JP2002226230A - Forming mold for optic ang its producing method - Google Patents

Forming mold for optic ang its producing method

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JP2002226230A
JP2002226230A JP2001017295A JP2001017295A JP2002226230A JP 2002226230 A JP2002226230 A JP 2002226230A JP 2001017295 A JP2001017295 A JP 2001017295A JP 2001017295 A JP2001017295 A JP 2001017295A JP 2002226230 A JP2002226230 A JP 2002226230A
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metal
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Shigeru Hashimoto
茂 橋本
Keiji Hirabayashi
敬二 平林
Sunao Miyazaki
直 宮崎
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for efficiently producing a mold capable of transferring precisely a shape in the case an optical having the shape of a free curved face not realized in the conventional grinding works is press-molded repeatedly regardless of any molding condition or any kind of glass seed. SOLUTION: The forming mold for the optic has a transferring face to shape the optic on a part of a base material 11. A layer 12 for cutting work the main component of which is a metal is formed on the base material 11 by a gas deposition method.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】発明は、レンズ、プリズム等
のガラスからなる光学素子を、ガラス素材のプレス成形
により高精度に製造するのに使用される型及びその製造
方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mold used for manufacturing optical elements made of glass, such as lenses and prisms, with high precision by press-molding a glass material, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】研磨工程を必要とせず、ガラス素材のプ
レス成形によってレンズを製造する技術は、従来の製造
において必要とされた複雑な工程をなくし、簡単かつ安
価にレンズを製造することを可能とし、近年ではレンズ
のみならずプリズムその他のガラスよりなる光学素子の
製造に使用されるようになってきている。
2. Description of the Related Art The technology of manufacturing a lens by press molding a glass material without the need for a polishing step eliminates the complicated steps required in conventional manufacturing, making it possible to manufacture a lens simply and inexpensively. In recent years, it has come to be used for manufacturing not only lenses but also optical elements made of prisms and other glasses.

【0003】このようなガラス製の光学素子のプレス成
形に使用される型材に要求される性質としては、硬度、
耐酸化性、耐熱性、離型性、鏡面加工性等に優れている
ことが挙げられる。従来、この種の型材として金属、セ
ラミックス及びそれらをコーティングした材料等、数多
く提案がなされている。いくつかの例をあげるなら、特
開昭49−51112号公報には13Crマルテンサイ
ト鋼が、特開昭52−45613号公報にはSiC及び
Si34が、特開昭59−121126号公報にはTi
C及び金属の混合材料が、特開昭60−246230号
公報には超硬合金に貴金属をコーティングした材料が、
また、特開昭61−183134号公報、特開昭61−
281030号公報、特開平1−301864号公報に
はダイヤモンド薄膜もしくはダイヤモンド状炭素膜、特
開昭64−83529号公報には硬質炭素膜をコーティ
ングした材料が提案されている。
The properties required of a mold used for press molding of such a glass optical element include hardness,
It is excellent in oxidation resistance, heat resistance, mold release properties, mirror workability and the like. Heretofore, many proposals have been made such as metal, ceramics, and materials coated with them as this type of mold material. If name a few examples, 13Cr martensitic steels in JP-A-49-51112 is, Japanese Patent Publication No. Sho 52-45613 is SiC and Si 3 N 4, Sho 59-121126 JP Has Ti
A mixed material of C and a metal is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-246230.
Also, JP-A-61-183134 and JP-A-61-183134
JP-A-281030 and JP-A-1-301864 propose a material coated with a diamond thin film or diamond-like carbon film, and JP-A-64-83529 proposes a material coated with a hard carbon film.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
型材料では、硬度、耐酸化性、耐熱性、離型性、鏡面加
工性を全て満足するものは得られていない。
However, no conventional mold material has been obtained which satisfies all of hardness, oxidation resistance, heat resistance, mold release property and mirror workability.

【0005】例えば、13マルテンサイト鋼は酸化しや
すく、更に高温でFeがガラス中に拡散してガラスが着
色される欠点を持つ。
[0005] For example, 13 martensitic steel has a disadvantage that it is easily oxidized, and further, Fe diffuses into the glass at a high temperature to color the glass.

【0006】また、SiC、Si34、TiC、ダイヤ
モンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、硬質炭素膜は、材
料の硬度が非常に高く機械的強度は優れているものの、
加工性に劣り、高精度な型形状に加工することが困難で
ある。更には、SiC、Si 34、TiCでは、高温で
酸化が起こりガラスの融着が生じる。
Further, SiC, SiThreeNFour, TiC, diamond
Mondo thin film, diamond-like carbon film, hard carbon film
Although the hardness of the material is very high and the mechanical strength is excellent,
Poor workability, difficult to process into high-precision mold
is there. Further, SiC, Si ThreeNFour, TiC, at high temperature
Oxidation occurs and fusion of the glass occurs.

【0007】また、超硬合金母材上に貴金属薄膜、ダイ
ヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、硬質炭素膜をコ
ーティングした型では、超硬合金を加工する方法とし
て、ダイヤモンド砥石を用いて加工することが一般的で
あるが、曲率の小さい球面や自由曲面等には加工できな
いという欠点を有している。ここでいう自由曲面とは、
非軸対称な非球面を含む面である。
In a mold in which a noble metal thin film, a diamond thin film, a diamond-like carbon film, and a hard carbon film are coated on a cemented carbide base material, a method of machining a cemented carbide using a diamond grindstone may be used. Although it is general, it has a drawback that it cannot be processed into a spherical surface or a free-form surface with a small curvature. The free-form surface here means
This is a surface including a non-axisymmetric aspheric surface.

【0008】これらの改善策として、超硬合金母材上
に、容易に精密加工できる切削加工層として、特開平3
−23230号公報では無電解Ni−Pメッキ膜、特開
平7−41326号公報ではPを含む3元合金(P−N
i、Co、Fe−Si、Ti、Cu、Zr、Nb、M
o、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Re、Os、
Ir)をスパッタ成膜し、この切削加工層に対してダイ
ヤモンドバイトにより切削加工を施して転写面を形成
し、この加工層上に貴金属系の合金薄膜をスパッタ成膜
する方法が提案されている。
As a measure for improvement, a cutting layer which can be easily machined on a cemented carbide base material is disclosed in
No. 23230, an electroless Ni-P plating film, and JP-A-7-41326, a ternary alloy containing P (P-N
i, Co, Fe-Si, Ti, Cu, Zr, Nb, M
o, Ru, Rh, Pd, Hf, Ta, W, Re, Os,
A method has been proposed in which Ir) is sputter-deposited, the cut layer is cut with a diamond bite to form a transfer surface, and a noble metal-based alloy thin film is sputter-deposited on the cut layer. .

【0009】しかし、無電解Ni−Pメッキ膜は、超硬
上に10μm以上形成できず、また、充分な密着性を有
しておらず、成型条件やガラスの硝種によっては、繰り
返しプレス成形時に切削加工層に亀裂が生じたり、母材
と切削加工層が剥離するという欠点を有している。
However, an electroless Ni-P plating film cannot be formed on a superhard material to a thickness of 10 μm or more, and does not have sufficient adhesion. There are disadvantages in that a crack is generated in the cutting layer and the base material and the cutting layer are separated.

【0010】また、切削加工層の3元合金のスパッタ成
膜では、自由曲面に近似形状に加工した母材に均一にス
パッタ成膜するには、ターゲットと母材の間隔を広げる
必要があるが、その場合、成膜速度が低下し、50μm
以上成膜しようとすると、非常に長時間かかるという欠
点を有している。
[0010] In the case of forming a ternary alloy by sputtering for the cutting layer, it is necessary to increase the distance between the target and the base material in order to uniformly form a sputter film on the base material processed into a shape approximate to a free-form surface. In this case, the film forming speed is reduced to 50 μm
There is a disadvantage that it takes an extremely long time to form a film.

【0011】さらに、スパッタ法等の真空成膜では、選
択的に成膜できないため、型母材の側面にも回り込んで
成膜されるので、型を高精度の治具で覆ったり、成膜後
に側面を後加工する必要があった。また、目的とする光
学素子成形型以外のスパッタ装置の内部壁面にも、多量
に切削加工層と同組成の金属が堆積され、省資源、資源
の有効活用の点で問題点があった。
Furthermore, in vacuum film formation such as sputtering, it is not possible to form a film selectively, so that the film extends around the side surface of the mold base material, so that the mold can be covered with a high-precision jig or formed. The side face had to be post-processed after the film. In addition, a large amount of metal having the same composition as that of the cut layer is deposited on the inner wall surface of the sputtering apparatus other than the intended optical element molding die, and there is a problem in terms of resource saving and effective use of resources.

【0012】また、多面体プリズムのような光学部品を
前述した切削加工層を用いた光学素子成形型で製造する
際、ダイヤモンドバイトが入らない形状の場合、多面体
プリズム用一体型が加工できないため、分割型を使用し
なければならない場合があった。しかし、分割型では、
多面体の位置精度の確保が困難であったり、型と型の隙
間にガラスが入り込み、ガラスが割れたり、形状転写精
度が低下するという問題点があった。
Further, when an optical component such as a polyhedral prism is manufactured by an optical element molding die using the above-mentioned cutting layer, if the shape does not include a diamond bite, an integrated die for a polyhedral prism cannot be processed. Sometimes you had to use a type. However, in the split type,
There are problems that it is difficult to ensure the positional accuracy of the polyhedron, that glass enters into the gap between the dies, that the glass is broken, and that the shape transfer accuracy is reduced.

【0013】本発明はこのような従来の課題を解消し、
従来の研削加工では実現できなかった自由曲面の形状を
持った光学素子を、成形条件やガラスの硝種に拘わら
ず、繰り返しプレス成形を行っても、精密に形状を転写
できる型を効率的に製造する方法を提供することを目的
とする。
The present invention solves such a conventional problem,
Efficiently manufacture molds that can accurately transfer the shape of optical elements with free-form surfaces that could not be achieved by conventional grinding, regardless of the molding conditions and glass type, even after repeated press molding. The purpose is to provide a way to:

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決し、
目的を達成するために、本発明に係わる光学素子成形用
型は、母材の一部に光学素子を成形するための転写面を
有する光学素子成形用型であって、前記母材上に、金属
を主成分とする切削加工層をガスデポジション法で成膜
したことを特徴としている。
Means for Solving the Problems The above-mentioned problems are solved,
In order to achieve the object, the optical element molding die according to the present invention is an optical element molding die having a transfer surface for molding an optical element on a part of the base material, and on the base material, A cutting layer mainly composed of a metal is formed by a gas deposition method.

【0015】また、この発明に係わる光学素子成形用型
において、前記母材がタングステンカーバイト(WC)
を主成分とする超硬合金からなり、前記切削加工層が、
ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、鉄(Fe)の中
から選ばれる1種類とリン(P)の合金と、銅(C
u)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、クロム(C
r)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モリブ
デン(Mo)、ハフニウム(Hf)、タンタル(T
a)、タングステン(W)から選ばれる1種類との3元
合金からなることを特徴としている。
Further, in the optical element molding die according to the present invention, the base material is tungsten carbide (WC).
Consisting of a cemented carbide having as a main component, the cutting layer,
An alloy of one type selected from nickel (Ni), cobalt (Co), and iron (Fe) and phosphorus (P); and copper (C)
u), silicon (Si), titanium (Ti), chromium (C
r), zirconium (Zr), niobium (Nb), molybdenum (Mo), hafnium (Hf), tantalum (T
a), one of ternary alloys selected from tungsten (W).

【0016】また、この発明に係わる光学素子成形用型
において、前記母材上に、スパッタ法で金属を主成分と
する下地層を成膜したのち、金属を主成分とする前記切
削加工層をガスデポジション法で成膜したことを特徴と
している。
In the mold for molding an optical element according to the present invention, an underlayer mainly composed of a metal is formed on the base material by a sputtering method, and then the cut layer mainly composed of a metal is formed. It is characterized by being formed by a gas deposition method.

【0017】また、この発明に係わる光学素子成形用型
において、前記母材がタングステンカーバイト(WC)
を主成分とする超硬合金からなり、前記下地層及び前記
切削加工層が、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、
鉄(Fe)の中から選ばれる1種類とリン(P)の合金
と、銅(Cu)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、
クロム(Cr)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(N
b)、モリブデン(Mo)、ハフニウム(Hf)、タン
タル(Ta)、タングステン(W)から選ばれる1種類
との3元合金からなることを特徴としている。
In the optical element molding die according to the present invention, the base material may be tungsten carbide (WC).
And the underlayer and the cutting layer are made of nickel (Ni), cobalt (Co),
An alloy of one type selected from iron (Fe) and phosphorus (P), copper (Cu), silicon (Si), titanium (Ti),
Chromium (Cr), zirconium (Zr), niobium (N
b), a ternary alloy of one selected from molybdenum (Mo), hafnium (Hf), tantalum (Ta), and tungsten (W).

【0018】また、この発明に係わる光学素子成形用型
において、前記転写面が自由曲面であることを特徴とし
ている。
Also, in the optical element molding die according to the present invention, the transfer surface is a free-form surface.

【0019】また、この発明に係わる光学素子成形用型
において、前記切削加工層の膜厚が50μm以上である
ことを特徴としている。
The optical element molding die according to the present invention is characterized in that the thickness of the cut layer is 50 μm or more.

【0020】また、本発明に係わる光学素子成形用型の
製造方法は、母材の一部に光学素子を成形するための転
写面を有する光学素子成形用型を製造する方法であっ
て、前記母材上に、金属を主成分とする切削加工層をガ
スデポジション法で成膜することを特徴としている。
Further, a method of manufacturing an optical element molding die according to the present invention is a method of manufacturing an optical element molding die having a transfer surface for molding an optical element on a part of a base material, A cutting layer mainly composed of a metal is formed on a base material by a gas deposition method.

【0021】また、この発明に係わる光学素子成形用型
の製造方法において、前記母材上に、スパッタ法で金属
を主成分とする下地層を成膜したのち、金属を主成分と
する前記切削加工層をガスデポジション法で成膜するこ
とを特徴としている。
In the method of manufacturing an optical element molding die according to the present invention, an underlayer mainly composed of a metal is formed on the base material by a sputtering method, and then the cutting layer mainly composed of a metal is formed. It is characterized in that the processing layer is formed by a gas deposition method.

【0022】また、この発明に係わる光学素子成形用型
の製造方法において、ニッケル(Ni)、コバルト(C
o)、鉄(Fe)の中から選ばれる1種類とリン(P)
の合金の超微粒子の生成室と、ニオブ(Nb)、モリブ
デン(Mo)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)
タングステン(W)から選ばれる1種類の超微粒子の生
成室を別々に用いてガスデポジション法により前記切削
加工層を形成することを特徴としている。
Further, in the method for manufacturing an optical element molding die according to the present invention, nickel (Ni), cobalt (C
o), one type selected from iron (Fe) and phosphorus (P)
And a chamber for producing ultrafine particles of an alloy of niobium (Nb), molybdenum (Mo), hafnium (Hf), and tantalum (Ta)
It is characterized in that the cutting layer is formed by a gas deposition method by separately using one type of ultrafine particle generation chamber selected from tungsten (W).

【0023】また、本発明に係わる光学素子成形用型の
製造方法は、母材の一部に光学素子を成形するための転
写面を有する光学素子成形用型を製造する方法であっ
て、前記母材上に、金属を主成分とする切削加工層をガ
スデポジション法で成膜した後、前記切削加工層を所望
の形状に切削加工及び均等研磨した後に、該加工層上
に、硬質炭素膜の場合はイオンビーム蒸着、貴金属系合
金薄膜の場合はスパッタで表面層を形成することを特徴
としている。
Further, a method of manufacturing an optical element molding die according to the present invention is a method of manufacturing an optical element molding die having a transfer surface for molding an optical element on a part of a base material, After forming a cutting layer mainly composed of a metal on the base material by a gas deposition method, the cutting layer is cut into a desired shape and uniformly polished. In the case of a film, a surface layer is formed by ion beam evaporation, and in the case of a noble metal alloy thin film, a surface layer is formed by sputtering.

【0024】また、この発明に係わる光学素子成形用型
の製造方法において、前記母材と前記切削加工層の間
に、スパッタ法で金属を主成分とする下地層を形成する
ことを特徴としている。
In the method of manufacturing an optical element molding die according to the present invention, an underlayer mainly composed of a metal is formed between the base material and the cut layer by a sputtering method. .

【0025】また、この発明に係わる光学素子成形用型
の製造方法において、前記切削加工層と前記表面層の間
に、金属の炭化物、又は窒化物、又は炭窒化物からなる
中間層を形成したことを特徴としている。
In the method for manufacturing an optical element molding die according to the present invention, an intermediate layer made of a metal carbide, nitride, or carbonitride is formed between the cut layer and the surface layer. It is characterized by:

【0026】また、本発明に係わる光学素子成形用型の
製造方法は、母材の一部に光学素子を成形するための転
写面を有する光学素子成形用型を製造する方法であっ
て、前記母材を所望する形状のマイナス公差に近似した
形状に加工する工程と、前記母材の近似形状と所望する
形状の差分に応じて、ガスデポジション法で金属を主成
分とする形状形成層を高精度に成膜する工程と、該形状
形成層を均等研磨する工程と、該形状形成層上に、硬質
炭素膜の場合はイオンビーム蒸着、貴金属系合金薄膜の
場合はスパッタで表面層を形成する工程と、を具備する
ことを特徴としている。
Further, a method of manufacturing an optical element molding die according to the present invention is a method of manufacturing an optical element molding die having a transfer surface for molding an optical element on a part of a base material, A step of processing the base material into a shape approximate to the minus tolerance of the desired shape, and forming a shape forming layer mainly composed of a metal by a gas deposition method according to a difference between the approximate shape of the base material and a desired shape. A step of forming a film with high precision, a step of uniformly polishing the shape forming layer, and a step of forming a surface layer on the shape forming layer by ion beam evaporation for a hard carbon film and sputtering for a noble metal-based alloy thin film And a step of performing

【0027】また、この発明に係わる光学素子成形用型
の製造方法において、前記母材と前記形状形成層の間
に、スパッタ法で金属を主成分とする下地層を形成する
工程を更に具備することを特徴としている。
Further, the method for manufacturing an optical element molding die according to the present invention further comprises a step of forming an underlayer mainly composed of a metal between the base material and the shape forming layer by a sputtering method. It is characterized by:

【0028】また、この発明に係わる光学素子成形用型
の製造方法において、前記母材がタングステンカーバイ
ト(WC)を主成分とする超硬合金からなり、前記下地
層及び前記形状形成層が、ニッケル(Ni)、コバルト
(Co)、鉄(Fe)の中から選ばれる1種類とリン
(P)の合金と、銅(Cu)、シリコン(Si)、チタ
ン(Ti)、クロム(Cr)、ジルコニウム(Zr)、
ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、ハフニウム(H
f)、タンタル(Ta)、タングステン(W)から選ば
れる1種類との3元合金からなることを特徴としてい
る。
Further, in the method of manufacturing an optical element molding die according to the present invention, the base material is made of a cemented carbide mainly containing tungsten carbide (WC), and the underlayer and the shape forming layer are An alloy of one selected from nickel (Ni), cobalt (Co), and iron (Fe) and phosphorus (P), and copper (Cu), silicon (Si), titanium (Ti), chromium (Cr), Zirconium (Zr),
Niobium (Nb), molybdenum (Mo), hafnium (H
f), one of ternary alloys selected from tantalum (Ta) and tungsten (W).

【0029】また、この発明に係わる光学素子成形用型
の製造方法において、前記形状形成層と前記表面層の間
に、金属の炭化物、又は窒化物、又は炭窒化物からなる
中間層を形成する工程を更に具備することを特徴として
いる。
In the method of manufacturing an optical element molding die according to the present invention, an intermediate layer made of a metal carbide, nitride, or carbonitride is formed between the shape forming layer and the surface layer. It is characterized by further comprising a step.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な一実施形態
について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described.

【0031】本実施形態では、母材の一部に光学素子を
成形するための転写面を有する成形用型であって、前記
母材上に形成された金属を主成分とする切削加工層を有
する光学素子成型用型の製造方法において、切削加工層
をガスデポジション法で形成する。
In the present embodiment, a molding die having a transfer surface for molding an optical element on a part of a base material, wherein a cutting layer mainly composed of a metal formed on the base material is formed. In the method for manufacturing an optical element molding die having a cutting layer, a cutting layer is formed by a gas deposition method.

【0032】母材はタングステンカーバイト(WC)を
主成分とする超硬合金であり、下地層、及び切削加工層
は、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、鉄(Fe)
の中から選ばれる1種類とリン(P)の合金と、銅(C
u)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、クロム(C
r)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モリブ
デン(Mo)、ハフニウム(Hf)、タンタル(T
a)、タングステン(W)の中から選ばれる1種類との
3元合金であることが望ましい。
The base material is a cemented carbide mainly composed of tungsten carbide (WC). The underlayer and the cutting layer are made of nickel (Ni), cobalt (Co), iron (Fe).
Alloy of phosphorus (P) and copper (C)
u), silicon (Si), titanium (Ti), chromium (C
r), zirconium (Zr), niobium (Nb), molybdenum (Mo), hafnium (Hf), tantalum (T
a), a ternary alloy with one selected from tungsten (W).

【0033】また、光学素子成形用型の製造方法におい
て、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、鉄(Fe)
の中から選ばれる1種類とリン(P)の合金の超微粒子
の生成室と、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、ハ
フニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングステン
(W)から選ばれる1種類の超微粒子の生成室を2つ用
いてガスデポジション法により切削加工層を形成するこ
とが望ましい。
Further, in the method of manufacturing a mold for forming an optical element, there is provided a method for manufacturing nickel (Ni), cobalt (Co), iron (Fe).
And a chamber for generating ultrafine particles of an alloy of phosphorus (P) and one selected from the group consisting of niobium (Nb), molybdenum (Mo), hafnium (Hf), tantalum (Ta), and tungsten (W) It is desirable to form a cutting layer by a gas deposition method using two types of ultrafine particle generation chambers.

【0034】また、切削加工を行わない新たな光学素子
成形型の製造方法として、母材の一部に光学素子を成形
するための転写面を有する成形用型であって、前記母材
を所望する形状のマイナス公差に近似した形状に加工す
る工程と、前記母材の近似形状と所望する形状の差分に
対応する、金属を主成分とする形状形成層をガスデポジ
ション法により高精度に成膜する工程と、該形状形成層
を均等研磨する工程と、該形状形成層上に、硬質炭素膜
の場合はイオンビーム蒸着、貴金属系合金薄膜の場合は
スパッタで表面層を形成する工程をそなえる。
Further, as a method of manufacturing a new optical element molding die which does not perform a cutting process, a molding die having a transfer surface for molding an optical element on a part of a base material, wherein the base material is desirably used. And forming a shape-forming layer mainly composed of a metal corresponding to the difference between the approximate shape of the base material and the desired shape with high precision by a gas deposition method. A step of forming a film, a step of uniformly polishing the shape-forming layer, and a step of forming a surface layer on the shape-forming layer by ion beam evaporation in the case of a hard carbon film or by sputtering in the case of a noble metal-based alloy thin film. .

【0035】以上のように構成される本実施形態の作用
について説明する。
The operation of the present embodiment configured as described above will be described.

【0036】ガスデポジション法は、超微粒子生成室、
膜形成室、搬送管等で構成され、超微粒子生成室におい
て不活性ガス雰囲気中でアーク、抵抗加熱等で生成され
た金属超微粒子を圧力差により搬送管を通じて膜形成室
に導き、ノズルから高速噴射させることによって直接パ
ターンを描画する乾式成膜方法が、特開昭60−106
964号公報に提案されている。
In the gas deposition method, an ultrafine particle generation chamber,
It is composed of a film forming chamber and a transport pipe.In the ultra-fine particle generation chamber, the metal ultrafine particles generated by arc, resistance heating, etc. in an inert gas atmosphere are guided to the film forming chamber through the transport pipe by a pressure difference, and high-speed A dry film forming method for directly drawing a pattern by spraying is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-106.
964.

【0037】以下に、ガスデポジション法による金属を
主成分とした切削加工層を形成した場合の特徴を示す。
The following is a description of the characteristics in the case where a cut layer mainly containing a metal is formed by the gas deposition method.

【0038】ガスデポジション法は、差圧、基板温度、
ガス種などを変えることで、形成される超微粒子膜の粒
径、パッキング、密度等を変えることができ、その集合
体である超微粉の形成が可能である。これらは、切削加
工層の切削性、型耐久性を左右する因子であるため、成
膜条件を最適化することで、これらの特性を制御するこ
とが可能である。
In the gas deposition method, the differential pressure, the substrate temperature,
By changing the gas type and the like, the particle size, packing, density, and the like of the formed ultrafine particle film can be changed, and an ultrafine powder as an aggregate thereof can be formed. These are factors that affect the machinability and mold durability of the cut layer, and therefore, these characteristics can be controlled by optimizing the film forming conditions.

【0039】また、ガスデポジション法は基本的に超微
粒子となった原材料が全て使用されるものであるため、
材料利用効率が非常に良い。一方、スパッタ法や、真空
蒸着法では材料利用効率は良くて5%程度である。
In addition, since the gas deposition method basically uses all raw materials that have become ultrafine particles,
Material utilization efficiency is very good. On the other hand, the material use efficiency of the sputtering method or the vacuum evaporation method is about 5% at best.

【0040】本実施形態の光学素子成形用型の模式的断
面図を図1に示す。図1中、11は型母材、12は切削
加工層、13は離型層である。また、図2のように、切
削加工層22と離型層24の間に中間層23を導入して
も良い。図1では、凹型の自由曲面プリズム成形用型を
示したが、本発明は、凹型の自由曲面プリズム成形用型
に限定されるものでなく、凸型の成形用型、非球面レン
ズ成形用型、シリンドリカルレンズ成形用型等にも使用
可能である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of the optical element molding die of the present embodiment. In FIG. 1, 11 is a mold base material, 12 is a cutting layer, and 13 is a release layer. Further, as shown in FIG. 2, an intermediate layer 23 may be introduced between the cutting layer 22 and the release layer 24. Although FIG. 1 shows a concave free-form prism forming die, the present invention is not limited to a concave free-form prism forming die, but includes a convex forming die and an aspheric lens forming die. It can also be used for cylindrical lens molding dies and the like.

【0041】このような光学素子成形用型に、スパッタ
法で切削加工層を形成する際、成形面以外の側面にも、
回り込みの影響で余分な金属膜が形成される。そのた
め、スパッタ法では、成膜時に高精度の治具と、成膜後
の後加工が必要となり工程数が増加するが、ガスデポジ
ション法は直描であるため、任意の場所に金属を主成分
とする切削加工層を形成することができる。このため、
工程数の減少、低コスト化に大きく寄与する。また、特
に、ノズル形状とノズル−基板間の距離等の条件により
成膜範囲を限定することができるため、型母材の所望の
面にのみ切削加工層を形成し、側面への回り込みを防止
することも可能である。
When a cut layer is formed on such an optical element molding die by sputtering, the side surface other than the molding surface is also
An extra metal film is formed due to the influence of the wraparound. Therefore, the sputtering method requires a high-precision jig during film formation and post-processing after film formation, which increases the number of steps.However, since the gas deposition method is direct drawing, metal is mainly used at an arbitrary location. A cutting layer as a component can be formed. For this reason,
This greatly contributes to a reduction in the number of processes and cost reduction. Also, in particular, since the film formation range can be limited by the conditions such as the nozzle shape and the distance between the nozzle and the substrate, a cutting layer is formed only on a desired surface of the mold base material to prevent wraparound to the side surface. It is also possible.

【0042】本実施形態で使用される切削加工層として
は、ダイヤモンドバイトによる加工性と成形時の硬度の
面から、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、鉄(F
e)の中から選ばれる1種類とリン(P)の合金と、銅
(Cu)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、クロム
(Cr)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モ
リブデン(Mo)、ハフニウム(Hf)、タンタル(T
a)、タングステン(W)から選ばれる1種類との3元
合金であることが望ましい。
The cutting layer used in the present embodiment is made of nickel (Ni), cobalt (Co), iron (F) from the viewpoint of workability with a diamond tool and hardness during molding.
e) an alloy of one selected from the group consisting of phosphorus (P), copper (Cu), silicon (Si), titanium (Ti), chromium (Cr), zirconium (Zr), niobium (Nb), and molybdenum ( Mo), hafnium (Hf), tantalum (T
a), it is preferably a ternary alloy with one type selected from tungsten (W).

【0043】本実施形態に使用されるガスデポジション
成膜装置の概略図を図3に示す。このガスデポジション
成膜装置は、まず超微粒子生成室31内の不活性ガスの
雰囲気中で、金属等の物質(これを蒸発材料Aとする)
の加熱蒸発装置として、プラズマアーク用電源32に接
続されたプラズマトーチ33を設け、これに対向して蒸
発材料Aを上面に収納した水冷銅ハース34が設けられ
ている。この加熱蒸発装置で蒸発して超微粒子となった
(エアロゾル状となる)金属の蒸気を、水冷銅ハース3
4の直上方にその超微粒子ガス入口35を設けるように
した搬送管36で吸い込み、図において矢印aで示すよ
うに膜形成室37へと搬送し、そして膜形成室37内の
搬送管36の先端に取り付けられたノズル38から、こ
の超微粒子を直下の成形型母材39へと高速噴射させ
て、成形型母材上に堆積させることによって金属膜を形
成する。
FIG. 3 is a schematic diagram of a gas deposition film forming apparatus used in the present embodiment. In this gas deposition film forming apparatus, first, a substance such as a metal (this is referred to as an evaporation material A) in an atmosphere of an inert gas in the ultrafine particle generation chamber 31.
As a heating and evaporating device, a plasma torch 33 connected to a plasma arc power supply 32 is provided, and a water-cooled copper hearth 34 in which an evaporating material A is stored on the upper surface is provided to face the plasma torch 33. The vapor of the metal evaporated into ultra-fine particles (aerosol-like) by this heating and evaporating device is converted into a water-cooled copper hearth 3
4 is sucked by a transfer pipe 36 provided with an ultrafine particle gas inlet 35 directly above the transfer pipe 4, transferred to a film formation chamber 37 as shown by an arrow a in FIG. From the nozzle 38 attached to the tip, the ultrafine particles are sprayed at a high speed onto the mold base material 39 immediately below and deposited on the mold base material to form a metal film.

【0044】また、図中には省略してあるが、成形型母
材39にはヒーターによる加熱機構及びXYZθφステ
ージが必要に応じて接続できるような構造となってい
る。同様に、超微粒子生成室31内の不活性ガスは、こ
れに接続されるガス導入管によって導入され、膜形成室
37はこれにバルブを備えた排気管を介して接続される
真空ポンプにより真空引きされているので、超微粒子生
成室31と、膜形成室37の間には一定の差圧が生じて
おり、従って超微粒子生成室31内に導入された不活性
ガスは搬送管36の超微粒子ガス入口35に吸い込ま
れ、膜形成室37へと搬送される。上述の、蒸発して超
微粒子となった金属の蒸気の超微粒子生成室31から膜
形成室37への搬送は、この不活性ガスの流れに同伴さ
れることによって行われる。また、微粒子生成室31内
の成形型母材39の金属膜の形成は、超微粒子を噴射す
るノズル38に対して成形型母材39を、例えば図中の
矢印bで示す方向に動かすことによって行われる。ま
た、融点の異なる金属を成膜する際は、超微粒子生成室
が2室あることが望ましい。
Although not shown in the drawing, the mold base material 39 has a structure in which a heating mechanism using a heater and an XYZθφ stage can be connected as necessary. Similarly, the inert gas in the ultrafine particle generation chamber 31 is introduced by a gas introduction pipe connected thereto, and the film formation chamber 37 is evacuated by a vacuum pump connected thereto through an exhaust pipe provided with a valve. As a result, a constant pressure difference is generated between the ultrafine particle generation chamber 31 and the film formation chamber 37, so that the inert gas introduced into the ultrafine particle generation chamber 31 It is sucked into the fine particle gas inlet 35 and transported to the film forming chamber 37. The above-described transport of the evaporated metal vapor into ultrafine particles from the ultrafine particle generation chamber 31 to the film formation chamber 37 is performed by being accompanied by the flow of the inert gas. Further, the formation of the metal film of the molding die base material 39 in the fine particle generation chamber 31 is performed by moving the molding die base material 39 in a direction indicated by an arrow b in FIG. Done. When depositing metals having different melting points, it is desirable that there are two ultrafine particle generation chambers.

【0045】本実施形態で用いられる型母材は、WC系
の超硬合金を用いることが硬度の面で望ましい。
As the mold base material used in this embodiment, it is desirable to use a WC cemented carbide in terms of hardness.

【0046】更に、超硬母材とガスデポジション法によ
る切削加工層の密着性を向上させるために、スパッタ法
で金属を主成分とする下地層を形成することが望まし
い。下地層の金属としては、切削加工層と同組成にする
ことが密着性の点で望ましい。
Further, in order to improve the adhesion between the cemented carbide base material and the cut layer formed by the gas deposition method, it is desirable to form an underlayer mainly composed of a metal by a sputtering method. It is desirable that the metal of the underlayer has the same composition as that of the cutting layer from the viewpoint of adhesion.

【0047】そして、切削加工層上に金属炭化物、金属
窒化物、金属炭窒化物等の薄膜を中間層として形成し、
その後、離形層を形成しても良い。
Then, a thin film of metal carbide, metal nitride, metal carbonitride or the like is formed as an intermediate layer on the cutting layer,
Thereafter, a release layer may be formed.

【0048】また、本実施形態において、所望の形状と
近似形状に加工した成形型母材との形状不足分を予め測
定しておき、微粒子生成室内の成形型母材の移動を高精
度に制御しながら成膜することにより、成形型母材を所
望の形状にすることも可能である。この場合、鏡面性を
得るために、形状を変化させない均等研磨をすることが
望ましい。
In this embodiment, the shape shortage between the desired shape and the shape of the forming base material that has been processed into an approximate shape is measured in advance, and the movement of the forming base material in the particle generation chamber is controlled with high precision. By forming a film while forming, the base material of the molding die can be formed into a desired shape. In this case, in order to obtain a mirror surface, it is desirable to perform uniform polishing without changing the shape.

【0049】以下、具体的な実施例について説明する。Hereinafter, specific embodiments will be described.

【0050】[実施例1]本実施例では、図3に示すよ
うなガスデポジション装置によって金属よりなる切削加
工層を形成した。
Embodiment 1 In this embodiment, a cut layer made of metal was formed by a gas deposition apparatus as shown in FIG.

【0051】型母材としてWC系超硬合金焼結体を所定
の自由曲面形状に放電加工した直方体(長手方向に線対
称、30mm×10mm)を用いた。この型を良く洗浄
した後、ガスデポジション装置に設置した。
A rectangular parallelepiped (30 mm × 10 mm in the longitudinal direction, line-symmetrical) obtained by subjecting a WC-based cemented carbide sintered body to a predetermined free-form surface by electric discharge machining was used as a mold base material. After thoroughly cleaning the mold, it was set in a gas deposition apparatus.

【0052】次に、超微粒子生成室の水冷銅ハースでN
3PとCuを1:1の重量比で混合した顆粒を、プラ
ズマトーチと水冷銅ハース間に直流電圧を印加して、溶
融、蒸発させた。キャリアガスとしては、He、Ar、
これらの混合ガス、さらにこれらに窒素を添加したガス
などが考えられる。本実施例で形成したNi3P(融点
965℃)やCu(融点1083℃)のような高融点材
料を主成分とした膜を製作する場合、He以外のキャリ
アガスでは凝集体ができやすく密着力低下の原因となる
ため、Heが望ましい。本実施例でも純度99.999
9%のHeをキャリアガスとした。また、成膜時の超微
粒子生成室の圧力は2atm以上であると凝集体ができ
やすく基板との密着力も低下するため2atm以下の圧
力が望ましい。本実施例では1atmとした。ノズルは
内径(10mm×0.1mm)のものを用いた。ノズル
と型母材間の距離は3mmとした。さらに凝集体生成を
避けるため、ノズル、搬送管に加熱機構を設けている。
Next, N was added to the water-cooled copper hearth in the ultrafine particle generation chamber.
The granules obtained by mixing i 3 P and Cu at a weight ratio of 1: 1 were melted and evaporated by applying a DC voltage between the plasma torch and the water-cooled copper hearth. As a carrier gas, He, Ar,
It is conceivable to use a mixed gas of these, and a gas obtained by adding nitrogen thereto. In the case of manufacturing a film mainly composed of a high melting point material such as Ni 3 P (melting point 965 ° C.) or Cu (melting point 1083 ° C.) formed in this embodiment, a carrier gas other than He easily forms an agglomerate and adheres. He is desirable because it causes a decrease in force. In this embodiment, the purity is 99.999.
9% He was used as a carrier gas. If the pressure in the ultrafine particle generation chamber at the time of film formation is 2 atm or more, agglomerates are easily formed and the adhesion to the substrate is reduced, so the pressure is preferably 2 atm or less. In this embodiment, it is 1 atm. The nozzle used had an inner diameter (10 mm × 0.1 mm). The distance between the nozzle and the mold base material was 3 mm. Further, in order to avoid generation of aggregates, a heating mechanism is provided in the nozzle and the transport pipe.

【0053】こうしてガス搬送管を通じて噴射された超
微粒子膜を型母材上に成膜した。ノズルは固定で、型母
材をホールドしたステージがx−y、さらにz、θと動
く構造となっている。
Thus, the ultrafine particle film sprayed through the gas transfer pipe was formed on the mold base material. The nozzle is fixed, and the stage holding the mold base material moves in x-y, z, and θ directions.

【0054】本実施例では、このステージを型母材の長
手方向に、ノズルと型母材の間隔が3mmになる方向に
動作させ、Ni3PとCuの合金層を約50μm形成
し、膜厚ムラと側面への回り込みがないことも確認され
た。この時の型母材温度は450℃とした。この時、材
料の使用効率は98%以上であった。
In this embodiment, this stage is operated in the longitudinal direction of the mold base material and in the direction in which the distance between the nozzle and the mold base material becomes 3 mm to form an alloy layer of Ni 3 P and Cu of about 50 μm. It was also confirmed that there was no thickness unevenness and no wraparound to the side. The mold base material temperature at this time was 450 ° C. At this time, the use efficiency of the material was 98% or more.

【0055】次に、この加工層を、ダイヤモンドバイト
により所望の自由曲面形状に切削加工を行い、均等研磨
により仕上げ加工を行う。
Next, this processed layer is cut into a desired free-form surface by a diamond tool, and finished by uniform polishing.

【0056】次に、この加工層上に、Tiターゲットを
用い、導入ガスとして窒素ガスを用いて反応性スパッタ
でTiNの中間層を1μm形成する。
Next, a TiN intermediate layer of 1 μm is formed on the processed layer by reactive sputtering using a Ti target and a nitrogen gas as an introduction gas.

【0057】次に、この中間層上に、イオンビーム蒸着
法により硬質炭素膜の表面層を100nm形成する。
Next, a surface layer of a hard carbon film having a thickness of 100 nm is formed on the intermediate layer by an ion beam evaporation method.

【0058】この型を連続成形機を用いてガラス成形
(リン酸系ガラス)を行った所、3000ショット成形
後も良好な成形品が得られ、また、転写面の劣化も観察
されなかった。
When this mold was subjected to glass molding (phosphate-based glass) using a continuous molding machine, a good molded product was obtained even after 3000 shot molding, and no deterioration of the transfer surface was observed.

【0059】[比較例1]実施例1において、加工層を
形成する際、Ni3PとCuのターゲットを用いてスパ
ッタ成膜する以外は実施例1と同様に光学素子成形用型
を製造した。この型のガラス成形性を測定したとろ、実
施例1と同等であった。しかし、型母材側面に加工層と
同組成の膜が成膜されたため、この部分を除去するため
研削加工による追加工が必要となった。また、ターゲッ
トの消耗から、材料の利用効率は3%以下であった。
[Comparative Example 1] An optical element molding die was manufactured in the same manner as in Example 1, except that when forming a processed layer, sputtering was performed using a Ni 3 P and Cu target. . When the glass moldability of this mold was measured, it was equal to that of Example 1. However, since a film having the same composition as the processing layer was formed on the side surface of the mold base material, additional processing by grinding was required to remove this portion. Further, due to the consumption of the target, the material utilization efficiency was 3% or less.

【0060】[実施例2]実施例1において、加工層を
形成する際、Ni3PとCuの顆粒を用いるかわりに、
Ni3P、Fe3P(融点1100℃)、Co2P(融点
1386℃)から選ばれる1種類とCu、Si(融点1
412℃)、Ti(融点1668℃)、Cr(融点18
75℃)、Zr(融点1850℃)のうちの1種類との
重量比1:1の混合物を用いる以外は実施例1と同様に
光学素子成形用型を製造した。この型の側面回り込み状
態、切削性、ガラス成形性を測定したところ、実施例1
と同等であった。また、材料の使用効率も皆98%以上
であった。
[Example 2] In Example 1, when forming a processed layer, instead of using Ni 3 P and Cu granules,
One type selected from Ni 3 P, Fe 3 P (melting point 1100 ° C.), Co 2 P (melting point 1386 ° C.) and Cu, Si (melting point 1
412 ° C), Ti (melting point 1668 ° C), Cr (melting point 18
An optical element molding die was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a mixture with a weight of one of 75 ° C.) and Zr (melting point of 1850 ° C.) was used at a weight ratio of 1: 1. When the side wraparound state, the machinability, and the glass formability of this mold were measured, Example 1 was obtained.
Was equivalent to In addition, the usage efficiency of the materials was 98% or more.

【0061】図5にターゲット材質の種類とその結果を
示す。
FIG. 5 shows the types of target materials and the results.

【0062】[実施例3]実施例1において、加工層を
形成する際、Ni3PとCuの顆粒を用いるかわりに、
Ni3P、Fe3P(融点1100℃)、Co2P(融点
1386℃)から選ばれる1種類と、Nb(融点246
8℃)、Mo(融点2615℃)、Hf(融点2222
℃)、Ta(融点2998℃)、W(融点3380℃)
のうちの1種類とを、それぞれ別の超微粒子生成室を用
いて蒸発させ、成形型母材上で重量比が1:1になるよ
う2つのノズル48A,48Bの位置(図4参照)とプ
ラズマアーク電源を制御する以外は実施例1と同様に光
学素子成形用型を製造した。この型の側面回り込み状
態、切削性、ガラス成形性を測定したところ、実施例1
と同等であった。また、材料の使用効率も皆95%以上
であった。
Example 3 In Example 1, when forming a processed layer, instead of using Ni 3 P and Cu granules,
One selected from Ni 3 P, Fe 3 P (melting point 1100 ° C.), Co 2 P (melting point 1386 ° C.), and Nb (melting point 246)
8 ° C.), Mo (melting point 2615 ° C.), Hf (melting point 2222)
° C), Ta (melting point 2998 ° C), W (melting point 3380 ° C)
Of the two nozzles 48A and 48B so that the weight ratio becomes 1: 1 on the mold base material (see FIG. 4). An optical element molding die was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the plasma arc power supply was controlled. When the side wraparound state, the machinability, and the glass formability of this mold were measured, Example 1 was obtained.
Was equivalent to In addition, the usage efficiency of the materials was 95% or more.

【0063】図6にターゲット材質の種類とその結果を
示す。
FIG. 6 shows the types of target materials and the results.

【0064】[実施例4]実施例1において、中間層の
TiN膜を形成するかわりに、チタン、タンタル、クロ
ム、シリコンの炭化物、窒化物、炭窒化物を形成する以
外は実施例1と同様に光学素子成形用型を製造した。こ
の型のガラス成形性を測定したところ、実施例1と同等
であった。
Example 4 Example 1 is the same as Example 1 except that a carbide, nitride or carbonitride of titanium, tantalum, chromium or silicon is formed instead of forming the intermediate TiN film. An optical element molding die was manufactured. The glass moldability of this mold was measured and found to be equivalent to that of Example 1.

【0065】図7に中間層材質の種類とその結果を示
す。
FIG. 7 shows the types of intermediate layer materials and the results.

【0066】[実施例5]実施例1において、表面層の
硬質炭素膜を形成するかわりに、Pt、Pd、Ir、R
h、Os、Ru、Re、Au、W、Taの組み合わせの
2元以上の合金を0.5μm形成する以外は実施例1と
同様に光学素子成形用型を製造した。この型のビッカー
ス硬度及びガラス成形性を測定したとろ、実施例1と同
等であった。
Example 5 In Example 1, Pt, Pd, Ir, and R were used instead of forming the hard carbon film of the surface layer.
An optical element molding die was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a binary alloy of h, Os, Ru, Re, Au, W, and Ta was formed to 0.5 μm or more. The Vickers hardness and glass moldability of this mold were measured and found to be the same as in Example 1.

【0067】図8に表面層材質の種類とその結果を示
す。
FIG. 8 shows the types of surface layer materials and the results.

【0068】本発明実施例では、加工層、中間層、表面
層において、各々成分を変えたが、これらの組み合わせ
でも、同様の効果が得られることは言うまでもない。
In the embodiment of the present invention, the components are changed in the working layer, the intermediate layer and the surface layer. However, it is needless to say that the same effect can be obtained by combining these.

【0069】[実施例6]実施例1において、中間層を
形成しない以外は実施例1と同様に光学素子成形用型を
製造した。
Example 6 A mold for molding an optical element was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the intermediate layer was not formed.

【0070】この型を連続成形機を用いてガラス成形
(リン酸系ガラス)を行った所、2000ショット成形
後も良好な成形品が得られたが、3000ショットで、
転写精度の劣化が観察された。
When this mold was subjected to glass molding (phosphate-based glass) using a continuous molding machine, a good molded product was obtained even after 2,000 shot molding.
Deterioration of transfer accuracy was observed.

【0071】[実施例7]実施例1において、中間層を
形成する際、金属Tiを電子銃で加熱蒸発させ、窒素プ
ラズマ中でイオンプレーティングすることによりTiN
を形成する以外は実施例1と同様に光学素子成形用型を
製造した。
[Embodiment 7] In the embodiment 1, when forming the intermediate layer, the metal Ti is heated and evaporated by an electron gun, and the TiN is formed by ion plating in a nitrogen plasma.
A mold for molding an optical element was manufactured in the same manner as in Example 1 except for forming.

【0072】この型を連続成形機を用いてガラス成形
(リン酸系ガラス)を行った所、3000ショット成形
後も良好な成形品が得られ、また、転写面の劣化も観察
されなかった。
When this mold was subjected to glass molding (phosphate-based glass) using a continuous molding machine, a good molded product was obtained even after 3000 shot molding, and no deterioration of the transfer surface was observed.

【0073】[実施例8]型母材としてWC系超硬合金
焼結体を所定(所望の自由曲面形状よりマイナス公差)
の自由曲面形状に放電加工した直方体(長手方向に線対
称、30mm×10mm)を用いた。
[Example 8] A WC-based cemented carbide sintered body was used as a mold base material (a minus tolerance from the desired free-form surface shape).
A rectangular parallelepiped (linearly symmetric in the longitudinal direction, 30 mm × 10 mm) which was subjected to electric discharge machining into a free-form surface shape was used.

【0074】この型を、高精度の3次元形状測定器で所
望の自由曲面形状との差分を測定する。
The difference between this mold and a desired free-form surface shape is measured by a high-precision three-dimensional shape measuring instrument.

【0075】次にこの型を良く洗浄した後、ガスデポジ
ション装置に設置した。
Next, the mold was thoroughly washed and then set in a gas deposition apparatus.

【0076】そして、超微粒子生成室の水冷銅ハースで
Ni3PとCuを1:1の重量比で混合した顆粒を、プ
ラズマトーチと水冷銅ハース間に直流電圧を印加して、
溶融、蒸発させた。本実施例では純度99.9999%
のHeをキャリアガスとした。また、成膜時の超微粒子
生成室の圧力は1atmとした。ノズルは内径0.00
2mmのものを用いた。ノズルと型間の距離は3mmと
した。さらに凝集体生成を避けるため、ノズル、搬送管
に加熱機構を設けている。
Then, a DC voltage was applied between the plasma torch and the water-cooled copper hearth with the granules obtained by mixing Ni 3 P and Cu at a weight ratio of 1: 1 with the water-cooled copper hearth in the ultrafine particle generation chamber,
Melted and evaporated. In this embodiment, the purity is 99.9999%.
He was used as a carrier gas. The pressure in the ultrafine particle generation chamber during film formation was 1 atm. Nozzle inner diameter 0.00
A 2 mm one was used. The distance between the nozzle and the mold was 3 mm. Further, in order to avoid generation of aggregates, a heating mechanism is provided in the nozzle and the transport pipe.

【0077】ステージがx−y、さらにz、θ軸を制御
して成膜した。この時の型温度は450℃とした。
The film was formed by controlling the xy, z, and θ axes on the stage. The mold temperature at this time was 450 ° C.

【0078】次に、この加工層を、均等研磨により仕上
げ加工を行う。
Next, this processed layer is subjected to finish processing by uniform polishing.

【0079】次に、この加工層上に、Tiターゲットを
用い、導入ガスとして窒素ガスを用いて反応性スパッタ
でTiNの中間層を1μm形成する。
Next, on the processed layer, a TiN intermediate layer is formed to a thickness of 1 μm by reactive sputtering using a Ti target and a nitrogen gas as an introduction gas.

【0080】次に、この中間層上に、イオンビーム蒸着
法により硬質炭素膜の表面層を100nm形成する。
Next, a surface layer of a hard carbon film having a thickness of 100 nm is formed on the intermediate layer by an ion beam evaporation method.

【0081】この型を連続成形機を用いてガラス成形
(リン酸系ガラス)を行った所、3000ショット成形
後も良好な成形品が得られ、また、転写面の劣化も観察
されなかった。
When this mold was subjected to glass molding (phosphate glass) using a continuous molding machine, a good molded product was obtained even after 3000 shot molding, and no deterioration of the transfer surface was observed.

【0082】本実施形態の母材上に形成された金属を主
成分とする切削加工層を有する光学素子成形用型の製造
方法において、ガスデポジション法を用いることによ
り、任意の場所に金属を主成分とする切削性の優れた切
削加工層を形成することができた。このため、工程数の
減少、低コスト化、省資源化に大きく寄与した。また、
特に、ノズル形状とノズル−型母材間の距離等の条件に
より成膜範囲を限定することができるため、型母材の所
望の面のみ切削加工層を形成し、側面への回り込みを防
止することが可能になった。
In the method of manufacturing an optical element molding die having a cutting layer mainly composed of a metal formed on a base material according to the present embodiment, the metal is deposited at an arbitrary place by using a gas deposition method. A cutting layer having excellent machinability as a main component could be formed. This greatly contributed to the reduction in the number of processes, cost reduction, and resource saving. Also,
In particular, since the film formation range can be limited by conditions such as the nozzle shape and the distance between the nozzle and the mold base material, a cut layer is formed only on a desired surface of the mold base material, and the wraparound to the side surface is prevented. It became possible.

【0083】また、所望の形状と近似形状に加工した成
形型母材との形状不足分を予め測定しておき、ガスデポ
ジション法で形状不足分のみ成膜することにより、今ま
でにない切削加工を用いない光学素子成形用金型の製造
が可能になった。
In addition, the lack of the shape of the molding die base material processed into the desired shape and the approximate shape is measured in advance, and only the lack of the shape is formed by the gas deposition method, so that the cutting which has not been achieved before can be achieved. It has become possible to manufacture optical element molding dies without processing.

【0084】[0084]

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、従
来の研削加工では実現できなかった自由曲面の形状を持
った光学素子を、成形条件やガラスの硝種に拘わらず、
繰り返しプレス成形を行っても、精密に形状を転写でき
る型を効率的に製造する方法が提供される。
As described above, according to the present invention, an optical element having a free-form surface, which cannot be realized by conventional grinding, can be formed irrespective of molding conditions and glass type.
Provided is a method for efficiently manufacturing a mold capable of transferring a shape precisely even when press molding is repeatedly performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係わる光学素子成形用型
の模式的断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of an optical element molding die according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態の変形例の光学素子成形用
型の模式的断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view of an optical element molding die according to a modification of the embodiment of the present invention.

【図3】一実施形態のガスデポジション成膜装置の模式
図である。
FIG. 3 is a schematic view of a gas deposition film forming apparatus according to one embodiment.

【図4】実施例3の膜形成室のノズル付近の模式的断面
図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the vicinity of a nozzle in a film forming chamber according to a third embodiment.

【図5】ターゲット材質の種類とその結果を示す図であ
る。
FIG. 5 is a diagram showing types of target materials and their results.

【図6】ターゲット材質の種類とその結果を示す図であ
る。
FIG. 6 is a diagram showing types of target materials and their results.

【図7】中間層材質の種類とその結果を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing types of intermediate layer materials and their results.

【図8】表面層材質の種類とその結果を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing types of surface layer materials and their results.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,21,39,49 成形型母材 12,22 切削加工層 13,24 表面層 23 中間層 31 超微粒子生成室 32 プラズマアーク用電源 33 プラズマトーチ 34 水冷銅ハース 35 超微粒子ガス入口 36 搬送管 37 膜形成室 38,48A,48B ノズル 11, 21, 39, 49 Mold base material 12, 22 Cutting layer 13, 24 Surface layer 23 Intermediate layer 31 Ultrafine particle generation chamber 32 Power supply for plasma arc 33 Plasma torch 34 Water-cooled copper hearth 35 Ultrafine particle gas inlet 36 Transport pipe 37 Film formation chamber 38, 48A, 48B Nozzle

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02B 3/02 G02B 3/02 // B29L 11:00 B29L 11:00 (72)発明者 宮崎 直 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 4F202 AJ02 AJ09 AJ11 CA30 CB01 CD18 CD22 CD30 CK11 4G015 HA01 4K029 AA04 BA22 BA24 BA25 BA26 BA34 BB02 BD05 CA03 CA05 GA03 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G02B 3/02 G02B 3/02 // B29L 11:00 B29L 11:00 (72) Inventor Nao Miyazaki Tokyo 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku Canon Inc. F-term (reference) 4F202 AJ02 AJ09 AJ11 CA30 CB01 CD18 CD22 CD30 CK11 4G015 HA01 4K029 AA04 BA22 BA24 BA25 BA26 BA34 BB02 BD05 CA03 CA05 GA03

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 母材の一部に光学素子を成形するための
転写面を有する光学素子成形用型であって、 前記母材上に、金属を主成分とする切削加工層をガスデ
ポジション法で成膜したことを特徴とする光学素子成形
用型。
An optical element molding die having a transfer surface for molding an optical element on a part of a base material, wherein a cutting layer mainly composed of metal is gas-deposited on the base material. A mold for forming an optical element, characterized by being formed by a method.
【請求項2】 前記母材がタングステンカーバイト(W
C)を主成分とする超硬合金からなり、前記切削加工層
が、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、鉄(Fe)
の中から選ばれる1種類とリン(P)の合金と、銅(C
u)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、クロム(C
r)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モリブ
デン(Mo)、ハフニウム(Hf)、タンタル(T
a)、タングステン(W)から選ばれる1種類との3元
合金からなることを特徴とする請求項1に記載の光学素
子成形用型。
2. The method according to claim 1, wherein the base material is tungsten carbide (W).
C) as a main component, and the cutting layer is made of nickel (Ni), cobalt (Co), iron (Fe).
Alloy of phosphorus (P) and copper (C)
u), silicon (Si), titanium (Ti), chromium (C
r), zirconium (Zr), niobium (Nb), molybdenum (Mo), hafnium (Hf), tantalum (T
2. The optical element molding die according to claim 1, comprising a ternary alloy of a) and one type selected from tungsten (W).
【請求項3】 前記母材上に、スパッタ法で金属を主成
分とする下地層を成膜したのち、金属を主成分とする前
記切削加工層をガスデポジション法で成膜したことを特
徴とする請求項1に記載の光学素子成形用型。
3. The method according to claim 1, wherein a base layer mainly composed of a metal is formed on the base material by a sputtering method, and then the cut layer mainly composed of a metal is formed by a gas deposition method. The mold for molding an optical element according to claim 1.
【請求項4】 前記母材がタングステンカーバイト(W
C)を主成分とする超硬合金からなり、前記下地層及び
前記切削加工層が、ニッケル(Ni)、コバルト(C
o)、鉄(Fe)の中から選ばれる1種類とリン(P)
の合金と、銅(Cu)、シリコン(Si)、チタン(T
i)、クロム(Cr)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ
(Nb)、モリブデン(Mo)、ハフニウム(Hf)、
タンタル(Ta)、タングステン(W)から選ばれる1
種類との3元合金からなることを特徴とする請求項3に
記載の光学素子成形用型。
4. The method according to claim 1, wherein the base material is tungsten carbide (W).
C) as a main component, and the underlayer and the cutting layer are made of nickel (Ni), cobalt (C
o), one type selected from iron (Fe) and phosphorus (P)
Alloy with copper (Cu), silicon (Si), titanium (T
i), chromium (Cr), zirconium (Zr), niobium (Nb), molybdenum (Mo), hafnium (Hf),
1 selected from tantalum (Ta) and tungsten (W)
4. The mold for molding an optical element according to claim 3, wherein the mold comprises a ternary alloy.
【請求項5】 前記転写面が自由曲面であることを特徴
とする請求項1に記載の光学素子成形用型。
5. The optical element molding die according to claim 1, wherein the transfer surface is a free-form surface.
【請求項6】 前記切削加工層の膜厚が50μm以上で
あることを特徴とする請求項1に記載の光学素子成形用
型。
6. The optical element molding die according to claim 1, wherein the thickness of the cut layer is 50 μm or more.
【請求項7】 母材の一部に光学素子を成形するための
転写面を有する光学素子成形用型を製造する方法であっ
て、 前記母材上に、金属を主成分とする切削加工層をガスデ
ポジション法で成膜することを特徴とする光学素子成形
用型の製造方法。
7. A method for producing an optical element molding die having a transfer surface for molding an optical element on a part of a base material, comprising: a cutting layer mainly composed of metal on the base material. Is formed by a gas deposition method.
【請求項8】 前記母材上に、スパッタ法で金属を主成
分とする下地層を成膜したのち、金属を主成分とする前
記切削加工層をガスデポジション法で成膜することを特
徴とする請求項7に記載の光学素子成形用型の製造方
法。
8. A method according to claim 8, wherein a base layer mainly composed of a metal is formed on the base material by a sputtering method, and then the cutting layer mainly composed of a metal is formed by a gas deposition method. The method for manufacturing an optical element molding die according to claim 7.
【請求項9】 ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、
鉄(Fe)の中から選ばれる1種類とリン(P)の合金
の超微粒子の生成室と、ニオブ(Nb)、モリブデン
(Mo)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)タン
グステン(W)から選ばれる1種類の超微粒子の生成室
を別々に用いてガスデポジション法により前記切削加工
層を形成することを特徴とする請求項7に記載の光学素
子成形用型の製造方法。
9. Nickel (Ni), cobalt (Co),
A chamber for generating ultrafine particles of an alloy of one selected from iron (Fe) and phosphorus (P), and niobium (Nb), molybdenum (Mo), hafnium (Hf), tantalum (Ta) and tungsten (W) The method for manufacturing an optical element molding die according to claim 7, wherein the cut layer is formed by a gas deposition method using a selected one type of ultrafine particle generation chamber separately.
【請求項10】 母材の一部に光学素子を成形するため
の転写面を有する光学素子成形用型を製造する方法であ
って、 前記母材上に、金属を主成分とする切削加工層をガスデ
ポジション法で成膜した後、前記切削加工層を所望の形
状に切削加工及び均等研磨した後に、該加工層上に、硬
質炭素膜の場合はイオンビーム蒸着、貴金属系合金薄膜
の場合はスパッタで表面層を形成することを特徴とする
光学素子成形用型の製造方法。
10. A method for producing an optical element molding die having a transfer surface for molding an optical element on a part of a base material, comprising: a cutting layer mainly composed of metal on the base material. After the film is formed by a gas deposition method, after the cutting layer is cut into a desired shape and uniformly polished, on the processing layer, in the case of a hard carbon film, ion beam evaporation, in the case of a noble metal alloy thin film, Is a method for producing an optical element molding die, wherein a surface layer is formed by sputtering.
【請求項11】 前記母材と前記切削加工層の間に、ス
パッタ法で金属を主成分とする下地層を形成することを
特徴とする請求項10に記載の光学素子成形用型の製造
方法。
11. The method for manufacturing an optical element molding die according to claim 10, wherein an underlayer mainly composed of a metal is formed between the base material and the cut layer by sputtering. .
【請求項12】 前記切削加工層と前記表面層の間に、
金属の炭化物、又は窒化物、又は炭窒化物からなる中間
層を形成したことを特徴とする請求項10に記載の光学
素子成形用型の製造方法。
12. Between the cutting layer and the surface layer,
The method for manufacturing an optical element molding die according to claim 10, wherein an intermediate layer made of a metal carbide, nitride, or carbonitride is formed.
【請求項13】 母材の一部に光学素子を成形するため
の転写面を有する光学素子成形用型を製造する方法であ
って、 前記母材を所望する形状のマイナス公差に近似した形状
に加工する工程と、 前記母材の近似形状と所望する形状の差分に応じて、ガ
スデポジション法で金属を主成分とする形状形成層を高
精度に成膜する工程と、 該形状形成層を均等研磨する工程と、 該形状形成層上に、硬質炭素膜の場合はイオンビーム蒸
着、貴金属系合金薄膜の場合はスパッタで表面層を形成
する工程と、 を具備することを特徴とする光学素子成形用型の製造方
法。
13. A method of manufacturing an optical element molding die having a transfer surface for molding an optical element on a part of a base material, wherein the base material has a shape approximate to a minus tolerance of a desired shape. Processing, and, depending on the difference between the approximate shape and the desired shape of the base material, a step of forming a shape-forming layer containing a metal as a main component with high precision by a gas deposition method, An optical element, comprising: a step of performing uniform polishing; and a step of forming a surface layer on the shape forming layer by ion beam evaporation for a hard carbon film or sputtering for a noble metal based alloy thin film. A method for manufacturing a molding die.
【請求項14】 前記母材と前記形状形成層の間に、ス
パッタ法で金属を主成分とする下地層を形成する工程を
更に具備することを特徴とする請求項13に記載の光学
素子成形用型の製造方法。
14. The optical element molding according to claim 13, further comprising a step of forming a base layer mainly composed of a metal between the base material and the shape forming layer by a sputtering method. Manufacturing method of mold.
【請求項15】 前記母材がタングステンカーバイト
(WC)を主成分とする超硬合金からなり、前記下地層
及び前記形状形成層が、ニッケル(Ni)、コバルト
(Co)、鉄(Fe)の中から選ばれる1種類とリン
(P)の合金と、銅(Cu)、シリコン(Si)、チタ
ン(Ti)、クロム(Cr)、ジルコニウム(Zr)、
ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、ハフニウム(H
f)、タンタル(Ta)、タングステン(W)から選ば
れる1種類との3元合金からなることを特徴とする請求
項14に記載の光学素子成形用型の製造方法。
15. The base material is made of a cemented carbide mainly containing tungsten carbide (WC), and the underlayer and the shape forming layer are made of nickel (Ni), cobalt (Co), iron (Fe). An alloy of one selected from the group consisting of phosphorus (P), copper (Cu), silicon (Si), titanium (Ti), chromium (Cr), zirconium (Zr),
Niobium (Nb), molybdenum (Mo), hafnium (H
The method of manufacturing an optical element molding die according to claim 14, comprising a ternary alloy of one type selected from f), tantalum (Ta), and tungsten (W).
【請求項16】 前記形状形成層と前記表面層の間に、
金属の炭化物、又は窒化物、又は炭窒化物からなる中間
層を形成する工程を更に具備することを特徴とする請求
項13に記載の光学素子成形用型の製造方法。
16. The method according to claim 16, further comprising the step of:
14. The method for manufacturing an optical element molding die according to claim 13, further comprising a step of forming an intermediate layer made of a metal carbide, nitride, or carbonitride.
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