JP2002210961A - Fluid ejector and its manufacturing method - Google Patents

Fluid ejector and its manufacturing method

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JP2002210961A
JP2002210961A JP2001004665A JP2001004665A JP2002210961A JP 2002210961 A JP2002210961 A JP 2002210961A JP 2001004665 A JP2001004665 A JP 2001004665A JP 2001004665 A JP2001004665 A JP 2001004665A JP 2002210961 A JP2002210961 A JP 2002210961A
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hole groove
groove
supply hole
injection hole
silicon substrate
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賢一 松本
Masaya Nakatani
将也 中谷
Katsumasa Miki
勝政 三木
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To machine a shape stably when both sides of a silicon substrate is machined by etching. SOLUTION: Width of the ejection hole groove 5 and the supply hole groove 6 in a liquid ejector is set equal to the width of a pressure chamber 4 at their joints.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、流体噴射装置、例
えばインクジェットプリンタのヘッド等に用いられる、
流体、例えばインクを制御性良く噴射するための流体噴
射装置及びその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fluid ejecting apparatus, for example, used for a head of an ink jet printer.
The present invention relates to a fluid ejecting apparatus for ejecting a fluid, for example, ink, with good controllability and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、一般に広く普及しているインク
ジェットプリンタにおいては、流体として用いるインク
の噴射を高速、かつ任意に行うことができるオンデマン
ド方式の流体噴射装置が、機器の性能に大きく関与す
る。流体噴射装置の構造を大別すると流体流路を構成す
る流体供給室、圧力室、噴射口と、流体に圧力を与える
ための加圧手段からなる。オンデマンド方式の実現に
は、制御性の良い加圧手段が必要となるが、従来は流体
に対する加熱によって発生する気泡(バブル)によって
流体を加圧して噴射させる熱制御方式や圧電セラミック
等の機械的変形によって直接流体を加圧して噴射させる
圧電方式などが多く見られる。
2. Description of the Related Art For example, in an ink-jet printer which is widely used, an on-demand type fluid ejecting apparatus which can arbitrarily eject ink used as a fluid at a high speed greatly affects the performance of equipment. . The structure of the fluid ejecting apparatus is roughly divided into a fluid supply chamber, a pressure chamber, and an ejection port which constitute a fluid flow path, and a pressurizing means for applying pressure to the fluid. To realize the on-demand system, a pressurizing means with good controllability is required. Conventionally, however, a thermal control system in which a fluid is pressurized and ejected by bubbles generated by heating the fluid or a machine such as a piezoelectric ceramic is used. There are many piezoelectric systems in which a fluid is directly pressurized and ejected by mechanical deformation.

【0003】図5は従来の流体噴射装置の斜視図であ
る。
FIG. 5 is a perspective view of a conventional fluid ejecting apparatus.

【0004】図に示すように、シリコン基板18に流体
噴射孔部と流体供給孔部となる孔19をドライエッチン
グにて形成した後、これらを外部より封止するために、
予め、サンドブラスト等により流体供給室を形成したガ
ラス基板20と接合し構造体を構成して、その構造体の
シリコン基板18側からドライエッチングにてシリコン
基板18を貫通して圧力室21の形成を行っていた。
[0004] As shown in the figure, a hole 19 serving as a fluid injection hole and a fluid supply hole is formed in a silicon substrate 18 by dry etching.
A pressure chamber 21 is formed by joining the glass substrate 20 in which a fluid supply chamber is formed by sandblasting or the like in advance, and penetrating the silicon substrate 18 by dry etching from the silicon substrate 18 side of the structure. I was going.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術では、構造体のシリコン基板18側から圧力室4を
形成する際、その反対面に先に形成された噴射孔部およ
び供給孔部となる孔19は、その他の部分より先に貫通
するため、噴射孔部および供給孔部となる孔19にサン
ドエッチが入り易く、噴射孔部と圧力室21、また供給
孔部と圧力室21のそれぞれの接続部において同一面に
ならず、流体噴射装置としても、それぞれの接続部にお
いて流体が滞留する空間ができ、加圧体による圧力変化
が効率良く噴射動作に伝わらず、噴射性能が安定しない
という課題があった。
However, according to the conventional technique, when the pressure chamber 4 is formed from the silicon substrate 18 side of the structure, the injection hole and the supply hole previously formed on the opposite surface are formed. Since the hole 19 penetrates ahead of the other portions, it is easy for the sand hole to enter the hole 19 serving as the injection hole and the supply hole, and the injection hole and the pressure chamber 21 and the supply hole and the pressure chamber 21 respectively. The connection part does not have the same surface, and as a fluid ejection device, there is a space where fluid stays at each connection part, the pressure change by the pressurizing body is not efficiently transmitted to the ejection operation, and the ejection performance is not stable. There were challenges.

【0006】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
でシリコン基板の両面にドライエッチングで加工する
際、安定した形状の加工を行うことを目的とするもので
ある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and it is an object of the present invention to perform processing of a stable shape when processing both surfaces of a silicon substrate by dry etching.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、以下の構成を備える。
In order to achieve this object, the present invention comprises the following arrangement.

【0008】本発明の請求項1記載の発明は、噴射孔用
溝および供給孔用溝の幅と、圧力室の幅がこれらの接続
部において同一であるもので、噴射孔用溝および供給孔
用溝の幅と、圧力室の幅を同一にすることで、その接続
部に流体が滞留する空間をなくすことができ、加圧体に
よる圧力変化が流体に効率良く伝わり、噴射孔からの噴
射動作を円滑に行うことができるという作用を有する。
According to the first aspect of the present invention, the width of the injection hole groove and the supply hole groove and the width of the pressure chamber are the same at these connecting portions. By making the width of the groove for use the same as the width of the pressure chamber, it is possible to eliminate the space where the fluid stays at the connection part, the pressure change by the pressurized body is efficiently transmitted to the fluid, and the injection from the injection hole This has the effect that the operation can be performed smoothly.

【0009】請求項2記載の発明は、シリコン基板に形
成された噴射孔用溝および供給孔用溝の深さが異なるも
ので、噴射孔用溝および供給孔用溝の深さを同じ深さに
すると、加圧体による圧力変化が噴射孔側と供給孔側に
均等に伝わってしまい、効率良く流体が噴射されない結
果となり、噴射孔用溝および供給孔用溝の深さを異なる
深さにすることで、このような問題が生じるのを防ぐと
いう作用を有する。
According to a second aspect of the present invention, the depths of the injection hole groove and the supply hole groove formed in the silicon substrate are different, and the depth of the injection hole groove and the supply hole groove are the same. In this case, the pressure change due to the pressurized body is evenly transmitted to the injection hole side and the supply hole side, and as a result, the fluid is not efficiently injected, and the depths of the injection hole groove and the supply hole groove are changed to different depths. This has the effect of preventing such a problem from occurring.

【0010】請求項3記載の発明は、シリコン基板に形
成された噴射孔用溝および供給孔用溝の深さにおいて供
給孔用溝の深さの方が浅いもので、供給孔用溝の深さを
噴射孔用溝の深さより浅くすることで、供給孔用溝が貫
通した時にドライエッチングを止めれば、噴射孔用溝、
圧力室、供給孔用溝が導通されることになり、これ以上
エッチングを行わないので、供給孔用溝が貫通した際に
流れ込む、サイドエッチを誘発させるエッチングガスを
極力抑えることができ、これらの接続部においてサイド
エッチが少ないものとなり、噴射孔用溝および供給孔用
溝の幅と圧力室の幅を容易に同一にすることができると
いう作用を有する。
According to a third aspect of the present invention, the depth of the supply hole groove is smaller than the depth of the injection hole groove and the supply hole groove formed in the silicon substrate. By making the depth shallower than the depth of the injection hole groove, if dry etching is stopped when the supply hole groove penetrates, the injection hole groove,
Since the pressure chamber and the supply hole groove are conducted, and no further etching is performed, an etching gas that flows when the supply hole groove penetrates and induces a side etch can be suppressed as much as possible. There is little side etching at the connection portion, and the width of the injection hole groove and the supply hole groove can be easily made equal to the width of the pressure chamber.

【0011】請求項4記載の発明は、シリコン基板に形
成された噴射孔用溝および供給孔用溝の長さが異なるも
ので、噴射孔用溝および供給孔用溝の長さを同じ長さに
すると、加圧体による圧力変化が噴射孔側と供給孔側に
均等に伝わってしまうという問題が発生するのに対し
て、異なる長さにすることでこのような問題の発生を防
ぐことができるという作用を有する。
According to a fourth aspect of the present invention, the length of the injection hole groove and the supply hole groove formed in the silicon substrate are different, and the length of the injection hole groove and the supply hole groove are the same. In this case, the problem that the pressure change by the pressurizing member is transmitted evenly to the injection hole side and the supply hole side occurs, whereas the different lengths can prevent such a problem from occurring. Has the effect of being able to.

【0012】請求項5記載の発明は、シリコン基板に形
成された噴射孔用溝および供給孔用溝の長さにおいて供
給孔用溝の長さの方が長いもので、供給孔用溝の長さを
噴射孔用溝の長さより長くすることで、供給孔用溝が貫
通した時にサイドエッチを誘発させるエッチングガスが
流れ込みにくくなるので、サイドエッチが少ないものと
なり、噴射孔用溝および供給孔用溝の幅と圧力室の幅を
容易に同一にすることができるという作用を有する。
According to a fifth aspect of the present invention, the length of the supply hole groove is longer than the length of the supply hole groove in the length of the injection hole groove and the supply hole groove formed in the silicon substrate. Is longer than the length of the injection hole groove, it becomes difficult for the etching gas that induces side etching to flow when the supply hole groove penetrates, so that the side etch is reduced, and the injection hole groove and the supply hole groove are reduced. And the width of the pressure chamber can be easily made the same.

【0013】請求項6記載の発明は、シリコン基板に形
成された噴射孔用溝および供給孔用溝の内壁にシリコン
とは異なる材料の膜が形成されているもので、噴射孔用
溝および供給孔用溝の内壁にシリコン以外の材料の膜を
形成しておくことで、ドライエッチングによる圧力室形
成の際、噴射孔用溝および供給孔用溝が貫通した時に流
れ込むエッチングガスから噴射孔用溝および供給孔用溝
を保護して、その部分に発生しやすいサイドエッチを抑
えることができ、すなわち噴射孔用溝および供給孔用溝
の幅と圧力室の幅を同一に形成することができ、内壁に
形成する膜を摩擦係数の小さい材料にしておくことで、
流体と内壁の摩擦抵抗を軽減させ、噴射孔用溝および供
給孔用溝の圧力損失を低減することができ、加圧体によ
る圧力変化をより正確に噴射口に伝えることができるよ
うになるという作用を有する。
According to a sixth aspect of the present invention, a film made of a material different from silicon is formed on inner walls of the injection hole groove and the supply hole groove formed in the silicon substrate. By forming a film of a material other than silicon on the inner wall of the hole groove, when forming a pressure chamber by dry etching, the injection hole groove is formed from the etching gas flowing when the injection hole groove and the supply hole groove penetrate. And the groove for the supply hole can be protected, and the side etch that is likely to occur in that portion can be suppressed, that is, the width of the groove for the injection hole and the groove for the supply hole and the width of the pressure chamber can be formed to be the same, By making the film formed on the inner wall a material with a small coefficient of friction,
It can reduce the frictional resistance between the fluid and the inner wall, reduce the pressure loss in the groove for the injection hole and the groove for the supply hole, and more accurately transmit the pressure change by the pressurized body to the injection port. Has an action.

【0014】請求項7記載の発明は、シリコンとは異な
る材料が金または金を主体とする積層膜であるもので、
噴射孔用溝および供給孔用溝の内壁に膜を形成すること
により、サイドエッチを抑えることができるのに加え
て、膜の材料を金または金を主体とする積層膜と限定す
ることで、ガラス基板を直接接合法により簡単に接合す
ることができるようになるという作用を有する。
According to a seventh aspect of the present invention, the material different from silicon is gold or a laminated film mainly composed of gold.
By forming a film on the inner wall of the injection hole groove and the supply hole groove, in addition to being able to suppress side etching, by limiting the material of the film to gold or a laminated film mainly composed of gold, This has an effect that a glass substrate can be easily joined by a direct joining method.

【0015】請求項8記載の発明は、シリコン基板の片
面に前記噴射孔用溝および供給孔用溝をドライエッチン
グにより形成した後、前記噴射孔用溝および供給孔用溝
のどちらか一方にシール材を貼り付けた状態で、更にド
ライエッチングを行うもので、シリコン基板の片面に噴
射孔用溝および供給孔用溝をドライエッチングにより形
成した後、噴射孔用溝および供給孔用溝のどちらか一方
にシール材を貼り付けた状態で、更にドライエッチング
を行うことで、容易に噴射孔用溝と供給孔用溝を異なる
深さに形成することができ、加圧体による圧力変化が均
等に伝わってしまうという問題を生じることなく、噴射
性能を向上できるという作用を有する。
According to the present invention, the groove for the injection hole and the groove for the supply hole are formed on one side of the silicon substrate by dry etching, and then the groove for the injection hole and the groove for the supply hole are sealed. In the state where the material is adhered, dry etching is further performed. After forming the injection hole groove and the supply hole groove on one side of the silicon substrate by dry etching, one of the injection hole groove and the supply hole groove is formed. By further performing dry etching with the sealing material attached to one side, the groove for the injection hole and the groove for the supply hole can be easily formed at different depths, and the pressure change by the pressurizing body is evenly changed. This has the effect of improving the injection performance without causing the problem of transmission.

【0016】請求項9記載の発明は、供給孔用溝側にシ
ール材を貼り付けた後、ドライエッチングを行うもの
で、供給孔用溝側にシール材を貼り付けた後で、ドライ
エッチングを行うことで、供給孔用溝の深さを噴射孔用
溝より容易に浅くすることができ、このようにしておく
と、供給孔用溝が貫通した時にドライエッチングを止め
れば、これ以上エッチングを行わないので、サイドエッ
チを誘発させるエッチングガスを極力抑えることがで
き、結果として、サイドエッチが少なくなり、噴射孔用
溝および供給孔用溝の幅と圧力室の幅を同一に形成でき
るため、噴射性能が優れるという作用を有する。
According to a ninth aspect of the present invention, the dry etching is performed after the sealing material is attached to the supply hole groove, and the dry etching is performed after the sealing material is attached to the supply hole groove. By doing so, the depth of the groove for the supply hole can be easily made shallower than the groove for the injection hole, and in this case, if the dry etching is stopped when the groove for the supply hole is pierced, further etching can be performed. Since it is not performed, the etching gas that induces side etching can be suppressed as much as possible.As a result, the side etching is reduced, and the width of the injection hole groove and the supply hole groove and the width of the pressure chamber can be formed to be the same. It has the effect of excellent injection performance.

【0017】請求項10記載の発明は、噴射孔用溝と供
給孔用溝のどちらか一方に貼り付けるシール材におい
て、このシール材を取り除く時に、密着した前記噴射孔
用溝および供給孔用溝のドライエッチングを行うために
設けたマスキング材を乱すことなく、取り除くことがで
きるシール材を用いるもので、密着した前記噴射孔用溝
および供給孔用溝のドライエッチングを行うために設け
たマスキング材を乱すことなく、取り除くことができる
シール材、紫外線を照射することで、粘着力を失うテー
プを用いることにより、ドライエッチングの後、紫外線
を照射することで、テープを簡単に剥がすことができる
ので、マスキング材を乱すことなく、最初のパターン状
態で保持することができるという作用を有する。
According to a tenth aspect of the present invention, in the sealing material to be stuck to one of the groove for the injection hole and the groove for the supply hole, when the sealing material is removed, the groove for the injection hole and the groove for the supply hole adhere to each other. A masking material provided for performing dry etching of the spray hole and the supply hole groove in which the masking material provided for performing the dry etching is removed without disturbing the masking material provided for performing the dry etching. By using a sealing material that can be removed without disturbing the tape and a tape that loses its adhesive strength by irradiating ultraviolet rays, the tape can be easily peeled off by irradiating ultraviolet rays after dry etching. The first pattern state can be maintained without disturbing the masking material.

【0018】請求項11記載の発明は、噴射孔用溝およ
び供給孔用溝のどちらか一方にシール材を貼り付けた状
態でドライエッチングを行い、そのシール材を取り除い
た後、前記噴射孔用溝および供給孔用溝を形成した面側
に、シリコンとは異なる材料の膜を形成するもので、噴
射孔用溝および供給孔用溝の内壁にシリコン以外の材料
の膜を形成しておくことで、圧力室をドライエッチング
により形成する際、噴射孔用溝および供給孔用溝が貫通
した時に流れ込むエッチングガスから噴射孔用溝および
供給孔用溝を保護して、その部分に発生しやすいサイド
エッチを抑えることができるという作用を有する。
According to the present invention, dry etching is performed in a state where a sealing material is attached to one of the groove for the injection hole and the groove for the supply hole, and after removing the sealing material, the etching for the injection hole is performed. A film of a material different from silicon is formed on the surface on which the groove and the supply hole groove are formed, and a film of a material other than silicon is formed on the inner walls of the injection hole groove and the supply hole groove. When the pressure chamber is formed by dry etching, the groove for the injection hole and the groove for the supply hole are protected from the etching gas flowing when the groove for the injection hole and the groove for the supply hole penetrate, and the side which is likely to be generated in the portion is protected. This has the effect of suppressing etching.

【0019】請求項12記載の発明は、シリコンとは異
なる材料として金または金を主体とする積層膜を形成す
るもので、ガラス基板を直接接合法により、簡単に接合
することが可能となるという作用を有する。
According to the twelfth aspect of the present invention, gold or a laminated film mainly composed of gold is formed as a material different from silicon, and the glass substrate can be easily bonded by a direct bonding method. Has an action.

【0020】請求項13記載の発明は、シリコンとは異
なる材料の膜を、スパッタリング或いは真空蒸着を用い
て形成するもので、同時に広いワークサイズで、しかも
均一に膜の形成が可能になるという作用を有する。
According to a thirteenth aspect of the present invention, a film made of a material different from silicon is formed by sputtering or vacuum deposition, and at the same time, the film can be formed uniformly with a wide work size. Having.

【0021】請求項14記載の発明は、噴射孔用溝およ
び供給孔用溝を形成した面側にシリコンとは異なる材料
の膜を形成した後に、前記噴射孔用溝および供給孔用溝
の内壁部以外に形成された膜をエッチングによって、取
り除くもので、噴射孔用溝および供給孔用溝の内壁部以
外に形成された膜を取り除くことにより、直接接合をよ
り簡単に行うことができるという作用を有する。
According to a fourteenth aspect of the present invention, after forming a film made of a material different from silicon on the surface on which the injection hole groove and the supply hole groove are formed, the inner wall of the injection hole groove and the supply hole groove is formed. By removing the film formed other than the portion by etching, the direct bonding can be more easily performed by removing the film formed other than the inner wall portion of the injection hole groove and the supply hole groove. Having.

【0022】請求項15記載の発明は、噴射孔用溝およ
び供給孔用溝をドライエッチングにより形成した後、前
記マスキング材を除去しない状態でシリコンとは異なる
材料の膜を形成して、その後でマスキング材を取り除く
もので、マスキング材の除去と同時に、直接接合の妨げ
となるガラスとの接合面の膜も取り除き、噴射孔用溝お
よび供給孔用溝の内壁だけに膜が形成できるので、工程
を極めて簡略化することができるという作用を有する。
According to a fifteenth aspect of the present invention, after the grooves for the injection holes and the grooves for the supply holes are formed by dry etching, a film made of a material different from silicon is formed without removing the masking material. The masking material is removed, and at the same time as the masking material is removed, the film on the bonding surface with glass, which hinders direct bonding, is also removed, and a film can be formed only on the inner walls of the injection hole groove and the supply hole groove. Can be extremely simplified.

【0023】請求項16記載の発明は、噴射孔用溝およ
び供給孔用溝のドライエッチングを行うために設けたマ
スキング材と、噴射孔用溝および供給孔用溝の内壁部以
外に形成された膜を取り除いた後に、前記シリコン基板
の前記噴射孔用溝および供給孔用溝の形成された面とガ
ラス基板を直接接合するもので、粘着剤等の接着材料を
使わないのでシリコン基板とガラス基板の構造体がより
正確なものになり、流体噴射装置の信頼性を向上させる
という作用を有する。
According to a sixteenth aspect of the present invention, a masking material provided for performing dry etching of the injection hole groove and the supply hole groove and the inner wall portion of the injection hole groove and the supply hole groove are formed. After the film is removed, the surface of the silicon substrate on which the grooves for the injection holes and the grooves for the supply holes are formed is directly bonded to the glass substrate. Since no adhesive material such as an adhesive is used, the silicon substrate and the glass substrate are not used. Has a function of improving the reliability of the fluid ejection device.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて、添付図面を参照しながら説明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0025】図1は本発明の一実施の形態における流体
噴射装置の断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a fluid ejecting apparatus according to an embodiment of the present invention.

【0026】図において、1はガラス基板であり、その
ガラス基板1の上にシリコン基板2が配置されている。
ガラス基板1の後方にはサンドブラスト等の方法により
流体の供給路3が形成され、この供給路3に連結するよ
うに、シリコン基板2には圧力室4が上面側から下面側
に貫通して形成されている。この圧力室4のガラス基板
との接合面の一方側には流体の噴射孔用溝5が連結さ
れ、他方側には流体の供給路3と連結する供給孔用溝6
が設けられている。そしてこのような圧力室4は連結さ
れた噴射孔用溝5および供給孔用溝6と共に、垂直方向
に複数個連結されたような状態で配置されている。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a glass substrate on which a silicon substrate 2 is disposed.
A fluid supply path 3 is formed behind the glass substrate 1 by a method such as sandblasting. A pressure chamber 4 is formed in the silicon substrate 2 so as to penetrate from the upper surface side to the lower surface side so as to be connected to the supply path 3. Have been. A fluid injection hole groove 5 is connected to one side of the joint surface of the pressure chamber 4 with the glass substrate, and a supply hole groove 6 connected to the fluid supply passage 3 is connected to the other side.
Is provided. A plurality of such pressure chambers 4 are arranged in the vertical direction together with the connected injection hole groove 5 and supply hole groove 6.

【0027】このように配置された圧力室4の上には、
加圧体7が設けられている。この加圧体7は、クロムよ
りなる第一の電極層8と、その上部に設けた圧電体層9
と、その上部に設けた第二の電極層10からなる積層体
で構成されている。このように構成された加圧体7は、
圧力室4の上に、個別に設けられたものであり、圧力室
4、噴射孔用溝5、供給孔用溝6および供給路3に流体
が充填されている場合、第一の電極層8と第二の電極層
10の間に電圧を印加すると、加圧体7は変形を起こ
し、その変形により圧力変化を受けた圧力室中の流体
は、噴射口を介して、適宜流体を噴射することができる
ようにしたものである。この際、加圧体7の圧力変化を
効率良く噴射動作に導くため、噴射孔用溝5と供給孔用
溝6の形状において、噴射孔用溝5の深さおよび長さと
比較して供給孔用溝6の深さを浅く、長さを長くなるよ
うに構成したものである。
On the pressure chamber 4 thus arranged,
A pressing body 7 is provided. The pressurizing member 7 includes a first electrode layer 8 made of chromium and a piezoelectric layer 9 provided on the first electrode layer 8.
And a laminate comprising a second electrode layer 10 provided thereon. The pressurizing body 7 thus configured is
When the fluid is filled in the pressure chamber 4, the injection hole groove 5, the supply hole groove 6, and the supply passage 3, the first electrode layer 8 is provided individually on the pressure chamber 4. When a voltage is applied between the first electrode layer 10 and the second electrode layer 10, the pressurizing member 7 is deformed, and the fluid in the pressure chamber, which has undergone a pressure change due to the deformation, ejects the fluid appropriately through the ejection port. It is something that can be done. At this time, in order to efficiently guide the pressure change of the pressurizing member 7 to the injection operation, the shapes of the injection hole groove 5 and the supply hole groove 6 are compared with the depth and the length of the injection hole groove 5 in the supply hole. The groove 6 is configured so that the depth is shallow and the length is long.

【0028】図2は図1のX−X線における断面図であ
り、供給孔用溝6の幅と圧力室4の幅が等しく形成され
ている。このような形状にすることで、供給孔用溝6と
圧力室4の接続部に流体が滞留する空間をなくすことが
できる。なお、このことは、噴射孔用溝5と圧力室4の
接続部においても同様なことがいえるので、噴射孔用溝
5の幅と圧力室4の幅も等しく形成されている。その結
果、加圧体7による圧力変化が流体に効率良く伝わり、
噴射口からの噴射動作を円滑に行うことができることに
なる。
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. 1, in which the width of the supply hole groove 6 and the width of the pressure chamber 4 are equal. With such a shape, it is possible to eliminate a space in which the fluid stays at the connection between the supply hole groove 6 and the pressure chamber 4. The same applies to the connection between the injection hole groove 5 and the pressure chamber 4, so that the width of the injection hole groove 5 and the width of the pressure chamber 4 are also equal. As a result, the pressure change by the pressurizing body 7 is efficiently transmitted to the fluid,
The injection operation from the injection port can be performed smoothly.

【0029】次に製造工程を説明する。Next, the manufacturing process will be described.

【0030】図3は、本発明の一実施の形態における流
体噴射装置の製造工程を説明する断面図である。
FIG. 3 is a sectional view for explaining a manufacturing process of the fluid ejection device according to the embodiment of the present invention.

【0031】まず、図3(a)に示すように、シリコン
基板2の図1における下面側にマスキング材11を設け
る。このマスキング材11には噴射口用の開口12と供
給口用の開口13がある。
First, as shown in FIG. 3A, a masking material 11 is provided on the lower surface of the silicon substrate 2 in FIG. The masking material 11 has an opening 12 for an injection port and an opening 13 for a supply port.

【0032】次に、図3(b)に示すように、ドライエ
ッチングを行い、噴射孔用溝5および供給孔用溝6を形
成した後、容易に除去することが可能なシール材14で
供給孔用溝6を遮蔽する。
Next, as shown in FIG. 3B, dry etching is performed to form the injection hole groove 5 and the supply hole groove 6, and then supply with a sealing material 14 which can be easily removed. The hole groove 6 is shielded.

【0033】次に、図3(c)に示すように、ドライエ
ッチングを行い、噴射孔用溝5の深さを供給孔用溝6よ
り深く形成した後に、シール材14を取り除き、更にマ
スキング材11を取り除く。この時、接合面はシリコン
が露出した状態となり、つまり直接接合ができる状態と
なる。
Next, as shown in FIG. 3 (c), after the depth of the injection hole groove 5 is formed to be deeper than the supply hole groove 6 by performing dry etching, the sealing material 14 is removed, and the masking material is further removed. Remove 11 At this time, the bonding surface is in a state where silicon is exposed, that is, a state where direct bonding can be performed.

【0034】次に、図3(d)に示すように、噴射孔用
溝5および供給孔用溝6を形成した面とガラス基板1を
直接接合して、更にシリコン基板2の反対側の面にマス
キング材15を設ける。このマスキング材15には圧力
室用の開口16がある。この状態でドライエッチングを
行うと、シリコン基板2が貫通して圧力室4が形成さ
れ、その後で、マスキング材15を除去することにより
図3(e)に示す形状となる。このような製造方法にす
ることにより、噴射孔用溝5および供給孔用溝6の深さ
が異なる流体噴射装置を容易に実現することができ、ま
た、供給孔用溝6の深さを浅くすることで、供給孔用溝
6が貫通した時にドライエッチングを止めれば、噴射孔
用溝5、圧力室4、供給孔用溝6が導通されたことにな
り、オーバーエッチされることがない。その結果、噴射
孔用溝5および供給孔用溝6にサイドエッチが起こりに
くくなり、噴射孔用溝5および供給孔用溝6の幅と圧力
室4に幅が同一である流体噴射装置を容易に提供でき
る。なお、供給孔用溝6の長さを噴射孔用溝5の長さよ
り長くすることによっても、同様な効果が得られる。こ
れは、供給孔用溝6の長さを噴射孔用溝5の長さより長
くすることで、供給孔用溝6が貫通した時に、サイドエ
ッチを誘発させるエッチングガスが流れ込みにくくなる
ためである。
Next, as shown in FIG. 3D, the surface on which the injection hole groove 5 and the supply hole groove 6 are formed and the glass substrate 1 are directly joined, and further, the surface on the opposite side of the silicon substrate 2. Is provided with a masking material 15. The masking material 15 has an opening 16 for a pressure chamber. When dry etching is performed in this state, the silicon substrate 2 penetrates to form the pressure chamber 4, and then the masking material 15 is removed to obtain the shape shown in FIG. By adopting such a manufacturing method, it is possible to easily realize a fluid ejecting apparatus in which the depths of the injection hole groove 5 and the supply hole groove 6 are different, and the depth of the supply hole groove 6 is reduced. By doing so, if the dry etching is stopped when the supply hole groove 6 penetrates, the injection hole groove 5, the pressure chamber 4, and the supply hole groove 6 are electrically connected, and there is no overetching. As a result, side etching is less likely to occur in the injection hole groove 5 and the supply hole groove 6, and a fluid injection device in which the width of the injection hole groove 5 and the supply hole groove 6 is equal to the width of the pressure chamber 4 can be easily achieved. Can be provided. The same effect can be obtained by making the length of the supply hole groove 6 longer than the length of the injection hole groove 5. This is because by making the length of the supply hole groove 6 longer than the length of the injection hole groove 5, when the supply hole groove 6 penetrates, it becomes difficult for the etching gas that induces side etching to flow.

【0035】以下に、図4の(a)〜(f)は本発明の
他の実施の形態における流体噴射装置の製造工程を説明
する断面図である。図4(a)は先に述べた、図3
(a)と同様に、シリコン基板2の図1における下面側
にマスキング材11を設け、このマスキング材11には
噴射口用の開口12と供給口用の開口13がある。
FIGS. 4A to 4F are cross-sectional views illustrating the steps of manufacturing a fluid ejecting apparatus according to another embodiment of the present invention. FIG. 4 (a) is the same as FIG.
As in (a), a masking material 11 is provided on the lower surface side of the silicon substrate 2 in FIG. 1, and the masking material 11 has an opening 12 for an injection port and an opening 13 for a supply port.

【0036】次に、図4(b)に示すように、ドライエ
ッチングを行い噴射孔用溝5および供給孔用溝6を形成
した後、供給孔用溝6を容易に除去することが可能なシ
ール材14で遮蔽する。
Next, as shown in FIG. 4B, after forming the injection hole groove 5 and the supply hole groove 6 by performing dry etching, the supply hole groove 6 can be easily removed. It is shielded by the sealing material 14.

【0037】次に、図4(c)に示すように、シール材
14で供給孔用溝6を遮蔽した後に、ドライエッチング
を行い、噴射孔用溝5の深さを供給孔用溝6より深く形
成した後にシール材14を取り除いた後、更に、シリコ
ンとは異なる材料の膜17をスパッタリング或いは真空
蒸着を用いて形成する。その後マスク11を取り除け
ば、図4(d)に示すように噴射孔用溝5と供給孔用溝
6の内壁だけにシリコンとは異なる材料の膜が形成され
て、それ以外の部分の膜は除去される。この時、接合面
はシリコンが露出した状態となり、つまり、直接接合が
できる状態となる。
Next, as shown in FIG. 4C, after the supply hole groove 6 is shielded by the sealing material 14, dry etching is performed, and the depth of the injection hole groove 5 is changed from the supply hole groove 6. After forming the sealing material 14 deeply and removing the sealing material 14, a film 17 made of a material different from silicon is further formed by sputtering or vacuum evaporation. After that, when the mask 11 is removed, a film made of a material different from silicon is formed only on the inner walls of the injection hole groove 5 and the supply hole groove 6, as shown in FIG. Removed. At this time, the bonding surface is in a state where silicon is exposed, that is, a state where direct bonding can be performed.

【0038】次に、図4(e)に示すように、噴射孔用
溝5および供給孔用溝6を形成した面とガラス基板1を
直接接合して、更に、シリコン基板2の反対側の面にマ
スキング材15を設ける。このマスキング材15には圧
力室用の開口16がある。この状態でドライエッチング
を行うと、シリコン基板2が貫通して圧力室4が形成さ
れ、図4(f)に示す形状となる。このような製造方法
にすることにより、前述した噴射孔用溝5の深さおよび
長さと比較して供給孔用溝6の深さを浅く、長さを長く
することによる効果に加え、噴射孔用溝5および供給孔
用溝6の内壁にシリコン以外の材料で膜を形成すること
により、圧力室4をドライエッチングによって形成する
際、噴射孔用溝5および供給孔用溝6が貫通した時に流
れ込むエッチングガスから噴射孔用溝5および供給孔用
溝6を保護して、その部分に発生しやすいサイドエッチ
を抑えることができ、噴射孔用溝5および供給孔用溝6
の幅と圧力室4の幅を同一に形成できる製造方法を容易
に実現できる。
Next, as shown in FIG. 4E, the surface on which the injection hole groove 5 and the supply hole groove 6 are formed is directly joined to the glass substrate 1, and further, the opposite side of the silicon substrate 2 is formed. A masking material 15 is provided on the surface. The masking material 15 has an opening 16 for a pressure chamber. When dry etching is performed in this state, the pressure chamber 4 is formed through the silicon substrate 2 and has a shape shown in FIG. With such a manufacturing method, in addition to the effect of making the depth of the supply hole groove 6 shallower and longer than the depth and length of the injection hole groove 5 described above, the injection hole When the pressure chamber 4 is formed by dry etching by forming a film on the inner wall of the groove 5 for supply and the groove 6 for supply hole with a material other than silicon, when the groove 5 for injection hole and the groove 6 for supply hole penetrate, The injection hole groove 5 and the supply hole groove 6 can be protected from the flowing etching gas, and the side etch that is likely to occur at the portion can be suppressed, and the injection hole groove 5 and the supply hole groove 6 can be suppressed.
And the manufacturing method in which the width of the pressure chamber 4 can be made the same.

【0039】また、この時、内壁に形成する膜を摩擦係
数の小さい材料にしておけば、流体と内壁の摩擦係数を
軽減でき、噴射孔用溝5および供給孔用溝6の圧力損失
を低減することができ、加圧体7による圧力変化をより
正確に噴射口に伝えることができる。更に、内壁に形成
する膜の材料を金または金を主体とする積層膜とするこ
とで、例えば、ガラス基板1を直接接合により簡単に接
合することができる。それは、噴射孔用溝5および供給
孔用溝6を形成したシリコン基板2とガラス基板1を強
酸の洗浄液で洗浄することができるようになり、すなわ
ち、表面の超清浄性を必要とする直接接合法において
も、何ら問題なく接合が行えるようになる。このように
して、形状の安定した流体噴射装置を容易に実現するこ
とができる。
At this time, if the film formed on the inner wall is made of a material having a small friction coefficient, the friction coefficient between the fluid and the inner wall can be reduced, and the pressure loss of the injection hole groove 5 and the supply hole groove 6 can be reduced. The pressure change by the pressure body 7 can be transmitted to the injection port more accurately. Furthermore, when the material of the film formed on the inner wall is gold or a laminated film mainly composed of gold, for example, the glass substrate 1 can be easily bonded by direct bonding. This makes it possible to clean the silicon substrate 2 and the glass substrate 1 on which the injection hole groove 5 and the supply hole groove 6 are formed with a cleaning solution of a strong acid, that is, a direct contact that requires super cleanliness of the surface. Even in a legal case, joining can be performed without any problem. In this way, a fluid ejection device having a stable shape can be easily realized.

【0040】加えて、噴射孔用溝5および供給孔用溝6
のドライエッチングを行うために設けたマスキング材を
除去する前にシリコンとは異なる材料の膜、例えば金を
形成して、その後で、このマスキング材を取り除くこと
により、必要となる噴射孔用溝5および供給孔用溝6の
内壁だけに膜を形成することができ、またマスキング材
の除去と同時に、直接接合の妨げとなる接合面の膜も取
り除くことができることで、製造工程を極めて簡略化す
ることができる。
In addition, the injection hole groove 5 and the supply hole groove 6
Before removing the masking material provided for performing the dry etching, a film made of a material different from silicon, for example, gold is formed, and thereafter, the masking material is removed, thereby forming the necessary injection hole groove 5. In addition, since a film can be formed only on the inner wall of the supply hole groove 6, and at the same time as the masking material is removed, the film on the bonding surface that hinders the direct bonding can be removed, thereby greatly simplifying the manufacturing process. be able to.

【0041】[0041]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、噴射孔用
溝および供給孔用溝の部分で発生しやすかったサイドエ
ッチを抑制でき、安定した形状でかつ高密度、高精度な
流体噴射装置が容易に実現できるという効果を奏する。
As described above, according to the present invention, it is possible to suppress the side etching which is likely to occur in the portion of the groove for the injection hole and the groove for the supply hole, and to achieve a stable shape, high density and high precision fluid injection. There is an effect that the device can be easily realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態による流体噴射装置の断
面図
FIG. 1 is a cross-sectional view of a fluid ejection device according to an embodiment of the present invention.

【図2】同図1のX−X線の断面図FIG. 2 is a sectional view taken along line XX of FIG. 1;

【図3】同製造方法を説明する図FIG. 3 is a diagram illustrating the manufacturing method.

【図4】本発明の他の実施の形態における流体噴射装置
の製造方法を説明する図
FIG. 4 is a diagram illustrating a method of manufacturing a fluid ejection device according to another embodiment of the present invention.

【図5】従来の流体噴射装置の斜視図FIG. 5 is a perspective view of a conventional fluid ejection device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板 2 シリコン基板 3 流体供給路 4 圧力室 5 噴射孔用溝 6 供給孔用溝 7 加圧体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2 Silicon substrate 3 Fluid supply path 4 Pressure chamber 5 Injection hole groove 6 Supply hole groove 7 Pressurized body

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B05D 7/24 302 B41J 3/04 103H B41J 2/16 (72)発明者 三木 勝政 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2C057 AF21 AF93 AG12 AG31 AG44 AP02 AP26 AP32 AP52 AP54 BA03 BA14 4D075 BB66X BB85Z CA47 DA06 DA19 DA32 DB13 DB14 DC19 DC21 EC10 4F033 AA14 BA03 CA04 DA05 EA01 GA06 MA00 NA01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) B05D 7/24 302 B41J 3/04 103H B41J 2/16 (72) Inventor Katsumasa Miki Okadoma, Kadoma, Osaka 1006 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F term (reference) 2C057 AF21 AF93 AG12 AG31 AG44 AP02 AP26 AP32 AP52 AP54 BA03 BA14 4D075 BB66X BB85Z CA47 DA06 DA19 DA32 DB13 DB14 DC19 DC21 EC10 4F033 AA14 BA03 CA04 DA05 EA01 GA06 MA00

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 噴射孔用溝、供給孔用溝および圧力室を
有するシリコン基板と、前記シリコン基板の片側に前記
噴射孔用溝および供給孔用溝を外部より封止するための
基板を当接して、これとは反対側の面に加圧体を当接し
た流体噴射装置であって、前記噴射孔用溝および供給孔
用溝の幅と、前記圧力室の幅がこれらの接続部において
同一であることを特徴とする流体噴射装置。
1. A silicon substrate having an injection hole groove, a supply hole groove and a pressure chamber, and a substrate for sealing the injection hole groove and the supply hole groove from the outside on one side of the silicon substrate. A fluid ejecting apparatus in which a pressurizing member is in contact with a surface on the opposite side of the fluid ejecting device, wherein the width of the groove for the injection hole and the groove for the supply hole and the width of the pressure chamber at these connection portions. A fluid ejecting apparatus characterized by being the same.
【請求項2】 シリコン基板に形成された噴射孔用溝お
よび供給孔用溝の深さが異なることを特徴とする請求項
1記載の流体噴射装置。
2. The fluid ejection device according to claim 1, wherein the depth of the ejection hole groove and the supply hole groove formed in the silicon substrate is different.
【請求項3】 シリコン基板に形成された噴射孔用溝お
よび供給孔用溝の深さにおいて供給孔用溝の深さの方が
浅いことを特徴とする請求項2記載の流体噴射装置。
3. The fluid ejecting apparatus according to claim 2, wherein a depth of the supply hole groove is smaller than a depth of the supply hole groove and the supply hole groove formed in the silicon substrate.
【請求項4】 シリコン基板に形成された噴射孔用溝お
よび供給孔用溝の長さが異なることを特徴とする請求項
1記載の流体噴射装置。
4. The fluid ejection device according to claim 1, wherein the length of the ejection hole groove and the supply hole groove formed in the silicon substrate are different.
【請求項5】 シリコン基板に形成された噴射孔用溝お
よび供給孔用溝の長さにおいて、供給孔用溝の長さの方
が長いことを特徴とする請求項4記載の流体噴射装置。
5. The fluid ejecting apparatus according to claim 4, wherein the supply hole groove is longer than the ejection hole groove and the supply hole groove formed in the silicon substrate.
【請求項6】 シリコン基板に形成された噴射孔用溝お
よび供給孔用溝の内壁にシリコンとは異なる材料の膜が
形成されていることを特徴とする請求項1記載の流体噴
射装置。
6. The fluid ejection device according to claim 1, wherein a film made of a material different from silicon is formed on inner walls of the ejection hole groove and the supply hole groove formed in the silicon substrate.
【請求項7】 シリコンとは異なる材料が金または金を
主体とする積層膜であることを特徴とする請求項6記載
の流体噴射装置。
7. The fluid ejecting apparatus according to claim 6, wherein the material different from silicon is gold or a laminated film mainly composed of gold.
【請求項8】 シリコン基板に噴射孔用溝および供給孔
用溝をドライエッチングにより形成して、これらを形成
した面側にガラス基板を当接し、これとは反対側の面に
ドライエッチングにより前記シリコン基板を貫通させる
ことで圧力室を形成する流体噴射装置の製造方法であっ
て、シリコン基板の片面に前記噴射孔用溝および供給孔
用溝をドライエッチングにより形成した後、前記噴射孔
用溝および供給孔用溝のどちらか一方にシール材を貼り
付けた状態で、更にドライエッチングを行うことを特徴
とする流体噴射装置の製造方法。
8. A groove for an injection hole and a groove for a supply hole are formed in a silicon substrate by dry etching, a glass substrate is brought into contact with a surface on which these are formed, and the surface on the opposite side is dry-etched. A method for manufacturing a fluid ejecting apparatus in which a pressure chamber is formed by penetrating a silicon substrate, wherein the ejection hole groove and the supply hole groove are formed on one surface of a silicon substrate by dry etching, and then the ejection hole groove is formed. And dry etching is further performed in a state where a sealant is attached to one of the supply hole grooves.
【請求項9】 供給孔用溝側にシール材を貼り付けた
後、ドライエッチングを行うことを特徴とした請求項8
記載の流体噴射装置の製造方法。
9. The dry etching is performed after the sealing material is attached to the supply hole groove side.
A manufacturing method of the fluid ejection device according to the above.
【請求項10】 噴射孔用溝と供給孔用溝のどちらか一
方に貼り付けるシール材において、このシール材を取り
除く時に、密着した前記噴射孔用溝および供給孔用溝の
ドライエッチングを行うために設けたマスキング材を乱
すことなく、取り除くことができるシール材を用いるこ
とを特徴とする請求項8記載の流体噴射装置の製造方
法。
10. A sealant to be attached to one of a groove for an injection hole and a groove for a supply hole, wherein when the sealant is removed, dry etching of the groove for the injection hole and the groove for the supply hole is performed. 9. The method for manufacturing a fluid ejecting apparatus according to claim 8, wherein a sealing material that can remove the masking material provided in the step (c) without disturbing the masking material is used.
【請求項11】 噴射孔用溝および供給孔用溝のどちら
か一方にシール材を貼り付けた状態でドライエッチング
を行い、そのシール材を取り除いた後、前記噴射孔用溝
および供給孔用溝を形成した面側に、シリコンとは異な
る材料の膜を形成することを特徴とする請求項8記載の
流体噴射装置の製造方法。
11. A dry etching is performed with a sealing material attached to one of the injection hole groove and the supply hole groove, and after removing the sealing material, the injection hole groove and the supply hole groove are removed. 9. The method according to claim 8, wherein a film made of a material different from silicon is formed on the surface on which is formed.
【請求項12】 シリコンとは異なる材料として金また
は金を主体とする積層膜を形成することを特徴とする請
求項11記載の流体噴射装置の製造方法。
12. The method according to claim 11, wherein gold or a laminated film mainly composed of gold is formed as a material different from silicon.
【請求項13】 シリコンとは異なる材料の膜を、スパ
ッタリング或いは真空蒸着を用いて形成することを特徴
とする請求項11記載の流体噴射装置の製造方法。
13. The method according to claim 11, wherein a film made of a material different from silicon is formed by sputtering or vacuum evaporation.
【請求項14】 噴射孔用溝および供給孔用溝を形成し
た面側にシリコンとは異なる材料の膜を形成した後に、
前記噴射孔用溝および供給孔用溝の内壁部以外に形成さ
れた膜をエッチングによって、取り除くことを特徴とし
た請求項11記載の流体噴射装置の製造方法。
14. After forming a film made of a material different from silicon on the surface side on which the injection hole groove and the supply hole groove are formed,
The method of manufacturing a fluid ejecting apparatus according to claim 11, wherein a film formed on portions other than the inner wall portions of the ejection hole groove and the supply hole groove is removed by etching.
【請求項15】 噴射孔用溝および供給孔用溝をドライ
エッチングにより形成した後、前記マスキング材を除去
しない状態でシリコンとは異なる材料の膜を形成して、
その後でマスキング材を取り除くことを特徴とした請求
項11記載の流体噴射装置の製造方法。
15. After forming a groove for an injection hole and a groove for a supply hole by dry etching, a film made of a material different from silicon is formed without removing the masking material.
The method according to claim 11, wherein the masking material is removed thereafter.
【請求項16】 噴射孔用溝および供給孔用溝のドライ
エッチングを行うために設けたマスキング材と、噴射孔
用溝および供給孔用溝の内壁部以外に形成された膜を取
り除いた後に、前記シリコン基板の前記噴射孔用溝およ
び供給孔用溝の形成された面とガラス基板を直接接合す
ることを特徴とする請求項14或いは15記載の流体噴
射装置の製造方法。
16. After removing a masking material provided for performing dry etching of the injection hole groove and the supply hole groove and a film formed other than the inner wall portions of the injection hole groove and the supply hole groove, 16. The method according to claim 14, wherein the surface of the silicon substrate on which the injection hole groove and the supply hole groove are formed is directly bonded to a glass substrate.
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