JP2002223123A - Piezoelectric oscillator - Google Patents

Piezoelectric oscillator

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JP2002223123A
JP2002223123A JP2001002703A JP2001002703A JP2002223123A JP 2002223123 A JP2002223123 A JP 2002223123A JP 2001002703 A JP2001002703 A JP 2001002703A JP 2001002703 A JP2001002703 A JP 2001002703A JP 2002223123 A JP2002223123 A JP 2002223123A
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JP
Japan
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fet
source
series circuit
resistor
gate
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JP2001002703A
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Tomio Sato
富雄 佐藤
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Toyo Communication Equipment Co Ltd
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Toyo Communication Equipment Co Ltd
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  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric oscillator having excellent power voltage characteristics where a stable oscillation operation function is obtained. SOLUTION: In the Colpitts piezoelectric oscillator provided with an oscillation circuit, which has a piezoelectric vibrator, an amplifier circuit and a varactor diode, a piezoelectric vibrator and a FET, a series circuit consisting of at least two resistors is inserted and connected between a source of the FET and ground, a connection midpoint of the series circuit and the source of the FET are connected via a capacitor and the connection midpoint of the series circuit and the gate of the FET are connected via a resistor. Thus, the drain current can be controlled without being affected by a level change in an oscillation signal and highly accurate drain current control is attained even when a low consumed current is selected.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電発振器に関
し、特に電源電圧変動に対して優れた周波数安定度を有
する圧電発振器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a piezoelectric oscillator, and more particularly, to a piezoelectric oscillator having excellent frequency stability against power supply voltage fluctuation.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、バッテリーを駆動電源とした通信
機器に使用される水晶発振器には電源電圧の変化に対す
る周波数安定度(以下、電源電圧変動特性と称する)が
高いものが用いられている。即ち、水晶発振器の電源電
圧が変動すると発振用トランジスタ等の増幅回路の動作
レベル(水晶振動子に流れる電流や増幅素子に流れる電
流)が変化し、その結果発振周波数が変動する。このよ
うな不具合を解決する為に水晶発振器としては図4に示
すものがあった。即ち、図4は従来の水晶発振器を示す
回路図である。同図に示す水晶発振器100はコルピッ
ツ型水晶発振器であり、水晶振動子101の一端にFE
T102のゲートを接続し、このゲートと接地との間に
容量103、104から成る直列回路と抵抗105との
並列回路を挿入接続すると共に、容量103と容量10
4との接続中点をFET102のソースに接続し、更
に、このソースを抵抗106を介して接地し、更にFE
T102のドレインを抵抗107を介して電源電圧Vcc
ラインに接続すると共に、容量108を介して出力端O
UTに接続し、水晶振動子101の他端を容量109を
介して接地したものである。
2. Description of the Related Art Heretofore, a crystal oscillator used in a communication device using a battery as a driving power source has a high frequency stability (hereinafter referred to as a power source voltage fluctuation characteristic) with respect to a change in power source voltage. That is, when the power supply voltage of the crystal oscillator fluctuates, the operation level of the amplifier circuit such as the oscillation transistor (the current flowing through the crystal oscillator or the current flowing through the amplifier) changes, and as a result, the oscillation frequency fluctuates. In order to solve such a problem, there is a crystal oscillator shown in FIG. That is, FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional crystal oscillator. A crystal oscillator 100 shown in the figure is a Colpitts type crystal oscillator, and an FE
A gate of T102 is connected, and a parallel circuit of a series circuit composed of capacitors 103 and 104 and a resistor 105 is inserted and connected between the gate and the ground.
4 is connected to the source of the FET 102, and this source is grounded via the resistor 106.
The drain of T102 is connected to the power supply voltage Vcc via the resistor 107.
Line and the output terminal O via the capacitor 108.
It is connected to a UT, and the other end of the crystal unit 101 is grounded via a capacitor 109.

【0003】以下に水晶発振器100の動作について説
明する。尚、コルピッツ型発振器の動作については既知
であることからその説明は省略する。一般にFETは図
5に示すFETの伝達特性の通りゲート・ソース間電圧
VGSの値によりドレイン電流IDの値を決定すること
ができ、電圧VGS即ちソース電圧に対するゲート電位
の負電位が大きくなるとドレイン電流IDの値が小さく
なる特性を有する。
The operation of the crystal oscillator 100 will be described below. Since the operation of the Colpitts oscillator is known, its description is omitted. Generally, in the FET, the value of the drain current ID can be determined by the value of the gate-source voltage VGS according to the transfer characteristic of the FET shown in FIG. 5, and when the voltage VGS, that is, the negative potential of the gate potential with respect to the source voltage increases, the drain current ID increases. It has the characteristic that the value of ID becomes small.

【0004】水晶発振器100は、電源電圧Vccが上昇
し、ドレイン電流IDが増加すると、これに伴い抵抗1
06の両端間電圧であるソース・接地間の電圧の値が上
昇するが、その結果ゲート・ソース間電圧VGSの値即
ち、ソース電圧に対するゲート電位の負電位が大きくな
り、これにより上述したFETの伝達特性よりドレイン
電流IDを減少させるように働く。つまり、FETのゲ
ートは抵抗105により接地されているのでゼロ電位で
あるからソース電位が高くなる程、ソースに対するゲー
ト電位は負の方に大きくなる。従って、図5の横軸を左
方向に移動するからドレイン電流IDは小さくなる。一
方、電源電圧Vccが低下した場合の動作については上記
の動作と逆であるのでその説明を省略する。
When the power supply voltage Vcc rises and the drain current ID increases, the crystal oscillator 100
06, the value of the voltage between the source and the ground, which is the voltage between both ends, rises. As a result, the value of the voltage VGS between the gate and the source, that is, the negative potential of the gate potential with respect to the source voltage becomes large. It works to reduce the drain current ID from the transfer characteristic. That is, since the gate of the FET is grounded by the resistor 105 and thus has zero potential, the higher the source potential, the higher the gate potential with respect to the source in the negative direction. Therefore, since the horizontal axis in FIG. 5 is moved to the left, the drain current ID becomes smaller. On the other hand, the operation in the case where the power supply voltage Vcc is reduced is the reverse of the above operation, and the description thereof is omitted.

【0005】そして、以上の負帰還動作により電源電圧
Vccが変動した場合であってもドレイン電流IDが一定
に保たれるので水晶発振器100の動作状態を安定に保
ち、発振周波数の変動を圧縮する効果がある。
The power supply voltage is obtained by the above-described negative feedback operation.
Even when Vcc fluctuates, the drain current ID is kept constant, so that the operating state of the crystal oscillator 100 is kept stable, and there is an effect that the fluctuation of the oscillation frequency is compressed.

【0006】[0006]

【本発明が解決しようとする課題】しかしながら、ドレ
イン電流IDがバイアス回路の設定に基づき決定された
直流電流に交流電流である発振信号が畳重したものであ
るから直流電流のみならず高周波信号である発振信号に
対しても負帰還機能が作用することとになるので増幅器
としての利得が低下する。
However, since the drain current ID is obtained by superimposing the oscillating signal, which is an AC current, on the DC current determined based on the setting of the bias circuit, not only the DC current but also the high-frequency signal is used. Since a negative feedback function acts on a certain oscillation signal, the gain of the amplifier is reduced.

【0007】即ち、この発振信号によるドレイン電流の
IDの変化よってもFET102のゲート・ソース間電
圧VGSが変動してしまい、発振信号の振幅変動に対し
てこれを抑圧するようドレイン電流が制御されてしまう
ので規定の発振信号レベルが出力されない等、所要の発
振動作が得られないという問題が発生する場合があっ
た。
That is, the gate-source voltage VGS of the FET 102 fluctuates according to the change in the ID of the drain current due to the oscillation signal, and the drain current is controlled so as to suppress the amplitude fluctuation of the oscillation signal. Therefore, there has been a problem that a required oscillation operation cannot be obtained, for example, a specified oscillation signal level is not output.

【0008】本発明は圧電発振器の上記諸問題を解決す
る為になされたものであってFETを用いた発振回路に
於いて電源電圧変動に対する発振周波数変動の抑圧効果
を保ちつつ、高周波信号に対する増幅利得の低下を防止
することによって安定な発振動作が得られる圧電発振器
を提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems of a piezoelectric oscillator. In an oscillation circuit using an FET, amplification of a high frequency signal is suppressed while maintaining an effect of suppressing an oscillation frequency fluctuation against a power supply voltage fluctuation. An object of the present invention is to provide a piezoelectric oscillator capable of obtaining a stable oscillation operation by preventing a decrease in gain.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する為に
本発明に係わる請求項1記載の発明は、圧電振動子とF
ETとを備えたコルピッツ型圧電発振器に於いて、前記
FETに前記圧電振動子を接続すると共に、前記FET
のソース・接地間に少なくとも2つの抵抗から成る直列
回路を挿入接続し、該直列回路の接続中点と前記FET
のソースとを容量を介して接続し、前記直列回路の接続
中点と前記FETのゲートとを抵抗を介して接続したこ
とを特徴とする。請求項2記載の発明は請求項1記載の
発明に加え、容量を介して一方端が接地された圧電振動
子の他方端とFETのゲートとを接続し、前記ゲートと
接地との間に2つの容量から成る容量直列回路を挿入接
続し、該容量直列回路の接続中点と前記FETのソース
とを接続し、該ソースと接地との間に2つの抵抗から成
るに抵抗直列回路を挿入接続し、該抵抗直列回路の接続
中点と前記ソースとを容量を介して接続すると共に、前
記抵抗直列回路の接続中点と前記ゲートとを交流阻止用
抵抗を介して接続し、前記FETのドレインと電源電圧
Vccラインとを抵抗を介して接続するよう構成したこと
を特徴とする。
Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 according to the present invention comprises a piezoelectric vibrator and a piezoelectric vibrator.
In the Colpitts type piezoelectric oscillator having the ET, the piezoelectric vibrator is connected to the FET, and the FET is connected to the FET.
A series circuit composed of at least two resistors is inserted and connected between the source and the ground, and a connection point of the series circuit is connected to the FET.
Are connected via a capacitor, and the connection midpoint of the series circuit and the gate of the FET are connected via a resistor. According to a second aspect of the present invention, in addition to the first aspect, the other end of the piezoelectric vibrator, one end of which is grounded via a capacitor, is connected to the gate of the FET, and the other end is connected between the gate and the ground. A capacitor series circuit composed of two capacitors is inserted and connected, a connection midpoint of the capacitor series circuit is connected to the source of the FET, and a resistor series circuit composed of two resistors is inserted between the source and ground. A connection midpoint of the resistance series circuit and the source are connected via a capacitor, and a connection midpoint of the resistance series circuit and the gate are connected via an AC blocking resistor, and a drain of the FET is connected. And power supply voltage
The Vcc line is connected via a resistor.

【0010】[0010]

【本発明の実施の形態】以下、図示した実施例に基づい
て本発明を詳細に説明する。図1は本発明に基づく水晶
発振器の一実施例を示した回路図である。同図に示す水
晶発振器1は、水晶振動子2の一端をFET3のゲート
に接続すると共に、水晶振動子2の他端を容量4を介し
て接地し、更に、FET3のゲートと接地との間に負荷
容量の一部を担う容量5と容量6とから成る直列回路を
挿入接続し、この直列回路の接続中点とFET3のソー
スとを接続すると共に、ソースと接地との間に抵抗7と
抵抗8とから成る直列回路を挿入接続する。更に、この
直列回路の接続中点とFET3のゲートとを抵抗9を介
し接続し、更に、抵抗7とバイパス容量10とを並列接
続し、電源電圧VccラインとFET3のドレインとを抵
抗11を介して接続すると共に、ドレインと出力端OU
Tとを容量12を介して接続したものであるが、この実
施例に示す回路はソースと接地間に挿入するソース抵抗
を二つの抵抗7、8に分割した直列回路とすると共に、
ソース側の抵抗7にバイパス容量10を負荷した点が特
徴である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail based on illustrated embodiments. FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a crystal oscillator according to the present invention. In the crystal oscillator 1 shown in FIG. 1, one end of a crystal oscillator 2 is connected to the gate of an FET 3, the other end of the crystal oscillator 2 is grounded via a capacitor 4, and furthermore, a connection between the gate of the FET 3 and the ground is provided. , A series circuit composed of a capacitance 5 and a capacitance 6 which bear a part of a load capacitance is inserted and connected, a connection point of the series circuit is connected to a source of the FET 3, and a resistor 7 is connected between the source and the ground. A series circuit including the resistor 8 is inserted and connected. Further, the connection point of the series circuit and the gate of the FET 3 are connected via a resistor 9, the resistor 7 and a bypass capacitor 10 are connected in parallel, and the power supply voltage Vcc line and the drain of the FET 3 are connected via a resistor 11. And the drain and output terminal OU
The circuit shown in this embodiment is a series circuit in which a source resistor inserted between a source and ground is divided into two resistors 7 and 8,
The feature is that a bypass capacitance 10 is loaded on the source-side resistor 7.

【0011】以下に水晶発振器1の動作について説明す
る。尚、コルピッツ型水晶発振器の動作については既知
であるので説明を省略する。上記図1の回路に於いて、
電源電圧Vccが基準値より上昇した場合、これに伴うド
レイン電流IDの増加分に基づき抵抗7の端子間電圧が
増加するのでこれと共にFET3のゲート・ソース間電
圧が増加し、ソースに対するゲート負電位が大きくなっ
て図5に示すFETの伝達特性に基づきドレイン電流I
Dの増加を抑圧するよう働く。
The operation of the crystal oscillator 1 will be described below. Since the operation of the Colpitts type crystal oscillator is known, the description is omitted. In the circuit of FIG.
When the power supply voltage Vcc rises above the reference value, the voltage between the terminals of the resistor 7 increases on the basis of the increase in the drain current ID accompanying this, so that the gate-source voltage of the FET 3 increases and the gate negative potential with respect to the source. Becomes larger, and the drain current I is increased based on the transfer characteristics of the FET shown in FIG.
It works to suppress the increase in D.

【0012】また、電源電圧Vccが基準値より低下した
場合については、逆にゲートとソース間の負電位が小さ
くなりドレイン電流IDの低下を抑圧するよう働く。そ
の動作については上述した電源電圧Vccが基準値より上
昇した場合の逆の動作であるの説明を省略する。一方、
発振信号の振幅変化に基づくドレイン電流IDの変化に
対しては、交流信号である発振信号がバイパス容量10
を介して抵抗8に供給されるので抵抗7の端子間電圧が
その影響を受けることなく一定値を保つと共に、これに
伴いゲート・ソース間電圧VGSも発振信号の振幅変化
の影響を受けない。発振信号に対しては抵抗8が負荷と
なって、コンデンサ9とコンデンサ5とを介して発振ル
ープを形成することになるので発振の為の増幅度は確保
できる。
On the other hand, when the power supply voltage Vcc is lower than the reference value, the negative potential between the gate and the source is reduced and the drain current ID is suppressed. The description of the operation, which is the reverse operation when the power supply voltage Vcc rises above the reference value, will be omitted. on the other hand,
In response to the change in the drain current ID based on the change in the amplitude of the oscillation signal, the oscillation signal that is an AC signal
, The voltage between the terminals of the resistor 7 is kept at a constant value without being affected by the voltage, and the gate-source voltage VGS is not affected by the amplitude change of the oscillation signal. With respect to the oscillation signal, the resistor 8 acts as a load to form an oscillation loop via the capacitor 9 and the capacitor 5, so that the amplification degree for oscillation can be secured.

【0013】従って、ゲート・ソース間電圧VGSによ
るドレイン電流の制御は電源電圧Vccの変動等による直
流電圧の変化に対するものに限定したものとなる。ま
た、水晶発振器1を低消費電流タイプとした場合、ソー
ス抵抗を抵抗7と抵抗8とに分離したことによりゲート
・ソース間電圧VGSの設定値を決定する為の抵抗7と
して低抵抗値なものを使用することが可能となり、これ
によりゲート・ソース間電圧VGSの値をドレイン電流
IDの変化率が大きい高電圧領域に設定することができ
る等、設計の自由度も確保できる。更に、本発明に基づ
く他の実施例としては図2に示すような構成の水晶発振
器であっても構わない。即ち、同図に示す水晶発振器1
の特徴は、容量5と容量6との接続中点に抵抗7と抵抗
8との接続中点を接続するよう構成したところにある。
このような構成であっても上述したような機能が得られ
る。また、交流的な帰還機能を多少必要とする場合は図
3に示すような構成の水晶発振器とすれば良い。即ち、
図3は本発明に基づく他の実施例の水晶発振器の回路図
を示すものである。同図に示す水晶発振器1の特徴は抵
抗9を接地するよう構成した所にある。このような構成
は、抵抗8の値によりフィードバックされる交流信号レ
ベルを必要とする帰還機能に応じて設定することができ
るので従来の場合と比較して過剰な帰還機能が発生する
ことがない。
Therefore, the control of the drain current by the gate-source voltage VGS is limited to the control of the DC voltage change due to the fluctuation of the power supply voltage Vcc or the like. When the crystal oscillator 1 is of a low current consumption type, the source resistor is separated into a resistor 7 and a resistor 8 so that the resistor 7 for determining the set value of the gate-source voltage VGS has a low resistance value. Can be used, whereby the value of the gate-source voltage VGS can be set in a high voltage region where the rate of change of the drain current ID is large, and the degree of freedom in design can be ensured. Further, as another embodiment based on the present invention, a crystal oscillator having a configuration as shown in FIG. 2 may be used. That is, the crystal oscillator 1 shown in FIG.
Is characterized in that a connection midpoint between the resistors 7 and 8 is connected to a connection midpoint between the capacitors 5 and 6.
Even with such a configuration, the functions described above can be obtained. When an AC feedback function is required, a crystal oscillator having a configuration as shown in FIG. 3 may be used. That is,
FIG. 3 is a circuit diagram of a crystal oscillator according to another embodiment of the present invention. The feature of the crystal oscillator 1 shown in the figure is that the resistor 9 is configured to be grounded. In such a configuration, the level of the AC signal fed back by the value of the resistor 8 can be set according to the required feedback function, so that an excessive feedback function does not occur as compared with the conventional case.

【0014】更に、以上水晶振動子を用いて本発明を説
明したが本発明はこれに限定されるものではなく、水晶
以外の圧電振動子を用いた発振器にも適用することが可
能である。
Further, although the present invention has been described using a quartz oscillator, the present invention is not limited to this, and can be applied to an oscillator using a piezoelectric oscillator other than quartz.

【0015】[0015]

【発明の効果】以上説明したように請求項1記載の発明
は、圧電振動子とFETとを備えたコルピッツ型圧電発
振器に於いて、前記FETのソース・接地間に少なくと
も2つの抵抗から成る直列回路を挿入接続し、該直列回
路の接続中点と前記FETのソースとを容量を介して接
続し、前記直列回路の接続中点と前記FETのゲートと
を抵抗を介して接続したことを特徴としたものであるか
ら、発振信号のレベル変化の影響を受けることなくドレ
イン電流を制御することが可能であると共に、低消費電
流設定であっても高精度なドレイン電流制御を行うこと
が可能である。
As described above, according to the first aspect of the present invention, there is provided a Colpitts type piezoelectric oscillator including a piezoelectric vibrator and an FET, wherein at least two resistors are connected between a source and a ground of the FET. A circuit is inserted and connected, a connection point of the series circuit is connected to a source of the FET via a capacitor, and a connection point of the series circuit is connected to a gate of the FET via a resistor. Therefore, the drain current can be controlled without being affected by the level change of the oscillation signal, and the drain current can be controlled with high accuracy even at a low current consumption setting. is there.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に基づく水晶発振器の一実施例の回路図
を示すものである。
FIG. 1 shows a circuit diagram of an embodiment of a crystal oscillator according to the present invention.

【図2】本発明に基づく水晶発振器の他の実施例の回路
図を示すものである。
FIG. 2 shows a circuit diagram of another embodiment of the crystal oscillator according to the present invention.

【図3】本発明に基づく水晶発振器の他の実施例の回路
図を示すものである。
FIG. 3 shows a circuit diagram of another embodiment of the crystal oscillator according to the present invention.

【図4】従来の水晶発振器の回路図を示すものである。FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional crystal oscillator.

【図5】FETの伝達特性を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a transfer characteristic of an FET.

【符号の説明】 1、100水晶発振器、2、101水晶振動子、3、1
02FET、4、5、6、10、12、103、10
4、108、109容量、7、8、9、11、105、
106、107抵抗
[Description of Signs] 1, 100 crystal oscillator, 2, 101 crystal oscillator, 3, 1
02FET, 4, 5, 6, 10, 12, 103, 10
4, 108, 109 capacity, 7, 8, 9, 11, 105,
106, 107 resistance

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】圧電振動子とFETとを備えたコルピッツ
型圧電発振器に於いて、前記FETに前記圧電振動子を
接続すると共に、前記FETのソース・接地間に少なく
とも2つの抵抗から成る直列回路を挿入接続し、該直列
回路の接続中点と前記FETのソースとを容量を介して
接続し、前記直列回路の接続中点と前記FETのゲート
とを抵抗を介して接続したことを特徴とする圧電発振
器。
1. A Colpitts-type piezoelectric oscillator comprising a piezoelectric vibrator and an FET, wherein the piezoelectric vibrator is connected to the FET and a series circuit comprising at least two resistors between a source and a ground of the FET. The connection midpoint of the series circuit and the source of the FET are connected via a capacitor, and the connection midpoint of the series circuit and the gate of the FET are connected via a resistor. Piezo oscillator.
【請求項2】容量を介して一方端が接地された圧電振動
子の他方端とFETのゲートとを接続し、前記ゲートと
接地との間に2つの容量から成る容量直列回路を挿入接
続し、該容量直列回路の接続中点と前記FETのソース
とを接続し、該ソースと接地との間に2つの抵抗から成
るに抵抗直列回路を挿入接続し、該抵抗直列回路の接続
中点と前記ソースとを容量を介して接続すると共に、前
記抵抗直列回路の接続中点と前記ゲートとを交流阻止用
抵抗を介して接続し、前記FETのドレインと電源電圧
Vccラインとを抵抗を介して接続するよう構成したこと
を特徴とする請求項1記載の圧電発振器。
2. The other end of a piezoelectric vibrator, one end of which is grounded via a capacitor, is connected to the gate of an FET, and a capacitor series circuit composed of two capacitors is inserted and connected between the gate and the ground. Connecting the connection midpoint of the capacitance series circuit to the source of the FET, inserting and connecting a resistance series circuit composed of two resistors between the source and the ground, The source is connected via a capacitor, the connection midpoint of the resistor series circuit and the gate are connected via an AC blocking resistor, and the drain of the FET is connected to a power supply voltage.
2. The piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein the piezoelectric oscillator is connected to a Vcc line via a resistor.
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