接触させ、次いで該表面に導電体層を形成する
ことを含むものである。本発明の製造方法では、前記電
気絶縁層をプラズマと接触させる。プラズマは、分子を
構成する原子が電離して正電荷のイオンと電子に分離さ
れた状態のものをいい、例えば、気体中でアーク放電、
グロー放電、コロナ放電等を行うことによって得られ
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The method for manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention comprises contacting an electrical insulating layer made of a polymer material with plasma at a specific surface temperature, and then forming a conductor layer on the surface. . In the manufacturing method of the present invention, the electric insulating layer is brought into contact with plasma. Plasma refers to a state in which atoms forming molecules are ionized and separated into positively charged ions and electrons.For example, arc discharge in a gas,
It is obtained by performing glow discharge, corona discharge, and the like.

【0007】プラズマは、アーク放電の電極間の気体;
放電管内の発光部分;コロナなどの高度に電離した気体
である。プラズマを発生させるための気体として、ネオ
ン、アルゴン、クリプトン、キセノン、水素、酸素、窒
素、四フッ化炭素、トリフルオロメタン、四塩化炭素、
アンモニアなどが挙げられる。本発明製法においては、
プラズマ処理時の電気絶縁層表面温度の下限を50℃、
好ましくは100℃に、上限を250℃、好ましくは1
80℃にする。この温度範囲にすることによって電気絶
縁層と導電体層との密着力が格段に高くなる。電気絶縁
層の表面温度を上記範囲にする方法は特に制限されず、
例えば外部ヒーターなどを用いて加熱する。プラズマ処
理時間は、特に限定されないが、通常1秒〜30分、好
ましくは10秒〜15分である。プラズマを発生させる
ための条件は、特に限定されないが、高周波電源出力を
通常50〜200W、好ましくは100〜150Wに
し、プラズマを発生させるための気体の分圧を通常0.
01〜2000Pa、好ましく0.1〜500Pa、特
に好ましくは0.3〜100Paにすることが好まし
い。プラズマを発生させる高周波電源の周波数は、特に
限定されないが、13.56MHzがよく用いられ、本
発明においてもこの周波数が賞用される。
[0007] The plasma is the gas between the electrodes of the arc discharge;
Light emitting portion in discharge tube; highly ionized gas such as corona. As a gas for generating plasma, neon, argon, krypton, xenon, hydrogen, oxygen, nitrogen, carbon tetrafluoride, trifluoromethane, carbon tetrachloride,
Ammonia and the like. In the production method of the present invention,
The lower limit of the electric insulating layer surface temperature during the plasma treatment is 50 ° C.
Preferably at 100 ° C. with an upper limit of 250 ° C., preferably 1
Bring to 80 ° C. By setting the temperature in this range, the adhesion between the electric insulating layer and the conductor layer is significantly increased. The method for setting the surface temperature of the electric insulating layer to the above range is not particularly limited,
For example, heating is performed using an external heater or the like. The plasma processing time is not particularly limited, but is usually 1 second to 30 minutes, preferably 10 seconds to 15 minutes. The conditions for generating the plasma are not particularly limited, but the output of the high-frequency power supply is usually 50 to 200 W, preferably 100 to 150 W, and the partial pressure of the gas for generating the plasma is usually 0.
The pressure is preferably set to 01 to 2000 Pa, more preferably 0.1 to 500 Pa, particularly preferably 0.3 to 100 Pa. The frequency of the high frequency power supply for generating plasma is not particularly limited, but 13.56 MHz is often used, and this frequency is also awarded in the present invention.

【0008】本発明製造方法においては、密着力をさら
に向上させるために、高温プラズマで表面処理する前
に、電気絶縁層表面を過マンガン酸塩と接触させること
ができる。過マンガン酸塩としては、例えば、過マンガ
ン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウムなどのアルカリ
金属塩が挙げられる。過マンガン酸塩は、通常、水溶液
の状態にして、電気絶縁層の表面に接触させる。過マン
ガン酸塩水溶液の濃度は、通常0.001〜5mol/
l、0.005〜3mol/lである。電気絶縁層に過
マンガン酸塩を接触させるときの水溶液温度は、通常1
0〜100℃、好ましくは40〜90℃である。接触時
間は、通常0.1〜120分、好ましくは1〜60分で
ある。過マンガン酸塩と接触させる方法は特に限定され
ず、刷毛塗り法、浸漬法、スプレー法などが挙げられ
る。
In the manufacturing method of the present invention, the surface of the electric insulating layer can be brought into contact with a permanganate before the surface treatment with high-temperature plasma in order to further improve the adhesion. Examples of the permanganate include alkali metal salts such as potassium permanganate and sodium permanganate. The permanganate is usually brought into contact with the surface of the electrical insulating layer in an aqueous solution. The concentration of the aqueous solution of permanganate is usually 0.001 to 5 mol /
1, 0.005 to 3 mol / l. The temperature of the aqueous solution when the permanganate is brought into contact with the electrical insulating layer is usually 1
It is 0-100 degreeC, Preferably it is 40-90 degreeC. The contact time is usually 0.1 to 120 minutes, preferably 1 to 60 minutes. The method of contacting with the permanganate is not particularly limited, and examples thereof include a brush coating method, a dipping method, and a spray method.

【0009】本発明の製造方法では、電気絶縁層表面を
プラズマと接触させた後、電気絶縁層の表面に導電体層
を形成させる。導電体層は、乾式メッキや湿式メッキに
よって、形成できる。本発明の好適な製法では、導電体
層を乾式メッキを含む方法で形成する。乾式メッキに
は、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリン
グ、分子線エピタキシー、イオン注入、イオンビームミ
キシングのごとき物理蒸着(PVD);熱CVD、プラ
ズマCVD、光CVDなどの化学蒸着などが挙げられ
る。これらのうち物理蒸着、特にスパッタリングが好適
である。スパッタリングの基本的構成は、放電管のごと
き真空チャンバー中に、ターゲットと呼ばれる母材(導
電体層の元になる物質)を直流又は容量結合で高周波電
源に接続して陰極とし、これと導電体層を堆積させる電
気絶縁層とを相対して設置し、電気絶縁層に母材を薄膜
状に堆積させるものである。スパッタリングの方法とし
ては、直流2極スパッタリング、高周波スパッタリン
グ、マグネトロンスパッタリング、対向ターゲットスパ
ッタリング、ECRスパッタリング、バイアススパッタ
リング、プラズマ制御型スパッタリング、マルチ・ター
ゲットスパッタリングなどが挙げられる。これらのう
ち、直流2極スパッタリング、又は高周波スパッタリン
グが好適である。
In the manufacturing method of the present invention, after the surface of the electric insulating layer is brought into contact with plasma, a conductor layer is formed on the surface of the electric insulating layer. The conductor layer can be formed by dry plating or wet plating. In a preferred manufacturing method of the present invention, the conductor layer is formed by a method including dry plating. Dry plating includes physical vapor deposition (PVD) such as vacuum deposition, ion plating, sputtering, molecular beam epitaxy, ion implantation, and ion beam mixing; and chemical vapor deposition such as thermal CVD, plasma CVD, and optical CVD. Of these, physical vapor deposition, particularly sputtering, is preferred. The basic structure of sputtering is that a base material (a substance that forms the conductor layer) called a target is connected to a high-frequency power source by direct current or capacitive coupling in a vacuum chamber such as a discharge tube to form a cathode, which is then connected to a conductor. An electric insulating layer on which the layer is deposited is placed opposite to the base material, and the base material is deposited on the electric insulating layer in a thin film form. Examples of the sputtering method include direct current bipolar sputtering, high frequency sputtering, magnetron sputtering, facing target sputtering, ECR sputtering, bias sputtering, plasma controlled sputtering, and multi-target sputtering. Of these, DC bipolar sputtering or high-frequency sputtering is preferred.

【0010】乾式メッキで形成される導電体層として
は、ニッケル、銅、アルミニウム、金、銀、クロム、ニ
ッケル−クロム合金、ニッケル−クロム−銅合金などの
導電性金属で形成されたものが挙げられる。 乾式メッ
キは、1回、又は複数回行われる。同じ膜厚の導電体層
を得るために、乾式メッキを複数回に分けて行った場合
には、乾式メッキを1回で行った場合に比べ、導電体層
と電気絶縁層との密着性が高くなる。乾式メッキを複数
回で行う場合に各回で使用する導電体は同じものであっ
てもよいが、導電体のマイグレーション防止及び密着力
向上のために、異なる導電体を乾式メッキするのが好ま
しい。異なる導電体を複数回に分けて乾式メッキする場
合に、1回目の乾式メッキで、ニッケル、クロム、ニッ
ケル−クロム合金又はニッケル−クロム−銅合金のいず
れかの導電体を用い、それ以後の乾式メッキで銅を用い
るのが好ましい。乾式メッキによって形成される導電体
層の総厚さは、通常0.01〜50μm、好ましくは
0.05〜20μm、より好ましくは0.2〜10μm
である。
Examples of the conductive layer formed by dry plating include those formed of a conductive metal such as nickel, copper, aluminum, gold, silver, chromium, a nickel-chromium alloy, and a nickel-chromium-copper alloy. Can be Dry plating is performed once or a plurality of times. When dry plating is performed a plurality of times in order to obtain a conductor layer having the same film thickness, the adhesion between the conductor layer and the electrical insulating layer is lower than when dry plating is performed once. Get higher. When dry plating is performed a plurality of times, the same conductor may be used each time, but it is preferable to dry-plate different conductors in order to prevent migration of the conductor and improve adhesion. When different conductors are dry-plated in a plurality of times, in the first dry-plating, any one of nickel, chromium, nickel-chromium alloy or nickel-chromium-copper alloy is used, and the subsequent dry plating is performed. It is preferable to use copper for plating. The total thickness of the conductor layer formed by dry plating is usually 0.01 to 50 μm, preferably 0.05 to 20 μm, more preferably 0.2 to 10 μm.
It is.

【0011】乾式メッキのみによって導電体層を得ても
良いが、本発明の好適な製造方法においては、乾式メッ
キし、次いで湿式メッキすることが、導電体層と電気絶
縁層との密着性を高めるために好ましい。湿式メッキに
は、電気メッキ、無電解メッキ、溶融メッキなどが挙げ
られる。湿式メッキすることによって、乾式メッキで得
られた導電体層の上に更に導電体層が堆積される。湿式
メッキによって形成される導電体層としては、ニッケ
ル、銅、アルミニウム、金、銀、クロムなどの金属で形
成させたものが挙げられる。湿式メッキによって形成さ
れる導電体層の厚みは、通常5〜50μm、好ましくは
10〜40μmである。湿式メッキで形成される導電体
層の厚みに対する、乾式メッキで形成される導電体層の
厚みは、通常0.01〜50%、好ましくは0.05〜
10%である。乾式メッキで形成される導電体層の厚み
が薄いと、乾式メッキ後に行う湿式メッキの際にメッキ
薬液によって乾式メッキ層に欠損が生じパターン幅など
が不均一になる傾向があり、乾式メッキで形成される導
電体層の厚みが厚いとパターンにクラックが発生しやす
くなる傾向がある。乾式メッキを行い、次いで湿式メッ
キを行って形成させる導電体層の総厚みは、通常約5〜
約52μm、好ましくは約10〜約41μmである。
Although the conductor layer may be obtained only by dry plating, in the preferred manufacturing method of the present invention, dry plating and then wet plating are performed to improve the adhesion between the conductor layer and the electric insulating layer. Preferred to increase. Examples of wet plating include electroplating, electroless plating, and hot-dip plating. By wet plating, an additional conductor layer is deposited on the conductor layer obtained by dry plating. Examples of the conductor layer formed by wet plating include those formed of a metal such as nickel, copper, aluminum, gold, silver, and chromium. The thickness of the conductor layer formed by wet plating is usually 5 to 50 μm, preferably 10 to 40 μm. The thickness of the conductor layer formed by dry plating with respect to the thickness of the conductor layer formed by wet plating is usually 0.01 to 50%, preferably 0.05 to 50%.
10%. If the thickness of the conductor layer formed by dry plating is thin, the dry plating layer will be damaged by the plating solution during wet plating after dry plating, and the pattern width etc. tends to be uneven, so it is formed by dry plating If the thickness of the conductor layer to be formed is large, cracks tend to be easily generated in the pattern. The total thickness of the conductor layer formed by performing dry plating and then performing wet plating is usually about 5 to 5.
It is about 52 μm, preferably about 10 to about 41 μm.

【0012】本発明の好適な製造方法は、前述のごとく
メッキをした後、アニーリングすることを含むものであ
る。アニーリングは、メッキによって形成された導電体
層の構造を再構築するために行われる。アニーリングの
際の温度は、導電体層を形成する導電体の種類によっ
て、適宜、選択されるが、通常20〜250℃、好まし
くは100〜200℃である。アニーリング時間は、通
常1〜60分である。
The preferred manufacturing method of the present invention includes, after plating as described above, annealing. Annealing is performed to reconstruct the structure of the conductor layer formed by plating. The temperature at the time of annealing is appropriately selected depending on the type of the conductor forming the conductor layer, but is usually 20 to 250 ° C, preferably 100 to 200 ° C. Annealing time is usually 1 to 60 minutes.

【0013】本発明に用いる電気絶縁層は、高分子材料
からなる。高分子材料は、多層回路基板の絶縁層として
従来から用いられているものであってもよく、例えば、
エポキシ樹脂;エチレン・フロロエチレン共重合体;脂
環式オレフィン重合体;マレイミド樹脂等のポリイミ
ド;(メタ)アクリル樹脂;ジアリルフタレート樹脂;
トリアジン樹脂;ポリフェニレンエーテルなどのいずれ
かの高分子を含有する硬化性組成物を、硬化してなるも
のが挙げられる。また、電気絶縁層を構成する高分子材
料には、ガラス繊維、アラミド繊維などを強度向上のた
めに含有させたものであってもよい。
The electric insulating layer used in the present invention is made of a polymer material. The polymer material may be one conventionally used as an insulating layer of a multilayer circuit board, for example,
Epoxy resin; ethylene / fluoroethylene copolymer; alicyclic olefin polymer; polyimide such as maleimide resin; (meth) acrylic resin; diallyl phthalate resin;
Triazine resin; one obtained by curing a curable composition containing any polymer such as polyphenylene ether. Further, the polymer material constituting the electric insulating layer may contain glass fiber, aramid fiber, or the like for improving strength.

【0014】電気絶縁層を構成する高分子材料として、
脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテル重合体
を、好適には脂環式オレフィン重合体を含有する硬化性
樹脂組成物を、硬化してなるものを用いるのが好まし
い。以下、脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエー
テル重合体を含有する硬化性樹脂組成物について説明す
る。脂環式オレフィン重合体は、脂環式構造を有するオ
レフィンの重合体である。脂環式構造としては、シクロ
アルカン構造やシクロアルケン構造などが挙げられる
が、機械的強度、耐熱性などの観点から、シクロアルカ
ン構造が好ましい。また、脂環式構造は単環、多環(縮
合多環、橋架け環、これらの組み合わせ多環など)のい
ずれでもよい。脂環式構造を構成する炭素原子数は、格
別な制限はないが、通常4〜30個、好ましくは5〜2
0個、より好ましくは5〜15個の範囲であるときに、
機械的強度、耐熱性、及び成形性の諸特性が高度にバラ
ンスされ好適である。また、本発明で使用される脂環式
オレフィン重合体は、通常、熱可塑性のものである。
As the polymer material constituting the electric insulating layer,
It is preferable to use an alicyclic olefin polymer or an aromatic polyether polymer, preferably a cured product of a curable resin composition containing the alicyclic olefin polymer. Hereinafter, a curable resin composition containing an alicyclic olefin polymer or an aromatic polyether polymer will be described. The alicyclic olefin polymer is an olefin polymer having an alicyclic structure. Examples of the alicyclic structure include a cycloalkane structure and a cycloalkene structure, and a cycloalkane structure is preferable from the viewpoint of mechanical strength, heat resistance, and the like. The alicyclic structure may be any of a monocyclic ring and a polycyclic ring (such as a condensed polycyclic ring, a bridged ring, or a polycyclic ring obtained by combining these rings). The number of carbon atoms constituting the alicyclic structure is not particularly limited, but is usually 4 to 30, preferably 5 to 2.
0, more preferably in the range of 5 to 15,
Various properties such as mechanical strength, heat resistance and moldability are highly balanced and suitable. The alicyclic olefin polymer used in the present invention is usually a thermoplastic one.

【0015】脂環式オレフィン重合体は、通常、脂環式
構造を有するオレフィン(以下、脂環式オレフィンとい
うことがある。)由来の繰り返し単位を含有する。脂環
式オレフィン重合体中の脂環式オレフィン由来の繰り返
し単位の割合は、使用目的に応じて適宜選択されるが、
通常30〜100重量%、好ましくは50〜100重量
%、より好ましくは70〜100重量%である。脂環式
オレフィン由来の繰り返し単位の割合が過度に少ない
と、耐熱性に劣り好ましくないことがある。
The alicyclic olefin polymer usually contains a repeating unit derived from an olefin having an alicyclic structure (hereinafter sometimes referred to as an alicyclic olefin). The proportion of the repeating unit derived from the alicyclic olefin in the alicyclic olefin polymer is appropriately selected depending on the purpose of use,
It is usually from 30 to 100% by weight, preferably from 50 to 100% by weight, more preferably from 70 to 100% by weight. If the proportion of the repeating unit derived from an alicyclic olefin is too small, the heat resistance may be poor and may not be preferable.

【0016】本発明で用いられる脂環式オレフィン重合
体として、極性基を有するものが好ましい。極性基とし
ては、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシル
基、エポキシ基、グリシジル基、オキシカルボニル基、
カルボニル基、アミノ基、エステル基、カルボン酸無水
物基などが挙げられ、特に、カルボキシル基又はカルボ
ン酸無水物基が好適である。
The alicyclic olefin polymer used in the present invention preferably has a polar group. As a polar group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxyl group, an epoxy group, a glycidyl group, an oxycarbonyl group,
Examples thereof include a carbonyl group, an amino group, an ester group, and a carboxylic anhydride group, and a carboxyl group or a carboxylic anhydride group is particularly preferable.

【0017】脂環式オレフィン重合体は、通常、脂環式
オレフィンを付加重合又は開環重合し、そして必要に応
じて不飽和結合部分を水素化することによって、或いは
芳香族オレフィンを付加重合し、そして該重合体の芳香
環部分を水素化することによって得られる。また、極性
基を有する脂環式オレフィン重合体は、例えば、1)前
記脂環式オレフィン重合体に極性基を有する化合物を変
性反応により導入することによって、2)極性基を含有
する単量体を共重合成分として共重合することによっ
て、あるいは3)エステル基などの極性基を含有する単
量体を共重合成分として共重合した後、エステル基を加
水分解することによって得られる。
The alicyclic olefin polymer is usually obtained by addition polymerization or ring-opening polymerization of an alicyclic olefin and, if necessary, hydrogenation of an unsaturated bond portion or addition polymerization of an aromatic olefin. And hydrogenation of the aromatic ring portion of the polymer. Further, the alicyclic olefin polymer having a polar group includes, for example, 1) a monomer having a polar group by introducing a compound having a polar group into the alicyclic olefin polymer by a modification reaction. Or 3) by copolymerizing a monomer containing a polar group such as an ester group as a copolymerization component, and then hydrolyzing the ester group.

【0018】脂環式オレフィン重合体を得るために使用
される脂環式オレフィンとしては、ビシクロ〔2.2.
1〕−ヘプト−2−エン(慣用名:ノルボルネン)、5
−メチル−ビシクロ〔2.2.1〕−ヘプト−2−エ
ン、5,5−ジメチル−ビシクロ〔2.2.1〕−ヘプ
ト−2−エン、5−エチル−ビシクロ〔2.2.1〕−
ヘプト−2−エン、5−ブチル−ビシクロ〔2.2.
1〕−ヘプト−2−エン、5−ヘキシル−ビシクロ
〔2.2.1〕−ヘプト−2−エン、5−オクチル−ビ
シクロ〔2.2.1〕−ヘプト−2−エン、5−オクタ
デシル−ビシクロ〔2.2.1〕−ヘプト−2−エン、
5−エチリデン−ビシクロ〔2.2.1〕−ヘプト−2
−エン、5−メチリデン−ビシクロ〔2.2.1〕−ヘ
プト−2−エン、5−ビニル−ビシクロ〔2.2.1〕
−ヘプト−2−エン、5−プロペニル−ビシクロ〔2.
2.1〕−ヘプト−2−エン、5−メトキシカルボニル
−ビシクロ〔2.2.1〕−ヘプト−2−エン、5−シ
アノ−ビシクロ〔2.2.1〕−ヘプト−2−エン、5
−メチル−5−メトキシカルボニル−ビシクロ〔2.
2.1〕−ヘプト−2−エン、5−エトキシカルボニル
−ビシクロ〔2.2.1〕−ヘプト−2−エン、ビシク
ロ〔2.2.1〕−ヘプト−5−エニル−2−メチルプ
ロピオネイト、ビシクロ〔2.2.1〕−ヘプト−5−
エニル−2−メチルオクタネイト、
The alicyclic olefin used to obtain the alicyclic olefin polymer includes bicyclo [2.2.
1] -hept-2-ene (common name: norbornene), 5
-Methyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5,5-dimethyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5-ethyl-bicyclo [2.2.1] ]-
Hept-2-ene, 5-butyl-bicyclo [2.2.
1] -Hept-2-ene, 5-hexyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5-octyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5-octadecyl -Bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene,
5-ethylidene-bicyclo [2.2.1] -hept-2
-Ene, 5-methylidene-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5-vinyl-bicyclo [2.2.1]
-Hept-2-ene, 5-propenyl-bicyclo [2.
2.1] -hept-2-ene, 5-methoxycarbonyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5-cyano-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5
-Methyl-5-methoxycarbonyl-bicyclo [2.
2.1] -Hept-2-ene, 5-ethoxycarbonyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, bicyclo [2.2.1] -hept-5-enyl-2-methylpro Pionate, bicyclo [2.2.1] -hept-5-
Enyl-2-methyloctaneate,

【0019】ビシクロ〔2.2.1〕−ヘプト−2−エ
ン−5,6−ジカルボン酸無水物、5−ヒドロキシメチ
ルビシクロ〔2.2.1〕−ヘプト−2−エン、5,6
−ジ(ヒドロキシメチル)−ビシクロ〔2.2.1〕−
ヘプト−2−エン、5−ヒドロキシ−i−プロピルビシ
クロ〔2.2.1〕−ヘプト−2−エン、5,6−ジカ
ルボキシ−ビシクロ〔2.2.1〕−ヘプト−2−エ
ン、ビシクロ〔2.2.1〕−ヘプト−2−エン−5,
6−ジカルボン酸イミド、5−シクロペンチル−ビシク
ロ〔2.2.1〕−ヘプト−2−エン、5−シクロヘキ
シル−ビシクロ〔2.2.1〕−ヘプト−2−エン、5
−シクロヘキセニル−ビシクロ〔2.2.1〕−ヘプト
−2−エン、5−フェニル−ビシクロ〔2.2.1〕−
ヘプト−2−エン、トリシクロ〔4.3.0.12,5
〕デカ−3,7−ジエン(慣用名:ジシクロペンタジ
エン)、トリシクロ〔4.3.0.12,5 〕デカ−
3−エン、トリシクロ〔4.4.0.12,5〕ウンデ
カ−3,7−ジエン、トリシクロ〔4.4.0.1
2,5〕ウンデカ−3,8−ジエン、トリシクロ〔4.
4.0.12,5 〕ウンデカ−3−エン、テトラシク
ロ〔7.4.0.110, 13.02,7〕−トリデカ
−2,4,6、11−テトラエン(別名:1,4−メタ
ノ−1,4,4a,9a−テトラヒドロフルオレン)、
テトラシクロ〔8.4.0.111,14.03,8
−テトラデカ−3,5,7,12−テトラエン(別名:
1,4−メタノ−1,4,4a,5,10,10a−ヘ
キサヒドロアントラセン)、
Bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene-5,6-dicarboxylic anhydride, 5-hydroxymethylbicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5,6
-Di (hydroxymethyl) -bicyclo [2.2.1]-
Hept-2-ene, 5-hydroxy-i-propylbicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5,6-dicarboxy-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, Bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene-5,
6-dicarboxylic imide, 5-cyclopentyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5-cyclohexyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5
-Cyclohexenyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5-phenyl-bicyclo [2.2.1]-
Hept-2-ene, tricyclo [4.3.0.1 2,5
Deca-3,7-diene (common name: dicyclopentadiene), tricyclo [4.3.0.1 2,5 ] deca-
3-ene, tricyclo [4.4.0.1 2,5 ] undeca-3,7-diene, tricyclo [4.4.0.1
2,5 ] undeca-3,8-diene, tricyclo [4.
4.0.1 2,5] undec-3-ene, tetracyclo [7.4.0.1 10, 13. 0 2,7 ] -trideca-2,4,6,11-tetraene (alias: 1,4-methano-1,4,4a, 9a-tetrahydrofluorene),
Tetracyclo [8.4.0.1 11,14. 0 3,8 ]
-Tetradeca-3,5,7,12-tetraene (alias:
1,4-methano-1,4,4a, 5,10,10a-hexahydroanthracene),

【0020】テトラシクロ〔4.4.0.12,5.1
7,10〕−ドデカ−3−エン(慣用名:テトラシクロ
ドデセン)、8−メチル−テトラシクロ〔4.4.0.
,5.17,10〕−ドデカ−3−エン、8−エチ
ル−テトラシクロ〔4.4.0.12,5
7,10〕−ドデカ−3−エン、8−メチリデン−テ
トラシクロ〔4.4.0.12,5.17,10〕−ド
デカ−3−エン、8−エチリデン−テトラシクロ〔4.
4.0.12,5.17,10〕−ドデカ−3−エン、
8−ビニル−テトラシクロ〔4.4.0.12,5.1
7,10〕−ドデカ−3−エン、8−プロペニル−テト
ラシクロ〔4.4.0.12,5.17,10〕−ドデ
カ−3−エン、8−メトキシカルボニル−テトラシクロ
〔4.4.0.1 ,5.17,10〕−ドデカ−3−
エン、8−メチル−8−メトキシカルボニル−テトラシ
クロ〔4.4.0.12,5.17,10〕−ドデカ−
3−エン、8−ヒドロキシメチル−テトラシクロ〔4.
4.0.12,5.17,10〕−ドデカ−3−エン、
8−カルボキシ−テトラシクロ〔4.4.0.
2,5.1 ,10〕−ドデカ−3−エン、8−シク
ロペンチル−テトラシクロ〔4.4.0.12,5.1
7,10〕−ドデカ−3−エン、8−シクロヘキシル−
テトラシクロ〔4.4.0.12,5.17,10〕−
ドデカ−3−エン、8−シクロヘキセニル−テトラシク
ロ〔4.4.0.12,5.17,10〕−ドデカ−3
−エン、8−フェニル−テトラシクロ〔4.4.0.1
2,5.17,10〕−ドデカ−3−エン、ペンタシク
ロ〔6.5.1.13,6.02,7.09,13〕ペ
ンタデカ−3,10−ジエン、ペンタシクロ〔7.4.
0.13,6.1 0,13.02,7〕−ペンタデカ
−4,11−ジエン、テトラシクロ〔6.5.0.1
2,5.08、13〕トリデカー3,8,10,12−
テトラエン、テトラシクロ〔6.6.0.12,5.1
8,13〕テトラデカー3,8,10,12−テトラエ
ンのごときノルボルネン系単量体;
Tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1
7,10 ] -dodec-3-ene (common name: tetracyclododecene), 8-methyl-tetracyclo [4.4.0.
1 2, 5. 17, 10 ] -dodec-3-ene, 8-ethyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 .
17, 10 ] -dodec-3-ene, 8-methylidene-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 17, 10 ] -dodec-3-ene, 8-ethylidene-tetracyclo [4.
4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -dodec-3-ene,
8-vinyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1
7,10 ] -dodec-3-ene, 8-propenyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10] - dodeca-3-ene, 8-methoxycarbonyloxy - tetracyclo [4.4.0.1 2, 5. 1 7,10 ] -dodeca-3-
Ene, 8-methyl-8-methoxycarbonyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 17, 10 ]-dodeca-
3-ene, 8-hydroxymethyl-tetracyclo [4.
4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -dodec-3-ene,
8-carboxy-tetracyclo [4.4.0.
12,5 . 17 , 10 ] -Dodeca-3-ene, 8-cyclopentyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1
7,10 ] -dodec-3-ene, 8-cyclohexyl-
Tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 17, 10 ]-
Dodeca-3-ene, 8-cyclohexenyl - tetracyclo [4.4.0.1 2, 5. 1 7,10 ] -dodeca-3
-Ene, 8-phenyl-tetracyclo [4.4.0.1
2,5 . 17, 10 ] -dodec-3-ene, pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9, 13] pentadeca-3,10-diene, pentacyclo [7.4.
0.1 3,6 . 1 1 0,13. 0 2,7 ] -pentadeca-4,11-diene, tetracyclo [6.5.0.1
2,5 . 0 8,13] Torideka 3,8,10,12-
Tetraene, tetracyclo [6.6.0.1 2,5 . 1
8,13] Tetoradeka 3,8,10,12- tetraene such as norbornene monomer;

【0021】シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘ
キセン、3,4−ジメチルシクロペンテン、3−メチル
シクロヘキセン、2−(2−メチルブチル)−1−シク
ロヘキセン、シクロオクテン、3a,5,6,7a−テ
トラヒドロ−4,7−メタノ−1H−インデン、シクロ
ヘプテンのごとき単環のシクロアルケン;ビニルシクロ
ヘキセンやビニルシクロヘキサンのごときビニル系脂環
式炭化水素系単量体;シクロペンタジエン、シクロヘキ
サジエンのごとき脂環式共役ジエン系モノマー;などが
挙げられる。芳香族オレフィンとしては、スチレン、α
−メチルスチレン、ジビニルベンゼンなどが挙げられ
る。脂環式オレフィン及び/又は芳香族オレフィンは、
それぞれ単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用い
ることができる。
Cyclobutene, cyclopentene, cyclohexene, 3,4-dimethylcyclopentene, 3-methylcyclohexene, 2- (2-methylbutyl) -1-cyclohexene, cyclooctene, 3a, 5,6,7a-tetrahydro-4,7- Monocyclic cycloalkenes such as methano-1H-indene and cycloheptene; vinyl alicyclic hydrocarbon monomers such as vinylcyclohexene and vinylcyclohexane; alicyclic conjugated diene monomers such as cyclopentadiene and cyclohexadiene; Is mentioned. As aromatic olefins, styrene, α
-Methylstyrene, divinylbenzene and the like. The alicyclic olefin and / or the aromatic olefin are
Each can be used alone or in combination of two or more.

【0022】脂環式オレフィン重合体は、前記脂環式オ
レフィン及び/又は芳香族オレフィンと、これらと共重
合可能な単量体とを共重合して得られるものであっても
よい。脂環式オレフィン又は芳香族オレフィンと共重合
可能な単量体としては、エチレン、プロピレン、1−ブ
テン、1−ペンテン、1−ヘキセン、3−メチル−1−
ブテン、3−メチル−1−ペンテン、3−エチル−1−
ペンテン、4−メチル−1−ペンテン、4−メチル−1
−ヘキセン、4,4−ジメチル−1−ヘキセン、4,4
−ジメチル−1−ペンテン、4−エチル−1−ヘキセ
ン、3−エチル−1−ヘキセン、1−オクテン、1−デ
セン、1−ドデセン、1−テトラデセン、1−ヘキサデ
セン、1−オクタデセン、1−エイコセンなどの炭素数
2〜20のエチレンまたはα−オレフィン;1,4−ヘ
キサジエン、4−メチル−1,4−ヘキサジエン、5−
メチル−1,4−ヘキサジエン、1,7−オクタジエ
ン、1,3−ブタジエン、イソプレンなどのジエン;等
が挙げられる。これらの単量体は、それぞれ単独で、あ
るいは2種以上を組み合わせて使用することができる。
なお、開環重合においては、上記共重合可能な単量体は
分子量調整剤として機能することがある。脂環式オレフ
ィン又は/及び芳香族オレフィンの重合方法及び必要に
応じて行われる水素添加の方法は、格別な制限はなく、
公知の方法に従って行うことができる。
The alicyclic olefin polymer may be obtained by copolymerizing the alicyclic olefin and / or aromatic olefin with a monomer copolymerizable therewith. Examples of monomers copolymerizable with an alicyclic olefin or an aromatic olefin include ethylene, propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, and 3-methyl-1-.
Butene, 3-methyl-1-pentene, 3-ethyl-1-
Pentene, 4-methyl-1-pentene, 4-methyl-1
-Hexene, 4,4-dimethyl-1-hexene, 4,4
-Dimethyl-1-pentene, 4-ethyl-1-hexene, 3-ethyl-1-hexene, 1-octene, 1-decene, 1-dodecene, 1-tetradecene, 1-hexadecene, 1-octadecene, 1-eicosene Ethylene or α-olefin having 2 to 20 carbon atoms, such as 1,4-hexadiene, 4-methyl-1,4-hexadiene, 5-
Diene such as methyl-1,4-hexadiene, 1,7-octadiene, 1,3-butadiene, and isoprene; and the like. These monomers can be used alone or in combination of two or more.
In the ring-opening polymerization, the copolymerizable monomer may function as a molecular weight regulator. The method of polymerizing the alicyclic olefin or / and the aromatic olefin and the method of hydrogenation performed as required are not particularly limited,
It can be performed according to a known method.

【0023】脂環式オレフィン重合体の具体例として
は、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添
加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネ
ン系単量体とビニル化合物との付加重合体、単環シクロ
アルケン重合体、脂環式共役ジエン重合体、ビニル系脂
環式炭化水素重合体及びその水素添加物、芳香族オレフ
ィン重合体の芳香環水素添加物などが挙げられる。これ
らの中でも、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びそ
の水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノ
ルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、芳
香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物が好ましく、
特にノルボルネン系単量体の開環重合体の水素添加物が
好ましい。前記の脂環式オレフィン重合体は、それぞれ
単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることが
できる。
Specific examples of the alicyclic olefin polymer include a ring-opened polymer of a norbornene-based monomer and a hydrogenated product thereof, an addition polymer of a norbornene-based monomer, a norbornene-based monomer and a vinyl compound. Addition polymers, monocyclic cycloalkene polymers, alicyclic conjugated diene polymers, vinyl alicyclic hydrocarbon polymers and hydrogenated products thereof, and aromatic ring hydrogenated aromatic olefin polymers. . Among these, a ring-opening polymer of a norbornene-based monomer and a hydrogenated product thereof, an addition polymer of a norbornene-based monomer, an addition polymer of a norbornene-based monomer and a vinyl compound, and an aromatic olefin polymer. Aromatic hydrogenated products are preferred,
Particularly, a hydrogenated product of a ring-opening polymer of a norbornene-based monomer is preferable. The alicyclic olefin polymers described above can be used alone or in combination of two or more.

【0024】脂環式オレフィン重合体は、その分子量に
よって特に制限されない。脂環式オレフィン重合体の分
子量は、シクロヘキサンまたはトルエンを溶媒とするゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で測
定されるポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)
で、通常1,000〜1,000,000、好ましくは
5,000〜500,000、より好ましくは10,0
00〜250,000の範囲である。脂環式オレフィン
重合体の重量平均分子量(Mw)がこの範囲にあるとき
には、耐熱性、成形物表面の平滑性などがバランスされ
好適である。
The alicyclic olefin polymer is not particularly limited by its molecular weight. The molecular weight of the alicyclic olefin polymer is determined by gel permeation chromatography (GPC) using cyclohexane or toluene as a solvent. The weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene is measured.
And usually 1,000 to 1,000,000, preferably 5,000 to 500,000, more preferably 10,000.
The range is from 00 to 250,000. When the weight average molecular weight (Mw) of the alicyclic olefin polymer is within this range, heat resistance, smoothness of the surface of the molded product, and the like are balanced, which is preferable.

【0025】脂環式オレフィン重合体の分子量分布は、
シクロヘキサンまたはトルエンを溶媒とするGPCで測
定される重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(M
n)との比(Mw/Mn)で、通常5以下、好ましくは
4以下、より好ましくは3以下である。上記の重量平均
分子量(Mw)及び分子量分布(Mw/Mn)の範囲及
び測定法は、ノルボルネン系重合体に好適に適合する
が、それに限定されるものではない。また、上記方法で
重量平均分子量や分子量分布が測定できない脂環式オレ
フィン重合体の場合には、通常の溶融加工法により樹脂
層を形成し得る程度の溶融粘度や重合度を有するものを
使用することができる。脂環式オレフィン重合体のガラ
ス転移温度は、使用目的に応じて適宜選択されればよい
が、通常50℃以上、好ましくは70℃以上、より好ま
しくは100℃以上、最も好ましくは125℃以上であ
る。
The molecular weight distribution of the alicyclic olefin polymer is
Weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mw) measured by GPC using cyclohexane or toluene as a solvent
The ratio (Mw / Mn) to n) is usually 5 or less, preferably 4 or less, more preferably 3 or less. The above ranges of the weight average molecular weight (Mw) and the molecular weight distribution (Mw / Mn) and the measuring method are suitably adapted to the norbornene-based polymer, but are not limited thereto. In the case of an alicyclic olefin polymer whose weight-average molecular weight or molecular weight distribution cannot be measured by the above method, a polymer having a melt viscosity and a degree of polymerization sufficient to form a resin layer by a normal melt processing method is used. be able to. The glass transition temperature of the alicyclic olefin polymer may be appropriately selected depending on the purpose of use, but is usually 50 ° C. or higher, preferably 70 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, and most preferably 125 ° C. or higher. is there.

【0026】硬化性樹脂組成物を構成する芳香族ポリエ
ーテル重合体は、芳香環を有するポリエーテルであっ
て、通常、2,6−ジメチルフェノールや2,6−ジフ
ェニルフェノールのごとき2,6−ジ置換フェノール類
を銅(II)アミン錯体のごとき塩基性銅(II)塩の
存在下で酸素と反応させて得ることができる。芳香族ポ
リエーテル重合体としては、ポリフェニレンエーテル、
変性ポリフェニレンエーテル等が挙げられる。これらの
うち誘電率及び誘電正接が小さい変性ポリフェニレンエ
ーテルが好適である。
The aromatic polyether polymer constituting the curable resin composition is a polyether having an aromatic ring, and is usually a 2,6-dimethylphenol or 2,6-diphenylphenol such as 2,6-dimethylphenol. It can be obtained by reacting a disubstituted phenol with oxygen in the presence of a basic copper (II) salt such as a copper (II) amine complex. As the aromatic polyether polymer, polyphenylene ether,
Modified polyphenylene ether and the like can be mentioned. Among these, modified polyphenylene ether having a small dielectric constant and a small dielectric tangent is preferable.

【0027】本発明に用いる硬化性樹脂組成物には硬化
剤が配合されていてもよい。硬化剤としては、格別な限
定はなく、例えば、イオン性硬化剤、ラジカル性硬化剤
又はイオン性とラジカル性とを兼ね備えた硬化剤等が用
いられ、絶縁抵抗性、耐熱性、耐薬品性、及び脂環式オ
レフィン重合体との相溶性の観点でイオン性硬化剤が好
ましい。
The curable resin composition used in the present invention may contain a curing agent. As the curing agent, there is no particular limitation, for example, an ionic curing agent, a radical curing agent or a curing agent having both ionic and radical properties, and the like, insulation resistance, heat resistance, chemical resistance, An ionic curing agent is preferable from the viewpoint of compatibility with the alicyclic olefin polymer.

【0028】イオン性硬化剤としては、例えば、脂肪族
ポリアミン化合物;脂環族ポリアミン化合物;芳香族ポ
リアミン化合物;ビスアジド化合物;カルボン酸無水
物;ジカルボン酸;ジオール化合物;トリオール;多価
フェノール;多価アミド化合物;ジイソシアネート化合
物;多価エポキシ化合物などが挙げられる。ラジカル性
硬化剤としては、例えば、有機ペルオキシドなどが挙げ
られる。これらの中でも、ジオール化合物、多価フェノ
ール化合物及び常温固体の多価エポキシ化合物が、特
に、常温固体の多価エポキシ化合物が好ましい。これら
の硬化剤は、それぞれ単独で、あるいは2種以上を組み
合わせて用いることができ、その配合割合は、脂環式オ
レフィン重合体又は芳香族ポリエーテル重合体(以下、
脂環式オレフィン重合体等という。)100重量部に対
して、通常5〜150重量部、好ましくは15〜110
重量部、より好ましくは30〜100重量部の範囲であ
る。
Examples of the ionic curing agent include aliphatic polyamine compounds; alicyclic polyamine compounds; aromatic polyamine compounds; bisazide compounds; carboxylic acid anhydrides; dicarboxylic acids; diol compounds; triols; Amide compounds; diisocyanate compounds; polyepoxy compounds and the like. Examples of the radical curing agent include organic peroxides. Among these, a diol compound, a polyhydric phenol compound, and a normal-temperature solid polyvalent epoxy compound are preferable, and a normal-temperature solid polyvalent epoxy compound is particularly preferable. Each of these curing agents can be used alone or in combination of two or more. The compounding ratio of the curing agents is set to alicyclic olefin polymer or aromatic polyether polymer (hereinafter, referred to as “polyaliphatic olefin polymer”).
It is called an alicyclic olefin polymer or the like. 5) 150 parts by weight, preferably 15 to 110 parts by weight, per 100 parts by weight
Parts by weight, more preferably 30 to 100 parts by weight.

【0029】脂環式オレフィン重合体等と硬化剤との硬
化反応を促進させるために、硬化促進剤や硬化助剤を使
用することもできる。硬化促進剤は、特に限定されな
い。硬化剤が、例えば多価エポキシ化合物の場合には、
第3級アミン系化合物や三弗化ホウ素錯化合物などが好
適である。なかでも、第3級アミン系化合物を使用する
と、微細配線に対する積層性、絶縁抵抗性、耐熱性、耐
薬品性が向上する。これらの硬化促進剤は、それぞれ単
独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いられる。硬
化促進剤の配合量は、使用目的に応じて適宜選択される
が、脂環式オレフィン重合体等100重量部に対して、
通常0.001〜30重量部、好ましくは0.01〜1
0重量部、より好ましくは0.03〜5重量部である。
In order to accelerate the curing reaction between the alicyclic olefin polymer or the like and the curing agent, a curing accelerator or a curing assistant may be used. The curing accelerator is not particularly limited. When the curing agent is, for example, a polyvalent epoxy compound,
Tertiary amine compounds and boron trifluoride complex compounds are preferred. Above all, when a tertiary amine compound is used, lamination properties, insulation resistance, heat resistance, and chemical resistance to fine wiring are improved. These curing accelerators are used alone or in combination of two or more. The compounding amount of the curing accelerator is appropriately selected according to the purpose of use, but based on 100 parts by weight of the alicyclic olefin polymer or the like,
Usually 0.001 to 30 parts by weight, preferably 0.01 to 1 part
0 parts by weight, more preferably 0.03 to 5 parts by weight.

【0030】硬化助剤は、特に限定されるものではな
い。例えば、オキシム・ニトロソ系硬化助剤;マレイミ
ド系硬化助剤;アリル系硬化助剤;メタクリレート系硬
化助剤;ビニル系硬化助剤等が挙げられる。これらの硬
化助剤は、それぞれ単独で、あるいは2種以上を組み合
わせて用いることができ、その配合割合は、硬化剤10
0重量部に対して、通常1〜1000重量部、好ましく
は10〜500重量部の範囲である。
The curing assistant is not particularly limited. For example, oxime / nitroso-based curing aids; maleimide-based curing aids; allyl-based curing aids; methacrylate-based curing aids; vinyl-based curing aids; These curing aids can be used alone or in combination of two or more, respectively.
It is usually in the range of 1 to 1000 parts by weight, preferably 10 to 500 parts by weight with respect to 0 parts by weight.

【0031】本発明に用いる硬化性樹脂組成物には液状
エポキシ樹脂が配合されているのが好ましい。液状エポ
キシ樹脂は、溶剤の不存在下の常温で液体のエポキシ化
合物(あるいは樹脂)である。具体的には、フェノール
型液状エポキシ樹脂として、CAS 58421−55
−9、CAS 9003−85−4、、CAS 306
21−65−9、CAS 89118−70−7、ジブ
ロモクレジルグリシジルエーテル;アミン型液状エポキ
シ樹脂として、CAS 28768−32−3、既存化
学物質 3−2792、CAS 2095−06−9、
CAS 40027−50−7;アルコール型液状エポ
キシ樹脂として、CAS 34629−78−2、CA
S 29611−97−0、CAS 7−343、CA
S 9072−62−2、CAS 30499−70−
8、CAS 30583−72−3、CAS 1112
1−15−6;エステル型液状エポキシ樹脂としては、
CAS 27103−66−8、CAS 7195−4
5−1、CAS 36343−81−4、CAS 36
221−25−7、CAS 68475−94−5、C
AS 68991−71−9;その他の液状エポキシ樹
脂として、CAS25085−98−7、CAS 29
797−71−5、CAS 26616−47−7、C
AS 28825−96−9;エポキシ変性液状ゴム
(具体的にはエポキシ変性液状ポリブタジエン)、ゴム
分散液状エポキシ樹脂、ビスフェノールA型液状エポキ
シ樹脂、ビスフェノールF型液状エポキシ樹脂、フェノ
ールノボラック型液状エポキシ樹脂などが挙げられる。
The curable resin composition used in the present invention preferably contains a liquid epoxy resin. Liquid epoxy resin is an epoxy compound (or resin) that is liquid at room temperature in the absence of a solvent. Specifically, as a phenol type liquid epoxy resin, CAS 58421-55
-9, CAS 9003-85-4, CAS 306
21-65-9, CAS 89118-70-7, dibromocresyl glycidyl ether; as amine type liquid epoxy resin, CAS 28768-32-3, existing chemical substance 3-2792, CAS 2095-06-9,
CAS 40027-50-7; as alcohol type liquid epoxy resins, CAS 34629-78-2, CA
S 29611-97-0, CAS 7-343, CA
S 9072-62-2, CAS 30499-70-
8, CAS 30583-72-3, CAS 1112
1-15-6; As the ester type liquid epoxy resin,
CAS 27103-66-8, CAS 7195-4
5-1, CAS 36343-81-4, CAS 36
221-25-7, CAS 68475-94-5, C
AS68991-71-9; CAS25085-98-7, CAS29 as other liquid epoxy resins.
797-71-5, CAS 26616-47-7, C
AS 28825-96-9; epoxy-modified liquid rubber (specifically, epoxy-modified liquid polybutadiene), rubber-dispersed liquid epoxy resin, bisphenol A type liquid epoxy resin, bisphenol F type liquid epoxy resin, phenol novolak type liquid epoxy resin, etc. No.

【0032】これら液状エポキシ樹脂は、それぞれ単独
で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることがで
き、その配合割合は、脂環式オレフィン重合体等100
重量部に対して、通常1〜100重量部、好ましくは5
〜80重量部、より好ましくは7〜60重量部の範囲で
ある。
Each of these liquid epoxy resins can be used alone or in combination of two or more, and the compounding ratio thereof is 100 or less.
1 to 100 parts by weight, preferably 5 to 100 parts by weight,
-80 parts by weight, more preferably 7-60 parts by weight.

【0033】本発明に用いる硬化性樹脂組成物には、上
記以外に、所望に応じて、脂環式オレフィン重合体等以
外の重合体やその他の配合剤を配合することができる。
脂環式オレフィン重合体等以外の重合体としては、例え
ば、ゴム質重合体や樹脂を挙げることができる。ゴム質
重合体は、通常30℃以下のTgを有する重合体であ
り、具体例としては、天然ゴム、ポリイソブチレンゴ
ム、ブチルゴム、ポリブタジエンゴム、ポリイソプレン
ゴム、アクリロニトリル・ブタジエン共重合体ゴム、ス
チレン・ブタジエン共重合体ゴム、スチレン・イソプレ
ン共重合体ゴム、スチレン・ブタジエン・イソプレン三
元共重合体ゴムのごときジエン系ゴム及びこれらジエン
系ゴムの水素添加物;エチレン・プロピレン共重合体等
のエチレン・α−オレフィン共重合体、プロピレン・そ
の他のα−オレフィン共重合体などの飽和ポリオレフィ
ンゴム;エチレン・プロピレン・ジエン共重合体、α−
オレフィン・ジエン共重合体、イソブチレン・イソプレ
ン共重合体、イソブチレン・ジエン共重合体などのα−
オレフィン・ジエン系重合体ゴム;ウレタンゴム、ポリ
エーテルゴム、アクリルゴム、プロピレンオキサイドゴ
ム、エチレンアクリルゴムなどの特殊ゴム;スチレン・
ブタジエン・スチレンブロック共重合体ゴム、スチレン
・イソプレン・スチレンブロック共重合体ゴムなどのス
チレン系熱可塑性エラストマー及びそれらの水素添加
物;ウレタン系熱可塑性エラストマー;ポリアミド系熱
可塑性エラストマー;1,2−ポリブタジエン系熱可塑
性エラストマー;シリコーンゴムなどが挙げられる。
The curable resin composition used in the present invention may further contain, if desired, a polymer other than the alicyclic olefin polymer and other compounding agents.
Examples of the polymer other than the alicyclic olefin polymer and the like include a rubbery polymer and a resin. The rubbery polymer is a polymer having a Tg of usually 30 ° C. or less, and specific examples include natural rubber, polyisobutylene rubber, butyl rubber, polybutadiene rubber, polyisoprene rubber, acrylonitrile / butadiene copolymer rubber, and styrene. Diene rubbers such as butadiene copolymer rubber, styrene / isoprene copolymer rubber, styrene / butadiene / isoprene terpolymer rubber, and hydrogenated products of these diene rubbers; ethylene such as ethylene / propylene copolymer; Saturated polyolefin rubbers such as α-olefin copolymers, propylene / other α-olefin copolymers; ethylene / propylene / diene copolymers, α-
Α- such as olefin / diene copolymer, isobutylene / isoprene copolymer, isobutylene / diene copolymer
Olefin / diene polymer rubber; special rubbers such as urethane rubber, polyether rubber, acrylic rubber, propylene oxide rubber, and ethylene acrylic rubber; styrene
Styrene-based thermoplastic elastomers such as butadiene / styrene block copolymer rubber and styrene / isoprene / styrene block copolymer rubber and hydrogenated products thereof; urethane-based thermoplastic elastomer; polyamide-based thermoplastic elastomer; 1,2-polybutadiene -Based thermoplastic elastomer; silicone rubber and the like.

【0034】樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレ
ン、高密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、
超低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、シンジオタク
チックポリプロピレン、ポリブテン、ポリペンテンなど
のポリオレフィン;ナイロン66などのポリアミド;エ
チレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−酢酸
ビニル共重合体;ポリエステル;ポリカーボネート;ア
クリル樹脂;ポリイミド;シリコーン樹脂などが挙げら
れる。
As the resin, for example, low density polyethylene, high density polyethylene, linear low density polyethylene,
Polyolefins such as ultra low density polyethylene, polypropylene, syndiotactic polypropylene, polybutene and polypentene; polyamides such as nylon 66; ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer; polyester; polycarbonate; Silicone resin and the like can be mentioned.

【0035】これらの重合体は、それぞれ単独で、ある
いは2種以上を組み合わせて用いることができる。その
他の重合体の配合割合は、脂環式オレフィン重合体等1
00重量部に対して、通常100重量部以下、好ましく
は70重量部以下、より好ましくは50重量部以下であ
り、その下限は0重量部である。
These polymers can be used alone or in combination of two or more. The mixing ratio of the other polymers is 1 such as an alicyclic olefin polymer.
The amount is usually 100 parts by weight or less, preferably 70 parts by weight or less, more preferably 50 parts by weight or less with respect to 00 parts by weight, and the lower limit is 0 parts by weight.

【0036】その他の配合剤としては、フィラー、難燃
剤、難燃助剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、レベリング
剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、
防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合成油、ワック
ス、乳剤などが挙げられ、その配合割合は、本発明の目
的を損ねない範囲で適宜選択される。
Other compounding agents include fillers, flame retardants, flame retardant aids, heat stabilizers, weather stabilizers, leveling agents, antistatic agents, slip agents, antiblocking agents,
Examples include anti-fogging agents, lubricants, dyes, pigments, natural oils, synthetic oils, waxes, emulsions, and the like.

【0037】また、配合剤として絶縁抵抗性及び耐剥離
性を向上させるために、チオール化合物、特に、分子中
に少なくとも二個のチオール基を有する多価チオール化
合物が好ましく、さらに分子内にヘテロ環構造を有する
ものがより好ましい。ヘテロ環の構造としてはトリアジ
ン環構造が好ましい。配線埋め込み性をさらに考慮した
場合には特にトリアジンチオール化合物が好ましい。チ
オール化合物の配合量は、脂環式オレフィン重合体等1
00重量部に対して、通常0.001〜30重量部、好
ましくは0.01〜10重量部である。配合量が少なす
ぎると、絶縁抵抗性及び耐剥離性の向上効果が発揮され
にくくなり、配合量が多すぎると、耐熱性及び耐薬品性
が低下傾向になる。
In order to improve insulation resistance and peeling resistance as a compounding agent, a thiol compound, particularly a polyvalent thiol compound having at least two thiol groups in a molecule, is preferable. Those having a structure are more preferred. As the structure of the hetero ring, a triazine ring structure is preferable. In consideration of the wiring embedding property, a triazine thiol compound is particularly preferable. The compounding amount of the thiol compound is 1
The amount is usually 0.001 to 30 parts by weight, preferably 0.01 to 10 parts by weight, based on 00 parts by weight. If the amount is too small, the effect of improving insulation resistance and peeling resistance is difficult to be exhibited, and if the amount is too large, heat resistance and chemical resistance tend to decrease.

【0038】多層回路基板の電気絶縁層には、内層基板
を構成するもの(電気絶縁層(1))と、層間絶縁膜を
構成するもの(電気絶縁層(2))とがある。本発明の
製造方法を適用できる電気絶縁層は、内層基板を構成す
るもの及び層間絶縁膜を構成するもののいずれでもよい
が、好適には層間絶縁膜を構成するものである。内層基
板は、その具体例としてプリント配線基板、シリコンウ
ェハー基板などが挙げられる。内層基板の厚みは、通常
50μm〜2mm、好ましくは60μm〜1.6mm、
より好ましくは100μm〜1mmである。内層基板
は、前記高分子材料、好適にはガラス繊維、アラミド繊
維などを強度向上のために含有させたものから形成され
ており、通常、加熱プレス法などの方法によって得られ
る。
The electric insulating layers of the multilayer circuit board include those forming an inner layer substrate (electric insulating layer (1)) and those forming an interlayer insulating film (electric insulating layer (2)). The electrical insulating layer to which the manufacturing method of the present invention can be applied may be any of those forming an inner layer substrate and those forming an interlayer insulating film, but preferably forms an interlayer insulating film. Specific examples of the inner layer substrate include a printed wiring board and a silicon wafer substrate. The thickness of the inner layer substrate is usually 50 μm to 2 mm, preferably 60 μm to 1.6 mm,
More preferably, it is 100 μm to 1 mm. The inner layer substrate is formed from a material containing the above-mentioned polymer material, preferably glass fiber, aramid fiber or the like for improving the strength, and is usually obtained by a method such as a hot press method.

【0039】層間絶縁膜は、前記内層基板上に電気絶縁
層(2)を積層することによって形成される。その形成
方法としては、前記の硬化性樹脂組成物等の溶液又は分
散液を内層基板上に塗布した後、溶媒を除去乾燥して硬
化性組成物の塗布層を形成した後、該組成物を硬化させ
る方法;硬化性樹脂組成物をフィルム又はシートに成形
し、そのシート又はフィルムを加熱圧着等により内層基
板上に重ね合わせた後に、硬化させる方法などが挙げら
れる。本発明においてはシート又はフィルムを加熱圧着
する方法で形成してできた電気絶縁層(2)が好適であ
る。電気絶縁層(2)の厚みは、通常0.1〜150μ
m、好ましくは0.5〜100μm、より好ましくは
1.0〜80μmである。
The interlayer insulating film is formed by laminating an electric insulating layer (2) on the inner layer substrate. As a forming method, after applying a solution or dispersion of the curable resin composition or the like on the inner layer substrate, the solvent is removed and dried to form a coating layer of the curable composition. Curing method: a method in which the curable resin composition is formed into a film or a sheet, and the sheet or the film is laminated on an inner layer substrate by heat compression and the like, and then cured. In the present invention, an electric insulating layer (2) formed by a method of heat-pressing a sheet or a film is preferable. The thickness of the electrically insulating layer (2) is usually 0.1 to 150 μm.
m, preferably 0.5 to 100 μm, more preferably 1.0 to 80 μm.

【0040】硬化性樹脂組成物からなるフィルム又はシ
ートを内層基板上に積層するには、該フィルム又はシー
トが内層基板面に接するように重ね合わせ、加圧ラミネ
ータ、プレス、真空ラミネータ、真空プレス、ロールラ
ミネータなどの加圧機を使用して加熱圧着する。加熱圧
着は、配線への埋め込み性を向上させ、気泡等の発生を
抑えるために真空下で行うのが好ましい。加熱圧着時の
温度は、通常30〜250℃、好ましくは70〜200
℃、圧着力は、通常0.1〜200kgf/cm、好
ましくは1〜100kgf/cm、圧着時間は、通常
30秒〜5時間、好ましくは1分〜3時間であり、好ま
しくは300mmHg〜0.1mmHgに減圧する。次
いで、通常30〜400℃、好ましくは70〜300
℃、より好ましくは100〜200℃の温度でフィルム
又はシートを硬化させる。
In order to laminate a film or sheet made of the curable resin composition on the inner layer substrate, the film or sheet is overlaid so as to be in contact with the surface of the inner layer substrate, and a pressure laminator, a press, a vacuum laminator, a vacuum press, Thermocompression bonding is performed using a press machine such as a roll laminator. The thermocompression bonding is preferably performed under vacuum in order to improve the embedding property in the wiring and suppress generation of bubbles and the like. The temperature during thermocompression bonding is usually 30 to 250 ° C, preferably 70 to 200 ° C.
° C, pressure bonding force is usually 0.1 to 200 kgf / cm 2 , preferably 1 to 100 kgf / cm 2 , and pressure bonding time is usually 30 seconds to 5 hours, preferably 1 minute to 3 hours, and preferably 300 mmHg ~. Reduce the pressure to 0.1 mmHg. Then, usually 30 to 400 ° C, preferably 70 to 300
Curing the film or sheet at a temperature of 100C, more preferably 100-200C.

【0041】本発明の製造方法においては、電気絶縁層
(2)で仕切られた導電体回路間を接続するためにビア
を形成することができる。ビアは、ドリル、レーザーな
どの物理的処理によって形成することもできるし、前記
硬化性樹脂組成物をマスキングして光で硬化させ未硬化
部分を取り除く、いわゆるフォトリソグラフィーによっ
ても形成することができる。これらビア形成方法のう
ち、絶縁層の特性を低下させず、より微細なビアを形成
できるという観点から、炭酸ガスレーザー、エキシマレ
ーザー、UV−YAGレーザー等のレーザーによる方法
が好ましい。
In the manufacturing method of the present invention, vias can be formed for connecting the conductor circuits separated by the electric insulating layer (2). The via can be formed by a physical treatment such as a drill or a laser, or can be formed by so-called photolithography, in which the curable resin composition is masked and cured with light to remove an uncured portion. Among these via forming methods, a method using a laser such as a carbon dioxide gas laser, an excimer laser, and a UV-YAG laser is preferable from the viewpoint that finer vias can be formed without deteriorating the characteristics of the insulating layer.

【0042】[0042]

【実施例】以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を
具体的に説明する。なお、実施例中、〔部〕は、特に断
りのない限り〔重量部〕のことである。
The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples. In the examples, “parts” means “parts by weight” unless otherwise specified.

【0043】(評価及び測定方法) (1)分子量は、特に断りのない限り、トルエンを溶媒
とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー
(GPC)によるポリスチレン換算値として測定した。 (2)水素化率及びカルボキシル基含有率は、H−N
MRにより測定した。 (3)ガラス移転温度(Tg)は、示差走査熱量法(D
SC法)により測定した。 (4)密着性試験 配線板の内層絶縁層と上層絶縁層のピール強度をJIS
C6481に準拠して、90度剥離試験によって求め
た。 (5)パターニング性試験 配線幅30μm、配線間距離30μmで100本の配線
パターンを形成し、その配線100本がいずれも形状に
乱れが無い場合は”A”、形状に乱れがあるが欠損の無
いものを”B”、欠損のあるものを”D”として評価し
た。
(Evaluation and Measurement Methods) (1) Unless otherwise specified, the molecular weight was measured in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) using toluene as a solvent. (2) The hydrogenation rate and carboxyl group content are 1 H-N
Measured by MR. (3) The glass transition temperature (Tg) is determined by the differential scanning calorimetry (D
SC method). (4) Adhesion test The peel strength of the inner insulating layer and the upper insulating layer of the wiring board was measured according to JIS.
It was determined by a 90 degree peel test in accordance with C6481. (5) Patterning test 100 wiring patterns were formed with a wiring width of 30 μm and a distance between wirings of 30 μm, and “A” was given if none of the 100 wirings was disturbed in shape, and “A” was disturbed in shape but was defective. Those with no defect were evaluated as "B" and those with defects were evaluated as "D".

【0044】実施例1 8−エチリデン−テトラシクロ〔4.4.0.
2,5.17,10〕−ドデカ−3−エンを開環重合
し、次いで水素添加反応を行い、数平均分子量(Mn)
=31,200、重量平均分子量(Mw)=55,80
0、Tg=約155℃の水素化重合体を得た。得られた
ポリマーの水素化率は99%以上であった。得られた重
合体28部、無水マレイン酸10部及びジクミルパーオ
キシド3部をt−ブチルベンゼン130部に溶解し、1
40℃で6時間反応を行った。得られた反応生成物溶液
を300部のメタノール中に注ぎ、反応生成物を凝固さ
せマレイン酸変性水素化重合体を得た。この変性水素化
重合体を100℃で20時間真空乾燥した。この変性水
素化重合体の分子量はMn=33,200、Mw=6
8,300でTgは170℃であった。マレイン酸基含
有率は25モル%であった。
Example 1 8-ethylidene-tetracyclo [4.4.0.
12,5 . [ 7,10 ] -dodec-3-ene is subjected to ring-opening polymerization, followed by a hydrogenation reaction to obtain a number average molecular weight (Mn).
= 31,200, weight average molecular weight (Mw) = 55,80
A hydrogenated polymer having a Tg of about 155 ° C. was obtained. The hydrogenation rate of the obtained polymer was 99% or more. 28 parts of the obtained polymer, 10 parts of maleic anhydride, and 3 parts of dicumyl peroxide were dissolved in 130 parts of t-butylbenzene.
The reaction was performed at 40 ° C. for 6 hours. The obtained reaction product solution was poured into 300 parts of methanol, and the reaction product was solidified to obtain a maleic acid-modified hydrogenated polymer. The modified hydrogenated polymer was vacuum dried at 100 ° C. for 20 hours. The molecular weight of this modified hydrogenated polymer is Mn = 33,200, Mw = 6.
At 8,300, the Tg was 170 ° C. The maleic acid group content was 25 mol%.

【0045】前記の変性水素化重合体100部、1,3
−ジアリルー5−グリシジルイソシアヌレート50部、
ジクミルペルオキシド5部、平均粒径3μmのポリリン
酸メラミン塩40部、トルエン175部及びメチルイソ
ブチルケトン117部からなる混合溶媒に溶解させてワ
ニスを得た。該ワニスを孔径10ミクロンのテフロン
(登録商標)製精密フィルターでろ過した後、ダイコー
ターを用いて、厚さ75ミクロンのポリエチレンナフタ
レートフィルム(キャリアフィルム)に塗工し、その後
窒素オーブン中で120℃で210秒間乾燥させ樹脂厚
み35ミクロンのキャリアーフィルム付きドライフィル
ムを得た。
100 parts of the above modified hydrogenated polymer, 1,3
-Diallyl-5-glycidyl isocyanurate 50 parts,
A varnish was obtained by dissolving in a mixed solvent consisting of 5 parts of dicumyl peroxide, 40 parts of a melamine polyphosphate having an average particle diameter of 3 μm, 175 parts of toluene and 117 parts of methyl isobutyl ketone. The varnish was filtered through a precision filter made of Teflon (registered trademark) having a pore diameter of 10 μm, and then applied to a polyethylene naphthalate film (carrier film) having a thickness of 75 μm using a die coater. After drying at 210 ° C. for 210 seconds, a dry film with a carrier film having a resin thickness of 35 μm was obtained.

【0046】配線幅及び配線間距離が75ミクロンで、
配線層厚さが18ミクロンの導体配線層と、直径0.2
mmのメッキスルーホールとが形成された、厚さ0.8
mmのコア基板上に、前述のキャリアーフィルム付きド
ライフィルムを、樹脂面が内側となるようにしてコア基
板両面に重ね、真空ラミネーターを用いて、1mmHg
に減圧し、温度150℃、圧力5kgf/cmで30
分間加熱圧着して積層板を得た。得られた積層板をラミ
ネーターから取り出し、ポリエチレンナフタレートフィ
ルムのみを剥がし、積層板を窒素オーブン中で、150
℃、60分間加熱し、次いで180℃、60分間加熱し
て、樹脂を硬化させて電気絶縁層を形成した。
When the wiring width and the distance between the wirings are 75 microns,
A conductor wiring layer having a wiring layer thickness of 18 microns and a diameter of 0.2
0.8mm thick with plated through hole of mm
The above-mentioned dry film with a carrier film is placed on both sides of the core substrate such that the resin surface is on the inner side of the core substrate with a thickness of 1 mmHg using a vacuum laminator.
At a temperature of 150 ° C. and a pressure of 5 kgf / cm 2 .
The laminate was obtained by heating and pressing for minutes. The obtained laminate was taken out of the laminator, and only the polyethylene naphthalate film was peeled off.
The resin was cured by heating at 60 ° C. for 60 minutes and then at 180 ° C. for 60 minutes to form an electric insulating layer.

【0047】得られた積層板の、絶縁層部分に、UV−
YAGレーザーを用いて直径30ミクロンの層間接続の
ビアホールを形成した。次いで上記積層板を水洗、乾燥
させた後、あらかじめ170℃に加熱して周波数13.
56MHz、出力100W、ガス圧0.8Paのアルゴ
ンプラズマに10分間さらした。処理中は積層板を17
0℃に保持した。次に該積層板を出力500W、ガス圧
0.8Paでニッケルスパッタ処理し、厚さ0.03ミ
クロンのニッケル膜を形成させ、次いで出力500W、
ガス圧0.8Paで銅スパッタ処理し、厚さ0.3ミク
ロンの銅薄膜を形成させた。この積層板表面に市販の感
光性ドライフィルムを熱圧着して貼り付け、さらに、こ
のドライフィルム上に所定のパターンのマスクを密着さ
せ露光した後、現像してレジストパターンを得た。次に
レジスト非形成部分に電解銅メッキを施し厚さ18ミク
ロンの電解銅メッキ膜を形成させた。次いで、レジスト
パターンを剥離液にて剥離除去し、レジスト形成部分の
下に隠れていたスパッタ膜を塩化第二銅と塩酸混合溶液
により除去して配線パターンを形成した。そして、最後
に、170℃で30分間アニール処理をして回路基板を
得た。
In the obtained laminated plate, UV-
Via holes of 30 μm in diameter for interlayer connection were formed using a YAG laser. Next, the laminate is washed with water and dried, and then heated to 170 ° C. in advance to obtain a frequency of 13.
It was exposed to argon plasma of 56 MHz, output of 100 W and gas pressure of 0.8 Pa for 10 minutes. During processing, the laminate
It was kept at 0 ° C. Next, the laminate is subjected to nickel sputtering at an output of 500 W and a gas pressure of 0.8 Pa to form a nickel film having a thickness of 0.03 μm.
Copper sputtering was performed at a gas pressure of 0.8 Pa to form a 0.3 μm thick copper thin film. A commercially available photosensitive dry film was bonded to the surface of the laminated plate by thermocompression bonding, and a mask having a predetermined pattern was brought into close contact with the dry film, exposed, and then developed to obtain a resist pattern. Next, electrolytic copper plating was applied to the non-resist forming portion to form an electrolytic copper plating film having a thickness of 18 μm. Next, the resist pattern was stripped and removed with a stripping solution, and the sputtered film hidden under the resist-formed portion was removed with a mixed solution of cupric chloride and hydrochloric acid to form a wiring pattern. Finally, annealing was performed at 170 ° C. for 30 minutes to obtain a circuit board.

【0048】2−ジブチルアミノ−4,6−ジメルカプ
ト−S−トリアジン0.1部をイソプロピルアルコール
100部に溶解させ導電体層前処理溶液を得た。上記で
得られた回路基板を、導電体層前処理溶液に室温で1分
間浸漬させた後、90℃で15分間乾燥させた。この処
理を施した回路基板を、前述のコア基板として使用し、
上記と同様にして絶縁層、導電体層を繰り返し形成し両
面合計6層の多層回路基板を得た。評価結果を表1に示
す。
0.1 part of 2-dibutylamino-4,6-dimercapto-S-triazine was dissolved in 100 parts of isopropyl alcohol to obtain a conductor layer pretreatment solution. The circuit board obtained above was immersed in a conductor layer pretreatment solution at room temperature for 1 minute, and then dried at 90 ° C. for 15 minutes. Using this processed circuit board as the core board,
An insulating layer and a conductor layer were repeatedly formed in the same manner as above to obtain a multilayer circuit board having a total of six layers on both sides. Table 1 shows the evaluation results.

【0049】比較例 実施例1においてアルゴンプラズマ処理時の積層板温度
を20℃とし保持した他は、実施例1と同様にして多層
回路基板を得た。評価結果を表1に示す。
Comparative Example A multilayer circuit board was obtained in the same manner as in Example 1, except that the temperature of the laminate during the argon plasma treatment was kept at 20 ° C. Table 1 shows the evaluation results.

【0050】実施例2 実施例1においてアルゴンプラズマ処理時の積層板温度
を130℃とし保持した他は、実施例1と同様にして多
層回路基板を得た。評価結果を表1に示す。 実施例3 実施例1において電解銅メッキ厚を18μmから40μ
mとした他は、実施例1と同様にして多層回路基板を得
た。評価結果を表1に示す。 実施例4 アルゴンプラズマ処理時の積層板温度を150℃とし保
持するとともに、ニッケル膜の代わりにクロム膜を形成
した他は実施例1と同様にして多層回路基板を得た。評
価結果を表1に示す。
Example 2 A multilayer circuit board was obtained in the same manner as in Example 1, except that the temperature of the laminate during the argon plasma treatment was kept at 130 ° C. Table 1 shows the evaluation results. Example 3 In Example 1, the electrolytic copper plating thickness was changed from 18 μm to 40 μm.
A multilayer circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that m was used. Table 1 shows the evaluation results. Example 4 A multilayer circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the temperature of the laminated plate during the argon plasma treatment was kept at 150 ° C. and a chromium film was formed instead of the nickel film. Table 1 shows the evaluation results.

【0051】[0051]

【表1】 [Table 1]

【0052】表1から、室温においてプラズマと接触さ
せたものに比べ、高温でプラズマと接触させたものは、
ニッケルやクロムや銅などの導電体のスパッタ膜の密着
強度が高くなることがわかる。
From Table 1, it can be seen that, as compared with those contacted with plasma at room temperature, those contacted with plasma at high temperature are:
It can be seen that the adhesion strength of a sputtered film of a conductor such as nickel, chromium, or copper is increased.

【0053】[0053]

【発明の効果】本発明の製法によれば、電気絶縁層と導
電体層との密着性が高く、且つパターニング性に優れた
多層回路基板を容易に得られる。本発明製法によって得
られた多層回路基板は、コンピューターや携帯電話等の
電子機器において、CPUやメモリなどの半導体素子、
その他の実装部品を実装するためのプリント配線板とし
て使用できる。特に、微細配線を有するものは高密度プ
リント配線基板として、高速コンピューターや、高周波
領域で使用する携帯端末の配線基板として好適である。
According to the manufacturing method of the present invention, a multilayer circuit board having high adhesion between an electric insulating layer and a conductor layer and excellent in patternability can be easily obtained. The multilayer circuit board obtained by the method of the present invention is used in electronic devices such as computers and mobile phones, semiconductor elements such as CPUs and memories,
It can be used as a printed wiring board for mounting other mounting components. In particular, those having fine wiring are suitable as high-density printed wiring boards, and as wiring boards for high-speed computers and portable terminals used in high-frequency regions.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C25D 5/56 C25D 5/56 B 7/00 7/00 J H05K 3/14 H05K 3/14 A 3/38 3/38 A // C08L 101:00 C08L 101:00 Fターム(参考) 4F073 AA04 BA06 BA22 BA27 BA48 BB01 BB07 CA01 HA04 HA09 HA11 4K024 AA09 AB03 AB08 AB15 BA14 BB11 FA05 GA01 GA16 5E343 AA02 AA12 AA16 BB15 BB16 BB23 BB24 BB25 BB28 BB44 BB71 DD22 DD23 DD25 DD43 EE36 EE39 ER33 FF16 FF23 GG04 GG06 5E346 AA06 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 CC08 CC32 DD02 DD15 DD22 DD24 DD32 DD44 EE06 EE18 EE31 EE33 EE38 FF04 FF12 GG15 GG16 GG17 GG18 GG22 GG27 GG28 HH11 HH31──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C25D 5/56 C25D 5/56 B 7/00 7/00 J H05K 3/14 H05K 3/14 A 3 / 38 3/38 A // C08L 101: 00 C08L 101: 00 F term (reference) 4F073 AA04 BA06 BA22 BA27 BA48 BB01 BB07 CA01 HA04 HA09 HA11 4K024 AA09 AB03 AB08 AB15 BA14 BB11 FA05 GA01 GA16 5E343 AA02 AA12 AA16 BB15 BB16 BB16 BB25 BB28 BB44 BB71 DD22 DD23 DD25 DD43 EE36 EE39 ER33 FF16 FF23 GG04 GG06 5E346 AA06 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 CC08 CC32 DD02 DD15 DD22 DD24 DD32 DD44 EE06 EE18 EE31 EE33 GG18 GG18 GG18 GG18 GG38

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 高分子材料からなる電気絶縁層を表面温
度50〜250℃でプラズマと接触させ、次いで該表面
に導電体層を形成することを含む多層回路基板の製造方
法。
1. A method for manufacturing a multilayer circuit board, comprising: contacting an electrically insulating layer made of a polymer material with plasma at a surface temperature of 50 to 250 ° C., and then forming a conductor layer on the surface.
【請求項2】 高分子材料が、脂環式オレフィン重合体
又は芳香族ポリエーテル重合体を含有する、硬化性樹脂
組成物が硬化してなるものである請求項1記載の多層回
路基板の製造方法。
2. The production of a multilayer circuit board according to claim 1, wherein the polymer material is obtained by curing a curable resin composition containing an alicyclic olefin polymer or an aromatic polyether polymer. Method.
【請求項3】 乾式メッキを含む方法によって導電体層
を形成することを含む請求項1記載の多層回路基板の製
造方法。
3. The method according to claim 1, further comprising forming the conductive layer by a method including dry plating.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10586322B2 (en) 2017-03-22 2020-03-10 Toshiba Memory Corporation Method for detecting coordinates, coordinate output device and defect inspection device

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