JP2002231454A - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device

Info

Publication number
JP2002231454A
JP2002231454A JP2001366998A JP2001366998A JP2002231454A JP 2002231454 A JP2002231454 A JP 2002231454A JP 2001366998 A JP2001366998 A JP 2001366998A JP 2001366998 A JP2001366998 A JP 2001366998A JP 2002231454 A JP2002231454 A JP 2002231454A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
organic
emitting device
metal
metal complex
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001366998A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4255635B2 (en
Inventor
Tetsushi Seo
哲史 瀬尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2001366998A priority Critical patent/JP4255635B2/en
Publication of JP2002231454A publication Critical patent/JP2002231454A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4255635B2 publication Critical patent/JP4255635B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bright, low electric power consumption and inexpensive light emitting device and an electric appliance. SOLUTION: Phosphorescence of an organic light emitting material 1204b usually observing only fluorescence can be accelerated by including the organic light emitting material 1240b in an interstitial positioning of a heavy metal complex 1204a for forming a lattice structure. An organic EL element obtained in this way has high light emitting efficiency since the phosphorescence can be used, and is colorful in light emitting colors since a conventional organic light emitting material can be used, and can also be inexpensively manufactured. The light emitting device and the electric appliance are manufactured by using this organic EL element.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する分野】本発明は、陽極層と、陰極層と、
EL(Electro Luminescence;電場を加えることで発生す
るルミネッセンス)が得られる有機化合物を含む膜(以
下、「有機EL層」と記す)とを有する素子(以下、「有
機EL素子」と記す)を用いた発光装置に関する。有機化
合物におけるELには、一重項励起状態から基底状態に戻
る際の発光(蛍光)と三重項励起状態から基底状態に戻
る際の発光(燐光)があるが、本発明では特に、二次元
的あるいは三次元的な網目構造に起因する細孔を形成で
きる金属錯体を発光層に適用することによって、発光材
料を前記細孔中に配列させ、燐光発光を促進させうる発
光装置に関する。なお、本明細書中における発光装置と
は、発光素子として有機EL素子を用いた画像表示デバイ
スもしくは発光デバイスを指す。また、有機EL素子にTA
B(Tape Automated Bonding)テープもしくはTCP(Tape
Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TAB
テープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュ
ール、または有機EL素子にCOG(ChipOn Glass)方式に
よりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て
発光装置に含むものとする。
[0001] The present invention relates to an anode layer, a cathode layer,
EL (Electro Luminescence; luminescence generated by applying an electric field) and a film containing an organic compound (hereinafter referred to as "organic EL layer") containing an organic compound (hereinafter referred to as "organic EL element") Light emitting device. EL in organic compounds includes light emission when returning from a singlet excited state to a ground state (fluorescence) and light emission when returning from a triplet excited state to a ground state (phosphorescence). Alternatively, the present invention relates to a light-emitting device capable of promoting phosphorescence by applying a metal complex capable of forming a pore due to a three-dimensional network structure to a light-emitting layer, whereby a light-emitting material is arranged in the pore. Note that a light-emitting device in this specification refers to an image display device or a light-emitting device using an organic EL element as a light-emitting element. In addition, TA
B (Tape Automated Bonding) tape or TCP (Tape
Carrier Package) attached module, TAB
The light emitting device also includes a module in which a printed wiring board is provided at the end of a tape or TCP, or a module in which an IC (integrated circuit) is directly mounted on an organic EL element by a COG (Chip On Glass) method.

【0002】[0002]

【従来の技術】有機EL素子は電場を加えることにより発
光する素子である。その発光機構は、電極間に有機EL層
を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入され
た電子および陽極から注入された正孔が有機EL層中の発
光中心で再結合して励起状態の分子(以下、「分子励起
子」と記す)を形成し、その分子励起子が基底状態に戻
る際にエネルギーを放出して発光すると言われている。
2. Description of the Related Art An organic EL device is a device that emits light when an electric field is applied. The light emission mechanism is such that by applying a voltage across the organic EL layer between the electrodes, the electrons injected from the cathode and the holes injected from the anode recombine at the emission center in the organic EL layer and become excited. (Hereinafter, referred to as “molecular exciton”), and emits energy when the molecular exciton returns to the ground state to emit light.

【0003】通常の有機EL素子において、有機EL層は1
μmを下回るほどの薄膜で形成される。また、有機EL素
子自体が自発光型の素子であるため、従来の液晶ディス
プレイに用いられているようなバックライトも必要な
い。したがって、有機EL素子は極めて薄型軽量に作製で
きることが大きな利点である。
In an ordinary organic EL device, the organic EL layer
It is formed with a thin film of less than μm. Also, since the organic EL element itself is a self-luminous element, there is no need for a backlight as used in conventional liquid crystal displays. Therefore, it is a great advantage that the organic EL element can be made extremely thin and lightweight.

【0004】また、例えば100〜200nm程度の有機EL層に
おいて、キャリアを注入してから再結合に至るまでの時
間は、有機EL層のキャリア移動度を考えると数十ナノ秒
程度であり、再結合から発光までの過程を含めてもマイ
クロ秒以内のオーダーで発光に至る。したがって、非常
に応答速度が速いことも特長の一つである。
In addition, in an organic EL layer of, for example, about 100 to 200 nm, the time from carrier injection to recombination is about several tens of nanoseconds in consideration of the carrier mobility of the organic EL layer. Light emission occurs on the order of microseconds or less, including the process from coupling to light emission. Therefore, one of the features is that the response speed is extremely fast.

【0005】さらに、有機EL素子はキャリア注入型の発
光素子であるため、直流電圧での駆動が可能であり、ノ
イズが生じにくい。駆動電圧に関しては、キャリア注入
障壁を小さくするような電極材料を選択する、あるいは
ヘテロ構造(積層構造)を導入する、などの方法により
数ボルトオーダーでの駆動が可能である(文献1:C.W.
Tang and S. A. VanSlyke, "Organic electroluminesc
ent diodes", Applied Physics Letters, vol. 51, No.
12, 913-915 (1987))。文献1では、陰極としてMg:Ag
合金を用い、ジアミン化合物とトリス(8−キノリノラ
ト)−アルミニウム(以下、「Alq3」と記す)を積層す
るヘテロ構造を採用することにより、直流低電圧駆動を
実現している。
Further, since the organic EL element is a carrier-injection type light emitting element, it can be driven by a DC voltage and is less likely to generate noise. Regarding the driving voltage, it is possible to drive on the order of several volts by a method such as selecting an electrode material that reduces the carrier injection barrier or introducing a hetero structure (laminated structure) (Reference 1: CW).
Tang and SA VanSlyke, "Organic electroluminesc
ent diodes ", Applied Physics Letters, vol. 51, No.
12, 913-915 (1987)). In Literature 1, Mg: Ag
DC low-voltage driving is realized by employing a heterostructure in which a diamine compound and tris (8-quinolinolato) -aluminum (hereinafter, referred to as “Alq 3 ”) are stacked using an alloy.

【0006】こういった薄型軽量・高速応答性・直流低
電圧駆動などの特性から、有機EL素子は次世代のフラッ
トパネルディスプレイ素子として注目されている。ま
た、自発光型であり視野角が広いことから、視認性も比
較的良好であり、携帯機器の表示画面に用いる素子とし
て有効と考えられている。
[0006] Owing to such characteristics as thin and light weight, high-speed response, and DC low-voltage driving, the organic EL element is receiving attention as a next-generation flat panel display element. In addition, since it is a self-luminous type and has a wide viewing angle, it has relatively good visibility and is considered to be effective as an element used for a display screen of a portable device.

【0007】ところで、有機ELとは分子励起子が基底状
態に戻る際に発光する現象であることは先に述べたが、
有機化合物が形成する分子励起子の励起状態としては、
一重項励起状態(S*)と三重項励起状態(T*)が可能で
ある。また、有機EL素子におけるその統計的な生成比率
は、S*:T*=1:3であると考えられている(文献2:筒
井哲夫、「応用物理学会有機分子・バイオエレクトロニ
クス分科会・第3回講習会テキスト」、P.31(199
3))。
As mentioned earlier, the organic EL is a phenomenon that emits light when molecular excitons return to the ground state.
As the excited state of the molecular exciton formed by the organic compound,
Singlet excited states (S * ) and triplet excited states (T * ) are possible. The statistical generation ratio of the organic EL device is considered to be S * : T * = 1: 3 (Reference 2: Tetsuo Tsutsui, "The Society of Applied Physics, Organic Molecule and Bioelectronics Subcommittee, No. 3rd Workshop Text ", P.31 (199
3)).

【0008】しかしながら、一般的な有機化合物は室温
において、三重項励起状態(T*)からの発光(燐光)は
観測されず、通常は一重項励起状態(S*)からの発光
(蛍光)のみが観測される。有機化合物の基底状態は通
常、一重項基底状態(S0)であるため、T*→S0遷移は禁
制遷移となり、S*→S0遷移は許容遷移となるからであ
る。
However, in general organic compounds, at room temperature, light emission (phosphorescence) from the triplet excited state (T * ) is not observed, and usually only light emission (fluorescence) from the singlet excited state (S * ). Is observed. This is because the ground state of an organic compound is usually a singlet ground state (S 0 ), so that the T * → S 0 transition is a forbidden transition and the S * → S 0 transition is an allowable transition.

【0009】すなわち、一重項励起状態(S*)のみが通
常は発光に寄与するのであり、このことは有機EL素子に
おいても同様である。したがって、有機EL素子における
内部量子効率(注入したキャリアに対して発生するフォ
トンの割合)の理論的限界は、S*:T*=1:3であること
を根拠に25%とされていた。
That is, only the singlet excited state (S * ) usually contributes to light emission, and the same applies to an organic EL device. Therefore, the theoretical limit of the internal quantum efficiency (the ratio of photons generated to injected carriers) in the organic EL device was set to 25% based on the fact that S * : T * = 1: 3.

【0010】また、発生した光は全て外部に放出される
わけではなく、一部の光は有機EL素子構成材料(有機EL
層材料、電極材料)や基板材料固有の屈折率が原因で取
り出すことができない。発生した光のうち外部に取り出
される率は光の取り出し効率と呼ばれるが、ガラス基板
を有する有機EL素子において、その取り出し効率は約20
%程度と言われている。
[0010] Further, not all generated light is emitted to the outside, and a part of the light is emitted from an organic EL device constituent material (organic EL device).
Layer material, electrode material) and the refractive index inherent in the substrate material, and cannot be extracted. The rate at which the generated light is extracted to the outside is called light extraction efficiency. In an organic EL device having a glass substrate, the extraction efficiency is about 20%.
It is said to be about%.

【0011】以上の理由から、注入したキャリアが全て
分子励起子を形成したとしても、その注入キャリア数に
対して最終的に外部に取り出せるフォトンの割合(以
下、「外部量子効率」と記す)の理論的限界は、25%×2
0%=5%と言われていた。すなわち、全てのキャリアが再
結合したとしても、そのうちの5%しか光として取り出せ
ない計算になる。
For the above reasons, even if all the injected carriers form molecular excitons, the ratio of photons that can be finally extracted to the outside (hereinafter referred to as “external quantum efficiency”) with respect to the number of injected carriers is as follows. The theoretical limit is 25% x 2
It was said that 0% = 5%. That is, even if all carriers are recombined, only 5% of the carriers can be extracted as light.

【0012】ところが近年、三重項励起状態(T*)から
基底状態に戻る際に放出されるエネルギー(以下、「三
重項励起エネルギー」と記す)を発光に変換できる有機
EL素子が相次いで発表され、その発光効率の高さが注目
されている(文献3:D. F.O'Brien, M. A. Baldo, M.
E. Thompson and S. R. Forrest, "Improved energytra
nsfer in electrophosphorescent devices", Applied P
hysics Letters, vol. 74, No. 3, 442-444 (1999))
(文献4:Tetsuo Tsutsui, Moon-Jae Yang, Masayuki
Yahiro, Kenji Nakamura, Teruichi Watanabe, Taishi
Tsuji, Yoshinori Fukuda, Takeo Wakimoto and Satosh
i Miyaguchi, "High Quantum Efficiency in Organic L
ight-Emitting Devices with Iridium-Complex as a Tr
iplet Emissive Center", Japanese Journal of Applie
d Physics, Vol. 38, L1502-L1504 (1999))。
However, in recent years, an organic substance capable of converting energy released upon returning from the triplet excited state (T * ) to the ground state (hereinafter referred to as "triplet excited energy") into light emission.
EL devices have been announced one after another, and their high luminous efficiency has attracted attention (Reference 3: DFO'Brien, MA Baldo, M., et al.
E. Thompson and SR Forrest, "Improved energytra
nsfer in electrophosphorescent devices ", Applied P
hysics Letters, vol. 74, No. 3, 442-444 (1999))
(Reference 4: Tetsuo Tsutsui, Moon-Jae Yang, Masayuki
Yahiro, Kenji Nakamura, Teruichi Watanabe, Taishi
Tsuji, Yoshinori Fukuda, Takeo Wakimoto and Satosh
i Miyaguchi, "High Quantum Efficiency in Organic L
ight-Emitting Devices with Iridium-Complex as a Tr
iplet Emissive Center ", Japanese Journal of Applie
d Physics, Vol. 38, L1502-L1504 (1999)).

【0013】文献3では白金を中心金属とする金属錯体
(以下、「白金錯体」と記す)を、文献4ではイリジウ
ムを中心金属とする金属錯体(以下、「イリジウム錯
体」と記す)を用いており、いずれの金属錯体も第3遷
移系列元素を中心金属として導入していることが特徴で
あると言える。その中には、先に述べた外部量子効率の
理論的限界値5%をゆうに越えるものも存在する。
Reference 3 uses a metal complex having platinum as a central metal (hereinafter referred to as “platinum complex”), and Reference 4 uses a metal complex having iridium as a central metal (hereinafter referred to as “iridium complex”). Therefore, it can be said that each metal complex is characterized by introducing the third transition series element as a central metal. Some of them well exceed the theoretical limit of 5% for the external quantum efficiency mentioned above.

【0014】文献3および文献4に示されるとおり、三
重項励起エネルギーを発光に変換できる有機EL素子
は、従来よりも高い外部量子効率を達成できる。そし
て、外部量子効率が高くなれば発光輝度も向上する。し
たがって、三重項励起エネルギーを発光に変換できる有
機EL素子は、高輝度発光・高発光効率を達成するための
手法として、今後の開発において大きなウェートを占め
るものと考えられる。
As shown in References 3 and 4, an organic EL device capable of converting triplet excitation energy into light emission can achieve a higher external quantum efficiency than conventional ones. Then, as the external quantum efficiency increases, the emission luminance also increases. Therefore, an organic EL device capable of converting triplet excitation energy into light emission is considered to occupy a large weight in future development as a technique for achieving high luminance light emission and high light emission efficiency.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、白金も
しくはイリジウムは共にいわゆる貴金属であるため、そ
れらを用いた白金錯体やイリジウム錯体も高価であり、
将来的にコスト低減の弊害になることが予想される。
However, since both platinum and iridium are so-called noble metals, platinum and iridium complexes using them are also expensive.
It is expected that cost reduction will be adversely affected in the future.

【0016】さらに、前記イリジウム錯体の発光色は緑
色、すなわち可視光領域の中では中間に位置する波長で
ある。また、前記白金錯体はドーパントとして用いると
比較的色純度のよい赤色に発光するが、濃度が低い場合
はホスト材料も光ってしまうため色純度が悪くなり、濃
度が高い場合は濃度消光のため発光効率が落ちてしまう
という欠点がある。つまり、色純度の高い赤色や青色の
高効率発光は、三重項励起エネルギーを発光に変換でき
る有機EL素子からは得られていない。
The emission color of the iridium complex is green, that is, a wavelength located at an intermediate position in the visible light region. When the platinum complex is used as a dopant, it emits red light having relatively good color purity. However, when the concentration is low, the host material also emits light, so that the color purity is deteriorated. There is a disadvantage that efficiency is reduced. That is, high-efficiency light emission of red or blue with high color purity has not been obtained from an organic EL device that can convert triplet excitation energy into light emission.

【0017】したがって将来的に、赤、緑、青の発光色
を用いてフルカラーのフラットパネルディスプレイを作
製することを考えると、イリジウム錯体や白金錯体と同
様に高い外部量子効率でなおかつ色純度の高い赤色発光
および青色発光を、できる限り安価な材料を用いて達成
しなければならない。
Therefore, considering that a full-color flat panel display is to be produced using the red, green, and blue luminescent colors in the future, high external quantum efficiency and high color purity are obtained as in the case of the iridium complex and the platinum complex. Red and blue emission must be achieved using as inexpensive materials as possible.

【0018】このような背景から、既存のイリジウム錯
体や白金錯体を用いた有機EL素子以外に、三重項励起エ
ネルギーを発光に変換しうる有機EL素子の開発が望まれ
る。その最も単純な方法としては、室温で燐光発光する
ような新しい有機化合物を開発することであるが、未だ
明確な分子設計方針は確立されておらず、非常に困難な
面が多い。
From such a background, it is desired to develop an organic EL device capable of converting triplet excitation energy into light emission, in addition to an organic EL device using an existing iridium complex or platinum complex. The simplest method is to develop a new organic compound that emits phosphorescence at room temperature. However, a clear molecular design policy has not yet been established, and there are many difficult aspects.

【0019】そこで、新たな燐光発光材料を開発するこ
とも重要であるが、従来有機EL素子に用いられている発
光材料に対して、燐光発光を促進させるような有機EL層
の構成を設計する手法が望ましい。従来有機EL素子に用
いられている発光材料ならば、既に様々な発光色が得ら
れているため、多彩な発光色を呈する可能性がある上
に、安価な材料も多数存在するからである。
Therefore, it is also important to develop a new phosphorescent material, but the structure of the organic EL layer that promotes phosphorescence is designed with respect to the light-emitting materials conventionally used in organic EL devices. An approach is desirable. This is because, in the case of a light-emitting material conventionally used for an organic EL element, since various light-emitting colors have already been obtained, there is a possibility that various light-emitting colors may be exhibited, and there are many inexpensive materials.

【0020】したがって本発明では、三重項励起エネル
ギーを発光に変換しうる有機EL素子を、従来有機EL素子
に用いられている発光材料を用いつつ、発光層の構成を
工夫することによって達成することを課題とする。それ
により、発光効率が高く、なおかつ従来の有機化合物を
用いることで多彩な発光色を呈する上に、安価に作製で
きる有機EL素子を提供することを課題とする。
Therefore, in the present invention, an organic EL device capable of converting triplet excitation energy into light emission can be achieved by devising a structure of a light emitting layer while using a light emitting material conventionally used for an organic EL device. As an issue. Accordingly, it is an object of the present invention to provide an organic EL element which has high luminous efficiency, exhibits various luminescent colors by using a conventional organic compound, and can be manufactured at low cost.

【0021】また、本発明が開示する有機EL素子を用い
て、明るく消費電力が少ない上に多彩な発光色を呈する
発光装置を、安価に提供することを課題とする。さら
に、そのような発光装置を用いることで、明るく消費電
力が少ない上に多彩な発光色を呈し、安価な電気器具を
提供することを課題とする。
It is another object of the present invention to provide a light-emitting device that uses the organic EL element disclosed by the present invention, is bright, consumes less power, and exhibits various luminescent colors at low cost. Further, it is another object to provide an inexpensive electric appliance which is bright, consumes less power, exhibits a variety of luminescent colors, and uses such a light emitting device.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】本発明者は、PL(Photo
Luminescence;光を照射することによって生じるルミネ
ッセンス)の分野において知られている重原子効果に着
目した。重原子効果とは、分子内ないしは溶媒内に重原
子(多くの原子核荷重を保有している原子)を導入する
ことにより、スピン−軌道相互作用が大きくなり、燐光
発光が促進されることをいう。なお、原子核荷重とは原
子番号、すなわち原子核の正電荷の数に相当する。
Means for Solving the Problems The present inventor has proposed a PL (Photo
We focused on the heavy atom effect known in the field of luminescence caused by light irradiation. The heavy atom effect means that the introduction of a heavy atom (an atom having a large nuclear load) into a molecule or a solvent increases spin-orbit interaction and promotes phosphorescence. . The nuclear load corresponds to the atomic number, that is, the number of positive charges of the nucleus.

【0023】また、重原子効果には内部重原子効果と外
部重原子効果の二種類がある。内部重原子効果とは、発
光材料の分子内に重原子が含まれる場合に燐光発光が促
進されることを言う。これに対し、発光材料を溶質とし
て含む溶媒中に重原子が存在する場合でも、発光材料の
燐光発光の促進が観測されることがあり、この現象は外
部重原子効果と呼ばれている。
There are two types of heavy atom effects, an internal heavy atom effect and an external heavy atom effect. The internal heavy atom effect means that phosphorescence is promoted when a heavy atom is contained in a molecule of the light emitting material. On the other hand, even when a heavy atom is present in a solvent containing a luminescent material as a solute, promotion of phosphorescent emission of the luminescent material may be observed, and this phenomenon is called an external heavy atom effect.

【0024】そこで、有機EL素子においても外部重原子
効果を発現させることができれば、燐光が得られる可能
性があると考えられる。すなわち、重原子を含む材料を
発光材料周辺に存在させることによって、燐光発光を促
進させる手法である。
Therefore, it is considered that phosphorescence may be obtained if the external heavy atom effect can be exhibited also in the organic EL device. That is, a phosphorescent emission is promoted by causing a material containing a heavy atom to exist around the light emitting material.

【0025】単純には、重原子として金属を有機EL層の
発光層中に分散させる方法が考えられるが、その場合は
発光層として機能しにくいと考えられる。例えば、アル
カリ金属(セシウムなど)を有機EL層にドーピングした
とすると、そのドーピングされた層は導電性が向上し、
キャリア輸送層として優れた機能を発揮できる。ところ
が、ドーピングした金属は、励起エネルギーを失活させ
て発光を妨げる材料(以下、「クエンチャ」と記す)に
なるため、ドーピングされた層は発光しない。したがっ
て、このようにドーピングされた層を発光層として用い
ることは通常困難であり、重原子効果の導入が不可能と
なる。
[0025] Simply, a method of dispersing a metal as a heavy atom in the light emitting layer of the organic EL layer can be considered, but in this case, it is considered that it is difficult to function as the light emitting layer. For example, if an organic EL layer is doped with an alkali metal (such as cesium), the doped layer has improved conductivity,
Excellent function as carrier transport layer. However, the doped metal does not emit light because the doped metal becomes a material that deactivates the excitation energy and prevents light emission (hereinafter, referred to as “quencher”). Therefore, it is usually difficult to use a layer doped in this way as a light emitting layer, and it becomes impossible to introduce a heavy atom effect.

【0026】したがって、要は金属そのものではなく、
重原子を含む絶縁体を発光材料周辺に配置すればよい。
すなわち、重原子を含む材料としてバンドギャップの大
きな絶縁体を用いることにより、発光材料からのエネル
ギー移動および失活を防ぎ、クエンチャとなることを防
止するのである。これにより、重原子効果による燐光発
光の促進が期待できる。
Therefore, the point is not the metal itself,
An insulator containing a heavy atom may be provided around the light emitting material.
That is, by using an insulator having a large band gap as a material containing a heavy atom, energy transfer and deactivation from a light-emitting material are prevented, and a quencher is prevented. Thereby, promotion of phosphorescence by the heavy atom effect can be expected.

【0027】例えば、絶縁体であるゼオライトの細孔中
に分散させた有機材料の、PL特性に関する報告がある
(文献5:V. Ramamurthy, J. V Caspar, D. F. Eaton,
EricaW. Kuo, and D. R. Corbin, "Heavy-Atom-Induce
d Phosphorescence of Aromatics and Olefins Include
d within Zeolites", Journal of American ChemicalSo
ciety, Vol. 114, No. 10, 3882-3892 (1992))。文献
5によれば、ゼオライトの細孔中に含まれる有機材料の
PLについて、ゼオライトのカチオン(Li、Na、K、Rb、C
s、およびTl)を置換していくと、カチオンが重い原子
になるほど重原子効果によって燐光発光が促進されると
いう結果が得られている。
For example, there is a report on PL characteristics of an organic material dispersed in pores of zeolite as an insulator (Reference 5: V. Ramamurthy, J. V Caspar, DF Eaton,
EricaW. Kuo, and DR Corbin, "Heavy-Atom-Induce
d Phosphorescence of Aromatics and Olefins Include
d within Zeolites ", Journal of American ChemicalSo
ciety, Vol. 114, No. 10, 3882-3892 (1992)). According to Document 5, the organic material contained in the pores of zeolite
For PL, zeolite cations (Li, Na, K, Rb, C
By substituting s and Tl), it has been found that as the cation becomes heavier, the phosphorescence is promoted by the heavy atom effect.

【0028】ここで特に、文献5のように、重原子を含
む絶縁体は多孔体(できる限り細孔径の分布が均一なも
の)の形態で用い、前記多孔体の細孔内部に発光材料を
導入する手法が望ましいと本発明者は考えている。なぜ
ならば、発光材料が前記多孔体に周囲を囲まれる構造に
なるため、前記多孔体に含まれる重原子と発光材料との
相互作用が増大し、重原子効果による燐光発光の促進が
発現しやすいと予想されるためである。また、細孔中に
発光材料が閉じこめられ、更にその細孔が規則的に並ん
でいることから、擬似的に超格子構造のような状態とな
り、安定な分子励起子が発生して発光特性の向上に繋が
る可能性もある。
In particular, as described in Reference 5, the insulator containing heavy atoms is used in the form of a porous body (having a pore diameter distribution as uniform as possible), and a luminescent material is placed inside the pores of the porous body. The present inventor considers that the method of introducing is desirable. This is because the light-emitting material has a structure surrounded by the porous body, so that the interaction between the heavy atoms contained in the porous body and the light-emitting material is increased, and the promotion of phosphorescence by the heavy atom effect is easily developed. It is expected. In addition, since the luminescent material is confined in the pores and the pores are regularly arranged, a pseudo-lattice-like structure is generated, and stable molecular excitons are generated to improve the luminescence characteristics. It may lead to improvement.

【0029】ただし、有機EL素子において、発光材料を
ゼオライト中に含有させて素子を駆動させるためにはい
くつかの問題点がある。まず、電極上にゼオライトを設
けた場合、有機EL層に対するキャリアの注入が妨げら
れ、むしろ発光特性が悪くなる可能性がある。また、10
0〜200nm程度の薄膜としてゼオライトを成膜する技術も
必要である。さらには、真空蒸着ではゼオライト中に発
光材料を含有させることができない(湿式法ならば可能
である)ことも挙げられる。
However, in the organic EL device, there are some problems in driving the device by incorporating a luminescent material in zeolite. First, when zeolite is provided on the electrode, injection of carriers into the organic EL layer is hindered, and the light emission characteristics may be rather deteriorated. Also, 10
A technique for forming a zeolite as a thin film of about 0 to 200 nm is also required. Further, it is also possible that a zeolite cannot contain a luminescent material by vacuum deposition (it is possible with a wet method).

【0030】これらの電気特性上およびプロセス上の問
題点を考えると、文献5で示されたようなゼオライトを
用いた燐光発光の促進は、PLだからこそ容易な手法であ
ると言える。つまり、ELの素子に適用することは比較的
困難である。
Considering these problems in terms of electrical characteristics and process, it can be said that the promotion of phosphorescence emission using a zeolite as described in Reference 5 is an easy method because of PL. That is, it is relatively difficult to apply to EL devices.

【0031】そこで本発明者は、重原子を含む多孔体の
細孔中に発光材料を含有させるというコンセプトを活か
しつつ、なおかつ電気特性上およびプロセス上の問題点
も生じにくい手法を考案した。それは、網目状の構造を
形成する金属錯体を発光材料に対するホストとして用
い、そのホストの網目中に発光材料を分散させる手法で
ある。その模式図を図1に示す。
Therefore, the present inventor has devised a method that makes use of the concept of allowing a light emitting material to be contained in the pores of a porous body containing a heavy atom and that does not easily cause problems in electrical characteristics and processes. This is a technique in which a metal complex forming a network structure is used as a host for a light emitting material, and the light emitting material is dispersed in the network of the host. The schematic diagram is shown in FIG.

【0032】金属錯体によって形成される網目(以下、
単に「格子」と記す)としては、金属原子101aが格子点
に位置して配位子102aが架橋する図1(a)のような形態
(以下、「格子A1」と記す)と、配位子102bが格子点に
位置して金属原子101bが架橋する図1(b)のような形態
(以下、「格子B1」と記す)が考えられる。なお、格子
の形は図1のような四角形に限らず、様々な多角形(六
角形など)が可能であると考えられる。また、格子は2
次元(平面)構造および3次元(立体)構造の両方が可
能である。
The network formed by the metal complex (hereinafter referred to as
As a form simply referred to as a “lattice”, there is a form as shown in FIG. 1A in which a metal atom 101a is located at a lattice point and a ligand 102a is crosslinked (hereinafter referred to as a “lattice A1”). FIG. 1 (b) (hereinafter, referred to as “lattice B1”), in which the child 102b is located at a lattice point and the metal atom 101b is bridged, is considered. Note that the shape of the lattice is not limited to the square as shown in FIG. 1, and various polygons (such as hexagons) are considered to be possible. The grid is 2
Both dimensional (planar) and three-dimensional (solid) structures are possible.

【0033】そして、このような格子構造を有する金属
錯体の合成時ないしは成膜時に、適度な分子の大きさを
持つ発光材料103を混合することによって、前記格子構
造の格子間位置に発光材料を導入できる。
At the time of synthesizing or forming a metal complex having such a lattice structure, the light-emitting material 103 having an appropriate molecular size is mixed, so that the light-emitting material is located at an interstitial position of the lattice structure. Can be introduced.

【0034】そこで本発明では、ELが得られる有機化合
物と、金属錯体と、からなる発光層を含む有機EL素子を
有する発光装置において、前記金属錯体は、金属原子と
配位子とが交互に配列する格子構造を形成し、前記金属
原子が格子点であってなおかつ前記配位子が前記格子点
を架橋する構造であることを特徴とする(格子A1)。
Therefore, according to the present invention, in a light emitting device having an organic EL element including a light emitting layer composed of an organic compound capable of obtaining EL and a metal complex, the metal complex comprises metal atoms and ligands alternately. A lattice structure to be arranged is formed, wherein the metal atoms are lattice points, and the ligand bridges the lattice points (lattice A1).

【0035】また、本発明では、ELが得られる有機化合
物と、金属錯体と、からなる発光層を含む有機EL素子を
有する発光装置において、前記金属錯体は、金属原子と
配位子とが交互に配列する格子構造を形成し、前記配位
子が格子点であってなおかつ前記金属原子が前記格子点
を架橋する構造であることを特徴とする(格子B1)。
Further, according to the present invention, in a light emitting device having an organic EL element including a light emitting layer composed of an organic compound capable of obtaining EL and a metal complex, the metal complex has metal atoms and ligands alternately. In which the ligands are lattice points and the metal atoms bridge the lattice points (lattice B1).

【0036】なお、ほとんどの金属原子は多かれ少なか
れ重原子効果を引き起こすことができると考えられる
が、PLの分野においては、特に臭素(Br;原子番号35)
以上の重さの原子を含む場合に重原子効果が顕著に見ら
れる。したがって、金属錯体に含まれる金属原子として
は、ルビジウム(Rb;原子番号37)よりも重い金属原子
が好ましい。
Although it is considered that most metal atoms can cause a more or less heavy atom effect, in the field of PL, especially bromine (Br; atomic number 35)
The heavy atom effect is remarkably observed when the atoms having the above weights are included. Therefore, the metal atom contained in the metal complex is preferably a metal atom heavier than rubidium (Rb; atomic number 37).

【0037】したがって本発明では、ELが得られる有機
化合物と、金属錯体と、からなる発光層を含む有機EL素
子を有する発光装置において、前記金属錯体は、金属原
子と配位子とが交互に配列する格子A1または格子B1の格
子構造を形成し、前記金属原子がルビジウム以上の原子
番号を有することを特徴とする。
Therefore, according to the present invention, in a light emitting device having an organic EL element including a light emitting layer composed of an organic compound capable of obtaining EL and a metal complex, the metal complex comprises metal atoms and ligands alternately. A lattice structure of a lattice A1 or a lattice B1 to be arranged is formed, and the metal atom has an atomic number equal to or higher than rubidium.

【0038】ところで、重原子効果とは、重原子を導入
することによりスピン−軌道相互作用が大きくなり、燐
光発光が促進されることをいう。したがって、重原子を
用いない場合でも、スピン−軌道相互作用の大きい分子
構造を導入することができれば、三重項励起エネルギー
を発光に変換しうる。
By the way, the heavy atom effect means that the introduction of heavy atoms increases spin-orbit interaction and promotes phosphorescence. Therefore, even when a heavy atom is not used, triplet excitation energy can be converted into light emission if a molecular structure having a large spin-orbit interaction can be introduced.

【0039】その一つの手法として、強磁性もしくは反
強磁性を示す分子構造を導入することが考えられる。そ
こで本発明者は、複核錯体(二つの金属原子を核とする
金属錯体)に着目した。その理由は、常磁性金属イオン
を有する複核錯体において、しばしば錯体内で強磁性的
あるいは反強磁性的な相互作用が見られるためである。
金属原子として重金属を選べば、重原子効果も加わるた
めさらに燐光発光は促進されうる。
As one of the methods, it is conceivable to introduce a molecular structure showing ferromagnetic or antiferromagnetic. Therefore, the present inventor focused on a binuclear complex (a metal complex having two metal atoms as nuclei). The reason is that in a dinuclear complex having a paramagnetic metal ion, a ferromagnetic or antiferromagnetic interaction is often observed in the complex.
If a heavy metal is selected as the metal atom, the phosphorescence can be further promoted because the heavy atom effect is added.

【0040】そこで特に、図1における金属原子を、二
つの金属原子で構成される複核構造に置き換えた金属錯
体が、より好ましい(図2)。この場合、複核構造の部
位201aが格子点に位置して配位子202aが架橋する図2
(a)のような形態(以下、「格子A2」と記す)と、配位
子202bが格子点に位置して複核構造の部位201bが架橋す
る図2(b)のような形態(以下、「格子B2」)が考えら
れる。なお、格子の形は図2のような四角形に限らず、
様々な多角形(六角形など)が可能であると考えられ
る。また、格子は2次元(平面)構造および3次元(立
体)構造の両方が可能である。
Therefore, a metal complex in which the metal atom in FIG. 1 is replaced by a binuclear structure composed of two metal atoms is particularly preferable (FIG. 2). In this case, the site 201a of the binuclear structure is located at a lattice point, and the ligand 202a is cross-linked.
(a) (hereinafter referred to as “lattice A2”) and a form as shown in FIG. 2 (b) in which the ligand 202b is located at a lattice point and the site 201b of the binuclear structure is crosslinked (hereinafter, referred to as “lattice A2”). "Lattice B2") is conceivable. The shape of the grid is not limited to a square as shown in FIG.
It is believed that various polygons (such as hexagons) are possible. The lattice can have both a two-dimensional (planar) structure and a three-dimensional (three-dimensional) structure.

【0041】そして、このような格子構造を有する金属
錯体の合成時ないしは成膜時に、適度な分子の大きさを
持つ発光材料203を混合することによって、前記格子構
造の格子間位置に発光材料を導入できる。
Then, at the time of synthesizing or forming a metal complex having such a lattice structure, the luminescent material 203 having an appropriate molecular size is mixed, so that the luminescent material is located at an interstitial position of the lattice structure. Can be introduced.

【0042】さらに、複核構造を有する金属錯体を本発
明に用いた場合、格子が長方形の形状を取りやすくなる
ため、立方格子ないしは正方格子のような規則的構造が
比較的容易に作製できる利点もある。そのため、先に述
べたように、細孔が規則的に並んでいることから擬似的
に超格子構造のような状態となり、安定な分子励起子が
発生して発光特性の向上に繋がる可能性がある。
Further, when a metal complex having a binuclear structure is used in the present invention, the lattice can easily take a rectangular shape, so that a regular structure such as a cubic lattice or a square lattice can be relatively easily produced. is there. Therefore, as described above, the pores are regularly arranged, resulting in a quasi-superlattice-like structure, which may lead to the generation of stable molecular excitons and the improvement of the light emission characteristics. is there.

【0043】以上のことから、本発明では、ELが得られ
る有機化合物と、二つの金属原子を核とする複核構造を
有する金属錯体と、からなる発光層を含む有機EL素子を
有する発光装置において、前記金属錯体は、前記複核構
造の部位と配位子とが交互に配列する格子構造を形成
し、前記複核構造の部位が格子点であってなおかつ前記
配位子が前記格子点を架橋する構造であることを特徴と
する(格子A2)。
As described above, the present invention relates to a light emitting device having an organic EL element including a light emitting layer composed of an organic compound capable of obtaining EL and a metal complex having a binuclear structure having two metal atoms as nuclei. The metal complex forms a lattice structure in which the sites of the binuclear structure and the ligands are alternately arranged, and the site of the binuclear structure is a lattice point, and the ligand bridges the lattice point. It has a structure (grating A2).

【0044】また、本発明では、ELが得られる有機化合
物と、二つの金属原子を核とする複核構造を有する金属
錯体と、からなる発光層を含む有機EL素子を有する発光
装置において、前記金属錯体は、前記複核構造の部位と
配位子とが交互に配列する格子構造を形成し、前記配位
子が格子点であってなおかつ前記複核構造の部位が前記
格子点を架橋する構造であることを特徴とする(格子B
2)。
According to the present invention, there is provided a light emitting device having an organic EL element including a light emitting layer comprising an organic compound capable of obtaining EL and a metal complex having a binuclear structure having two metal atoms as nuclei. The complex forms a lattice structure in which the sites of the dinuclear structure and the ligands are alternately arranged, and the ligand is a lattice point, and the site of the dinuclear structure bridges the lattice point. (Lattice B
2).

【0045】なお金属種としては、遷移系列元素の中で
も、第5族から第11族に至るまでの金属元素が複核構
造を形成しやすいため、本発明に好適である。中でも好
ましくは、ニオブ、タンタル、モリブデン、およびタン
グステンが、重原子効果が顕著に現れる臭素よりも原子
番号が大きく、なおかつ遷移系列元素の中では安価な材
料であるため、さらに適している。
As the metal species, among the transition series elements, metal elements from Group 5 to Group 11 easily form a multinuclear structure, and thus are suitable for the present invention. Among them, niobium, tantalum, molybdenum, and tungsten are more preferable because they have a larger atomic number than bromine in which the heavy atom effect is conspicuous, and are inexpensive among transition series elements.

【0046】したがって本発明では、ELが得られる有機
化合物と、二つの金属原子を核とする複核構造を有する
金属錯体と、からなる発光層を含む有機EL素子を有する
発光装置において、前記金属錯体は、前記複核構造の部
位と配位子とが交互に配列する格子A2または格子B2の格
子構造を形成し、前記金属原子が第5族元素乃至第11
族元素のいずれかの元素からなることを特徴とする。
Accordingly, the present invention provides a light emitting device having an organic EL element including a light emitting layer comprising an organic compound capable of obtaining EL and a metal complex having a binuclear structure having two metal atoms as nuclei. Forms a lattice structure of lattice A2 or lattice B2 in which the sites of the binuclear structure and the ligands are alternately arranged, and the metal atom is a Group 5 element to an
It is characterized by being composed of any one of the group elements.

【0047】以上のような発明を実施することにより、
明るく消費電力が少ない上に多彩な発光色を呈する発光
装置を、安価に提供することができる。さらに、そのよ
うな発光装置を用いることで、明るく消費電力が少ない
上に多彩な発光色を呈し、安価な電気器具を提供するこ
とができる。
By implementing the above invention,
A light-emitting device that is bright, has low power consumption, and emits various colors can be provided at low cost. Further, by using such a light-emitting device, an inexpensive electric appliance which is bright, has low power consumption, exhibits various luminescent colors, and can be provided.

【0048】[0048]

【発明の実施の形態】本発明を実施するに辺って重要な
ことは、金属錯体の配位子として、剛直な基を有するも
のを選ぶことである。すなわち、アルキル基のような鎖
状部分を主鎖とする配位子を用いると、架橋する際(あ
るいは格子点となる際)に、格子がねじれてしまい、均
一な分布を持つ細孔が形成できなくなる。したがって、
剛直な基として芳香族環(具体的には、パラフェニレン
基を含む置換基、あるいは複素環を含む置換基、あるい
は縮合環を含む置換基、など)を導入することが望まし
い。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In practicing the present invention, it is important to select a ligand having a rigid group as a ligand of a metal complex. That is, when a ligand having a chain portion as a main chain such as an alkyl group is used, the lattice is twisted at the time of cross-linking (or becomes a lattice point), and pores having a uniform distribution are formed. become unable. Therefore,
It is desirable to introduce an aromatic ring (specifically, a substituent containing a paraphenylene group, a substituent containing a heterocyclic ring, a substituent containing a condensed ring, or the like) as a rigid group.

【0049】また、前記剛直な基は、側鎖として何らか
の置換基を有しても良いが、その置換基は錯体形成に関
与しないものであることが好ましい。つまり、例えばヒ
ドロキシル基などを側鎖として有する場合、そこで錯体
が形成されてしまい、予想される格子を形成しない可能
性がある。したがって、前記剛直な基の側鎖として好ま
しい置換基は、アルキル基やアルコキシル基などが考え
られる。
The rigid group may have any substituent as a side chain, but the substituent preferably does not participate in complex formation. That is, for example, when a hydroxyl group or the like is present as a side chain, a complex is formed there, and an expected lattice may not be formed. Therefore, preferable substituents as the side chains of the rigid group include an alkyl group and an alkoxyl group.

【0050】まず、格子A1を形成する金属錯体の形態に
ついて、図3および図4を用いて述べる。図3に示すよ
うに、配位子Xの形態に関わらず、中心金属Mが四面体配
位301であればクリストバライト型の格子(図3(a))の
ような立体構造となり、中心金属Mが平面配位302であれ
ば平方格子(図3(b))になる。さらに、中心金属Mが八
面体配位303できるのであれば、配位子Xと同じかあるい
は異なる配位子Zを導入することにより、立方格子また
は正方格子が可能となる(図3(c))。
First, the form of the metal complex forming the lattice A1 will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 3, regardless of the form of the ligand X, if the central metal M is a tetrahedral coordination 301, a three-dimensional structure such as a cristobalite-type lattice (FIG. 3A) is obtained. If is a planar configuration 302, a square lattice (FIG. 3B) is obtained. Furthermore, if the central metal M can form an octahedral coordinate 303, a cubic lattice or a square lattice can be obtained by introducing a ligand Z which is the same as or different from the ligand X (FIG. 3 (c)). ).

【0051】ここで、図3(c)の例を図4に示す。中心
金属Mとして2価の八面体配位可能な金属を、配位子Xと
して好ましくは、下記一般式(1)で表されるようにフ
ェノール性アニオンと4−ピリジル基とを両端に有する
配位子を、配位子Zとして両端に非共有電子対を持つ配
位子(例えばピラジン)を、それぞれ用いることにより
図4のような構造が可能となると考えられる(Aは、パ
ラフェニレン基を含む置換基、または複素環を含む置換
基、または縮合環を含む置換基、などの剛直な置換基で
ある)。
Here, an example of FIG. 3C is shown in FIG. As the central metal M, a metal capable of coordinating a divalent octahedron is preferably used, and as the ligand X, preferably a metal having a phenolic anion and a 4-pyridyl group at both ends as represented by the following general formula (1). It is considered that a structure as shown in FIG. 4 can be achieved by using a ligand (eg, pyrazine) having an unshared electron pair at both ends as a ligand Z (A is a paraphenylene group). Or a rigid substituent such as a heterocyclic ring-containing substituent or a condensed ring-containing substituent).

【0052】[0052]

【化5】 Embedded image

【0053】次に、格子B1を形成する金属錯体の形態に
ついて、図5、図6および図7を用いて述べる。まず図
5に示すように、sp3混成軌道により4つの結合手を持
つ原子Sp(具体的には第14族元素)を中心に持ち、四
面体501の頂点方向に配位できる配位子Xを選ぶことによ
り、クリストバライト型の格子(図5(a))が可能とな
ると考えられる。
Next, the form of the metal complex forming the lattice B1 will be described with reference to FIGS. 5, 6, and 7. FIG. First, as shown in FIG. 5, a ligand X having an atom Sp (specifically, a group 14 element) having four bonds by sp 3 hybrid orbital and capable of coordinating in the vertex direction of the tetrahedron 501 is formed. By selecting, it is considered that a cristobalite-type lattice (FIG. 5 (a)) becomes possible.

【0054】図5(a)の例を図5(b)に示す。配位子Xと
して好ましくは、四面体の頂点方向に8−キノリノール
骨格を有する下記構造式(2)のような配位子を用いれ
ばよい(Aは、パラフェニレン基を含む置換基、または
複素環を含む置換基、または縮合環を含む置換基、など
の剛直な置換基である。)なお下記構造式(3)に示す
ように、Aはなくても良い。ただしこの場合、中心金属M
としては平面配位可能な金属を選択することが望ましい
(四面体配位の場合、格子が大きくねじれてしまう)。
FIG. 5B shows an example of FIG. Preferably, as the ligand X, a ligand having an 8-quinolinol skeleton in the vertex direction of the tetrahedron as in the following structural formula (2) may be used (A is a substituent containing a paraphenylene group, or a complex It is a rigid substituent such as a substituent containing a ring or a substituent containing a condensed ring.) Note that A may not be present as shown in the following structural formula (3). However, in this case, the central metal M
It is desirable to select a metal capable of planar coordination (in the case of tetrahedral coordination, the lattice is greatly twisted).

【0055】[0055]

【化6】 Embedded image

【化7】 Embedded image

【0056】また、格子B1を形成する金属錯体の形態と
しては、図6(a)のように、ベンゼン環を中心に持ち、
正三角形の頂点方向に配位できる配位子Xを選ぶことに
より、六角形の格子も可能となると考えられる。また、
図6(b)に示すように、配位子Xと同じかあるいは異なる
配位子Zを導入することにより、擬似的なハニカム状の
格子(六方格子)が可能となると考えられる。
As a form of the metal complex forming the lattice B1, as shown in FIG.
By selecting a ligand X that can coordinate in the direction of the apexes of the equilateral triangle, a hexagonal lattice may be possible. Also,
As shown in FIG. 6 (b), it is considered that a pseudo honeycomb-like lattice (hexagonal lattice) can be obtained by introducing a ligand Z which is the same as or different from the ligand X.

【0057】図6(b)の例を図7に示す。配位子Xとして
好ましくは、ベンゼン環の1,3,および5位にキノリ
ノール骨格を有する下記構造式(4)のような配位子を
用いればよい(Aは、パラフェニレン基を含む置換基、
または複素環を含む置換基、または縮合環を含む置換
基、などの剛直な置換基である。)なお下記構造式
(5)に示すように、Aはなくても良い。また、配位子Z
としては、両端に非共有電子対を持つ配位子(例えばピ
ラジン)を用いればよい。ただしこの場合、中心金属M
としては八面体配位可能な金属を選択する必要がある。
なお、図7における配位状態は、図示簡略化のため、紙
面手前の金属原子のみ描いてある。
FIG. 7 shows an example of FIG. 6B. Preferably, as the ligand X, a ligand having a quinolinol skeleton at the 1, 3, and 5 positions of the benzene ring as in the following structural formula (4) may be used (A is a substituent containing a paraphenylene group) ,
Or a rigid substituent such as a substituent containing a heterocyclic ring or a substituent containing a condensed ring. A) may be omitted as shown in the following structural formula (5). Also, the ligand Z
, A ligand having an unshared electron pair at both ends (for example, pyrazine) may be used. However, in this case, the central metal M
It is necessary to select a metal capable of octahedral coordination.
Note that the coordination state in FIG. 7 shows only the metal atoms in front of the paper for simplification of the drawing.

【0058】[0058]

【化8】 Embedded image

【化9】 Embedded image

【0059】次に、格子A2を形成する複核構造の金属錯
体の形態について、図8および図9を用いて述べる。図
8に示すように、配位子Xの形態に関わらず、複核構造M
2が平面配位801であれば平方格子(図8(a))になると
考えられる。さらに、複核構造M2が八面体配位802でき
るのであれば、配位子Xと同じかあるいは異なる配位子Z
を導入することにより、立方格子または正方格子が可能
となると考えられる(図8(b))。
Next, the form of a metal complex having a binuclear structure forming the lattice A2 will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 8, regardless of the form of the ligand X, the binuclear structure M
If 2 is a plane configuration 801, it is considered to be a square lattice (FIG. 8A). Further, if the dinuclear structure M 2 can form an octahedral coordination 802, the same or different ligand Z as the ligand X
It is considered that a cubic lattice or a square lattice can be realized by introducing (FIG. 8B).

【0060】ここで、図8(b)の例を図9に示す。配位
子Xとして好ましくは、下記一般式(6)〜(8)で表
されるような両端にカルボキシル基を有する、ジカルボ
ン酸イオンを用いればよい(ただしaは、パラフェニレ
ン基を含む置換基、または複素環を含む置換基、または
縮合環を含む置換基、を表す。bは、一つもしくは複数
のシクロアルキレン基を表し、前記bは置換基を有して
いても良い。nは、1以上の整数を表す。)。配位子Zと
しては、両端に非共有電子対を持つ配位子(例えばピラ
ジン)を用いればよい。このようにして、図9のような
構造が可能となる。
Here, an example of FIG. 8B is shown in FIG. As the ligand X, a dicarboxylate ion having carboxyl groups at both ends as represented by the following general formulas (6) to (8) is preferably used (where a is a substituent containing a paraphenylene group) Or a substituent containing a heterocyclic ring or a substituent containing a condensed ring, wherein b represents one or more cycloalkylene groups, and b may have a substituent, and n represents Represents an integer of 1 or more). As the ligand Z, a ligand having an unshared electron pair at both ends (for example, pyrazine) may be used. In this way, a structure as shown in FIG. 9 is possible.

【0061】[0061]

【化10】 Embedded image

【化11】 Embedded image

【化12】 Embedded image

【0062】さらに、下記一般式(9)を配位子とする
複核錯体に、両端に非共有電子対を持つ配位子(例えば
ピラジン)を配位させた場合にも、格子構造を形成する
ことができる(cは、アリール基を含む置換基、または
複素環を含む置換基、または縮合環を含む置換基、を表
す。)。
Furthermore, a lattice structure is also formed when a ligand (for example, pyrazine) having an unshared electron pair at both ends is coordinated to a dinuclear complex having the following general formula (9) as a ligand. (C represents a substituent containing an aryl group, a substituent containing a heterocyclic ring, or a substituent containing a condensed ring).

【0063】[0063]

【化13】 Embedded image

【0064】なお、本実施の形態で述べたようなA2型の
格子構造を形成する金属錯体(一般式(6)〜(9)を
配位子とする複核錯体)に関しては、以下の文献に記載
されている(文献6:高見澤聡、「分子を取り込む金属
錯体」、化学と工業、第53巻、第2号(2000)、p.136-
139)。
The metal complexes forming the A2 type lattice structure (binuclear complexes having the general formulas (6) to (9) as ligands) described in the present embodiment are described in the following documents. (Reference 6: Satoshi Takamizawa, “Metal Complexes Incorporating Molecules”, Chemistry and Industry, Vol. 53, No. 2 (2000), p.136-)
139).

【0065】最後に、格子B2を形成する複核構造の金属
錯体の形態について、図10を用いて述べる。図10
(a)のように、ベンゼン環を中心に持ち、正三角形の頂
点方向に配位できる配位子Xを選ぶことにより、六角形
の格子が可能となると考えられる。また、図10(b)に
示すように、配位子Xと同じかあるいは異なる配位子Zを
導入することにより、擬似的なハニカム状の格子(六方
格子)が可能となると考えられる。
Finally, the form of a metal complex having a binuclear structure forming the lattice B2 will be described with reference to FIG. FIG.
As shown in (a), by selecting a ligand X having a benzene ring at the center and capable of coordinating in the vertex direction of an equilateral triangle, a hexagonal lattice is considered to be possible. Also, as shown in FIG. 10 (b), by introducing a ligand Z which is the same as or different from the ligand X, a pseudo honeycomb-like lattice (hexagonal lattice) is considered to be possible.

【0066】図10(b)の例を図11に示す。配位子Xと
して好ましくは、下記一般式(10)で表されるような
ベンゼン環の1,3,および5位にホルミルサリチル酸
骨格を有する配位子か、あるいは下記一般式(11)で
表されるようなベンゼン環の1,3,および5位にカル
ボキシサリチリデンアミン骨格を有する配位子を用いれ
ばよい(Aは、パラフェニレン基を含む置換基、または
複素環を含む置換基、または縮合環を含む置換基、など
の剛直な置換基である。)なお下記一般式(12)、
(13)に示すように、Aはなくても良い。また、配位
子Zとしては、中心金属が2価の場合は両端に非共有電
子対を持つ配位子(例えばピラジン)を、中心金属が3
価の場合はジカルボン酸イオンを用いればよい。図11
では、上記一般式(9)で表される配位子Xと、ジカル
ボン酸イオンである配位子Zを用いた。なお、図11に
おける配位状態は、図示簡略化のため、紙面手前の金属
原子のみ描いてある。
FIG. 11 shows an example of FIG. The ligand X is preferably a ligand having a formylsalicylic acid skeleton at the 1, 3, and 5 positions of the benzene ring as represented by the following general formula (10), or represented by the following general formula (11). A ligand having a carboxysalicylideneamine skeleton at the 1, 3, and 5 positions of the benzene ring may be used (A is a substituent containing a paraphenylene group, or a substituent containing a heterocyclic ring, Or a rigid substituent such as a substituent containing a condensed ring.) In addition, the following general formula (12):
As shown in (13), A may not be provided. Further, as the ligand Z, when the central metal is divalent, a ligand having an unshared electron pair at both ends (for example, pyrazine) is used.
In the case of valence, a dicarboxylic acid ion may be used. FIG.
Then, the ligand X represented by the general formula (9) and the ligand Z which is a dicarboxylate ion were used. It should be noted that the coordination state in FIG. 11 shows only the metal atoms in front of the paper for simplification of the drawing.

【0067】[0067]

【化14】 Embedded image

【化15】 Embedded image

【化16】 Embedded image

【化17】 Embedded image

【0068】ところで、以上の実施の形態の中で最も好
ましい形態は、A2型の格子構造を形成できる金属錯体で
あると言える。その理由としては、既に合成法がある程
度確立されており、なおかつその合成法が比較的簡便な
ためである。下記の文献7によれば、一般式(6)にお
いてaがフェニレン基である配位子(すなわち、テレフ
タル酸イオン)と銅(II)イオンからなる複核錯体(すな
わち、テレフタル酸銅(II))の合成方法は、蟻酸銅(II)
四水和物とテレフタル酸のそれぞれのメタノール溶液を
混合するだけであり、極めて簡便であることがわかる
(文献7:森和亮、高見澤聡、「新しいマイクロポアー
物質」、化学と工業、第51巻、第2号(1998)、p.210-
212)。
By the way, it can be said that the most preferable form among the above embodiments is a metal complex which can form an A2-type lattice structure. The reason is that a synthetic method has already been established to some extent, and the synthetic method is relatively simple. According to the following Reference 7, a binuclear complex consisting of a ligand in which a is a phenylene group in the general formula (6) (that is, terephthalate ion) and copper (II) ion (that is, copper (II) terephthalate) The synthesis method of copper (II) formate
It is understood that the method is very simple, only by mixing the respective methanol solutions of tetrahydrate and terephthalic acid (Reference 7: Kazuaki Mori, Satoshi Takamizawa, "New Micropore Materials", Chemistry and Industry, No. 51). Vol.2 (1998), p.210-
212).

【0069】ここで、文献6に記載されている配位子の
中で、一般式(6)〜(9)に該当するものを下記表1
にまとめた。複核構造を形成する中心金属としては、C
u、Cr、Mo、W、Rh、Re、Ruなどが挙げられている。な
お、下記表1中のNo.7の配位子を用い、中心金属をRhと
した複核錯体に関しては、ピラジンを用いて架橋するこ
とにより三次元構造を形成できることが示されている。
Here, among the ligands described in Document 6, those corresponding to general formulas (6) to (9) are shown in Table 1 below.
Summarized in The central metal forming the binuclear structure is C
u, Cr, Mo, W, Rh, Re, Ru and the like. It is shown that a three-dimensional structure can be formed by cross-linking using pyrazine with respect to a dinuclear complex using the ligand No. 7 in Table 1 below and the central metal being Rh.

【0070】[0070]

【表1】 [Table 1]

【0071】これらの容易な合成法が確立されている金
属錯体を有機EL素子の発光層として適用することによ
り、本発明を実施することが比較的容易となるため、本
発明に好適である。
By applying a metal complex, for which these easy synthesis methods have been established, to the light-emitting layer of an organic EL device, the present invention is relatively easy to carry out, and thus is suitable for the present invention.

【0072】[0072]

【実施例】以下では、発明の実施の形態において述べた
各構成を具体的に例示する。なお、実施例1から実施例
7までの有機EL素子構造は、図12に示した。 [実施例1]本実施例では、発明の実施の形態において
図3(b)で述べたような金属錯体を用いた有機EL素子
を、具体的に例示する。中心金属Mとして2価の平面配
位可能な金属であるCu(II)を、配位子Xとして下記式
(14)で表される化合物を用いる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, each configuration described in the embodiment of the present invention will be specifically exemplified. The structures of the organic EL devices of Examples 1 to 7 are shown in FIG. [Example 1] In this example, an organic EL device using a metal complex as described in FIG. 3B in the embodiment of the present invention will be specifically exemplified. As the central metal M, Cu (II) which is a divalent metal capable of planar coordination is used, and as the ligand X, a compound represented by the following formula (14) is used.

【化18】 Embedded image

【0073】まず、透明な陽極1202であるITOが成膜さ
れたガラス基板1201上に、スルホン酸をドープして導電
性を向上させたポリエチレンジオキシチオフェン(以
下、「PEDOT」と記す)の水溶液をスピンコーティング
により成膜し、水分を蒸発させることにより正孔注入層
1203とする。膜厚は30nm程度が望ましい。
First, an aqueous solution of polyethylenedioxythiophene (hereinafter, referred to as “PEDOT”) having a conductivity improved by doping with sulfonic acid was placed on a glass substrate 1201 on which ITO, which is a transparent anode 1202, was formed. Is formed by spin coating, and the hole injection layer is formed by evaporating water.
1203. The thickness is desirably about 30 nm.

【0074】次に、中心金属MであるCu(II)と、配位子X
である上記式(14)で表される配位子と、からなる平
方格子構造の金属錯体1204a、およびトリス(8−キノ
リノラト)アルミニウム(以下、「Alq3」と記す)から
なる発光材料1204bを同一の有機溶媒に溶解させる。こ
の溶液をスピンコーティングによりPEDOT上に塗布し、
溶媒を蒸発させることにより電子輸送性発光層1204とす
る。膜厚は50nm程度が望ましい。
Next, Cu (II), which is the central metal M, and the ligand X
A metal complex 1204a having a square lattice structure consisting of a ligand represented by the above formula (14) and a luminescent material 1204b consisting of tris (8-quinolinolato) aluminum (hereinafter, referred to as “Alq 3 ”). Dissolve in the same organic solvent. This solution is applied on PEDOT by spin coating,
By evaporating the solvent, an electron transporting light emitting layer 1204 is obtained. The thickness is desirably about 50 nm.

【0075】なお、上記平方格子構造の金属錯体1204a
の作製法であるが、Cu(II)を含む金属塩と配位子とを混
合させることで作製できると考えられる。この時、中心
金属Mと配位子Xとの存在比は、M:X=1:2となるよう
に調整する必要がある。
Incidentally, the metal complex 1204a having the square lattice structure
This method is considered to be possible by mixing a metal salt containing Cu (II) with a ligand. At this time, the abundance ratio between the central metal M and the ligand X needs to be adjusted so that M: X = 1: 2.

【0076】最後に、電子注入層1205としてリチウムア
セチルアセトネート錯体(以下、「Li(acac)」と記す)
を2nm程度、陰極1206としてAlを100nm程度成膜すること
により、有機EL素子とする。
Finally, a lithium acetylacetonate complex (hereinafter referred to as “Li (acac)”) is used as the electron injection layer 1205.
Is formed to a thickness of about 2 nm and Al is formed to a thickness of about 100 nm as a cathode 1206 to obtain an organic EL device.

【0077】[実施例2]本実施例では、発明の実施の
形態において図5(b)で述べたような金属錯体を用いた
有機EL素子を、具体的に例示する。中心金属Mとして2
価の平面配位可能な金属であるNi(II)を、配位子Xとし
て下記式(15)で表される化合物を用いる。
Example 2 In this example, an organic EL device using a metal complex as described in FIG. 5B in the embodiment of the present invention will be specifically exemplified. 2 as the central metal M
A compound represented by the following formula (15) is used as a ligand X with Ni (II), which is a metal capable of planar coordination in valence.

【化19】 Embedded image

【0078】まず、透明な陽極1202であるITOが成膜さ
れたガラス基板1201上に、スルホン酸をドープして導電
性を向上させたPEDOTの水溶液をスピンコーティングに
より成膜し、水分を蒸発させることにより正孔注入層12
03とする。膜厚は30nm程度が望ましい。
First, an aqueous solution of PEDOT having improved conductivity by doping with sulfonic acid is formed by spin coating on a glass substrate 1201 on which ITO, which is a transparent anode 1202, is formed, and water is evaporated. Hole injection layer 12
03. The thickness is desirably about 30 nm.

【0079】次に、中心金属MであるNi(II)と、配位子X
である上記式(15)で表される配位子と、からなるク
リストバライト型格子構造の金属錯体1204a、およびAlq
3からなる発光材料1204bを同一の有機溶媒に溶解させ
る。この溶液をスピンコーティングによりPEDOT上に塗
布し、溶媒を蒸発させることにより電子輸送性発光層12
04とする。膜厚は50nm程度が望ましい。
Next, Ni (II), which is the central metal M, and the ligand X
A metal complex 1204a having a cristobalite-type lattice structure comprising a ligand represented by the above formula (15), and Alq
The luminescent material 1204b made of 3 is dissolved in the same organic solvent. This solution is applied on PEDOT by spin coating, and the solvent is evaporated to form the electron transporting light emitting layer 12.
04. The thickness is desirably about 50 nm.

【0080】なお、上記クリストバライト型格子構造の
金属錯体1204aの作製法であるが、Ni(II)を含む金属塩
と配位子とを混合させることで作製できると考えられ
る。この時、中心金属Mと配位子Xとの存在比は、M:X=
2:1となるように調整する必要がある。
The above-mentioned method for producing the metal complex 1204a having a cristobalite lattice structure is considered to be able to be produced by mixing a metal salt containing Ni (II) with a ligand. At this time, the abundance ratio between the central metal M and the ligand X is M: X =
It is necessary to adjust so as to be 2: 1.

【0081】最後に、電子注入層1205としてLi(acac)を
2nm程度、陰極1206としてAlを100nm程度成膜することに
より、有機EL素子とする。
Finally, Li (acac) is used as the electron injection layer 1205.
An organic EL element is formed by forming Al to a thickness of about 100 nm as a cathode 1206 with a thickness of about 2 nm.

【0082】[実施例3]本実施例では、発明の実施の
形態において図7で述べたような金属錯体を用いた有機
EL素子を、具体的に例示する。中心金属Mとして2価の
八面体配位可能な金属であるCo(II)を、配位子Xとして
下記式(16)で表される化合物を、配位子Zとしてピ
ラジンを用いる。
Example 3 In this example, an organic compound using the metal complex as described in FIG. 7 in the embodiment of the present invention was used.
An EL element will be specifically exemplified. Co (II), which is a divalent octahedral coordinating metal, is used as the central metal M, a compound represented by the following formula (16) is used as the ligand X, and pyrazine is used as the ligand Z.

【化20】 Embedded image

【0083】まず、透明な陽極1202であるITOが成膜さ
れたガラス基板1201上に、スルホン酸をドープして導電
性を向上させたPEDOTの水溶液をスピンコーティングに
より成膜し、水分を蒸発させることにより正孔注入層12
03とする。膜厚は30nm程度が望ましい。
First, an aqueous solution of PEDOT having improved conductivity by doping with sulfonic acid is formed by spin coating on a glass substrate 1201 on which ITO, which is a transparent anode 1202, is formed, and water is evaporated. Hole injection layer 12
03. The thickness is desirably about 30 nm.

【0084】次に、中心金属MであるCo(II)と、配位子X
である上記式(16)で表される配位子と、配位子Zで
あるピラジンと、からなる六方格子構造の金属錯体1204
a、およびAlq3からなる発光材料1204bを同一の有機溶媒
に溶解させる。この溶液をスピンコーティングによりPE
DOT上に塗布し、溶媒を蒸発させることにより電子輸送
性発光層1204とする。膜厚は50nm程度が望ましい。
Next, Co (II), which is the central metal M, and the ligand X
And a metal complex 1204 having a hexagonal lattice structure consisting of a ligand represented by the above formula (16) and pyrazine which is a ligand Z.
The light emitting material 1204b made of a and Alq 3 is dissolved in the same organic solvent. This solution is spin-coated with PE
An electron-transporting light-emitting layer 1204 is formed by coating on the DOT and evaporating the solvent. The thickness is desirably about 50 nm.

【0085】なお、上記六方格子構造の金属錯体1204a
の作製法であるが、Co(II)を含む金属塩と配位子とを混
合させることで作製できると考えられる。この時、中心
金属Mと配位子Xと配位子Zとの存在比は、M:X:Z=3:
2:3となるように調整する必要がある。
The metal complex 1204a having a hexagonal lattice structure described above
It is considered that this can be prepared by mixing a metal salt containing Co (II) with a ligand. At this time, the abundance ratio of the central metal M, the ligand X, and the ligand Z is M: X: Z = 3:
It is necessary to adjust so as to be 2: 3.

【0086】最後に、電子注入層1205としてLi(acac)を
2nm程度、陰極1206としてAlを100nm程度成膜することに
より、有機EL素子とする。
Finally, Li (acac) is used as the electron injection layer 1205.
An organic EL element is formed by forming Al to a thickness of about 100 nm as a cathode 1206 with a thickness of about 2 nm.

【0087】[実施例4]本実施例では、発明の実施の
形態において図9で述べたような複核錯体を用いた有機
EL素子を、具体的に例示する。中心金属Mとして2価の
金属であるMo(II)を、配位子Xとして下記式(17)で
表される化合物を、配位子Zとしてピラジンを用いる。
Example 4 In this example, an organic compound using a binuclear complex as described in FIG. 9 in the embodiment of the present invention was used.
An EL element will be specifically exemplified. Mo (II) which is a divalent metal is used as the central metal M, a compound represented by the following formula (17) is used as the ligand X, and pyrazine is used as the ligand Z.

【化21】 Embedded image

【0088】まず、透明な陽極1202であるITOが成膜さ
れたガラス基板1201上に、スルホン酸をドープして導電
性を向上させたPEDOTの水溶液をスピンコーティングに
より成膜し、水分を蒸発させることにより正孔注入層12
03とする。膜厚は30nm程度が望ましい。
First, an aqueous solution of PEDOT, which is doped with sulfonic acid and has improved conductivity, is formed by spin coating on a glass substrate 1201 on which ITO, which is a transparent anode 1202, is formed, and the water is evaporated. Hole injection layer 12
03. The thickness is desirably about 30 nm.

【0089】次に、中心金属MであるMo(II)と、配位子X
である上記式(17)で表される配位子と、配位子Zで
あるピラジンと、からなる正方格子構造の複核錯体1204
a、およびAlq3からなる発光材料1204bを同一の有機溶媒
に溶解させる。この溶液をスピンコーティングによりPE
DOT上に塗布し、溶媒を蒸発させることにより電子輸送
性発光層1204とする。膜厚は50nm程度が望ましい。
Next, Mo (II), which is the central metal M, and the ligand X
The dinuclear complex 1204 having a tetragonal lattice structure consisting of the ligand represented by the above formula (17) and pyrazine which is the ligand Z
The light emitting material 1204b made of a and Alq 3 is dissolved in the same organic solvent. This solution is spin-coated with PE
An electron-transporting light-emitting layer 1204 is formed by coating on the DOT and evaporating the solvent. The thickness is desirably about 50 nm.

【0090】なお、上記正方格子構造の複核錯体1204a
の作製法であるが、酢酸銅一水和物型の複核Mo(II)錯体
と配位子とを混合させる、配位子置換反応で作製できる
と考えられる。この時、中心金属Mと配位子Xと配位子Z
との存在比は、M:X:Z=2:2:1となるように調整
する必要がある。
The above-mentioned binuclear complex having a square lattice structure 1204a
It is thought that it can be prepared by a ligand substitution reaction in which a copper acetate monohydrate-type binuclear Mo (II) complex is mixed with a ligand. At this time, the central metal M, the ligand X and the ligand Z
Need to be adjusted so that M: X: Z = 2: 2: 1.

【0091】最後に、電子注入層1205としてLi(acac)を
2nm程度、陰極1206としてAlを100nm程度成膜することに
より、有機EL素子とする。
Finally, Li (acac) is used as the electron injection layer 1205.
An organic EL element is formed by forming Al to a thickness of about 100 nm as a cathode 1206 with a thickness of about 2 nm.

【0092】[実施例5]本実施例では、発明の実施の
形態において図11で述べたような複核錯体を用いた有
機EL素子を、具体的に例示する。中心金属Mとして3価
の金属であるMn (III)を、配位子Xとして下記式(1
8)で表される化合物を、配位子Zとしてテレフタル酸
を用いる。
[Example 5] In this example, an organic EL device using a binuclear complex as described in FIG. 11 in the embodiment of the present invention will be specifically exemplified. As the central metal M, a trivalent metal Mn (III) is used, and as the ligand X, the following formula (1)
Terephthalic acid is used as the ligand Z in the compound represented by 8).

【化22】 Embedded image

【0093】まず、透明な陽極1202であるITOが成膜さ
れたガラス基板1201上に、スルホン酸をドープして導電
性を向上させたPEDOTの水溶液をスピンコーティングに
より成膜し、水分を蒸発させることにより正孔注入層12
03とする。膜厚は30nm程度が望ましい。
First, an aqueous solution of PEDOT, which is doped with sulfonic acid and has improved conductivity, is formed by spin coating on a glass substrate 1201 on which ITO, which is a transparent anode 1202, is formed, and water is evaporated. Hole injection layer 12
03. The thickness is desirably about 30 nm.

【0094】次に、中心金属MであるMn(III)と、配位子
Xである上記式(18)で表される配位子と、配位子Zで
あるテレフタル酸と、からなる六方格子構造の複核錯体
1204a、およびAlq3からなる発光材料1204bを同一の有機
溶媒に溶解させる。この溶液をスピンコーティングによ
りPEDOT上に塗布し、溶媒を蒸発させることにより電子
輸送性発光層1204とする。膜厚は50nm程度が望ましい。
Next, Mn (III), which is the central metal M, and a ligand
Dinuclear complex having a hexagonal lattice structure comprising a ligand represented by the above formula (18) as X and terephthalic acid as ligand Z
1204a and a light emitting material 1204b made of Alq 3 are dissolved in the same organic solvent. This solution is applied onto PEDOT by spin coating, and the solvent is evaporated to form an electron transporting light emitting layer 1204. The thickness is desirably about 50 nm.

【0095】なお、上記六方格子構造の複核錯体1204a
の作製法であるが、Mn(III)を含む金属塩と配位子とを
混合させることで作製できると考えられる。この時、中
心金属Mと配位子Xと配位子Zとの存在比は、M:X:Z=
6:2:3となるように調整する必要がある。
The hexanuclear complex binuclear complex 1204a
This method is considered to be possible by mixing a metal salt containing Mn (III) with a ligand. At this time, the abundance ratio of the central metal M, the ligand X, and the ligand Z is M: X: Z =
It is necessary to adjust so as to be 6: 2: 3.

【0096】最後に、電子注入層1205としてLi(acac)を
2nm程度、陰極1206としてAlを100nm程度成膜することに
より、有機EL素子とする。
Finally, Li (acac) is used as the electron injection layer 1205.
An organic EL element is formed by forming Al to a thickness of about 100 nm as a cathode 1206 with a thickness of about 2 nm.

【0097】[実施例6]本実施例では、発明の実施の
形態における表1で示された配位子を用いた複核錯体を
具体的に例示し、これを用いた有機発光素子の作製法を
示す。ここでは、表1におけるNo,1(テレフタル酸イオ
ン;下記式(19))を用いた銅複核錯体を用いる。
Example 6 In this example, a binuclear complex using the ligand shown in Table 1 in the embodiment of the present invention will be specifically exemplified, and a method for manufacturing an organic light emitting device using the same will be described. Is shown. Here, a copper dinuclear complex using No. 1 in Table 1 (terephthalate ion; the following formula (19)) is used.

【0098】[0098]

【化23】 Embedded image

【0099】まず、透明な陽極1202であるITOが成膜さ
れたガラス基板1201上に、スルホン酸をドープして導電
性を向上させたPEDOTの水溶液をスピンコーティングに
より成膜し、水分を蒸発させることにより正孔注入層12
03とする。膜厚は30nm程度が望ましい。
First, an aqueous solution of PEDOT, which is doped with sulfonic acid and has improved conductivity, is formed on a glass substrate 1201 on which ITO, which is a transparent anode 1202, is formed by spin coating, and water is evaporated. Hole injection layer 12
03. The thickness is desirably about 30 nm.

【0100】次に、中心金属Cuの原料である蟻酸銅四水
和物のメタノール溶液と、配位子の原料であるテレフタ
ル酸のメタノール溶液と、Alq3のメタノール溶液とを、
混合すると同時にスピンコーティングによりPEDOT上に
塗布し、溶媒を蒸発させることにより電子輸送性発光層
1204とする。文献6に示される通り、蟻酸銅四水和物と
テレフタル酸は反応して格子構造の複核錯体1204aを形
成する。Alq3からなる発光材料1204bは格子中に取り込
まれると考えられる。膜厚は50nm程度が望ましい。
Next, a methanol solution of copper formate tetrahydrate, which is a raw material of the central metal Cu, a methanol solution of terephthalic acid, which is a raw material of the ligand, and a methanol solution of Alq3,
Electron-transporting light-emitting layer is applied to PEDOT by spin coating at the same time as mixing, and the solvent is evaporated.
1204. As shown in Reference 6, copper formate tetrahydrate reacts with terephthalic acid to form a dinuclear complex 1204a having a lattice structure. It is considered that the luminescent material 1204b made of Alq 3 is taken into the lattice. The thickness is desirably about 50 nm.

【0101】最後に、電子注入層1205としてLi(acac)を
2nm程度、陰極1206としてAlを100nm程度成膜することに
より、有機EL素子とする。
Finally, Li (acac) is used as the electron injection layer 1205.
An organic EL element is formed by forming Al to a thickness of about 100 nm as a cathode 1206 with a thickness of about 2 nm.

【0102】[実施例7]本実施例では、発明の実施の
形態における表1で示された配位子を用いた複核錯体を
具体的に例示し、これを用いた有機発光素子の作製法を
示す。ここでは、表1におけるNo,7(安息香酸イオン;
下記式(20))を用いたロジウム複核錯体を用いる。
Example 7 In this example, a binuclear complex using the ligand shown in Table 1 in the embodiment of the present invention will be specifically exemplified, and a method for manufacturing an organic light emitting device using the same will be described. Is shown. Here, No. 7 in Table 1 (benzoate ion;
A rhodium binuclear complex using the following formula (20) is used.

【0103】[0103]

【化24】 Embedded image

【0104】まず、透明な陽極1202であるITOが成膜さ
れたガラス基板1201上に、スルホン酸をドープして導電
性を向上させたPEDOTの水溶液をスピンコーティングに
より成膜し、水分を蒸発させることにより正孔注入層12
03とする。膜厚は30nm程度が望ましい。
First, an aqueous solution of PEDOT having improved conductivity by doping with sulfonic acid is formed by spin coating on a glass substrate 1201 on which ITO, which is a transparent anode 1202, is formed, and the water is evaporated. Hole injection layer 12
03. The thickness is desirably about 30 nm.

【0105】次に、文献6で示されている安息香酸ロジ
ウム複核錯体をピラジンに溶解させ、この溶液とAlq3
を混合した後、スピンコーティングによりPEDOT上に塗
布し、溶媒を減圧下にて蒸発させることにより電子輸送
性発光層1204とする。この場合、文献6に示されるよう
な、安息香酸ロジウム複核錯体とピラジンからなる格子
構造の複核錯体1204aが形成され、Alq3からなる発光材
料1204bは格子中に取り込まれると考えられる。膜厚は5
0nm程度が望ましい。
Next, the rhodium benzoate binuclear complex shown in Reference 6 was dissolved in pyrazine, and this solution was mixed with Alq 3 and then applied on PEDOT by spin coating, and the solvent was removed under reduced pressure. By evaporation, an electron-transporting light-emitting layer 1204 is obtained. In this case, it is considered that a dinuclear complex 1204a having a lattice structure composed of a rhodium benzoate dinuclear complex and pyrazine as shown in Reference 6 is formed, and the luminescent material 1204b composed of Alq 3 is taken into the lattice. The film thickness is 5
About 0 nm is desirable.

【0106】最後に、電子注入層1205としてLi(acac)を
2nm程度、陰極1206としてAlを100nm程度成膜することに
より、有機EL素子とする。
Finally, Li (acac) is used as the electron injection layer 1205.
An organic EL element is formed by forming Al to a thickness of about 100 nm as a cathode 1206 with a thickness of about 2 nm.

【0107】[実施例8]本実施例では、本発明で開示
した有機EL素子を含む発光装置について説明する。図1
3は本発明の有機EL素子を用いたアクティブマトリクス
型発光装置の断面図である。なお、能動素子としてここ
では薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と記す)を用い
ているが、MOSトランジスタを用いてもよい。
[Embodiment 8] In this embodiment, a light emitting device including the organic EL element disclosed in the present invention will be described. Figure 1
FIG. 3 is a cross-sectional view of an active matrix light emitting device using the organic EL element of the present invention. Although a thin film transistor (hereinafter, referred to as “TFT”) is used here as an active element, a MOS transistor may be used.

【0108】また、TFTとしてトップゲート型TFT(具体
的にはプレーナ型TFT)を例示するが、ボトムゲート型T
FT(典型的には逆スタガ型TFT)を用いることもでき
る。
A top gate type TFT (specifically, a planar type TFT) is exemplified as a TFT, but a bottom gate type TFT is used.
An FT (typically an inverted staggered TFT) can also be used.

【0109】図13において、1301は基板であり、ここ
では可視光を透過する基板を用いる。具体的には、ガラ
ス基板、石英基板、結晶化ガラス基板もしくはプラスチ
ック基板(プラスチックフィルムを含む)を用いればよ
い。なお、基板1301には、基板の表面に設けた絶縁膜も
含めるものとする。
In FIG. 13, reference numeral 1301 denotes a substrate. Here, a substrate that transmits visible light is used. Specifically, a glass substrate, a quartz substrate, a crystallized glass substrate, or a plastic substrate (including a plastic film) may be used. Note that the substrate 1301 also includes an insulating film provided on the surface of the substrate.

【0110】基板1301の上には画素部1311および駆動回
路1312が設けられている。まず、画素部1311について説
明する。
On the substrate 1301, a pixel portion 1311 and a driving circuit 1312 are provided. First, the pixel portion 1311 will be described.

【0111】画素部1311は画像表示を行う領域であり、
複数の画素を有し、各画素には有機EL素子に流れる電流
を制御するためのTFT(以下、「電流制御TFT」と記す)
1302、画素電極(陽極)1303、有機EL層1304および陰極
1305が設けられている。なお、図13では電流制御TFT
しか図示していないが、電流制御TFTのゲートに加わる
電圧を制御するためのTFT(以下、「スイッチングTFT」
と記す)を設けている。
The pixel portion 1311 is a region where an image is displayed.
It has a plurality of pixels, and each pixel has a TFT for controlling the current flowing through the organic EL element (hereinafter referred to as “current control TFT”)
1302, pixel electrode (anode) 1303, organic EL layer 1304 and cathode
1305 is provided. In FIG. 13, the current control TFT
Although not shown, a TFT for controlling the voltage applied to the gate of the current control TFT (hereinafter, “switching TFT”)
Is written).

【0112】電流制御TFT1302は、ここではpチャネル型
TFTを用いることが好ましい。nチャネル型TFTとするこ
とも可能であるが、図13のように有機EL素子の陽極に
電流制御TFTを接続する場合は、pチャネル型TFTの方が
消費電力を押さえることができる。ただし、スイッチン
グTFTはnチャネル型TFTでもpチャネル型TFTでもよい。
The current control TFT 1302 is a p-channel type here.
It is preferable to use TFT. Although an n-channel TFT can be used, when a current control TFT is connected to the anode of the organic EL element as shown in FIG. 13, a p-channel TFT can reduce power consumption. However, the switching TFT may be an n-channel TFT or a p-channel TFT.

【0113】また、電流制御TFT1302のドレインには画
素電極1303が電気的に接続されている。本実施例では、
画素電極1303の材料として仕事関数が4.5〜5.5eVの導電
性材料を用いるため、画素電極1303は有機EL素子の陽極
として機能する。画素電極1303として代表的には、酸化
インジウム、酸化錫、酸化亜鉛もしくはこれらの化合物
(ITOなど)を用いればよい。画素電極1303の上には有
機EL層1304が設けられている。
A pixel electrode 1303 is electrically connected to the drain of the current control TFT 1302. In this embodiment,
Since a conductive material having a work function of 4.5 to 5.5 eV is used as a material for the pixel electrode 1303, the pixel electrode 1303 functions as an anode of the organic EL element. As the pixel electrode 1303, typically, indium oxide, tin oxide, zinc oxide, or a compound thereof (ITO or the like) may be used. An organic EL layer 1304 is provided over the pixel electrode 1303.

【0114】さらに、有機EL層1304の上には陰極1305が
設けられている。陰極1305の材料としては、仕事関数が
2.5〜3.5eVの導電性材料を用いることが望ましい。陰極
1305として代表的には、アルカリ金属元素もしくはアル
カリ度類金属元素を含む導電膜、あるいはその導電膜に
アルミニウム合金を積層したものを用いればよい。
Furthermore, a cathode 1305 is provided on the organic EL layer 1304. The work function of the material of the cathode 1305 is
It is desirable to use a conductive material of 2.5 to 3.5 eV. cathode
Typically, 1305 may be a conductive film containing an alkali metal element or an alkali metal element, or a conductive film in which an aluminum alloy is stacked.

【0115】また、画素電極1303、有機EL膜1304、およ
び陰極1305からなる層は、保護膜1306で覆われている。
保護膜1306は、有機EL素子を酸素および水から保護する
ために設けられている。保護膜1306の材料としては、窒
化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化タンタ
ル、もしくは炭素(具体的にはダイヤモンドライクカー
ボン)を用いる。
The layer composed of the pixel electrode 1303, the organic EL film 1304 and the cathode 1305 is covered with a protective film 1306.
The protective film 1306 is provided to protect the organic EL element from oxygen and water. As a material of the protective film 1306, silicon nitride, silicon nitride oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, or carbon (specifically, diamond-like carbon) is used.

【0116】次に、駆動回路1312について説明する。駆
動回路1312は画素部1311に伝送される信号(ゲート信号
およびデータ信号)のタイミングを制御する領域であ
り、シフトレジスタ、バッファ、ラッチ、アナログスイ
ッチ(トランスファゲート)もしくはレベルシフタが設
けられている。図13では、これらの回路の基本単位と
してnチャネル型TFT1307およびpチャネル型TFT1308から
なるCMOS回路を示している。
Next, the drive circuit 1312 will be described. The drive circuit 1312 is a region that controls the timing of signals (gate signals and data signals) transmitted to the pixel portion 1311 and includes a shift register, a buffer, a latch, an analog switch (transfer gate), or a level shifter. FIG. 13 shows a CMOS circuit including an n-channel TFT 1307 and a p-channel TFT 1308 as a basic unit of these circuits.

【0117】なお、シフトレジスタ、バッファ、ラッ
チ、アナログスイッチ(トランスファゲート)もしくは
レベルシフタの回路構成は、公知のものでよい。また図
13では、同一の基板上に画素部1311および駆動回路13
12を設けているが、駆動回路1312を設けずにICやLSIを
電気的に接続することもできる。
The circuit configuration of the shift register, buffer, latch, analog switch (transfer gate) or level shifter may be a known one. In FIG. 13, the pixel portion 1311 and the driving circuit 13 are provided on the same substrate.
Although 12 is provided, an IC or LSI can be electrically connected without providing the drive circuit 1312.

【0118】また、図13では電流制御TFT1302に画素
電極(陽極)1303が電気的に接続されているが、陰極が
電流制御TFTに接続された構造をとることもできる。そ
の場合、画素電極を陰極1305と同様の材料で形成し、陰
極を画素電極(陽極)1303と同様の材料で形成すればよ
い。その場合、電流制御TFTはnチャネル型TFTとするこ
とが好ましい。
In FIG. 13, the pixel electrode (anode) 1303 is electrically connected to the current control TFT 1302. However, a structure in which the cathode is connected to the current control TFT can be adopted. In that case, the pixel electrode may be formed using the same material as the cathode 1305, and the cathode may be formed using the same material as the pixel electrode (anode) 1303. In that case, the current control TFT is preferably an n-channel TFT.

【0119】ここで、図13に示したアクティブマトリ
クス型発光装置の外観を図14に示す。なお、図14
(a)には上面図を示し、図14(b)には図14(a)をP−P'
で切断した時の断面図を示す。また、図13の符号を引
用する。
Here, FIG. 14 shows an appearance of the active matrix type light emitting device shown in FIG. FIG.
14A shows a top view, and FIG. 14B shows FIG. 14A by PP ′.
FIG. Also, reference is made to the reference numerals in FIG.

【0120】図14(a)において、1401は画素部、1402
はゲート信号側駆動回路、1403はデータ信号側駆動回路
である。また、ゲート信号側駆動回路1402およびデータ
信号側駆動回路1403に伝送される信号は、入力配線1404
を介してTAB(Tape Automated Bonding)テープ1405か
ら入力される。なお、図示しないが、TABテープ1405の
代わりに、TABテープにIC(集積回路)を設けたTCP(Ta
pe Carrier Package)を接続してもよい。
In FIG. 14A, reference numeral 1401 denotes a pixel portion;
Denotes a gate signal side drive circuit, and 1403 denotes a data signal side drive circuit. A signal transmitted to the gate signal side driver circuit 1402 and the data signal side driver circuit 1403 is input wiring 1404.
Is input from a TAB (Tape Automated Bonding) tape 1405 via a PC. Although not shown, instead of the TAB tape 1405, a TCP (Ta) having an IC (integrated circuit) provided on the TAB tape is used.
pe Carrier Package).

【0121】このとき、1406は図13に示した有機EL素
子の上方に設けられるカバー材であり、樹脂からなるシ
ール材1407により接着されている。カバー材1406は酸素
および水を透過しない材質であれば、いかなるものを用
いてもよい。本実施例では、カバー材1406は図14(b)
に示すように、プラスチック材1406aと、前記プラスチ
ック材1406aの表面および裏面に設けられた炭素膜(具
体的にはダイヤモンドライクカーボン膜)1406b、1406c
からなる。
At this time, reference numeral 1406 denotes a cover material provided above the organic EL element shown in FIG. 13, and is adhered by a sealing material 1407 made of resin. As the cover material 1406, any material may be used as long as the material does not transmit oxygen and water. In this embodiment, the cover material 1406 is shown in FIG.
As shown in FIG. 7, a plastic material 1406a and carbon films (specifically, diamond-like carbon films) 1406b and 1406c provided on the front and back surfaces of the plastic material 1406a, respectively.
Consists of

【0122】さらに、図14(b)に示すように、シール
材1407は樹脂からなる封止材1408で覆われ、有機EL素子
を完全に密閉空間1409に封入するようになっている。密
閉空間1409は不活性ガス(代表的には窒素ガスや希ガ
ス)、樹脂または不活性液体(例えばパーフルオロアル
カンに代表される液状のフッ素化炭素)を充填しておけ
ばよい。さらに、吸湿剤や脱酸素剤を設けることも有効
である。
Further, as shown in FIG. 14B, the sealing material 1407 is covered with a sealing material 1408 made of resin so that the organic EL element is completely sealed in the sealed space 1409. The closed space 1409 may be filled with an inert gas (typically, nitrogen gas or a rare gas), a resin, or an inert liquid (eg, liquid fluorinated carbon typified by perfluoroalkane). Further, it is also effective to provide a moisture absorbent or a deoxidizer.

【0123】また、本実施例に示した発光装置の表示面
(画像を観測する面)に偏光板をもうけてもよい。この
偏光板は、外部から入射した光の反射を押さえ、観測者
が表示面に映り込むことを防ぐ効果がある。一般的に
は、円偏光板が用いられている。ただし、有機EL膜から
発した光が偏光板により反射されて内部に戻ることを防
ぐため、屈折率を調節して内部反射の少ない構造とする
ことが好ましい。
Further, a polarizing plate may be provided on the display surface (surface for observing an image) of the light emitting device shown in this embodiment. This polarizing plate has an effect of suppressing reflection of light incident from the outside and preventing an observer from being reflected on the display surface. Generally, a circularly polarizing plate is used. However, in order to prevent the light emitted from the organic EL film from being reflected by the polarizing plate and returning to the inside, it is preferable to adjust the refractive index to have a structure with less internal reflection.

【0124】なお、本実施例の発光装置に含まれる有機
EL素子には、本発明で開示した有機EL素子のいずれを用
いてもよい。 [実施例9]
The organic light-emitting device included in the light-emitting device of this embodiment
As the EL element, any of the organic EL elements disclosed in the present invention may be used. [Example 9]

【0125】本実施例では、本発明で開示した有機EL素
子を含む発光装置の例として、パッシブマトリクス型発
光装置を例示する。図15(a)にはその上面図を示し、
図15(b)には図15(a)をP−P'で切断した時の断面図
を示す。
In this embodiment, a passive matrix light emitting device will be described as an example of a light emitting device including the organic EL element disclosed in the present invention. FIG. 15A shows a top view thereof,
FIG. 15B is a cross-sectional view of FIG. 15A taken along a line PP ′.

【0126】図15(a)において、1501は基板であり、
ここではプラスチック材を用いる。プラスチック材とし
ては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、エポキ
シ樹脂、PES(ポリエチレンサルファイル)、PC(ポリ
カーボネート)、PET(ポリエチレンテレフタレート)
もしくはPEN(ポリエチレンナフタレート)を板状、も
しくはフィルム上にしたものが使用できる。
Referring to FIG. 15A, reference numeral 1501 denotes a substrate;
Here, a plastic material is used. Plastic materials include polyimide, polyamide, acrylic resin, epoxy resin, PES (polyethylene sulfil), PC (polycarbonate), PET (polyethylene terephthalate)
Alternatively, PEN (polyethylene naphthalate) on a plate or on a film can be used.

【0127】1502は酸化導電膜からなる走査線(陽極)
であり、本実施例では酸化亜鉛に酸化ガリウムを添加し
た酸化物導電膜を用いる。また、1503は金属膜からなる
データ線(陰極)であり、本実施例ではビスマス膜を用
いる。また、1504はアクリル樹脂からなるバンクであ
り、データ線1503を分断するための隔壁として機能す
る。走査線1502とデータ線1503は両方とも、ストライプ
状に複数形成されており、互いに直交するように設けら
れている。なお、図15(a)では図示していないが、走
査線1502とデータ線1503の間には有機EL層が挟まれてお
り、交差部1505が画素となる。
Reference numeral 1502 denotes a scanning line (anode) made of an oxide conductive film.
In this embodiment, an oxide conductive film in which gallium oxide is added to zinc oxide is used. Reference numeral 1503 denotes a data line (cathode) made of a metal film. In this embodiment, a bismuth film is used. Reference numeral 1504 denotes a bank made of an acrylic resin, which functions as a partition for dividing the data line 1503. A plurality of scanning lines 1502 and data lines 1503 are both formed in a stripe shape and provided to be orthogonal to each other. Although not shown in FIG. 15A, an organic EL layer is interposed between the scanning line 1502 and the data line 1503, and the intersection 1505 becomes a pixel.

【0128】そして、走査線1502およびデータ線1503は
TABテープ1507を介して外部の駆動回路に接続される。
なお、1508は走査線1502が集合してなる配線群を表して
おり、1509はデータ線1503に接続された接続配線1506の
集合からなる配線群を表す。また、図示していないが、
TABテープ1507の代わりに、TABテープにICを設けたTCP
を接続してもよい。
Then, the scanning line 1502 and the data line 1503
It is connected to an external drive circuit via a TAB tape 1507.
Note that reference numeral 1508 denotes a wiring group formed by collecting the scanning lines 1502, and reference numeral 1509 denotes a wiring group formed by a set of connection wirings 1506 connected to the data lines 1503. Although not shown,
TCP with IC on TAB tape instead of TAB tape 1507
May be connected.

【0129】また、図15(b)において、1510はシール
材、1511はシール材1510によりプラスチック材1501に貼
り合わされたカバー材である。シール材1510としては光
硬化樹脂を用いていればよく、脱ガスが少なく、吸湿性
の低い材料が望ましい。カバー材としては基板1501と同
一の材料が好ましく、ガラス(石英ガラスを含む)もし
くはプラスチックを用いることができる。ここではプラ
スチック材を用いる。
In FIG. 15B, reference numeral 1510 denotes a sealing material, and reference numeral 1511 denotes a cover material bonded to the plastic material 1501 by the sealing material 1510. As the sealant 1510, a light-curing resin may be used, and a material with little degassing and low hygroscopicity is preferable. As the cover material, the same material as the substrate 1501 is preferable, and glass (including quartz glass) or plastic can be used. Here, a plastic material is used.

【0130】次に、画素領域の構造の拡大図を図15
(c)に示す。1513は有機EL層である。なお、図15(c)に
示すように、バンク1504は下層の幅が上層の幅よりも狭
い形状になっており、データ線1503を物理的に分断でき
る。また、シール材1510で囲まれた画素部1514は、樹脂
からなる封止材1515により外気から遮断され、有機EL層
の劣化を防ぐ構造となっている。
Next, an enlarged view of the structure of the pixel region is shown in FIG.
This is shown in (c). Reference numeral 1513 denotes an organic EL layer. As shown in FIG. 15C, the bank 1504 has a shape in which the width of the lower layer is smaller than the width of the upper layer, and the data lines 1503 can be physically separated. Further, the pixel portion 1514 surrounded by the sealing material 1510 is shielded from outside air by a sealing material 1515 made of a resin, and has a structure to prevent deterioration of the organic EL layer.

【0131】以上のような構成からなる本発明の発光装
置は、画素部1514が走査線1502、データ線1503、バンク
1504および有機EL層1513で形成されるため、非常に簡単
なプロセスで作製することができる。
In the light emitting device of the present invention having the above structure, the pixel portion 1514 includes the scanning line 1502, the data line 1503, and the bank
Since it is formed with the 1504 and the organic EL layer 1513, it can be manufactured by a very simple process.

【0132】また、本実施例に示した発光装置の表示面
(画像を観測する面)に偏光板をもうけてもよい。この
偏光板は、外部から入射した光の反射を押さえ、観測者
が表示面に映り込むことを防ぐ効果がある。一般的に
は、円偏光板が用いられている。ただし、有機EL膜から
発した光が偏光板により反射されて内部に戻ることを防
ぐため、屈折率を調節して内部反射の少ない構造とする
ことが好ましい。
Further, a polarizing plate may be provided on the display surface (surface for observing an image) of the light emitting device shown in this embodiment. This polarizing plate has an effect of suppressing reflection of light incident from the outside and preventing an observer from being reflected on the display surface. Generally, a circularly polarizing plate is used. However, in order to prevent the light emitted from the organic EL film from being reflected by the polarizing plate and returning to the inside, it is preferable to adjust the refractive index to have a structure with less internal reflection.

【0133】なお、本実施例の発光装置に含まれる有機
EL素子には、本発明で開示した有機EL素子のいずれを用
いてもよい。
The organic light emitting device included in the light emitting device of this embodiment
As the EL element, any of the organic EL elements disclosed in the present invention may be used.

【0134】[実施例10]本実施例では、実施例9で
示した発光装置にプリント配線板を設けてモジュール化
した例を示す。
[Embodiment 10] In this embodiment, an example in which a printed wiring board is provided in the light emitting device shown in Embodiment 9 to form a module will be described.

【0135】図16(a)に示すモジュールは、基板1601
(ここでは、画素部1602、配線1603a、 1603bを含む)
にTABテープ1604が取り付けられ、前記TABテープ1604を
介してプリント配線板1605が取り付けられている。
The module shown in FIG.
(Here, including the pixel portion 1602 and the wirings 1603a and 1603b)
A TAB tape 1604 is attached to the PWB, and a printed wiring board 1605 is attached via the TAB tape 1604.

【0136】ここで、プリント配線板1605の機能ブロッ
ク図を図16(b)に示す。プリント配線板1605の内部に
は少なくともI/Oポート(入力もしくは出力部)1606、
1609、データ信号側駆動回路1607およびゲート信号側回
路1608として機能するICが設けられている。
Here, a functional block diagram of the printed wiring board 1605 is shown in FIG. At least I / O ports (input or output unit) 1606 inside the printed wiring board 1605,
1609, an IC functioning as the data signal side driving circuit 1607 and the gate signal side circuit 1608 are provided.

【0137】このように、基板面に画素部が形成された
基板にTABテープが取り付けられ、そのTABテープを介し
て駆動回路としての機能を有するプリント配線版が取り
付けられた構成のモジュールを、本明細書では特に駆動
回路外付け型モジュールと呼ぶことにする。
As described above, a module having a configuration in which the TAB tape is attached to the substrate on which the pixel portion is formed on the substrate surface, and the printed wiring plate having a function as a driving circuit is attached via the TAB tape. In the specification, the module will be referred to as a drive circuit external type module.

【0138】なお、本実施例の発光装置に含まれる有機
EL素子には、本発明で開示した有機EL素子のいずれを用
いてもよい。
Note that the organic light-emitting device included in the light-emitting device of this embodiment is
As the EL element, any of the organic EL elements disclosed in the present invention may be used.

【0139】[実施例11]本実施例では、実施例8も
しくは実施例9に示した発光装置にプリント配線板を設
けてモジュール化した例を示す。
[Embodiment 11] In this embodiment, an example in which a printed wiring board is provided in the light emitting device described in Embodiment 8 or 9 to form a module will be described.

【0140】図17(a)に示すモジュールは、基板1701
(ここでは、画素部1702、データ信号側駆動回路1703、
ゲート信号側駆動回路1704、配線1703a、 1704aを含
む)にTABテープ1705が取り付けられ、そのTABテープ17
05を介してプリント配線板1706が取り付けられている。
プリント配線板1706の機能ブロック図を図17(b)に示
す。
The module shown in FIG.
(Here, the pixel portion 1702, the data signal side driving circuit 1703,
The TAB tape 1705 is attached to the gate signal side drive circuit 1704 and the wirings 1703a and 1704a), and the TAB tape 17
A printed wiring board 1706 is attached via 05.
FIG. 17B is a functional block diagram of the printed wiring board 1706.

【0141】図17(b)に示すように、プリント配線板1
706の内部には少なくともI/Oポート1707、 1710、コン
トロール部1708として機能するICが設けられている。な
お、ここではメモリ部1709を設けてあるが、必ずしも必
要ではない。またコントロール部1708は、駆動回路の制
御、映像データの補正などをコントロールするための機
能を有した部位である。
As shown in FIG. 17B, the printed wiring board 1
Inside the 706, at least ICs functioning as I / O ports 1707 and 1710 and a control unit 1708 are provided. Although the memory unit 1709 is provided here, it is not always necessary. The control unit 1708 is a part having a function of controlling a drive circuit, correcting image data, and the like.

【0142】このように、有機EL素子の形成された基板
にコントローラーとしての機能を有するプリント配線板
が取り付けられた構成のモジュールを、本明細書では特
にコントローラー外付け型モジュールと呼ぶことにす
る。
A module having a structure in which a printed wiring board having a function as a controller is attached to a substrate on which an organic EL element is formed as described above will be particularly referred to as a controller external type module in this specification.

【0143】なお、本実施例の発光装置に含まれる有機
EL素子には、本発明で開示した有機EL素子のいずれを用
いてもよい。
The organic light-emitting device included in the light-emitting device of this embodiment
As the EL element, any of the organic EL elements disclosed in the present invention may be used.

【0144】[実施例12]上記実施例で述べた本発明の
発光装置は、明るく低消費電力であるという利点を有す
る。したがって、前記発光装置が表示部等として含まれ
る電気器具は、従来よりも低い消費電力で動作可能な電
気器具となる。特に電源としてバッテリーを使用する携
帯機器のような電気器具に関しては、低消費電力化が便
利さに直結する(電池切れが起こりにくい)ため、極め
て有用である。
[Embodiment 12] The light emitting device of the present invention described in the above embodiment has an advantage that it is bright and consumes low power. Therefore, an electric appliance that includes the light emitting device as a display unit or the like is an electric appliance that can operate with lower power consumption than before. In particular, an electric appliance such as a portable device using a battery as a power source is extremely useful because low power consumption is directly linked to convenience (the battery is hard to run out).

【0145】また、前記発光装置は、自発光型であるこ
とから液晶表示装置のようなバックライトは必要なく、
有機EL膜の厚みも1μmに満たないため、薄型軽量化が
可能である。したがって、前記発光装置が表示部等とし
て含まれる電気器具は、従来よりも薄型軽量な電気器具
となる。このことも、特に携帯機器のような電気器具に
関して、便利さ(持ち運びの際の軽さやコンパクトさ)
に直結するため、極めて有用である。さらに、電気器具
全般においても、薄型である(かさばらない)ことは運
送面(大量輸送が可能)、設置面(部屋などのスペース
確保)からみても有用であることは疑いない。
Since the light emitting device is of a self-luminous type, it does not require a backlight unlike a liquid crystal display device.
Since the thickness of the organic EL film is less than 1 μm, it is possible to reduce the thickness and weight. Therefore, an electric appliance including the light emitting device as a display unit or the like is a thinner and lighter electric appliance than before. This is also convenient, especially for electrical appliances such as portable devices (light and compact to carry).
It is very useful because it is directly connected to Furthermore, it is undoubted that the thinness (not bulky) of electric appliances in general is also useful from the viewpoint of transportation (mass transportation is possible) and installation (securing space such as rooms).

【0146】なお、前記発光装置は自発光型であるため
に、液晶表示装置に比べて明るい場所での視認性に優
れ、しかも視野角が広いという特徴を持つ。したがっ
て、前記発光装置を表示部として有する電気器具は、表
示の見やすさの点でも大きなメリットがある。
Since the light-emitting device is of a self-luminous type, the light-emitting device has excellent visibility in a bright place and a wide viewing angle as compared with a liquid crystal display device. Therefore, an electric appliance having the light-emitting device as a display portion has a great advantage in viewability of display.

【0147】すなわち、本発明の発光装置を用いた電気
器具は、低消費電力・薄型軽量・高視認性といった長所
を持っている。さらに前記発光装置は、安価で入手でき
る従来の蛍光色素を用いて燐光を促進させる構成である
ため、前記発光装置を用いた電気器具は従来に比べて安
価になるというメリットも持つ。
That is, an electric appliance using the light emitting device of the present invention has advantages such as low power consumption, thin and light weight, and high visibility. Further, since the light emitting device has a configuration in which phosphorescence is promoted by using a conventional fluorescent dye which is available at a low cost, an electric appliance using the light emitting device also has an advantage of being less expensive than the conventional one.

【0148】本実施例では、本発明の発光装置を表示部
として含む電気器具を例示する。その具体例を図18お
よび図19に示す。なお、本実施例の電気器具に含まれ
る有機EL素子には、本発明で開示した金属錯体のいずれ
を用いても良い。また、本実施例の電気器具に含まれる
発光装置の形態は、図13〜図17のいずれの形態を用
いても良い。
[0148] In this embodiment, an electric appliance including the light emitting device of the present invention as a display portion will be described. 18 and 19 show specific examples. In addition, any of the metal complexes disclosed in the present invention may be used for the organic EL element included in the electric appliance of this embodiment. The form of the light emitting device included in the electric appliance of this embodiment may be any of the forms shown in FIGS.

【0149】図18(a)は有機ELディスプレイであり、
筐体1801a、支持台1802a、表示部1803aを含む。本発明
の発光装置を表示部1803aとして用いたディスプレイを
作製することにより、薄く軽量なディスプレイを実現で
きる。よって、輸送が簡便になり、さらに設置の際の省
スペースが可能となる。
FIG. 18A shows an organic EL display.
A housing 1801a, a support base 1802a, and a display portion 1803a are included. By manufacturing a display using the light-emitting device of the present invention as the display portion 1803a, a thin and lightweight display can be realized. Therefore, transportation is simplified, and further, space saving at the time of installation becomes possible.

【0150】図18(b)はビデオカメラであり、本体180
1b、表示部1802b、音声入力部1803b、操作スイッチ1804
b、バッテリー1805b、受像部1806bを含む。本発明の発
光装置を表示部1802bとして用いたビデオカメラを作製
することにより、消費電力が少なく、軽量なビデオカメ
ラを実現できる。よって、電池の消費量が少なくなり、
持ち運びも簡便になる。
FIG. 18B shows a video camera,
1b, display section 1802b, voice input section 1803b, operation switch 1804
b, battery 1805b, and image receiving unit 1806b. By manufacturing a video camera using the light-emitting device of the present invention as the display portion 1802b, a lightweight video camera with low power consumption can be realized. Therefore, battery consumption is reduced,
It is easy to carry.

【0151】図18(c)はデジタルカメラであり、本体1
801c、表示部1802c、接眼部1803c、操作スイッチ1804c
を含む。本発明の発光装置を表示部1802cとして用いた
デジタルカメラを作製することにより、消費電力が少な
く、軽量なデジタルカメラを実現できる。よって、電池
の消費量が少なくなり、持ち運びも簡便になる。
FIG. 18C shows a digital camera,
801c, display section 1802c, eyepiece section 1803c, operation switch 1804c
including. By manufacturing a digital camera using the light-emitting device of the present invention as the display portion 1802c, a light-weight digital camera with low power consumption can be realized. Therefore, the consumption of the battery is reduced and the portability is simplified.

【0152】図18(d)は記録媒体を備えた画像再生装
置であり、本体1801d、記録媒体(CD、LD、またはDVDな
ど)1802d、操作スイッチ1803d、表示部(A)1804d、表示
部(B)1805dを含む。表示部(A)1804dは主として画像情報
を表示し、表示部(B)1805dは主として文字情報を表示す
る。本発明の発光装置をこれら表示部(A)1804dや表示部
(B)1805dとして用いた前記画像再生装置を作製すること
により、消費電力が少なく、軽量な前記画像再生装置を
実現できる。なお、この記録媒体を備えた画像再生装置
には、CD再生装置、ゲーム機器なども含む。
FIG. 18D shows an image reproducing apparatus provided with a recording medium, which includes a main body 1801d, a recording medium (CD, LD, or DVD) 1802d, operation switches 1803d, a display section (A) 1804d, and a display section ( B) Including 1805d. The display portion (A) 1804d mainly displays image information, and the display portion (B) 1805d mainly displays character information. The light-emitting device of the present invention is used for the display portion (A) 1804d and the display portion.
(B) By manufacturing the image reproducing apparatus used as 1805d, the light-weight image reproducing apparatus with low power consumption can be realized. Note that the image reproducing device provided with the recording medium includes a CD reproducing device, a game machine, and the like.

【0153】図18(e)は携帯型(モバイル)コンピュ
ータであり、本体1801e、表示部1802e、受像部1803e、
操作スイッチ1804e、メモリスロット1805eを含む。本発
明の発光装置を表示部1802eとして用いた携帯型コンピ
ュータを作製することにより、消費電力が少なく、薄型
軽量な携帯型コンピュータを実現できる。よって、電池
の消費量が少なくなり、持ち運びも簡便になる。なお、
この携帯型コンピュータはフラッシュメモリや不揮発性
メモリを集積化した記録媒体に情報を記録したり、それ
を再生したりすることができる。
FIG. 18E shows a portable (mobile) computer, which includes a main body 1801e, a display section 1802e, an image receiving section 1803e,
Includes operation switch 1804e and memory slot 1805e. By manufacturing a portable computer using the light-emitting device of the present invention as the display portion 1802e, a thin and lightweight portable computer with low power consumption can be realized. Therefore, the consumption of the battery is reduced and the portability is simplified. In addition,
This portable computer can record information on a recording medium in which a flash memory or a nonvolatile memory is integrated, and can reproduce the information.

【0154】図18(f)はパーソナルコンピュータであ
り、本体1801f、筐体1802f、表示部1803f、キーボード1
804fを含む。本発明の発光装置を表示部1803fとして用
いたパーソナルコンピュータを作製することにより、消
費電力が少なく、薄型軽量なパーソナルコンピュータを
実現できる。特に、ノートパソコンのように持ち歩く用
途が必要な場合、電池の消費量や軽さの点で大きなメリ
ットとなる。
FIG. 18F shows a personal computer, which includes a main body 1801f, a housing 1802f, a display portion 1803f, a keyboard 1
804f. By manufacturing a personal computer using the light-emitting device of the present invention as the display portion 1803f, a thin and lightweight personal computer with low power consumption can be realized. In particular, when a portable use such as a notebook computer is required, a great advantage is obtained in terms of battery consumption and lightness.

【0155】なお、上記電気器具はインターネットなど
の電子通信回線や電波などの無線通信を通じて配信され
る情報を表示することが多くなってきており、特に動画
情報を表示する機会が増えている。有機EL素子の応答速
度は非常に速く、そのような動画表示に好適である。
It is to be noted that the above-mentioned electric appliances often display information distributed through electronic communication lines such as the Internet or wireless communication such as radio waves, and in particular, opportunities to display moving image information are increasing. The response speed of the organic EL element is very fast, and is suitable for such moving image display.

【0156】次に、図19(a)は携帯電話であり、本体1
901a、音声出力部1902a、音声入力部1903a、表示部1904
a、操作スイッチ1905a、アンテナ1906aを含む。本発明
の発光装置を表示部1904aとして用いた携帯電話を作製
することにより、消費電力が少なく、薄型軽量な携帯電
話を実現できる。よって、電池の消費量が少なくなり、
持ち運びも楽になる上にコンパクトな本体にできる。
Next, FIG. 19A shows a mobile phone, and the main body 1
901a, audio output unit 1902a, audio input unit 1903a, display unit 1904
a, an operation switch 1905a, and an antenna 1906a. By manufacturing a mobile phone using the light-emitting device of the present invention as the display portion 1904a, a thin and lightweight mobile phone with low power consumption can be realized. Therefore, battery consumption is reduced,
It is easy to carry and compact.

【0157】図19(b)は音響機器(具体的には車載用
オーディオ)であり、本体1901b、表示部1902b、操作ス
イッチ1903b、1904bを含む。本発明の発光装置を表示部
1902bとして用いた音響機器を作製することにより、消
費電力が少なく、軽量な音響機器を実現できる。また、
本実施例では車載用オーディオを例として示すが、家庭
用オーディオに用いても良い。
FIG. 19 (b) shows an audio device (specifically, a vehicle audio system), which includes a main body 1901b, a display portion 1902b, and operation switches 1903b and 1904b. Display unit of the light emitting device of the present invention
By manufacturing the audio device used as the 1902b, a lightweight audio device with low power consumption can be realized. Also,
In this embodiment, the in-vehicle audio is shown as an example, but it may be used for home audio.

【0158】なお、図18〜図19で示したような電気
器具において、さらに光センサを内蔵させ、使用環境の
明るさを検知する手段を設けることで、使用環境の明る
さに応じて発光輝度を変調させるような機能を持たせる
ことは有効である。使用者は、使用環境の明るさに比べ
てコントラスト比で100〜150の明るさを確保できれば、
問題なく画像もしくは文字情報を認識できる。すなわ
ち、使用環境が明るい場合は画像の輝度を上げて見やす
くし、使用環境が暗い場合は画像の輝度を抑えて消費電
力を抑えるといったことが可能となる。
In the electric appliances as shown in FIGS. 18 to 19, a light sensor is further incorporated and a means for detecting the brightness of the use environment is provided, so that the light emission luminance can be adjusted according to the brightness of the use environment. It is effective to have a function of modulating the frequency. If the user can secure a brightness of 100 to 150 in contrast ratio compared to the brightness of the usage environment,
Image or character information can be recognized without any problem. That is, when the use environment is bright, it is possible to increase the brightness of the image to make it easier to see, and when the use environment is dark, it is possible to suppress the brightness of the image and reduce power consumption.

【0159】また、本発明の発光装置を光源として用い
た様々な電気器具も、低消費電力での動作や薄型軽量化
が可能であるため、非常に有用と言える。代表的には、
液晶表示装置のバックライトもしくはフロントライトと
いった光源、または照明機器の光源として本発明の発光
装置を含む電気器具は、低消費電力の実現や薄型軽量化
が可能である。
Also, various electric appliances using the light emitting device of the present invention as a light source can be said to be very useful because they can operate with low power consumption and can be made thin and lightweight. Typically,
An electric appliance including the light-emitting device of the present invention as a light source such as a backlight or a front light of a liquid crystal display device or a light source of a lighting device can realize low power consumption and can be thin and lightweight.

【0160】したがって、本実施例に示した図18〜図
19の電気器具の表示部を、全て液晶ディスプレイにす
る場合においても、その液晶ディスプレイのバックライ
トもしくはフロントライトとして本発明の発光装置を用
いた電気器具を作製することにより、消費電力が少な
く、薄くて軽量な電気器具が達成できる。
Therefore, even when the display portions of the electric appliances of FIGS. 18 to 19 shown in this embodiment are all liquid crystal displays, the light emitting device of the present invention is used as the backlight or front light of the liquid crystal display. By manufacturing the electric appliance, a thin and lightweight electric appliance with low power consumption can be achieved.

【0161】[0161]

【発明の効果】本発明を実施することで、明るく消費電
力が少ない上に、発光色が多彩でコスト的にも優れた発
光装置を得ることができる。さらに、そのような発光装
置を光源もしくは表示部に用いることで、明るく消費電
力が少ない上に、発光色が多彩で安価な電気器具を得る
ことができる。
According to the present invention, it is possible to obtain a light emitting device which is bright, consumes less power, emits a variety of colors, and is excellent in cost. In addition, by using such a light-emitting device for a light source or a display portion, an inexpensive electric appliance which is bright, consumes little power, and emits various colors can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】格子を形成する金属錯体の概念を示す図。FIG. 1 is a diagram showing the concept of a metal complex forming a lattice.

【図2】格子を形成する金属錯体の概念を示す図。FIG. 2 is a diagram illustrating the concept of a metal complex forming a lattice.

【図3】格子を形成する金属錯体の構成を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a structure of a metal complex forming a lattice.

【図4】格子を形成する金属錯体の構成を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a structure of a metal complex forming a lattice.

【図5】格子を形成する金属錯体の構成を示す図。FIG. 5 is a diagram showing a structure of a metal complex forming a lattice.

【図6】格子を形成する金属錯体の構成を示す図。FIG. 6 is a diagram showing a structure of a metal complex forming a lattice.

【図7】格子を形成する金属錯体の構成を示す図。FIG. 7 illustrates a structure of a metal complex forming a lattice.

【図8】格子を形成する金属錯体の構成を示す図。FIG. 8 illustrates a structure of a metal complex forming a lattice.

【図9】格子を形成する金属錯体の構成を示す図。FIG. 9 illustrates a structure of a metal complex forming a lattice.

【図10】格子を形成する金属錯体の構成を示す図。FIG. 10 illustrates a structure of a metal complex forming a lattice.

【図11】格子を形成する金属錯体の構成を示す図。FIG. 11 illustrates a structure of a metal complex forming a lattice.

【図12】有機EL素子の構造を示す図。FIG. 12 is a diagram showing a structure of an organic EL element.

【図13】発光装置の断面構造を示す図。FIG. 13 illustrates a cross-sectional structure of a light-emitting device.

【図14】発光装置の上面構造および断面構造を示す
図。
14A and 14B illustrate a top structure and a cross-sectional structure of a light-emitting device.

【図15】発光装置の上面構造および断面構造を示す
図。
FIG. 15 illustrates a top structure and a cross-sectional structure of a light-emitting device.

【図16】発光装置の構成を示す図。FIG. 16 illustrates a structure of a light-emitting device.

【図17】発光装置の構成を示す図。FIG. 17 illustrates a structure of a light-emitting device.

【図18】電気器具の具体例を示す図。FIG. 18 illustrates a specific example of an electric appliance.

【図19】電気器具の具体例を示す図。FIG. 19 illustrates a specific example of an electric appliance.

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ELが得られる有機化合物と、金属錯体と、
からなる発光層を含む有機EL素子を有する発光装置にお
いて、前記金属錯体は、金属原子と配位子とが交互に配
列する格子構造を形成し、前記金属原子が格子点であっ
てなおかつ前記配位子が前記格子点を架橋する構造であ
ることを特徴とする発光装置。
An organic compound capable of obtaining EL, a metal complex,
In a light-emitting device having an organic EL element including a light-emitting layer, the metal complex forms a lattice structure in which metal atoms and ligands are alternately arranged, and the metal atom is a lattice point and A light emitting device having a structure in which a ligand bridges the lattice point.
【請求項2】ELが得られる有機化合物と、金属錯体と、
からなる発光層を含む有機EL素子を有する発光装置にお
いて、前記金属錯体は、金属原子と配位子とが交互に配
列する格子構造を形成し、前記配位子が格子点であって
なおかつ前記金属原子が前記格子点を架橋する構造であ
ることを特徴とする発光装置。
2. An organic compound capable of obtaining EL, a metal complex,
In a light-emitting device having an organic EL element including a light-emitting layer, the metal complex forms a lattice structure in which metal atoms and ligands are alternately arranged, and the ligand is a lattice point, and A light-emitting device having a structure in which metal atoms bridge the lattice points.
【請求項3】請求項1または請求項2のいずれか一項に
記載の発光装置において、前記金属原子がルビジウム以
上の原子番号を有することを特徴とする発光装置。
3. The light emitting device according to claim 1, wherein said metal atom has an atomic number equal to or higher than rubidium.
【請求項4】ELが得られる有機化合物と、二つの金属原
子を核とする複核構造を有する金属錯体と、からなる発
光層を含む有機EL素子を有する発光装置において、前記
金属錯体は、前記複核構造の部位と配位子とが交互に配
列する格子構造を形成し、前記複核構造の部位が格子点
であってなおかつ前記配位子が前記格子点を架橋する構
造であることを特徴とする発光装置。
4. A light emitting device having an organic EL element including a light emitting layer comprising an organic compound capable of obtaining EL and a metal complex having a binuclear structure having two metal atoms as nuclei, wherein the metal complex is Forming a lattice structure in which sites of a polynuclear structure and ligands are alternately arranged, wherein the site of the polynuclear structure is a lattice point and the ligand is a structure that bridges the lattice point. Light emitting device.
【請求項5】ELが得られる有機化合物と、二つの金属原
子を核とする複核構造を有する金属錯体と、からなる発
光層を含む有機EL素子を有する発光装置において、前記
金属錯体は、前記複核構造の部位と配位子とが交互に配
列する格子構造を形成し、前記配位子が格子点であって
なおかつ前記複核構造の部位が前記格子点を架橋する構
造であることを特徴とする発光装置。
5. A light-emitting device having an organic EL element including a light-emitting layer comprising an organic compound from which EL is obtained and a metal complex having a binuclear structure having two metal atoms as nuclei, wherein the metal complex is Forming a lattice structure in which sites of a polynuclear structure and ligands are alternately arranged, wherein the ligand is a lattice point, and the site of the polynuclear structure is a structure that bridges the lattice point. Light emitting device.
【請求項6】請求項4または請求項5のいずれか一項に
記載の発光装置において、前記金属原子が第5族元素乃
至第11族元素のいずれかの元素からなることを特徴と
する発光装置。
6. The light emitting device according to claim 4, wherein said metal atom is made of any one of Group 5 to Group 11 elements. apparatus.
【請求項7】ELが得られる有機化合物と、二つの金属原
子を核とする複核構造を有する金属錯体と、からなる発
光層を含む有機EL素子を有する発光装置において、前記
金属錯体は、第5族元素乃至第11族元素のいずれかの
元素からなる2価の金属イオンと、ジカルボン酸イオン
を有する配位子と、から構成されていることを特徴とす
る発光装置。
7. A light emitting device having an organic EL element including a light emitting layer comprising an organic compound capable of obtaining EL and a metal complex having a binuclear structure having two metal atoms as nuclei, wherein the metal complex is A light-emitting device comprising: a divalent metal ion comprising any one of Group 5 to Group 11 elements; and a ligand having a dicarboxylate ion.
【請求項8】ELが得られる有機化合物と、二つの金属原
子を核とする複核構造を有する金属錯体と、からなる発
光層を含む有機EL素子を有する発光装置において、前記
金属錯体は、第5族元素乃至第11族元素のいずれかの
元素からなる2価の金属イオンと、下記一般式 【化1】 で表される配位子と、から構成されていることを特徴と
する発光装置(ただしaは、パラフェニレン基を含む置
換基、または複素環を含む置換基、または縮合環を含む
置換基、を表す。)。
8. A light-emitting device having an organic EL element including a light-emitting layer composed of an organic compound capable of obtaining EL and a metal complex having a binuclear structure having two metal atoms as nuclei, wherein the metal complex is A divalent metal ion composed of any one of Group 5 to Group 11 elements and the following general formula: And a ligand represented by, wherein a is a substituent containing a paraphenylene group, or a substituent containing a heterocyclic ring, or a substituent containing a fused ring, .).
【請求項9】ELが得られる有機化合物と、二つの金属原
子を核とする複核構造を有する金属錯体と、からなる発
光層を含む有機EL素子を有する発光装置において、前記
金属錯体は、第5族元素乃至第11族元素のいずれかの
元素からなる2価の金属イオンと、下記一般式 【化2】 で表される配位子と、から構成されていることを特徴と
する発光装置(ただしbは、一つもしくは複数のシクロ
アルキレン基を表し、前記bは置換基を有していても良
い。)。
9. A light-emitting device having an organic EL element including a light-emitting layer comprising an organic compound capable of obtaining EL and a metal complex having a binuclear structure having two metal atoms as nuclei, wherein the metal complex is A divalent metal ion consisting of any one of Group 5 to Group 11 elements and the following general formula: And a ligand represented by the following formula (where b represents one or more cycloalkylene groups, and b may have a substituent). ).
【請求項10】ELが得られる有機化合物と、二つの金属
原子を核とする複核構造を有する金属錯体と、からなる
発光層を含む有機EL素子を有する発光装置において、前
記金属錯体は、第5族元素乃至第11族元素のいずれか
の元素からなる2価の金属イオンと、下記一般式 【化3】 で表される配位子と、から構成されていることを特徴と
する発光装置(ただしnは、1以上の整数を表す)。
10. A light-emitting device having an organic EL element including a light-emitting layer comprising an organic compound capable of obtaining EL and a metal complex having a binuclear structure having two metal atoms as nuclei, wherein the metal complex is A divalent metal ion composed of any one of the elements belonging to Group 5 to Group 11 and the following general formula: And a ligand represented by the formula: (where n represents an integer of 1 or more).
【請求項11】ELが得られる有機化合物と、二つの金属
原子を核とする複核構造を有する金属錯体と、からなる
発光層を含む有機EL素子を有する発光装置において、前
記金属錯体は、第5族元素乃至第11族元素のいずれか
の元素からなる2価の金属イオンと、下記一般式 【化4】 で表される配位子と、から構成されていることを特徴と
する発光装置(ただしcは、アリール基を含む置換基、
または複素環を含む置換基、または縮合環を含む置換
基、を表す。)。
11. A light-emitting device having an organic EL element including a light-emitting layer comprising an organic compound capable of obtaining EL and a metal complex having a binuclear structure having two metal atoms as nuclei, wherein the metal complex is A divalent metal ion comprising any one of Group 5 to Group 11 elements and the following general formula: And a ligand represented by: wherein c is a substituent containing an aryl group,
Or a substituent containing a heterocyclic ring or a substituent containing a condensed ring. ).
【請求項12】請求項1乃至請求項11のいずれか一項
に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。
12. An electric appliance using the light emitting device according to any one of claims 1 to 11.
JP2001366998A 2000-11-30 2001-11-30 Light emitting device Expired - Fee Related JP4255635B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001366998A JP4255635B2 (en) 2000-11-30 2001-11-30 Light emitting device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000366045 2000-11-30
JP2000-366045 2000-11-30
JP2001366998A JP4255635B2 (en) 2000-11-30 2001-11-30 Light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002231454A true JP2002231454A (en) 2002-08-16
JP4255635B2 JP4255635B2 (en) 2009-04-15

Family

ID=26605014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001366998A Expired - Fee Related JP4255635B2 (en) 2000-11-30 2001-11-30 Light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4255635B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004199875A (en) * 2002-12-16 2004-07-15 Canon Inc Organic light-emitting device
WO2005054404A1 (en) * 2003-12-01 2005-06-16 Canon Kabushiki Kaisha Luminescent device
JP2013505565A (en) * 2009-09-18 2013-02-14 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Organic electronic devices and dopants for doping organic semiconductor matrix materials

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004199875A (en) * 2002-12-16 2004-07-15 Canon Inc Organic light-emitting device
WO2005054404A1 (en) * 2003-12-01 2005-06-16 Canon Kabushiki Kaisha Luminescent device
US7875366B2 (en) 2003-12-01 2011-01-25 Canon Kabushiki Kaisha Luminescent device
JP2013505565A (en) * 2009-09-18 2013-02-14 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Organic electronic devices and dopants for doping organic semiconductor matrix materials
US9166178B2 (en) 2009-09-18 2015-10-20 Osram Oled Gmbh Organic electronic device and dopant for doping an organic semiconducting matrix material
KR101768731B1 (en) 2009-09-18 2017-08-16 오스람 오엘이디 게엠베하 Organic electronic device and dopant for doping an organic semiconducting matrix material

Also Published As

Publication number Publication date
JP4255635B2 (en) 2009-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7141313B2 (en) Light emitting device
JP4554047B2 (en) Light emitting device
US6489638B2 (en) Light emitting device
US7560177B2 (en) Organic light emitting element and light emitting device using the same
JP4531342B2 (en) White organic light emitting device and light emitting device
JP4263415B2 (en) ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT AND DISPLAY DEVICE USING THE ELEMENT
CN100481483C (en) Organic luminous element and display equipment using the same
JP4725056B2 (en) Light emitting device material and light emitting device
US6572987B2 (en) Light-emitting device
US20020028349A1 (en) Light emitting device
JP2002141173A (en) Light emitting device
US6787249B2 (en) Organic light emitting element and light emitting device using the same
JP2006073581A5 (en)
JP3964245B2 (en) ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT AND LIGHT EMITTING DEVICE USING THE ELEMENT
JP2003007471A (en) Organic light emitting element and luminescence equipment using the element
JP4683924B2 (en) Luminescent material, electroluminescent element, and light emitting device
JP2002083684A (en) Light-emitting device
JP2002184582A (en) Luminescent device
JP4076773B2 (en) LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE USING SAME, ELECTRIC APPARATUS
JP4255635B2 (en) Light emitting device
JP2005099481A (en) Dual-mode display
TWI305800B (en)

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080729

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080923

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20081021

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081128

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20090107

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090127

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090128

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees