JP2002229046A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表示のギザギザ感が少なく、表示された横線
と斜線との特徴が同じであり、かつ、混色を生じない液
晶表示装置を提供する。 【解決手段】 一対の基板と、一対の基板に狭持された
液晶層と、表示部を形成する画素１１とを備え、画素１
１が円弧状部を有し、同一の画素１１を形成する一組の
副画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂが、ほぼ同心に配列して
いる液晶表示装置を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に、液晶表示装置の画素形状および配列に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、軽い，薄い，省スペー
ス，低消費電力などの特徴を生かし、ディスプレイとし
て広く普及してきている。その一方で、ブラウン管より
も画質が劣っているという指摘がある。その一因とし
て、方形の画素形状による斜線などのギザギザが挙げら
れる。

【０００３】図２３は、従来の液晶表示装置の画素形状
および配列の一例を示す図である。

【０００４】赤(Ｒ)，緑(Ｇ)，青(Ｂ)の光の３原色に対
応した３つの副画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを備え、３
つの副画素が一組となって画素１１を形成している。副
画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂは、行方向に順に配列し、
列方向には、同じ色の画素が配列している。画素１１の
画素形状は、方形である。

【０００５】従来のように、画素形状が方形の場合の画
質劣化の一因は、次の通りである。白い背景に黒い細線
を表示する場合を考える。画素形状が方形の場合、横線
を表示するときは、図２４(ａ)に示すように、複数の画
素１１のうち画素１１ａ１，１１ａ２，１１ａ３，１１
ａ４，１１ａ５が黒表示となり、他の画素１１は、白表
示となる。斜線を表示するときは、図２４(ｂ)に示すよ
うに、複数の画素１１のうち画素１１ｅ１，１１ｄ２，
１１ｃ３，１１ｂ４，１１ａ５が黒表示となり、他の画
素１１は、白表示となる。そのため、黒表示となってい
る画素の輪郭を抽出して表現すると、横線の場合および
斜線の場合は、それぞれ図２４(ｃ)および(ｄ)に示すよ
うになる。

【０００６】ここで、座標軸を図２４(ｃ)および(ｄ)に
示すようにとり、それぞれの輪郭のフーリエ級数を考え
る。フーリエ級数の周波数を横軸に、フーリエ係数を縦
軸にとってグラフに表すと、図２５に示すようになり、
横線の場合と斜線の場合とでは、プロットが大きく異な
ることが分かる。つまり、横線と斜線とでは、フーリエ
級数で表される空間周波数すなわち線の特徴が大きく異
なっている。本来、同一の特徴を持つべき横線と斜線
が、画素形状が方形の場合には、このように異なってお
り、画質劣化を招いている。

【０００７】また、次のことも、画素形状が方形の場合
の画質劣化の一因である。白い背景に表示された黒い細
線の幅を考える。図２４(ｂ)に示すように、画素の一辺
の長さをｈとする。横線を表示する場合には、図２４
(ａ)に示すように、線の幅の最大値は、ｈである。一
方、図２４(ｂ)に示すように、斜線を表示する場合に
は、線の幅の最大値は、ｈの√２倍となる。すなわち、
横線と斜線の線の幅は、本来は同一であるが、画素形状
が方形の場合には、横線と斜線とで線の幅が異なってお
り、画質劣化を招いている。

【０００８】さらに、次のことも、画質劣化の一因であ
る。図２６に示すように、画素１１を形成するＲ，Ｇ，
Ｂの一組の副画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂが行方向に順
に配列し、同心に配列していない場合、画素１１が配列
している間隔(画素ピッチｐ)を一辺とする正方形領域内
に、異なる画素１１の副画素が混在することになる。例
えば、図２６の領域９１は、一辺をｐとする正方形であ
るが、その領域９１内には、画素１１ｂ１の副画素Ｇお
よびＢと、画素１１ｂ２の副画素Ｒとが含まれる。すな
わち、領域９１内に異なる画素１１のための副画素が混
在している。

【０００９】そのため、画素１１ｂ１が青を表示し、画
素１１ａｂが赤を表示すると、画素１１ｂ１と画素１１
ｂ２の境界領域では、紫が表示され、混色が生じる。こ
のように、画素を形成する一組の副画素が同心に配列し
ていない場合、混色が生じ、画質劣化を招く。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記従来例のように、
画素形状が方形の場合、斜線などがギザギザになり、画
質の劣化として認知される。また、線を表示するとき、
線の特徴は、同一であるにもかかわらず、縦線または横
線と斜線とでは、ギザギザのために特徴が異なる。さら
に、画素１本分の線を表示するとき、縦線または横線と
斜線とでは、線の太さが異なる。他に、列方向にＲ，
Ｇ，Ｂの副画素が順に配列し同心ではないために、黒い
線の周囲に赤色や青色が見えるなどの混色が生じる。

【００１１】本発明の第１の目的は、線を表示するとき
に、線の特徴および太さが線の方向に依存しない液晶表
示装置を提供することである。

【００１２】本発明の第２の目的は、混色を生じない液
晶表示装置を提供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、所定間隔をもって対向配置された第１基
板と第２基板との間に液晶層を挟持し、複数の画素を前
記基板面に配置して表示部を形成した液晶表示装置にお
いて、前記画素が、それぞれ円弧状部を有する液晶表示
装置を提案する。

【００１４】本発明は、また、所定間隔をもって対向配
置された第１基板と第２基板との間に液晶層を挟持し、
特定の色に対応する複数の副画素をそれぞれ有する複数
の画素を前記基板面に配置して表示部を形成した液晶表
示装置において、前記画素をそれぞれ形成する一組の前
記副画素が、同心に配列している液晶表示装置を提案す
る。

【００１５】本発明は、さらに、所定間隔をもって対向
配置された第１基板と第２基板との間に液晶層を挟持
し、特定の色に対応する複数の副画素をそれぞれ有する
複数の画素を行方向および列方向にそれぞれ等間隔に前
記基板面に配置して表示部を形成した液晶表示装置にお
いて、前記複数の画素が、行方向に第１距離の間隔で配
置され、列方向に第２距離の間隔で配置され、前記表示
部上で辺の長さが前記第１距離および前記第２距離であ
る長方形の任意領域内に重心を持つ前記副画素同士は、
同じ前記画素に属する液晶表示装置を提案する。

【００１６】前記画素が、特定の色に対応する複数の副
画素をそれぞれ有している場合は、それぞれの前記画素
を形成する一組の前記副画素が、同心に配列している。

【００１７】前記画素が、特定の色に対応する複数の副
画素をそれぞれ有し、行方向に第１距離の間隔で列方向
に第２距離の間隔でそれぞれ等間隔に配置されている場
合は、前記表示部上で辺の長さが前記第１距離および前
記第２距離である長方形の任意領域内に重心を持つ前記
副画素同士は、同じ前記画素に属する。

【００１８】いずれの液晶表示装置においても、それぞ
れの画素は、全体として円形状である。

【００１９】前記画素または前記副画素に対応した画素
電極を前記第１基板上に備え、前記画素電極に対応した
共通電極を前記第２基板上に備えることができ、また
は、前記画素または前記副画素に対応した画素電極およ
び前記画素電極に対応した共通電極を前記第１基板上に
備えてもよい。

【００２０】さらに、異なる前記副画素は、前記共通電
極を共有することも可能である。

【００２１】前記画素電極および前記共通電極が、線状
である場合、異なる副画素に対応した前記画素電極が、
線状の前記共通電極の両側に配列している。

【００２２】不要な間隙部からの光を遮光する遮光膜を
備える場合、前記画素電極と前記共通電極と前記遮光膜
との少なくとも一つが、前記画素からの出射光をほぼ円
形にする円弧状部を有する。

【００２３】また、不要な間隙部からの光を遮光する遮
光膜を備える場合、それぞれの前記画素を形成する一組
の前記副画素に対応して備えられた前記画素電極と前記
共通電極と前記遮光膜との少なくとも一つが、同心に配
列している。

【００２４】さらに、不要な間隙部からの光を遮光する
遮光膜を備える場合、前記画素電極と前記共通電極と前
記遮光膜との前記画素に対応する部分のいずれか一つ
が、円形状である。

【００２５】上記いずれかの液晶表示装置において、前
記画素に対応した信号線と前記画素を選択する走査線と
を備える場合に、同一の前記信号線に対応した前記画素
の重心を結ぶ直線または同一の前記走査線に対応した前
記画素の重心を結ぶ直線を屈曲させると、画像密度を上
げることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】次に、図１〜図２６を参照して、
本発明による液晶表示デバイスおよび液晶表示装置の実
施形態を説明する。

【００２７】

【液晶表示デバイスの実施形態】図１は、本発明による
液晶表示デバイスの実施形態の画素構成を示す図であ
る。本実施形態においては、表示部を形成する画素１１
が、円弧状部を有し、画素１１を形成する一組の副画素
１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂが、同心に配列している。

【００２８】ここで、白い背景に黒い細線を表示する例
を考える。本実施形態のように、画素形状が円形の場
合、横線を表示するときは、図２(ａ)に示すように、複
数の画素１１のうち画素１１ａ１，１１ａ２，１１ａ
３，１１ａ４，１１ａ５が黒表示となり、他の画素１１
は、白表示となる。斜線を表示するときは、図２(ｂ)に
示すように、複数の画素１１のうち画素１１ｅ１，１１
ｄ２，１１ｃ３，１１ｂ４，１１ａ５が黒表示となり、
他の画素１１は、白表示となる。そのため、黒表示とな
っている画素の輪郭を抽出して表現すると、横線の場合
および斜線の場合は、それぞれ図２(ｃ)および(ｄ)に示
すようになる。

【００２９】ここで、座標軸を図２(ｃ)および(ｄ)に示
すようにとり、それぞれの輪郭のフーリエ級数を考え
る。図２(ｃ)および(ｄ)は、どちらも円弧をベースとし
ているため、図２５の場合ほどフーリエ係数の分布は、
大きくは違わない。

【００３０】実際に、フーリエ級数の周波数を横軸に、
フーリエ係数を縦軸にとってグラフに表すと、図３のよ
うになり、横線の場合と斜線の場合とでプロットがほと
んど同じである。すなわち、横線と斜線とでは、フーリ
エ級数で表される空間周波数すなわち特徴がほとんど同
じである。したがって、画素形状が円形の場合は、横線
と斜線とで特徴がそれほど相違せず、画素形状が方形の
場合に比べて画質が高い。

【００３１】次に、白い背景に表示された黒い細線の幅
を考える。図２(ｂ)に示すように、画素の直径をｈとす
る。横線を表示する場合には、図２(ａ)に示すように、
線の幅の最大値は、ｈである。また、図２(ｂ)に示すよ
うに、斜線を表示する場合にも、線の幅の最大値は、ｈ
である。したがって、画素形状が円形の場合には、横線
と斜線とで線の幅が同一であり、線の幅が同一ではなか
った画素形状が方形の場合に比べて、高画質である。

【００３２】続いて、図４を用いて、本実施形態が上記
従来例の混色の問題を解決することを説明する。画素１
１を形成するＲ，Ｇ，Ｂの一組の副画素１１Ｒ，１１
Ｇ，１１Ｂが同心に配列している場合、Ｒ，Ｇ，Ｂが同
じ位置にあることに等価なため、画素ピッチｐを一辺の
長さとする任意の正方形領域内に、異なる画素１１のた
めの副画素が混在しない。例えば、図４の場合は、副画
素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの重心が画素１１の重心に等
しいため、一辺をｐとする正方形領域９１内に重心を持
つ副画素は、画素１１ｂ１のための副画素のみである。
そのため、画素１１ｂ１が赤を表示し、画素１１ｂ２が
青を表示する場合にも混色は、生じない。

【００３３】このように、画素を形成する一組の副画素
が同心に配列している場合、混色が生じず、従来例を示
す図２６のように、副画素が同心に配列していない場合
に比べて画質が高い。

【００３４】本発明の効果を得るには、各画素が円弧状
部を有し、画素を形成する一組の副画素が同心に配列し
ていればよく、画素形状および画素配列は、図１に示し
たものに限らない。

【００３５】例えば、図５(ａ)のように、扇形の副副画
素１１Ｒａ，１１Ｇａ，１１Ｂａ，１１Ｒｂ，１１Ｇ
ｂ，１１Ｂｂが順に配列して、円形の画素１１を形成し
てもよい。ここで、扇形の副副画素の重心は、同一では
ないが、副副画素１１Ｒａおよび１１Ｒｂによって形成
される副画素１１Ｒと、副副画素１１Ｇａおよび１１Ｇ
ｂによって形成される副画素１１Ｇと、副副画素１１Ｂ
ａおよび１１Ｂｂによって形成される副画素１１Ｂと
は、同心である。

【００３６】図５(ｂ)のように、円形の副画素１１Ｂの
周囲に副副画素１１Ｒａ，１１Ｇａ，１１Ｒｂ，１１Ｇ
ｂが順に配列して円形の画素１１を形成することもでき
る。

【００３７】また、各画素が円弧状部を持たない場合で
も、画素を形成する一組の副画素が同心に配列していれ
ば、混色を抑制する効果が得られる。

【００３８】例えば、図５(ｃ)のように、方形の副画素
１１Ｒの周囲に副画素１１Ｇおよび１１Ｂが配列し、各
副画素が同心に配列して、画素を形成することも可能で
ある。

【００３９】図５(ｄ)のように、方形の副画素１１Ｂの
周囲に、副画素１１Ｂの辺に沿って副副画素１１Ｒａ，
１１Ｇａ，１１Ｒｂ，１１Ｇｂが順に配列して、画素を
形成してもよい。このとき、各副副画素の重心は、同一
ではないが、副副画素１１Ｒａおよび１１Ｒｂによって
形成される副画素１１Ｒと、副副画素１１Ｇａおよび１
１Ｇｂによって形成される副画素１１Ｇとは、同心であ
る。

【００４０】図５(ｅ)のように、方形の副画素１１Ｂの
周囲に、副画素１１Ｂの角を囲って副副画素１１Ｒａ，
１１Ｇａ，１１Ｒｂ，１１Ｇｂが順に配列して、画素を
形成することもできる。このとき、各副副画素の重心
は、同一ではないが、副副画素１１Ｒａおよび１１Ｒｂ
によって形成される副画素１１Ｒと、副副画素１１Ｇａ
および１１Ｇｂによって形成される副画素１１Ｇと、副
画素１１Ｂとは、同心である。

【００４１】図５(ｆ)のように、三角形の副副画素１１
Ｒａ，１１Ｇａ，１１Ｂａ，１１Ｒｂ，１１Ｇｂ，１１
Ｂｂが順に配列して画素１１を形成することも可能であ
る。ここで、三角形の副副画素の重心は、同一ではない
が、副副画素１１Ｒａおよび１１Ｒｂによって形成され
る副画素１１Ｒと、副副画素１１Ｇａおよび１１Ｇｂに
よって形成される副画素１１Ｇと、副副画素１１Ｂａお
よび１１Ｂｂによって形成される副画素１１Ｂとは、同
心である。

【００４２】図６(ａ)のように、円形の副画素１１Ｂの
周囲に、副副画素１１Ｒａ，１１Ｇａ，１１Ｒｂ，１１
Ｇｂが順に配列して、画素を形成してもよい。このと
き、各副副画素の重心は、同一ではないが、副副画素１
１Ｒａおよび１１Ｒｂによって形成される副画素１１Ｒ
と、副副画素１１Ｇａおよび１１Ｇｂによって形成され
る副画素１１Ｇと、副画素１１Ｂとは、同心である。

【００４３】図６(ｂ)のように、副画素および副副画素
が副副画素３５Ｒａ，副副画素３５Ｇａ，副画素３５
Ｂ，副副画素３５Ｇｂ，副副画素３５Ｒｂの順に配列し
て、画素を形成することもできる。このとき、各副副画
素の重心は、同一ではないが、副副画素１１Ｒａおよび
１１Ｒｂによって形成される副画素１１Ｒと、副副画素
１１Ｇａおよび１１Ｇｂによって形成される副画素１１
Ｇと、副画素１１Ｂとは、同心である。

【００４４】図６(ｃ)のように、副画素３５Ｂを中心と
し、その周囲に時計回りに副副画素１１Ｇｂ，１１Ｒ
ｂ，１１Ｇａ，１１Ｒａが配列して、画素を形成してい
る。このとき、各副副画素の重心は、同一ではないが、
副副画素１１Ｒａおよび１１Ｒｂによって形成される副
画素１１Ｒと、副副画素１１Ｇａおよび１１Ｇｂによっ
て形成される副画素１１Ｇと、副画素１１Ｂとは、同心
である。

【００４５】なお、本発明の効果を得るには、各画素か
らの出射光が円弧状部を有し、一組の各副画素からの出
射光が同心であることが肝要である。そのため、出射光
の形状や配列を決定するものは、電極であっても遮光膜
であってもよい。

【００４６】また、Ｒ，Ｇ，Ｂの配列場所が入れ替わっ
ても本発明の効果が得られることは、いうまでもない。

【００４７】ところで、画素が円弧状部を有する場合、
および画素が六角形状の場合は、図７に示すように、同
一の信号線３１に対応した画素１１ａ，１１ｂ，１１
ｃ，１１ｄの重心を結ぶ直線４１、または同一の走査線
３２に対応した画素１１ｅ，１１ｆ，１１ｇ，１１ｈの
重心を結ぶ直線４２が屈曲するように画素１１を配置す
ると、単位面積辺りの画素数を増加させることができ、
解像度を高めることができる。

【００４８】なお、図５(ｆ)のように、画素の形状の角
数が４よりも多くなると、図２と同様に、横線と斜線と
を表示した場合の輪郭形状がそれほど違わないため、横
線と斜線との特徴の違いが小さくなり、画質が向上す
る。

【００４９】また、図１ないし図７に示した液晶表示デ
バイスの実施形態においては、副画素が隣接して配置さ
れており、これら副画素間の電場の乱れとこの電場の乱
れによる液晶配向の乱れとが生ずることが懸念された。

【００５０】しかし、実験した結果では、電場の乱れの
影響は、従来のアクティブマトリクス駆動方式の液晶表
示装置などとほとんど変わらないことが判明した。従来
のアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置などに
おいても、電極パターンがかなり錯綜していたので、同
様の結果が得られたと推定される。

【００５１】次に、図１ないし図７に示した液晶表示デ
バイスを液晶表示パネルとして採用する液晶表示装置の
実施形態を説明する。

【００５２】

【実施形態１】図８，図９，図１０，図１１を用いて、
本発明による液晶表示装置の実施形態１の構成を説明す
る。

【００５３】本実施形態１の液晶表示装置は、図８に示
すように、画素電極３５に信号電位を供給する信号ドラ
イバ５１と、画素を選択する電位を供給する走査ドライ
バ５２と、共通電極３６に電位を供給する共通電極ドラ
イバ(図示せず)と、信号ドライバ５１および走査ドライ
バ５２および共通電極ドライバとを制御する表示制御装
置５３とを有している。

【００５４】基板１には、走査ドライバ５２に接続され
た複数の走査線３２と、信号ドライバ５１に接続されか
つ走査線３２と交差した信号線３１と、走査線３２と信
号線３１との交点付近に対応して配置され走査線３２と
信号線３１と電気的に接続されたスイッチ素子である薄
膜トランジスタ(ＴＦＴ)３３と、ＴＦＴ３３に電気的に
接続され信号線３１に対応した画素電極３５とが備えら
れている。

【００５５】画素電極３５に対応した共通電極３６は、
基板２に備えられ、共通の配線を経て共通電極ドライバ
に接続されている。

【００５６】Ｒ，Ｇ，Ｂの信号に対応して信号線３１
Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂおよび副画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１
Ｂを備え、副画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂによって画素
１１が形成されている。複数の画素１１によって表示部
２１が形成されている。

【００５７】図９を用いて、画素１１およびその周辺の
構成を説明する。

【００５８】円形の画素１１は、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応した
円形の副画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂによって形成され
ている。円弧状部を有し、ほぼ円形である画素電極３５
Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂは、円形の副画素１１Ｒ，１１Ｇ，
１１Ｂに対応して備えられている。また、同じ画素１１
を形成する画素電極３５Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂおよび副画
素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの重心は、ほぼ同一である。

【００５９】なお、Ｒ，Ｇ，Ｂの配置がそれぞれ交換さ
れている場合でも本発明が適用できることは、いうまで
もない。

【００６０】画素電極３５Ｒは、電極接続部３５Ｒ'，
３５Ｒ''およびＴＦＴ３３を介して信号線３１Ｒに接続
され、画素電極３５Ｇは、電極接続部３５Ｇ'およびＴ
ＦＴ３３を介して信号線３１Ｇに接続され、画素電極３
５Ｂは、電極接続部３５Ｂ'およびＴＦＴ３３を介して
信号線３１Ｂに接続されている。

【００６１】図１０は、図９のＡ−Ａ'に沿った断面構
造を示す断面図である。本実施形態１の液晶表示装置
は、図１０に示すように、材質が透明ガラスの基板１
と、基板１に対向配置され、材質が透明ガラスの基板２
と、基板１と基板２とで狭持された液晶層３４と、基板
１に備えられた画素電極３５と、画素電極３５に対応
し、基板２に備えられた共通電極３６とを有する。

【００６２】画素電極３５および共通電極３６は、膜厚
が０．１μｍ程度の透明電極であり、ＩＴＯ(Indium-Ti
n-Oxide)などの透明導電体が用いられる。

【００６３】基板１は、絶縁膜８１と、絶縁膜８１上に
備えられた画素電極３５と、画素電極３５上に備えられ
た保護膜８２と、保護膜８２上に備えられた液晶配向制
御層(配向膜)８５と、基板１の液晶に面しない側の面上
に備え液晶の配向状態に応じて光学特性を変える偏光板
６とを有する。

【００６４】絶縁膜８１，保護膜８２は、膜厚がそれぞ
れ０．３μｍ，０．８μｍ程度の窒化珪素が用いられ
る。

【００６５】基板２は、不要な間隙部からの光を遮光す
る遮光膜５と、遮光膜５上に備えられＲ，Ｇ，Ｂに対応
した色を表現するカラーフィルタ４と、カラーフィルタ
４上に備えられ凹凸を平坦化する平坦化膜３と、平坦化
膜上３に備えられ画素電極３５に対応して液晶層３４に
電界を印加する手段である共通電極３６と、共通電極３
６上に備えられた配向膜８５と、基板２の液晶に面しな
い側の面上に備えられた偏光板６とを有する。

【００６６】配向膜８５には、液晶を配向させるための
ラビング処理が施されている。基板１上の配向膜と基板
２上の配向膜とでは、ラビング方向が９０度異なり、ツ
イステッド・ネマチック(Twisted Nematic：ＴＮ)表示
方式に対応している。偏光板６の透過軸は、それぞれの
偏光板が配置されている基板上の配向膜のラビング方向
に向けられており、基板１の偏光板と基板２の偏光板と
は、クロスニコルに配置され、ノーマリーホワイトモー
ドに対応している。

【００６７】なお、ノーマリーブラックモードに対応す
るように、偏光板を配置しても、本発明を適用できるこ
とは、いうまでもない。

【００６８】基板１と基板２との間には、高分子ビーズ
が分散され、液晶層のギャップを均一に保っている。ギ
ャップは、５μｍ程度、液晶層の屈折率異方性は、０．
１程度である。

【００６９】バックライト(図示せず)に対する制約はな
く、直下型方式の光源もサイドライト方式の光源も使用
できる。

【００７０】本実施形態１の液晶表示装置は、アクティ
ブマトリクス駆動方式で駆動される。

【００７１】図１１(ａ)は、図９のＢ−Ｂ'に沿った断
面の基板１の構造を示す断面図である。基板は、走査線
３２と、走査線３２上に備えられた絶縁膜８１と、絶縁
膜８１上に備えられアモルファスシリコンからなる半導
体層８３と、半導体層８３上に備えられＮ(＋)アモルフ
ァスシリコンからなる導電膜８４と、導電膜８４上に備
えられた信号線３１Ｂと、導電膜８４上に備えられた電
極接続部３５Ｂ'と、電極接続部３５Ｂ'に電気的に接続
された画素電極３５Ｂとを有する。

【００７２】図１１(ｂ)は、図９のＣ−Ｃ'断面の基板
１における断面図である。図１１(ｂ)に示すように、電
極接続部３５Ｒ''と信号線３１Ｂおよび画素電極３５Ｂ
とが交差する部位では、電極接続部３５Ｒ''と信号線３
１Ｂおよび画素電極３５Ｂとは、絶縁膜８１を介して異
層に配置され、電気的に絶縁されている。

【００７３】本実施形態１によれば、画素が円形である
ため、ギザギザ感が気になることなく斜線などが表示さ
れる。また、本来特徴が同じであるべき細い横線と斜線
を表示するときも、ほぼ同様の印象となるように表示で
きる。

【００７４】同一の画素を形成する一組の副画素が同心
に配列しているため、混色が生じることなく表示でき
る。

【００７５】

【比較例】本比較例の構造は、図１２に示されるように
画素が配置されていること以外は、実施形態１と同じで
ある。

【００７６】方形の画素１１は、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応した
方形の副画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂによって形成され
ている。方形の画素電極３５Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂは、副
画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂに対応して備えられてい
る。副画素は、一方向に１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの順に
配列しており、各副画素の重心は、同一ではない。

【００７７】図１３は、図１２のＡ−Ａ'断面の断面図
である。副画素３５Ｒと３５Ｂとの間に信号線３１Ｂが
配置されていること以外は、実施形態１の図１０と同じ
である。

【００７８】本比較例では、画素が方形であるため、斜
線などの表示でギザギザ感が気になる。また、本来特徴
が同じであるべき細い横線と斜線を表示するとき、異な
る印象となるように表示される。

【００７９】また、同一の画素を形成する一組の副画素
が同心に配列していないため、混色が生じる。

【００８０】

【実施形態２】本発明による液晶表示装置の実施形態２
の構造は、図１４に示されるように画素が配置されてい
ること以外は、実施形態１と同じである。

【００８１】円形の画素１１は、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応した
円弧状部を有する副画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂによっ
て形成されている。副画素１１Ｇは、副副画素１１Ｇａ
および１１Ｇｂによって形成されている。副画素１１Ｂ
は、副副画素１１Ｂａおよび１１Ｂｂによって形成され
ている。円形の画素電極３５Ｒは、副画素１１Ｒに対応
して備えられている。円弧状部を有する画素電極３５Ｂ
ａ，３５Ｂｂ，３５Ｇａ，３５Ｇｂは、副副画素１１Ｂ
ａ，１１Ｂｂ，１１Ｇａ，１１Ｇｂに対応して備えられ
ている。円形の副画素１１Ｒを中心とし、その周囲に時
計回りに、副副画素１１Ｂａ，１１Ｇａ，１１Ｂｂ，１
１Ｇｂが配列している。したがって、同一の画素１１を
形成する副画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの重心は、ほぼ
同一である。

【００８２】電極接続部３５Ｂ''と電極接続部３５Ｇ'
とが交差している部分では、絶縁膜８１を介して異層に
配置され、電気的に絶縁されている。

【００８３】本実施形態２によれば、実施形態１と同様
に、画素が円形であるため、斜線などがギザギザ感が気
になることなく表示される。また、本来特徴が同じであ
るべき細い横線と斜線を表示するときも、ほぼ同様の印
象となるように表示できる。

【００８４】また、同一の画素を形成する一組の副画素
が同心に配列しているため、混色が生じることなく表示
できる。

【００８５】

【実施形態３】本発明による液晶表示装置の実施形態３
の構造は、図１５に示されるように画素が配置されてい
ること以外は、実施形態２と同じである。

【００８６】画素１１は、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応した副画素
１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂによって形成されている。副画
素１１Ｇは、副副画素１１Ｇａおよび１１Ｇｂによって
形成されている。副画素１１Ｂは、副副画素１１Ｂａお
よび１１Ｂｂによって形成されている。円形の画素電極
３５Ｒは、副画素１１Ｒに対応して備えられている。画
素電極３５Ｂａ，３５Ｂｂ，３５Ｇａ，３５Ｇｂは、副
副画素１１Ｂａ，１１Ｂｂ，１１Ｇａ，１１Ｇｂに対応
して備えられている。円形の副画素１１Ｒを中心とし、
その周囲に時計回りに、副副画素１１Ｂａ，１１Ｇａ，
１１Ｂｂ，１１Ｇｂが配列している。したがって、同一
の画素１１を形成する副画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの
重心は、ほぼ同一である。

【００８７】本実施形態３は、実施形態２と異なり、副
副画素１１Ｂａ，１１Ｇａ，１１Ｂｂ，１１Ｇｂの外周
が円弧状ではなく、信号線または走査線にほぼ平行であ
るため、実施形態２よりも開口率が高い液晶表示装置で
ある。

【００８８】

【実施形態４】本発明による液晶表示装置の実施形態４
の構造は、図１６に示されるように画素が配置されてい
ること以外は、実施形態１と同じである。

【００８９】円形の画素１１は、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応した
円形の副画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂによって形成され
ている。円弧状部を有し、ほぼ円形である画素電極３５
Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂは、円形の副画素１１Ｒ，１１Ｇ，
１１Ｂに対応して備えられている。また、同じ画素１１
を形成する画素電極３５Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂおよび副画
素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの重心は、ほぼ同一である。

【００９０】図１７(ａ)は、図１６のＡ−Ａ'断面の基
板１における断面図である。信号線３１Ｂと画素電極３
５Ｂおよび３５Ｇおよび３５Ｒとは、それぞれが交差す
る部位では、絶縁膜８１を介して異層に配置され、電気
的に絶縁されている。

【００９１】図１７(ｂ)は、図１６のＢ−Ｂ'断面の基
板１における断面図である。電極接続部３５Ｒ''と画素
電極３５Ｂとは、それぞれが交差する部位では、絶縁膜
８１を介して異層に配置され、電気的に絶縁されてい
る。

【００９２】本実施形態４によれば、異なる画素１１の
間に配置されている信号線３１は、２本であるため、実
施形態１に比較して画素１１の間隔が狭く、解像度の高
い液晶表示装置である。

【００９３】

【実施形態５】図１８，図１９，図２０，図２１を用い
て、本発明による液晶表示装置の実施形態５の構成を説
明する。

【００９４】本実施形態５の液晶表示装置は、図１８に
示すように、画素電極３５に信号電位を供給する信号ド
ライバ５１と、画素を選択する電位を供給する走査ドラ
イバ５２と、共通電極３６に電位を供給する共通電極ド
ライバ５４と、信号ドライバ５１および走査ドライバ５
２および共通電極ドライバ５４とを制御する表示制御装
置５３とを有している。

【００９５】基板１には、走査ドライバ５２に接続され
た複数の走査線３２と、信号ドライバ５１に接続されか
つ走査線３２と交差した信号線３１と、走査線３２と信
号線３１との交点付近に対応して配置され、走査線３２
と信号線３１と電気的に接続されたＴＦＴ３３と、ＴＦ
Ｔ３３に電気的に接続され信号線３１に対応した画素電
極３５と、画素電極３５に対応した共通電極３６と、共
通電極３６と共通電極ドライバ５４とに電気的に接続さ
れた共通電極接続部３６'が備えられている。

【００９６】Ｒ，Ｇ，Ｂの信号に対応して信号線３１
Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂおよび副画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１
Ｂが備えられ、副画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂによって
画素１１が形成されている。複数の画素１１によって表
示部２１が形成されている。

【００９７】図１９を用いて、画素１１およびその周辺
の構成を説明する。

【００９８】画素１１は、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応した副画素
１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂによって形成されている。副画
素１１Ｒは、副副画素１１Ｒａおよび１１Ｒｂによって
形成されている。副画素１１Ｇは、副副画素１１Ｇａお
よび１１Ｇｂによって形成されている。画素電極３５
Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂは、各副画素および各副副画素に対
応して備えられている。共通電極３６は、各副画素およ
び各副副画素ごとに備えられ、画素電極３５に対応して
基板１に対してほぼ平行な電界を形成する。副副画素３
５Ｒａ，副副画素３５Ｇａ，副画素３５Ｂ，副副画素３
５Ｇｂ，副副画素３５Ｒｂの順に配列している。すなわ
ち、副画素３５Ｂを中心とし、その両側に内側より順に
副画素３５Ｇ，３５Ｒが配列されている。したがって、
同一の画素１１を形成する副画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１
Ｂの重心は、ほぼ同一である。

【００９９】なお、Ｒ，Ｇ，Ｂの配置がそれぞれ交換さ
れている場合でも本発明が適用できることは、いうまで
もない。

【０１００】画素電極３５Ｒは、電極接続部３５Ｒ'お
よびＴＦＴ３３を介して信号線３１Ｒに接続され、画素
電極３５Ｇは、電極接続部３５Ｇ'，３５Ｇ''およびＴ
ＦＴ３３を介して信号線３１Ｇに接続され、画素電極３
５Ｂは、電極接続部３５Ｂ'およびＴＦＴ３３を介して
信号線３１Ｂに接続され、共通電極３６は、共通電極接
続部３６'を介して共通電極ドライバ５４に接続されて
いる。

【０１０１】図２０は、図１９のＡ−Ａ'断面の断面図
である。

【０１０２】本実施形態５の液晶表示装置は、図２０に
示すように、材質が透明ガラスの基板１と、基板１に対
向配置され、材質が透明ガラスの基板２と、基板１と基
板２とで狭持された液晶層３４と、基板１に備えられた
画素電極３５と、画素電極３５に対応し、基板１に備え
られた共通電極３６とを有する。

【０１０３】画素電極３５および共通電極３６は、膜厚
が０．２μｍ程度の金属電極であり、ＣｒＭｏなどの導
電体が用いられる。

【０１０４】基板１は、絶縁膜８１と、絶縁膜８１上に
備えられた画素電極３５と、画素電極３５上に備えられ
た保護膜８２と、保護膜上に備えられた配向膜８５と、
基板１の液晶に面しない側の面上に備えられ液晶の配向
状態に応じて光学特性を変える手段である偏光板６とを
有する。

【０１０５】絶縁膜８１，保護膜８２は、膜厚がそれぞ
れ０．３μｍ，０．８μｍ程度の窒化珪素が用いられ
る。

【０１０６】基板２は、不要な間隙部からの光を遮光す
る遮光膜５と、遮光膜５上に備えられＲ，Ｇ，Ｂに対応
した色を表現するカラーフィルタ４と、カラーフィルタ
４上に備えられ凹凸を平坦化する平坦化膜３と、平坦化
膜上３に備えられた配向膜８５と、基板２の液晶に面し
ない側の面上に備えられた偏光板６とを有する。

【０１０７】配向膜８５には、液晶を配向させるための
ラビング処理が施されている。ラビング方向は、画素電
極３５の長手方向より１５度傾いており、インプレーン
・スイッチング(In-Plane Switching：ＩＰＳ)表示方式
に対応している。偏光板６の透過軸は、それぞれの偏光
板が配置されている基板上の配向膜のラビング方向に向
けられており、基板１の偏光板と基板２の偏光板とは、
クロスニコルに配置され、ノーマリーブラックモードに
対応している。

【０１０８】基板１と基板２との間には、高分子ビーズ
が分散され、液晶層のギャップを均一に保っている。ギ
ャップは、４μｍ程度、液晶層の屈折率異方性は、０.
１程度であり、この組み合わせによってレターデーショ
ンが調整される。

【０１０９】ここでは図示していないが、バックライト
に対する制約はなく、直下型方式の光源でも、サイドラ
イト方式の光源でも使用できる。

【０１１０】本実施形態５の液晶表示装置は、アクティ
ブマトリクス駆動方式で駆動される。

【０１１１】図２１(ａ)は、図１９のＢ−Ｂ'断面の基
板１における断面図である。

【０１１２】基板１は、走査線３２および共通電極接続
部３６'と、走査線３２および共通電極接続部３６'上に
備えられた絶縁膜８１と、絶縁膜８１上に備えられアモ
ルファスシリコンからなる半導体層８３と、半導体層８
３上に備えられＮ(＋)アモルファスシリコンからなる導
電膜８４と、導電膜８４上に備えられた信号線３１Ｒ
と、導電膜８４上に備えられた電極接続部３５Ｒ'とを
有する。

【０１１３】図２１(ｂ)は、図１９のＣ−Ｃ'断面の基
板１における断面図である。

【０１１４】図２１(ｂ)に示すように、電極接続部３５
Ｇ''と信号線３１Ｂとは、それぞれが交差する部位で
は、絶縁膜８１を介して異層に配置され、電気的に絶縁
されている。

【０１１５】本実施形態５によれば、同一の画素を形成
する一組の副画素が同心に配列しているため、混色が生
じることなく表示できる。

【０１１６】また、ＩＰＳ表示方式を採用しているた
め、ＴＮ表示方式を採用している実施形態１ないし実施
形態４と比較して、広い視野角を実現する。

【０１１７】

【実施形態６】本発明による液晶表示装置の実施形態６
の構造は、図２２に示されるように画素が配置されてい
ること以外は、実施形態５と同じである。

【０１１８】画素１１は、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応した副画素
１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂによって形成されている。副画
素１１Ｒは、副副画素１１Ｒａおよび１１Ｒｂによって
形成されている。副画素１１Ｇは、副副画素１１Ｇａお
よび１１Ｇｂによって形成されている。画素電極３５
Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂは、各副画素および各副副画素に対
応して備えられている。共通電極３６は、画素電極３５
に対応し、基板１に対してほぼ平行な電界を形成する。
共通電極３６ｂは、副副画素１１Ｇａと副画素１１Ｂに
共有され、共通電極３６ｃは、副画素１１Ｂと副副画素
１１Ｒｂに共有されている。すなわち、共通電極の両側
に異なる副画素に対応した画素電極が配列している。

【０１１９】また、副画素３５Ｂを中心とし、その周囲
に時計回りに、副副画素１１Ｇｂ，１１Ｒｂ，１１Ｇ
ａ，１１Ｒａが配列している。したがって、同一の画素
１１を形成する副画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの重心
は、ほぼ同一である。

【０１２０】電極接続部３５Ｒ''と信号線３１Ｂおよび
電極接続部３５Ｇ'とは、それぞれが交差している部分
では、絶縁膜を介して異層に配置され、電気的に絶縁さ
れている。

【０１２１】本実施形態６によれば、同一の画素を形成
する一組の副画素が同心に配列しているため、混色が生
じることなく表示できる。

【０１２２】また、共通電極を異なる副画素で共有して
いるため、実施形態５に比較して高い開口率が得られ
る。

【０１２３】

【発明の効果】本発明によれば、円弧の部分を有する画
素形状によってギザギザ感が抑制されるとともに、同一
の画素を形成する副画素を同心に配列することによっ
て、混色を生じない液晶表示装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示デバイスの画素形状およ
び配置の一例を示す図である。

【図２】本発明による液晶表示デバイスの画素形状によ
り横線と斜線とを表示するときに、線の特徴がほぼ同じ
であることを示す図である。

【図３】図２の表示において輪郭のフーリエ級数を考え
た場合のフーリエ級数の周波数に対するフーリエ係数を
示すグラフである。

【図４】本発明による液晶表示デバイスの画素配置にお
いて混色が生じないことを示す図である。

【図５】本発明による液晶表示デバイスの画素形状およ
び配置の数例を示す図である。

【図６】本発明による液晶表示デバイスの画素形状およ
び配置の数例を示す図である。

【図７】本発明による液晶表示デバイスの画素配置の数
例を示す図である。

【図８】本発明による液晶表示装置の実施形態１の構成
を示す図である。

【図９】本発明による液晶表示装置の実施形態１の画素
形状および配置を示す図である。

【図１０】本発明による液晶表示装置の実施形態１の画
素周辺の断面構造を示す断面図である。

【図１１】本発明による液晶表示装置の実施形態１のＴ
ＦＴおよび画素の断面構造を示す図である。

【図１２】従来の液晶表示装置の画素形状および配置を
示す図である。

【図１３】従来の液晶表示装置の画素周辺の断面構造を
示す図である。

【図１４】本発明による液晶表示装置の実施形態２の画
素形状および配置を示す図である。

【図１５】本発明による液晶表示装置の実施形態３の画
素形状および配置を示す図である。

【図１６】本発明による液晶表示装置の実施形態４の画
素形状および配置を示す図である。

【図１７】本発明による液晶表示装置の実施形態４のＴ
ＦＴおよび画素の断面構造を示す図である。

【図１８】本発明による液晶表示装置の実施形態５の構
成を示す図である。

【図１９】本発明による液晶表示装置の実施形態５の画
素形状および配置を示す図である。

【図２０】本発明による液晶表示装置の実施形態５の画
素周辺の断面構造を示す図である。

【図２１】本発明による液晶表示装置の実施形態５のＴ
ＦＴおよび画素の断面構造を示す図である。

【図２２】本発明による液晶表示装置の実施形態６の画
素形状および配置を示す図である。

【図２３】従来の液晶表示装置の画素形状および配置の
一例を示す図である。

【図２４】従来例の画素形状により、横線と斜線を表示
するときに、線の特徴が異なることを示す図である。

【図２５】図２４の表示において輪郭のフーリエ級数を
考えた場合のフーリエ級数の周波数に対するフーリエ係
数を示すグラフである。

【図２６】従来の画素配置において混色が生じる原因を
示す図である。

【符号の説明】 １，２ 基板 ３ 平坦化膜 ４Ｂ，４Ｒ，４Ｇ カラーフィルタ ５ 遮光膜 ６ 偏光板 １１ 画素 １１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ 副画素 １１Ｒａ，１１Ｒｂ 副副画素 １１Ｇａ，１１Ｇｂ 副副画素 １１Ｂａ，１１Ｂｂ 副副画素 ３１，３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ 信号線 ３２ 走査線 ３３ ＴＦＴ ３４ 液晶 ３５，３５Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂ 画素電極 ３５Ｇａ，３５Ｂｂ，３５Ｇａ，３５Ｂｂ 画素電極 ３５Ｂ'，３５Ｇ'，３５Ｒ' 電極接続部 ３５Ｒ''，３５Ｂ'' 電極接続部 ３６ 共通電極 ３６' 電極接続部 ４１，４２ 副画素の重心を結ぶ直線 ５１ 信号ドライバ ５２ 走査ドライバ ５３ 表示制御装置 ８１ 絶縁膜 ８２ 保護膜 ８３ 半導体層 ８４ 導電膜 ９１ 領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 津村 誠 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 新田 博幸 神奈川県川崎市麻生区王禅寺1099番地 株 式会社日立製作所システム開発研究所内 Ｆターム(参考） 2H092 GA13 GA20 GA23 JB02 JB04 JB05 NA01

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定間隔をもって対向配置された第１基
   板と第２基板との間に液晶層を挟持し、複数の画素を前
   記基板面に配置して表示部を形成した液晶表示装置にお
   いて、 前記画素が、それぞれ円弧状部を有することを特徴とす
   る液晶表示装置。
2. 【請求項２】 所定間隔をもって対向配置された第１基
   板と第２基板との間に液晶層を挟持し、特定の色に対応
   する複数の副画素をそれぞれ有する複数の画素を前記基
   板面に配置して表示部を形成した液晶表示装置におい
   て、 前記画素をそれぞれ形成する一組の前記副画素が、同心
   に配列していることを特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】 所定間隔をもって対向配置された第１基
   板と第２基板との間に液晶層を挟持し、特定の色に対応
   する複数の副画素をそれぞれ有する複数の画素を行方向
   および列方向にそれぞれ等間隔に前記基板面に配置して
   表示部を形成した液晶表示装置において、 前記複数の画素が、行方向に第１距離の間隔で配置さ
   れ、列方向に第２距離の間隔で配置され、 前記表示部上で辺の長さが前記第１距離および前記第２
   距離である長方形の任意領域内に重心を持つ前記副画素
   同士は、同じ前記画素に属することを特徴とする液晶表
   示装置。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の液晶表示装置におい
   て、 前記画素が、特定の色に対応する複数の副画素をそれぞ
   れ有し、 それぞれの前記画素を形成する一組の前記副画素が、同
   心に配列していることを特徴とする液晶表示装置。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の液晶表示装置におい
   て、 前記画素が、特定の色に対応する複数の副画素をそれぞ
   れ有し、行方向に第１距離の間隔で列方向に第２距離の
   間隔でそれぞれ等間隔に配置され、 前記表示部上で辺の長さが前記第１距離および前記第２
   距離である長方形の任意領域内に重心を持つ前記副画素
   同士は、同じ前記画素に属することを特徴とする液晶表
   示装置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか一項に記載
   の液晶表示装置において、 前記画素が、円形状であることを特徴とする液晶表示装
   置。
7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれか一項に記載
   の液晶表示装置において、 前記画素または前記副画素に対応した画素電極を前記第
   １基板上に備え、 前記画素電極に対応した共通電極を前記第２基板上に備
   えることを特徴とする液晶表示装置。
8. 【請求項８】 請求項１ないし６のいずれか一項に記載
   の液晶表示装置において、 前記画素または前記副画素に対応した画素電極および前
   記画素電極に対応した共通電極を前記第１基板上に備え
   ることを特徴とする液晶表示装置。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の液晶表示装置におい
   て、 異なる前記副画素が、前記共通電極を共有することを特
   徴とする液晶表示装置。
10. 【請求項１０】 請求項８に記載の液晶表示装置におい
    て、 前記画素電極および前記共通電極が、線状であり、 異なる副画素に対応した前記画素電極が、線状の前記共
    通電極の両側に配列していることを特徴とする液晶表示
    装置。
11. 【請求項１１】 請求項７ないし１０のいずれか一項に
    記載の液晶表示装置において、 不要な間隙部からの光を遮光する遮光膜を備え、 前記画素電極と前記共通電極と前記遮光膜との少なくと
    も一つが、前記画素からの出射光をほぼ円形にする円弧
    状部を有することを特徴とする液晶表示装置。
12. 【請求項１２】 請求項７ないし１０のいずれか一項に
    記載の液晶表示装置において、 不要な間隙部からの光を遮光する遮光膜を備え、 それぞれの前記画素を形成する一組の前記副画素に対応
    して備えられた前記画素電極と前記共通電極と前記遮光
    膜との少なくとも一つが、同心に配列していることを特
    徴とする液晶表示装置。
13. 【請求項１３】 請求項７ないし１２のいずれか一項に
    記載の液晶表示装置において、 不要な間隙部からの光を遮光する遮光膜を備え、 前記画素電極と前記共通電極と前記遮光膜との前記画素
    に対応する部分のいずれか一つが、円形状であることを
    特徴とする液晶表示装置。
14. 【請求項１４】 請求項１ないし１３のいずれか一項に
    記載の液晶表示装置において、 前記画素に対応した信号線と前記画素を選択する走査線
    とを備え、 同一の前記信号線に対応した前記画素の重心を結ぶ直線
    または同一の前記走査線に対応した前記画素の重心を結
    ぶ直線が屈曲していることを特徴とする液晶表示装置。