JP2002185042A - Semiconductor light-emitting element - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光素子に関
する。特に、III−V族化合物のGaN、InGaN、
GaAlN、InGaAlN等を用いた半導体発光素子
に関する。[0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device. In particular, III-V compounds of GaN, InGaN,
The present invention relates to a semiconductor light emitting device using GaAlN, InGaAlN, or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】青色光ないし紫外線を発生する発光ダイ
オード(LED)やレーザーダイオード(LD)等の半
導体発光素子の材料としては、一般式InxGayAlz
N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦
1、0≦z≦1)で表わされるIII−V族化合物半導体
が知られている。この化合物半導体は、直接遷移型であ
ることから発光効率が高く、また、In濃度によって発
光波長を制御できることから、発光素子用材料として注
目されている。2. Description of the Related Art As a material of a semiconductor light emitting device such as a light emitting diode (LED) or a laser diode (LD) that generates blue light or ultraviolet light, a general formula InxGayAlz is used.
N (however, x + y + z = 1, 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦
III-V group compound semiconductors represented by 1, 0 ≦ z ≦ 1) are known. Since this compound semiconductor is a direct transition type, it has high luminous efficiency, and its emission wavelength can be controlled by the In concentration.
【0003】このInxGayAlzNは大型の単結晶を
作製することが困難であるため、その結晶膜の製作にあ
たっては、異なる材料の基板上に成長させる、いわゆる
ヘテロエピタキシャル成長法が用いられており、一般に
はC面サファイア基板の上で成長させられる。しかし、
C面サファイア基板は高価であり、そのうえ大きな格子
不整合があり、成長した結晶中には転移密度108/c
m2〜1011/cm2という多数の結晶欠陥が生じてしま
い、結晶性に優れた良質の結晶膜を得ることができない
という問題があった。[0003] Since it is difficult to produce a large single crystal of InxGayAlzN, a so-called heteroepitaxial growth method for growing a crystal film on a substrate of a different material is used. Grown on planar sapphire substrate. But,
C-plane sapphire substrates are expensive, have large lattice mismatch, and have a transition density of 10 8 / c
A large number of crystal defects of m @ 2 to 10 @ 11 / cm @ 2 are generated, and there is a problem that a high quality crystal film having excellent crystallinity cannot be obtained.
【0004】そこで、C面サファイア基板上にInxG
ayAlzNを成長させる際の格子不整合を小さくし、欠
陥の少ない結晶を得るため、C面サファイア基板の上に
多結晶又は非晶質のAlNバッファ層や低温成長GaN
バッファ層を設ける方法が提案されている。例えば、六
方晶系のGaNのa軸方向の格子定数(以下、格子定数
aという)が3.189Åであるのに対し、AlNの格
子定数aは3.1113ÅであってGaNに近い格子定
数を有しているので、この方法によれば、C面サファイ
ア基板とバッファ層の間の格子不整合を小さくできると
共にバッファ層とInxGayAlzNの格子不整合も小
さくできるので、欠陥の少ない結晶膜を得ることができ
る。しかし、この方法では、高価なC面サファイア基板
に加え、構造が複雑になることからいっそうコスト高に
なるという問題があった。Therefore, InxG is deposited on a C-plane sapphire substrate.
In order to reduce lattice mismatch when growing ayAlzN and obtain a crystal with few defects, a polycrystalline or amorphous AlN buffer layer or a low-temperature grown GaN is formed on a C-plane sapphire substrate.
A method of providing a buffer layer has been proposed. For example, the lattice constant of the hexagonal GaN in the a-axis direction (hereinafter, referred to as lattice constant a) is 3.189 °, whereas the lattice constant a of AlN is 3.1113 °, which is a lattice constant close to GaN. Therefore, according to this method, the lattice mismatch between the C-plane sapphire substrate and the buffer layer can be reduced, and the lattice mismatch between the buffer layer and InxGayAlzN can be reduced. Can be. However, this method has a problem that the cost is further increased due to the complicated structure in addition to the expensive C-plane sapphire substrate.
【0005】また、基板としてSiC基板も検討されて
おり、SiC基板では格子不整合が小さい。しかし、S
iC基板は、C面サファイア基板と比較してもより高価
につく(C面サファイア基板の価格の10倍程度)とい
う欠点があった。Further, a SiC substrate has been studied as a substrate, and the lattice mismatch of the SiC substrate is small. However, S
The iC substrate has a disadvantage that it is more expensive than the C-plane sapphire substrate (about 10 times the price of the C-plane sapphire substrate).
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の技術的
問題点を解決するためになされたものであり、その目的
とするところは、安価な水晶基板を用いてその上に良質
なInxGayAlzN薄膜を形成することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned technical problems, and it is an object of the present invention to provide a high quality InxGayAlzN thin film on an inexpensive quartz substrate. Is to form
【0007】[0007]
【発明の開示】本発明の半導体発光素子は、InxGay
AlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦
y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導体を用い
た半導体発光素子において、Zカット水晶基板の上方に
InxGayAlzN層を形成したことを特徴としてい
る。DISCLOSURE OF THE INVENTION The semiconductor light emitting device of the present invention has an InxGay
AlzN (where x + y + z = 1, 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦
In a semiconductor light emitting device using a compound semiconductor represented by y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1), an InxGayAlzN layer is formed above a Z-cut quartz substrate.
【0008】水晶基板の[1000]方向における格子
定数aに対するInxGayAlzNの[1000]方向
における格子定数aの比(すなわち、各[1000]方
向の格子定数aの比)と、水晶基板の(101*0)の
距離に対するInxGayAlzNの(101*0)の距離
の比(すなわち、各[101*0]方向における(10
1*0)の距離の比)とは互いにほぼ等しい整数比とな
っているから、Zカット水晶基板上にInxGayAlz
N層を形成すれば、水晶基板上にInxGayAlzNを
c軸配向させることができ、格子不整合の小さな良質の
InxGayAlzN層を得ることができる。The ratio of the lattice constant a of InxGayAlzN in the [1000] direction to the lattice constant a of the quartz substrate in the [1000] direction (ie, the ratio of the lattice constant a in each [1000] direction) and the (101 *) of the quartz substrate 0) to the (101 * 0) distance of InxGayAlzN (ie, (10 * 0) in each [101 * 0] direction).
1 * 0) is an integer ratio substantially equal to each other, so that InxGayAlz is placed on the Z-cut quartz substrate.
By forming the N layer, InxGayAlzN can be c-axis oriented on the quartz substrate, and a high quality InxGayAlzN layer with small lattice mismatch can be obtained.
【0009】なお、この明細書及び図面の全体を通じ
て、右肩の記号*は、結晶軸の負の方向を示している。
従って、通常の記法によれば、例えば[101*0]、
[112*0]、(101*0)は、次の(1)〜(3)式のよ
うに書くことができる。Throughout the specification and drawings, the symbol * on the right shoulder indicates the negative direction of the crystal axis.
Therefore, according to the usual notation, for example, [101 * 0],
[112 * 0] and (101 * 0) can be written as the following equations (1) to (3).
【0010】[0010]
【数1】 (Equation 1)
【0011】したがって、Zカット水晶基板を用いれ
ば、安価な水晶基板の上にInxGayAlzN層を形成
することが可能になり、青色光や紫外線を出射する発光
ダイオードやレーザーダイオード等の半導体発光素子を
安価に製造することができる。Therefore, if a Z-cut quartz substrate is used, an InxGayAlzN layer can be formed on an inexpensive quartz substrate, and semiconductor light-emitting elements such as light-emitting diodes and laser diodes that emit blue light or ultraviolet light can be manufactured at low cost. Can be manufactured.
【0012】また、本発明の半導体発光素子は、Inx
GayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、
0≦y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導体を
用いた半導体発光素子において、Zカット水晶基板の上
にZnO薄膜又はAlN薄膜を形成し、当該薄膜の上に
InxGayAlzN層を形成したことを特徴としてい
る。Further, the semiconductor light emitting device of the present invention comprises Inx
GayAlzN (where x + y + z = 1, 0 ≦ x ≦ 1,
In a semiconductor light emitting device using a compound semiconductor represented by 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1), a ZnO thin film or an AlN thin film is formed on a Z-cut quartz substrate, and an InxGayAlzN layer is formed on the thin film. It is characterized by doing.
【0013】この半導体発光装置にあっては、Zカット
水晶基板の上にバッファ層としてZnO薄膜又はAlN
薄膜を形成しているので、その上に形成されるInxG
ayAlzN層の格子不整合をよりいっそう小さくするこ
とができる。よって、青色光や紫外線を出射する、より
いっそう良質な発光ダイオードやレーザーダイオード等
の半導体発光素子を製造することができる。In this semiconductor light emitting device, a ZnO thin film or AlN is used as a buffer layer on a Z-cut quartz substrate.
Since a thin film is formed, InxG
The lattice mismatch of the ayAlzN layer can be further reduced. Therefore, a semiconductor light-emitting element such as a light-emitting diode or a laser diode, which emits blue light or ultraviolet light, of higher quality can be manufactured.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)図1は本発明
の一実施形態による半導体発光素子1であって、InG
aN層5を発光層とする発光ダイオードや面発光型レー
ザーダイオード等を表わしている。この半導体発光素子
1は、Zカット水晶基板2の上に六方晶系のn−GaN
薄膜3を形成し、n−GaN層3の上にn−AlGaN
層4、InGaN層5、p−AlGaN層6、p−Ga
N層7を順次成長させている。n−AlGaN層4、I
nGaN層5、p−AlGaN層6及びGaN層7をエ
ッチングすることによりn−GaN層3を一部露出さ
せ、p−GaN層7の上面に上部電極8を設け、n−G
aN層3の上面に下部電極9を形成している。しかし
て、p−AlGaN層6に設けられた上部電極8とn−
GaN層3に設けられた下部電極9との間に直流電圧を
印加すると、上部電極8と下部電極9の間に電流が流
れ、上部電極8からInGaN層5に電流が注入されて
発光し、InGaN層5から出た光はp−GaN層7の
上面の上部電極8が設けられていない領域から外部へ出
射される。(First Embodiment) FIG. 1 shows a semiconductor light emitting device 1 according to an embodiment of the present invention.
A light emitting diode or a surface emitting laser diode using the aN layer 5 as a light emitting layer is shown. This semiconductor light emitting device 1 has a hexagonal n-GaN
A thin film 3 is formed, and n-AlGaN is formed on the n-GaN layer 3.
Layer 4, InGaN layer 5, p-AlGaN layer 6, p-Ga
The N layer 7 is sequentially grown. n-AlGaN layer 4, I
By etching the nGaN layer 5, the p-AlGaN layer 6, and the GaN layer 7, the n-GaN layer 3 is partially exposed, and an upper electrode 8 is provided on the upper surface of the p-GaN layer 7, and the n-G
A lower electrode 9 is formed on the upper surface of the aN layer 3. Thus, the upper electrode 8 provided on the p-AlGaN layer 6 and the n-
When a DC voltage is applied between the lower electrode 9 provided on the GaN layer 3 and a current flows between the upper electrode 8 and the lower electrode 9, a current is injected from the upper electrode 8 into the InGaN layer 5 to emit light, Light emitted from the InGaN layer 5 is emitted to the outside from a region on the upper surface of the p-GaN layer 7 where the upper electrode 8 is not provided.
【0015】ここで、Zカット水晶基板とGaNとの格
子定数と面間隔について述べる。図2(b)に示すよう
に、六方晶系のGaN薄膜の[1000]方向の格子定
数aと[0100]方向の格子定数b(b軸方向の格子
定数)は、a=b=3.1860Åで、[101*0]方
向の長さmと[112*0]方向の長さnは、それぞれ
m=2.7592Å、n=1.5930Åである。また、
三方晶系の水晶は、六方晶と同じように六回対称軸をも
ち、図2(a)に示すように六方晶系と同じように表わ
されるため、ここでの方位のとり方も六方晶系と同じ表
わし方をする。Zカット水晶の[1000]方向の格子
定数A(a軸方向の格子定数)と[0100]方向の格
子定数B(b軸方向の格子定数)は、A=B=4.91
31Å、[101*0]方向の長さMと[112*0]方
向の長さNはそれぞれM=4.2549Å、N=2.45
66Åである。よって、[1000]方向及び[010
0]方向においては、Zカット水晶基板の格子定数Aと
GaNの格子定数aの比は、小さな整数比でほぼA:a
=3:2で表され、(101*0)の距離と(112*
0)の距離についても、Zカット水晶基板の格子定数B
とGaNの格子定数bの比は、同じくほぼB:b=3:
2で表される。言い換えると、六方晶系のGaN薄膜の
(2000)の距離(矢印の長さ:a/2)は1.59
30Å、Zカット水晶基板2の(3000)の距離(矢
印の長さ:A/3)における格子定数は1.6377Å
と、ほぼ等しくなる。同様に、六方晶系のGaN薄膜の
(202*0)の距離(矢印の長さ:m/2)は1.37
95Å、Zカット水晶基板2の(303*0)の距離
(矢印の長さ:M/3)は1.4183Åと、ほぼ等し
くなる。また、GaNの(224*0)の距離(矢印の
長さ:n/2)は0.7965Å、Zカット水晶の(3
36*0)の距離(矢印の長さ:N/3)は0.8189
Åとほぼ等しくなる。したがって、Zカット水晶基板の
(3000)の距離とGaN薄膜の(2000)の距離
とは、3%以内で一致する。また、Zカット水晶基板の
(303*0)の距離とGaN薄膜の(202*0)の距
離も、3%以内で一致する。さらに、GaNの(224
*0)の距離とZカット水晶基板の(336*0)の距離
も3%以内で一致する。Here, the lattice constant and the spacing between the Z-cut quartz substrate and GaN will be described. As shown in FIG. 2B, the lattice constant a in the [1000] direction and the lattice constant b in the [0100] direction (lattice constant in the b-axis direction) of the hexagonal GaN thin film are a = b = 3. At 1860 °, the length m in the [101 * 0] direction and the length n in the [112 * 0] direction are m = 2.7592 ° and n = 1.5930 °, respectively. Also,
The trigonal crystal has a six-fold symmetry axis similarly to the hexagonal crystal, and is represented in the same manner as the hexagonal crystal as shown in FIG. 2 (a). The same notation is used. The lattice constant A (lattice constant in the a-axis direction) of the Z-cut quartz crystal in the [1000] direction and the lattice constant B (lattice constant in the b-axis direction) in the [0100] direction are A = B = 4.91.
31 °, the length M in the [101 * 0] direction and the length N in the [112 * 0] direction are M = 4.2549 ° and N = 2.45, respectively.
66 °. Therefore, [1000] direction and [010]
In the [0] direction, the ratio between the lattice constant A of the Z-cut quartz substrate and the lattice constant a of GaN is approximately A: a with a small integer ratio.
= 3: 2, the distance of (101 * 0) and (112 *
0), the lattice constant B of the Z-cut quartz substrate
And the lattice constant b of GaN is also approximately B: b = 3:
It is represented by 2. In other words, the distance of (2000) (length of arrow: a / 2) of the hexagonal GaN thin film is 1.59.
The lattice constant of the Z-cut quartz substrate 2 at a distance of (3000) (length of an arrow: A / 3) of 30 ° is 1.6377 °.
And it is almost equal. Similarly, the distance (length of arrow: m / 2) of (202 * 0) of the hexagonal GaN thin film is 1.37.
95 °, the distance (length of arrow: M / 3) of (303 * 0) of the Z-cut quartz substrate 2 is almost equal to 1.4183 °. Further, the distance of 224 * 0 (length of arrow: n / 2) of GaN is 0.7965 °, and the distance of Z
36 * 0) (length of arrow: N / 3) is 0.8189
It is almost equal to Å. Therefore, the distance of (3000) of the Z-cut quartz substrate and the distance of (2000) of the GaN thin film match within 3%. Also, the distance of (303 * 0) of the Z-cut quartz substrate and the distance of (202 * 0) of the GaN thin film match within 3%. Furthermore, GaN (224
The distance of (* 0) and the distance of (336 * 0) of the Z-cut quartz substrate also match within 3%.
【0016】従って、Zカット水晶基板2のZ面上にc
軸配向の六方晶系GaN薄膜を成長させることにより、
図3に示すように良質な結晶性のn−GaN層3を得る
ことができる。そして、このいずれかのn−GaN層3
の上にn−AlGaN層4、InGaN層5、p−Al
GaN層6、p−GaN層7を成長させることにより、
安価な水晶基板2を用いて効率のよい青色ダイオードや
紫外線ダイオード等の半導体発光素子1を製造すること
が可能になる。Therefore, c is placed on the Z surface of the Z-cut quartz substrate 2.
By growing an axially oriented hexagonal GaN thin film,
As shown in FIG. 3, a high-quality crystalline n-GaN layer 3 can be obtained. Then, any of the n-GaN layers 3
N-AlGaN layer 4, InGaN layer 5, p-Al
By growing the GaN layer 6 and the p-GaN layer 7,
It is possible to manufacture an efficient semiconductor light emitting device 1 such as a blue diode or an ultraviolet diode using an inexpensive crystal substrate 2.
【0017】(第2の実施形態)図4に示すものは本発
明の別な実施形態による半導体発光素子11を示す断面
図である。この半導体発光素子11にあっては、Zカッ
ト水晶基板2の上にZnO膜12を形成し、ZnO膜1
2の上にn−GaN層3、n−AlGaN層4、InG
aN層5、p−AlGaN層6、p−GaN層7を順次
成長させている。さらに、n−AlGaN層4、InG
aN層5、p−AlGaN層6及びp−GaN層7をエ
ッチングすることによりn−GaN層3を一部露出さ
せ、p−GaN層7の上面に上部電極8を設け、n−G
aN層3の上面に下部電極9を形成している(あるい
は、ZnO膜12を不純物ドープにより低抵抗化し、Z
nO膜12の上に下部電極9を形成してもよい)。(Second Embodiment) FIG. 4 is a sectional view showing a semiconductor light emitting device 11 according to another embodiment of the present invention. In this semiconductor light emitting device 11, a ZnO film 12 is formed on a Z-cut quartz substrate 2, and a ZnO film 1 is formed.
2, n-GaN layer 3, n-AlGaN layer 4, InG
The aN layer 5, the p-AlGaN layer 6, and the p-GaN layer 7 are sequentially grown. Further, the n-AlGaN layer 4, InG
The n-GaN layer 3 is partially exposed by etching the aN layer 5, the p-AlGaN layer 6, and the p-GaN layer 7, and the upper electrode 8 is provided on the upper surface of the p-GaN layer 7, and the n-G
The lower electrode 9 is formed on the upper surface of the aN layer 3 (or the resistance of the ZnO film 12 is reduced by impurity doping,
The lower electrode 9 may be formed on the nO film 12).
【0018】六方晶系のZnO膜12の格子定数aは
3.24265ÅでGaNの格子定数(a定数:3.18
6Å)に近いので、Zカット水晶基板2の上にバッファ
層としてZnO膜12を形成することにより、よりいっ
そう良好なn−GaN層3を形成することができ、より
良好な青色ないし紫外線ダイオード等の発光素子11を
製造することができる。The lattice constant a of the hexagonal ZnO film 12 is 3.24265 ° and the lattice constant of GaN (a constant: 3.18)
6Å), a better n-GaN layer 3 can be formed by forming the ZnO film 12 as a buffer layer on the Z-cut quartz substrate 2, and a better blue or ultraviolet diode or the like can be formed. Can be manufactured.
【0019】(第3の実施形態)図5に示すものは本発
明のさらに別な実施形態による半導体発光素子13を示
す断面図である。この半導体発光素子13にあっては、
Zカット水晶基板2の上にAlN膜14を形成し、Al
N膜14の上にn−GaN層3、n−AlGaN層4、
InGaN層5、p−AlGaN層6、p−GaN層7
を順次成長させている。さらに、n−AlGaN層4、
InGaN層5、p−AlGaN層6及びp−GaN層
7をエッチングすることによりn−GaN層3を一部露
出させ、p−GaN層7の上面に上部電極8を設け、n
−GaN層3の上面に下部電極9を形成している(ある
いは、AlN膜14を不純物ドープにより低抵抗化し、
AlN膜14の上に下部電極9を形成してもよい)。(Third Embodiment) FIG. 5 is a sectional view showing a semiconductor light emitting device 13 according to still another embodiment of the present invention. In this semiconductor light emitting element 13,
An AlN film 14 is formed on a Z-cut quartz substrate 2,
On the N film 14, the n-GaN layer 3, the n-AlGaN layer 4,
InGaN layer 5, p-AlGaN layer 6, p-GaN layer 7
Are growing sequentially. Further, the n-AlGaN layer 4,
The n-GaN layer 3 is partially exposed by etching the InGaN layer 5, p-AlGaN layer 6, and p-GaN layer 7, and an upper electrode 8 is provided on the upper surface of the p-GaN layer 7,
Forming a lower electrode 9 on the upper surface of the GaN layer 3 (or lowering the resistance of the AlN film 14 by impurity doping,
The lower electrode 9 may be formed on the AlN film 14).
【0020】AlN膜14の格子定数は3.1113Å
でGaNの格子定数(a定数:3.186Å)に近いの
で、Zカット水晶基板2の上にバッファ層としてAlN
膜14を形成することにより、よりいっそう良好なn−
GaN層3を形成することができ、より良好な青色ない
し紫外線ダイオード等の発光素子13を製造することが
できる。The lattice constant of the AlN film 14 is 3.1113 °
Is close to the lattice constant of GaN (a constant: 3.186 °).
By forming the film 14, an even better n-
The GaN layer 3 can be formed, and a better light emitting element 13 such as a blue or ultraviolet diode can be manufactured.
【0021】なお、上記各実施形態では、面発光型の発
光素子を図示したが、レーザーダイオードや端面出射型
の発光ダイオードにも本発明を適用できることはいうま
でもない。In each of the above embodiments, the surface-emitting type light-emitting element is illustrated, but it is needless to say that the present invention can be applied to a laser diode or an edge-emitting type light-emitting diode.
【図1】本発明の一実施形態による半導体発光素子を示
す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention.
【図2】(a)はZカット水晶基板の単位格子を示す
図、(b)はGaNの単位格子を示す図である。2A is a diagram illustrating a unit lattice of a Z-cut quartz substrate, and FIG. 2B is a diagram illustrating a unit lattice of GaN.
【図3】Zカット水晶基板の上に成長したGaNの結晶
構造を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a crystal structure of GaN grown on a Z-cut quartz substrate.
【図4】本発明の別な実施形態による半導体発光素子を
示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention.
【図5】本発明のさらに別な実施形態による半導体発光
素子を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention.
2 Zカット水晶基板 3 n−GaN層 5 InGaN層(発光層) 12 ZnO膜 14 AlN膜 2 Z-cut quartz substrate 3 n-GaN layer 5 InGaN layer (light emitting layer) 12 ZnO film 14 AlN film
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【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成13年10月3日(2001.10.
3)[Submission date] October 3, 2001 (2001.10.
3)
【手続補正1】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】発明の名称[Correction target item name] Name of invention
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【発明の名称】半導体発光素子 [Title of the Invention] Semiconductor light emitting device
Claims (1)
z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わ
される化合物半導体を用いた半導体発光素子において、
Zカット水晶基板の上にZnO薄膜又はAlN薄膜を形
成し、当該薄膜の上にInxGayAlzN層を形成した
ことを特徴とする半導体発光素子。1. InxGayAlzN (where x + y +
In a semiconductor light emitting device using a compound semiconductor represented by z = 1, 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1,
A semiconductor light emitting device comprising: a ZnO thin film or an AlN thin film formed on a Z-cut quartz substrate; and an InxGayAlzN layer formed on the thin film.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8866374B2 (en) | 2010-04-09 | 2014-10-21 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device having a multilayer re-emission layer and light emitting device package including the same |
-
2001
- 2001-10-02 JP JP2001306429A patent/JP3387491B2/en not_active Expired - Fee Related
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