JP2002231449A - 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
Abstract
(57)【要約】
【目的】 未成膜部の発生を防止し、各ＲＧＢ素子用の
有機ＥＬ層を透明基板２０上に形成する。 【構成】 透明基板上に形成されるＲ，Ｇ，Ｂ素子の配
列パターンに対応するピッチで開口部１１が形成された
メタルマスク１０を用い、開口部から透明基板２０上に
Ｒ，Ｇ，Ｂ用有機ＥＬ媒体を蒸着して有機ＥＬ層を形成
する際、必要な発光領域よりも大きな縁１２で開口部１
１が区画されるメタルマスク１０を使用する。必要発光
領域を完全に包含する面積の有機ＥＬ媒体層２１Ｒ，２
１Ｇ，２１Ｂが透明基板２０上に形成されるため、表示
品位を劣化させる未成膜部の発生がない。
有機ＥＬ層を透明基板２０上に形成する。 【構成】 透明基板上に形成されるＲ，Ｇ，Ｂ素子の配
列パターンに対応するピッチで開口部１１が形成された
メタルマスク１０を用い、開口部から透明基板２０上に
Ｒ，Ｇ，Ｂ用有機ＥＬ媒体を蒸着して有機ＥＬ層を形成
する際、必要な発光領域よりも大きな縁１２で開口部１
１が区画されるメタルマスク１０を使用する。必要発光
領域を完全に包含する面積の有機ＥＬ媒体層２１Ｒ，２
１Ｇ，２１Ｂが透明基板２０上に形成されるため、表示
品位を劣化させる未成膜部の発生がない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明電極と背面電極と
の短絡が生じる原因となる未成膜部を生じることなく、
発光効率の高い有機ＥＬディスプレイを製造する方法に
関する。
の短絡が生じる原因となる未成膜部を生じることなく、
発光効率の高い有機ＥＬディスプレイを製造する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬディスプレイは、発光層に電圧
を印加することにより生じる自発光で画像を表示するこ
とから、バックライトを必要とする液晶ディスプレイに
比較して明るく鮮明な画像が得られ、視野角度の影響も
受けない。この長所から、次世代表示装置として脚光を
浴びている。
を印加することにより生じる自発光で画像を表示するこ
とから、バックライトを必要とする液晶ディスプレイに
比較して明るく鮮明な画像が得られ、視野角度の影響も
受けない。この長所から、次世代表示装置として脚光を
浴びている。
【０００３】有機ＥＬディスプレイは、透明基板上に透
明電極，有機ＥＬ層，背面電極を積層した有機ＥＬ素子
を所定パターンで配列した構造をもつ。有機ＥＬディス
プレイでフルカラーの画像を得るためには、ＲＧＢ三原
色の微細素子を透明基板上に形成することが必要とさ
れ、ＲＧＢの各色を発する有機ＥＬ素子を透明基板上に
作りこむＲＧＢ並置型，白色発光とカラーフィルタを組
み合わせたRGB by White法，青色発光素子と蛍光性の色
変換層を組み合わせたCCM法，陰極にも透明度の高い電
極を使用しＲＧＢ素子を重ねるＲＧＢスタッキング法等
が採用されている。
明電極，有機ＥＬ層，背面電極を積層した有機ＥＬ素子
を所定パターンで配列した構造をもつ。有機ＥＬディス
プレイでフルカラーの画像を得るためには、ＲＧＢ三原
色の微細素子を透明基板上に形成することが必要とさ
れ、ＲＧＢの各色を発する有機ＥＬ素子を透明基板上に
作りこむＲＧＢ並置型，白色発光とカラーフィルタを組
み合わせたRGB by White法，青色発光素子と蛍光性の色
変換層を組み合わせたCCM法，陰極にも透明度の高い電
極を使用しＲＧＢ素子を重ねるＲＧＢスタッキング法等
が採用されている。
【０００４】Ｒ，Ｇ，Ｂの各色を発する有機ＥＬ素子を
透明基板上に作り込むＲＧＢ並置型では、メタルマスク
を用いて各色用に塗り分け成膜している。メタルマスク
１には、各ピクセルに対応する開口１ａが縦横に形成さ
れている（図１ａ）。メタルマスク１と透明基板２との
間は、透明基板２上に形成されている隔壁３によって所
定間隔に維持される。単一開口のメタルマスクやスリッ
ト状のメタルマスクにあっても、標準的な開口ピッチは
縦横同一に設定されている。
透明基板上に作り込むＲＧＢ並置型では、メタルマスク
を用いて各色用に塗り分け成膜している。メタルマスク
１には、各ピクセルに対応する開口１ａが縦横に形成さ
れている（図１ａ）。メタルマスク１と透明基板２との
間は、透明基板２上に形成されている隔壁３によって所
定間隔に維持される。単一開口のメタルマスクやスリッ
ト状のメタルマスクにあっても、標準的な開口ピッチは
縦横同一に設定されている。
【０００５】メタルマスク１を用いた方法では、次の手
順でＲＧＢ素子が透明基板上に設けられる（図１ｂ）。
隔壁３で区画された透明基板２の各凹部にメタルマスク
１の各開口１ａを位置合せした後、隔壁３上にメタルマ
スク１を載置する。この状態で、１番目（たとえば、赤
色）の有機ＥＬ媒体４Ｒを蒸着法等で成膜する。次い
で、メタルマスク１を左方向にピクセル１ピッチ分だけ
ずらして位置合せした後、同様な方法で２番目（たとえ
ば、緑色）の有機ＥＬ媒体４Ｇを成膜する。更にメタル
マスク１を左方向にピクセル１ピッチ分だけずらして位
置合せした後、同様な方法で３番目（たとえば、青色）
の有機ＥＬ媒体４Ｂを成膜する。
順でＲＧＢ素子が透明基板上に設けられる（図１ｂ）。
隔壁３で区画された透明基板２の各凹部にメタルマスク
１の各開口１ａを位置合せした後、隔壁３上にメタルマ
スク１を載置する。この状態で、１番目（たとえば、赤
色）の有機ＥＬ媒体４Ｒを蒸着法等で成膜する。次い
で、メタルマスク１を左方向にピクセル１ピッチ分だけ
ずらして位置合せした後、同様な方法で２番目（たとえ
ば、緑色）の有機ＥＬ媒体４Ｇを成膜する。更にメタル
マスク１を左方向にピクセル１ピッチ分だけずらして位
置合せした後、同様な方法で３番目（たとえば、青色）
の有機ＥＬ媒体４Ｂを成膜する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】メタルマスク１を介し
て透明基板２に蒸着された発光媒体は、層全体が発光に
寄与するものではなく、正孔輸送層下のポリイミド，Ｓ
ｉＯ2等からなる絶縁膜（図示せず）の形状によって発
光領域が規制される。従来のメタルマスク１では、必要
な発光領域に対応するように開口１ａの縁部が設定され
ている。そのため、透明基板２にメタルマスク１を位置
合せする際、各ピクセルのＲＧＢ素子に未成膜部５の発
生が避けがたい。未成膜は、メタルマスク１や透明基板
２の形状精度及び位置合せ精度が主たる原因であるが、
完全に防止することは実装業上困難である。未成膜部５
があると、透明基板２に設けられている透明電極と背面
電極との間にリーク電流が流れ、表示品位が著しく低下
する。
て透明基板２に蒸着された発光媒体は、層全体が発光に
寄与するものではなく、正孔輸送層下のポリイミド，Ｓ
ｉＯ2等からなる絶縁膜（図示せず）の形状によって発
光領域が規制される。従来のメタルマスク１では、必要
な発光領域に対応するように開口１ａの縁部が設定され
ている。そのため、透明基板２にメタルマスク１を位置
合せする際、各ピクセルのＲＧＢ素子に未成膜部５の発
生が避けがたい。未成膜は、メタルマスク１や透明基板
２の形状精度及び位置合せ精度が主たる原因であるが、
完全に防止することは実装業上困難である。未成膜部５
があると、透明基板２に設けられている透明電極と背面
電極との間にリーク電流が流れ、表示品位が著しく低下
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような問
題を解消すべく案出されたものであり、必要な発光領域
を超えてＲ，Ｇ，Ｂ有機ＥＬ媒体層の少なくとも１種を
成膜することにより、未成膜に起因する透明電極と背面
電極との短絡を防止し、高い発光効率で画像表示できる
高表示品位の有機ＥＬディスプレイを提供することを目
的とする。
題を解消すべく案出されたものであり、必要な発光領域
を超えてＲ，Ｇ，Ｂ有機ＥＬ媒体層の少なくとも１種を
成膜することにより、未成膜に起因する透明電極と背面
電極との短絡を防止し、高い発光効率で画像表示できる
高表示品位の有機ＥＬディスプレイを提供することを目
的とする。
【０００８】開口サイズの大きなメタルマスクを使用す
る場合、透明基板上に形成されるＲ，Ｇ，Ｂ素子の配列
パターンに対応するピッチで開口部が形成されたメタル
マスクを透明基板に重ね合わせ、開口部から透明基板上
にＲ，Ｇ，Ｂ用有機ＥＬ媒体を蒸着して有機ＥＬ層を形
成する際、Ｒ，Ｇ，Ｂ素子の少なくとも１種について発
光領域を超える縁で開口部が区画されたメタルマスクを
使用する。開口部の縁は、隣り合う各Ｒ，Ｇ，Ｂ素子間
の中心線を超えた位置に設定してもよい。
る場合、透明基板上に形成されるＲ，Ｇ，Ｂ素子の配列
パターンに対応するピッチで開口部が形成されたメタル
マスクを透明基板に重ね合わせ、開口部から透明基板上
にＲ，Ｇ，Ｂ用有機ＥＬ媒体を蒸着して有機ＥＬ層を形
成する際、Ｒ，Ｇ，Ｂ素子の少なくとも１種について発
光領域を超える縁で開口部が区画されたメタルマスクを
使用する。開口部の縁は、隣り合う各Ｒ，Ｇ，Ｂ素子間
の中心線を超えた位置に設定してもよい。
【０００９】透明基板からメタルマスクを離す場合、メ
タルマスクの開口部を介して必要な発光領域を取り囲む
面積をもつＲ，Ｇ，Ｂ用素子の少なくとも１種を選択成
膜する。隣り合う各Ｒ，Ｇ，Ｂ素子間の中心線を超えた
ところまで各色用の有機ＥＬ媒体層を選択成膜してもよ
い。透明基板とメタルマスクとの間に所定間隙を維持す
るためには、隣り合う各Ｒ，Ｇ，Ｂ素子間に設けられて
いる隔壁を高くし、或いは隔壁及び／又はメタルマスク
の透明基板側表面に間隙調整用突起を形成する手法等が
採用可能である。
タルマスクの開口部を介して必要な発光領域を取り囲む
面積をもつＲ，Ｇ，Ｂ用素子の少なくとも１種を選択成
膜する。隣り合う各Ｒ，Ｇ，Ｂ素子間の中心線を超えた
ところまで各色用の有機ＥＬ媒体層を選択成膜してもよ
い。透明基板とメタルマスクとの間に所定間隙を維持す
るためには、隣り合う各Ｒ，Ｇ，Ｂ素子間に設けられて
いる隔壁を高くし、或いは隔壁及び／又はメタルマスク
の透明基板側表面に間隙調整用突起を形成する手法等が
採用可能である。
【００１０】メタルマスクの大きなサイズの開口部、或
いは透明基板から離間配置したメタルマスクの開口部を
介して有機ＥＬ媒体を蒸着することにより、Ｒ，Ｇ，Ｂ
素子の１種又は２種以上が必要な発光領域を超えた部分
まで選択成膜された有機ＥＬディスプレイが得られる。
また、各有機ＥＬ層の間に重り合いが生じることもあ
る。有機ＥＬ層の重り合いを考慮すると、駆動電圧又は
電流密度の高い素子用の有機ＥＬ媒体を蒸着した後、駆
動電圧又は電流密度の低い素子用の有機ＥＬ媒体を蒸着
することが好ましい。
いは透明基板から離間配置したメタルマスクの開口部を
介して有機ＥＬ媒体を蒸着することにより、Ｒ，Ｇ，Ｂ
素子の１種又は２種以上が必要な発光領域を超えた部分
まで選択成膜された有機ＥＬディスプレイが得られる。
また、各有機ＥＬ層の間に重り合いが生じることもあ
る。有機ＥＬ層の重り合いを考慮すると、駆動電圧又は
電流密度の高い素子用の有機ＥＬ媒体を蒸着した後、駆
動電圧又は電流密度の低い素子用の有機ＥＬ媒体を蒸着
することが好ましい。
【００１１】
【実施の形態】本発明に従ったメタルマスク１０は、図
２に示すように各ＲＧＢ素子の配列パターンに対応して
開口部１１が形成されている。開口部１１は、必要な発
光領域より大きな縁で区画されている。隣り合うＲＧＢ
素子の中心線ＣＬを超えた位置に開口部１１の縁１２を
設定してもよい。なお、図２では開口部１１がＲ素子に
対応するように透明基板（図示せず）にメタルマスク１
０を位置合せした状態を示しているが、他のＧ，Ｂ素子
に対しても、開口部１１を同様に一致させることができ
る。
２に示すように各ＲＧＢ素子の配列パターンに対応して
開口部１１が形成されている。開口部１１は、必要な発
光領域より大きな縁で区画されている。隣り合うＲＧＢ
素子の中心線ＣＬを超えた位置に開口部１１の縁１２を
設定してもよい。なお、図２では開口部１１がＲ素子に
対応するように透明基板（図示せず）にメタルマスク１
０を位置合せした状態を示しているが、他のＧ，Ｂ素子
に対しても、開口部１１を同様に一致させることができ
る。
【００１２】開口部１１を大きくしたメタルマスク１０
を用いてＲ，Ｇ，Ｂ各色の有機ＥＬ媒体が蒸着されるた
め、ＲＧＢ素子は、必要な発光領域よりも若干大きな面
積で透明基板２０上に形成される。具体的には、開口部
１１の縁１２が後退しているので、有機ＥＬ層２１Ｒは
Ｒ用発光領域よりも若干大きな面積で形成される（図
３）。蒸着に代え、インクジェット等の塗分け法によっ
てもＲＧＢ素子の形成が可能なことは勿論である。次い
で、メタルマスク１０を左方向にＲＧＢ素子１個分だけ
ずらし、有機ＥＬ層２１Ｇを形成する。有機ＥＬ媒体層
２１Ｇも、後退した縁１２をもつ開口部１１を介して蒸
着されることから、Ｇ用発光領域を完全に包含する面積
で形成され、先に形成されている有機ＥＬ媒体層２１Ｒ
との間に周辺部が重なり合うこともある。
を用いてＲ，Ｇ，Ｂ各色の有機ＥＬ媒体が蒸着されるた
め、ＲＧＢ素子は、必要な発光領域よりも若干大きな面
積で透明基板２０上に形成される。具体的には、開口部
１１の縁１２が後退しているので、有機ＥＬ層２１Ｒは
Ｒ用発光領域よりも若干大きな面積で形成される（図
３）。蒸着に代え、インクジェット等の塗分け法によっ
てもＲＧＢ素子の形成が可能なことは勿論である。次い
で、メタルマスク１０を左方向にＲＧＢ素子１個分だけ
ずらし、有機ＥＬ層２１Ｇを形成する。有機ＥＬ媒体層
２１Ｇも、後退した縁１２をもつ開口部１１を介して蒸
着されることから、Ｇ用発光領域を完全に包含する面積
で形成され、先に形成されている有機ＥＬ媒体層２１Ｒ
との間に周辺部が重なり合うこともある。
【００１３】メタルマスク１０を更に左方向にＲＧＢ素
子１個分だけずらして形成された有機ＥＬ媒体層２１Ｂ
（図示せず）も、必要な発光領域を完全に包含する面積
で形成される。また、周辺部が有機ＥＬ媒体層２１Ｇの
周辺部上に重なり合うこともある。このように各ＲＧＢ
素子を形成するとき、各素子の周辺で有機ＥＬ層２１
Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが必要なＲ，Ｇ，Ｂ用発光領域を完
全に包含し、未成膜部５（図１）の生成が防止される。
子１個分だけずらして形成された有機ＥＬ媒体層２１Ｂ
（図示せず）も、必要な発光領域を完全に包含する面積
で形成される。また、周辺部が有機ＥＬ媒体層２１Ｇの
周辺部上に重なり合うこともある。このように各ＲＧＢ
素子を形成するとき、各素子の周辺で有機ＥＬ層２１
Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが必要なＲ，Ｇ，Ｂ用発光領域を完
全に包含し、未成膜部５（図１）の生成が防止される。
【００１４】必要なＲ，Ｇ，Ｂ用発光領域を完全に包含
する有機ＥＬ層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、透明基板２
０とメタルマスク１０との間隙ｄを若干大きく設定する
ことによっても形成できる。比較的大きな間隙ｄは、高
い隔壁２２を形成すること，透明基板２０に対向するメ
タルマスク１０の面又は隔壁２２の頂面に間隙調整用の
突起を形成すること等によって確保される。
する有機ＥＬ層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、透明基板２
０とメタルマスク１０との間隙ｄを若干大きく設定する
ことによっても形成できる。比較的大きな間隙ｄは、高
い隔壁２２を形成すること，透明基板２０に対向するメ
タルマスク１０の面又は隔壁２２の頂面に間隙調整用の
突起を形成すること等によって確保される。
【００１５】蒸着時に有機ＥＬ媒体は開口部１１を通過
した後で若干広がる傾向にあるが、従来の成膜法では有
機ＥＬ媒体の広がりを考慮して各色用素子に対応した面
積の有機ＥＬ媒体層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが形成され
るように間隙ｄを設定している。これに対し、本発明で
は、必要とする各色用素子よりも若干大きな面積の有機
ＥＬ媒体層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが形成されるように
間隙ｄを大きく設定する。その結果、必要なＲ，Ｇ，Ｂ
用発光領域を完全に包含する面積の有機ＥＬ媒体層２１
Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが形成される。また、面積増加によ
って有機ＥＬ媒体層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの周辺部が
重なり合うこともある。したがって、開口部１１のサイ
ズが大きなメタルマスク１０を使用した場合と同様に未
成膜部５（図１）の発生が防止される。
した後で若干広がる傾向にあるが、従来の成膜法では有
機ＥＬ媒体の広がりを考慮して各色用素子に対応した面
積の有機ＥＬ媒体層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが形成され
るように間隙ｄを設定している。これに対し、本発明で
は、必要とする各色用素子よりも若干大きな面積の有機
ＥＬ媒体層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが形成されるように
間隙ｄを大きく設定する。その結果、必要なＲ，Ｇ，Ｂ
用発光領域を完全に包含する面積の有機ＥＬ媒体層２１
Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが形成される。また、面積増加によ
って有機ＥＬ媒体層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの周辺部が
重なり合うこともある。したがって、開口部１１のサイ
ズが大きなメタルマスク１０を使用した場合と同様に未
成膜部５（図１）の発生が防止される。
【００１６】このようにして作製された有機ＥＬディス
プレイに電流を供給して発光させると、未成膜部５（図
１）がないため透明電極と背面電極との短絡が防止され
る。有機ＥＬ層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが重なり合った
周辺部は電圧が上がり発光しないボケとなるが、非発光
部は極僅かであって表示画像に悪影響を及ぼすことはな
い。
プレイに電流を供給して発光させると、未成膜部５（図
１）がないため透明電極と背面電極との短絡が防止され
る。有機ＥＬ層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが重なり合った
周辺部は電圧が上がり発光しないボケとなるが、非発光
部は極僅かであって表示画像に悪影響を及ぼすことはな
い。
【００１７】本発明では、各色用発光領域を完全に包含
する比較的大きな面積で各ＲＧＢ素子用有機ＥＬ媒体を
堆積させることを前提として有機ＥＬ層２１Ｒ，２１
Ｇ，２１Ｂを形成している。このような塗り分け形態で
は、駆動電圧が高い又高電流密度で発光するＲ，Ｇ，Ｂ
素子を先に形成することが好ましい。すなわち、駆動電
圧が高い又高電流密度で発光する素子Ａの上に駆動電圧
が低い又は低電流密度で発光する素子Ｂが重なるため、
素子Ａに加えられた高駆動電圧や高電流密度により素子
Ｂが異常な高輝度で発光することが防止される。また、
ボケやズレによって素子Ｂの部分に素子Ａが設けられて
も、印加電圧が低い又は電流密度が小さいことから素子
Ａの発光がない。
する比較的大きな面積で各ＲＧＢ素子用有機ＥＬ媒体を
堆積させることを前提として有機ＥＬ層２１Ｒ，２１
Ｇ，２１Ｂを形成している。このような塗り分け形態で
は、駆動電圧が高い又高電流密度で発光するＲ，Ｇ，Ｂ
素子を先に形成することが好ましい。すなわち、駆動電
圧が高い又高電流密度で発光する素子Ａの上に駆動電圧
が低い又は低電流密度で発光する素子Ｂが重なるため、
素子Ａに加えられた高駆動電圧や高電流密度により素子
Ｂが異常な高輝度で発光することが防止される。また、
ボケやズレによって素子Ｂの部分に素子Ａが設けられて
も、印加電圧が低い又は電流密度が小さいことから素子
Ａの発光がない。
【００１８】これに対し、素子Ａの部分に駆動電圧が高
い又は低電流密度で発光する有機ＥＬ媒体が塗られてし
まうと、有機ＥＬディスプレイ駆動時に駆動電圧が低い
又は低電流密度で発光する有機ＥＬ層に電流が集中す
る。その結果、素子Ｂが高輝度発光し、本来の画像から
ずれた色調の画像が表示される。なお、以上に説明した
有機ＥＬ媒体は、発光層，電子輸送層，正孔輸送層の少
なくとも一つを意味する。正孔輸送層のみをＲ，Ｇ，Ｂ
各色共通に形成し、本発明方法で発光層だけを形成し、
更に電子輸送層を共通に形成することもできる。また、
正孔輸送層だけを共通に形成し、発光層及び電子輸送層
を本発明方法で形成することも可能である。
い又は低電流密度で発光する有機ＥＬ媒体が塗られてし
まうと、有機ＥＬディスプレイ駆動時に駆動電圧が低い
又は低電流密度で発光する有機ＥＬ層に電流が集中す
る。その結果、素子Ｂが高輝度発光し、本来の画像から
ずれた色調の画像が表示される。なお、以上に説明した
有機ＥＬ媒体は、発光層，電子輸送層，正孔輸送層の少
なくとも一つを意味する。正孔輸送層のみをＲ，Ｇ，Ｂ
各色共通に形成し、本発明方法で発光層だけを形成し、
更に電子輸送層を共通に形成することもできる。また、
正孔輸送層だけを共通に形成し、発光層及び電子輸送層
を本発明方法で形成することも可能である。
【００１９】以上の例では、１個のＲＧＢ素子に対応し
て一つの開口部１１を設けたメタルマスク１０を使用し
たが、本発明はこれに拘束されるものではなく、Ｒ，
Ｇ，Ｂの色ごとに配列させたＲＧＢ素子に対してはスリ
ット状開口部をもつメタルマスク１０を使用できる。具
体的には、図４に示すようにＲ，Ｇ，Ｂ素子それぞれが
上下方向に配列されたマトリックスを塗り分けする場
合、隣り合うＲ，Ｇ，Ｂ素子の中心線ＣＬを超える縁１
２でスリット１３が区画されたメタルマスク１０を使用
する。
て一つの開口部１１を設けたメタルマスク１０を使用し
たが、本発明はこれに拘束されるものではなく、Ｒ，
Ｇ，Ｂの色ごとに配列させたＲＧＢ素子に対してはスリ
ット状開口部をもつメタルマスク１０を使用できる。具
体的には、図４に示すようにＲ，Ｇ，Ｂ素子それぞれが
上下方向に配列されたマトリックスを塗り分けする場
合、隣り合うＲ，Ｇ，Ｂ素子の中心線ＣＬを超える縁１
２でスリット１３が区画されたメタルマスク１０を使用
する。
【００２０】スリット１３をたとえばＲ素子の列に合わ
せて有機ＥＬ層２１Ｒを形成した後、有機ＥＬ層２１
Ｇ，有機ＥＬ層２１Ｂを順次形成する。この場合にも、
必要な各色用発光領域を完全に包含する面積をもつ有機
ＥＬ層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂとなり、隣り合う有機Ｅ
Ｌ層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの周辺部が重なり合うこと
もある。その結果、未成膜部５（図１）の発生が防止さ
れることは図２の例と同様である。
せて有機ＥＬ層２１Ｒを形成した後、有機ＥＬ層２１
Ｇ，有機ＥＬ層２１Ｂを順次形成する。この場合にも、
必要な各色用発光領域を完全に包含する面積をもつ有機
ＥＬ層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂとなり、隣り合う有機Ｅ
Ｌ層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの周辺部が重なり合うこと
もある。その結果、未成膜部５（図１）の発生が防止さ
れることは図２の例と同様である。
【００２１】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、従来のメタルマスクに比較して大きなサイズの開口
部が形成されたメタルマスクを使用し、或いは透明基板
からメタルマスクを比較的大きく離し、透明基板に位置
合せされたメタルマスクの開口部を介して有機ＥＬ媒体
を所定位置に蒸着している。この方法によるとき、必要
な発光領域を完全に包含する比較的大きな面積で有機Ｅ
Ｌ媒体層が形成され、有機ＥＬ媒体層の周辺部が互いに
重なり合うこともある。そのため、発光効率を大幅に低
下させる透明電極と背面電極との短絡の原因となる未成
膜部の発生が防止され、有機ＥＬディスプレイの表示品
質が向上する。更に、駆動電圧又は電流密度の高い素子
を形成した後で駆動電圧又は電流密度の低い素子を形成
するように有機ＥＬ媒体の蒸着順序を選定するとき、駆
動電圧又は電流密度の低い素子に高電圧又は高電流密度
が加わり異常な高輝度で発光することも防止される。
は、従来のメタルマスクに比較して大きなサイズの開口
部が形成されたメタルマスクを使用し、或いは透明基板
からメタルマスクを比較的大きく離し、透明基板に位置
合せされたメタルマスクの開口部を介して有機ＥＬ媒体
を所定位置に蒸着している。この方法によるとき、必要
な発光領域を完全に包含する比較的大きな面積で有機Ｅ
Ｌ媒体層が形成され、有機ＥＬ媒体層の周辺部が互いに
重なり合うこともある。そのため、発光効率を大幅に低
下させる透明電極と背面電極との短絡の原因となる未成
膜部の発生が防止され、有機ＥＬディスプレイの表示品
質が向上する。更に、駆動電圧又は電流密度の高い素子
を形成した後で駆動電圧又は電流密度の低い素子を形成
するように有機ＥＬ媒体の蒸着順序を選定するとき、駆
動電圧又は電流密度の低い素子に高電圧又は高電流密度
が加わり異常な高輝度で発光することも防止される。
【図１】 メタルマスクを使用してＲ，Ｇ，Ｂ素子用の
各有機ＥＬ層を形成する従来法の説明図
各有機ＥＬ層を形成する従来法の説明図
【図２】 本発明に従ったメタルマスクを用いてＲ，
Ｇ，Ｂ素子用の各有機ＥＬ層を形成する説明図
Ｇ，Ｂ素子用の各有機ＥＬ層を形成する説明図
【図３】 Ｒ素子用有機ＥＬ媒体を蒸着している状態を
示す断面図
示す断面図
【図４】 スリットのあるメタルマスクを用いてＲ，
Ｇ，Ｂ素子用の各有機ＥＬ層を形成する説明図
Ｇ，Ｂ素子用の各有機ＥＬ層を形成する説明図
１０：メタルマスク １１：開口部 １２：開口部
の縁 ２０：透明基板 ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ：有機ＥＬ
層 ２２：隔壁 中心線ＣＬ：
の縁 ２０：透明基板 ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ：有機ＥＬ
層 ２２：隔壁 中心線ＣＬ：
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小笹 直人 山形県米沢市八幡原四丁目3146番７号 東 北パイオニア株式会社米沢工場内 Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB18 BA06 DA01 DB03 EB00 FA01
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｒ，Ｇ，Ｂ用有機ＥＬ媒体からなる有機
ＥＬ層が透明基板上に形成されており、Ｒ，Ｇ，Ｂ素子
の少なくとも１種が発光領域を越えた部分まで選択成膜
されていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。 - 【請求項２】 透明基板上に形成されるＲ，Ｇ，Ｂ素子
の配列パターンに対応するピッチで開口部が形成された
メタルマスクを透明基板に重ね合わせ、開口部から透明
基板上にＲ，Ｇ，Ｂ用有機ＥＬ媒体を蒸着して有機ＥＬ
層を形成する際、Ｒ，Ｇ，Ｂ素子の少なくとも１種につ
いて発光領域を超える縁で開口部が区画されるメタルマ
スクを使用することを特徴とする有機ＥＬディスプレイ
の製造方法。 - 【請求項３】 透明基板上に形成されるＲ，Ｇ，Ｂ素子
の配列パターンに対応するピッチで開口部が形成された
メタルマスクを透明基板に重ね合わせ、開口部から透明
基板上にＲ，Ｇ，Ｂ用有機ＥＬ媒体を蒸着して有機ＥＬ
層を形成する際、透明基板上の透明電極表面とメタルマ
スクとの間に隙間を設け、Ｒ，Ｇ，Ｂ素子の少なくとも
１種を発光領域を超える部分まで選択成膜することを特
徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 【請求項４】 駆動電圧の高い素子用の有機ＥＬ媒体を
蒸着した後、駆動電圧の低い素子用の有機ＥＬ媒体を蒸
着する請求項２又は３記載の製造方法。 - 【請求項５】 高電流密度で発光する素子用の有機ＥＬ
媒体を蒸着した後、低電流密度で発光する素子用の有機
ＥＬ媒体を蒸着する請求項２又は３記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001027727A JP2002231449A (ja) | 2001-02-05 | 2001-02-05 | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001027727A JP2002231449A (ja) | 2001-02-05 | 2001-02-05 | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002231449A true JP2002231449A (ja) | 2002-08-16 |
| JP2002231449A5 JP2002231449A5 (ja) | 2007-11-01 |
Family
ID=18892332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001027727A Pending JP2002231449A (ja) | 2001-02-05 | 2001-02-05 | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002231449A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004207217A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-22 | Sony Corp | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| US7573192B2 (en) * | 2004-11-16 | 2009-08-11 | Eastman Kodak Company | Organic EL panel manufacturing method |
| US9490311B2 (en) | 2010-03-10 | 2016-11-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| US9972667B2 (en) | 2016-10-05 | 2018-05-15 | Japan Display Inc. | Display device |
| CN110998852A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-04-10 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种像素排列结构、电致发光器件及显示装置 |
-
2001
- 2001-02-05 JP JP2001027727A patent/JP2002231449A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004207217A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-22 | Sony Corp | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| US7573192B2 (en) * | 2004-11-16 | 2009-08-11 | Eastman Kodak Company | Organic EL panel manufacturing method |
| US9490311B2 (en) | 2010-03-10 | 2016-11-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| US9847486B2 (en) | 2010-03-10 | 2017-12-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light emitting display device |
| USRE49965E1 (en) | 2010-03-10 | 2024-05-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US9972667B2 (en) | 2016-10-05 | 2018-05-15 | Japan Display Inc. | Display device |
| CN110998852A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-04-10 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种像素排列结构、电致发光器件及显示装置 |
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