JP2002195956A - Failure inspecting device - Google Patents

Failure inspecting device

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JP2002195956A
JP2002195956A JP2000392216A JP2000392216A JP2002195956A JP 2002195956 A JP2002195956 A JP 2002195956A JP 2000392216 A JP2000392216 A JP 2000392216A JP 2000392216 A JP2000392216 A JP 2000392216A JP 2002195956 A JP2002195956 A JP 2002195956A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a simple and small configuration while devices for macro inspection and partial magnification inspection are integrated for a unit configuration. SOLUTION: A failure inspecting device comprises a lighting optical system 10 which projects an optical flux from a light source onto a wafer W at a prescribed incident angle, a low-magnification focusing lens 21 which receives the reflection light from the wafer W, a low-magnification imaging element 22 which images a wafer image focused by the low-magnification focusing lens 21, a high-magnification focusing lens 31 which receives the reflection light from the wafer, and a high-magnification imaging element 32 which images a wafer image focused by the high-magnification focusing lens 31. Based on the image information of the wafer imaged by both imaging elements 22 and 32, the failure of the object to be inspected is inspected. Related to the failure inspecting device, a sight field of the high-magnification focusing lens 31 and the imaging element 32 for a wafer can be moved in two-dimensional manner.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子等の製造
過程における、基板表面の欠陥を検出する欠陥検査装置
に関するもので、特に、半導体ウエハ、液晶表示パネル
等の表面の欠陥の検査に好適な欠陥検査装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a defect inspection apparatus for detecting a defect on the surface of a substrate in a process of manufacturing a semiconductor device or the like. The present invention relates to a defect inspection device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハや液晶表示素子パネル(こ
れらを総称して半導体ウエハ等と称する)は、表面に多
数の回路素子パターンを配列形成して構成されている。
各回路素子パターンは極く細い配線、極く小さな回路素
子等を有しており、半導体ウエハ等に表面欠陥が存在す
ると回路素子パターンからなるチップもしくはパネルの
性能を損なうことになるので、表面欠陥の検査は非常に
重要である。
2. Description of the Related Art Semiconductor wafers and liquid crystal display element panels (collectively referred to as semiconductor wafers and the like) are formed by arranging a large number of circuit element patterns on the surface.
Each circuit element pattern has extremely thin wiring, extremely small circuit elements, and the like.If a surface defect exists on a semiconductor wafer or the like, the performance of a chip or a panel including the circuit element pattern is impaired. Inspection is very important.

【0003】このような表面欠陥装置もしくは方法は従
来から種々提案されており、例えば、特開平11−51
874号公報に開示の装置がある。この装置では、散乱
光用の照明光学系と回折光用の照明光学系とを設け、基
板(半導体ウエハ等)からの散乱光および回折光から表
面欠陥の有無を検査するようになっている。
Various such surface defect devices or methods have been proposed in the prior art.
There is an apparatus disclosed in Japanese Patent Publication No. 874. In this apparatus, an illumination optical system for scattered light and an illumination optical system for diffracted light are provided, and the presence or absence of a surface defect is inspected from scattered light and diffracted light from a substrate (such as a semiconductor wafer).

【0004】さらに、特開平11−230917号公報
には、低倍率画像を撮影して半導体ウエハ等の表面全体
の欠陥検査を行うマクロ検査ユニットと、高倍率画像を
撮影してマクロ検査で見つかった欠陥部分を拡大して検
査するレビュー検査ユニットとからなる欠陥検査装置が
開示されている。この欠陥検査装置によれば、半導体ウ
エハ等の表面全域をマクロ検査ユニットにより一括検査
して欠陥等が見つかったときに、この半導体ウエハ等を
レビュー検査ユニットに搬送し、欠陥部分を拡大して詳
細に観察できるという利点がある。
Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-230917 discloses a macro inspection unit for photographing a low-magnification image to inspect the entire surface of a semiconductor wafer or the like for defects, and a macro-magnification unit for photographing a high-magnification image. There is disclosed a defect inspection apparatus including a review inspection unit for inspecting a defective portion in an enlarged manner. According to this defect inspection apparatus, when the entire surface of a semiconductor wafer or the like is collectively inspected by the macro inspection unit and a defect or the like is found, the semiconductor wafer or the like is transported to the review inspection unit, and the defective portion is enlarged and detailed. There is an advantage that can be observed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな欠陥検査装置では、マクロ検査ユニットおよびレビ
ュー検査ユニットをそれぞれ設けるとともに、両ユニッ
トの間で被検対象となる半導体ウエハ等を搬送する搬送
ユニットが必要である。さらに、レビュー検査ユニット
において欠陥部分を正確に拡大して撮影できるように、
高倍率撮像装置の対物レンズの直下に被検対象となる半
導体ウエハ等の欠陥部分を正確に位置させるように半導
体ウエハ等を移動させて位置決めを行う位置決め搬送ユ
ニットも必要である。このため、欠陥検査装置の構成が
複雑化、大型化しやすく、装置コストも高くなりやすい
という問題がある。
However, in such a defect inspection apparatus, a macro inspection unit and a review inspection unit are provided, respectively, and a transport unit for transporting a semiconductor wafer or the like to be inspected between both units is provided. is necessary. In addition, the review inspection unit allows you to accurately magnify and photograph defective parts.
There is also a need for a positioning / transporting unit that moves and positions the semiconductor wafer or the like so as to accurately position a defective portion of the semiconductor wafer or the like to be inspected directly below the objective lens of the high-magnification imaging apparatus. Therefore, there is a problem that the configuration of the defect inspection apparatus is easily complicated and large, and the cost of the apparatus is easily increased.

【0006】本発明はこのような問題に鑑みたもので、
マクロ検査および部分拡大検査を行う装置を一体化した
ユニット構成とすることが可能であり、比較的簡単且つ
小型の構成となる欠陥検査装置を提供することを目的と
する。本発明はまた、被検物体を固定保持したままでマ
クロ検査および任意の部分の拡大検査をそのまま行うこ
とができるような欠陥検査装置を提供することを目的と
する。
The present invention has been made in view of such a problem.
It is an object of the present invention to provide a defect inspection apparatus which can have a unit configuration in which an apparatus for performing a macro inspection and a partial enlargement inspection is integrated, and has a relatively simple and small configuration. Another object of the present invention is to provide a defect inspection apparatus capable of performing macro inspection and enlarged inspection of an arbitrary portion as they are while holding a test object fixed.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】このような目的達成のた
め、本発明においては、被検物体を載置するテーブル
と、光源からの光束を所定の入射角度で被検物体に照射
する照明光学系と、テーブル上の被検物体からの反射光
(正反射光、回折光、散乱光等)を受光する低倍率の受
光光学系と、低倍率の受光光学系により結像された被検
物体の像を撮影する低倍率撮像器と、テーブル上の同一
の被検物体からの反射光を受光する高倍率の受光光学系
と、高倍率の受光光学系により結像された被検物体の像
を撮影する高倍率撮像器と、少なくとも高倍率の受光光
学系の被検物体に対する視野を二次元的に移動させる視
野移動装置とを有して欠陥検査装置が構成され、低倍率
撮像器および高倍率撮像器により撮影された被検物体の
画像情報に基づいて被検物体の欠陥検査を行う。
According to the present invention, there is provided a table on which a test object is placed, and an illumination optical system for irradiating the test object with a light beam from a light source at a predetermined incident angle. System, a low-magnification light-receiving optical system that receives reflected light (specular reflection light, diffracted light, scattered light, etc.) from the object on the table, and a test object imaged by the low-magnification light-receiving optical system Low-magnification imager that captures the image of the subject, a high-magnification light-receiving optical system that receives reflected light from the same test object on the table, and an image of the test object formed by the high-magnification light-receiving optical system A defect inspection apparatus is configured to include a high-magnification imager that photographs a subject, and a field-of-view moving device that two-dimensionally moves the field of view of the object to be inspected by at least a high-magnification light receiving optical system. Based on image information of the test object captured by the magnification imager A defect inspection of the inspected object.

【0008】このように本発明では、欠陥検査装置を、
照明光学系からの照明を受けて被検物体から反射する光
に基づいて低倍率検査(マクロ検査)を行うユニット
(低倍率の受光光学系および低倍率撮像器)と、同様に
上記反射光に基づいて高倍率検査(拡大検査もしくはレ
ビュー検査)を行うユニット(高倍率の受光光学系およ
び高倍率撮像器)とを有し、これら両ユニットを選択的
に用いて一つのテーブル上の被検物体の検査を行うよう
に構成しており、装置を一体ユニット構成にして小型、
コンパクト化することができる。
As described above, according to the present invention, the defect inspection apparatus
A unit (low-magnification light-receiving optical system and low-magnification imager) that performs low-magnification inspection (macro inspection) based on light reflected from the object under illumination from the illumination optical system. A unit (high-magnification receiving optical system and high-magnification imager) for performing a high-magnification inspection (magnification inspection or review inspection) based on the object to be inspected on one table by selectively using both units The device is configured to perform inspections.
It can be made compact.

【0009】なお、低倍率検査は被検物体の表面全体に
ついて一度に検査することも可能であるが、高倍率検査
は被検物体の表面の所定位置を検査するものである。本
発明の欠陥検査装置は、高倍率の受光光学系の被検物体
に対する視野を二次元的に移動させる視野移動装置を有
しており、この視野移動装置により高倍率受光光学系の
視野を移動させるだけで、被検物体の表面における任意
位置を簡単に拡大して検査できる。すなわち、比較的大
型で構成が複雑な被検物体を搬送する搬送装置が不要で
あり、装置全体を小型、コンパクト化できる。また、低
倍率の受光光学系によって一度に表面全体の検査が行え
ないような場合には、視野移動装置は低倍率の受光光学
系の視野も二次元的に移動させるように構成しても良
い。
The low-magnification inspection can inspect the whole surface of the object at once, while the high-magnification inspection inspects a predetermined position on the surface of the object. The defect inspection apparatus of the present invention has a visual field moving device that two-dimensionally moves the visual field of the high-magnification light receiving optical system with respect to the object to be inspected, and moves the visual field of the high-magnification light receiving optical system with this visual field moving device. By simply doing so, an arbitrary position on the surface of the test object can be easily enlarged and inspected. In other words, there is no need for a transport device that transports a relatively large test object having a complicated configuration, and the entire device can be reduced in size and size. Further, when the entire surface cannot be inspected at once by the low-magnification light receiving optical system, the visual field moving device may be configured to two-dimensionally move the visual field of the low-magnification light receiving optical system. .

【0010】また、もう一つの本発明においては、光源
からの光束を所定の入射角度で被検物体に照射する照明
光学系と、被検物体からの反射光を受光する低倍率の受
光光学系と、低倍率の受光光学系により結像された被検
物体の像を撮影する低倍率撮像器と、被検物体からの反
射光を受光する高倍率の受光光学系と、高倍率の受光光
学系により結像された被検物体の像を撮影する高倍率撮
像器とを備えて欠陥検査装置が構成され、低倍率撮像器
および高倍率撮像器により撮影された被検物体の画像情
報に基づいて被検物体の欠陥検査が行われる。この欠陥
検査装置は、少なくとも高倍率の受光光学系の被検物体
に対する視野を二次元的に移動させる視野移動装置を有
し、さらに被検物体からの反射光を受光して集光する集
光光学系が設けられ、この集光光学系のほぼ焦点面内に
入射瞳が位置するように低倍率の受光光学系および高倍
率の受光光学系が配設されている。
According to another aspect of the present invention, there is provided an illumination optical system for irradiating a light beam from a light source to a test object at a predetermined incident angle, and a low-magnification light receiving optical system for receiving reflected light from the test object. A low-magnification imager that captures an image of the test object formed by the low-magnification light-receiving optical system, a high-magnification light-receiving optical system that receives light reflected from the test object, and a high-magnification light-receiving optical system And a high-magnification imager for photographing an image of the test object formed by the system.The defect inspection apparatus is configured based on image information of the test object photographed by the low-magnification imager and the high-magnification imager. The defect inspection of the object to be inspected is performed. This defect inspection apparatus has a field-of-view moving device that at least two-dimensionally moves the field of view of the object with a high-magnification light-receiving optical system, and further receives and condenses reflected light from the object to be measured. An optical system is provided, and a low-magnification light-receiving optical system and a high-magnification light-receiving optical system are arranged such that the entrance pupil is located substantially in the focal plane of the light-collecting optical system.

【0011】なお、上記集光光学系としては、被検物体
からの反射光を受光して集光する集光レンズや、被検物
体からの反射光を受光して反射集光させる凹面鏡があ
り、これら集光レンズもしくは凹面鏡のほぼ焦点面内に
入射瞳が位置するように低倍率の受光光学系および高倍
率の受光光学系が配設される。
The condensing optical system includes a condensing lens for receiving and condensing light reflected from the object to be inspected, and a concave mirror for receiving and reflecting and condensing light reflected from the object to be inspected. A low-magnification light-receiving optical system and a high-magnification light-receiving optical system are arranged such that the entrance pupil is located substantially within the focal plane of these condenser lenses or concave mirrors.

【0012】この本発明においても、欠陥検査装置を、
照明光学系からの照明を受けて被検物体から反射する光
に基づいて低倍率検査(マクロ検査)を行うユニット
(低倍率の受光光学系および低倍率撮像器)と、同様に
上記反射光に基づいて高倍率検査(拡大検査もしくはレ
ビュー検査)を行うユニット(高倍率の受光光学系およ
び高倍率撮像器)とを有して構成しており、装置を一体
ユニット構成にして小型、コンパクト化することができ
る。
Also in the present invention, the defect inspection apparatus
A unit (low-magnification light-receiving optical system and low-magnification imager) that performs low-magnification inspection (macro inspection) based on light reflected from the object under illumination from the illumination optical system. And a unit (high-magnification light-receiving optical system and high-magnification imager) for performing a high-magnification inspection (magnification inspection or review inspection) based on the system. be able to.

【0013】なお、上記視野移動装置を、高倍率の受光
光学系の入射瞳中心を中心として高倍率の受光光学系を
二次元的に揺動させる揺動機構を有して構成するのが好
ましい。
It is preferable that the field-of-view moving device has a swing mechanism for swinging the high-magnification light receiving optical system two-dimensionally around the center of the entrance pupil of the high-magnification light receiving optical system. .

【0014】さらにもう一つの本発明によれば、光源か
らの光束を所定の入射角度で被検物体に照射する照明光
学系と、被検物体からの反射光を受光する低倍率の受光
光学系と、低倍率の受光光学系により結像された被検物
体の像を撮影する低倍率撮像器と、被検物体からの反射
光を受光する高倍率の受光光学系と、高倍率の受光光学
系により結像された被検物体の像を撮影する高倍率撮像
器とを備えて欠陥検査装置が構成され、低倍率撮像器お
よび高倍率撮像器により撮影された被検物体の画像情報
に基づいて被検物体の欠陥検査が行われる。この欠陥検
査装置はさらに、被検物体をその検査面位置を維持した
まま検査面内における第1の方向に一次元的に移動させ
る被検物体移動装置と、少なくとも高倍率の受光光学系
の被検物体に対する視野を第1の方向とほぼ直交する第
2の方向に一次元的に移動させる視野移動装置とを有す
る。
According to still another aspect of the present invention, an illumination optical system for irradiating a test object with a light beam from a light source at a predetermined incident angle, and a low-magnification light receiving optical system for receiving light reflected from the test object A low-magnification imager that captures an image of the test object formed by the low-magnification light-receiving optical system, a high-magnification light-receiving optical system that receives light reflected from the test object, and a high-magnification light-receiving optical system And a high-magnification imager for photographing an image of the test object formed by the system.The defect inspection apparatus is configured based on image information of the test object photographed by the low-magnification imager and the high-magnification imager. The defect inspection of the object to be inspected is performed. The defect inspection apparatus further includes a test object moving apparatus for moving the test object one-dimensionally in a first direction within the test plane while maintaining the position of the test plane, and at least a high magnification light receiving optical system. A field-of-view moving device for one-dimensionally moving a field of view with respect to the inspection object in a second direction substantially orthogonal to the first direction.

【0015】この本発明においても、欠陥検査装置を、
照明光学系からの照明を受けて被検物体から反射する光
に基づいて低倍率検査(マクロ検査)を行うユニット
(低倍率の受光光学系および低倍率撮像器)と、同様に
上記反射光に基づいて高倍率検査(拡大検査もしくはレ
ビュー検査)を行うユニット(高倍率の受光光学系およ
び高倍率撮像器)とを有して構成しており、装置を一体
ユニット構成にして小型、コンパクト化することができ
る。
In the present invention, the defect inspection apparatus is
A unit (low-magnification light-receiving optical system and low-magnification imager) that performs low-magnification inspection (macro inspection) based on light reflected from the object under illumination from the illumination optical system. And a unit (high-magnification light-receiving optical system and high-magnification imager) for performing a high-magnification inspection (magnification inspection or review inspection) based on the system. be able to.

【0016】本発明ではまた、被検物体をその検査面位
置を維持したまま検査面内における第1の方向に一次元
的に移動させる被検物体移動装置と、少なくとも高倍率
の受光光学系の被検物体に対する視野を第1の方向とほ
ぼ直交する第2の方向に一次元的に移動させる視野移動
装置とを有しており、被検物体を一次元的に移動させる
簡単な構成の装置と、高倍率の受光光学系の被検物体に
対する視野を一次元的に移動させる簡単な装置とを用い
て、被検物体の表面における任意位置を簡単に検査でき
る。
According to the present invention, there is also provided a device for moving a test object one-dimensionally in a first direction within the test surface while maintaining the position of the test surface, and at least a high-magnification light receiving optical system. A field-of-view moving device for one-dimensionally moving the field of view with respect to the test object in a second direction substantially orthogonal to the first direction, the device having a simple configuration for moving the test object in a one-dimensional manner An arbitrary position on the surface of the object to be inspected can be easily inspected by using a simple apparatus that one-dimensionally moves the visual field of the object to be inspected by the high-magnification light receiving optical system.

【0017】この本発明においても、被検物体からの反
射光を受光して集光する集光光学系を設けても良く、こ
の場合には、集光光学系のほぼ焦点面内に入射瞳が位置
するように低倍率の受光光学系および高倍率の受光光学
系が配設される。なお、この集光光学系としては、被検
物体からの反射光を受光して集光する集光レンズや、被
検物体からの反射光を受光して反射集光させる凹面鏡が
ある。
In the present invention, a condensing optical system for receiving and condensing the reflected light from the object to be inspected may be provided. In this case, the entrance pupil is located substantially within the focal plane of the condensing optical system. Are arranged such that the light receiving optical system of low magnification and the light receiving optical system of high magnification are located. In addition, as the light collecting optical system, there are a light collecting lens that receives and condenses reflected light from a test object, and a concave mirror that receives light reflected from a test object and reflects and condenses the light.

【0018】なお、上記視野移動装置は、高倍率の受光
光学系の入射瞳中心を中心として高倍率の受光光学系を
一次元的に揺動させる揺動機構を有して構成することが
できる。
The field-of-view moving device can be configured to have a swinging mechanism for swinging the high-magnification light receiving optical system one-dimensionally around the center of the entrance pupil of the high-magnification light receiving optical system. .

【0019】以上の構成の本発明に係る欠陥検査装置に
おいて、低倍率撮像器および高倍率撮像器により撮像さ
れた被検物体の像を表示する表示装置を設けるのが好ま
しい。また、上記被検物体としては半導体ウエハ等があ
り、照明光学系が半導体ウエハ等の表面に大きな入射角
で光源からの光束を平行光束にして照射するように構成
し、半導体ウエハ等の表面位置を同一平面位置で保持し
たまま半導体ウエハ等を回転させるウエハ支持テーブル
を設けるのが好ましい。
In the defect inspection apparatus according to the present invention having the above-described configuration, it is preferable to provide a display device for displaying an image of the test object captured by the low-magnification imager and the high-magnification imager. Further, the object to be inspected is a semiconductor wafer or the like, and the illumination optical system is configured to irradiate the surface of the semiconductor wafer or the like with a light beam from a light source at a large incident angle as a parallel light beam. It is preferable to provide a wafer support table for rotating a semiconductor wafer or the like while holding the wafer at the same plane position.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
ましい実施形態について説明する。図1に本発明を適用
した欠陥検査装置の第1の実施形態を示している。な
お、説明の容易化のため、図1において紙面に垂直な方
向をY方向とし、矢印XおよびZで示すように、左右に
延びる方向をX方向、上下に延びる方向をZ方向とす
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a first embodiment of a defect inspection apparatus to which the present invention is applied. For simplicity of description, a direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1 is defined as a Y direction, a direction extending left and right is defined as an X direction, and a direction extending vertically is defined as a Z direction, as indicated by arrows X and Z.

【0021】この欠陥検査装置は、チャンバー1内に、
照明光学系10と、低倍率検査ユニット20と、高倍率
検査ユニット30と、被検物体となるウエハWを載置保
持するウエハ支持テーブル50とを備えて構成される。
チャンバー1にはウエハWを搬入出するための開閉扉2
により開閉される開口1aが形成されており、不図示の
搬送装置、例えば、ロボットアームなどによりウエハ支
持テーブル50上へのウエハWの搬入出が行われるよう
になっている。なお、表面検査が行われるときには開閉
扉2により開口1aが閉じられ、外部からの迷光を遮断
して効率の良い検査を可能としている。
This defect inspection apparatus includes:
It comprises an illumination optical system 10, a low-magnification inspection unit 20, a high-magnification inspection unit 30, and a wafer support table 50 for mounting and holding a wafer W to be inspected.
Opening / closing door 2 for loading / unloading wafer W into / from chamber 1
An opening 1a which is opened / closed is formed, so that a wafer W can be loaded and unloaded onto the wafer support table 50 by a transfer device (not shown) such as a robot arm. In addition, when the surface inspection is performed, the opening 1a is closed by the opening / closing door 2, so that stray light from the outside is blocked, thereby enabling an efficient inspection.

【0022】ウエハWは図示のように検査表面が上方を
向くようにしてウエハ支持テーブル50の上に水平に載
置されて真空吸着等により固定保持される。このウエハ
支持テーブル50は駆動機構51により水平面内で回転
可能で、ウエハWは検査表面が同一水平面上に位置した
まま回転されるようになっている。
The wafer W is placed horizontally on the wafer support table 50 with the inspection surface facing upward as shown in the figure, and is fixed and held by vacuum suction or the like. The wafer support table 50 is rotatable in a horizontal plane by a drive mechanism 51, and the wafer W is rotated while the inspection surface is located on the same horizontal plane.

【0023】照明光学系10は、ハロゲンランプやメタ
ルハライドランプなどの光源を収納するとともに、レン
ズ、交換可能な波長選択フィルタを備えたランプハウス
11を備えており、特定の波長域の光のみを利用できる
ようになっている。ランプハウス11からの光はライト
ガイド12を介して、ウエハWを入射角度80度〜90
度で照明する。ライトガイド12の射出側端面12aの
形状は、紙面に直角な方向(Y方向)が長く、この長手
方向に直角な方向が短いスリット状である。ライトガイ
ド12の射出側端面12aから射出されるスリット状光
束は、シリンドリカルレンズ3にてスリットの短手方向
の面内でほぼ平行な光にされる。これにより、ライトガ
イド12の端面12aから射出された光が効率良くウエ
ハ全面を照明する。このように入射角度が80度〜90
度と大きいので、シリンドリカルレンズ13の短手方向
の長さを短く出来る。
The illumination optical system 10 houses a light source such as a halogen lamp or a metal halide lamp, and includes a lamp house 11 having a lens and an exchangeable wavelength selection filter, and uses only light in a specific wavelength range. I can do it. The light from the lamp house 11 passes through the light guide 12 and strikes the wafer W at an incident angle of 80 to 90 degrees.
Light in degrees. The shape of the exit side end surface 12a of the light guide 12 is a slit shape in which the direction perpendicular to the paper surface (Y direction) is long and the direction perpendicular to the longitudinal direction is short. The slit-shaped light beam emitted from the emission-side end surface 12a of the light guide 12 is converted by the cylindrical lens 3 into substantially parallel light in a plane in the short direction of the slit. Thus, the light emitted from the end surface 12a of the light guide 12 efficiently illuminates the entire surface of the wafer. Thus, the incident angle is 80 degrees to 90 degrees.
Since it is large, the length of the cylindrical lens 13 in the lateral direction can be reduced.

【0024】このようにして照明光学系10からの光照
射を受けたとき、ウエハWの表面に異物、傷などの欠陥
がある場合は散乱光が生じる。この散乱光は、ウエハ支
持テーブル50の上方にこれと対向して配設された集光
レンズ5(特許請求の範囲の集光光学系に該当)で受光
される。この集光レンズ5の光軸はウエハWの法線と平
行である。
When light is irradiated from the illumination optical system 10 as described above, if there is a defect such as a foreign matter or a scratch on the surface of the wafer W, scattered light is generated. The scattered light is received by a condenser lens 5 (corresponding to a condenser optical system in the claims) disposed above and opposed to the wafer support table 50. The optical axis of the condenser lens 5 is parallel to the normal line of the wafer W.

【0025】集光レンズ5の上方に低倍率検査ユニット
20および高倍率検査ユニット30が並んで配設されて
いる。低倍率検査ユニット20は低倍率結像レンズ21
および低倍率撮像素子22から構成され、高倍率検査ユ
ニット30は高倍率結像レンズ31および高倍率撮像素
子32から構成され、集光レンズ5のほぼ焦点面内の位
置に、結像レンズ21,31の入射瞳が位置するように
両検査ユニット20,30が配設されている。すなわ
ち、集光レンズ5および上記量検査ユニット20,30
からなる光学系は、物体側がテレセントリックな光学系
となっている。
A low-magnification inspection unit 20 and a high-magnification inspection unit 30 are arranged above the condenser lens 5 side by side. The low-magnification inspection unit 20 includes a low-magnification imaging lens 21.
The high-magnification inspection unit 30 is composed of a high-magnification imaging lens 31 and a high-magnification imaging element 32. The imaging lens 21, Both inspection units 20 and 30 are arranged such that 31 entrance pupils are located. That is, the condenser lens 5 and the quantity inspection units 20 and 30
Is an optical system whose object side is telecentric.

【0026】低倍率検査ユニット20は集光レンズ5の
中心光軸と同軸上に中心光軸を有するように配設されて
おり、ウエハWのほぼ法線方向に散乱された光のみが、
結像レンズ21を介して集光され、散乱光による異物、
傷の像が低倍率撮像素子22に結像される。また、ウエ
ハWの法線から見込んだある決まった角度方向に散乱さ
れた光のみが、結像レンズ21を介して集光され、散乱
光による異物、傷の像が撮像素子22に結像される。
The low-magnification inspection unit 20 is disposed so as to have a central optical axis coaxially with the central optical axis of the condenser lens 5, and only the light scattered substantially in the normal direction of the wafer W is provided.
Foreign matter collected by the imaging lens 21 and scattered light,
An image of the flaw is formed on the low-magnification image sensor 22. Further, only the light scattered in a predetermined angle direction viewed from the normal line of the wafer W is condensed through the imaging lens 21, and the image of the foreign matter and the flaw due to the scattered light is formed on the image sensor 22. You.

【0027】この時、ウエハWに繰り返しパターンが形
成さていれば、繰り返しパターンにより生じる回折光が
受光光学系に混入しないように、テーブル回転駆動装置
51によりウエハ支持テーブル50が適宜回転される。
同一のパターンがウエハWにくまなく形成されている場
合、回折光の回折角度はウエハWのどの位置でも同じと
なり、ウエハWを回転させた場合、一様に回折角度が変
わる。非テレセントリックな光学系の場合、受光光学系
で集光される散乱光の角度がウエハ上の位置により異な
るので、ウエハWを回転させてもウエハWの一部の領域
で混入が残る事がある。故に、本例のようにテレセント
リックな光学系の方が好都合である。なお、集光光学系
として、集光レンズ5に代えて球面反射鏡等の反射光学
素子を用いても良く、これついては後述する。
At this time, if a repetitive pattern is formed on the wafer W, the wafer support table 50 is appropriately rotated by the table rotation driving device 51 so that the diffracted light generated by the repetitive pattern does not enter the light receiving optical system.
When the same pattern is formed all over the wafer W, the diffraction angle of the diffracted light becomes the same at any position on the wafer W, and when the wafer W is rotated, the diffraction angle changes uniformly. In the case of a non-telecentric optical system, the angle of the scattered light condensed by the light receiving optical system differs depending on the position on the wafer, so that even if the wafer W is rotated, the mixture may remain in a part of the wafer W. . Therefore, a telecentric optical system as in this example is more convenient. In addition, as the light collecting optical system, a reflecting optical element such as a spherical reflecting mirror may be used in place of the light collecting lens 5, which will be described later.

【0028】撮像素子22,32は二次元センサであ
り、例えばCCDから構成される。低倍率撮像素子22
ではウエハWの表面全域を撮像する事が出来るように、
低倍率結像レンズ21の焦点距離および低倍率撮像素子
22の大きさが設定されている。これに対し、高倍率撮
像素子32では、低倍率撮像素子22で取り込める範囲
の所定部位を拡大した像が得られるように高倍率結像レ
ンズ31の焦点距離および高倍率撮像素子32の大きさ
が設定されている。更に、両結像レンズ21,31は固
定焦点距離のレンズに限られる事無く、ズームレンズや
バリフォーカルレンズにしても良く、検査対象となる異
物、傷の大きさに合わせて倍率を変える事で効率的な検
査が可能となる。
The image pickup devices 22 and 32 are two-dimensional sensors, for example, CCDs. Low magnification image sensor 22
In order to be able to image the entire surface of the wafer W,
The focal length of the low-magnification imaging lens 21 and the size of the low-magnification image sensor 22 are set. On the other hand, in the high-magnification imaging device 32, the focal length of the high-magnification imaging lens 31 and the size of the high-magnification imaging device 32 are adjusted so that an image obtained by enlarging a predetermined portion of the range that can be captured by the low-magnification imaging device 22 is obtained. Is set. Further, the two imaging lenses 21 and 31 are not limited to lenses having a fixed focal length, but may be zoom lenses or varifocal lenses. The magnification can be changed according to the size of a foreign object or a flaw to be inspected. Efficient inspection becomes possible.

【0029】ここで高倍率検査ユニット30は、高倍率
結像レンズ31および高倍率撮像素子32を一体に保持
したユニットケース33と、揺動アクチュエータ34と
から構成される。そして、高倍率結像レンズ31の入射
瞳の中央を中心として全方位(360度)に揺動自在な
ようにユニットケース33が球面ブッシュ等を介して支
持されており、揺動アクチュエータ34により揺動制御
されるように構成されている。この揺動制御により高倍
率検査ユニット30の光軸方向を任意に可変設定可能で
あり、これにより、高倍率撮像素子32によりウエハW
の表面における任意の部分を拡大して撮影可能である。
The high-magnification inspection unit 30 includes a unit case 33 integrally holding a high-magnification imaging lens 31 and a high-magnification image sensor 32, and a swing actuator. The unit case 33 is supported via a spherical bush or the like so as to be swingable in all directions (360 degrees) around the center of the entrance pupil of the high-magnification imaging lens 31. It is configured to be dynamically controlled. By this swing control, the optical axis direction of the high-magnification inspection unit 30 can be arbitrarily set variably.
It is possible to enlarge an arbitrary portion on the surface of the camera and photograph it.

【0030】両撮像素子22,32により撮影された画
像信号は、CRTや液晶パネルディスプレイ等からなる
表示装置41に送られて、ここで撮像された異物、傷な
どの欠陥の像を表示する。このとき、表示装置41の画
面上に、撮像素子22,32からの画像を切り替えて表
示する事が出来る。表示装置41に繋がって画像処理装
置42が設けられており、この画像処理装置42は撮像
素子22,32で取り込んだ画像の処理を行い、欠陥の
位置、大きさなどの情報を表示装置41並びに演算装置
43に送る。このため、表示装置41はこれらの欠陥情
報も表示することができる。
The image signals picked up by the two image pickup devices 22 and 32 are sent to a display device 41 composed of a CRT, a liquid crystal panel display or the like, where the image of a defect such as a foreign substance or a scratch is displayed. At this time, the images from the image sensors 22 and 32 can be switched and displayed on the screen of the display device 41. An image processing device 42 is provided so as to be connected to the display device 41. The image processing device 42 processes the image captured by the imaging elements 22 and 32, and displays information such as the position and size of a defect on the display device 41 and the display device 41. It is sent to the arithmetic unit 43. Therefore, the display device 41 can also display such defect information.

【0031】なお、演算装置43から駆動機構51に作
動制御信号を送ってウエハ支持テーブル50の回転駆動
を制御し、さらに、揺動制御装置45に制御信号を送っ
て揺動アクチュエータ34による高倍率検査ユニット3
0の揺動制御を行う。
The operation control signal is sent from the arithmetic unit 43 to the drive mechanism 51 to control the rotational drive of the wafer support table 50, and further, a control signal is sent to the swing control unit 45 to increase the high magnification by the swing actuator 34. Inspection unit 3
The swing control of 0 is performed.

【0032】次に、上記構成の検査装置により、ウエハ
Wの表面を一括検査してから欠陥部分を拡大観察する手
順について図3のフローチャートを参照して説明する。
まず、低倍率検査ユニット20によりウエハWの表面全
体の散乱光に基づく画像を撮影し、その像を表示装置4
1に表示する(ステップS1)。これと同時に画像処理
装置42が表面欠陥を検出し(ステップS2)、その位
置、大きさを計算してその情報を表示装置41と演算装
置43に送る(ステップS3)。これを受けて表示装置
41はウエハ全体の画像上に先の情報を表示する(ステ
ップS4)。一方、演算装置43は、画像処理装置42
から送られた欠陥の位置から、欠陥部分が高倍率撮像素
子32で取り込める視野に入るようにするために必要と
される高倍率検査ユニット34の揺動方向および揺動量
を計算し、その情報を揺動制御装置45に伝える(ステ
ップS5)。揺動制御装置45はこの情報に基づいて揺
動アクチュエータ34を駆動し(ステップS6)、高倍
率撮像素子32により欠陥部分を拡大した画像を撮影
し、このように撮影された欠陥部分の拡大画像が表示装
置41に表示される(ステップS7)。このとき、高倍
率結像レンズ31がズームレンズであれば、欠陥の大き
さに合わせた倍率に変更される。
Next, a procedure for performing a collective inspection of the surface of the wafer W and then observing a defective portion with the inspection apparatus having the above configuration will be described with reference to a flowchart of FIG.
First, an image based on the scattered light of the entire surface of the wafer W is photographed by the low-magnification inspection unit 20, and the image is displayed on the display device 4.
1 (step S1). At the same time, the image processing device 42 detects a surface defect (step S2), calculates its position and size, and sends the information to the display device 41 and the arithmetic device 43 (step S3). In response to this, the display device 41 displays the preceding information on the image of the entire wafer (step S4). On the other hand, the arithmetic unit 43 includes the image processing unit 42
The swing direction and swing amount of the high-magnification inspection unit 34 required to bring the defect portion into the field of view that can be captured by the high-magnification image sensor 32 are calculated from the position of the defect sent from The information is transmitted to the swing control device 45 (step S5). The swing control device 45 drives the swing actuator 34 based on this information (step S6), captures an image of the defective portion enlarged by the high-magnification image sensor 32, and enlarges the defective portion thus captured. Is displayed on the display device 41 (step S7). At this time, if the high-magnification imaging lens 31 is a zoom lens, the magnification is changed according to the size of the defect.

【0033】次に、小さい欠陥を検出する手順について
図4のフローチャートを参照して説明する。この場合に
は、まず高倍率検査ユニット30により小さな欠陥の検
査を行い、欠陥検出後に低倍率検査ユニット20により
全体表示を行うような検査手順としている。このためま
ず、高倍率撮像素子32により撮影される拡大像の視野
の大きさから、演算装置43においてウエハW上の領域
をn個の領域に分割し(ステップS11)、そのうちの
所定の領域を撮像するのに必要な高倍率検査ユニット3
0の揺動量を計算し、その情報を揺動制御装置45に伝
える(ステップS12)。揺動制御装置45はこの情報
に基づいて揺動アクチュエータ34を駆動し(ステップ
S13)、高倍率撮像素子32により上記所定領域の拡
大画像を撮影し、これを表示装置10に表示させる(ス
テップS14)。このようにすれば、低倍率検査ユニッ
ト20によりウエハ表面の全体像による検査を行う場合
より撮像分解能が上がるので、より小さい欠陥の検出が
可能となる。
Next, a procedure for detecting a small defect will be described with reference to the flowchart of FIG. In this case, the inspection procedure is such that small defects are first inspected by the high magnification inspection unit 30 and whole display is performed by the low magnification inspection unit 20 after the defect is detected. For this reason, first, based on the size of the field of view of the enlarged image captured by the high-magnification image sensor 32, the region on the wafer W is divided into n regions by the arithmetic unit 43 (step S11), and a predetermined region is High magnification inspection unit 3 necessary for imaging
The swing amount of 0 is calculated, and the information is transmitted to the swing control device 45 (step S12). The swing control device 45 drives the swing actuator 34 based on this information (step S13), captures an enlarged image of the predetermined area with the high-magnification image sensor 32, and displays this on the display device 10 (step S14). ). In this case, the imaging resolution is higher than in the case where the inspection with the whole image of the wafer surface is performed by the low-magnification inspection unit 20, so that a smaller defect can be detected.

【0034】ここで画像処理装置42が画像処理を行
い、欠陥を検出した場合、その位置、大きさを計算して
その情報を記憶する(ステップS15)。次に、ステッ
プS16からステップS12に戻り、演算装置43が次
の検査領域に移動する為の高倍率検査ユニット30の揺
動量を計算し、その量を揺動制御装置45に伝える。こ
れにより揺動制御装置45は揺動アクチュエータ34の
揺動を制御して高倍率検査ユニット30を揺動させ、次
の検査領域を高倍率撮像素子32により撮影し、上述と
同様の欠陥検査処理を行う。この操作をn個の領域全て
にわたって(すなわち、ウエハWの全表面にわたって)
行う。
Here, when the image processing device 42 performs image processing and detects a defect, the position and size are calculated and the information is stored (step S15). Next, returning from step S16 to step S12, the arithmetic unit 43 calculates the swing amount of the high-magnification inspection unit 30 for moving to the next inspection area, and transmits the calculated amount to the swing control unit 45. Thereby, the swing control device 45 controls the swing of the swing actuator 34 to swing the high-magnification inspection unit 30, and photographs the next inspection area by the high-magnification image sensor 32, and performs the same defect inspection processing as described above. I do. This operation is performed over all n regions (that is, over the entire surface of the wafer W).
Do.

【0035】ステップS16において全領域にわたる検
査が完了したと判断されたときには、ステップS17に
進み、表示装置41において低倍率撮像素子22からの
画像に切り替えてウエハWの表面全体の画像を表示し、
ここで画像処理装置42が、記憶していた欠陥の位置、
大きさを表示装置41に送り、ウエハ全体の画像上に先
の情報を表示する(ステップS18)。更に欠陥部分を
拡大観察したい場合は、ここで欠陥部分の拡大像に切り
換え、高倍率結像レンズ31がズームレンズであれば、
欠陥の大きさに合わせた倍率に変更される。
When it is determined in step S16 that the inspection over the entire area has been completed, the process proceeds to step S17, where the display device 41 switches to the image from the low-magnification image sensor 22 to display the image of the entire surface of the wafer W,
Here, the position of the defect stored by the image processing device 42,
The size is sent to the display device 41, and the preceding information is displayed on the image of the entire wafer (step S18). If it is desired to further observe the defective portion, the display is switched to an enlarged image of the defective portion. If the high-magnification imaging lens 31 is a zoom lens,
The magnification is changed according to the size of the defect.

【0036】次に、本発明の第2の実施形態に係る欠陥
検査装置について、図2を参照して説明する。なお、こ
の実施形態において上述した第1実施形態と同じ部分に
は第1実施形態と同一の符号を用いて説明する。本実施
形態においては、特許請求の範囲の集光光学系を構成す
る第1実施形態における集光レンズ5を、凹面の球面反
射鏡8で置き換えている。第1実施形態の様に屈折レン
ズからなる大口径の集光レンズ5を用いると装置が大型
化するため、本実施形態においては球面反射鏡8からな
る反射型の光学素子を集光光学系として用いる事で装置
を小型化している。また、球面反射鏡なので色収差の発
生が無く、好都合である。
Next, a defect inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the same parts as those in the first embodiment will be described using the same reference numerals as those in the first embodiment. In the present embodiment, the condensing lens 5 in the first embodiment constituting the condensing optical system according to the claims is replaced by a concave spherical reflecting mirror 8. The use of a large-diameter condenser lens 5 composed of a refractive lens as in the first embodiment increases the size of the apparatus. Therefore, in this embodiment, a reflection-type optical element composed of a spherical reflecting mirror 8 is used as a condenser optical system. The size of the device is reduced by using it. Also, since it is a spherical reflecting mirror, no chromatic aberration occurs, which is convenient.

【0037】この欠陥検査装置も、開閉扉2により開閉
される開口1aが形成されたチャンバー1内に、照明光
学系10と、低倍率検査ユニット20と、高倍率検査ユ
ニット30と、被検物体となるウエハWを載置保持する
ウエハ支持テーブル50とを備えて構成される。但し、
この装置では、図示のように、ウエハ支持テーブル50
の上方に集光レンズ5に代えて球面反射鏡8を配設して
いる。ウエハWは検査表面が上方を向くようにしてウエ
ハ支持テーブル50の上に水平に載置されて真空吸着等
により固定保持されるが、このウエハ支持テーブル50
は駆動機構51により水平面内で回転可能である。
This defect inspection apparatus also includes an illumination optical system 10, a low-magnification inspection unit 20, a high-magnification inspection unit 30, and an object to be inspected in a chamber 1 having an opening 1a opened and closed by an opening and closing door 2. And a wafer support table 50 for mounting and holding a wafer W to be formed. However,
In this apparatus, as shown in FIG.
Above, a spherical reflecting mirror 8 is provided in place of the condenser lens 5. The wafer W is placed horizontally on the wafer support table 50 so that the inspection surface faces upward, and is fixed and held by vacuum suction or the like.
Is rotatable in a horizontal plane by a drive mechanism 51.

【0038】照明光学系10は、ハロゲンランプやメタ
ルハライドランプなどの光源を収納するとともに、レン
ズ、交換可能な波長選択フィルタを備えたランプハウス
11を備え、このランプハウス11からの光はライトガ
イド12を介して、ウエハWを入射角度80度〜90度
で照明する。ライトガイド12の射出側端面12aの形
状は、紙面に直角な方向(Y方向)が長いスリット状で
あり、ライトガイド12の射出側端面12aから射出さ
れるスリット状光束はシリンドリカルレンズ13にてス
リットの短手方向の面内でほぼ平行な光にされ、ライト
ガイド12の端面12aから射出された光が効率良くウ
エハ全面を照明する。
The illumination optical system 10 accommodates a light source such as a halogen lamp or a metal halide lamp, and includes a lamp house 11 having a lens and an exchangeable wavelength selection filter. , The wafer W is illuminated at an incident angle of 80 to 90 degrees. The exit side end face 12a of the light guide 12 is shaped like a slit whose direction perpendicular to the plane of the drawing (Y direction) is long. , And the light emitted from the end face 12a of the light guide 12 efficiently illuminates the entire surface of the wafer.

【0039】このようにして照明光学系10からの光照
射を受けたとき、ウエハWの表面に異物、傷などの欠陥
がある場合は散乱光が生じ、この散乱光は、ウエハ支持
テーブル50の上方にこれと対向して配設された球面反
射鏡8に受光されて反射され、集光される。
When light is irradiated from the illumination optical system 10 as described above, if there is a defect such as a foreign matter or a scratch on the surface of the wafer W, scattered light is generated. The light is received, reflected, and condensed by the spherical reflecting mirror 8 disposed above and opposed thereto.

【0040】このように球面反射鏡8により反射されて
集光された光を受ける位置に低倍率検査ユニット20お
よび高倍率検査ユニット30が並んで配設されている。
低倍率検査ユニット20は低倍率結像レンズ21および
低倍率撮像素子22から構成され、高倍率検査ユニット
30は高倍率結像レンズ31および高倍率撮像素子32
から構成され、球面反射鏡8のほぼ焦点面内の位置に、
結像レンズ21,31の入射瞳が位置するように両検査
ユニット20,30が配設されている。すなわち、この
装置においては球面反射鏡8および上記量検査ユニット
20,30からなる光学系は、物体側がテレセントリッ
クな光学系となっている。
The low-magnification inspection unit 20 and the high-magnification inspection unit 30 are arranged side by side at the position where the light reflected and condensed by the spherical reflecting mirror 8 is received.
The low-magnification inspection unit 20 includes a low-magnification imaging lens 21 and a low-magnification imaging device 22, and the high-magnification inspection unit 30 includes a high-magnification imaging lens 31 and a high-magnification imaging device 32.
And at a position substantially within the focal plane of the spherical reflecting mirror 8,
Both inspection units 20 and 30 are arranged so that the entrance pupils of the imaging lenses 21 and 31 are located. That is, in this apparatus, the optical system including the spherical reflecting mirror 8 and the quantity inspection units 20 and 30 is an optical system whose object side is telecentric.

【0041】低倍率検査ユニット20は球面反射鏡8の
中心光軸を挟んでウエハWの中心法線軸と対象となる光
軸を有するように配設されており、ウエハWからほぼ法
線方向に散乱された光のみが、結像レンズ21を介して
集光され、散乱光による異物、傷の像が低倍率撮像素子
22に結像される。また、ウエハWの法線から見込んだ
ある決まった角度方向に散乱された光のみが、結像レン
ズ31を介して集光され、散乱光による異物、傷の像が
撮像素子32に結像される。この時、ウエハWに繰り返
しパターンが形成さていれば、繰り返しパターンにより
生じる回折光が受光光学系に混入しないように、ウエハ
支持テーブル50が適宜回転される。
The low-magnification inspection unit 20 is disposed so as to have the center normal axis of the wafer W and the target optical axis with the center optical axis of the spherical reflecting mirror 8 interposed therebetween, and to be almost normal to the wafer W. Only the scattered light is condensed through the imaging lens 21, and an image of a foreign substance or a flaw due to the scattered light is formed on the low-magnification image sensor 22. Further, only the light scattered in a predetermined angular direction viewed from the normal line of the wafer W is condensed through the imaging lens 31, and an image of a foreign substance or a flaw due to the scattered light is formed on the image sensor 32. You. At this time, if a repetitive pattern is formed on the wafer W, the wafer support table 50 is appropriately rotated so that diffracted light generated by the repetitive pattern does not enter the light receiving optical system.

【0042】撮像素子22,32は例えばCCDから構
成され、低倍率撮像素子22ではウエハWの表面全域を
撮像するように、また、高倍率撮像素子32では、低倍
率撮像素子22で取り込める範囲の所定部位を拡大した
像が得られるように設定されている。なお、結像レンズ
21もしくは31をズームレンズやバリフォーカルレン
ズにしても良く、検査対象となる異物、傷の大きさに合
わせて倍率を変える事で効率的な検査が可能となる。
The imaging elements 22 and 32 are, for example, CCDs. The low-magnification imaging element 22 captures an image of the entire surface of the wafer W. The high-magnification imaging element 32 has a range that can be captured by the low-magnification imaging element 22. The setting is such that an image obtained by enlarging a predetermined portion is obtained. Note that the imaging lens 21 or 31 may be a zoom lens or a varifocal lens, and efficient inspection can be performed by changing the magnification according to the size of a foreign object or a flaw to be inspected.

【0043】高倍率検査ユニット30は、高倍率結像レ
ンズ31の入射瞳の中央を中心として全方位(360
度)に揺動自在なようにユニットケース33が球面ブッ
シュ等を介して支持されており、揺動アクチュエータ3
4により揺動制御されるように構成されている。この揺
動制御により高倍率検査ユニット30の光軸方向を任意
に可変設定可能であり、これにより、高倍率撮像素子3
2によりウエハWの表面における任意の部分を拡大して
撮影可能である。
The high-magnification inspection unit 30 is omnidirectional (360) around the center of the entrance pupil of the high-magnification imaging lens 31.
The unit case 33 is supported via a spherical bush or the like so as to be swingable in degrees.
4 is configured to be controlled to swing. By the swing control, the optical axis direction of the high-magnification inspection unit 30 can be arbitrarily set variably.
2, an arbitrary portion on the surface of the wafer W can be enlarged and photographed.

【0044】両撮像素子22,32により撮影された画
像信号は、CRTや液晶パネルディスプレイ等からなる
表示装置41に送られて、ここで撮像された異物、傷な
どの欠陥の像を表示する。表示装置41に繋がって画像
処理装置42が設けられており、この画像処理装置42
は撮像素子22,32で取り込んだ画像の処理を行い、
欠陥の位置、大きさなどの情報を表示装置41並びに演
算装置43に送る。このため、表示装置41はこれらの
欠陥情報も表示することができる。
The image signals photographed by the two image pickup devices 22 and 32 are sent to a display device 41 composed of a CRT, a liquid crystal panel display, or the like, where the image of a defect such as a foreign substance or a scratch is displayed. An image processing device 42 is provided so as to be connected to the display device 41.
Performs processing of the image captured by the imaging devices 22 and 32,
Information such as the position and size of the defect is sent to the display device 41 and the arithmetic device 43. Therefore, the display device 41 can also display such defect information.

【0045】なお、演算装置43から駆動機構51に作
動制御信号を送ってウエハ支持テーブル50の回転駆動
を制御し、さらに、揺動制御装置45に制御信号を送っ
て揺動アクチュエータ34による高倍率検査ユニット3
0の揺動制御を行う。
The rotation control of the wafer support table 50 is controlled by sending an operation control signal from the arithmetic unit 43 to the drive mechanism 51, and a control signal is sent to the swing control unit 45 to increase the high magnification by the swing actuator 34. Inspection unit 3
The swing control of 0 is performed.

【0046】次に、上記構成の検査装置により、ウエハ
Wの表面を一括検査してから欠陥部分を拡大観察する手
順は図1の装置の場合と同様であり、これについて簡単
に説明する。まず、低倍率検査ユニット20によりウエ
ハWの表面全体の散乱光に基づく画像を表示装置41に
表示し、同時に画像処理装置42が表面欠陥を検出し、
その情報を表示装置41と演算装置43に送る。これを
受けて表示装置41はウエハ全体の画像上に先の情報を
表示し、演算装置43は欠陥部分が高倍率撮像素子32
で取り込める視野に入るようにするために必要とされる
高倍率検査ユニット34の揺動方向および揺動量を計算
し、その情報を揺動制御装置45に伝える。揺動制御装
置45はこの情報に基づいて揺動アクチュエータ34を
駆動し、高倍率撮像素子32により欠陥部分を拡大した
画像を撮影し、このように撮影された欠陥部分の拡大画
像が表示装置41に表示される。
Next, the procedure of performing a collective inspection of the surface of the wafer W and then observing the defective portion by the inspection apparatus having the above-described configuration is the same as that of the apparatus shown in FIG. 1, and this will be briefly described. First, the low magnification inspection unit 20 displays an image based on the scattered light of the entire surface of the wafer W on the display device 41, and at the same time, the image processing device 42 detects a surface defect,
The information is sent to the display device 41 and the arithmetic device 43. In response to this, the display device 41 displays the previous information on the image of the entire wafer, and the arithmetic device 43 indicates that the defective portion has a high-magnification image sensor 32.
The swing direction and the swing amount of the high-magnification inspection unit 34 required to enter the field of view that can be captured by the camera are calculated, and the information is transmitted to the swing control device 45. The swing control device 45 drives the swing actuator 34 based on this information, takes an image of the defective portion enlarged by the high-magnification image sensor 32, and displays the enlarged image of the defective portion thus taken on the display device 41. Will be displayed.

【0047】次に、小さい欠陥を検出する手順について
も簡単に述べる。まず、演算装置43においてウエハW
上の領域をn個の領域に分割し、そのうちの所定の領域
を撮像するのに必要な高倍率検査ユニット30の揺動量
を計算し、その情報を揺動制御装置45に伝える。揺動
制御装置45はこの情報に基づいて揺動アクチュエータ
34を駆動し、高倍率撮像素子32により上記所定領域
の拡大画像を撮影し、これを表示装置10に表示させ
る。ここで画像処理装置42の画像処理により欠陥を検
出した場合には、その情報を記憶する。
Next, a procedure for detecting a small defect will be briefly described. First, in the arithmetic unit 43, the wafer W
The upper region is divided into n regions, the amount of swing of the high-magnification inspection unit 30 required to image a predetermined region is calculated, and the information is transmitted to the swing controller 45. The swing control device 45 drives the swing actuator 34 based on this information, captures an enlarged image of the predetermined area by the high-magnification image sensor 32, and causes the display device 10 to display the enlarged image. If a defect is detected by the image processing of the image processing device 42, the information is stored.

【0048】次に、演算装置43が次の検査領域に移動
する為の高倍率検査ユニット30の揺動量を計算し、揺
動制御装置45は揺動アクチュエータ34の揺動を制御
して高倍率検査ユニット30を揺動させ、次の検査領域
を高倍率撮像素子32により撮影し、上述と同様の欠陥
検査処理を行う。この操作をn個の領域全てにわたって
(すなわち、ウエハWの全表面にわたって)行う。
Next, the arithmetic unit 43 calculates the swing amount of the high-magnification inspection unit 30 for moving to the next inspection area, and the swing control unit 45 controls the swing of the swing actuator 34 to control the high-magnification. The inspection unit 30 is rocked, the next inspection area is photographed by the high-magnification image sensor 32, and the same defect inspection processing as described above is performed. This operation is performed over all n regions (that is, over the entire surface of the wafer W).

【0049】その後、表示装置41において低倍率撮像
素子22からの画像に切り替えてウエハWの表面全体の
画像を表示し、ここで画像処理装置42が、記憶してい
た欠陥の情報を表示装置41に送り、ウエハ全体の画像
上に先の情報を表示する。更に欠陥部分を拡大観察した
い場合は、ここで欠陥部分の拡大像に切り換え、高倍率
結像レンズ31がズームレンズであれば、欠陥の大きさ
に合わせた倍率に変更される。
Thereafter, the display device 41 switches to the image from the low-magnification image sensor 22 to display an image of the entire surface of the wafer W. Here, the image processing device 42 displays the stored defect information on the display device 41. To display the preceding information on the image of the entire wafer. If the defect portion is to be further magnified and observed, the image is switched to an enlarged image of the defect portion. If the high-magnification imaging lens 31 is a zoom lens, the magnification is changed to the size of the defect.

【0050】以上説明した第1及び第2の実施形態に係
る欠陥検査装置においては、高倍率検査ユニット30を
高倍率結像レンズ31の入射瞳の中央を中心として全方
位に(二次元的に)揺動自在に構成しているが、低倍率
検査ユニット20について同様な構成を用いても良い。
これは特に、ウエハWのサイズが大きく低倍率検査ユニ
ット20でウエハWの前面を一度に撮影することが難し
いような場合に適している。
In the defect inspection apparatuses according to the first and second embodiments described above, the high-magnification inspection unit 30 is omnidirectionally (two-dimensionally) centered on the center of the entrance pupil of the high-magnification imaging lens 31. ) Although it is configured to be swingable, a similar configuration may be used for the low magnification inspection unit 20.
This is particularly suitable when the size of the wafer W is large and it is difficult to image the front surface of the wafer W at once with the low magnification inspection unit 20.

【0051】また、高倍率検査ユニット30を高倍率結
像レンズ31の入射瞳の中央を中心として一次元的に、
すなわち光軸を含む所定面内において揺動自在となし、
ウエハ支持テーブル50を上記所定面と直交する面内に
おいてウエハ面方向に直線移動自在とするような構成と
しても良い。これにより、高倍率検査ユニット30の一
次元揺動とウエハ支持テーブル50の直線移動とを制御
して、ウエハWの全面の任意の部位を高倍率撮像素子3
2により撮影することができる。この場合、高倍率検査
ユニット30の揺動およびウエハ支持テーブル50も直
線移動はそれぞれ一次元的な移動であるため、その機構
および作動制御が簡単である。また、高倍率検査ユニッ
ト30を高倍率結像レンズ31の光軸がウエハ支持テー
ブル50のテーブル面に鉛直となるように固定的に設
け、そのテーブル50を二次元的に移動させるように制
御しても良い。
The high-magnification inspection unit 30 is one-dimensionally centered on the center of the entrance pupil of the high-magnification imaging lens 31,
That is, it can be swung in a predetermined plane including the optical axis,
The wafer support table 50 may be configured to be linearly movable in the direction of the wafer surface in a plane orthogonal to the predetermined plane. Thereby, the one-dimensional swing of the high-magnification inspection unit 30 and the linear movement of the wafer support table 50 are controlled, and an arbitrary portion on the entire surface of the wafer W is moved to the high-magnification image sensor 3.
2 can be taken. In this case, since the swing of the high-magnification inspection unit 30 and the linear movement of the wafer support table 50 are also one-dimensional movements, the mechanism and operation control thereof are simple. The high-magnification inspection unit 30 is fixedly provided so that the optical axis of the high-magnification imaging lens 31 is perpendicular to the table surface of the wafer support table 50, and is controlled so as to move the table 50 two-dimensionally. May be.

【0052】なお、以上説明した欠陥検査装置では、ウ
エハ表面を照明したときにウエハ表面から出てくる散乱
光に基づいて欠陥検査を行っているが、ウエハ表面から
の回折光もしくは正反射光に基づいて欠陥検査を行うよ
うにしても良い。
In the defect inspection apparatus described above, the defect inspection is performed based on the scattered light emitted from the wafer surface when the wafer surface is illuminated. The defect inspection may be performed based on the defect inspection.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上説明したように、欠陥検査装置を、
照明光学系からの照明を受けて被検物体から反射する光
に基づいて低倍率検査(マクロ検査)を行うユニット
(低倍率の受光光学系および低倍率撮像器)と、同様に
上記反射光に基づいて高倍率検査(拡大検査もしくはレ
ビュー検査)を行うユニット(高倍率の受光光学系およ
び高倍率撮像器)とを有して構成しており、装置を一体
ユニット構成にして小型、コンパクト化することができ
る。
As described above, the defect inspection apparatus is
A unit (low-magnification light-receiving optical system and low-magnification imager) that performs low-magnification inspection (macro inspection) based on light reflected from the object under illumination from the illumination optical system. And a unit (high-magnification light-receiving optical system and high-magnification imager) for performing a high-magnification inspection (magnification inspection or review inspection) based on the system. be able to.

【0054】なお、低倍率検査は被検物体の表面全体に
ついて一度に検査することも可能であるが、高倍率検査
は被検物体の表面の所定位置を検査するものである。本
発明の欠陥検査装置は、高倍率の受光光学系の被検物体
に対する視野を二次元的に移動させる視野移動装置を有
しており、この視野移動装置により高倍率受光光学系の
視野を移動させるだけで、被検物体の表面における任意
位置を簡単に拡大して検査できる。すなわち、比較的大
型で構成が複雑な被検物体を搬送する搬送装置が不要で
あり、装置全体を小型、コンパクト化できる。
Note that the low-magnification inspection can inspect the entire surface of the object at once, while the high-magnification inspection inspects a predetermined position on the surface of the object. The defect inspection apparatus of the present invention has a visual field moving device that two-dimensionally moves the visual field of the high-magnification light receiving optical system with respect to the object to be inspected, and moves the visual field of the high-magnification light receiving optical system with this visual field moving device. By simply doing so, an arbitrary position on the surface of the test object can be easily enlarged and inspected. In other words, there is no need for a transport device that transports a relatively large test object having a complicated configuration, and the entire device can be reduced in size and size.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態に係る欠陥検査装置の概
略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram of a defect inspection device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2実施形態に係る欠陥検査装置の概
略図である。
FIG. 2 is a schematic diagram of a defect inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の欠陥検査装置による検査手順を示すフ
ローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing an inspection procedure by the defect inspection apparatus of the present invention.

【図4】本発明の欠陥検査装置によるもう一つの検査手
順を示すフローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart showing another inspection procedure by the defect inspection apparatus of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 チャンバー 5 集光レンズ 8 球面反射鏡 10 照明光学系 11 ランプハウス 12 ライトガイド 13 シリンドリカルレンズ 20 低倍率検査ユニット 21 低倍率結像レンズ 22 低倍率撮像素子 30 高倍率検査ユニット 31 高倍率結像レンズ 32 高倍率撮像素子 34 揺動アクチュエータ 41 表示装置 42 画像処理装置 43 演算装置 45 揺動制御装置 50 ウエハ支持テーブル W ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chamber 5 Condensing lens 8 Spherical reflecting mirror 10 Illumination optical system 11 Lamp house 12 Light guide 13 Cylindrical lens 20 Low magnification inspection unit 21 Low magnification imaging lens 22 Low magnification imaging device 30 High magnification inspection unit 31 High magnification imaging lens Reference Signs List 32 High-magnification imaging device 34 Swing actuator 41 Display device 42 Image processing device 43 Arithmetic device 45 Swing control device 50 Wafer support table W Wafer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA49 BB02 CC17 CC19 FF04 FF42 GG02 HH12 JJ03 JJ09 JJ26 LL01 LL08 LL19 LL22 LL59 MM04 MM24 PP13 QQ24 QQ31 SS13 2G051 AA51 AB07 AC02 BB01 CB01 CB05 CC11 DA03 DA08  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2F065 AA49 BB02 CC17 CC19 FF04 FF42 GG02 HH12 JJ03 JJ09 JJ26 LL01 LL08 LL19 LL22 LL59 MM04 MM24 PP13 QQ24 QQ31 SS13 2G051 AA51 AB07 AC02 BB01 CC03 DA03 CB01 DA03

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被検物体を載置するテーブルと、光源か
らの光束を所定の入射角度で前記被検物体に照射する照
明光学系と、前記テーブル上の前記被検物体からの反射
光を受光する低倍率の受光光学系と、前記低倍率の受光
光学系により結像された前記被検物体の像を撮影する低
倍率撮像器と、前記テーブル上の同一の前記被検物体か
らの反射光を受光する高倍率の受光光学系と、前記高倍
率の受光光学系により結像された前記被検物体の像を撮
影する高倍率撮像器と、少なくとも前記高倍率の受光光
学系の前記被検物体に対する視野を二次元的に移動させ
る視野移動装置とを有し、前記低倍率撮像器および前記
高倍率撮像器により撮影された前記被検物体の画像情報
に基づいて前記被検物体の欠陥検査を行うことを特徴と
する欠陥検査装置。
1. A table on which a test object is placed, an illumination optical system for irradiating a light beam from a light source to the test object at a predetermined incident angle, and a reflected light from the test object on the table A low-magnification light-receiving optical system for receiving light, a low-magnification imager for taking an image of the test object formed by the low-magnification light-receiving optical system, and reflection from the same test object on the table A high-magnification light-receiving optical system for receiving light; a high-magnification imager for photographing an image of the test object formed by the high-magnification light-receiving optical system; A field-of-view moving device that two-dimensionally moves the field of view with respect to the inspection object; and a defect of the inspection object based on image information of the inspection object captured by the low-magnification imaging device and the high-magnification imaging device. A defect inspection device for performing an inspection.
【請求項2】 光源からの光束を所定の入射角度で被検
物体に照射する照明光学系と、前記被検物体からの反射
光を受光する低倍率の受光光学系と、前記低倍率の受光
光学系により結像された前記被検物体の像を撮影する低
倍率撮像器と、前記被検物体からの反射光を受光する高
倍率の受光光学系と、前記高倍率の受光光学系により結
像された前記被検物体の像を撮影する高倍率撮像器とを
備えて構成され、前記低倍率撮像器および前記高倍率撮
像器により撮影された前記被検物体の画像情報に基づい
て前記被検物体の欠陥検査を行う欠陥検査装置におい
て、 少なくとも前記高倍率の受光光学系の前記被検物体に対
する視野を二次元的に移動させる視野移動装置を有し、 前記被検物体からの反射光を受光して集光する集光光学
系が設けられ、前記集光光学系のほぼ焦点面内に入射瞳
が位置するように前記低倍率の受光光学系および前記高
倍率の受光光学系が配設されていることを特徴とする欠
陥検査装置。
2. An illumination optical system for irradiating a test object with a light beam from a light source at a predetermined incident angle; a low-magnification light-receiving optical system for receiving reflected light from the test object; A low-magnification imager that captures an image of the test object formed by an optical system, a high-magnification light-receiving optical system that receives reflected light from the test object, and an image formed by the high-magnification light-receiving optical system And a high-magnification imager for photographing the image of the object to be imaged. The imager is configured based on image information of the object photographed by the low-magnification imager and the high-magnification imager. In a defect inspection apparatus that performs a defect inspection of an inspection object, a defect inspection apparatus that has a field-of-view moving device that two-dimensionally moves a field of view of the high-magnification light receiving optical system with respect to the object to be inspected, A light collecting optical system for receiving and collecting light is provided. Serial condensing optical system defect inspection apparatus characterized substantially in that the low magnification of the light receiving optical system and the high magnification of the light-receiving optical system so that the incident pupil is located in the focal plane is disposed of.
【請求項3】 光源からの光束を所定の入射角度で被検
物体に照射する照明光学系と、前記被検物体からの反射
光を受光する低倍率の受光光学系と、前記低倍率の受光
光学系により結像された前記被検物体の像を撮影する低
倍率撮像器と、前記被検物体からの反射光を受光する高
倍率の受光光学系と、前記高倍率の受光光学系により結
像された前記被検物体の像を撮影する高倍率撮像器とを
備えて構成され、前記低倍率撮像器および前記高倍率撮
像器により撮影された前記被検物体の画像情報に基づい
て前記被検物体の欠陥検査を行う欠陥検査装置におい
て、 少なくとも前記高倍率の受光光学系の前記被検物体に対
する視野を二次元的に移動させる視野移動装置を有し、 前記視野移動装置が、前記高倍率の受光光学系の入射瞳
中心を中心として前記高倍率の受光光学系を二次元的に
揺動させる揺動機構を有して構成されることを特徴とす
る欠陥検査装置。
3. An illumination optical system for irradiating a test object with a light beam from a light source at a predetermined incident angle; a low-magnification light-receiving optical system for receiving light reflected from the test object; A low-magnification imager that captures an image of the test object formed by an optical system, a high-magnification light-receiving optical system that receives reflected light from the test object, and an image formed by the high-magnification light-receiving optical system And a high-magnification imager for photographing the image of the object to be imaged. The imager is configured based on image information of the object photographed by the low-magnification imager and the high-magnification imager. A defect inspection apparatus for inspecting a defect of an inspection object, comprising: a visual field moving device that two-dimensionally moves a visual field with respect to the test object of at least the high-magnification light receiving optical system; Center of the entrance pupil of the receiving optical system Defect inspection apparatus characterized by being configured with a swinging mechanism for swinging the receiving optical system of the high magnification in two dimensions.
【請求項4】 光源からの光束を所定の入射角度で被検
物体に照射する照明光学系と、前記被検物体からの反射
光を受光する低倍率の受光光学系と、前記低倍率の受光
光学系により結像された前記被検物体の像を撮影する低
倍率撮像器と、前記被検物体からの反射光を受光する高
倍率の受光光学系と、前記高倍率の受光光学系により結
像された前記被検物体の像を撮影する高倍率撮像器とを
備えて構成され、前記低倍率撮像器および前記高倍率撮
像器により撮影された前記被検物体の画像情報に基づい
て前記被検物体の欠陥検査を行う欠陥検査装置におい
て、 前記被検物体をその検査面位置を維持したまま前記検査
面内における第1の方向に一次元的に移動させる被検物
体移動装置と、少なくとも前記高倍率の受光光学系の前
記被検物体に対する視野を前記第1の方向とほぼ直交す
る第2の方向に一次元的に移動させる視野移動装置とを
有することを特徴とする欠陥検査装置。
4. An illumination optical system for irradiating a test object with a light beam from a light source at a predetermined incident angle, a low-magnification light receiving optical system for receiving light reflected from the test object, and the low-magnification light reception A low-magnification imager that captures an image of the test object formed by an optical system, a high-magnification light-receiving optical system that receives reflected light from the test object, and an image formed by the high-magnification light-receiving optical system And a high-magnification imager for photographing the image of the object to be imaged. The imager is configured based on image information of the object photographed by the low-magnification imager and the high-magnification imager. A defect inspection apparatus that performs a defect inspection of an inspection object, wherein the inspection object moving device that one-dimensionally moves the inspection object in a first direction within the inspection surface while maintaining the inspection surface position; High-magnification receiving optical system That defect inspection apparatus characterized by having a field of view moving device that moves one-dimensionally in a second direction substantially perpendicular to the first direction field.
【請求項5】 前記被検物体からの反射光を受光して集
光する集光光学系が設けられ、前記集光光学系のほぼ焦
点面内に入射瞳が位置するように前記低倍率の受光光学
系および前記高倍率の受光光学系が配設されていること
を特徴とする請求項4に記載の欠陥検査装置。
5. A condensing optical system for receiving and condensing reflected light from the test object, wherein the low-magnification optical system is arranged such that an entrance pupil is located substantially within a focal plane of the condensing optical system. The defect inspection apparatus according to claim 4, wherein a light receiving optical system and the high magnification light receiving optical system are provided.
【請求項6】 前記視野移動装置が、前記高倍率の受光
光学系の入射瞳中心を中心として前記高倍率の受光光学
系を一次元的に揺動させる揺動機構を有して構成される
ことを特徴とする請求項4もしくは5に記載の欠陥検査
装置。
6. The field-of-view moving device includes a swing mechanism that swings the high-magnification light receiving optical system one-dimensionally around a center of an entrance pupil of the high-magnification light receiving optical system. The defect inspection apparatus according to claim 4 or 5, wherein
【請求項7】 前記低倍率撮像器および前記高倍率撮像
器により撮像された前記被検物体の像を表示する表示装
置を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに
記載の欠陥検査装置。
7. The defect according to claim 1, further comprising a display device that displays an image of the test object captured by the low-magnification imager and the high-magnification imager. Inspection equipment.
【請求項8】 前記被検物体が半導体ウエハ等からな
り、前記照明光学系が前記半導体ウエハ等の表面に大き
な入射角で前記光源からの光束を平行光束にして照射
し、前記半導体ウエハ等の表面位置を同一平面位置で保
持したまま前記半導体ウエハ等を回転させるウエハ支持
テーブルを有することを特徴とする請求項1〜7のいず
れかに記載の欠陥検査装置。
8. The object to be inspected comprises a semiconductor wafer or the like, and the illumination optical system irradiates the surface of the semiconductor wafer or the like with a light beam from the light source at a large incident angle as a parallel light beam, and irradiates the surface of the semiconductor wafer or the like. The defect inspection apparatus according to any one of claims 1 to 7, further comprising a wafer support table for rotating the semiconductor wafer or the like while maintaining the surface position at the same plane position.
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