JP2002212129A5

JP2002212129A5 -

Info

Publication number: JP2002212129A5
Application number: JP2001004625A
Authority: JP
Filing date: 2001-01-12
Publication date: 2006-04-20

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】次の式（１）に示される金属キレート錯体。
【化１】

但し、ＭはＰｂ²⁺、Ｚｒ⁴⁺、Ｌａ³⁺、Ｂａ²⁺、Ｓｒ²⁺又はＣａ²⁺で表される金属イオンであり、ｘは金属イオンＭの価数であり、ｄｍｈｄは次の式（２）で表される２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオン残基である。
【化２】

【請求項２】鉛化合物、ジルコニウムブトキシド、ランタン化合物、バリウム、ストロンチウム又はカルシウムを有機溶媒に溶解した後、２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオンを加えて、加熱還流することを特徴とする金属キレート錯体の合成方法。
【請求項３】
請求項１記載の金属キレート錯体又は請求項２記載の方法により合成した金属キレート錯体を用いて、有機金属化学蒸着法により誘電体薄膜を作製することを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。
【請求項４】
作製する誘電体薄膜がチタン酸鉛薄膜、チタン酸ジリコン酸鉛薄膜、チタン酸ジリコン酸ランタン鉛薄膜、チタン酸ストロンチウム薄膜、チタン酸バリウム薄膜又はチタン酸バリウムストロンチウム薄膜である請求項３記載の製造方法。 [Claims]
1. A metal chelate complex represented by the following formula (1).
Embedded image

However, M is ^{^{^{Pb 2+, Zr 4+, La 3+}}} , Ba 2+, a metal ion represented by Sr ²⁺ or Ca ^2+, x is the valence of the metal ion M, dmhd the following 2,6-dimethyl-3,5-heptanedione residue represented by the formula (2).
Embedded image

2. A method comprising dissolving a lead compound, zirconium butoxide, a lanthanum compound, barium, strontium or calcium in an organic solvent, adding 2,6-dimethyl-3,5-heptanedione and heating under reflux. Of synthesizing a metal chelate complex.
(3)
A method for producing a dielectric thin film, comprising using the metal chelate complex according to claim 1 or the metal chelate complex synthesized according to the method according to claim 2 to form a dielectric thin film by an organometallic chemical vapor deposition method.
(4)
The method according to claim 3, wherein the dielectric thin film to be produced is a lead titanate thin film, a lead zirconate titanate thin film, a lanthanum lead titanate titanate thin film, a strontium titanate thin film, a barium titanate thin film or a barium strontium titanate thin film. .

請求項２に係る発明は、鉛化合物、ジルコニウムブトキシド、ランタン化合物、バリウム、ストロンチウム又はカルシウムを有機溶媒に溶解した後、２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオンを加えて、加熱還流することを特徴とする金属キレート錯体の合成方法である。
請求項３に係る発明は、請求項１記載の金属キレート錯体又は請求項２記載の方法により合成した金属キレート錯体を用いて、有機金属化学蒸着法により誘電体薄膜を作製することを特徴とする誘電体薄膜の製造方法である。
請求項４に係る発明は、請求項３に係る発明であって、作製する誘電体薄膜がＰＴ薄膜、ＰＺＴ薄膜、ＰＬＺＴ薄膜、ＳＴ薄膜、ＢＴ薄膜又はＢＳＴ薄膜である製造方法である。
The invention according to claim 2 is that, after dissolving a lead compound, zirconium butoxide, a lanthanum compound, barium, strontium or calcium in an organic solvent, 2,6-dimethyl-3,5-heptanedione is added, and the mixture is heated to reflux. A method for synthesizing a metal chelate complex.
The invention according to claim 3 is characterized in that a dielectric thin film is produced by a metal organic chemical vapor deposition method using the metal chelate complex according to claim 1 or the metal chelate complex synthesized by the method according to claim 2. This is a method for manufacturing a dielectric thin film.
The invention according to claim 4 is the manufacturing method according to claim 3, wherein the dielectric thin film to be manufactured is a PT thin film, a PZT thin film, a PLZT thin film, an ST thin film, a BT thin film or a BST thin film.

Claims

A metal chelate complex represented by the following formula (1).

However, M is ^{^{^{Pb 2+, Zr 4+, La 3+}}} , Ba 2+, a metal ion represented by Sr ²⁺ or Ca ^2+, x is the valence of the metal ion M, dmhd the following 2,6-dimethyl-3,5-heptanedione residue represented by the formula (2).

Dissolving a lead compound, zirconium butoxide, a lanthanum compound, barium, strontium or calcium in an organic solvent, adding 2,6-dimethyl-3,5-heptanedione, and heating and refluxing the metal chelate complex. Synthesis method.

A method for producing a dielectric thin film, comprising using the metal chelate complex according to claim 1 or the metal chelate complex synthesized according to the method according to claim 2 to form a dielectric thin film by an organometallic chemical vapor deposition method.